WO2012046737A1 - ウエハ加工用テープ及びその製造方法 - Google Patents

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弘光 丸山
石渡　伸一
二朗 杉山
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古河電気工業株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a wafer processing tape and a method for manufacturing the same.
  • the present invention relates to a wafer processing tape having an adhesive film and an adhesive layer provided on the adhesive film, and a method for producing the same.
  • a wafer processing tape having an adhesive layer provided on a base film has been developed.
  • an adhesive layer is further laminated on the adhesive layer in order to bond the cut semiconductor chip to a lead frame, a package substrate, etc., or to stack and bond the semiconductor chips together in a stacked package.
  • a wafer processing tape (dicing die bonding film) having a structure has also been developed (see, for example, Patent Document 1).
  • a wafer processing tape (dicing die bonding film)
  • a tape that has been pre-cut processed in consideration of workability such as attachment to a semiconductor wafer and attachment to a ring frame during dicing. Yes (see, for example, Patent Document 2).
  • the manufacturing process of the wafer processing tape (dicing die bonding film) subjected to the pre-cut processing is a first cut of a predetermined shape (for example, a circle) in the adhesive layer of the adhesive film composed of the release film and the adhesive layer.
  • An unnecessary adhesive layer portion outside the first cut is peeled off from the release film, and an adhesive film having a predetermined shape on the release film, an adhesive layer and a base
  • a primary pre-cutting step in which an adhesive film made of a material film is bonded so that the adhesive layer and the adhesive layer are in contact with each other, and a predetermined shape (for example, a circle) of a first shape surrounding the adhesive film around the shape of the adhesive layer Make two cuts, peel off the unnecessary adhesive film part outside the second cut from the adhesive film (release film), wind it up, and place it on the adhesive film (release film). And a, a secondary precut processing step of forming the adhesive film shape.
  • a production method for producing a wafer processing tape by successively performing the above-described two steps (primary precut processing step and secondary precut processing step). Production method) or by making a first cut of a predetermined shape (for example, a circle) in the adhesive layer, and peeling off the unnecessary adhesive layer portion outside the first cut from the release film.
  • a predetermined shape for example, a circle
  • Adhesion with a primary pre-cutting process in which an adhesive film having an adhesive layer of a predetermined shape formed thereon, an adhesive film composed of an adhesive layer and a base film are bonded together so that the adhesive layer and the adhesive layer are in contact with each other
  • a production method for producing a tape for wafer processing by winding a film into a roll, and then recognizing and aligning the position of the adhesive layer and then performing a secondary pre-cut processing step The second manufacturing method) is.
  • miniaturization and thinning of semiconductor devices are progressing in response to high-speed, power-saving, and miniaturization of semiconductor devices. Accordingly, the number of stacked semiconductor chips has been increased, and a wafer processing tape used for manufacturing a semiconductor device has a thinner (less than 10 ⁇ m) adhesive layer than conventional wafer processing tapes. The demand for tape is increasing.
  • the first manufacturing method described above when performing the secondary precut processing, can be applied to the adhesive film at a predetermined interval without recognizing the position of the primary precut processing adhesive layer.
  • the second cut in the second manufacturing method described above, after recognizing the position of the adhesive layer subjected to the primary precut process, the second cut is made in the adhesive film in accordance with the position of the adhesive layer. Therefore, in the conventional wafer processing tape in which the base film, the pressure-sensitive adhesive layer, and the adhesive layer are laminated in this order as proposed in Patent Document 1 and Patent Document 2, the adhesive layer is made thin.
  • the outer peripheral portion of the primary precut adhesive layer is recognized by an optical sensor (for example, a transmissive sensor or a reflective sensor).
  • an optical sensor for example, a transmissive sensor or a reflective sensor.
  • an optical sensor is used as a primary pre-cut by using an adhesive layer containing a pigment that absorbs or reflects light within a wavelength range in which the optical sensor reacts.
  • An adhesive sheet (adhesive film) for recognizing the outer peripheral portion of the processed adhesive layer has also been developed (see, for example, Patent Document 3).
  • An object of the present invention is to provide a wafer processing tape having good productivity and inspection accuracy and a method for manufacturing the same.
  • the inventors of the present invention have released a mold release film, an adhesive layer, and a wafer processing tape in which an adhesive film has been laminated in this order when the adhesive layer is first precut.
  • the incision formed on the surface of the film is located at a position corresponding to the position where the incision is present in the laminated portion where the release film and the adhesive film are laminated, and at a position where there is no incision.
  • the adhesive layer is thin (less than 10 ⁇ m, Even in the case of 5 ⁇ m or less in particular, the present inventors have found that the sensor recognizability, productivity, and inspection accuracy are good and completed the present invention.
  • the wafer processing tape according to the first aspect of the present invention includes a long release film, one or more adhesive layers having a predetermined planar shape provided on the release film, One or more pressure-sensitive adhesive films each covering an adhesive layer and provided so as to be in contact with the release film around the adhesive layer, the release film, The surface of the release film on which the adhesive layer is laminated is formed with an annular cut along the outer periphery of the adhesive layer, and the release film and the adhesive film are laminated.
  • 600 to 700 nm means 600 nm to 700 nm.
  • the wafer processing tape according to the second aspect of the present invention is characterized in that, in the wafer processing tape according to the first aspect of the present invention, the transmittance difference C is 0.6 to 1.3%. .
  • the wafer processing tape according to the third aspect of the present invention is characterized in that, in the wafer processing tape according to the first or second aspect of the present invention, the transmittance A is 75 to 95%.
  • a wafer processing tape according to a fourth aspect of the present invention is the wafer processing tape according to any one of the first to third aspects of the present invention, and surrounds the outside of the adhesive film on the release film. It is provided with the peripheral part which consists of the said adhesive film and was provided.
  • a plurality of adhesive layers having a predetermined planar shape are provided on a long release film, and the release film and Laminating an adhesive film on the adhesive film in which the adhesive layer is laminated in this order, covering the adhesive layer, and contacting the release film around the adhesive layer; and (B) In the laminate composed of the adhesive film and the pressure-sensitive adhesive film formed by the step (a), the laminate portion composed of the release film and the pressure-sensitive adhesive film is moved from the surface of the pressure-sensitive adhesive film.
  • a method for producing a wafer processing tape comprising the step (a) Before (c) when providing the plurality of adhesive layers having a predetermined planar shape on the release film, the annular first notch along the outer periphery of the adhesive layer is removed from the release film.
  • the method for producing a wafer processing tape according to the second aspect of the present invention is the method for producing a wafer processing tape according to the first aspect of the present invention, wherein the step (c) is such that the transmittance difference C is 0.
  • the first cut portion is formed so as to be 1% or more.
  • the method for manufacturing a wafer processing tape according to a third aspect of the present invention is the method for manufacturing a wafer processing tape according to the first aspect of the present invention, wherein the step (c) is such that the transmittance difference C is 0.
  • the first cut portion is formed so as to be 6 to 1.3%.
  • a wafer processing tape manufacturing method is the wafer processing tape manufacturing method according to any one of the first to third aspects of the present invention, in place of the step (b).
  • the pressure-sensitive adhesive film is formed on the laminated portion including the release film and the pressure-sensitive adhesive film. Forming a plurality of annular second notches surrounding each adhesive layer from the surface to the release film, and forming a third notch outside the second notches It has the process of forming, It is characterized by the above-mentioned.
  • the sensor recognizability can be improved even when the adhesive layer is thin (10 ⁇ m or less, particularly 5 ⁇ m or less). Therefore, in the semiconductor device manufacturing process, the use of the wafer processing tape of the present invention reduces the productivity of the semiconductor device even when the adhesive layer is thin (less than 10 ⁇ m, particularly less than 5 ⁇ m). And a decrease in inspection accuracy can be prevented.
  • (A) is a general-view figure of the wafer processing tape 10 which concerns on one Embodiment of this invention
  • (b) is the same top view
  • (c) is the same sectional drawing.
  • It is a general-view figure of the tape for wafer processing 10a which is a modification of the tape for wafer processing which concerns on the 1st Embodiment of this invention.
  • It is a general-view figure of the tape 10b for wafer processing which is a modification of the tape for wafer processing which concerns on the 1st Embodiment of this invention.
  • FIG. 5 is a view subsequent to FIG. 4 for explaining a method of manufacturing the wafer processing tape 10 of FIG. 1.
  • FIG. 1A is a perspective view of a wafer processing tape 10 according to an embodiment of the present invention
  • FIG. 1B is a plan view thereof
  • FIG. 1C is a sectional view thereof.
  • the wafer processing tape 10 includes a long release film 11, an adhesive layer 12 (22), and an adhesive film 13 (23a, 23b). ).
  • the wafer processing tape 10 constitutes a dicing die bonding film 20 composed of an adhesive layer 12 (22) and an adhesive film 13 (23a).
  • the adhesive layer 12 is provided on the surface 11a of the release film 11, and has a label shape corresponding to the shape of the semiconductor wafer.
  • a circular shape will be described as an example of the label shape, but the label shape is not limited to the circular shape.
  • the label-shaped adhesive layer 12 is referred to as a label-shaped adhesive portion 22.
  • the release film 11 is formed with an annular first cut portion (hereinafter referred to as a first cut portion) 26 along the outer periphery of the label-shaped adhesive portion 22 on the surface 11a.
  • the adhesive film 13 includes a label part 23a and a peripheral part 23b.
  • the label part 23 a covers the label-shaped adhesive part 22 and is provided so as to come into contact with the release film 11 around the label-shaped adhesive part 22.
  • the label portion 23a has a substantially circular shape corresponding to the dicing ring frame.
  • the peripheral portion 23b does not completely surround the outside of the label portion 23a, and is provided so that the exposed release film 11 between the label portion 23a and the peripheral portion 23b is continuous.
  • the peripheral portion 23b is provided so that the exposed release film 11 between the label portion 23a and the peripheral portion 23b is continuous.
  • the peripheral portion 23b is a wafer processing tape 10a provided so as to completely surround the outside of the label portion 23a and the exposed release film 11 surrounding the outer periphery of the label portion 23a to be discontinuous. May be.
  • the peripheral part 23b may not exist, and the tape 10b for wafer processing by which the adhesive film 13 was comprised only by the label part 23a may be sufficient.
  • the release film 11 is used for the purpose of improving the handleability of the adhesive layer 12.
  • an annular first cut portion 26 is formed on the surface 11 a along the outer periphery of the label-shaped adhesive portion 22.
  • Examples of the release film 11 include a polyethylene film, a polypropylene film, a polybutene film, a polybutadiene film, a polymethylpentene film, a polychloride chloride film, a vinyl chloride copolymer film, a polyethylene terephthalate film, a polyethylene naphthalate film, and a polybutylene terephthalate film.
