WO2013183620A1 - 蛍光体の表面処理方法、蛍光体、発光装置及び照明装置 - Google Patents

蛍光体の表面処理方法、蛍光体、発光装置及び照明装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2013183620A1
WO2013183620A1 PCT/JP2013/065443 JP2013065443W WO2013183620A1 WO 2013183620 A1 WO2013183620 A1 WO 2013183620A1 JP 2013065443 W JP2013065443 W JP 2013065443W WO 2013183620 A1 WO2013183620 A1 WO 2013183620A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
phosphor
surface treatment
crystal
mass
heat treatment
Prior art date
Application number
PCT/JP2013/065443
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
豪 竹田
良三 野々垣
Original Assignee
電気化学工業株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 電気化学工業株式会社 filed Critical 電気化学工業株式会社
Priority to EP13801121.8A priority Critical patent/EP2860235B1/en
Priority to JP2014519995A priority patent/JP6175060B2/ja
Priority to US14/406,141 priority patent/US20150137037A1/en
Priority to CN201380030222.1A priority patent/CN104350127B/zh
Priority to KR1020147036893A priority patent/KR20150028259A/ko
Publication of WO2013183620A1 publication Critical patent/WO2013183620A1/ja

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
    • C09K11/025—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor non-luminescent particle coatings or suspension media
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
    • B05D1/18—Processes for applying liquids or other fluent materials performed by dipping
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/64—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing aluminium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/64—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing aluminium
    • C09K11/641—Chalcogenides
    • C09K11/643—Chalcogenides with alkaline earth metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/77348—Silicon Aluminium Nitrides or Silicon Aluminium Oxynitrides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • C30B33/02—Heat treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials

Definitions

  • the present invention relates to a phosphor surface treatment method, a phosphor treated by this method, and a light emitting device and an illumination device using the phosphor. More specifically, the present invention relates to a phosphor surface treatment technique in which a base crystal has substantially the same crystal structure as a (Sr, Ca) AlSiN 3 crystal.
  • the nitride phosphor containing Sr is liable to be deteriorated by oxygen, heat, moisture, etc., and there is a particular problem in moisture resistance reliability.
  • the reason why the moisture resistance reliability of the nitride phosphor containing Sr is inferior is that, for example, the surface of the phosphor containing Sr contains hydroxylated Sr by a reaction with moisture in the atmosphere or a step of contacting with water. It is thought that the hydrolyzed layer containing is easy to be formed.
  • Methods for improving the moisture resistance of the phosphor include a method of treating the phosphor surface with a metal alkoxide or a derivative thereof (see Patent Document 1), and a method of forming a surface treatment layer containing fluorine on the phosphor surface (Patent Document). 2).
  • Patent Document 1 a method of treating the phosphor surface with a metal alkoxide or a derivative thereof
  • Patent Document 3 a method of treating a phosphor made of a nitride-based fluorescent material with a compound containing phosphorus.
  • the method of treating the phosphor with a metal alkoxide or a derivative thereof has a problem that the phosphors aggregate.
  • the method of forming a surface treatment layer containing fluorine on the phosphor surface has a problem that the resin or phosphor used in combination when LED (Light Emitting Diode) is mounted is deteriorated by fluorine.
  • the surface treatment method described in Patent Document 3 since a metal salt of phosphoric acid is used as a compound containing phosphorus, there is a problem that optical properties are deteriorated by lanthanum contained therein.
  • the present invention provides a phosphor surface treatment method, phosphor, light emitting device, and illumination capable of improving moisture resistance reliability without degrading optical characteristics in (Sr, Ca) AlSiN 3 nitride phosphor.
  • the main purpose is to provide a device.
  • the phosphor surface treatment method according to the present invention includes a dipping step of immersing a phosphor having a host crystal having substantially the same crystal structure as the (Sr, Ca) AlSiN 3 crystal in an aqueous solution containing ammonium phosphate; A heat treatment step of holding the phosphor after the immersion step in a temperature environment of 250 to 550 ° C. for 2 to 24 hours.
  • the phosphorus content in the ammonium phosphate is preferably 0.1 to 2.0 mass%.
  • the phosphor according to the present invention includes a dipping process in which a host crystal has substantially the same crystal structure as a (Sr, Ca) AlSiN 3 crystal, and the phosphor is immersed in an aqueous solution containing ammonium phosphate, and the dipping process.
  • a surface treatment for performing a heat treatment step of holding the subsequent phosphor in a temperature environment of 250 to 550 ° C. for 2 to 24 hours is performed.
  • the phosphorus content of the ammonium phosphate used for the surface treatment is preferably 0.1 to 2.0% by mass.
  • the phosphor content of the phosphor according to the present invention is preferably 0.003 to 1% by mass.
  • the light emitting device according to the present invention has the phosphor described above.
  • the illuminating device of this invention is provided with the said light-emitting device.
  • the moisture resistance reliability of the phosphor can be improved without degrading the optical characteristics as compared with the conventional (Sr, Ca) AlSiN 3 nitride phosphor.
  • FIG. 1 is a flowchart of a phosphor surface treatment method according to an embodiment of the present invention.
  • ammonium phosphate is applied to a phosphor whose base crystal has substantially the same crystal structure as the (Sr, Ca) AlSiN 3 crystal.
  • An immersion process (step 1) for immersing in the aqueous solution containing the heat treatment process (step 2) for holding the phosphor after the immersion process in a temperature environment of 250 to 550 ° C. for 2 to 24 hours is performed.
  • the water washing process (step 3) described in FIG. 1 can be performed as necessary for the phosphor after the heat treatment process.
  • Step 1 Ammonium phosphate forms a phosphoric acid Sr layer having low solubility in water on the surface of the phosphor, and this phosphoric acid Sr layer functions as a barrier layer against water. Since ammonium phosphate does not contain a metal element, unlike the surface treatment method described in Patent Document 3 described above, there is no possibility of deteriorating the optical properties of the phosphor. Examples of the ammonium phosphate used in the dipping step include triammonium phosphate, diammonium hydrogen phosphate, ammonium dihydrogen phosphate alone, a mixture thereof, or a hydrate thereof.
  • the ammonium phosphate used in the dipping process preferably has a phosphorus content of 0.1 to 2.0% by mass. Thereby, moisture resistance can be further improved without deteriorating the optical characteristics. If ammonium phosphate having too little phosphorus content is used, the effect of improving moisture resistance by phosphorus treatment may be insufficient. If ammonium phosphate having a too high phosphorus content is used, a phosphorous layer is formed thick on the phosphor surface, which impedes light transmission and lowers the fluorescence intensity of the phosphor.
  • the time for immersing the phosphor in the aqueous solution containing ammonium phosphate is preferably 30 minutes or more and 2 hours or less. If the soaking time is too short, unreacted substances tend to remain, and if the soaking time is too long, the effect of the impregnation step causes not only a peak but also a decrease in productivity. In the dipping step, it is preferable to stir the aqueous solution containing ammonium phosphate together with the phosphor, whereby the phosphor can be surface-treated more uniformly.
  • Heat treatment process Step 2
  • the heat treatment step by adding a heat treatment step to the phosphor after the immersion step, the ammonia component on the surface is volatilized, and phosphoric acid Sr having low solubility in water is more firmly formed on the phosphor surface.
  • the moisture resistance reliability of the phosphor can be improved.
  • the heat treatment temperature is less than 250 ° C. or when the holding time is less than 2 hours, unreacted sites are generated, and the moisture resistance improving effect cannot be sufficiently obtained.
  • the heat treatment temperature exceeds 550 ° C. or the holding time exceeds 24 hours, the crystal structure of the phosphor changes and the fluorescence characteristics deteriorate. Therefore, the heat treatment temperature is 250 to 550 ° C., and the holding time is 2 to 24 hours.
  • the heat treatment temperature is preferably 300 to 500 ° C., which can further improve the moisture resistance reliability.
  • This heat treatment step can be performed in an inert gas such as argon or nitrogen or in the air.
  • the phosphor obtained by the phosphor surface treatment method of the present embodiment preferably has a phosphorus content of 0.003 to 1% by mass. Thereby, moisture resistance reliability can be further improved while maintaining good optical characteristics. If the phosphor content after the surface treatment is too low, improvement in moisture resistance reliability may be insufficient, and if the phosphor content after the surface treatment is too large, the phosphor characteristics will be low. May decrease.
  • the phosphorus content of the phosphor can be confirmed by inductively coupled plasma emission spectroscopy (ICP).
  • the humidity resistance reliability of the phosphor obtained by the phosphor surface treatment method of the present embodiment can be confirmed by the maintenance rate of the fluorescence intensity after the humidity resistance test that is left for 1000 hours in an environment of a temperature of 85 ° C. and a humidity of 85%. . And in order to use a fluorescent substance stably for a long period of time, it is desirable that the maintenance rate of the fluorescence intensity after 1000 hours is 95% or more.
  • the phosphor is immersed in an aqueous solution containing ammonium phosphate and then heat-treated under specific conditions, so that optical characteristics are not deteriorated.
  • the humidity resistance reliability of the phosphor can be improved.
  • a light emitting device and a lighting device with high moisture resistance reliability can be realized.
  • the phosphor to be subjected to the surface treatment method of the phosphor of the examples and comparative examples is a phosphor in which the base crystal has substantially the same crystal structure as the (Sr, Ca) AlSiN 3 crystal. It is manufactured by the following Example 1 in Table 1.
  • the raw materials for the phosphor were 52.2% by mass of ⁇ -type silicon nitride powder (SN-E10 grade made by Ube Industries), 45.8% by mass of aluminum nitride powder (E grade made by Tokuyama Corp.), europium oxide (Shin-Etsu) Chemical Industry Co., Ltd. RU grade) 2.0 mass% was used. These raw materials were mixed by a ball mill to obtain mixed raw materials. For ball mill mixing, nylon pots and silicon nitride balls were used, and ethanol was used as the solvent. The mixed raw material was dried to remove the solvent, and then classified with a sieve having an opening of 75 ⁇ m, and the material passed through the sieve was collected.
