WO2006126503A1 - 静電チャック - Google Patents

静電チャック Download PDF

Info

Publication number
WO2006126503A1
WO2006126503A1 PCT/JP2006/310182 JP2006310182W WO2006126503A1 WO 2006126503 A1 WO2006126503 A1 WO 2006126503A1 JP 2006310182 W JP2006310182 W JP 2006310182W WO 2006126503 A1 WO2006126503 A1 WO 2006126503A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
electrostatic chuck
dielectric substrate
plasma
electrode
metal plate
Prior art date
Application number
PCT/JP2006/310182
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Ikuo Itakura
Shoichiro Himuro
Original Assignee
Toto Ltd.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toto Ltd. filed Critical Toto Ltd.
Publication of WO2006126503A1 publication Critical patent/WO2006126503A1/ja

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment

Definitions

  • the present invention relates to an electrostatic chuck that adsorbs a semiconductor substrate, a glass substrate, or the like.
  • Patent Documents 1 to 4 Plasma processing for performing etching, CVD, sputtering, ion implantation, ashing, etc.
  • the electrostatic chuck disclosed in Patent Documents 1 to 4 is used as means for adsorbing and holding a semiconductor substrate or glass substrate in one chamber.
  • the structure of the conventional electrostatic chuck disclosed in Patent Documents 1 and 2 includes an electrode 102 disposed on a metal plate 100 via an organic adhesive 101 such as silicone resin.
  • the dielectric layer 103 held on the substrate is bonded and integrated.
  • an electrode (tungsten) is printed on the surface of the ceramic green sheet which becomes the dielectric layer by firing, and another ceramic green sheet is further formed thereon.
  • the method of stacking and firing (hot pressing) is adopted!
  • Patent Document 1 Japanese Utility Model Publication No. 4 133443
  • Patent Document 2 Japanese Patent Laid-Open No. 10-223742
  • Patent Document 3 Japanese Patent Laid-Open No. 2003-152065
  • Patent Document 4 Japanese Patent Laid-Open No. 2001-338970
  • the inside of the chamber is periodically cleaned with plasma to remove residues and products adhering to the inner surface of the chamber.
  • a dummy wafer is used in order to prevent the surface of the electrostatic chuck from being exposed to plasma.
  • the dummy chuck is not used to cover the surface of the electrostatic chuck.
  • the average particle diameter after firing of the electrostatic chuck manufactured using the ceramic raw material powder that is usually widely used is a force of 5 to 50 m.
  • the waferless plasma cleaning is applied to the electrostatic chuck.
  • the average roughness (Ra) increases due to the desorption of grains on the ceramic surface and the erosion of grain boundaries, resulting in a decrease in electrostatic adsorption force and a decrease in the heat transfer coefficient at the solid contact interface with the wafer. If this happens, the electrostatic chuck must be replaced early.
  • Patent Document 3 As disclosed in Patent Document 3 as means for solving these problems, there is an electrostatic chuck in which the average particle diameter of the ceramic is suppressed to 2 m or less.
  • the electrode material In order to insert the electrode inside the body, after firing and molding two dielectric substrates, the electrode material is sandwiched and integrated by heat and pressure treatment such as hot press, etc. I need a process. For this reason, there are issues such as a decrease in reliability and a longer construction period.
  • the ceramic dielectric substrate having the above average particle size suppressed to 2 ⁇ m or less, with a force has an electrode inserted in the dielectric for convenience such as debinding during firing. It is not obtained by laminating and firing monolithic sheets.
  • a technique for inserting an electrode into the fired dielectric layer substrate is required.
  • Patent Document 4 As a means for solving this, as disclosed in Patent Document 4, an electrode is formed on the surface of a dielectric layer substrate, and an insulating resin such as polyimide is pasted on the metal, Although a method of bonding to the base plate is disclosed, this structure has problems in the increase of the wafer temperature and the insulation reliability due to the low thermal conductivity of the insulating resin.
  • the object of the present invention is to provide a simple manufacturing process, high durability of waferless plasma cleaning, high woofer cooling capability, and reliability of electrical insulation between the electrode and the metal plate. It is to provide an electrostatic chuck that can solve the above-mentioned problems at the same time. Means for solving the problem
  • an electrostatic chuck includes a metal plate having an insulating film formed on a surface thereof by thermal spraying, and a dielectric substrate having an electrode formed on the surface. And the electrodes are joined with an insulating adhesive interposed therebetween.
  • the particles constituting the dielectric substrate preferably have an average particle diameter of 2 ⁇ m or less in order to improve plasma resistance. By setting the average particle size to 2 m or less, even if the wafer screening is repeated, the change in the adsorption surface roughness of the dielectric substrate is small, and an electrostatic chuck can be provided.
  • the total thickness of the dielectric substrate, the insulating adhesive, and the insulating film is preferably 0.5 mm or more and 2. Omm or less.
  • the thickness is desirably 1.5 mm or less in order to suppress the impedance between the dielectric adsorbent and the metal plate.
  • the electrostatic chuck according to the present invention has a simple manufacturing process and a small particle diameter constituting the dielectric substrate whose surface is an attracting surface. Therefore, the electrostatic chuck is excellent in plasma resistance and without using a dummy wafer. Since the plasma cleaning can be performed, the tact time can be greatly reduced, the heat transfer efficiency is good, the woofer cooling capacity can be improved, and the electrical insulation between the electrode and the metal plate is reliable. You can increase the sex.
