WO2013024561A1 - 発光装置 - Google Patents

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resin
light
light emitting
lead frame
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義樹 曽田
和雄 玉置
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シャープ株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a light emitting device such as an LED device in which a lead frame corresponding to each electrode and a resin are integrally formed.
  • Patent Document 1 A conventional light emitting device of this type is disclosed in Patent Document 1 in which a lead frame corresponding to each electrode and a resin are integrally molded.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view showing a configuration example of a main part of a conventional light emitting device disclosed in Patent Document 1.
  • the cut side surface of the package 101 and the cut surface of the lead frame 102 are formed flush with each other.
  • the side surface in the concave portion of the package 101 functions as a reflection wall, and the light emitting element 103 is disposed on the lead frame 102 on the bottom surface in the concave portion, and wire bonding is performed on the lead frame 102 constituting each electrode of the anode / cathode. Has been.
  • the lead frame 102 corresponding to each electrode and the resin are integrally molded as in the conventional configuration described above, and the cut surface of the lead frame 102 and the cut side surface of the resin material package 101 coincide with each other. No description has been made on the generation of cracks in the package 101 by the lead frame 102 at the cut surface and the shape of the cut surface of the lead frame 102 for suppressing the crack at the cut surface in the light-emitting device dividing step, which is the subject of the present application.
  • a lead frame configuration having a holding portion also referred to as a hanger lead or a suspension lead
  • FIG. 7 is a cut-away side view of the light-emitting device showing a case where the hanger lead has a square cut surface in the conventional light-emitting device having such a lead frame configuration.
  • the hanger lead extends from the LED chip mounting surface portion of the lead frame to the package side surface made of a resin material, and is formed so that the package side surface and the cut surface of the hanger lead are flush with each other.
  • a thermosetting resin is used as the resin material of the package of such a light emitting device, since many of the mechanical strengths are weak, as shown in FIG. Of the four corners of the shape, cracks 203 are generated when dicing is performed starting from the cutting position of the lower corner.
  • An object of the present invention is to solve the above-mentioned conventional problems, and to provide a light emitting device capable of suppressing cracks generated in a package made of a resin material after dicing and a lead frame for constituting the light emitting device. To do.
  • the light emitting device of the present invention includes one or a plurality of light emitting elements that emit light, and a light emission using a resin cavity molding package that is integrally formed of a lead frame and a resin that constitute an electrode corresponding to the one or a plurality of light emitting elements.
  • a part or all of the cross-sectional corner portion of the holding portion of the lead frame is rounded, whereby the above object is achieved.
  • one of the four corners of the cut surface of the lead frame holding part in the light emitting device of the present invention has a corner for preventing cracks at one or two corners that cause cracks during cutting. Is attached.
  • one corner on the device mounting surface side or the device rear surface side of the four rectangular portions of the cut surface quadrangular shape in the holding portion of the lead frame exposed on the cut side surface of the package is rounded.
  • the square portions of the cut surface of the lead frame holding portion exposed at the cut side surface of the package in the light emitting device of the present invention of the square portions facing the thinner side of the resin. are rounded at least at one corner.
  • one corner or two corners on the side where the cutting load is applied to the resin by the cutting blade during cutting in the light emitting device of the present invention are rounded.
  • all or all of the four corners of the cut surface quadrangular shape of the holding portion of the lead frame exposed at the cut side surface of the package in the light emitting device of the present invention are rounded.
  • the rounding in the light emitting device of the present invention is formed by rounding or chamfering.
  • the cut surface of the resin and the cut surface of the holding portion of the lead frame are flush with each other.
  • the resin in the light emitting device of the present invention uses a thermosetting resin.
  • the resin cavity molded package in the light emitting device of the present invention is formed with a recess opened upward, and the one or more light emitting elements are mounted on the lead frame in the recess, and the recess is formed in the recess.
  • the recess is formed in the recess.
  • the resin is formed by the holding portion of the lead frame when cut. Part or all of the cross-sectional angle portion of the holding portion, to which concentrated stress is applied and causes cracking, is rounded.
  • part or all of the cross-sectional corner portion of the holding portion of the lead frame is rounded, so that the concentrated stress from the holding portion of the lead frame that occurs during cutting to the package made of the resin material is generated. It is relieved and it can suppress that the package which consists of a resin material after a dicing division
  • FIG. 2 is a perspective view of a lead frame showing a state before mounting a light emitting element such as an LED element in the light emitting device of FIG. 1.
  • FIG. 2 is a perspective view of a lead frame and a light emitting element showing a state in which a light emitting element such as an LED element is mounted on the lead frame in the light emitting device of FIG. 1.
  • FIG. 2 is a cut image view of obtaining the light emitting device of FIG. 1 by dividing into pieces.
  • (A) is a cut side view showing a case where the hanger leads of the light emitting device of FIG.
  • FIG. 8 is a cut-away side view illustrating a state in which a crack is generated from the hanger lead of the conventional light emitting device of FIG. 7 during cutting.
  • FIG. 1 is a perspective view schematically showing an external configuration example of a light-emitting device according to Embodiment 1 of the present invention.
  • FIG. 2 is a perspective view of the lead frame showing a state before mounting a light emitting element such as an LED element in the light emitting device of FIG.
  • FIG. 3 is a perspective view of the lead frame and the light emitting element showing a state in which a light emitting element such as an LED element is mounted on the lead frame in the light emitting device of FIG.
  • FIG. 4 is a cut image view of obtaining the light emitting device of FIG. 1 by dividing into pieces.
