JP6018608B2 - 封止シート、その製造方法、光半導体装置および封止光半導体素子 - Google Patents

封止シート、その製造方法、光半導体装置および封止光半導体素子 Download PDF

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Description

本発明は、封止シート、その製造方法、光半導体装置および封止光半導体素子、詳しくは、封止シート、その製造方法、基板に実装され、封止シートによって封止される光半導体素子を備える光半導体装置、および、封止シートによって封止される光半導体素子を備える封止光半導体素子に関する。
従来、シリコーン樹脂組成物からなる封止材は、光半導体素子を封止するように使用されることが知られている。封止材は、端子を含む光半導体素子を埋設して被覆する。
近年、硫化水素ガスまたは硫酸ガスなどの腐食性のガスに対するガスバリア性に優れる封止材として、分子内にフェニル基を含有するシリコーン樹脂と、液状のフェノール樹脂とを含有する光半導体素子用封止剤が提案されている（例えば、下記特許文献１参照。）。特許文献１の光半導体素子用封止剤は、液体状の熱硬化性樹脂組成物であって、基板に実装された光半導体素子を囲むハウジング材によって区画された凹部に注入され、その後、加熱されることによって、硬化する。そして、特許文献１に記載の光半導体素子用封止剤は、硬化後には、腐食性のガスの透過を抑制して、光半導体素子の端子の腐食を防止する。
特開２０１１−１７８８９２号公報
しかるに、特許文献１に記載の液体状の光半導体素子用封止剤は、所望厚みの固体状のシートに成形することができないという不具合がある。
また、特許文献１の光半導体素子用封止剤に充填剤を配合して、シートの成形性を改善することも検討されるが、その場合には、シートの透明性が低下したり、あるいは、液体状の光半導体素子用封止剤中で充填剤が沈降して、充填剤が不均一に分散する不具合がある。
本発明の目的は、フェニル基を含有していても、所望厚みのシート状に確実かつ均一に形成され、かつ、粒子が均一に分散され、透明性に優れ、光半導体素子を確実に封止することのできる封止シート、その製造方法、光半導体装置および封止光半導体素子を提供することにある。
上記目的を達成するために、本発明の封止シートは、分子内に２個以上のアルケニル基および／またはシクロアルケニル基を含有するアルケニル基含有ポリシロキサンと、分子内に２個以上のヒドロシリル基を含有するヒドロシリル基含有ポリシロキサンと、ヒドロシリル化触媒とを含有するシリコーン樹脂組成物と、屈折率が１．５０以上、１．６０以下であり、平均粒子径が１０μｍ以上、５０μｍ以下の無機フィラーとを含有する封止組成物からシート状に形成され、光半導体素子を封止するように使用され、前記アルケニル基含有ポリシロキサンは、下記平均組成式（１）で示され、
平均組成式（１）：
Ｒ１ ａＲ２ ｂＳｉＯ（４−ａ−ｂ）／２
（式中、Ｒ１は、炭素数２〜１０のアルケニル基および／または炭素数３〜１０のシクロアルケニル基を示す。Ｒ２は、非置換または置換の炭素数１〜１０の１価の炭化水素基（ただし、アルケニル基およびシクロアルケニル基を除く。）を示す。ａは、０．０５以上、０．５０以下であり、ｂは、０．８０以上、１．８０以下である。）
前記ヒドロシリル基含有ポリシロキサンは、下記平均組成式（２）で示され、
平均組成式（２）：
ＨｃＲ３ ｄＳｉＯ（４−ｃ−ｄ）／２
（式中、Ｒ３は、非置換または置換の炭素数１〜１０の１価の炭化水素基（ただし、アルケニル基およびシクロアルケニル基を除く。）を示す。ｃは、０．３０以上、１．０以下であり、ｄは、０．９０以上、２．０以下である。）
前記平均組成式（１）および前記平均組成式（２）中、Ｒ２およびＲ３の少なくともいずれか一方は、フェニル基を含み、前記シリコーン樹脂組成物を反応させることにより得られる生成物は、下記平均組成式（３）で示され、
平均組成式（３）：
Ｒ５ ｅＳｉＯ（４−ｅ）／２
（式中、Ｒ５は、フェニル基を含む、非置換または置換の炭素数１〜１０の１価の炭化水素基（ただし、アルケニル基およびシクロアルケニル基を除く。）を示す。ｅは、１．０以上、３．０以下である。）
前記平均組成式（３）のＲ５におけるフェニル基の含有割合が、３０モル％以上、５５モル％以下であることを特徴としている。
また、本発明の封止シートでは、前記無機フィラーの配合割合は、前記封止組成物に対して、３０質量％以上、８０質量％以下であることが好適である。
また、本発明の封止シートでは、前記シリコーン樹脂組成物は、２段階硬化性であり、Ｂステージであることが好適である。
また、本発明の封止シートでは、前記Ｂステージのシリコーン樹脂組成物は、熱可塑性および熱硬化性を併有することが好適である。
また、本発明の封止シートは、周波数１Ｈｚ、昇温速度２０℃／分、温度範囲２０〜１５０℃の条件における動的粘弾性測定で得られる８０℃の剪断貯蔵弾性率Ｇ’が、３Ｐａ以上、１４０Ｐａ以下であることが好適である。
また、本発明では、厚み６００μｍの前記封止シートは、波長４６０ｎｍの光に対する透過率が、７０％以上であることが好適である。
また、本発明の封止シートの製造方法は、上記した封止シートの製造方法であって、前記封止組成物を塗布して塗膜を形成する工程、および、前記塗膜を、７０℃以上、１２０℃以下で、かつ、８分以上、１５分以下加熱する工程を備えることを特徴としている。
また、本発明の光半導体装置は、基板と、前記基板に実装される光半導体素子と、前記光半導体素子を封止する上記した封止シートとを備えることを特徴としている。
また、本発明の封止光半導体素子は、光半導体素子と、前記光半導体素子を封止する上記した封止シートとを備えることを特徴としている。
本発明の封止シートでは、無機フィラーの平均粒子径が上記した特定範囲内にあるので、所望厚みのシートに成形されており、また、無機フィラーが均一に分散されている。
また、本発明の封止シートでは、無機フィラーの屈折率が上記した範囲内にあるので、上記したフェニル基濃度を有するシリコーン樹脂組成物の屈折率との差を低減することができ、そのため、封止シートは、透明性に優れる。
さらに、本発明の封止シートでは、シリコーン樹脂組成物を反応させることにより得られる生成物の平均組成式（３）のＲ５におけるフェニル基の含有割合が特定の範囲にあるので、光半導体素子を確実に埋設して封止することができる。
そのため、本発明の封止シートは、成形性、透明性および封止性に優れる。
また、本発明の封止シートの製造方法は、無機フィラーが均一にシリコーン樹脂組成物に分散された封止シートを、所望の均一な厚みで製造することができる。
本発明の光半導体装置および封止光半導体素子は、成形性、透明性および封止性に優れる封止シートによって、光半導体素子が封止されているので、信頼性に優れるとともに、発光効率に優れる。
図１Ａ〜図１Ｃは、本発明の封止シートの一実施形態を用いて、本発明の光半導体装置の一実施形態を製造する工程を示し、図１Ａは用意工程、図１Ｂは封止工程、図１Ｃは剥離工程を示す。 図２Ａ〜図２Ｄは、図１Ａの封止シートを用いて、光半導体装置の変形例を製造する工程を示し、図２Ａは用意工程、図２Ｂは封止工程および第１剥離工程、図２Ｃは第２剥離工程、図２Ｄは実装工程を示す。
図１Ａ〜図１Ｃにおいて、紙面上側を上側（第１方向一方側、厚み方向一方側）、紙面下側を下側（第１方向他方側、厚み方向他方側）とする。
［封止シート１］
本発明の一実施形態である封止シート１は、図１Ａに示すように、平板形状を有し、具体的には、所定の厚みを有し、封止シート１の厚み方向と直交する所定方向に延び、平坦な上面および平坦な下面を有している。また、封止シート１は、後述する光半導体装置６（図１Ｃ参照）ではなく、光半導体装置６の一部品、すなわち、光半導体装置６を作製するための部品であり、光半導体素子３および光半導体素子３を搭載する基板５を含まず、図１Ａに示すように、剥離シート２とともに封止部材７に備えられる。
