JP2002204135A - 高周波低域通過フィルタ - Google Patents
高周波低域通過フィルタInfo
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/01—Frequency selective two-port networks
- H03H7/17—Structural details of sub-circuits of frequency selective networks
- H03H7/1741—Comprising typical LC combinations, irrespective of presence and location of additional resistors
- H03H7/1758—Series LC in shunt or branch path
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/01—Frequency selective two-port networks
- H03H7/0115—Frequency selective two-port networks comprising only inductors and capacitors
-
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
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- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/01—Frequency selective two-port networks
- H03H7/17—Structural details of sub-circuits of frequency selective networks
- H03H7/1741—Comprising typical LC combinations, irrespective of presence and location of additional resistors
- H03H7/1766—Parallel LC in series path
-
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- H03H7/46—Networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Filters And Equalizers (AREA)
- Transceivers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高周波高域通過フィルタ（ＨＰＦ）もしくは
高周波帯域通過フィルタ（ＢＰＦ）とＬＰＦを組合せ、
さらにわずか１個のダイオードのみで構成することによ
り、小型で、低コスト、低損失高性能なＬＰＦを実現す
ることを目的とする。 【解決手段】 入出力部を有する高周波高域通過フィル
タと、入出力部を有する第一の高周波低域通過フィルタ
を具備し、前記高周波高域通過フィルタの入力部と前記
第一の高周波低域通過フィルタの入力部が接続されて入
力端子とされ、前記高周波高域通過フィルタの出力端子
と前記第一の高周波低域通過フィルタの出力部が接続さ
れて出力端子とされ、前記高周波高域通過フィルタの通
過帯域を阻止帯域にするためのスイッチ回路を具備した
ことを特徴とする高周波低域通過フィルタ。
高周波帯域通過フィルタ（ＢＰＦ）とＬＰＦを組合せ、
さらにわずか１個のダイオードのみで構成することによ
り、小型で、低コスト、低損失高性能なＬＰＦを実現す
ることを目的とする。 【解決手段】 入出力部を有する高周波高域通過フィル
タと、入出力部を有する第一の高周波低域通過フィルタ
を具備し、前記高周波高域通過フィルタの入力部と前記
第一の高周波低域通過フィルタの入力部が接続されて入
力端子とされ、前記高周波高域通過フィルタの出力端子
と前記第一の高周波低域通過フィルタの出力部が接続さ
れて出力端子とされ、前記高周波高域通過フィルタの通
過帯域を阻止帯域にするためのスイッチ回路を具備した
