KR102124227B1 - 금속 화합물, 방법, 및 이의 용도 - Google Patents
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Abstract
디바이스, 예를 들면, OLED에 유용한 금속 화합물이 본원에 제공된다.
Description
본 개시내용은 디바이스, 예를 들면, 유기 발광 다이오드(OLED)에 유용한 금속 화합물에 관한 것이다.
광을 흡수하고/거나 방출할 수 있는 화합물은 이상적으로는, 예를 들면, 광흡수 디바이스 예컨대 태양- 및 광-감응성 디바이스, 광방출 디바이스, OLED, 또는 광흡수 및 방출 둘다 가능한 디바이스를 포함하여 매우 다양한 광학 및 전자-광학 디바이스에 사용하기에 적합할 수 있다. 광학 및 전자-광학 디바이스에 사용하기 위한 유기 및 유기금속 재료의 발견 및 최적화에 많은 연구가 진행되고 있다. 일반적으로, 이러한 분야에서의 연구는 처리 능력의 개선뿐만 아니라 흡수 및 방출 효율의 개선을 포함한 다수의 목적를 달성하는 것을 목표로 한다.
광학 및 전자-광학 재료에 대한 연구에서 상당한 발전에도 불구하고, 현재 입수가능한 다수의 재료들은 불량한 처리 능력, 비효율적인 방출 또는 흡수, 및 덜 이상적인 안정성을 포함한 다수의 단점을 나타낸다. 따라서, 광학 및 전자-광학 디바이스에서 개선된 성능을 나타내는 새로운 재료들에 대한 필요성이 존재한다. 이러한 필요성 및 다른 필요성들은 본 발명에 의해 충족된다.
디바이스, 예를 들면, 유기 발광 다이오드(OLED)에 유용한 금속 화합물이 본원에 제공된다.
본원에서는 하기 화학식을 갖는 화합물이 제공된다:
상기 식에서, L1, L2, L3, 및 L4 각각은 독립적으로 치환된 또는 비치환된 아릴, 사이클로알킬, 사이클로알케닐, 헤테로사이클릴, 헤테로아릴, 카르벤, 또는 N-헤테로사이클릭 카르벤이고,
Z1, Z2, 및 Z3 각각은 독립적으로 존재하거나 부재하고, 존재한다면 Z1, Z2, 및 Z3 각각은 독립적으로 A, A1, 또는 A2이고,
A, A1, 또는 A2 각각은 독립적으로 O, S, S=O, SO2, Se, NR3, PR3, RP=O, CR1R2, C=O, SiR1R2, GeR1R2, BH, P(O)H, PH, NH, CR1H, CH2, SiH2, SiHR1, BH, 또는 BR3이고,
M은 Pt, Pd, Au, Ir, Rh, Ru, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ag, Hg, Cd, 또는 Zr이고,
V, X, 및 Y 각각은 독립적으로 V1, V2, V3, V4, O, S, S=O, SO2, Se, NR3, PR3, R1P=O, CR1R2, C=O, SiR1R2, GeR1R2, BH, P(O)H, PH, NH, CR1H, CH2, SiH2, SiHR1, BH, 또는 BR3, 또는 하기 구조 중 임의의 하나이고:
V, X, 및 Y 중 하나 이상은 V1, V2, V3, 또는 V4이고, m 및 n은 독립적으로 0 내지 4의 정수이며,
V1, V2, V3, 및 V4 각각은 독립적으로 M에 배위되고, V1, V2, V3, 및 V4 각각은 독립적으로 N, C, CH, P, B, SiH, 또는 Si이며,
R, R1, R2, R3, 및 R4 각각은 독립적으로 수소, 아릴, 사이클로알킬, 사이클로알케닐, 헤테로사이클릴, 헤테로아릴, 알킬, 알케닐, 알키닐, 중수소, 할로겐, 히드록실, 티올, 니트로, 시아노, 아미노, 모노- 또는 디-알킬아미노, 모노- 또는 디아릴 아미노, 알콕시, 아릴옥시, 할로알킬, 아르알킬, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 알콕시카르보닐, 아실아미노, 알콕시카르보닐아미노, 아릴옥시카르보닐아미노, 설포닐아미노, 설파모일, 카바모일, 알킬티오, 설피닐, 우레이도, 포스포르아미드, 아머캅토, 설포, 카르복실, 히드라지노, 치환된 실릴, 또는 중합성 기, 또는 이들의 임의의 컨쥬게이트(conjugate) 또는 조합이고,
V1, V2, V3 및 V4 각각은 독립적으로 임의적으로 V1, V2, V3 및 V4 중 임의의 하나를 대체한다.
본원에서는 또한 개시된 화합물 중 하나 이상을 포함하는 디바이스, 예를 들면, OLED가 제공된다.
첨부된 도면은 본 명세서에 도입되고 이의 일부를 구성하며, 다양한 양태들을 도시하고, 상세한 설명과 함께 본 발명의 원리를 설명하는 역할을 한다.
도 1은 전형적인 유기 발광 다이오드(OLED)의 단면을 도시한다.
도 2는 실온에서 CH2Cl2 중에서 그리고 77K에서 2-MeTHF 중에서 PtN"3PPy의 발광 스펙트럼이다.
본 발명의 부가적인 양태들은 후술되는 상세한 설명에서 부분적으로 제시될 것이고 부분적으로는 상세한 설명으로부터 명백해지거나, 또는 본 발명의 실시에 의해 숙지될 수 있다. 본 발명의 이점은 특히 청구범위에 기재된 요소들 및 조합에 의해 구현 및 달성될 것이다. 상술한 일반적인 기재 및 후술되는 상세한 설명 모두 단지 예시적이고 설명적이며 청구된 발명을 제한하는 것이 아님을 이해해야 한다.
도 1은 전형적인 유기 발광 다이오드(OLED)의 단면을 도시한다.
도 2는 실온에서 CH2Cl2 중에서 그리고 77K에서 2-MeTHF 중에서 PtN"3PPy의 발광 스펙트럼이다.
본 발명의 부가적인 양태들은 후술되는 상세한 설명에서 부분적으로 제시될 것이고 부분적으로는 상세한 설명으로부터 명백해지거나, 또는 본 발명의 실시에 의해 숙지될 수 있다. 본 발명의 이점은 특히 청구범위에 기재된 요소들 및 조합에 의해 구현 및 달성될 것이다. 상술한 일반적인 기재 및 후술되는 상세한 설명 모두 단지 예시적이고 설명적이며 청구된 발명을 제한하는 것이 아님을 이해해야 한다.
본 발명은 후술되는 발명의 상세한 설명과 이에 포함되는 실시예를 참조하여 보다 용이하게 이해될 수 있다.
본 발명의 화합물, 디바이스, 및/또는 방법을 개시하고 설명하기에 앞서, 이들이 달리 명시되지 않는 한 특정의 합성 방법에 제한되지 않고 또한 달리 명시되지 않는 한 특정 시약에 한정되지 않고 달라질 수 있는 것으로 이해되어야 한다. 또한, 본원에서 사용된 용어는 단지 특정 양태들을 설명하기 위한 것이며 제한적인 의도가 아닌 것으로 이해되어야 한다. 비록 본원에 기재된 것과 유사하거나 대등한 임의의 방법 및 재료들이 본 발명의 실시 또는 시험에 사용될 수 있지만, 예시적인 방법 및 재료들이 여기에 기재된다.
1.
정의
명세서 및 첨부 청구범위에 사용된 바와 같이, 단수형은 본문에서 명백히 다르게 지시되지 않는 한 복수 대상을 포함한다. 따라서, 예를 들어 "하나의 성분"에 대해 2종 이상의 성분의 혼합물을 포함한다.
