WO2007080801A1 - 新規イミド誘導体、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents

新規イミド誘導体、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 Download PDF

Info

Publication number
WO2007080801A1
WO2007080801A1 PCT/JP2006/326155 JP2006326155W WO2007080801A1 WO 2007080801 A1 WO2007080801 A1 WO 2007080801A1 JP 2006326155 W JP2006326155 W JP 2006326155W WO 2007080801 A1 WO2007080801 A1 WO 2007080801A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
group
organic
layer
substituted
transport layer
Prior art date
Application number
PCT/JP2006/326155
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Hironobu Morishita
Hisayuki Kawamura
Chishio Hosokawa
Original Assignee
Idemitsu Kosan Co., Ltd.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Idemitsu Kosan Co., Ltd. filed Critical Idemitsu Kosan Co., Ltd.
Priority to JP2007553880A priority Critical patent/JPWO2007080801A1/ja
Publication of WO2007080801A1 publication Critical patent/WO2007080801A1/ja

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D471/00—Heterocyclic compounds containing nitrogen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system, at least one ring being a six-membered ring with one nitrogen atom, not provided for by groups C07D451/00 - C07D463/00
    • C07D471/02—Heterocyclic compounds containing nitrogen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system, at least one ring being a six-membered ring with one nitrogen atom, not provided for by groups C07D451/00 - C07D463/00 in which the condensed system contains two hetero rings
    • C07D471/06—Peri-condensed systems
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D487/00—Heterocyclic compounds containing nitrogen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system, not provided for by groups C07D451/00 - C07D477/00
    • C07D487/02—Heterocyclic compounds containing nitrogen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system, not provided for by groups C07D451/00 - C07D477/00 in which the condensed system contains two hetero rings
    • C07D487/04—Ortho-condensed systems
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G61/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G61/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
    • C08G61/02—Macromolecular compounds containing only carbon atoms in the main chain of the macromolecule, e.g. polyxylylenes
    • C08G61/10—Macromolecular compounds containing only carbon atoms in the main chain of the macromolecule, e.g. polyxylylenes only aromatic carbon atoms, e.g. polyphenylenes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H10K85/621—Aromatic anhydride or imide compounds, e.g. perylene tetra-carboxylic dianhydride or perylene tetracarboxylic di-imide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1003—Carbocyclic compounds
    • C09K2211/1011—Condensed systems
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1003—Carbocyclic compounds
    • C09K2211/1014—Carbocyclic compounds bridged by heteroatoms, e.g. N, P, Si or B
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17—Carrier injection layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31721—Of polyimide

