JP4079427B2 - 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法、ヘッドジンバルアセンブリならびにハードディスク装置 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法、ヘッドジンバルアセンブリならびにハードディスク装置 Download PDFInfo
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、少なくとも誘導型電磁変換素子を有する薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法、ならびに薄膜磁気ヘッドを含むヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、ハードディスク装置の面記録密度の向上に伴って、薄膜磁気ヘッドの性能向上が求められている。薄膜磁気ヘッドとしては、基板に対して、読み出し用の磁気抵抗効果素子(以下、MR(Magneto-resistive)素子とも記す。)を有する再生ヘッドと書き込み用の誘導型電磁変換素子を有する記録ヘッドとを積層した構造の複合型薄膜磁気ヘッドが広く用いられている。
【0003】
記録ヘッドは、それぞれ媒体対向側において互いに対向する磁極部分を含む下部磁極層および上部磁極層と、下部磁極層の磁極部分と上部磁極層の磁極部分との間に設けられた記録ギャップ層と、少なくとも一部が下部磁極層および上部磁極層に対して絶縁された状態で設けられた薄膜コイルとを備えている。
【0004】
ところで、高記録密度化のために記録ヘッドに要求されることは、特に、記録トラック幅を規定する磁極幅の縮小と、記録特性の向上である。一方、磁極幅が小さくなると、記録特性、例えば重ね書きの性能を表わすオーバーライト特性は低下する。従って、磁極幅が小さくなるほど、記録特性の一層の向上が必要となる。また、高記録密度化のためには、あるトラックへの情報の書き込み時に隣接トラックの情報が消去される現象であるサイドイレーズを抑制する必要もある。
【0005】
ところで、薄膜磁気ヘッドは半導体製造技術を利用して製造される。そのため、1枚のウェハを用いて複数の薄膜磁気ヘッドが同時に製造される。ここで、特に実効記録トラック幅が0.3μm以下のように小さくなってくると、1枚のウェハを用いて製造される複数の薄膜磁気ヘッドにおける磁極幅のばらつきを小さくすることが難しくなってくる。
【0006】
磁極幅の小さい薄膜磁気ヘッドを製造するための技術としては、例えば特許文献1や特許文献2に示されるように、上部磁極層を、磁極幅を規定する磁極部分層と、幅の大きなヨーク部分層とに分ける技術が知られている。また、磁極幅の小さい薄膜磁気ヘッドを製造するための他の技術としては、同じく特許文献1や特許文献2に示されるように、磁極部分のトリミング技術が知られている。この技術は、上部磁極層の磁極部分をマスクとして、記録ギャップ層と、下部磁極層の磁極部分における記録ギャップ層側の少なくとも一部をエッチングして、上部磁極層の磁極部分、記録ギャップ層および下部磁極層の磁極部分の少なくとも一部の各側壁の位置を揃えるものである。上記エッチングには、ドライエッチングが用いられる。
【0007】
磁極幅の小さい薄膜磁気ヘッドを製造するための更に他の技術としては、例えば特許文献3や特許文献4に示されるように、下部磁極層の磁極部分層、記録ギャップ層、および上部磁極層の磁極部分層の各平面形状を一致させる技術が知られている。この技術において、下部磁極層の磁極部分層、記録ギャップ層、および上部磁極層の磁極部分層は、例えば、同一のフォトレジストフレームを用いてめっき法によって連続的に形成される。
【0008】
また、特許文献5には、下部磁極層の下地の上に、スロートハイトを規定する絶縁層を形成した後にフォトレジストフレームを形成し、このフォトレジストフレームを用いてめっき法によって、下部磁極層の磁極部分層、記録ギャップ層、および上部磁極層の磁極部分層を形成する技術が記載されている。なお、スロートハイトとは、媒体対向面から、2つの磁極層の間隔が開き始める位置までの長さ(高さ)をいう。
【0009】
【特許文献1】
特開平11−353616号公報(図9)
【特許文献2】
米国特許第6043959号明細書(図16)
【特許文献3】
特開平6−28626号公報(図5)
【特許文献4】
特開平6−314413号公報(図1)
【特許文献5】
特開2001−118214号公報(図3)