ことを特徴とする高周波低域通過フィルタ。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、携帯電話などの移
動体通信機器に用いることのできる高周波低域通過フィ
ルタに関するものである。
動体通信機器に用いることのできる高周波低域通過フィ
ルタに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、携帯電話用部品にはますます小型
化、低コスト化の要望が大きくなっている。
化、低コスト化の要望が大きくなっている。
【０００３】図１１は欧州を中心に世界的に普及が進ん
でいるＧＳＭ（送信８８０−９１５ＭＨｚ、受信９２５
−９６０ＭＨｚ）／ＤＣＳ（送信１７１０−１７８５Ｍ
Ｈｚ、受信１８０５−１８８０ＭＨｚ）のデュアルバン
ド携帯電話のアンテナフロントエンド部の回路ブロック
を示している。図１１において、１０１はアンテナ端
子、１０２は送信端子、１０３および１０４は受信端
子、１０５はパワーアンプ（ＰＡ）、１０６は高調波除
去用の高周波低域通過フィルタ（ＬＰＦ）、１０７は送
受切り替えスイッチ、１０８はダイプレクサ、１０９お
よび１１０はそれぞれＧＳＭ，ＤＣＳ帯域の受信フィル
タである。
でいるＧＳＭ（送信８８０−９１５ＭＨｚ、受信９２５
−９６０ＭＨｚ）／ＤＣＳ（送信１７１０−１７８５Ｍ
Ｈｚ、受信１８０５−１８８０ＭＨｚ）のデュアルバン
ド携帯電話のアンテナフロントエンド部の回路ブロック
を示している。図１１において、１０１はアンテナ端
子、１０２は送信端子、１０３および１０４は受信端
子、１０５はパワーアンプ（ＰＡ）、１０６は高調波除
去用の高周波低域通過フィルタ（ＬＰＦ）、１０７は送
受切り替えスイッチ、１０８はダイプレクサ、１０９お
よび１１０はそれぞれＧＳＭ，ＤＣＳ帯域の受信フィル
タである。
【０００４】部品点数を削減するためにＰＡはデュアル
バンド対応とし、ＧＳＭ，ＤＣＳ送信を一つのＰＡで賄
う構成が主流となりつつある。このような構成で問題と
なるのが、ＰＡからの高調波成分である。これを除去す
るためにＬＰＦが必要となるが、ＧＳＭの２倍高調波が
ＤＣＳの送信帯域と重なるため、ＬＰＦ１０６は帯域を
切り替えることが必要となる。
バンド対応とし、ＧＳＭ，ＤＣＳ送信を一つのＰＡで賄
う構成が主流となりつつある。このような構成で問題と
なるのが、ＰＡからの高調波成分である。これを除去す
るためにＬＰＦが必要となるが、ＧＳＭの２倍高調波が
ＤＣＳの送信帯域と重なるため、ＬＰＦ１０６は帯域を
切り替えることが必要となる。
【０００５】このため従来のＬＰＦは、図１２に示す構
成がとられている。図１２において、１１１，１１２は
入出力端子、１１３は制御端子、１１４から１１７はコ
ンデンサ、１１８，１１９はインダクタ、１２０はダイ
オード、１２１はチョークコイル、１２２は高周波帯で
はショートとなるＤＣカット用コンデンサである。ここ
で、ダイオード１２０を用いてＬＰＦのカットオフ周波
数を変化させて通過帯域を可変している。すなわち、同
図では制御端子１１３（ａ）をＨＩ、制御端子１１３
（ｂ）をＬＯにして、ダイオード１２０（ａ）をＯＮ、
ダイオード１２０（ｂ）をＯＦＦにした場合にコンデン
サ１１５，１１７が短絡され、カットオフ周波数を低く
する。また、制御端子１１３（ａ）をＬＯ、制御端子１
１３（ｂ）をＨＩにして、ダイオード１２０（ａ）をＯ
ＦＦ、ダイオード１２０（ｂ）をＯＮにした場合にイン
ダクタ１１９が短絡され、カットオフ周波数を高くす
る。
成がとられている。図１２において、１１１，１１２は
入出力端子、１１３は制御端子、１１４から１１７はコ
ンデンサ、１１８，１１９はインダクタ、１２０はダイ
オード、１２１はチョークコイル、１２２は高周波帯で
はショートとなるＤＣカット用コンデンサである。ここ
で、ダイオード１２０を用いてＬＰＦのカットオフ周波
数を変化させて通過帯域を可変している。すなわち、同
図では制御端子１１３（ａ）をＨＩ、制御端子１１３
（ｂ）をＬＯにして、ダイオード１２０（ａ）をＯＮ、
ダイオード１２０（ｂ）をＯＦＦにした場合にコンデン
サ１１５，１１７が短絡され、カットオフ周波数を低く
する。また、制御端子１１３（ａ）をＬＯ、制御端子１
