JPH0542763B2 - - Google Patents
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- JPH0542763B2 JPH0542763B2 JP60096073A JP9607385A JPH0542763B2 JP H0542763 B2 JPH0542763 B2 JP H0542763B2 JP 60096073 A JP60096073 A JP 60096073A JP 9607385 A JP9607385 A JP 9607385A JP H0542763 B2 JPH0542763 B2 JP H0542763B2
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は液晶表示板や太陽電池等の透明電極に
好適な低抵抗透明導電膜を生成する方法に関する
ものである。
好適な低抵抗透明導電膜を生成する方法に関する
ものである。
［従来の技術］
従来、液晶表示板や、太陽電池等の透明電極に
用いる透明導電膜としては、酸化錫膜（例えばネ
サ膜）または酸化インジウムを主成分としたITO
膜が広く用いられている。
用いる透明導電膜としては、酸化錫膜（例えばネ
サ膜）または酸化インジウムを主成分としたITO
膜が広く用いられている。
［発明が解決しようとする課題］
酸化錫による透明導電膜は一般に塩化錫にドー
パントとして塩化アンチモンを添加した膜生成組
成物を使用してCVD法により膜生成させるが、
このCVD法では膜厚を均一にすることが困難で
ある上、膜生成過程で塩化水素が発生するため公
害処理設備を必要とする等の問題がある。最近、
提案されている真空蒸着法やスパツタリング法等
の物理的生成方法により生成した酸化錫透明導電
膜はCVD法による欠点をもたないが、導電膜の
比抵抗はITO膜には及ばない。またITO膜は比抵
抗が10-4のオーダーを示し抵抗値が低いという長
所はあるが、特に太陽電池の透明電極として用い
た場合には、ITO膜中のインジウム（In）が太陽
電池の内部に拡散し、光電変換効率を低下させた
り、寿命を短くしたりする等の問題がある。
パントとして塩化アンチモンを添加した膜生成組
成物を使用してCVD法により膜生成させるが、
このCVD法では膜厚を均一にすることが困難で
ある上、膜生成過程で塩化水素が発生するため公
害処理設備を必要とする等の問題がある。最近、
提案されている真空蒸着法やスパツタリング法等
の物理的生成方法により生成した酸化錫透明導電
膜はCVD法による欠点をもたないが、導電膜の
比抵抗はITO膜には及ばない。またITO膜は比抵
抗が10-4のオーダーを示し抵抗値が低いという長
所はあるが、特に太陽電池の透明電極として用い
た場合には、ITO膜中のインジウム（In）が太陽
電池の内部に拡散し、光電変換効率を低下させた
り、寿命を短くしたりする等の問題がある。
本発明の目的は均一な膜厚を再現性良く容易に
得ることができて、公害の虞れがない真空蒸着法
やスパツタリング法によつて、ITO膜がもつ問題
点を有しない低抵抗酸化錫透明導電膜を生成する
方法を提案することにある。
得ることができて、公害の虞れがない真空蒸着法
やスパツタリング法によつて、ITO膜がもつ問題
点を有しない低抵抗酸化錫透明導電膜を生成する
方法を提案することにある。
［課題を解決するための手段］
本発明の低抵抗透明導電膜の生成方法は、活性
化反応真空蒸着法、イオンプレーテイング真空蒸
着法またはマグネトロンスパツタリング法により
低抵抗透明導電膜を生成する方法である。
化反応真空蒸着法、イオンプレーテイング真空蒸
着法またはマグネトロンスパツタリング法により
低抵抗透明導電膜を生成する方法である。
活性化反応真空蒸着法により低抵抗透明導電膜
を生成する本発明の方法においては、酸化錫に
0.5〜10重量％（全量に対する重量％）の酸化タ
ンタルを添加してなる膜生成用組成物を蒸発材料
として用い、基板温度を100〜400℃、酸素分圧を
１×10-4〜５×10-4Torr、高周波電力を10〜
200wとして前記膜生成用組成物を蒸発させ、蒸
着速度を0.05〜10Å／秒として前記基板上に膜生
成させる。
を生成する本発明の方法においては、酸化錫に
0.5〜10重量％（全量に対する重量％）の酸化タ
ンタルを添加してなる膜生成用組成物を蒸発材料
として用い、基板温度を100〜400℃、酸素分圧を
１×10-4〜５×10-4Torr、高周波電力を10〜
200wとして前記膜生成用組成物を蒸発させ、蒸