범위는 본원에서 "약" 일 특정 값 및/또는 "약" 또다른 특정 값으로서 표현될 수 있다. 이러한 범위가 표현되는 경우, 본원에서 또 다른 양태는 일 특정 값으로부터 및/또는 다른 특정 값까지 포함한다. 유사하게, 값이 근사치로서 표시되는 경우, 선행하는 "약"의 사용에 의해 특정 값이 또다른 양태를 형성한다는 사실이 이해될 것이다. 각 범위의 끝점은 다른 끝점에 관해, 그리고 다른 끝점과 독립적으로 모두 의미가 있음이 또한 이해될 것이다. 본원에서 개시된 여러가지 값이 존재하고, 각 값은 또한 값 자체에 더해 "약" 특정 값으로서 본원에서 개시되는 것은 당연하다. 예를 들어, 값 "10"이 개시되면, "약 10"이 또한 개시된다. 또한 당연히 2개의 특정 단위량 사이의 각 단위량이 또한 개시되는 것으로 이해된다. 예를 들어, 10과 15가 개시되면, 11, 12, 13, 및 14가 또한 개시된다.
본원에서 사용된 바와 같이, 용어 "임의적인" 또는 "임의적으로"는 후속으로 기재된 이벤트 또는 상황이 일어날 수 있거나 없으며, 설명에서는 상기 이벤트 또는 상황이 일어나는 사례와 그것이 일어나지 않는 사례를 포함하는 것을 의미한다.
본원에 기재된 조성물을 제조하는데 사용될 성분 및 본원에서 개시된 방법 내에 사용될 조성물 자체가 개시된다. 이들 물질과 다른 물질이 본원에서 개시되며, 이들 물질의 조합, 서브셋, 관계, 그룹, 등이 개시될 때 이들 화합물의 각 다양한 개체 및 집합적 조합 및 변형에 대해 구체적인 지시가 명쾌하게 개시될 수 없지만, 각각 구체적으로 예상되고 본원에서 기재되어 있다는 것은 당연하다. 예를 들어, 특정 화합물이 개시되고 논의되며 화합물을 포함하여 여러가지 분자에 이루어질 수 있는 여러가지 변형이 논의되는 경우, 화합물의 각각 그리고 모든 조합과 변경 및 구체적으로 반대로 지시되지 않는 한 가능한 변형이 구체적으로 예상된다. 따라서, 분자 A, B, 및 C의 클래스가 개시되고 분자 D, E, 및 F와 조합 분자, A-D의 일예의 클래스가 개시되는 경우, 그 후 심지어 각각 개별적으로 인용되지 않고, 각각 개별적으로 그리고 집합적으로 예상되는 경우, 의미 조합, A-E, A-F, B-D, B-E, B-F, C-D, C-E, 및 C-F가 개시된 것으로 간주된다. 비슷하게, 이들의 임의 서브셋 또는 조합이 또한 개시된다. 따라서, 예를 들어, A-E, B-F, 및 C-E의 서브 그룹이 개시된 것으로 간주될 것이다. 이러한 개념은 본 발명의 조성물을 제조하고 사용하는 방법에서 단계를 포함하나, 이들에 한정되지 않는 이러한 응용 분야의 모든 양태에 적용된다. 따라서, 수행될 수 있는 다양한 추가 단계가 존재하는 경우, 이들 추가 단계의 각각은 본 발명의 방법의 임의의 특정 실시양태 또는 실시양태들의 조합에 의해 당연히 수행될 수 있다.
본원에서 언급된 바와 같이, 연결 원자는 2개의 기 예컨대, 예를 들어, N 및 C 기를 연결할 수 있다. 연결 원자는 원자가가 허용되는 경우 부착된 다른 화학적 모이어티를 가질 수 있다. 예를 들어, 산소는 일단 2개의 기(예, N 및/또는 C 기)에 결합되면 원자가가 만족됨에 따라 부착되는 임의의 다른 화학 기를 가지지 못할 것이다. 또 다른 예에서, 탄소가 연결 원자인 경우, 2개의 추가 화학적 모이어티가 탄소에 부착될 수 있는데, 이는 원자가가 이를 요구하기 때문이다. 적합한 화학적 모이어티는 수소, 히드록실, 알킬, 알콕시, =O, 할로겐, 니트로, 아민, 아미드, 티올, 아릴, 헤테로아릴, 사이클로알킬, 및 헤테로사이클릴을 포함하나, 이들에 한정되지 않는다.
본원에서 사용된 용어 "알킬"은 1 내지 24개 탄소 원자의 분지되거나 비분지된 포화 탄화수소 기, 예컨대 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, n-부틸, 이소부틸, s-부틸, t-부틸, n-펜틸, 이소펜틸, s-펜틸, 네오펜틸, 헥실, 헵틸, 옥틸, 노닐, 데실, 도데실, 테트라데실, 헥사데실, 에이코실, 테트라코실, 등이다. 알킬 기는 환형 또는 비환형일 수 있다. 알킬 기는 분지되거나 비분지될 수 있다. 알킬 기는 또한 치환되거나 비치환될 수 있다. 예를 들어, 알킬 기는 본원에서 기재된 바와 같이, 임의로 치환된 알킬, 사이클로알킬, 알콕시, 아미노, 에테르, 할라이드, 히드록시, 니트로, 실릴, 설포-옥소, 또는 티올을 포함하나, 이들에 한정되지 않는 1 이상의 기로 치환될 수 있다. "저급 알킬" 기는 1 내지 6개(예, 1 내지 4개)의 탄소 원자를 함유한 알킬 기이다.
본원에서 사용된 용어 "아민" 또는 "아미노"는 식 NA1A2A3으로 표시되며, 여기서 A1, A2, 및 A3은 본원에서 기재한 바와 같이 독립적으로 수소 또는 임의적으로 치환된 알킬, 사이클로알킬, 알케닐, 사이클로알케닐, 알키닐, 사이클로알키닐, 아릴, 또는 헤테로아릴 기일 수 있다.
본원에서 사용된 용어 "할라이드"는 할로겐 불소, 염소, 브롬, 및 요오드를 지칭한다.
본원에서 사용된 용어 "히드록실"은 식 -OH로 나타내어진다.
본원에서 사용된 용어 "니트로"는 식 -NO2로 나타내어진다.
본원에서 사용된 용어 "니트릴"은 식 -CN으로 나타내어진다.
본원에서 사용된 용어 "티올"은 식 -SH로 나타내어진다.
용어 "헤테로사이클릴" 또는 유사 용어는 헤테로원자를 포함하는 환형 구조를 지칭한다. 이에 따라, "헤테로사이클릴"은 하나 이상의 헤테로원자를 갖는 방향족 및 비방향족 고리 구조 모두를 포함한다. 헤테로사이클릭의 비제한적인 예는 피리딘, 이소퀴놀린, 메틸피롤 및 티오펜 등을 포함한다. "헤테로아릴"은 특히 헤테로원자를 포함하는 방향족 환형 구조를 의미한다.
앞서 간단히 기재한 바와 같이, 본 발명은 여러자리, 예를 들면, 네자리 사이클로메탈화 금속 착물에 관한 것이다. 일 양태에서, 이러한 착물은 7환식 또는 더 고차의 재료와 통합될 수 있다. 다른 양태에서, 이러한 착물은 예컨대 디스플레이 및 조명 분야에 유용할 수 있다.