封止部材７は、剥離シート２と、剥離シート２の表面（下面）に配置される封止シート１とを備える。好ましくは、封止部材７は、剥離シート２および封止シート１からなる。封止部材７は、部品単独で流通し、産業上利用可能なデバイスである。
そして、封止シート１は、封止組成物からシート状に形成されており、光半導体素子３（図１Ｃ参照）を封止するように使用される。
（封止組成物）
封止組成物は、シリコーン樹脂組成物と、無機フィラーとを含有する。
（シリコーン樹脂組成物）
シリコーン樹脂組成物は、例えば、２段階硬化性、具体的には、２段階熱硬化性または２段階紫外線硬化性、好ましくは、２段階熱硬化性である。
（シリコーン樹脂組成物の原料）
シリコーン樹脂組成物は、例えば、アルケニル基含有ポリシロキサンと、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンと、ヒドロシリル化触媒とを含有する。
次に、上記の各成分について説明する。
＜アルケニル基含有ポリシロキサン＞
アルケニル基含有ポリシロキサンは、分子内に２個以上のアルケニル基および／またはシクロアルケニル基を含有する。アルケニル基含有ポリシロキサンは、具体的には、下記平均組成式（１）で示される。
平均組成式（１）：
Ｒ１ ａＲ２ ｂＳｉＯ（４−ａ−ｂ）／２
（式中、Ｒ１は、炭素数２〜１０のアルケニル基および／または炭素数３〜１０のシクロアルケニル基を示す。Ｒ２は、非置換または置換の炭素数１〜１０の１価の炭化水素基（ただし、アルケニル基およびシクロアルケニル基を除く。）を示す。ａは、０．０５以上、０．５０以下であり、ｂは、０．８０以上、１．８０以下である。）
式（１）中、Ｒ１で示されるアルケニル基としては、例えば、ビニル基、アリル基、プロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、ヘプテニル基、オクテニル基などの炭素数２〜１０のアルケニル基が挙げられる。Ｒ１で示されるシクロアルケニル基としては、例えば、シクロヘキセニル基、ノルボルネニル基などの炭素数３〜１０のシクロアルケニル基が挙げられる。
Ｒ１として、好ましくは、アルケニル基、より好ましくは、炭素数２〜４のアルケニル基、さらに好ましくは、ビニル基が挙げられる。
Ｒ１で示されるアルケニル基は、同一種類または複数種類のいずれでもよい。
Ｒ２で示される１価の炭化水素基は、アルケニル基およびシクロアルケニル基以外の非置換または置換の炭素原子数１〜１０の１価の炭化水素基である。
非置換の１価の炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ペンチル基、ヘプチル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基などの炭素数１〜１０のアルキル基、例えば、シクロプロピル、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などの炭素数３〜６のシクロアルキル基、例えば、フェニル基、トリル基、ナフチル基などの炭素数６〜１０のアリール基、例えば、ベンジル基、ベンジルエチル基などの炭素数７〜８のアラルキル基が挙げられる。好ましくは、炭素数１〜３のアルキル基、炭素数６〜１０のアリール基が挙げられ、より好ましくは、メチルおよびフェニルが挙げられる。
一方、置換の１価の炭化水素基は、上記した非置換の１価の炭化水素基における水素原子を置換基で置換したものが挙げられる。
置換基としては、例えば、塩素原子などのハロゲン原子、例えば、グリシジルエーテル基などが挙げられる。
置換の１価の炭化水素基としては、具体的には、３−クロロプロピル基、グリシドキシプロピル基などが挙げられる。
１価の炭化水素基は、非置換および置換のいずれであってもよく、好ましくは、非置換である。
Ｒ２で示される１価の炭化水素基は、同一種類または複数種類であってもよい。好ましくは、メチルおよびフェニルの併用が挙げられる。
ａは、好ましくは、０．１０以上、０．４０以下である。
ｂは、好ましくは、１．５以上、１．７５以下である。
アルケニル基含有ポリシロキサンの重量平均分子量は、例えば、１００以上、好ましくは、５００以上であり、また、例えば、１００００以下、好ましくは、５０００以下である。アルケニル基含有ポリシロキサンの重量平均分子量は、ゲル透過クロマトグラフィーによって測定される標準ポリスチレンによる換算値である。
アルケニル基含有ポリシロキサンは、適宜の方法によって調製され、また、市販品を用いることもできる。
また、アルケニル基含有ポリシロキサンは、同一種類または複数種類であってもよい。
＜ヒドロシリル基含有ポリシロキサン＞
ヒドロシリル基含有ポリシロキサンは、例えば、分子内に２個以上のヒドロシリル基（ＳｉＨ基）を含有する。ヒドロシリル基含有ポリシロキサンは、具体的には、下記平均組成式（２）で示される。
平均組成式（２）：
ＨｃＲ３ ｄＳｉＯ（４−ｃ−ｄ）／２
（式中、Ｒ３は、非置換または置換の炭素数１〜１０の１価の炭化水素基（ただし、アルケニル基およびシクロアルケニル基を除く。）を示す。ｃは、０．３０以上、１．０以下であり、ｄは、０．９０以上、２．０以下である。）
式（２）中、Ｒ３で示される非置換または置換の炭素数１〜１０の１価の炭化水素基は、式（１）のＲ２で示される非置換または置換の炭素数１〜１０の１価の炭化水素基と同一のものが例示される。好ましくは、非置換の炭素数１〜１０の１価の炭化水素基、より好ましくは、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数６〜１０のアリール基が挙げられ、さらに好ましくは、フェニル基およびメチル基の併用が挙げられる。
ｃは、好ましくは、０．５以下である。
ｄは、好ましくは、１．３以上、１．７以下である。
ヒドロシリル基含有ポリシロキサンの重量平均分子量は、例えば、１００以上、好ましくは、５００以上であり、また、例えば、１００００以下、好ましくは、５０００以下である。ヒドロシリル基含有ポリシロキサンの重量平均分子量は、ゲル透過クロマトグラフィーによって測定される標準ポリスチレンによる換算値である。
ヒドロシリル基含有ポリシロキサンは、適宜の方法によって調製され、また、市販品を用いることもできる。
上記した平均組成式（１）および平均組成式（２）中、Ｒ２およびＲ３の少なくともいずれか一方の炭化水素基は、フェニル基を含む。好ましくは、Ｒ２およびＲ３の両方の炭化水素が、フェニル基を含む。
Ｒ２およびＲ３の少なくともいずれか一方がフェニル基を含むため、上記した平均組成式（１）で示されるアルケニル基含有ポリシロキサン、および／または、平均組成式（２）で示されるヒドロシリル基含有ポリシロキサンを含有するシリコーン樹脂組成物は、フェニル基を含有するフェニル系シリコーン樹脂組成物として調製される。
また、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンは、同一種類または複数種類であってもよい。
ヒドロシリル基含有ポリシロキサンの配合割合は、アルケニル基含有ポリシロキサンのアルケニル基およびシクロアルケニル基のモル数の、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンのヒドロシリル基のモル数に対する割合（アルケニル基およびシクロアルケニル基のモル数／ヒドロシリル基のモル数）が、例えば、１／３０以上、好ましくは、１／３以上、また、例えば、３０／１以下、好ましくは、３／１以下となるように、調整される。
＜ヒドロシリル化触媒＞
