JP2010192586A - 光半導体封止用シート - Google Patents
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Abstract
【解決手段】剥離シートの上に封止樹脂層が積層されてなる光半導体封止用シートであって、前記剥離シートが封止樹脂層との界面に、凹形状を有する凹部形成層又は凸形状を有する凸部形成層を含み、かつ、前記封止樹脂層が剥離シートとの界面に、剥離シートの凹形状に嵌合する凸形状又は剥離シートの凸形状に嵌合する凹形状を有してなる、光半導体封止用シート。
【選択図】なし
Description
〔1〕 剥離シートの上に封止樹脂層が積層されてなる光半導体封止用シートであって、前記剥離シートが封止樹脂層との界面に、凹形状を有する凹部形成層又は凸形状を有する凸部形成層を含み、かつ、前記封止樹脂層が剥離シートとの界面に、剥離シートの凹形状に嵌合する凸形状又は剥離シートの凸形状に嵌合する凹形状を有してなる、光半導体封止用シート、及び
〔2〕 前記〔1〕記載の光半導体封止用シートを光半導体素子搭載基板に封止樹脂層が基板に対向するよう積層して加圧成型後、剥離シートを剥離して、凸形状又は凹形状が表面に形成されてなる、光半導体装置
に関する。
ゲルろ過クロマトグラフィー(GPC)によるポリスチレン換算にて求める。
プリズムカップラー(SPA-4000、サイロン社製)を用いて、25℃、460nmにおける屈折率を測定する。
無延伸ポリプロピレンフィルム(東セロ社製、商品名「S-40」、40μm)上に、径200nm、高さ210nmの凸部がピッチ250nmで配列された凸金型を配置し、真空プレス装置(ニチゴーモートン社製、V-130)を用いて、1MPaの加圧下で、160℃、3分間プレス成型して、表面に凹形状を有する剥離シートが得られた(厚さ40μm)。
ポリエチレンテレフタレートフィルム(18μm)の一方の面に、紫外線硬化性フッ素樹脂溶液(旭硝子社製、商品名「NIF-A1」)を1μmの厚さに塗工後、径200nm、高さ210nmの凸部がピッチ250nmで配列された凸金型を凸部がフッ素樹脂溶液の塗工面に対向するよう配置し、ポリエチレンテレフタレートフィルムが露出する側から、紫外線(波長365nm)を照射してフッ素樹脂を硬化させて、表面に凹形状を有する剥離シートが得られた(厚さ19μm)。
実施例1と同様の無延伸ポリプロピレンフィルム(S-40)上に、径10μm、高さ5μmの凸部がピッチ12μmで配列された凸金型を配置し、真空プレス装置(V-130)を用いて、1MPaの加圧下で、160℃、3分間プレス成型して、表面に凹形状を有する剥離シートが得られた(厚さ40μm)。
実施例1〜3において、剥離シートに凹形状を形成しない以外は、実施例1〜3と同様にして、比較例1〜3の光半導体封止用シートを調製した。
得られた光半導体封止用シートを、光半導体素子(波長域460nm)を実装した平板の基板に、封止樹脂層を光半導体素子と対向するよう積層し、その上から、凹部(8mm×8mm、深さ250μm)を有するSUS製金型を、真空プレス装置(V-130)を用いて、0.1MPaの圧力下で、160℃で5分加熱した。その後、真空ラミネーターから取り出し、室温(25℃)に戻してから金型をはずし、150℃の乾燥機にて1時間ポストキュアを行った後、剥離シートを剥離して、アレイパッケージを得た。なお、比較例1〜3のアレイパッケージでは、剥離シートの剥離後に封止樹脂層に、実施例1〜3の光半導体封止用シート成形時に用いた凸型構造を有する凸金型をそれぞれ配置し、真空プレス装置(V-130)を用いて、1MPaの加圧下で、160℃、3分間プレス成型して、表面に凹形状を形成した。
各アレイパッケージの発光輝度を全天候輝度計測により測定し、実施例1と比較例1のアレイパッケージは、比較例1のアレイパッケージにおいて封止樹脂層に凹形状がないアレイパッケージを基準とした場合の、実施例2と比較例2のアレイパッケージは、比較例2のアレイパッケージにおいて封止樹脂層に凹形状がないアレイパッケージを基準とした場合の、実施例3と比較例3のアレイパッケージは、比較例3のアレイパッケージにおいて封止樹脂層に凹形状がないアレイパッケージを基準とした場合の、発光輝度向上率をそれぞれ算出した。なお、測定には積分球を使用し、マルチ測光システム(MCPD-3000、大塚電子社製)を用いて行った。
1−2 剥離シートの凹部形成層
1−3 剥離シートの支持体層
1 剥離シート
2 封止樹脂層
3 光半導体素子
4 基板
5 圧縮成型用金型
6 封止樹脂層に凸部を形成する金型
Claims (4)
- 剥離シートの上に封止樹脂層が積層されてなる光半導体封止用シートであって、前記剥離シートが封止樹脂層との界面に、凹形状を有する凹部形成層又は凸形状を有する凸部形成層を含み、かつ、前記封止樹脂層が剥離シートとの界面に、剥離シートの凹形状に嵌合する凸形状又は剥離シートの凸形状に嵌合する凹形状を有してなる、光半導体封止用シート。
- 封止樹脂層における、凸形状の凸部の高さ又は凹形状の凹部の深さが100nm〜10μmである、請求項1記載の光半導体封止用シート。
- 剥離シートが、さらに、支持体層を含んでなる、請求項1又は2記載の光半導体封止用シート。
- 請求項1〜3いずれか記載の光半導体封止用シートを光半導体素子搭載基板に封止樹脂層が基板に対向するよう積層して加圧成型後、剥離シートを剥離して、凸形状又は凹形状が表面に形成されてなる、光半導体装置。
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