WO2005083722A1

WO2005083722A1 - 透明導電膜及びそれを用いた透明導電性基材

Info

Publication number: WO2005083722A1
Application number: PCT/JP2004/019595
Authority: WO
Inventors: Tokuyuki Nakayama; Yoshiyuki Abe
Original assignee: Sumitomo Metal Mining Co., Ltd.
Priority date: 2004-02-27
Filing date: 2004-12-28
Publication date: 2005-09-09
Also published as: KR101081871B1; KR20060117911A; US7563514B2; US20070051926A1; EP1720175A1; DE602004027166D1; JPWO2005083722A1; JP4730300B2; EP1720175A4; EP1720175B1

Description

明細書

透明導電膜及びそれを用いた透明導電性基材

技術分野

[0001] 本発明は、有機エレクトロルミネセンス (EL)素子などに用いられる透明導電膜およびそれを用いた透明導電性基材に関する。

背景技術

[0002] 透明導電膜は、高、導電性 (例えば、 1 X 10— ³ Ω cm以下の比抵抗)と、可視光領域での高い透過率とを有するため、太陽電池、液晶表示素子、その他、各種の受光素子等の電極として利用され、更に、自動車の窓ガラスや、建築物の窓ガラス等に用いる熱線反射膜、各種の帯電防止膜、冷凍ショーケースなどの防曇用の透明発熱体としても利用されている。

[0003] 透明導電膜には、アンチモンやフッ素がドーピングされた酸ィ匕錫（SnO )膜、アルミ

2

-ゥムやガリウムがドーピングされた酸ィ匕亜鉛 (ZnO)膜、錫がドーピングされた酸ィ匕インジウム (In O )膜などが広く利用されている。特に、錫がドーピングされた酸化ィ

2 3

ンジゥム膜、すなわち In O—Sn系膜は、 ITO (Indium Tin Oxide)膜と称され、低

2 3

抵抗の透明導電膜が容易に得られることから、 LCDをはじめとして、種々のデバイスに広く用いられている。

[0004] ITO膜は、有機 EL素子の電極としても用いられて、る。有機 EL素子は、駆動電圧を大幅に低くして小型化が容易であるため、次世代の表示素子としての実用ィ匕研究が積極的になされている。有機 EL素子の構成は、陽極/発光層/陰極の積層を基本とし、通常、ガラス板等を用いた基板上に、透明陽極として、上記 ITO膜を形成する構成が採用されている。陽極からは正孔が注入されるため、陽極の仕事関数は高いほうが好ましい。この場合、仕事関数として少なくとも 4. 4eV以上が必要である力 5. OeV以上であることが好ましい。しかしながら、一般に ITO膜の仕事関数は 4. 4e V程度であることが知られ、有機 EL素子の陽極として用いるには仕事関数が十分でない。

[0005] 非特許文献 1に記載されているように、通常は、 ITO膜の表面に酸洗浄ならびに U Vオゾン洗浄を施し、仕事関数を 5. OeV程度まで増力！]させる必要がある。しかし、仕事関数は処理条件に対して非常に敏感であるため、その制御は難しい。また、一定時間の放置によって仕事関数が処理前の値に戻ってしまう場合があることも報告されている。

また、特許文献 1には、陽極と陰極との間に有機発光層を含む有機層が挟持されてなる有機エレクト口ルミネッセンス素子において、陰極が、有機層に接する側から電子注入電極層、透明導電膜、抵抗率 1 X 10— ⁵ Ω cm以下の金属薄膜の順で積層されてなるとともに、陰極の外側に透明薄膜層が形成されている有機エレクト口ルミネッセンス素子が提案されている。この透明薄膜層には、インジウム (In)、亜鉛 (Zn)、酸素 (O)力もなる酸ィ匕物を用いた非晶質透明導電膜、 V、わゆる IZO膜が用いられて、る

[0006] IZO膜は、比抵抗が低いだけでなぐ微結晶を含まない安定な非晶質膜であるため、有機 ELの電極膜として有用である。しかし、 IZO膜の仕事関数は 4. 8-4. 9eV 程度であり、有機 ELの陽極として用いるには十分高いとはいえない。 ITO膜と同様に表面処理によって仕事関数を高めることが必要となっている。