着速度を0.05〜10Å／秒として前記基板上に膜生
成させる。
イオンプレーテイング真空蒸着法により低抵抗
透明導電膜を生成する本発明の方法においては、
酸化錫に0.5〜10重量％の酸化タンタルを添加し
てなる膜生成用組成物を蒸発材料として用い、基
板温度を80〜400℃、酸素分圧を１×10-4〜５×
10-4Torr、高周波電力を10〜200wとして前記酸
化錫及び酸化タンタルを蒸発させ、直流バイアス
電圧を−100〜−1000V、蒸着速度を0.05〜10
Å／秒として前記基板上に膜生成させる。
透明導電膜を生成する本発明の方法においては、
酸化錫に0.5〜10重量％の酸化タンタルを添加し
てなる膜生成用組成物を蒸発材料として用い、基
板温度を80〜400℃、酸素分圧を１×10-4〜５×
10-4Torr、高周波電力を10〜200wとして前記酸
化錫及び酸化タンタルを蒸発させ、直流バイアス
電圧を−100〜−1000V、蒸着速度を0.05〜10
Å／秒として前記基板上に膜生成させる。
またマグネトロンスパツタリング法により低抵
抗透明導電膜を生成させる本発明の方法において
は、酸化錫に５〜18重量％の酸化タンタルを添加
した膜生成用組成物を陰極物質として用い、基板
温度を100〜400℃、酸素分圧を１×10-4〜７×
10-4Torrとして陰極物質をスパツタさせ、膜生
成速度を10〜30Å／秒として前記基板上に膜生成
させる。
抗透明導電膜を生成させる本発明の方法において
は、酸化錫に５〜18重量％の酸化タンタルを添加
した膜生成用組成物を陰極物質として用い、基板
温度を100〜400℃、酸素分圧を１×10-4〜７×
10-4Torrとして陰極物質をスパツタさせ、膜生
成速度を10〜30Å／秒として前記基板上に膜生成
させる。
［作用］
酸化錫に酸化タンタルを添加しない膜生成用組
成物を用いて生成した透明導電膜の比抵抗値は、
10-2Ωcmのオーダーであるが、上記のように酸化
錫に酸化タンタルを添加した膜生成用組成物を用
いると、透明導電膜の比抵抗値を10-3〜10-4Ωcm
のオーダー低い値にすることができた。
成物を用いて生成した透明導電膜の比抵抗値は、
10-2Ωcmのオーダーであるが、上記のように酸化
錫に酸化タンタルを添加した膜生成用組成物を用
いると、透明導電膜の比抵抗値を10-3〜10-4Ωcm
のオーダー低い値にすることができた。
また本発明の方法では、CVD法によらずに、
物理的生成法（真空蒸着法またはスパツタリング
法）により膜を生成できるため、塩化水素が発生
することがなく、公害問題を生じない。更に物理
的生成法により膜を生成するため、膜厚を均一に
することができる。
物理的生成法（真空蒸着法またはスパツタリング
法）により膜を生成できるため、塩化水素が発生
することがなく、公害問題を生じない。更に物理
的生成法により膜を生成するため、膜厚を均一に
することができる。
更にまた、本発明の方法によると、インジウム
を含まない低抵抗透明導電膜を得ることができる
ため、従来の透明導電膜（ITO膜）を太陽電池に
適用した場合に生じていた問題点（光電変換効率
の低下及び寿命の短縮）を解決することができ
る。
を含まない低抵抗透明導電膜を得ることができる
ため、従来の透明導電膜（ITO膜）を太陽電池に
適用した場合に生じていた問題点（光電変換効率
の低下及び寿命の短縮）を解決することができ
る。
［実施例］
以下図面を参照して本発明の実施例を説明す
る。
る。
実施例 １
透明導電膜を生成するための膜生成用組成物と
して、酸化錫に酸化タンタルをドーパントとして
添加したものを用い、活性化反応真空蒸着法によ
り、ガラス基板上に酸化錫透明導電膜を生成させ
た。
して、酸化錫に酸化タンタルをドーパントとして
添加したものを用い、活性化反応真空蒸着法によ
り、ガラス基板上に酸化錫透明導電膜を生成させ
た。
第１図は本実施例で用いた真空蒸着装置の構成
の概略を示したもので、同図において１は接地さ
れているベース、２はベース１の上に伏せた状態
で着脱可能に配置されてフランジ部２ａにより気
密保持が図られた釣鐘状のチヤンバであり、ベー
ス１及びチヤンバ２は接地されている。ベース１
にはバルブ３及び４を介してガス導入管５及び排
気管６が接続され、これらガス導入管５及び排気
管６の一端はチヤンバ２内に開口している。ガス
導入管５の他端には図示しない流量制御部を介し
て酸素ガスボンベ及びアルゴンガスボンベのガス
供給源が接続されている。排気管６の他端には図
示しない真空ポンプ等の排気装置が接続され、こ
の排気装置を駆動することによりチヤンバ２内を