여러 양태에서, 본 개시내용의 화합물은 백금(Pt) 착물, 팔라듐(Pd) 착물, 금(Au) 착물, 이리듐(Ir) 착물, 로듐(Rh) 착물, 루테늄(Ru) 착물, 철(Fe) 착물, 코발트(Co) 착물, 니켈(Ni) 착물, 구리(Cu) 착물, 아연(Zn) 착물, 은(Ag) 착물, 수은(Hg) 착물, 카드뮴(Cd) 착물, 지르코늄(Zr) 착물, 또는 본원에서 구체적으로 언급되지 않았으나 빛을 방출할 수 있어 디바이스에서 발광성 재료로서 유용한 다른 금속 착물 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
본원에서 사용된 용어 "V1, V2, V3 및 V4 각각은 독립적으로 임의적으로 V1, V2, V3 및 V4 중 임의의 하나를 대체한다"는 V1, V2, V3, 및 V4 중 임의의 하나가 V1, V2, V3, 및 V4 중 다른 하나를 대신할 수 있음을 의미한다. 예를 들면, V1은 V2, V3, 또는 V4를 대체할 수 있다. 또 다른 예에서, V3은 V1, V2, 또는 V4를 대체할 수 있다. 일례에서, V2는 V1을 대체할 수 있다. 또 다른 예에서, V3은 V1을 대체할 수 있다. 또 다른 예에서, V4는 V2를 대체할 수 있다. 또 다른 예에서, V3은 V2를 대체할 수 있다. 일 양태에서, 본원에 기재된 V는 본원에 기재된 V1, V2, V3, 또는 V4일 수 있다. 예를 들면, V는 V1일 수 있다. 또 다른 예에서, V는 V2일 수 있다. 또 다른 예에서, V는 V3일 수 있다. 또 다른 예에서, V는 V4일 수 있다.
본원에서 사용된 용어 "화합물" 및 "착물"은 상호교환적으로 사용된다.
2.
화합물
일 양태에서, 본원에서는 금속, 예컨대 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 이리듐(Ir), 로듐(Rh), 루테늄(Ru), 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 구리(Cu), 아연(Zn), 은(Ag), 수은(Hg), 카드뮴(Cd), 또는 지르코늄(Zr)을 포함하는 화합물이 개시된다. 개시된 화합물은 전자기 방사선을 방출할 수 있다. 또 다른 양태에서, 개시된 화합물의 방출은 예를 들면, 리간드 구조를 변경함으로써, 예를 들면, 자외선에서 근적외선으로 튜닝될 수 있다. 또 다른 양태에서, 개시된 화합물은 대다수 가시광 스펙트럼에 걸쳐 발광을 제공할 수 있다. 구체적인 예에서, 개시된 화합물은 약 400 nm 내지 약 700 nm 범위에 걸쳐 광을 방출할 수 있다. 또 다른 양태에서, 개시된 화합물은 전통적인 발광 착물이 비해 개선된 안정성 및 효율을 나타낸다. 여전히 또 다른 양태에서, 개시된 화합물은 예를 들면, 바이오-분야에서, 발광성(luminescent) 표지, 항암제, 유기 발광 다이오드(OLED)에서의 이미터(emitter), 또는 이의 조합으로서 유용할 수 있다. 또 다른 양태에서, 개시된 화합물은 발광 디바이스, 예컨대, 예를 들면, 콤팩트 형광성 램프(CFL), 발광 다이오드(LED), 백열광(incandescent) 램프, 및 이의 조합에 유용할 수 있다.
개시된 화합물은 예를 들면, 여러자리 화합물일 수 있다.
본원에서는 하기 화학식을 갖는 화합물이 개시된다:
상기 식에서, L1, L2, L3, 및 L4 각각은 독립적으로 치환된 또는 비치환된 아릴, 사이클로알킬, 사이클로알케닐, 헤테로사이클릴, 헤테로아릴, 카르벤, 또는 N-헤테로사이클릭 카르벤이고,
Z1, Z2, 및 Z3 각각은 독립적으로 존재하거나 부재하고, 존재한다면 Z1, Z2, 및 Z3 각각은 독립적으로 A, A1, 또는 A2이고,
A, A1, 또는 A2 각각은 독립적으로 O, S, S=O, SO2, Se, NR3, PR3, RP=O, CR1R2, C=O, SiR1R2, GeR1R2, BH, P(O)H, PH, NH, CR1H, CH2, SiH2, SiHR1, BH, 또는 BR3이고,
M은 Pt, Pd, Au, Ir, Rh, Ru, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ag, Hg, Cd, 또는 Zr이고,
V, X, 및 Y 각각은 독립적으로 V1, V2, V3, V4, O, S, S=O, SO2, Se, NR3, PR3, R1P=O, CR1R2, C=O, SiR1R2, GeR1R2, BH, P(O)H, PH, NH, CR1H, CH2, SiH2, SiHR1, BH, 또는 BR3, 또는 하기 구조 중 임의의 하나이고:
V, X, 및 Y 중 하나 이상은 V1, V2, V3, 또는 V4이고, m 및 n은 독립적으로 0 내지 4의 정수이며,
V1, V2, V3, 및 V4 각각은 독립적으로 M에 배위되고, V1, V2, V3, 및 V4 각각은 독립적으로 N, C, CH, P, B, SiH, 또는 Si이며,
R, R1, R2, R3, 및 R4 각각은 독립적으로 수소, 아릴, 사이클로알킬, 사이클로알케닐, 헤테로사이클릴, 헤테로아릴, 알킬, 알케닐, 알키닐, 중수소, 할로겐, 히드록실, 티올, 니트로, 시아노, 아미노, 모노- 또는 디-알킬아미노, 모노- 또는 디아릴 아미노, 알콕시, 아릴옥시, 할로알킬, 아르알킬, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 알콕시카르보닐, 아실아미노, 알콕시카르보닐아미노, 아릴옥시카르보닐아미노, 설포닐아미노, 설파모일, 카바모일, 알킬티오, 설피닐, 우레이도, 포스포르아미드, 아머캅토, 설포, 카르복실, 히드라지노, 치환된 실릴, 또는 중합성 기, 또는 이들의 임의의 컨쥬게이트 또는 조합이고,
V1, V2, V3 및 V4 각각은 독립적으로 임의적으로 V1, V2, V3 및 V4 중 임의의 하나를 대체한다.
일 양태에서 Z1, Z2, 및 Z3 각각은 독립적으로 존재한다. 또 다른 양태에서, Z1 및 Z2가 존재하고 Z3은 부재한다. 여전히 또 다른 양태에서, Z2 및 Z3은 존재하고 Z1은 부재한다. 여전히 또 다른 양태에서, Z1 및 Z3은 존재하고 Z2는 부재한다. 여전히 또 다른 양태에서, Z1, Z2, 및 Z3 각각은 독립적으로 부재한다. 또 다른 양태에서, Z1 및 Z2는 부재하고 Z3은 존재한다. 여전히 또 다른 양태에서, Z2 및 Z3은 부재하고 Z1은 존재한다. 여전히 또 다른 양태에서, Z1 및 Z3은 부재하고 Z2는 존재한다.
일 양태에서, 화합물은 하기 구조를 가질 수 있다:
또 다른 양태에서, 화합물은 하기 구조를 가질 수 있다:
상기 식에서, o 및 p 각각은 독립적으로 0 내지 4의 정수이다.
또 다른 양태에서, 화합물은 하기 구조를 가질 수 있다:
상기 식에서, o, p, 및 q 각각은 독립적으로 0 내지 4의 정수이고,
Z 및 U 각각은 독립적으로 V1, V2, V3, V4, O, S, S=O, SO2, Se, NR3, PR3, R1P=O, CR1R2, C=O, SiR1R2, GeR1R2, BH, P(O)H, PH, NH, CR1H, CH2, SiH2, SiHR1 , BH, 또는 BR3, 또는 하기 구조 중 임의의 하나이고:
U, V, X, Y, 및 Z 중 하나 이상은 V1, V2, V3, 또는 V4이고,
각각의 R5는 독립적으로 수소, 아릴, 사이클로알킬, 사이클로알케닐, 헤테로사이클릴, 헤테로아릴, 알킬, 알케닐, 알키닐, 중수소, 할로겐, 히드록실, 티올, 니트로, 시아노, 아미노, 모노- 또는 디-알킬아미노, 모노- 또는 디아릴 아미노, 알콕시, 아릴옥시, 할로알킬, 아르알킬, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 알콕시카르보닐, 아실아미노, 알콕시카르보닐아미노, 아릴옥시카르보닐아미노, 설포닐아미노, 설파모일, 카바모일, 알킬티오, 설피닐, 우레이도, 포스포르아미드, 아머캅토, 설포, 카르복실, 히드라지노, 치환된 실릴, 또는 중합성 기, 또는 이들의 임의의 컨쥬게이트 또는 조합이다.