  • Polyurethane film ethylene / vinyl acetate copolymer film, ionomer resin film, ethylene / (meth) acrylic acid copolymer film, ethylene / (meth) acrylic acid ester copolymer film, polystyrene film, polycarbonate film, polyimide film A fluororesin film or the like is used. These crosslinked films are also used. Furthermore, these laminated films may be sufficient.
  • the surface tension of the release film 11 is preferably 40 mN / m or less, and more preferably 35 mN / m or less.
  • a release film 11 having a low surface tension can be obtained by appropriately selecting the material, and can also be obtained by applying a release treatment by applying a silicone resin or the like to the surface of the film.
  • the film thickness of the release film 11 is usually about 5 to 300 ⁇ m, preferably about 10 to 200 ⁇ m, and particularly preferably about 20 to 150 ⁇ m.
  • the first cut portion 26 formed on the surface 11a of the release film 11 is a laminate portion 27b having the first cut portion 26 in the laminate portion where the release film 11 and the adhesive film 13 (23a) are laminated.
  • the measuring method of the transmittances A and B (%) is not particularly limited.
  • the measurement light of the transmittances A and B (%) may be the same wavelength or different wavelengths as long as they are in the range of 600 to 700 nm, but the measurement light of the transmittance A (%) and the transmittance B (%) It is preferable that the measurement light is set to the same wavelength and the transmittances A and B (%) are the transmittances of the light of the same wavelength. More preferably, the transmittance A is 75 to 95%. This is because sufficient sensor recognition cannot be obtained when the transmittance A is less than 75% or more than 95%.
  • the transmittance B is determined by the type and thickness of the base film
  • the transmittance difference C is determined by the depth of cut. Whether the depth is 0.1% or more depends on the type and thickness of the base film. More specifically, the transmittance of the base film is higher as it is more transparent in appearance, and the transmittance is lower as it is colored. Further, even with the release film 11 made of the same material, the adhesive film 13 having an adhesive applied to the embossed surface has a high transmittance, and the adhesive film 13 having an adhesive applied to the mirror surface has a low transmittance. Moreover, the transmittance
  • the first cut portion 26 is preferably formed so that the ratio D is 13 to 92%.
  • the manufacturability becomes unstable. Moreover, it is because sufficient sensor recognizability cannot be obtained. It should be noted that the manufacturability is unstable when the adhesive layer 12 is primarily precut to form the label-shaped adhesive portion 22 and the primary precut is insufficient, and an unnecessary adhesive layer other than the label-shaped adhesive portion 22 is used. This means that when the portion 12 is rolled up, the wafer processing tape 10 may not be manufactured due to the winding up to the portion of the label-shaped adhesive portion 22.
  • the wafer processing tape 10 for manufacturing the wafer processing tape 10 after the primary precut or the semiconductor device is used. This is because the release film 11 is broken in the work process and various problems occur. For example, in each winding process (slit, secondary precut) of manufacturing the wafer processing tape 10 after the primary precut, due to a slit defect that must be reconditioned due to a width dimension shift, or due to breakage of the release film 11 In order to become a short product, a winding trouble that requires repeated splicing and reconditioning occurs.
  • the release film 11 is wound and bonded between the semiconductor wafer and the dicing die bonding film 20. Since the fully automatic device is stopped due to the failure, a reworking operation becomes necessary.
  • the adhesive layer 12 is attached to the back surface of the semiconductor chip when the semiconductor chip is picked up after the semiconductor wafer is bonded and diced, and is used as an adhesive for fixing the chip to the substrate or the lead frame. It is what is done.
  • a polypropylene resin, an acrylic resin, a polyurethane resin, an epoxy resin, a polyacrylamide resin, a melamine resin, or a mixture thereof can be used.
  • an epoxy group-containing acrylic copolymer contains 0.5 to 6% by mass of glycidyl acrylate or glycidyl methacrylate having an epoxy group.
  • the content is preferably 0.5% by mass or more, and gelation can be suppressed if it is 6% by mass or less.
  • the glass transition temperature (Tg) of the epoxy group-containing acrylic copolymer is preferably ⁇ 10 ° C. or higher and 30 ° C. or lower.
  • the amount of glycidyl acrylate or glycidyl methacrylate used as the functional group monomer is a copolymer ratio of 0.5 to 6% by mass, but the remainder is an alkyl having 1 to 8 carbon atoms such as methyl acrylate or methyl methacrylate.
  • Mixtures of acrylates, alkyl methacrylates, and styrene and acrylonitrile can be used. Among these, ethyl (meth) acrylate and / or butyl (meth) acrylate are particularly preferable.
  • the mixing ratio is preferably adjusted in consideration of the glass transition temperature (Tg) of the copolymer.
  • the weight average molecular weight of the acrylic copolymer is preferably 50,000 or more, particularly preferably in the range of 200,000 to 1,000,000. If the molecular weight is too low, film formation will be insufficient, and if it is too high, compatibility with other components will deteriorate, resulting in hindering film formation.
  • a phenolic resin can be used as the curing agent.
  • a condensate of phenols such as alkylphenol, polyhydric phenol, naphthol and aldehydes is used without particular limitation.
  • the phenolic hydroxyl group contained in these phenolic resins can easily undergo an addition reaction with the epoxy group of the epoxy resin by heating to form a cured product having high impact resistance.
  • Phenol resins include phenol novolak resin, o-cresol novolak resin, p-cresol novolak resin, t-butylphenol novolak resin, dicyclopentadiene cresol resin, polyparavinylphenol resin, bisphenol A type novolak resin, or modified thereof. A thing etc. are used preferably.
  • a thermally activated latent epoxy resin curing agent can also be used as a curing agent.
  • This curing agent is a type of curing agent that does not react with the epoxy resin at room temperature but is activated by heating at a certain temperature or more and reacts with the epoxy resin.
  • an activation method a method of generating active species (anions and cations) by a chemical reaction by heating, a dispersion that is stably dispersed in the epoxy resin near room temperature, is compatible with and dissolved in the epoxy resin at a high temperature, and a curing reaction is performed.
  • a method for starting a method for starting a curing reaction by elution at a high temperature with a molecular sieve encapsulated type curing agent, a method using a microcapsule, and the like.
  • thermally active latent epoxy resin curing agent examples include various onium salts, high melting point active hydrogen compounds such as dibasic acid dihydrazide compounds, dicyandiamide, amine adduct curing agents, and imidazole compounds.
  • a curing accelerator or the like can be used as an auxiliary agent.
  • a hardening accelerator which can be used for this invention
  • a tertiary amine, imidazoles, a quaternary ammonium salt etc. can be used.
  • imidazoles preferably used in the present invention include 2-methylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazolium trimellitate and the like. These may be used alone or in combination of two or more.
  • Imidazoles are commercially available from Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd. under the trade names 2E4MZ, 2PZ-CN, 2PZ-CNS, for example.
  • a filler may be blended.
  • the filler include silica such as crystalline silica and synthetic silica, and inorganic filler such as alumina and glass balloon.
  • silica such as crystalline silica and synthetic silica
  • inorganic filler such as alumina and glass balloon.
  • synthetic silica is preferable as the filler, and in particular, synthetic silica of the type from which the ⁇ -ray source that causes malfunction of the semiconductor device is removed as much as possible is optimal.
  • the shape of the filler any of a spherical shape, a needle shape, and an amorphous type can be used, but a spherical filler capable of closest packing is particularly preferable.
  • a coupling agent can be blended in order to improve interfacial bonding between different materials.
  • a silane coupling agent is preferable as the coupling agent.
  • silane coupling agents include ⁇ -glycidoxypropyltrimethoxysilane, ⁇ -mercaptopropyltrimethoxysilane, ⁇ -aminopropyltriethoxysilane, ⁇ -ureidopropyltriethoxysilane, N- ⁇ -aminoethyl- ⁇ - Examples include aminopropyltrimethoxysilane.
  • the blending amount of the coupling agent is preferably 0.1 to 10 parts by weight with respect to a total of 100 parts by weight of the composition forming each of the dispersed phase and the continuous phase, from the effects of addition, heat resistance and cost. .
  • the varnishing solvent it is preferable to use methyl ethyl ketone, acetone, methyl isobutyl ketone, 2-ethoxyethanol, toluene, butyl cellosolve, methanol, ethanol, 2-methoxyethanol or the like having a relatively low boiling point.
  • the high boiling point solvent include dimethylacetamide, dimethylformamide, methylpyrrolidone, cyclohexanone and the like.
  • the thickness of the adhesive layer 12 may be set as appropriate, but is preferably about 5 to 100 ⁇ m.
  • the adhesive film 13 is not particularly limited, and has a sufficient adhesive force so that the semiconductor wafer does not peel when dicing the semiconductor wafer. When the chip is picked up after dicing, it can be easily removed from the adhesive layer 12. Any material may be used as long as it exhibits low adhesive strength so that it can be peeled off. For example, what provided the adhesive layer in the base film can be used conveniently.
  • the base film of the adhesive film 13 can be used without particular limitation as long as it is a conventionally known base film. However, when a radiation curable material is used as the adhesive layer described later, the radiation transparency is used. It is preferable to use one having
  • the materials include polyethylene, polypropylene, ethylene-propylene copolymer, polybutene-1, poly-4-methylpentene-1, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-ethyl acrylate copolymer, ethylene-acrylic.
  • Homopolymers or copolymers of ⁇ -olefins such as methyl acid copolymers, ethylene-acrylic acid copolymers, ionomers or mixtures thereof, polyurethane, styrene-ethylene-butene or pentene copolymers, polyamide-polyols Listed are thermoplastic elastomers such as copolymers, and mixtures thereof.
  • the base film may be a mixture of two or more materials selected from these groups, or may be a single layer or a multilayer. The thickness of the base film is not particularly limited and may be set as appropriate, but is preferably 50 to 200 ⁇ m.
  • the resin used for the pressure-sensitive adhesive layer of the pressure-sensitive adhesive film 13 is not particularly limited, and a known chlorinated polypropylene resin, acrylic resin, polyester resin, polyurethane resin, epoxy resin, or the like used for the pressure-sensitive adhesive is used. can do. It is preferable to prepare a pressure-sensitive adhesive by appropriately mixing an acrylic pressure-sensitive adhesive, a radiation polymerizable compound, a photopolymerization initiator, a curing agent and the like with the resin of the pressure-sensitive adhesive layer.
  • the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is not particularly limited and may be appropriately set, but is preferably 5 to 30 ⁇ m.
  • a radiation-polymerizable compound can be blended in the pressure-sensitive adhesive layer to facilitate peeling from the adhesive layer 12 by radiation curing.