ヒドロシリル化触媒は、アルケニル基含有ポリシロキサンのアルケニル基および／またはシクロアルケニル基と、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンのヒドロシリル基とのヒドロシリル化反応（ヒドロシリル付加）の反応速度を向上させる物質（付加触媒）であれば、特に限定されず、例えば、金属触媒が挙げられる。金属触媒としては、例えば、白金黒、塩化白金、塩化白金酸、白金−オレフィン錯体、白金−カルボニル錯体、白金−アセチルアセテートなどの白金触媒、例えば、パラジウム触媒、例えば、ロジウム触媒などが挙げられる。
ヒドロシリル化触媒の配合割合は、金属触媒の金属量（具体的には、金属原子）として、アルケニル基含有ポリシロキサンおよびヒドロシリル基含有ポリシロキサンに対して、質量基準で、例えば、１．０ｐｐｍ以上であり、また、例えば、１００００ｐｐｍ以下、好ましくは、１０００ｐｐｍ以下、より好ましくは、５００ｐｐｍ以下である。
（シリコーン樹脂組成物の調製）
シリコーン樹脂組成物は、アルケニル基含有ポリシロキサン、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンおよびヒドロシリル化触媒を、上記した割合で配合することにより、調製される。
具体的には、シリコーン樹脂組成物は、アルケニル基含有ポリシロキサン、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンおよびヒドロシリル化触媒の配合によって、２段階硬化性（好ましくは、２段階熱硬化性）樹脂組成物のＡステージ（液体状）とされる。
なお、Ａステージのシリコーン樹脂組成物は、Ａステージ（液体状）からＢステージ（半硬化の固体状あるいは半固体状）を経由してＣステージ（完全硬化の固体状）となることが可能である。
より具体的には、Ａステージのシリコーン樹脂組成物は、アルケニル基含有ポリシロキサンのアルケニル基および／またはシクロアルケニル基と、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンのヒドロシリル基とが、後述する条件で、ヒドロシリル化反応することにより、Ｂステージのシリコーン樹脂組成物を生成する。
シリコーン樹脂組成物の屈折率は、例えば、１．５０以上であり、また、例えば、１．６０以下である。シリコーン樹脂組成物の屈折率は、アッベ屈折率計によって算出される。なお、シリコーン樹脂組成物の屈折率は、シリコーン樹脂組成物が２段階硬化性である場合には、Ｃステージのシリコーン樹脂組成物（後述する生成物に相当）の屈折率として算出される。
シリコーン樹脂組成物の配合割合は、封止組成物に対して、例えば、２０質量％以上、好ましくは、２５質量％以上であり、また、例えば、７０質量％以下、好ましくは、５０質量％以下、より好ましくは、５０質量％未満、さらに好ましくは、４０質量％以下、とりわけ好ましくは、３０質量％以下である。シリコーン樹脂組成物の配合割合が上記範囲内であれば、封止シート１の成形性を確保することができる。
（無機フィラー）
無機フィラーは、封止シート１（図１Ａ参照）の成形性を向上させるために、封止組成物に配合される。具体的には、無機フィラーは、反応前（具体的には、Ａステージ）のシリコーン樹脂組成物に配合される。無機フィラーとしては、例えば、シリカ（ＳｉＯ２）、タルク（Ｍｇ３（Ｓｉ４Ｏ１０）（ＨＯ）２）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、酸化ホウ素（Ｂ２Ｏ３）、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、酸化バリウム（ＢａＯ）、酸化アンチモン（Ｓｂ２Ｏ３）などの酸化物、例えば、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）などの窒化物などの無機物粒子（無機物）が挙げられる。また、無機フィラーとして、例えば、上記例示の無機物から調製される複合無機物粒子が挙げられ、好ましくは、酸化物から調製される複合無機酸化物粒子（具体的には、ガラス粒子など）が挙げられる。
複合無機酸化物粒子としては、例えば、シリカ、あるいは、シリカおよび酸化ホウ素を主成分として含有し、また、アルミナ、酸化カルシウム、酸化亜鉛、酸化ストロンチウム、酸化マグネシウム、酸化ジルコニウム、酸化バリウム、酸化アンチモンなどを副成分として含有する。複合無機酸化物粒子における主成分の含有割合は、複合無機酸化物粒子に対して、例えば、４０質量％を超え、好ましくは、５０質量％以上であり、また、例えば、９０質量％以下、好ましくは、８０質量％以下である。副成分の含有割合は、上記した主成分の含有割合の残部である。
複合酸化物粒子は、上記した主成分および副成分を配合して、加熱して溶融させて、それらの溶融物を急冷し、その後、例えば、ボールミルなどによって粉砕し、その後、必要により、適宜の表面加工（具体的には、球体化など）を施して、得られる。
無機フィラーの形状は、特に限定されず、例えば、球状、板状、針状などが挙げられる。好ましくは、流動性の観点から、球状が挙げられる。無機フィラーの平均粒子径は、１０μｍ以上、好ましくは、１５μｍ以上であり、また、５０μｍ以下、好ましくは、４０μｍ以下、より好ましくは、３０μｍ以下、さらに好ましくは、２５μｍ以下である。無機フィラーの平均粒子径が上記上限を超える場合には、封止組成物（後述するワニス）において無機フィラーが沈降する傾向がある。一方、無機フィラーの平均粒子径が上記下限に満たない場合には、封止組成物のシート成形性が低下したり、あるいは、封止シート１（図１Ａ参照）の透明性が低下する傾向がある。無機フィラーの平均粒子径は、Ｄ５０値として算出される。具体的には、レーザー回折式粒度分布計により測定される。
無機フィラーの屈折率は、１．５０以上、好ましくは、１．５２以上であり、また、１．６０以下、好ましくは、１．５８以下である。無機フィラーの屈折率が上記範囲内にあれば、上記したシリコーン樹脂組成物の屈折率との差を所望範囲内にすることができる。つまり、シリコーン樹脂組成物および無機フィラーの屈折率の差の絶対値を小さくすることができ、そのため、封止シート１の透明性を向上させることができる。無機フィラーの屈折率は、アッベ屈折率計によって算出される。
シリコーン樹脂組成物および無機フィラーの屈折率の差の絶対値は、例えば、０．１０以下、好ましくは、０．０５以下であり、通常、例えば、０以上である。上記した屈折率の差の絶対値が上記上限以下であれば、封止シート１の透明性が優れる。
無機フィラーの配合割合は、封止組成物に対して、例えば、３０質量％以上、好ましくは、５０質量％以上、より好ましくは、５０質量％超過、さらに好ましくは、６０質量％以上、とりわけ好ましくは、７０質量％以上であり、また、例えば、８０質量％以下、好ましくは、７５質量％以下である。また、無機フィラーの配合割合は、シリコーン樹脂組成物１００質量部に対して、例えば、５０質量部以上、好ましくは、１００質量部以上、より好ましくは、２００質量部以上であり、また、例えば、４００質量部以下、好ましくは、３００質量部以下である。
無機フィラーの配合割合が上記範囲内であれば、無機フィラーによる封止シート１の優れた成形性を確保することができる。
［封止シートの製造］
封止シート１を製造するには、まず、上記したシリコーン樹脂組成物と、無機フィラーとを含有する封止性組成物を調製する。具体的には、シリコーン樹脂組成物が２段階硬化性である場合には、Ａステージのシリコーン樹脂組成物と、無機フィラーとを含有する封止性組成物を調製する。
例えば、シリコーン樹脂組成物と無機フィラーとを上記した配合割合で混合する。また、これらの成分にさらに蛍光体などの添加剤を適宜の割合で添加することもできる。
これによって、無機フィラーがシリコーン樹脂組成物中に分散された封止組成物を、ワニスとして調製する。
