WO2012026357A1 - 太陽電池用基板及び太陽電池 - Google Patents

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秀雄 大岩
渡部　武紀
大塚　寛之
原　一雄
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信越化学工業株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a solar cell substrate and a solar cell that directly convert light energy into electrical energy.
  • a pn junction In general crystalline silicon solar cells, it is necessary to form a pn junction in order to separate carriers generated by irradiation with sunlight.
  • an n-type silicon layer is formed by diffusing a group V element such as phosphorus on the light-receiving surface side, or when n-type silicon is used for the substrate, boron or the like is used on the light-receiving surface side.
  • a p-type silicon layer is formed by diffusing the group III element.
  • a silicon solar cell thermally diffuses a phosphorus-based dopant at a temperature of about 800 to 950 ° C. to form diffusion layers on both surfaces of the substrate. If necessary, an unnecessary portion of the diffusion layer is removed to obtain a diffusion layer for a solar cell.
  • a silicon nitride film is formed on the diffusion layer as an antireflection film, and a grid-like silver paste is printed on the light receiving surface side, and an aluminum paste electrode is printed and fired on almost the entire back surface. It can be a battery.
  • the thickness of the diffusion layer is preferably thin, but if it is too thin, the n-layer portion is likely to be broken by the electrode that is said to penetrate, and the resistance is increased. It becomes impossible to collect current at the electrode part. Therefore, a structure called a selective emitter is used in which the light receiving surface portion is a high resistance layer (low concentration diffusion) with a thin diffusion layer and the electrode portion is a low resistance layer (high concentration diffusion) with a thick diffusion layer.
  • the selective emitter is formed by covering the surface of the substrate with a diffusion barrier film such as SiO 2 , removing the diffusion barrier film in a line shape to create a diffusion window, and selectively diffusing the dopant in the region to increase the concentration.
  • a diffusion layer can be formed and manufactured.
  • the diffusion barrier film is removed and the dopant is diffused over the entire surface including the high-concentration diffusion layer, so that the surrounding region of the high-concentration diffusion layer has a dopant concentration higher than that of the high-concentration diffusion layer.
  • a low concentration diffusion layer is used.
  • the antireflection film can be a silicon nitride film, a titanium oxide film, or an aluminum oxide film. These films can be formed by, for example, a CVD method.
  • the silicon oxide film, silicon nitride film, titanium oxide film, and aluminum oxide film used as antireflection films all terminate defects on the surface of the silicon wafer and improve the characteristics of the solar cell (especially improving the short-circuit current). is there.
  • electrode fingers are formed by printing. The position of the finger of the electrode is manufactured by aligning the substrate with reference to the two sides of the substrate and overlapping the high concentration diffusion layer.
  • the present invention has been made in view of the above circumstances, and can easily determine the orientation of the substrate, and in the manufacturing process of the solar cell, can easily unify the orientation of the substrate and ensure stable characteristics to manufacture the solar cell.
  • a solar cell substrate and a solar cell that can be performed.
  • the present invention provides the following solar cell substrate and solar cell.
  • a flattened portion or a notch portion is formed at or near one corner portion of a silicon substrate having a square shape in plan view, and one of the other corner portions not facing the corner portion.
  • a solar cell substrate in which a notch portion having a shape different from the shape formed in one of the corner portions is formed at or near the corner portion, or a flattened portion is formed at the corner portion.
  • Orientation flats or notches are formed in the ⁇ 110> crystal orientation passing through the approximate center of a silicon single crystal substrate having a square shape with rounded corners and a surface of ⁇ 100 ⁇ plane.
  • a solar cell substrate. [5] An orientation flat is formed at one corner of the silicon single crystal substrate having a round shape in a square shape with each corner rounded, and one corner of the other corner not facing the corner.
  • a low-concentration diffusion layer is formed on the light-receiving surface side of the solar cell substrate according to any one of [1] to [5], and a high-concentration diffusion layer is formed at the finger electrode formation site.
  • the position of the substrate can be easily confirmed, the orientation of the substrate can be determined in the solar cell manufacturing process, and defects caused by the orientation of the substrate are suppressed.
  • FIG. 1 illustrates an example of a solar cell substrate according to the present invention, in which (a) is a plan view in a state where an orientation flat is formed on a cylindrical single crystal ingot, and (b) is a pseudo square in plan view by cutting the periphery.
  • FIG. The other example of the solar cell substrate according to the present invention will be described.
  • (A) is a plan view of polycrystalline silicon produced by a casting method, and (b) is formed with a chamfered portion and a notch portion at a corner. It is a top view of a state. It is explanatory drawing explaining the manufacturing method of a solar cell sequentially.
  • the substrate is processed into a square or a pseudo-square (a square with rounded corners (hereinafter the same)). 1 (b)].
  • the reason for processing the pseudo-square is to reduce the loss of the single crystal due to cutting because the single crystal substrate is made of a cylindrical single crystal.
  • a square substrate is used [FIG. 2 (a)].
  • the orientation of the substrate is discriminated by making it a shape different from other corners, such as forming a chamfered portion at the first corner of the substrate or a notch at the first corner or in the vicinity thereof. It becomes possible to do.
  • a 156 ⁇ 156 mm pseudo-square substrate can be obtained from a cylindrical single crystal ingot having a diameter of 200 mm, and the corner portion has an arc with a radius of 100 mm.
  • An orientation flat (planar portion indicating the crystal direction, hereinafter also referred to as OF) or notch is formed in the arc portion. If the number of processed OFs and notches is one, the direction of the substrate becomes clear. If they are combined so that they are not line-symmetric with respect to the diagonal line of the substrate, it is possible to distinguish between the front and the back.
  • Embodiment 1 of the Invention A method for manufacturing a solar cell using a silicon single crystal solar cell substrate by the CZ method will be described below with reference to FIGS.
  • a method for producing a silicon crystal substrate used for a single crystal solar cell there are an FZ (Floating Zone) method and a CZ (Czochralski) method, and the CZ method is mainly used.
  • high purity silicon polycrystal is put into a quartz crucible.