真空状態にすることができるようになつている。
またチヤンバ２内は図示しないリークバルブによ
り外気と連通させ得るようになつている。
の概略を示したもので、同図において１は接地さ
れているベース、２はベース１の上に伏せた状態
で着脱可能に配置されてフランジ部２ａにより気
密保持が図られた釣鐘状のチヤンバであり、ベー
ス１及びチヤンバ２は接地されている。ベース１
にはバルブ３及び４を介してガス導入管５及び排
気管６が接続され、これらガス導入管５及び排気
管６の一端はチヤンバ２内に開口している。ガス
導入管５の他端には図示しない流量制御部を介し
て酸素ガスボンベ及びアルゴンガスボンベのガス
供給源が接続されている。排気管６の他端には図
示しない真空ポンプ等の排気装置が接続され、こ
の排気装置を駆動することによりチヤンバ２内を
真空状態にすることができるようになつている。
またチヤンバ２内は図示しないリークバルブによ
り外気と連通させ得るようになつている。
チヤンバ２内のベース１上には、電子ビーム発
生器７が設置されている。この電子ビーム発生器
７は、その上部にペレツト装填用凹部７ａを備
え、該凹部内には、酸化錫（SnO2）酸化タンタ
ル（Ta2O5）を0.5〜10重量％添加した膜生成用
組成物（蒸発材料）８のペレツトが装填されてい
る。
生器７が設置されている。この電子ビーム発生器
７は、その上部にペレツト装填用凹部７ａを備
え、該凹部内には、酸化錫（SnO2）酸化タンタ
ル（Ta2O5）を0.5〜10重量％添加した膜生成用
組成物（蒸発材料）８のペレツトが装填されてい
る。
チヤンバ２内の上部には、相対向させて配置さ
れた平行平板からなる高周波放電電極９，９が取
付けられている。高周波放電電極９，９の一方
は、ベース１を気密に貫通させて取付けられたブ
ツシングＢを通して高周波の高電圧を出力する高
周波電源１０に接続され、他方は接地されてい
る。チヤンバ２内の高周波電極９，９の上方のペ
レツト装填用凹部７ａに対向する位置に大径の貫
通孔（図示せず）を有する基板ホルダ１１が設け
られている。この基板ホルダ１１はブツシングＢ
及びスイツチS2を介して直流のバイアス電源１４
の負電極に接続され、バイアス電源１４の正電極
は接地されている。また、基板ホルダ１１はスイ
ツチS1を介して接地できるようになつている。基
板ホルダ１１の上にはガラス等の基板１２が載置
される。
れた平行平板からなる高周波放電電極９，９が取
付けられている。高周波放電電極９，９の一方
は、ベース１を気密に貫通させて取付けられたブ
ツシングＢを通して高周波の高電圧を出力する高
周波電源１０に接続され、他方は接地されてい
る。チヤンバ２内の高周波電極９，９の上方のペ
レツト装填用凹部７ａに対向する位置に大径の貫
通孔（図示せず）を有する基板ホルダ１１が設け
られている。この基板ホルダ１１はブツシングＢ
及びスイツチS2を介して直流のバイアス電源１４
の負電極に接続され、バイアス電源１４の正電極
は接地されている。また、基板ホルダ１１はスイ
ツチS1を介して接地できるようになつている。基
板ホルダ１１の上にはガラス等の基板１２が載置
される。
基板ホルダ１１の上方には基板１２を加熱する
ためのヒータ１３が設けられ、このヒータは図示
しない電源に接続されている。
ためのヒータ１３が設けられ、このヒータは図示
しない電源に接続されている。
電子ビーム発生器７はその側面から電子ビーム
EBを発射するように構成され、発射された電子
ビームEBは電子ビーム発生器７に内蔵された図
示しない偏向コイルにより偏向されてペレツト装
填用凹部７ａ内に装填された膜生成用組成物８に
入射するようになつている。
EBを発射するように構成され、発射された電子
ビームEBは電子ビーム発生器７に内蔵された図
示しない偏向コイルにより偏向されてペレツト装
填用凹部７ａ内に装填された膜生成用組成物８に
入射するようになつている。
本実施例では、上記の真空蒸着装置を用いて、
先ず電子ビーム発生器７のペレツト装填用凹部７
ａ内に膜生成用組成物（蒸発材料）を填装し、ガ
ラス基板１２を基板ホルダ１１の上に載置した。
次いでチヤンバ２をベース１の上に載置してバル
ブ３を閉じ、排気管６に接続した図示しない排気
装置によりチヤンバ２内を真空状態にした。チヤ
ンバ２内が所定の真空状態になつた時にヒータ１
３に通電して基板１２を昇温させ、基板１２の温
度が100〜400℃となり、チヤンバ２内の真空度が
４×10-6Torr以下になつた時にガス導入管のバ
ルブ３を開いてチヤンバ２内に酸素ガスとアルゴ