  • a light-emitting device 1 such as an LED device according to the first embodiment includes an optical element 2 such as an LED element that emits light, and a metal lead frame that constitutes one electrode and on which the optical element 2 is disposed. 3, a metal lead frame 4 constituting the other electrode, and a pair 5 of these lead frames 3, 4 and a white resin cavity molded package 5 using a white resin molded integrally with resin.
  • the white resin is a thermosetting resin, and other silicon-based (hard and brittle) resin materials such as epoxy and PPA (polyphthalamide) may be used as a resin material such as titanium oxide.
  • a material to which a light diffusing material is added is used.
  • the package 5 is formed with a recess having a side wall around it, and the side surface 5a of the reflection wall is tapered in the recess so as to open outward in four directions.
  • the light-emitting device 1 has a pair of lead frames 3 and 4 constituting each electrode on which the light-emitting element 2 is mounted and wire-bonded with the terminal of the light-emitting element 2 and the wire 2a.
  • a plurality of pairs are arranged in a matrix and provided with holding portions that connect between the adjacent lead frames 3 and 3 and between the adjacent lead frames 4 and 4.
  • This holding portion is generally referred to as “hanging”.
  • the holding portion between the adjacent lead frames is referred to as a hanger lead (also referred to as a suspension lead).
  • a plurality of pairs of lead frames 3 and 4 are arranged in a matrix in the row direction and the column direction, and the lead frames adjacent in the row direction and the column direction are hangered with each other. They are connected by leads 3a or 4a.
  • a package 5 made of a white resin is integrally formed with a plurality of pairs of lead frames 3 and 4 as described above.
  • the package 5 made of an integrally formed white resin is formed with a recess opened upward, and the side surface 5a in the recess is tapered so as to open outward.
  • the optical element 2 is mounted on the bottom center portion in the recess of the package 5 made of an integrally molded white resin.
  • the optical element 2 is fixed and mounted with an adhesive or the like at a predetermined position on the lead frame 3 exposed in the recess of the package 5, and wire-bonded from the optical element 2 to the lead frames 3 and 4, respectively.
  • the concave portion of the package 5 made of this white resin is embedded together with the optical element 2 with the sealing inner resin 6.
  • the inner resin 6 for sealing (also referred to as sealing resin) is mixed with a light scattering material, a fluorescent material, or the like.
  • a light scattering material for example, if the optical element 2 is a blue LED, a fluorescent material that emits red and green light by blue light can be mixed in the inner resin 6 to emit white light.
  • each light emission is performed by the blade 7 (rotary cutting blade) in a state in which a plurality of light emitting devices 1 are attached to the back surface of the plate body 8 formed in a matrix.
  • the plate body 8 is cut into a lattice shape between the devices 1 and separated into individual light emitting devices 1.
  • the cut surfaces of the hanger leads 3a and 4a of the lead frames 3 and 4 coincide with the cut side surfaces of the white resin (Pkg resin) package 5.
  • disconnected with the cutting tape which is not shown in figure does not fall apart. The cutting tape is removed in the final process.
  • each sectional shape which is a characteristic configuration of the present invention in cutting the hanger lead 3a of the lead frame 3 constituting the one electrode on which the optical element 2 is mounted and the hanger lead 4a of the lead frame 4 constituting the other electrode is shown. This will be described with reference to FIGS. 5 (a) to 5 (e).
  • FIG. 5A is a cut-away side view showing a case where the lower two corners of the hanger leads 3a, 4a of the light emitting device 1 of FIG. 5 (b) is an enlarged view of the cut surface shape of the hanger leads 3a and 4a in FIG. 5 (a), and FIG. 5 (c) is a chamfering C process instead of the rounded R process in FIG. 5 (b).
  • FIG. 5 (d) is a cross-sectional view of the hanger lead showing the case where the hanger lead has a semicircular or semi-elliptical shape
  • FIG. FIG. 5E is a cross-sectional view showing a case where the cut surface shape of the hanger lead in FIG. 5A is rounded only at the lower corner of the four corners.
  • the two corners on the side (lower side) are provided with roundness (referred to as a rounded portion (R processed portion)) for preventing cracks during cutting.
  • the rounded curved surface portion of the hanger leads 3a, 4a is located on the side surface (cut surface) of the package 5 from the cut surface position of the hanger leads 3a, 4a to the mounting surface (lower side) position of the light emitting device 1.
  • the thickness of the white resin is less than the thickness of the white resin around the hanger leads 3a, 4a, or the white resin package 5 is cut when cut.
  • it is formed so that the cutting load by the blade is rounded (referred to as a rounded portion (R processed portion)) at the two corners (lower side) applied to the white resin.
  • all or all of the squares of the squares of the cross-sectional squares or rectangulars of the hanger leads 3a and 4a may be curved surfaces (for example, circular or elliptical cross-sections).
  • the cut surface shape of the hanger leads 3a and 4a may be a semicircle or a semi-elliptical shape.
  • the lead frame main body (excluding the curved surface portion of the suspended lead) of the lead frames 3 and 4 is formed by etching with an acid or alkali solution (etching to reduce the thickness of the lead frame base material to approximately half, and then half etching). May be formed by press molding.
  • the back surface of the metal plate base that is the base of the frame body of the lead frames 3 and 4 (the back surface that is the mounting surface of the light emitting device, the back surface opposite the mounting surface (light emitting surface side) of the light emitting element 2 (for example, LED chip) ), A mask is formed at a portion to be the mounting surface of the light emitting device 1, and the periphery thereof is half-etched.
  • a mask is formed at a location corresponding to the hanger leads 3a and 4a and the LED chip mounting surface portion and the wire bond portion, Half-etch. At this time, a full-face mask is formed so that the back side of the metal plate base material is not etched.