  • FIG. 4 (a) is a micrograph showing the surface of the dielectric substrate of the electrostatic chuck according to the present invention before plasma irradiation
  • FIG. 4 (b) is the dielectric of the conventional electrostatic chuck before plasma irradiation
  • Body surface 5 (a) is a micrograph showing the surface of the dielectric substrate of the electrostatic chuck according to the present invention after plasma irradiation
  • FIG. 5 (b) is a dielectric photograph of a conventional electrostatic chuck after plasma irradiation. It is a microscope picture which shows a body layer surface.
  • FIG. 6 shows changes in surface roughness when the plasma is irradiated onto the dielectric substrate surface of the electrostatic chuck according to the present invention and the dielectric layer surface of the conventional electrostatic chuck.
  • the surface of the dielectric substrate of the electrostatic chuck according to the present invention has a very small change in surface roughness (Ra) before and after plasma irradiation. I understand that.
  • FIG. 1 is a general view of a plasma processing apparatus incorporating an electrostatic chuck according to the present invention.
  • FIG.3 Diagram explaining the assembly procedure of the electrostatic chuck
  • FIG. 4 (a) is a micrograph showing the surface of the dielectric substrate of the electrostatic chuck according to the present invention before plasma irradiation, and (b) is the surface of the dielectric layer of the conventional electrostatic chuck before plasma irradiation.
  • FIG. 5 (a) is a micrograph showing the surface of the dielectric substrate of the electrostatic chuck according to the present invention after plasma irradiation, and (b) is the surface of the dielectric layer of the conventional electrostatic chuck after plasma irradiation.
  • FIG. 6 Changes in surface roughness when plasma is applied to the dielectric substrate surface of the electrostatic chuck according to the present invention and the dielectric layer surface of the conventional electrostatic chuck.
  • FIG. 1 is an overall view of a plasma processing apparatus incorporating an electrostatic chuck according to the present invention
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of the electrostatic chuck.
  • FIG. 3 is a diagram illustrating the assembly procedure of the electrostatic chuck.
  • an upper electrode 10 for generating plasma and an electrostatic chuck 20 are arranged in a chamber 11.
  • the ceiling of chamber 1 has a reaction gas inlet 2 such as CF or O, and
  • the basic configuration of the electrostatic chuck 20 is that an insulating film 22 is formed on the surface of a metal plate 21 by thermal spraying, and a dielectric substrate is formed on the insulating film 22 via an insulating adhesive layer 23.
  • the surface of the dielectric substrate 24 is used as a mounting surface for the object W to be adsorbed such as a semiconductor wafer, and electrodes 25 and 25 are formed on the lower surface.
  • Lead wires 26 and 26 for supplying power to these electrodes 25 and 25 extend downward through the metal plate 21.
  • the lead wire 26 and the metal plate 21 are insulated.
  • the metal plate 21 also has a metal force with excellent thermal conductivity, such as aluminum alloy and copper, a coolant passage 21a is formed inside, and an insulator film formed on the upper surface of the metal plate 21 by thermal spraying.
  • 22 is preferably an inorganic material such as alumina (Al 2 O 3).
  • the dielectric substrate 24 may be manufactured by, for example, an average particle diameter of 0.1 ⁇ m and a purity of 99.
  • alumina raw material powder is the main component, and 0.6 wt% or less of titanium oxide (TiO) larger than 0.2 wt% is mixed and pulverized, an acrylic binder is added, and the spray is adjusted.
  • TiO titanium oxide
  • the HIP condition is Ar gas of 1000 atm or higher, and the temperature is 1150 to 1350 ° C, the same as the firing temperature. Under these conditions, the dielectric particles are extremely dense and have an average particle diameter of 2 ⁇ m or less, a volume resistivity of 10 8 lO 11 ⁇ cm at 20 ⁇ 3 ° C, and a relative density of 99% or more.
  • a body substrate 24 is obtained.
  • the average particle size shown here is a particle size obtained by the following Burametric method. First, take a picture of the dielectric substrate with SEM, draw a circle with a known area (A) on this photograph, and calculate the number of particles in the circle from nc and the number of particles ni that exerted force on the circumference. Determine the number of particles per unit area NG.
  • N G (nc + 1/2 ni) / (A / m2) (1)
  • M shown here is the magnification of the photograph. 1 / NG force Since it is the area occupied by one particle, the particle diameter can be obtained by the circle equivalent diameter 2 / ( ⁇ NG).
  • the electrode 25 is formed by forming a conductive film such as TiC or Ti by CVD or PVD after grinding the surface of the dielectric substrate 24, and sandblasting or etching the conductive film to obtain a predetermined value. The electrode pattern is obtained. [0028] If the above-mentioned extremely dense dielectric substrate is used, the plasma resistance is improved, and the change in the roughness of the electrostatic chuck surface can be suppressed to an extremely small level without using a dummy wafer.
  • a metal plate 21 on which an insulator film 22 is formed in advance and a dielectric substrate 24 on which an electrode 25 is formed are prepared. Then, the insulating film 22 of the metal plate 21 and the electrode 25 of the dielectric substrate 24 are bonded to each other via the insulating adhesive 23 so as to face each other.
  • a silicone resin having a thermal conductivity of SlWZmk or higher, preferably 1.6 WZmK or higher, such as alumina or aluminum nitride as a filler can be used.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Jigs For Machine Tools (AREA)