ンガスとの混合ガスを導入した。この場合、チヤ
ンバ２内の酸素ガスの分圧を１×10-4〜５×
10-4Torr、アルゴンガスの分圧を３×10-4〜１
×10-3Torrとし、高周波放電電極９，９間に10
〜200Wの高周波電力を供給すると共に、スイツ
チS2を開き、スイツチS1を閉じて基板ホルダ１１
を接地した。そして電子ビーム発生器７を作動さ
せて電子ビームEBを発生させ、該電子ビームに
より膜生成用組成物８を加熱蒸発させて基板１２
の下面に酸化錫の透明導電膜を生成させた。この
場合、基板１２に透明導電膜が、0.05〜10Å／秒
の蒸着速度で生成されるように膜生成用組成物８
を蒸発させた。
先ず電子ビーム発生器７のペレツト装填用凹部７
ａ内に膜生成用組成物（蒸発材料）を填装し、ガ
ラス基板１２を基板ホルダ１１の上に載置した。
次いでチヤンバ２をベース１の上に載置してバル
ブ３を閉じ、排気管６に接続した図示しない排気
装置によりチヤンバ２内を真空状態にした。チヤ
ンバ２内が所定の真空状態になつた時にヒータ１
３に通電して基板１２を昇温させ、基板１２の温
度が100〜400℃となり、チヤンバ２内の真空度が
４×10-6Torr以下になつた時にガス導入管のバ
ルブ３を開いてチヤンバ２内に酸素ガスとアルゴ
ンガスとの混合ガスを導入した。この場合、チヤ
ンバ２内の酸素ガスの分圧を１×10-4〜５×
10-4Torr、アルゴンガスの分圧を３×10-4〜１
×10-3Torrとし、高周波放電電極９，９間に10
〜200Wの高周波電力を供給すると共に、スイツ
チS2を開き、スイツチS1を閉じて基板ホルダ１１
を接地した。そして電子ビーム発生器７を作動さ
せて電子ビームEBを発生させ、該電子ビームに
より膜生成用組成物８を加熱蒸発させて基板１２
の下面に酸化錫の透明導電膜を生成させた。この
場合、基板１２に透明導電膜が、0.05〜10Å／秒
の蒸着速度で生成されるように膜生成用組成物８
を蒸発させた。
所定の膜厚の透明導電膜が生成された後、ヒー
タ１３への通電を停止させて基板１２の温度を下
げ、図示しないリークバルブから外気を流入させ
てチヤンバ２内を大気圧に戻し、チヤンバ２をベ
ース１から外して基板１２を取出した。
タ１３への通電を停止させて基板１２の温度を下
げ、図示しないリークバルブから外気を流入させ
てチヤンバ２内を大気圧に戻し、チヤンバ２をベ
ース１から外して基板１２を取出した。
本実施例では、酸化錫に添加する酸化タンタル
のドーパント量を０〜12重量％の範囲で種々変え
て上記の操作を繰返し行い、膜厚が200Åの透明
導電膜を生成してその比抵抗値を測定した。その
結果ドーパント量（全量に対する重量％）に対す
る比抵抗（Ωcm）の特性は第２図の曲線ａの通り
で、比抵抗の最低値は約８×10-4Ωcmであつた。
なお、この場合の測定値は○印でプロツトしてあ
る。
のドーパント量を０〜12重量％の範囲で種々変え
て上記の操作を繰返し行い、膜厚が200Åの透明
導電膜を生成してその比抵抗値を測定した。その
結果ドーパント量（全量に対する重量％）に対す
る比抵抗（Ωcm）の特性は第２図の曲線ａの通り
で、比抵抗の最低値は約８×10-4Ωcmであつた。
なお、この場合の測定値は○印でプロツトしてあ
る。
第２図の曲線ａから明らかなように、酸化タン
タルのドーパントを用いない場合の比抵抗は1.1
×10-2Ωcmであるのに対し、酸化タンタルのドー
パントを用いることにより、比抵抗を10-3〜
10-4Ωcmオーダーに引下げ得ることが明らかにな
つた。また本発明の透明導電膜生成粗生物を用い
て得られた酸化物透明導電膜と、ドーパントを添
加しないで得られた酸化物透明導電膜とについて
透過率を測定した所、両者の間に透過率の差はな
く、酸化タンタルを加えたことによる透過率の低
下は認められなかつた。
タルのドーパントを用いない場合の比抵抗は1.1
×10-2Ωcmであるのに対し、酸化タンタルのドー
パントを用いることにより、比抵抗を10-3〜
10-4Ωcmオーダーに引下げ得ることが明らかにな
つた。また本発明の透明導電膜生成粗生物を用い
て得られた酸化物透明導電膜と、ドーパントを添
加しないで得られた酸化物透明導電膜とについて
透過率を測定した所、両者の間に透過率の差はな
く、酸化タンタルを加えたことによる透過率の低
下は認められなかつた。
第２図から明らかなように、酸化タンタルのド
ーパントを添加して比抵抗値を１桁乃至２桁低下
させる効果を出すためには、酸化タンタルのドー
パント量を0.5〜10重量％の範囲に設定する必要
