WO2014188705A1 - 容量式物理量センサ - Google Patents

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WO2014188705A1
WO2014188705A1 PCT/JP2014/002636 JP2014002636W WO2014188705A1 WO 2014188705 A1 WO2014188705 A1 WO 2014188705A1 JP 2014002636 W JP2014002636 W JP 2014002636W WO 2014188705 A1 WO2014188705 A1 WO 2014188705A1
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movable electrode
substrate
fixed
movable
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PCT/JP2014/002636
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酒井　峰一
圭正 杉本
Original Assignee
株式会社デンソー
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    • G01P2015/0862—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with particular means being integrated into a MEMS accelerometer structure for providing particular additional functionalities to those of a spring mass system
    • G01P2015/088—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with particular means being integrated into a MEMS accelerometer structure for providing particular additional functionalities to those of a spring mass system for providing wafer-level encapsulation

Definitions

  • This disclosure relates to a capacitive physical quantity sensor.
  • Patent Document 1 discloses an acceleration sensor capable of performing self-diagnosis.
  • This acceleration sensor includes a movable electrode integrally formed on a beam portion that is elastically displaced in response to application of acceleration, and a fixed electrode that is disposed so as to face the movable electrode. Further, at the time of self-diagnosis, a signal applying unit is provided that applies a diagnostic signal for self-diagnosis, which generates an electrostatic force between the movable electrode and the fixed electrode to displace the movable electrode, to the movable electrode and the fixed electrode.
  • the acceleration sensor when detecting a large acceleration of about 200 to 400 G, the rigidity of the beam portion is increased to make it difficult to displace the beam portion. For this reason, the acceleration sensor that detects a large acceleration has a problem that the displacement amount of the movable electrode decreases as the rigidity of the beam portion increases during self-diagnosis. That is, there is a problem that it is difficult to obtain an output necessary for self-diagnosis.
  • the acceleration sensor that detects acceleration is described as an example, but in the case where the rigidity of the beam portion is increased in a capacitive physical quantity sensor such as an angular velocity sensor or a pressure sensor including a movable electrode and a fixed electrode, The same problem occurs because the movable electrode is difficult to displace.
  • This disclosure is intended to provide a capacitive physical quantity sensor capable of performing appropriate self-diagnosis regardless of the detection range.
  • a capacitive physical quantity sensor includes a first substrate, a movable electrode, a fixed electrode, a second substrate, a signal applying unit, a CV conversion circuit, and an auxiliary electrode.
  • the movable electrode is formed on one surface side of the first substrate, and is integrally formed on a beam portion that can be displaced in a predetermined direction in the surface direction of the one surface by applying a physical quantity.
  • the fixed electrode is formed on one surface side of the first substrate so as to face the movable electrode.
  • the second substrate is bonded to the first substrate.
  • the signal applying unit applies a diagnostic signal for self-diagnosis for displacing the movable electrode between the movable electrode and the fixed electrode during self-diagnosis.
  • the CV conversion circuit outputs a voltage corresponding to a change in capacitance between the movable electrode and the fixed electrode when the diagnostic signal is applied to the movable electrode and the fixed electrode.
  • the auxiliary electrode is disposed on a portion of the second substrate that faces the movable electrode from a portion that faces the movable electrode.
  • the capacitive physical quantity sensor outputs a voltage corresponding to a change in capacitance between the fixed electrode and the movable electrode.
  • the signal applying unit applies a predetermined potential to the auxiliary electrode, so that electric force lines generated between the fixed electrode and the movable electrode positioned in the direction of displacing the movable electrode The density is set higher than the density of the lines of electric force generated between the fixed electrode and the movable electrode during normal operation.
  • the capacitive physical quantity sensor can increase the electrostatic force generated between the fixed electrode and the movable electrode located in the direction in which the movable electrode is displaced during self-diagnosis, and can increase the displacement of the movable electrode. . For this reason, the capacitive physical quantity sensor can perform an appropriate self-diagnosis.
  • FIG. 1 is a plan view of a sensor unit of an acceleration sensor according to the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of the sensor section taken along line II-II in FIG.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of the sensor section taken along line III-III in FIG.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view of the sensor section taken along line IV-IV in FIG.
  • FIG. 5 is a diagram illustrating a circuit configuration of the acceleration sensor.
  • FIG. 6 is a timing chart of the acceleration sensor shown in FIG. FIG.
  • FIG. 7A is a schematic diagram showing lines of electric force generated between the movable electrode and the second fixed electrode of the acceleration sensor shown in FIG.
  • FIG. 7B is a schematic diagram illustrating lines of electric force generated between the movable electrode and the fixed electrode of the acceleration sensor not including the auxiliary electrode.
  • FIG. 8A is a cross-sectional view showing a part of the manufacturing process of the sensor section shown in FIG.
  • FIG. 8B is a cross-sectional view illustrating a part of the manufacturing process of the sensor unit illustrated in FIG. 1.
  • 8C is a cross-sectional view showing a part of the manufacturing process of the sensor section shown in FIG.
  • FIG. 8D is a cross-sectional view showing a part of the manufacturing process of the sensor section shown in FIG. 1.
  • FIG. 8A is a cross-sectional view showing a part of the manufacturing process of the sensor section shown in FIG.
  • FIG. 8B is a cross-sectional view illustrating a part of the manufacturing process of the sensor unit illustrated in FIG
  • FIG. 8E is a cross-sectional view showing a part of the manufacturing process of the sensor section shown in FIG. 1.
  • FIG. 8F is a cross-sectional view showing a part of the manufacturing process of the sensor section shown in FIG. 1.
  • FIG. 9 is a plan view of a sensor unit according to the second embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view of the sensor section taken along line XX in FIG.
  • FIG. 11 is a timing chart of the acceleration sensor shown in FIG. 12A is a schematic diagram showing lines of electric force generated between the movable electrode and the first fixed electrode of the acceleration sensor shown in FIG. 12B is a schematic diagram illustrating lines of electric force generated between the movable electrode and the second fixed electrode of the acceleration sensor illustrated in FIG. 9.
  • FIG. 13 is a plan view of a sensor unit according to the third embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 14 is a cross-sectional view of the sensor unit and the cap unit along line XIV-XIV in FIG.
  • FIG. 15 is a plan view of a sensor unit according to the fourth embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 16 is a cross-sectional view of the sensor unit and the cap unit along the line XVI-XVI in FIG.
  • FIG. 17 is a cross-sectional view of the sensor unit and the cap unit according to the fifth embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 18 is a cross-sectional view of the sensor unit and the cap unit according to the sixth embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 19 is a plan view of a sensor unit according to the seventh embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 20 is a cross-sectional view of the sensor unit and the cap unit along line XX-XX in FIG.
  • the acceleration sensor is a sensor unit configured using a substrate 15 in which a semiconductor layer 14 is disposed on a support substrate 11 via first and second insulating films 12 and 13. 10 is provided.
  • the semiconductor layer 14 corresponds to the first substrate
  • the support substrate 11 corresponds to the second substrate.
  • the support substrate 11 is, for example, a silicon substrate
  • the first and second insulating films 12 and 13 are made of SiO 2 , SiN, or the like
  • the semiconductor layer 14 is made of polysilicon or the like.
  • the movable portion 20 and the first and second fixed portions 30 and 40 are partitioned by the first groove portion 16 on the one surface 14 a side, and the connection portions 51 to 53 are partitioned by the second groove portion 17.
  • a portion of the semiconductor layer 14 that is not partitioned by the first and second groove portions 16 and 17 is a peripheral portion 60.
  • the one surface 14a of the semiconductor layer 14 is a surface of the semiconductor layer 14 opposite to the second insulating film 13 side, and the one surface 14a of the semiconductor layer 14 corresponds to one surface of the first substrate. Yes.
  • the movable part 20 is configured such that both ends in the longitudinal direction of the rectangular weight part 21 are integrally connected to the anchor parts 23 a and 23 b via the beam part 22.
  • the anchor portions 23 a and 23 b are supported by the support substrate 11 through the first and second insulating films 12 and 13 in the first groove portion 16. Further, the portion of the second insulating film 13 that faces the movable portion 20 and the portions that face the first and second fixed electrodes 31 and 41 described later are removed to form the opening 18, and the movable portion 20 and the first The first and second fixed electrodes 31 and 41 are floating from the support substrate 11.
  • the beam portion 22 has a rectangular frame shape in which two parallel beams are connected at both ends thereof, and has a spring function of being displaced in a direction perpendicular to the longitudinal direction of the two beams. Specifically, when the beam portion 22 receives an acceleration including a component in the longitudinal direction of the weight portion 21, the beam portion 22 is displaced in the longitudinal direction and restored to the original state in accordance with the disappearance of the acceleration. It has become. Therefore, the weight portion 21 connected to the support substrate 11 through such a beam portion 22 can be displaced in the displacement direction of the beam portion 22 (longitudinal direction of the weight portion 21) in accordance with the application of acceleration. .
  • the movable portion 20 includes a plurality of movable electrodes 24 that are integrally projected in opposite directions from both side surfaces of the weight portion 21 in a direction orthogonal to the longitudinal direction of the weight portion 21.
  • four movable electrodes 24 are formed on the left side and the right side of the weight part 21 so as to face the opening 18.
  • Each movable electrode 24 is formed integrally with the weight portion 21 and the beam portion 22, and can be displaced in the longitudinal direction of the weight portion 21 together with the weight portion 21 when the beam portion 22 is displaced.
  • the movable portion 20 is connected to the connection portion 51 via the movable portion wiring 25.
  • the movable portion wiring 25 has a planar rectangular shape extending from a portion of the first insulating film 12 located immediately below the anchor portion 23a to a portion located directly below the connecting portion 51.
  • the anchor portion 23 a (movable portion 20) and the connection portion 51 are connected to the movable portion wiring 25 through a contact hole 13 a formed in the second insulating film 13.
  • the first and second fixing portions 30 and 40 are first and second wiring portions in which the first and second fixing electrodes 31 and 41 are supported by the support substrate 11 via the first and second insulating films 12 and 13. 32 and 42 are provided. Specifically, the first and second fixed electrodes 31 and 41 have a predetermined detection interval with the side surface of the movable electrode 24, and the first and second fixed electrodes 31 and 41 have a comb-like shape so as to mesh with the comb-tooth gap in the movable electrode 24. It is supported by the second wiring parts 32 and 42 and faces the opening 18.
  • one movable electrode 24 and two first fixed electrodes 31 that are adjacent to each other with the movable electrode 24 interposed therebetween have a distance between the first fixed electrode 31 and the movable electrode 24 of the other first electrode. The distance between the fixed electrode 31 and the movable electrode 24 is shorter.
  • one movable electrode 24 and two second fixed electrodes 41 adjacent to each other with the movable electrode 24 interposed therebetween have a distance between one second fixed electrode 41 and the movable electrode 24 that is the other second fixed electrode 41.
  • the first and second fixed electrodes 31 and 41 are opposite in the longitudinal direction of the weight portion 21 (up and down direction on the paper surface in FIG. 1) on the side where the distance from the movable electrode 24 becomes shorter.
  • the first and second fixing parts 30 and 40 are arranged so as to sandwich the weight part 21 therebetween.
