WO2012056511A1 - 接着フィルム及びウエハ加工用テープ - Google Patents

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adhesive
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鈴木　俊宏
石渡　伸一
泰正 盛島
金　永錫
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古河電気工業株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to an adhesive film and a wafer processing tape.
  • the present invention relates to an adhesive film and a wafer processing tape having a laminated dicing die bonding film having two functions of a dicing tape and a die bonding film.
  • a dicing tape for fixing a semiconductor wafer when the semiconductor wafer is cut and separated into individual chips (dicing) and a semiconductor chip that has been cut are bonded to a lead frame, a package substrate, or the like, or stacked.
  • a dicing die bonding film As a package, a dicing die bonding film (DDF) has been developed which has two functions of an adhesive film (also referred to as a die bonding film or die attach film) for laminating and bonding semiconductor chips.
  • Some of these dicing die bonding films have been pre-cut in consideration of workability such as attachment to a semiconductor wafer and attachment to a ring frame during dicing.
  • an adhesive layer is laminated on the entire surface of a long release film.
  • the adhesive layer of the adhesive film is cut with a circular blade corresponding to the semiconductor wafer, and the outside of the circular portion is peeled off from the release film (hereinafter referred to as the adhesive layer winding process),
  • the adhesive layer of the circular adhesive film hollowed out by the winding process of the adhesive layer and the adhesive layer of the dicing tape in which the adhesive layer is laminated on the base film are bonded together by heating and pressing, and the dicing tape
  • a circular blade corresponding to the ring frame is cut into a ring frame, and a portion corresponding to the ring frame is peeled off and wound up.
  • the adhesive layer outside the circular portion is peeled off from the release film and wound while applying a certain force to the adhesive layer outside the circular portion. Therefore, the phenomenon that the adhesive layer outside the circular portion is cut off during the operation of winding up the adhesive layer has occurred.
  • an initial operation such as setting the end of the adhesive layer on a roll for winding in advance, and when the adhesive layer is cut, the winding operation of the adhesive layer is performed.
  • the productivity of the wafer processing tape having the dicing die bonding film subjected to the pre-cut processing is lowered because it must be temporarily stopped and restarted after the initial work.
  • the width of the wafer processing tape is widened in order to solve the above problem, the phenomenon that the adhesive layer outside the circular portion is cut in the winding process of the adhesive layer is eliminated, but unnecessary. As a result, the amount of the adhesive layer on the outer side of the circular portion, the amount of unnecessary wafer processing tape in semiconductor wafer dicing, semiconductor die bonding chips, and the like increases.
  • the present invention has been made to solve the above-described problems, and an unnecessary adhesive layer when producing a wafer processing tape precut into a shape corresponding to the shape of a semiconductor wafer.
  • Adhesive film capable of preventing breakage of the wound adhesive layer and improving the productivity of precut processed wafer processing tape in the process of peeling off the film from the release film and winding the film
  • An object is to provide a wafer processing tape manufactured using a film.
  • the breaking strength per unit of the adhesive layer is 87.5 times the peeling force per unit from the release film of the adhesive layer.
  • the outer adhesive layer having a predetermined shape is broken.
  • the adhesive film according to the first aspect of the present invention is an adhesive film in which an adhesive layer is laminated on a long release film, and the adhesive layer is peeled per unit from the release film.
  • the breaking strength per unit of the adhesive layer is 87.5 times or more with respect to force.
  • peel force varies depending on the size in the direction perpendicular to the peel direction
  • breaking strength varies depending on the size in the tensile direction. Therefore, “per unit” means that the size in the direction perpendicular to the peeling direction and the size in the pulling direction are the same (for example, the size in the direction perpendicular to the peeling direction is 10 mm, and the peeling force is When measured, the breaking strength is measured assuming that the size in the tensile direction is 10 mm), and the breaking strength with respect to the peeling force at this time is 87.5 times or more.
  • the adhesive film is an adhesive film in which the cut corresponding to the semiconductor wafer as described above is in the adhesive layer in advance, but the cut is not in the adhesive layer. Also good.
  • the adhesive film according to the second aspect of the present invention is the adhesive film according to the first aspect of the present invention described above, wherein the adhesive layer is bonded to the peeling force per unit of the adhesive layer from the release film.
  • the breaking strength per unit of the agent layer is 100 times or more.
  • the tape for wafer processing which concerns on the 1st aspect of this invention is the said adhesive layer of the adhesive film by which the adhesive layer was laminated
  • the adhesive layer of the said adhesive film is bonded together, It is characterized by the above-mentioned.
  • an outer adhesive layer having a predetermined shape which is not required when a wafer processing tape precut into a predetermined shape corresponding to the shape of a semiconductor wafer is produced from the release film.
  • the outer adhesive layer having a predetermined shape can be prevented from being broken.
  • the productivity of a pre-cut wafer processing tape in which the adhesive layer of the adhesive layer film and the adhesive layer of the adhesive film are bonded together can be improved.
  • a wafer processing tape with a high production efficiency with a small amount of an outer adhesive layer having a predetermined shape, a semiconductor wafer dicing, a semiconductor die bonding chip, etc., and an unnecessary amount of the wafer processing tape. it can.
  • (A) is a general-view figure of the adhesive film which concerns on one Embodiment of this invention, (b) is the same sectional drawing.
  • (A) is a top view of the adhesive film for demonstrating the formation process of a notch
  • (A) is a general-view figure of the wafer processing tape which concerns on one Embodiment of this invention, (b) is the same top view, (c) is the same sectional drawing.
  • FIG.1 (a) is a general-view figure of the adhesive film which concerns on one Embodiment of this invention
  • FIG.1 (b) is the same sectional drawing.
  • the adhesive film 20 ⁇ / b> B has a configuration in which an adhesive layer 12 is laminated on a long release film 11.
  • the release film 11A is further laminated on the adhesive layer 12, and the adhesive film is capable of producing a rolled product.
  • the release film described in the claims corresponds to the release film 11.
  • an adhesive film 20 (for example, see FIG. 4C) in which the adhesive layer 12 is precut into a circular label shape corresponding to the shape of the semiconductor wafer is used. Then, next, the method to produce the adhesive film 20 by which the precut process was carried out is demonstrated with reference to FIG.2 and FIG.3.
  • FIG. 2 (a) is a plan view of an adhesive film 20A for explaining a cut forming process for making a cut in the adhesive layer 12 into a circular label shape
  • FIG. 2 (b) is a cross-sectional view thereof.
  • FIG. 3 is a schematic diagram for explaining a winding process of the adhesive layer that peels and winds the adhesive layer 12 outside the unnecessary circular label shape from the release film 11.
  • a circular label-shaped cut 22 corresponding to the shape of the semiconductor wafer is formed in the adhesive layer 12 (forming process of the cut 22).
  • the adhesive layer 12 is formed into an adhesive layer (hereinafter referred to as a circular adhesive layer portion) 12a having a circular label shape inside the notch 22, and an adhesive layer outside the notch 22 (hereinafter referred to as peripheral adhesive). 12b).
  • the notch 22 is formed so as to reach from the front surface 23 a of the adhesive layer 12 to the back surface 23 b of the adhesive layer 12 in contact with the release film 11.
  • the peripheral adhesive layer portion 12b was peeled off from the release film 11 and wound up while applying a certain force to the peripheral adhesive layer portion 12b. Only the circular adhesive layer portion 12a is left on the release film 11 (adhesive layer winding step). Thereby, the adhesive film 20 in which the adhesive layer 12 is precut into a circular label shape corresponding to the shape of the semiconductor wafer is produced.
  • the adhesive film 20B according to this embodiment is characterized in that it has the following configuration.
  • the breaking strength per unit of the adhesive layer 12 is 87.5 times or more, preferably 100 times or more with respect to the peeling force per unit.