ワニスの２５℃における粘度は、例えば、１，０００ｍＰａ・ｓ以上、好ましくは、４，０００ｍＰａ・ｓ以上であり、また、例えば、１，０００，０００ｍＰａ・ｓ以下、好ましくは、２００，０００ｍＰａ・ｓ以下である。なお、粘度は、ワニスを２５℃に温度調節し、Ｅ型コーンを用いて、回転数９９ｓ−１で測定される。
次いで、調製したワニスを塗布する。具体的には、図１Ａに示すように、ワニスを、剥離シート２の表面（下面）に塗布する。
離型シート２は、封止シート１によって光半導体素子３を封止するまでの間、封止シート１を保護するために、封止シート１の裏面（図１Ａにおける上面）に剥離可能に貼着されている。つまり、剥離シート２は、封止部材７の出荷・搬送・保管時において、封止シート１の裏面を被覆するように、封止シート１の裏面に積層され、封止部材７の使用直前において、封止シート１の裏面から略Ｕ字状に湾曲するように引き剥がすことができる可撓性フィルムである。つまり、剥離シート２は、封止シート１および／またはそれに封止される光半導体素子３を含まず、すなわち、剥離シート２は、可撓性フィルムのみからなる。また、剥離シート２の貼着面、つまり、封止シート１に対する接触面は、必要によりフッ素処理などの剥離処理されている。
剥離シート２としては、例えば、ポリエチレンフィルム、ポリエステルフィルム（ＰＥＴなど）などのポリマーフィルム、例えば、セラミクスシート、例えば、金属箔などが挙げられる。好ましくは、ポリマーフィルムが挙げられる。また、離型シート２の形状は、特に限定されず、例えば、平面視略矩形状（短冊状、長尺状を含む）などに形成されている。剥離シート２の厚みは、例えば、１μｍ以上、好ましくは、１０μｍ以上であり、また、例えば、２，０００μｍ以下、好ましくは、１，０００μｍ以下である。
ワニスを離型シート２の表面に塗布するには、例えば、ディスペンサ、アプリケータ、スリットダイコータなどの塗布装置が用いられる。
ワニスの離型シート２への塗布によって、塗膜が形成される。
その後、塗膜を半硬化させる。具体的には、シリコーン樹脂組成物が２段階熱硬化性であれば、塗膜を加熱する。加熱条件として、加熱温度が、７０℃以上、好ましくは、８０℃以上であり、また、１２０℃以下、好ましくは、１００℃以下である。加熱温度が上記範囲であれば、シリコーン樹脂組成物を確実にＢステージにすることができる。また、加熱時間が、例えば、５分以上、好ましくは、８分以上であり、また、例えば、３０分以下、好ましくは、２０分以下である。
あるいは、シリコーン樹脂組成物が２段階紫外線硬化性であれば、塗膜に紫外線を照射する。具体的には、ＵＶランプなどを用いて、塗膜に紫外線を照射する。
これによって、塗膜におけるＡステージのシリコーン樹脂組成物をＢステージにする。
つまり、シリコーン樹脂組成物において、アルケニル基および／またはシクロアルケニル基と、ヒドロシリル基とのヒドロシリル化反応が途中まで進行して、一旦、停止する。
シリコーン樹脂組成物がＢステージとなる際には、封止シート１（あるいは塗膜）は、剥離シート２からはじかれ、そのため、封止シート１は、平面視において凝集して、平面視における面積が小さくなる。その結果、封止シート１は、厚みが厚くなる傾向となる。一方、封止シート１は、加熱によりＢステージとなる場合には、加熱に伴い収縮する傾向、とりわけ、厚み方向に薄くなる傾向にある。そのため、封止シート１の剥離シート２からはじかれることによる厚みの増加分と、加熱収縮に伴う厚みの減少分とが、相殺して、封止シート１は厚みが実質的に変化しない。
これによって、図１Ａに示すように、剥離シート２と、剥離シート２に積層された封止シート１を備える封止部材７を得る。
封止シート１では、無機フィラーが、マトリクスとしてのシリコーン樹脂組成物中に均一に分散されている。また、シリコーン樹脂組成物が半硬化（Ｂステージ）状態であれば、封止シート１も、上記したように、半硬化（Ｂステージ）状態である。
半硬化（Ｂステージ）状態の封止シート１は、可撓性を有しており、半硬化（Ｂステージ）状態となった後、後述する完全硬化（Ｃステージ）状態となること（つまり、Ｃステージの生成物を生成すること）が可能な状態である。
また、Ｂステージの封止シート１は、可塑性および硬化性を併有し、具体的には、熱可塑性および熱硬化性を併有する。つまり、Ｂステージの封止シート１は、加熱により、一旦、可塑化した後、硬化することができる。
封止シート１の熱可塑温度は、例えば、４０℃以上、好ましくは、６０℃以上であり、また、例えば、１２０℃以下、好ましくは、１００℃以下である。なお、熱可塑温度は、封止シート１が熱可塑性を示す温度であり、具体的には、Ｂステージのシリコーン樹脂組成物が加熱によって軟化する温度であって、軟化温度と実質的に同一である。
封止シート１の熱硬化温度は、例えば、１００℃以上、好ましくは、１２０℃以上であり、また、例えば、１５０℃以下である。熱硬化温度は、Ｂステージの封止シート１が熱硬化性を示す温度であり、具体的には、可塑化した封止シート１が加熱によって完全に硬化して、固体状となる温度である。
（封止シートの物性）
封止シート１（シリコーン樹脂組成物が２段階硬化性であれば、Ｂステージのシリコーン樹脂組成物を含有する封止シート１、つまり、Ｂステージの封止シート１）は、８０℃の剪断貯蔵弾性率Ｇ’が、例えば、３Ｐａ以上、好ましくは、１２Ｐａ以上であり、また、例えば、１４０Ｐａ以下、好ましくは、７０Ｐａ以下である。封止シート１の８０℃の剪断貯蔵弾性率Ｇ’が上記上限以下であれば、次に説明する光半導体素子３の封止時に、光半導体素子３やワイヤ４が損傷することを有効に防止することができる。一方、封止シート１の８０℃の剪断貯蔵弾性率Ｇ’が上記下限以上であれば、光半導体素子３を封止する際の封止シート１の良好な保形性を確保して、封止シート１の取扱性を向上させることができる。また、封止シート１の８０℃の剪断貯蔵弾性率Ｇ’が上記下限以上であれば、封止シート１の厚みの均一性を確保でき、また、所望の厚みにする調節することができる。
封止シート１の８０℃の剪断貯蔵弾性率Ｇ’は、周波数１Ｈｚ、昇温速度２０℃／分、温度範囲２０〜１５０℃の条件における動的粘弾性測定で得られる。
また、厚み６００μｍのときにおける、波長４６０ｎｍの光に対する封止シート１の透過率が、例えば、７０％以上、好ましくは、８０％以上、より好ましくは、９０％以上、さらに好ましくは、９５％以上であり、また、例えば、１００％以下である。透過率が上記下限以上であれば、光半導体素子３を封止した後、光半導体素子３から発光される光を十分に透過させることができる。封止シート１の透過率は、例えば、積分球を用いて測定される。
［光半導体装置の製造］
次に、封止シート１を用いて光半導体素子３を封止する光半導体装置６の製造方法について図１Ａ〜図１Ｃを参照して説明する。
光半導体装置６の製造方法は、例えば、用意工程（図１Ａ参照）、封止工程（図２Ｂ参照）、および、剥離工程（図１Ｃ参照）を備える。以下、各工程を詳述する。
（用意工程）
用意工程では、図１Ａに示すように、剥離シート２に積層される封止シート１と、基板５および基板５に実装される光半導体素子３とをそれぞれ用意する。
封止シート１は、シリコーン樹脂組成物が２段階硬化性であれば、Ｂステージのシリコーン樹脂組成物として調製される。
基板５は、例えば、絶縁基板からなる。なお、基板５の表面には、電極を含む導体パターン（図示せず）が形成されている。
光半導体素子３は、基板５に対して複数実装されており、複数の光半導体素子３は、面方向（厚み方向対する直交方向）に間隔を隔てて整列配置されている。各光半導体素子３は、基板５の電極（図示せず）に対してワイヤボンディング接続されている。なお、ワイヤボンディング接続では、ワイヤ４（仮想線参照）を介して、光半導体素子３の上面に設けられる端子（図示せず）と、基板５の上面に設けられる電極（図示せず）とが電気的に接続される。