일 양태에서, 화합물은 하기 구조를 가질 수 있다:
상기 식에서, o, p, q, 및 r 각각은 독립적으로 0 내지 4의 정수이고,
U, Y1, X1, Z, 및 Z1 각각은 독립적으로 V1, V2, V3, V4, O, S, S=O, SO2, Se, NR3, PR3, R1P=O, CR1R2, C=O, SiR1R2, GeR1R2, BH, P(O)H, PH, NH, CR1H, CH2, SiH2, SiHR1 , BH, 또는 BR3, 또는 하기 구조 중 임의의 하나이고:
U, V, X, Y, 및 Z 중 하나 이상은 V1, V2, V3, 또는 V4이며,
각각의 R5 및 R6은 독립적으로 수소, 아릴, 사이클로알킬, 사이클로알케닐, 헤테로사이클릴, 헤테로아릴, 알킬, 알케닐, 알키닐, 중수소, 할로겐, 히드록실, 티올, 니트로, 시아노, 아미노, 모노- 또는 디-알킬아미노, 모노- 또는 디아릴 아미노, 알콕시, 아릴옥시, 할로알킬, 아르알킬, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 알콕시카르보닐, 아실아미노, 알콕시카르보닐아미노, 아릴옥시카르보닐아미노, 설포닐아미노, 설파모일, 카바모일, 알킬티오, 설피닐, 우레이도, 포스포르아미드, 아머캅토, 설포, 카르복실, 히드라지노, 치환된 실릴, 또는 중합성 기, 또는 이들의 임의의 컨쥬게이트 또는 조합이다.
일 양태에서, L1, L2, L3, 및 L4 중 2 이상은 치환된 또는 비치환된 아릴 또는 헤테로아릴이다.
일 양태에서, V1, V2, V3, 및 V4 중 하나 이상은 N이다. 또 다른 양태에서, V1, V2, V3, 및 V4 중 하나 이상은 C이다. 여전히 또 다른 양태에서, V1, V2, V3, 및 V4 중 하나 이상은 N이고 V1, V2, V3, 및 V4 중 하나 이상은 C이다. 여전히 또 다른 양태에서, V1, V2, V3, 및 V4 중 2 이상은 N이고 V1, V2, V3, 및 V4 중 하나 이상은 C이다. 여전히 또 다른 양태에서, V1, V2, V3, 및 V4 중 하나 이상은 N이고 V1, V2, V3, 및 V4 중 2 이상은 C이다.
일 양태에서, L1, L2, L3, 및 L4 중 하나 이상은 각각 V1, V2, V3, 및 V4와 함께 하기 구조들 중 하나 이상을 포함할 수 있다:
예를 들면, 하기와 같다:
일 양태에서, m, n, o, p, q, 또는 r 각각은 독립적으로 0일 수 있다. 또 다른 양태에서, m, n, o, p, q, 또는 r 각각은 독립적으로 0 또는 1일 수 있다. 또 다른 양태에서, m, n, o, p, q, 또는 r 각각은 독립적으로 1일 수 있다.
제1항 내지 제10항 중 어느 한 항의 화합물은 하나 이상의 페닐 및 하나 이상의 피리딘을 포함한다.
일 양태에서, 본 개시내용에 기재된 화학식들 중 임의의 화학식의 경우, , 및 은 L 및 L'가 직접 연결되거나, 또는 L 및 L'가 연결 기에 의해 연결되는 것을 의미하는 것으로 의도되며, 여기서 각 연결기는 독립적으로 산소(O), 황(S), 질소(N), 인(P), 탄소(C), 규소(Si) 또는 붕소(B)일 수 있다. 또 다른 양태에서, , 및 은 각각 독립적으로 하기 구조들 중 하나 이상을 나타낸다:
일 양태에서, R1, R2, R3, R4, 및 R5 각각은 독립적으로 수소, 아릴, 사이클로알킬, 사이클로알케닐, 헤테로사이클릴, 헤테로아릴, 알킬, 알케닐, 알키닐, 중수소, 할로겐, 히드록실, 티올, 니트로, 시아노, 아미노, 모노- 또는 디-알킬아미노, 모노- 또는 디아릴 아미노, 알콕시, 아릴옥시, 할로알킬, 아르알킬, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 알콕시카르보닐, 아실아미노, 알콕시카르보닐아미노, 아릴옥시카르보닐아미노, 설포닐아미노, 설파모일, 카바모일, 알킬티오, 설피닐, 우레이도, 포스포르아미드, 아머캅토, 설포, 카르복실, 히드라지노, 치환된 실릴, 또는 중합성 기, 또는 이들의 임의의 컨쥬게이트 또는 조합일 수 있다. 또 다른 양태에서, R1, R2, R3, R4, 및 R5 각각은 독립적으로 아릴, 사이클로알킬, 사이클로알케닐, 헤테로사이클릴, 헤테로아릴, 알킬, 알케닐, 알키닐, 할로겐, 히드록실, 티올, 니트로, 아미노, 할로알킬, 또는 이들의 임의의 컨쥬게이트 또는 조합일 수 있다. 여전히 또 다른 양태에서, R1, R2, R3, R4, 및 R5 각각은 독립적으로 아릴, 사이클로알킬, 사이클로알케닐, 헤테로사이클릴, 헤테로아릴, 알킬, 알케닐, 할로겐, 또는 히드록실, 또는 이의 조합일 수 있다.
일 양태에서, 본 개시내용에 기재된 금속 착물들 중 임의의 금속 착물의 경우, 하기 구조들 중 하나 이상을 포함할 수 있다. 또 다른 양태에서, 이들은 또한 본원에서 구체적으로 언급되지 않은 다른 구조 또는 이의 부분을 포함할 수 있으며, 본 발명은 구체적으로 언급된 구조 또는 이의 부분에 한정되지 않는 것으로 의도된다.
본 개시내용의 하나 이상의 구조에 나타나는 특정의 구조, 문자 또는 수치, 등의 수회 언급 또는 개시의 각각은 동일하거나 상이한 종을 나타낼 수 있으며, 동일한 종을 나타내는 양태들과 상이한 종을 나타내는 양태들은 개시되는 것으로 의도됨에 주목해야 한다.
3.
방법
개시된 화합물은 본원에 기재된 합성 방법들 중 하나 이상에 의해 제조될 수 있다.
일 양태에서, 개시된 화합물은 하기 반응 또는 단계 중 하나 이상을 포함하는 합성에 의해 제조될 수 있다:
또 다른 양태에서, 개시된 화합물은 하기 반응 또는 단계 중 하나 이상을 포함하는 합성에 의해 제조될 수 있다:
또 다른 양태에서, 개시된 화합물은 하기 반응 또는 단계 중 하나 이상을 포함하는 합성에 의해 제조될 수 있다:
여전히 또 다른 양태에서, 개시된 화합물 중 일부는 하기 반응 또는 단계 중 하나 이상을 포함하는 합성에 의해 제조될 수 있다:
예를 들면, 백금 화합물은 하기 반응 또는 단계 중 하나 이상을 포함하는 반응에 의해 제조될 수 있다:
4.