  • the mixed raw material after classification, strontium nitride powder (Matterion, purity 99%), and calcium nitride powder (Matterion, purity 99%) are carried into a nitrogen-substituted glove box, and these are put in a mortar.
  • the obtained raw material mixed powder was filled in a cylindrical boron nitride container with a lid (N-1 grade, manufactured by Denki Kagaku Kogyo Co., Ltd.) in a glove box.
  • the raw material mixed powder after filling was taken out of the glove box together with the container and immediately set in an electric furnace of a carbon heater. Thereafter, the inside of the electric furnace was sufficiently evacuated to 0.1 Pa or less. Then, heating was started in an exhausted state, nitrogen gas was introduced at 600 ° C., and the atmospheric pressure in the electric furnace was set to 0.9 MPa. Even after introducing nitrogen gas, the temperature was raised to 1800 ° C. as it was, followed by firing at 1800 ° C. for 4 hours to obtain a phosphor.
  • the fired phosphor was cooled and recovered from the electric furnace. Since the obtained phosphor was a red lump, it was crushed with a ball mill and classified with a vibrating sieve having an opening of 45 ⁇ m. Thereafter, the classified phosphor that passed through the vibrating sieve was washed with water, and the fine powder that floated on the surface of the liquid during washing was removed to obtain a phosphor.
  • this phosphor was analyzed with an X-ray diffractometer (Ultima IV, manufactured by Rigaku Corporation), the host crystal was a phosphor having substantially the same crystal structure as the (Sr, Ca) AlSiN 3 crystal.
  • Example 1 In the phosphor surface treatment method of Example 1, the above-described host crystal is immersed in an aqueous solution containing ammonium phosphate with respect to the phosphor having substantially the same crystal structure as the (Sr, Ca) AlSiN 3 crystal. An immersion process and a heat treatment process of holding the phosphor after the immersion process in a temperature environment of 500 ° C. for 2 hours were performed. In the dipping process, the phosphor produced by the method described above and triammonium phosphate trihydrate (manufactured by Kanto Chemical Co., Inc., purity 95% or more) are suspended in pure water with a mass ratio of 7 times, Stir for 2 hours. At that time, the amount of triammonium phosphate trihydrate added to the phosphor was 2.80 mass%, and the phosphorus content relative to the phosphor was 0.43 mass%.
  • triammonium phosphate trihydrate manufactured by Kanto Chemical Co., Inc., purity 95% or more
  • the phosphor after the dipping process was dried and recovered, and the recovered phosphor was filled in an alumina crucible and placed in a muffle furnace together with the alumina crucible and left in the atmosphere at a temperature of 500 ° C. for 2 hours.
  • the phosphors are classified by a 45 ⁇ m sieve, and only those passing through the sieve are collected, and the phosphors surface-treated by the phosphor surface treatment method of Example 1 Got.
  • Table 1 shows the evaluation results of the phosphor obtained by the phosphor surface treatment method of Example 1 described above.
  • “Relative fluorescence intensity with respect to Reference Example 1” in Table 1 is obtained by using a spectrofluorometer (F-7000 manufactured by Hitachi High-Technologies Corporation) obtained by correcting the phosphor according to Reference Example 1 with Rhodamine B and a sub-standard light source. It was measured. For the measurement, a solid sample holder attached to the photometer was used, and a fluorescence spectrum at an excitation wavelength of 455 nm was obtained.
  • “relative fluorescence intensity with respect to Reference Example 1” is shown as a relative value when the peak intensity of the fluorescence spectrum is used as an index and Reference Example 1 is set to 100%. In the evaluation, a value of “relative fluorescence intensity with respect to Reference Example 1” of 90% or more was regarded as acceptable.
  • the “phosphor relative peak intensity” in Table 1 is a value obtained by dividing the fluorescence intensity after the moisture resistance test by the fluorescence intensity before the moisture resistance test.
  • the environment in the moisture resistance test was set to a temperature of 85 ° C., a humidity of 85%, and 1000 hours. In the evaluation, a value of “phosphor relative peak intensity” of 90% or more was regarded as acceptable.
  • the “ammonium phosphate content (% by mass)” with respect to the phosphor in Table 1 is the content of ammonium phosphate with respect to the phosphor when the phosphor surface treatment method is performed. In Reference Example 1, there is no value because the phosphor surface treatment method is not performed.
  • the temperature in the heat treatment process” in Table 1 is a set temperature in the heat treatment process in the surface treatment process of the phosphor.
  • the “phosphorus content in the phosphor after the surface treatment” in Table 1 is a value obtained by inductively coupled plasma measurement (CIROS-120 manufactured by SPECTRO).
  • Example 2 In the phosphor surface treatment method of Example 2, the above-mentioned host crystal was substantially the same as the (Sr, Ca) AlSiN 3 crystal in the same method and conditions as in Example 1 except that the temperature in the heat treatment step was 300 ° C. Surface treatment was performed on the phosphors having the same crystal structure.
  • Example 3 In the phosphor surface treatment method of Example 3, the amount of triammonium phosphate trihydrate added to the phosphor was 0.70% by mass (the phosphorus content relative to the phosphor was 0.11% by mass). In the same manner and conditions as in Example 1, surface treatment was performed on a phosphor in which the above-mentioned base crystal had substantially the same crystal structure as the (Sr, Ca) AlSiN 3 crystal.
  • Example 4 The phosphor surface treatment method of Example 4 is obtained by adding a water washing step (Step 3) to the phosphor surface treatment method of Example 3 described above. In the water washing step, the phosphor obtained in Example 3 was suspended in pure water having a mass ratio of 7 times, stirred for 2 hours, washed with water and dried.
  • Example 5 In the phosphor surface treatment method of Example 5, the addition amount of triammonium phosphate trihydrate in Example 1 to the phosphor was 7.00% by mass (the phosphorus content relative to the phosphor was 1.10% by mass). The phosphor was such that the host crystal had substantially the same crystal structure as the (Sr, Ca) AlSiN 3 crystal under the same method and conditions as in Example 1 except that the surface treatment was performed.
  • the host crystal was substantially the same as the (Sr, Ca) AlSiN 3 crystal under the same method and conditions as in Example 1 except that the temperature of the heat treatment step was 600 ° C. Surface treatment was performed on the phosphors having the same crystal structure.
  • Table 1 shows the evaluation results of the phosphors of Examples 1 to 5, Reference Example 1 and Comparative Examples 1 and 2.
  • the phosphor of Example 1 has a relative fluorescence intensity of 99% with respect to Reference Example 1 and a phosphor relative peak intensity of 100%. Obtained.
  • the phosphor content in the phosphor after the surface treatment was 0.38% by mass.
  • the phosphor of Example 2 was good with little deterioration due to fluorescence characteristics and moisture resistance test.
  • the phosphor of Example 3 had a relative fluorescence intensity of 94% with respect to Reference Example 1, and a phosphor relative peak intensity in a moisture resistance test of 95%.
  • the phosphorus content in the phosphor of Example 4 was 0.01% by mass.
  • the phosphor of Example 4 had a relative fluorescence intensity of 94% with respect to Reference Example 1, and the fluorescence characteristics were maintained at 94% even after the subsequent moisture resistance test. From Examples 3 and 4, it can be said that the phosphorus content with respect to the phosphor is preferably 0.1% by mass or more and the phosphorus content after the surface treatment is preferably 0.003% by mass or more.
  • the phosphorus content in the phosphor of Example 5 was 0.89% by mass. Moreover, although the relative fluorescence intensity with respect to the reference example 1 was 93%, even if it passed through the subsequent moisture resistance test, 93% and the fluorescence characteristic were maintained. In addition, it can be said that the phosphorus content with respect to the phosphor is preferably 2% by mass or less, and the phosphorus content after the surface treatment is preferably 1% by mass or less.
  • the phosphor of Reference Example 1 had a phosphor relative peak intensity of 78%, and the emission intensity after the moisture resistance test was deteriorated.
  • the relative fluorescence intensity with respect to Reference Example 1 after the surface treatment process was not changed from 100%, but the phosphor relative peak intensity was 79%.
  • the phosphor of Comparative Example 2 had a relative fluorescence intensity of 72% with respect to Reference Example 1 and a phosphor relative peak intensity of 70%.
  • Example 6 As Example 6, the phosphor of Example 1 described above was mixed in a silicon sealing resin and mounted on the light emitting surface of the LED to produce a light emitting device. Since this light emitting device uses a phosphor with high moisture resistance reliability, the long-term reliability is high.
  • Example 7 As Example 7, an illumination device was manufactured using the light-emitting device of Example 6 as a light source. Since this lighting device uses a phosphor with high moisture resistance reliability, the long-term reliability is high.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)