  • a group III element such as boron or gallium is doped for the p type
  • a group V element such as phosphorus or arsenic is doped for the n type.
  • a resistance of 0.1 ⁇ ⁇ cm to 10 ⁇ ⁇ cm, preferably 0.5 ⁇ ⁇ cm to 2 ⁇ ⁇ cm is suitable for realizing a high-performance solar cell.
  • a cylindrical single crystal ingot having a plane orientation of ⁇ 100> is obtained by immersing a seed crystal having a plane orientation of ⁇ 100> in the melt and pulling it up while rotating. Both ends of the single crystal ingot are cut and the outer periphery is ground to form a cylindrical block.
  • the crystal orientation of a single crystal ingot having a plane orientation ⁇ 100> is measured by X-ray orientation measurement, and the OF or the notch portion is ground in the ⁇ 110> direction which is the cleavage direction through the center of the single crystal [FIG. )reference].
  • the peripheral part is cut into a square or a pseudo-square [see FIG. 1B]. The cutting is performed by rotating 45 degrees with respect to the ⁇ 110> direction which is the cleavage direction so as to leave the OF or notch portion.
  • the outer dimension of the cut portion is 5 mm or less in order to reduce the loss for forming the OF or notch portion.
  • the external dimension refers to the length of a chord that has been flattened if it is OF, and the length of the long side that is notched if it is a notch portion. If the number of processed OFs and notches is one, the direction of the substrate becomes clear. If two or more of them are combined and arranged so as not to be line-symmetric with respect to the diagonal of the pseudo square, there is an advantage that the front and back can be distinguished.
  • Carbon, glass, or the like is bonded to a pseudo square quadrangular prism block and cut to a predetermined substrate thickness. If the substrate thickness is about 50 ⁇ m, incident light can be captured in the solar cell, which is advantageous in terms of cost, but in order to have mechanical strength, it is 150 to 300 ⁇ m. desirable.
  • the cutting method along the cleavage direction has the problem of causing cracks and chipping. Therefore, it is possible to prevent cracking and chipping at the time of cutting by rotating 45 degrees with respect to the cleavage direction and cutting so that the OF or notch portion comes near the corner or near the corner of the pseudo square.
  • the cut substrate 1 [FIG. 3A] is transferred to a cleaning carrier and cleaned.
  • a cleaning carrier When a 156 mm square substrate is made from a single crystal with a diameter of 200 mm, there is a difference in diameter deviation of about 0.5 to 0.7 mm with and without OF, and the substrate direction should be aligned visually. Is possible. Further, the direction of the OF and the notch portion may be unified by discriminating the shape of the substrate with a CCD camera and changing the direction to fill the carrier. Thereby, it is possible to eliminate defects due to the substrate direction difference during the process.
  • the cleaned substrate is thermally oxidized in a high temperature furnace at 800 to 1,000 ° C. in an oxygen atmosphere to form a thin silicon oxide film 2 of about 3 to 30 nm on the light receiving surface side of the substrate [FIG. ].
  • a photoresist material is spin-coated on the light receiving surface of the substrate, and baking is performed at 70 to 100 ° C. for about 20 to 80 minutes. Exposure and development are performed using a glass mask having the same shape as the light-receiving surface electrode pattern.
  • the photoresist material to be used either a positive type or a negative type can be used.
  • the patterned substrate is a silicon oxide film only in a portion where the photoresist film is removed. 2 is removed, a silicon oxide film missing portion having the same pattern as the light receiving surface electrode is formed, and the diffusion groove 3 is formed. Thereafter, the resist film is completely removed by acetone dip, sulfuric acid boil or the like [FIG. 3 (c)].
  • N 2 gas containing POCl 3 is introduced into a high-temperature furnace at 900 to 950 ° C. as a first diffusion treatment on the light receiving surface of this substrate, thereby performing a diffusion treatment 4 using phosphorus of a group V element as a dopant [FIG. d)].
  • the oxide film remaining on the surface serves as a mask for phosphorus diffusion, and phosphorus can be selectively diffused.
  • the orientation of the substrate and the front and back surfaces can be distinguished by the OF and the notch portion of the substrate. Note that this step can also be performed by a coating diffusion method or an ion implantation method.
  • the surface oxide film is removed by etching with a hydrofluoric acid solution of about 1 to 50% by mass [FIG. 3 (e)].
  • a hydrofluoric acid solution of about 1 to 50% by mass
  • N 2 gas containing POCl 3 is introduced into a high temperature furnace at 800 to 850 ° C. as a second diffusion heat treatment, so that a low concentration diffusion heat treatment 5 is formed on the entire surface using phosphorus of group V element as a dopant.
  • the low-concentration diffusion layer 5 is formed so that the sheet resistance is 50 ⁇ / ⁇ or more and 300 ⁇ / ⁇ or less (for example, 100 ⁇ / ⁇ ).
  • the dopant is additionally diffused in the high concentration diffusion layer 4 formed by the first diffusion heat treatment, and the sheet resistance is high concentration of 1 ⁇ / ⁇ or more and 50 ⁇ / ⁇ or less (for example, 10 ⁇ / ⁇ ).
  • the diffusion layer 4 is formed. This step can also be performed by a coating diffusion method or an ion implantation method as in the first diffusion treatment.
  • a coating diffusion method or an ion implantation method as in the first diffusion treatment.
  • an antireflection film 6 made of a silicon nitride film is formed on the substrate surface by a plasma CVD method, both for preventing sunlight reflection and protecting the surface [FIG. 3 (g)].
  • a back electrode 7 is formed on the back surface of the substrate on which the silicon nitride film has been formed by vacuum deposition or sputtering of aluminum or the like.
  • the back electrode 7 is formed with a thickness of, for example, 1 ⁇ m or more and 10 ⁇ m or less (for example, 5 ⁇ m) [FIG. 3 (h)].
  • the electrode 8 can be formed by placing an electrode paste on the surface by printing and baking at 500 to 800 ° C. [FIG. 3 (i)].