  • the first fixed unit 30 is disposed on the left side of the sheet with respect to the movable unit 20
  • the second fixed unit 40 is disposed on the right side of the sheet with respect to the movable unit 20.
  • first auxiliary electrode 71 or the second auxiliary electrode 72 is formed in the displaceable region of the movable electrode 24 in the portion where the second insulating film 13 is removed from the first insulating film 12.
  • first auxiliary electrode 71 is formed to face the displaceable region of the movable electrode 24 facing the first fixed electrode 31
  • the second auxiliary electrode 72 is the movable electrode facing the second fixed electrode 41. It is formed to face 24 displaceable regions.
  • the first and second auxiliary electrodes 71 and 72 are connected to the connection parts 52 and 53 via the first and second auxiliary electrode wirings 71a and 72a formed on the first insulating film 12, respectively.
  • the first auxiliary electrode wiring 71 a is formed integrally with the first auxiliary electrode 71 and passes through a portion facing the second wiring portion 42 and extends to a position directly below the connection portion 53.
  • the second auxiliary electrode wiring 72 a is formed integrally with the second auxiliary electrode 72 and passes through a portion facing the first wiring portion 32 and is formed directly below the connection portion 52.
  • the connecting portions 52 and 53 are connected to the first and second auxiliary electrode wirings 71a and 72a through the contact holes 13a formed in the second insulating film 13, respectively.
  • the first and second wiring portions 32 and 42 are connected to the first and second auxiliary electrode wirings 71a and 72a through the contact holes 13a formed in the second insulating film 13, respectively. That is, in the present embodiment, the first fixed electrode 31 and the second auxiliary electrode 72 have the same potential, and the second fixed electrode 41 and the first auxiliary electrode 71 have the same potential.
  • pads 81 to 84 are formed in the connection portions 51 to 53 and the peripheral portion 60 of the semiconductor layer 14. Then, it is electrically connected to a circuit unit 100 (to be described later) via pads 81 to 84 via a wire or the like.
  • the pad 84 formed in the peripheral portion 60 is applied with a predetermined potential from the circuit portion 100 in order to fix the potential of the peripheral portion 60.
  • the first and second fixed electrodes 31 and 41 are formed in a comb shape so as to mesh with the gaps of the comb teeth in the movable electrode 24.
  • a capacitor CS1 is formed between the movable electrode 24 and the first fixed electrode 31 having a short interval between the movable electrode 24, and the movable electrode 24, the movable electrode 24, The capacitor CS ⁇ b> 2 is formed between the second fixed electrode 41 having a short interval.
  • the sensor unit 10 is connected to a circuit unit 100 having a CV conversion circuit (switched capacitor circuit) 110, a switch circuit 120, and a control circuit 130.
  • the CV conversion circuit 110 converts the capacitors CS1 and CS2 between the movable electrode 24 and the first and second fixed electrodes 31 and 41 into a voltage and outputs the voltage.
  • the operational amplifier 111 has an inverting input terminal connected to the movable electrode 24, and a switch 112 and a capacitor 113 connected in parallel between the inverting input terminal and the output terminal.
  • the operational amplifier 111 is configured such that either a voltage (potential) of Vcc / 2 or a voltage (potential) of Vcc is input to the non-inverting input terminal via the switch circuit 120.
  • the switch circuit 120 inputs either a Vcc / 2 voltage or a Vcc voltage from each voltage source (not shown) to the non-inverting input terminal of the operational amplifier 111 in the CV conversion circuit 110. And a switch 122.
  • the switch 121 and the switch 122 are configured such that the other opens when one is closed.
  • control circuit 130 inputs the carrier wave P1 that periodically changes with a constant amplitude V to the first fixed electrode 31, and secondly fixes the carrier wave P2 that is 180 ° out of phase with the carrier wave P1 and has the same amplitude V. Input to the electrode 41.
  • the control circuit 130 outputs a control signal (not shown) that controls the opening and closing of the switches 112, 121, and 122 at a predetermined timing.
  • the switch circuit 120 and the control circuit 130 constitute a signal applying unit.
  • the carrier wave P1 (for example, frequency 100 kHz, amplitude 0 to Vcc) output from the control circuit 130 has a constant amplitude in which the high level and the low level change with the period ⁇ 1 as one cycle (for example, 10 ⁇ s).
  • This is a rectangular wave signal.
  • the carrier wave P2 is a rectangular wave signal having a voltage level inverted with respect to the carrier wave P1.
  • the carrier wave P ⁇ b> 2 is applied to the first auxiliary electrode 71 similarly to the second fixed electrode 41, and the second auxiliary electrode 72 is similar to the first fixed electrode 31. Is applied with a carrier wave P1.
  • the potential difference between the movable electrode 24 and the first fixed electrode 31 and the potential difference between the movable electrode 24 and the second fixed electrode 41 are both Vcc / 2. . That is, the electrostatic force between the movable electrode 24 and the first fixed electrode 31 and the electrostatic force between the movable electrode 24 and the second fixed electrode 41 are substantially balanced.
  • the switch 112 is opened and closed in the CV conversion circuit 110 at the timing shown in FIG.
  • the switch 112 is closed (ON in FIG. 6) (period ⁇ 2)
  • the capacitor 113 is reset.
  • the switch 112 is open (OFF in FIG. 6)
  • acceleration is detected. That is, a period other than the period ⁇ 2 in the period ⁇ 1 is a period for detecting acceleration.
  • the output voltage Vout from the CV conversion circuit 110 is expressed by the following Equation 1.
  • Vout (CS1-CS2) ⁇ Vx / Cf Vx is a voltage between the first and second fixed electrodes 31 and 41, and Cf is a capacitance of the capacitor 113.
  • the control circuit 130 applies carrier waves P1 and P2 that are rectangular wave signals having a constant amplitude V to the first and second fixed electrodes 31 and 41, as shown in FIG. Further, the carrier wave P ⁇ b> 2 is applied to the first auxiliary electrode 71 similarly to the second fixed electrode 41, and the carrier wave P ⁇ b> 1 is applied to the second auxiliary electrode 72 similarly to the first fixed electrode 31.
  • the carrier P1 and the carrier P2 are constant voltage signals whose voltage levels are inverted with each other (for example, the carrier P1 is Vcc and the carrier P2 is 0 V).
  • the switch 121 is open and the switch 122 is closed in the switch circuit 120. Therefore, the Vcc voltage (potential) is applied to the non-inverting input terminal of the operational amplifier 111, and the Vcc voltage (potential) is applied to the movable electrode 24.
  • a voltage (potential) of Vcc is applied to the first fixed electrode 31, and a voltage (potential) of 0V is applied to the second fixed electrode 41.
  • the movable electrode 24 is displaced toward the second fixed electrode 41 integrally with the beam portion 22 when the beam portion 22 is bent so as to be drawn toward the second fixed electrode 41 having a large potential difference.
  • the 2nd fixed electrode 41 side here is the 2nd fixed electrode 41 side which comprises the movable electrode 24 and the capacity
  • the same Vcc voltage (potential) as that of the first fixed electrode 31 is applied to the second auxiliary electrode 72.
  • FIG. 7A electric lines of force from the second auxiliary electrode 72 toward the second fixed electrode 41 are generated. Therefore, compared to the acceleration sensor without the auxiliary electrode (FIG. 7B), the electric force lines on the second auxiliary electrode 72 side among the electric force lines from the movable electrode 24 toward the second fixed electrode 41 are the second auxiliary electrodes.
  • the density increases due to the lines of electric force from 72 toward the second fixed electrode 41. That is, the electrostatic force between the movable electrode 24 and the second fixed electrode 41 is increased, and the displacement of the movable electrode 24 is increased.
  • the voltage (potential) applied to each electrode is also shown as the voltage (potential) applied to the movable electrode 24 is indicated as (Vcc). Further, the potential difference between the movable electrode 24 and the second fixed electrode 41 in this state is Vcc. For this reason, compared to the normal operation in which the potential difference between the movable electrode 24 and the second fixed electrode 41 is Vcc / 2, the density of the electric lines of force between the movable electrode 24 and the second fixed electrode 41 is Get higher.
  • the movable electrodes 24 and the second fixed electrodes 41 are alternately arranged. For this reason, although not particularly illustrated, electric lines of force are also generated from the movable electrode 24 toward the second fixed electrode 41 located on the opposite side of the second fixed electrode 41 constituting the capacitor CS2 with the movable electrode 24 interposed therebetween. Is done. The density of the electric lines of force also increases due to the lines of electric lines from the second auxiliary electrode 72 toward the second fixed electrode 41.
  • the distance between the movable electrode 24 and the second fixed electrode 41 constituting the capacitor CS2 constitutes the movable electrode 24 and the capacitor CS2.
  • the distance between the second fixed electrode 41 and the second fixed electrode 41 is not shorter.
  • the distance between the second fixed electrode 41 positioned in the direction in which the movable electrode 24 is displaced and the movable electrode 24 is the distance between the second fixed electrode 41 positioned in the direction in which the movable electrode 24 is not displaced and the movable electrode 24. It has been made shorter. For this reason, the increase in electrostatic force is larger between the second fixed electrode 41 and the movable electrode positioned in the direction in which the movable electrode 24 is displaced, and the displacement of the movable electrode 24 is larger.
  • the period ⁇ 3 is a period for displacing the movable electrode 24.
  • the switch 112 of the CV conversion circuit 110 is closed, so the capacitor 113 is reset.
  • the movable electrode displaced in the immediately preceding period ⁇ 3 by applying the same signal waveform as that in the period ⁇ 1 to the movable electrode 24 and the first and second fixed electrodes 31 and 41.
  • a capacitance between the first electrode 24 and the first and second fixed electrodes 31 and 41 is detected.
  • the switch 112 of the CV conversion circuit 110 is closed to open after a predetermined period (period ⁇ 2), so that the capacitor 113 is in a state where acceleration can be detected.
  • the switch circuit 120 the switch 121 is closed and the switch 122 is opened, and a constant voltage (potential) of Vcc / 2 is applied to the movable electrode 24.
  • a voltage (potential) of Vcc is applied to the first fixed electrode 31 and the second auxiliary electrode 72, and a voltage (potential) of 0 V is applied to the second fixed electrode 41 and the first auxiliary electrode 71.
  • An example in which is applied has been described.
  • a voltage (potential) of 0 V is applied to the first fixed electrode 21 and the second auxiliary electrode 72, and a voltage (potential) of Vcc is applied to the second fixed electrode 41 and the first auxiliary electrode 71.
  • the movable electrode 24 is drawn toward the first fixed electrode 31 having a larger potential difference (upper side in the drawing in FIG. 1).
  • a diagnostic signal for self-diagnosis with the period ( ⁇ 3 + ⁇ 4) as one cycle is transmitted from the switch circuit 120 and the control circuit 130 (signal application unit) to the movable electrode 24, the first and second fixed electrodes 31, 41, By applying to the first and second auxiliary electrodes 71 and 72, self-diagnosis is performed.
  • FIGS. 8A to 8F are cross-sectional views taken along the line II-II in FIG.
  • a first insulating film 12 is formed on a support substrate 11 by a chemical vapor deposition (CVD) method or the like.