  • the peeling force varies depending on the magnitude in the direction perpendicular to the peeling direction
  • the breaking strength varies depending on the magnitude in the tensile direction. Therefore, “per unit” means that the size in the direction perpendicular to the peeling direction is the same as the size in the pulling direction. For example, the size in the direction perpendicular to the peeling direction is 10 mm, and the peeling force is measured. In this case, the breaking strength is measured by setting the size in the tensile direction to 10 mm.
  • FIG. 4A is a schematic view of a wafer processing tape (dicing die bonding film) according to an embodiment of the present invention
  • FIG. 4B is a plan view thereof
  • FIG. FIG. 4A is a schematic view of a wafer processing tape (dicing die bonding film) according to an embodiment of the present invention
  • FIG. 4B is a plan view thereof
  • FIG. FIG. 4A is a schematic view of a wafer processing tape (dicing die bonding film) according to an embodiment of the present invention
  • FIG. 4B is a plan view thereof
  • the wafer processing tape 10 has a pressure-sensitive adhesive on the circular adhesive layer portion 12a of the pre-cut adhesive film 20 and the base film 14. It has the structure by which the adhesive layer 15 of the adhesive film 13 with which the layer 15 was laminated
  • the pressure-sensitive adhesive film 13 covers the circular adhesive layer portion 12a and has a circular label portion 13a provided so as to be in contact with the release film 11 around the circular adhesive layer portion 12a, and an outer side of the circular label portion 13a. And a peripheral portion 13b that surrounds.
  • the peripheral portion 13b includes a form that completely surrounds the outer side of the circular label portion 13a and a form that is not completely surrounded as illustrated.
  • the circular label portion 13a has a shape corresponding to a ring frame for dicing.
  • the pre-cut wafer processing tape 10 is manufactured as shown in FIGS. 2 and 3 in which an adhesive film 20 having a circular adhesive layer portion 12a laminated on the release film 11 is prepared. Thereafter, the pressure-sensitive adhesive film 13 and the adhesive film 20 are bonded together by heating so that the pressure-sensitive adhesive layer 15 and the circular adhesive layer portion 12a overlap each other. By peeling and forming the circular label portion 13a and the peripheral portion 13b, the pre-cut wafer processing tape 10 is produced.
  • the adhesive film 20 that has been precut and the circular label portion 13a and the peripheral portion 13b are heated and bonded together to be precut.
  • the wafer processing tape 10 may be manufactured.
  • the wafer processing tape 10 Since the wafer processing tape 10 according to the present embodiment is manufactured using the adhesive film 20B according to the present embodiment, the wafer processing tape 10 has the same characteristics as the adhesive film 20B according to the present embodiment. That is, the breaking strength per unit of the adhesive layer 12 is 87.5 times or more, preferably 100 times or more with respect to the peeling force per unit from the release film 11 of the adhesive layer 12.
  • the release film 11 is used for the purpose of improving the handleability of the adhesive layer 12.
  • Examples of the release film 11 include a polyethylene film, a polypropylene film, a polybutene film, a polybutadiene film, a polymethylpentene film, a polychloride chloride film, a vinyl chloride copolymer film, a polyethylene terephthalate film, a polyethylene naphthalate film, and a polybutylene terephthalate film.
  • Polyurethane film ethylene / vinyl acetate copolymer film, ionomer resin film, ethylene / (meth) acrylic acid copolymer film, ethylene / (meth) acrylic acid ester copolymer film, polystyrene film, polycarbonate film, polyimide film A fluororesin film or the like is used. These crosslinked films are also used. Furthermore, these laminated films may be sufficient.
  • the surface tension of the release film 11 is preferably 40 mN / m or less, and more preferably 35 mN / m or less. Such a release film 11 having a low surface tension can be obtained by appropriately selecting the material, and can also be obtained by applying a release treatment by applying a silicone resin or the like to the surface of the film. .
  • the film thickness of the release film 11 is usually about 5 to 300 ⁇ m, preferably about 10 to 200 ⁇ m, and particularly preferably about 20 to 150 ⁇ m.
  • the release film 11A is not limited as long as it can be peeled off from the adhesive layer 12, but a polyethylene terephthalate film, a polypropylene film, and a polyethylene film are preferable.
  • the release film 11A is preferably coated or baked with silicon.
  • the thickness of the release film 11A is not particularly limited, but is preferably 15 to 125 ⁇ m.
  • the adhesive layer 12 is attached to the back surface of the semiconductor chip when the semiconductor chip is picked up after the semiconductor wafer is bonded and diced, and is used as an adhesive for fixing the chip to the substrate or the lead frame. It is what is done.
  • an epoxy group-containing acrylic copolymer contains 0.5 to 6% by mass of glycidyl acrylate or glycidyl methacrylate having an epoxy group.
  • the content is preferably 0.5% by mass or more, and gelation can be suppressed if it is 6% by mass or less.
  • the glass transition temperature (Tg) of the epoxy group-containing acrylic copolymer is preferably ⁇ 10 ° C. or higher and 30 ° C. or lower.
  • the amount of glycidyl acrylate or glycidyl methacrylate used as the functional group monomer is a copolymer ratio of 0.5 to 6% by mass, but the remainder is an alkyl having 1 to 8 carbon atoms such as methyl acrylate or methyl methacrylate.
  • Mixtures of acrylates, alkyl methacrylates, and styrene and acrylonitrile can be used. Among these, ethyl (meth) acrylate and / or butyl (meth) acrylate are particularly preferable.
  • the mixing ratio is preferably adjusted in consideration of the glass transition temperature (Tg) of the copolymer.
  • the weight average molecular weight of the acrylic copolymer is preferably 50,000 or more, particularly preferably in the range of 200,000 to 1,000,000. If the molecular weight is too low, film formation will be insufficient, and if it is too high, compatibility with other components will deteriorate, resulting in hindering film formation.
  • a phenolic resin can be used as the curing agent.
  • a condensate of phenols such as alkylphenol, polyhydric phenol, naphthol and aldehydes is used without particular limitation.
  • the phenolic hydroxyl group contained in these phenolic resins can easily undergo an addition reaction with the epoxy group of the epoxy resin by heating to form a cured product having high impact resistance.
  • Phenol resins include phenol novolak resin, o-cresol novolak resin, p-cresol novolak resin, t-butylphenol novolak resin, dicyclopentadiene cresol resin, polyparavinylphenol resin, bisphenol A type novolak resin, or modified thereof. A thing etc. are used preferably.
  • a thermally activated latent epoxy resin curing agent can also be used as a curing agent.
  • This curing agent is a type of curing agent that does not react with the epoxy resin at room temperature but is activated by heating at a certain temperature or more and reacts with the epoxy resin.
  • an activation method a method of generating active species (anions and cations) by a chemical reaction by heating, a dispersion that is stably dispersed in the epoxy resin near room temperature, is compatible with and dissolved in the epoxy resin at a high temperature, and a curing reaction is performed.
  • a method for starting a method for starting a curing reaction by elution at a high temperature with a molecular sieve encapsulated type curing agent, a method using a microcapsule, and the like.
  • thermally active latent epoxy resin curing agent examples include various onium salts, high melting point active hydrogen compounds such as dibasic acid dihydrazide compounds, dicyandiamide, amine adduct curing agents, and imidazole compounds.
  • a curing accelerator or the like can be used as an auxiliary agent.
  • a hardening accelerator which can be used for this invention
  • a tertiary amine, imidazoles, a quaternary ammonium salt etc. can be used.
  • imidazoles preferably used in the present invention include 2-methylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazolium trimellitate and the like. These may be used alone or in combination of two or more.
  • Imidazoles are commercially available from Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd. under the trade names 2E4MZ, 2PZ-CN, 2PZ-CNS, for example.
  • a filler may be blended.
  • the filler include silica such as crystalline silica and synthetic silica, and inorganic filler such as alumina and glass balloon.