Description

明 細 書
静電チャック
技術分野
[0001] 本発明は、半導体基板やガラス基板などを吸着する静電チャックに関する。
背景技術
[0002] エッチング、 CVD、スパッタリング、イオン注入、アツシングなどを行うプラズマ処理 チャンバ一内で、半導体基板やガラス基板を吸着保持する手段として、特許文献 1 〜4に開示される静電チャックが用いられて 、る。
[0003] 上記特許文献 1〜2に開示される従来の静電チャックの構造は、図 7に示すように、 金属プレート 100上にシリコーン榭脂等の有機接着剤 101を介して電極 102を内部 に保持した誘電体層 103を接着一体ィ匕している。そして、誘電体層 103内に電極 10 2を埋設する方法としては、焼成することで誘電体層となるセラミックグリーンシートの 表面に電極 (タングステン)をプリントし、更にこの上に別のセラミックグリーンシートを 重ねて焼成 (ホットプレス)する方法が採用されて!、る。
[0004] 特許文献 1 :実開平 4 133443号公報
特許文献 2：特開平 10— 223742号公報
特許文献 3 :特開 2003— 152065号公報
特許文献 4:特開 2001— 338970号公報
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0005] プラズマ処理を行った後のチャンバ一内面には、半導体ゥエーハゃ塗膜からの残 渣および生成物が付着している。そしてプラズマ処理を繰り返してゆくと、残渣および 生成物が次第に堆積し、やがてチャンバ一内面力 剥離して半導体基板やガラス基 板表面に付着して歩留り低下を招く。
[0006] そこで、従来力 定期的にチャンバ一内をプラズマによってクリーニングし、チャン バー内面に付着した残渣および生成物を除去するようにしている。このとき、従来に あっては静電チャックの表面がプラズマに晒されるのを防止するために、ダミーゥエー ハで静電チャックの表面を覆った状態でクリーニングを行って 、るが、最近ではタクト タイムを短縮して生産効率を向上させるため、ダミーゥエーハで静電チャックの表面を 覆うことを行わずに、クリーニングの際には静電チャックの表面を直接 Oガスや CF
2 4 ガスなどのクリーニングプラズマに曝す、いわゆるゥエーハレスプラズマクリーニング が業界の動向である。
[0007] ところで、通常広く使用されているセラミック原料粉末を用いて製作された静電チヤ ックの焼成後の平均粒子径は 5〜50 mである力 この静電チャックに前記ゥエーハ レスプラズマクリーニングを実施した場合、セラミックの表面の粒子の脱離および粒界 の浸食により、平均粗さ (Ra)が大きくなり、静電吸着力の低下およびゥエーハとの固 体接触界面の熱伝達率の低下が起きるなどの不具合が発生し、早期に静電チャック を交換しなければならなくなる。
[0008] これらを解決する手段として特許文献 3に開示されるように、セラミックの平均粒子 径を 2 m以下に抑えた静電チャックが挙げられている力 従来構造の静電チャック のように誘電体内部に電極を入れ込むために、二枚の誘電体基板を焼成、成型した 後に、電極材料を挟み込んでホットプレス等の加熱加圧処理により一体ィ匕するなど、 技術的に高度で複雑な工程を必要としている。このため、信頼性の低下ゃ工期の長 期化、などの課題がある。
[0009] し力しながら、上記の平均粒子径を 2 μ m以下に抑えたセラミック誘電体基板は、焼 成時の脱バインダー性などの都合上、誘電体内部に電極を入れ込んだ状態でダリー ンシートを積層し一体焼成して得られるものではない。つまり、プラズマ耐久性のある 、従来構造の静電チャックを製作しょうとする場合、焼成した誘電層基板の内部に電 極を入れ込む技術が必要となる。
[0010] これを解決する手段として特許文献 4に開示されるように、誘電層基板の表面に電 極を形成し、その上にポリイミドなどの絶縁性の榭脂を貼り付けたものを、金属ベース プレートに接合する方法が開示されているが、この構造の場合は絶縁樹脂の熱伝導 率の低さによるゥヱーハ温度の上昇や絶縁の信頼性に課題がある。