  • a polysilicon or a metal film is formed on the first insulating film 12 by a CVD method or the like.
  • the first and second auxiliary electrodes 71 and 72, the first and second auxiliary electrode wirings 71a and 72a are formed by appropriately patterning using a mask or the like (not shown), and in a cross section different from FIG. 8B.
  • the movable part wiring 25 is formed.
  • the second portion is formed by CVD or the like so as to cover the movable portion wiring 25, the first and second auxiliary electrodes 71 and 72, and the first and second auxiliary electrode wires 71a and 72a.
  • An insulating film 13 is formed. 8C, the anchor portion 23a, the first and second wiring portions 32 and 42, and the connection portions 51 to 53 are formed in the second insulating film 13, as shown in FIG. 3 and FIG.
  • a contact hole 13a is formed in a part of the portion to be formed.
  • the substrate 15 is formed by forming the semiconductor layer 14 on the second insulating film 13 by the CVD method or the like.
  • the semiconductor layer 14 is embedded in the contact hole 13a as shown in FIGS. 3 and 4 in a cross section different from FIG. 8D.
  • aluminum or the like is vapor-deposited on the semiconductor layer 14 and patterned using a mask to form pads 81 to 84.
  • the first groove 16 is formed in the semiconductor layer 14 to partition the movable portion 20 and the first and second fixed portions 30 and 40. Further, in a cross section different from that in FIG. 8E, the second groove portion 17 is formed in the semiconductor layer 14 to form the connection portions 51 to 53.
  • the first and second auxiliary electrodes 71 and 72 are formed in the portion of the first insulating film 12 that faces the displaceable region of the movable electrode 24.
  • a predetermined voltage potential
  • the first and second fixed electrodes 31 and 41 positioned in the direction in which the movable electrode 24 is displaced. And the density of the electric lines of force generated between the movable electrode 24 and the movable electrode 24 are increased.
  • the electrostatic force generated between the first and second fixed electrodes 31 and 41 positioned in the direction in which the movable electrode 24 is displaced and the movable electrode 24 can be increased, and the displacement of the movable electrode 24 can be increased. Can be increased. Therefore, an appropriate self-diagnosis can be performed.
  • the first and second auxiliary electrodes 71 and 72 of the present embodiment are combs arranged alternately along the longitudinal direction of the weight portion 21 (the vertical direction in the drawing in FIG. 9). It has a tooth shape, and four each are formed.
  • first auxiliary electrodes 71 on the anchor part 23a side are the movable electrode 24, the first, which is opposed to the movable electrode 24 and is located closer to the anchor part 23b than the working electrode 24.
  • the second fixed electrodes 31 and 41 are formed to face each other.
  • These first auxiliary electrodes 71 are also opposed to the portion on the anchor portion 23b side of the movable electrode 24 and the portion on the anchor portion 23a side of the first and second fixed electrodes 31 and 41. Is formed.
  • One of the first auxiliary electrodes 71 located closest to the anchor portion 23 b is the movable electrode 24, the first fixed electrode facing the movable electrode 24 and located closer to the anchor portion 23 b than the working electrode 24. It is formed so as to face between the electrodes 31.
  • the first auxiliary electrode 71 is formed so as to face a portion of the movable electrode 24 on the anchor portion 23b side and a portion of the first fixed electrode 31 on the anchor portion 23a side.
  • Three of the second auxiliary electrodes 72 on the anchor part 23 b side are the movable electrode 24, the first and second fixed electrodes 31 that face the movable electrode 24 and are located closer to the anchor part 23 a than the working electrode 24. , 41 so as to face each other.
  • These second auxiliary electrodes 72 are also opposed to the part on the anchor part 23a side of the movable electrode 24 and the part on the anchor part 23b side of the first and second fixed electrodes 31 and 41. Is formed.
  • One of the second auxiliary electrodes 72 located closest to the anchor portion 23 b is the movable electrode 24, the second fixed electrode that faces the movable electrode 24 and is located closer to the anchor portion 23 a than the working electrode 24. It is formed so as to face between the electrodes 41.
  • the second auxiliary electrode 72 is formed so as to face a portion of the movable electrode 24 on the anchor portion 23a side and a portion of the second fixed electrode 41 on the anchor portion 23b side.
  • a voltage (potential) of Vcc is applied to the first fixed electrode 31 and the second auxiliary electrode 72, A voltage (potential) of 0 V is applied to the second fixed electrode 41 and the first auxiliary electrode 71. Further, a voltage (potential) of Vf that is larger than Vcc / 2 and smaller than Vcc is applied to the movable electrode 24 via the switch 121 in FIG. In this case, similarly to the above, the movable electrode 24 is displaced to the second fixed electrode 41 side (lower side in FIG. 9) having a large potential difference.
  • FIG. 12A shows a relationship between one movable electrode 24 and two first fixed electrodes 31 arranged with the movable electrode 24 interposed therebetween.
  • FIG. 12B shows a relationship between one movable electrode 24 and two second fixed electrodes 41 arranged with the movable electrode 24 interposed therebetween.
  • the first fixed electrode 31a constituting the capacitor CS1 with the movable electrode 24 in FIG. 12A is defined as the first fixed electrode 31a, and the movable electrode 24 is disposed on the opposite side of the first fixed electrode 31a.
  • the first fixed electrode 31 is the first fixed electrode 31b.
  • the second fixed electrode 41 constituting the capacitor CS2 with the movable electrode 24 in FIG. 12B is defined as the second fixed electrode 41a, and is disposed on the opposite side of the second fixed electrode 41a across the movable electrode 24.
  • the second fixed electrode 41 thus formed is used as a second fixed electrode 41b.
  • the voltage (potential) applied to each movable electrode 24 is shown as (Vf), and the voltage (potential) applied to each electrode is also shown.
  • a voltage (potential) of 0 V is applied to the first auxiliary electrode 71.
  • electric lines of force from the movable electrode 24 and the first fixed electrode 31a toward the first auxiliary electrode 71 are generated between the movable electrode 24 and the first fixed electrode 31a on the first auxiliary electrode 71 side. That is, the density of lines of electric force between the movable electrode 24 and the first fixed electrode 31a is lower than that of a conventional acceleration sensor without an auxiliary electrode.
  • the voltage (potential) of Vf is applied to the movable electrode 24 and the voltage (potential) of 0 V is applied to the second fixed electrodes 41a and 41b. Electric field lines from 24 to the second fixed electrodes 41a and 41b are generated.
  • a voltage (potential) of 0 V is applied to the first auxiliary electrode 71.
  • electric lines of force from the movable electrode 24 toward the first auxiliary electrode 71 are generated on the first auxiliary electrode 71 side between the movable electrode 24 and the second fixed electrode 41b. That is, the density of lines of electric force between the movable electrode 24 and the second fixed electrode 41b is lower than that of a conventional acceleration sensor without an auxiliary electrode.
  • the potential difference between the movable electrode 24 and the first fixed electrode 31a is (Vcc ⁇ Vf).
  • a voltage (potential) of 0 V is applied to the first auxiliary electrode 71, normal operation is performed.
  • the density of the lines of electric force between the movable electrode 24 and the first fixed electrode 31a is low.
  • the potential difference between the movable electrode 24 and the first fixed electrode 31b is (Vcc ⁇ Vf). Since the voltage (potential) of Vcc is applied to the second auxiliary electrode 72, In comparison, the density of the lines of electric force between the movable electrode 24 and the first fixed electrode 31b is increased.
  • the density of electric lines of force generated between the first and second fixed electrodes 31b and 41a positioned in the direction in which the movable electrode 24 is displaced and the movable electrode 24 can be increased.
  • the density of the lines of electric force generated between the first and second fixed electrodes 31 a and 41 b positioned in the direction opposite to the direction in which the movable electrode 24 is displaced and the movable electrode 24 can be reduced.
  • the electrostatic force between the movable electrode 24 and the first and second fixed electrodes 31a and 41b is increased while the electrostatic force between the movable electrode 24 and the first and second fixed electrodes 31b and 41a is increased. it can. For this reason, the displacement of the movable electrode 24 can be further increased, and an appropriate self-diagnosis can be performed.
  • a voltage (potential) of Vcc is applied to the first fixed electrode 31 and the second auxiliary electrode 72, and a voltage (potential) of 0 V is applied to the second fixed electrode 41 and the first auxiliary electrode 71.
  • An example in which is applied has been described.
  • a voltage (potential) of 0 V is applied to the first fixed electrode 31 and the second auxiliary electrode 72 in the period of ⁇ 3, and the second fixed electrode 41 and the first auxiliary electrode 71 are applied to the second fixed electrode 41 and the first auxiliary electrode 71.
  • a voltage (potential) of Vcc may be applied.
  • the sensor unit 10 is provided with a cap unit 200, and the movable unit 20 and the first and second fixed units 30 and 40 are sealed.
  • the cap unit 200 includes a bonded substrate 201 such as a silicon substrate, and a concave portion 201 a is formed in a portion of the bonded substrate 201 that faces the movable electrode 24 and the first and second fixed electrodes 31 and 41. Is formed. Then, an insulating film 202 is formed on the entire surface of the bonded substrate board 201. The insulating film 202 is also formed on the wall surface of the recess 201a.
  • the cap part 200 is joined via the joining part 60a and the joining member 210 in the peripheral part 60 of the sensor part 10.
  • the bonding member 210 is made of, for example, an oxide film, low dielectric glass, metal, or the like.
  • first and second auxiliary electrodes 71 and 72 are formed in a portion of the insulating film 202 facing the displaceable region of the movable electrode 24. Has been.
  • the cap portion 200 is formed with a through electrode portion that is electrically connected to the first and second auxiliary electrodes 71 and 72 in a different cross-section from FIG.
  • the same voltage (potential) as that of the second fixed electrode 41 is applied to the first auxiliary electrode 71 and the same value as that of the first fixed electrode 31 is applied to the second auxiliary electrode 72 through the through electrode portion.
  • a voltage (potential) is applied.
  • first and second fixed electrode wirings 32a and 42a corresponding to the first and second auxiliary electrode wirings 71a and 72a are formed.
  • the first and second wiring portions 32 and 42 are connected to the connection portions 52 and 53 via the first and second fixed electrode wirings 32a and 42a, respectively.
  • the substrate 15 corresponds to the first substrate
  • the bonded substrate 201 corresponds to the second substrate.
  • the bonded substrate 201 has a convex portion 201 b formed on a portion of the bottom surface of the concave portion 201 a that faces the displaceable region of the movable electrode 24. And the 1st, 2nd auxiliary electrodes 71 and 72 are formed in the protrusion direction front end surface of the convex part 201b.
  • the interval between the movable electrode 24 and the first and second auxiliary electrodes 71 and 72 can be narrowed. For this reason, the density of the electric lines of force on the cap part 200 side among the electric lines of force generated between the first and second fixed electrodes 31, 41 positioned in the direction in which the movable electrode 24 is displaced and the movable electrode 24.
  • the effect similar to that of the fourth embodiment can be obtained while further increasing the height.
  • the convex portion 201b is formed on the bonded substrate 201 has been described.
  • the first insulating film 12 is partially thickened to form the convex portion, and the first The first and second auxiliary electrodes 71 and 72 may be formed on the front end surface of the protrusion in the protruding direction.