디바이스
앞서 간단히 기재한 바와 같이, 본 발명은 금속 화합물에 관한 것이다. 일 양태에서, 본원에 개시된 화합물은 OLED 분야, 예컨대 풀 컬러 디스플레이용 호스트 재료로서 사용될 수 있다.
개시된 화합물은 광범위한 적용분야, 예를 들면, 조명 디바이스에 유용할 수 있다. 특정의 양태에서, 화합물 중 하나 이상이 유기 발광 디스플레이 디바이스용 호스트 재료일 수 있다.
화합물은 광범위한 적용분야에 유용하다. 발광 재료로서, 화합물은 유기 발광 다이오드(OLED), 발광성 디바이스 및 디스플레이, 및 다른 발광 디바이스에 유용할 수 있다. 디바이스는 인광성 OLED 디바이스일 수 있다. 디바이스는 또한 형광성 OLED 디바이스일 수 있다.
일 양태에서, 디바이스는 광기전(photovoltaic) 디바이스이다. 또 다른 양태에서, 디바이스는 발광성 디스플레이 디바이스이다. 여전히 또 다른 양태에서, 디바이스는 발광 디바이스이다.
화합물의 에너지 프로파일은 금속 중심을 둘러싸는 리간드의 구조를 달리함으로써 튜닝될 수 있다. 예를 들면, 전자 끌게(electron withdrawing) 치환기를 갖는 리간드를 가진 화합물은 일반적으로 전자 주게(electron donating) 치환기를 갖는 리간드를 가진 화합물과 다른 성질을 나타낼 것이다. 일반적으로, 화학 구조 변화는 화합물의 전자 구조에 영향을 미치고, 이에 따라 재료의 전기적 수송 및 전달 기능에 영향을 미친다. 이에 따라, 본 발명의 화합물은 에너지 또는 수송 특성을 원하는 특정의 적용에 맞게 조절되거나 튜닝될 수 있다.
또 다른 양태에서, 개시된 화합물은 기존 재료에 비해, 조명 디바이스, 예를 들면, 유기 발광 디바이스에서 개선된 효율 및/또는 작동 수명을 제공할 수 있다.
다른 다양한 양태들에서, 개시된 화합물은 예를 들면, 유기 발광 다이오드, 조명 분야, 및 이의 조합용 호스트 재료로서 유용할 수 있다.
일 실시양태에서, 화합물은 OLED에 사용될 수 있다. 도 1은 OLED(100)의 단면도를 도시하며, 전형적으로 투명한 재료, 예컨대 인듐 주석 산화물인 애노드(104), 정공-수송 재료(들)의 층(HTL)(106), 광 처리 재료, 예컨대 이미터와 호스트를 포함하는 발광 재료의 층(EML)(108), 전자-수송 재료(들)의 층(ETL)(110), 및 금속 캐소드 층(112)을 갖는 기판(102)을 포함한다.
일 양태에서, 발광 디바이스, 예컨대, 예를 들면, OLED는 하나 이상의 층을 포함할 수 있다. 다양한 양태에서, 하나 이상의 층들 중 임의의 층은 인듐 주석 산화물(ITO), 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)(PEDOT), 폴리스티렌 설포네이트(PSS), N,N'-디-1-나프틸-N,N'-디페닐-1,1'-비페닐-4,4'디아민(NPD), 1,1-비스((디-4-톨릴아미노)페닐) 사이클로헥산(TAPC), 2,6-비스(N-카바졸릴)피리딘(mCpy), 2,8-비스(디페닐포스포릴)디벤조티오펜(PO15), LiF, Al, 또는 이의 조합을 포함할 수 있다.
이 실시양태에서, 광 처리 재료의 층(108)은 개시된 화합물 중 하나 이상을 임의적으로 호스트 재료와 함께 포함할 수 있다. 호스트 재료는 업계에 공지된 임의의 적합한 호스트 재료일 수 있다. OLED의 발광 컬러는 광 처리 재료(108)의 방출 에너지(광학 에너지 갭)에 의해 결정되며, 이는 앞서 논의한 바와 같이 발광 화합물 및/또는 호스트 재료의 전자 구조를 튜닝함으로써 튜닝될 수 있다. HTL 층(106)의 정공-수송 재료와 ETL 층(110)의 전자-수송 재료(들)는 둘다 업계에 공지된 임의의 적합한 정공-수송체를 포함할 수 있다. 이의 선정은 업계의 숙련인의 권한 범위내이다.
본 발명의 화합물은 인광을 나타낼 수 있음은 명백할 것이다. 인광성 OLED (즉, 인광성 이미터를 가진 OLED)는 전형적으로 다른 OLED, 예컨대 형광성 OLED보다 더 높은 디바이스 효율을 가진다. 전계인광성 이미터에 기초한 발광 디바이스는 Baldo 등의 WO2000/070655에 보다 상세히 기재되어 있으며, 이 문헌은 OLED, 특히 인광성 OLED의 교시를 위해 본원에 참고적으로 도입된다.
본 발명의 화합물은 본원에서 제공된 실시예들에서 언급된 방법(이에 한정되지 않음)을 포함한 다양한 방법을 이용하여 제조될 수 있다. 다른 양태들에서, 업계의 숙련인은 본 개시내용의 범위 내에서 본원에서 언급된 이리듐 착물의 제조를 위한 적절한 방법을 용이하게 결정할 수 있다.
실시예
하기 실시예는 본 명세서에 청구된 화합물, 조성물, 물품, 디바이스 및/또는 방법이 어떻게 제조되고 평가되는지에 대한 완전한 개시 및 설명을 당업자에게 제공하기 위해 제안되며, 단지 예시적인 것으로서 본 발명자들이 본 발명으로 간주하는 범위를 한정하려는 것이 아니다. 수치(예컨대 양, 온도 등)에 대해 정확성을 보장하기 위해 노력이 가해졌지만, 약간의 에러 및 편차가 고려되어야 한다. 달리 기재되지 않으면, 부는 중량부이고, 온도는 ℃이거나 주위 온도이며, 압력은 대기압 또는 그 부근이다.
이하에서는, 디스플레이 및 조명 분야를 위한 화합물의 제조 방법이 기술될 것이다. 그러나, 하기 실험들은 단지 예시적이며 본 발명의 범위를 제한하지 않는다. 온도, 촉매, 농도, 반응물 조성, 및 다른 공정 조건은 달라질 수 있으며, 업계의 숙련인은 본 개시내용의 범위 내에서 원하는 착물을 위한 적절한 반응물과 조건을 용이하게 선택할 수 있다.
1.
예언적 합성 루트
본원에 기재된 화합물에 대해 제안되는 일반적인 합성 루트는 하기를 포함한다:
본원에 개시된 화합물에 대해 제안되는 합성은 또한 하기를 포함한다:
본원에 개시된 금속 화합물 중 일부, 예컨대 백금 또는 팔라듐 화합물에 대해 제안되는 합성은 다음과 같다:
금속 화합물에 대해 제안되는 합성은 다음과 같다:
2.