[0011] 本発明の目的は、製造プロセスが簡便で、ゥエーハレスプラズマクリーニングの耐 久性が高ぐゥ ーハ冷却能力が高ぐ電極と金属プレート間の電気絶縁の信頼性 が高い等、上記課題を同時に解決する事ができる静電チャックを提供する事である。 課題を解決するための手段
[0012] 上記課題を解決するため本発明に係る静電チャックは、表面に溶射によって絶縁 体膜が形成された金属プレートと、表面に電極が形成された誘電体基板とが、前記 絶縁体膜と前記電極が対向するように絶縁性接着剤を介在して接合された構成とし た。
[0013] 上記のように、誘電体基板の表面に電極が設けられた場合でも、溶射による絶縁体 膜を金属プレート表面に形成することにより、簡単な構造で且つ信頼性の高いゥエー ハレスプラズマクリーニングに対応できる静電チャックを提供することができる。
[0014] 前記誘電体基板を構成する粒子としては平均粒子径が 2 μ m以下のものが耐プラ ズマ性を向上させる上で好ましい。平均粒子径を 2 m以下とする事で、ゥエーハレ スクリーニングを繰返し行っても、誘電体基板の吸着面粗さの変化が小さ 、静電チヤ ックを提供することができる。
[0015] 前記誘電体基板、絶縁性接着剤及び絶縁膜のトータルの厚みは、 0. 5mm以上、 2. Omm以下である事が好ましい。上記のような厚みにする事で、被吸着物と電極間 の電気絶縁性および電極と金属プレート間の電気絶縁性が確保でき、また、被吸着 物から金属プレートへの伝熱効率が良好な静電チャックを提供する事ができる。更に 好適な例として、誘電被吸着物と金属プレートの間のインピーダンスを抑えるため、 誘電体基板、絶縁性接着剤及び絶縁膜のトータルの厚みは、 1. 5mm以下にするこ とが望ましい。
発明の効果
[0016] 本発明に係る静電チャックは、製造プロセスが簡便で、表面が吸着面となる誘電体 基板を構成する粒子径が小さいため、耐プラズマ性に優れ、ダミーゥエーハを用いる ことなくゥエーハレスプラズマクリーニングを行うことができる為、タクトタイムを大幅に 減少させることができ、伝熱効率が良好である為、ゥ ーハ冷却能力が高める事がで き、電極と金属プレート間の電気絶縁の信頼性を高める事ができる。
[0017] 具体的には、図 4 (a)はプラズマ照射前の本発明に係る静電チャックの誘電体基板 表面を示す顕微鏡写真、 (b)はプラズマ照射前の従来の静電チャックの誘電体層表 面を示す顕微鏡写真であり、図 5 (a)はプラズマ照射後の本発明に係る静電チャック の誘電体基板表面を示す顕微鏡写真、 (b)はプラズマ照射後の従来の静電チャック の誘電体層表面を示す顕微鏡写真である。
[0018] また、図 6は本発明に係る静電チャックの誘電体基板表面と従来の静電チャックの 誘電体層表面にプラズマを照射したときの表面粗さの変化を示している。
[0019] これらの写真と図からも明らかなように、本発明に係る静電チャックの誘電体基板表 面は、プラズマ照射の前後にお 、て表面粗さ (Ra)の変化が極めて小さ 、ことが分か る。
図面の簡単な説明
[0020] [図 1]本発明に係る静電チャックを組み込んだプラズマ処理装置の全体図
[図 2]同静電チャックの断面図
[図 3]同静電チャックの組立て手順を説明した図
[図 4] (a)はプラズマ照射前の本発明に係る静電チャックの誘電体基板表面を示す顕 微鏡写真、 (b)はプラズマ照射前の従来の静電チャックの誘電体層表面を示す顕微 鏡写真
[図 5] (a)はプラズマ照射後の本発明に係る静電チャックの誘電体基板表面を示す顕 微鏡写真、 (b)はプラズマ照射後の従来の静電チャックの誘電体層表面を示す顕微 鏡写真
[図 6]本発明に係る静電チャックの誘電体基板および従来の静電チャックの誘電体 層表面にプラズマを照射したときの表面粗さの変化
[図 7]従来の静電チャックの断面図