Definitions

  • Novel imide derivatives materials for organic electoluminescence devices, and organic electroluminescence devices using the same
  • the present invention relates to a novel imide derivative, a material for an organic electoluminescence device and an organic electroluminescence device.
  • An organic electoluminescence device (hereinafter, “electtoluminescence” may be abbreviated as "EL”) is injected from the anode and the cathode injected from the anode by applying an electric field. It is a self-luminous element that utilizes the principle that fluorescent substances emit light by the recombination energy of electrons.
  • Non-Patent Document 1 Since the report of low-voltage-driven organic EL devices using stacked devices by CW Tang and others of Eastman Kodak Company (Non-Patent Document 1 etc.) has been made, research on organic EL devices using organic materials as constituent materials has been conducted It is actively performed.
  • the organic EL device reported by Tang et al. Has a laminated structure in which tris (8-hydroxyquinolinol aluminum) is used as a light emitting layer and triphenyldiamine derivative is used as a hole transporting layer.
  • tris (8-hydroxyquinolinol aluminum) is used as a light emitting layer
  • triphenyldiamine derivative is used as a hole transporting layer.
  • the advantages of the stacked structure are that it increases the efficiency of hole injection into the light emitting layer, increases the efficiency of exciton generation by recombination by blocking electrons injected from the cathode, and For example, confinement of excitons generated in the above.
  • the laminated structure of the organic EL element includes a hole transport (injection) layer, a two-layer type of an electron transporting light emitting layer, or a hole transport (injection) layer, a light emitting layer, and an electron transport (injection) layer.
  • the layer type is well known.
  • the element structure and the formation method have been devised in order to increase the recombination efficiency of injected holes and electrons.
  • tetrafluorologinoquinodimethane which is an electron-accepting compound exemplified in Patent Documents 5, 7, 8, etc., has a low molecular weight! /, And is substituted with fluorine.
  • an organic EL device with high sublimation properties is produced by vacuum deposition, it may diffuse into the device and contaminate the device or the device.
  • current leakage S leaks due to crystallization. There were problems such as.
  • Non-patent Document 2 naphthalenetetracarboxylic acid diimide derivatives and pyromellitic acid diimide derivatives.
  • This compound is known to form a charge transfer complex with an amine derivative of a donor compound (Non-patent Document 2). It is also known as a material for electrophotographic photoreceptors (Patent Document 9).
  • the above imide derivatives are electron-accepting and excellent in heat resistance, and therefore can be expected to be resistant to degradation due to decomposition during vapor deposition or device degradation due to Joule heat during driving of an EL device. .
  • vsSCE vs. saturated calomel electrode
  • Patent Document 1 U.S. Pat.No. 4,720,432
  • Patent Document 2 U.S. Patent 5, 061, 569
  • Patent Document 3 Japanese Patent Laid-Open No. 2003-031365
  • Patent Document 4 Japanese Patent Laid-Open No. 2001-297883
  • Patent Document 5 Japanese Unexamined Patent Publication No. 2000-196140
  • Patent Document 6 Japanese Patent Laid-Open No. 11-251067
  • Patent Document 7 Japanese Patent Laid-Open No. 4-297076
  • Patent Document 8 Special Table 2004-514257
  • Patent Document 9 Japanese Patent Laid-Open No. 2001-040237
  • Non-Patent Document 1 C. W. Tang, S. A. Vanslyke, Applied Physics Letters, 51, 913 (1987)
  • Non-Patent Document 2 Japan Polyimide Study Group, “Latest Polyimide”, NTS, etc.
  • the present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to provide an electron-accepting compound suitable as a constituent material of an organic EL element.
  • Another object of the present invention is to provide an organic EL element that can be driven at a low voltage and has a long lifetime. Disclosure of the invention
  • a novel imide compound or a specific imide derivative derived from pyromellitic acid which is an electron-accepting compound, and further introduced an electron-withdrawing group has a high electric charge. It has been found that it retains the acceptability of the child and further improves the heat resistance and electrical characteristics. Then, when this imide derivative is applied to an organic EL element as an organic EL element material, it has been found that the drive voltage can be lowered and the life can be extended.
  • R a and R b are each hydrogen, halogen, cyano group, alkyl group, fluoroalkyl group or aryl group, and at least one of R a or R b is a fluoroalkyl group.
  • R e and R d is a substituted or unsubstituted benzyl group, aryl group, heterocyclic ring, fluoroalkyl group or imide group, respectively.
  • a material for an organic electoluminescence device represented by the following formula (I).
  • a material for an organic electoluminescence device represented by the following formula (II).
  • the imide derivative or the organic electoluminescence device according to any one of 1 to 4, wherein the organic thin film layer includes one or more organic thin film layers including a light emitting layer between the anode and the cathode.
  • organic electroluminescent device wherein the organic thin film layer is a laminate including a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer in this order from the anode side.
  • the organic thin film layer is a laminate including a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer and an electron transport layer in this order from the anode side,
  • the hole transport layer or the hole injection layer containing the imide derivative or the organic electoluminescence device material further contains a furan-diamine compound represented by the following formula (III):
  • R to R are hydrogen, a halogen atom, a trifluoromethyl group, an alkyl group, an aryl group, or a heterocyclic ring. These, together with the bonded phenyl group, are a naphthalene skeleton, a carbazole skeleton, or a fluorene skeleton. N is 1 or 2.
  • a novel material for an organic EL device can be provided.
  • an organic EL element that can be driven at a low voltage and has a long lifetime can be provided.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing one embodiment of an organic EL device of the present invention.
  • the imide derivative of the present invention is a compound represented by the following formula (A).
  • R a and R b are each a hydrogen atom, a halogen atom, a cyano group, an alkyl group, a fluoroalkyl group or an aryl group. However, at least one of R a or R b is a fluoroalkyl group.
  • R e and R d are each a substituted or unsubstituted benzyl group, aryl group, heterocyclic ring, fluoroalkyl group or imide group.
  • the imide derivative of the formula (A) has a high electron accepting property.
  • the drive voltage of the device can be lowered and the life is improved.
  • the film forming apparatus or the organic EL element is not contaminated because it does not scatter inside the film forming apparatus.
  • the alkyl group represented by R a and R b is preferably a methyl group, an isopropyl group, or a tert-butyl group.
  • the fluoralkyl group represented by R a and R b is preferably a trifluoromethyl group or a pentafluoroethyl group.
  • the aryl group represented by R a and R b is preferably a phenyl group or a naphthyl group.
  • the substituent of the benzyl group represented by and R d is preferably a fluoro group, a trifluoromethyl group, or a cyan group.
  • Ariru group represented by R e and R d a substituted or unsubstituted phenyl group, a naphthyl group are preferred.
  • examples of the substituent include a fluoro group, a fluoroalkyl group, and a cyan group.
  • heterocyclic ring represented by R e and R d pyridine ring, pyrazine ring.
  • Furuoroarukiru group represented by R e and R u par full O b butyl group, a cyclohexyl group Pafuruoro are preferred.
  • the imide derivative of the present invention is synthesized, for example, by a reaction between a tetracarboxylic anhydride synthesized by a method described in the literature (Macromolecules, 25, 3540 (1992) (a scheme shown in the following formula) and an amine compound. be able to.
  • the imide derivative of the present invention preferably has a reduction potential in a dimethylformamide (DMF) solution of ⁇ 0.5 V (vsSCE) or more.
  • DMF dimethylformamide
  • the organic EL device material of the present invention is a naphthalenetetracarboxylic acid diimide derivative represented by the following formula (I) or a pyromellitic acid diimide derivative represented by the following formula ( ⁇ ). [0029] [9]
  • the imide derivative represented by the formula (I) or the formula ( ⁇ ) has an electron accepting property, and can be used in an organic EL device to reduce the driving voltage of the device and reduce the lifetime. It can be improved.
  • the film forming apparatus or the organic EL element is not contaminated because it does not scatter inside the film forming apparatus.
  • halogen atom represented by ⁇ to 1 ⁇ is preferably, for example, fluorine or chlorine.
  • Examples of the fluoroalkyl group represented by ⁇ to 1 ⁇ include a trifluoromethyl group, a pentafluoroethyl group, a perfluorocyclohexyl group, a perfluoroadamantyl group, and the like, and a trifluoromethyl group is preferred. ,.
  • the organic EL device material of the present invention preferably has a reduction potential in a dimethylformamide (DMF) solution of -0.5 V (vsSCE) or more.
  • DMF dimethylformamide
  • the organic EL device of the present invention has one or more organic thin film layers including a light emitting layer between a cathode and an anode. At least one of the organic thin film layers contains the imide derivative or organic EL element material of the present invention (hereinafter referred to as an organic EL element material including an imide derivative).
  • FIG. 1 is a schematic sectional view showing one embodiment of the organic EL device of the present invention.
  • the organic EL element 1 an anode 10, a hole injection layer 20, a hole transport layer 30, a light emitting layer 40, an electron transport layer 50, and a cathode 60 are laminated in this order on a substrate (not shown).
  • the organic thin film layer has a laminated structure including a hole injection layer 20, a hole transport layer 30, a light emitting layer 40 and an electron transport layer 50.
  • at least one layer contains the organic EL device material of the present invention. As a result, the drive voltage of the organic EL element can be lowered and the life can be extended.
  • the content of this material with respect to the layer forming the organic thin film layer containing the organic EL device material of the present invention is preferably 1 to: L00 mol%.
  • the organic EL device of the present invention a layer in the region (hole transport region) between the anode 10 and the light emitting layer 40, specifically, the hole injection layer 20 or the hole transport layer 30 is provided.
  • the organic EL of the present invention It is preferable to contain the element material.
  • the hole injection layer 20 on the anode side preferably contains the above material. Better ,.
  • the organic EL device material of the present invention when used for a layer in the hole transport zone, the compound of the present invention alone may form a hole injection layer or a hole transport layer! / However, it may be used by mixing with other materials.
  • a phenylenediamine compound represented by the formula ( ⁇ ) is preferable. .
  • R 1 to R 4 are a hydrogen atom, a halogen atom, a trifluoromethyl group, an alkyl group, an aryl group, or a heterocyclic ring. These include a naphthalene skeleton and a carbazole skeleton together with a bonded phenyl group. Or a fluorene skeleton may be formed, and n is 1 or 2.
  • this phenylenediamine compound When this phenylenediamine compound is contained, the homogeneity of film quality, heat resistance, or charge injection property when the compound of the present invention is used alone may be improved.
  • alkyl group represented R 21 to R 26 is, for example, a methyl group, an isopropyl group, tert-butyl group, cyclohexyl group are preferable.
  • Ariru group represented R 21 to R 26 is, for example, Hue - group, a naphthyl group, is Furuoreniru group. These may be substituted with a methyl group or the like.
  • the heterocyclic showing R 21 to R 26 is, for example, pyridine ring, pyrazine ring favored.
  • R 21 to R 26 may include a phenyl group to be bonded to form a naphthalene skeleton, a force rubazole skeleton, or a fluorene skeleton. These may be substituted with a methyl group or the like. Yes.
  • the content of the compound of formula (III) for the hole transport layer or a hole injection layer is preferably 0.1 to 99 mol 0/0.
  • the configuration of the organic EL element of the present invention is not limited to the above-described embodiment.
  • it may have the following configurations (1) to (15).
  • the organic EL device of the present invention is manufactured on a light-transmitting substrate.
  • the transparent substrate is a substrate that supports the organic EL element, and is preferably a smooth substrate having a light transmittance in the visible region of 400 to 700 nm of 50% or more.
  • a glass plate, a polymer plate, etc. are mentioned.
  • the glass plate include soda-lime glass, norlium strontium-containing glass, lead glass, aluminosilicate glass, borosilicate glass, norium borosilicate glass, and quartz.
  • the polymer plate include polycarbonate, acrylic, polyethylene terephthalate, polyethersulfide, and polysulfone.
  • translucency is unnecessary when a support substrate is located on the opposite side to the light extraction direction.
  • the anode of the organic EL element plays a role of injecting holes into the hole transport layer or the light emitting layer.
  • indium tin oxide alloy ITO
  • tin oxide NESA
  • indium zinc oxide alloy IZO
  • gold silver, platinum, copper, etc.
  • a reflective electrode that does not require transparency is used, a metal or an alloy such as aluminum, molybdenum, chromium, or nickel can be used in addition to these metals.
  • These materials can be used alone.
  • An alloy of these materials or a material to which other elements are added can be appropriately selected and used.
  • the transmittance for light emitted from the anode is 10%. It is preferable to make it larger. Further, the sheet resistance of the anode is preferably several hundred ⁇ or less.
  • the film thickness of the anode is a force depending on the material, and is usually selected in the range of 10 nm to l ⁇ m, preferably 10 to 200 nm.
  • the light-emitting layer of the organic EL device has the following functions (1) to (3).
  • Injection function Function that can inject holes from the anode or hole injection layer when an electric field is applied, and can inject electrons from the cathode or electron injection layer
  • Transport function Function to move injected charges (electrons and holes) by the force of electric field
  • Luminescent function a function that provides a field for recombination of electrons and holes and connects them to light emission. There is no difference between the ease of hole injection and the ease of electron injection. It is preferable to transfer one of the charges, although the transport ability represented by the mobility of electrons and electrons is large or small.
  • Examples of the light-emitting material or doping material that can be used for the light-emitting layer include anthracene, naphthalene, phenanthrene, pyrene, tetracene, coronene, taricene, funole-resin, perylene, lid-perylene, naphtha-perylene, perinone, lid-mouth Perinone, Naphthin Perinone
  • Ar is a substituted or unsubstituted condensed aromatic group having 10 to 50 nuclear carbon atoms.
  • Ar is a substituted or unsubstituted aromatic group having 6 to 50 nuclear carbon atoms.
  • X is a substituted or unsubstituted aromatic group having 6 to 50 nuclear carbon atoms, a substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic group having 5 to 50 nuclear atoms, or a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 50 carbon atoms.
  • a, b and c are each an integer of 0-4.
  • n is an integer of 1 to 3. When n is 2 or more, the values in [] may be the same or different. )
  • R 31 to R 4 ° each independently represents a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted aromatic ring group having 6 to 50 nuclear carbon atoms, a substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic group having 5 to 50 nuclear atoms, Substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 50 carbon atoms, substituted or unsubstituted cycloalkyl group, substituted or unsubstituted alkoxy group having 1 to 50 carbon atoms, substituted or unsubstituted 6 to 50 carbon atoms An aralkyl group, a substituted or unsubstituted aryloxy group having 5 to 50 nuclear atoms, a substituted or unsubstituted aryloxy group having 5 to 50 nuclear atoms, a substituted or unsubstituted alkoxycarbon group having 1 to 50 carbon atoms, Substituted or unsubstituted silyl group, carboxyl group, halogen
  • Ar 3 and Ar 4 are each a substituted or unsubstituted aromatic group having 6 to 50 nuclear carbon atoms.
  • L 1 and L 2 are a substituted or unsubstituted phenylene group, a substituted or unsubstituted naphthalene group, a substituted or unsubstituted fluorenylene group, or a substituted or unsubstituted dibenzosilolylene group, respectively.
  • n is an integer from 1 to 4
  • s is an integer from 0 to 2
  • t is an integer from 0 to 4.
  • L 1 or Ar 3 is bonded to any of the 1-5 positions of pyrene
  • L 2 or Ar 4 is bonded to any of the 6-10 positions of pyrene.
  • Ar 3 , Ar 4 , L 1 and L 2 satisfy the following (1) or (2).
  • Ar 3 ⁇ Ar 4 and Z or LL 2 (where ⁇ indicates a group having a different structure) (2) Eight! ⁇ 8! ⁇ D
  • L 1 and L 2 or the force with which pyrene binds to different bond positions on Ar 3 and Ar 4 respectively (2-2-2) L 1 and L 2 , or Pyrene force
  • the substitution positions in the pyrene of L 1 and L 2 or Ar 3 and Ar 4 are the 1st and 6th positions, or the 2nd and 7th positions. There is no case.
  • a 1 and A 2 are each independently a substituted or unsubstituted condensed aromatic ring group having 10 to 20 nuclear carbon atoms.
  • Ar 5 and Ar 6 are each independently a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted aromatic ring group having 6 to 50 nuclear carbon atoms.
  • R 41 to R 5 ° each independently represents a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted aromatic ring group having 6 to 50 nuclear carbon atoms, a substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic group having 5 to 50 nucleus atoms, Substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 50 carbon atoms, substituted or unsubstituted cycloalkyl group, substituted or unsubstituted alkoxy group having 1 to 50 carbon atoms, substituted or unsubstituted 6 to 50 carbon atoms An aralkyl group, a substituted or unsubstituted aryloxy group having 5 to 50 nuclear atoms, a substituted or unsubstituted aryloxy group having 5 to 50 nuclear atoms, a substituted or unsubstituted alkoxycarbon group having 1 to 50 carbon atoms, Substituted or unsubstituted silyl group, carboxyl group,
  • R bU are each independently a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an optionally substituted aryl group, alkoxyl group, aryloxy group, alkylamino group, alkenyl group, aryl group or A heterocyclic group which may be substituted; a and b each represent an integer of 1 to 5; when they are 2 or more, R 51 or R 52 are the same in each case However, they may be different, or R 51 or R 52 may be bonded to form a ring, or R 53 and R 54 , R 55 and R 56 , R 57 and R 58 , R 59 and R 6 may be bonded to each other to form a ring L 3 is a single bond, —O—, 1 S—, — N (R) — (R is an alkyl group or an optionally substituted aryl Group), an alkylene group or an arylene group.
  • R 61 to R 7G are each independently a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, an alkoxyl group, an aryloxy group, an alkylamino group, an arylamino group, or a plurality of which may be substituted.
  • R 61, R 62 together, with each other or R 67 together R 66, at each They may be the same or different, and R 61 , R 62 , R 66, or R 67 may be bonded to form a ring, or R 63 and R 64 , R 68 and R 69 may be May be bonded to each other to form a ring
  • L 4 is a single bond, -0-, -S-, — N (R) — (R is an alkyl group or an optionally substituted aryl group) Represents an alkylene group or an arylene group.
  • a 5 to A 8 are each independently a substituted or unsubstituted biphenyl group or a substituted or unsubstituted naphthyl group.
  • R 71 to! ⁇ Are each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a cycloalkyl group having 3 to 6 carbon atoms, or 1 carbon atom.
  • at least one of A 9 to A 14 is a group having three or more condensed aromatic rings.
  • a fluorene compound represented by the following formula (ix) is represented by the following formula (ix).
  • R and R are a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted aralkyl group, a substituted or unsubstituted aryl group, a substituted or unsubstituted heterocyclic group, a substituted amino group, R 74 and R 74 bonded to different fluorene groups may be the same or different, and 74 and 75 bonded to the same fluorene group may be the same or different.
  • R 76 and R 77 represent a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted aralkyl group, a substituted or unsubstituted aryl group, or a substituted or unsubstituted heterocyclic group.
  • each other R 77 is R 76 and R 77 Yogu bonded to the same fluorene group optionally substituted by one or more identical, different even with the same Even though it may.
  • Ar 7 and Ar 8 a total of three or more substituted or unsubstituted fused polycyclic aromatic group or a benzene ring and a heterocyclic ring total of three or more substituted or unsubstituted benzene ring And represents a condensed polycyclic heterocyclic group bonded to a fluorene group by carbon, and Ar 7 and Ar 8 may be the same or different, and n represents an integer of 1 to 10.
  • an anthracene derivative is preferable, a monoanthracene derivative is more preferable, and an asymmetric anthracene is particularly preferable.
  • a phosphorescent compound can also be used.
  • the host material is preferably a compound containing a force rubazole ring.
  • the dopant is a compound capable of emitting triplet exciton force, and is not particularly limited as long as it also emits triplet exciton force, but a group force including Ir, Ru, Pd, Pt, Os and Re force is selected.
  • Porphy is preferred to be a metal complex containing two metals Phosphorus metal complexes or orthometal ⁇ metal complexes are preferred.
  • a host suitable for phosphorescence emission with a compound power containing a strong rubazole ring is a compound having the function of emitting a phosphorescent compound as a result of energy transfer from its excited state to the phosphorescent compound. is there.
  • the host compound is not particularly limited as long as it is a compound that can transfer the exciton energy to the phosphorescent compound, and can be appropriately selected according to the purpose.
  • the strong rubazole ring it may have an arbitrary heterocyclic ring.
  • host compounds include force rubazole derivatives, triazole derivatives, oxazole derivatives, oxaziazole derivatives, imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives, pyrazolone derivatives, furan diamine derivatives, arylamine derivatives , Amino-substituted chalcone derivatives, styrylanthracene derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, stilbene derivatives, silazane derivatives, aromatic tertiary amine compounds, styrylamine compounds, aromatic dimethylidene compounds, porphyrin compounds, anthraquinodis Methane derivatives, anthrone derivatives, diphenylquinone derivatives, thiobilane dioxide derivatives, carpositimide derivatives, fluorenylidenemethane derivatives, distyrylvirazine derivatives, naphthalene derivatives Heterocycl