  • silica such as crystalline silica and synthetic silica
  • inorganic filler such as alumina and glass balloon.
  • synthetic silica is preferable as the filler, and in particular, synthetic silica of the type from which the ⁇ -ray source that causes malfunction of the semiconductor device is removed as much as possible is optimal.
  • the shape of the filler any of a spherical shape, a needle shape, and an amorphous type can be used, but a spherical filler capable of closest packing is particularly preferable.
  • a coupling agent can be blended in order to improve interfacial bonding between different materials.
  • a silane coupling agent is preferable as the coupling agent.
  • silane coupling agents include ⁇ -glycidoxypropyltrimethoxysilane, ⁇ -mercaptopropyltrimethoxysilane, ⁇ -aminopropyltriethoxysilane, ⁇ -ureidopropyltriethoxysilane, N- ⁇ -aminoethyl- ⁇ - Examples include aminopropyltrimethoxysilane.
  • the blending amount of the coupling agent is preferably 0.1 to 10 parts by weight with respect to a total of 100 parts by weight of the composition forming each of the dispersed phase and the continuous phase, from the effects of addition, heat resistance and cost. .
  • the varnishing solvent it is preferable to use methyl ethyl ketone, acetone, methyl isobutyl ketone, 2-ethoxyethanol, toluene, butyl cellosolve, methanol, ethanol, 2-methoxyethanol or the like having a relatively low boiling point.
  • the high boiling point solvent include dimethylacetamide, dimethylformamide, methylpyrrolidone, cyclohexanone and the like.
  • the thickness of the adhesive layer 12 may be set as appropriate, but is preferably about 5 to 100 ⁇ m.
  • the adhesive film 13 is not particularly limited, and has a sufficient adhesive force so that the semiconductor wafer does not peel when dicing the semiconductor wafer. When the chip is picked up after dicing, it can be easily removed from the adhesive layer 12. Any material may be used as long as it exhibits low adhesive strength so that it can be peeled off. For example, what provided the adhesive layer 15 in the base film 14 can be used conveniently.
  • the base film 14 of the adhesive film 13 can be used without particular limitation as long as it is a conventionally known film.
  • a radiation curable material is used as the adhesive layer 15 described later, It is preferable to use a material having permeability.
  • the materials include polyethylene, polypropylene, ethylene-propylene copolymer, polybutene-1, poly-4-methylpentene-1, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-ethyl acrylate copolymer, ethylene-acrylic.
  • the base film 14 may be a mixture of two or more materials selected from these groups, or may be a single layer or a multilayer.
  • the thickness of the base film 14 is not particularly limited and may be set as appropriate, but is preferably 50 to 200 ⁇ m.
  • the resin used for the pressure-sensitive adhesive layer 15 of the pressure-sensitive adhesive film 13 is not particularly limited, and known chlorinated polypropylene resins, acrylic resins, polyester resins, polyurethane resins, epoxy resins and the like used for pressure-sensitive adhesives are used. Can be used. It is preferable to prepare a pressure-sensitive adhesive by appropriately mixing an acrylic pressure-sensitive adhesive, a radiation polymerizable compound, a photopolymerization initiator, a curing agent and the like with the resin of the pressure-sensitive adhesive layer 15.
  • the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 15 is not particularly limited and may be appropriately set, but is preferably 5 to 30 ⁇ m.
  • a radiation-polymerizable compound can be blended in the pressure-sensitive adhesive layer 15 to facilitate peeling from the adhesive layer 12 by radiation curing.
  • the radiation polymerizable compound for example, a low molecular weight compound having at least two photopolymerizable carbon-carbon double bonds in a molecule that can be three-dimensionally reticulated by light irradiation is used.
  • trimethylolpropane triacrylate pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, dipentaerythritol monohydroxypentaacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, 1,4-butylene glycol diacrylate, 1,6 hexanediol diacrylate Acrylate, polyethylene glycol diacrylate, oligoester acrylate, and the like are applicable.
  • Urethane acrylate oligomers include polyester compounds or polyether compounds such as polyol compounds and polyisocyanate compounds (for example, 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate, 1,3-xylylene diene).
  • the pressure-sensitive adhesive layer 15 may be a mixture of two or more selected from the above resins.
  • photopolymerization initiator for example, isopropyl benzoin ether, isobutyl benzoin ether, benzophenone, Michler's ketone, chlorothioxanthone, dodecylthioxanthone, dimethylthioxanthone, diethylthioxanthone, benzyldimethyl ketal, ⁇ -hydroxycyclohexyl phenyl ketone, 2-hydroxymethylphenyl Propane or the like can be used.
  • the blending amount of these photopolymerization initiators is preferably 0.01 to 5 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the acrylic copolymer.
  • Methyl ethyl ketone was added to the adhesive layer compositions 1A to 1D having the composition shown in Table 1 below, and the mixture was stirred and mixed to prepare an adhesive varnish.
  • the adhesive varnishes of the prepared adhesive layer compositions 1A to 1D were applied on the release film 11 in the combinations shown in Tables 2 and 3 so that the thickness after drying was 20 ⁇ m, and 110 ° C.
  • an adhesive layer 12 was produced on the release film 11 respectively.
  • another release film 11A similar to the above was laminated on each adhesive layer 12, and in Examples 1 to 4 shown in Table 2 below and Comparative Examples 1 to 4 shown in Table 3 below.
  • An adhesive film 20B having a three-layer structure in which the release film 11, the adhesive layer 12, and the release film 11A were laminated in this order was produced.
  • A1 (acrylic polymer) in Table 1 is an acrylic copolymer having a weight average molecular weight of 850,000 and a glass transition temperature (Tg) of 15 ° C.
  • B1 (epoxy resin (solid)) is a phenol biphenylene type epoxy resin having an epoxy equivalent of 265 to 285.
  • B2 (epoxy resin (liquid)) is a liquid bisphenol A type epoxy resin having an epoxy equivalent of 162 to 172.
  • C1 (curing agent (1)) is dicyandiamide, and C2 (curing agent (2)) is an aralkylphenol resin.
  • D1 (curing accelerator) is an imidazole compound (2-phenyl 4,5-dihydroxymethylimidazole).
  • E1 (silica filler) is spherical synthetic silica having an average particle diameter of 2 ⁇ m.
  • S314 is a release-treated polyethylene terephthalate (PET) film (trade name, manufactured by Teijin DuPont Films), and K-1504 is a release-treated PET film (Toyobo Co., Ltd.). Product name).
  • PET polyethylene terephthalate
  • K-1504 is a release-treated PET film (Toyobo Co., Ltd.).
  • the maximum load until the specimen is pulled and broken at a linear speed of 300 mm / min using a strograph (VE10) manufactured by Toyo Seiki Seisakusho in accordance with JIS B 7721 and JIS K 6301. was measured.
  • the unit of breaking strength is [N / 10 mm].
  • the produced test piece was divided into a release film 11, an adhesive layer 12, and a laminate of a shape-retaining tape by a strograph (VE10) manufactured by Toyo Seiki Seisakusho Co., Ltd., and a linear velocity of 300 mm / min.
  • the peeling force between the release film 11 and the adhesive layer 12 was measured.
  • the unit of peeling force is [N / 10 mm].
  • the adhesive film 12 is separated from the release film 11 and the laminate of the adhesive layer 12 and the shape-retaining tape, and the adhesive layer 12 and the laminate of the shape-retaining tape are separated from the release film 11. This is because the adhesive layer 12 is stretched when only it is grasped and peeled off.
  • Evaluation of the precut property consists of the release film 11 and the adhesive layer 12 obtained by peeling off the release film 11A on one side of the adhesive films 20B according to Examples 1 to 4 and the adhesive films according to Comparative Examples 1 to 4.
  • the processing speed is 10 m / min, 100 m
  • the peripheral adhesive layer portion 12 b is separated from the release film 11.