なお、光半導体素子３は、基板５に対してフリップチップ実装（実線参照）されていてもよい。
（封止工程）
封止工程では、用意工程の後に、図１Ｂに示すように、封止シート１（シリコーン樹脂組成物が２段階硬化性であれば、Ｂステージの封止シート１）によって、光半導体素子３を封止する。具体的には、光半導体素子３が基板５に対してワイヤボンディング接続されている場合には、光半導体素子３およびワイヤ４を埋設する。
詳しくは、封止シート１を、光半導体素子３およびワイヤ４に対して隣接配置、具体的には、封止シート１を光半導体素子３の上面に載置するとともに、Ｂステージの封止シート１を可塑化（軟化）させる。これによって、光半導体素子３およびワイヤ４を埋設する。封止シート１を可塑化させるには、例えば、シリコーン樹脂組成物が２段階熱硬化性である場合には、Ｂステージの封止シート１を加熱する（第１加熱工程）。
加熱温度は、封止シート１の熱可塑温度と同一またはそれ以上高い温度で、かつ、封止シート１の熱硬化温度未満であって、具体的には、例えば、４０℃以上、好ましくは、６０℃以上であり、また、例えば、１２０℃以下、好ましくは、１００℃以下である。また、加熱時間が、例えば、５分以上、好ましくは、８分以上であり、また、例えば、３０分以下、好ましくは、２０分以下である。
Ｂステージの封止シート１を加熱するには、例えば、予め、光半導体素子３を実装する基板５をホットプレート（図示せず）の表面に載置して、基板５および光半導体素子３（ならびにワイヤ４を含む）を加熱し、次いで、封止シート１を光半導体素子３の上面に載置する。あるいは、光半導体素子３を実装する基板５、および／または、剥離シート２に積層される封止シート１を、加熱炉に投入することもできる。
これによって、封止シート１には、Ｂステージのシリコーン樹脂組成物におけるアルケニル基含有ポリシロキサンおよび／またはヒドロシリル基含有ポリシロキサンの運動性が上昇することによって、熱可塑性が発現する。そのため、封止シート１は、可塑化して、続いて、互いに隣接する光半導体素子３間に流動するとともに、ワイヤ４を隙間なく被覆する。これによって、封止シート１によって、光半導体素子３およびワイヤ４を埋設して、これらを封止する。つまり、封止シート１は、光半導体素子３の上面および側面を被覆するとともに、面方向に隣接配置される光半導体素子３の間に充填される。
この際、剥離シート２は、基板５および光半導体素子３に対して、加圧せずとも、互いに近接するように、相対移動する。
その後、Ｂステージの封止シート１を硬化させる。具体的には、封止シート１のＢステージのシリコーン樹脂組成物を完全硬化させる。
詳しくは、シリコーン樹脂組成物が２段階熱硬化性である場合には、封止シート１を加熱する。加熱温度は、封止シート１の熱硬化温度と同一またはそれ以上高い温度であって、具体的には、例えば、１００℃以上、好ましくは、１２０℃以上であり、また、例えば、１５０℃以下である。また、加熱時間が、例えば、１０分以上、好ましくは、３０分以上であり、また、例えば、１８０分以下、好ましくは、１２０分以下である。
これによって、可塑化した封止シート１のシリコーン樹脂組成物を硬化（Ｃステージ化）させる。これによって、シリコーン樹脂組成物を完全に反応させて生成物を得る。
（生成物）
シリコーン樹脂組成物の反応（Ｃステージ化反応）では、アルケニル基含有ポリシロキサンのアルケニル基および／またはシクロアルケニル基と、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンのヒドロシリル基とのヒドロシリル付加反応がさらに促進される。その後、アルケニル基および／またはシクロアルケニル基、あるいは、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンのヒドロシリル基が消失して、ヒドロシリル付加反応が完結することによって、Ｃステージのシリコーン樹脂組成物、つまり、生成物（あるいは硬化物）が得られる。つまり、ヒドロシリル付加反応の完結により、シリコーン樹脂組成物において、硬化性（具体的には、熱硬化性）が発現する。
Ｃステージのシリコーン樹脂組成物は、依然として、無機フィラーを分散させるマトリクスとして役する。また、Ｃステージのシリコーン樹脂組成物は、硬化物であることから、封止シート１は、シリコーン樹脂組成物の硬化物と、それに均一に分散する無機フィラーとを含有する硬化体である。
上記した生成物は、下記平均組成式（３）で示される。
平均組成式（３）：
Ｒ５ ｅＳｉＯ（４−ｅ）／２
（式中、Ｒ５は、フェニル基を含む、非置換または置換の炭素数１〜１０の１価の炭化水素基（ただし、アルケニル基およびシクロアルケニル基を除く。）を示す。ｅは、１．０以上、３．０以下である。）
Ｒ５で示される非置換または置換の炭素数１〜１０の１価の炭化水素基としては、式（１）のＲ２で示される非置換または置換の炭素数１〜１０の１価の炭化水素基、および、式（２）のＲ３で示される非置換または置換の炭素数１〜１０の１価の炭化水素基と同一のものが例示される。好ましくは、非置換の１価の炭化水素基、より好ましくは、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数６〜１０のアリール基が挙げられ、さらに好ましくは、フェニル基およびメチル基の併用が挙げられる。
そして、生成物の平均組成式（３）のＲ５におけるフェニル基の含有割合は、３０モル％以上、好ましくは、３５モル％以上であり、また、５５モル％以下、好ましくは、５０モル％以下である。
生成物の平均組成式（３）のＲ５におけるフェニル基の含有割合が上記した下限に満たない場合には、Ｂステージの封止シート１（図１Ａ参照）の熱可塑性を確保することができず、つまり、後述する封止シート１の８０℃の剪断貯蔵弾性率Ｇ’が所望範囲を超えるため、光半導体素子６を確実に埋設して封止することができない。
一方、生成物の平均組成式（３）のＲ５におけるフェニル基の含有割合が上記した上限以下であれば、Ｃステージの封止シート１（図１Ａ参照）の可撓性の低下を防止することができる。
生成物の平均組成式（３）のＲ５におけるフェニル基の含有割合は、生成物のケイ素原子に直接結合する１価の炭化水素基（平均組成式（３）においてＲ５で示される）におけるフェニル基濃度である。
生成物の平均組成式（３）のＲ５におけるフェニル基の含有割合は、１Ｈ−ＮＭＲおよび２９Ｓｉ−ＮＭＲにより算出される。Ｒ５におけるフェニル基の含有割合の算出方法の詳細は、後述する実施例において記載され、また、例えば、ＷＯ２０１１／１２５４６３公報などの記載に基づいて、１Ｈ−ＮＭＲおよび２９Ｓｉ−ＮＭＲにより算出される。
（剥離工程）
剥離工程では、封止工程の後に、図１Ｂの仮想線および図１Ｃに示すように、剥離シート２を封止シート１から剥離する。具体的には、剥離シート２を、封止シート１の裏面から略Ｕ字状に湾曲するように引き剥がす。
これによって、基板５、基板５に実装される光半導体素子３、および、光半導体素子３を封止する封止シート１を備える光半導体装置６を製造する。
［作用効果］
そして、この封止シート１では、無機フィラーの平均粒子径が上記した特定範囲内にあるので、所望厚みのシートに成形されており、また、無機フィラーが均一に分散されている。
また、この封止シート１では、無機フィラーの屈折率が上記した範囲内にあるので、上記したフェニル基濃度を有するシリコーン樹脂組成物の屈折率との差を低減することができ、そのため、封止シート１は、透明性に優れる。
さらに、この封止シート１では、シリコーン樹脂組成物を反応させることにより得られる生成物の平均組成式（３）のＲ５におけるフェニル基の含有割合が特定の範囲にあるので、光半導体素子３を確実に埋設して封止することができる。