１３（ｂ）をＨＩにして、ダイオード１２０（ａ）をＯ
ＦＦ、ダイオード１２０（ｂ）をＯＮにした場合にイン
ダクタ１１９が短絡され、カットオフ周波数を高くす
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
従来の構成によれば、ダイオードが３つも必要であり、
小型低コストが困難であった。さらに、高周波特性には
不利なダイオードが多数含まれることにより、挿入損失
の増加を招いていた。挿入損失の増加は、携帯電話の電
池寿命に大きく響き、電池寿命の短命化を招く。また、
制御系のコントロールもかなり複雑であり、これによっ
ても製造上の困難度が増していた。
従来の構成によれば、ダイオードが３つも必要であり、
小型低コストが困難であった。さらに、高周波特性には
不利なダイオードが多数含まれることにより、挿入損失
の増加を招いていた。挿入損失の増加は、携帯電話の電
池寿命に大きく響き、電池寿命の短命化を招く。また、
制御系のコントロールもかなり複雑であり、これによっ
ても製造上の困難度が増していた。
【０００７】本発明は、以上の課題に鑑み、高周波高域
通過フィルタ（ＨＰＦ）もしくは高周波帯域通過フィル
タ（ＢＰＦ）とＬＰＦを組合せ、さらにわずか１個のダ
イオードのみで構成されるため、小型で、低コスト、低
損失高性能なＬＰＦを供給することを目的とする。
通過フィルタ（ＨＰＦ）もしくは高周波帯域通過フィル
タ（ＢＰＦ）とＬＰＦを組合せ、さらにわずか１個のダ
イオードのみで構成されるため、小型で、低コスト、低
損失高性能なＬＰＦを供給することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】そしてこの課題を解決す
るために本発明は、入出力部を有する高周波高域通過フ
ィルタと、入出力部を有する第一の高周波低域通過フィ
ルタを具備し、前記高周波高域通過フィルタの入力部と
前記第一の高周波低域通過フィルタの入力部が接続され
て入力端子とされ、前記高周波高域通過フィルタの出力
端子と前記第一の高周波低域通過フィルタの出力部が接
続されて出力端子とされ、前記高周波高域通過フィルタ
の通過帯域を阻止帯域にするためのスイッチ回路を具備
したことを特徴とする高周波低域通過フィルタであり、
これにより所期の目的を達成するものである。
るために本発明は、入出力部を有する高周波高域通過フ
ィルタと、入出力部を有する第一の高周波低域通過フィ
ルタを具備し、前記高周波高域通過フィルタの入力部と
前記第一の高周波低域通過フィルタの入力部が接続され
て入力端子とされ、前記高周波高域通過フィルタの出力
端子と前記第一の高周波低域通過フィルタの出力部が接
続されて出力端子とされ、前記高周波高域通過フィルタ
の通過帯域を阻止帯域にするためのスイッチ回路を具備
したことを特徴とする高周波低域通過フィルタであり、
これにより所期の目的を達成するものである。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施の形態につ
いて図面を参照しながら説明する。
いて図面を参照しながら説明する。
【００１０】図１は、本発明の一実施の形態における高
周波低域通過フィルタ（ＬＰＦ）の回路ブロックであ
る。図１において、１，２は入出力端子、３はＨＰＦ、
４はＬＰＦである。ＨＰＦ３とＬＰＦ４により、たとえ
ばＧＳＭ（送信８８０−９１５ＭＨｚ）とＤＣＳ（送信
１７１０−１７８５ＭＨｚ）とのデュアルバンド携帯電
話の高調波除去フィルタへの応用を考えた場合、ＧＳＭ
送信波はＬＰＦ４、ＤＣＳ送信波はＨＰＦ３を通過出来
るようになっている。ここで、ＧＳＭ送信時には、その
高調波がＨＰＦ３を通過するのを阻止するためのスイッ
チがＨＰＦ３内に具備されている。このような構成とす
ることにより、ＧＳＭ送信時には高調波成分を除去し、
ＤＣＳ送信時にはＤＣＳ送信波を通過させることのでき
る高周波低域通過フィルタを得ることが出来る。
周波低域通過フィルタ（ＬＰＦ）の回路ブロックであ
る。図１において、１，２は入出力端子、３はＨＰＦ、
４はＬＰＦである。ＨＰＦ３とＬＰＦ４により、たとえ
ばＧＳＭ（送信８８０−９１５ＭＨｚ）とＤＣＳ（送信
１７１０−１７８５ＭＨｚ）とのデュアルバンド携帯電
話の高調波除去フィルタへの応用を考えた場合、ＧＳＭ