  • first and second auxiliary electrodes 71 and 72 are formed on the sensor unit 10 and the cap unit 200, respectively.
  • the support substrate 11 and the bonded substrate 201 correspond to the second substrate.
  • the effect similar to the said 4th Embodiment can be acquired, making the density of the electric line of electric force of each side high.
  • the insulating film 12 and the semiconductor layer 14 are sequentially arranged on the support substrate 11 to constitute the substrate 15.
  • a recess 19 is formed in a portion of the support substrate 11 and the insulating film 12 that faces the movable electrode 24 and the first and second fixed electrodes 31 and 41.
  • the recess 19 is for preventing the movable electrode 24 and the first and second fixed electrodes 31 and 41 from coming into contact with the support substrate 11.
  • the movable part 20 is arranged so as to cross over the hollow part 19, and both ends in the longitudinal direction of the weight part 21 are integrally connected to a rectangular frame-like frame part 26 via the beam part 22. Then, the anchor portion 23 located substantially at the center of the weight portion 21 is supported by the support substrate 11 via the insulating film 12 in the same manner as the first wiring portion 32 in FIG.
  • the cap part 200 has a recessed part 201 a formed in a part of the bonded substrate 201 facing the movable electrode 24 and the first and second fixed electrodes 31 and 41, and the anchor part 23, the first and second wiring parts 32. , 42 is not recessed.
  • connection wiring 211 is formed at a portion facing the first wiring part 32. Note that, in a cross section different from that in FIG. 20, the connection wiring 211 is also formed in a portion facing the anchor portion 23 and the second wiring portion 42. Each connection wiring 211 is connected to the anchor part 23, the first and second wiring parts 32 and 42, respectively.
  • an insulating film 203 is formed on the side of the insulating film 202 opposite to the sensor unit 10 side.
  • the cap part 200 is formed with through electrode parts 204 that are electrically connected to the first and second auxiliary electrodes 71 and 72 and the connection wirings 211.
  • the through electrode portion 204 has a through hole 204 a that penetrates the insulating film 203, the insulating film 202, and the bonded substrate 201 and reaches the first and second auxiliary electrodes 71 and 72 or the connection wiring 211.
  • a through electrode 204c is embedded in the through hole 204a via an insulating film 204b, and a pad 204d that is electrically connected to the through electrode 204c is formed on the insulating film 203.
  • the same voltage (potential) as the second fixed electrode 41 is applied to the first auxiliary electrode 71 and the same voltage (potential) as the first fixed electrode 31 is applied to the second auxiliary electrode 72. It is like that.
  • the first and second fixed electrodes 31 and 41 and the first and second auxiliary electrodes 71 and 72 are electrically separated, and the voltage independent of the first and second auxiliary electrodes 71 and 72 is obtained. (Potential) may be applied. In this case, a predetermined potential may be applied to the first and second auxiliary electrodes 71 and 72 only at the time of self-diagnosis.
  • the voltage (potential) of Vcc is input via the switch 122
  • the voltage (potential) input via the switch 122 can be changed as appropriate. That is, for example, the voltage (potential) of Vf may be applied to the movable electrode 24 in the period of ⁇ 3 during the self-diagnosis of the first embodiment, as in the second embodiment. Similarly, a voltage (potential) of Vcc may be applied to the movable electrode 24 during the period ⁇ 3 during the self-diagnosis of the second embodiment.
  • the support substrate 11 may be made of glass or the like.
  • the acceleration sensor as the capacitive physical quantity sensor has been described as an example, but the present disclosure can be applied to an angular velocity sensor or a pressure sensor.
  • the second fixed electrode 41 may not be provided. That is, an acceleration sensor that detects acceleration based only on the capacitance CS1 between the movable electrode 24 and the first fixed electrode 31 may be used.
  • the above embodiments can be combined.
  • the first embodiment and the fifth embodiment may be combined with the sixth and seventh embodiments, and the first and second auxiliary electrodes 71 and 72 may be disposed on the front end surface of the protrusion 201b in the protruding direction.
  • the sixth embodiment may be combined with the seventh embodiment, and the first and second auxiliary electrodes 71 and 72 may be disposed on the bottom surface of the recessed portion 19 of the support substrate 11.
  • the second embodiment may be combined with the third to seventh embodiments, and the first and second auxiliary electrodes 71 and 72 may be formed in a comb shape.
  • a combination of the above embodiments may be combined as appropriate.

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Abstract

　容量式物理量センサは、第１基板（１４、１５）と、可動電極（２４）と、固定電極（３１、４１）と、第２基板（１１、２０１）と、信号印加部（１２０、１３０）と、Ｃ－Ｖ変換回路（１１０）と、補助電極（７１、７２）とを備える。前記補助電極は、前記第２基板のうち前記可動電極と対向する部分から前記可動電極の変位可能領域と対向する部分に配置されている。前記信号印加部は、自己診断時に、前記補助電極に所定の電位を印加することにより、前記可動電極を変位させる方向に位置する前記固定電極と前記可動電極との間に生成される電気力線の密度を高くする。

Description

容量式物理量センサ 関連出願の相互参照
　本開示は、２０１３年５月２２日に出願された日本出願番号２０１３－１０８２５９号および２０１３年９月１１日出願された日本出願番号２０１３－１８８１８１号に基づくもので、ここにその記載内容を援用する。
　本開示は、容量式物理量センサに関する。
