WO2000017862A1

WO2000017862A1 - Tete magnetique a couche mince a pole sous-magnetique de pointe, et procede de fabrication correspondant

Info

Publication number: WO2000017862A1
Application number: PCT/JP1999/000738
Authority: WO
Inventors: Ikuya Tagawa; Syuji Nishida
Original assignee: Fujitsu Limited
Priority date: 1998-09-18
Filing date: 1999-02-19
Publication date: 2000-03-30
Also published as: KR20010075105A; JP2000099919A; US20010013992A1

Description

明細書先端 S 'J磁極を備えた薄膜磁気ッド及びその製造方法技術分野

本発明は、磁気ディスク装置、磁気テープ装置等に用いられる薄膜磁気ヘッドに係り、より詳細には、独特の形状をもつ先端副磁極を備えた薄膜磁気へッドとその製造方法に関する。

H景技術

磁気ディスク装置、磁気テープ装置等に使用される磁気ヘッドとして、誘導型記録再生薄膜へッドゃ、誘導型記録へッドと磁気抵抗効果型素子を用いた再生へッドとを組み合わせた複合型磁気へッド等が知られている。

図 1 は典型的な複合型磁気へッドの構成を一部切り欠いて示したものである。磁気へッドの内部を見易くするため、最上位層の保護層の図示を省略し、また記録へッド W Rについてはその右半分を切除している。

図示の複合型磁気へッドは、半導体基板（ウェハ） 1 と、この基板 1 の上に形成された基板保護膜 2 と、この基板保護膜 2の上に形成された再生へッド R E と、この再生へッド R Eの上に形成された記録へッド W R と、この記録へッド W Rの上に形成された保護層 1 7 (図示せず）とを備えている。

再生へッド R Eは、下側磁気シールド層 3 と、この下側磁気シ一ルド層 3 の上に形成された第 1 の非磁性絶縁層（下側ギヤップ層） 4 と、この第 1 の非磁性絶縁層 4上に形成された磁気トランスデューサ 5 と、この磁気トランスデューサ 5 の両端に形成された 1 対の端子 6 (図示の例では一方のみ示される）と、磁気トランスデューサ 5 及び 1 対の端子 6 の上に形成された第 2の非磁性絶縁層（上側ギャップ層） 7 と、この第 2 の非磁性絶縁層の上に形成された上側磁気シールド層 8 とを有している。この上側磁気シールド層 8 は、記録へ...ッド W Rの下部磁極と兼用されている。

記録へッド W Rは、下部磁極 8 と、記録ギヤップ層 9 と、この記録ギャップ層 9 に配置された渦巻き状の記録コイル 1 2 と、この記録コイル 1 2 を覆う第 3及び第 4 の非磁性絶縁層 1 0 , 1 1 と、これら非磁性絶縁層 1 0 , 1 1 の上に形成された上部磁極 1 6 とを有している。なお、渦巻き状の記録コイル 1 2の中心部領域 1 3 には記録コイルは存在しておらず、この中心部領域 1 3 において上部磁極 1 6 は窪んで下部磁極 8 に接続されている。また、上部磁極 1 6 は、記録媒体 2 0 に向かつて先細り形状となっており、この部分を特に上部磁極のポール 1 6 a と称している。

このように、図 1 に示す複合型磁気へッドは、再生へッド R Eの背部に記録へッド W Rを付加するピギーバック構造を有している。なお、磁気へッドの各要素の位置関係を明確にするため、図示のように上部磁極 1 6 の浮上面を X方向、浮上面から見て磁気へッドの奥行き方向を Y方向、磁気へッドの積層方向を Z方向とする。

また、再生ヘッド R Eの磁気トランスデューサ 5 としては、例えば異方性の磁気抵抗効果素子（M R素子）、典型的にはスピンバルブ磁気抵抗効果素子のような巨大磁気抵抗効果素子（ G M R素子）等が使用され得る。磁気トランスデューサ 5 の両端には、 1 対の端子 6 が接続され、読み取り動作時には一定のセンス電流がこの端子 6 を介して磁気トランスデューサ 5 に流される。

このように複合型磁気へッドは、磁気ディスクのような記録媒体 2 0 に対して僅かな距離（浮上量）だけ離れて対向して位置決めされ、記録媒体 2 0 に対しトラック長手方向（ビット長方向）に沿つて相対的に移動しながら、記録媒体 2 0 に記録されている磁気記録情報を再生へッド R Eによって読み取り、また記録へッド WRによつて記録媒体 2 0 に対し情報を磁気的に書き込んでいる。

図 2..Λ及び図 2 Bは図 1 の複合型磁気へッドにおける記録へッド W Rを更に詳しく説明する図である。

図 2 Bに示すように、記録へッドは、微小な記録ギャップ層 9 を挟んで 2つの磁極（下部磁極 8 と上部磁極 1 6 ) が相対する構造を有している。記録媒体 2 0 の走行方向から、下部磁極 8 は、最初に記録媒体 2 0上のトラックに出会う磁極となるためリーディング側磁極と呼ばれ、他方、上部磁極 1 6 は、記録媒体 2 0上のトラックが遠ざかる方向の磁極となるためトレ一リング側磁極と呼ばれる。下部磁極 8 と上部磁極 1 6の間には、非磁性絶縁層 1 0 , 1 1 で取り囲まれた渦巻き伏の記録コイル 1 2が存在する。

記録へッド WRでは、記録コイル 1 2 に電流を流すと上部磁極 1 6及び下部磁極 8 が磁化され、記録ギヤップ層 9の両側の上部磁極 1 6 のポール 1 6 a と下部磁極 7の浮上面（ A B S ： Air Bearing Surface ) 側で、記録媒体 2 0 に書き込むための記録磁界（漏れ磁界）が発生する。記録へッド WRでは、この漏れ磁界により記録媒体 2 0 が磁化され、情報の記録が行われる。

記録媒体 2 0 に印加される磁界強度 Hは媒体抗磁力 H c の 2倍程度が適切と考えられており、最近の記録媒体の媒体抗磁力 H e は 3 0 0 0 ( 0 e ：ェルステツド〕近いことから、記録時の磁界強度 H は 6 0 0 0 〔 O e〕程度あることが望ましい。

また、一般に記録媒体 2 0 に磁化の反転が起こる下限の磁界強度 Hは媒体抗磁力 H c の 1 / 2 (すなわち 1 5 0 0 〔 0 e〕 ) 程度であると考えられている。従って、記録しょうとするトラックの範囲外に媒体抗磁力 H e の 1 Z 2を超える磁界が存在すると、当該トラックに隣接するトラックで磁化反転（記録にじみ）が発生し、へッド走行方向卜レーリング側での磁化反転（記録減磁）が起こり、記録媒体の高記録密度化の障害となる。