送信波はＬＰＦ４、ＤＣＳ送信波はＨＰＦ３を通過出来
るようになっている。ここで、ＧＳＭ送信時には、その
高調波がＨＰＦ３を通過するのを阻止するためのスイッ
チがＨＰＦ３内に具備されている。このような構成とす
ることにより、ＧＳＭ送信時には高調波成分を除去し、
ＤＣＳ送信時にはＤＣＳ送信波を通過させることのでき
る高周波低域通過フィルタを得ることが出来る。
【００１１】尚、ＤＣＳの高調波をも効率的に除去する
ためには、図２に示した回路ブロックが有効である。す
なわち、ＨＰＦ３およびＬＰＦ４と入出力端子２の間に
別のＬＰＦ５を直列に接続した回路である。このような
構成とすることにより、ＬＰＦ５によって、ＤＣＳの高
調波とＧＳＭの３次以上の高調波を除去することが出来
る。
ためには、図２に示した回路ブロックが有効である。す
なわち、ＨＰＦ３およびＬＰＦ４と入出力端子２の間に
別のＬＰＦ５を直列に接続した回路である。このような
構成とすることにより、ＬＰＦ５によって、ＤＣＳの高
調波とＧＳＭの３次以上の高調波を除去することが出来
る。
【００１２】さらに、詳細に説明するために、図２で示
した回路ブロックの具体的回路を図３に示す。
した回路ブロックの具体的回路を図３に示す。
【００１３】図３において、６から１２はコンデンサ、
１３から１５はインダクタ、１６はチョークコイル、１
７はダイオード、１８は制御端子である。コンデンサ８
とインダクタ１３の並列回路はＤＣＳの送信帯域におい
て並列共振するように設定されている。また、コンデン
サ９とインダクタ１４の直列回路はＧＳＭ送信帯域にお
いて直列共振するように設定されている。ＤＣＳ送信時
においては、ＤＣＳの送信帯域においてコンデンサ８と
インダクタ１３が並列共振するため、入出力端子１から
２´間の回路はＴ型のＣ−Ｌ−ＣのＨＰＦとして動作
し、インピーダンス整合を乱すことなく通過することが
出来る。一方、ＧＳＭ送信時においては、コンデンサ９
とインダクタ１４の直列回路が直列共振するため、ＧＳ
Ｍ送信帯域内においてはπ型のＣ−Ｌ−ＣのＬＰＦとし
てインピーダンス整合を乱すことなく動作する。ＧＳＭ
送信時に、ＧＳＭの二次高調波が入力された際には、制
御端子に正電圧を印加し、ダイオード１７をＯＮ状態と
するため、ＤＣＳ送信帯域と重なるＧＳＭの二次高調波
成分は通過経路が短絡されて通過できなくすることが出
来る。また、その後に接続されるコンデンサ１０−１２
およびインダクタ１５で構成される第二のＬＰＦによっ
て、ＤＣＳ送信帯域以上の高調波成分を除去することも
可能である。
１３から１５はインダクタ、１６はチョークコイル、１
７はダイオード、１８は制御端子である。コンデンサ８
とインダクタ１３の並列回路はＤＣＳの送信帯域におい
て並列共振するように設定されている。また、コンデン
サ９とインダクタ１４の直列回路はＧＳＭ送信帯域にお
いて直列共振するように設定されている。ＤＣＳ送信時
においては、ＤＣＳの送信帯域においてコンデンサ８と
インダクタ１３が並列共振するため、入出力端子１から
２´間の回路はＴ型のＣ−Ｌ−ＣのＨＰＦとして動作
し、インピーダンス整合を乱すことなく通過することが
出来る。一方、ＧＳＭ送信時においては、コンデンサ９
とインダクタ１４の直列回路が直列共振するため、ＧＳ
Ｍ送信帯域内においてはπ型のＣ−Ｌ−ＣのＬＰＦとし
てインピーダンス整合を乱すことなく動作する。ＧＳＭ
送信時に、ＧＳＭの二次高調波が入力された際には、制
御端子に正電圧を印加し、ダイオード１７をＯＮ状態と
するため、ＤＣＳ送信帯域と重なるＧＳＭの二次高調波
成分は通過経路が短絡されて通過できなくすることが出
来る。また、その後に接続されるコンデンサ１０−１２
およびインダクタ１５で構成される第二のＬＰＦによっ
て、ＤＣＳ送信帯域以上の高調波成分を除去することも
可能である。
【００１４】上記の構成とすることにより、ダイオード
が僅か一つだけで、且つ複雑な制御系も必要とせず、素
子数も非常に少ない回路構成、すなわち低損失に有利
で、高調波を効率良く除去できる高周波低域通過フィル
タを得ることが出来る。
が僅か一つだけで、且つ複雑な制御系も必要とせず、素
子数も非常に少ない回路構成、すなわち低損失に有利
で、高調波を効率良く除去できる高周波低域通過フィル
タを得ることが出来る。