Abstract

　（Ｓｒ，Ｃａ）ＡｌＳｉＮ３窒化物蛍光体において、光学特性を低下させずに耐湿信頼性を向上させることが可能な蛍光体の表面処理方法、蛍光体、発光装置及び照明装置を提供する。　母体結晶が（Ｓｒ，Ｃａ）ＡｌＳｉＮ３結晶と実質的に同一の結晶構造を有する蛍光体に対して、リン酸アンモニウムを含む水溶液に浸漬する浸漬工程（ステップ１）と、浸漬工程後の蛍光体を２５０～５５０℃の温度環境下に２～２４時間保持する熱処理工程（ステップ２）を行う。

Description

蛍光体の表面処理方法、蛍光体、発光装置及び照明装置
　本発明は、蛍光体の表面処理方法、この方法で処理された蛍光体、該蛍光体を用いた発光装置及び照明装置に関する。より詳しくは、母体結晶が（Ｓｒ，Ｃａ）ＡｌＳｉＮ３結晶と実質的に同一の結晶構造を有する蛍光体の表面処理技術に関する。
　Ｓｒを含有する窒化物蛍光体は、酸素、熱及び水分などによって劣化しやすく、特に耐湿信頼性に課題がある。Ｓｒを含有する窒化物蛍光体の耐湿信頼性が劣る理由としては、例えばＳｒを含有する蛍光体表面には、大気中の水分との反応や、水と接触する工程などにより、水酸化Ｓｒを含む加水分解層が形成されやすいことが考えられる。
　蛍光体の耐湿性を向上させる方法としては、金属アルコキシドやその誘導体により蛍光体表面を処理する方法（特許文献１参照）、蛍光体表面にフッ素を含有する表面処理層を形成する方法（特許文献２参照）がある。従来、耐熱性向上を目的として、窒化物系蛍光材料からなる蛍光体を、リンを含む化合物で処理する方法がある（特許文献３参照）。
特開２００８－１１１０８０号公報 特開２０１２－３１４２５号公報 特開２００６－２６９９３８号公報
　しかしながら、蛍光体を金属アルコキシドやその誘導体で処理する方法には、蛍光体同士が凝集してしまうという問題点がある。また、蛍光体表面にフッ素を含有する表面処理層を形成する方法には、フッ素によってＬＥＤ（Light Emitting Diode）実装時に組み合わせて使用する樹脂や蛍光体が劣化するという問題点がある。更に、特許文献３に記載されている表面処理方法では、リンを含む化合物としてリン酸の金属塩を用いているため、これらに含まれるランタンなどにより光学特性が低下するという問題がある。
　そこで、本発明は、（Ｓｒ，Ｃａ）ＡｌＳｉＮ３窒化物蛍光体において、光学特性を低下させずに耐湿信頼性を向上させることが可能な蛍光体の表面処理方法、蛍光体、発光装置及び照明装置を提供することを主目的とする。
　本発明に係る蛍光体の表面処理方法は、母体結晶が（Ｓｒ，Ｃａ）ＡｌＳｉＮ３結晶と実質的に同一の結晶構造を有する蛍光体を、リン酸アンモニウムを含む水溶液に浸漬する浸漬工程と、前記浸漬工程後の蛍光体を２５０～５５０℃の温度環境下に２～２４時間保持する熱処理工程とを有する。
　本発明の蛍光体の表面処理方法では、前記リン酸アンモニウムにおけるリン含有率を０．１～２．０質量％とすることが好ましい。
　本発明の蛍光体の表面処理方法では、前記熱処理工程後の蛍光体を水洗する水洗工程を行うことが好ましい。
　本発明に係る蛍光体は、母体結晶が（Ｓｒ，Ｃａ）ＡｌＳｉＮ３結晶と実質的に同一の結晶構造を有し、リン酸アンモニウムを含む水溶液に蛍光体を浸漬する浸漬工程と、該浸漬工程後の蛍光体を２５０～５５０℃の温度環境下に２～２４時間保持する熱処理工程とを行う表面処理が施されたものである。
　本発明に係る蛍光体は、前記表面処理に用いるリン酸アンモニウムのリン含有率を０．１～２．０質量％とすることが好ましい。
　前記表面処理において、前記熱処理工程後の蛍光体を水洗する水洗工程を行うことが好ましい。
　本発明に係る蛍光体のリン含有率は、０．００３～１質量％が好ましい。
　本発明に係る発光装置は、前述した蛍光体を有するものである。
　本発明の照明装置は、前記発光装置を備えるものである。
　本発明によれば、従来の（Ｓｒ，Ｃａ）ＡｌＳｉＮ３窒化物蛍光体に比べて、光学特性を低下させずに、蛍光体の耐湿信頼性を高めることができる。
本発明の実施形態の蛍光体の表面処理方法のフローチャートである。
　以下、本発明を実施するための形態について、詳細に説明する。
　図１は本発明の実施形態の蛍光体の表面処理方法のフローチャートである。図１に示すように、本実施形態の蛍光体の表面処理方法は、母体結晶が（Ｓｒ，Ｃａ）ＡｌＳｉＮ３結晶と実質的に同一の結晶構造を有する蛍光体に対して、リン酸アンモニウムを含む水溶液に浸漬する浸漬工程（ステップ１）と、浸漬工程後の蛍光体を２５０～５５０℃の温度環境下に２～２４時間保持する熱処理工程（ステップ２）とを行う。図１に記載の水洗工程（ステップ３）は、熱処理工程後の蛍光体に対して、必要に応じて行うことができる。
［浸漬工程：ステップ１］
　リン酸アンモニウムは、蛍光体の表面に水への溶解度が低いリン酸Ｓｒ層を形成し、このリン酸Ｓｒ層が水に対するバリア層として機能する。リン酸アンモニウムは金属元素を含有しないため、前述した特許文献３に記載の表面処理方法のように、蛍光体の光学特性を低下させるおそれがない。浸漬工程で使用するリン酸アンモニウムとしては、リン酸三アンモニウム、リン酸水素二アンモニウム、リン酸二水素アンモニウムの単体、これらの混合体、又はこれらの水和物がある。
　浸漬工程で用いるリン酸アンモニウムは、リン含有率が０．１～２．０質量％であることが好ましい。これにより、光特性を低下させずに、耐湿性を更に向上させることができる。リン含有率があまりに少ないリン酸アンモニウムを用いると、リン処理による耐湿性向上の効果が不十分になることがある。リン含有率があまりに多いリン酸アンモニウムを用いると、蛍光体表面にリンを含む層が厚く形成され、これにより光透過性が妨げられて、蛍光体の蛍光強度が低下する。
　蛍光体をリン酸アンモニウム含有水溶液に浸漬する時間は、３０分以上かつ２時間以下であることが好ましい。浸漬時間があまりに短いと未反応物が残存する傾向にあり、あまりに長いと含浸工程の効果が頭打ちだけでなく生産性の低下の原因になるためである。浸漬工程では、リン酸アンモニウムを含む水溶液を蛍光体ごと攪拌することが好ましく、これにより、蛍光体をより均一に表面処理することができる。