がある。特に、ドーパント量を４％とした場合に
最も低い比抵抗値（約８×10-4Ωcm）を得ること
ができる。
ーパントを添加して比抵抗値を１桁乃至２桁低下
させる効果を出すためには、酸化タンタルのドー
パント量を0.5〜10重量％の範囲に設定する必要
がある。特に、ドーパント量を４％とした場合に
最も低い比抵抗値（約８×10-4Ωcm）を得ること
ができる。
このように、酸化錫に0.5〜10重量％の酸化タ
ンタルをドーパントとして添加して活性化反応真
空蒸着法により膜生成させると、膜厚が均一でし
かも従来の酸化錫透明導電膜より１桁乃至２桁比
抵抗値が低い低抵抗酸化錫透明導電膜を得ること
ができる。
ンタルをドーパントとして添加して活性化反応真
空蒸着法により膜生成させると、膜厚が均一でし
かも従来の酸化錫透明導電膜より１桁乃至２桁比
抵抗値が低い低抵抗酸化錫透明導電膜を得ること
ができる。
実施例 ２
本実施例では第１図と同様の装置を用い、実施
例１で用いたものと同一の膜生成用組成物８を用
いて、基板ホルダー１１に負の直流バイアスをか
けるイオンプレーテイング真空蒸着法により透明
導電膜を生成した。
例１で用いたものと同一の膜生成用組成物８を用
いて、基板ホルダー１１に負の直流バイアスをか
けるイオンプレーテイング真空蒸着法により透明
導電膜を生成した。
このイオンプレーテイング真空蒸着法により透
明導電膜を生成する場合には基板温度を80〜400
℃の範囲に設定する。酸素ガス分圧、アルゴンガ
ス分圧及び蒸着速度は活性化反応真空蒸着法によ
る場合と同様である。また高周波放電電極９，９
間に供給する高周波電力も10〜200Wと、活性化
反応真空蒸着法による場合と同様であるが、イオ
ンプレーテイング真空蒸着法による場合には、ス
イツチS1を開くとともにスイツチS2を閉じて電極
９，９間に−100〜−1000Vの直流バイアス電圧
を印加する。イオンプレーテイング法により透明
導電膜を生成した場合のドーパント量に対する透
明導電膜の比抵抗値の特性は実施例１と同様に第
２図の曲線ａの通りであり、この場合の測定値は
△印でプロツトしてある。従つて比抵抗値を１桁
乃至２桁低下させる効果を得るために必要なドー
パント量の範囲は実施例１の場合と同様である。
またこの場合も、得られた透明導電膜の透過率は
従来の酸化錫透明導電膜の透過率と同様であり、
酸化タンタルを加えたことによる透過率の低下は
認められなかつた。
明導電膜を生成する場合には基板温度を80〜400
℃の範囲に設定する。酸素ガス分圧、アルゴンガ
ス分圧及び蒸着速度は活性化反応真空蒸着法によ
る場合と同様である。また高周波放電電極９，９
間に供給する高周波電力も10〜200Wと、活性化
反応真空蒸着法による場合と同様であるが、イオ
ンプレーテイング真空蒸着法による場合には、ス
イツチS1を開くとともにスイツチS2を閉じて電極
９，９間に−100〜−1000Vの直流バイアス電圧
を印加する。イオンプレーテイング法により透明
導電膜を生成した場合のドーパント量に対する透
明導電膜の比抵抗値の特性は実施例１と同様に第
２図の曲線ａの通りであり、この場合の測定値は
△印でプロツトしてある。従つて比抵抗値を１桁
乃至２桁低下させる効果を得るために必要なドー
パント量の範囲は実施例１の場合と同様である。
またこの場合も、得られた透明導電膜の透過率は
従来の酸化錫透明導電膜の透過率と同様であり、
酸化タンタルを加えたことによる透過率の低下は
認められなかつた。
実施例 ３
本実施例では、真空蒸着法に代えて、マグネト
ロンスパツタリング法により前記と同一の膜生成
組成物を用いて透明導電膜を生成させた。
ロンスパツタリング法により前記と同一の膜生成
組成物を用いて透明導電膜を生成させた。
本実施例では、基板の温度を100〜400℃とし、
酸素ガス分圧を１×10-4〜７×10-4Torr、膜生
成速度を10〜30Å／秒とした。そして酸化錫に酸
化タンタルをドーパントとして添加した膜生成組
成物を陰極として用い、該陰極と陽極との間に電
圧を印加して陰極物質（膜生成組成物）をスパツ
タさせることにより基板上に透明導電膜を生成さ
せた。この場合、酸化錫に添加する酸化タンタル
のトーパント量を種々変えて透明導電膜を生成す
る実験を行つたところ、トーパント量に対する膜
の比抵抗値の特性は第２図の曲線ｂに示す通りで
あつた。同曲線から明らかなように、ドーパント
を添加しない場合の比抵抗は４×10-2Ωcmであつ
たが、酸化タンタルのドーパント量を５〜18重量
％とした場合に１桁乃至２桁低い、10-3〜10-4Ω