  • the radiation polymerizable compound for example, a low molecular weight compound having at least two photopolymerizable carbon-carbon double bonds in a molecule that can be three-dimensionally reticulated by light irradiation is used.
  • trimethylolpropane triacrylate pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, dipentaerythritol monohydroxypentaacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, 1,4-butylene glycol diacrylate, 1,6 hexanediol diacrylate Acrylate, polyethylene glycol diacrylate, oligoester acrylate, and the like are applicable.
  • Urethane acrylate oligomers include polyester compounds or polyether compounds such as polyol compounds and polyisocyanate compounds (for example, 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate, 1,3-xylylene diene).
  • the pressure-sensitive adhesive layer may be a mixture of two or more selected from the above resins.
  • photopolymerization initiator for example, isopropyl benzoin ether, isobutyl benzoin ether, benzophenone, Michler's ketone, chlorothioxanthone, dodecylthioxanthone, dimethylthioxanthone, diethylthioxanthone, benzyldimethyl ketal, ⁇ -hydroxycyclohexyl phenyl ketone, 2-hydroxymethylphenyl Propane or the like can be used.
  • the blending amount of these photopolymerization initiators is preferably 0.01 to 5 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the acrylic copolymer.
  • the wafer processing tape 10 (10a, 10b) according to one embodiment of the present invention described above is formed by the first cut portion 26 even when the adhesive layer 12 is thin (less than 10 ⁇ m, particularly not more than 5 ⁇ m).
  • the outer peripheral portion of the adhesive layer 12 (label-shaped adhesive portion 22) can be recognized by the sensor. That is, the wafer processing tape 10 (10a, 10b) according to one embodiment of the present invention described above has sensor recognizability even when the adhesive layer 12 is thin (10 ⁇ m or less, particularly 5 ⁇ m or less). Can be good.
  • the adhesive layer 12 is thin (10 ⁇ m or less, particularly 5 ⁇ m or less) by using the wafer processing tape 10 (10a, 10b) according to one embodiment of the present invention.
  • the productivity is prevented from being lowered, for example, the precut blade is not operated, and the presence or absence of the adhesive layer and the inspection accuracy from being unable to be inspected are prevented. be able to.
  • FIGS. 1 (a), (b) and (c) are views for explaining a method for manufacturing a wafer processing tape according to an embodiment of the present invention for manufacturing the wafer processing tape 10 of the present invention.
  • the surface of the adhesive layer 12 is formed on the first laminate 25 in which the adhesive layer 12 is laminated on the long release film 11 using a precut blade (not shown).
  • An annular first cut portion 26 from 12a to the release film 11 is formed (step 1: S1).
  • a punching process may be performed so as to form the first cut portion 26 using a mold instead of the precut blade.
  • the first cut portion 26 is a laminated portion 27b having the first cut portion 26 in the laminated portion in which the release film 11 and the adhesive film 13 (23a) formed in Steps 3 to 5 described later are laminated.
  • the transmittance difference C between the transmittance A having a wavelength of 600 to 700 nm and the transmittance B having a wavelength of 600 to 700 nm of the laminated portion 27a without the first notch 26 is formed to be 0.1% or more.
  • the first cut portion 26 is formed so that the transmittance difference C is 0.6 to 1.3%. More preferably, the transmittance A is 75 to 95%.
  • the ratio D is 13 to 92%. It is good to form so that it becomes.
  • the transmittance B is determined by the type and thickness of the substrate film
  • the transmittance difference C is determined by the depth of cut. How much the depth of cut is 0.1% or more depends on the type and thickness of the substrate film. It depends on the size. More specifically, the transmittance B of the base film is higher as it is more transparent in appearance, and the transmittance is lower as it is colored.
  • the adhesive film 13 having an adhesive applied to the embossed surface has a high transmittance
  • the adhesive film 13 having an adhesive applied to the mirror surface has a low transmittance.
  • permeability is so low that a base film is thick. Therefore, in order to set the transmittance difference C to 0.1% or more, it is necessary to cut deeper into the release film 11 as the transmittance B is higher.
  • Step 2 S2).
  • step 3 a second laminated body 27 in which the adhesive film 13 is laminated so as to cover the entire surface of the label-shaped adhesive portion 22 and the exposed release film 11 is formed (step 3: S3).
  • a pre-cut blade (not shown) is used for the laminated portion 27 c composed of the release film 11 and the adhesive film 13 of the second laminate 27.
  • punching may be performed so as to form the second cut portion 28 and the third cut portion 29 using a mold instead of the precut blade.
  • the formation of the second cut portion 28 and the formation of the third cut portion 29 are performed simultaneously, they may be formed separately. At that time, either may be formed first.
  • the third cut portion 29 is formed in an annular shape surrounding the second cut portion 28. It forms so that it may become a notch part.
  • the third cut portion 29 is not formed, and only the second cut portion 28 is formed.
  • Step 5: S5 the unnecessary adhesive film 13 between the second cut portion 28 and the third cut portion 29 is peeled off from the release film 11 to be removed, thereby forming a label portion 23a and a peripheral portion 23b made of the adhesive film 13 ( Step 5: S5).
  • the wafer processing tape 10b (see FIG. 3) does not have the peripheral portion 23b, the unnecessary adhesive film 13 outside the second cut portion 28 is peeled off from the release film 11 and removed. Then, only the label portion 23a made of the adhesive film 13 is formed.
  • the above adhesive is applied onto a release film having a thickness of 38 ⁇ m and dried by heating at 110 ° C. for 1 minute to form a coating film in a B-stage state (curing intermediate state of thermosetting resin) having a thickness of 5 ⁇ m.
  • An adhesive layer was formed on the release film and stored refrigerated.
  • the prepared pressure-sensitive adhesive layer composition was applied to a base film so that the dry film thickness was 20 ⁇ m, and dried at 110 ° C. for 3 minutes to produce a pressure-sensitive adhesive film.
  • the adhesive films four types of adhesive films 13A to 13D having different base film were prepared.
  • the adhesive film 13A is an adhesive film using an ethylene-vinyl acetate copolymer base film having a thickness of 100 ⁇ m as the base film.
  • the adhesive film 13B is an adhesive film using a high-density polyethylene film having a thickness of 110 ⁇ m as a base film.
  • the adhesive film 13C is an adhesive film using a high-density polyethylene film having a thickness of 100 ⁇ m as a base film.
  • the pressure-sensitive adhesive film 13D is a pressure-sensitive adhesive film using a base film composed of two layers of a high-density polyethylene layer having a thickness of 100 ⁇ m, a random copolymer polypropylene, and a styrene / butadiene copolymer layer. .
  • the laminated portion corresponding to the position where the first cut portion is located (FIG. 1 (c)) using an optical sensor.
  • the first cut portion was recognized, and based on the recognized first cut portion, a circular precut process with a diameter of 290 mm was attempted concentrically with the adhesive layer.
  • the optical sensor is not particularly limited as long as it can detect light in the wavelength range of 290 to 850 nm.
  • Table 1 shows the evaluation results of the sensor recognizability for the wafer processing tapes according to Examples 1 to 8
  • Table 2 shows the evaluation results of the sensor recognizability for the wafer processing tapes according to Comparative Examples 1 to 3. Indicated.
  • the tapes for wafer processing according to Examples 1 to 5 use the above-mentioned adhesive film 13A as an adhesive film, and set the depth of the first cut portion formed in the release film at the time of primary precut processing to the precut blade.
  • This is a wafer processing tape whose transmittance is adjusted by changing the indentation pressure (clearance).
  • the transmittance was adjusted by using the above-mentioned adhesive film 13C as an adhesive film in Example 6, and using the above-mentioned adhesive film 13D as an adhesive film in Example 7. This is a wafer processing tape.
  • the tape for wafer processing according to Example 8 uses the above-mentioned adhesive film 13B as an adhesive film, and further presses the depth of the first cut portion formed in the release film at the time of the primary precut processing into the precut blade.
  • This is a wafer processing tape whose transmittance is adjusted by changing the pressure (clearance) and processing it shallowly.
  • the tape for wafer processing according to Comparative Example 1 uses the above-mentioned adhesive film 13D as an adhesive film, and further presses the depth of the first cut portion formed in the release film at the time of the primary precut processing into the precut blade. This is a wafer processing tape whose transmittance is adjusted by changing the pressure (clearance) and processing it shallowly.
  • the tape for wafer processing according to Comparative Example 2 uses the above-mentioned adhesive film 13A as an adhesive film, and determines the depth of the first cut portion formed in the release film during the primary precut processing by the pressing pressure of the precut blade. This is a wafer processing tape whose transmittance is adjusted by changing (clearance).
  • the tape for wafer processing according to Comparative Example 3 uses the above-mentioned adhesive film 13B as an adhesive film, and further presses the depth of the first cut portion formed in the release film at the time of the primary precut processing into the precut blade.
  • This is a wafer processing tape whose transmittance is adjusted by processing deeper by changing the pressure (clearance).
  • the optical sensor is used to perform the recognition operation as described above (in the case of the wafer processing tapes of Examples 1 to 8, the first In the case of the wafer processing tapes of Comparative Examples 1 to 3 in which the cut portion is recognized, the operation of recognizing the laminated portion in which the release film, the adhesive layer, and the adhesive film are laminated) is performed in Examples 1 to 8 and Performed 50 times for each of the wafer processing tapes of Comparative Examples 1 to 3, and investigated the ratio of the number of times the secondary pre-cutting blade was rotated to form the second cut portion at a predetermined position to evaluate the sensor recognizability. It was.
  • Table 1 the number of times of recognition indicates the number of times that the secondary pre-cut blade has rotated and the second cut portion can be formed at a predetermined position, and the success rate is the ratio of the number of times of recognition during 50 recognition operations. (%).
  • the wafer processing tapes of Examples 1 to 8 were able to form the second cut portion in the secondary precut processing 45 to 50 times in 50 recognition operations. That is, the success rate was 90 to 100%. In particular, the wafer processing tapes of Examples 2 to 4 had a success rate of 100%.
  • the success rate was 10%.
  • the release film was broken during the production of the wafer processing tape, and the wafer processing tape could not be manufactured. Therefore, the transmittance A, the transmittance difference C, and the sensor recognizability cannot be measured.
  • the second cut in the secondary precut processing step could be formed only 5 times during the 50 recognition operations. That is, the success rate was 10%.
  • the laminated portion corresponding to the position of the first cut portion (FIG. 1 ( The transmittance A of 600 to 700 nm wavelength of the laminated portion 27b) of c) and the transmittance B of 600 to 700 nm wavelength of the laminated portion (the laminated portion 27a of FIG. 1C) corresponding to the position where there is no first cut portion.