［熱処理工程：ステップ２］
　熱処理工程では、浸漬工程後の蛍光体に熱処理工程を加えることによって、表面のアンモニア成分を揮発させ、水に対する溶解度の低いリン酸Ｓｒをより強固に蛍光体表面に形成する。これにより、蛍光体の耐湿信頼性を向上させることができる。ただし、熱処理温度が２５０℃未満の場合又は保持時間が２時間未満の場合、未反応部位が発生し、耐湿性向上効果が十分に得られない。一方、熱処理温度が５５０℃を超えるか又は保持時間が２４時間を超えると、蛍光体の結晶構造が変化し、蛍光特性が低下する。よって、熱処理温度は２５０～５５０℃、保持時間は２～２４時間である。
　熱処理温度は、３００～５００℃とすることが好ましく、これにより、耐湿信頼性を更に向上させることができる。この熱処理工程は、アルゴンや窒素などの不活性ガス又は大気中で行うことができる。
［水洗工程：ステップ３］
　熱処理工程によって、蛍光体表面に「余剰なリンを含む水溶性化合物」が残存する場合がある。この「余剰なリンを含む水溶性化合物」は、蛍光体の光透過性を妨げ蛍光強度低下を引き起こすことがある。このため、本実施形態の蛍光体の表面処理方法においては、水洗工程を行い、蛍光体表面に存在する余剰なリンを含む水溶性化合物を除去することが好ましい。これにより、光学特性の低下を更に抑制することができる。
［表面処理後の蛍光体］
　本実施形態の蛍光体の表面処理方法により得られる蛍光体は、リン含有率が０．００３～１質量％であることが好ましい。これにより、良好な光学特性を保ちつつ、耐湿信頼性を更に向上させることができる。なお、表面処理後の蛍光体のリン含有率があまりに低いと、耐湿信頼性の向上が不十分になることがあり、また、表面処理後の蛍光体のリン含有率があまりに多いと蛍光特性が低下することがある。蛍光体のリンの含有率は、誘導結合プラズマ発光分光分析（ＩＣＰ）によって確認することができる。
　本実施形態の蛍光体の表面処理方法により得られる蛍光体の耐湿信頼性は、温度８５℃、湿度８５％の環境下に１０００時間静置した耐湿試験後の蛍光強度の維持率にて確認できる。そして、長期間安定に蛍光体を使用するためには、１０００時間後の蛍光強度の維持率が９５％以上あることが望ましい。
　以上詳述したように、本実施形態の蛍光体の表面処理方法においては、蛍光体をリン酸アンモニウムを含む水溶液に浸漬した後、特定条件で熱処理しているため、光学特性を低下させずに、蛍光体の耐湿信頼性を高めることができる。そして、この方法で処理した蛍光体を用いることにより、耐湿信頼性が高い発光装置及び照明装置を実現することができる。
　以下、本発明の実施例及び比較例を挙げて、表１を参照しつつ、本発明の効果について説明する。
　実施例、比較例の蛍光体の表面処理方法を施す対象の蛍光体は、母体結晶が（Ｓｒ，Ｃａ）ＡｌＳｉＮ３結晶と実質的に同一の結晶構造を有する蛍光体であり、次の製造方法によって製造されたものであり、表１の参考例１である。
［蛍光体の製造方法］
　蛍光体の原料には、α型窒化ケイ素粉末（宇部興産株式会社製　ＳＮ－Ｅ１０グレード）５２．２質量％、窒化アルミニウム粉末（トクヤマ株式会社製　Ｅグレード）４５．８質量％、酸化ユーロピウム（信越化学工業株式会社製　ＲＵグレード）２．０質量％を用いた。これらの原料を、ボールミルにより混合し、混合原料にした。ボールミル混合にあっては、ナイロン製ポットと窒化ケイ素製ボールを使用し、溶媒にはエタノールを使用した。混合原料を、乾燥させて溶媒を除去した後、目開き７５μｍの篩で分級し、篩を通過したものを回収した。
　分級後の混合原料と、窒化ストロンチウム粉末（Ｍａｔｅｒｉｏｎ社製、純度９９％）、及び、窒化カルシウム粉末（Ｍａｔｅｒｉｏｎ社製、純度９９％）を、窒素置換したグローブボックス内に搬入し、これらを乳鉢により混合して原料混合粉末とした。その際、混合比は、分級後の混合原料：窒化ストロンチウム：窒化カルシウム＝４９．５質量％：４７．８質量％：２．７質量％とした。
　得られた原料混合粉末を、グローブボックス内で、蓋付きの円筒型窒化ホウ素製の容器（電気化学工業株式会社製　Ｎ－１グレード）に充填した。充填後の原料混合粉末を、容器ごとグローブボックスから取り出し、カーボンヒーターの電気炉に速やかにセットした。その後、電気炉の内部を０．１Ｐａ以下まで十分に排気した。そして、排気した状態のまま加熱を開始し、６００℃で窒素ガスを導入し、電気炉内の雰囲気圧力を０．９ＭＰａとした。窒素ガス導入後もそのまま１８００℃まで昇温し、１８００℃で４時間焼成し、蛍光体を得た。
　焼成後の蛍光体を冷却し、電気炉から回収した。得られた蛍光体は、赤色の塊状であるため、ボールミルで解砕し、目開き４５μｍの振動篩により分級した。その後、振動篩を通過した分級後の蛍光体を水洗し、水洗の際の液体の水面に浮いた微粉を取り除き、蛍光体を得た。この蛍光体を、Ｘ線回折装置（株式会社リガク製　ＵｌｔｉｍａＩＶ）で分析したところ、母体結晶が（Ｓｒ，Ｃａ）ＡｌＳｉＮ３結晶と実質的に同一の結晶構造を有する蛍光体であった。
＜実施例１＞
　実施例１の蛍光体の表面処理方法では、前述の母体結晶が（Ｓｒ，Ｃａ）ＡｌＳｉＮ３結晶と実質的に同一の結晶構造を有する蛍光体に対して、リン酸アンモニウムを含む水溶液に浸漬する浸漬工程と、前記浸漬工程後の蛍光体を５００℃の温度環境下に２時間保持する熱処理工程を行った。浸漬工程では、前述した方法で製造した蛍光体と、リン酸三アンモニウム三水和物（関東化学株式会社製、純度９５％以上）を、質量比７倍の純水中に懸濁させて、２時間攪拌した。その際、リン酸三アンモニウム三水和物の蛍光体に対する添加量は２．８０質量％とし、蛍光体に対するリン含有率は０．４３質量％であった。
　熱処理工程では、浸漬工程後の蛍光体を乾燥させて回収し、回収後の蛍光体をアルミナるつぼに充填し、アルミナるつぼごとマッフル炉に入れ、大気中で５００℃の温度で２時間放置した。当該熱処理工程後、マッフル炉を室温まで冷却した後、４５μｍの篩により蛍光体を分級し、篩を通過したものだけ回収し、実施例１の蛍光体の表面処理方法により表面処理された蛍光体を得た。