  • the portion between the lead frames 3 and 4 of the metal plate base material is etched in full thickness, and electrical insulation between the lead frames 3 and 4 is ensured.
  • the lead frames 3 and 4 are held by the hanger leads 3a and 4a between the pair of other lead frames 3 and 4.
  • the mask on the surface of the metal plate base material it is possible not to form a mask corresponding to the concave portion serving as the anchor portion in order to improve the adhesion with the white resin and / or the inner resin. Good. The same applies to the half-etching process on the back side of the metal plate base material.
  • the order of half-etching may be performed in the order of the front side and the back side, or the front and back sides may be performed simultaneously.
  • the mask is removed and then soft etching (short time) Treatment with acid or alkali solution).
  • soft etching also referred to as C processing
  • chamfering is performed on the lower two corners of the four corners so as to drop the corners instead of the rounding in FIG. 5 (b). You may make it apply to.
  • a round for preventing cracks at the time of cutting is attached to either one of the left and right corners on the side where the hanger leads 3a, 4a are cut first. To disperse the concentrated stress.
  • the cross-sectional dimensions of the hanger leads 3a, 4a of the lead frames 3, 4 are, for example, a long side (width) 150 ⁇ m ⁇ short side (thickness) 120 ⁇ m of a rectangular cross section
  • the roundness of the cut surfaces of the hanger leads 3a, 4a R
  • the radius (r) is smaller than 30 ⁇ m, the effect of dispersing concentrated stress is lacking.
  • the radius (r) is preferably set to a value of 60 ⁇ m, which is half of the short side (thickness) of 120 ⁇ m. Note that the radius (r) is equal to R indicating the radius of machining in FIGS. 5 (b), 5 (d), and 5 (e). 5A is a position 5b of the surface of the lead frames 3 and 4 and the mounting surface of the light emitting element 2, which indicates the position of the bottom surface of the recess.
  • the cross section of the holding portion (hanger leads 3a, 4a) that causes concentrated stress to be applied to the white resin by the holding portions (hanger leads 3a, 4a) of the lead frames 3, 4 at the time of cutting Some or all of the corners are rounded.
  • one corner or two corners that cause cracks at the time of cutting out of the four corners of the cut surface of the holding portions (hanger leads 3a and 4a) of the lead frames 3 and 4 May be provided with a roundness for preventing cracks.
  • one of the four corners of the cut surface quadrangular shape of the holding portions (hanger leads 3a and 4a) of the lead frames 3 and 4 exposed on the cut side surface of the package 5 is one corner on the device mounting surface side or the device back surface side.
  • the corners may be rounded.
  • the two corner portions facing the thinner one of the white resin At least one of the corners may be rounded. Furthermore, one corner or two corners on the side where the cutting load by the cutting blade is applied to the white resin of the package 5 at the time of cutting may be rounded. Furthermore, all or all of the four corners of the cut surface quadrangular shape in the holding portions (hanger leads 3a, 4a) of the lead frames 3, 4 exposed on the cut side surfaces of the package 5 may be rounded. Furthermore, these roundings can be formed by rounding or chamfering.
  • one light emitting element 2 that emits light is mounted, and light emission using the lead frame 3 and 4 that constitutes an electrode corresponding to the one light emitting element 2 and the package 5 that is made of white resin.
  • the apparatus 1 is applied with rounding of the cross section of the holding portion (hanger leads 3a, 4a), which is a characteristic configuration of the present invention, but is not limited to this, and a plurality of light emitting elements (for example, 2 or 3) that emit light are mounted.
  • a light emitting device using a lead frame constituting electrodes corresponding to the plurality of light emitting elements and a package made of white resin is used to round the cross section of the holding portion (hanger leads 3a, 4a) which is a characteristic configuration of the present invention. May be applied.
  • the above-described hanger lead configuration has excellent weather resistance and light resistance, but is hard and brittle thermosetting resin Can be stably used for Pkg resin.
  • the load on the Pkg resin by the lead frame can be reduced, and furthermore, a thermosetting resin having excellent weather resistance and light resistance can be used as the Pkg resin. Reliability can be improved. Further, since the light emitting device configuration in which the hanger lead cutting surface and the light emitting device dividing (cutting) surface are flush with each other can be adopted, the outer lead configuration protruding outside the Pkg resin is not provided, and the light emitting device can be downsized. Since the number of kgs that can be arranged on the lead frame can be increased, there is a cost reduction effect.
  • the present invention is rounded in part or all of the cross-sectional corner portion of the holding portion of the lead frame. The stress concentrated on the white resin from the holding portion of the lead frame that is sometimes generated is relieved, and the white resin crack after the dicing division can be suppressed.