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
特許文献1や特許文献2に示されるような磁極部分のトリミング技術を用いて磁極幅を制御する場合には、ドライエッチングによって磁極幅を制御することになる。そのため、この場合には、1枚のウェハを用いて製造される複数の薄膜磁気ヘッドにおける磁極幅のばらつきが大きくなるという問題点がある。
【0011】
これに対し、特許文献3や特許文献4に示されるように、同一のフォトレジストフレームを用いて、下部磁極層の磁極部分層、記録ギャップ層、および上部磁極層の磁極部分層を形成する場合には、フォトリソグラフィによって磁極幅を制御することになる。この場合には、ドライエッチングによって磁極幅を制御する場合に比べて、1枚のウェハを用いて製造される複数の薄膜磁気ヘッドにおける磁極幅のばらつきを抑えることができる。また、平坦な面の上にフォトレジストフレームを形成する場合には、フォトレジストフレームを精度よく形成することができる。従って、平坦な面の上に形成されたフォトレジストフレームを用いて、下部磁極層の磁極部分層、記録ギャップ層、および上部磁極層の磁極部分層を形成する場合には、磁極幅のばらつきをより抑えることができる。
【0012】
ところで、特許文献3や特許文献4に示された技術を用いて製造される薄膜磁気ヘッドでは、スロートハイトは、下部磁極層の磁極部分層、記録ギャップ層、および上部磁極層の磁極部分層の集合体における媒体対向面側の端部から反対側の端部までの距離と一致する。そのため、この薄膜磁気ヘッドでは、上記距離が長いと、スロートハイトも長くなり、その結果、媒体対向面から記録のための十分な大きさの磁界を発生させることができなくなる場合がある。一方、上記距離が短いと、上下の各磁極部分層と上下の各ヨーク部分層との接触面積が小さくなり、その結果、ヨーク部分層から磁極部分層に十分な磁束を供給することができなくなる。その結果、やはり媒体対向面から記録のための十分な大きさの磁界を発生させることができなくなる場合がある。
【0013】
特許文献5に示された技術を用いれば、スロートハイトを短くしながら、上部磁極層における磁極部分層とヨーク部分層との接触面積を大きくすることができる。しかしながら、この技術では、平坦な面ではなく、スロートハイトを規定する絶縁層によって段差が生じた面の上にフォトレジストフレームが形成される。そのため、フォトレジストフレームを精度よく形成することが難しい。従って、この技術では、特に、磁極幅が0.3μm以下のように小さくなった場合に、磁極幅のばらつきを小さくすることが難しいという問題点がある。
【0014】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、微小なトラック幅を規定する磁極部分を精度よく形成することができると共に、記録特性を向上させることができるようにした薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法、ヘッドジンバルアセンブリならびにハードディスク装置を提供することにある。
【0015】
【課題を解決するための手段】
本発明の薄膜磁気ヘッドは、
記録媒体に対向する媒体対向面と、
媒体対向面側において互いに対向する磁極部分を含むと共に、互いに磁気的に連結された第1および第2の磁極層と、
第1の磁極層の磁極部分と第2の磁極層の磁極部分との間に設けられたギャップ層と、
少なくとも一部が第1および第2の磁極層の間に、第1および第2の磁極層に対して絶縁された状態で設けられた薄膜コイルと、
基板とを備え、
第1および第2の磁極層、ギャップ層および薄膜コイルは、基板に積層され、且つ第1および第2の磁極層のうち、第1の磁極層の方が基板に近い位置に配置されている。
【0016】
本発明の薄膜磁気ヘッドにおいて、第1の磁極層は、第1の磁極層の磁極部分を含む第1の磁極部分層と、第1の磁極部分層に接続された第1のヨーク部分層とを有している。また、第2の磁極層は、第2の磁極層の磁極部分を含む第2の磁極部分層と、第2の磁極部分層に接続された第2のヨーク部分層とを有している。第1の磁極部分層、ギャップ層および第2の磁極部分層における基板の上面に平行な断面の形状は同じである。第1のヨーク部分層と第2のヨーク部分層は、媒体対向面から離れた位置において互いに連結されている。また、第1の磁極部分層、ギャップ層および第2の磁極部分層の集合体は、媒体対向面に配置された一端部と媒体対向面から離れた位置に配置された他端部とを有すると共にトラック幅を規定する幅を有する第1の部分と、第1の部分の他端部に連結され、第1の部分の幅よりも大きな幅を有する第2の部分とを含んでいる。