  • the case where it peeled and wound and a fracture did not occur was evaluated as “ ⁇ ”, and the case where a fracture occurred was evaluated as “x”.
  • variety of the original fabric of an adhesive film is 390 mm and 450 mm.
  • the ratio between the breaking strength and the peeling force (breaking strength / peeling force) is in the range of 87.5 or more that defines the ratio between the breaking strength and the peeling force. Since it was 150, the pre-cut property resulted in no breaks in both cases where the width of the original fabric was 390 mm and 450 mm.
  • the adhesive film 20B of Example 2 is pre-cut because the ratio between the breaking strength and the peeling force (breaking strength / peeling force) is 100 in the above range of 87.5 or more that defines the ratio between the breaking strength and the peeling force.
  • breaking strength / peeling force 100 in the above range of 87.5 or more that defines the ratio between the breaking strength and the peeling force.
  • the adhesive film 20B of Example 3 is pre-cut because the ratio between the breaking strength and the peeling force (breaking strength / peeling force) is 225 in the range of 87.5 or more that defines the ratio between the breaking strength and the peeling force.
  • breaking strength / peeling force 225 in the range of 87.5 or more that defines the ratio between the breaking strength and the peeling force.
  • the ratio between the breaking strength and the peeling force is 150 in the above range of 87.5 or more which defines the ratio between the breaking strength and the peeling force.
  • the width of the original fabric was 390 mm and the case where it was 450 mm resulted in no breakage.
  • the ratio between the breaking strength and the peeling force (breaking strength / peeling force) was outside the above 87.5 range that defines the ratio between the breaking strength and the peeling force. Since it was 83.3, the pre-cut property was the result that the fracture did not occur when the width of the original fabric was 450 mm, but the fracture occurred when it was 390 mm.
  • the adhesive film of Comparative Example 2 has a pre-cut because the ratio between the breaking strength and the peeling force (breaking strength / peeling force) is 50 outside the above 87.5 range that defines the ratio between the breaking strength and the peeling force.
  • the property was the result of the occurrence of breakage in both cases where the width of the original fabric was 390 mm and 450 mm.
  • the ratio between the breaking strength and the peeling force (breaking strength / peeling force) is 58.3 outside the above range of 87.5 or more which defines the ratio between the breaking strength and the peeling force.
  • the precut property when the width of the original fabric was 450 mm, the fracture never occurred, but when it was 390 mm, the fracture occurred.
  • the ratio between the breaking strength and the peeling force (breaking strength / peeling force) is 38.9 outside the above range of 87.5 or more that defines the ratio between the breaking strength and the peeling force.
  • the precut property was the result of occurrence of breakage in both cases where the width of the original fabric was 390 mm and 450 mm.
  • the breaking strength per unit of the adhesive layer 12 is 87.5 times or more with respect to the peeling force per unit from the release film 11 of the adhesive layer 12, preferably Is a winding process of the adhesive layer when producing the wafer processing tape 10 precut into a shape corresponding to the shape of the semiconductor wafer by using the adhesive film 20 according to this embodiment which is 100 times or more. It is possible to prevent the peripheral adhesive layer portion 12b from being broken. Moreover, the productivity of the pre-cut wafer processing tape 10 produced using the adhesive film 20 according to the present embodiment can be improved.