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Abstract

ダイシング分割後のＰｋｇ樹脂クラックを抑える。 発光する発光素子２がリードフレーム３上に搭載され、発光素子２の電極を構成するリードフレーム３，４と樹脂により一体成形された樹脂キャビティ成型パッケージ５を用いた発光装置１において、ブレード７による切断時にリードフレーム３，４の保持部（ハンガーリード３ａ、４ａ）により樹脂に集中応力が付与されてクラック発生の起因となる保持部（ハンガーリード３ａ、４ａ）の断面角部分の一部または全部に丸みを付けている。

Description

発光装置
　本発明は、各電極に対応したリードフレームと樹脂を一体成形したＬＥＤ装置などの発光装置に関する。
　この種の従来の発光装置として、各電極に対応したリードフレームと樹脂を一体成形したものが特許文献１に開示されている。
　図６は、特許文献１に開示されている従来の発光装置の要部構成例を示す断面図である。
　図６において、従来の発光装置１００は、パッケージ１０１の切断側面とリードフレーム１０２の切断面とが面一に形成されている。パッケージ１０１の凹部内の側面が反射壁として機能すると共に、その凹部内の底面のリードフレーム１０２上に発光素子１０３が配置されて、アノード／カソードの各電極を構成するリードフレーム１０２にそれぞれワイヤボンドされている。
特開２００７－３２９２１９号公報
　上記従来の構成のように、各電極に対応したリードフレーム１０２と樹脂を一体成形したものであって、リードフレーム１０２の切断面と樹脂材料のパッケージ１０１の切断側面とが一致する構成であるものの、本願の課題である発光装置の分割工程における切断面でのリードフレーム１０２によるパッケージ１０１中のクラック発生やそれを抑制するためのリードフレーム１０２の切断面形状の記載については全く為されていない。
一方、上記の発光装置において、発光装置のＬＥＤチップ搭載面となるリードフレームを複数接続、保持するための保持部（ハンガーリード、吊りリードともいう）を有するリードフレーム構成を採用し、保持部の箇所で樹脂材料からなるパッケージとともに面一で切断、個片化されて形成されるものがある。
　図７は、このようなリードフレーム構成を有する従来の発光装置において、ハンガーリードの切断面形状が四角形状の場合を示す発光装置の切断側面図である。ハンガーリードは、リードフレームのＬＥＤチップ搭載面部から樹脂材料からなるパッケージ側面へ貫通して伸びて、パッケージ側面とハンガーリードの切断面とが面一となるように形成されている。このような発光装置のパッケージの樹脂材料として熱硬化性樹脂を使用した場合に、機械的強度が弱いものが多いために、図８に示すように、各リードフレームのハンガーリード２０２の断面４角形状の４角部のうち、下側の２角部の切断位置を起点としてダイシング実施時にクラック２０３が発生している。
　本発明は、上記従来の問題を解決するもので、ダイシング分割後、樹脂材料からなるパッケージに発生するクラックを抑えることができる発光装置およびそれを構成する為のリードフレームを提供することを目的とする。
　本発明の発光装置は、発光する一または複数の発光素子が搭載され、該一または複数の発光素子に対応した電極を構成するリードフレームと樹脂により一体成形された樹脂キャビティ成型パッケージを用いた発光装置において、該リードフレームの保持部の断面角部分の一部または全部に丸みを付けているものであり、そのことにより上記目的が達成される。
　また、好ましくは、本発明の発光装置におけるリードフレームの保持部における切断面４角形状の４角部のうち、切断時にクラック発生の起因となる１角部または２角部にクラック防止用の丸みが付けられている。
　さらに、好ましくは、本発明の発光装置において、前記パッケージの切断側面に露出する前記リードフレームの保持部における切断面４角形状の４角部のうち、装置実装面側または装置裏面側の１角部または２角部に丸みが付られている。
　さらに、好ましくは、本発明の発光装置におけるパッケージの切断側面に露出する前記リードフレームの保持部における切断面４角形状の４角部のうちで前記樹脂の薄い方に対向した２角部のうちの少なくとも１角部に丸みが付られている。
　さらに、好ましくは、本発明の発光装置における切断時に前記樹脂に対して切断用ブレードによる切断負荷がかかる側の１角部または２角部に丸みを付けている。
　さらに、好ましくは、本発明の発光装置におけるパッケージの切断側面に露出する該リードフレームの保持部における切断面４角形状の４角部全てまたは全周囲に丸みを付けている。
　さらに、好ましくは、本発明の発光装置における丸み付けは、アール加工または面取り加工により形成されている。
　さらに、好ましくは、本発明の発光装置において、前記樹脂の切断面と前記リードフレームの保持部の切断面とが面一になっている。
　さらに、好ましくは、本発明の発光装置における樹脂は熱硬化性樹脂を用いる。
　さらに、好ましくは、本発明の発光装置における樹脂キャビティ成型パッケージに凹部が上に開放されて形成され、この凹部内のリードフレーム上に前記一または複数の発光素子が搭載されると共に、該凹部内の側面が反射壁として外側に開くようにテーパ状に形成されている。
　上記構成により、以下、本発明の作用を説明する。
　本発明においては、発光する発光素子が搭載され、発光素子の電極を構成するリードフレームと樹脂により一体成形された樹脂キャビティ成型パッケージを用いた発光装置において、切断時にリードフレームの保持部により樹脂に集中応力が付与されてクラック発生の起因となる保持部の断面角部分の一部または全部に丸みを付けている。
　これによって、リードフレームの保持部の断面角部分の一部または全部に丸みを付けているので、切断時に生じるリードフレームの保持部から樹脂への集中応力が緩和されて、リードフレームの保持部にダイシング分割後の樹脂クラックを抑えることが可能となる。
　以上により、本発明によれば、リードフレームの保持部の断面角部分の一部または全部に丸みを付けているため、切断時に生じるリードフレームの保持部から樹脂材料からなるパッケージへの集中応力が緩和されて、ダイシング分割後に樹脂材料からなるパッケージにクラックが発生するのを抑制することができる。