  • the wafer processing tapes 10 according to Examples 1 to 8 formed so that the transmittance difference C was 0.1% or more had good label recognizability and precut processability.
  • the wafer processing tape 10 according to Examples 2 to 4 formed so that the transmittance difference C was 0.6 to 1.3% had good label recognizability and precut processability. .

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Abstract

　接着剤層が薄い（１０μｍ以下の、特に５μｍ以下の）場合であっても、センサ認識性が良好であり、生産性や検査精度が良好であるウエハ加工用テープ及びその製造方法を提供する。　ウエハ加工用テープ１０は、長尺の離型フィルム１１と、接着剤層１２（２２）と、粘着フィルム１３（２３ａ、２３ｂ）とを備えている。離型フィルム１１は、面１１ａにラベル形状接着部２２の外周に沿った環状の第１切り込み部２６が形成されている。この第１切り込み部２６は、離型フィルム１１と粘着フィルム１３（２３ａ）とが積層された積層部において、第１切り込み部２６のある位置に対応した積層部２７ｂの６００～７００ｎｍ波長の透過率Ａ（％）と第１切り込み部２６の無い位置に対応した積層部２７ａの６００～７００ｎｍ波長の透過率Ｂ（％）との透過率差Ｃが、０．１％以上となるように形成されている。

Description

ウエハ加工用テープ及びその製造方法
　本発明は、ウエハ加工用テープ及びその製造方法に関する。特に、粘着フィルムと該粘着フィルム上に設けられた接着剤層とを有するウエハ加工用テープ及びその製造方法に関する。
　近年、半導体ウエハを個々のチップに切断分離（ダイシング）する際に半導体ウエハを固定するために、基材フィルム上に粘着剤層が設けられたウエハ加工用テープが開発されている。また、切断された半導体チップをリードフレーム、パッケージ基板等に接着するためや、スタックドパッケージにおいて半導体チップ同士を積層して接着するために、粘着剤層の上にさらに接着剤層が積層された構造を有するウエハ加工用テープ（ダイシングダイボンディングフィルム）も開発されている（例えば、特許文献１を参照）。
　このようなウエハ加工用テープ（ダイシングダイボンディングフィルム）としては、半導体ウエハへの貼り付けや、ダイシングの際のリングフレームへの取り付け等の作業性を考慮して、プリカット加工が施されたものがある（例えば、特許文献２を参照）。
　プリカット加工が施されたウエハ加工用テープ（ダイシングダイボンディングフィルム）の作製工程は、離型フィルムと接着剤層とからなる接着フィルムの接着剤層に所定の形状（例えば、円形）の第１切り込みを入れて、第１切り込みの外側の不要な接着剤層部分を離型フィルムから剥離して、離型フィルム上に所定の形状の接着剤層が形成された接着フィルムと、粘着剤層と基材フィルムからなる粘着フィルムとを、接着剤層と粘着剤層とが接するように貼り合わせる一次プリカット工程と、粘着フィルムに接着剤層の形状を囲むような所定の形状（例えば、円形）の第２切り込みを入れて、第２切り込みの外側の不要な粘着フィルム部分を接着フィルム（離型フィルム）から剥離して巻き取り、接着フィルム（離型フィルム）上に所定の形状の粘着フィルムを形成する二次プリカット加工の工程と、を備えている。
　上述したようなウエハ加工用テープの作製には、上述した２つの工程（一次プリカット加工工程及び二次プリカット加工工程）を連続して行うことによってウエハ加工用テープを作製する作製方法（第１の作製方法）や、接着剤層に所定の形状（例えば、円形）の第１切り込みを入れて、第１切り込みの外側の不要な接着剤層部分を離型フィルムから剥離して、離型フィルム上に所定の形状の接着剤層が形成された接着フィルムと粘着剤層と基材フィルムからなる粘着フィルムとを、接着剤層と粘着剤層とが接するように貼り合わせる一次プリカット工程を行った接着フィルムをロール状に巻き取り、その後、接着剤層の位置を認識して位置合わせした後二次プリカット加工工程を行うことによってウエハ加工用テープを作製する作製方法（第２の作製方法）がある。
　また、半導体デバイスの高速化、省電力化、小型化等に対応して、半導体装置の微細化や薄膜化が進んでいる。これに伴い、半導体チップの積層数も高積層化が進められており、半導体装置の製造に使用されるウエハ加工用テープにおいて、従来よりも薄い（１０μｍ以下の）接着剤層を有するウエハ加工用テープの需要が高まっている。
　上述したような需要において、二次プリカット加工を行う際に、上述した第１の作製方法では、一次プリカット加工された接着剤層の位置を認識することなく、予め設定された間隔で粘着フィルムに第２切り込みを入れるのに対して、上述した第２の作製方法では、一次プリカット加工された接着剤層の位置を認識した後、該接着剤層の位置に合わせて粘着フィルムに第２切り込みを入れることから、特許文献１や特許文献２に提案されているような、基材フィルムと粘着剤層と接着剤層とがこの順に積層された従来のウエハ加工用テープでは、接着剤層を薄く（１０μｍ以下に）した場合、上述した第２の作製方法では、一次プリカット加工された接着剤層の外周部分を光学センサ（例えば、透過型センサ、反射型センサ）で認識することができないラベル認識性の低下という問題が発生していた。そのため、基材フィルムと粘着剤層とからなる粘着フィルムのプリカット加工（二次プリカット加工）を行う際に、例えば、プリカット刃が作動しなかったりするといった生産性の低下を招いたり、接着剤層の有無や形状検査ができないという検査精度の低下を招いたりするという問題が発生していた。
　このようなセンサ認識性の低下問題を解決するために、光学センサが反応する波長域の範囲内にある光を吸収または反射させる顔料を含有した接着剤層を用いることにより、光学センサに一次プリカット加工された接着剤層の外周部分を認識させる接着シート（接着フィルム）も開発されている（例えば、特許文献３を参照）。
特開２００５－３０３２７５号公報 特開２００６－１１１７２７号公報 特開２００９－０５９９１７号公報
　しかしながら、特許文献３に提案された接着フィルムやこの接着フィルムを用いたウエハ加工用テープでは、接着剤層に顔料を含有することから、接着剤層の接着性が低下し、接着フィルムやこの接着フィルムを用いたウエハ加工用テープの信頼性を低下させてしまうという問題が新たに発生していた。
　そこで、本発明は、以上のような問題点を解決するためになされたもので、接着剤層が薄い（１０μｍ以下の、特に５μｍ以下の）場合であっても、センサ認識性が良好であり、生産性や検査精度が良好であるウエハ加工用テープ及びその製造方法を提供することを目的とする。
　本発明者らは、上記の課題に対して鋭意検討した結果、離型フィルム、接着剤層及び粘着フィルムがこの順に積層されたウエハ加工用テープにおいて、接着剤層を一次プリカットするときに離型フィルムの面に形成される切り込み部を、離型フィルムと粘着フィルムとが積層された積層部における切り込み部のある位置に対応した部分の６００～７００ｎｍ波長の透過率Ａと切り込み部の無い位置に対応した部分の６００～７００ｎｍ波長の透過率Ｂとの透過率差Ｃ（＝Ａ－Ｂ）が、０．１％以上となるように形成することによって、接着剤層が薄い（１０μｍ以下の、特に５μｍ以下の）場合であっても、センサ認識性、生産性や検査精度が良好であることを見出し、本発明を完成した。
　即ち、本発明の第１の態様に係るウエハ加工用テープは、長尺の離型フィルムと、前記離型フィルム上に設けられた所定の平面形状を有する１個以上の接着剤層と、前記接着剤層をそれぞれ覆い、かつ、当該接着剤層の周囲で前記離型フィルムに接触するように設けられた１個以上の粘着フィルムと、を備えるウエハ加工用テープであって、前記離型フィルムは、当該離型フィルムの前記接着剤層が積層された面に、当該接着剤層の外周に沿った環状の切り込み部が形成されており、前記離型フィルムと前記粘着フィルムとが積層された積層部において、前記切り込み部のある位置に対応した前記積層部の６００～７００ｎｍ波長の透過率Ａと前記切り込み部の無い位置に対応した前記積層部の６００～７００ｎｍ波長の透過率Ｂとの透過率差Ｃ（＝Ａ－Ｂ）が、０．１％以上であることを特徴とする。
　なお、６００～７００ｎｍとは、６００ｎｍ以上７００ｎｍ以下のことである。
　本発明の第２の態様に係るウエハ加工用テープは、本発明の第１の態様に係るウエハ加工用テープにおいて、前記透過率差Ｃが０．６～１．３％あることを特徴とする。
　本発明の第３の態様に係るウエハ加工用テープは、本発明の第１または第２の態様に係るウエハ加工用テープにおいて、前記透過率Ａが７５～９５％であることを特徴とする。
　本発明の第４の態様に係るウエハ加工用テープは、本発明の第１乃至第３のいずれか１つの態様に係るウエハ加工用テープにおいて、前記離型フィルム上に前記粘着フィルムの外側を囲むように設けられた、前記粘着フィルムからなる周辺部を備えていることを特徴とする。
　本発明の第１の態様に係るウエハ加工用テープの製造方法は、（ａ）長尺の離型フィルム上に所定の平面形状を有する複数個の接着剤層が設けられ、前記離型フィルムと前記接着剤層とがこの順に積層された接着フィルム上に、前記接着剤層を覆い、かつ、前記接着剤層の周囲で前記離型フィルムに接触するように、粘着フィルムを積層する工程と、（ｂ）前記工程（ａ）によって形成された前記接着フィルムと前記粘着フィルムとから構成される積層体において、前記離型フィルムと前記粘着フィルムとからなる積層部に、前記粘着フィルムの表面から前記離型フィルムに達するまでの、それぞれの前記接着剤層を囲む環状の第２の切り込み部を複数個形成する工程と、を備えるウエハ加工用テープの製造方法であって、前記工程（ａ）の前に、（ｃ）前記離型フィルム上に所定の平面形状を有する複数個の前記接着剤層を設けるときに、当該接着剤層の外周に沿った環状の第１の切り込み部を、前記離型フィルム上に形成する工程を備え、前記工程（ｂ）は、前記離型フィルムと前記粘着フィルムとが積層された前記積層部において、前記切り込み部のある位置に対応した前記積層部の６００～７００ｎｍ波長の透過率Ａと前記離型フィルムと前記切り込み部の無い位置に対応した前記積層部の６００～７００ｎｍ波長の透過率Ｂとの透過率差Ｃ（＝Ａ－Ｂ）に基づいて、前記第１の切り込み部を認識し、認識した前記第１の切り込み部に基づいて前記接着剤層を囲む環状の第２の切り込み部を形成することを特徴とする。