  • the production of the wafer processing tape 10 with high production efficiency with a small amount of the peripheral adhesive layer portion 12b which becomes unnecessary and a small amount of the wafer processing tape 10 which becomes unnecessary in the dicing of the semiconductor wafer, the semiconductor die bonding chip, etc. can do.

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Abstract

　半導体ウエハの形状に対応する形状にプリカット加工されたウエハ加工用テープを作製する際の接着剤層の巻き取り工程において、巻き取られる接着剤層の破断を防止するとともに、プリカット加工されたウエハ加工用テープの生産性を向上させることが可能な接着フィルム及びその接着フィルムを使用して作製したウエハ加工用テープを提供する。接着剤層１２の離型フィルム１１からの単位当たりの剥離力に対して、接着剤層１２の同一単位当たりの破断強度が８７．５倍以上、好ましくは１００倍以上である。

Description

接着フィルム及びウエハ加工用テープ
　本発明は、接着フィルム及びウエハ加工用テープに関する。特に、接着フィルム、及び、ダイシングテープとダイボンディングフィルムの２つの機能を有する積層型ダイシングダイボンディングフィルムを有するウエハ加工用テープに関する。
　近時、半導体ウエハを個々のチップに切断分離（ダイシング）する際に半導体ウエハを固定するためのダイシングテープと、切断された半導体チップをリードフレームやパッケージ基板等に接着するため、又は、スタックドパッケージにおいては、半導体チップ同士を積層、接着するための接着フィルム（ダイボンディングフィルム、ダイアタッチフィルムともいう）との２つの機能を併せ持つダイシングダイボンディングフィルム（ＤＤＦ）が開発されている。
　このようなダイシングダイボンディングフィルムとしては、半導体ウエハへの貼り付けや、ダイシングの際のリングフレームへの取り付け等の作業性を考慮して、プリカット加工が施されたものがある。
　プリカット加工が施されたダイシングダイボンディングフィルムを有したウエハ加工用テープを作製するには、例えば、特許文献１に記載されているように、長尺の離型フィルムの全面に接着剤層が積層された接着フィルムの接着剤層に、半導体ウエハに対応した円形の刃で切り込みを入れ、円形部分の外側を離型フィルムから剥離して巻き取り（以下、接着剤層の巻き取り工程という）、この接着剤層の巻き取り工程によってくりぬいた円形の接着フィルムの接着剤層と基材フィルムの上に粘着剤層が積層されたダイシングテープの粘着剤層とを加熱加圧して貼りあわせ、ダイシングテープにリングフレームに対応した円形の刃で切り込みを入れ、リングフレームに対応する部分を剥離して巻き取ることが行われている。
特開２００７－２１７３号公報
　上記の接着剤層の巻き取り工程においては、一定の力を円形部分の外側の接着剤層にかけながら、円形部分の外側の接着剤層を離型フィルムから剥離して巻き取っている。そのため、接着剤層の巻き取り工程の作業途中で、円形部分の外側の接着剤層が切れてしまうという現象が発生していた。接着剤層を巻き取るためには、予め接着剤層の端部を巻き取り用のロールにセットする等の初期作業があり、接着剤層が切れてしまうと、接着剤層の巻き取り作業を一時的に止め、初期作業を行った後に再開させなければならず、プリカット加工が施されたダイシングダイボンディングフィルムを有したウエハ加工用テープの生産性を低下させてしまうという問題があった。
　また、上記の問題を解決するためにウエハ加工用テープの幅を広く取れば、接着剤層の巻き取り工程において、円形部分の外側の接着剤層が切断されてしまうという現象は無くなるが、不要となる円形部分の外側の接着剤層の量や、半導体ウエハのダイシング、半導体のダイボンディングチップ等における不要となるウエハ加工用テープの量が多くなってしまう。
　そこで、本発明は、以上のような問題点を解決するためになされたもので、半導体ウエハの形状に対応する形状にプリカット加工されたウエハ加工用テープを作製する際の、不要な接着剤層を離型フィルムから剥離して巻き取る工程において、巻き取られる接着剤層の破断を防止するとともに、プリカット加工されたウエハ加工用テープの生産性を向上させることが可能な接着フィルム及び、この接着フィルムを使用して作製したウエハ加工用テープを提供することを目的とする。
　本発明者らは、上記の課題に対して鋭意検討した結果、接着剤層の離型フィルムからの単位当たりの剥離力に対して、接着剤層の同一単位当たりの破断強度が８７．５倍以上、好ましくは１００倍以上となる接着フィルムを使用することにより、プリカット加工されたウエハ加工用テープを作製する際の接着剤層の巻き取り工程において、所定形状の外側の接着剤層の破断を防止できることを見出し、更には、この接着フィルムの接着剤層と粘着フィルムの粘着剤層とを貼り合わせた、プリカット加工されたウエハ加工用テープの生産性を向上させることを見出し、本発明を完成した。
　即ち、本発明の第１の態様に係る接着フィルムは、長尺の離型フィルムに接着剤層が積層された接着フィルムであって、前記接着剤層の前記離型フィルムからの単位当たりの剥離力に対し、前記接着剤層の同一単位当たりの破断強度が８７．５倍以上であることを特徴とする。
　ここで、剥離力は剥離方向に直行する方向の大きさによって変化し、破断強度は引っ張り方向の大きさによって変化する。そこで、「同一単位当たりの」とは、剥離方向に直行する方向の大きさと引っ張り方向の大きさを同一とした場合をいい（例えば、剥離方向に直行する方向の大きさを１０ｍｍとして剥離力を測定した場合、破断強度は引っ張り方向の大きさを１０ｍｍとして測定する）、このときの剥離力に対する破断強度が８７．５倍以上であることを特徴とするものである。
　尚、接着フィルムは、上述したような半導体ウエハに対応した切り込みが予め接着剤層に入っている状態の接着フィルムであっても、切り込みが接着剤層に入っていない状態の接着フィルムであっても良い。
　本発明の第２の態様に係る接着フィルムは、上記の本発明の第１の態様に係る接着フィルムにおいて、前記接着剤層の前記離型フィルムからの単位当たりの剥離力に対して、前記接着剤層の同一単位当たりの破断強度が１００倍以上であることを特徴とする。
　本発明の第１の態様に係るウエハ加工用テープは、基材フィルムの上に粘着剤層が積層された粘着フィルムの前記粘着剤層と、上記の本発明の第１または第２の態様に係る接着フィルムの接着剤層とが貼り合わされていることを特徴とする。
　本発明の接着フィルムを使用することにより、半導体ウエハの形状に対応する所定形状にプリカット加工されたウエハ加工用テープを作製する際の不要となる所定形状の外側の接着剤層を離型フィルムから剥離して巻き取る接着剤層の巻き取り工程において、所定形状の外側の接着剤層の破断を防止することができる。また、この接着剤層フィルムの接着層と粘着フィルムの粘着剤層とを貼り合わせた、プリカット加工されたウエハ加工用テープの生産性を向上させることができる。また、所定形状の外側の接着剤層の量や、半導体ウエハのダイシング、半導体のダイボンディングチップ等における不要となるウエハ加工用テープの量の少ない生産効率の良いウエハ加工用テープを作製することができる。
（ａ）は、本発明の一実施形態に係る接着フィルムの概観図であり、（ｂ）は、同断面図である。 （ａ）は、切り込みの形成工程を説明するための接着フィルムの平面図であり、（ｂ）は、同断面図である。 接着剤層の巻き取り工程を説明するための模式図である。 （ａ）は、本発明の一実施形態に係るウエハ加工用テープの概観図であり、（ｂ）は、同平面図であり、（ｃ）は、同断面図である。
　以下に本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
　図１（ａ）は、本発明の一実施形態に係る接着フィルムの概観図であり、図１（ｂ）は、同断面図である。図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、接着フィルム２０Ｂは、長尺の離型フィルム１１上に接着剤層１２が積層された構成を有している。また、本実施形態では、接着剤層１２の上に、更に離型フィルム１１Ａを積層し構成になっており、ロール状に巻いた製品を生産することが可能な接着フィルムである。なお、特許請求の範囲に記載の離型フィルムは、離型フィルム１１に相当する。
　半導体装置の製造工程では、半導体ウエハの形状に対応した円形ラベル形状に接着剤層１２がプリカット加工された接着フィルム２０（例えば、図４（ｃ）参照）が使用される。そこで、次に、プリカット加工された接着フィルム２０の作製する方法を図２及び図３を参照して説明する。
　図２（ａ）は、円形ラベル形状に接着剤層１２に切り込みを入れる切り込みの形成工程を説明するための接着フィルム２０Ａの平面図であり、（ｂ）は、同断面図である。図３は、不要となる円形ラベル形状の外側の接着剤層１２を離型フィルム１１から剥離して巻き取る接着剤層の巻き取り工程を説明するための模式図である。