本発明の実施形態１における発光装置の外観構成例を模式的に示す斜視図である。 図１の発光装置においてＬＥＤ素子などの発光素子の搭載前の状態を示すリードフレームの透視図である。 図１の発光装置におけるリードフレーム上にＬＥＤ素子などの発光素子が搭載された状態を示すリードフレームおよび発光素子の透視図である。 個片化して図１の発光装置を得る切断イメージ図である。 （ａ）は、図１の発光装置のハンガーリードの切断面形状が４角形の４角部のうち下側の２角部に丸みを持たせた場合を示す切断側面図、（ｂ）は、（ａ）のハンガーリードの切断面形状の拡大図、（ｃ）は、（ｂ）のアール加工に代えて面取り加工を２角部に施す場合を示すハンガーリードの切断面図、（ｄ）はハンガーリードの切断面形状が半円または半楕円形状を持つ場合を示すハンガーリードの切断面図、（ｅ）は、（ａ）のハンガーリードの切断面形状が４角部のうち下側の１角部にのみ丸みを持たせた場合を示す切断面図である。 特許文献１に開示されている従来の発光装置の要部構成例を示す断面図である。 製品の従来の発光装置のハンガーリードの切断面形状が四角形状の場合を示す切断側面図である。 切断時に図７の従来の発光装置のハンガーリードからクラックが発生する状態を示す切断側面図である。
　１　発光装置
　２　光学素子
　２ａ　ワイヤ
　３、４　リードフレーム
　３ａ、４ａ　ハンガーリード
　５　白色樹脂キャビティ成型のパッケージ
　５ａ　凹部内の反射壁を構成する側面
　５ｂ　リードフレームの表面および発光素子の搭載面の位置
　６　インナー樹脂（封止樹脂）
　７　ブレード（回転切断刃）
　８　板体
　Ｒ　アール加工径
　Ｃ　面取り部
　以下に、本発明の発光装置の実施形態１について図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図における構成部材のそれぞれの厚みや長さなどは図面作成上の観点から、図示する構成に限定されるものではない。
　（実施形態１）
　図１は、本発明の実施形態１における発光装置の外観構成例を模式的に示す斜視図である。図２は、図１の発光装置においてＬＥＤ素子などの発光素子の搭載前の状態を示すリードフレームの透視図である。図３は、図１の発光装置におけるリードフレーム上にＬＥＤ素子などの発光素子が搭載された状態を示すリードフレームおよび発光素子の透視図である。図４は、個片化して図１の発光装置を得る切断イメージ図である。
　図１～図３において、本実施形態１のＬＥＤ装置などの発光装置１は、発光するＬＥＤ素子などの光学素子２と、一方電極を構成して光学素子２が配置される金属製のリードフレーム３と、他方電極を構成する金属製のリードフレーム４と、これらの一対のリードフレーム３、４と一体樹脂成形された白色樹脂を用いた白色樹脂キャビティ成型のパッケージ５とを有している。
　白色樹脂は、熱硬化性樹脂であり、シリコンベース（シリコン系（硬くて脆い）の他の樹脂材料としては、エポキシ系、ＰＰＡ（ポリフタルアミド）などでもよい）の樹脂材料に酸化チタンなどの光拡散材を添加しているものを用いる。パッケージ５には、周囲に側壁を持つ凹部が上に開放されて形成され、この凹部内には、反射壁の側面５ａが４方向に外側に開くようにテーパ状に形成されている。
　発光装置１は、発光素子２が搭載され、発光素子２の端子とワイヤ２ａでワイヤボンディングされる各電極を構成するリードフレーム３，４を一対有している。この複数対がマトリクス状に配列されて隣接するリードフレーム３，３の間や、隣接するリードフレーム４，４の間をそれぞれ繋ぐ保持部が設けられている。この保持部は、一般に「吊り」と言われている。ここでは、この隣接リードフレーム間の保持部分をハンガーリード（吊りリードともいう）と呼ぶことにする。
　本実施形態１の発光装置１の製造方法について説明する。
　まず、図２の白色樹脂キャビティ成型工程において、リードフレーム３、４を一対として複数対が、行方向および列方向にマトリクス状に配置され、行方向および列方向に隣接するリードフレーム同士が互いにハンガーリード３ａまたは４ａで繋がっている。このようなリードフレーム３、４の複数対に対して白色樹脂を材料としたパッケージ５を一体成形する。一体成形された白色樹脂で構成されたパッケージ５に凹部が上に開放されて形成され、この凹部内の側面５ａが外側に開くようにテーパ状に形成されている。
　次に、図３の光学素子搭載工程において、一体成形された白色樹脂で構成されたパッケージ５の凹部内の底面中央部分に光学素子２を搭載する。要するに、パッケージ５の凹部内で露出したリードフレーム３上の所定位置に光学素子２が接着剤などで固定されて搭載され、リードフレーム３、４にそれぞれ光学素子２からワイヤボンドされる。
　続いて、図１のインナー樹脂充填工程において、この白色樹脂で構成されたパッケージ５の凹部内を光学素子２と共に封止用のインナー樹脂６で埋め込む。封止用のインナー樹脂６（封止樹脂ともいう）には光散乱材や蛍光材などが混入されている。例えば、光学素子２が青色ＬＥＤであれば、青色光により赤色と緑色を発光する蛍光材をインナー樹脂６内に混合して白色光を出射させるように構成することができる。
　その後、図４の個片化工程において、複数の発光装置１がマトリクス状に形成された板体８の裏面に切断用テープを貼り付けた状態で、ブレード７（回転切断刃）により、各発光装置１間の格子状に板体８を切断して各発光装置１に個片化する。この場合に、リードフレーム３、４のハンガーリード３ａ，４ａの切断面と白色樹脂（Ｐｋｇ樹脂）のパッケージ５の切断側面とが一致する。また、図示しない切断用テープによって切断された各発光装置１は、ばらばらにならない。なお、切断用テープは、最終工程で取り除く。
　ここで、光学素子２が搭載される一方電極を構成するリードフレーム３のハンガーリード３ａおよび他方電極を構成するリードフレーム４のハンガーリード４ａの切断における本発明の特徴構成である各断面形状について図５（ａ）～図５（ｅ）を用いて説明する。
　切断時に、リードフレーム３、４の各保持部としてのハンガーリード３ａ，４ａにより白色樹脂（Ｐｋｇ樹脂）に集中応力を付与してクラック発生の起因となる角部分を落として丸みを付けている。ブレード７の回転方向が右回転のときは下方向に回転による力が白色樹脂に働くが、ブレード７の回転方向が左回転のときは上方向に回転による力が白色樹脂に働く。通常、ブレード７の回転方向が右回転のときの方が切断が安定する。