　前述した実施例１の蛍光体の表面処理方法で得た蛍光体の評価結果を表１に示す。
　表１の「参考例１に対する相対蛍光強度」は、参考例１に係る蛍光体にローダミンＢと副標準光源により補正を行った分光蛍光光度計（日立ハイテクノロジーズ社製Ｆ－７０００）を用いて測定した。測定には、光度計に付属の固体試料ホルダーを使用し、励起波長４５５ｎｍでの蛍光スペクトルを求めた。表１では、「参考例１に対する相対蛍光強度」は、蛍光スペクトルのピーク強度を指標とし、参考例１を１００％とした場合の相対値として示した。評価は、「参考例１に対する相対蛍光強度」の値が９０％以上を合格とした。
　表１の「蛍光体相対ピーク強度」は、耐湿試験後の蛍光強度を、耐湿試験前の蛍光強度で割った値である。耐湿試験での環境は、温度８５℃、湿度８５％、１０００時間とした。評価は、「蛍光体相対ピーク強度」の値が９０％以上を合格とした。
　表１の「蛍光体に対するリン酸アンモニウム中のリンの含有量（質量％）」は、リン酸アンモニウム中のリンの含有量である。参考例１の蛍光体では、蛍光体の表面処理方法を行なっていないので、値がない。
　表１の「蛍光体に対するリン酸アンモニウム含有量（質量％）」は、蛍光体の表面処理方法を施す際のリン酸アンモニウムの蛍光体に対する含有量である。参考例１では、蛍光体の表面処理方法を行なっていないので、値がない。
　表１の「熱処理工程での温度」は、蛍光体の表面処理工程における熱処理工程での設定温度である。表１の「表面処理後の蛍光体中のリンの含有量」は、誘導結合プラズマ測定（ＳＰＥＣＴＲＯ社製ＣＩＲＯＳ－１２０）で得た値である。
＜実施例２＞
　実施例２の蛍光体の表面処理方法では、熱処理工程での温度を３００℃にした以外は実施例１と同様の方法及び条件で、前述の母体結晶が（Ｓｒ，Ｃａ）ＡｌＳｉＮ３結晶と実質的に同一の結晶構造を有する蛍光体に対して表面処理を行った。
＜実施例３＞
　実施例３の蛍光体の表面処理方法では、リン酸三アンモニウム三水和物の蛍光体に対する添加量を０．７０質量％（蛍光体に対するリンの含有率は０．１１質量％）とした以外は実施例１と同様の方法及び条件で、前述の母体結晶が（Ｓｒ，Ｃａ）ＡｌＳｉＮ３結晶と実質的に同一の結晶構造を有する蛍光体に対して表面処理を行った。
＜実施例４＞
　実施例４の蛍光体の表面処理方法は、前述した実施例３の蛍光体の表面処理方法に水洗工程（ステップ３）を追加したものである。水洗工程では、実施例３で得た蛍光体を、質量比７倍の純水中に懸濁させ、２時間攪拌した後、水洗し乾燥した。
＜実施例５＞
　実施例５の蛍光体の表面処理方法は、実施例１におけるリン酸三アンモニウム三水和物の蛍光体に対する添加量を７．００質量％（蛍光体に対するリンの含有率は１．１０質量％）とした以外は実施例１と同様の方法及び条件で、前述の母体結晶が（Ｓｒ，Ｃａ）ＡｌＳｉＮ３結晶と実質的に同一の結晶構造を有する蛍光体に対して表面処理を行った。
＜比較例１＞
　比較例１の蛍光体の表面処理方法では、前述の母体結晶が（Ｓｒ，Ｃａ）ＡｌＳｉＮ３結晶と実質的に同一の結晶構造を有する蛍光体に対して、浸漬工程のみ行い、熱処理工程を行わなかった。
＜比較例２＞
　比較例２の蛍光体の表面処理方法では、熱処理工程の温度を６００℃にした以外は、実施例１と同様の方法及び条件で、前述の母体結晶が（Ｓｒ，Ｃａ）ＡｌＳｉＮ３結晶と実質的に同一の結晶構造を有する蛍光体に対して表面処理を行った。
　実施例１～５、参考例１及び比較例１，２の各蛍光体の評価結果を表１に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　表１に示すように、実施例１の蛍光体は、参考例１に対する相対蛍光強度が９９％、蛍光体相対ピーク強度が１００％と、蛍光特性及び耐湿試験による劣化が少なく、良好な結果が得られた。また、表面処理後の蛍光体中のリンの含有量は０．３８質量％であった。実施例２の蛍光体は、蛍光特性及び耐湿試験による劣化が少なく良好だった。実施例３の蛍光体は、参考例１に対する相対蛍光強度が９４％、耐湿試験における蛍光体相対ピーク強度が９５％であった。
　表１に示すように、実施例４の蛍光体におけるリン含有率は、０．０１質量％であった。実施例４の蛍光体は、参考例１に対する相対蛍光強度が９４％であり、その後の耐湿試験を経ても９４％と蛍光特性は維持されていた。実施例３及び４より、蛍光体に対するリン含有量は０．１質量％以上、表面処理後のリン含有率が０．００３質量％以上であることが好ましいといえる。
　表１に示すように、実施例５の蛍光体におけるリン含有量は０．８９質量％であった。また、参考例１に対する相対蛍光強度は９３％であったが、その後の耐湿試験を経ても９３％と蛍光特性は維持されていた。なお、蛍光体に対するリン含有量は２質量％以下、表面処理後のリン含有量は１質量％以下が、好ましいといえる。
　参考例１の蛍光体は、蛍光体相対ピーク強度が７８％であり、耐湿試験後の発光強度が劣化していた。比較例１の蛍光体は、表面処理工程後の参考例１に対する相対蛍光強度は１００％と変わらなかったが、蛍光体相対ピーク強度が７９％であった。比較例２の蛍光体は、参考例１に対する相対蛍光強度が７２％であり、蛍光体相対ピーク強度が７０％であった。
　表１には記載しなかったが、実施例１における熱処理工程での温度を５８０℃にした比較例３の蛍光体の表面処理方法では、参考例１に対する相対蛍光強度が７６％であり、蛍光体相対ピーク強度が７３％であった。実施例１における熱処理工程での温度を６２０℃にした比較例４の蛍光体の表面処理方法では、参考例１に対する相対蛍光強度が６８％であり、蛍光体相対ピーク強度が６６％であった。
＜実施例６＞
　実施例６として、前述した実施例１の蛍光体をシリコンの封止樹脂に混入させてＬＥＤの発光面に搭載し、発光装置を作製した。この発光装置は、耐湿信頼性の高い蛍光体を用いているため、長期信頼性が高かった。
＜実施例７＞
　実施例７として、実施例６の発光装置を光源として用いて照明装置を作製した。この照明装置は、耐湿信頼性の高い蛍光体を用いているため、長期信頼性が高かった。