  • the finger electrode is formed on the high concentration diffusion layer. Since a large number of transfer processes are performed, the high-concentration diffusion layer 4 and the low-concentration diffusion layer 5 cannot be visually identified, and the direction of the substrate cannot be determined. Thus, it becomes possible to align the orientation of the substrate, and it is possible to manufacture solar cells with a high yield.
  • the CAST method is mainly used as a method for producing a silicon crystal substrate used for a polycrystalline solar cell.
  • metal grade silicon fine particles are put together with a dopant into a crucible made of high purity quartz in a casting furnace through a mold release agent.
  • the dopant is doped with a group III element such as boron or gallium if p-type, or a group V element such as phosphorus or arsenic if n-type.
  • the heater is controlled to lower the temperature from the lower part, and the molten metal grade silicon is hardened from the lower part to form a polycrystalline silicon ingot.
  • the crucible is taken out from the casting furnace, and the solid polycrystalline silicon ingot is taken out from the crucible.
  • the side surface, bottom surface, and top surface side of this polycrystalline silicon ingot are cut off because of the large amount of impurities. For example, in the case of a 200 mm cubic polycrystalline silicon ingot, the side is cut off by 25 mm, the bottom by 20 mm, and the top by 30 mm.
  • the reason why the upper surface is cut off is that the ingot is hardened from below, so that impurities gather on the upper surface due to segregation.
  • a flattened portion or a notch portion is formed by grinding at a corner portion of a polycrystalline silicon ingot [see FIG. 2 (a)] with the side surface, bottom surface, and top surface cut off [see FIG. 2 (a)]. See FIG. 2 (b)].
  • the outer dimension of the cut portion is 5 mm or less. If the number of processing of the flattening portion and the notch portion is one, the direction of the substrate becomes clear. If two or more of them are combined and arranged so as to be asymmetric with respect to the diagonal of the pseudo square, there is an advantage that the front and back can be distinguished.
  • Adhere carbon, glass, etc. to square square block, and cut to a predetermined substrate thickness. If the substrate thickness is about 50 ⁇ m, incident light can be captured in the solar cell, which is advantageous in terms of cost, but in order to have mechanical strength, it is 150 to 300 ⁇ m. desirable.
  • the cut substrate 1 [FIG. 3A] is transferred to a cleaning carrier and cleaned.
  • a cleaning carrier it is possible to align the substrate direction by visually confirming the formed flattened portion or notch portion.
  • the direction of the chamfered part and the notch part may be unified by discriminating the shape of the substrate with a CCD camera and changing the direction to fill the carrier. Thereby, it is possible to eliminate defects due to the substrate direction difference during the process.
  • the cleaned substrate is thermally oxidized in a high temperature furnace at 800 to 1,000 ° C. in an oxygen atmosphere to form a thin silicon oxide film 2 of about 3 to 30 nm on the light receiving surface side of the substrate [FIG. ].
  • a photoresist material is spin-coated on the light receiving surface of the substrate, and baking is performed at 70 to 100 ° C. for about 20 to 80 minutes. Exposure and development are performed using a glass mask having the same shape as the light-receiving surface electrode pattern.
  • the photoresist material to be used either a positive type or a negative type can be used.
  • the patterned substrate is a silicon oxide film only in a portion where the photoresist film is removed.
  • N 2 gas containing POCl 3 is introduced into a high-temperature furnace at 900 to 950 ° C. as a first diffusion treatment on the light receiving surface of this substrate, thereby performing a diffusion treatment 4 using phosphorus of a group V element as a dopant [FIG. d)].
  • the oxide film remaining on the surface serves as a mask for phosphorus diffusion, and phosphorus can be selectively diffused.
  • the orientation of the substrate and the distinction between the front surface and the back surface can be made by the flat portion and the notch portion of the substrate. Note that this step can also be performed by a coating diffusion method or an ion implantation method.
  • the surface oxide film is removed by etching with a hydrofluoric acid solution of about 1 to 50% by mass [FIG. 3 (e)].
  • a hydrofluoric acid solution of about 1 to 50% by mass
  • the dopant is additionally diffused in the high concentration diffusion layer 4 formed by the first diffusion heat treatment, and the sheet resistance is high concentration of 1 ⁇ / ⁇ or more and 50 ⁇ / ⁇ or less (for example, 10 ⁇ / ⁇ ).
  • the diffusion layer 4 is formed.
  • This step can also be performed by a coating diffusion method or an ion implantation method as in the first diffusion treatment.
  • the flattened portion and the notch portion of the present invention can distinguish the direction of the substrate and the front surface and the back surface.
  • an antireflection film 6 made of a silicon nitride film is formed on the substrate surface by a plasma CVD method, both for preventing sunlight reflection and protecting the surface [FIG. 3 (g)].
  • a back electrode 7 is formed on the back surface of the substrate on which the silicon nitride film has been formed by vacuum deposition or sputtering of aluminum or the like.
  • the back electrode 7 is formed with a thickness of, for example, 1 ⁇ m or more and 10 ⁇ m or less (for example, 5 ⁇ m) [FIG. 3 (h)].
  • the electrode 8 can be formed by placing an electrode paste on the surface by printing and baking at 500 to 800 ° C. [FIG. 3 (i)].
  • the finger electrode is formed on the high-concentration diffusion layer ([0031]). Since a large number of transfer processes have been performed, the high-concentration diffusion layer 4 and the low-concentration diffusion layer 5 cannot be visually identified, and the direction of the substrate cannot be determined. The portion makes it possible to align the direction of the substrate and to manufacture a solar cell with a high yield.
  • a p-type single crystal having boron as a dopant element Crystal orientation ⁇ 100> A silicon single crystal having a diameter of 200 mm was prepared by the CZ method. After cylindrical polishing of the single crystal, the crystal orientation is measured by X-ray orientation measurement, the OF is ground to the ⁇ 110> crystal orientation, passes through the center of the substrate, and is rotated 90 degrees with respect to the OF position. The notch was ground [FIG. 1].
  • the peripheral part of the cylindrical ingot was cut into a pseudo-square block.
  • the cutting was performed at an angle of 45 degrees so that the OF processed in the ⁇ 110> direction, which is the cleavage direction, was disposed at the corners, and four sides were cut with an outer peripheral blade cutting machine.