発明を実施するための最良の形態
[0021] 以下に本発明の実施例を添付図面に基づいて説明する。図 1は本発明に係る静 電チャックを組み込んだプラズマ処理装置の全体図、図 2は同静電チャックの断面図
、図 3は同静電チャックの組立て手順を説明した図である。
[0022] プラズマ処理装置はチャンバ一 1内にプラズマ発生用の上部電極 10と静電チヤッ ク 20が配置される。またチャンバ一 1の天井には CFや O等の反応ガス導入口 2と、
4 2
減圧装置に繋がる排気口 3とで形成されて 、る。 [0023] 静電チャック 20の基本的な構成は、金属プレート 21の表面に溶射によって絶縁体 膜 22が形成され、この絶縁体膜 22の上に絶縁性接着剤層 23を介して誘電体基板 2 4が接合され、この誘電体基板 24の表面は半導体ゥ ーハ等の被吸着物 Wの載置 面とされ、下面には電極 25, 25が形成されている。そして、これら電極 25, 25に給 電するためのリード線 26, 26が金属プレート 21を貫通して下方まで延びている。尚、 リード線 26と金属プレート 21とは絶縁されている。
[0024] 前記金属プレート 21はアルミニウム合金や銅等の熱伝導性に優れた金属力もなり 、内部には冷媒通路 21aが形成され、また金属プレート 21の上面に溶射によって形 成される絶縁体膜 22としては、無機材料、例えばアルミナ (Al O )等が好ましい。
2 3
[0025] また、誘電体基板 24の製作方法としては例えば、平均粒子径 0. 1 μ m、純度 99.
99%以上のアルミナ原料粉末を主成分とし、これに 0. 2wt%より大きぐ 0. 6wt% 以下の酸化チタン (TiO )を混合粉砕し、アクリル系バインダーを添加、調整後スプレ
2
一ドライヤーで造粒し、顆粒粉を作製する。その後、 CIP (ラバープレス)またはメカプ レス成形後、所定の形状に加工し、 1150〜1350°Cの還元雰囲気下で焼成する。さ らに HIP処理 (熱間等方圧加圧）をおこなう。 HIP条件は Arガス 1000気圧以上とし、 温度は焼成温度と同じ 1150〜1350°Cとする。このような条件のもとで、極めて緻密 で且つ構成粒子の平均粒子径が 2 μ m以下、 20± 3°Cにおいて体積抵抗率が 108 lO11 Ω cm、相対密度が 99%以上の誘電体基板 24が得られる。
[0026] 尚、ここで示す平均粒子径とは、以下のブラ二メトリック法で求められた粒子径であ る。まず、 S E Mで誘電体基板の写真を撮り、この写真上で面積（ A )の既知の円を描 き、円内の粒子数 ncと円周に力かった粒子数 niから（ 1 )式によって単位面積あたり の粒子数 N Gを求める。
N G = ( nc + 1 / 2 ni ) / ( A / m2 ) · ·· ( 1 )
ここで示す mは写真の倍率である。 1 / N G力 1個の粒子の占める面積であるから、 粒子径は円相当径は 2 / （π N G )、 で得られる。
[0027] また、前記電極 25は誘電体基板 24の表面を研削加工した後に CVDや PVDによ つて TiCや Tiなどの導電膜を形成し、この導電膜をサンドブラストやエッチングするこ とで、所定の電極パターンを得る。 [0028] 上記した極めて緻密な誘電体基板を用いれば、耐プラズマ性が向上し、ダミーゥヱ ーハを用いなくても静電チャック表面の粗さの変化が極めて小さく抑えられる。
[0029] また、上記の静電チャック 20を組み立てるには、図 3に示すように、予め絶縁体膜 2 2が形成された金属プレート 21と、電極 25が形成された誘電体基板 24を用意し、金 属プレート 21の絶縁体膜 22と誘電体基板 24の電極 25が対向するようにして絶縁性 接着剤 23を介して両者を接合する。
[0030] 絶縁性接着剤 23としては例えばアルミナやチッ化アルミをフイラ一とし、熱伝導率 力 SlWZmk以上、好ましくは 1. 6WZmK以上のシリコーン榭脂等が挙げられる。