以上のように、有機 ELの陽極として有用な、仕事関数が高ぐ導電性の高い透明導電膜は未だなぐその開発が期待されている。

特許文献 1：特開平 7 - 182924号公報

非特許文献 1 :「透明導電膜の新展開 II」、シーエムシー出版、第 1版、 P203 発明の開示

[0007] 本発明の目的は、低い表面抵抗と、高い仕事関数を兼ね備えた、透明導電性薄膜を積層してなる透明導電膜及びそれを用いた透明導電性基材を提供することにある

[0008] 本発明者らは、 Ga、 In、および O力もなる非晶質酸ィ匕物膜であって、 Gaを全金属原子に対して 49. 1原子％以上 65原子％以下含有する透明導電膜は、有機 ELの透明電極として用いるためには、未だ導電性が十分満足するまでには至って、なヽ 1S 仕事関数が 5. leV以上と高いという特徴を有しており、この高い仕事関数を有する特徴を活力ゝして、基板上に、少なくとも、 2層以上の透明導電膜を順次積層した積層膜を形成し、最上面の第 1の透明導電膜が、ガリウム、インジウムおよび酸素からなる非晶質酸ィ匕物薄膜で、ガリウムを全金属原子に対して 49. 1原子％以上 65原子％以下含有する透明導電膜を用いることによって、仕事関数が 5. leV以上であり、積層膜の表面抵抗が 100ΩΖ口以下である透明導電膜を得られることを見出し、本発明に至った。

[0009] すなわち、本発明による透明導電膜は、基板上に、透明導電性薄膜を少なくとも 2 層以上積層してなる透明導電膜において、最上層の第 1の透明導電性薄膜が、ガリゥム、インジウムおよび酸素からなる非晶質酸ィ匕物薄膜であって、ガリウムを全金属原子に対して 49. 1原子％以上 65原子％以下含有し、かつ仕事関数が 5. leV以上であり、その表面抵抗が 100 ΩΖ口以下である。

[0010] 本発明によれば、好ましくは、上記表面抵抗が 50 ΩΖ口以下である。

[0011] 本発明によれば、上記第 1の透明導電性薄膜より基板側にある他の透明導電性薄膜膜が、インジウム,錫および酸素力なる非晶質酸ィ匕物薄膜、インジウム,亜鉛および酸素からなる非晶質酸ィ匕物薄膜、インジウム,タングステンおよび酸素力なる非晶質酸化物薄膜、または、インジウム,タングステン,亜鉛および酸素力なる非晶質酸化物薄膜の、ずれか 1種以上からなる。

[0012] 本発明によれば、上記第 1の透明導電性薄膜の厚さが 5nm以上であり、かつ積層された透明導電性薄膜の総膜厚が 300nm以下である。

[0013] 本発明によれば、上記第 1の透明導電性薄膜の表面の算術平均高さ (Ra)が 2. 0 nm以下である。

[0014] 本発明による透明導電性基材は、ガラス板、石英板、片面若しくは両面がガスバリァ膜で覆われている榭脂板若しくは榭脂フィルム、又は、内部にガスノリア膜が挿入されて!/、る榭脂板若しくは榭脂フィルムから選ばれた透明基板と、該透明基板の片面若しくは両面に形成された上記、ずれかの透明導電膜を含んで、る。

[0015] 本発明によれば、上記ガスノリア膜が、酸ィ匕シリコン膜、酸ィ匕窒化シリコン膜、アルミニゥム酸マグネシウム膜、酸化スズ系膜およびダイヤモンド状カーボン膜の中から選ばれる少なくとも 1つである。

[0016] 本発明によれば、上記榭脂板もしくは榭脂フィルム力ポリエチレンテレフタレート（ PET)、ポリエーテルスルホン（PES)、ポリアリレート（PAR)、ポリカーボネート (PC) 、若しくはそれらの表面をアクリル系有機物で覆った積層構造体力なって、る。