　図５（ａ）は、図１の発光装置１のハンガーリード３ａ、４ａの切断面形状が４角形の４角部のうち下側の２角部に丸みを持たせた場合を示す切断側面図、図５（ｂ）は、図５（ａ）のハンガーリード３ａ、４ａの切断面形状の拡大図、図５（ｃ）は、図５（ｂ）のアールＲ加工に代えて面取りＣ加工を下側２角部に施す場合を示すハンガーリードの切断面図、図５（ｄ）はハンガーリードの切断面形状が半円または半楕円形状を持つ場合を示すハンガーリードの切断面図、図５（ｅ）は、図５（ａ）のハンガーリードの切断面形状が４角部のうち下側の１角部にのみ丸みを持たせた場合を示す切断面図である。
　図５（ａ）および図５（ｂ）に示すように、ハンガーリード３ａ、４ａの断面正方形または断面長方形の４角形の４角部のうち、発光装置１の裏面側または発光装置１の実装面側（下側）の２角部に切断時のクラック防止用の丸み（アール加工部（Ｒ加工部）という）を付けている。要するに、ハンガーリード３ａ、４ａの切断面の丸みを付けた曲面部は、パッケージ５の側面（切断面）において、ハンガーリード３ａ、４ａの切断面位置から発光装置１の実装面（下側）位置までの白色樹脂（Ｐｋｇ樹脂）の厚みであってハンガーリード３ａ、４ａの周りの白色樹脂の厚みに比べて白色樹脂の厚みの薄い方に設けられているかまたは、切断時に白色樹脂のパッケージ５に対してブレードによる切断負荷が白色樹脂にかかる側（下側）の２角部に丸み（アール加工部（Ｒ加工部）という）を付けるように形成されている。切断時のクラックを抑制すればよいので、ハンガーリード３ａ、４ａの断面正方形または断面長方形の４角形の４角部全てまたは全周囲が曲面（例えば断面円形または楕円形）であってもよい。例えば図５（ｄ）に示すように、ハンガーリード３ａ、４ａの切断面形状が半円または半楕円形状であってもよい。
　また、リードフレーム３、４のリードフレーム本体（吊りリードの曲面部を除く）の形成は、酸やアルカリ溶液などによるエッチング（リードフレーム基材の厚みをおおよそ半分に落とすエッチングを、以後、ハーフエッチングという）だけでなく、プレス成形で形成してもよい。
　以下に形成の一例を説明する。
　リードフレーム３、４のフレーム本体のもとなる金属板基材の裏面（発光装置の実装面となる裏側の面、発光素子２（例えばＬＥＤチップ）の搭載面（発光面側）の反対側裏面）で、発光装置１の実装面となる箇所にマスクを形成し、その周囲をハーフエッチングする。次に、金属板基材の表面（ＬＥＤチップの搭載面側の面）で、ハンガーリード３ａ、４ａおよびＬＥＤチップの搭載面部、ワイヤーボンド部、に相当する箇所にマスクを形成し、その周囲をハーフエッチングする。このとき、金属板基材の裏面側は、エッチングされないように全面マスクを形成しておく。
　この工程で、金属板基材のリードフレーム３、４の間の部分が全厚エッチングされ、リードフレーム３、４間の電気的な絶縁が確保される。また、リードフレーム３、４は、他のリードフレーム３、４の対との間でハンガーリード３ａ、４ａのよって保持されている。
　また、この金属板基材の表面のマスク形成において、上述の白色樹脂あるいは／およびインナー樹脂との密着性向上のために、アンカー部となる凹部に相当する箇所のマスクを形成しないようにしてもよい。これは、金属板基材の裏面側のハーフエッチング工程でも同様である。
　また、ハーフエッチングの順番を表面側、裏面側の順で実施しても良く、表裏を同時に実施しても良い。
　なお、マスク材は、レジストなど一般的に使用される周知のものを使用する。
　上記のリードフレーム形成工程の後に、ハンガーリード３ａ、４ａの断面形状、所望の曲面形状（例えば、図５（ｂ）に示すアール加工）とするために、マスク除去した後に、ソフトエッチング（短時間での酸やアルカリ溶液などによる処理）を行う。これとは別に、図５（ｃ）に示すように、図５（ｂ）のアール加工に代えて角部を落とすように面取り加工（Ｃ加工ともいう）を４角部の下側２角部に施すようにしてもよい。
　さらに、図５（ｅ）に示すように、ハンガーリード３ａ、４ａの断面正方形または断面長方形の４角形の４角部のうち、発光装置１の裏面側（下側）の左右いずれか１角部に切断時のクラック防止用の丸み（アール加工または面取り加工）を付けるようにしてもよい。要するに、ブレードにより各発光装置１に切断する場合に、ハンガーリード３ａ、４ａがまず切断される側の左右いずれか１角部に切断時のクラック防止用の丸み（アール加工または面取り加工）を付けて集中応力を分散させるようにする。
　リードフレーム３、４のハンガーリード３ａ、４ａの断面寸法を例えば断面長方形の長辺（幅）１５０μｍ×短辺（厚さ）１２０μｍとした場合に、ハンガーリード３ａ、４ａの切断面の丸み（アール加工または面取り加工（面取り部Ｃ））を付けた曲面部の半径（ｒ）を、ｒ＝３０～９０μｍ（または４０～６０μｍ）とする。半径（ｒ）が３０μｍよりも小さくなると、集中応力を分散させる効果に欠ける。製造工程上の整合性の観点から、半径（ｒ）は、短辺（厚さ）１２０μｍの半分の６０μｍの値とすることが好ましい。なお、半径（ｒ）は、図５（ｂ）、図５（ｄ）および図５（ｅ）では、アール加工径を示すＲに等しいものである。また、図５（ａ）に示す点線は、リードフレーム３、４の表面および発光素子２の搭載面の位置５ｂであってこれは凹部底面位置を示している。
　要するに、前述したが、切断時にリードフレーム３，４の保持部（ハンガーリード３ａ、４ａ）により白色樹脂に集中応力が付与されてクラック発生の起因となる保持部（ハンガーリード３ａ、４ａ）の断面角部分の一部または全部に丸みが付けられている。
　具体的には、例えば、リードフレーム３，４の保持部（ハンガーリード３ａ、４ａ）における切断面４角形状の４角部のうち、切断時にクラック発生の起因となる１角部または２角部にクラック防止用の丸みが付けられていてもよい。また、パッケージ５の切断側面に露出するリードフレーム３，４の保持部（ハンガーリード３ａ、４ａ）における切断面４角形状の４角部のうち、装置実装面側または装置裏面側の１角部または２角部に丸みが付られていてもよい。さらに、パッケージ５の切断側面に露出するリードフレーム３、４の保持部（ハンガーリード３ａ、４ａ）における切断面４角形状の４角部のうちで白色樹脂の薄い方に対向した２角部のうちの少なくとも１角部に丸みが付られていてもよい。さらに、切断時にパッケージ５の白色樹脂に対して切断用ブレードによる切断負荷がかかる側の１角部または２角部に丸みが付けられていてもよい。さらに、パッケージ５の切断側面に露出するリードフレーム３，４の保持部（ハンガーリード３ａ、４ａ）における切断面４角形状の４角部全てまたは全周囲に丸みが付けられていてもよい。さらに、これらの丸み付けは、アール加工または面取り加工により形成することができる。