【0017】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドにおいて、第1の部分の幅をWとし、媒体対向面から第1の部分と第2の部分の境界位置までの距離をLとしたときに、L/Wは2以上、5以下である。また、第1の磁極部分層、ギャップ層および第2の磁極部分層における基板の上面に平行な断面の面積をSとしたときに、S/(W×L)は5以上、40以下である。これにより、薄膜磁気ヘッドの記録特性を向上させることができる。
【0018】
本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、
第1のヨーク部分層を形成する工程と、
第1のヨーク部分層の上に、同一のフレームを用いて、第1の磁極部分層、ギャップ層および第2の磁極部分層を順に形成する工程と、
薄膜コイルを形成する工程と、
第2のヨーク部分層を形成する工程と
を備えている。
【0019】
本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法において、第1の磁極部分層、ギャップ層および第2の磁極部分層を形成する工程は、めっき法を用いてもよい。
【0020】
本発明のヘッドジンバルアセンブリは、本発明の薄膜磁気ヘッドを含み、記録媒体に対向するように配置されるスライダと、スライダを弾性的に支持するサスペンションとを備えたものである。
【0021】
本発明のハードディスク装置は、本発明の薄膜磁気ヘッドを含み、回転駆動される円盤状の記録媒体に対向するように配置されるスライダと、スライダを支持すると共に記録媒体に対して位置決めする位置決め装置とを備えたものである。
【0022】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。始めに、図1および図12を参照して、本発明の一実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの構成について説明する。図1は本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの主要部を示す説明図である。図1において、(a)は薄膜磁気ヘッドの主要部の媒体対向面および基板の面に垂直な断面を示している。また、(b)は薄膜磁気ヘッドの上部磁極層の平面形状を示している。図12は薄膜磁気ヘッドの媒体対向面および基板の面に垂直な断面を示している。
【0023】
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドは、アルティック(Al2O3・TiC)等のセラミック材料よりなる基板1と、この基板1の上に形成されたアルミナ(Al2O3)等の絶縁材料よりなる絶縁層2と、この絶縁層2の上に形成された磁性材料よりなる下部シールド層3と、この下部シールド層3の上に形成された下部シールドギャップ膜4と、この下部シールドギャップ膜4の上に形成された再生用のMR素子5とを備えている。下部シールド層3の材料としては、例えばNiFeが用いられる。下部シールドギャップ膜4の材料としては、例えばAl2O3が用いられる。
【0024】
薄膜磁気ヘッドは、更に、下部シールドギャップ膜4およびMR素子5の上に形成された上部シールドギャップ膜7と、この上部シールドギャップ膜7の上に形成された磁性材料よりなる第1のヨーク部分層8bとを備えている。第1のヨーク部分層8bは、記録ヘッドの下部磁極層8の一部と、再生ヘッドの上部シールド層を兼ねている。上部シールドギャップ膜7の材料としては、例えばAl2O3が用いられる。第1のヨーク部分層8bの材料としては、例えば、NiFeやCoNiFe等のめっき法によって成膜可能な磁性材料が用いられる。なお、図12では、下部シールドギャップ膜4および上部シールドギャップ膜7を一体的に表わし、MR素子5の図示を省略している。
【0025】
MR素子5の一端部は、媒体対向面(エアベアリング面)ABSに配置されている。MR素子5には、AMR(異方性磁気抵抗効果)素子、GMR(巨大磁気抵抗効果)素子あるいはTMR(トンネル磁気抵抗効果)素子等の磁気抵抗効果を示す感磁膜を用いた素子を用いることができる。また、MR素子5には、図示しない一対のリード層が接続されている。
【0026】