【００１５】さらに、図４に別の具体回路を示して本実
施の形態の内容を説明する。
施の形態の内容を説明する。
【００１６】図４において、１９から２５はコンデン
サ、２６から３０はインダクタである。コンデンサ２１
とインダクタ２９の直列回路はＤＣＳの送信帯域におい
て直列共振するように設定されている。また、コンデン
サ２２とインダクタ２８の直列回路はＧＳＭ送信帯域に
おいて直列共振するように設定されている。ＤＣＳ送信
時においては、ＤＣＳの送信帯域においてコンデンサ２
１とインダクタ２９が直列共振するため、入出力端子１
から２´間の回路はＴ型５素子のＣ−Ｌ−Ｃ−Ｌ−Ｃの
ＨＰＦとして動作し、インピーダンス整合を乱すことな
く通過することが出来る。一方、ＧＳＭ送信時において
は、コンデンサ９とインダクタ１４の直列回路が直列共
振するため、ＧＳＭ送信帯域内においてはπ型５素子の
Ｃ−Ｌ−Ｃ−Ｌ−ＣのＬＰＦとしてインピーダンス整合
を乱すことなく動作する。ＧＳＭ送信時に、ＧＳＭの二
次高調波が入力された際には、制御端子に正電圧を印加
し、ダイオード１７をＯＮ状態とするため、ＤＣＳ送信
帯域と重なるＧＳＭの二次高調波成分は通過経路が短絡
されて通過できなくすることが出来る。また、その後に
接続されるコンデンサ２３−２５およびインダクタ３０
で構成される第二のＬＰＦによって、ＤＣＳ送信帯域以
上の高調波成分を除去することも可能である。
サ、２６から３０はインダクタである。コンデンサ２１
とインダクタ２９の直列回路はＤＣＳの送信帯域におい
て直列共振するように設定されている。また、コンデン
サ２２とインダクタ２８の直列回路はＧＳＭ送信帯域に
おいて直列共振するように設定されている。ＤＣＳ送信
時においては、ＤＣＳの送信帯域においてコンデンサ２
１とインダクタ２９が直列共振するため、入出力端子１
から２´間の回路はＴ型５素子のＣ−Ｌ−Ｃ−Ｌ−Ｃの
ＨＰＦとして動作し、インピーダンス整合を乱すことな
く通過することが出来る。一方、ＧＳＭ送信時において
は、コンデンサ９とインダクタ１４の直列回路が直列共
振するため、ＧＳＭ送信帯域内においてはπ型５素子の
Ｃ−Ｌ−Ｃ−Ｌ−ＣのＬＰＦとしてインピーダンス整合
を乱すことなく動作する。ＧＳＭ送信時に、ＧＳＭの二
次高調波が入力された際には、制御端子に正電圧を印加
し、ダイオード１７をＯＮ状態とするため、ＤＣＳ送信
帯域と重なるＧＳＭの二次高調波成分は通過経路が短絡
されて通過できなくすることが出来る。また、その後に
接続されるコンデンサ２３−２５およびインダクタ３０
で構成される第二のＬＰＦによって、ＤＣＳ送信帯域以
上の高調波成分を除去することも可能である。
【００１７】上記の構成における通過特性を図５および
図６に示す。通過損失も小さく、且つ効率良く高調波除
去がなされていることが実証できた。
図６に示す。通過損失も小さく、且つ効率良く高調波除
去がなされていることが実証できた。
【００１８】上記の構成でも、ダイオードが僅か一つだ
けで、且つ複雑な制御系も必要とせず、素子数も非常に
少ない回路構成、すなわち低損失に有利で、高調波を効
率良く除去できる高周波低域通過フィルタを得ることが
出来る。
けで、且つ複雑な制御系も必要とせず、素子数も非常に
少ない回路構成、すなわち低損失に有利で、高調波を効
率良く除去できる高周波低域通過フィルタを得ることが
出来る。
【００１９】なお、本実施の形態で示したように、第二
のＬＰＦにおいてコンデンサ１１および２５とインダク
タ１５および３０の並列共振回路を設けて有極特性とす
ることができ、この場合にはより高調波成分を効率的に
除去する高周波低域通過フィルタとすることが出来る。
ここで、上記した並列共振の変わりにシャントに接続さ
れたコンデンサ１０，１２，２３，２４に直列にインダ
クタを接続した回路としても同様の効果が得られる。
のＬＰＦにおいてコンデンサ１１および２５とインダク
タ１５および３０の並列共振回路を設けて有極特性とす
ることができ、この場合にはより高調波成分を効率的に
除去する高周波低域通過フィルタとすることが出来る。
ここで、上記した並列共振の変わりにシャントに接続さ
れたコンデンサ１０，１２，２３，２４に直列にインダ
クタを接続した回路としても同様の効果が得られる。