　容量式物理量センサの一例として、特許文献１に自己診断を行うことができる加速度センサが開示されている。この加速度センサは、加速度の印加に応じて弾性的に変位する梁部に一体的に形成された可動電極と、この可動電極に対向配置された固定電極とを備えている。また、自己診断時において、可動電極と固定電極との間に静電気力を発生させて可動電極を変位させる自己診断用の診断信号を可動電極および固定電極に印加する信号印加部を備えている。
　上記のような加速度センサでは、２００～４００Ｇ程度の大きな加速度を検出する場合には、梁部の剛性を高くしたりして当該梁部を変位し難くしている。このため、大きな加速度を検出する加速度センサでは、自己診断時において、梁部の剛性が高くなることに伴って可動電極の変位量が小さくなるという問題がある。すなわち、自己診断に必要な出力が得難くなるという問題がある。
　なお、上記では、加速度を検出する加速度センサを例に挙げて説明したが、可動電極および固定電極を備える角速度センサや圧力センサ等の容量式物理量センサにおいて梁部の剛性を高くした場合にも、可動電極が変位し難くなって同様の問題が発生する。
日本特開２０００－８１４４９号公報
　本開示は、検出範囲によらず、適切な自己診断を行うことができる容量式物理量センサを提供することを目的とする。
　本開示の一態様に係る容量式物理量センサは、第一基板と、可動電極と、固定電極と、第２基板と、信号印加部と、Ｃ－Ｖ変換回路と、補助電極とを備える。前記可動電極は、前記第１基板の一面側に形成され、物理量が印加されることによって前記一面の面方向における所定方向に変位可能とされた梁部に一体的に形成される。前記固定電極は、前記第１基板の一面側に前記可動電極と対向する状態で形成される。前記第２基板は、前記第１基板と接合される。前記信号印加部は、自己診断時に、前記可動電極を変位させる自己診断用の診断信号を前記可動電極と前記固定電極との間に印加する。前記Ｃ－Ｖ変換回路は、前記診断信号が前記可動電極および前記固定電極に印加されているとき、前記可動電極と前記固定電極との間の容量の変化に応じた電圧を出力する。前記補助電極は、前記第２基板のうち、前記可動電極と対向する部分から前記可動電極の変位可能領域と対向する部分に配置されている。
　通常動作時では、前記容量式物理量センサは、前記固定電極と前記可動電極との間の容量の変化に応じた電圧を出力する。自己診断時には、前記信号印加部が前記補助電極に所定の電位を印加することにより、前記可動電極を変位させる方向に位置する前記固定電極と当該可動電極との間に生成される電気力線の密度を通常動作時における前記固定電極と前記可動電極との間に生成される電気力線の密度より高くする。
　前記容量式物理量センサでは、自己診断時において、前記可動電極を変位させる方向に位置する前記固定電極と前記可動電極との間に生成される静電気力を大きくでき、前記可動電極の変位を大きくできる。このため、前記容量式物理量センサは、適切な自己診断を行うことができる。
　本開示における上記あるいは他の目的、構成、利点は、下記の図面を参照しながら、以下の詳細説明から、より明白となる。図面において、
図１は、本開示の第１実施形態における加速度センサのセンサ部の平面図である。 図２は、図１中のII－II線に沿ったセンサ部の断面図である。 図３は、図１中のIII－III線に沿ったセンサ部の断面図である。 図４は、図１中のIV－IV線に沿ったセンサ部の断面図である。 図５は、加速度センサの回路構成を示す図である。 図６は、図１に示す加速度センサのタイミングチャートである。 図７Ａは、図１に示す加速度センサの可動電極と第２固定電極との間に生成される電気力線を示す模式図である。 図７Ｂは、補助電極を備えない加速度センサの可動電極と固定電極との間に生成される電気力線を示す模式図である。 図８Ａは、図１に示すセンサ部の製造工程の一部を示す断面図である。 図８Ｂは、図１に示すセンサ部の製造工程の一部を示す断面図である。 図８Ｃは、図１に示すセンサ部の製造工程の一部を示す断面図である。 図８Ｄは、図１に示すセンサ部の製造工程の一部を示す断面図である。 図８Ｅは、図１に示すセンサ部の製造工程の一部を示す断面図である。 図８Ｆは、図１に示すセンサ部の製造工程の一部を示す断面図である。 図９は、本開示の第２実施形態におけるセンサ部の平面図である。 図１０は、図９中のX－X線に沿ったセンサ部の断面図である。 図１１は、図９に示す加速度センサのタイミングチャートである。 図１２Ａは、図９に示す加速度センサの可動電極と第１固定電極との間に生成される電気力線を示す模式図である。 図１２Ｂは、図９に示す加速度センサの可動電極と第２固定電極との間に生成される電気力線を示す模式図である。 図１３は、本開示の第３実施形態におけるセンサ部の平面図である。 図１４は、図１３中のXIV－XIV線に沿ったセンサ部およびキャップ部の断面図である。 図１５は、本開示の第４実施形態におけるセンサ部の平面図である。 図１６は、図１５中のXVI－XVI線に沿ったセンサ部およびキャップ部の断面図である。 図１７は、本開示の第５実施形態におけるセンサ部およびキャップ部の断面図である。 図１８は、本開示の第６実施形態におけるセンサ部およびキャップ部の断面図である。 図１９は、本開示の第７実施形態におけるセンサ部の平面図である。 図２０は、図１９中のXX－XX線に沿ったセンサ部およびキャップ部の断面図である。
　以下、本開示の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、同一符号を付して説明を行う。
　（第１実施形態）
　本開示の第１実施形態について図面を参照しつつ説明する。なお、本実施形態では、容量式物理量センサとして、加速度に応じて容量が変化する容量式の加速度センサを例に挙げて説明する。
　図１～図４に示されるように、加速度センサは、支持基板１１上に第１、第２絶縁膜１２、１３を介して半導体層１４が配置された基板１５を用いて構成されるセンサ部１０を備えている。
　なお、本実施形態では、半導体層１４が第１基板に相当し、支持基板１１が第２基板に相当している。また、支持基板１１は、例えば、シリコン基板等が用いられ、第１、第２絶縁膜１２、１３はＳｉＯ２やＳｉＮ等が用いられ、半導体層１４はポリシリコン等が用いられる。
　半導体層１４には、一面１４ａ側に第１溝部１６によって可動部２０および第１、第２固定部３０、４０が区画形成されていると共に、第２溝部１７によって接続部５１～５３が区画形成されている。また、半導体層１４のうち、第１、第２溝部１６、１７で区画されていない部分は、周辺部６０とされている。なお、半導体層１４の一面１４ａとは、半導体層１４のうちの第２絶縁膜１３側と反対側の面のことであり、当該半導体層１４の一面１４ａが第１基板の一面に相当している。
　可動部２０は、矩形状の錘部２１における長手方向の両端が梁部２２を介してアンカー部２３ａ、２３ｂに一体に連結した構成とされている。
　なお、アンカー部２３ａ、２３ｂは、第１溝部１６内において、第１、第２絶縁膜１２、１３を介して支持基板１１に支持されている。また、第２絶縁膜１３のうち可動部２０と対向する部分および後述する第１、第２固定電極３１、４１と対向する部分は除去されて開口部１８とされており、可動部２０および第１、第２固定電極３１、４１は支持基板１１から浮遊した状態となっている。
　梁部２２は、平行な２本の梁がその両端で連結された矩形枠状とされており、２本の梁の長手方向と直交する方向に変位するバネ機能を有している。具体的には、梁部２２は、錘部２１の長手方向の成分を含む加速度を受けたとき、錘部２１を長手方向へ変位させると共に、加速度の消失に応じて元の状態に復元させるようになっている。したがって、このような梁部２２を介して支持基板１１に連結された錘部２１は、加速度の印加に応じて梁部２２の変位方向（錘部２１の長手方向）へ変位可能となっている。
　また、可動部２０は、錘部２１の長手方向と直交した方向に、錘部２１の両側面から互いに反対方向へ一体的に突出形成された複数個の可動電極２４を備えている。図１では、可動電極２４は、錘部２１の左側および右側にそれぞれ４個ずつ突出して形成されており、開口部１８に臨んだ状態となっている。また、各可動電極２４は、錘部２１および梁部２２と一体的に形成されており、梁部２２が変位することによって錘部２１と共に錘部２１の長手方向に変位可能となっている。
　そして、可動部２０は、可動部用配線２５を介して接続部５１と接続されている。具体的には、可動部用配線２５は、第１絶縁膜１２のうちアンカー部２３ａの直下に位置する部分から接続部５１の直下に位置する部分まで延設された平面矩形状とされている。そして、アンカー部２３ａ（可動部２０）および接続部５１は、第２絶縁膜１３に形成されたコンタクトホール１３ａを介して可動部用配線２５と接続されている。
　第１、第２固定部３０、４０は、第１、第２固定電極３１、４１が第１、第２絶縁膜１２、１３を介して支持基板１１に支持された第１、第２配線部３２、４２に備えられた構成とされている。具体的には、第１、第２固定電極３１、４１は、可動電極２４の側面と所定の検出間隔を有し、可動電極２４における櫛歯の隙間に噛み合うように櫛歯状に第１、第２配線部３２、４２に支持され、開口部１８に臨んだ状態となっている。さらに、詳述すると、１つの可動電極２４とこの可動電極２４を挟んで隣接する２つの第１固定電極３１は、一方の第１固定電極３１と当該可動電極２４との間隔が他方の第１固定電極３１と当該可動電極２４との間隔より短くされている。同様に、１つの可動電極２４とこの可動電極２４を挟んで隣接する２つの第２固定電極４１は、一方の第２固定電極４１と当該可動電極２４との間隔が他方の第２固定電極４１と当該可動電極２４との間隔より短くされている。また、第１、第２固定電極３１、４１は、錘部２１の長手方向（図１中紙面上下方向）において、可動電極２４との間隔が短くなる側が反対とされている。
　そして、第１、第２固定部３０、４０は、錘部２１を挟むように配置されている。図１では、第１固定部３０が可動部２０に対して紙面左側に配置され、第２固定部４０が可動部２０に対して紙面右側に配置されている。
　また、第１絶縁膜１２のうち第２絶縁膜１３が除去された部分であって、可動電極２４の変位可能領域には、第１補助電極７１または第２補助電極７２が形成されている。本実施形態では、第１補助電極７１は第１固定電極３１と対向する可動電極２４の変位可能領域と対向するように形成され、第２補助電極７２は第２固定電極４１と対向する可動電極２４の変位可能領域と対向するように形成されている。
　そして、第１、第２補助電極７１、７２は、第１絶縁膜１２上に形成された第１、第２補助電極用配線７１ａ、７２ａを介して接続部５２、５３と接続されている。具体的には、第１補助電極用配線７１ａは、第１補助電極７１と一体的に形成され、第２配線部４２と対向する部分を通過して接続部５３の直下まで延設されている。また、第２補助電極用配線７２ａは、第２補助電極７２と一体的に形成され、第１配線部３２と対向する部分を通過して接続部５２の直下まで形成されている。
　そして、接続部５２、５３は、それぞれ第２絶縁膜１３に形成されたコンタクトホール１３ａを介して第１、第２補助電極用配線７１ａ、７２ａと接続されている。同様に、第１、第２配線部３２、４２は、それぞれ第２絶縁膜１３に形成されたコンタクトホール１３ａを介して第１、第２補助電極用配線７１ａ、７２ａと接続されている。つまり、本実施形態では、第１固定電極３１と第２補助電極７２が同電位となり、第２固定電極４１と第１補助電極７１とが同電位となる。
　また、半導体層１４のうち接続部５１～５３および周辺部６０には、パッド８１～８４が形成されている。そして、パッド８１～８４を介して後述する回路部１００とワイヤ等を介して電気的に接続されるようになっている。なお、周辺部６０に形成されたパッド８４は、周辺部６０の電位を固定するために回路部１００から所定の電位が印加されるものである。
　このようなセンサ部１０では、上記のように、可動電極２４における櫛歯の隙間に噛み合うように櫛歯状に第１、第２固定電極３１、４１が形成されている。そして、図１中にコンデンサ記号で示す様に、可動電極２４と当該可動電極２４との間隔が短い第１固定電極３１との間に容量ＣＳ１が構成され、可動電極２４と当該可動電極２４との間隔が短い第２固定電極４１との間に容量ＣＳ２が構成される。
　次に、加速度センサの回路構成について図５を参照しつつ説明する。図５に示されるように、センサ部１０は、Ｃ－Ｖ変換回路（スイッチドキャパシタ回路）１１０、スイッチ回路１２０、制御回路１３０を有する回路部１００と接続されている。Ｃ－Ｖ変換回路１１０は、可動電極２４と第１、第２固定電極３１、４１との間の容量ＣＳ１、ＣＳ２を電圧に変換して出力するものであり、演算増幅器１１１、スイッチ１１２、コンデンサ１１３から構成されている。