　プリカット加工された接着フィルム２０を作製するには、まず、接着フィルム２０Ｂから離型フィルム１１Ａを剥離した接着フィルム２０Ａ（図１（ｂ）を参照）の状態とする。
　次に、図２（ａ）及び（ｂ）に示すように、接着フィルム２０Ａにおいて、半導体ウエハの形状に対応した円形ラベル形状の切り込み２２を接着剤層１２に形成する（切り込み２２の形成工程）。切り込み２２によって、接着剤層１２は、切り込み２２の内側の円形ラベル形状となる接着剤層（以下、円形接着剤層部という）１２ａと、切り込み２２の外側の接着剤層（以下、周辺接着剤層部という）１２ｂとに切断される。ここで、切り込み２２は、接着剤層１２の表面２３ａから離型フィルム１１に接触する接着剤層１２の裏面２３ｂにまで達するように形成する。
　最後に、図３に示すように、接着フィルム２０Ａにおいて、周辺接着剤層部１２ｂに一定の力をかけながら、周辺接着剤層部１２ｂを離型フィルム１１から剥離して巻き取り、くりぬかれた円形接着剤層部１２ａのみを離型フィルム１１に残した状態にする（接着剤層の巻き取り工程）。これにより、半導体ウエハの形状に対応した円形ラベル形状に接着剤層１２がプリカット加工された接着フィルム２０が作製される。
　本実施形態に係る接着フィルム２０Ｂは、以下の構成を有する点に特徴がある。
　接着剤層１２を離型フィルム１１から剥離した場合に、その単位当たりの剥離力に対して、接着剤層１２の同一単位当たりの破断強度が８７．５倍以上、好ましくは１００倍以上である。ここで、剥離力は剥離方向に直行する方向の大きさによって変化し、破断強度は引っ張り方向の大きさによって変化する。そこで、「同一単位当たりの」とは、剥離方向に直行する方向の大きさと引っ張り方向の大きさを同一とした場合をいい、例えば剥離方向に直行する方向の大きさを１０ｍｍとして剥離力を測定した場合、破断強度は引っ張り方向の大きさを１０ｍｍとして測定する。
　次に、接着フィルムの接着剤層と、基材フィルムの上に粘着剤層が積層された粘着フィルムの粘着剤層とを貼り合わせたウエハ加工用テープ（ダイシングダイボンディングフィルム）について説明する。
　図４（ａ）は、本発明の一実施形態に係るウエハ加工用テープ（ダイシングダイボンディングフィルム）の概観図であり、図４（ｂ）は、同平面図であり、図４（ｂ）は、同断面図である。
　図４（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）に示すように、ウエハ加工用テープ１０は、プリカット加工された接着フィルム２０の円形接着剤層部１２ａと、基材フィルム１４の上に粘着剤層１５が積層された粘着フィルム１３の粘着剤層１５とが貼り合わされた構成を有している。
　粘着フィルム１３は、円形接着剤層部１２ａを覆い、且つ、円形接着剤層部１２ａの周囲で離型フィルム１１に接触するように設けられた円形ラベル部１３ａと、この円形ラベル部１３ａの外側を囲むような周辺部１３ｂとを有する。周辺部１３ｂは、円形ラベル部１３ａの外側を完全に囲む形態と、図示のような完全には囲まない形態とを含む。円形ラベル部１３ａは、ダイシング用のリングフレームに対応する形状を有する。
　プリカット加工されたウエハ加工用テープ１０は、まず、図２及び図３に示したような、円形接着剤層部１２ａが離型フィルム１１上に積層された状態の接着フィルム２０を作製する。その後、粘着フィルム１３と接着フィルム２０とを、粘着剤層１５と円形接着剤層部１２ａとが重なり合うようにして、加熱して貼り合わせ、粘着フィルム１３に切り込みを入れ、不要な粘着フィルム１３を剥離して円形ラベル部１３ａと周辺部１３ｂとを形成することによりプリカット加工されたウエハ加工用テープ１０を作製する。
　尚、粘着フィルム１３を円形ラベル部１３ａと周辺部１３ｂの形状に切断した後、プリカット加工された接着フィルム２０と、円形ラベル部１３ａ及び周辺部１３ｂとを加熱して貼り合わせることによりプリカット加工されたウエハ加工用テープ１０を作製するようにしても良い。
　本実施形態に係るウエハ加工用テープ１０は、上記の本実施形態に係る接着フィルム２０Ｂを使用して作製することから、上記の本実施形態に係る接着フィルム２０Ｂと同様の特徴がある。即ち、接着剤層１２の離型フィルム１１からの単位当たりの剥離力に対して、接着剤層１２の同一単位当たりの破断強度が８７．５倍以上、好ましくは１００倍以上である。
　以下、本実施形態に係る接着フィルム２０Ｂ及び本実施形態のウエハ加工用テープ１０の各構成要素について詳細に説明する。
（離型フィルム）
　離型フィルム１１は、接着剤層１２の取り扱い性を良くする目的で用いられる。
　離型フィルム１１としては、たとえば、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリブテンフィルム、ポリブタジエンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリ塩化ピニルフィルム、塩化ビニル共重合体フィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリブチレンテレフタレートフィルム、ポリウレタンフィルム、エチレン・酢酸ビニル共重合体フィルム、アイオノマー樹脂フィルム、エチレン・（メタ）アクリル酸共重合体フィルム、エチレン・（メタ）アクリル酸エステル共重合体フィルム、ポリスチレンフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリイミドフィルム、フッ素樹脂フィルム等が用いられる。またこれらの架橋フィルムも用いられる。さらにこれらの積層フィルムであってもよい。
　離型フィルム１１の表面張力は、４０ｍＮ／ｍ以下であることが好ましく、３５ｍＮ／ｍ以下であることがより好ましい。このような表面張力の低い離型フィルム１１は、材質を適宜に選択して得ることが可能であり、またフィルムの表面にシリコーン樹脂等を塗布して離型処理を施すことで得ることもできる。
　離型フィルム１１の膜厚は、通常は５～３００μｍ、好ましくは１０～２００μｍ、特に好ましくは２０～１５０μｍ程度である。
　離型フィルム１１Ａは、接着剤層１２から剥離することができる限り限定されるものではないが、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンフィルムが好ましい。また、離型フィルム１１Ａは、シリコンをコーティング又は焼き付けしてあることが好ましい。離型フィルム１１Ａの厚さは、特に限定されるものではないが１５～１２５μｍが好ましい。
　（接着剤層）
　接着剤層１２は、半導体ウエハ等が貼合されダイシングされた後、半導体チップをピックアップする際に、半導体チップ裏面に付着しており、チップを基板やリードフレームに固定する際の接着剤として使用されるものである。
　接着剤層１２としては、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエステルイミド樹脂、フェノキシ樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエーテルケトン樹脂、塩素化ポリプロピレン樹脂、アクリル樹脂、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、メラミン樹脂等やその混合物を使用することができる。
　ポリマーとして、エポキシ基含有アクリル共重合体を使用することが好ましい。このエポキシ基含有アクリル共重合体は、エポキシ基を有するグリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレートを０．５～６質量％含む。半導体ウエハとの高い接着力を得るためには、０．５質量％以上が好ましく、６質量％以下であればゲル化を抑制できる。上記エポキシ基含有アクリル共重合体のガラス転移温度（Ｔｇ）としては、－１０℃以上３０℃以下であることが好ましい。
　官能基モノマーとして用いるグリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレートの量は０．５～６質量％の共重合体比であるが、その残部はメチルアクリレート、メチルメタクリレートなどの炭素数１～８のアルキル基を有するアルキルアクリレート、アルキルメタクリレート、およびスチレンやアクリロニトリルなどの混合物を用いることができる。これらの中でもエチル（メタ）アクリレート及び／又はブチル（メタ）アクリレートが特に好ましい。混合比率は、共重合体のガラス転移温度（Ｔｇ）を考慮して調整することが好ましい。重合方法は特に制限が無く、例えば、パール重合、溶液重合等が挙げられ、これらの方法により共重合体が得られる。このようなエポキシ基含有アクリル共重合体としては、例えば、ＨＴＲ－８６０Ｐ－３（ナガセケムテックス株式会社製、商品名）が挙げられる。
　アクリル系共重合体の重量平均分子量は、５万以上、特に２０万～１００万の範囲にあるのが好ましい。分子量が低すぎるとフィルム形成が不十分となり、高すぎると他の成分との相溶性が悪くなり、結果としてフィルム形成が妨げられる。
　熱硬化性成分としてエポキシ樹脂を用いる場合には、硬化剤として、たとえば、フェノール系樹脂を使用できる。フェノール系樹脂としては、アルキルフェノール、多価フェノール、ナフトール等のフェノール類とアルデヒド類との縮合物等が特に制限されることなく用いられる。これらのフェノール系樹脂に含まれるフェノール性水酸基は、エポキシ樹脂のエポキシ基と加熱により容易に付加反応して、耐衝撃性の高い硬化物を形成できる。