　本発明の第２の態様に係るウエハ加工用テープの製造方法は、本発明の第１の態様に係るウエハ加工用テープの製造方法において、前記工程（ｃ）が、前記透過率差Ｃが０．１％以上となるように前記第１の切り込み部を形成することを特徴とする。
　本発明の第３の態様に係るウエハ加工用テープの製造方法は、本発明の第１の態様に係るウエハ加工用テープの製造方法において、前記工程（ｃ）が、前記透過率差Ｃが０．６～１．３％となるように前記第１の切り込み部を形成することを特徴とする。
　本発明の第４の態様に係るウエハ加工用テープの製造方法は、本発明の第１乃至第３のいずれか１つの態様に係るウエハ加工用テープの製造方法において、前記工程（ｂ）の替わりに、（ｄ）前記工程（ａ）によって形成された前記接着フィルムと前記粘着フィルムとから構成される前記積層体において、前記離型フィルムと前記粘着フィルムとからなる前記積層部に、前記粘着フィルムの表面から前記離型フィルムに達するまでの、それぞれの前記接着剤層を囲む環状の前記第２の切り込み部を複数個形成するとともに、前記第２の切り込み部の外側に第３の切り込み部を形成する工程を備えていることを特徴とする。
　本発明のウエハ加工用テープによれば、接着剤層が薄い（１０μｍ以下の、特に５μｍ以下の）場合であっても、センサ認識性を良好にすることができる。したがって、半導体装置の製造工程において、本発明のウエハ加工用テープを使用することにより、接着剤層が薄い（１０μｍ以下の、特に５μｍ以下の）場合であっても、半導体装置の生産性の低下や検査精度の低下を防止することができる。
（ａ）は、本発明の一実施形態に係るウエハ加工用テープ１０の概観図であり、（ｂ）は、同平面図であり、（ｃ）は、同断面図である。 本発明の第１の実施形態に係るウエハ加工用テープの変形例であるウエハ加工用テープ１０ａの概観図である。 本発明の第１の実施形態に係るウエハ加工用テープの変形例であるウエハ加工用テープ１０ｂの概観図である。 図１のウエハ加工用テープ１０の製造方法を説明するための図である。 図１のウエハ加工用テープ１０の製造方法を説明するための図４に続く図である。
　以下に本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
　図１（ａ）は、本発明の一実施形態に係るウエハ加工用テープ１０の斜視図であり、図１（ｂ）は同平面図、図１（ｃ）は同断面図である。
　図１（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）に示すように、ウエハ加工用テープ１０は、長尺の離型フィルム１１と、接着剤層１２（２２）と、粘着フィルム１３（２３ａ、２３ｂ）とを備えている。また、ウエハ加工用テープ１０は、接着剤層１２（２２）と粘着フィルム１３（２３ａ）とからなるダイシングダイボンディングフィルム２０を構成している。
　接着剤層１２は、離型フィルム１１の面１１ａ上に設けられ、半導体ウエハの形状に対応したラベル形状を有している。ここでは、ラベル形状の例として円形形状を挙げて説明するが、ラベル形状は円形形状に限るものではない。以降、このラベル形状の接着剤層１２をラベル形状接着部２２と呼ぶ。
　離型フィルム１１は、面１１ａにラベル形状接着部２２の外周に沿った環状の第１の切り込み部（以下、第１切り込み部と呼ぶ）２６が形成されている。
　粘着フィルム１３は、ラベル部２３ａと周辺部２３ｂとから構成される。ラベル部２３ａは、ラベル形状接着部２２を覆い、且つ、ラベル形状接着部２２の周囲で離型フィルム１１に接触するように設けられている。このラベル部２３ａは、ダイシング用リングフレームに対応する略円形形状を有する。周辺部２３ｂは、このラベル部２３ａの外側を完全に囲まず、ラベル部２３ａと周辺部２３ｂとの間の露出した離型フィルム１１が連続するように設けられている。
　尚、図１に示したウエハ加工用テープ１０は、周辺部２３ｂが、ラベル部２３ａと周辺部２３ｂとの間の露出した離型フィルム１１が連続するように設けられているが、図２に示すように、周辺部２３ｂが、ラベル部２３ａの外側を完全に囲み、ラベル部２３ａの外周を囲む露出した離型フィルム１１がそれぞれ不連続となるように設けられたウエハ加工用テープ１０ａであっても良い。また、図３に示すように、周辺部２３ｂが存在せず、粘着フィルム１３がラベル部２３ａのみで構成されたウエハ加工用テープ１０ｂであっても良い。
　以下、上述した本実施形態のウエハ加工用テープ１０の各構成要素について詳細に説明する。
（離型フィルム）
　離型フィルム１１は、接着剤層１２の取り扱い性を良くする目的で用いられる。離型フィルム１１は、面１１ａにラベル形状接着部２２の外周に沿った環状の第１切り込み部２６が形成されている。
　離型フィルム１１としては、たとえば、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリブテンフィルム、ポリブタジエンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリ塩化ピニルフィルム、塩化ビニル共重合体フィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリブチレンテレフタレートフィルム、ポリウレタンフィルム、エチレン・酢酸ビニル共重合体フィルム、アイオノマー樹脂フィルム、エチレン・（メタ）アクリル酸共重合体フィルム、エチレン・（メタ）アクリル酸エステル共重合体フィルム、ポリスチレンフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリイミドフィルム、フッ素樹脂フィルム等が用いられる。またこれらの架橋フィルムも用いられる。さらにこれらの積層フィルムであってもよい。
　離型フィルム１１の表面張力は、４０ｍＮ／ｍ以下であることが好ましく、３５ｍＮ／ｍ以下であることがより好ましい。このような表面張力の低い離型フィルム１１は、材質を適宜に選択して得ることが可能であり、またフィルムの表面にシリコーン樹脂等を塗布して離型処理を施すことで得ることもできる。
　離型フィルム１１の膜厚は、通常は５～３００μｍ、好ましくは１０～２００μｍ、特に好ましくは２０～１５０μｍ程度である。
　離型フィルム１１の面１１ａに形成された第１切り込み部２６は、離型フィルム１１と粘着フィルム１３（２３ａ）とが積層された積層部において、第１切り込み部２６がある積層部２７ｂの６００～７００ｎｍ波長の透過率Ａ（％）と第１切り込み部２６の無い積層部２７ａの６００～７００ｎｍ波長の透過率Ｂ（％）との透過率差Ｃ（＝Ａ－Ｂ）が、０．１％以上となるように形成されている。より好ましくは、第１切り込み部２６は、透過率差Ｃが０．６～１．３％となるように形成されることである。これは、透過率差Ｃが０．１％未満であると、十分なセンサ認識性を得られないためである。
　透過率Ａ、Ｂ（％）の測定方法は特に限定されない。透過率Ａ、Ｂ（％）の測定光は、６００～７００ｎｍの範囲であれば、同じ波長でもよいし異なる波長でもよいが、透過率Ａ（％）の測定光と透過率Ｂ（％）の測定光を同じ波長に設定し、透過率Ａ、Ｂ（％）を同波長の光の透過率とすることが好ましい。
　また、透過率Ａが７５～９５％となるように形成されることが更に好ましい。これは、透過率Ａが７５％未満または９５％より大きいと十分なセンサ認識性が得られないためである。
　後述するように基材フィルムに粘着剤層が設けた粘着フィルム１３においては、透過率Ｂは、基材フィルムの種類と厚さによって決まり、透過率差Ｃは、切り込み深さによって決まるが、どれくらい切り込めば０．１％以上になるかは、基材フィルムの種類と厚さによって異なる。より詳細には、基材フィルムの透過率は、見た目で透明に近いほど透過率が高く、有色のものほど透過率が低い。また、同じ材料の離型フィルム１１でも、シボ面に粘着剤を塗工した粘着フィルム１３は透過率が高くなり、鏡面に粘着剤を塗工した粘着フィルム１３は透過率が低くなる。また、基材フィルムが厚いほど透過率が低い。そして、透過率差Ｃを０．１％以上とするには、透過率Ｂが高い場合ほど、離型フィルム１１に対して深く切り込む必要がある。そのため、離型フィルム１１の全厚みに対する第１切り込み部２６の深さの割合をＤとしたとき、割合Ｄが１３～９２％となるように第１切り込み部２６を形成すると良い。
　ここで、割合Ｄが１３％未満では、製造性が不安定になるためである。また、十分なセンサ認識性を得られないためである。尚、製造性が不安定であるとは、接着剤層１２を一次プリカットしてラベル形状接着部２２を形成するとき、一次プリカットが不十分で、ラベル形状接着部２２以外の不要な接着剤層１２の部分を巻き上げる時に、ラベル形状接着部２２の部分まで巻き上げてしまうこと等により、ウエハ加工用テープ１０の製造ができなくなってしまう場合があることを意味する。
　また、割合Ｄが９２％よりも大きいと、良好なセンサ認識性は得られるが、一次プリカット後のウエハ加工用テープ１０の製造工程や、半導体装置の製造等のウエハ加工用テープ１０を使用する作業工程において、離型フィルム１１の破断が発生して、様々な不具合が発生するためである。例えば、一次プリカット後のウエハ加工用テープ１０の製造の各巻き取り工程（スリット、二次プリカット）では、幅寸法ズレによって再条件出しをしなければならないスリット不具合や、離型フィルム１１の破断によって短尺製品となるために何度も継ぎ作業や再条件出しをしなければならない巻き取り不具合が発生してしまう。また、例えば、半導体装置の製造における半導体ウエハとダイシングダイボンディングフィルム２０との貼合工程で破断が生じた場合、離型フィルム１１が半導体ウエハとダイシングダイボンディングフィルム２０の間に巻き込まれて貼り合わされてしまったりして全自動装置の停止が生じるため、再線通し作業が必要になってしまうという不具合が発生してしまう。
　（接着剤層）
　接着剤層１２は、半導体ウエハ等が貼合されダイシングされた後、半導体チップをピックアップする際に、半導体チップ裏面に付着しており、チップを基板やリードフレームに固定する際の接着剤として使用されるものである。
　接着剤層１２としては、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエステルイミド樹脂、フェノキシ樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエーテルケトン樹脂、塩素化ポリプロピレン樹脂、アクリル樹脂、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、メラミン樹脂等やその混合物を使用することができる。