  • a phosphorescent dopant is a compound capable of emitting triplet exciton power.
  • the triplet exciton force is not particularly limited as long as it emits light, but a group complex of Ir, Ru, Pd, Pt, Os, and Re force is preferably a metal complex containing at least one selected metal, and is preferably a porphyrin metal complex or ortho metal ion. ⁇ Metal complexes are preferred.
  • the porphyrin metal complex is preferably a porphyrin platinum complex.
  • the phosphorescent compound may be used alone or in combination of two or more.
  • ligands that form ortho-metal ⁇ metal complexes
  • preferred ligands include 2 phenyl pyridine derivatives, 7, 8 benzoquinoline derivatives, 2- (2 chel) pyridine derivatives, Examples include 2- (1 naphthyl) pyridine derivatives and 2-phenol quinolin derivatives. These derivatives may have a substituent as necessary. In particular, fluorinated compounds and trifluoromethyl groups introduced are preferred as blue dopants. Furthermore, it may have a ligand other than the above ligands such as acetylacetonate and picric acid as an auxiliary ligand.
  • the content of the phosphorescent dopant in the light-emitting layer is not particularly limited, and can be appropriately selected according to the purpose. For example, it is 0.1 to 70% by mass, and 1 to 30 quality. % By weight is preferred. If the phosphorescent emissive compound content is less than 0.1% by mass, the light emission is weak and the effect of the content is not fully exhibited. If the content exceeds 70% by mass, a phenomenon called concentration quenching is prominent. The device performance deteriorates.
  • the light emitting layer may contain a hole transport material, an electron transport material, and a polymer binder, if necessary.
  • the thickness of the light emitting layer is preferably 5 to 50 nm, more preferably 7 to 50 nm, and most preferably 10 to 50 nm. If the thickness is less than 5 nm, it is difficult to form a light emitting layer, and it may be difficult to adjust the chromaticity. If the thickness exceeds 50 nm, the driving voltage may increase.
  • the hole transport layer is a layer that assists hole injection into the light emitting layer and transports it to the light emitting region, and the ion mobility with large hole mobility is usually as low as 5.5 eV or less.
  • a material that transports holes to the light emitting layer with lower electric field strength is preferable, and the mobility of holes is, for example, at least 10 _4 when an electric field of 10 4 to 10 6 VZcm is applied.
  • the compound of the present invention when used in the hole transport zone, the compound of the present invention alone may form a hole transport layer, or may be mixed with other materials. You may use it.
  • a phenol-diamine amine compound represented by the above formula (III) is preferred.
  • the mixture is not limited to the compound of the formula (III), but is also commonly used as a charge transport material for holes, or a publicly known material used for the hole injection layer of EL devices. You can select and use any of these.
  • the following mixed material may form the hole transport layer alone.
  • the mixed material include, for example, triazole derivatives (see, for example, US Patent 3,112,197), oxadiazole derivatives (see, for example, US Patent 3,189,447), imidazole derivatives (special No. 37-16096), polyarylalkane derivatives (US Pat. No. 3,615,402, US Pat. No. 3,820,989, US Pat. No. 3,542,544), JP-A-45-555, JP-A-51-10983, JP-A-51-93 224, 55-17105, 56-4148, 55-108667, 55-156953, 56-36656, etc.), pyrazoline derivatives and pyrazolone derivatives (US) Patent Nos.
  • the hole transport layer it is preferable to provide a separate hole injection layer in order to further assist hole injection.
  • the organic EL material of the present invention alone may be used, or it may be used by mixing with other materials.
  • a porphyrin compound Japanese Patent Laid-Open No. 63-29556965
  • aromatic tertiary amine compounds and styrylamine compounds US Pat. No. 4,127,412, JP-A 53-27033, 54-58445, 54-149634
  • aromatic tertiary amine compounds and styrylamine compounds US Pat. No. 4,127,412, JP-A 53-27033, 54-58445, 54-149634
  • inorganic compounds such as p-type Si and p-type SiC can also be used as the material for the hole injection layer.
  • the thickness of the hole injection layer or hole transport layer is not particularly limited, but is usually 5 ⁇ ! ⁇ 5 ⁇ m.
  • the hole injection and transport layer may be composed of one or more of the above-mentioned materials!
  • a layer in which a hole injection / transport layer made of a different type of compound from the injection / transport layer is laminated may be used.
  • the organic semiconductor layer is also a hole transport layer, which is a layer for helping the injection of holes or electrons into the emitting layer, those having a conductivity of more than 10 _1 SZcm Preferred.
  • the material for such an organic semiconductor layer include thiophene oligomers, conductive oligomers such as allylamin oligomers disclosed in JP-A-8-193191, and conductive materials such as allylamin dendrimers. Sex dendrimers and the like can be used.
  • the electron injection layer 'transport layer assists the injection of electrons into the light emitting layer and transports it to the light emitting region, and has a high electron mobility.
  • the adhesion improving layer is a layer made of a material that is particularly excellent in adhesion to the cathode among the electron injection layers.
  • the electron transport layer is appropriately selected with a film thickness of several nm to several; zm.
  • the electron mobility is at least 1 when an electric field of 10 4 to 10 6 VZcm is applied. 0 _5 cm it is preferably at 2 ZVs more.
  • 8-hydroxyquinoline or a metal complex of its derivative or an oxadiazole derivative is suitable.
  • Specific examples of the above-mentioned metal complexes of 8-hydroxyquinoline or its derivatives include metal chelate oxinoid compounds including chelates of oxine (generally 8-quinolinol or 8-hydroxyquinoline) such as tris (8 —Quinolinol) Aluminum can be used as an electron injection material.
  • examples of the oxadiazole derivative include an electron transfer compound represented by the following general formula.
  • Ar 11 , Ar 1 ′, Ar ′′, Ar 1, Ar lb , and Ar 19 each represent a substituted or unsubstituted aryl group, and may be the same as or different from each other.
  • Ar 14 , Ar 17 , and Ar is represent a substituted or unsubstituted arylene group, which may be the same or different! /
  • aryl groups include a phenyl group, a biphenyl group, an anthryl group, a perylenyl group, and a pyrenyl group.
  • arylene group examples include a phenylene group, a naphthylene group, a biphenylene group, an anthrylene group, a peryleneylene group, and a pyrenylene group.
  • substituent examples include alkyl groups having 1 to 10 carbon atoms, alkoxy groups having 1 to 10 carbon atoms, and cyano groups. Groups and the like.
  • This electron transfer compound is preferably a film-forming material.
  • a 1 to A 3 are each independently a nitrogen atom or a carbon atom, c
  • a 1 is a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 60 nuclear carbon atoms, or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 3 to 60 nuclear carbon atoms.
  • any one of Ar 21 and Ar 22 is a substituted or unsubstituted condensed ring group having 10 to 60 nuclear carbon atoms, a substituted or unsubstituted monoheterocondensed ring group having 3 to 60 nuclear carbon atoms, or These are divalent groups.
  • Ar 23 is a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 60 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted heteroarylene group having 3 to 60 carbon atoms.
  • L 11 , L 12 and L 13 are each independently a single bond, a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 60 nuclear carbon atoms, a substituted or unsubstituted heteroarylene group having 3 to 60 nuclear carbon atoms, or A substituted or unsubstituted fluorenylene group.
  • R 81 is a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 60 nuclear carbon atoms, a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 3 to 60 nuclear carbon atoms, a substituted or unsubstituted carbon number of 1 to 2
  • R 82 represents a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 60 nuclear carbon atoms, a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 3 to 60 nuclear carbon atoms, a substituted or unsubstituted carbon number of 1 to 2
  • HAr is substituted a nitrogen-containing heterocyclic ring which may having 3 to 40 carbon atoms
  • L 1 4 is a single bond, a good number of carbon atoms from 6 may have a substituent It has a 60 arylene group, a substituent !, or a heteroarylene group having 3 to 60 carbon atoms or a substituent! /, May! /
  • Ar 24 is an optionally substituted divalent aromatic hydrocarbon group having 6 to 60 carbon atoms
  • Ar 25 is an aryl group having 6 to 60 carbon atoms which may have a substituent. Or it may have a substituent and is a heteroaryl group having 3 to 60 carbon atoms. Nitrogen-containing heterocyclic derivatives.
  • X 11 and Y 11 are each independently a saturated or unsaturated hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group, an alkoxy group, an alkyloxy group, a hydroxy group, Or an unsubstituted aryl group, a substituted or unsubstituted hetero ring, or a structure in which X 11 and Y 11 are combined to form a saturated or unsaturated ring, and R 85 to R 88 are each independently a water group.
  • R 91 to R 98 and Z 2 are each independently a hydrogen atom, saturated or unsaturated carbonization
  • ⁇ 12 , ⁇ 12 and z 1 are each independently a saturated or unsaturated carbon
  • n Represents an integer of ⁇ 3, and when n is 2 or more, Z 1 may be different. However, n includes 1, X 12 , Y 12 and R 92 are methyl groups, and R 98 is a hydrogen atom or a substituted boryl group, and n is 3 and a Z force S methyl group. Absent.
  • Q 1 and Q 2 each independently represent a ligand represented by the following formula ( 7 ), and L 15 represents a halogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted group.
  • a substituted cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted aryl group, a substituted or unsubstituted heterocyclic group OR ′ (R ′ is a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group, Substituted or unsubstituted aryl group, substituted or unsubstituted heterocyclic group.) Or —O Ga—Q 3 (Q 4 ) (Q 3 and Q 4 are the same as Q 1 and Q 2 ) Represents a ligand. ]
  • rings A 24 and A 25 may have a substituent, and are a 6-membered aryl ring structure condensed with each other. ]
  • This metal complex is strong as an n-type semiconductor and has a high electron injection capability. Furthermore, since the formation energy during complex formation is low, the metal and ligand of the formed metal complex And the fluorescence quantum efficiency as a light emitting material is also increasing.
  • substituents of the rings A 24 and A 25 forming the ligand of the formula (7) include chlorine, bromine, iodine, halogen atoms of fluorine, methyl group, ethyl group, propyl group, butyl Group, s-butyl group, t-butyl group, pentyl group, hexyl group, heptyl group, octyl group, stearyl group, trichloromethyl group, etc., substituted or unsubstituted alkyl group, phenyl group, naphthyl group, 3-methylphenol Substituted or unsubstituted groups such as -l-group, 3-methoxyphenyl group, 3-fluorophenyl group, 3-trichloromethylphenol group, 3-trifluoromethylphenol group, 3--trifluorophenyl group, etc.
  • a 6-membered aryl ring or a heterocyclic ring may be formed.
  • a preferred embodiment of the present invention is an element containing a reducing dopant in an electron transporting region or an interface region between a cathode and an organic layer.
  • the reducing dopant is defined as a substance capable of reducing an electron transporting compound. Accordingly, various materials can be used as long as they have a certain reducibility, such as alkali metals, alkaline earth metals, rare earth metals, alkali metal oxides, alkali metal halides, alkaline earth metals.
  • preferable reducing dopants include Li (work function: 2.9 eV),
  • At least one alkali in which the group force consisting of Na (work function: 2.36eV), K (work function: 2.28eV), Rb (work function: 2.16eV) and Cs (work function: 1.95eV) is also selected Metals, Ca (work function: 2.9 eV), Sr (work function: 2.0 to 2.5 eV), and Ba (work function: 2.5 2 eV) forces also at least one selected alkaline earth
  • Particularly preferred are those having a work function of 2.9 eV or less.
  • a more preferred reducing dopant is at least one alkali metal selected from the group consisting of K, Rb, and Cs, more preferably Rb or Cs, and most preferably Cs. is there.
  • the reducing ability can be efficiently demonstrated, and by adding to the electron injection region, the luminance of the organic EL element can be improved and the lifetime can be extended.
  • an electron injection layer composed of an insulator or a semiconductor may be further provided between the cathode and the organic layer. At this time, current leakage can be effectively prevented, and the electron injection property can be improved.
  • an insulator it is preferable to use at least one metal compound selected from the group consisting of alkali metal chalcogenides, alkaline earth metal chalcogenides, alkali metal halides and alkaline earth metal halides.
  • Electron injection layer force S It is preferable that it is composed of these alkali metal chalcogenides and the like because the electron injection property can be further improved.
  • alkali metal chalcogenides include, for example, Li 0, LiO, Na
  • alkaline earth metal chalcogenides include
  • Examples include CaO, BaO, SrO, BeO, BaS, and CaSe.
  • Examples of preferred alkali metal halides include LiF, NaF, KF, LiCl, KC1, and NaCl.
  • preferable alkaline earth metal halides include fluorides such as CaF, BaF, SrF, MgF and BeF, and halogens other than fluorides.
  • At least one element of Ba, Ca, Sr, Yb, Al, Ga, In, Li, Na, Cd, Mg, Si, Ta, Sb, and Zn is used as a semiconductor constituting the electron transport layer.
  • At least one element of Ba, Ca, Sr, Yb, Al, Ga, In, Li, Na, Cd, Mg, Si, Ta, Sb, and Zn is used as a semiconductor constituting the electron transport layer.
  • One kind or a combination of two or more kinds of oxides, nitrides, or oxynitrides are included.
  • the inorganic compound constituting the electron transport layer is preferably a microcrystalline or amorphous insulating thin film. If the electron transport layer is composed of these insulating thin films, a more uniform thin film can be formed, so that pixel defects such as dark spots can be reduced. Alkali metal chalcogenides, alkaline earth metal chalcogenides, alkali metal halides and alkaline earth metal halos described above. Geni pork etc. are listed.
  • a metal, an alloy, an electrically conductive compound having a low work function (4 eV or less), and a mixture thereof are used as an electrode material.
  • electrode materials include sodium, sodium monopotassium alloy, magnesium, lithium, magnesium 'silver alloy, aluminum / acid aluminum, aluminum' lithium alloy, indium, and rare earth metals. .
  • This cathode can be produced by forming a thin film of these electrode materials by a method such as vapor deposition or sputtering.
  • the transmittance with respect to light emission of the cathode is larger than 10%.
  • the sheet resistance as a cathode is several hundred ⁇ . ⁇ 1 ⁇ m, preferably 50 to 200 nm.
  • organic EL applies an electric field to an ultra-thin film, pixel defects are likely to occur due to leaks and shorts. In order to prevent this, it is preferable to insert an insulating thin film layer between the pair of electrodes.
  • Examples of materials used for the insulating layer include aluminum oxide, lithium fluoride, lithium oxide, cesium fluoride, cesium oxide, magnesium oxide, magnesium fluoride, calcium oxide, calcium fluoride, cesium fluoride, and carbonic acid.
  • Examples include cesium, aluminum nitride, titanium oxide, silicon oxide, germanium oxide, silicon nitride, boron nitride, molybdenum oxide, ruthenium oxide, and vanadium oxide.
  • An organic EL device can be produced by forming an anode, a light emitting layer, a hole injection layer if necessary, an electron injection layer if necessary, and the like from the materials exemplified above, and further forming a cathode.
  • the organic EL element can be fabricated from the cathode to the anode in the reverse order.
  • a thin film having an anode material strength is formed on a suitable light-transmitting substrate by a method such as vapor deposition or sputtering so as to have a film thickness of 1 ⁇ m or less, preferably in the range of 10 to 2 OOnm, thereby producing an anode.
  • the hole transport layer is provided on the anode.
  • the hole transport layer can be formed by a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, an LB method, or the like. A homogeneous film can be obtained immediately and pinholes are not easily generated. It is preferable to form by a vacuum deposition method.
  • the deposition conditions vary depending on the compound used (the material of the hole transport layer), the crystal structure and recombination structure of the target hole transport layer, and the like.
  • the deposition source temperature is 50 to 450 ° C
  • the degree of vacuum is 10 7 to 10 _3 torr
  • the deposition rate is 0.01 to 50 nm Z seconds
  • the substrate temperature is 50 to 300 ° C
  • the film thickness is 5 nm to 5 ⁇ m. It is preferable to select.
  • a light emitting layer is provided on the hole transport layer.
  • the light-emitting layer can also be formed by thinning the organic light-emitting material using a desired organic light-emitting material by a method such as vacuum deposition, sputtering, spin coating, or casting, but a homogeneous film can be obtained. It is preferable to form by vacuum vapor deposition from the viewpoints that pinholes are not easily generated.
  • the deposition conditions vary depending on the compound used, but can generally be selected from the same condition range as the hole transport layer.
  • an electron transport layer is provided on the light emitting layer.
  • a vacuum evaporation method because it is necessary to obtain a homogeneous film.
  • Deposition conditions can be selected in the same condition range as those for the hole transport layer and the light emitting layer.
  • a cathode can be laminated to obtain an organic EL device.
  • the cathode also has a metallic force, and vapor deposition and sputtering can be used. Force In order to protect the underlying organic layer from damages during film formation, vacuum deposition is preferred.
  • the organic EL devices described so far are preferably produced from the anode to the cathode in a single vacuum.
  • the method for forming each layer of the organic EL device of the present invention is not particularly limited. Specifically, vacuum deposition method, molecular beam deposition method (MBE method), or coating methods such as dating method, spin coating method, casting method, bar coating method, roll coating method, etc. using a solution in which the material is dissolved in a solvent. Can be formed by a known method.
  • each organic layer of the organic EL device of the present invention is not particularly limited, but generally, if the film thickness is too thin, defects such as pinholes occur, and conversely, if it is too thick, a high applied voltage is required. Usually, the range of several nm to 1 ⁇ m is preferable.
  • the organic EL element emits light when a voltage is applied between the electrodes.
  • a direct voltage is applied to the organic EL device, light emission can be observed by applying a voltage of 5 to 40 V with the anode set to + and the cathode set to one polarity. Even if a voltage is applied with the opposite polarity, no current flows and no light emission occurs.
  • AC voltage is applied, uniform light emission is observed only when the anode is + and the cathode is of the same polarity.
  • the AC waveform to be applied is arbitrary!
  • This compound was dissolved in DMF to make a 0.01 mol Z liter solution, and the reduction potential was measured by cyclic voltammetry in the same manner as in Example 1. As a result, the reduction potential was ⁇ 0.33 V.
  • Example 1 The procedure of Example 1 was repeated except that p trifluoromethylaline in Example 2 was changed to 3, 4, 5 trifluoroaline 6. Og, and a pale yellow solid (1-5) 4 3g was obtained.
  • the IR measurement of the compound, carboxymethyl to 1710 cm _1 - absorption Le group was confirmed. Mass vector measurement confirmed MZZ 526.
  • the reduction potential was measured in the same manner as in Example 2. As a result, it was 0.33V.
  • the reduction potential was measured in the same manner as in Example 2. As a result, it was ⁇ 0.30 V.
  • the reduction potential was measured in the same manner as in Example 2. As a result, it was 0.32V.
  • a glass substrate with a transparent electrode having a thickness of 25 mm X 75 mm X 1.1 mm was ultrasonically cleaned in isopropyl alcohol for 5 minutes, followed by UV ozone cleaning for 30 minutes.
  • a glass substrate with a transparent electrode line after washing is mounted on a substrate holder of a vacuum deposition apparatus, and first, the transparent electrode is covered on the surface on which the transparent electrode line is formed with a film thickness of 60 nm.
  • the compound represented by (A-1) and the compound represented by the following formula (C-1) were formed to have a ratio of 2:98 (molar ratio). This mixed film functions as a hole injection layer.
  • HTM-1 a layer of a compound represented by the following formula (HTM-1) was formed to a thickness of 20 nm on this mixed film.
  • This film functions as a hole transport layer.
  • EM1 a compound represented by the following formula (EM1) having a film thickness of 40 nm was deposited to form a film.
  • the following amine compound (D1) having a styryl group was deposited as a light emitting molecule so that the weight ratio of EM1 and D1 was 0: 2. This film functions as a light emitting layer.
  • Alq a compound represented by the following formula (Alq) was formed to a thickness of 10 nm. This functions as an electron injection layer.
  • the reducing dopant Li Li source: manufactured by SAES Getter Co., Ltd.
  • Alq Alq are vapor-deposited to form an eight-layer film ⁇ ) !) as an electron injection layer (cathode) did.
  • metal A1 is deposited to form a metal cathode to form an organic EL light emitting device.
  • Table 1 shows the measurement results of the drive voltage at the current density of lOmAZcm 2 and the half life of light emission at an initial luminance of 1000 nits, room temperature, and DC constant current drive.
  • An organic EL light emitting device was formed and evaluated in the same manner as in Example 6 except that (1-6) synthesized in Example 4 was used instead of (A-1) when forming the hole injection layer. .
  • the imide derivative or the material for an organic EL device of the present invention is suitable as a constituent material of the organic EL device, particularly as a material for a hole transport layer and a hole injection layer. It can also be used as a charge transport material for electrophotographic photoreceptors. In addition, it is also useful as a material for organic photoreceptors and organic solar cells.
  • the organic EL device of the present invention can be suitably used for light sources such as flat light emitters and display backlights, display units such as mobile phones, PDAs, car navigation systems, car instrument panels, and lighting.
  • light sources such as flat light emitters and display backlights
  • display units such as mobile phones, PDAs, car navigation systems, car instrument panels, and lighting.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Nitrogen Condensed Heterocyclic Rings (AREA)