  • the carbon was adhered to the pseudo-square square pillar block, and the substrate thickness was cut to 300 ⁇ m with a wire saw.
  • the cut single crystal substrate has the shape of FIG. 1B in which the substrate is formed with OF and notch portions. By producing the OF and the notch portion in one single crystal, it becomes possible to distinguish the front surface and the back surface when handling the substrate.
  • a silicon oxide film forming a diffusion blocking layer on the surface of the substrate was formed by thermally oxidizing the substrate in an oxygen atmosphere in a high temperature furnace at 1,000 ° C. The film thickness was 30 nm [FIG. 3 (b)]. Then, a positive photoresist material was spin-coated on the surface, baked at 70 ° C. for 20 minutes, exposed and developed using a glass mask having the same shape as the light-receiving surface electrode pattern. In the patterned wafer, the silicon oxide film was removed only in the portion where the photoresist film was removed with a 5 mass% hydrofluoric acid aqueous solution, and the oxide film missing portion having the same pattern as the light receiving surface electrode was formed. Thereafter, acetone dip was performed to remove the resist [FIG. 3 (c)].
  • N 2 gas containing POCl 3 was introduced into a high-temperature furnace at 950 ° C. to perform diffusion treatment using phosphorus of a group V element as a dopant [FIG. 3D]. At this time, the oxide film remaining on the surface served as a mask against phosphorus diffusion, and phosphorus was selectively diffused.

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Abstract

　平面視正方形状のシリコン基板の角部の一つに平面取り部又は角部もしくはその近傍にノッチ部を形成してなる太陽電池用基板に関するもので、本発明によれば、基板の位置を容易に確認でき、太陽電池製造工程において基板の向きの判別が可能となり、基板の向きが原因で発生する不良が抑制される。

Description

太陽電池用基板及び太陽電池
　本発明は、光エネルギーを直接電気エネルギーに変換する太陽電池用基板及び太陽電池に関する。
　近年、地球規模での資源節約や環境悪化の防止にかかる問題を解決していくために、化石燃料の代替エネルギーとして、原子力以外に、風力、波力、太陽光等に潜在するエネルギーを有効利用する技術の開発が行われ実用化されてきている。
　その中で、クリーンな太陽光エネルギーの活用については太陽電池が主要な技術として注目され、安価で、簡便に、小規模からの発電が可能であるため、太陽光発電は個人の住宅やビル全体で消費するエネルギーの一部を代替する技術として実用化されてきている。
　現在、主流となっている一般住宅向けの太陽電池システム等では、パネル状の太陽電池モジュールを複数個直列又は並列に接続し、建物の屋根に並べて敷設することによって所望の出力が得られるよう構成されている。パネル状の太陽電池モジュールに使用される太陽電池セルの形状は、太陽電池パネルの形状にあわせるために、正方形又は角部が欠損している擬似正方形が用いられる。
　太陽電池セルは、光エネルギーを電力に変換する半導体素子であり、ｐ－ｎ接合型、ｐｉｎ型、ショットキー型等があり、特にｐ－ｎ接合型が広く用いられている。また、太陽電池をその基板材料をもとに分類すると、シリコン結晶系太陽電池、アモルファス（非晶質）シリコン系太陽電池、化合物半導体系太陽電池の３種類に大きく分けられる。シリコン結晶系太陽電池は、更に、単結晶系太陽電池と多結晶系太陽電池に分類される。太陽電池用結晶基板は比較的容易に製造できることから、シリコン結晶系太陽電池が最も普及している。
　一般的な結晶シリコン太陽電池は、太陽光線の照射により生成したキャリアを分離するために、ｐ－ｎ接合の形成が必要である。例えば、基板にｐ型シリコンを用いる場合は、受光面側にリン等のＶ族元素を拡散させることでｎ型シリコン層を、又は基板にｎ型シリコンを用いる場合は、受光面側に硼素等のＩＩＩ族元素を拡散させることでｐ型シリコン層を形成する。