　なお、上記実施形態１では、発光する一つの発光素子２が搭載され、該一つの発光素子２に対応した電極を構成するリードフレーム３，４と白色樹脂で構成されたパッケージ５を用いた発光装置１に、本発明の特徴構成である保持部（ハンガーリード３ａ、４ａ）の断面丸み付けを適用させたが、これに限らず、発光する複数（例えば２または３）の発光素子が搭載され、該複数の発光素子に対応した電極を構成するリードフレームと白色樹脂で構成されたパッケージを用いた発光装置に、本発明の特徴構成である保持部（ハンガーリード３ａ、４ａ）の断面丸み付けを適用させてもよい。
　以上、ハンガーリード切断面と発光装置分割（切断）面が面一である発光装置において、上記のハンガーリード構成によるクラック抑止効果によって、耐候性、耐光性に優れるが、硬くてもろい熱硬化性樹脂をＰｋｇ用樹脂に安定して使用することが可能となっている。
　言い換えると、本願発明構成（ハンガーリード構成）によって、リードフレームによるＰｋｇ樹脂への負荷を軽減でき、さらに、Ｐｋｇ用樹脂として耐候性、耐光性に優れる熱硬化性樹脂を使用できるので、発光装置としての信頼性が向上できる。また、ハンガーリード切断面と発光装置分割（切断）面が面一である発光装置構成を採用できるので、Ｐｋｇ樹脂外部の突出するアウターリード構成とならず、発光装置として小型化が可能となるとともにリードフレーム上に配置できるｐｋｇ数を増やすことができる為、コスト低減効果がある。
　以上のように、本発明の好ましい実施形態１を用いて本発明を例示してきたが、本発明は、この実施形態１に限定して解釈されるべきものではない。本発明は、特許請求の範囲によってのみその範囲が解釈されるべきであることが理解される。当業者は、本発明の具体的な好ましい実施形態１の記載から、本発明の記載および技術常識に基づいて等価な範囲を実施することができることが理解される。本明細書において引用した特許、特許出願および文献は、その内容自体が具体的に本明細書に記載されているのと同様にその内容が本明細書に対する参考として援用されるべきであることが理解される。
　本発明は、各電極に対応したリードフレームと樹脂を一体成形したＬＥＤ装置などの発光装置の分野において、リードフレームの保持部の断面角部分の一部または全部に丸みを付けているため、切断時に生じるリードフレームの保持部から白色樹脂への集中応力が緩和されて、ダイシング分割後の白色樹脂クラックを抑えることができる。

Claims (10)

  1. 　発光する一または複数の発光素子が搭載され、該一または複数の発光素子に対応した電極を構成するリードフレームと樹脂により一体成形された樹脂キャビティ成型パッケージを用いた発光装置において、該リードフレームの保持部の断面角部分の一部または全部に丸みを付けている発光装置。
  2. 　前記リードフレームの保持部における切断面４角形状の４角部のうち、切断時にクラック発生の起因となる１角部または２角部にクラック防止用の丸みが付けられている請求項１に記載の発光装置。
  3. 　前記パッケージの切断側面に露出する前記リードフレームの保持部における切断面４角形状の４角部のうち、装置実装面側または装置裏面側の１角部または２角部に丸みが付けられている請求項１に記載の発光装置。
  4. 　前記パッケージの切断側面に露出する前記リードフレームの保持部における切断面４角形状の４角部のうちで前記樹脂の薄い方に対向した２角部のうちの少なくとも１角部に丸みが付けられている請求項１に記載の発光装置。
  5. 　切断時に前記樹脂に対して切断用ブレードによる切断負荷がかかる側の１角部または２角部に丸みを付けている請求項１に記載の発光装置。
  6. 　前記パッケージの切断側面に露出する該リードフレームの保持部における切断面４角形状の４角部全てまたは全周囲に丸みを付けている請求項１に記載の発光装置。
  7. 　前記丸み付けは、アール加工または面取り加工により形成されている請求項１～６のいずれかに記載の発光装置。
  8. 　前記樹脂の切断面と前記リードフレームの保持部の切断面とが面一になっている請求項１に記載の発光装置。
  9. 　前記樹脂は熱硬化性樹脂である請求項１に記載の発光装置。
  10. 　前記樹脂キャビティ成型パッケージに凹部が上に開放されて形成され、この凹部内のリードフレーム上に前記一または複数の発光素子が搭載されると共に、該凹部内の側面が反射壁として外側に開くようにテーパ状に形成されている請求項１に記載の発光装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6535509B2 (ja) * 2014-05-12 2019-06-26 ローム株式会社 半導体装置
WO2016117910A1 (ko) * 2015-01-19 2016-07-28 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
USD786203S1 (en) * 2015-02-24 2017-05-09 Nichia Corporation Light emitting diode
JP6236484B2 (ja) * 2016-02-24 2017-11-22 シャープ株式会社 発光装置
US10193042B1 (en) * 2017-12-27 2019-01-29 Innolux Corporation Display device

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01251747A (ja) * 1988-03-31 1989-10-06 Toshiba Corp 半導体装置およびその製造方法
JPH02118948U (ja) * 1989-03-08 1990-09-25
JPH03293756A (ja) * 1990-04-12 1991-12-25 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置用リードフレーム及びその製造方法