なお、第1のヨーク部分層8bの代わりに、上部シールド層と、この上部シールド層の上に形成された非磁性材料よりなる分離層と、この分離層の上に形成されたヨーク部分層とを設けてもよい。
【0027】
薄膜磁気ヘッドは、更に、第1のヨーク部分層8bの上に形成された磁性材料よりなる第1の磁極部分層8aと、この第1の磁極部分層8aの上に形成された非磁性材料よりなる記録ギャップ層9と、この記録ギャップ層9の上に形成された磁性材料よりなる第2の磁極部分層10aとを備えている。第1の磁極部分層8aおよび第2の磁極部分層10aの材料としては、例えば、NiFeやCoNiFe等のめっき法によって成膜可能な磁性材料が用いられる。また、第1の磁極部分層8aおよび第2の磁極部分層10aの材料としては、特に、高飽和磁束密度材料を用いることが好ましい。第1の磁極部分層8aと第1のヨーク部分層8bは、下部磁極層8を構成する。記録ギャップ層9の材料としては、例えば、NiP等のめっき法によって成膜可能な非磁性金属材料が用いられる。
【0028】
薄膜磁気ヘッドは、更に、第1の磁極部分層8a、記録ギャップ層9および第2の磁極部分層10aよりも媒体対向面ABSから離れた位置において、第1のヨーク部分層8bの上に形成された絶縁層11と、この絶縁層11の上に形成された薄膜コイル12とを備えている。絶縁層11には、薄膜コイル12の中心部分において、コンタクトホール11aが形成されている。絶縁層11の材料としは、例えばAl2O3が用いられる。薄膜コイル12の材料としては、銅等の導電性材料が用いられる。薄膜コイル12は、コンタクトホール11aの周囲に巻回されている。なお、図1および図12において、符号12aは、薄膜コイル12のうち、後述するリード層16に接続される接続部を表している。
【0029】
薄膜磁気ヘッドは、更に、薄膜コイル12の巻線間に充填されると共に、薄膜コイル12の内周側の端部および外周側の端部に接する絶縁層13と、第1の磁極部分層8a、記録ギャップ層9、第2の磁極部分層10aおよび絶縁層13の周囲に形成された絶縁層14と、薄膜コイル12の上面を覆う絶縁層15とを備えている。絶縁層13の材料としては、例えばフォトレジストが用いられる。絶縁層14,15の材料としては、例えばAl2O3が用いられる。
【0030】
薄膜磁気ヘッドは、更に、第2の磁極部分層10aと下部磁極層8とを連結する磁性材料よりなる第2のヨーク部分層10bを備えている。第2のヨーク部分層10bの媒体対向面ABS側の端部近傍の部分は、第2の磁極部分層10aの上面に接している。第2のヨーク部分層10bの媒体対向面ABS側の端部は、媒体対向面ABSから離れた位置に配置されている。また、第2のヨーク部分層10bは、コンタクトホール11aを通過して、第1のヨーク部分層8bに接続されている。第2のヨーク部分層10bの材料としては、例えば、NiFeやCoNiFe等のめっき法によって成膜可能な磁性材料が用いられる。第2の磁極部分層10aと第2のヨーク部分層10bは、上部磁極層10を構成する。
【0031】
薄膜磁気ヘッドは、更に、薄膜コイル12の接続部12aに接続されたリード層16を備えている。リード層16は導電性材料によって形成されている。リード層16の材料は、第2のヨーク部分層10bの材料と同じであってもよい。
【0032】
薄膜磁気ヘッドは、更に、第2のヨーク部分層10b、絶縁層14および絶縁層15を覆うように形成された絶縁材料よりなるオーバーコート層17を備えている。オーバーコート層17の材料としては、例えばAl2O3が用いられる。
【0033】
以上説明したように、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面ABSと再生ヘッドと記録ヘッド(誘導型電磁変換素子)と基板1を備えている。再生ヘッドと記録ヘッドは基板1に積層されている。また、再生ヘッドと記録ヘッドのうち、再生ヘッドの方が基板1に近い位置に配置されている。
【0034】
再生ヘッドは、MR素子5と、媒体対向面ABS側の一部がMR素子5を挟んで対向するように配置された、MR素子5をシールドするための下部シールド層3および上部シールド層(第1のヨーク部分層8b)とを有している。
【0035】
記録ヘッドは、媒体対向面ABS側において互いに対向する磁極部分を含むと共に、互いに磁気的に連結された下部磁極層8および上部磁極層10と、下部磁極層8の磁極部分と上部磁極層10の磁極部分との間に設けられた記録ギャップ層9と、少なくとも一部が下部磁極層8および上部磁極層10の間に、これらに対して絶縁された状態で配設された薄膜コイル12とを備えている。下部磁極層8、記録ギャップ層9、薄膜コイル12および上部磁極層10は、基板1に積層されている。下部磁極層8と上部磁極層10のうち、下部磁極層8の方が基板1に近い位置に配置されている。本実施の形態において、下部磁極層8は本発明における第1の磁極層に対応し、上部磁極層10は本発明における第2の磁極層に対応する。