Claims (9)

  1. 　母体結晶が（Ｓｒ，Ｃａ）ＡｌＳｉＮ３結晶と実質的に同一の結晶構造を有する蛍光体を、リン酸アンモニウムを含む水溶液に浸漬する浸漬工程と、
    　前記浸漬工程後の蛍光体を２５０～５５０℃の温度環境下に２～２４時間保持する熱処理工程と、
    を有する蛍光体の表面処理方法。
  2. 　前記リン酸アンモニウムにおけるリン含有率が０．１～２．０質量％である請求項１記載の蛍光体の表面処理方法。
  3. 　前記熱処理工程後の蛍光体を水洗する水洗工程を有する請求項１又は２記載の蛍光体の表面処理方法。
  4. 　母体結晶が（Ｓｒ，Ｃａ）ＡｌＳｉＮ３結晶と実質的に同一の結晶構造を有し、
    　リン酸アンモニウムを含む水溶液に蛍光体を浸漬する浸漬工程と、該浸漬工程後の蛍光体を２５０～５５０℃の温度環境下に２～２４時間保持する熱処理工程とを行う表面処理が施された蛍光体。
  5. 　前記リン酸アンモニウムはリン含有率が０．１～２．０質量％である請求項４記載の蛍光体。
  6. 　前記表面処理において、前記熱処理工程後の蛍光体を水洗する水洗工程を行う請求項４又は５に記載の蛍光体。
  7. 　リン含有率が０．００３～１質量％である請求項４～６のいずれか１項に記載の蛍光体。
  8. 　請求項４～７のいずれか１項に記載の蛍光体を有する発光装置。
  9. 　請求項８に記載の発光装置を備える照明装置。
PCT/JP2013/065443 2012-06-08 2013-06-04 蛍光体の表面処理方法、蛍光体、発光装置及び照明装置 WO2013183620A1 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP13801121.8A EP2860235B1 (en) 2012-06-08 2013-06-04 Method for treating surface of phosphor, phosphor, light-emitting device, and illumination device
JP2014519995A JP6175060B2 (ja) 2012-06-08 2013-06-04 蛍光体の表面処理方法、蛍光体、発光装置及び照明装置
US14/406,141 US20150137037A1 (en) 2012-06-08 2013-06-04 Method for treating surface of phosphor, phosphor, light-emitting device, and illumination device
CN201380030222.1A CN104350127B (zh) 2012-06-08 2013-06-04 荧光体的表面处理方法、荧光体、发光装置以及照明装置
KR1020147036893A KR20150028259A (ko) 2012-06-08 2013-06-04 형광체의 표면 처리 방법, 형광체, 발광 장치 및 조명 장치

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012130333 2012-06-08
JP2012-130333 2012-06-08

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2013183620A1 true WO2013183620A1 (ja) 2013-12-12

Family

ID=49712011

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2013/065443 WO2013183620A1 (ja) 2012-06-08 2013-06-04 蛍光体の表面処理方法、蛍光体、発光装置及び照明装置

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20150137037A1 (ja)
EP (1) EP2860235B1 (ja)
JP (1) JP6175060B2 (ja)
KR (1) KR20150028259A (ja)
CN (1) CN104350127B (ja)
TW (1) TWI582213B (ja)
WO (1) WO2013183620A1 (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5729698B1 (ja) * 2014-10-14 2015-06-03 株式会社ルミネッサス 発光体及びその製造方法
JP5967787B1 (ja) * 2016-02-12 2016-08-10 エルティーアイ株式会社 蓄光顔料の製造方法
JP2017155217A (ja) * 2016-02-26 2017-09-07 日亜化学工業株式会社 蛍光体、発光装置及び蛍光体の製造方法
US10153405B2 (en) 2016-02-26 2018-12-11 Nichia Corporation Fluorescent material, light emitting device, and method for producing fluorescent material
US11773323B2 (en) 2022-01-27 2023-10-03 Nichia Corporation Fluorescent material and method for producing same

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63199787A (ja) * 1987-02-16 1988-08-18 Kasei Optonix Co Ltd 表面処理螢光体及びその製造法
JPH01315485A (ja) * 1988-03-17 1989-12-20 Sumitomo Chem Co Ltd Ｅｌ発光体用リン酸塩被覆螢光体及びその製造方法
JPH08319483A (ja) * 1995-05-26 1996-12-03 Nichia Chem Ind Ltd 真空紫外線励起発光蛍光体およびその製造方法
JP2001089761A (ja) * 1999-09-09 2001-04-03 Osram Sylvania Inc ホスフェート処理珪酸塩蛍光体
JP2002309247A (ja) * 2001-04-16 2002-10-23 Nichia Chem Ind Ltd 窒化ガリウム蛍光体及びその製造方法
JP2006269938A (ja) 2005-03-25 2006-10-05 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置、発光素子用蛍光体及びその製造方法
JP2008111080A (ja) 2006-10-31 2008-05-15 Mitsubishi Chemicals Corp 蛍光体表面処理方法、蛍光体、蛍光体含有組成物、発光装置、画像表示装置、および照明装置
JP2012031425A (ja) 2010-03-31 2012-02-16 Sekisui Chem Co Ltd 表面処理蛍光体及び表面処理蛍光体の製造方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4395387A (en) * 1981-10-13 1983-07-26 Pennwalt Corporation Method for manufacturing water glass cement hardeners
EP0333053B1 (en) * 1988-03-17 1993-03-03 Sumitomo Chemical Company, Limited Phosphate-coated electroluminescent phosphor for electroluminescent lamp and a process for producing the same
JP2003336046A (ja) * 2002-05-17 2003-11-28 Konica Minolta Holdings Inc 無機蛍光体の表面処理方法及びそれを用いたディスプレイ素子
EP1935958A4 (en) * 2005-08-10 2010-10-27 Mitsubishi Chem Corp PHOSPHOR AND LUMINESCENT DEVICE USING THE SAME
TWI414583B (zh) * 2006-09-15 2013-11-11 Mitsubishi Chem Corp 螢光體及其製造方法，暨含有螢光體之組成物，發光裝置，圖像顯示裝置及照明裝置
US8178001B2 (en) * 2007-04-18 2012-05-15 Mitsubishi Chemical Corporation Method for producing inorganic compound, phosphor, phosphor-containing composition, light-emitting device, lighting system, and display device
US8274215B2 (en) * 2008-12-15 2012-09-25 Intematix Corporation Nitride-based, red-emitting phosphors
ES2542524T3 (es) * 2009-05-27 2015-08-06 Easymining Sweden Ab Producción de fosfatos de amonio
JP2010275426A (ja) * 2009-05-28 2010-12-09 Sumitomo Chemical Co Ltd 表面処理蛍光体粒子の製造方法及び表面処理蛍光体粒子
DE102009044255A1 (de) * 2009-10-15 2011-04-28 Leuchtstoffwerk Breitungen Gmbh Erdalkalimetallsilikat-Leuchtstoffe und Verfahren zur Verbesserung ihrer Langzeitstabilität
US8593062B2 (en) * 2010-04-29 2013-11-26 General Electric Company Color stable phosphors for LED lamps and methods for preparing them