【００２０】また、上記した第二のＬＰＦをＨＰＦの中
に組み込み、図７に示すような回路ブロックとしてＨＰ
Ｆ３を帯域通過フィルタ（ＢＰＦ）３１としても同様な
効果が得られ、この際には、ＬＰＦ４の通過信号（すな
わち上記の例ではＧＳＭ送信帯域）がＬＰＦ４のみしか
通過しなくて済む構成とすることが出来るため、ＬＰＦ
４の通過信号における損失をより小さくすることが出来
る。さらに、図７に示した回路に図８に示すように第３
のＬＰＦ３２を接続することにより、より効果的に高調
波成分を除去する構成とすることも出来るのである。
に組み込み、図７に示すような回路ブロックとしてＨＰ
Ｆ３を帯域通過フィルタ（ＢＰＦ）３１としても同様な
効果が得られ、この際には、ＬＰＦ４の通過信号（すな
わち上記の例ではＧＳＭ送信帯域）がＬＰＦ４のみしか
通過しなくて済む構成とすることが出来るため、ＬＰＦ
４の通過信号における損失をより小さくすることが出来
る。さらに、図７に示した回路に図８に示すように第３
のＬＰＦ３２を接続することにより、より効果的に高調
波成分を除去する構成とすることも出来るのである。
【００２１】さらに、本実施の形態は以上図示した回路
を図９に示すように誘電体を積層した構成で内部電極パ
ターン（図示せず）として構成し、その積層体３３の表
層にダイオード３８を実装することで更なる小型化を図
ることが出来る。この際、外部端子（図では３４から３
７のみを表示）を積層体３３の端面に構成することがで
きるが、より不要信号の減衰特性を向上させて高性能化
を図るためには、入出力端子を積層体の相対する面に構
成することが望ましい。すなわち、入力端子がＡの面の
場合、出力端子はＣの面（またはその逆）、もしくは入
力端子がＢの面の場合、出力端子がＤ面に構成されるこ
とが望ましい。また、積層体３３の対角線上に入出力端
子を設けた場合、その効果は更に増大する。
を図９に示すように誘電体を積層した構成で内部電極パ
ターン（図示せず）として構成し、その積層体３３の表
層にダイオード３８を実装することで更なる小型化を図
ることが出来る。この際、外部端子（図では３４から３
７のみを表示）を積層体３３の端面に構成することがで
きるが、より不要信号の減衰特性を向上させて高性能化
を図るためには、入出力端子を積層体の相対する面に構
成することが望ましい。すなわち、入力端子がＡの面の
場合、出力端子はＣの面（またはその逆）、もしくは入
力端子がＢの面の場合、出力端子がＤ面に構成されるこ
とが望ましい。また、積層体３３の対角線上に入出力端
子を設けた場合、その効果は更に増大する。
【００２２】また、裏面電極を用いた場合には、図１０
に積層体３３の裏面電極を示すが、例えば入力端子を４
１にした場合、出力端子を４０や４２にするのではな
く、４５もしくは４４，４６とすることが望ましい。さ
らには、入出力端子として、３９と４３の組合せ、４０
と４４の組合せ、４２と４６の組合せのいずれかにする
ことにより、入出力端子間の距離が長くなるため、入出
力端子間のアイソレーションがとれ、より良好な減衰特
性を得ることが可能となる。
に積層体３３の裏面電極を示すが、例えば入力端子を４
１にした場合、出力端子を４０や４２にするのではな
く、４５もしくは４４，４６とすることが望ましい。さ
らには、入出力端子として、３９と４３の組合せ、４０
と４４の組合せ、４２と４６の組合せのいずれかにする
ことにより、入出力端子間の距離が長くなるため、入出
力端子間のアイソレーションがとれ、より良好な減衰特
性を得ることが可能となる。
【００２３】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、小型で、低コスト、低損失の高周波低域通過
フィルタを実現することができる。
によれば、小型で、低コスト、低損失の高周波低域通過
フィルタを実現することができる。
【図１】本発明の一実施の形態における回路ブロック図
【図２】本発明の他の実施の形態における回路ブロック
図
図
【図３】同他の実施の形態における回路構成図
【図４】同他の実施の形態における他の回路構成図
【図５】同他の回路構成における特性図
【図６】同他の回路構成における特性図
【図７】本発明の他の実施の形態における回路ブロック
図
図
【図８】本発明の他の実施の形態における回路ブロック