　フェノール系樹脂には、フェノールノボラック樹脂、ｏ－クレゾールノボラック樹脂、ｐ－クレゾールノボラック樹脂、ｔ－ブチルフェノールノボラック樹脂、ジシクロペンタジエンクレゾール樹脂、ポリパラビニルフェノール樹脂、ビスフェノールＡ型ノボラック樹脂、あるいはこれらの変性物等が好ましく用いられる。
　その他、硬化剤として、熱活性型潜在性エポキシ樹脂硬化剤を使用することもできる。この硬化剤は、室温ではエポキシ樹脂と反応せず、ある温度以上の加熱により活性化し、エポキシ樹脂と反応するタイプの硬化剤である。
　活性化方法としては、加熱による化学反応で活性種（アニオン、カチオン）を生成する方法、室温付近ではエポキシ樹脂中に安定に分散しており高温でエポキシ樹脂と相溶・溶解し、硬化反応を開始する方法、モレキュラーシーブ封入タイプの硬化剤により高温で溶出して硬化反応を開始する方法、マイクロカプセルによる方法等が存在する。
　熱活性型潜在性エポキシ樹脂硬化剤としては、各種のオニウム塩や、二塩基酸ジヒドラジド化合物、ジシアンジアミド、アミンアダクト硬化剤、イミダゾール化合物等の高融点活性水素化合物等を挙げることができる。
　熱硬化性成分としてエポキシ樹脂を用いる場合には、助剤として硬化促進剤等を使用することもできる。本発明に用いることができる硬化促進剤としては特に制限が無く、例えば、第三級アミン、イミダゾール類、第四級アンモニウム塩などを用いることができる。本発明において好ましく使用されるイミダゾール類としては、例えば、２－メチルイミダゾール、２－エチル－４－メチルイミダゾール、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾール、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾリウムトリメリテート等が挙げられ、これらは１種又は２種以上を併用することもできる。イミダゾール類は、例えば、四国化成工業（株）から、２Ｅ４ＭＺ，２ＰＺ－ＣＮ，２ＰＺ－ＣＮＳという商品名で市販されている。
　また、フィラーを配合してもよい。フィラーとしては、結晶シリカ、合成シリカ等のシリカや、アルミナ、ガラスバルーン等の無機フィラーがあげられる。硬化性保護膜形成層２に無機フィラーを添加することにより、硬化後の保護膜の硬度を向上させることができる。また、硬化後の保護膜の熱膨張係数をウエハの熱膨張係数に近づけることができ、これによって加工途中の半導体ウエハの反りを低減することができる。フィラーとしては合成シリカが好ましく、特に半導体装置の誤作動の要因となるα線の線源を極力除去したタイプの合成シリカが最適である。フィラーの形状としては、球形、針状、無定型タイプのものいずれも使用可能であるが、特に最密充填の可能な球形のフィラーが好ましい。
　さらに、異種材料間の界面結合をよくするために、カップリング剤を配合することもできる。カップリング剤としてはシランカップリング剤が好ましい。シランカップリング剤としては、γ－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ－メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ－アミノプロピルトリエトキシシラン、γ－ウレイドプロピルトリエトキシシラン、Ｎ－β－アミノエチル－γ－アミノプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。カップリング剤の配合量は、添加による効果や耐熱性およびコストから、分散相と連続相のそれぞれを形成する組成物の合計１００重量部に対し０．１～１０重量部を添加するのが好ましい。
　また、ワニス化の溶剤は、比較的低沸点の、メチルエチルケトン、アセトン、メチルイソブチルケトン、２－エトキシエタノール、トルエン、ブチルセロソルブ、メタノール、エタノール、２－メトキシエタノールなどを用いるのが好ましい。また、塗膜性を向上するなどの目的で、高沸点溶剤を加えても良い。高沸点溶剤としては、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、メチルピロリドン、シクロヘキサノン等が挙げられる。
　接着剤層１２の厚さは適宜設定してよいが、５～１００μｍ程度が好ましい。
　接着剤層１２の破断強度を高めるには、ポリマーを多くし、フィラーを少なくし、エポキシ樹脂（固形）を少なくすることが有効である。また、接着剤層１２の離型フィルム１１からの剥離力を下げるには、ポリマーを少なくし、エポキシ樹脂（液状）を少なくすることが有効である。
　（粘着フィルム）
　粘着フィルム１３としては、特に制限はなく、半導体ウエハをダイシングする際には半導体ウエハが剥離しないように十分な粘着力を有し、ダイシング後にチップをピックアップする際には容易に接着剤層１２から剥離できるよう低い粘着力を示すものであればよい。例えば、基材フィルム１４に粘着剤層１５を設けたものを好適に使用できる。
　粘着フィルム１３の基材フィルム１４としては、従来公知のものであれば特に制限することなく使用することができるが、後述の粘着剤層１５として放射線硬化性の材料を使用する場合には、放射線透過性を有するものを使用することが好ましい。
　例えば、その材料として、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン－プロピレン共重合体、ポリブテン－１、ポリ－４－メチルペンテン－１、エチレン－酢酸ビニル共重合体、エチレン－アクリル酸エチル共重合体、エチレン－アクリル酸メチル共重合体、エチレン－アクリル酸共重合体、アイオノマーなどのα－オレフィンの単独重合体または共重合体あるいはこれらの混合物、ポリウレタン、スチレン－エチレン－ブテンもしくはペンテン系共重合体、ポリアミド－ポリオール共重合体等の熱可塑性エラストマー、およびこれらの混合物を列挙することができる。また、基材フィルム１４はこれらの群から選ばれる２種以上の材料が混合されたものでもよく、これらが単層又は複層化されたものでもよい。
　基材フィルム１４の厚さは、特に限定されるものではなく、適宜に設定してよいが、５０～２００μｍが好ましい。
　粘着フィルム１３の粘着剤層１５に使用される樹脂としては、特に限定されるものではなく、粘着剤に使用される公知の塩素化ポリプロピレン樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂等を使用することができる。
　粘着剤層１５の樹脂には、アクリル系粘着剤、放射線重合性化合物、光重合開始剤、硬化剤等を適宜配合して粘着剤を調製することが好ましい。粘着剤層１５の厚さは特に限定されるものではなく適宜に設定してよいが、５～３０μｍが好ましい。
　放射線重合性化合物を粘着剤層１５に配合して放射線硬化により接着剤層１２から剥離しやすくすることができる。その放射線重合性化合物は、例えば光照射によって三次元網状化しうる分子内に光重合性炭素－炭素二重結合を少なくとも２個以上有する低分量化合物が用いられる。
　具体的には、トリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、１，４－ブチレングリコールジアクリレート、１，６ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレートや、オリゴエステルアクリレート等が適用可能である。
　また、上記のようなアクリレート系化合物のほかに、ウレタンアクリレート系オリゴマーを用いることもできる。ウレタンアクリレート系オリゴマーは、ポリエステル型またはポリエーテル型などのポリオール化合物と、多価イソシアナート化合物（例えば、２，４－トリレンジイソシアナート、２，６－トリレンジイソシアナート、１，３－キシリレンジイソシアナート、１，４－キシリレンジイソシアナート、ジフェニルメタン４，４－ジイソシアナートなど）を反応させて得られる末端イソシアナートウレタンプレポリマーに、ヒドロキシル基を有するアクリレートあるいはメタクリレート（例えば、２－ヒドロキシエチルアクリレート、２－ヒドロキシエチルメタクリレート、２－ヒドロキシプロピルアクリレート、２－ヒドロキシプロピルメタクリレート、ポリエチレングリコールアクリレート、ポリエチレングリコールメタクリレートなど）を反応させて得られる。
　粘着剤層１５には、上記の樹脂から選ばれる２種以上が混合されたものでもよい。
　光重合開始剤を使用する場合、例えばイソプロピルベンゾインエーテル、イソブチルベンゾインエーテル、ベンゾフェノン、ミヒラーズケトン、クロロチオキサントン、ドデシルチオキサントン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、ベンジルジメチルケタール、α－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２－ヒドロキシメチルフェニルプロパン等を使用することができる。これら光重合開始剤の配合量はアクリル系共重合体１００質量部に対して０．０１～５質量部が好ましい。