PtN3"PPy의 합성
백금 착물 PtN3"PPy는 하기 반응식에 따라 제조되었다:
2-(3-브로모페닐)피리딘 1의 합성: 자석 교반 바 및 컨덴서가 구비된 3-목 플라스크에, 3-브로모페닐보론산(8033 mg, 40 mmol) 및 K2CO3(12.16 g, 88 mmol)을 첨가했다. 플라스크를 밀봉한 다음 이베큐에이션하고 질소를 역충전했다. 이베큐에이션 및 역충전 과정을 추가 4회 반복했다. 이후 용매 DME(100 mL), EtOH(32 mL) 및 H2O(44 mL)를 독립적으로 시린지로 첨가했다. 혼합물을 니들을 사용해 30분간 질소로 버블링시켰다. 이후 2-브로모피리딘(3.89 mL, 40 mmol) 및 Pd(PPh3)4(924 mg, 0.8 mmol)을 질소 분위기 하에 첨가했다. 혼합물을 오일욕에서 환류로(약 95-105℃) 가열했다. 반응을 TLC로 모니터링하고 약 24 시간 후 반응을 종료했다. 이후 주위 온도로 냉각하고 염이 완전히 용해될 때까지 물을 첨가했다. 이후 유기 층을 분리하고 수성 층을 에틸 아세테이트로 2회 추출했다. 모아진 유기 층을 황산나트륨 위에서 건조했다. 이후 여과하고 에틸 아세테이트로 세척했다. 여액을 회전식 증발기를 사용해 감압하에 농축하고 잔사를 실리카 겔 상에서 용리제로서 헥산 및 에틸 아세테이트(20:1)를 사용하여 컬럼 크로마토그래피를 통해 정제하여 무색 액체의 원하는 생성물 2-(3-브로모페닐)피리딘 1(8.33 g, 수율 89%)을 수득했다. 1H NMR (CDCl3, Me4Si, 400 MHz): δ 7.25-7.28 (m, 1H), 7.34 (td, J = 8.0, 1.2 Hz, 1H), 7.53-7.56 (m, 1H), 7.71 (dd, J = 8.0, 0.8 Hz, 1H), 7.75-7.80 (m, 1H), 7.90-7.93 (m, 1H), 8.18-8.19 (m, 1H), 8.70-8.81 (m, 1H). 1H NMR (DMSO-d 6, 400 MHz): δ 7.39-7.42 (m, 1H), 7.47 (t, J = 8.0 Hz, 1H), 7.65 (dt, J = 8.4, 0.8 Hz, 1H), 7.91 (tt, J = 7.2, 0.8 Hz, 1H), 8.02-8.04 (m, 1H), 8.09-8.12 (m, 1H), 8.29-8.30 (m, 1H), 8.68-8.70 (m, 1H).
2-(4-클로로-3-니트로페닐)피리딘 2의 합성: 자석 교반 바 및 컨덴서가 구비된 3-목 플라스크에, 4-클로로-3-니트로페닐보론산(3968 mg, 19.7 mmol) 및 NaHCO3(3310 mg, 39.4 mmol)을 첨가했다. 플라스크를 밀봉한 다음 이베큐에이션하고 질소를 역충전했다. 이베큐에이션 및 역충전 과정을 추가 4회 반복했다. 이후 용매 DMF(40 mL) 및 H2O(20 mL)를 독립적으로 시린지로 첨가했다. 혼합물을 니들을 사용해 30분간 질소로 버블링시켰다. 이후 2-브로모피리딘(3.11 mL, 21.7 mmol) 및 Pd(PPh3)4(1138 mg, 0.99 mmol)를 질소 분위기 하에 첨가했다. 혼합물을 오일욕에서 환류로(약 95-105℃) 가열했다. 반응을 TLC로 모니터링하고 약 4.5 시간 후 반응을 종료했다. 이후 주위 온도로 냉각하고 물을 첨가했다. 이후 혼합물을 여과하고 에틸 아세테이트로 세척했다. 여액의 유기 층을 분리하고 수성 층을 에틸 아세테이트로 2회 추출했다. 모아진 유기 층을 황산나트륨 위에서 건조했다. 이후 여과하고 에틸 아세테이트로 세척했다. 여액을 회전식 증발기를 사용해 감압하에 농축하고 잔사를 실리카 겔 상에서 용리제로서 헥산 및 에틸 아세테이트(20:1-15:1-10:1-5:1)를 사용하여 컬럼 크로마토그래피를 통해 정제하여 회색 고체의 원하는 생성물 2-(4-클로로-3-니트로페닐)피리딘 2(2.65 g, 수율 57%)를 수득했다. 1H NMR (DMSO-d 6, 400 MHz): δ 7.47-7.50 (m, 1H), 7.92 (d, J = 8.4 Hz, 1H), 7.99 (td, J = 7.6, 0.8 Hz, 1H), 8.16 (d, J = 8.0 Hz, 1H), 8.44 (dd, J = 8.0, 0.8 Hz, 1H), 8.74-8.75 (m, 1H), 8.77 (d, J = 2.0 Hz, 1H).
2-클로로-5-(피리딘-2-일)벤젠아민 3의 합성: 자석 교반 바가 구비된 3-목 플라스크에, 2-(4-클로로-3-니트로페닐)피리딘 2(2.65 g, 11.29 mmol) 및 SnCl2(21.41 g, 112.90 mmol)를 첨가했다. 이후 컨덴서를 장착하고 시스템을 이베큐에이션하고 질소를 역충전했다. 이베큐에이션 및 역충전 과정을 추가 2회 반복했다. 이후 용매 EtOH(150 mL)를 질소 분위기 하에 첨가했다. 혼합물을 오일욕에서 60-70℃로 가열했다. 반응을 TLC로 모니터링하고 약 3 시간 후 반응을 종료했다. 이후 주위 온도로 냉각하고 물로 급랭시켰다. 이후 1 N NaOH 수용액을 사용하여 혼합물의 pH를 9-10으로 조절했다. 여과하고 에틸 아세테이트로 세척했다. 여액의 유기 층을 분리하고 수성 층을 에틸 아세테이트로 3회 추출했다. 모아진 유기 층을 황산나트륨 위에서 건조했다. 이후 여과하고 에틸 아세테이트로 세척했다. 여액을 회전식 증발기를 사용해 감압하에 농축하고 잔사를 실리카 겔 상에서 용리제로서 헥산 및 에틸 아세테이트(5:1-3:1-2:1)를 사용하여 컬럼 크로마토그래피를 통해 정제하여 무색 액체의 원하는 생성물 2-클로로-5-(피리딘-2-일)벤젠아민 3(2.03 g, 수율 88%)을 수득했다. 1H NMR (DMSO-d 6, 400 MHz): δ 5.48 (bs, 2H), 7.23 (dd, J = 8.0, 2.0 Hz, 1H), 7.29 (d, J = 8.0 Hz, 1H), 7.33-7.36 (m, 1H), 7.60 (d, J = 2.0 Hz, 1H), 7.82-7.89 (m, 2H), 8.63-8.64 (m, 1H).
3-(피리딘-2-일)-5H-디벤조[b,f]아제핀 4의 합성: 자석 교반 바가 구비된 오븐 건조된 압력 용기에, Pd2(dba)3(268 mg, 0.29 mmol), DavePhos(346 mg, 0.88 mmol) 및 t BuONa(2817 mg, 29.31 mmol)를 첨가했다. 용기를 이베큐에이션하고 질소를 역충전했다. 이베큐에이션 및 역충전 과정을 추가 4회 반복했다. 이후 디옥산(20 mL) 중 2-클로로-5-(피리딘-2-일)벤젠아민 3(2000 mg, 9.77 mmol) 및 2-브로모스티렌(1.52 mL, 11.72 mmol)의 탈기된 용액을 질소 분위기 하에 첨가했다. 이후 밀봉된 용기를 110℃의 온도에서 예열된 오일욕에 두었다. 반응물을 교반하고 TLC로 모니터링하고 약 24 시간 후 반응을 종료했다. 주위 온도로 냉각하고 물로 급랭시켰다. 이후 에틸 아세테이트로 희석하고 10분간 교반하고, 여과하고 에틸 아세테이트로 세척했다. 여액의 유기 층을 분리하고 수성 층을 에틸 아세테이트로 3회 추출했다. 모아진 유기 층을 황산나트륨 위에서 건조했다. 이후 여과하고 에틸 아세테이트로 세척했다. 여액을 회전식 증발기를 사용해 감압하에 농축하고 잔사를 실리카 겔 상에서 용리제로서 헥산 및 에틸 아세테이트(5:1-3:1)를 사용하여 컬럼 크로마토그래피를 통해 정제하여 갈색-황색 고체의 원하는 생성물 3-(피리딘-2-일)-5H-디벤조[b,f]아제핀 4(1.33 g, 수율 50%)를 얻었다. 1H NMR (DMSO-d 6, 400 MHz): δ 6.10 (s, 2H), 6.65 (d, J = 8.0 Hz, 1H), 6.69 (td, J = 7.6, 1.2 Hz, 1H), 6.76 (dd, J = 7.6, 1.6 Hz, 1H), 6.85 (d, J = 8.0 Hz, 1H), 6.98 (td, J = 8.0, 1.6 Hz, 1H), 7.13 (s, 1H), 7.33-7.39 (m, 2H), 7.47 (d, J = 1.6 Hz, 1H), 7.82-7.89 (m, 2H), 8.64 (dd, J = 4.8, 0.8 Hz, 1H).
3-(피리딘-2-일)-5-(3-(피리딘-2-일)페닐)-5H-디벤조[b,f]아제핀 5의 합성: 자석 교반 바가 구비된 오븐 건조된 압력 용기에, 3-(피리딘-2-일)-5H-디벤조[b,f]아제핀 4(1.33 g, 4.92 mmol), Pd2(dba)3(180 mg, 0.20 mmol), JohnPhos(118 mg, 0.39 mmol) 및 t BuONa(756 mg, 7.87 mmol)를 첨가했다. 용기를 이베큐에이션하고 질소를 역충전했다. 이베큐에이션 및 역충전 과정을 추가 4회 반복했다. 이후 톨루엔(20 mL) 중 2-(3-브로모페닐)피리딘 1(1728 mg, 7.38 mmol)의 탈기된 용액을 질소 분위기 하에 첨가했다. 이후 밀봉된 용기를 95-105℃의 온도에서 예열된 오일욕에 두었다. 반응물을 교반하고 TLC로 모니터링하고 약 4일 후 반응을 종료했다. 주위 온도로 냉각했다. 용매를 회전식 증발기를 사용해 감압하에 제거하고 잔사를 실리카 겔 상에서 용리제로서 헥산 및 에틸 아세테이트(5:1-3:1)를 사용하여 컬럼 크로마토그래피를 통해 정제하여 갈색 고체의 원하는 리간드 3-(피리딘-2-일)-5-(3-(피리딘-2-일)페닐)-5H-디벤조[b,f]아제핀 5(1.42 g, 수율 68%)를 수득했다. 1H NMR (DMSO-d 6, 400 MHz): δ 6.25 (dd, J = 8.0, 2.4 Hz, 1H), 6.97-6.98 (m, 1H), 7.01 (s, 2H), 7.11 (t, J = 8.0 Hz, 1H), 7.23-7.27 (m, 1H), 7.29 (d, J = 7.6 Hz, 1H), 7.38-7.42 (m, 1H), 7.47-7.51 (m, 1H), 7.61 (s, 1H), 7.63 (s, 1H), 7.65 (dd, J = 7.2, 1.6 Hz, 1H), 7.68 (dd, J = 7.6, 1.6 Hz, 1H), 7.71 (d, J = 8.4 Hz, 1H), 7.78 (td, J = 7.6, 2.0 Hz, 1H), 7.92 (td, J = 8.0, 1.6 Hz, 1H), 8.11 (d, J = 8.0, 1H), 8.20 (dd, J = 8.0, 2.0 Hz, 1H), 8.33 (d, J = 2.0 Hz, 1H), 8.51 (dd, J = 4.8, 0.8 Hz, 1H), 8.71 (dd, J = 4.8, 0.8 Hz, 1H).
백금 착물 PtN"3PPy의 합성: 자석 교반 바가 구비된 오븐 건조된 압력 용기에, 리간드 3-(피리딘-2-일)-5-(3-(피리딘-2-일)페닐)-5H-디벤조[b,f]아제핀 5(84.7 mg, 0.20 mmol), K2PtCl4(87.2 mg, 0.21 mmol) 및 n Bu4NCl (5.5 mg, 0.02 mmol)를 첨가했다. 용기를 글러브 박스 안에 두었다. 이후 용매 아세트산(12 mL)을 첨가했다. 혼합물을 질소로 30분간 버블링시켰다. 이후 용기를 밀봉하고 글러브 박스 밖으로 꺼내 주위 온도에서 18시간 동안 교반했다. 이후 혼합물을 110℃의 온도에서 오일욕에서 추가 18시간 동안 가열했다. 주위 온도로 냉각하고 물(약 24 mL)을 첨가했다. 침전물을 필터로 모아 물로 3회 세척했다. 침전물을 공기 중에서 건조하고 실리카 겔 상에서 용리제로서 디클로로메탄을 사용하여 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 미정제 생성물을 얻고 이를 냉장고에서 디클로로메탄 및 에테르 중에서의 재결정에 의해 추가 정제하여 갈색-황색 고체의 원하는 백금 착물 PtN"3PPy(5.9 mg, 수율 4.8%)를 얻었다. 1H NMR (DMSO-d 6, 400 MHz): δ 6.43 (d, J = 8.0 Hz, 1H), 6.75 (d, J = 8.4 Hz, 1H), 6.92 (d, J = 7.2 Hz, 1H), 6.98-7.07 (m, 5H), 7.19 (dd, J = 7.4, 1.6 Hz, 1H), 7.58-7.63 (m, 3H), 7.67 (d, J = 8.0 Hz, 1H), 8.11 (d, J = 7.2 Hz, 1H), 8.15 (d, J = 7.6 Hz, 1H), 8.21 (d, J = 8.0 Hz, 1H), 8.11 (d, J = 8.0, 1H), 8.25 (d, J = 7.6 Hz, 1H), 9.15 (d, J = 5.2 Hz, 1H), 8.17 (d, J = 5.2 Hz, 1H); C30H20N3Pt [M+H]+에 대한 HRMS (MALDI/DHB): 계산치 617.13, 실측치 617.33.
3.
PtN"3N의 합성
백금 착물 PtN"3N을 하기 반응식에 따라 제조할 수 있다:
3-(피리딘-2-일)-5-(9-(피리딘-2-일)-9H-카바졸-2-일)-5H-디벤조[b,f]아제핀 리간드 N"3N의 합성: 자석 교반 바가 구비된 건조 슐렌크(Schlenk) 튜브에, 3-(피리딘-2-일)-5H-디벤조[b,f]아제핀 4(92 mg, 0.34 mmol, 1.0eq), 2-브로모-9-(피리딘-2-일)-9H-카바졸(132 mg, 0.41 mmol, 1.2 eq), Pd2(dba)3(9 mg, 0.010 mmol, 0.03 eq), JohnPhos(6 mg, 0.020 mmol, 0.06 eq) 및 t BuONa(52 mg, 0.54 mmol, 1.6 eq)를 첨가했다. 튜브를 이베큐에이션하고 질소로 역충전하고 이러한 이베큐에이션/역충전 과정을 추가 2회 반복했다. 이후 건조 용매 톨루엔(4 mL) 및 디옥산(3 mL)을 질소 분위기 하에 첨가한 다음, 튜브를 빠르게 밀봉했다. 이후 혼합물을 95-105℃의 온도에서 오일욕에서 교반했다. 반응을 TLC로 모니터링했다. 19 시간 후, 출발 물질 4 대량이 소비되지 않았다. 그래서 보다 많은 Pd2(dba)3(6 mg, 0.0067 mmol, 0.02 eq), 및 SPhos(5.6 mg, 0.0134 mmol, 0.04eq), t BuONa(16 mg, 0.21 mmol, 0.5 eq)를 첨가했다. 혼합물을 95-105℃의 온도에서 오일욕에서 추가 7시간 동안 교반하고, 주위 온도로 냉각했다. 혼합물을 농축하고 잔사를 실리카 겔 상에서 용리제로서 헥산/에틸 아세테이트(20:1-10:1-5:1-3:1)를 사용하여 컬럼 크로마토그래피를 통해 정제하여 갈색 고체의 원하는 생성물 리간드 N"3N(135 mg, 수율 78%)을 수득했다. 1H NMR (DMSO-d 6, 400 MHz): δ 6.26 (dd, J = 8.4, 2.4 Hz, 1H), 6.73 (d, J = 1.6 Hz, 1H), 6.98 (s, 2H), 7.21 (t, J = 7.6 Hz, 1H), 7.26-7.31 (m, 2H), 7.41-7.52 (m, 3H), 7.60-7.70 (m, 5H), 7.79-7.83 (m, 2H), 7.93-7.97 (m, 2H), 8.11 (d, J = 7.2 Hz, 1H), 8.18 (dd, J = 7.6, 2.4 Hz, 1H), 8.36 (d, J = 1.6 Hz, 1H), 8.40 (dd, J = 4.8, 2.0 Hz, 1H), 8.72-8.73 (m, 1H).