　シリコン太陽電池は、ｐ型シリコン基板の場合、リン系のドーパントを８００～９５０℃程度の温度で熱拡散することで基板両面の全面に拡散層を形成する。これを、必要に応じて不要な部分の拡散層を除去して、太陽電池用の拡散層とする。
　そして、この拡散層上に反射防止膜として例えばシリコン窒化膜を形成し、受光面側にグリッド状の銀ペースト、及び裏面のほぼ全面にアルミニウムペースト電極を印刷、焼成することで、シリコン結晶系太陽電池とすることができる。
　ここで、太陽電池の光電変換効率を上げるためには、拡散層の厚さは薄いほうがよいが、薄すぎると突き抜けといわれる電極によるｎ層部分の破壊が起こりやすくなる上に、高抵抗化により電極部分での集電がうまくできなくなる。そのため、受光面部分は拡散層を薄くした高抵抗層（低濃度拡散）とし、電極部分は拡散層を厚くした低抵抗層（高濃度拡散）とする選択エミッタとよばれる構造が用いられる。
　選択エミッタは、基板の表面をＳｉＯ2等の拡散阻止皮膜で覆い、該拡散阻止皮膜を線状に除去して拡散ウィンドウを作製し、その領域内にドーパントを選択的に拡散させることにより高濃度拡散層を形成し、作製することができる。
　高濃度拡散層を形成後、拡散阻止皮膜を除去して高濃度拡散層を含む表面の全面にドーパントを拡散させて、高濃度拡散層の周囲領域を、該高濃度拡散層よりもドーパント濃度の低い低濃度拡散層とする。
　次に表面に反射防止膜を形成する。反射防止膜としては、窒化シリコン膜、酸化チタン膜又は酸化アルミニウム膜が可能である。これらの膜は、例えば、ＣＶＤ法により、形成することができる。
　反射防止膜として用いる酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化チタン膜及び酸化アルミニウム膜は、いずれもシリコンウェハ表面の欠陥を終端し、太陽電池セルの特性を向上（特に短絡電流を向上）させる働きがある。
　次に、反射防止膜を作製後、印刷で、電極のフィンガーを形成する。電極のフィンガーの位置は、基板の２辺を基準にして基板の位置合わせを行い、高濃度拡散層上に重ねて、作製する。
　拡散処理後は、低濃度拡散層と高濃度拡散層の区別が、目視では確認できなくなってしまう。この区別は、電気的な評価（例えば広がり抵抗測定）で確認可能であるが破壊検査となり、検査に時間がかかってしまう。
　太陽電池製造工程は、上記のように多数の工程を経るため、ある工程で、基板が回転してしまった場合に基板の向きが判別できない問題が発生する。これを回避するために、例えば、基板にレーザーマークで印をつけても、反射防止膜を作製することにより、確認が難しく、更に、レーザーマークにより、太陽電池基板に歪みが入り、その部分の特性が低下する問題がある。
　なお、本発明に関連する従来技術として、下記文献が挙げられる。
特開２００４－０６４０２８号公報 特開２００５－１２３４４７号公報
　本発明は、上記事情に鑑みなされたもので、基板の向きを容易に判別でき、太陽電池の製造工程において、基板の向きを統一させることが容易で安定した特性を確保して太陽電池を製造することを可能にする太陽電池用基板及び太陽電池を提供する。
　従って、本発明は下記の太陽電池用基板及び太陽電池を提供する。
［１］平面視正方形状のシリコン基板の角部の一つに平面取り部又は角部もしくはその近傍にノッチ部を形成してなる太陽電池用基板。
［２］平面視正方形状のシリコン基板の角部の一つに平面取り部又は角部もしくはその近傍にノッチ部を形成すると共に、上記角部と対向していない他の角部の一つに対し、上記角部の一つに形成した形状と異なる形状のノッチ部を角部もしくはその近傍に又は平面取り部を角部に形成してなる太陽電池用基板。
［３］各角部が丸味を帯びた平面視正方形状のシリコン単結晶基板の角部の一つにオリエンテーションフラット又は角部もしくはその近傍にノッチ部を形成してなる太陽電池用基板。
［４］各角部が丸味を帯びた平面視正方形状を有し、表面が｛１００｝面であるシリコン単結晶基板のほぼ中心を通る＜１１０＞の結晶方位にオリエンテーションフラット又はノッチ部を形成してなる太陽電池用基板。
［５］各角部が丸味を帯びた平面視正方形状のシリコン単結晶基板の角部の一つにオリエンテーションフラットを形成すると共に、上記角部と対向していない他の角部の一つの角部もしくはその近傍にノッチ部を形成してなる太陽電池用基板。
［６］［１］～［５］のいずれかに記載の太陽電池用基板の受光面側に低濃度の拡散層が形成されていると共に、フィンガー電極形成箇所に高濃度の拡散層が形成されていることを特徴とする太陽電池。
　なお、本発明において角部もしくはその近傍とは、正方形の直角部分又は丸味を帯びた角部の中央部の一点のみをさすのではなく、その周辺部を含むもので、丸味対応部分を含むものである。
　本発明によれば、基板の位置を容易に確認でき、太陽電池製造工程において基板の向きの判別が可能となり、基板の向きが原因で発生する不良が抑制される。
本発明に係る太陽電池用基板の一例を説明するもので、（ａ）は円柱状単結晶インゴットにオリエンテーションフラットを形成した状態の平面図、（ｂ）は周辺部を切断して平面視擬似正方形とした状態の平面図である。 本発明に係る太陽電池用基板の他の例を説明するもので、（ａ）はキャスト法により作製した多結晶シリコンの平面図、（ｂ）は角部に平面取り部及びノッチ部を形成した状態の平面図である。 太陽電池の製造方法を順次説明する説明図である。
　太陽電池セルの形状は、太陽電池パネルの形状にあわせる必要があることから、その基板は、平面視正方形又は擬似正方形（角部が丸味を帯びた正方形（以下同様））に加工される［図１（ｂ）］。擬似正方形に加工するのは、単結晶基板が、円柱の単結晶から作製されるため、切断による単結晶のロスを減少させるためである。多結晶基板の場合は、形状は、鋳型によって変更できるので正方形基板の基板が用いられる［図２（ａ）］。