　具体的には、演算増幅器１１１は、反転入力端子が可動電極２４に接続されていると共に、反転入力端子と出力端子との間にスイッチ１１２およびコンデンサ１１３が並列に接続されている。また、演算増幅器１１１は、非反転入力端子にスイッチ回路１２０を介してＶｃｃ／２の電圧（電位）またはＶｃｃの電圧（電位）のいずれかが入力されるようになっている。
　スイッチ回路１２０は、Ｃ－Ｖ変換回路１１０における演算増幅器１１１の非反転入力端子に図示しないそれぞれの電圧源からのＶｃｃ／２の電圧またはＶｃｃの電圧のいずれかを入力するものであり、スイッチ１２１とスイッチ１２２から構成されている。そして、スイッチ１２１とスイッチ１２２は、一方が閉じているときに他方が開くようになっている。
　また、制御回路１３０は、一定振幅Ｖで周期的に変化する搬送波Ｐ１を第１固定電極３１へ入力すると共に、搬送波Ｐ１と位相が１８０°ずれ、かつ同一振幅Ｖである搬送波Ｐ２を第２固定電極４１へ入力する。また、制御回路１３０は、上記スイッチ１１２、１２１、１２２の開閉を所定のタイミングで制御する図示しない制御信号を出力する。
　なお、本実施形態では、スイッチ回路１２０および制御回路１３０にて信号印加部が構成されている。
　続いて、上記加速度センサの作動について説明する。まず、加速度センサの通常作動時の作動について説明する。
　図６に示されるように、制御回路１３０から出力される搬送波Ｐ１（例えば、周波数１００ｋＨｚ、振幅０～Ｖｃｃ）は、期間φ１を１周期（例えば１０μｓ）としてハイレベルとローレベルが変化する一定振幅の矩形波信号となっている。また、搬送波Ｐ２は、搬送波Ｐ１に対して電圧レベルが反転した矩形波信号となっている。
　そして、通常動作時では、上記の各搬送波Ｐ１、Ｐ２が第１、第２固定電極３１、４１へ印加されているとき、スイッチ回路１２０におけるスイッチ１２１は閉、スイッチ１２２は開になっている。つまり、演算増幅器１１１の非反転入力端子にＶｃｃ／２の電圧が印加されることにより、可動電極２４にＶ／２ｃｃの一定電圧（電位）が印加される。また、周辺部６０には、可動電極２４と同様に、制御回路１３０からＶｃｃ／２の一定電圧（電位）が印加される。
　なお、通常動作時において特に影響を及ぼすものではないが、第１補助電極７１には第２固定電極４１と同様に搬送波Ｐ２が印加され、第２補助電極７２には第１固定電極３１と同様に搬送波Ｐ１が印加される。
　この状態において加速度が印加されていない場合には、可動電極２４と第１固定電極３１との間の電位差および可動電極２４と第２固定電極４１との間の電位差は、共にＶｃｃ／２となる。つまり、可動電極２４と第１固定電極３１との間の静電気力、および可動電極２４と第２固定電極４１との間の静電気力が略等しく釣り合っている。
　また、通常動作時では、Ｃ－Ｖ変換回路１１０において、スイッチ１１２は図６に示すタイミングで開閉される。そして、スイッチ１１２が閉（図６中ＯＮ）のとき（期間φ２）、コンデンサ１１３がリセットされる。一方、スイッチ１１２が開（図６中ＯＦＦ）のとき、加速度の検出が行われる。つまり、期間φ１のうち期間φ２以外の期間が加速度を検出する期間となる。この検出期間において、Ｃ－Ｖ変換回路１１０からの出力電圧Ｖｏｕｔは、次の数式１で示される。
　（数１）Ｖｏｕｔ＝（ＣＳ１－ＣＳ２）・Ｖｘ／Ｃｆ
　なお、Ｖｘは第１、第２固定電極３１、４１の間の電圧であり、Ｃｆはコンデンサ１１３の容量である。
　そして、この状態で加速度が印加されると、容量ＣＳ１、ＣＳ２のバランスが変化する。このため、上記数式１に基づき、容量差（ＣＳ１－ＣＳ２）に応じた電圧が出力Ｖｏｕｔにバイアスとして加わった形で出力される。
　次に、加速度センサの自己診断時の作動について説明する。
　自己診断時では、上記制御回路１３０により、図６に示されるように、一定振幅Ｖの矩形波信号である搬送波Ｐ１、Ｐ２が第１、第２固定電極３１、４１に印加される。また、第１補助電極７１には第２固定電極４１と同様に搬送波Ｐ２が印加され、第２補助電極７２には第１固定電極３１と同様に搬送波Ｐ１が印加される。
　なお、期間φ３（例えば１００μｓ）において、搬送波Ｐ１と搬送波Ｐ２とは、互いに電圧レベルが反転した一定電圧信号（例えば、搬送波Ｐ１がＶｃｃ、搬送波Ｐ２が０Ｖ）となっている。
　また、この期間φ３では、スイッチ回路１２０においてスイッチ１２１は開、スイッチ１２２は閉になっている。そのため、演算増幅器１１１の非反転入力端子には、Ｖｃｃの電圧（電位）が印加され、可動電極２４にはこのＶｃｃの電圧（電位）が印加される。
　そして、可動電極２４にＶｃｃの電圧が印加されると、上記通常動作時における静電気力の釣り合いが崩れ、可動電極２４は第１、第２固定電極３１、４１との間の電位差が大きい方の固定電極へ引き寄せられる。
　例えば、図６に示すφ３の期間では、第１固定電極３１にＶｃｃの電圧（電位）が印加され、第２固定電極４１に０Ｖの電圧（電位）が印加されている。このため、可動電極２４は、電位差が大きい第２固定電極４１の方へ引き寄せられるように梁部２２が撓むことにより、梁部２２と一体的に第２固定電極４１側に変位する。
　なお、ここでの第２固定電極４１側とは、可動電極２４と容量ＣＳ２を構成する第２固定電極４１側のことである。つまり、可動電極２４が第２固定電極４１側に変位するとは、図１中では、可動電極２４が紙面下側に変位することを意味している。
　このとき、上記のように、第２補助電極７２には、第１固定電極３１と同様のＶｃｃの電圧（電位）が印加されている。このため、図７Ａに示されるように、第２補助電極７２から第２固定電極４１に向かう電気力線が生成される。したがって、補助電極を備えない加速度センサ（図７Ｂ）と比較して、可動電極２４から第２固定電極４１に向かう電気力線のうち第２補助電極７２側の電気力線は、第２補助電極７２から第２固定電極４１に向かう電気力線によって密度が高くなる。つまり、可動電極２４と第２固定電極４１との間の静電気力が大きくなり、可動電極２４の変位が大きくなる。
　なお、図７Ａおよび図７Ｂ中では、可動電極２４に印加される電圧（電位）を（Ｖｃｃ）と示しているように、各電極に印加される電圧（電位）も示してある。また、この状態における可動電極２４と第２固定電極４１との間の電位差はＶｃｃである。このため、可動電極２４と第２固定電極４１との間の電位差がＶｃｃ／２である通常動作時と比較して、可動電極２４と第２固定電極４１との間の電気力線の密度は高くなる。
　また、可動電極２４と第２固定電極４１とは交互に配列されている。このため、特に図示していないが、可動電極２４から、当該可動電極２４を挟んで容量ＣＳ２を構成する第２固定電極４１と反対側に位置する第２固定電極４１に向かう電気力線も生成される。そして、この電気力線も第２補助電極７２からこの第２固定電極４１に向かう電気力線によって密度が高くなる。
　しかしながら、可動電極２４とこの可動電極２４を挟んで隣接する２つの第２固定電極４１では、可動電極２４と容量ＣＳ２を構成する第２固定電極４１との間隔が可動電極２４と容量ＣＳ２を構成しない第２固定電極４１との間隔より短くされている。つまり、可動電極２４を変位させる方向に位置する第２固定電極４１と当該可動電極２４との間隔が、可動電極２４を変位させない方向に位置する第２固定電極４１と当該可動電極２４との間隔より短くされている。このため、可動電極２４を変位させる方向に位置する第２固定電極４１と可動電極との間の方が静電気力の増加が大きくなり、可動電極２４の変位が大きくなる。
　また、期間φ３は、可動電極２４を変位させる期間であり、期間φ３においてはＣ－Ｖ変換回路１１０のスイッチ１１２は閉であるため、コンデンサ１１３はリセットされる。
　そして、期間φ４（例えば１０μｓ）では、上記期間φ１と同様の信号波形を可動電極２４および第１、第２固定電極３１、４１に印加することにより、直前の期間φ３にて変位させた可動電極２４と第１、第２固定電極３１、４１との間の容量が検出される。
　すなわち、Ｃ－Ｖ変換回路１１０のスイッチ１１２を所定期間（期間φ２）後に閉から開としてコンデンサ１１３を加速度検出可能な状態と同じにする。また、スイッチ回路１２０においてスイッチ１２１を閉、スイッチ１２２を開として可動電極２４にＶｃｃ／２の一定電圧（電位）を印加する。
　すると、この期間φ４にて、第２固定電極４１の方へ引き寄せられていた可動電極２４が元の位置に戻ろうとするため、この容量変化に応じてＣ－Ｖ変換回路１１０のコンデンサ１１３に電荷が発生する。このため、期間φ３にて変位させた可動電極２４と第１、第２固定電極３１、４１との間の容量を検出することができる。
　なお、ここでは、φ３の期間において、第１固定電極３１および第２補助電極７２にＶｃｃの電圧（電位）が印加され、第２固定電極４１および第１補助電極７１に０Ｖの電圧（電位）が印加されている例を説明した。しかしながら、φ３の期間において、第１固定電極２１および第２補助電極７２に０Ｖの電圧（電位）が印加され、第２固定電極４１および第１補助電極７１にＶｃｃの電圧（電位）が印加されるようにしてもよい。この場合は、可動電極２４は、電位差が大きい第１固定電極３１の方（図１中紙面上側）へ引き寄せられる。このとき、特に図示しないが、図７Ａと同様に、第１補助電極７１から第１固定電極３１に向かう電気力線が生成される。このため、可動電極２４から第１固定電極３１に向かう電気力線のうち第１補助電極７１側の電気力線は、第１補助電極７１から第１固定電極３１に向かう電気力線によって密度が高くなる。
　以上説明したように、期間（φ３＋φ４）を１周期とした自己診断用の診断信号をスイッチ回路１２０および制御回路１３０（信号印加部）から可動電極２４、第１、第２固定電極３１、４１、第１、第２補助電極７１、７２に印加することにより、自己診断が行われる。
　次に、上記センサ部１０の製造方法について図８Ａ～図８Ｆを参照して簡単に説明する。なお、図８Ａ～図８Ｆは、図１中のII－II線に沿った断面図である。
　まず、図８Ａに示されるように、支持基板１１上に化学蒸着（ＣＶＤ）法等によって第１絶縁膜１２を形成する。
　続いて、図８Ｂに示されるように、第１絶縁膜１２上にＣＶＤ法等によってポリシリコンや金属膜等を形成する。そして、図示しないマスク等を用いて適宜パターニングすることにより、第１、第２補助電極７１、７２、第１、第２補助電極用配線７１ａ、７２ａを形成すると共に、図８Ｂとは別断面において、可動部用配線２５を形成する。
　その後、図８Ｃに示されるように、可動部用配線２５、第１、第２補助電極７１、７２、第１、第２補助電極用配線７１ａ、７２ａを覆うように、ＣＶＤ法等によって第２絶縁膜１３を形成する。そして、図８Ｃとは別断面において、図３および図４に示されるように、第２絶縁膜１３のうちアンカー部２３ａ、第１、第２配線部３２、４２、接続部５１～５３が形成される部分の一部にコンタクトホール１３ａを形成する。
　続いて、図８Ｄに示されるように、第２絶縁膜１３上にＣＶＤ法等で半導体層１４を形成することにより、基板１５を構成する。なお、このとき、図８Ｄとは別断面において、図３および図４に示されるように、コンタクトホール１３ａ内に半導体層１４が埋め込まれる。その後、図８Ｄとは別断面において、図４に示されるように、半導体層１４上にアルミニウム等を蒸着し、マスクを用いてパターニングすることにより、パッド８１～８４を形成する。
　次に、図８Ｅに示されるように、図示しないマスクを用いて、半導体層１４に第１溝部１６を形成して可動部２０および第１、第２固定部３０、４０を区画形成する。また、図８Ｅとは別断面において、半導体層１４に第２溝部１７を形成して接続部５１～５３を区画形成する。
　その後、図８Ｆに示されるように、第２絶縁膜１３の所定領域を除去して可動部２０および第１、第２固定電極３１、４１を支持基板１１（第１絶縁膜１２）から浮遊（リリース）させると共に第１、第２補助電極７１、７２を露出させる。これにより、上記センサ部１０が形成される。
　以上説明したように、本実施形態では、第１絶縁膜１２のうち可動電極２４の変位可能領域と対向する部分に第１、第２補助電極７１、７２を形成している。そして、自己診断時において、第１、第２補助電極７１、７２に所定の電圧（電位）を印加することにより、可動電極２４を変位させる方向に位置する第１、第２固定電極３１、４１と当該可動電極２４との間に生成される電気力線の密度を高くしている。つまり、自己診断時において、可動電極２４を変位させる方向に位置する第１、第２固定電極３１、４１と当該可動電極２４との間に生成される静電気力を大きくでき、可動電極２４の変位を大きくできる。したがって、適切な自己診断を行うことができる。
　（第２実施形態）
　本開示の第２実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対して第１、第２補助電極７１、７２の形状を変更したものであり、その他に関しては第１実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