Description

明 細 書
新規イミド誘導体、有機エレクト口ルミネッセンス素子用材料及びそれを用 レ、た有機エレクト口ルミネッセンス素子
技術分野
[0001] 本発明は新規なイミド誘導体、有機エレクト口ルミネッセンス素子用材料及び有機 エレクト口ルミネッセンス素子に関する。
背景技術
[0002] 有機エレクト口ルミネッセンス素子（以下、 「エレクト口ルミネッセンス」を「EL」と略記 することがある）は、電界を印可することにより、陽極より注入された正孔と陰極より注 入された電子の再結合エネルギーにより蛍光性物質が発光する原理を利用した自 発光素子である。
[0003] イーストマン 'コダック社の C. W. Tang等による積層型素子による低電圧駆動有機 EL素子の報告 (非特許文献 1等)がなされて以来、有機材料を構成材料とする有機 EL素子に関する研究が盛んに行われて 、る。
Tang等が報告した有機 EL素子は、トリス（8—ヒドロキシキノリノールアルミニウム） を発光層に、トリフエ-ルジァミン誘導体を正孔輸送層にする積層構造を有する。積 層構造の利点としては、発光層への正孔の注入効率を高めること、陰極より注入され た電子をブロックして再結合により生成する励起子の生成効率を高めること、及び発 光層内で生成した励起子を閉じ込めること等が挙げられる。
[0004] 有機 EL素子の積層構造としては、正孔輸送 (注入)層、電子輸送性発光層の二層 型、又は正孔輸送 (注入)層、発光層、電子輸送 (注入)層の 3層型等がよく知られて いる。こうした積層型構造素子では、注入された正孔と電子の再結合効率を高めるた め、素子構造や形成方法の工夫がなされている。
[0005] 従来、有機 EL素子に用いられる正孔輸送材料として、特許文献 1記載の芳香族ジ ァミン誘導体や、特許文献 2記載の芳香族縮合環ジァミン誘導体が知られて ヽた。 それらの芳香族ジァミン誘導体を正孔輸送材料に用いた有機 EL素子は、十分な 発光輝度を得るために印加電圧が高くなるため、素子寿命の低下や消費電力の大き くなる等の問題を生じて!/、た。
[0006] これらの問題の解決法として、有機 EL素子の正孔注入層にルイス酸等の電子受容 性ィ匕合物をドープする方法が提案されている (特許文献 3〜6等)。ただし、それらで 用いられて 、る電子受容性化合物は、有機 EL素子の製造工程にお 、て取扱 、上、 不安定であったり、あるいは有機 EL素子駆動時において、耐熱性等の安定性が不 足し、寿命が低下する等の問題があった。
また、特許文献 5, 7, 8等に例示されている電子受容性ィ匕合物であるテトラフルォ ロジシァノキノジメタンは、分子量が小さ!/、ことやフッ素で置換されて 、ることにより、 昇華性が高ぐ有機 EL素子を真空蒸着で作製する際に、装置内に拡散し、装置や 素子を汚染する恐れがあったり、また、素子にした際に結晶化により電流力 Sリークす る等の課題があった。
[0007] そこで、本発明者らは、イミド誘導体に着目して研究を進めた。具体的に、ナフタレ ンテトラカルボン酸ジイミド誘導体やピロメリット酸ジイミド誘導体に着目した。この化 合物は、ドナー化合物のァミン誘導体と電荷移動錯体を形成することが知られている (非特許文献 2)。また、電子写真感光体用材料としても知られている (特許文献 9)。
[0008] 上記のイミド誘導体は電子受容性であり、耐熱性にも優れるため、蒸着時の分解に よる生産性低下や EL素子駆動中のジュール熱等による素子劣化への耐久性が期 待できる。
しかし、電子写真感光体の電子輸送材料として用いられるイミド誘導体の還元電位 は 1. 5〜一 0. 5V (対飽和カロメル電極、以下「vsSCE」という）であり電子受容性 が弱い。このため、有機 EL素子に適用するには性能が不足していた。
特許文献 1 :米国特許 4, 720, 432号明細書
特許文献 2 :米国特許 5, 061, 569号明細書
特許文献 3：特開 2003— 031365号公報
特許文献 4：特開 2001— 297883号公報
特許文献 5：特開 2000— 196140号公報
特許文献 6：特開平 11― 251067号公報
特許文献 7：特開平 4— 297076号公報 特許文献 8：特表 2004 - 514257号公報
特許文献 9：特開 2001— 040237号公報
非特許文献 1 : C. W. Tang, S. A. Vanslyke, Applied Physics Letters, 51, 913 (1987)
非特許文献 2 :日本ポリイミド研究会編、「最新ポリイミド」、ェヌ'ティー'エス社等
[0009] 本発明は上述の問題に鑑みなされたものであり、有機 EL素子の構成材料として好 適な電子受容性化合物を提供することを目的とする。
また、低電圧で駆動でき、かつ長寿命な有機 EL素子を提供することを目的とする。 発明の開示
[0010] 本発明者らは、鋭意研究の結果、電子受容性ィ匕合物であるピロメリット酸に由来し、 さらに電子吸引基を導入した新規イミド化合物、又は特定のイミド誘導体が、高い電 子受容性を保持し、さらに、耐熱性や電気的特性を向上することを見出した。そして 、このイミド誘導体を有機 EL素子材料として有機 EL素子に適用すると、駆動電圧の 低電圧化や長寿命化を実現できることを見出した。
[0011] 本発明によれば、以下のイミド誘導体等が提供される。
1.下記式 (A)で表されるイミド誘導体。
[化 1]
Figure imgf000005_0001
(式中、 Ra及び Rbは、それぞれ水素、ハロゲン、シァノ基、アルキル基、フルォロアル キル基又はァリール基であり、 Ra又は Rbの少なくとも一つはフルォロアルキル基であ る。 Re及び Rdは、それぞれ置換もしくは無置換のベンジル基、ァリール基、複素環、 フルォロアルキル基又はイミド基である。 )
2.下記式 (I)で表される有機エレクト口ルミネッセンス素子用材料。
[化 2]
Figure imgf000006_0001
1〜!^は、それぞれ水素、ハロゲン、フルォロアルキル基又はシァノ基である。伹 し、 1^〜1^の全てが水素であるものは除く。 )
3.下記式 (II)で表される有機エレクト口ルミネッセンス素子用材料。
[化 3]
Figure imgf000006_0002
( 1〜!^は、それぞれ水素、ハロゲン、フルォロアルキル基又はシァノ基である。伹 し、 1〜!^。の全てが水素であるものは除く。 )
4.ジメチルホルムアミド溶液中での還元電位（対飽和カロメル電極）がー 0. 5V以上 である 1〜3のいずれかに記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子用材料。
5.陽極と陰極と、
前記陽極と陰極との間に発光層を含む一層又は複数層の有機薄膜層を有し、 前記有機薄膜層の少なくとも一層が 1〜4のいずれかに記載のイミド誘導体又は有 機エレクト口ルミネッセンス素子用材料を含有する有機エレクト口ルミネッセンス素子。
6.前記有機薄膜層が、陽極側から正孔輸送層、発光層及び電子輸送層をこの順に 含む積層体である 5に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子。
7.前記正孔輸送層が、前記イミド誘導体又は有機エレクト口ルミネッセンス素子用材 料を含有する 6に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子。
8.前記有機薄膜層が、陽極側から正孔注入層、正孔輸送層、発光層及び電子輸送 層をこの順に含む積層体であり、
前記正孔注入層が、前記イミド誘導体又は有機エレクト口ルミネッセンス素子用材 料を含有する 5に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子。
9.前記イミド誘導体又は有機エレクト口ルミネッセンス素子用材料を含有する正孔輸 送層又は正孔注入層が、さらに下記式 (III)で表されるフ -レンジアミンィ匕合物を含 有する 7又は 8に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子。
Figure imgf000007_0001
(式中、 R 〜R は、水素、ハロゲン原子、トリフルォロメチル基、アルキル基、ァリー ル基又は複素環である。これらは結合するフ ニル基とともに、ナフタレン骨格、カル バゾール骨格又はフルオレン骨格を形成してもよい。 nは 1又は 2である。 )
[0012] 本発明によれば、新規な有機 EL素子用材料が提供できる。
また、本発明によれば、低電圧で駆動でき、かつ長寿命である有機 EL素子が提供 できる。
図面の簡単な説明
[0013] [図 1]本発明の有機 EL素子の一実施形態を示す概略断面図である。
発明を実施するための最良の形態
[0014] はじめに、本発明のイミド誘導体について説明する。
本発明のイミド誘導体は、下記式 (A)で表される化合物である。
[化 5]
Figure imgf000007_0002
式 (A)において、 Ra及び Rbは、それぞれ水素、ハロゲン、シァノ基、アルキル基、フ ルォロアルキル基又はァリール基である。ただし、 Ra又は Rbの少なくとも一つはフル ォロアルキル基である。 Re及び Rdは、それぞれ置換もしくは無置換のベンジル基、ァ リール基、複素環、フルォロアルキル基又はイミド基である。 [0016] 式 (A)のイミド誘導体は、高い電子受容性を有する。また、有機 EL素子用材料とし て使用すると、素子の駆動電圧を低下することができ、また、寿命が向上する。また、 素子の製造時において、成膜装置内部に飛散することがないため、成膜装置又は有 機 EL素子を汚染することもな 、。
[0017] 式 (A)において、 Ra及び Rbが示すノヽロゲン原子として、フッ素、塩素が好ましい。
[0018] Ra及び Rbが示すアルキル基として、メチル基、イソプロピル基、 tert—ブチル基が 好ましい。
[0019] Ra及び Rbが示すフルォロアルキル基として、トリフルォロメチル基、ペンタフルォロ ェチル基が好ましい。
[0020] Ra及び Rbが示すァリール基として、フエニル基、ナフチル基が好ましい。
[0021] 式 (A)において、 及び Rdが示すベンジル基の置換基として、フルォロ基、トリフル ォロメチル基、シァノ基が好ましい。
[0022] Re及び Rdが示すァリール基として、置換又は無置換のフエニル基、ナフチル基が 好ましい。
尚、置換基としては、フルォロ基、フルォロアルキル基、シァノ基等が挙げられる。
[0023] Re及び Rdが示す複素環として、ピリジン環、ピラジン環が好ましい。
[0024] Re及び Ruが示すフルォロアルキル基として、パーフルォロブチル基、パーフルォロ へキシル基が好ましい。
[0025] Re及び Rdが示すイミド基として、下記に示す置換基等が好ま 、。
[化 6]
Figure imgf000008_0001
[0026] 本発明のイミド誘導体は、例えば、文献（Macromolecules, 25, 3540 (1992)に 記載の方法（下記式に示すスキーム）により合成したテトラカルボン酸無水物とァミン 化合物との反応により合成することができる。
Figure imgf000009_0001
本発明のイミド誘導体は、好ましくはジメチルホルムアミド (DMF)溶液での還元電 位が—0. 5V (vsSCE)以上である。
還元電位が 0. 5V以上の化合物を使用することにより、電子受容性がより強くな る。特に好ましくは、—0. 4V以上である。
以下に式 (A)で表される化合物の好適例を示す。尚、化合物の合成例については 、後述する実施例にて説明する。
Figure imgf000010_0001
(A- 1) (A-2)
Figure imgf000010_0002
Figure imgf000010_0003
(A-5) (A-6)
Figure imgf000010_0004
Figure imgf000011_0001
(A- 19) (A— 20) 次に、本発明の有機 EL素子用材料について説明する。
本発明の有機 EL素子用材料は、下記式 (I)で表されるナフタレンテトラカルボン酸 ジイミド誘導体、又は下記式 (Π)で表されるピロメリット酸ジイミド誘導体である。 [0029] [ィ匕 9]
Figure imgf000012_0001
[0030] 式（I)にお!/、て、！^〜1^1(>は、それぞれ水素、ハロゲン、フルォロアルキル基又はシ ァノ基である。但し、 I^ R1^の全てが水素であるものは除く。
式（II)において、！^11〜!^2。は、それぞれ水素、ハロゲン、フルォロアルキル基又は シァノ基である。但し、！^〜 ^の全てが水素であるものは除く
[0031] 式 (I)又は式 (Π)に示されるイミド誘導体は、電子受容性を有し、有機 EL素子に使 用することで素子の駆動電圧を低下することができ、また、寿命を向上できる。
また、素子の製造時において、成膜装置内部に飛散することがないため、成膜装 置又は有機 EL素子を汚染することもな 、。
[0032] 式 (I)と式（II)において、！^〜1^が示すハロゲン原子としては、例えば、フッ素又は 塩素が好ましい。
[0033] 式 (I)と式 (II)にお 、て、！^〜1^が示すフルォロアルキル基としては、例えば、トリ フルォロメチル基、ペンタフルォロェチル基、パーフルォロシクロへキシル基、パーフ ルォロアダマンチル基等があり、トリフルォロメチル基が好まし 、。
[0034] 本発明の有機 EL素子用材料は、好ましくはジメチルホルムアミド (DMF)溶液での 還元電位が— 0. 5V (vsSCE)以上である。
還元電位が 0. 5V以上の化合物を使用することにより、電子受容性がより強くな る。特に好ましくは、—0. 4V以上である。
[0035] 以下に本発明の有機 EL素子用材料として好適に使用されるイミド誘導体の例を示 す。尚、合成方法の例については、後述する実施例にて説明する。
Figure imgf000013_0001
Figure imgf000013_0002
(1 -3) (1 -4)
Figure imgf000013_0003
(1 -5) (1 -6)
Figure imgf000013_0004
(1 -7) (1 -8)
Figure imgf000013_0005
(II- 1) CII-2)
Figure imgf000013_0006
(II一 3) (Π— 4)
Figure imgf000014_0001
Figure imgf000014_0002
Figure imgf000014_0003
(II - 9 )
[0036] 次に、本発明の有機 EL素子について説明する。
本発明の有機 EL素子は、陰極と陽極の間に、発光層を含む一層又は複数層の有 機薄膜層を有する。そして有機薄膜層のうちの少なくとも一層に、本発明のイミド誘 導体又は有機 EL素子用材料 (以下、イミド誘導体を含めて、有機 EL素子用材料と 記載する。）を含有する。
[0037] 図 1は本発明の有機 EL素子の一実施形態を示す概略断面図である。
有機 EL素子 1では、基板（図示せず)上に陽極 10、正孔注入層 20、正孔輸送層 3 0、発光層 40、電子輸送層 50、陰極 60がこの順に積層されている。この素子におい て、有機薄膜層は正孔注入層 20、正孔輸送層 30、発光層 40及び電子輸送層 50か らなる積層構造となっている。これら有機薄膜層を形成する層のうち、少なくとも 1層 が本発明の有機 EL素子用材料を含有する。これにより、有機 EL素子の駆動電圧を 低くでき、また、長寿命化を達成できる。
尚、本発明の有機 EL素子用材料を含有する有機薄膜層を形成する層に対するこ の材料の含有量は、好ましくは 1〜： L00mol%である。
[0038] 本発明の有機 EL素子においては、陽極 10と発光層 40との間の領域 (正孔輸送帯 域）にある層、具体的には、正孔注入層 20又は正孔輸送層 30が、本発明の有機 EL 素子用材料を含有することが好ましい。尚、本実施形態のように、正孔注入層 20及 び正孔輸送層 30の両者を有する素子にお ヽては、陽極側にある正孔注入層 20が 上記材料を含有することが好まし 、。
[0039] 尚、本発明の有機 EL素子用材料を正孔輸送帯域の層に用いる場合、本発明の化 合物単独で正孔注入層又は正孔輸送層を形成してもよ!/、し、他の材料と混合して用 いてもよい。
例えば、本発明の有機 EL素子用材料と芳香族ァミン誘導体とを混合して、正孔注 入層又は正孔輸送層を形成する場合、式 (ΠΙ)で表されるフエ-レンジァミン化合物 が好ましい。
[化 11]
Figure imgf000015_0001
[0040] (式中、 R 〜R は、水素、ハロゲン原子、トリフルォロメチル基、アルキル基、ァリー ル基又は複素環である。これらは結合するフ ニル基とともに、ナフタレン骨格、カル バゾール骨格又はフルオレン骨格を形成してもよい。 nは 1又は 2である。 )
このフエ-レンジアミンィ匕合物を含有させると、本発明の化合物を単独に使用した 際の膜質の均質性や、耐熱性、あるいは電荷注入性を改良できる場合がある。
[0041] 式 (III)にお 、て、 R21〜R26が示すノヽロゲン原子としては、フッ素原子が好まし!/、。
[0042] R21〜R26が示すアルキル基として、例えば、メチル基、イソプロピル基、 tertブチル 基、シクロへキシル基が好ましい。
[0043] R21〜R26が示すァリール基として、例えば、フエ-ル基、ナフチル基、フルォレニル 基が好ましい。尚、これらはメチル基等で置換されていてもよい。
[0044] R21〜R26が示す複素環として、例えば、ピリジン環、ピラジン環が好ま 、。
[0045] また R21〜R26は、結合するフエ二ル基を含んでナフタレン骨格、力ルバゾール骨格 又はフルオレン骨格を形成してもよい。尚、これらはメチル基等で置換されていてもよ い。
[0046] 正孔輸送層又は正孔注入層に対する式 (III)の化合物の含有量は、好ましくは 0.1 〜99モル0 /0である。
以下に式 (III)の化合物の好適例を示す。
[0047] [化 12]
Figure imgf000016_0001
(C-7) (C-8)
Figure imgf000017_0001
( C - 9 ) ( C一 1 0 )
Figure imgf000017_0002
( C— 1 1 )
尚、本発明の有機 EL素子の構成は、上記実施形態に限定されるものではなぐ例 えば、以下に示す（ 1)〜（ 15)の構成を有して 、てもよ!/、。
(1)陽極 Z発光層 Z陰極
(2)陽極 Z正孔輸送層 Z発光層 Z陰極
(3)陽極 Z発光層 Z電子輸送層 Z陰極
(4)陽極 Z正孔輸送層 Z発光層 Z電子輸送層 Z陰極
(5)陽極 Z正孔輸送層 Z発光層 Z付着改善層 Z陰極
(6)陽極 Z正孔注入層 Z正孔輸送層 Z発光層 Z電子輸送層 Z陰極 (図 1)
(7)陽極 Z正孔輸送層 Z発光層 Z電子輸送層 Z電子注入層 Z陰極
(8)陽極 Z正孔注入層 Z正孔輸送層 Z発光層 Z電子輸送層 Z電子注入層 Z陰極
(9)陽極 Z絶縁層 Z正孔輸送層 Z発光層 Z電子輸送層 Z陰極
do)陽極 Z正孔輸送層 Z発光層 Z電子輸送層 Z絶縁層 Z陰極
(11)陽極 Z無機半導体層 Z絶縁層 Z正孔輸送層 Z発光層 Z絶縁層 Z陰極
(12)陽極 z絶縁層 Z正孔輸送層 Z発光層 Z電子輸送層 Z絶縁層 Z陰極 (13)陽極 z正孔注入層 z正孔輸送層 z発光層 z電子輸送層 z絶縁層 z陰極
(14)陽極 Z絶縁層 Z正孔注入層 Z正孔輸送層 Z発光層 Z電子輸送層 Z電子注 入層 Z陰極
(15)陽極 z絶縁層 Z正孔注入層 Z正孔輸送層 Z発光層 Z電子輸送層 Z電子注 入層 Z絶縁層 Z陰極
[0049] これらの中で、通常 (4)、（6)、（7)、（8)、（12)、（13)及び（15)の構成が好ましく 用いられる。
以下、本発明の有機 EL素子を構成する各部材について説明する。
[0050] (透光性基板）
本発明の有機 EL素子は透光性の基板上に作製する。ここで ヽぅ透光性基板は有 機 EL素子を支持する基板であり、 400〜700nmの可視領域の光の透過率が 50% 以上で、平滑な基板が好ましい。
具体的には、ガラス板、ポリマー板等が挙げられる。ガラス板としては、特にソーダ 石灰ガラス、ノ リウム 'ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケィ酸ガラス、ホウ ケィ酸ガラス、ノリウムホウケィ酸ガラス、石英等が挙げられる。またポリマー板として は、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルフアイ ド、ポリサルフォン等を挙げることができる。
尚、光取り出し方向の反対側に支持基板が位置する場合には透光性は不要である
[0051] (陽極）
有機 EL素子の陽極は、正孔を正孔輸送層又は発光層に注入する役割を担うもの であり、陽極側に透明性を必要とする場合は、酸化インジウム錫合金 (ITO)、酸化錫 (NESA)、酸化インジウム亜鉛合金 (IZO)、金、銀、白金、銅等が適用できる。また、 透明性を必要としない、反射型電極とする場合には、それらの金属の他に、アルミ、 モリブデン、クロム、ニッケル等の金属や合金を使用することもできる。
これら材料は単独で用いることもできる力 これら材料同士の合金や、その他の元 素を添加した材料も適宜選択して用いることができる。
発光層からの発光を陽極から取り出す場合、陽極の発光に対する透過率は 10%よ り大きくすることが好ましい。また陽極のシート抵抗は、数百 ΩΖ口以下が好ましい。 陽極の膜厚は材料にもよる力 通常 10nm〜l μ m、好ましくは 10〜200nmの範囲 で選択される。
[0052] (発光層）
有機 EL素子の発光層は以下（1)〜（3)の機能を併せ持つものである。
(1) 注入機能;電界印加時に陽極又は正孔注入層より正孔を注入することができ、 陰極又は電子注入層より電子を注入することができる機能
(2) 輸送機能；注入した電荷 (電子と正孔)を電界の力で移動させる機能
(3) 発光機能;電子と正孔の再結合の場を提供し、これを発光につなげる機能 正孔の注入されやすさと電子の注入されやすさに違いがあってもよぐまた、正孔と 電子の移動度で表される輸送能に大小があってもょ 、が、どちらか一方の電荷を移 動することが好ましい。
[0053] 発光層に使用できる発光材料又はドーピング材料としては、例えば、アントラセン、 ナフタレン、フエナントレン、ピレン、テトラセン、コロネン、タリセン、フノレ才レセイン、 ペリレン、フタ口ペリレン、ナフタ口ペリレン、ペリノン、フタ口ペリノン、ナフタ口ペリノン
、ジフエニルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、クマリン、ォキサジァゾール、アル ダジン、ビスべンゾキサゾリン、ビススチリノレ、ピラジン、シクロペンタジェン、キノリン金 属錯体、ァミノキノリン金属錯体、ベンゾキノリン金属錯体、ィミン、ジフエ-ルェチレ ン、ビニルアントラセン、ジァミノカルバゾール、ピラン、チォピラン、ポリメチン、メロシ 了ニン、イミダゾールキレートィ匕ォキシノイド化合物、キナクリドン、ルブレン及び蛍光 色素等が挙げられる力 S、これらに限定されるものではない。
[0054] 発光層に使用できるホスト材料としては、下記 (i)〜 (ix)で表される化合物が好まし い。
下記式 (i)で表される非対称アントラセン。
[化 13]
Figure imgf000020_0001
(式中、 Arは置換もしくは無置換の核炭素数 10〜50の縮合芳香族基である。
Ar，は置換もしくは無置換の核炭素数 6〜50の芳香族基である。
Xは、置換もしくは無置換の核炭素数 6〜50の芳香族基、置換もしくは無置換の核 原子数 5〜50の芳香族複素環基、置換もしくは無置換の炭素数 1〜50のアルキル 基、置換もしくは無置換の炭素数 1〜50のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素 数 6〜50のァラルキル基、置換もしくは無置換の核原子数 5〜50のァリールォキシ 基、置換もしくは無置換の核原子数 5〜50のァリールチオ基、置換もしくは無置換の 炭素数 1〜50のアルコキシカルボ-ル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シァノ基 、ニトロ基、ヒドロキシル基である。
a、 b及び cは、それぞれ 0〜4の整数である。
nは 1〜3の整数である。また、 nが 2以上の場合は、 [ ]内は、同じでも異なってい てちよい。 )
下記式 (ii)で表される非対称モノアントラセン誘導体。
[化 14]
Figure imgf000020_0002
(式中、 Ar1及び Ar2は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核炭素数 6〜50の 芳香族環基であり、 m及び nは、それぞれ 1〜4の整数である。ただし、 m=n= lでか つ Ar1と Ar2のベンゼン環への結合位置が左右対称型の場合には、 Ar1と Ar2は同一 ではなぐ m又は nが 2〜4の整数の場合には mと nは異なる整数である。