[0017] 本発明の透明導電膜は、基板上に、少なくとも 2層以上の透明導電性薄膜を順次積層した積層膜からなり、最上層の透明導電性薄膜が、ガリウム、インジウムおよび酸素からなる非晶質酸ィ匕物薄膜であり、ガリウムを全金属原子に対して 49. 1原子％以上 65原子％以下含有する透明導電膜とすることによって、従来得られなかった、仕事関数が 5. leV以上であり、かつ、表面抵抗が 100 ΩΖ口以下の透明導電膜を得ることができる。

本発明の透明導電膜は、特に、有機 EL素子等の陽極として用いた場合、正孔注入が行われやすくなる。その結果として、本発明の透明導電膜は、有機 EL素子等の発光効率を向上させることができ、有用である。

[0018] また、本発明の透明導電性基材は、ガラス基板や石英基板だけでなぐ耐熱性のない榭脂基板、さらにはフレキシブルな榭脂フィルム基板上に、必要に応じてガスバリア膜を形成した後、本発明の上記透明導電膜を形成することによって得られる。したがって、如何なるデバイスの形状や形態に対しても、榭脂フィルム基板を用いたフレキシブルな透明有機 EL素子等の基材として利用することができ、工業的に極めて価値が高い。

図面の簡単な説明

[0019] [図 1]図 1は基材の上に透明導電膜を形成した透明導電性基材の基本的な構成を示す断面図である。

[図 2]図 2は基材の上にガスノリア膜を形成し、その上に透明導電膜を形成した透明導電性基材の基本的な構成を示す断面図である。

発明を実施するための最良の形態

[0020] 本発明による透明導電膜は、基板上に、少なくとも 2層以上の透明導電性薄膜が順次積層された積層膜からなり、最上層の透明導電性薄膜が、ガリウム、インジウムおよび酸素力もなる非晶質酸ィ匕物薄膜であって、ガリウムを全金属原子に対して 49. 1 原子％以上 65原子％以下含有し、かつ仕事関数が 5. leV以上であり、積層膜の表面抵抗が 100 Ω Ζ口以下であることを特徴としている。ガリウム含有量が 49. 1原子 %未満では、仕事関数が低下してしまい、ガリウム含有量が 65原子％を超えると、導電膜として十分な導電性が得られな!/ヽ。

[0021] 上記積層膜の、最上層の透明導電性薄膜より基板側に積層されている他の透明導電性薄膜は、インジウム,錫および酸素力もなる非晶質酸ィ匕物薄膜、インジウム,亜鉛および酸素からなる非晶質酸化物薄膜、インジウム,タングステンおよび酸素力なる非晶質酸化物薄膜、またはインジウム,タングステン,亜鉛および酸素力なる非晶質酸化物薄膜の、ずれか 1つ以上力もなる薄膜であることが好ま、。

[0022] 上記 4種の透明導電性薄膜を室温で成膜することによって、 10— ⁴Ω cm台の低比抵抗を示す非晶質薄膜を容易に得ることができる。特に、インジウム,亜鉛および酸素からなる非晶質酸ィ匕物薄膜、インジウム,タングステンおよび酸素からなる非晶質酸ィ匕物薄膜、ならびにインジウム,タングステン,亜鉛および酸素からなる非晶質酸ィ匕物薄膜は、微結晶がほとんど見られない、ほぼ完全な非晶質膜であるため、微結晶が存在することなどを原因とする表面の凹凸を嫌う有機 ELの電極としては、なお好ましい。

[0023] 上記積層膜において、最上層の透明導電性薄膜が、膜厚 5nm以上 50nm以下であり、かつ該積層膜の総膜厚が 300nm以下であることが好ましい。最上層の透明導電性薄膜の膜厚が 5nm未満の場合、安定して高い仕事関数が得られない。一方、その膜厚が 50nmを超える場合、第 1層（最上層）を第 2層以降の透明導電性薄膜に積層した場合に、積層膜の総膜厚に占める最上層の膜厚の割合が高くなり、高抵抗化してしまう。また積層膜の総膜厚が 300nmを越えると、第 1層（最上層）を第 2層以降の透明導電性薄膜に積層した場合、第 2層以降の透明導電性薄膜が厚くなり過ぎて、着色が起こり、十分な透過率が得られなくなってしまう。また、積層膜の総膜厚が lOOnm未満の場合、積層膜の表面抵抗が高くなつてしまうため、 lOOnm以上であることがより好ましい。