　本発明においては、この基板の第一角部に平面取り部又は第一角部乃至その近傍にノッチ部を形成するなど、他の角部と異なった形状にすることで、基板の向きを判別することが可能になる。
　正方形基板の場合、この平面取り部又はノッチ部を形成するためのロスを少なくするために切断部分の外形寸法が５ｍｍ以下であることが望ましい。
　擬似正方形基板の場合、例えば、直径２００ｍｍの円柱状単結晶インゴットから１５６×１５６ｍｍの擬似正方形基板を得ることができ、角部は、半径１００ｍｍの円弧となる。この円弧の部分に劈開方向を示すオリエンテーションフラット（結晶方向を示す平面取り部、以後ＯＦともいう）又はノッチ部を形成する。
　ＯＦ、ノッチ部の加工数は、１個あれば、基板の方向が明確になる。それぞれを組み合わせて基板の対角線に対して線対称にならないよう配置すれば、表裏の判別が可能になる。
［発明の実施の形態１］
　以下にＣＺ法によるシリコン単結晶太陽電池基板を使用した太陽電池の製造方法を図１及び図３を参照して説明する。
　単結晶系太陽電池に使用されるシリコン結晶基板の製造方法としては、ＦＺ（Ｆｌｏａｔｉｎｇ　Ｚｏｎｅ）法及びＣＺ（Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ）法があるが、ＣＺ法が主に用いられている。
　まず、石英ルツボに高純度のシリコン多結晶を投入する。次に、目的の導電型、抵抗の単結晶を得るため、ｐ型であれば、ホウ素、ガリウム等のＩＩＩ族元素、ｎ型であればリン、ヒ素などのＶ族元素をドープする。抵抗は０．１Ω・ｃｍ以上１０Ω・ｃｍ以下、望ましくは０．５Ω・ｃｍ以上２Ω・ｃｍ以下とすることが、高性能の太陽電池を実現する上で適している。
　溶融したメルトに、面方位が＜１００＞方向である種結晶を浸し、回転させながら引き上げることにより、面方位が＜１００＞である円筒の単結晶インゴットを得る。その単結晶インゴットの両端部を切断し、外周を研削して円柱状のブロックをつくる。
　面方位＜１００＞の単結晶インゴットを、Ｘ線方位測定によって結晶方位を測定し、単結晶の中心を通り、劈開方向である＜１１０＞方向にＯＦ又はノッチ部を研削する［図１（ａ）参照］。
　次に、円柱を正方形に近づけるために、周辺部を切断し、正方形又は擬似正方形にする［図１（ｂ）参照］。切断は、ＯＦ又はノッチ部を残すように劈開方向である＜１１０＞方向に対して、４５度回転させて切断する。正方形基板の場合、ＯＦ又はノッチ部を形成するためのロスを少なくするために切断部分の外形寸法が５ｍｍ以下であることが望ましい。外形寸法とは、ＯＦであれば平面取りを行った弦の長さ、ノッチ部であれば切欠いた長辺の長さを指す。
　ＯＦ、ノッチ部の加工数は、１個あれば、基板の方向が明確になる。それぞれを組み合わせて２個以上を擬似正方形の対角線に対して線対称にならないよう配置すれば、表裏の判別が可能になる利点がある。
　擬似正方形の四角柱形ブロックにカーボン、ガラス等を接着し、所定の基板厚さに切断する。基板厚さについては、５０μｍ程度あれば、入射した光を太陽電池内にとらえることが可能であり、コスト面でも有利であるが、機械的強度を持つためには、１５０～３００μｍであることが望ましい。
　切断したブロックをスライスして太陽電池用基板を得る際に劈開方向に沿った切断方法では、割れ、カケが生じる問題がある。そこで、劈開方向に対して４５度回転させ、擬似正方形の角部や角部近傍に、ＯＦやノッチ部がくるように切断することによって切断の際の割れ、カケを防止できる。
　切断した基板１［図３（ａ）］は、洗浄用キャリアに移載して、洗浄を実施する。直径２００ｍｍの単結晶から、１５６ｍｍ角の基板を作製した場合、ＯＦが有る場合とない場合で、直径の偏差が０．５～０．７ｍｍ程度の差があり、目視により、基板方向を揃えることが可能である。また、ＣＣＤカメラで、基板の形状を判別し、方向を変えてキャリアに充填することにより、ＯＦ及びノッチ部の方向を統一してもよい。これにより、工程中の基板方向違いによる不良をなくすことが可能となる。
　洗浄された基板を、酸素雰囲気中、８００～１，０００℃の高温炉で熱酸化をし、基板の受光面側に３～３０ｎｍ程度の薄い酸化シリコン膜２を形成する［図３（ｂ）］。
　次に、基板受光面にフォトレジスト材料をスピン塗布し、７０～１００℃で２０～８０分間程度ベーキングを行う。受光面電極パターンと同形状のガラスマスクを用いて露光し、現像する。ここで、用いるフォトレジスト材料は、ポジ型、ネガ型のいずれをも用いることができる。パターニングされた基板は、１～５０質量％程度のフッ酸水溶液、又は、フッ酸とフッ化アンモニウムの混合水溶液により、ポジ型フォトレジスト材料の場合、フォトレジスト膜が除去された部分のみ酸化シリコン膜２が除去され、受光面電極と同パターンの酸化シリコン膜欠落部分が形成され、拡散溝３が形成される。その後、アセトンディップ、硫酸ボイル等によってレジスト膜が完全に除去される［図３（ｃ）］。
　この基板の受光面に第一拡散処理として、ＰＯＣｌ3を含んだＮ2ガスを９００～９５０℃の高温炉に導入することで、Ｖ族元素のリンをドーパントとして拡散処理４する［図３（ｄ）］。このとき、表面上に残っている酸化膜がリン拡散に対するマスクとして働き、リンを選択的に拡散できる。基板取扱いの際、基板のＯＦとノッチ部により、基板の向き及び表面と裏面の区別が可能になる。
　なお、該工程は、塗布拡散法やイオン注入法により行うことも可能である。
　第一拡散処理が終了後、１～５０質量％程度のフッ酸水溶液でエッチングすることで、表面の酸化膜を除去する［図３（ｅ）］。なお、熱処理用の石英治具から、洗浄用キャリアに移載する際、本発明の基板のＯＦとノッチ部により、基板の向き及び表面と裏面の区別が可能になる。