R31〜R4°は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の核炭素数 6〜50 の芳香族環基、置換もしくは無置換の核原子数 5〜50の芳香族複素環基、置換もし くは無置換の炭素数 1〜50のアルキル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル基、 置換もしくは無置換の炭素数 1〜50のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数 6 〜50のァラルキル基、置換もしくは無置換の核原子数 5〜50のァリールォキシ基、 置換もしくは無置換の核原子数 5〜50のァリールチオ基、置換もしくは無置換の炭 素数 1〜50のアルコキシカルボ-ル基、置換もしくは無置換のシリル基、カルボキシ ル基、ハロゲン原子、シァノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基である。 )
下記式 (iii)で表される非対称ピレン誘導体。
[化 15]
Figure imgf000021_0001
(式中、 Ar3及び Ar4は、それぞれ置換もしくは無置換の核炭素数 6〜50の芳香族基 である。
L1及び L2は、それぞれ置換もしくは無置換のフエ-レン基、置換もしくは無置換の ナフタレ-レン基、置換もしくは無置換のフルォレニレン基又は置換もしくは無置換 のジベンゾシロリレン基である。
mは 0〜2の整数、 nは 1〜4の整数、 sは 0〜2の整数、 tは 0〜4の整数である。 また、 L1又は Ar3は、ピレンの 1〜5位のいずれかに結合し、 L2又は Ar4は、ピレンの 6〜10位のいずれかに結合する。
ただし、 n+tが偶数の時、 Ar3, Ar4, L1, L2は下記（1) 又は（2) を満たす。 (1) Ar3≠Ar4及び Z又は L L2(ここで≠は、異なる構造の基であることを示す。 ) (2) 八！^ニ八 かっ！^ニ の時
(2- 1) m≠s及び Z又は n≠t、又は
(2- 2) m= sかつ n=tの時、
(2- 2- 1) L1及び L2、又はピレンが、それぞれ Ar3及び Ar4上の異なる結合位 置に結合している力、 (2- 2- 2) L1及び L2、又はピレン力 Ar3及び Ar4上の同じ 結合位置で結合して ヽる場合、 L1及び L2又は Ar3及び Ar4のピレンにおける置換位 置が 1位と 6位、又は 2位と 7位である場合はない。 )
下記式 (iv)で表される非対称アントラセン誘導体。
[化 16]
Figure imgf000022_0001
(式中、 A1及び A2は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核炭素数 10〜20の 縮合芳香族環基である。
Ar5及び Ar6は、それぞれ独立に、水素原子、又は置換もしくは無置換の核炭素数 6〜50の芳香族環基である。
R41〜R5°は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の核炭素数 6〜50 の芳香族環基、置換もしくは無置換の核原子数 5〜50の芳香族複素環基、置換もし くは無置換の炭素数 1〜50のアルキル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル基、 置換もしくは無置換の炭素数 1〜50のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数 6 〜50のァラルキル基、置換もしくは無置換の核原子数 5〜50のァリールォキシ基、 置換もしくは無置換の核原子数 5〜50のァリールチオ基、置換もしくは無置換の炭 素数 1〜50のアルコキシカルボ-ル基、置換もしくは無置換のシリル基、カルボキシ ル基、ハロゲン原子、シァノ基、ニトロ基又はヒドロキシル基である。 Ar5、 Ar6、 R49及び R5Gは、それぞれ複数であってもよぐ隣接するもの同士で飽和 もしくは不飽和の環状構造を形成して 、てもよ 、。
ただし、式 (iv)において、中心のアントラセンの 9位及び 10位に、該アントラセン上 に示す X— Y軸に対して対称型となる基が結合する場合はない。）
下記式 (V)で表されるアントラセン誘導体。
[化 17]
Figure imgf000023_0001
(式中、 1〜 RbUは、それぞれ独立に水素原子，アルキル基，シクロアルキル基，置 換しても良いァリール基，アルコキシル基，ァリーロキシ基，アルキルアミノ基，ァルケ -ル基，ァリールアミノ基又は置換しても良い複素環式基を示し、 a及び bは、それぞ れ 1〜5の整数を示し、それらが 2以上の場合、 R51同士又は R52同士は、それぞれに おいて、同一でも異なっていてもよぐまた R51同士又は R52同士が結合して環を形成 していてもよいし、 R53と R54, R55と R56, R57と R58, R59と R6が互いに結合して環を形 成していてもよい。 L3は単結合、—O—， 一 S— , — N (R)—（Rはアルキル基又は置 換しても良いァリール基である）、アルキレン基又はァリーレン基を示す。 )
下記式 (vi)で表されるアントラセン誘導体。
[化 18]
Figure imgf000023_0002
(式中、 R61〜R7Gは、それぞれ独立に水素原子，アルキル基，シクロアルキル基，ァリ ール基，アルコキシル基，ァリーロキシ基，アルキルアミノ基，ァリールアミノ基又は置 換しても良い複数環式基を示し、 c d, e及び fは、それぞれ 1〜5の整数を示し、それ らが 2以上の場合、 R61同士， R62同士， R66同士又は R67同士は、それぞれにおいて 、同一でも異なっていてもよぐまた R61同士， R62同士， R66同士又は R67同士が結合 して環を形成していてもよいし、 R63と R64, R68と R69がたがいに結合して環を形成して いてもよい。 L4は単結合、 -0- , -S - , — N (R)— (Rはアルキル基又は置換して も良いァリール基である）、アルキレン基又はァリーレン基を示す。 )
[0060] 下記式 (vii)で表されるスピロフルオレン誘導体。
[化 19]
Figure imgf000024_0001
(式中、 A5〜A8は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換のビフエ-ル基又は置換も しくは無置換のナフチル基である。 )
[0061] 下記式 (viii)で表される縮合環含有化合物。
[化 20]
Figure imgf000024_0002
(式中、 A9〜A14は前記と同じ、 R71〜！ ^は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数 1 〜6のアルキル基、炭素数 3〜6のシクロアルキル基、炭素数 1〜6のアルコキシル基 、炭素数 5〜18のァリールォキシ基、炭素数 7〜18のァラルキルォキシ基、炭素数 5 〜16のァリールアミノ基、ニトロ基、シァノ基、炭素数 1〜6のエステル基又はハロゲ ン原子を示し、 A9〜A14のうち少なくとも 1つは 3環以上の縮合芳香族環を有する基 である。 )
下記式 (ix)で表されるフルオレンィ匕合物。
[化 21]
Figure imgf000025_0001
(式中、 R 及び R は、水素原子、置換あるいは無置換のアルキル基、置換あるいは 無置換のァラルキル基、置換あるいは無置換のァリール基，置換あるいは無置換の 複素環基、置換アミノ基、シァノ基又はハロゲン原子を表わす。異なるフルオレン基 に結合する R74同士、 R74同士は、同じであっても異なっていてもよく、同じフルオレン 基に結合する74及び75は、同じであっても異なっていてもよい。 R76及び R77は、水素 原子、置換あるいは無置換のアルキル基、置換あるいは無置換のァラルキル基、置 換あるいは無置換のァリール基又は置換あるいは無置換の複素環基を表わし、異な るフルオレン基に結合する R76同士、 R77同士は、同じであっても異なっていてもよぐ 同じフルオレン基に結合する R76及び R77は、同じであっても異なっていてもよい。 Ar7 及び Ar8は、ベンゼン環の合計が 3個以上の置換あるいは無置換の縮合多環芳香族 基又はベンゼン環と複素環の合計が 3個以上の置換あるいは無置換の炭素でフル オレン基に結合する縮合多環複素環基を表わし、 Ar7及び Ar8は、同じであっても異 なっていてもよい。 nは、 1〜10の整数を表す。 )
[0063] 以上のホスト材料の中でも、好ましくはアントラセン誘導体、さらに好ましくはモノア ントラセン誘導体、特に好ましくは非対称アントラセンである。
[0064] また、発光材料としては、りん光発光性の化合物を用いることもできる。りん光発光 性の化合物を使用する場合、ホスト材料は力ルバゾール環を含む化合物が好ま ヽ 。ドーパントとしては三重項励起子力 発光することのできる化合物であり、三重項励 起子力も発光する限り特に限定されないが、 Ir、 Ru、 Pd、 Pt、 Os及び Re力もなる群 力 選択される少なくとも一つの金属を含む金属錯体であることが好ましぐポルフィ リン金属錯体又はオルトメタルイ匕金属錯体が好ましい。
力ルバゾール環を含む化合物力 なるりん光発光に好適なホストは、その励起状態 からりん光発光性ィ匕合物へエネルギー移動が起こる結果、りん光発光性化合物を発 光させる機能を有する化合物である。ホストイ匕合物としては励起子エネルギーをりん 光発光性ィ匕合物にエネルギー移動できる化合物ならば特に制限はなぐ 目的に応じ て適宜選択することができる。力ルバゾール環以外に任意の複素環等を有して 、て も良い。
[0065] このようなホストイ匕合物の具体例としては、力ルバゾール誘導体、トリァゾール誘導 体、ォキサゾール誘導体、ォキサジァゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリー ルアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フ -レンジァミン誘導体、 ァリールァミン誘導体、ァミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フル ォレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三 ァミン化合物、スチリルアミンィ匕合物、芳香族ジメチリデン系化合物、ポルフィリン系 化合物、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフヱ-ルキノン誘導体、チ オビランジオキシド誘導体、カルポジイミド誘導体、フルォレニリデンメタン誘導体、ジ スチリルビラジン誘導体、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、フ タロシアニン誘導体、 8—キノリノール誘導体の金属錯体ゃメタルフタロシアニン、ベ ンゾォキサゾールやべンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金 属錯体ポリシラン系化合物、ポリ（N—ビニルカルバゾール)誘導体、ァ-リン系共重 合体、チォフェンオリゴマー、ポリチォフェン等の導電性高分子オリゴマー、ポリチォ フェン誘導体、ポリフ 二レン誘導体、ポリフ 二レンビニレン誘導体、ポリフルオレン 誘導体等の高分子化合物等が挙げられる。ホストイ匕合物は単独で使用しても良いし 、 2種以上を併用しても良い。
具体例としては、以下のような化合物が挙げられる。
[0066] [化 22]
Figure imgf000027_0001
りん光発光性のドーパントは三重項励起子力 発光することのできる化合物である 。三重項励起子力も発光する限り特に限定されないが、 Ir、 Ru、 Pd、 Pt、 Os及び Re 力 なる群力 選択される少なくとも一つの金属を含む金属錯体であることが好ましく 、ポルフィリン金属錯体又はオルトメタルイ匕金属錯体が好ましい。ポルフィリン金属錯 体としては、ポルフィリン白金錯体が好ましい。りん光発光性ィ匕合物は単独で使用し ても良いし、 2種以上を併用しても良い。
オルトメタルイ匕金属錯体を形成する配位子としては種々のものがあるが、好ましい 配位子としては、 2 フエ二ルビリジン誘導体、 7、 8 べンゾキノリン誘導体、 2— (2 チェ-ル)ピリジン誘導体、 2—（1 ナフチル)ピリジン誘導体、 2—フエ-ルキノリ ン誘導体等が挙げられる。これらの誘導体は必要に応じて置換基を有しても良い。特 に、フッ素化物、トリフルォロメチル基を導入したもの力 青色系ドーパントとしては好 ましい。さらに補助配位子としてァセチルァセトナート、ピクリン酸等の上記配位子以 外の配位子を有して 、ても良 、。
りん光発光性のドーパントの発光層における含有量としては、特に制限はなぐ 目 的に応じて適宜選択することができる力 例えば、 0. 1〜70質量％であり、 1〜30質 量％が好ましい。りん光発光性ィヒ合物の含有量が 0. 1質量％未満では発光が微弱 でありその含有効果が十分に発揮されず、 70質量％を超える場合は、濃度消光と言 われる現象が顕著になり素子性能が低下する。
[0068] 発光層は、必要に応じて正孔輸送材、電子輸送材、ポリマーバインダーを含有して も良い。
発光層の膜厚は、好ましくは 5〜50nm、より好ましくは 7〜50nm、最も好ましくは 1 0〜50nmである。 5nm未満では発光層形成が困難となり、色度の調整が困難となる 恐れがあり、 50nmを超えると駆動電圧が上昇する恐れがある。
[0069] (正孔輸送層：正孔注入層）
正孔輸送層は発光層への正孔注入を助け、発光領域まで輸送する層であって、正 孔移動度が大きぐイオンィ匕エネルギーが通常 5. 5eV以下と小さい。このような正孔 輸送層としてはより低 ヽ電界強度で正孔を発光層に輸送する材料が好ましく、さらに 正孔の移動度が、例えば 104〜106VZcmの電界印加時に、少なくとも 10_4cm2/ V·秒であれば好ましい。
[0070] 上述したように、本発明の有機 EL素子用材料を正孔輸送帯域に用いる場合、本発 明の化合物単独で正孔輸送層を形成してもよ 、し、他の材料と混合して用いてもよ い。また、混合する場合は、上記式 (III)で表されるフエ-レンジアミンィ匕合物が好まし い。
し力しながら、混合物としては式 (III)の化合物に限定されるものではなぐその他、 正孔の電荷輸送材料として慣用されて ヽるものや、 EL素子の正孔注入層に使用さ れる公知のものの中から任意のものを選択して用いてもょ 、。
尚、正孔輸送帯域以外の層が本発明の材料を含む場合は、下記の混合材料が単 独で正孔輸送層を形成してもよ 、。
[0071] 混合材料の具体例として、例えば、トリァゾール誘導体 (米国特許 3, 112, 197号 明細書等参照）、ォキサジァゾール誘導体 (米国特許 3, 189, 447号明細書等参照 )、イミダゾール誘導体 (特公昭 37— 16096号公報等参照）、ポリアリールアルカン誘 導体 (米国特許 3, 615, 402号明細書、同第 3, 820, 989号明細書、同第 3, 542 , 544号明細書、特公昭 45— 555号公報、同 51— 10983号公報、特開昭 51— 93 224号公報、同 55— 17105号公報、同 56— 4148号公報、同 55— 108667号公報 、同 55— 156953号公報、同 56— 36656号公報等参照）、ピラゾリン誘導体及びピ ラゾロン誘導体 (米国特許第 3, 180, 729号明細書、同第 4, 278, 746号明細書、 特開昭 55— 88064号公報、同 55— 88065号公報、同 49— 105537号公報、同 55 — 51086号公報、同 56— 80051号公報、同 56— 88141号公報、同 57— 45545 号公報、同 54— 112637号公報、同 55— 74546号公報等参照）、フエ-レンジアミ ン誘導体 (米国特許第 3, 615, 404号明細書、特公昭 51— 10105号公報、同 46— 3712号公報、同 47— 25336号公報、特開昭 54— 53435号公報、同 54— 11053 6号公報、同 54— 119925号公報等参照）、ァリールァミン誘導体 (米国特許第 3, 5 67, 450号明細書、同第 3, 180, 703号明細書、同第 3, 240, 597号明細書、同 第 3, 658, 520号明細書、同第 4, 232, 103号明細書、同第 4, 175, 961号明細 書、同第 4, 012, 376号明細書、特公昭 49— 35702号公報、同 39— 27577号公 報、特開昭 55— 144250号公報、同 56— 119132号公報、同 56— 22437号公報、 ***特許第 1, 110, 518号明細書等参照)、ァミノ置換カルコン誘導体 (米国特許 第 3, 526, 501号明細書等参照）、ォキサゾール誘導体 (米国特許第 3, 257, 203 号明細書等に開示のもの）、スチリルアントラセン誘導体 (特開昭 56— 46234号公報 等参照）、フルォレノン誘導体 (特開昭 54— 110837号公報等参照）、ヒドラゾン誘導 体 (米国特許第 3, 717, 462号明細書、特開昭 54— 59143号公報、同 55— 5206 3号公報、同 55— 52064号公報、同 55— 46760号公報、同 55— 85495号公報、 同 57— 11350号公報、同 57— 148749号公報、特開平 2— 311591号公報等参 照）、スチルベン誘導体 (特開昭 61— 210363号公報、同第 61— 228451号公報、 同 61— 14642号公報、同 61— 72255号公報、同 62— 47646号公報、同 62— 36 674号公報、同 62— 10652号公報、同 62— 30255号公報、同 60— 93455号公報 、同 60— 94462号公報、同 60— 174749号公報、同 60— 175052号公報等参照） 、シラザン誘導体 (米国特許第 4, 950, 950号明細書)、ポリシラン系（特開平 2— 20 4996号公報）、ァ-リン系共重合体 (特開平 2— 282263号公報）、特開平 1— 211 399号公報に開示されている導電性高分子オリゴマー（特にチォフェンオリゴマー） 等を挙げることができる。 [0072] 正孔輸送層の他、さらに正孔の注入を助けるために別途正孔注入層を設けること が好ましい。正孔注入層の材料としては本発明の有機 EL用材料単独でもよいし、他 の材料と混合して用いてもょ ヽ。他の材料としては正孔輸送層と同様の材料を使用 することができるが、上記式 (III)で例示したィ匕合物の他に、ポルフィリン化合物（特開 昭 63— 2956965号公報等に開示のもの）、芳香族第三級ァミン化合物及びスチリ ルァミン化合物（米国特許第 4, 127, 412号明細書、特開昭 53— 27033号公報、 同 54— 58445号公報、同 54— 149634号公報、同 54— 64299号公報、同 55— 7 9450号公報、同 55— 144250号公報、同 56— 119132号公報、同 61— 295558 号公報、同 61— 98353号公報、同 63— 295695号公報等参照）、特に芳香族第三 級ァミン化合物を用いることが好まし 、。
[0073] また米国特許第 5, 061, 569号に記載されている 2個の縮合芳香族環を分子内に 有する、例えば 4, 4，—ビス（N— (1—ナフチル）—N—フエ-ルァミノ）ビフエ-ル、 また特開平 4— 308688号公報に記載されているトリフエニルァミンユニットが 3っスタ 一バースト型に連結された 4, 4，， 4"—トリス（N— (3—メチルフエ-ル）— N—フエ- ルァミノ）トリフエ-ルァミン等を挙げることができる。
[0074] また、芳香族ジメチリディン系化合物の他、 p型 Si、 p型 SiC等の無機化合物も正孔 注入層の材料として使用することができる。
[0075] 正孔注入層、正孔輸送層としての膜厚は特に制限はないが、通常は 5ηπ！〜 5 μ m である。正孔注入、輸送層は正孔輸送帯域に本発明の化合物を含有していれば、上 述した材料の一種又は二種以上力もなる一層で構成されてもよ!、し、又は前記正孔 注入、輸送層とは別種の化合物カゝらなる正孔注入、輸送層を積層したものであっても よい。
[0076] 尚、有機半導体層も正孔輸送層の一部であるが、これは発光層への正孔注入又は 電子注入を助ける層であって、 10_1 SZcm以上の導電率を有するものが好適であ る。このような有機半導体層の材料としては、含チォフェンオリゴマーゃ特開平 8—1 93191号公報に開示してある含ァリールァミンオリゴマー等の導電性オリゴマー、含 ァリールァミンデンドリマー等の導電性デンドリマー等を用いることができる。
[0077] (電子注入、輸送層） 電子注入層'輸送層は、発光層への電子の注入を助け、発光領域まで輸送する層 であって、電子移動度が大きい。また、付着改善層は電子注入層の中で特に陰極と の付着が良 、材料からなる層である。
電子輸送層は数 nm〜数; z mの膜厚で適宜選ばれるが、特に膜厚が厚いとき、電 圧上昇を避けるために、 104〜106VZcmの電界印加時に電子移動度が少なくとも 1 0_5cm2ZVs以上であることが好まし 、。
電子注入層に用いられる材料としては、 8—ヒドロキシキノリン又はその誘導体の金 属錯体やォキサジァゾール誘導体が好適である。上記 8—ヒドロキシキノリン又はそ の誘導体の金属錯体の具体例としては、ォキシン（一般に 8—キノリノール又は 8—ヒ ドロキシキノリン）のキレートを含む金属キレートォキシノイドィ匕合物、例えばトリス（8— キノリノール)アルミニウムを電子注入材料として用いることができる。
[0078] 一方、ォキサジァゾール誘導体としては、以下の一般式で表される電子伝達化合 物が挙げられる。
[0079] [化 23]
Figure imgf000031_0001
[0080] (式中、 Ar11, Ar1', Ar", Ar , Arlb, Ar19はそれぞれ置換又は無置換のァリール 基を示し、それぞれ互いに同一であっても異なっていてもよい。また Ar14, Ar17, Aris は置換又は無置換のァリーレン基を示し、それぞれ同一であっても異なって!/、てもよ い）
ここでァリール基としてはフエ-ル基、ビフヱ-リル基、アントリル基、ペリレニル基、 ピレニル基が挙げられる。また、ァリーレン基としてはフエ-レン基、ナフチレン基、ビ フエ-レン基、アントリレン基、ペリレニレン基、ピレニレン基等が挙げられる。また、置 換基としては炭素数 1〜10のアルキル基、炭素数 1〜10のアルコキシ基又はシァノ 基等が挙げられる。この電子伝達ィ匕合物は薄膜形成性のものが好ま 、。
[0081] 上記電子伝達性ィ匕合物の具体例としては下記のものを挙げることができる c
[0082] [化 24]
Figure imgf000032_0001
[0083] さらに、電子注入層及び電子輸送層に用いられる材料として、下記式（1)〜（6)で 表されるちのち用いることがでさる。
[0084] [化 25]
Figure imgf000032_0002
[0085] (式（1)及び (2)中、 A 〜A は、それぞれ独立に、窒素原子又は炭素原子である c
A 1は、置換もしくは無置換の核炭素数 6〜60のァリール基、又は置換もしくは無 置換の核炭素数 3〜60のへテロアリール基であり、 は、水素原子、置換もしくは 無置換の核炭素数 6〜60のァリール基、置換もしくは無置換の核炭素数 3〜60のへ テロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数 1〜20のアルキル基、又は置換もしく は無置換の炭素数 1〜20のアルコキシ基、あるいはこれらの 2価の基である。ただし 、 Ar21及び Ar22のいずれか一方は、置換もしくは無置換の核炭素数 10〜60の縮合 環基、又は置換もしくは無置換の核炭素数 3〜60のモノへテロ縮合環基、あるいはこ れらの 2価の基である。
Ar23は、置換もしくは無置換の炭素数 6〜60のァリーレン基、又は置換もしくは無 置換の炭素数 3〜60のへテロアリーレン基である。
L11, L12及び L13は、それぞれ独立に、単結合、置換もしくは無置換の核炭素数 6 〜60のァリーレン基、置換もしくは無置換の核炭素数 3〜60のへテロアリーレン基、 又は置換もしくは無置換のフルォレニレン基である。
R81は、水素原子、置換もしくは無置換の核炭素数 6〜60のァリール基、置換もしく は無置換の核炭素数 3〜60のへテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数 1〜2 0のアルキル基、又は置換もしくは無置換の炭素数 1〜20のアルコキシ基であり、 n は 0〜5の整数であり、 nが 2以上の場合、複数の R81は同一でも異なっていてもよぐ また、隣接する複数の R81基同士で結合して、炭素環式脂肪族環又は炭素環式芳香 族環を形成していてもよい。
R82は、水素原子、置換もしくは無置換の核炭素数 6〜60のァリール基、置換もしく は無置換の核炭素数 3〜60のへテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数 1〜2 0のアルキル基、又は置換もしくは無置換の炭素数 1〜20のアルコキシ基、又は L n— Ar21— Ar22である。）で表される含窒素複素環誘導体。
HAr-L14-Ar24-Ar25 (3)
(式中、 HArは、置換基を有していてもよい炭素数 3〜40の含窒素複素環であり、 L1 4は、単結合、置換基を有していてもよい炭素数 6〜60のァリーレン基、置換基を有し て！、てもよ 、炭素数 3〜60のへテロアリーレン基又は置換基を有して!/、てもよ!/、フル ォレニレン基であり、 Ar24は、置換基を有していてもよい炭素数 6〜60の 2価の芳香 族炭化水素基であり、 Ar25は、置換基を有していてもよい炭素数 6〜60のァリール基 又は置換基を有して 、てもよ 、炭素数 3〜60のへテロアリール基である。 )で表され る含窒素複素環誘導体。
[0087] [化 26]
Figure imgf000034_0001
[0088] (式中、 X11及び Y11は、それぞれ独立に炭素数 1〜6の飽和若しくは不飽和の炭化 水素基、アルコキシ基、ァルケ-ルォキシ基、アルキ-ルォキシ基、ヒドロキシ基、置 換若しくは無置換のァリール基、置換若しくは無置換のへテロ環又は X11と Y11が結 合して飽和又は不飽和の環を形成した構造であり、 R85〜R88は、それぞれ独立に水 素、ハロゲン原子、置換もしくは無置換の炭素数 1から 6までのアルキル基、アルコキ シ基、ァリールォキシ基、パーフルォロアルキル基、パーフルォロアルコキシ基、アミ ノ基、アルキルカルボ-ル基、ァリールカルボ-ル基、アルコキシカルボ-ル基、ァリ ールォキシカルボ-ル基、ァゾ基、アルキルカルボ-ルォキシ基、ァリールカルボ- ルォキシ基、アルコキシカルボ-ルォキシ基、ァリールォキシカルボ-ルォキシ基、 スルフィエル基、スルフォ-ル基、スルファ-ル基、シリル基、力ルバモイル基、ァリー ル基、ヘテロ環基、ァルケ-ル基、アルキ-ル基、ニトロ基、ホルミル基、ニトロソ基、 ホルミルォキシ基、イソシァノ基、シァネート基、イソシァネート基、チオシァネート基、 イソチオシァネート基もしくはシァノ基又は隣接した場合には置換若しくは無置換の 環が縮合した構造である。 )で表されるシラシクロペンタジェン誘導体。
[0089] [化 27]
Figure imgf000034_0002
[0090] (式中、 R91〜R98及び Z2は、それぞれ独立に、水素原子、飽和もしくは不飽和の炭化 水素基、芳香族基、ヘテロ環基、置換アミノ基、置換ボリル基、アルコキシ基又はァリ 一ルォキシ基を示し、 χ12、 γ12及び z1は、それぞれ独立に、飽和もしくは不飽和の炭 化水素基、芳香族基、ヘテロ環基、置換アミノ基、アルコキシ基又はァリールォキシ 基を示し、 Z1と Z2の置換基は相互に結合して縮合環を形成してもよぐ nは 1〜3の整 数を示し、 nが 2以上の場合、 Z1は異なってもよい。但し、 nが 1、 X12、 Y12及び R92がメ チル基であって、 R98が、水素原子又は置換ボリル基の場合、及び nが 3で Z力 Sメチ ル基の場合を含まない。）で表されるボラン誘導体。
[0091] [化 28]
Figure imgf000035_0001
[0092] [式中、 Q1及び Q2は、それぞれ独立に、下記式（7)で示される配位子を表し、 L15は 、ハロゲン原子、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のシクロアル キル基、置換もしくは無置換のァリール基、置換もしくは無置換の複素環基、 OR' ( R'は、水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のシクロア ルキル基、置換もしくは無置換のァリール基、置換もしくは無置換の複素環基である 。）又は— O Ga— Q3 (Q4) (Q3及び Q4は、 Q1及び Q2と同じ)で示される配位子を表 す。 ]
[0093] [化 29]
Figure imgf000035_0002
[0094] [式中、環 A24及び A25は、置換基を有してよ!、互いに縮合した 6員ァリール環構造で ある。 ]
[0095] この金属錯体は、 n型半導体としての性質が強ぐ電子注入能力が大きい。さらに は、錯体形成時の生成エネルギーも低いために、形成した金属錯体の金属と配位子 との結合性も強固になり、発光材料としての蛍光量子効率も大きくなつている。
式 (7)の配位子を形成する環 A24及び A25の置換基の具体的な例を挙げると、塩素 、臭素、ヨウ素、フッ素のハロゲン原子、メチル基、ェチル基、プロピル基、ブチル基、 s ブチル基、 t ブチル基、ペンチル基、へキシル基、ヘプチル基、ォクチル基、ス テアリル基、トリクロロメチル基等の置換もしくは無置換のアルキル基、フエニル基、ナ フチル基、 3—メチルフエ-ル基、 3—メトキシフエ-ル基、 3—フルオロフェ-ル基、 3 トリクロロメチルフエ-ル基、 3—トリフルォロメチルフエ-ル基、 3— -トロフエ-ル 基等の置換もしくは無置換のァリール基、メトキシ基、 n—ブトキシ基、 t—ブトキシ基、 トリクロロメトキシ基、トリフルォロエトキシ基、ペンタフルォロプロポキシ基、 2, 2, 3, 3 ーテトラフルォロプロポキシ基、 1, 1, 1, 3, 3, 3 へキサフルオロー 2 プロポキシ 基、 6—（パーフルォロェチル)へキシルォキシ基等の置換もしくは無置換のアルコキ シ基、フエノキシ基、 p -トロフエノキシ基、 p—t—ブチルフエノキシ基、 3—フルォロ フエノキシ基、ペンタフルォロフエ-ル基、 3—トリフルォロメチルフエノキシ基等の置 換もしくは無置換のァリールォキシ基、メチルチオ基、ェチルチオ基、 t プチルチオ 基、へキシルチオ基、ォクチルチオ基、トリフルォロメチルチオ基等の置換もしくは無 置換のアルキルチオ基、フエ-ルチオ基、 p -トロフエ-ルチオ基、 p—t—ブチル フエ-ルチオ基、 3—フルオロフヱ-ルチオ基、ペンタフルオロフヱ-ルチオ基、 3—ト リフルォロメチルフエ-ルチオ基等の置換もしくは無置換のァリールチオ基、シァノ基 、ニトロ基、アミノ基、メチルァミノ基、ジェチルァミノ基、ェチルァミノ基、ジェチルアミ ノ基、ジプロピルアミノ基、ジブチルァミノ基、ジフエ二ルァミノ基等のモノ又はジ置換 アミノ基、ビス（ァセトキシメチル)アミノ基、ビス（ァセトキシェチル)アミノ基、ビスァセト キシプロピル)アミノ基、ビス（ァセトキシブチル)アミノ基等のァシルァミノ基、水酸基、 シロキシ基、ァシル基、力ルバモイル基、メチルカルバモイル基、ジメチルカルバモイ ル基、ェチルカルバモイル基、ジェチルカルバモイル基、プロィピルカルバモイル基 、ブチルカルバモイル基、フエ-ルカルバモイル基等の置換もしくは無置換の力ルバ モイル基、カルボン酸基、スルフォン酸基、イミド基、シクロペンタン基、シクロへキシ ル基等のシクロアルキル基、フヱ -ル基、ナフチル基、ビフヱ-リル基、アントリル基、 フエナントリル基、フルォレニル基、ピレニル基等のァリール基、ピリジ-ル基、ピラジ -ル基、ピリミジ -ル基、ピリダジ -ル基、トリアジニル基、インドリ-ル基、キノリニル 基、アタリジ-ル基、ピロリジニル基、ジォキサニル基、ピベリジ-ル基、モルフオリジ ニル基、ピペラジ-ル基、トリアチュル基、カルバゾリル基、フラ-ル基、チオフヱ-ル 基、ォキサゾリル基、ォキサジァゾリル基、ベンゾォキサゾリル基、チアゾリル基、チア ジァゾリル基、ベンゾチアゾリル基、トリァゾリル基、イミダゾリル基、ベンゾイミダゾリル 基、ブラ-ル基等の複素環基等がある。また、以上の置換基同士が結合してさらなる
6員ァリール環もしくは複素環を形成しても良 、。
[0096] 本発明の好ましい形態に、電子を輸送する領域又は陰極と有機層の界面領域に、 還元性ドーパントを含有する素子がある。ここで、還元性ドーパントとは、電子輸送性 化合物を還元ができる物質と定義される。従って、一定の還元性を有するものであれ ば、様々なものが用いられ、例えば、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、 アルカリ金属の酸化物、アルカリ金属のハロゲン化物、アルカリ土類金属の酸化物、 アルカリ土類金属のハロゲンィ匕物、希土類金属の酸ィ匕物又は希土類金属のハロゲン 化物、アルカリ金属の有機錯体、アルカリ土類金属の有機錯体、希土類金属の有機 錯体力 なる群力 選択される少なくとも一つの物質を好適に使用することができる。
[0097] また、より具体的に、好ましい還元性ドーパントとしては、 Li (仕事関数： 2. 9eV)、
Na (仕事関数： 2. 36eV)、K (仕事関数： 2. 28eV)、 Rb (仕事関数： 2. 16eV)及び Cs (仕事関数： 1. 95eV)からなる群力も選択される少なくとも一つのアルカリ金属や 、Ca (仕事関数： 2. 9eV)、 Sr (仕事関数： 2. 0〜2. 5eV)、及び Ba (仕事関数： 2. 5 2eV)力もなる群力 選択される少なくとも一つのアルカリ土類金属が挙げられる仕事 関数が 2. 9eV以下のものが特に好ましい。
これらのうち、より好ましい還元性ドーパントは、 K、 Rb及び Csからなる群から選択さ れる少なくとも一つのアルカリ金属であり、さらに好ましくは、 Rb又は Csであり、最も好 ましいのは、 Csである。
[0098] これらのアルカリ金属は、特に還元能力が高ぐ電子注入域への比較的少量の添 加により、有機 EL素子における発光輝度の向上や長寿命化が図られる。また、仕事 関数が 2. 9eV以下の還元性ドーパントとして、これら 2種以上のアルカリ金属の組み 合わせも好ましぐ特に、 Csを含んだ組み合わせ、例えば、 Csと Na、 Csと K、 Csと R bあるいは Csと Naと Kとの組み合わせであることが好まし!/、。
Csを組み合わせて含むことにより、還元能力を効率的に発揮することができ、電子 注入域への添カ卩により、有機 EL素子における発光輝度の向上や長寿命化が図られ る。
[0099] 本発明においては陰極と有機層の間に絶縁体や半導体で構成される電子注入層 をさらに設けてもよい。この時、電流のリークを有効に防止して、電子注入性を向上さ せることができる。
このような絶縁体としては、アルカリ金属カルコゲナイド、アルカリ土類金属カルコゲ ナイド、アルカリ金属のハロゲン化物及びアルカリ土類金属のハロゲン化物からなる 群から選択される少なくとも一つの金属化合物を使用するのが好ましい。電子注入層 力 Sこれらのアルカリ金属カルコゲナイド等で構成されて ヽれば、電子注入性をさらに 向上させることができる点で好ま 、。
[0100] 具体的に、好ましいアルカリ金属カルコゲナイドとしては、例えば、 Li 0、 LiO、 Na
2 2
S、 Na Se及び NaOが挙げられ、好ましいアルカリ土類金属カルコゲナイドとしては、
2
例えば、 CaO、 BaO、 SrO、 BeO、 BaS、及び CaSeが挙げられる。また、好ましいァ ルカリ金属のハロゲン化物としては、例えば、 LiF、 NaF、 KF、 LiCl、 KC1及び NaCl 等が挙げられる。また、好ましいアルカリ土類金属のハロゲンィ匕物としては、例えば、 CaF、 BaF、 SrF、 MgF及び BeFといったフッ化物や、フッ化物以外のハロゲン
2 2 2 2 2
化物が挙げられる。
[0101] また、電子輸送層を構成する半導体としては、 Ba、 Ca、 Sr、 Yb、 Al、 Ga、 In、 Li、 Na、 Cd、 Mg、 Si、 Ta、 Sb及び Znの少なくとも一つの元素を含む酸化物、窒化物又 は酸ィ匕窒化物等の一種単独又は二種以上の組み合わせが挙げられる。
また、電子輸送層を構成する無機化合物が、微結晶又は非晶質の絶縁性薄膜で あることが好ましい。電子輸送層がこれらの絶縁性薄膜で構成されていれば、より均 質な薄膜が形成されるために、ダークスポット等の画素欠陥を減少させることができる 尚、このような無機化合物としては、上述したアルカリ金属カルコゲナイド、アルカリ 土類金属カルコゲナイド、アルカリ金属のハロゲン化物及びアルカリ土類金属のハロ ゲンィ匕物等が挙げられる。
[0102] (陰極）
陰極としては仕事関数の小さい (4eV以下)金属、合金、電気伝導性化合物及びこ れらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例とし ては、ナトリウム、ナトリウム一カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム '銀 合金、アルミニウム/酸ィ匕アルミニウム、アルミニウム 'リチウム合金、インジウム、希土 類金属等が挙げられる。
この陰極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成さ せること〖こより、作製することができる。
[0103] ここで発光層からの発光を陰極力 取り出す場合、陰極の発光に対する透過率は 1 0%より大きくすることが好ましい。
また陰極としてのシート抵抗は数百 Ω Z口以下が好ましぐ膜厚は通常 ΙΟηπ！〜 1 μ m、好ましくは 50〜200nmである。
[0104] (絶縁層）
有機 ELは超薄膜に電界を印可するために、リークやショートによる画素欠陥が生じ やすい。これを防止するために、一対の電極間に絶縁性の薄膜層を挿入することが 好ましい。
絶縁層に用いられる材料としては例えば酸ィ匕アルミニウム、弗化リチウム、酸化リチ ゥム、弗化セシウム、酸化セシウム、酸化マグネシウム、弗化マグネシウム、酸化カル シゥム、弗化カルシウム、弗化セシウム、炭酸セシウム、窒化アルミニウム、酸化チタン 、酸化珪素、酸化ゲルマニウム、窒化珪素、窒化ホウ素、酸化モリブデン、酸化ルテ ユウム、酸ィ匕バナジウム等が挙げられる。
これらの混合物や積層物を用いてもょ ヽ。
[0105] (有機 EL素子の作製例）
以上例示した材料により陽極、発光層、必要に応じて正孔注入層、及び必要に応 じて電子注入層等を形成し、さらに陰極を形成することにより有機 EL素子を作製する ことができる。また陰極から陽極へ、前記と逆の順序で有機 EL素子を作製することも できる。 [0106] 以下、透光性基板上に陽極 Z正孔輸送層 Z発光層 Z電子輸送層 Z陰極が順次 設けられた構成の有機 EL素子の作製例を記載する。
まず適当な透光性基板上に陽極材料力もなる薄膜を 1 μ m以下、好ましくは 10〜2 OOnmの範囲の膜厚になるように蒸着やスパッタリング等の方法により形成して陽極 を作製する。
次に、この陽極上に正孔輸送層を設ける。正孔輸送層の形成は、前述したように真 空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、 LB法等の方法により行うことができる力 均質 な膜が得られやすぐかつピンホールが発生しにくい等の点力 真空蒸着法により形 成することが好ましい。
[0107] 真空蒸着法により正孔輸送層を形成する場合、その蒸着条件は使用する化合物（ 正孔輸送層の材料)、目的とする正孔輸送層の結晶構造や再結合構造等により異な る力 一般に蒸着源温度 50〜450°C、真空度 10一7〜 10_3torr、蒸着速度 0. 01〜 50nmZ秒、基板温度— 50〜300°C、膜厚 5nm〜5 μ mの範囲で適宜選択すること が好ましい。
[0108] 次に、正孔輸送層上に発光層を設ける。発光層の形成も、所望の有機発光材料を 用いて真空蒸着法、スパッタリング、スピンコート法、キャスト法等の方法により有機発 光材料を薄膜ィ匕することにより形成できるが、均質な膜が得られやすぐかつピンホ ールが発生しにく 、等の点から真空蒸着法により形成することが好まし 、。真空蒸着 法により発光層を形成する場合、その蒸着条件は使用する化合物により異なるが、 一般的に正孔輸送層と同じような条件範囲の中から選択することができる。
[0109] 次にこの発光層上に電子輸送層を設ける。正孔輸送層、発光層と同様、均質な膜 を得る必要から真空蒸着法により形成することが好ましい。蒸着条件は正孔輸送層、 発光層と同様の条件範囲力 選択することができる。
[0110] 最後に陰極を積層して有機 EL素子を得ることができる。
陰極は金属力も構成されるもので、蒸着法、スパッタリングを用いることができる。し 力 下地の有機物層を製膜時の損傷力も守るためには真空蒸着法が好ましい。 これまで記載してきた有機 EL素子の作製は一回の真空引きで一貫して陽極から陰 極まで作製することが好ま 、。 [0111] 尚、本発明の有機 EL素子の各層の形成方法は特に限定されない。具体的には、 真空蒸着法、分子線蒸着法 (MBE法)、又は材料を溶媒に解かした溶液を使用した デイツビング法、スピンコーティング法、キャスティング法、バーコート法、ロールコート 法等の塗布法による公知の方法で形成することができる。
[0112] 本発明の有機 EL素子の各有機層の膜厚は特に制限されないが、一般に膜厚が薄 すぎるとピンホール等の欠陥が生じやすぐ逆に厚すぎると高い印加電圧が必要とな り効率が悪くなるため、通常は数 nmから 1 μ mの範囲が好ましい。
[0113] 有機 EL素子は電極間に電圧を印加することによって発光する。有機 EL素子に直 流電圧を印加する場合、陽極を +、陰極を一の極性にして、 5〜40Vの電圧を印加 すると発光が観測できる。尚、逆の極性で電圧を印加しても電流は流れず、発光は 全く生じない。また、交流電圧を印加した場合には陽極が +、陰極が一の極性にな つた時のみ均一な発光が観測される。印加する交流の波形は任意でよ!、。
[実施例]
[0114] 以下、本発明の有機 EL素子用材料及び有機 EL素子について、実施例をもとに詳 細に説明するが、本発明はその要旨を越えない限り、以下の実施例に限定されない 尚、各実施例で合成した化合物の構造を以下に示す。
[化 30]
Figure imgf000042_0001
( 1 — 6 ) (II一 6 )
[0115] [有機 EL素子用材料]
実施例 1
(A - 1)の合成
文献（Macromolecules, 25, 3540 (1992) )に従い合成した 1, 4 ビス（トリフル ォロメチル） 2， 3， 5， 6 ベンゼンテトラカルボン酸無水物 3gと 4 （トリフルォロメ チル)ァ-リン 2. 7gをジメチルァセトアミド 50mlに溶解し、窒素雰囲気下、室温で 1 時間、その後、 150°Cで 6時間加熱攪拌を行った。冷却後、析出した固体を熱ァセト 二トリルで洗浄し、その後、昇華精製を行うことにより、（A— 1)の白色固体 2. 5gを得 た。
[0116] 得られたィ匕合物の赤外線吸収スペクトル (IR)を測定した結果、 1715cm_ 1にカル ボニル基の吸収が確認された。また、マススペクトル測定により MZZ = 640が確認さ れた。
[0117] 得られたィ匕合物をァセトニトリル中に 0. 01モル リットルの濃度で溶解させ、支持 電解質として過塩素酸テトラプチルアンモ -ゥム (TBAP)、参照電極に飽和カロメル (SCE)電極を用い、サイクリック 'ボルタンメトリーにより還元電位を測定した結果、 0 . 3Vであった。また、溶媒をジメチルホルムアミド (DMF)に変更し、同様に測定する と、 0. 2 IVであった。
[0118] 実施例 2
(I 1)の合成
ナフタレンテトラカルボン酸無水物 5. lgを、ジメチルホルムアミド（DMF) 45mlに 投入し、室温で攪拌しながら、 p トリフルォロメチルァ-リン 6. 7gを DMFlOmlに溶 解した溶液を滴下し、 1時間攪拌した。その後、 150°Cで 3時間加熱攪拌を行った。 放冷後、析出した固体をろ過した。ァセトニトリル力 再結晶を行い、さらに昇華精製 を行い、淡桃色の固体である (1—1) 5. Ogを得た。
[0119] この化合物の赤外線スペクトル（IR)を測定し、 1710cm_ 1にカルボ-ル基の吸収 が確認された。マススペクトル測定により MZZ = 554が確認された。
この化合物を DMFに溶解し、 0. 01モル Zリットルの溶液とし、実施例 1と同様にサ イクリック'ボルタンメトリーにより還元電位を測定した。その結果、還元電位は、—0. 33 Vであった。
[0120] 実施例 3
(I 5)の合成
実施例 2の p トリフルォロメチルァ-リンを、 3, 4, 5 トリフルォロア-リン 6. Ogに 変更した以外は実施例 1と同様な操作を行い、淡黄色の固体 (1— 5) 4. 3gを得た。 この化合物の IRを測定し、 1710cm_1にカルボ-ル基の吸収が確認された。マスス ベクトル測定により MZZ = 526が確認された。
実施例 2と同様に還元電位を測定した結果、 0. 33Vであった。
[0121] 実施例 4
(I 6)の合成
ナフタレンテトラカルボン酸無水物 4. 6gを DMF45mlに投入し、室温で攪拌しな がら、 4 アミノー 1, 2 フタ口-トリル 5. 2gを DMFlOmlに溶解した溶液を滴下し、 1時間攪拌した。その後、 150°Cで 3時間加熱攪拌を行った。放冷後、メタノール 50 mlを投入し、析出した固体をろ過した。ァセトニトリル力も再結晶を行い、さらに昇華 精製を行い、淡黄色の固体として (1— 6)を 3. 7g得た。
この化合物の IRを測定し、 1710cm_1にカルボ-ル基の吸収が確認された。マスス ぺクトル測定により M/Z = 518が確認された。
実施例 2と同様に還元電位を測定した結果、—0. 30Vであった。
[0122] 実施例 5
(Π— 6)の合成
ピロメリット酸無水物 3. 7g及び 4 アミノー 1, 2 フタ口-トリル 5. 2gを DMF45ml に投入した。以下、実施例 4と同様な操作を行い、淡黄色の固体として (II— 6)を 3. 1 g に。
この化合物の IRを測定し、 1715cm_1にカルボ-ル基の吸収が確認された。マスス ベクトル測定により MZZ=468が確認された。
実施例 2と同様に還元電位を測定した結果、 0. 32Vであった。
[0123] [有機 EL素子]
実施例 6
25mm X 75mm X 1. 1mm厚の ITO透明電極付きガラス基板（ジォマティック社製 )をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を 5分間行なった後、 UVオゾン洗浄を 3 0分間行なった。
洗浄後の透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し 、まず透明電極ラインが形成されている側の面上に前記透明電極を覆うようにして膜 厚 60nmで、実施例 1で合成した (A— 1)及び下記式 (C— 1)で表される化合物を、 2： 98 (モル比）の比になるように成膜した。この混合膜は、正孔注入層として機能す る。
続けて、この混合膜上に膜厚 20nmで、下記式 (HTM— 1)で表される化合物の層 を成膜した。この膜は正孔輸送層として機能する。
さらに膜厚 40nmの下記式 (EM1)で表される化合物を蒸着し成膜した。同時に発 光分子として、下記のスチリル基を有するァミン化合物（D1)を、 EM1と D1の重量比 力 0 : 2になるように蒸着した。この膜は、発光層として機能する。
[0124] この膜上に下記式 (Alq)で表される化合物を膜厚 10nmで成膜した。これは、電子 注入層として機能する。この後、還元性ドーパントである Li (Li源：サエスゲッタ一社 製)と Alqを二元蒸着させ、電子注入層（陰極)として八 膜膜厚^)!!!!!)を形成 した。この Alq :Li膜上に金属 A1を蒸着させ金属陰極を形成し有機 EL発光素子を形 成し 7こ。
電流密度 lOmAZcm2における駆動電圧と、初期輝度 1000nit、室温、 DC定電 流駆動での発光の半減寿命を測定した結果を表 1に示す。
[化 31]
Figure imgf000045_0001
A 1 q
[0126] 実施例 7
正孔注入層の形成時に、（A— 1)に代えて実施例 4で合成した (1— 6)を使用した 以外は、実施例 6と同様にして有機 EL発光素子を形成し、評価した。
結果を表 1に示す。
[0127] 比較例 1
正孔注入層を式 (C—1)で示される化合物単独で成膜した以外は、実施例 6と同様 にして有機 EL発光素子を形成し、評価した。 結果を表 1に示す。
[0128] [表 1]
Figure imgf000046_0001
産業上の利用可能性
[0129] 本発明のイミド誘導体又は有機 EL素子用材料は、有機 EL素子の構成材料、特に 、正孔輸送層、正孔注入層の材料として好適である。また、電子写真感光体の電荷 輸送材料としても用いることができる。その他、有機感光体材料や有機太陽電池用 材料としても有用である。
本発明の有機 EL素子は、平面発光体やディスプレイのバックライト等の光源、携帯 電話、 PDA、カーナビゲーシヨン、車のインパネ等の表示部、照明等に好適に使用 できる。