　ポリマーとして、エポキシ基含有アクリル共重合体を使用することが好ましい。このエポキシ基含有アクリル共重合体は、エポキシ基を有するグリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレートを０．５～６質量％含む。半導体ウエハとの高い接着力を得るためには、０．５質量％以上が好ましく、６質量％以下であればゲル化を抑制できる。上記エポキシ基含有アクリル共重合体のガラス転移温度（Ｔｇ）としては、－１０℃以上３０℃以下であることが好ましい。
　官能基モノマーとして用いるグリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレートの量は０．５～６質量％の共重合体比であるが、その残部はメチルアクリレート、メチルメタクリレートなどの炭素数１～８のアルキル基を有するアルキルアクリレート、アルキルメタクリレート、およびスチレンやアクリロニトリルなどの混合物を用いることができる。これらの中でもエチル（メタ）アクリレート及び／又はブチル（メタ）アクリレートが特に好ましい。混合比率は、共重合体のガラス転移温度（Ｔｇ）を考慮して調整することが好ましい。重合方法は特に制限が無く、例えば、パール重合、溶液重合等が挙げられ、これらの方法により共重合体が得られる。このようなエポキシ基含有アクリル共重合体としては、例えば、ＨＴＲ－８６０Ｐ－３（ナガセケムテックス株式会社製、商品名）が挙げられる。
　アクリル系共重合体の重量平均分子量は、５万以上、特に２０万～１００万の範囲にあるのが好ましい。分子量が低すぎるとフィルム形成が不十分となり、高すぎると他の成分との相溶性が悪くなり、結果としてフィルム形成が妨げられる。
　熱硬化性成分としてエポキシ樹脂を用いる場合には、硬化剤として、たとえば、フェノール系樹脂を使用できる。フェノール系樹脂としては、アルキルフェノール、多価フェノール、ナフトール等のフェノール類とアルデヒド類との縮合物等が特に制限されることなく用いられる。これらのフェノール系樹脂に含まれるフェノール性水酸基は、エポキシ樹脂のエポキシ基と加熱により容易に付加反応して、耐衝撃性の高い硬化物を形成できる。
　フェノール系樹脂には、フェノールノボラック樹脂、ｏ－クレゾールノボラック樹脂、ｐ－クレゾールノボラック樹脂、ｔ－ブチルフェノールノボラック樹脂、ジシクロペンタジエンクレゾール樹脂、ポリパラビニルフェノール樹脂、ビスフェノールＡ型ノボラック樹脂、あるいはこれらの変性物等が好ましく用いられる。
　その他、硬化剤として、熱活性型潜在性エポキシ樹脂硬化剤を使用することもできる。この硬化剤は、室温ではエポキシ樹脂と反応せず、ある温度以上の加熱により活性化し、エポキシ樹脂と反応するタイプの硬化剤である。
　活性化方法としては、加熱による化学反応で活性種（アニオン、カチオン）を生成する方法、室温付近ではエポキシ樹脂中に安定に分散しており高温でエポキシ樹脂と相溶・溶解し、硬化反応を開始する方法、モレキュラーシーブ封入タイプの硬化剤により高温で溶出して硬化反応を開始する方法、マイクロカプセルによる方法等が存在する。
　熱活性型潜在性エポキシ樹脂硬化剤としては、各種のオニウム塩や、二塩基酸ジヒドラジド化合物、ジシアンジアミド、アミンアダクト硬化剤、イミダゾール化合物等の高融点活性水素化合物等を挙げることができる。
　熱硬化性成分としてエポキシ樹脂を用いる場合には、助剤として硬化促進剤等を使用することもできる。本発明に用いることができる硬化促進剤としては特に制限が無く、例えば、第三級アミン、イミダゾール類、第四級アンモニウム塩などを用いることができる。本発明において好ましく使用されるイミダゾール類としては、例えば、２－メチルイミダゾール、２－エチル－４－メチルイミダゾール、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾール、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾリウムトリメリテート等が挙げられ、これらは１種又は２種以上を併用することもできる。イミダゾール類は、例えば、四国化成工業（株）から、２Ｅ４ＭＺ，２ＰＺ－ＣＮ，２ＰＺ－ＣＮＳという商品名で市販されている。
　また、フィラーを配合してもよい。フィラーとしては、結晶シリカ、合成シリカ等のシリカや、アルミナ、ガラスバルーン等の無機フィラーがあげられる。硬化性保護膜形成層２に無機フィラーを添加することにより、硬化後の保護膜の硬度を向上させることができる。また、硬化後の保護膜の熱膨張係数をウエハの熱膨張係数に近づけることができ、これによって加工途中の半導体ウエハの反りを低減することができる。フィラーとしては合成シリカが好ましく、特に半導体装置の誤作動の要因となるα線の線源を極力除去したタイプの合成シリカが最適である。フィラーの形状としては、球形、針状、無定型タイプのものいずれも使用可能であるが、特に最密充填の可能な球形のフィラーが好ましい。
　さらに、異種材料間の界面結合をよくするために、カップリング剤を配合することもできる。カップリング剤としてはシランカップリング剤が好ましい。シランカップリング剤としては、γ－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ－メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ－アミノプロピルトリエトキシシラン、γ－ウレイドプロピルトリエトキシシラン、Ｎ－β－アミノエチル－γ－アミノプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。カップリング剤の配合量は、添加による効果や耐熱性およびコストから、分散相と連続相のそれぞれを形成する組成物の合計１００重量部に対し０．１～１０重量部を添加するのが好ましい。
　また、ワニス化の溶剤は、比較的低沸点の、メチルエチルケトン、アセトン、メチルイソブチルケトン、２－エトキシエタノール、トルエン、ブチルセロソルブ、メタノール、エタノール、２－メトキシエタノールなどを用いるのが好ましい。また、塗膜性を向上するなどの目的で、高沸点溶剤を加えても良い。高沸点溶剤としては、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、メチルピロリドン、シクロヘキサノン等が挙げられる。
　接着剤層１２の厚さは適宜設定してよいが、５～１００μｍ程度が好ましい。
　接着剤層１２の破断強度を高めるには、ポリマーを多くし、フィラーを少なくし、エポキシ樹脂（固形）を少なくすることが有効である。また、接着剤層１２の離型フィルム１１からの剥離力を下げるには、ポリマーを少なくし、エポキシ樹脂（液状）を少なくすることが有効である。
　（粘着フィルム）
　粘着フィルム１３としては、特に制限はなく、半導体ウエハをダイシングする際には半導体ウエハが剥離しないように十分な粘着力を有し、ダイシング後にチップをピックアップする際には容易に接着剤層１２から剥離できるよう低い粘着力を示すものであればよい。例えば、基材フィルムに粘着剤層を設けたものを好適に使用できる。
　粘着フィルム１３の基材フィルムとしては、従来公知のものであれば特に制限することなく使用することができるが、後述の粘着剤層として放射線硬化性の材料を使用する場合には、放射線透過性を有するものを使用することが好ましい。
　例えば、その材料として、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン－プロピレン共重合体、ポリブテン－１、ポリ－４－メチルペンテン－１、エチレン－酢酸ビニル共重合体、エチレン－アクリル酸エチル共重合体、エチレン－アクリル酸メチル共重合体、エチレン－アクリル酸共重合体、アイオノマーなどのα－オレフィンの単独重合体または共重合体あるいはこれらの混合物、ポリウレタン、スチレン－エチレン－ブテンもしくはペンテン系共重合体、ポリアミド－ポリオール共重合体等の熱可塑性エラストマー、およびこれらの混合物を列挙することができる。また、基材フィルムはこれらの群から選ばれる２種以上の材料が混合されたものでもよく、これらが単層又は複層化されたものでもよい。
　基材フィルムの厚さは、特に限定されるものではなく、適宜に設定してよいが、５０～２００μｍが好ましい。
　粘着フィルム１３の粘着剤層に使用される樹脂としては、特に限定されるものではなく、粘着剤に使用される公知の塩素化ポリプロピレン樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂等を使用することができる。
　粘着剤層の樹脂には、アクリル系粘着剤、放射線重合性化合物、光重合開始剤、硬化剤等を適宜配合して粘着剤を調製することが好ましい。粘着剤層の厚さは特に限定されるものではなく適宜に設定してよいが、５～３０μｍが好ましい。
　放射線重合性化合物を粘着剤層に配合して放射線硬化により接着剤層１２から剥離しやすくすることができる。その放射線重合性化合物は、例えば光照射によって三次元網状化しうる分子内に光重合性炭素－炭素二重結合を少なくとも２個以上有する低分子量化合物が用いられる。
　具体的には、トリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、１，４－ブチレングリコールジアクリレート、１，６ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレートや、オリゴエステルアクリレート等が適用可能である。
　また、上記のようなアクリレート系化合物のほかに、ウレタンアクリレート系オリゴマーを用いることもできる。ウレタンアクリレート系オリゴマーは、ポリエステル型またはポリエーテル型などのポリオール化合物と、多価イソシアナート化合物（例えば、２，４－トリレンジイソシアナート、２，６－トリレンジイソシアナート、１，３－キシリレンジイソシアナート、１，４－キシリレンジイソシアナート、ジフェニルメタン４，４－ジイソシアナートなど）を反応させて得られる末端イソシアナートウレタンプレポリマーに、ヒドロキシル基を有するアクリレートあるいはメタクリレート（例えば、２－ヒドロキシエチルアクリレート、２－ヒドロキシエチルメタクリレート、２－ヒドロキシプロピルアクリレート、２－ヒドロキシプロピルメタクリレート、ポリエチレングリコールアクリレート、ポリエチレングリコールメタクリレートなど）を反応させて得られる。
　粘着剤層には、上記の樹脂から選ばれる２種以上が混合されたものでもよい。