Claims

請求の範囲
[1] 表面に溶射によって絶縁体膜が形成された金属プレートと、表面に電極が形成され た誘電体基板とが、前記絶縁体膜と前記電極が対向するように絶縁性接着剤を介在 して接合されて ヽることを特徴とする静電チャック。
[2] 請求項 1に記載の静電チャックにお 、て、前記誘電体基板を構成する粒子の平均粒 子径は 2 μ m以下であることを特徴とする静電チャック。
[3] 請求項 1に記載の静電チャックにお ヽて、前記誘電体基板と絶縁性接着剤と絶縁体 膜とのトータルの厚みは 0. 5mm以上 2. Omm以下であることを特徴とする静電チヤ ック。
PCT/JP2006/310182 2005-05-24 2006-05-23 静電チャック WO2006126503A1 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005151483A JP2006332204A (ja) 2005-05-24 2005-05-24 静電チャック
JP2005-151483 2005-05-24

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2006126503A1 true WO2006126503A1 (ja) 2006-11-30

Family

ID=37451929

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2006/310182 WO2006126503A1 (ja) 2005-05-24 2006-05-23 静電チャック

Country Status (6)

Country Link
US (2) US7468880B2 (ja)
JP (1) JP2006332204A (ja)
KR (2) KR100968019B1 (ja)
CN (1) CN100562983C (ja)
TW (1) TW200707695A (ja)
WO (1) WO2006126503A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008205415A (ja) * 2007-02-16 2008-09-04 Creative Technology:Kk 静電チャック