図
図
【図９】本発明の実施の形態における構成例を示す斜視
図
図
【図１０】本発明の実施の形態における他の構成例を示
す斜視図
す斜視図
【図１１】ＧＳＭ／ＤＣＳデュアルバンド携帯電話のア
ンテナフロントエンド部の回路ブロック図
ンテナフロントエンド部の回路ブロック図
【図１２】従来の低域通過フィルタの回路構成図
１，２ 入出力端子 ３ 高域通過フィルタ ４，５ 低域通過フィルタ
Claims (13)
- 【請求項１】 入出力部を有する高周波高域通過フィル
タと、入出力部を有する第一の高周波低域通過フィルタ
を具備し、前記高周波高域通過フィルタの入力部と前記
第一の高周波低域通過フィルタの入力部が接続されて入
力端子とされ、前記高周波高域通過フィルタの出力端子
と前記第一の高周波低域通過フィルタの出力部が接続さ
れて出力端子とされ、前記高周波高域通過フィルタの通
過帯域を阻止帯域にするためのスイッチ回路を具備した
ことを特徴とする高周波低域通過フィルタ。 - 【請求項２】 入出力部を有する高周波高域通過フィル
タと、入出力部を有する第一の高周波低域通過フィルタ
を具備し、前記高周波高域通過フィルタの入力部と前記
第一の高周波低域通過フィルタの入力部が接続されて入
力端子とされ、前記高周波高域通過フィルタの出力端子
と前記第一の高周波低域通過フィルタの出力部が接続さ
れて出力端子とされ、前記入力端子もしくは出力端子に
直列に前記高周波高域通過フィルタおよび前記第一の高
周波低域通過フィルタの通過帯域を通過帯域とする第二
の高周波低域通過フィルタを接続し、前記高周波高域通
過フィルタの通過帯域を阻止帯域にするためのスイッチ
回路を具備したことを特徴とする高周波低域通過フィル
タ。 - 【請求項３】 高周波高域通過フィルタを第一のコンデ
ンサ、第一のインダクタと第二のコンデンサで構成され
る直列共振回路、第三のコンデンサをＴ型に接続して構
成して前記直列共振回路の共振周波数を第一の高周波低
域通過フィルタの通過帯域に設定し、前記第一の高周波
低域通過フィルタを第二のインダクタと第四のコンデン
サで構成される並列共振回路として構成して前記並列共
振回路の共振周波数を前記高周波高域通過フィルタの通
過帯域に設定し、前記高周波高域通過フィルタと前記第
一の高周波低域通過フィルタを並列接続して入力端子と
出力端子を構成したことを特徴とする請求項１もしくは
２のいずれかに記載の高周波低域通過フィルタ。 - 【請求項４】 高周波高域通過フィルタを第三のインダ
クタ、第四のインダクタと第五のコンデンサで構成され
る第一の直列共振回路、第五のインダクタをＴ型に接続
して構成して前記第一の直列共振回路の共振周波数を第
一の高周波低域通過フィルタの通過帯域に設定し、前記
第一の高周波低域通過フィルタを第六のコンデンサ、第
六のインダクタと第七のコンデンサで構成される第二の
直列共振回路、第八のコンデンサをＴ型に接続して構成
して、前記第二の直列共振回路の共振周波数を前記高周
波高域通過フィルタの通過帯域に設定し、前記高周波高
域通過フィルタと前記第一の高周波低域通過フィルタを
並列接続して入力端子と出力端子を構成したことを特徴
とする請求項１もしくは２のいずれかに記載の高周波低
域通過フィルタ。 - 【請求項５】 入出力部を有する高周波帯域通過フィル
タと、入出力部を有する第一の高周波低域通過フィルタ
を具備し、前記高周波帯域通過フィルタの入力部と前記
第一の高周波低域通過フィルタの入力部が接続されて入
力端子とされ、前記高周波帯域通過フィルタの出力端子
と前記第一の高周波低域通過フィルタの出力部が接続さ
れて出力端子とされ、前記高周波帯域通過フィルタの通
過帯域を阻止帯域にするためのスイッチ回路を具備した
ことを特徴とする高周波低域通過フィルタ。 - 【請求項６】 入出力部を有する高周波帯域通過フィル
タと、入出力部を有する第一の高周波低域通過フィルタ
を具備し、前記高周波帯域通過フィルタの入力部と前記
第一の高周波低域通過フィルタの入力部が接続されて入
力端子とされ、前記高周波帯域通過フィルタの出力端子
と前記第一の高周波低域通過フィルタの出力部が接続さ
れて出力端子とされ、前記入力端子もしくは出力端子に
直列に前記高周波帯域通過フィルタおよび前記第一の高
周波低域通過フィルタの通過帯域を通過帯域とする第二