JPH07193179A (ja) * 1993-12-27 1995-07-28 Hitachi Ltd リードフレーム
JPH08162596A (ja) * 1994-12-07 1996-06-21 Hitachi Ltd リードフレーム及び半導体装置
JPH1012643A (ja) * 1996-04-23 1998-01-16 Toshiba Corp 光半導体装置
JPH1145958A (ja) * 1997-07-24 1999-02-16 Kyowa Kasei Kk 表面実装部品及びその製造方法
JP2008098218A (ja) * 2006-05-10 2008-04-24 Nichia Chem Ind Ltd 半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02263459A (ja) * 1988-01-05 1990-10-26 Nec Corp 半導体装置
JPH09153586A (ja) 1995-12-01 1997-06-10 Texas Instr Japan Ltd 半導体装置、その製造方法、及びリードフレーム
JP2001077279A (ja) 1999-09-01 2001-03-23 Matsushita Electronics Industry Corp リードフレームとそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法
WO2001047328A1 (en) * 1999-12-20 2001-06-28 Synqor, Inc. Flanged terminal pins for dc/dc converters
CN100481535C (zh) * 2004-03-24 2009-04-22 日立电线精密株式会社 发光器件的制造方法和发光器件
TWI244176B (en) 2004-08-23 2005-11-21 Advanced Semiconductor Eng Chip package, matrix type substrate, and method of preventing peeling of solder mask between leads
TW200847478A (en) 2007-05-30 2008-12-01 I Chiun Precision Ind Co Ltd Light-emitting diode lead frame and manufacture method thereof
CN101562163B (zh) * 2008-04-17 2011-06-01 力成科技股份有限公司 以导线架为基底的半导体封装构造及其适用的导线架
TWI488329B (zh) * 2008-05-15 2015-06-11 Everlight Electronics Co Ltd 線路基板與發光二極體封裝
JP5217800B2 (ja) * 2008-09-03 2013-06-19 日亜化学工業株式会社 発光装置、樹脂パッケージ、樹脂成形体並びにこれらの製造方法
US7923739B2 (en) * 2009-06-05 2011-04-12 Cree, Inc. Solid state lighting device
JP5379503B2 (ja) * 2009-02-04 2013-12-25 アピックヤマダ株式会社 Ｌｅｄパッケージ、ｌｅｄパッケージの製造方法、及び金型
TW201128812A (en) * 2009-12-01 2011-08-16 Lg Innotek Co Ltd Light emitting device
JP5010693B2 (ja) * 2010-01-29 2012-08-29 株式会社東芝 Ｌｅｄパッケージ
JP5691681B2 (ja) * 2010-03-15 2015-04-01 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN201715459U (zh) * 2010-05-01 2011-01-19 博罗冲压精密工业有限公司 Led支架
JP2012114311A (ja) * 2010-11-26 2012-06-14 Toshiba Corp Ｌｅｄモジュール
TW201251140A (en) * 2011-01-31 2012-12-16 Cree Inc High brightness light emitting diode (LED) packages, systems and methods with improved resin filling and high adhesion

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01251747A (ja) * 1988-03-31 1989-10-06 Toshiba Corp 半導体装置およびその製造方法
JPH02118948U (ja) * 1989-03-08 1990-09-25
JPH03293756A (ja) * 1990-04-12 1991-12-25 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置用リードフレーム及びその製造方法
JPH07193179A (ja) * 1993-12-27 1995-07-28 Hitachi Ltd リードフレーム
JPH08162596A (ja) * 1994-12-07 1996-06-21 Hitachi Ltd リードフレーム及び半導体装置
JPH1012643A (ja) * 1996-04-23 1998-01-16 Toshiba Corp 光半導体装置
JPH1145958A (ja) * 1997-07-24 1999-02-16 Kyowa Kasei Kk 表面実装部品及びその製造方法
JP2008098218A (ja) * 2006-05-10 2008-04-24 Nichia Chem Ind Ltd 半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法

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