[0024] また、第 1層の透明導電性薄膜の表面の算術平均高さ (Ra)は、 2. Onm以下であることが好ましい。さらに、この高さが 1. Onm以下であるとさらに好ましい。第 1層の透明導電性薄膜の表面の算術平均高さ (Ra)が、 2. Onmを超えると、たとえば、有機 E Lの電極として用いた場合、電極の凸部でリークが起こるため、有機 ELに多数のダークスポットが発生するなどの問題が起き好ましくない。 [0025] 本発明の透明導電性基材は、透明基板の表面に本発明の透明導電膜を形成すること〖こより構成されている。

透明基板としては、ガラス板、石英板、片面もしくは両面がガスバリア膜で覆われている榭脂板もしくは榭脂フィルム、あるいは、内部にガスノリア膜が挿入されている榭脂板もしくは榭脂フィルムが用いられる。

榭脂板もしくは榭脂フィルムは、ガラス板と比べてガスの透過性が高ぐ有機 EL素子や無機 EL素子の発光層、および LCDなどの液晶層は、水分や酸素に対して劣化するため、榭脂板もしくは榭脂フィルムを、これらの表示素子の基板として用いる場合は、ガスの通過を抑えるガスノリア膜を施すことが好ま U、。

[0026] ガスバリア膜は、榭脂板もしくは榭脂フィルムの片面に形成されていても良ぐ両面に形成されていれば、ガス通過の遮断性はさらに良好となる。また、ガスノリア膜を、榭脂板もしくは榭脂フィルムの片面に形成し、さらに該ガスノリア膜の上に、榭脂板もしくは榭脂フィルムを積層することによって、内部にガスバリア膜を挿入させた構成を得ることができる。さらに、複数回、積層を繰り返した構造とすることもできる。

[0027] 上記榭脂板もしくは榭脂フィルムは、ポリエチレンテレフタレート (PET)、ポリエーテルスルホン（PES)、ポリアリレート（PAR)、ポリカーボネート（PC)からなる力もしくは、これらの材料の表面をアクリル系有機物で覆った積層構造カゝらなる。榭脂板ある V、は榭脂フィルムの厚さは、下記の具体的用途に合わせて適宜選択される。

[0028] ガスバリア膜は、酸ィ匕シリコン膜、酸化窒化シリコン (SiON)膜、アルミニウム酸マグネシゥム膜、酸化スズ系膜およびダイヤモンド状カーボン (DLC)膜の中から選ばれる少なくとも 1つであることが好ましい。ここで、酸化スズ系膜とは、酸化スズに、例えば、 Si、 Ce、 Geなどカゝら選ばれる少なくとも 1種類以上の添加元素を含有した組成を有する。これらの添加元素によって、酸化スズ層を非晶質化し、緻密な膜とする。また、酸ィ匕シリコン膜、酸ィ匕窒化シリコン膜、アルミニウム酸マグネシウム膜、酸化スズ系膜およびダイヤモンド状カーボン膜の中から選ばれる少なくとも 1つのガスノリア膜と、有機もしくは高分子の膜とが、榭脂基板もしくは榭脂フィルムの表面に交互に繰り返し積層させた構造の基板上に、前記透明導電膜を施した構成でもよヽ。

実施例 [0029] まず、本実施例の構成を、図 1及び 2を用いて説明する。

図 1は、実施例 1乃至 6として用いた透明導電性基材の基本的な構成を示す断面図である。ガラス基板 (コーユング社製 7059基板) 50上に順次積層された透明導電性薄膜 20、およびガリウム,インジウムおよび酸素力もなる透明導電性薄膜 10で構成された積層構造の透明導電膜 1を作製した。

透明導電膜 10および 20は、ァネルバ社製特 SPF—530Hスノッタリング装置を使用し、直流マグネトロンスパッタリング法にて成膜した。透明導電性薄膜 10および 20 は、アルゴンと酸素の混合ガスを用い、ガス圧 0. 5Pa、酸素流量比 1. 5乃至 2. 5% の条件にて、出力 200Wで、所定の膜厚になるよう時間調整して成膜した。

[0030] 図 2は、実施例 7として用いた透明導電性基材の基本的な構成を示す断面図である。厚さ 200 mの PESフィルムからなる基板 51上に、予め厚さ lOOnmの酸化窒化シリコン膜をガスノリア膜 30として形成し、該ガスノリア膜 30上に実施例 1乃至 6と同様の透明導電膜 1を形成した。

得られた透明導電膜 1の仕事関数を、大気中光電子分光装置 (理研計器社製、 A C— 2)で測定した。膜の表面抵抗は、抵抗率計ロレスタ EP (ダイァインスツルメンッ社製 MCP— T360型）による四探針法で測定した。膜の表面粗さは、原子間力顕微鏡（デジタルインスツルメンッ社製、 NS-IIU D5000システム)で測定した。さらに、基板 51を含めた光透過率を、分光光度計（日立製作所社製、 U— 4000)で測定した。

[0031] 実施例 1乃至 3は、透明導電膜 20を、膜厚 150nmの In O -lwt%WO非晶質膜

2 3 3 とし、透明導電膜 10を、膜厚 10nmのガリウム,インジウムおよび酸素力もなる非晶質膜としてガリウム含有量を変化させた場合とした。また、実施例 4一 6は、透明導電性薄膜 10を、膜厚 10nm、ガリウム含有量を 50原子％のガリウム、インジウムおよび酸素からなる非晶質膜とし、透明導電性薄膜 20を、膜厚 150nmの In O 10wt%Sn

2 3

O非晶質膜、 In O— 10wt%ZnO非晶質膜、および In O -lwt%WO 0. 5wt%

2 2 3 2 3 3

ZnO非晶質膜の中から 1つを選択して組み合わせた場合とした。

[0032] さらに、実施例 7および 8は、透明導電性薄膜 10の膜厚を 5nm、ガリウム含有量を 5 0原子％とし、透明導電性薄膜 20を膜厚 150nmの In O -lwt%WO非晶質膜とし

2 3 3

た場合、および透明導電膜 1と基材の間にガスノリア膜 30を形成してある場合とした。実施例 1乃至 8の透明導電膜 1の仕事関数および表面抵抗値を表 1に示す。

[0033] 表 1

[0034] 実施例 1乃至 3

透明導電性薄膜 10は、膜厚 lOnmのガリウム,インジウムおよび酸素力もなる非晶質膜とし、組成をそれぞれ全金属原子に対するガリウム含有量 49. 1 50および 65 原子％の 3種類とした。透明導電性薄膜 20は、膜厚 150nmの In O -lwt%WO非

2 3 3 晶質膜とした。

実施例 1乃至 3からわ力るように、透明導電性薄膜 10のガリウム含有量を 49. 1乃至 65原子％の範囲にすれば、仕事関数 5. leV以上、表面抵抗 50 Ω Ζ口以下の透明導電膜 1が得られる。

[0035] 実施例 4乃至 6

透明導電性薄膜 10は、膜厚 lOnmのガリウム,インジウムおよび酸素力もなる非晶質膜とし、組成を全金属原子に対するガリウム含有量 50原子％の 1種類のみとした。透明導電性薄膜 20は、膜厚 150nmの In O 10wt%SnO非晶質膜、 In O lOw

2 3 2 2 3 t%ZnO非晶質膜、および In O -lwt%WO O. 5wt%ZnO非晶質膜の中から 1

2 3 3

種類の膜を選択した。

実施例 4乃至 6からわ力るように、膜厚 10nm、ガリウム含有量 50原子％の透明導電性薄膜 10と、膜厚 150nmの透明導電性薄膜 20を In O -10wt%SnO非晶質膜

2 3 2 In O—10wt%ZnO非晶質膜、および In O -lwt%WO O. 5wt%ZnO非晶質

2 3 2 3 3

膜の中から選択された 1種類の膜を組み合わせた場合に、仕事関数 5. leV以上、表面抵抗 50 ΩΖ口以下の透明導電膜 1が得られる。

[0036] 施例 7 透明導電性薄膜 10は、膜厚 5nmのガリウム,インジウムおよび酸素力もなる非晶質膜とし、組成を全金属原子に対するガリウム含有量 50原子％のみとした。透明導電性薄膜 20は、膜厚 150nmの In O -lwt%WO非晶質膜とした。

2 3 3

実施例 7からわかるように、透明導電性薄膜 10が 5nmまで薄くなつた場合でも、仕事関数 5. leV以上、表面抵抗 50 ΩΖ口以下の透明導電膜 1が得られる。

[0037] 実施例 8

透明導電性薄膜 10は、膜厚 lOnmのガリウム,インジウムおよび酸素力もなる非晶質膜とし、組成を全金属原子に対するガリウム含有量 50原子％のみとした。透明導電性薄膜 20は、膜厚 290nmの In O -lwt%WO非晶質膜とした。

2 3 3

実施例 8からわかるように、総膜厚が 300nmまで厚くなつた場合でも、仕事関数 5. leV以上、表面抵抗 50 ΩΖ口以下の透明導電膜 1が得られる。可視域の平均光透過率も 80%を超えており、視覚レベルでも着色に問題はな力つた。

[0038] 実飾 19

厚さ 200 μ mの PESフィルム基板上に、予め厚さ lOOnmの酸化窒化シリコン膜をガスノリア膜として形成し、該ガスノリア膜上に実施例 2と同一構造の透明導電膜 1 を形成した。

実施例 9から、基板にガスノリア膜 30を予め形成した榭脂フィルムを用いた場合でも、仕事関数 5. leV以上、表面抵抗 50 Ω Ζ口以下の透明導電膜 1が得られることがわカゝる。

[0039] 比較例 1乃至 5

実施例 1乃至 6と同様の構成の透明導電性基材を作製した。

比較例 1乃至 3を、透明導電性薄膜 20を膜厚 150nmの In O -lwt%WOの非晶

2 3 3 質膜とし、膜厚 10nmの透明導電性薄膜 10のガリウム含有量を変化させた場合とした。比較例 4及び 5を、透明導電性薄膜 10を膜厚 3nm、ガリウム含有量 50原子％とし、透明導電性薄膜 20を膜厚 150nmの In O -lwt%WO非晶質膜とした場合、お

2 3 3

よび透明導電性薄膜 10を膜厚 10nm、ガリウム含有量 50原子％とし、透明導電性薄膜 20を膜厚 300nmの In O 10wt%SnO非晶質膜とした場合とした。比較例 1乃

2 3 2

至 5の透明導電膜 1の仕事関数および表面抵抗値を表 2に示す。 [0040] 表 2

[0041] 比較例 1乃至 3においては、透明導電性薄膜 10は、膜厚 lOnmのガリウム,インジゥムおよび酸素からなる非晶質膜とし、組成をそれぞれ全金属原子に対するガリウム含有量 30 45および 70原子％の 3種類とした。透明導電性薄膜 20は、膜厚 150nm の In O -lwt%WO非晶質膜とした。

2 3 3

比較例 1乃至 3からわ力るように、透明導電性薄膜 10のガリウム含有量を 45原子％、さらには 30原子％まで低下させると、仕事関数は 5. OeVを下回るため、好ましくない。また比較例 3からわ力るように、透明導電膜 10のガリウム含有量を 70原子％まで高めると、導電性が失われるため、好ましくない。

[0042] 比較例 4においては、透明導電性薄膜 10は、膜厚 5nmのガリウム,インジウムおよび酸素からなる非晶質膜とし、組成を全金属原子に対するガリウム含有量 50原子％のみとした。透明導電性薄膜 20は、膜厚 150nmの In O -lwt%WO非晶質膜とし

2 3 3

た。

比較例 4からわ力るように、透明導電性薄膜 10の膜厚を 3nmまで薄くすると、仕事関数は 5. OeVを下回るため、好ましくない。

[0043] 比較例 5においては、透明導電性薄膜 10は、膜厚 50nmのガリウム,インジウムおよび酸素からなる非晶質膜とし、組成を全金属原子に対するガリウム含有量 50原子％のみとした。透明導電性薄膜 20は、膜厚 300nmの In O -10wt%SnO非晶質膜と

2 3 2 した。

比較例 5からわ力るように、透明導電性薄膜 10の膜厚を 50nm、透明導電性薄膜 2 0の膜厚を 300nm、すなわち積層膜の膜厚を 350nmまで厚くした場合、 5. leV以上の仕事関数ならびに 50 ΩΖ口を十分下回る良好な導電性を得ることができる。し力、目視レベルでも膜の着色が認められ、透明性が損なわれていることから、有機 ELなどに用いる透明電極には好ましくない。

産業上の利用可能性

本発明の透明導電膜は、特に、有機 EL素子等の陽極として用いた場合、正孔注入が行われやすくなり、その結果、有機 EL素子等の発光効率を向上させることができ、有用である。

また、本発明の透明導電性基材は、ガラス基板や石英基板だけでなぐ耐熱性のない榭脂基板、さらにはフレキシブルな榭脂フィルム基板上に、必要に応じてガスバリア膜を形成した後、本発明の上記透明導電膜を形成することによって得られる。したがって、如何なるデバイスの形状や形態に対しても、榭脂フィルム基板を用いたフレキシブルな透明有機 EL素子等の基材として利用することができ、工業的に極めて価値が高い。

Claims

請求の範囲

[1] 積層された少なくとも 2層の透明導電性薄膜からなり、最上層の前記透明導電性薄膜が、ガリウム,インジウムおよび酸素力なる非晶質酸ィ匕物薄膜であり、ガリウムを全金属原子に対して 49. 1原子％以上 65原子％以下含有し、かつ、仕事関数が 5. le V以上であり、 100 ΩΖ口以下の表面抵抗を有する透明導電膜。

[2] 積層された少なくとも 2層の透明導電性薄膜からなり、最上層の前記透明導電性薄膜が、ガリウム,インジウムおよび酸素力なる非晶質酸ィ匕物薄膜であり、ガリウムを全金属原子に対して 49. 1原子％以上 65原子％以下含有し、かつ、仕事関数が 5. le V以上であり、 50 ΩΖ口以下の表面抵抗を有する透明導電膜。

[3] 最上層以外の前記透明導電性薄膜が、インジウム,錫および酸素からなる非晶質酸化物薄膜、インジウム,亜鉛および酸素からなる非晶質酸ィ匕物薄膜、インジウム,タンダステンおよび酸素力なる非晶質酸ィ匕物薄膜、またはインジウム,タングステン,亜鉛および酸素力なる非晶質酸ィ匕物薄膜のいずれか 1つ以上力なる請求項 1または 2に記載の透明導電膜。

[4] 最上層の前記透明導電性薄膜の膜厚が 5nm以上であり、かつ、前記透明導電膜の総膜厚が 300nm以下である請求項 1乃至 3のいずれかに記載の透明導電膜。

[5] 最上層の前記透明導電性薄膜の表面の算術平均高さ (Ra)が 2. Onm以下である請求項 1乃至 4のいずれかに記載の透明導電膜。

[6] 透明基板と、前記透明基板の片面若しくは両面上に形成された請求項 1乃至 5のいずれかに記載の透明導電膜とを含み、前記透明基板が、ガラス板、石英板、片面若しくは両面がガスノリア膜で覆われた榭脂板若しくは榭脂フィルム、または、内部にガスノリア膜が挿入されて、る榭脂板若しくは榭脂フィルムの、ずれかである透明導電性基材。

[7] 前記ガスノリア膜が、酸ィ匕シリコン膜、酸ィ匕窒化シリコン膜、アルミニウム酸マグネシゥム膜、酸化スズ系膜およびダイヤモンド状カーボン膜の中から選ばれる少なくとも 1 つである請求項 6に記載の透明導電性基材。

[8] 前記榭脂板もしくは榭脂フィルム力ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリカーボネート、若しくはこれらの表面をアクリル系有機物で覆つた積層構造体からなっている請求項 6に記載の透明導電性基材。