そのため、この封止シート１は、成形性、透明性および封止性に優れる。
また、この封止シート１の製造方法は、無機フィラーが均一にシリコーン樹脂組成物に分散された封止シート１を、所望の均一な厚みで製造することができる。
また、光半導体装置６は、成形性、透明性および封止性に優れる封止シート１によって、光半導体素子３が封止されているので、信頼性に優れるとともに、発光効率に優れる。
［変形例］
変形例において、上記した一実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
上記した一実施形態では、図１Ｂに示すように、封止シート１によって、基板５に実装された光半導体素子３を封止しているが、例えば、図２Ｂに示すように、基板５にまだ実装されず、支持シート９に支持された光半導体素子３を封止することもできる。
この変形例において、光半導体装置６の製造方法は、例えば、用意工程（図２Ａ参照）、封止工程（図２Ｂ参照）、第１剥離工程（図２Ｂの仮想線参照）、第２剥離工程（図２Ｃ参照）、および、実装工程を備える。以下、各工程を詳述する。
（用意工程）
用意工程では、図２Ａに示すように、剥離シート２に積層される封止シート１と、支持シート９および支持シート９に支持される光半導体素子３を用意する。
支持シート９は、支持板１０と、支持板１０の上面に積層される粘着層１１とを備える。
支持板１０は、面方向に延びる板形状をなし、支持シート９における下部に設けられており、支持シート９と平面視略同一形状に形成されている。支持板１０は、面方向に延伸不能な硬質の材料からなり、具体的には、そのような材料として、例えば、酸化ケイ素（石英など）、アルミナなどの酸化物、例えば、ステンレスなどの金属、例えば、シリコンなどが挙げられる。支持板１０の厚みは、例えば、０．１ｍｍ以上、好ましくは、０．３ｍｍ以上であり、また、例えば、５ｍｍ以下、好ましくは、２ｍｍ以下である。
粘着層１１は、支持板１０の上面全面に形成されている。粘着層１１を形成する粘着材料としては、例えば、アクリル系感圧接着剤、シリコーン系感圧接着剤などの感圧接着剤が挙げられる。また、粘着層１１を、例えば、活性エネルギー線の照射によって粘着力が低下する活性エネルギー線照射剥離シート（具体的には、特開２００５−２８６００３号公報などに記載される活性エネルギー線照射剥離シート）などから形成することもできる。粘着層１１の厚みは、例えば、０．１ｍｍ以上、好ましくは、０．２ｍｍ以上であり、また、１ｍｍ以下、好ましくは、０．５ｍｍ以下である。
支持シート９を用意するには、例えば、支持板１０と粘着層１１とを貼り合わせる。なお、まず、支持板１０を用意し、次いで、上記した粘着材料および必要により配合される溶媒から調製されるワニスを支持板１０に塗布し、その後、必要により、溶媒を留去する塗布方法などによって、粘着層１１を支持板１０に直接積層することもできる。
支持シート９の厚みは、例えば、０．２ｍｍ以上、好ましくは、０．５ｍｍ以上であり、また、６ｍｍ以下、好ましくは、２．５ｍｍ以下である。
次に、複数の光半導体素子３を、支持シート９に対して積層する。具体的には、各光半導体素子３の下面を、粘着層１１の上面に接触させる。
これにより、複数の光半導体素子３を、支持シート９に配置（載置）する。つまり、支持シート９に、複数の光半導体素子３を支持させる。
（封止工程および第１剥離工程）
図２Ｂに示すように、封止工程および第１剥離工程のそれぞれは、上記した一実施形態の封止工程および剥離工程のそれぞれと同様である。
封止工程および第１剥離工程によって、複数の光半導体素子３と、複数の光半導体素子３をまとめて封止する封止シート１とを備える封止光半導体素子８を得る。なお、封止シート１は、光半導体素子３の上面および側面を被覆する。各光半導体素子３の下面は、封止シート１から露出して、粘着層１１の上面に接触している。
（第２剥離工程）
第１剥離工程の後に、図２Ｃの破線で示すように、まず、封止シート１を、光半導体素子３に対応して切断する。具体的には、封止層６を、光半導体素子３を囲むように、厚み方向に沿って切断する。これによって、単数の光半導体素子３と、単数の光半導体素子３を封止する封止シート１とを備える封止光半導体素子８を複数得る。
続いて、図２Ｃの矢印で示すように、封止光半導体素子８を、粘着層１１の上面から剥離する（第２剥離工程）。具体的には、粘着層１１が活性エネルギー線照射剥離シートである場合には、活性エネルギー線を粘着層１１に照射する。
これによって、封止光半導体素子８を、光半導体素子３に対応して個片化する。
個片化された封止光半導体素子８は、後述する光半導体装置６（図２Ｄ参照）ではなく、つまり、光半導体装置６に備えられる基板５（図２Ｄ参照）を含んでおらず、具体的には、封止シート１と、封止シート１に被覆される光半導体素子３とからなる。つまり、封止光半導体素子８は、光半導体装置６の基板５に備えられる電極とまだ電気的に接続されないように、構成されている。また、封止光半導体素子８は、光半導体装置６（図２Ｄ参照）の一部品、すなわち、光半導体装置６を作製するための部品であり、部品単独で流通し、産業上利用可能なデバイスである。
（実装工程）
その後、個片化した封止光半導体素子８を発光波長や発光効率に応じて選別した後、図２Ｄに示すように、封止光半導体素子８を、基板５に実装する。具体的には、光半導体素子３の下面に設けられる端子（図示せず）と基板５の電極（図示せず）とを接続して、封止光半導体素子８を基板５にフリップチップ実装する。
これによって、基板５、単数の光半導体素子３および封止シート１を備えるＬＥＤ装置６を製造する。
この方法によっても、上記と同様の作用効果を奏することができる。つまり、封止光半導体素子８および光半導体装置６は、成形性、透明性および封止性に優れる封止シート１によって、光半導体素子３が封止されているので、信頼性に優れるとともに、発光効率に優れる。
また、上記した一実施形態の封止工程では、Ｂステージの封止シート１におけるシリコーン樹脂組成物の熱可塑化および熱硬化を、異なる温度における２回の加熱、つまり、２段階加熱により実施しているが、例えば、１度の加熱、つまり、１段階加熱によって、Ｂステージの封止シート１を、熱可塑化させ、続いて、熱硬化させることもできる。
以下に示す合成例、調製例および実施例の数値は、上記の実施形態において記載される数値（すなわち、上限値または下限値）に代替することができる。
＜アルケニル基含有ポリシロキサンおよびヒドロシリル基含有ポリシロキサンの合成＞
合成例１
撹拌機、還流冷却管、投入口および温度計が装備された四ツ口フラスコに、１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン９３．２ｇ、水１４０ｇ、トリフルオロメタンスルホン酸０．３８ｇおよびトルエン５００ｇを投入して混合し、撹拌しつつメチルフェニルジメトキシシラン７２９．２ｇとフェニルトリメトキシシラン３３０．５ｇの混合物１時間かけて滴下し、その後、１時間加熱還流した。その後、冷却し、下層（水層）を分離して除去し、上層（トルエン溶液）を３回水洗した。水洗したトルエン溶液に水酸化カリウム０．４０ｇを加え、水分離管から水を除去しながら還流した。水の除去完了後、さらに５時間還流し、冷却した。その後、酢酸０．６ｇを投入して中和した後、ろ過して得られたトルエン溶液を３回水洗した。その後、減圧濃縮することにより、液体状のアルケニル基含有ポリシロキサンＡを得た。アルケニル基含有ポリシロキサンＡの平均単位式および平均組成式は、以下の通りである。
平均単位式：
（（ＣＨ２＝ＣＨ）（ＣＨ３）２ＳｉＯ１／２）０．１５（ＣＨ３Ｃ６Ｈ５ＳｉＯ２／２）０．６０（Ｃ６Ｈ５ＳｉＯ３／２）０．２５
平均組成式：
（ＣＨ２＝ＣＨ）０．１５（ＣＨ３）０．９０（Ｃ６Ｈ５）０．８５ＳｉＯ１．０５