cmのオーダーの比抵抗値を有する低抵抗導電膜を
得ることができた。ドーパント量を10重量％とし
た場合に最も低い比抵抗値（約９×10-4Ωcm）を
得ることができた。またこの場合も透過率の低下
は認められなかつた。
酸素ガス分圧を１×10-4〜７×10-4Torr、膜生
成速度を10〜30Å／秒とした。そして酸化錫に酸
化タンタルをドーパントとして添加した膜生成組
成物を陰極として用い、該陰極と陽極との間に電
圧を印加して陰極物質（膜生成組成物）をスパツ
タさせることにより基板上に透明導電膜を生成さ
せた。この場合、酸化錫に添加する酸化タンタル
のトーパント量を種々変えて透明導電膜を生成す
る実験を行つたところ、トーパント量に対する膜
の比抵抗値の特性は第２図の曲線ｂに示す通りで
あつた。同曲線から明らかなように、ドーパント
を添加しない場合の比抵抗は４×10-2Ωcmであつ
たが、酸化タンタルのドーパント量を５〜18重量
％とした場合に１桁乃至２桁低い、10-3〜10-4Ω
cmのオーダーの比抵抗値を有する低抵抗導電膜を
得ることができた。ドーパント量を10重量％とし
た場合に最も低い比抵抗値（約９×10-4Ωcm）を
得ることができた。またこの場合も透過率の低下
は認められなかつた。
以上の実施例１、２、３で明らかなように、酸
化錫に酸化タンタルをトーパントとして添加した
ものを膜生成用組成物として透明導電膜を生成さ
せると、基板温度、酸素ガス分圧、アルゴンガス
分圧及び蒸着速度または膜生成速度の適当な条件
を選ぶことにより、高透光性、低抵抗の酸化錫透
明導電膜が得られる。そしてこの透明導電膜の比
抵抗は10-3乃至10-4のオーダーであり、同じ面積
抵抗の透明導電膜を得るのであれば、比抵抗値が
10-2のオーダーの従来の酸化錫透明導電膜を用い
る場合に比べてその膜厚を１／10と非常に薄くす
ることができる。このことは透過率の向上にもつ
ながり、従来より透過率が高く、しかも生産性の
優れた透明導電膜を供給することが可能となる。
化錫に酸化タンタルをトーパントとして添加した
ものを膜生成用組成物として透明導電膜を生成さ
せると、基板温度、酸素ガス分圧、アルゴンガス
分圧及び蒸着速度または膜生成速度の適当な条件
を選ぶことにより、高透光性、低抵抗の酸化錫透
明導電膜が得られる。そしてこの透明導電膜の比
抵抗は10-3乃至10-4のオーダーであり、同じ面積
抵抗の透明導電膜を得るのであれば、比抵抗値が
10-2のオーダーの従来の酸化錫透明導電膜を用い
る場合に比べてその膜厚を１／10と非常に薄くす
ることができる。このことは透過率の向上にもつ
ながり、従来より透過率が高く、しかも生産性の
優れた透明導電膜を供給することが可能となる。
また、上記のように酸化錫に所定量の酸化タン
タルを添加した膜生成用組成物を用いて真空蒸着
法またはスパツタリング法により透明導電膜を生
成すれば、酸化錫に対する酸化タンタルの含有比
率を所定の値に設定することにより所定量の酸化
タンタルが添加された透明導電膜を簡単に得るこ
とができる。この場合、有害なガスが発生する等
の公害問題が生じないので、公害防止の為の設備
が不要になり、従来の膜生成用設備をそのまま用
いて従来より優れた特性を有する低抵抗透明導電
膜を得ることができる。
タルを添加した膜生成用組成物を用いて真空蒸着
法またはスパツタリング法により透明導電膜を生
成すれば、酸化錫に対する酸化タンタルの含有比
率を所定の値に設定することにより所定量の酸化
タンタルが添加された透明導電膜を簡単に得るこ
とができる。この場合、有害なガスが発生する等
の公害問題が生じないので、公害防止の為の設備
が不要になり、従来の膜生成用設備をそのまま用
いて従来より優れた特性を有する低抵抗透明導電
膜を得ることができる。
［発明の効果］
以上のように、本発明の生成方法によれば、酸
化錫に所定量の酸化タンタルを添加したものを膜
生成用組成物として用いることによつて、膜厚が
均一で比抵抗値が極めて低い酸化錫による低抵抗
透明導電膜を得ることができる。
化錫に所定量の酸化タンタルを添加したものを膜
生成用組成物として用いることによつて、膜厚が
均一で比抵抗値が極めて低い酸化錫による低抵抗
透明導電膜を得ることができる。
また本発明の低抵抗透明導電膜の生成方法によ
れば、酸化錫に対する酸化タンタルの含有比率を
適当に設定して膜生成用組成物を蒸発またはスパ
ツタさせるだけで容易に低抵抗透明導電膜を得る
ことができる。また、この方法を実施するにあた
つては、有害ガスの発生がなく公害防止のための
設備を必要としないため、従来の膜生成用設備を