　酸化膜を除去後、第二拡散熱処理としてＰＯＣｌ3を含んだＮ2ガスを８００～８５０℃の高温炉に導入することで、Ｖ族元素のリンをドーパントとして全面に低濃度の拡散熱処理５を実施する［図３（ｆ）］。低濃度の拡散層５は、シート抵抗が５０Ω／□以上３００Ω／□以下（例えば１００Ω／□）となるように形成する。この第二拡散熱処理により、第一拡散熱処理で形成されている高濃度拡散層４には、ドーパントが追加拡散され、シート抵抗が１Ω／□以上５０Ω／□以下（例えば１０Ω／□）の高濃度拡散層４となる。この工程も第一拡散処理と同様、塗布拡散法やイオン注入法により行うことが可能である。なお、洗浄用キャリアから、熱処理用の石英治具に移載する際、本発明のＯＦとノッチ部により、基板の向き及び表面と裏面の区別が可能になる。
　第二拡散処理終了後、太陽光反射防止と表面保護を兼ねて、プラズマＣＶＤ法により基板表面に窒化シリコン膜による反射防止膜６を作製する［図３（ｇ）］。
　窒化シリコン膜を作製した基板の裏面に、アルミニウム等の真空蒸着乃至スパッタリング等により裏面電極７を形成する。この裏面電極７は、厚さが例えば１μｍ以上１０μｍ以下（例えば５μｍ）に形成される［図３（ｈ）］。
　最後に、表面に電極ペーストを印刷により配置し、５００～８００℃で焼成することで、電極８を形成することができる［図３（ｉ）］。この場合、フィンガー電極は高濃度拡散層上に重ねて形成する。多数の移載工程を経るため、高濃度拡散層４と低濃度拡散層５の識別が目視ではできなくなってしまい、基板の方向が判らなくなる問題があったが、本発明のＯＦとノッチ部により、基板の向きをそろえることが可能になり、歩留まりよく太陽電池を作製することが可能となる。
［発明の実施の形態２］
　以下にＣＡＳＴ法によるシリコン多結晶太陽電池基板を使用した太陽電池の製造方法を同様に図２及び図３を参照して説明する。
　多結晶系太陽電池に使用されるシリコン結晶基板の製造方法としては、ＣＡＳＴ法が主に用いられる。最初に、金属級シリコン細粒を、離型剤を介して鋳造炉内の高純度石英製のルツボ内に、ドーパントと共に投入する。ドーパントは目的の導電型、抵抗の多結晶を得るため、ｐ型であれば、ホウ素、ガリウムなどのＩＩＩ族元素、ｎ型であればリン、ヒ素などのＶ族元素をドープする。抵抗は０．１Ω・ｃｍ以上１０Ω・ｃｍ以下、望ましくは０．５Ω・ｃｍ以上２Ω・ｃｍ以下とすることが、高性能の太陽電池を実現する上で適している。そして、ヒータでルツボを１，５００℃程度の温度にし、金属級シリコンを溶融させる。
　次に、ヒータを下部から温度を低くするよう制御し、溶融させた金属級シリコンを下部から固めていくことにより、多結晶シリコンの鋳塊にする。そして、ルツボを鋳造炉から取り出し、固まった多結晶シリコン鋳塊をルツボから取り出す。この多結晶シリコン鋳塊の側面、底面、上面の表面側は、不純物が多いため、切り落とす。例えば、２００ｍｍの立方体の多結晶シリコンの鋳塊の場合、側面は２５ｍｍ、底面は２０ｍｍ、上面は３０ｍｍを切り落とす。上面を多めに切り落とすのは、鋳塊を下から固めているため、上面に偏析により不純物が集まるからである。
　次に、側面、底面、上面の表面側を切り落とした多結晶シリコン鋳塊［図２（ａ）参照］の角部に平面取り部又は角部乃至その近傍にノッチ部を研削加工により形成する［図２（ｂ）参照］。この時、平面取り部又はノッチ部を形成するためのロスを少なくするために切断部分の外形寸法が５ｍｍ以下であることが望ましい。
　平面取り部、ノッチ部の加工数は、１個あれば、基板の方向が明確になる。それぞれを組み合わせて２個以上を擬似正方形の対角線に対して非対称になるよう配置すれば、表裏の判別が可能になる利点がある。
　正方形の四角柱形ブロックにカーボン、ガラス等を接着し、所定の基板厚さに切断する。基板厚さについては、５０μｍ程度あれば、入射した光を太陽電池内にとらえることが可能であり、コスト面でも有利であるが、機械的強度を持つためには、１５０～３００μｍであることが望ましい。
　切断した基板１［図３（ａ）］は、洗浄用キャリアに移載して、洗浄を実施する。このとき、本発明により、形成した平面取り部又はノッチ部を目視により確認することで、基板方向を揃えることが可能である。また、ＣＣＤカメラで、基板の形状を判別し、方向を変えてキャリアに充填することにより、平面取り部及びノッチ部の方向を統一してもよい。これにより、工程中の基板方向違いによる不良をなくすことが可能となる。
　洗浄された基板を、酸素雰囲気中、８００～１，０００℃の高温炉で熱酸化をし、基板の受光面側に３～３０ｎｍ程度の薄い酸化シリコン膜２を形成する［図３（ｂ）］。
　次に、基板受光面にフォトレジスト材料をスピン塗布し、７０～１００℃で２０～８０分間程度ベーキングを行う。受光面電極パターンと同形状のガラスマスクを用いて露光し、現像する。ここで、用いるフォトレジスト材料は、ポジ型、ネガ型のいずれをも用いることができる。パターニングされた基板は、１～５０質量％程度のフッ酸水溶液、又は、フッ酸とフッ化アンモニウムの混合水溶液により、ポジ型フォトレジスト材料の場合、フォトレジスト膜が除去された部分のみ酸化シリコン膜２が除去され、受光面電極と同パターンの酸化シリコン膜欠落部分が形成され、拡散溝（［００２５］）３が形成される。その後、アセトンディップ、硫酸ボイル等によってレジスト膜が完全に除去される［図３（ｃ）］。
　この基板の受光面に第一拡散処理として、ＰＯＣｌ3を含んだＮ2ガスを９００～９５０℃の高温炉に導入することで、Ｖ族元素のリンをドーパントとして拡散処理４する［図３（ｄ）］。このとき、表面上に残っている酸化膜がリン拡散に対するマスクとして働き、リンを選択的に拡散できる。基板取扱いの際、基板の平面取り部とノッチ部により、基板の向き及び表面と裏面の区別が可能になる。
　なお、該工程は、塗布拡散法やイオン注入法により行うことも可能である。
　第一拡散処理が終了後、１～５０質量％程度のフッ酸水溶液でエッチングすることで、表面の酸化膜を除去する［図３（ｅ）］。なお、熱処理用の石英治具から、洗浄用キャリアに移載する際、本発明の基板の平面取り部とノッチ部により、基板の向き及び表面と裏面の区別が可能になる。