つまり、アルケニル基含有ポリシロキサンＡは、Ｒ１がビニル基、Ｒ２がメチル基およびフェニル基であり、ａ＝０．１５、ｂ＝１．７５である上記平均組成式（１）で示される。
また、ゲル透過クロマトグラフィーによって、アルケニル基含有ポリシロキサンＡのポリスチレン換算の重量平均分子量を測定したところ、２３００であった。
合成例２
撹拌機、還流冷却管、投入口および温度計が装備された四ツ口フラスコに、１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン９３．２ｇ、水１４０ｇ、トリフルオロメタンスルホン酸０．３８ｇおよびトルエン５００ｇを投入して混合し、撹拌しつつジフェニルジメトキシシラン１７３．４ｇとフェニルトリメトキシシラン３００．６ｇの混合物１時間かけて滴下し、滴下終了後、１時間加熱還流した。その後、冷却し、下層（水層）を分離して除去し、上層（トルエン溶液）を３回水洗した。水洗したトルエン溶液に水酸化カリウム０．４０ｇを加え、水分離管から水を除去しながら還流した。水の除去完了後、さらに５時間還流し、冷却した。酢酸０．６ｇを投入して中和した後、ろ過して得られたトルエン溶液を３回水洗した。その後、減圧濃縮することにより、液体状のアルケニル基含有ポリシロキサンＢを得た。アルケニル基含有ポリシロキサンＢの平均単位式および平均組成式は、以下の通りである。
平均単位式：
（ＣＨ２＝ＣＨ（ＣＨ３）２ＳｉＯ１／２）０．３１（（Ｃ６Ｈ５）２ＳｉＯ２／２）０．２２（Ｃ６Ｈ５ＳｉＯ３／２）０．４７
平均組成式：
（ＣＨ２＝ＣＨ）０．３１（ＣＨ３）０．６２（Ｃ６Ｈ５）０．９１ＳｉＯ１．０８
つまり、アルケニル基含有ポリシロキサンＢは、Ｒ１がビニル基、Ｒ２がメチル基およびフェニル基であり、ａ＝０．３１、ｂ＝１．５３である上記平均組成式（１）で示される。
また、ゲル透過クロマトグラフィーによって、アルケニル基含有ポリシロキサンＢのポリスチレン換算の重量平均分子量を測定したところ、１０００であった。
合成例３
撹拌機、還流冷却管、投入口および温度計が装備された四ツ口フラスコに、ジフェニルジメトキシシラン３２５．９ｇ、フェニルトリメトキシシラン５６４．９ｇ、およびトリフルオロメタンスルホン酸２．３６ｇを投入して混合し、１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン１３４．３ｇを加え、撹拌しつつ酢酸４３２ｇを３０分かけて滴下した。滴下終了後、混合物を撹拌しつつ５０℃に昇温して３時間反応させた。室温まで冷却した後、トルエンと水を加え、良く混合して静置し、下層（水層）を分離して除去した。その後、上層（トルエン溶液）を３回水洗した後、減圧濃縮することにより、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンＣ（架橋剤Ｃ）を得た。
ヒドロシリル基含有ポリシロキサンＣの平均単位式および平均組成式は、以下の通りである。
平均単位式：
（Ｈ（ＣＨ３）２ＳｉＯ１／２）０．３３（（Ｃ６Ｈ５）２ＳｉＯ２／２）０．２２（Ｃ ６ Ｈ ５ ＳｉＯ３／２）０．４５
平均組成式：
Ｈ０．３３（ＣＨ３）０．６６（Ｃ６Ｈ５）０．８９ＳｉＯ１．０６
つまり、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンＣは、Ｒ３がメチル基およびフェニル基であり、ｃ＝０．３３、ｄ＝１．５５である上記平均組成式（２）で示される。
また、ゲル透過クロマトグラフィーによって、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンＣのポリスチレン換算の重量平均分子量を測定したところ、１０００であった。
合成例４
撹拌機、還流冷却管、投入口および温度計が装備された四ツ口フラスコに、トルエン１００ｇ、水５０ｇおよびイソプロピルアルコール５０ｇを投入して混合し、撹拌しつつ、ビニルトリクロロシラン１６．７ｇ、メチルトリクロロシラン８７．１ｇ、フェニルトリクロロシラン６６．４ｇの混合液を１時間かけて滴下し、滴下終了後、１時間常温で撹拌した。下層（水層）を分離して除去し、上層（トルエン溶液）を３回水洗した。水洗したトルエン溶液に水酸化カリウム０．１２ｇを加え、水分離管から水を除去しながら還流した。水の除去完了後、さらに５時間還流して冷却した。その後、減圧濃縮することにより、液体状のアルケニル基含有ポリシロキサンＤを得た。
アルケニル基含有ポリシロキサンＤの平均単位式および平均組成式は、以下の通りである。
平均単位式：（ＣＨ２＝ＣＨＳｉＯ３／２）０．１０（ＣＨ３ＳｉＯ３／２）０．５８（Ｃ６Ｈ５ＳｉＯ３／２）０．３１
平均組成式：（ＣＨ２＝ＣＨ）０．１０（ＣＨ３）０．５８（Ｃ６Ｈ５）０．３１ＳｉＯ１．５０
つまり、アルケニル基含有ポリシロキサンＤは、Ｒ１がビニル基、Ｒ２がメチル基およびフェニル基であり、ａ＝０．１０、ｂ＝０．８９である平均組成式（１）で示される。
また、ゲル透過クロマトグラフィーによって、アルケニル基含有ポリシロキサンＤのポリスチレン換算の重量平均分子量を測定したところ、３４００であった。
＜その他の原料＞
アルケニル基含有ポリシロキサンおよびヒドロシリル基含有ポリシロキサン以外の原料について、以下に詳述する。
ＬＲ７６６５：
商品名、メチル系シリコーン樹脂組成物、旭化成ワッカーシリコーン社製
無機フィラーＡ：
屈折率１．５５、組成および組成比率（質量％）：ＳｉＯ２／Ａｌ２Ｏ３／ＣａＯ／ＭｇＯ＝６０／２０／１５／５の無機フィラーであり、平均粒子径：３μｍ、１５μｍ、３０μｍ、８０μｍ（各平均粒子径となるように分級して、平均粒子径を調整した。）
無機フィラーＢ：
屈折率１．５７、組成および組成比率（質量％）：ＳｉＯ２／Ａｌ２Ｏ３／ＣａＯ／ＳｒＯ＝５７．３／１５．０／２１．２／６．５の無機フィラーであり、平均粒子径：１５μｍ。
無機フィラーＣ：
屈折率１．５２、組成および組成比率（質量％）：ＳｉＯ２／ＺｒＯ２／Ａｌ２Ｏ３／ＣａＯ／ＢａＯ／Ｓｂ２Ｏ３＝５１．１／２．９／１５．１／９．９／２０．５／０．５の無機フィラーであり、平均粒子径：１５μｍ。
ＦＢ−４０Ｓ：
商品名、電気化学工業社製、屈折率１．４６、シリカ、平均粒子径：４０μｍ
白金カルボニル錯体：
商品名「ＳＩＰ６８２９．２」、Ｇｅｌｅｓｔ社製、白金濃度２．０質量％
＜シリコーン樹脂組成物の調製＞
調製例１
アルケニル基含有ポリシロキサンＡ（合成例１）２０ｇ、アルケニル基含有ポリシロキサンＢ（合成例２）２５ｇ、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンＣ（合成例３、架橋剤Ｃ）２５ｇ、および、白金カルボニル錯体５ｍｇを混合して、シリコーン樹脂組成物Ａを調製した。
調製例２
アルケニル基含有ポリシロキサンＤ（合成例４）７０ｇ、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンＣ（合成例３、架橋剤Ｃ）３０ｇ、および、白金カルボニル錯体５ｍｇを混合して、シリコーン樹脂組成物Ｂを調製した。
比較調製例１
調製例１のシリコーン樹脂組成物Ａと、ＬＲ７６６５とを、質量比が１：１となるように混合して、シリコーン樹脂組成物Ｃを調製した。
＜封止シートの製造＞
実施例１
シリコーン樹脂組成物Ａに対して、無機フィラーＡを、それらの総量に対して、５０質量％となるように、混合して、封止組成物のワニスを調製した。つまり、封止組成物において、シリコーン樹脂組成物Ａの配合割合が５０質量％、無機フィラーＡの配合割合が５０質量％である。
次いで、調製したワニスを、アプリケータにて、厚み６００μｍの剥離シート（ＰＴＥシート、商品名「ＳＳ４Ｃ」、ニッパ社製）の表面に、加熱後の厚みが６００μｍとなるように塗布し、その後、９０℃で９．５分、加熱することにより、ワニスにおけるシリコーン樹脂組成物をＢステージ化（半硬化）させた。これにより、封止シートを製造した。