　光重合開始剤を使用する場合、例えばイソプロピルベンゾインエーテル、イソブチルベンゾインエーテル、ベンゾフェノン、ミヒラーズケトン、クロロチオキサントン、ドデシルチオキサントン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、ベンジルジメチルケタール、α－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２－ヒドロキシメチルフェニルプロパン等を使用することができる。これら光重合開始剤の配合量はアクリル系共重合体１００質量部に対して０．０１～５質量部が好ましい。
　上述した本発明の一実施形態に係るウエハ加工用テープ１０（１０ａ、１０ｂ）は、接着剤層１２が薄い（１０μｍ以下の、特に５μｍ以下の）場合であっても、第１切り込み部２６により、接着剤層１２（ラベル形状接着部２２）の外周部分をセンサで認識することができる。即ち、上述した本発明の一実施形態に係るウエハ加工用テープ１０（１０ａ、１０ｂ）は、接着剤層１２が薄い（１０μｍ以下の、特に５μｍ以下の）場合であっても、センサ認識性を良好にすることができる。したがって、半導体装置の製造工程において、本発明の一実施形態に係るウエハ加工用テープ１０（１０ａ、１０ｂ）を使用することにより接着剤層１２が薄い（１０μｍ以下の、特に５μｍ以下の）場合であっても、粘着フィルム１３のプリカット加工を行う際に、例えば、プリカット刃が作動しなかったりするといった生産性の低下や、接着剤層の有無や形状検査ができないという検査精度の低下を防止することができる。
　次に、図１（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）に示した本発明の一実施形態に係るウエハ加工用テープ１０を製造するための本発明の一実施形態に係るウエハ加工用テープの製造方法について説明する。
　図４及び図５は、本発明のウエハ加工用テープ１０を製造するための本発明の一実施形態に係るウエハ加工用テープの製造方法を説明するための図である。
　図４に示すように、まず、プリカット刃（図示せず）を用いて、長尺の離型フィルム１１上に接着剤層１２が積層された第１積層体２５に、接着剤層１２の表面１２ａから離型フィルム１１に達するまでの環状の第１切り込み部２６を形成する（ステップ１：Ｓ１）。ここで、プリカット刃の替わりに金型を用いて、第１切り込み部２６を形成するように打ち抜き加工を施しても良い。
　このとき、第１切り込み部２６は、後述のステップ３乃至５において形成される離型フィルム１１と粘着フィルム１３（２３ａ）とが積層された積層部において、第１切り込み部２６がある積層部２７ｂの６００～７００ｎｍ波長の透過率Ａと第１切り込み部２６の無い積層部２７ａの６００～７００ｎｍ波長の透過率Ｂとの透過率差Ｃが、０．１％以上となるように形成する。好ましくは、第１切り込み部２６は、透過率差Ｃが０．６～１．３％となるように形成する。また、透過率Ａが７５～９５％となるように形成することが更に好ましい。
　尚、透過率差Ｃを０．１％以上にするためには、離型フィルム１１の全厚みに対する第１切り込み部２６の深さの割合をＤとしたとき、割合Ｄが１３～９２％となるように形成すると良い。透過率Ｂは、基材フィルムの種類と厚さによって決まり、透過率差Ｃは、切り込み深さによって決まるが、どれくらい切り込めば０．１％以上になるかは、基材フィルムの種類と厚さによって異なる。より詳細には、基材フィルムの透過率Ｂは、見た目で透明に近いほど透過率が高く、有色のものほど透過率が低い。また、同じ材料の離型フィルム１１でも、シボ面に粘着剤を塗工した粘着フィルム１３は透過率が高くなり、鏡面に粘着剤を塗工した粘着フィルム１３は透過率が低くなる。また、基材フィルムが厚いほど透過率が低い。そのため、透過率差Ｃを０．１％以上とするには、透過率Ｂが高い場合ほど、離型フィルム１１に対して深く切り込む必要がある。
　次に、第１切り込み部２６の外側の不要な接着剤層１２を離型フィルム１１から剥離して除去し、ラベル形状の接着剤層１２であるラベル形状接着部２２のみを離型フィルム１１上に残した状態にする（ステップ２：Ｓ２）。
　次に、ラベル形状接着部２２及び露出している離型フィルム１１の全面を覆うように、粘着フィルム１３を積層した第２積層体２７を形成する（ステップ３：Ｓ３）。
　次に、図５に示すように、第２積層体２７の離型フィルム１１と粘着フィルム１３とからなる積層部２７ｃに、プリカット刃（図示せず）を用いて、粘着フィルム１３の表面１３ａから離型フィルム１１に達するまでの、ラベル形状接着部２２を囲む環状の第２切り込み部２８と、第２切り込み部２８の外側に該第２切り込み部２８を完全に囲まない第３切り込み部２９とを形成する（ステップ４：Ｓ４）。
　尚、第２切り込み部２８を形成するとき、離型フィルム１１と粘着フィルム１３とが積層された積層部２７ｃにおいて、第１切り込み部２６のある位置に対応した積層部２７ｂの６００～７００ｎｍ波長の透過率Ａと第１切り込み部２６の無い位置に対応した積層部２７ａの６００～７００ｎｍ波長の透過率Ｂとの透過率差Ｃ（＝Ａ－Ｂ）に基づいて、第１切り込み部２６を認識し、認識した第１切り込み部２６に基づいてラベル形状接着部２２を囲む環状の第２切り込み部２８を形成する。
　ここで、プリカット刃の替わりに金型を用いて、第２切り込み部２８及び第３切り込み部２９を形成するように打ち抜き加工を施しても良い。また、第２切り込み部２８の形成と第３切り込み部２９の形成を同時に行っているが、別々に形成しても良い。またそのとき、形成順はどちらが先であっても良い。尚、ウエハ加工用テープ１０ａ（図２参照）に示したような周辺部２３ｂがラベル部２３ａの外側を完全に囲む形態の場合は、第３切り込み部２９を、第２切り込み部２８を囲む環状の切り込み部となるように形成する。また、ウエハ加工用テープ１０ｂ（図３参照）に示したような周辺部２３ｂのない形態の場合は、第３切り込み部２９を形成せず、第２切り込み部２８のみを形成する。
　次に、第２切り込み部２８と第３切り込み部２９の間の不要な粘着フィルム１３を離型フィルム１１から剥離して除去し、粘着フィルム１３からなるラベル部２３ａと周辺部２３ｂを形成する（ステップ５：Ｓ５）。これにより、ラベル形状接着部２２とラベル部２３ａとからなる、即ち、接着剤層１２と粘着フィルム１３とからなるダイシングダイボンディングフィルム２０を有するウエハ加工用テープ１０を形成する。
　尚、ウエハ加工用テープ１０ｂ（図３参照）に示したような周辺部２３ｂのない形態の場合は、第２切り込み部２８の外側の不要な粘着フィルム１３を離型フィルム１１から剥離して除去し、粘着フィルム１３からなるラベル部２３ａのみを形成する。
（実施例）
　次に、本発明の実施例について説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
（接着剤層の形成）
　エポキシ樹脂としてクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量１９７、分子量１２００、軟化点７０℃）５０質量部、シランカップリング剤としてγ－メルカプトプロピルトリメトキシシラン１．５質量部、γ－ウレイドプロピルトリエトキシシラン３質量部、平均粒径１６ｎｍのシリカフィラー３０質量部からなる組成物に、シクロヘキサノンを加えて攪拌混合し、更にビーズミルを用いて９０分混練した。
　これにアクリル樹脂（質量平均分子量：８０万、ガラス転移温度－１７℃）１００質量部、６官能アクリレートモノマーとしてジペンタエリスリトールヘキサアクリレート５質量部、硬化剤としてヘキサメチレンジイソシアネートのアダクト体０．５質量部、キュアゾール２ＰＺ（四国化成（株）製商品名、２－フェニルイミダゾール）２．５質量部を加え、攪拌混合し、真空脱気し、接着剤を得た。
　上記接着剤を厚さ３８μｍの離型フィルム上に塗布し、１１０℃で１分間加熱乾燥して、膜厚が５μｍのＢステージ状態（熱硬化性樹脂の硬化中間状態）の塗膜を形成し、離型フィルム上に接着剤層を形成し、冷蔵保管した。
（粘着フィルムの形成）
　溶媒のトルエン４００ｇ中に、ｎ－ブチルアクリレート１２８ｇ、２－エチルヘキシルアクリレート３０７ｇ、メチルメタアクリレート６７ｇ、メタクリル酸１．５ｇ、重合開始剤としてベンゾイルペルオキシドの混合液を、適宜、滴下量を調整し、反応温度および反応時間を調整し、官能基をもつ化合物（１）の溶液を得た。
　次にこのポリマー溶液に、放射線硬化性炭素－炭素二重結合および官能基を有する化合物（２）として、別にメタクリル酸とエチレングリコールから合成した２－ヒドロキシエチルメタクリレート２．５ｇ、重合禁止剤としてハイドロキノンを、適宜滴下量を調整して加え、反応温度および反応時間を調整して、放射線硬化性炭素－炭素二重結合を有する化合物（Ａ）の溶液を得た。続いて、化合物（Ａ）溶液中の化合物（Ａ）１００質量部に対してポリイソシアネート（Ｂ）として日本ポリウレタン社製：コロネートＬを１質量部加え、光重合開始剤として日本チバガイギー社製：イルガキュアー１８４を０．５質量部、溶媒として酢酸エチル１５０質量部を化合物（Ａ）溶液に加えて混合して、放射線硬化性の粘着剤組成物を調製した。
　続いて、調製した粘着剤層組成物を基材フィルムに乾燥膜厚が２０μｍになるように塗工し、１１０℃で３分間乾燥し、粘着フィルムを作製した。尚、粘着フィルムとして、基材フィルムの異なる４種類の粘着フィルム１３Ａ～１３Ｄを作製した。
　粘着フィルム１３Ａは、基材フィルムとして、厚さ１００μｍのエチレン－酢酸ビニル共重合体基材フィルムを使用した粘着フィルムである。また、粘着フィルム１３Ｂは、基材フィルムとして、厚さ１１０μｍの高密度ポリエチレンフィルムを使用した粘着フィルムである。また、粘着フィルム１３Ｃは、基材フィルムとして、厚さ１００μｍの高密度ポリエチレンフィルムを使用した粘着フィルムである。また、粘着フィルム１３Ｄは、基材フィルムとして、厚さ１００μｍの高密度ポリエチレン層とランダムコポリマーのポリプロピレン、スチレン・ブタジエン共重合体層との２層構成からなる基材フィルムを使用した粘着フィルムである。
（実施例１～８に係るウエハ加工用テープの形成）
　冷蔵保管していた上述の膜厚が５μｍの接着剤層が形成された厚さ３８μｍの離型フィルムを常温に戻し、接着剤層の表面から離型フィルムへ達するように第１切り込み部を形成して直径２２０ｍｍの円形プリカット加工を行った（一次プリカット加工）。その後、接着剤層の不要部分を除去し、粘着フィルムと室温でラミネートした。次いで、貼り合わせた接着剤層の外側の粘着フィルムに対して、離型フィルムへ達するように第２切り込み部を形成して接着剤層と同心円状（ウエハリングフレーム形状に合わせた形状）に直径２９０ｍｍの円形プリカット加工を試みた（二次プリカット加工）。こうして実施例１～８に係るウエハ加工用テープの作製を試みた。