　酸化膜を除去後、第二拡散熱処理としてＰＯＣｌ3を含んだＮ2ガスを８００～８５０℃の高温炉に導入することでＶ族元素のリンをドーパントとして全面に低濃度の拡散熱処理５を実施する［図３（ｆ）］。低濃度の拡散層５は、シート抵抗が５０Ω／□以上３００Ω／□以下（例えば１００Ω／□）となるように形成する。この第二拡散熱処理により、第一拡散熱処理で形成されている高濃度拡散層４には、ドーパントが追加拡散され、シート抵抗が１Ω／□以上５０Ω／□以下（例えば１０Ω／□）の高濃度拡散層４となる。この工程も第一拡散処理と同様、塗布拡散法やイオン注入法により行うことが可能である。なお、洗浄用キャリアから、熱処理用の石英治具に移載する際、本発明の平面取り部とノッチ部により、基板の向き及び表面と裏面の区別が可能になる。
　第二拡散処理終了後、太陽光反射防止と表面保護を兼ねて、プラズマＣＶＤ法により基板表面に窒化シリコン膜による反射防止膜６を作製する［図３（ｇ）］。
　窒化シリコン膜を作製した基板の裏面に、アルミニウム等の真空蒸着乃至スパッタリング等により裏面電極７を形成する。この裏面電極７は、厚さが例えば１μｍ以上１０μｍ以下（例えば５μｍ）に形成される［図３（ｈ）］。
　最後に、表面に電極ペーストを印刷により配置し、５００～８００℃で焼成することで、電極８を形成することができる［図３（ｉ）］。この場合、フィンガー電極は高濃度拡散層上に重ねて形成する（［００３１］）。多数の移載工程を経るため、高濃度拡散層４と低濃度拡散層５の識別が目視ではできなくなってしまい、基板の方向が判らなくなる問題があったが、本発明の平面取り部とノッチ部により、基板の向きをそろえることが可能になり、歩留まりよく太陽電池を作製することが可能となる。
　以下、本発明の実施例を説明する。
　まず、ボロンをドーパント元素とするｐ型単結晶　結晶方位＜１００＞　直径２００ｍｍのシリコン単結晶をＣＺ法により作製した。単結晶を円柱研磨後、Ｘ線方位測定によって結晶方位を測定し、＜１１０＞の結晶方位にＯＦを研削し、基板の中心を通り、ＯＦの位置に対して、９０度回転させた位置にノッチ部を研削した［図１］。
　円柱のインゴットの周辺部を切断し、擬似正方形のブロックにした。切断は、劈開方向である＜１１０＞方向に加工したＯＦが角部に配置されるよう４５度に傾け、４辺を外周刃切断機で切断した。
　擬似正方形の四角柱形ブロックにカーボンを接着し、ワイヤーソーで基板厚３００μｍに切断した。切断された単結晶基板は、基板にＯＦ、ノッチ部が形成された図１（ｂ）の形状となった。１本の単結晶にＯＦとノッチ部を作製することで、基板取扱いの際、表面と裏面の区別が可能になった。
　基板の表面に拡散阻止層をなす酸化シリコン膜を基板を酸素雰囲気で１，０００℃の高温炉で熱酸化をして形成した。膜厚は３０ｎｍであった［図３（ｂ）］。そして、表面にポジ型フォトレジスト材料をスピン塗布し７０℃で２０分焼成を行い、受光面電極パターンと同形状のガラスマスクを用いて露光し、現像した。パターニングされたウェハは、５質量％のフッ酸水溶液により、フォトレジスト膜が除去された部分のみ酸化シリコン膜が除去され、受光面電極と同パターンの酸化膜欠落部分が形成された。その後、アセトンディップを行い、レジストを除去した［図３（ｃ）］。
　次に第一拡散処理として、ＰＯＣｌ3を含んだＮ2ガスを９５０℃の高温炉に導入することで、Ｖ族元素のリンをドーパントとして拡散処理した［図３（ｄ）］。このとき、表面上に残っている酸化膜がリン拡散に対するマスクとして働き、リンを選択的に拡散させた。
　第一拡散処理が終了後、フッ酸水溶液でエッチングすることで、表面の酸化膜を除去した［図３（ｅ）］。
　酸化膜を除去後、ＰＯＣｌ3を含んだＮ2ガスを８００℃の高温炉に導入し、ｎ型の低濃度拡散層を形成した［図３（ｆ）］。これにより、リンを選択的に拡散させた部分は、高濃度拡散層となった。
　太陽光反射防止と表面保護を兼ねて、窒化珪素の反射防止膜をプラズマＣＶＤ法により表面に形成した［図３（ｇ）］。
　裏面にアルミニウムの真空蒸着を行い、厚さが５μｍの裏面電極を形成した［図３（ｈ）］。
　最後に、表面に電極ペーストを、印刷により配置し、焼成することで、電極を作製した［図３（ｉ）］。本発明の太陽電池基板の形状により、移載や位置決めの際、外観で向きを判断できるようになったため、基板の向きをそろえることが可能になり、歩留まりよく太陽電池を作製することができた。
１　基板
２　酸化シリコン膜
３　拡散溝
４　高濃度拡散層
５　低濃度拡散層
６　反射防止膜
７　裏面電極
８　表面電極

Claims (6)

  1. 　平面視正方形状のシリコン基板の角部の一つに平面取り部又は角部もしくはその近傍にノッチ部を形成してなる太陽電池用基板。
  2. 　平面視正方形状のシリコン基板の角部の一つに平面取り部又は角部もしくはその近傍にノッチ部を形成すると共に、上記角部と対向していない他の角部の一つに対し、上記角部の一つに形成した形状と異なる形状のノッチ部を角部もしくはその近傍に又は平面取り部を角部に形成してなる太陽電池用基板。
  3. 　各角部が丸味を帯びた平面視正方形状のシリコン単結晶基板の角部の一つにオリエンテーションフラット又は角部もしくはその近傍にノッチ部を形成してなる太陽電池用基板。
  4. 　各角部が丸味を帯びた平面視正方形状を有し、表面が｛１００｝面であるシリコン単結晶基板のほぼ中心を通る＜１１０＞の結晶方位にオリエンテーションフラット又はノッチ部を形成してなる太陽電池用基板。
  5. 　各角部が丸味を帯びた平面視正方形状のシリコン単結晶基板の角部の一つにオリエンテーションフラットを形成すると共に、上記角部と対向していない他の角部の一つの角部もしくはその近傍にノッチ部を形成してなる太陽電池用基板。
  6. 　請求項１乃至５のいずれか１項記載の太陽電池用基板の受光面側に低濃度の拡散層が形成されていると共に、フィンガー電極形成箇所に高濃度の拡散層が形成されていることを特徴とする太陽電池。
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