高記録密度化を実現するためには、通常、トラック密度を上げる必要がある。このためには、上部磁極のポール 1 6 aの端部のコア幅と下部磁極 8 の端部のコア幅を狭くし、発生する記録磁界の幅を狭める必要がある。上述した複合型磁気へッドでは、記録へッド W Rの下部磁極 8 は、再生へッド R Eの上側磁気シールド層 8 と兼用されていることから、磁気シールドの機能を確保する観点からその形状に一定の制約がある。すなわち、下部磁極 8 のコア幅は、磁気シールドの機能を兼用する必要上、上部磁極 1 6 のコア幅よりもかなり広く形成されていた。このため、両磁極 8， 1 6 間に形成される記録磁界はトラック幅方向に広く分布することになり、広い記録磁界では記録媒体 2 0 のトラックピッチを狭めることは困難であつた。

これに対処するための技術の一例として、例えば、特開平 7 — 2 2 5 9 1 7号公報（対応米国特許出願第 1 9 2 6 8 0号）が知られている。この技術では、下部磁極 8及び上部磁極 1 6 に対しそれぞれコア幅の狭い下部磁極端素子及び上部磁極端素子（各磁端素子は「先端副磁極」ともいう。）を付加的に形成し、それによつてコァ幅方向の記録にじみを低減している。

図 3 A及び図 3 Bは、この従来技術に係る先端副磁極を備えた薄膜磁気へッドの構成を示す。図 3 Aは図 2 Bに対応する図であり、図 3 Bは浮上面 A B Sから各磁極側を見た図である。図 3 Aに示すように、下部磁極 8 の上部磁極 1 6側の浮上面 A B S近傍に下部磁極端素子（下部先端副磁極） 2 1 が形成され、また上部磁極 1 6 の下部磁極 8側の浮上面 A B S近傍に上部磁極端素子（上部先端副磁極） 2 2が形成されている。

二の従来技術では、図示のように、各先端副磁極 2 1 , 2 2が矩形状に形成されたものが示されているだけであり、各先端副磁極の形状や配置場所、或いは薄膜磁気へッドの性能や特性については、何ら議論されていない。

このような先端副磁極を備えた薄膜磁気ヘッドでは、下部磁極 8 と上部磁極 1 6 にそれぞれ先端副磁極 2 1 ， 2 2を設け、各先端副磁極によってコア幅を実質的に狭く規定することで、狭いコア幅を有する先端副磁極間の記録ギャップ層 9 を介して記録磁界を生じさせることができる。

本発明者は、薄膜磁気ヘッドに先端副磁極を設けることは、上記の利点に加えて、以下の（1 )，（2) の点で将来性のある技術であると考えている。

( 1 ) コア幅を狭くする技術として、精密な寸法精度が得られる点で優れている。しかし現状では、他の加工技術、例えばイオンミリングゃ集束イオンビーム（F I B ： Fo cu s e d I on Beam)等、を利用した上部磁極のポールの整形では、上部磁極先端部をサブ · ミクロンのォーダ一の寸法精度で整形することができない。

C 2) 先端副磁極の材料を、所望に応じて、上部磁極と下部磁極とで異なる材料にすることができる。しかし上記の従来技術（特開平 7 — 2 2 5 9 1 7号公報）では、このような先端副磁極を備えた薄膜磁気へッドに関して、要求される高周波特性等については何ら議論されていなレ、。

ここに、高周波特性の良いヘッドとは、「周波数が高くなるにつれてへッドコアの透磁率が低下した場合でも、記録媒体にかかる記録磁界がそれ程減少しないへッド」を指す。言い換えると、高周波特性が良くないへッドでは、へッドコアの透磁率の低下とともに記録磁界が減少すると、へッドのオーバ一ライト特性が悪化する。

このオーバーライト特性は、記録コイルに流す電流を増加させて起磁力を増加することにより或る程度改善することができる。ここで、へッドコアの透磁率が低い時に合わせて起磁力を大きめに設定した状態で、透磁率が高くなつた時（つまり、低周波数の信号を書き込む時）、記録磁界が必要以上に増大すると記録にじみ幅や記録減磁幅（サイド · ィレ—ズ幅）が増大し、記録媒体上の対象トラックに隣接する卜ラックに対し悪影響を及ぼす恐れがある。従って、透磁率が十分に高い時（低周波の時）に、記録媒体にかかる磁界強度があまり増大しないことが必要である。

他方、本出願人は、先端副磁極を設けるのではなく、他のァプローチによってコア幅を狭くする技術を以前に提案した（特願平 1 0 — 1 8 4 7 8 0号：これは、 1 9 9 8年 6月 3 0 日に出願されているが、本出願時点で未だ公開されておらず、公知技術ではない）。図 4 A及び図 4 Bはこの提案した技術を簡単に説明する図である。この技術では、図 4 Bに示すように、上部磁極 1 6 のポール 1 6 a の両端に対し集束イオンビーム（ F I B ) によるトリミングを施して、そのコア幅を狭くしている。なお、 F I Bによるトリミングを以下、単に「 F I B トリミング」と称する。

この提案した技術では、上部磁極のコア幅を F I B トリミングによって狭くした薄膜磁気へッドに関して、高周波特性の議論は行われていない。しかし、その後、本発明者は、この薄膜磁気へッドについて高周波特性の評価を行ったところ、後で図 5 に関連して説明するように、良好な特性が得られることが判明した。

そこで、本発明者は、技術的に将来性があると考えられる先端副磁極を備えた薄膜磁気へッドを評価するため、高周波特性の評価を行った。比較の対象は、本出願人が先に提案した、先端副磁極を持たない薄膜磁気ヘッドとした（以下、「比較例」という）。

図 5 は比較例の評価結果を示し、他方、図 6 は特開平 7 - 2 2 5 9 1 7号公報で紹介されたような先端副磁極を備えた薄膜磁気へッドの評価結果を示している。

■ ヽ

各々の評価は、記録コイルに流す記録電流（起磁力） mm f を横軸にとったものと、記録媒体に加わる記録磁界（トラック長手方向磁界成分） H Xを縦軸にとったものとの関係を、 3次元の磁界解折フフトを用いてコンビュ一夕 ■ シミュレーションした結果を表している。なお、 3次元の磁界解折ソフトとしては、日本国所在のエルフ社から商業的に入手し得る磁界解析ソフト「M A G I C」を利用している。