の高周波低域通過フィルタを接続し、前記高周波帯域通
過フィルタの通過帯域を阻止帯域にするためのスイッチ
回路を具備したことを特徴とする高周波低域通過フィル
タ。 - 【請求項７】 高周波高域通過フィルタもしくは高周波
帯域通過フィルタの伝送特性において、第一の高周波低
域通過フィルタの通過帯域の周波数に減衰極をもつこと
を特徴とする請求項１，２，５，６のいずれかに記載の
高周波低域通過フィルタ。 - 【請求項８】 第一の高周波低域通過フィルタの伝送特
性において、高周波高域通過フィルタもしくは高周波帯
域通過フィルタの通過帯域の周波数に減衰極をもつこと
を特徴とする請求項１，２，５，６のいずれかに記載の
高周波低域通過フィルタ。 - 【請求項９】 高周波高域通過フィルタもしくは高周波
帯域通過フィルタの伝送特性において、第一の高周波低
域通過フィルタの通過帯域の周波数での減衰極を、主線
路とグランド間に構成したインダクタンス素子とコンデ
ンサ素子の直列共振回路を前記第一の高周波低域通過フ
ィルタの通過帯域で共振させて発生させ、さらに前記直
列共振回路をバイパスするように前記主線路とグランド
間にダイオードを接続して、前記ダイオードに電流を流
すことにより、前記高周波高域通過フィルタもしくは高
周波帯域通過フィルタの通過帯域を阻止帯域としたこと
を特徴とする請求項３，４，７のいずれかに記載の高周
波低域通過フィルタ。 - 【請求項１０】 高周波高域通過フィルタもしくは高周
波帯域通過フィルタの通過帯域の周波数を、第一の高周
波低域通過フィルタの通過帯域の周波数の概２倍の周波
数としたことを特徴とする請求項１に記載の高周波低域
通過フィルタ。 - 【請求項１１】 第二の高周波低域通過フィルタにおい
て、高周波高域通過フィルタもしくは高周波帯域通過フ
ィルタの通過帯域および第一の高周波低域通過フィルタ
の通過帯域以上の周波数帯域において減衰特性を具備し
たことを特徴とする請求項２に記載の高周波低域通過フ
ィルタ。 - 【請求項１２】 高周波高域通過フィルタ、高周波帯域
通過フィルタおよび第一の高周波低域通過フィルタの一
部もしくは全てを誘電体の積層体中に構成し、且つ、前
記ダイオードを前記積層体上に実装したことを特徴とす
る請求項１に記載の高周波低域通過フィルタ。 - 【請求項１３】 信号が入力する端子と出力する端子を
積層体の相対向する側面部、もしくはその底面部に構成
したことを特徴とする請求項１に記載の高周波低域通過
フィルタ。
Priority Applications (4)
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|---|---|---|---|
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| EP01272825A EP1349272A4 (en) | 2000-12-28 | 2001-12-20 | HIGH FREQUENCY LOW PASS |
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|---|---|---|---|
| JP2000400452A JP2002204135A (ja) | 2000-12-28 | 2000-12-28 | 高周波低域通過フィルタ |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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|---|---|---|---|
| JP2000400452A Pending JP2002204135A (ja) | 2000-12-28 | 2000-12-28 | 高周波低域通過フィルタ |
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- 2001-12-20 WO PCT/JP2001/011177 patent/WO2002054591A1/ja active Application Filing
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