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070283891A1 (en) * 2006-03-29 2007-12-13 Nobuyuki Okayama Table for supporting substrate, and vacuum-processing equipment
US7672111B2 (en) * 2006-09-22 2010-03-02 Toto Ltd. Electrostatic chuck and method for manufacturing same
JP5018244B2 (ja) * 2007-05-30 2012-09-05 住友大阪セメント株式会社 静電チャック
JP5567494B2 (ja) * 2007-12-19 2014-08-06 ラム リサーチ コーポレーション 半導体真空処理装置用のコンポーネント・アセンブリ、アセンブリを結合する方法、及び、半導体基板を処理する方法
KR101524857B1 (ko) * 2008-08-27 2015-06-01 가부시키가이샤 알박 정전 척 및 진공 처리 장치
JP2010199475A (ja) * 2009-02-27 2010-09-09 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置のクリーニング方法及び記憶媒体
JP2012204644A (ja) * 2011-03-25 2012-10-22 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP5348439B2 (ja) 2011-09-30 2013-11-20 Ｔｏｔｏ株式会社 静電チャック
CN103227083B (zh) * 2012-01-31 2015-08-12 中微半导体设备(上海)有限公司 一种用于等离子体处理装置的载片台
CN103327720B (zh) * 2012-03-21 2016-01-20 长毅技研股份有限公司 可透视静电吸板
US9281226B2 (en) 2012-04-26 2016-03-08 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having reduced power loss
JP5441019B1 (ja) * 2012-08-29 2014-03-12 Ｔｏｔｏ株式会社 静電チャック
JP5441021B1 (ja) * 2012-09-12 2014-03-12 Ｔｏｔｏ株式会社 静電チャック
JP6152994B2 (ja) * 2012-11-27 2017-06-28 株式会社クリエイティブテクノロジー 静電チャック及びガラス基板処理方法
JP6071514B2 (ja) * 2012-12-12 2017-02-01 東京エレクトロン株式会社 静電チャックの改質方法及びプラズマ処理装置
JP6132957B2 (ja) * 2015-10-13 2017-05-24 ヤス カンパニー リミテッド 帯電処理による基板チャッキング方法及びシステム
SG11201906817TA (en) * 2017-01-27 2019-08-27 Ultratech Inc Chuck systems and methods having enhanced electrical isolation for substrate-biased ald
EP3846334A4 (en) 2019-09-11 2021-12-08 Creative Technology Corporation FASTENING / RELEASING DEVICE

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003037158A (ja) * 2001-07-24 2003-02-07 Taiheiyo Cement Corp 静電チャック
JP2003152065A (ja) * 2001-11-14 2003-05-23 Sumitomo Osaka Cement Co Ltd 静電チャック及びその製造方法
JP2004168609A (ja) * 2002-11-21 2004-06-17 Taiheiyo Cement Corp 窒化アルミニウム焼結体およびそれを用いた静電チャック
JP2004235563A (ja) * 2003-01-31 2004-08-19 Tomoegawa Paper Co Ltd 静電チャック装置用電極シート及びこれを用いた静電チャック装置

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55132048A (en) * 1979-04-03 1980-10-14 Toshiba Corp Semiconductor device
JPS6096832A (ja) 1983-11-01 1985-05-30 Fukuo Iwabori ガスライタの発火装置を製造する方法
JPH0697677B2 (ja) 1987-04-21 1994-11-30 東陶機器株式会社 静電チャック基盤の製造方法
JP2521471B2 (ja) 1987-05-14 1996-08-07 富士通株式会社 静電吸着装置
JPH01240243A (ja) * 1988-03-18 1989-09-25 Tokuda Seisakusho Ltd 電極およびその製造方法
JPH04133443A (ja) 1990-09-26 1992-05-07 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
JP2552420Y2 (ja) * 1991-05-30 1997-10-29 京セラ株式会社 セラミック製静電チャック
JP2971369B2 (ja) * 1995-08-31 1999-11-02 トーカロ株式会社 静電チャック部材およびその製造方法
JP3457477B2 (ja) 1995-09-06 2003-10-20 日本碍子株式会社 静電チャック
JP3225850B2 (ja) 1995-09-20 2001-11-05 株式会社日立製作所 静電吸着電極およびその製作方法
JPH10154745A (ja) 1996-11-26 1998-06-09 Hitachi Ltd 静電吸着装置
JP3527823B2 (ja) 1997-01-31 2004-05-17 京セラ株式会社 静電チャック
JPH10261697A (ja) 1997-03-19 1998-09-29 Kobe Steel Ltd 静電チャック
JP4156699B2 (ja) 1998-02-16 2008-09-24 株式会社巴川製紙所 静電チャック装置用シートおよび静電チャック装置
JP3888766B2 (ja) * 1998-03-16 2007-03-07 太平洋セメント株式会社 静電チャック及びその製造方法
JP2001060619A (ja) 1999-06-16 2001-03-06 Toto Ltd 静電チャック及びその製造方法
JP2001284328A (ja) 2000-03-31 2001-10-12 Taiheiyo Cement Corp セラミック部品
JP2001313331A (ja) 2000-04-28 2001-11-09 Sumitomo Osaka Cement Co Ltd 静電吸着装置
JP2001338970A (ja) 2000-05-26 2001-12-07 Sumitomo Osaka Cement Co Ltd 静電吸着装置
JP2002093896A (ja) 2000-09-12 2002-03-29 Nippon Steel Corp 静電チャック及びその製造方法
JP2003168725A (ja) 2001-11-30 2003-06-13 Kyocera Corp ウエハ支持部材及びその製造方法
JP2002324834A (ja) 2002-04-03 2002-11-08 Tomoegawa Paper Co Ltd 静電チャック装置、静電チャック用積層シート、および静電チャック用接着剤
JP2004200462A (ja) 2002-12-19 2004-07-15 Nhk Spring Co Ltd 静電チャックおよびその製造方法
JP4064835B2 (ja) 2003-02-07 2008-03-19 太平洋セメント株式会社 静電チャック及びその製造方法
JP4369765B2 (ja) * 2003-07-24 2009-11-25 京セラ株式会社 静電チャック