【0036】
下部磁極層8は、下部磁極層8の磁極部分を含む第1の磁極部分層8aと、この第1の磁極部分層8aに接続された第1のヨーク部分層8bとを有している。上部磁極層10は、上部磁極層10の磁極部分を含む第2の磁極部分層10aと、この第2の磁極部分層10aに接続された第2のヨーク部分層10bとを有している。第1の磁極部分層8aと第2の磁極部分層10aは、記録ギャップ層9を介して互いに対向している。第1の磁極部分層8a、記録ギャップ層9および第2の磁極部分層10aにおける基板1の上面に平行な断面の形状は同じである。
【0037】
図1(b)に示したように、第2の磁極部分層10aは、媒体対向面ABSに配置された一端部と媒体対向面ABSから離れた位置に配置された他端部とを有すると共にトラック幅を規定する幅を有する第1の部分10a1と、第1の部分10a1の他端部に連結された第2の部分10a2とを含んでいる。第2の部分10a2の幅は、第1の部分10a1との境界位置では第1の部分10a1の幅と等しく、第1の部分10a1から離れるに従って、徐々に大きくなった後、一定の大きさになっている。記録ギャップ層9および第1の磁極部分層8aも、第1の部分10a1および第2の部分10a2と同様の平面形状の第1の部分および第2の部分を含んでいる。
【0038】
また、第2のヨーク部分層10bは、媒体対向面ABS側の一端部と反対側の他端部とを有すると共に一定の幅を有する第1の部分10b1と、第1の部分10b1の他端部に連結された第2の部分10b2とを含んでいる。第1の部分10b1の一端部は、第2の磁極部分層10aにおける第1の部分10a1と第2の部分10a2の境界位置から媒体対向面ABSまでの範囲内の位置に配置されている。第1の部分10b1の幅は、第2の磁極部分層10aの第2の部分10a2の最大の幅よりも大きくなっている。第2の部分10b2の幅は、第1の部分10b1との境界位置では第1の部分10b1の幅と等しく、第1の部分10b1から離れるに従って、徐々に大きくなった後、一定の大きさになっている。
【0039】
次に、図2および図3を参照して、本実施の形態における下部磁極層8および上部磁極層10の磁極部分の近傍の構造について詳しく説明する。図2は、第1の磁極部分層8a、記録ギャップ層9および第2の磁極部分層10aの集合体の平面図である。図3は、媒体対向面ABS側から見た上記集合体の正面図である。
【0040】
第1の磁極部分層8a、記録ギャップ層9および第2の磁極部分層10aの集合体30は、媒体対向面ABSに配置された一端部と媒体対向面ABSから離れた位置に配置された他端部とを有すると共にトラック幅を規定する幅を有する第1の部分30Aと、第1の部分30Aの他端部に連結され、第1の部分30Aの幅よりも大きい幅を有する第2の部分30Bとを含んでいる。第1の部分30Aと第2の部分30Bの平面形状は、前述の第2の磁極部分層10aの第1の部分10a1および第2の部分10a2と同様である。
【0041】
本実施の形態では、第1の部分30Aの幅をWとし、媒体対向面ABSから第1の部分30Aと第2の部分30Bの境界位置までの距離をLとしたときに、L/Wは2以上、5以下である。更に、本実施の形態では、第1の磁極部分層8a、記録ギャップ層9および第2の磁極部分層10aにおける基板1の上面に平行な断面の面積をSとしたときに、S/(W×L)は5以上、40以下である。これらの理由については、後で詳しく説明する。なお、図2では、第2の部分30Bの媒体対向面ABSに垂直な方向の長さを記号L2で表わしている。
【0042】
次に、図4ないし図12を参照して、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法について説明する。なお、図4ないし図12は、媒体対向面および基板の面に垂直な断面を示している。以下、1つの薄膜磁気ヘッドの製造方法について説明するが、本実施の形態では、実際には1枚のウェハ(基板)を用いて複数の薄膜磁気ヘッドが同時に製造される。
【0043】