（実施例）
　次に、本発明の実施例について説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
（接着フィルムの作製）
　下記の表１に示す配合の接着剤層組成物１Ａ～１Ｄにメチルエチルケトンを加えて攪拌混合して接着剤ワニスを作製した。作製した接着剤層組成物１Ａ～１Ｄの接着剤ワニスを、表２及び表３に示す組み合わせで、離型フィルム１１上に、乾燥後の厚さが２０μｍになるように塗工し、１１０℃で３分間乾燥させ、それぞれ離型フィルム１１上に接着剤層１２を作製した。次いで、それぞれの接着剤層１２の上に、上記と同様の別の離型フィルム１１Ａを貼り合わせ、下記の表２に示す実施例１～４及び下記の表３に示す比較例１～４における離型フィルム１１と接着剤層１２と離型フィルム１１Ａとがこの順に積層された３層構成の接着フィルム２０Ｂを作製した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　表１中の各成分の配合割合の単位は質量部である。また、表１中のＡ１（アクリル系ポリマー）は、重量平均分子量が８５万、ガラス転移温度（Ｔｇ）が１５℃のアクリル系共重合体である。また、Ｂ１（エポキシ樹脂（固形））は、エポキシ当量が２６５～２８５のフェノールビフェニレン型エポキシ樹脂である。また、Ｂ２（エポキシ樹脂（液状））は、エポキシ当量が１６２～１７２の液状ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂である。また、Ｃ１（硬化剤（１））は、ジシアンジアミドであり、Ｃ２（硬化剤（２））は、アラルキルフェノール樹脂である。また、Ｄ１（硬化促進剤）は、イミダゾール化合物（２－フェニル４，５－ジヒドロキシメチルイミダゾール）である。また、Ｅ１（シリカフィラー）は、平均粒径が２μｍの球状合成シリカである。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
　表２及び表３中の、Ｓ３１４は、離型処理されたポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（帝人デュポンフィルム製、商品名）であり、Ｋ－１５０４は、離型処理されてＰＥＴフィルム（東洋紡績社製、商品名）である。
　実施例１～４及び比較例１～４について、それぞれ破断強度、剥離力を測定するとともに、プリカット性の評価を行った。表２及び表３に、破断強度、剥離力の測定結果、破断強度と剥離力の比（破断強度／剥離力）、及びプリカット性の評価を示す。
＜破断強度の測定＞
　離型フィルム１１と離型フィルム１１Ａの間に接着剤層１２を挟んだ状態の実施例１～４に係る接着フィルム２０Ｂ及び比較例１～４に係る接着フィルムを、一号ダンベル形状に打ち抜き、離型フィルム１１及び離型フィルム１１Ａを剥がし接着剤層１２のみの試験片を作製した。試験片の破断強度を、ＪＩＳ　Ｂ　７７２１、ＪＩＳ　Ｋ　６３０１に準拠し、（株）東洋精機製作所製のストログラフ（ＶＥ１０）を用いて、線速３００ｍｍ／ｍｉｎで引っ張り、破断されるまでの最大荷重を測定した。尚、破断強度の単位は［Ｎ／１０ｍｍ］である。
＜剥離力の測定＞
　実施例１～４に係る接着フィルム２０Ｂ及び比較例１～４に係る接着フィルムの片面の離型フィルム１１Ａを剥がし、離型フィルム１１Ａを剥がした接着剤層１２の表面に形状保持テープ（積水化学工業社製、商品名：フォルテ）を２ｋｇのローラによって貼り合わせて、２５ｍｍ幅の短冊状に切り取り、離型フィルム１１と接着剤層１２と形状保持テープとがこの順に積層された３層構成の試験片を作製した。作製した試験片を、（株）東洋精機製作所製のストログラフ（ＶＥ１０）により離型フィルム１１と、接着剤層１２及び形状保持テープの積層体とに分けて掴み、線速３００ｍｍ／ｍｉｎにて離型フィルム１１と接着剤層１２との間の剥離力を測定した。尚、剥離力の単位は［Ｎ／１０ｍｍ］である。また、離型フィルム１１と、接着剤層１２及び形状保持テープの積層体とに分けて、離型フィルム１１から接着剤層１２及び形状保持テープの積層体を剥離させるのは、接着剤層１２だけを掴んで剥離すると接着剤層１２が伸びるためである。
＜プリカット性の評価＞
　プリカット性の評価は、実施例１～４に係る接着フィルム２０Ｂ及び比較例１～４に係る接着フィルムについて、片面の離型フィルム１１Ａを剥がした離型フィルム１１と接着剤層１２とからなる２層構成の接着剤層フィルム２０Ａに、１２インチウェハ用に直径３２０ｍｍの円の切り込みを５８．５ｍｍ間隔で入れ、加工速度を１０ｍ／ｍｉｎで１００ｍ、周辺接着剤層部１２ｂを離型フィルム１１から剥離して巻き取り、破断が一度もおきない場合を「○」として評価し、破断が発生した場合を「×」として評価した。また、接着フィルムの原反の幅は３９０ｍｍと４５０ｍｍである。
　表２に示すように、実施例１の接着フィルム２０Ｂは、破断強度と剥離力の比（破断強度／剥離力）が、破断強度と剥離力の比を規定する上記８７．５以上の範囲の１５０であるために、プリカット性は、原反の幅が３９０ｍｍの場合も４５０ｍｍの場合もともに、破断が一度もおきない結果となった。
　実施例２の接着フィルム２０Ｂは、破断強度と剥離力の比（破断強度／剥離力）が、破断強度と剥離力の比を規定する上記８７．５以上の範囲の１００であるために、プリカット性は、原反の幅が３９０ｍｍの場合も４５０ｍｍの場合もともに、破断が一度もおきない結果となった。
　実施例３の接着フィルム２０Ｂは、破断強度と剥離力の比（破断強度／剥離力）が、破断強度と剥離力の比を規定する上記８７．５以上の範囲の２２５であるために、プリカット性は、原反の幅が３９０ｍｍの場合も４５０ｍｍの場合もともに、破断が一度もおきない結果となった。
　実施例４の接着フィルム２０Ｂは、破断強度と剥離力の比（破断強度／剥離力）が、破断強度と剥離力の比を規定する上記８７．５以上の範囲の１５０であるために、プリカット性は、原反の幅が３９０ｍｍの場合も４５０ｍｍの場合もともに、破断が一度もおきない結果となった。
　表３に示すように、比較例１の接着フィルムは、破断強度と剥離力の比（破断強度／剥離力）が、破断強度と剥離力の比を規定する上記８７．５以上の範囲外の８３．３であるために、プリカット性は、原反の幅が４５０ｍｍの場合には破断が一度もおきなかったが、３９０ｍｍの場合に破断が発生した結果となった。
　比較例２の接着フィルムは、破断強度と剥離力の比（破断強度／剥離力）が、破断強度と剥離力の比を規定する上記８７．５以上の範囲外の５０であるために、プリカット性は、原反の幅が３９０ｍｍの場合も４５０ｍｍの場合もともに、破断が発生した結果となった。
　比較例３の接着フィルムは、破断強度と剥離力の比（破断強度／剥離力）が、破断強度と剥離力の比を規定する上記８７．５以上の範囲外の５８．３であるために、プリカット性は、原反の幅が４５０ｍｍの場合には破断が一度もおきなかったが、３９０ｍｍの場合に破断が発生した結果となった。
　比較例４の接着フィルムは、破断強度と剥離力の比（破断強度／剥離力）が、破断強度と剥離力の比を規定する上記８７．５以上の範囲外の３８．９であるために、プリカット性は、原反の幅が３９０ｍｍの場合も４５０ｍｍの場合もともに、破断が発生した結果となった。
　表２及び表３に示した結果より、接着剤層１２の離型フィルム１１からの単位当たりの剥離力に対して、接着剤層１２の同一単位当たりの破断強度が８７．５倍以上、好ましくは１００倍以上である本実施形態に係る接着フィルム２０を使用することにより、半導体ウエハの形状に対応する形状にプリカット加工されたウエハ加工用テープ１０を作製する際の接着剤層の巻き取り工程における周辺接着剤層部１２ｂの破断を防止することができる。また、本実施形態に係る接着フィルム２０を使用して作製したプリカット加工されたウエハ加工用テープ１０の生産性を向上させることができる。また、不要となる周辺接着剤層部１２ｂの量や、半導体ウエハのダイシング、半導体のダイボンディングチップ等における不要となるウエハ加工用テープ１０の量の少ない生産効率の良いウエハ加工用テープ１０を作製することができる。
１０：ウエハ加工用テープ
１１：離型フィルム
１２：接着剤層
１２ａ：円形接着剤層部
１２ｂ：周辺接着剤層部
１３：粘着フィルム
１３ａ：円形ラベル部
１３ｂ：周辺部
１４：基材フィルム
１５：粘着剤層
２０，２０Ａ，２０Ｂ：接着フィルム
２１：ダイシングダイボンディングフィルム
２２：切り込み

Claims (3)

  1. 　長尺の離型フィルムに接着剤層が積層された接着フィルムであって、
    　前記接着剤層の前記離型フィルムからの単位当たりの剥離力に対して、前記接着剤層の同一単位当たりの破断強度が８７．５倍以上であることを特徴とする接着フィルム。
  2. 　前記接着剤層の前記離型フィルムからの単位当たりの剥離力に対して、前記接着剤層の同一単位当たりの破断強度が１００倍以上であることを特徴とする請求項１に記載の接着フィルム。
  3. 　基材フィルムの上に粘着剤層が積層された粘着フィルムの前記粘着剤層と、請求項１または２に記載の接着フィルムの接着剤層とが貼り合わされていることを特徴とするウエハ加工用テープ。
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