実施例２〜７および比較例１〜５
ワニスの調製および加熱条件を、下記表１に記載に従った以外は、実施例１と同様に処理し、その後、封止シートを製造した。
なお、比較例３については、均一なワニスを調製できず、そのため、かかるワニスを剥離シートへ塗布することができなかった。
（評価）
下記の各評価を実施した。それらの結果を表１に示す。
（１） シリコーン樹脂組成物の反応により得られる生成物の炭化水素基（Ｒ５）におけるフェニル基の含有割合の測定
シリコーン樹脂組成物Ａ〜Ｃのみ（つまり、無機フィラーが含まれていないシリコーン樹脂組成物）の反応により得られる生成物中、ケイ素原子に直接結合する炭化水素基（平均組成式（３）のＲ５）におけるフェニル基の含有割合（モル％）を、１Ｈ−ＮＭＲおよび２９Ｓｉ−ＮＭＲにより算出した。
具体的には、Ａステージのシリコーン樹脂組成物Ａ〜Ｃのそれぞれを、無機フィラーを添加せずに、１００℃１時間で、反応（完全硬化、Ｃステージ化）させて、生成物を得た。
次いで、得られた生成物の１Ｈ−ＮＭＲおよび２９Ｓｉ−ＮＭＲを測定することで、ケイ素原子に直接結合している炭化水素基（Ｒ５）におけるフェニル基が占める割合（モル％）を算出した。
（２） ワニスにおける無機フィラーの沈降の有無
Ａステージのワニスにおける無機フィラーの沈降の有無を、ワニスを調製後２４時間静置することにより、肉眼で観察した。
（３） 封止シートの８０℃の剪断貯蔵弾性率Ｇ’
Ｂステージの封止シートからサンプルを採取して、これの動的粘弾性測定（ＤＭＡ）を実施した。動的粘弾性測定の条件を以下に記載する。そして、サンプルの８０℃の剪断貯蔵弾性率Ｇ’を算出した。
ＤＭＡ装置：回転式レオメータ（Ｃ−ＶＯＲ装置、マルバーン社製）
サンプル量：０．１ｇ
歪量：１％
周波数：１Ｈｚ
プレート径：２５ｍｍ
プレート間ギャップ：４５０μｍ
昇温速度：２０℃／分
温度範囲：２０〜１５０℃
（４） 封止シートの厚みの均一性
Ｂステージの封止シートの厚みの均一性を下記基準に従って評価した。
○：目標厚み（６００μｍ）と実際の厚みとの差の絶対値が１０％未満であった。
△：目標厚みと実際の厚みとの差の絶対値が１０％以上、２０％未満であった。
×：目標厚みと実際の厚みとの差の絶対値が２０％以上であった。
（５） 封止シートの波長４６０ｎｍの光に対する透過率
Ｂステージの厚み６００μｍの封止シートの波長４６０ｎｍの光に対する透過率を積分球（ハーフムーン、大塚電子社製）により測定した。
（６） 切断加工性
Ｂステージの封止シートの切断加工性を、下記基準に従って評価した。
○：保形性（シートの自立性）が高く、端部（不要部分）の切断加工（カッティング）が可能であった。
×：保形性が低く、端部の切断加工が不可能であった。
（７） 封止性（ワイヤーの変形の有無）
Ｂステージの封止シートによって、基板の電極にワイヤボンディング接続された光半導体素子を封止した。
具体的には、剥離シートに積層されるＢステージの封止シートと、基板および基板に実装される光半導体素子を用意した（図１Ａ参照、用意工程）。次いで、封止シートによって、光半導体素子を封止した（図１Ｂ参照、封止工程）。具体的には、光半導体素子を実装する基板を６０℃のホットプレートに載置し、続いて、基板および光半導体素子の上に、封止シートを載置して、封止シートを軟化させ、続いて、封止シートを完全硬化させた（Ｃステージ化）。その後、基板をホットプレートから引き上げて放冷した後、剥離シートを封止シートから剥離した（図１Ｃ参照、剥離工程）。
そして、封止工程において、ワイヤの変形を観察することによって、封止シートの封止性を下記の基準に従って評価した。
○：ワイヤに変形が観察されなかった。また、光半導体装置において、光半導体素子は、点灯した。
△：ワイヤにわずかな変形が観察された。また、光半導体装置において、光半導体素子は、点灯した。
×：ワイヤに大きな変形が観察された。一方、光半導体装置において、光半導体素子は、点灯しなかった。
Figure 0006018608
１ 封止シート
３ 光半導体素子
５ 基板
６ 光半導体装置
８ 封止光半導体素子

Claims (8)

  1. 分子内に２個以上のアルケニル基および／またはシクロアルケニル基を含有するアルケニル基含有ポリシロキサンと、分子内に２個以上のヒドロシリル基を含有するヒドロシリル基含有ポリシロキサンと、ヒドロシリル化触媒とを含有するシリコーン樹脂組成物と、
    屈折率が１．５０以上、１．６０以下であり、平均粒子径が１０μｍ以上、５０μｍ以下の無機フィラーと
    を含有する封止組成物からＢステージのシート状に形成され、光半導体素子を封止するように使用され、
    前記アルケニル基含有ポリシロキサンは、下記平均組成式（１）で示され、
    平均組成式（１）：
    Ｒ１ ａＲ２ ｂＳｉＯ（４−ａ−ｂ）／２
    （式中、Ｒ１は、炭素数２〜１０のアルケニル基および／または炭素数３〜１０のシクロアルケニル基を示す。Ｒ２は、非置換または置換の炭素数１〜１０の１価の炭化水素基（ただし、アルケニル基およびシクロアルケニル基を除く。）を示す。ａは、０．０５以上、０．５０以下であり、ｂは、０．８０以上、１．８０以下である。）
    前記ヒドロシリル基含有ポリシロキサンは、下記平均組成式（２）で示され、
    平均組成式（２）：
    ＨｃＲ３ ｄＳｉＯ（４−ｃ−ｄ）／２
    （式中、Ｒ３は、非置換または置換の炭素数１〜１０の１価の炭化水素基（ただし、アルケニル基およびシクロアルケニル基を除く。）を示す。ｃは、０．３０以上、１．０以下であり、ｄは、０．９０以上、２．０以下である。）
    前記平均組成式（１）および前記平均組成式（２）中、Ｒ２およびＲ３の少なくともいずれか一方は、フェニル基を含み、
    前記シリコーン樹脂組成物を反応させることにより得られるＣステージの生成物の ２９ Ｓｉ−ＮＭＲにより算出される、ケイ素原子に直接結合する炭化水素基におけるフェニル基の含有割合が、３０モル％以上、５５モル％以下であることを特徴とする、封止シート。
  2. 前記無機フィラーの配合割合は、前記封止組成物に対して、３０質量％以上、８０質量％以下であることを特徴とする、請求項１に記載の封止シート。
  3. 前記Ｂステージの封止シートは、熱可塑性および熱硬化性を併有することを特徴とする、請求項１または２に記載の封止シート。
  4. 周波数１Ｈｚ、昇温速度２０℃／分、温度範囲２０〜１５０℃の条件における動的粘弾性測定で得られる８０℃の剪断貯蔵弾性率Ｇ’が、３Ｐａ以上、１４０Ｐａ以下であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の封止シート。
  5. 厚みが６００μｍであるときの、波長４６０ｎｍの光に対する透過率が、７０％以上であることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の封止シート。
  6. 請求項１〜５のいずれか一項に記載の封止シートの製造方法であって、
    前記封止組成物を塗布して塗膜を形成する工程、および、
    前記塗膜を、７０℃以上、１２０℃以下で、かつ、８分以上、１５分以下加熱する工程
    を備えることを特徴とする、封止シートの製造方法。
  7. 基板と、
    前記基板に実装される光半導体素子と、
    前記光半導体素子を封止する請求項１〜５のいずれか一項に記載の封止シートと
    を備えることを特徴とする、光半導体装置。
  8. 光半導体素子と、
    前記光半導体素子を封止する請求項１〜５のいずれか一項に記載の封止シートと
    を備えることを特徴とする、封止光半導体素子。
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