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、まず、図4に示したように、基板1の上に、例えばスパッタリング法によって絶縁層2を形成する。次に、絶縁層2の上に、例えばスパッタリング法またはめっき法によって下部シールド層3を形成する。
【0044】
次に、下部シールド層3の上に、例えばスパッタリング法によって下部シールドギャップ膜4を形成する。次に、図4には示していないが、下部シールドギャップ膜4の上に、例えばスパッタリング法によってMR素子5を形成する。次に、下部シールドギャップ膜4の上に、例えばスパッタリング法によって、MR素子5に電気的に接続される図示しない一対のリード層を形成する。次に、下部シールドギャップ膜4、MR素子5およびリード層の上に、例えばスパッタリング法によって、上部シールドギャップ膜7を形成する。
【0045】
なお、上記の再生ヘッドを構成する各層は、パターン化されたレジスト層を用いた一般的なエッチング方法やリフトオフ法やこれらを併用した方法によってパターニングされる。
【0046】
次に、上部シールドギャップ膜7の上に、例えばスパッタリング法またはめっき法によって第1のヨーク部分層8bを形成する。次に、図示しないが、第1のヨーク部分層8bの上に、例えばスパッタリング法によって、めっき用の電極膜を形成する。
【0047】
次に、上記電極膜の上にフォトレジスト層を形成する。次に、このフォトレジスト層をフォトリソグラフィによってパターニングして、図5に示したように、フレーム21を形成する。このフレーム21は、第1の磁極部分層8a、記録ギャップ層9および第2の磁極部分層10aを形成すべき位置に開口部を有している。
【0048】
次に、フレーム21を用い、フレームめっき法によって、第1の磁極部分層8a、記録ギャップ層9および第2の磁極部分層10aを連続的に形成する。第1の磁極部分層8aおよび第2の磁極部分層10aの材料は、いずれも、めっき法によって成膜可能な磁性材料とする。また、記録ギャップ層9の材料は、めっき法によって成膜可能な非磁性金属材料とする。
【0049】
次に、フレーム21を除去する。次に、めっき用の電極膜のうち、第1の磁極部分層8aの下に存在する部分以外の部分をエッチングによって除去する。
【0050】
次に、図6に示したように、ここまでの工程によって得られた積層体の上面全体の上に、例えばスパッタリング法によって絶縁層11を形成する。絶縁層11は、第1の磁極部分層8a、記録ギャップ層9および第2の磁極部分層10aの集合体の側壁部にも形成される。
【0051】
次に、図7に示したように、絶縁層11の上に、例えばフレームめっき法によって薄膜コイル12を形成する。このとき同時に、第1のヨーク部分層8bと第2のヨーク部分層10bとが連結される位置において、絶縁層11の上にダミー層22を形成する。
【0052】
次に、図8に示したように、薄膜コイル12を覆うように絶縁層13を形成する。次に、積層体全体を覆うように、絶縁層14を形成する。このときの絶縁層14の厚さは、薄膜コイル12の厚さ以上とする。次に、図9に示したように、例えば化学機械研磨によって、薄膜コイル12およびダミー層22が露出するまで、絶縁層14を研磨する。
【0053】
次に、図10に示したように、積層体の上面全体の上に絶縁層15を形成する。次に、絶縁層15のうち、第2の磁極部分層10a、ダミー層22および薄膜コイル12の接続部12aの上の部分を選択的にエッチングする。更に、選択的なエッチングによって、ダミー層22と、絶縁層11のうちのダミー層22の下の部分を除去する。
【0054】
次に、図11に示したように、例えばフレームめっき法によって、第2のヨーク部分層10bとリード層16とを形成する。
【0055】
次に、図12に示したように、積層体全体を覆うように、例えばスパッタリング法によってオーバーコート層17を形成する。最後に、上記各層を含むスライダの機械加工を行って、記録ヘッドおよび再生ヘッドを含む薄膜磁気ヘッドの媒体対向面ABSを形成して、薄膜磁気ヘッドが完成する。
【0056】
次に、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの作用について説明する。薄膜磁気ヘッドは、記録ヘッドによって記録媒体に情報を記録し、再生ヘッドによって、記録媒体に記録されている情報を再生する。記録ヘッドにおいて、薄膜コイル12は、記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生する。下部磁極層8および上部磁極層10は、薄膜コイル12が発生する磁界に対応した磁束を通過させる。そして、媒体対向面ABSにおいて、第1の磁極部分層8aおよび第2の磁極部分層10aより、情報を記録媒体に記録するための磁界が発生される。