　図９および図１０に示されるように、本実施形態の第１、第２補助電極７１、７２は、錘部２１の長手方向（図９中紙面上下方向）に沿って交互に配列された櫛歯状とされ、それぞれ４本ずつ形成されている。
　具体的には、第１補助電極７１のうちアンカー部２３ａ側の３本は、可動電極２４と、当該可動電極２４と対向し、かつ当該稼動電極２４よりアンカー部２３ｂ側に位置する第１、第２固定電極３１、４１との間と対向するように形成されている。なお、これらの第１補助電極７１は、当該可動電極２４のうちのアンカー部２３ｂ側の部分、および当該第１、第２固定電極３１、４１のうちのアンカー部２３ａ側の部分とも対向するように形成されている。
　また、第１補助電極７１のうち最もアンカー部２３ｂ側に位置する１本は、可動電極２４と、当該可動電極２４と対向し、かつ当該稼動電極２４よりアンカー部２３ｂ側に位置する第１固定電極３１との間と対向するように形成されている。なお、この第１補助電極７１は、可動電極２４のうちのアンカー部２３ｂ側の部分、および当該第１固定電極３１のうちのアンカー部２３ａ側の部分とも対向するように形成されている。
　第２補助電極７２のうちアンカー部２３ｂ側の３本は、可動電極２４と、当該可動電極２４と対向し、かつ当該稼動電極２４よりアンカー部２３ａ側に位置する第１、第２固定電極３１、４１との間と対向するように形成されている。なお、これらの第２補助電極７２は、可動電極２４のうちのアンカー部２３ａ側の部分、および当該第１、第２固定電極３１、４１のうちのアンカー部２３ｂ側の部分とも対向するように形成されている。
　また、第２補助電極７２のうち最もアンカー部２３ｂ側に位置する１本は、可動電極２４と、当該可動電極２４と対向し、かつ当該稼動電極２４よりアンカー部２３ａ側に位置する第２固定電極４１との間と対向するように形成されている。なお、この第２補助電極７２は、可動電極２４のうちアンカー部２３ａ側の部分、および当該第２固定電極４１のうちアンカー部２３ｂ側の部分とも対向するように形成されている。
　そして、図１１に示されるように、自己診断時におけるφ３の期間（可動電極２４を変位させる期間）では、第１固定電極３１および第２補助電極７２にＶｃｃの電圧（電位）が印加され、第２固定電極４１および第１補助電極７１に０Ｖの電圧（電位）が印加される。また、可動電極２４には、図５中のスイッチ１２１を介して、Ｖｃｃ／２より大きく、Ｖｃｃより小さいＶｆの電圧（電位）が印加されるようになっている。この場合、上記と同様に、可動電極２４は、電位差が大きい第２固定電極４１側（図９中紙面下側）へ変位する。
　ここで、自己診断時におけるφ３の期間の可動電極２４の変位について、図１２Ａおよび図１２Ｂを参照して説明する。なお、図１２Ａでは、１つの可動電極２４と、この可動電極２４を挟んで配置される２つの第１固定電極３１との関係を示している。同様に、図１２Ｂでは、１つの可動電極２４と、この可動電極２４を挟んで配置される２つの第２固定電極４１との関係を示している。また、図１２Ａでは、図１２Ａ中の可動電極２４と容量ＣＳ１を構成する第１固定電極３１を第１固定電極３１ａとし、この可動電極２４を挟んで第１固定電極３１ａと反対側に配置された第１固定電極３１を第１固定電極３１ｂとしている。同様に、図１２Ｂでは、図１２Ｂ中の可動電極２４と容量ＣＳ２を構成する第２固定電極４１を第２固定電極４１ａとし、この可動電極２４を挟んで第２固定電極４１ａと反対側に配置された第２固定電極４１を第２固定電極４１ｂとしている。また、図１２Ａおよび図１２Ｂ中では、可動電極２４に印加される電圧（電位）を（Ｖｆ）と示しているように、各電極に印加される電圧（電位）も示してある。
　図１２Ａに示されるように、可動電極２４にＶｆの電圧（電位）が印加されると共に、第１固定電極３１ａ、３１ｂにＶｃｃの電圧（電位）が印加されているため、第１固定電極３１ａ、３１ｂから可動電極２４に向かう電気力線が生成される。
　このとき、第１補助電極７１には０Ｖの電圧（電位）が印加されている。このため、可動電極２４と第１固定電極３１ａとの間において、第１補助電極７１側では、可動電極２４および第１固定電極３１ａから第１補助電極７１に向かう電気力線が生成される。つまり、補助電極がない従来の加速度センサと比較して、可動電極２４と第１固定電極３１ａとの間の電気力線の密度が低くなる。
　これに対し、第２補助電極７２にはＶｃｃの電圧（電位）が印加されているため、第２補助電極７２から可動電極２４に向かう電気力線が生成される。このため、可動電極２４と第１固定電極３１ｂとの間において、第２補助電極７２側では、第１固定電極３１ｂから可動電極２４に向かう電気力線は、第２補助電極７２から可動電極２４に向かう電気力線によって密度が高くなる。
　また、図１２Ｂに示されるように、可動電極２４にＶｆの電圧（電位）が印加されていると共に、第２固定電極４１ａ、４１ｂに０Ｖの電圧（電位）が印加されているため、可動電極２４から第２固定電極４１ａ、４１ｂに向かう電気力線が生成される。
　このとき、第２補助電極７２にはＶｃｃの電圧（電位）が印加されているため、第２補助電極７２から第２固定電極４１ａに向かう電気力線が生成される。このため、可動電極２４と第２固定電極４１ａとの間において、第２補助電極７２側では、可動電極２４から第２固定電極４１ａに向かう電気力線は、第２補助電極７２から第２固定電極４１ａに向かう電気力線によって密度が高くなる。
　これに対し、第１補助電極７１には０Ｖの電圧（電位）が印加される。このため、可動電極２４と第２固定電極４１ｂとの間において、第１補助電極７１側では、可動電極２４から第１補助電極７１に向かう電気力線が生成される。つまり、補助電極のない従来の加速度センサと比較して、可動電極２４と第２固定電極４１ｂとの間の電気力線の密度が低くなる。
　なお、この状態における可動電極２４と第１固定電極３１ａとの間の電位差は（Ｖｃｃ－Ｖｆ）であるが、第１補助電極７１に０Ｖの電圧（電位）が印加されているため、通常動作時と比較して、可動電極２４と第１固定電極３１ａとの間の電気力線の密度は低くなる。同様に、可動電極２４と第１固定電極３１ｂとの間の電位差は（Ｖｃｃ－Ｖｆ）であるが、第２補助電極７２にＶｃｃの電圧（電位）が印加されているため、通常動作時と比較して、可動電極２４と第１固定電極３１ｂとの間の電気力線の密度は高くなる。
　以上より、上記加速度センサによれば、可動電極２４を変位させる方向に位置する第１、第２固定電極３１ｂ、４１ａと当該可動電極２４との間に生成される電気力線の密度を高くできる。また、可動電極２４を変位させる方向と反対方向に位置する第１、第２固定電極３１ａ、４１ｂと当該可動電極２４との間に生成される電気力線の密度を低くできる。言い換えると、可動電極２４と第１、第２固定電極３１ｂ、４１ａとの間の静電気力を大きくしつつ、可動電極２４と第１、第２固定電極３１ａ、４１ｂとの間の静電気力を小さくできる。このため、さらに可動電極２４の変位を大きくでき、適切な自己診断を行うことができる。
　なお、ここでは、φ３の期間において、第１固定電極３１および第２補助電極７２にＶｃｃの電圧（電位）が印加され、第２固定電極４１および第１補助電極７１に０Ｖの電圧（電位）が印加されている例を説明した。しかしながら、上記第１実施形態と同様に、φ３の期間において、第１固定電極３１および第２補助電極７２に０Ｖの電圧（電位）が印加され、第２固定電極４１および第１補助電極７１にＶｃｃの電圧（電位）が印加されるようにしてもよい。
　（第３実施形態）
　本開示の第３実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対してキャップ部を備えたものであり、その他に関しては第１実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
　図１３および図１４に示されるように、本実施形態では、センサ部１０にキャップ部２００が備えられ、可動部２０および第１、第２固定部３０、４０が封止されている。
　具体的には、キャップ部２００は、シリコン基板等の貼り合わせ基板２０１を有し、貼り合わせ基板２０１のうち可動電極２４および第１、第２固定電極３１、４１と対向する部分に凹部２０１ａが形成されている。そして、貼り合わせ基板２０１の表面全面に絶縁膜２０２が形成された構成とされている。なお、絶縁膜２０２は、凹部２０１ａの壁面にも形成されている。
　そして、キャップ部２００は、センサ部１０の周辺部６０における接合部６０ａと接合部材２１０を介して接合されている。なお、接合部材２１０は、例えば、酸化膜や低誘電ガラス、金属等が用いられる。
　これによれば、可動部２０および第１、第２固定部３０、４０に異物が付着することを抑制しつつ、上記第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
　（第４実施形態）
　本開示の第４実施形態について説明する。本実施形態は、第３実施形態に対して第１、第２補助電極７１、７２をキャップ部２００に形成したものであり、その他に関しては第３実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
　図１５および図１６に示されるように、本実施形態のキャップ部２００には、絶縁膜２０２のうち可動電極２４の変位可能領域と対向する部分に第１、第２補助電極７１、７２が形成されている。
　また、キャップ部２００には、図１５とは異なる別断面において、第１、第２補助電極７１、７２と電気的に接続される貫通電極部が形成されている。そして、当該貫通電極部を介して、上記と同様に、第１補助電極７１に第２固定電極４１と同じ電圧（電位）が印加されると共に第２補助電極７２に第１固定電極３１と同じ電圧（電位）が印加されるようになっている。
　さらに、第１絶縁膜１２上には、上記第１、第２補助電極用配線７１ａ、７２ａに相当する第１、第２固定電極用配線３２ａ、４２ａが形成されている。そして、第１、第２配線部３２、４２は当該第１、第２固定電極用配線３２ａ、４２ａを介してそれぞれ接続部５２、５３に接続されている。
　なお、本実施形態では、基板１５が第１基板に相当し、貼り合わせ基板２０１が第２基板に相当している。
　これによれば、可動電極２４を変位させる方向に位置する第１、第２固定電極３１、４１と当該可動電極２４との間に生成される電気力線のうちキャップ部２００側の電気力線の密度を高くしつつ、上記第２実施形態と同様の効果を得ることができる。
　（第５実施形態）
　本開示の第５実施形態について説明する。本実施形態は、第４実施形態に対して貼り合わせ基板２０１に凸部を形成したものであり、その他に関しては第４実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
　図１７に示されるように、本実施形態では、貼り合わせ基板２０１は、凹部２０１ａの底面のうち可動電極２４の変位可能領域と対向する部分に凸部２０１ｂが形成されている。そして、第１、第２補助電極７１、７２は、凸部２０１ｂの突出方向先端面に形成されている。
　これによれば、可動電極２４と第１、第２補助電極７１、７２との間隔を狭くできる。このため、可動電極２４を変位させる方向に位置する第１、第２固定電極３１、４１と当該可動電極２４との間に生成される電気力線のうちキャップ部２００側の電気力線の密度をさらに高くしつつ、上記第４実施形態と同様の効果を得ることができる。
　なお、ここでは、貼り合わせ基板２０１に凸部２０１ｂを形成した例を説明したが、例えば、上記第１実施形態において、第１絶縁膜１２を部分的に厚くして凸部を構成し、第１、第２補助電極７１、７２を当該凸部の突出方向先端面に形成してもよい。また、上記第１実施形態において、支持基板１１を部分的に除去することによって凸部を形成するようにしてもよい。
　（第６実施形態）
　本開示の第６実施形態について説明する。本実施形態は、第４実施形態に対してセンサ部１０にも第１、第２補助電極７１、７２を形成したものであり、その他に関しては第４実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
　図１８に示されるように、本実施形態では、センサ部１０およびキャップ部２００にそれぞれ第１、第２補助電極７１、７２が形成されている。なお、本実施形態では、支持基板１１および貼り合わせ基板２０１が第２基板に相当している。
　これによれば、可動電極２４を変位させる方向に位置する第１、第２固定電極３１、４１と当該可動電極２４との間に生成される電気力線のうち支持基板１１側およびキャップ部２００側の電気力線の密度をそれぞれ高くしつつ、上記第４実施形態と同様の効果を得ることができる。
　（第７実施形態）
　本開示の第７実施形態について説明する。本実施形態は、第４実施形態に対してセンサ部１０およびキャップ部２００の構造を変更したものであり、その他に関しては第４実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