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003037158A (ja) * 2001-07-24 2003-02-07 Taiheiyo Cement Corp 静電チャック
JP2003152065A (ja) * 2001-11-14 2003-05-23 Sumitomo Osaka Cement Co Ltd 静電チャック及びその製造方法
JP2004168609A (ja) * 2002-11-21 2004-06-17 Taiheiyo Cement Corp 窒化アルミニウム焼結体およびそれを用いた静電チャック
JP2004235563A (ja) * 2003-01-31 2004-08-19 Tomoegawa Paper Co Ltd 静電チャック装置用電極シート及びこれを用いた静電チャック装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008205415A (ja) * 2007-02-16 2008-09-04 Creative Technology:Kk 静電チャック

Also Published As

Publication number Publication date
KR20090007476A (ko) 2009-01-16
CN100562983C (zh) 2009-11-25
KR20070106782A (ko) 2007-11-05
CN101180721A (zh) 2008-05-14
KR100968019B1 (ko) 2010-07-07
US7760484B2 (en) 2010-07-20
US7468880B2 (en) 2008-12-23
US20060268491A1 (en) 2006-11-30
TW200707695A (en) 2007-02-16
TWI304257B (ja) 2008-12-11
US20080273284A1 (en) 2008-11-06
JP2006332204A (ja) 2006-12-07
KR100978996B1 (ko) 2010-08-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2006126503A1 (ja) 静電チャック
JP5441020B1 (ja) 静電チャック
JP4744855B2 (ja) 静電チャック
JP4031732B2 (ja) 静電チャック
KR101531726B1 (ko) 정전 척 및 그 제조 방법
US7672111B2 (en) Electrostatic chuck and method for manufacturing same
JP5441021B1 (ja) 静電チャック
JP5441019B1 (ja) 静電チャック
JP2007173596A (ja) 静電チャック
JP3847198B2 (ja) 静電チャック
JP4811790B2 (ja) 静電チャック
JP2006127900A (ja) 環状ヒータ
JP4033508B2 (ja) 静電チャック
JP2006060040A (ja) 静電チャックプレート及びその製造方法
JP4052343B2 (ja) 静電チャック
JP4879771B2 (ja) 静電チャック
JP2005150370A (ja) 静電チャック
JP2012178415A (ja) 静電チャック
JP2007088492A (ja) 静電チャックの製造方法および静電チャック
JP2007243149A (ja) 静電チャック
JP2005072286A (ja) 静電チャック
JP2000031254A (ja) セラミックス製静電チャックおよびその製造方法
JP2000100919A (ja) 静電チャックおよびその製造方法
JP2000246574A (ja) 静電チャックおよびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 200680017894.9

Country of ref document: CN

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1020077021337

Country of ref document: KR

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: RU

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 06746716

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1020087029373

Country of ref document: KR