そのまま利用して、または従来の膜生成用設備と
同様の設備により、従来より優れた特性を有する
透明導電膜を得ることができるという利点があ
る。
れば、酸化錫に対する酸化タンタルの含有比率を
適当に設定して膜生成用組成物を蒸発またはスパ
ツタさせるだけで容易に低抵抗透明導電膜を得る
ことができる。また、この方法を実施するにあた
つては、有害ガスの発生がなく公害防止のための
設備を必要としないため、従来の膜生成用設備を
そのまま利用して、または従来の膜生成用設備と
同様の設備により、従来より優れた特性を有する
透明導電膜を得ることができるという利点があ
る。
更に本発明の方法によれば、インジウムを含ま
ない低抵抗透明導電膜を得ることができるため、
従来の透明導電膜（ITO膜）を太陽電池に適用し
た場合に生じていた問題点（光電変換効率の低下
及び寿命の短縮）を解決することができる利点が
ある。
ない低抵抗透明導電膜を得ることができるため、
従来の透明導電膜（ITO膜）を太陽電池に適用し
た場合に生じていた問題点（光電変換効率の低下
及び寿命の短縮）を解決することができる利点が
ある。
第１図は真空蒸着法により本発明の透明導電膜
を生成する場合の蒸着装置の概略構造を示す断面
図、第２図は酸化錫に添加する酸化タンタルのド
ーパント量に対する透明導電膜の比抵抗の特性を
示した線図である。 ２……チヤンバ、５……ガス導入管、６……排
気管、７……電子ビーム発生器、９……高周波放
電電極、１２……基板、１３……ヒータ。
を生成する場合の蒸着装置の概略構造を示す断面
図、第２図は酸化錫に添加する酸化タンタルのド
ーパント量に対する透明導電膜の比抵抗の特性を
示した線図である。 ２……チヤンバ、５……ガス導入管、６……排
気管、７……電子ビーム発生器、９……高周波放
電電極、１２……基板、１３……ヒータ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板上に酸化錫を主成分とする透明導電膜を
活性化反応真空蒸着法により生成させる低抵抗透
明導電膜の生成方法において、酸化錫に0.5〜10
重量％の酸化タンタルを添加してなる膜生成用組
成物を蒸発材料として用い、基板温度を100〜400
℃、酸素分圧を１×10-4〜５×10-4Torr、高周
波電力を10〜200Wとして前記膜生成用組成物を
蒸発させ、蒸着速度を0.05〜10Å／秒として前記
基板上に膜生成させることを特徴とする低抵抗透
明導電膜の生成方法。 ２ 基板上に酸化錫を主成分とする透明導電膜を
イオンプレーテイング真空蒸着法により生成させ
る低抵抗透明導電膜の生成方法において、酸化錫
に0.5〜10重量％の酸化タンタルを添加してなる
膜生成用組成物を蒸発材料として用い、基板温度
を80〜400℃、酸素分圧を１×10-4〜５×
10-4Torr、高周波電力を10〜200Wとして前記酸
化錫及び酸化タンタルを蒸発させ、直流バイアス
電圧を−100〜−1000V、蒸着速度を0.05〜10
Å／秒として前記基板上に膜生成させることを特
徴とする低抵抗透明導電膜の生成方法。 ３ 基板上に酸化錫の透明導電膜をマグネトロン
スパツタリング法により生成させる低抵抗透明導
電膜の生成方法において、酸化錫に５〜18重量％
の酸化タンタルを添加した膜生成用組成物を陰極
物質として用い、基板温度を100〜400℃、酸素分
圧を１×10-4〜７×10-4Torrとして陰極物質を
スパツタさせ、膜生成速度を10〜30Å／秒として
前記基板上に膜生成させることを特徴とする低抵
抗透明導電膜の生成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60096073A JPS61256506A (ja) | 1985-05-08 | 1985-05-08 | 低抵抗透明導電膜の生成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60096073A JPS61256506A (ja) | 1985-05-08 | 1985-05-08 | 低抵抗透明導電膜の生成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61256506A JPS61256506A (ja) | 1986-11-14 |
| JPH0542763B2 true JPH0542763B2 (ja) | 1993-06-29 |
Family
ID=14155227