3-(피리딘-2-일)-5-(9-(피리딘-2-일)-9H-카바졸-2-일)-5H-디벤조[b,f]아제핀 백금 착물 PtN"3N의 합성: 자석 교반 바가 구비된 건조 압력 튜브에, 3-(피리딘-2-일)-5-(9-(피리딘-2-일)-9H-카바졸-2-일)-5H-디벤조[b,f]아제핀 리간드 N3"N(51 mg, 0.1 mmol, 1.0 eq), K2PtCl4(42 mg, 0.1 mmol, 1.0 eq) 및 n Bu4NCl(2.8 mg, 0.01 mmol, 0.1 eq)를 첨가했다. 이후 튜브를 글러브 박스에 두었다. 용매 아세트산(6 mL)을 첨가했다. 혼합물을 질소로 30분간 버블링한 다음 튜브를 밀봉했다. 튜브를 글러브 박스 밖으로 꺼내 혼합물을 108-115℃의 온도에서 오일욕에서 18.5 시간 동안 교반했다. 이후 혼합물을 주위 온도로 냉각하고 물(12 mL)을 서서히 첨가했다. 침전물을 여과하여 없애고 물로 3회 세척했다. 이후 고형물을 공기 중에서 감압하에 건조시켰다. 모아진 고형물을 실리카 겔 상에서 용리제로서 디클로로메탄/헥산(1:1)을 사용하여 컬럼 크로마토그래피를 통해 정제하여 원하는 생성물 PtN"3N(4.5 mg, 수율 6 %)을 얻었다.
Claims (22)
- 하기 중 선택되는 화학식을 가진 화합물:
A 또는 A1 각각은 독립적으로 O, S, S=O, SO2, Se, NR3, PR3, RP=O, CR1R2, C=O, SiR1R2, GeR1R2, BH, P(O)H, PH, NH, CR1H, CH2, SiH2, SiHR1, 또는 BR3이고,
M은 Pt, Pd, Au, Ir, Rh, Ru, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ag, Hg, Cd, 또는 Zr이고,
U, V, X, X1, Y, Y1, Z, 및 Z1 각각은 독립적으로 V1, V2, V3, V4, O, S, S=O, SO2, Se, NR3, PR3, R1P=O, CR1R2, C=O, SiR1R2, GeR1R2, BH, P(O)H, PH, NH, CR1H, CH2, SiH2, SiHR1, 또는 BR3, 또는 하기 구조 중 임의의 하나이고:
U, V, X, X1, Y, Y1, Z, 또는 Z1 중 하나 이상은 V1, V2, V3, 또는 V4이고, m 및 n은 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수이며,
V1, V2, V3, 및 V4 각각은 독립적으로 M에 배위되고, V1, V2, V3, 및 V4 각각은 독립적으로 N, C, CH, P, B, SiH, 또는 Si이며,
R, R1, R2, R3, R4, R5, 및 R6 각각은 독립적으로 수소, 아릴, 사이클로알킬, 사이클로알케닐, 헤테로사이클릴, 헤테로아릴, 알킬, 알케닐, 알키닐, 중수소, 할로겐, 히드록실, 티올, 니트로, 시아노, 아미노, 모노- 또는 디-알킬아미노, 모노- 또는 디아릴 아미노, 알콕시, 아릴옥시, 할로알킬, 아르알킬, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 알콕시카르보닐, 아실아미노, 알콕시카르보닐아미노, 아릴옥시카르보닐아미노, 설포닐아미노, 설파모일, 카바모일, 알킬티오, 설피닐, 우레이도, 포스포르아미드, 아머캅토, 설포, 카르복실, 히드라지노, 실릴, 또는 중합성 기, 또는 이들의 임의의 컨쥬게이트 또는 조합이고,
o, p, q, 및 r은 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수이다. - 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 하기 구조를 갖는 화합물:
상기 식에서, A1은 O, S, S=O, SO2, Se, NR3, PR3, RP=O, CR1R2, C=O, SiR1R2, GeR1R2, BH, P(O)H, PH, NH, CR1H, CH2, SiH2, SiHR1, 또는 BR3이고,
Z는 V1, V2, V3, V4, O, S, S=O, SO2, Se, NR3, PR3, R1P=O, CR1R2, C=O, SiR1R2, GeR1R2, BH, P(O)H, PH, NH, CR1H, CH2, SiH2, SiHR1, 또는 BR3, 또는 하기 구조 중 임의의 하나이고:
V1, V2, V3, 및 V4 각각은 독립적으로 N, C, CH, P, B, SiH, 또는 Si이며,
R, R1, R2, R3, R4, R5, 및 R6 각각은 독립적으로 수소, 아릴, 사이클로알킬, 사이클로알케닐, 헤테로사이클릴, 헤테로아릴, 알킬, 알케닐, 알키닐, 중수소, 할로겐, 히드록실, 티올, 니트로, 시아노, 아미노, 모노- 또는 디-알킬아미노, 모노- 또는 디아릴 아미노, 알콕시, 아릴옥시, 할로알킬, 아르알킬, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 알콕시카르보닐, 아실아미노, 알콕시카르보닐아미노, 아릴옥시카르보닐아미노, 설포닐아미노, 설파모일, 카바모일, 알킬티오, 설피닐, 우레이도, 포스포르아미드, 아머캅토, 설포, 카르복실, 히드라지노, 실릴, 또는 중합성 기, 또는 이들의 임의의 컨쥬게이트 또는 조합이고,
m 및 n은 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수이며,
o, p, q, 및 r은 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수이다. - 제1항에 있어서, V1, V2, V3, 및 V4 중 하나 이상은 N인 화합물.
- 삭제
- 제1항에 있어서, 화합물은 하나 이상의 페닐 및 하나 이상의 피리디닐을 포함하는 것인 화합물.
- 제1항에 있어서, M은 Pt 또는 Pd인 화합물.
- 제1항에 있어서, M은 Pt인 화합물.
- 제1항의 하나 이상의 화합물을 포함하는 디바이스.
- 제15항에 있어서, 디바이스는 유기 발광 다이오드인 디바이스.
- 제15항에 있어서, 디바이스는 풀 컬러 디스플레이인 디바이스.
- 제16항에 있어서, 유기 발광 다이오드는 인광성 OLED 디바이스인 디바이스.
- 제16항에 있어서, 유기 발광 다이오드는 형광성 OLED 디바이스인 디바이스.
- 제1항의 하나 이상의 화합물을 포함하는 광기전(photovoltaic) 디바이스.
- 제1항의 하나 이상의 화합물을 포함하는 발광성 디스플레이 디바이스.
- 제1항의 하나 이상의 화합물을 포함하는 발광 디바이스.
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