先ず、図 5 に示す比較例の評価結果を参照すると、起磁力 mm f = 0 . 4 A Tの時、透磁率 = 3 0 0 (即ち、高周波時）の記録磁界（△データ）と二 1 0 0 0 (即ち、低周波時）の記録磁界（拿データ）の比 R ( ζ 3 0 0 / u 1 0 0 0 ) は、 R ( 3 0 0 /〃 1 0 0 0 ) = 0. 9 4 となる。これに対し、図 6 に示す先端副磁極を備えた薄膜磁気へッドの評価結果では、同じ条件（起磁力 mm f = 0 . 4 八丁）で1¾ (〃 3 0 0 // 1 0 0 0 ) = 0. 8 8 となる。上述したように、薄膜磁気ヘッドは、「周波数が高くなるにつれてへッドコアの透磁率が低下した場合でも、記録媒体にかかる記録磁界がそれ程減少しないへッド」が良好とされる。比 R ( 3 0 0 / a 1 0 0 0 ) は、低周波 si = 1 0 0 0 ) 時の記録磁界 H Xに対する高周波（〃 = 3 0 0 ) 時の記録磁界 H xの比を示している。従つて、比 R ( p. 3 0 0 / 1 0 0 0 ) の値は大きい方が好ましい。ここでは、比較例の R ( 3 0 0 / 1 0 0 0 ) の方が、先端副磁極を備えた薄膜磁気へッドの R ( a 3 0 0 Z 1 0 0 0 ) よりも大きいという結果となった。 ' 次に、図 5 に示す比較例の透磁率 = 1 0 0 0 (低周波時）の記録磁界特性（秦デ一夕）において、起磁力 mm f = 0. 2 A Tの時と 0 . 4 Α Τの時における記録磁界 Η χの比 R ( 0. 2 A T/ 0. 4 A T.).、を求めると、 R ( 0. 2 A TZ 0. 4 A T) = 0. 8 8 となる。これに対し、図 6 に示す先端副磁極を備えた薄膜磁気ヘッドの評価結果では、同じ記録磁界特性（會データ）において R ( 0 . 2 A T/ 0 . 4 A T ) = 0. 8 0 5 となる。

上述したように磁気へッドは、予め起磁力 mm f を大きめに設定した状態で低周波数となつた時、記録磁界 H Xが必要以上に増大することは好ましくない。従って、 a = \ 0 0 0 における比 R ( 0. 2 A T/ 0. 4 A T) は、低周波時の起磁力変動に対応する磁界変動の追従性を表し、比 R ( 0. 2 A T/ 0. 4 A T) は大きい方が好ましい。ここでは、比較例の R ( 0. 2 A T/ 0. 4 A T) の方力、先端副磁極を備えた薄膜磁気へッドの R ( 0. 2 A TZ 0. 4 A T) よりも大きいという結果となつた。

以上から、比 R ( χζ 3 0 0 / 1 0 0 0 ) と比 R ( 0. 2 A T/ 0 . 4 A T) のいずれについても、先端副磁極を備えた薄膜磁気へッド（図 6 ) は比較例（図 5 ) に比べて磁界変動が大きく、即ち、磁気へッド特性に関して悪い傾向にあることが判明した。

このように、先端副磁極を備えた薄膜磁気へッドは、将来性のある技術でありながら、透磁率の低下に伴う記録磁界の低下や起磁力の増加に伴う記録磁界の変動といった問題をかかえている。前者の問題は高周波におけるオーバーライ卜特性の悪化につながり、また後者の問題は低周波における記録にじみ特性の悪化につながり、それぞれ改善の余地がある。発明の開示

本発明の目的は、上述した従来技術における問題点を解消し、良好なオーバラィト特性及び記録にじみ特性を呈示する新規な先端副磁極を備えた薄膜磁気へッド及びその製造方法を提供することにある。

上記目的を達成するために、本発明の一つの形態によれば、下部磁極と、前記下部磁極に対向して配置された上部磁極と、前記下部磁極及び上部磁極の間で両磁極から離間して配置された記録コイルと、前記上部磁極の前記下部磁極側で浮上面近傍に設けられた上部先端副磁極とを具備し、前記上部先端副磁極は、その本体部分のコァ幅か浮上面でのコア幅より大きくなるように形成されている、薄膜磁気へッドが提供される。

また、本発明の他の形態によれば、下部磁極を形成する工程と、前記下部磁極の上方に、第 1 のレジストを所定の形状にパ夕一ニングして、該第 1 のレジストの形状に従い浮上面から離れるにつれてそのコア幅が拡がる上部先端副磁極を形成する工程と、前記第 1 のレジストを除去した後、前記下部磁極を部分的にトリミングして下部先端副磁極を形成する工程と、前記下部磁極のトリミングされた部分と前記上部先端副磁極の上にアルミナ層を形成する工程と、前記アルミナ層及び前記上部先端副磁極に対して膜厚方向に表面を研磨して平坦化を行う工程と、平坦化された前記アルミナ層の上に非磁性絶縁層で周囲を面んだ記録コィルを形成する工程と、平坦化された前記上部先端副磁極の上に、第 2のレジストを所定の形状にパターニングして、該第 2のレジストの形状に応じた上部磁極を形成する工程と、前記第 2 のレジス卜を除去した後、ウェハから切り出して最終仕上がり線まで機械的に研磨する工程とを含む、薄膜磁気へッドの製造方法が提供される。更に本発明によれば、上記の薄膜磁気へッドを用いた記録へッドと、磁気抵抗効果型素子を磁気トランスデューサとして用いた再生へッドとを具備し、前記記録へッドと前記再生へッドが一体的に形成されている、複合型磁気へッドが提供される。図面の簡単な説明

図 1 は典型的な複合型磁気へッドの構成を一部切り欠いて示した斜視図であり；

図 2 A及び図 2 Bは図 1 の複合型磁気へッドにおける記録へッドを更に詳しく説明するための図であり；

図 3 A及び図 3 Bは従来技術に係る先端副磁極を備えた薄膜磁気へッドの構成を示す図であり；

図 4 A及び図 4 Bは本出願人が先に提案した、 F I B トリミングによりコア幅を狭くした薄膜磁気へッドの構成を示す図であり；図 5 は図 4 A及び図 4 Bの薄膜磁気へッドの評価結果を示すグラフであり；

図 6 は図 3 A及び図 3 Bの薄膜磁気へッドの評価結果を示すグラフであり：

図 7 A〜図 7 Cは本発明の一実施例に係る独特の形状をもつ先端副磁極を備えた薄膜磁気へッドの構成を示す図であり；

図 8 は図 7 A〜図 7 Cに示される薄膜磁気へッドに関して副磁極形状パラメ一夕「先端凸部高さ S H」の評価結果を示すグラフであり；

図 9 は図 7 A〜図 7 Cに示される薄膜磁気へッドに関して副磁極形状パラメータ「先端副磁極コア幅の拡がり△ S W」の評価結果を示すグラフであり；

図 1 0 は図 7 A〜図 7 Cに示される薄膜磁気へッドに関して副磁極形状パラメ一タ「先端副磁極の長さ S L」の評価結果を示すグラフであり；

図 1 1 は図 7 A〜図 7 Cに示される薄膜磁気ヘッドに関して副磁極形状パラメータ「先端凸部高さ S H」、「先端副磁極コア幅の拡がり zV W」及び「先端副磁極の長さ S L」を所望の範囲内とした時の評価結果を示すグラフであり；