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63199787A (ja) * 1987-02-16 1988-08-18 Kasei Optonix Co Ltd 表面処理螢光体及びその製造法
JPH01315485A (ja) * 1988-03-17 1989-12-20 Sumitomo Chem Co Ltd Ｅｌ発光体用リン酸塩被覆螢光体及びその製造方法
JPH08319483A (ja) * 1995-05-26 1996-12-03 Nichia Chem Ind Ltd 真空紫外線励起発光蛍光体およびその製造方法
JP2001089761A (ja) * 1999-09-09 2001-04-03 Osram Sylvania Inc ホスフェート処理珪酸塩蛍光体
JP2002309247A (ja) * 2001-04-16 2002-10-23 Nichia Chem Ind Ltd 窒化ガリウム蛍光体及びその製造方法
JP2006269938A (ja) 2005-03-25 2006-10-05 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置、発光素子用蛍光体及びその製造方法
JP2008111080A (ja) 2006-10-31 2008-05-15 Mitsubishi Chemicals Corp 蛍光体表面処理方法、蛍光体、蛍光体含有組成物、発光装置、画像表示装置、および照明装置
JP2012031425A (ja) 2010-03-31 2012-02-16 Sekisui Chem Co Ltd 表面処理蛍光体及び表面処理蛍光体の製造方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP2860235A4

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5729698B1 (ja) * 2014-10-14 2015-06-03 株式会社ルミネッサス 発光体及びその製造方法
JP2016079244A (ja) * 2014-10-14 2016-05-16 株式会社ルミネッサス 発光体及びその製造方法
JP5967787B1 (ja) * 2016-02-12 2016-08-10 エルティーアイ株式会社 蓄光顔料の製造方法
JP2017155217A (ja) * 2016-02-26 2017-09-07 日亜化学工業株式会社 蛍光体、発光装置及び蛍光体の製造方法
US10153405B2 (en) 2016-02-26 2018-12-11 Nichia Corporation Fluorescent material, light emitting device, and method for producing fluorescent material
US11773323B2 (en) 2022-01-27 2023-10-03 Nichia Corporation Fluorescent material and method for producing same

Also Published As

Publication number Publication date
JP6175060B2 (ja) 2017-08-02
KR20150028259A (ko) 2015-03-13
TW201406925A (zh) 2014-02-16
CN104350127B (zh) 2017-02-22
US20150137037A1 (en) 2015-05-21
CN104350127A (zh) 2015-02-11
EP2860235A1 (en) 2015-04-15
EP2860235B1 (en) 2017-09-06
TWI582213B (zh) 2017-05-11
EP2860235A4 (en) 2016-02-17
JPWO2013183620A1 (ja) 2016-02-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6175060B2 (ja) 蛍光体の表面処理方法、蛍光体、発光装置及び照明装置
KR102059385B1 (ko) 형광체의 제조방법
WO2018092696A1 (ja) 赤色蛍光体、発光部材、及び発光装置
JPWO2017122800A1 (ja) 蛍光体および発光装置
TW201508049A (zh) 螢光體、發光裝置及螢光體之製造方法
US9657223B2 (en) Method of stabilizing alpha-sialon phosphor raw powder, alpha-sialon phosphor composition obtained therefrom, and method of manufacturing alpha-sialon phosphor
KR20210150475A (ko) 표면 피복 형광체 입자, 표면 피복 형광체 입자의 제조 방법 및 발광 장치
KR20220015417A (ko) 표면 피복 형광체 입자 및 발광 장치
KR20210150474A (ko) 표면 피복 형광체 입자, 표면 피복 형광체 입자의 제조 방법 및 발광 장치
JP5912580B2 (ja) 蛍光体、その製造方法及びその用途
KR20150140281A (ko) 산질화물 형광체 분말 및 그 제조 방법
JP6869057B2 (ja) 赤色蛍光体および発光装置
WO2019188632A1 (ja) 赤色蛍光体及び発光装置
JP2011105532A (ja) β型サイアロンの製造方法
TWI450947B (zh) β型矽鋁氮氧化物之製造方法
JP2017186459A (ja) 窒化物蛍光体粉末およびその製造方法
JP2017125160A (ja) 赤色蛍光体及び発光装置
WO2018003605A1 (ja) 赤色蛍光体の製造方法
US11795391B2 (en) Red phosphor and light emitting device
JP6576246B2 (ja) 蛍光体、発光装置及びその製造方法
JP2013237713A (ja) β型サイアロン、発光装置及びβ型サイアロンの製造方法
TWI844681B (zh) 表面被覆螢光體粒子、以及發光裝置
JP2012077182A (ja) 蛍光体、半導体発光素子及び蛍光体の製造方法
US20140191159A1 (en) Method of stabilizing alph-sialon phosphor raw powder, alph-sialon phosphor composition obtained therefrom, and method of manufacturing alpha-sialon phosphor

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 13801121

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2014519995

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 14406141

Country of ref document: US

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

REEP Request for entry into the european phase

Ref document number: 2013801121

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2013801121

Country of ref document: EP

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20147036893

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A