　尚、二次プリカット加工を試みる際に、離型フィルムと粘着フィルムとが積層された積層部において、光学センサを用いて、第１切り込み部のある位置に対応した積層部（図１（ｃ）の積層部２７ｂ）の６００～７００ｎｍ波長の透過率Ａと第１切り込み部の無い位置に対応した積層部（図１（ｃ）の積層部２７ａ）の６００～７００ｎｍ波長の透過率Ｂとの透過率差Ｃに基づいて第１切り込み部を認識し、認識した第１切り込み部に基づいて粘着フィルムを接着剤層と同心円状に直径２９０ｍｍの円形プリカット加工を試みた。光学センサとしては、２９０～８５０ｎｍの波長域にある光に対して検知可能なものであれば、特に限定されない。
（比較例１～３に係るウエハ加工用テープの形成）
　比較例１～３に係るウエハ加工用テープは、上述した実施例１～８に係るウエハ加工用テープの形成と同様にして作製を試みた。また、二次プリカット加工を試みる際の認識方法も、上述した実施例１～８に係るウエハ加工用テープにおける二次プリカット加工を試みる際の認識方法と同様である。
　作製した実施例１～８及び比較例１～３に係るウエハ加工用テープについて、センサ認識性の評価を行った。実施例１～８に係るウエハ加工用テープについてのセンサ認識性の評価の結果を表１に示し、比較例１～３に係るウエハ加工用テープについてのセンサ認識性の評価の結果を表２に示した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
　実施例１～５に係るウエハ加工用テープは、粘着フィルムとして上記の粘着フィルム１３Ａを用いて、一次プリカット加工の際の離型フィルムに形成される第１切り込み部の深さを、プリカット刃の押し込み圧力（クリアランス）を変更することにより透過率を調整したウエハ加工用テープである。
　実施例６及び７に係るウエハ加工用テープは、実施例６では粘着フィルムとして上記の粘着フィルム１３Ｃを用いて、実施例７では粘着フィルムとして上記の粘着フィルム１３Ｄを用いて、透過率を調整したウエハ加工用テープである。
　実施例８に係るウエハ加工用テープは、粘着フィルムとして上記の粘着フィルム１３Ｂを用い、更に、一次プリカット加工の際の離型フィルムに形成される第１切り込み部の深さを、プリカット刃の押し込み圧力（クリアランス）を変更して浅めに加工することによって透過率を調整したウエハ加工用テープである。
　比較例１に係るウエハ加工用テープは、粘着フィルムとして上記の粘着フィルム１３Ｄを用い、更に、一次プリカット加工の際の離型フィルムに形成される第１切り込み部の深さを、プリカット刃の押し込み圧力（クリアランス）を変更して浅めに加工することによって透過率を調整したウエハ加工用テープである。
　比較例２に係るウエハ加工用テープは、粘着フィルムとして上記の粘着フィルム１３Ａを用いて、一次プリカット加工の際の離型フィルムに形成される第１切り込み部の深さを、プリカット刃の押し込み圧力（クリアランス）を変更することにより透過率を調整したウエハ加工用テープである。
　比較例３に係るウエハ加工用テープは、粘着フィルムとして上記の粘着フィルム１３Ｂを用い、更に、一次プリカット加工の際の離型フィルムに形成される第１切り込み部の深さを、プリカット刃の押し込み圧力（クリアランス）を変更して深めに加工することによって透過率を調整したウエハ加工用テープである。
＜透過率の測定＞
　島津製作所製分光光度計ＵＶ３１０１ＰＣを用いて、離型フィルムと粘着フィルムとが積層された積層部において、第１切り込み部がある積層部の透過率Ａ（％）と第１切り込み部２の無い積層部の透過率Ｂ（％）とを、実施例１～８及び比較例１～３に係るウエハ加工用テープについて測定した。尚、測定した透過率は６００～７００ｎｍ波長の透過率である。
＜離型フィルムの全厚みに対する第１切り込み部の深さの割合Ｄ（％）の測定＞
　一次プリカットによって離型フィルムに付けられた第１切り込み部を適当なサイズに切り出し、これをエポキシ系樹脂等の樹脂で埋め固め、凝固した同樹脂に埋め込まれた状態の供試片を研磨して、光学顕微鏡等を用いて第１切り込み部の深さを測定観察した。その後、測定した第１切り込み部の深さと離型フィルムの全厚さとから割合Ｄを算出した。
＜センサ認識性の評価＞
　実施例１～８及び比較例１～３のウエハ加工用テープを作製する際に光学センサを用いて、上述したような認識作業（実施例１～８のウエハ加工用テープの場合は、第１切り込み部を認識し、比較例１～３のウエハ加工用テープの場合は、離型フィルムと接着剤層と粘着フィルムとが積層された積層部を認識する作業）を、実施例１～８及び比較例１～３のウエハ加工用テープにおいてそれぞれ５０回行い、二次プリカット刃が回転して、所定の位置に第２切り込み部を形成できた回数の割合を調べ、センサ認識性の評価を行った。ここで、表１において、認識回数は、二次プリカット刃が回転して、所定の位置に第２切り込み部を形成できた回数を示し、成功率は、認識作業５０回中の認識回数の割合（％）を示したものである。
　表１に示すように、実施例１～８のウエハ加工用テープは、５０回の認識作業において、二次プリカット加工における第２切り込み部を４５～５０回形成することができた。即ち、成功率が９０～１００％であった。特に、実施例２～４のウエハ加工用テープは成功率が１００％であった。
　一方、表２に示すように、比較例１のウエハ加工用テープでは、５０回の認識作業中５回しか、二次プリカット加工工程における第２切り込みを形成することできなかった。即ち、成功率が１０％であった。比較例２のウエハ加工用テープでは、ウエハ加工用テープの製造途中で離型フィルムの破断が発生して、ウエハ加工用テープを製造することができなかった。そのため、透過率Ａ、透過率差Ｃ及びセンサ認識性の評価を測定することができなかった。比較例３のウエハ加工用テープでは、５０回の認識作業中５回しか、二次プリカット加工工程における第２切り込みを形成することできなかった。即ち、成功率が１０％であった。
　以上の結果から、接着剤層の厚さが５μｍの場合であっても、離型フィルムと粘着フィルムとが積層された積層部において、第１切り込み部の位置に対応した積層部（図１（ｃ）の積層部２７ｂ）の６００～７００ｎｍ波長の透過率Ａと第１切り込み部の無い位置に対応した積層部（図１（ｃ）の積層部２７ａ）の６００～７００ｎｍ波長の透過率Ｂとの透過率差Ｃが、０．１％以上となるように形成した実施例１～８に係るウエハ加工用テープ１０は、ラベル認識性及びプリカット加工性が良好であることがわかった。特に、透過率差Ｃが０．６～１．３％となるように形成した実施例２～４に係るウエハ加工用テープ１０は、ラベル認識性及びプリカット加工性が良好であることがわかった。
１０、１０ａ、１０ｂ：ウエハ加工用テープ
１１：離型フィルム
１２：接着剤層
１３：粘着フィルム
２０：ダイシングダイボンディングフィルム
２２：ラベル形状接着部
２３ａ：ラベル部
２３ｂ：周辺部
２５：第１積層体
２６：第１切り込み部
２７：第２積層体
２８：第２切り込み部
２９：第３切り込み部

Claims (8)

  1. 　長尺の離型フィルムと、
    　前記離型フィルム上に設けられた所定の平面形状を有する１個以上の接着剤層と、
    　前記接着剤層をそれぞれ覆い、かつ、当該接着剤層の周囲で前記離型フィルムに接触するように設けられた１個以上の粘着フィルムと、
    を備えるウエハ加工用テープであって、
    　前記離型フィルムは、当該離型フィルムの前記接着剤層が積層された面に、当該接着剤層の外周に沿った環状の切り込み部が形成されており、
    　前記離型フィルムと前記粘着フィルムとが積層された積層部において、前記切り込み部のある位置に対応した前記積層部の６００～７００ｎｍ波長の透過率Ａと前記切り込み部の無い位置に対応した前記積層部の６００～７００ｎｍ波長の透過率Ｂとの透過率差Ｃ（＝Ａ－Ｂ）が、０．１％以上であることを特徴とするウエハ加工用テープ。
  2. 　前記透過率差Ｃが０．６～１．３％であることを特徴とする請求項１に記載のウエハ加工用テープ。
  3. 　前記透過率Ａが７５～９５％であることを特徴とする請求項１または２に記載のウエハ加工用テープ。
  4. 　前記離型フィルム上に前記粘着フィルムの外側を囲むように設けられた、前記粘着フィルムからなる周辺部を備えていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のウエハ加工用テープ。
  5. 　（ａ）長尺の離型フィルム上に所定の平面形状を有する複数個の接着剤層が設けられ、前記離型フィルムと前記接着剤層とがこの順に積層された接着フィルム上に、前記接着剤層を覆い、かつ、前記接着剤層の周囲で前記離型フィルムに接触するように、粘着フィルムを積層する工程と、
    　（ｂ）前記工程（ａ）によって形成された前記接着フィルムと前記粘着フィルムとから構成される積層体において、前記離型フィルムと前記粘着フィルムとからなる積層部に、前記粘着フィルムの表面から前記離型フィルムに達するまでの、それぞれの前記接着剤層を囲む環状の第２の切り込み部を複数個形成する工程と、
    を備えるウエハ加工用テープの製造方法であって、
    　前記工程（ａ）の前に、
    　（ｃ）前記離型フィルム上に所定の平面形状を有する複数個の前記接着剤層を設けるときに、当該接着剤層の外周に沿った環状の第１の切り込み部を、前記離型フィルム上に形成する工程を備え、
    　前記工程（ｂ）は、前記離型フィルムと前記粘着フィルムとが積層された前記積層部において、前記切り込み部のある位置に対応した前記積層部の６００～７００ｎｍ波長の透過率Ａと前記離型フィルムと前記切り込み部の無い位置に対応した前記積層部の６００～７００ｎｍ波長の透過率Ｂとの透過率差Ｃ（＝Ａ－Ｂ）に基づいて、前記第１の切り込み部を認識し、認識した前記第１の切り込み部に基づいて前記接着剤層を囲む環状の第２の切り込み部を形成することを特徴とするウエハ加工用テープの製造方法。
  6. 　前記工程（ｃ）は、前記透過率差Ｃが０．１％以上となるように前記第１の切り込み部を形成することを特徴とする請求項５に記載のウエハ加工用テープの製造方法。
  7. 　前記工程（ｃ）は、前記透過率差Ｃが０．６～１．３％となるように前記第１の切り込み部を形成することを特徴とする請求項５に記載のウエハ加工用テープの製造方法。
  8. 　前記工程（ｂ）の替わりに、（ｄ）前記工程（ａ）によって形成された前記接着フィルムと前記粘着フィルムとから構成される前記積層体において、前記離型フィルムと前記粘着フィルムとからなる前記積層部に、前記粘着フィルムの表面から前記離型フィルムに達するまでの、それぞれの前記接着剤層を囲む環状の前記第２の切り込み部を複数個形成するとともに、前記第２の切り込み部の外側に第３の切り込み部を形成する工程を備えていることを特徴とする請求項５乃至７のいずれか１項に記載のウエハ加工用テープの製造方法。
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