　図１９および図２０に示されるように、本実施形態では、支持基板１１上に絶縁膜１２、半導体層１４が順に配置されて基板１５が構成されている。そして、支持基板１１および絶縁膜１２のうち可動電極２４および第１、第２固定電極３１、４１と対向する部分には、窪み部１９が形成されている。なお、この窪み部１９は、可動電極２４および第１、第２固定電極３１、４１が支持基板１１と接触することを防止するためのものである。
　可動部２０は、窪み部１９上を横断するように配置され、錘部２１における長手方向の両端が梁部２２を介して矩形枠状の枠部２６に一体に連結した構成とされている。そして、錘部２１の略中央部に位置するアンカー部２３にて、図１９中の第１配線部３２と同様に、絶縁膜１２を介して支持基板１１に支持されている。
　キャップ部２００は、貼り合わせ基板２０１のうち可動電極２４および第１、第２固定電極３１、４１と対向する部分に凹部２０１ａが形成されており、アンカー部２３、第１、第２配線部３２、４２と対向する部分は凹んでいない。
　また、絶縁膜２０２には、第１配線部３２と対向する部分に接続配線２１１が形成されている。なお、図２０とは別断面において、アンカー部２３、第２配線部４２と対向する部分にも接続配線２１１が形成されている。そして、各接続配線２１１が、それぞれアンカー部２３、第１、第２配線部３２、４２と接続されている。
　さらに、絶縁膜２０２のうちセンサ部１０側と反対側には、絶縁膜２０３が形成されている。そして、キャップ部２００には、第１、第２補助電極７１、７２、各接続配線２１１と電気的に接続される貫通電極部２０４が形成されている。具体的には、この貫通電極部２０４は、絶縁膜２０３、絶縁膜２０２、貼り合わせ基板２０１を貫通して第１、第２補助電極７１、７２または接続配線２１１に達する貫通孔２０４ａを有している。そして、当該貫通孔２０４ａに絶縁膜２０４ｂを介して貫通電極２０４ｃが埋め込まれ、絶縁膜２０３上に貫通電極２０４ｃと電気的に接続されるパッド２０４ｄが形成された構成とされている。
　なお、上記と同様に、第１補助電極７１に第２固定電極４１と同じ電圧（電位）が印加されると共に第２補助電極７２に第１固定電極３１と同じ電圧（電位）が印加されるようになっている。
　このようなセンサ部１０およびキャップ部２００を用いた加速度センサとしても、第１、第２補助電極７１、７２が形成されているため、上記第４実施形態と同様の効果を得ることができる。
　（他の実施形態）
　本開示は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。
　例えば、上記各実施形態において、第１、第２固定電極３１、４１と第１、第２補助電極７１、７２が電気的に分離され、第１、第２補助電極７１、７２に独立した電圧（電位）を印加するようにしてもよい。この場合、第１、第２補助電極７１、７２に自己診断時のみに所定の電位を印加するようにしてもよい。
　また、上記各実施形態では、スイッチ１２２を介してＶｃｃの電圧（電位）を入力する例について説明したが、スイッチ１２２を介して入力される電圧（電位）は適宜変更可能である。すなわち、例えば、上記第１実施形態の自己診断時におけるφ３の期間において、上記第２実施形態と同様に、可動電極２４にＶｆの電圧（電位）が印加されるようにしてもよい。同様に、上記第２実施形態の自己診断時におけるφ３の期間において、可動電極２４にＶｃｃの電圧（電位）が印加されるようにしてもよい。
　そして、上記各実施形態において、支持基板１１をガラス等で構成してもよい。
　さらに、上記各実施形態では、容量式物理量センサとしての加速度センサを例に挙げて説明したが、角速度センサや圧力センサに本開示を適用することも可能である。
　また、上記各実施形態において、第２固定電極４１が備えられていなくてもよい。すなわち、可動電極２４と第１固定電極３１との間の容量ＣＳ１のみに基づいて加速度を検出する加速度センサとしてもよい。
　さらに、上記各実施形態を組み合わせることも可能である。例えば、上記第１実施形態と上記第５実施形態を上記第６、第７実施形態に組み合わせ、凸部２０１ｂの突出方向先端面に第１、第２補助電極７１、７２を配置してもよい。また、上記第６実施形態を第７実施形態に組み合わせ、支持基板１１の窪み部１９における底面に第１、第２補助電極７１、７２を配置してもよい。さらに、上記第２実施形態を上記第３～第７実施形態に組み合わせ、第１、第２補助電極７１、７２を櫛歯状に形成してもよい。上記各実施形態を組み合わせたもの同士を適宜組み合わせてもよい。

Claims (8)

  1. 　一面（１４ａ）を有する第１基板（１４、１５）と、
    　前記第１基板の前記一面側に形成、物理量が印加されることによって前記一面の面方向における所定方向に変位可能とされた梁部（２２）に一体的に形成された可動電極（２４）と、
    　前記第１基板の前記一面側に前記可動電極と対向する状態で形成された固定電極（３１、４１）と、
    　前記第１基板と接合される第２基板（１１、２０１）と、
    　自己診断時に、前記可動電極を変位させる自己診断用の診断信号を前記可動電極と前記固定電極との間に印加する信号印加部（１２０、１３０）と、
    　前記診断信号が前記可動電極および前記固定電極に印加されているとき、前記可動電極と前記固定電極との間の容量の変化に応じた電圧を出力するＣ－Ｖ変換回路（１１０）と、
    　前記第２基板のうち前記可動電極と対向する部分から前記可動電極の変位可能領域と対向する部分に配置された補助電極（７１、７２）とを備え、
    　通常動作時では、前記固定電極と前記可動電極との間の容量の変化に応じた電圧を出力する容量式物理量センサにおいて、
    　前記信号印加部は、自己診断時に、前記補助電極に所定の電位を印加することにより、前記可動電極を変位させる方向に位置する前記固定電極と当該可動電極との間に生成される電気力線の密度を通常動作時における前記固定電極と前記可動電極との間に生成される電気力線の密度より高くする容量式物理量センサ。
  2. 　前記可動電極および前記固定電極は、それぞれ複数形成されて交互に配列されており、
    　１つの前記可動電極と当該可動電極を挟んで隣接する２つの前記固定電極において、一方の前記固定電極と前記可動電極との間隔が他方の前記固定電極と前記可動電極との間隔より短くされている請求項１に記載の容量式物理量センサ。
  3. 　前記補助電極は、前記可動電極が前記所定方向における一方向に変位したときに当該可動電極と対向する第１補助電極（７１）と、前記可動電極が前記一方向と反対方向に変位したときに当該可動電極と対向する第２補助電極（７２）と、を有し、
    　前記信号印加部は、自己診断時に、前記第１補助電極に所定の電位を印加すると共に前記第２補助電極に前記所定の電位と異なる電位を印加することにより、前記可動電極を変位させる方向に位置する前記固定電極と当該可動電極との間に生成される電気力線の密度を通常動作時における前記固定電極と前記可動電極との間に生成される電気力線の密度より高くすると共に、前記可動電極を変位させる方向と反対方向に位置する前記固定電極と当該可動電極との間に生成される電気力線の密度を通常動作時における前記固定電極と前記可動電極との間に生成される電気力線の密度より低くする請求項２に記載の容量式物理量センサ。
  4. 　前記第２基板（１１）は、前記第１基板（１４）の前記一面と反対側の他面に配置されて前記第１基板を支持している請求項１ないし３のいずれか１つに記載の容量式物理量センサ。
  5. 　前記第１基板（１５）は、支持基板（１１）上に絶縁膜（１２、１３）および半導体層（１４）が順に配置された基板であり、
    　前記第２基板（２０１）は、前記第１基板の前記一面側に配置されて前記可動電極および前記固定電極を封止する請求項１ないし３のいずれか１つに記載の容量式物理量センサ。
  6. 　前記第２基板は、２つ設けられ、
    　一方の前記第２基板は、前記第１基板の前記一面側に配置されて前記可動電極および前記固定電極を封止し、他方の前記第２基板は、前記第１基板の前記一面と反対側に配置されて前記第１基板を支持しており、
    　前記補助電極は、それぞれの前記第２基板に配置されている請求項１ないし３のいずれか１つに記載の容量式物理量センサ。
  7. 　前記第２基板は、前記第１基板側に突出する凸部（２０１ｂ）を有し、
    　前記補助電極は、前記凸部の突出方向における先端面に配置されている請求項１ないし６のいずれか１つに記載の容量式物理量センサ。
  8. 　前記第１基板には、前記可動電極を備える可動部（２０）が形成されていると共に、前記固定電極を備える第１、第２固定部（３０、４０）が前記可動部を挟んで形成されている請求項１ないし７のいずれか１つに記載の容量式物理量センサ。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6485260B2 (ja) * 2015-07-10 2019-03-20 セイコーエプソン株式会社 物理量センサー、物理量センサー装置、電子機器および移動体

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004510984A (ja) * 2000-10-06 2004-04-08 ローベルト　ボツシユ　ゲゼルシヤフト　ミツト　ベシユレンクテル　ハフツング マイクロメカニカル構成部材のために電気的ゼロ点調整するための方法および装置
JP2008107108A (ja) * 2006-10-23 2008-05-08 Denso Corp 容量式力学量検出装置
JP2010185721A (ja) * 2009-02-10 2010-08-26 Asahi Kasei Electronics Co Ltd 静電容量型加速度センサの検査方法及びその検査装置
JP2010232431A (ja) * 2009-03-27 2010-10-14 Denso Corp 容量式物理量検出装置
WO2011024576A1 (ja) * 2009-08-31 2011-03-03 日立オートモティブシステムズ株式会社 静電容量型物理量センサ及び角速度センサ
JP2012242201A (ja) * 2011-05-18 2012-12-10 Denso Corp 容量式物理量検出装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4122708A (en) * 1976-03-31 1978-10-31 Simmonds Precision Products, Inc. Capacitive proximity sensors
JP4178658B2 (ja) 1998-06-30 2008-11-12 株式会社デンソー 容量式物理量検出装置
WO2008086537A2 (en) 2007-01-11 2008-07-17 Analog Devices, Inc. Aluminum based bonding of semiconductor wafers
US8656778B2 (en) 2010-12-30 2014-02-25 Rosemount Aerospace Inc. In-plane capacitive mems accelerometer
JP2012163507A (ja) 2011-02-09 2012-08-30 Mitsubishi Electric Corp 加速度センサ

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004510984A (ja) * 2000-10-06 2004-04-08 ローベルト　ボツシユ　ゲゼルシヤフト　ミツト　ベシユレンクテル　ハフツング マイクロメカニカル構成部材のために電気的ゼロ点調整するための方法および装置
JP2008107108A (ja) * 2006-10-23 2008-05-08 Denso Corp 容量式力学量検出装置
JP2010185721A (ja) * 2009-02-10 2010-08-26 Asahi Kasei Electronics Co Ltd 静電容量型加速度センサの検査方法及びその検査装置
JP2010232431A (ja) * 2009-03-27 2010-10-14 Denso Corp 容量式物理量検出装置
WO2011024576A1 (ja) * 2009-08-31 2011-03-03 日立オートモティブシステムズ株式会社 静電容量型物理量センサ及び角速度センサ
JP2012242201A (ja) * 2011-05-18 2012-12-10 Denso Corp 容量式物理量検出装置

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