図 1 2 A〜図 1 2 Hは図 7 A〜図 7 Cに示される薄膜磁気へッドの製造方法を工程順に従って示すフローチヤ一トであり；

図 1 3 A〜図 1 3 Dはウェハ面に対しイオンミリングによるトリミング'を行った場合の製造工程を示す図であり；

図 1 4 A〜図 1 4 Cはウェハ面に対し F I B トリミングを行った場合の製造工程を示す図であり；

図 1 5 A及び図 1 5 Bは浮上面に対しイオンミリングによるトリミングを行った場合の製造工程を示す図であり；そして

図 1 6 A及び図 1 6 Bは浮上面に対し F I B トリミングを行った場合の製造工程を示す図である。発明を実施するための最良の形態

以下、本発明に係る薄膜磁気へッド及びその製造方法について、添付図面を参照しながら具体的な実施例を用いて詳細に説明する。なお、各図面を通して同一の構成要素に対しては同じ参照符号を付して重複した説明を省略する。

① 先端副磁極の整形

本発明者は、先端副磁極を備えた薄膜磁気へッドの先端副磁極の形成位置や形状等を最適化することにより、高周波特性を改善し得るか否か、また記録にじみ特性を改善し得るか否かを検討した。ここで、改善の効果の有無の判定基準は、図 6 に関連して説明した従来技術に係る先端副磁極を備えた薄膜磁気へッドの評価結果ど比較して、以下の通りとする。

(A 比 R ( 3 0 0 / a 1 0 0 0 ) が増大している時、ォ一バラィト特性に関して、改善の効果有りと判定する。

(B ： R ( 0. 2 A T/ 0. 4 A T ) が増大している時、記録にじみ特性に関して、改善の効果有りと判定する。

(C) 比 R (〃 3 0 0 /〃 1 0 0 0 ) 及び比 R ( 0. 2 A T/ 0.

4 A T ) の両方が増大している時、オーバライト特性及び記録にじみ特性の両方に関して、改善の効果有りと判定する。

また、図 5 に関連して説明した比較例（先端副磁極を持たない薄膜磁気へッド）の評価結果と比較して、比 R ( 11 3 0 0 / p. 1 0 0 0 ) と比 R ( 0. 2 A T/ 0. 4 A T) の両方が減少している時、最終的な目標が達成されたこととする。

次に、本発明者は、先端副磁極を備えた薄膜磁気へッドの先端副磁極の形成位置及び形状に関して、以下の（a)，（b), (c) の点を検討することに決定した。

(a) 記録媒体から上部磁極のみを少し下げ、先端副磁極を下部磁極と面合わせし、先端副磁極を少し突出する形状とすること。

(b) 先端副磁極については、浮上面（A B S ) でのコア幅は所望の小さい寸法にするが、その本体部分は相対的に大きい寸法とすること。

(c) 先端副磁極の厚さの最適値を求めること。

なお、前述したように記録へッドの下部磁極は再生へッドの上側磁気シールド層と兼用されており、その形状に一定の制約があるため、これまで F I B トリミングによる上部磁極の整形を中心に検討されてきた。従って、本実施形態についても、上部磁極に形成される先端副磁極の形状等を中心に検討することとした。そして、その後で必要に応じて、上部磁極の先端副磁極の最適形状を、下部磁極' にも同様に適用することとした。

図 7 A〜図 7 Cは本発明の一実施例に係る独特の形状をもつ先端副磁極を備えた薄膜磁気へッドの構成を示す。特定的に、図 7 Aは薄膜磁へッドにおける記録へッド WRを基板上面（ウェハ面）から見た磁極先端付近の平面構造を示し、図 7 Bは磁極先端付近の断面構造を示し、図 7 Cは浮上面 A B Sから見た磁極先端部を示している。ここに、浮上面 A B Sは、記録媒体 2 0 と対向する磁極先端面として定義される。また、上部磁極 1 6 の先端部に付加的に設けられた先端副磁極 2 2 は、先端から数 m離れたところを境に浮上面 A B Sでのコア幅 S W 1 はほぼ一定で、その反対側（本体部分）は拡大されたコア幅 S W 2 をもつ平面形状を有している。

ここで、先端副磁極 2 2の形成位置及び形状を定量的に特定するため、以下のように幾つかの形状パラメ一夕を選定した。

先ず図 7 A及び図 7 Bに示されるように、制約のある下部磁極 8 に対し制約のない上部磁極 1 6 の位置を少し下げ、上部磁極上の先端副磁極 2 2の効果を最大限に発揮できるようにする。但し、先端副磁極 2 2 は、その主面が下部磁極 8 の面に対向するように形成すると共に、浮上面 A B Sから離れるに従いそのコア幅が大きくなるように形成する。そこで、先端副磁極 2 2の浮上面 A B Sでのコア幅 S W 1 が一定となっている部分、すなわち先端副磁極 2 2のコア幅が拡がり始める位置を、「先端凸部高さ S H」として定義する。また、図 7 A及び図 7 Cに示されるように、先端副磁極 2 2の浮上面 A B Sでのコア幅 S W 1 と本体部分のコア幅 SW2 の差を、「先端副磁極のコア幅の拡がり △ S W」として定義する。また、図 7 B 及び図 7 Cに示されるように、先端副磁極 2 2の膜厚を、「先端副磁極の長さ S L」として定義する。以上のように、先端副磁極 2 2の形成位置及び形状を特定するため、 S H、 A S W及び S Lを形状パラメ一夕として選定した。

② 副磁極形状パラメ一夕（ S H、 A S W, S L ) の評価

- S Hの評価

先ず.、副磁極形状パラメータ「先端凸部高さ S H」の評価を行つた。すなわち、他の 2つの形状パラメ一夕（先端副磁極のコア幅の拡がり Δ S Wと先端副磁極の長さ S L ) を固定した条件下で、先端凸部高さ S Hを変えてその影響を調べた。なお、固定された形状パラメ一夕については、 A S W= 2. 0 ^ m. S L = 1 . 5 mとし図 8 は、先端凸部高さ S Hを 0 (ゼロ）から 2 〃 mまで変化させた時（横軸）の、記録媒体に加わる磁界 H Xの変化率（縦軸）を示したグラフである。図中、破線（秦デ一夕）は、透磁率〃 = 3 0 0 の記録磁界と / 1 0 0 0 の記録磁界の比 R ( 3 0 0 1 0 0 0 ) を示し、実線（デ一夕）は、起磁力 mm f = 0 . 2 A Tと 0 . 4 Α Τにおける記録磁界の比 R ( 0 . 2 A T/ 0 . 4 A T) を示す。

図 8 の評価結果の特性により、形伏パラメ一夕 S Hを変化させることで比 R ( 3 0 0 / 1 0 0 0 ) 及び比 R ( 0. 2 A T/ 0. 4 A T ) を制御し、オーバライト特性及び記録にじみ特性を共に改善し得ることを確認した。

効果有無の判定基準は、図 6 に関連して説明したように、従来技術に ί系る先端副磁極を備えた薄膜磁気へッドとし、前者の比については R ( " 3 0 0 / 1 0 0 0 ) 二 0. 8 8 とし（破線で表示）、後者の比については R ( 0. 2 A Τ/ 0. 4 A T ) = 0. 8 0 5 とする（実線で表示）。

従来の薄膜磁気へッドを基準に判定すると、比 R ( 3 0 0 / 1 0 0 0 ) のデータ（譬破線データ）は、 S H≥ 0. 3 mの範囲で基準値 R ( u 3 0 0 / 1 0 0 0 ) = 0. 8 8 を上回ることが判明した。一方、比 R ( 0. 2 A TZ 0. 4 A T) のデータ（△破線データ）は、 S H≥ 0. l 〃 mの範囲で基準値 R ( 0. 2 A T/ 0 . 4 八丁 ) = 0. 8 0 5 を上回ることが判明した。

従って、比 R ( a 3 0 0 / 1 0 0 0 ) のデータが基準値を上回るのは、 S H≥ 0. l mの範囲である。言い換えると、従来の薄膜磁気ヘッドと比較して、先端凸部高さ S Hを 0. 1 m〜 2. 0 mの範囲とすることにより、オーバライト特性が改善されることが判明した。

また、比 R (〃 3 0 0ノ〃 1 0 0 0 ) のデ一夕及び比 R ( 0. 2 A TZ O . 4 A T) のデータの両方が基準値を上回るのは、 S H≥ 0 . 3 mの範囲である。従って、先端凸部高さ S Hを 0. 3 〃 m 〜 2. 0 mの範囲とすることにより、オーバライト特性及び記録にじみ特性の両方が改善されることが判明した。

• Δ S Wの評価

次に、副磁極形状パラメータ「先端副磁極のコア幅の拡がり厶 S W」の評 ffiを行った。すなわち、他の 2つの形状パラメータ（先端凸部高さ S Hと先端副磁極の長さ S L ) を固定した条件下で、先端副磁極のコア幅の拡がり Δ S Wを変えてその影響を調べた。なお、固定された形状パラメータについては、 S H = 1 . 0 〃 m、 S L = 1 . 5 〃 mとした。

図 9 は、先端副磁極のコア幅の拡がり △ S Wを 0 (ゼロ）から 8 mまで変化させた時（横軸）の、記録媒体に加わる磁界 H Xの変化率（縦軸）を示したグラフである。図中、破線（秦データ）は比 R (〃 3 0 0 /〃 1 0 0 0 ) を示し、実線（デ一夕）は比 R ( 0 . 2 A TZ 0. 4 A T) を示す。図 9 の評価結果の特性により、形状パラメ一夕 Δ S Wを変化させることで比 R ( 3 0 0 / fi 1 0 0 0 ) 及び比 R ( 0. 2 A T/ 0 . 4 A T ) を制御し、ォ一バライト特性及び記録にじみ特性を共に改善し得ることを確認した。

効果. 無の判定基準は、同様に従来技術に係る先端副磁極を備えた薄膜磁気へッドとし、前者の比については R ( pi 3 0 0 / 1 0 0 0 ) = 0. 8 8 とし（破線で表示）、後者の比については R ( 0 . 2 A T/ 0 . 4 A T) = 0. 8 0 5 とする（実線で表示）。

従来の薄膜磁気へッドを基準に判定すると、比 R ( n 3 0 Q / a 1 0 0 0 ) のデータ（秦破線デ一夕）は、 A S W≤ 3. 2 〃 mの範匪で基準値 R ( 3 0 0 / 1 0 0 0 ) = 0. 8 8 を上回ることが判明した。一方、比 R ( 0. 2 A TZ 0 . 4 A T) のデータ（△破線データ）は、 Z\ S W 6 . 2 〃 mの範囲で基準値 R ( 0. 2 A T ノ 0. 4 A T ) = 0. 8 0 5 を上回ることが判明した。

従って、比 R ( 0. 2 A T/ 0 . 4 A T) のデータが基準値を上回るのは、 A S W≤ 6. 2 mの範囲である。言い換えると、従来の薄膜磁気へッドと比較して、先端副磁極のコア幅の拡がり Δ S W を 6 . 2 / m以下の範囲とすることにより、記録にじみ特性が改善されることが判明した。

また、比 R ( 3 0 0 / 1 0 0 0 ) のデータ及び比 R ( 0. 2 A TZ 0 . 4 A T) のデ一夕の両方が基準値を上回るのは、 A S W ≤ 3 . 2 mの範囲である。従って、先端副磁極のコア幅の拡がり △ S Wを 3. 3 m以下の範囲とすることにより、オーバライト特性及び記録にじみ特性の両方が改善されることが判明した。

- S Lの評価

更に、副磁極形状パラメ一夕「先端副磁極の長さ S L」の評価を行った。すなわち、他の 2つの形状パラメ一夕（先端凸部高さ S H と先端副磁極のコア幅の拡がり Δ S W) を固定した条件下で、先端副磁極の長さ S Lを変えてその影響を調べた。なお、固定された形状パラメ一夕については、 S H = 1 . 0 〃 m、 Δ S W= 2. 0 u m とした。

図し q は、先端副磁極の長さ S Lを 0 (ゼロ）から 8. 0 〃 mまで変化させた時（横軸）の、記録媒体に加わる磁界 H Xの変化率（縦軸）を示したグラフである。図中、破線（秦データ）は比 R ( 11 3 0 0 / u 1 0 0 0 ) を示し、実線（△デ一夕）は比 R ( 0. 2 A T / ϋ . 4 A Τ ) を示す。

図 i 0 の評価結果の特性により、形状パラメータ S Lを変化させることで比 R ( 3 0 0 / 1 0 0 0 ) 及び比 R ( 0 . 2 A TZ 0 . 4 A T) を制御し、オーバライト特性及び記録にじみ特性を共に改善し得ることを確認した。

効果有無の判定基準は、同様に従来技術に係る先端副磁極を備えた薄膜磁気へッドとし、前者の比については R ( 3 0 0 / 1 0 0 0 ) = 0. 8 8 とし（破線で表示）、後者の比については R ( 0 . 2 A T/ 0. 4 A T) 二 0. 8 0 5 とする（実線で表示）。

従来の薄膜磁気へッドを基準に判定すると、比 R ( u 3 0 0 / 1 0 0 0 ) のデ一夕（ ·破線データ）は、 S L ≤ 3. 6 〃 mの範囲で基準値 R ( p. 3 0 0 / u 1 0 0 0 ) = 0. 8 8 を上回ることが判明した。一方、比 R ( 0. 2 A T/ 0. 4 A T ) のデータ（△破線データ）は、 S H≤ 8 . 0 〃 mの範囲で基準値 R ( 0 . 2 A T/ 0 . A T ) = 0. 8 0 5 を上回ることが判明した。

従って、比 R ( 0. 2 A T / 0. 4 A T) のデータが基準値を上回るのは、 0 く S L ≤ 8 . 0 〃 mの範囲である。言い換えると、従来の薄膜磁気ヘッドと比較して、先端副磁極の長さ S Lを 8 . 0 a m以下の範囲とすることにより、記録にじみ特性が改善されることか判明した。 ' また、比 R ( n 3 0 0 / 1 0 0 0 ) のデータ及び比 R ( 0 . 2 A T / 0 . 4 A T) のデータの両方が基準値を上回るのは、 0 < S L ≤ 3. 6 mの範囲である。従って、先端副磁極の長さ S Lを 3 . 6 〃.m以下の範囲とすることにより、オーバライト特性及び記録にじみ特性の両方が改善されることが判明した。

以上から、先端副磁極の各形状パラメ一夕の範囲が次のように決定された。

• S Hについて： 0 . l 〃 m≤ S H≤ 2. 0 〃 m、望ましくは 0 . 3 m≤ S H≤ 2. 0 m。

• △ S Wについて： 0 く A S W≤ 6. 2 m、望ましくは 0 く Δ S W≤ 3. 2 m。

• S Lについて： 0 く S L ≤ 8. 0 m、望ましくは 0 く S L ≤ 3. 6 m。

このように、先端副磁極の形成位置及び形状を特定するためのパラメ一夕（ S L、 S H及び A S W) に関して、従来の薄膜磁気へッドの特性（図 6参照）を上回る範西が決定された。

③ 最良の先端副磁極形状

次の段階で、形状パラメータ S H、 △ S W及びS Lに関して、比 R ( 3 0 0 / 11 1 0 0 0 ) のデータ及び比 R ( 0 . 2 A T/ 0 .

4 A T) のデータの両方が基準値を上回るとされた各範囲（上記の「望ましくは」とする範囲）を全て満足する先端副磁極を備えた薄膜磁気へッドについて、評価した。なお、評価した薄膜磁気へッドの各形状パラメ一夕は、 S H = 1 . 0 〃 m、 Δ S W= 2. 0 〃 m、

5 L = 1 . 5 〃 mである。

図 1 1 は本実施例に係る薄膜磁気へッドに関して各形状パラメ一夕 S H、 A S W及び S Lをそれぞれ所望の範囲内とした時の評価結果を示している。図中、横軸は起磁力 mm f 、縦軸は記録磁界 H x' を表しており、また破線（參データ）は比 R ( 3 0 0 Z 1 0 0 0 ) を示し、実線（▲データ）は比 R ( 0. 2 A TZ 0. 4 A T ) を示している。

効果有無の判定基準としては、この薄膜磁気へッドは既に図 6 に関連して説明した基準値、すなわち従来の薄膜へッドの R ( u 3 0 0 / 1 0 0 0 ) = 0. 8 8 及び R ( 0. 2 A T/ 0. 4 A T ) = 0 . 8 0 5 を満足している範囲内で形成されている。従って、図 5 に関連して目標であると説明した比較例（先端副磁極を持たない薄膜磁気へッド）との間で、比較することにした。比較例では R ( 3 0 0 / 1 0 0 0 ) = 0. 9 4 , R ( 0. 2 A TZ 0. 4 A T ) = 0 . 8 8 である。

これに対し、図 1 1 に示す形状パラメ一夕 S H、 △ S W及び S L の各範囲を全て満足する先端副磁極を備えた薄膜磁気へッドでは、 R ( // 3 0 0 / i l 0 0 0 ) = 0. 9 2、 R ( 0. 2 A T/ 0. 4 A T ) = 0 . 8 6である。結局、図 1 1 に示す評価結果では、比較例に比べて、比 R ( a 3 0 0 / a 1 0 0 0 ) 及び比 R ( 0. 2 A T / 0 . 4 A T ) のいずれに関しても、磁界変動が小さいことが判明した。つまり、オーバライト特性及び記録にじみ特性の両方に関して、改善されていることが判明した。

④ 製造方法

- 先端副磁極を備えた薄膜磁気へッド

図 1 2 A〜図 1 2 Hは、本実施例に係る先端副磁極を備えた薄膜磁気へッドの製造方法を工程順に従って示したものである。これらの図は図 7 Bに相当し、先端副磁極の作製過程の基板（ウェハ）の側面図である。なお、図 1 に関連して説明した再生へッド（ R E ) については既に形成済みとして、説明を行う。先ず最初の工程では（図 1 2 A参照）、再生へッド R Eの第 2の非磁性絶縁層 7 (図 1 参照）の上に、再生ヘッド R Eの上側磁気シ一ルド層 8 と兼用される記録へッド W Rの下部磁極 8 を形成する。この下部磁極 8 は、典型的には N i F e系合金又は C 0系合金からなり、 . (列えば、 N i (50) F e ( 50)、 N i (80 ) F e (20)、 C o N i F e、 F e Z r N等であってもよい。予め、スパッ夕法或いは蒸着法によりメツキベース層（図示せず）を形成し、次に電解メツキにより数 m程度の膜厚に形成する。下部磁極 8 をスパッ夕法で成膜する場合には、 F e系合金、 C 0系合金（ C 0 Z r等）が用いられ、この場合にはメツキべ一ス層は不要である。

次いで、下部磁極 8 の上に記録ギャップ層 9 を形成する。この記録ギャップ曆 9 は、例えば、 A 1 ₂ 0 ₃ 、 S i 0 2 等からなる。その後のエツチング工程での記録ギヤップ層の膜厚'减少を防止するため、必要に応じて、記録ギャップ層の上に保護層（図示せず）を設けてもよい。

次いで、記録ギャップ層 9 の上に、例えば感光性フオトレジスト 3 0 をスピンコート法で被着し、このレジスト 3 0 を、後の工程で形成される先端副磁極の形状に応じた形状にパターニングする。この時、先端副磁極の形状パラメ一夕の 1 つである「先端副磁極のコァ幅の拡がり A S W」が画定される。

次の工程では（図 1 2 B参照）、レジスト 3 0 をマスクにして上部先端副磁極 2 2 を形成する。この上部先端副磁極 2 2 は、典型的には下部磁極 8 と同じ材料で構成されてもよい。予め、スパッ夕法又は蒸着法によりメツキべ一ス層（図示せず）を形成し、次に電解 / ツキにより形成する。上部先端副磁極 2 2 をスパッ夕法で成膜する場合には、 F e系合金、 C o系合金（ C o Z r 等）が用いられ、この場合にはメツキべ一ス層は不要である。上部先端副磁極 2 2 を形成した後、レジスト 3 0 を除去する。 ' 次の工程では（図 1 2 C参照）、ギャップ深さ（図 7 B参照）に基づいて上部先端副磁極 2 2 の一端を規定し、この先端副磁極 2 2 が形成されている部分以外の領域における記録ギヤップ層 9及び下部磁 ¾ .8 をイオンミリングによりトリミングする。これによつて、下部磁極 8 において凸状に残った部分が下部先端副磁極 2 1 を構成する。

次の工程では（図 1 2 D参照）、上部先端副磁極 2 2 と露出した下部磁極 8 を覆うようにアルミナ層 3 2を形成する。

次の工程では（図 1 2 E参照）、ラッビング（l a p p i n g ) やポリッシング（p o l i s h i n g ) 等によりアルミナ層 3 2 と上部先端副磁極 2 2 の表面を研磨し、平坦化を行う。かかる平坦化を行う意図は、基板上の凹凸を無くすことで後の工程におけるレジスト被着時の位置合わせ精度を確保し、上部磁極等のパターニングの精度向上を図ることにある。この時、先端副磁極の形状パラメータの 1 つである「先端副磁極の長さ S L」か画定される。

次の工程では（図 1 2 F参照）、アルミナ層 3 2の上に、非磁性絶縁層 1 0 , 1 1 で包囲された記録コイル 1 2を形成する。このェ程は、本発明に直接関係しないので簡単に説明する。先ず、フォトレジストを被着して適宜パターニングを行い、熱硬化して、記録コィル 1 2 より下方部分の絶縁層 1 0 を形成する。この後、渦巻き状の記録コイル 1 2を形成し、更に、フォトレジストの被着、ノタ一ニンク''、熱硬化等を経て、記録コイル 1 2の周囲及び上方に絶縁層 1 1 を形成する。この時、渦巻き状の記録コイル 1 2の中心部領域 (図 1 において 1 3で示す部分）に相当する部分を除去して孔を形成する。この孔は、後の工程で上部磁極 1 6 が形成された時に当該孔を介して下部磁極 8 と接続するためのものである。次の工程では（図 1 2 G参照）、上部先端副磁極 2 2及び非磁性絶縁層 1 1 の上にメツキベース層（図示せず）を形成し、更に、感光性フォ卜レジスト 3 3 をスピンコート法で被着し、このレジス卜 3 3 を、後の工程で形成される上部磁極の形状に応じた形状にバタ一二ン "する。

最後の工程では（図 1 2 H参照）、レジスト 3 3 をマスクにして非磁性絶縁層 1 1 及び上部先端副磁極 2 2の上に、電気メツキにより数 mの厚さで上部磁極 1 6 を形成する。更に、レジスト 3 3 を除去した後、上部磁極 1 6以外で露出しているメツキベース層をィオンミリングにより除去する。その後、磁気トランスデューサ 5 の両端の端子に接続する電極パッド（図示せず）や記録コイル 1 2の電極パッド（図示せず）を形成する。

最後に、複数の磁気へッドが同時に形成されたウェハから個々の磁気へッドを切り出し、各磁気へッドを浮上面 A B Sから最終仕上がり線まで機械的に研磨する。この最終仕上がり線はギャップ深さ (図 7 B参照）により決められ、この時、先端副磁極の形状パラメ一夕の 1 つである「先端凸部高さ S H」が画定される。

以上に説明した図 1 2 A〜図 1 2 Hの工程により、本実施例に係る迚特の形状をもつ先端副磁極を備えた薄膜磁気へッドを製造することができる。

• 追加的な上部磁極自体の成型方法

図 1 2 A〜図 1 2 Hの工程により製造された薄膜磁気へッドに対し、必要に応じて、本出願人が以前に提案したように（特願平 1 0 一 1 8 4 7 8 0号）上部磁極 1 6のポール 1 6 aをトリミングして所望の形状に整形することで、特性の更なる向上を図ることも可能である。

図 1 3 A〜図 1 3 Dはウェハ面に対しイオンミリングによるトリミングを行った場合の製造工程を示している。先ず図 1 3 A及び図' 1 3 Bに示されるように、基板（ウェハ）上に上部磁極 1 6 まで形成した後、上部磁極 1 6 のトレーリング · エッジ近傍のみに窓があくようにパターニングされた保護膜 3 4或いは保護用のレジストを被着し、イオンミリングによりトリミングを行う。このイオンミリングは、図 1 3 Cに示されるように、ウェハを回転させながら所定角度（ 0 ) で揺動させて、浮上面側から研磨加工するものである。この方法により、上部磁極 1 6 の上面がそれ程削られることなく、側面を所望の程度研磨することができる。そして図 1 3 Dに示されるように、保護膜 3 4 を除去した後、ウェハから切り出し、浮上面から最終仕上がり線まで研磨加工する。

図 1 4 A〜図 1 4 Cはウェハ面に対し F I B トリミングを行った場合の製造工程を示している。先ず図 1 4 A及び図 1 4 Bに示されるように、基板（ウェハ）上に上部磁極 1 6 まで形成した後、上部磁極 1 6 のトレーリング · エッジ近傍に焦点を定めた集束イオンビー厶（ F I B ) によりトリミングを行う。そして図 1 4 Cに示されるように、ウェハから切り出し、浮上面から最終仕上がり線まで研磨加工する。

図 1 5 A及び図 1 5 Bは浮上面に対しイオンミリングによるトリミングを行った場合の製造工程を示している。図示のように、ゥェハから各々の磁気へッドを切り出し、浮上面からの研磨加工を施した後（つまり、スライダ加工を施した後）、浮上面上において上部磁極 1 6 のサイドエッジ近傍のみに窓があくようにパターニングされた保護膜等（図示せず）を被着し、イオンミリングによりトリミングを行う。

図 1 6 A及び図 1 6 Bは浮上面に対し F I B トリミングを行った場合の製造工程を示している。図示のように、ウェハから各々の磁気へッドを切り出し、浮上面からの研磨加工を施した後（つまり、 ' スライダ加工を施した後）、浮上面上において上部磁極 1 6 のサイドエツジ部に焦点を定めた F I Bによりトリミングを行う。

以上説明したように、本実施例に係る薄膜磁気へッド及びその製造方法によれば、先端副磁極を備えた複合型磁気へッド或いは誘導型記録再生薄膜へッドにおいて、高周波オーバーライ卜特性の悪化の原因となる透磁率低下に伴う記録磁界の低下、或いは低周波記録にじみ特性の悪化の原因となる起磁力増加に伴う記録磁界の増大といった問題を解消することができる。これにより、良好な高周波特性と記録にじみ特性を持った薄膜磁気へッドの作製が可能となり、先端副磁極を備えた薄膜磁気へッドの当初の目的である、トラック幅の規定、記録にじみの低減を達成することができ、高記録密度化を実現することが可能となる。

Claims

請求の範囲 '

1 . 薄膜磁気ヘッドであって、

下部磁極（ 8 ) と、

前記下部磁極に対向して配置された上部磁極（ 1 6 ) と、前記下部磁極及び上部磁極の間で両磁極から離間して配置された記録コイル（ 1 2 ) と、

前記上部磁極の前記下部磁極側で浮上而近傍に設けられた上部先端副磁極（ 2 2 ) とを具備し、

前記上部先端副磁極は、その本体部分のコア幅（ S W 2 ) が浮上面（ A B S ) でのコア幅（ S W 1 ) より大きくなるように形成されている。

2. 請求項 1 に記載の薄膜磁気ヘッドにおいて、前記上部先端副磁極のコア幅が拡がり始める位置を前記浮上面からの先端凸部高さ

( S H) として定義した時、前記先端凸部高さは、オーバライト特性及び記録にじみ特性の少なくとも一方が改善される程度の値に選定されている。

3. 請求項 2 に記載の薄膜磁気ヘッドにおいて、前記先端凸部高さが 0 . 1 m以上に選定されている。

4 . 請求項 3 に記載の薄膜磁気ヘッドにおいて、前記先端凸部高さが 0 . 3 m以上に選定されている。

5. 請求項 1 に記載の薄膜磁気ヘッドにおいて、前記本体部分のコァ幅と前記浮上面でのコァ幅の差を先端副磁極のコァ幅の拡がり

( Δ S W) として定義した時、前記コア幅の拡がりは、オーバライト特性及び記録にじみ特性の少なくとも一方が改善される程度の値に選定されている。

6 . 請求項 5 に記載の薄膜磁気ヘッドにおいて、前記コア幅の拡かりカ 6 . 2 m以下に選定されている。

7. 請求項 6 に記載の薄膜磁気ヘッドにおいて、前記コア幅の拡がり力 3. 2 〃 m以下に選定されている。

8. 請求項 1 に記載の薄膜磁気ヘッドにおいて、前記上部先端副磁極の.膜厚を先端副磁極の長さ（ S L ) として定義した時、前記先端副磁極の長さは、オーバライト特性及び記録にじみ特性の少なくとも一方が改善される程度の値に選定されている。

9. 請求項 8 に記載の薄膜磁気ヘッドにおいて、前記先端副磁極の長さが 8 . 0 〃 m以下に選定されている。

1 0 . 請求項 9 に記載の薄膜磁気ヘッドにおいて、前記先端副磁極の長さが 3. 6 m以下に選定されている。

1 1 . 請求項 1 に記載の薄膜磁気ヘッドにおいて、前記上部先端副磁極のコア幅が拡がり始める位置を前記浮上面からの先端凸部高さ（ S H) として定義した時に該先端凸部高さは 0. 3 〃 m以上に選定され、前記本体部分のコア幅と前記浮上面でのコア幅の差を先端副磁極のコア幅の拡がり（ Δ S W ) として定義した時に該コア幅の拡がりは 3. 2 / m以下に選定され、前記上部先端副磁極の膜厚を先端副磁極の長さ（ S L ) として定義した時に該先端副磁極の長さは 3. 6 〃 m以下に選定されている。

1 2. 請求項 1 に記載の薄膜磁気へッドにおいて、更に、前記下部磁極の前記上部磁極側で浮上面近傍に設けられた下部先端副磁極

( 2 1 ) を具備し、該下部先端副磁極は、前記上部先端副磁極と同じ形状を有している。

1 3. 複合型磁気へッドであって、

請求項 1 に記載の薄膜磁気へッドを用いた記録へッドと、磁気抵抗効果型素子を磁気トランスデューサとして用いた再生へッドとを具備し、前記記録へッドと前記再生へッドが一体的に形成されている。 '

1 4 . 薄膜磁気ヘッドを製造する方法であって、

(a 下部磁極（ 8 ) を形成する工程と、

(b 前記下部磁極の上方に、第 1 のレジスト（ 3 0 ) を所定の形状にパターニングして、該第 1 のレジストの形状に従い浮上面から離れるにつれてそのコア幅が拡がる上部先端副磁極（ 2 2 ) を形成する工程と、

(c) 前記第 1 のレジストを除去した後、前記下部磁極を部分的にトリミングして下部先端副磁極（ 2 1 ) を形成する工程と、

(O 前記下部磁極のトリミングされた部分と前記上部先端副磁極の上にアルミナ層（ 3 2 ) を形成する工程と、

(e) 前記アルミナ層及び前記上部先端副磁極に対して膜厚方向に表面を研磨して平坦化を行う工程と、

( 平坦化された前記アルミナ層の上に非磁性絶縁層（ 1 0 , 1 1 ) で周囲を囲んだ記録コイル（ 1 2 ) を形成する工程と、

(g) 平坦化された前記上部先端副磁極の上に、第 2のレジスト（ 3 3 ) を所定の形状にパターニングして、該第 2のレジストの形状に応じた上部磁極（ 1 6 ) を形成する工程と、

( h 前記第 2のレジストを除去した後、ウェハから切り出して最終仕上がり線まで機械的に研磨する工程とを含む。

1 5. 請求項 1 4 に記載の方法において、更に、前記工程（a) の後に、前記下部磁極の上に記録ギャップ層（ 9 ) を形成する工程を含み、形成された該記録ギャップ層の上に前記第 1 のレジストが被着される。

1 6 . 請求項 1 4 に記載の方法において、前記工程（c) は、ィォンミリングにより前記下部磁極を部分的にトリミングすることを含む。

1 7 . 請求項 1 4 に記載の方法において、更に、前記工程（h) の後に、前記上部磁極の浮上面となる近傍の領域以外の領域に保護膜を被着して所定の形状にパターニングする工程と、ウェハ面に対しイオンミリングによりトリミングを行う工程とを含む。

1 8 ., 請求項 1 4 に記載の方法において、更に、前記工程（g) と前記工程（h) の間に、ウェハ面に対し集束イオンビームによりトリミングを行う工程を含む。

1 9 . 請求項 1 4 に記載の方法において、更に、前記工程（h) の後に、前記上部磁極の浮上面となる近傍の領域以外の領域に保護膜を被着して所定の形状にパターニングする工程と、前記浮上面に対しイオンミリングによりトリミングを行う工程とを含む。

2 0 . 請求項 1 4 に記載の方法において、更に、前記工程（h) の後に、前記上部磁極の浮上面に対し集束イオンビームによりトリミングを行う工程とを含む。

2 1 . 請求項 1 4 に記載の方法において、前記工程（b) により、前記上部先端副磁極の本体部分のコア幅（ S W 2 ) と前記浮上面でのコア幅（ S W 1 ) の差が先端副磁極のコア幅の拡がり（ Δ S W ) として画定される。

2 2 . 請求項 1 4 に記載の方法において、前記工程（e) により、前記上部先端副磁極の膜厚が先端副磁極の長さ（ S L ) として画定される。

2 3 . 請求項 1 4 に記載の方法において、前記工程（h) により、前記上部先端副磁極のコア幅が拡がり始める位置が前記浮上面からの先端凸部高さ（ S H ) として画定される。