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60096073A Granted JPS61256506A (ja) | 1985-05-08 | 1985-05-08 | 低抵抗透明導電膜の生成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61256506A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007055231A1 (ja) * | 2005-11-09 | 2007-05-18 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | ＳｎＯ２系スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009205799A (ja) * | 2006-06-06 | 2009-09-10 | Asahi Glass Co Ltd | 透明導電膜およびその製造方法、ならびにその製造に使用されるスパッタリングターゲット |
| US7452488B2 (en) | 2006-10-31 | 2008-11-18 | H.C. Starck Inc. | Tin oxide-based sputtering target, low resistivity, transparent conductive film, method for producing such film and composition for use therein |
| CN105874379B (zh) * | 2014-03-07 | 2019-10-01 | 株式会社Lg化学 | 光调制装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5537804A (en) * | 1978-09-05 | 1980-03-17 | Tokyo Shibaura Electric Co | Door unit for enclosed switchboard |
| JPS5946007A (ja) * | 1975-03-21 | 1984-03-15 | インターナショナル、レジスティブ、カンパニー、インコーポレーテッド | 電気抵抗体の製造法 |
| JPS6077317A (ja) * | 1983-09-15 | 1985-05-01 | エヌ・ベー・フイリツプス・フルーイランペンフアブリケン | 透明なアルミニウム酸化物被膜を基体上に設ける方法 |
-
1985
- 1985-05-08 JP JP60096073A patent/JPS61256506A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5946007A (ja) * | 1975-03-21 | 1984-03-15 | インターナショナル、レジスティブ、カンパニー、インコーポレーテッド | 電気抵抗体の製造法 |
| JPS5537804A (en) * | 1978-09-05 | 1980-03-17 | Tokyo Shibaura Electric Co | Door unit for enclosed switchboard |
| JPS6077317A (ja) * | 1983-09-15 | 1985-05-01 | エヌ・ベー・フイリツプス・フルーイランペンフアブリケン | 透明なアルミニウム酸化物被膜を基体上に設ける方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007055231A1 (ja) * | 2005-11-09 | 2007-05-18 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | ＳｎＯ２系スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
| JP2007131891A (ja) * | 2005-11-09 | 2007-05-31 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | ＳｎＯ２系スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61256506A (ja) | 1986-11-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |