WO2004093204A1 - 反射型発光ダイオード - Google Patents

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lead
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emitting diode
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Shigeru Yamazaki
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Tabuchi Electric Co., Ltd.
Opto-Device Co., Ltd.
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    • H01L33/647—Heat extraction or cooling elements the elements conducting electric current to or from the semiconductor body

Definitions

  • the present invention relates to a surface-mounted reflective light-emitting diode mounted on a surface of a printed circuit board or the like.
  • the present invention relates to a reflection type light emitting diode which has improved temperature characteristics without impairing the radiation efficiency of the reflection type light emitting diode and can be surface-mounted on a printed circuit board with high accuracy.
  • This conventional surface-mounted light-emitting diode includes a light-emitting element 41, a resin substrate 42, and a transparent mold resin part 43.
  • circuit patterns 47a and 47b are formed by etching on the surface of a double-sided printed circuit board having conductive foil on both sides of the board, and similarly on the backside.
  • the anode 46 b and the power source 46 a of the light emitting element are formed by an etching method or the like.
  • side connection conductors 48a and 48b for electrically connecting the front and back of the conductor foil are formed on the cut side surfaces by electroless silver plating or the like.
  • One end of the light emitting element 41 is adhered to the circuit pattern 47 a of the resin substrate 42 formed in this manner with a conductive adhesive 44, and the other end of the light emitting element 41 is connected with a gold wire 45. Electrically connect to circuit pattern 4 7 b.
  • FIG. 6 shows a reflective light-emitting diode manufactured using a lead frame without using the above-described resin substrate.
  • FIG. 6 highlights the basic structure of the reflective light-emitting diode disclosed in JP-A-111-163411 and JP-A-07-211940.
  • the reflective light emitting diode in FIG. 6 is manufactured by the following process.
  • one end of the light emitting element 51 is attached to one of the pair of leads 56 a and 56 b removed by etching or a mold using, for example, the conductive adhesive 52.
  • the other end of the light emitting element 51 is electrically connected to a lead 56b using a gold wire 53, and leads 56a, 56 on which the light emitting element 51 is mounted are further connected. It is manufactured by mounting the light emitting element 51 on the concave case 55 so that it faces downward, and then filling the concave portion 57 of the concave case 55 with the transparent resin 54.
  • the light emitted from the light-emitting element is always reflected by a rear reflecting surface and then emitted to the outside.
  • the width of the lead that hinders the optical path is made as narrow as possible. You need to be. Therefore, in order to obtain a device having good reflection efficiency, it is necessary to reduce the width of the lead, and in that case, it is difficult to sufficiently radiate the heat generated from the light emitting element to the outside via the lead. As a result, the thermal resistance of the lead becomes high, so that the temperature of the light emitting element becomes high, the life of the reflection type light emitting diode is shortened, and the temperature characteristics are poor, and the output decreases with time.
  • the present invention relates to a reflective light emitting diode having a reflecting surface for reflecting light emitted from a light emitting element and radiating the light to the outside, wherein the reflective light emitting diode has a concave reflection inside.
  • a concave case having a surface and a groove in a peripheral wall portion; a pair of lead structures including a narrow lead portion and a wide lead portion; and a pair of lead structures mounted on the narrow lead portion of the lead structure.
  • the lead structure has a narrow lead portion fitted into the groove of the concave case.
  • the narrow lead portion of the lead structure is bent along the outer surface of the concave case outside the groove of the concave case.
  • the wide lead portion bent along the outer surface of the concave case is bent inward at the bottom of the concave case, and the bent portion constitutes a mounting terminal. As described above, since the wide lead portion is used as a terminal at the time of mounting, the surface mounting position accuracy can be increased and the inclination of the light emitting diode can be prevented.
  • FIG. 1 is a diagram for explaining a pair of lead structures and a light emitting element mounted thereon according to the present invention.
  • FIG. 2 is a view for explaining a concave case for fixing a lead structure of the present invention on which a light emitting element is mounted.
  • FIG. 3 is a view for explaining a state in which the lead structure of the present invention on which a light emitting element is mounted is mounted on a concave case.
  • FIG. 4 is a diagram for explaining a state in which a pair of lead structures according to the present invention on which a light emitting element is mounted are mounted on a concave case and bent outside the concave case.
  • Fig. 5 is a diagram showing the structure of a conventional surface-mounted light-emitting diode using a substrate.
  • Fig. 6 is a diagram for explaining a state in which a conventional lead structure mounting a light-emitting element is attached to a concave case. .
  • FIG. 7 is a view for explaining a state in which a conventional lead structure on which a light emitting element is mounted is attached to a concave case and bent outside the concave case.
  • FIG. 1 is a diagram for explaining a lead structure and a light emitting element mounted thereon according to the present invention.
  • a pair of lead structures according to the present invention is composed of wide lead portions 18a and 18b and narrow lead portions 12a and 12b in which the widths of the ends are narrowed.
  • One end of the light emitting element 11 is fixed using a conductive resin 14 to a light emitting element mounting round portion provided on the narrow lead portion 12a.
  • the other end of the light emitting element 11 is electrically connected to the narrow lead portion 12 b using the gold wire 13.
  • FIG. 2 is a view for explaining a concave case for fixing the lead structure of the present invention.
  • FIG. 2A is an overall perspective view of the concave case
  • FIG. 2B is a side view of the concave case.
  • Aluminum or silver is vapor-deposited or a plating layer is formed on the reflection surface 15 of the concave case 22.
  • a pair of grooves 17 a and 17 b for fitting the lead structure are formed opposite to each other on a wall constituting the periphery of the concave case 22.
  • FIG. 3 is a view for explaining a state in which the lead structure of the present invention on which a light emitting element is mounted is mounted on a concave case. In FIG. 1, the lead structure on which the light emitting element 11 is mounted is shown.
  • the narrow lead portions 12a and 12b are fitted into the grooves 17a and 17b of the concave case 22 with the upside down.
  • the lead structure forms narrow lead portions 12 a and 12 b having a small width inside the concave case 22, and a wide wide lead portion 1 outside the concave case 22.
  • Construct 8a and 18b are filled with a high-viscosity transparent epoxy resin containing a curing catalyst up to the edge surface of the concave case 22.
  • the transparent epoxy resin is cured in an atmosphere furnace, and the narrow lead portions 12 a and 12 b are integrated with the concave case 22. As shown in FIG.
  • the narrow lead portions 12a and 12b integrated with the concave case 22 in this way are outside the grooves 17a and 17b at both ends of the concave case 22 as shown in FIG. It is bent along the outer surface of the concave case 22 and further bent at the bottom of the concave case 22 to the back surface of the concave case 22 to complete a surface-mounted light emitting diode.
  • the lead width is narrow, the thermal resistance is high, and it is difficult to increase the output.
  • the inside of the concave case 22 is An extremely excellent reflection type light emitting diode with high surface mounting accuracy, which can reduce the lead width that hinders the emitted light as much as possible and can reduce the thermal resistance by increasing the lead width outside the concave case 22 Is obtained. Further, since the narrow lead portions 12a and 12b are bent outside the concave case 22, the bending is facilitated and the bending stress can be reduced, so that the concave case 22 is not broken.

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Abstract

　発光素子（１１）が発する光を反射して外部に放射する反射面を有する反射型発光ダイオードにおいて、内部に凹面形状の反射面（１５）を有し、周囲の壁部に溝（１７）を有する凹状ケース（２２）と、狭幅リード部（１２）と広幅リード部（１８）とから構成される一対のリード構造と、前記リード構造の狭幅リード部（１２）に搭載された発光素子（１１）とから構成され、前記リード構造は、狭幅リード部（１２）が凹状ケース（２２）の溝（１７）に嵌合される。このような構成とすることによって、発光素子（１１）で発生した熱が広幅リード部（１８）を通じて外部に逃げるので、反射型発光ダイオードの熱抵抗を低減させることができ、信頼性の向上及び高出力化を可能にする。また、広幅リード部（１８）を実装時の端子として用いるので、表面実装精度を高くし、発光ダイオードの傾きを防止することができる。

Description

明 細 書 反射型発光ダイォード 技術分野
本発明は、 プリント回路基板などの表面に実装される表面実装型反射型発光ダ ィオードに関するものである。 特に反射型発光ダイォ一ドの放射効率を損なうこ となく、 温度特性を改善し、 かつプリント回路基板に対して精度よく表面実装で きる反射型発光ダイォ一ドに関するものである。 背景技術
従来、 図 5に示す表面実装型発光ダイオードが良く知られている。 この従来の 表面実装型発光ダイォードは、 発光素子 4 1 と樹脂基板 4 2と透明モールド樹脂 部 4 3からなる。 前記樹脂基板 4 2を形成するに当たっては、 基板の表裏両面に 導体箔を有する両面プリント基板の表面に対して、 エッチング法によって回路パ ターン 4 7 a、 4 7 bを形成し、 同様に裏面に対しても発光素子のアノード 4 6 b、 力ソード 4 6 aをエッチング法等によって形成する。 その後、 切断された側 面に無電解銀メツキなどによって導体箔の表裏を電気的に接続する側面接続導体 4 8 a , 4 8 bを形成する。 このようにして形成された樹脂基板 4 2の回路パターン 4 7 a上に発光素子 4 1の一端を導電性接着剤 4 4によって接着し、 発光素子 4 1の他端を金線 4 5に よって回路パターン 4 7 bに電気的に接続する。 このようにして発光素子 4 1が 搭載された樹脂基板 4 2を透明樹脂 4 3で覆うことによって表面実装型発光ダイ ォードを得ている。 しかしながら、 前者の樹脂基板を用いた方法においては、 樹脂基板上に形成さ れた金属箔からなる回路パターンでは、 金属箔が薄いので発光素子で発生した熱 を充分に外部へ放散させることができない。 このために、 高出力化、 大電流動作 や高信頼性を得るには実用上問題があり、 発光素子からの放射が全方向に拡散さ れるので、 発生された光を効率よく利用できない欠点があった。 一方、 前記のような樹脂基板を用いないでリードフレームを用いて製造される 反射型発光ダイォードを図 6に示す。 図 6は、 特開平 1 1 一 1 6 3 4 1 1号およ び特開平 0 7— 2 1 1 9 4 0号に開示される反射型発光ダイオードの基本構造部 分を強調して描いた図である。 図 6における反射型発光ダイオードは、 次のような過程で製造される。 すなわ ち、 エッチングまたは金型によって抜かれた一対のリード 5 6 a， 5 6 bの一方 、 たとえば、 リード 5 6 aに発光素子 5 1の一端を導電性接着剤 5 2を用いて接 着し、 次に、 発光素子 5 1の他端をリ一ド 5 6 bに金線 5 3を用いて電気的に接 続し、 さらに、 発光素子 5 1を搭載したリード 5 6 a， 5 6 を発光素子 5 1が 下向きになるようにして凹状ケース 5 5に取り付け、 その後、 透明樹脂 5 4を凹 状ケース 5 5の凹面部 5 7に充填することによって製造される。 このような反射型発光ダイォードにおいては、 発光素子から放射された光はい つたん後方にある反射面で反射した後に外部へ放射されるために、 光路の妨げに なるリードの幅をなるベく狭くするようにする必要がある。 このために反射効率 の良いものを得るためには、 リードの幅を狭くする必要があり、 その場合には発 光素子から発生した熱をリードを介して充分に外部へ放散させることが難しい。 その結果リードの熱抵抗が高くなるので発光素子が高温度になり、 反射型発光ダ ィオードの寿命が短くなり、 また温度特性が悪く時間が経つにつれて出力が低下 するなどの問題があった。 本発明の目的は表面実装型の反射型発光ダイォードにおいてその光学的特性を 損なうことなく発光素子から発生した熱を効率よく積極的に外部へ放散させるこ とによって信頼性の高い且つ温度特性に優れた表面実装型反射型発光ダイォード を提供することにある。 発明の開示
上記課題を解決するために、 本発明は、 発光素子が発する光を反射して外部に 放射する反射面を有する反射型発光ダイォードにおいて、 この反射型発光ダイォ —ドは、 内部に凹面形状の反射面を有し、 周囲の壁部に溝を有する凹状ケースと 、 狭幅リード部と広幅リード部とから構成される一対のリード構造と、 前記り一 ド構造の狭幅リード部に搭載された発光素子とから構成され、 前記リード構造は 、 狭幅リ一ド部が前記の凹状ケースの溝に嵌合される。
このような構成とすることによって、 発光素子で発生した熱は広幅リード部を 通じて外部に逃げるので、 反射型発光ダイォ一ドの熱抵抗を低減させることがで き、 反射型発光ダイォードの信頼性の向上及び高出力化を可能にする。 好ましくは、 凹状ケースの溝の外部で前記のリ一ド構造の狭幅リ一ド部が前記 の凹状ケースの外面に沿って折り曲げられる。
凹状ケースの外で狭幅リード部を曲げるので、 曲げ加工が容易となり、 かつ曲 げ応力を最小限にでき、 その結果折り曲げによる発光素子へのダメージを最小限 に押さえることができ、 信頼性を損なうことはない。 さらに、 好ましくは、 前記で凹状ケースの外面に沿って折り曲げられた広幅リ ―ド部は凹状ケースの底部で内部に向かって折り曲げられ、 その折り曲げ部分に よって実装用端子が構成される。 このように、 広幅リード部は実装時の端子とし て用いられるので、 表面実装位置精度を高く し、 発光ダイオードの傾きを防止す ることができる。 図面の簡単な説明
図 1は、 本発明における一対のリ一ド構造とその上に実装される発光素子とを 説明するための図である。
図 2は、 発光素子を搭載した本発明のリ一ド構造を固定するための凹状ケース を説明するための図である。 図 3は、 発光素子を搭載した本発明のリ一ド構造を凹状ケースに取り付けた状 態を説明するための図である。
図 4は、 発光素子を搭載した本発明の一対のリ一ド構造を凹状ケースに取り付 け、 凹状ケースの外部で折り曲げた状態を説明するための図である。
図 5は、 基板を用いた従来の表面実装型発光ダイォードの構造を示す図である 図 6は、 発光素子を搭載した従来のリード構造を凹状ケースに取り付けた状態 を説明するための図である。
図 7は、 発光素子を搭載した従来のリード構造を凹状ケースに取り付け、 凹状 ケースの外部で折り曲げた状態を説明するための図である。 発明を実施するための最良の形態
以下、 本発明を、 図 1〜図 4を用いて説明する。 図 1は、 本発明におけるリー ド構造とその上に実装される発光素子を説明するための図である。 図 1 において 、 本発明の一対のリ一ド構造は、 広幅リード部 1 8 a、 1 8 bおよびその先端の 幅が狭くなつた狭幅リ一ド部 1 2 a、 1 2 bから構成される。 発光素子 1 1の一 端は、 狭幅リード部 1 2 a上に設けられた発光素子搭載用ラウンドの部位に導電 性樹脂 1 4を用いて固定される。 一方、 発光素子 1 1の他端は、 金線 1 3を用い て狭幅リ一ド部 1 2 bと電気的に接続される。 図 2は、 本発明のリード構造を固定するための凹状ケースを説明するための図 である。 図 2 ( a ) は、 凹状ケースの全体斜視図であり、 図 2 ( b ) は凹状ケ一 スの側面図である。 凹状ケース 2 2の反射面 1 5にはアルミニウムもしくは銀が 蒸着されまたはメツキ層が形成されている。 凹状ケース 2 2の周囲を構成する壁 部には、 前記リード構造を嵌合するための一対の溝 1 7 a , 1 7 bが対向して形 成される。 図 3は、 発光素子を搭載した本発明のリ一ド構造を凹状ケースに取り付けた状 態を説明するための図である。 図 1において、 発光素子 1 1を搭載したリード構 造は、 上下を逆さまにして、 狭幅リード部 1 2 a、 1 2 b部が、 それぞれ凹状ケ ース 2 2の溝 1 7 a、 1 7 bに嵌合される。 このとき、 リード構造は、 凹状ケ一 ス 2 2内部においては幅が狭い狭幅リード部 1 2 a、 1 2 bを構成し、 凹状ケ一 ス 2 2の外部では幅が広い広幅リード部 1 8 a、 1 8 bを構成する。 次に、 この発光素子 1 1 と反射面 1 5との間の隙間に硬化触媒を含む高粘度の 透明エポキシ樹脂を凹状ケース 2 2の縁面まで充填させた後に、 8 0〜 1 0 5 の雰囲気炉で透明エポキシ樹脂を硬化させ、 狭幅リード部 1 2 a、 1 2 bを凹状 ケース 2 2と一体化する。 このようにして凹状ケース 2 2と一体化された狭幅リード部 1 2 a、 1 2 bを それぞれ図 4に示すように凹状ケース 2 2の両端の溝 1 7 a, 1 7 bの外部で凹 状ケース 2 2の外面に沿うように曲げ、 さらに、 凹状ケース 2 2の底部で凹状ケ ース 2 2の裏面に曲げて表面実装型発光ダイォードが完成する。 従来の反射型発光ダイォ一ドにおいてはリ一ド幅が狭く熱抵抗が高く高出力化 が難しいものであつたが、 本発明では、 上述のように、 凹状ケース 2 2の内部に おいては放射光の妨げになるリ一ド幅を極力小さくでき、 かつ凹状ケース 2 2の 外部ではリード幅を広くすることによって熱抵抗を低減でき、 かつ表面実装精度 の高い極めて優れた反射型発光ダイォ一ドが得られる。 また、 凹状ケース 2 2の外で狭幅リード部 1 2 a、 1 2 bを曲げるので曲げ加 ェが容易なり、 曲げ応力が小さくできるので、 凹状ケース 2 2を破壊することが ない。

Claims

請 求 の 範 囲
1 . 発光素子が発する光を反射して外部に放射する反射面を有する反射型発光 ダイォ一ドにおいて、
内部に凹面形状の反射面を有し、 周囲の壁部に溝を有する凹状ケースと、 狭幅リード部と広幅リード部とから構成される一対のリード構造と、 前記リード構造の狭幅リード部に搭載された発光素子とから構成され、 前記リード構造は、 狭幅リード部が前記の凹状ケースの溝に嵌合されることを 特徴とする反射型発光ダイォ一ド。
2 . 凹状ケースの溝の外部で前記のリ一ド構造の狭幅リード部が前記の凹状ケ ースの外面に沿って折り曲げられること特徴とする請求項 1記載の反射型発光ダ ィオード。
3 . 前記で凹状ケースの外面に沿って折り曲げられた広幅リ一ド部は凹状ケース の底部で内部に向かって折り曲げられ、 その折り曲げ部分によって実装用端子が 構成されること特徴とする請求項 2記載の反射型発光ダイォード。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7420216B2 (en) 2003-04-16 2008-09-02 Pearl Lamp Works, Ltd. Reflection type light-emitting diode device
JP2009026840A (ja) * 2007-07-18 2009-02-05 C I Kasei Co Ltd 発光装置および発光装置の作製方法
WO2009078264A1 (ja) * 2007-12-18 2009-06-25 Pearl Lighting Co., Ltd. 反射型発光ダイオード
WO2009145056A1 (ja) * 2008-05-29 2009-12-03 株式会社 パールライティング 反射型発光ダイオード
JP2015220426A (ja) * 2014-05-21 2015-12-07 日亜化学工業株式会社 発光装置

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4438842B2 (ja) * 2007-08-31 2010-03-24 セイコーエプソン株式会社 半導体発光素子のための駆動回路およびこれを用いた光源装置、照明装置、モニタ装置、画像表示装置
KR101630479B1 (ko) 2009-03-16 2016-06-14 도시바 라이텍쿠 가부시키가이샤 반사형 발광 다이오드 및 반사형 발광 다이오드 발광 장치
CN101771129B (zh) * 2010-01-29 2012-11-07 王海军 反射式大功率led封装结构
CN103137823B (zh) * 2011-11-24 2015-10-07 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管及应用该发光二极管的直下式背光源

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63191647U (ja) * 1987-05-29 1988-12-09
EP0933823A2 (de) * 1998-01-30 1999-08-04 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Ausdehnungskompensiertes optoelektronisches Halbleiter-Bauelement, insbesondere UV-emittierende Leuchtdiode und Verfahren zu seiner Herstellung
JP2001185760A (ja) * 1999-12-27 2001-07-06 Iwasaki Electric Co Ltd 発光ダイオード及びその製造方法
JP2002033523A (ja) * 2000-07-18 2002-01-31 Toshiba Electronic Engineering Corp 半導体発光装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63191647A (ja) 1987-02-04 1988-08-09 Canon Inc インクジエツト記録ヘツド
JPH069158A (ja) 1992-06-26 1994-01-18 Canon Inc 画像形成装置
DE4311530A1 (de) * 1992-10-02 1994-04-07 Telefunken Microelectron Optoelektronisches Bauelement mit engem Öffnungswinkel
JPH07211940A (ja) 1994-01-21 1995-08-11 Rohm Co Ltd 平面発光型ｌｅｄ発光装置及びその製造方法
JP3856250B2 (ja) 1997-04-23 2006-12-13 シチズン電子株式会社 Ｓｍｄ型ｌｅｄ
JP3618534B2 (ja) 1997-11-28 2005-02-09 同和鉱業株式会社 光通信用ランプ装置とその製造方法
JP2002299693A (ja) 2001-04-04 2002-10-11 Nippon Computer Network Kk 発光ダイオード及び製造方法
CN1204632C (zh) * 2001-09-28 2005-06-01 李贞勋 白色发光二极管的制造方法
CN100394618C (zh) 2003-04-16 2008-06-11 株式会社珍珠电球制作所 反射型发光二极管

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63191647U (ja) * 1987-05-29 1988-12-09
EP0933823A2 (de) * 1998-01-30 1999-08-04 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Ausdehnungskompensiertes optoelektronisches Halbleiter-Bauelement, insbesondere UV-emittierende Leuchtdiode und Verfahren zu seiner Herstellung
JP2001185760A (ja) * 1999-12-27 2001-07-06 Iwasaki Electric Co Ltd 発光ダイオード及びその製造方法
JP2002033523A (ja) * 2000-07-18 2002-01-31 Toshiba Electronic Engineering Corp 半導体発光装置

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7420216B2 (en) 2003-04-16 2008-09-02 Pearl Lamp Works, Ltd. Reflection type light-emitting diode device
JP2009026840A (ja) * 2007-07-18 2009-02-05 C I Kasei Co Ltd 発光装置および発光装置の作製方法
WO2009078264A1 (ja) * 2007-12-18 2009-06-25 Pearl Lighting Co., Ltd. 反射型発光ダイオード
WO2009145056A1 (ja) * 2008-05-29 2009-12-03 株式会社 パールライティング 反射型発光ダイオード
JP2015220426A (ja) * 2014-05-21 2015-12-07 日亜化学工業株式会社 発光装置

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