Claims

請求の範囲 下記式 (A)で表されるイミド誘導体。
[化 1]
Figure imgf000047_0001
(式中、 Ra及び Rbは、それぞれ水素、ハロゲン、シァノ基、アルキル基、フルォロアル キル基又はァリール基であり、 Ra又は Rbの少なくとも一つはフルォロアルキル基であ る。 及び Rdは、それぞれ置換もしくは無置換のベンジル基、ァリール基、複素環、 フルォロアルキル基又はイミド基である。 )
下記式 (I)で表される有機エレクト口ルミネッセンス素子用材料。
[化 2]
Figure imgf000047_0002
、丄） 1〜!^は、それぞれ水素、ハロゲン、フルォロアルキル基又はシァノ基である。伹 し、 1^〜1^の全てが水素であるものは除く。 )
下記式 (II)で表される有機エレクト口ルミネッセンス素子用材料。
[化 3]
Figure imgf000047_0003
( 1〜!^は、それぞれ水素、ハロゲン、フルォロアルキル基又はシァノ基である。伹 し、！^11〜!^^の全てが水素であるものは除く。 )
[4] ジメチルホルムアミド溶液中での還元電位（対飽和カロメル電極）がー 0. 5V以上で ある請求項 1〜3のいずれかに記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子用材料。
[5] 陽極と陰極と、 前記陽極と陰極との間に発光層を含む一層又は複数層の有機薄膜層を有し、 前記有機薄膜層の少なくとも一層が請求項 1〜4のいずれかに記載のイミド誘導体 又は有機エレクト口ルミネッセンス素子用材料を含有する有機エレクト口ルミネッセン ス素子。
[6] 前記有機薄膜層が、陽極側から正孔輸送層、発光層及び電子輸送層をこの順に 含む積層体である請求項 5に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子。
[7] 前記正孔輸送層が、前記イミド誘導体又は有機エレクト口ルミネッセンス素子用材 料を含有する請求項 6に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子。
[8] 前記有機薄膜層が、陽極側から正孔注入層、正孔輸送層、発光層及び電子輸送 層をこの順に含む積層体であり、
前記正孔注入層が、前記イミド誘導体又は有機エレクト口ルミネッセンス素子用材 料を含有する請求項 5に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子。
[9] 前記イミド誘導体又は有機エレクト口ルミネッセンス素子用材料を含有する正孔輸 送層又は正孔注入層が、さらに下記式 (III)で表されるフ -レンジアミンィ匕合物を含 有する請求項 7又は 8に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子。
[化 4]
Figure imgf000048_0001
(式中、 R 〜R bは、水素、ハロゲン原子、トリフルォロメチル基、アルキル基、ァリー ル基又は複素環である。これらは結合するフ ニル基とともに、ナフタレン骨格、カル バゾール骨格又はフルオレン骨格を形成してもよい。 nは 1又は 2である。 )
PCT/JP2006/326155 2006-01-11 2006-12-27 新規イミド誘導体、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 WO2007080801A1 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007553880A JPWO2007080801A1 (ja) 2006-01-11 2006-12-27 新規イミド誘導体、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006003714 2006-01-11
JP2006-003714 2006-01-11
JP2006-094411 2006-03-30
JP2006094411 2006-03-30

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2007080801A1 true WO2007080801A1 (ja) 2007-07-19

Family

ID=38233088

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2006/326155 WO2007080801A1 (ja) 2006-01-11 2006-12-27 新規イミド誘導体、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子

Country Status (4)

Country Link
US (1) US8168327B2 (ja)
JP (1) JPWO2007080801A1 (ja)
TW (1) TW200745125A (ja)
WO (1) WO2007080801A1 (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009041635A1 (ja) * 2007-09-28 2009-04-02 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 有機ｅｌ素子
JP2009218424A (ja) * 2008-03-11 2009-09-24 Dainippon Printing Co Ltd 有機デバイス
WO2009119249A1 (ja) * 2008-03-27 2009-10-01 新日鐵化学株式会社 有機エレクトロルミネッセント素子
WO2010110280A1 (ja) 2009-03-27 2010-09-30 富士フイルム株式会社 有機電界発光素子用塗布液
JP2010254608A (ja) * 2009-04-23 2010-11-11 Idemitsu Kosan Co Ltd フタルイミド系化合物、ナフタルイミド系化合物、無水ナフタル酸系化合物、これら含む電子輸送材料、及び有機薄膜太陽電池
JP2017165957A (ja) * 2016-03-09 2017-09-21 国立大学法人九州大学 超分子発光体の発光寿命制御方法

Families Citing this family (97)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8309955B2 (en) * 2008-01-07 2012-11-13 The Johns Hopkins University Devices having high dielectric constant, ionically-polarizable materials
EP2313415A4 (en) * 2008-07-21 2011-11-02 Univ Johns Hopkins ORGANIC PYROMELLITE ACID DIAMIDE SUBSTITUTES AND DEVICES
EP2448033A4 (en) * 2009-06-23 2014-07-23 Sumitomo Chemical Co ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT
WO2014031750A1 (en) 2012-08-22 2014-02-27 University Of Washington Through Its Center For Commercialization Acenaphthylene imide-derived semiconductors
KR102124227B1 (ko) 2012-09-24 2020-06-17 아리조나 보드 오브 리젠츠 온 비하프 오브 아리조나 스테이트 유니버시티 금속 화합물, 방법, 및 이의 용도
US9809594B2 (en) 2013-09-10 2017-11-07 University Of Washington Through Its Center For Commercialization Non-fullerene electron acceptors for organic photovoltaic devices
JP6804823B2 (ja) 2013-10-14 2020-12-23 アリゾナ・ボード・オブ・リージェンツ・オン・ビハーフ・オブ・アリゾナ・ステイト・ユニバーシティーＡｒｉｚｏｎａ Ｂｏａｒｄ ｏｆ Ｒｅｇｅｎｔｓ ｏｎ ｂｅｈａｌｆ ｏｆ Ａｒｉｚｏｎａ Ｓｔａｔｅ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ 白金錯体およびデバイス
US10020455B2 (en) 2014-01-07 2018-07-10 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Tetradentate platinum and palladium complex emitters containing phenyl-pyrazole and its analogues
US9941479B2 (en) 2014-06-02 2018-04-10 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Tetradentate cyclometalated platinum complexes containing 9,10-dihydroacridine and its analogues
US9923155B2 (en) 2014-07-24 2018-03-20 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Tetradentate platinum (II) complexes cyclometalated with functionalized phenyl carbene ligands and their analogues
US11329244B2 (en) 2014-08-22 2022-05-10 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Organic light-emitting diodes with fluorescent and phosphorescent emitters
US10033003B2 (en) 2014-11-10 2018-07-24 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Tetradentate metal complexes with carbon group bridging ligands
US9929361B2 (en) 2015-02-16 2018-03-27 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11056657B2 (en) 2015-02-27 2021-07-06 University Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
WO2016156546A1 (en) * 2015-03-31 2016-10-06 Sony Corporation Specific n and p active materials for organic photoelectric conversion layers in organic photodiodes
US9859510B2 (en) 2015-05-15 2018-01-02 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10418568B2 (en) 2015-06-01 2019-09-17 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9879039B2 (en) 2015-06-03 2018-01-30 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Tetradentate and octahedral metal complexes containing naphthyridinocarbazole and its analogues
US11127905B2 (en) 2015-07-29 2021-09-21 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10361381B2 (en) 2015-09-03 2019-07-23 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
KR20170038175A (ko) * 2015-09-29 2017-04-06 신닛테츠 수미킨 가가쿠 가부시키가이샤 폴리이미드 필름의 제조 방법
US20170229663A1 (en) 2016-02-09 2017-08-10 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10236456B2 (en) 2016-04-11 2019-03-19 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11335865B2 (en) 2016-04-15 2022-05-17 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University OLED with multi-emissive material layer
US10862054B2 (en) 2016-06-20 2020-12-08 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11482683B2 (en) 2016-06-20 2022-10-25 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10672997B2 (en) 2016-06-20 2020-06-02 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10608186B2 (en) 2016-09-14 2020-03-31 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10680187B2 (en) 2016-09-23 2020-06-09 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11196010B2 (en) 2016-10-03 2021-12-07 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11011709B2 (en) 2016-10-07 2021-05-18 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
KR20240014475A (ko) 2016-10-12 2024-02-01 아리조나 보드 오브 리젠츠 온 비하프 오브 아리조나 스테이트 유니버시티 협대역 적색 인광성 4좌 백금(ii) 착물
US20180130956A1 (en) 2016-11-09 2018-05-10 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10680188B2 (en) 2016-11-11 2020-06-09 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11183670B2 (en) 2016-12-16 2021-11-23 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Organic light emitting diode with split emissive layer
US11780865B2 (en) 2017-01-09 2023-10-10 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
WO2018140765A1 (en) 2017-01-27 2018-08-02 Jian Li Metal-assisted delayed fluorescent emitters employing pyrido-pyrrolo-acridine and analogues
US10844085B2 (en) 2017-03-29 2020-11-24 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10944060B2 (en) 2017-05-11 2021-03-09 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10516117B2 (en) 2017-05-19 2019-12-24 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Metal-assisted delayed fluorescent emttters employing benzo-imidazo-phenanthridine and analogues
US11101435B2 (en) 2017-05-19 2021-08-24 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Tetradentate platinum and palladium complexes based on biscarbazole and analogues
US20180370999A1 (en) 2017-06-23 2018-12-27 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11228010B2 (en) 2017-07-26 2022-01-18 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11744142B2 (en) 2017-08-10 2023-08-29 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11647643B2 (en) 2017-10-17 2023-05-09 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Hole-blocking materials for organic light emitting diodes
US11594688B2 (en) 2017-10-17 2023-02-28 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Display and lighting devices comprising phosphorescent excimers with preferred molecular orientation as monochromatic emitters
US20190161504A1 (en) 2017-11-28 2019-05-30 University Of Southern California Carbene compounds and organic electroluminescent devices
US11937503B2 (en) 2017-11-30 2024-03-19 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11542289B2 (en) 2018-01-26 2023-01-03 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20200075870A1 (en) 2018-08-22 2020-03-05 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11737349B2 (en) 2018-12-12 2023-08-22 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11878988B2 (en) 2019-01-24 2024-01-23 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Blue phosphorescent emitters employing functionalized imidazophenthridine and analogues
US11594691B2 (en) 2019-01-25 2023-02-28 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Light outcoupling efficiency of phosphorescent OLEDs by mixing horizontally aligned fluorescent emitters
US11780829B2 (en) 2019-01-30 2023-10-10 The University Of Southern California Organic electroluminescent materials and devices
US20200251664A1 (en) 2019-02-01 2020-08-06 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
JP2020158491A (ja) 2019-03-26 2020-10-01 ユニバーサル ディスプレイ コーポレイション 有機エレクトロルミネセンス材料及びデバイス
CN110429279B (zh) * 2019-07-12 2021-05-18 华中科技大学 一种锂离子电池有机正极材料及其应用
US20210032278A1 (en) 2019-07-30 2021-02-04 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20210047354A1 (en) 2019-08-16 2021-02-18 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11785838B2 (en) 2019-10-02 2023-10-10 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Green and red organic light-emitting diodes employing excimer emitters
US20210135130A1 (en) 2019-11-04 2021-05-06 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20210217969A1 (en) 2020-01-06 2021-07-15 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20220336759A1 (en) 2020-01-28 2022-10-20 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11945985B2 (en) 2020-05-19 2024-04-02 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Metal assisted delayed fluorescent emitters for organic light-emitting diodes
EP3937268A1 (en) 2020-07-10 2022-01-12 Universal Display Corporation Plasmonic oleds and vertical dipole emitters
US20220112232A1 (en) 2020-10-02 2022-04-14 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20220158096A1 (en) 2020-11-16 2022-05-19 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20220162243A1 (en) 2020-11-24 2022-05-26 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20220165967A1 (en) 2020-11-24 2022-05-26 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20220271241A1 (en) 2021-02-03 2022-08-25 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4060758A3 (en) 2021-02-26 2023-03-29 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4059915A3 (en) 2021-02-26 2022-12-28 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20220298192A1 (en) 2021-03-05 2022-09-22 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20220298190A1 (en) 2021-03-12 2022-09-22 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20220298193A1 (en) 2021-03-15 2022-09-22 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20220340607A1 (en) 2021-04-05 2022-10-27 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4075531A1 (en) 2021-04-13 2022-10-19 Universal Display Corporation Plasmonic oleds and vertical dipole emitters
US20220352478A1 (en) 2021-04-14 2022-11-03 Universal Display Corporation Organic eletroluminescent materials and devices
US20220407020A1 (en) 2021-04-23 2022-12-22 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20230006149A1 (en) 2021-04-23 2023-01-05 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
CN115385915B (zh) * 2021-05-25 2023-09-12 四川大学 一种基于菲并吡嗪酰亚胺类有机电致发光材料及应用
US20230133787A1 (en) 2021-06-08 2023-05-04 University Of Southern California Molecular Alignment of Homoleptic Iridium Phosphors
EP4151699A1 (en) 2021-09-17 2023-03-22 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4212539A1 (en) 2021-12-16 2023-07-19 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4231804A3 (en) 2022-02-16 2023-09-20 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
CN114315690B (zh) * 2022-03-04 2022-06-21 北京玻钢院复合材料有限公司 一种含酰亚胺环的双邻苯二甲腈化合物、高耐热透波复合材料及其制备方法
US20230292592A1 (en) 2022-03-09 2023-09-14 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
CN114736228B (zh) * 2022-04-11 2024-01-30 陕西师范大学 基于邻碳硼烷修饰的均苯四甲酸二酰亚胺衍生物的荧光传感薄膜及制备方法和应用
US20230337516A1 (en) 2022-04-18 2023-10-19 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20230389421A1 (en) 2022-05-24 2023-11-30 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4293001A1 (en) 2022-06-08 2023-12-20 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20240016051A1 (en) 2022-06-28 2024-01-11 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20240107880A1 (en) 2022-08-17 2024-03-28 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4369898A1 (en) 2022-10-27 2024-05-15 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4362631A3 (en) 2022-10-27 2024-05-08 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4362645A3 (en) 2022-10-27 2024-05-15 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4362630A2 (en) 2022-10-27 2024-05-01 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4468444A (en) * 1983-04-21 1984-08-28 Eastman Kodak Company Pyrylium-sensitized leuco base photoconductive compositions and elements containing naphthalene bis-dicarboximide compounds
JPS6178890A (ja) * 1984-09-26 1986-04-22 Ricoh Co Ltd エレクトロクロミツク材料
JPH0215084A (ja) * 1988-07-04 1990-01-18 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 含フツ素ピロメリット酸無水物及びその製造方法
JPH02189524A (ja) * 1989-01-19 1990-07-25 Japan Carlit Co Ltd:The エレクトロクロミック表示素子
JPH07126226A (ja) * 1993-11-01 1995-05-16 Hodogaya Chem Co Ltd ベンジジン化合物
JP2000086595A (ja) * 1998-07-16 2000-03-28 Sumitomo Electric Ind Ltd トリフェニルアミン誘導体とそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2001114735A (ja) * 1999-10-08 2001-04-24 Hodogaya Chem Co Ltd 電子製品材料
JP2005208617A (ja) * 2003-12-26 2005-08-04 Canon Inc 電子写真感光体、電子写真感光体の製造方法、プロセスカートリッジおよび電子写真装置

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1099096A (en) * 1965-12-10 1968-01-17 Monsanto Chemicals Nitrogen-containing aromatic compounds
US4649189A (en) * 1983-12-22 1987-03-10 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Process for preparing phthalocyanine polymer from imide containing bisphthalonitrile
US4720432A (en) 1987-02-11 1988-01-19 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with organic luminescent medium
JP2657700B2 (ja) * 1988-08-08 1997-09-24 日本電信電話株式会社 含フッ素ポリイミド光学材料
JP2744969B2 (ja) * 1988-08-26 1998-04-28 日本電信電話株式会社 含フッ素ポリイミド及びその製造方法
JPH03221524A (ja) * 1990-01-26 1991-09-30 Nitto Denko Corp 含フッ素ポリアミド酸系樹脂及び含フッ素ポリイミド
US5061569A (en) 1990-07-26 1991-10-29 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with organic electroluminescent medium
JPH04297076A (ja) 1991-01-31 1992-10-21 Toshiba Corp 有機ｅｌ素子
CA2074919A1 (en) * 1991-08-30 1993-03-01 Robert J. Perry Method for the preparation of polyamide-imides
JP3476855B2 (ja) * 1992-01-07 2003-12-10 株式会社東芝 有機ｅｌ素子
EP0650955B1 (en) 1993-11-01 1998-08-19 Hodogaya Chemical Co., Ltd. Amine compound and electro-luminescence device comprising same
JP3419960B2 (ja) * 1995-06-09 2003-06-23 康博 小池 屈折率分布型光学樹脂材料
DE19505938A1 (de) * 1995-02-21 1996-08-22 Bayer Ag Verfahren zur Herstellung von 1-(4-Chlorphenyl)-4,4-dimethyl-pentan-3-on
US5908598A (en) * 1995-08-14 1999-06-01 Minnesota Mining And Manufacturing Company Fibrous webs having enhanced electret properties
JPH11251067A (ja) 1998-03-02 1999-09-17 Junji Kido 有機エレクトロルミネッセント素子
JP2000196140A (ja) 1998-12-28 2000-07-14 Sharp Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子とその製造法
JP3369515B2 (ja) 1999-07-28 2003-01-20 京セラミタ株式会社 フタロシアニン結晶及びその製造方法と、これを含有した電子写真感光体
JP3978976B2 (ja) 2000-04-17 2007-09-19 三菱化学株式会社 有機電界発光素子
DE10058578C2 (de) 2000-11-20 2002-11-28 Univ Dresden Tech Lichtemittierendes Bauelement mit organischen Schichten
JP4023204B2 (ja) 2001-05-02 2007-12-19 淳二 城戸 有機電界発光素子
JP4371648B2 (ja) * 2002-10-21 2009-11-25 ケミプロ化成株式会社 ビスイミド誘導体、その製造方法、それよりなる正孔輸送材料および／または発光材料、それを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2004307857A (ja) * 2003-03-26 2004-11-04 Rikogaku Shinkokai 蛍光性ポリイミド
JP4297076B2 (ja) 2005-04-15 2009-07-15 トヨタ自動車株式会社 車輌用フード構造

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4468444A (en) * 1983-04-21 1984-08-28 Eastman Kodak Company Pyrylium-sensitized leuco base photoconductive compositions and elements containing naphthalene bis-dicarboximide compounds
JPS6178890A (ja) * 1984-09-26 1986-04-22 Ricoh Co Ltd エレクトロクロミツク材料
JPH0215084A (ja) * 1988-07-04 1990-01-18 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 含フツ素ピロメリット酸無水物及びその製造方法
JPH02189524A (ja) * 1989-01-19 1990-07-25 Japan Carlit Co Ltd:The エレクトロクロミック表示素子
JPH07126226A (ja) * 1993-11-01 1995-05-16 Hodogaya Chem Co Ltd ベンジジン化合物
JP2000086595A (ja) * 1998-07-16 2000-03-28 Sumitomo Electric Ind Ltd トリフェニルアミン誘導体とそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2001114735A (ja) * 1999-10-08 2001-04-24 Hodogaya Chem Co Ltd 電子製品材料
JP2005208617A (ja) * 2003-12-26 2005-08-04 Canon Inc 電子写真感光体、電子写真感光体の製造方法、プロセスカートリッジおよび電子写真装置

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
AKAZAKI I.: "Aoiro Hakko Device no Miryoku", 1 May 1997 (1997-05-01), pages 224 - 228, XP003016448 *
SEKI K. ET AL.: "Energy level alignment at organic/metal interfaces studied by UV photoemission", SYNTHETIC METALS, vol. 91, no. 1-3, December 1997 (1997-12-01), pages 137 - 142, XP003016447 *
UZUN D. ET AL.: "Synthesis and photophysical properties of N,N'-bis(4-cyanophenyl)-3,4,9,10-perylenebis(dicarboximide) and N,N'-bis (4-cyanophenyl)-1,4,5,8-naphthalenediimide", JOURNAL OF PHOTOCHEMISTRY AND PHOTOBIOLOGY A: CHEMISTRY, vol. 156, no. 1-3, March 2003 (2003-03-01), pages 45 - 54, XP003016449 *

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009041635A1 (ja) * 2007-09-28 2009-04-02 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 有機ｅｌ素子
JPWO2009041635A1 (ja) * 2007-09-28 2011-01-27 出光興産株式会社 有機ｅｌ素子
US8106391B2 (en) 2007-09-28 2012-01-31 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic EL device
KR101332953B1 (ko) 2007-09-28 2013-11-25 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 유기 ｅｌ 소자
JP2009218424A (ja) * 2008-03-11 2009-09-24 Dainippon Printing Co Ltd 有機デバイス
WO2009119249A1 (ja) * 2008-03-27 2009-10-01 新日鐵化学株式会社 有機エレクトロルミネッセント素子
US8847367B2 (en) 2008-03-27 2014-09-30 Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd. Organic electroluminescent device
TWI478624B (zh) * 2008-03-27 2015-03-21 Nippon Steel & Sumikin Chem Co Organic electroluminescent elements
WO2010110280A1 (ja) 2009-03-27 2010-09-30 富士フイルム株式会社 有機電界発光素子用塗布液
JP2010254608A (ja) * 2009-04-23 2010-11-11 Idemitsu Kosan Co Ltd フタルイミド系化合物、ナフタルイミド系化合物、無水ナフタル酸系化合物、これら含む電子輸送材料、及び有機薄膜太陽電池
JP2017165957A (ja) * 2016-03-09 2017-09-21 国立大学法人九州大学 超分子発光体の発光寿命制御方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20070160905A1 (en) 2007-07-12
US8168327B2 (en) 2012-05-01
TW200745125A (en) 2007-12-16
JPWO2007080801A1 (ja) 2009-06-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101414914B1 (ko) 유기 전계발광 소자용 재료 및 유기 전계발광 소자
JP5274459B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及び有機エレクトロルミネッセンス素子
US8168327B2 (en) Imide derivative, material for organic electroluminescent device and organic electroluminescent device using the same
JP5329429B2 (ja) アザインデノフルオレンジオン誘導体、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及び有機エレクトロルミネッセンス素子
JP5249781B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及び有機エレクトロルミネッセンス素子
JP5294872B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2007116750A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、及びこれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2008072400A1 (ja) 芳香族アミン誘導体及びそれらを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2008032631A1 (fr) Dérivé d&#39;amine aromatique et dispositif électroluminescent organique l&#39;employant
WO2007132678A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2007142216A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機エレクトロルミネッセンス素子用材料
WO2006062078A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2006114921A1 (ja) 芳香族トリアミン化合物及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2007102361A1 (ja) 芳香族アミン誘導体及びそれらを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2007111262A1 (ja) 含窒素複素環誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2007029806A1 (ja) アザフルオランテン骨格を有するアザ芳香族化合物及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2007060795A1 (ja) アミン系化合物及びそれを利用した有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2006120859A1 (ja) 新規有機エレクトロルミネッセンス材料、それを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機エレクトロルミネッセンス用薄膜形成溶液
WO2007058044A1 (ja) 芳香族アミン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2007553880

Country of ref document: JP

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 06843537

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1