【0057】
本実施の形態では、第1の磁極部分層8a、記録ギャップ層9および第2の磁極部分層10aにおける基板1の上面に平行な各断面の形状は同じである。また、第1の磁極部分層8a、記録ギャップ層9および第2の磁極部分層10aは、第1のヨーク部分層8bの平坦な上面の上に、同一のフレーム21を用いてめっき法によって順に形成される。このように、本実施の形態では、フォトリソグラフィによって磁極幅を制御でき、且つ磁極幅を制御するフレーム21は平坦な面の上に形成される。従って、本実施の形態によれば、例えば0.3μm以下のような微小なトラック幅を規定する磁極部分を精度よく形成することができ、また、1枚のウェハを用いて製造される複数の薄膜磁気ヘッドにおける磁極幅のばらつきを抑制することができる。
【0058】
また、本実施の形態では、第1の磁極部分層8a、記録ギャップ層9および第2の磁極部分層10aの集合体30は、媒体対向面ABSに配置された一端部と媒体対向面ABSから離れた位置に配置された他端部とを有すると共にトラック幅を規定する幅を有する第1の部分30Aと、第1の部分30Aの他端部に連結され、第1の部分30Aの幅よりも大きい幅を有する第2の部分30Bとを含んでいる。そして、第1の部分30Aの幅をWとし、媒体対向面ABSから第1の部分30Aと第2の部分30Bの境界位置までの距離をLとしたときに、L/Wは2以上、5以下となっている。また、第1の磁極部分層8a、記録ギャップ層9および第2の磁極部分層10aにおける基板1の上面に平行な断面の面積をSとしたときに、S/(W×L)は5以上、40以下となっている。これにより、本実施の形態によれば、トラック幅が例えば0.3μm以下のように小さい場合でも、薄膜磁気ヘッドの記録特性を向上させることができる。以下、L/WおよびS/(W×L)と記録特性との関係を調べた2つの実験について説明する。
【0059】
各実験では、集合体30の形状が異なる複数の薄膜磁気ヘッドを作製し、それらの記録特性としてオーバーライト特性とサイドイレーズ抑制特性とを測定した。以下、オーバーライト特性を記号OWで表わし、サイドイレーズ抑制特性を記号ATEで表わす。
【0060】
オーバーライト特性OWは、以下のようにして測定した。まず、所定のトラックに、周波数50MHzの信号を用いて情報の書き込みを行う。次に、そのトラックより情報を読み込み、得られた再生信号のうちの周波数50MHzの成分の大きさをTAA1とする。次に、同一トラックに、周波数300MHzの信号を用いて情報の重ね書きを行う。次に、そのトラックより情報を読み込み、得られた再生信号のうちの周波数50MHzの成分の大きさをTAA2とする。そして、下記の式により、オーバーライト特性OWを求める。
【0061】
OW(dB)=20log10(TAA2/TAA1)
【0062】
また、サイドイレーズ抑制特性ATEは、以下のようにして測定した。まず、隣り合う第1ないし第3のトラックに、それぞれ、周波数249MHzの信号、周波数250MHzの信号、周波数249MHzの信号を用いて情報の書き込みを行う。なお、中央のトラックを第2のトラックとし、第2のトラックの左側のトラックを第1のトラックとし、第2のトラックの右側のトラックを第3のトラックとする。次に、第1のトラックおよび第3のトラックより、それぞれ情報を読み込み、得られた再生信号のうちの周波数249MHzの成分の大きさをTAA3とする。次に、第2のトラックに、周波数250MHzの信号を用いて情報の書き込みを10000回行う。次に、第1のトラックおよび第3のトラックより、それぞれ情報を読み込み、得られた再生信号のうちの周波数249MHzの成分の大きさをTAA4とする。そして、下記の式により、サイドイレーズ抑制特性ATEを求める。なお、実験では、第1のトラックにおける再生信号より求められるATEの値と第3のトラックにおける再生信号より求められるATEの値のうちの小さい方を、評価の対象とした。
【0063】
ATE(%)=(TAA4/TAA3)×100
【0064】
第1の実験において作製した薄膜磁気ヘッドにおけるW(μm)、L(μm)、L/W、OW(−dB)およびATE(%)を下記の表に示す。また、第1の実験において作製した薄膜磁気ヘッドにおけるL/Wと、OW(−dB)およびATE(%)との関係を図17に示す。なお、第1の実験において作製した薄膜磁気ヘッドにおいて、第1の磁極部分層8aの厚さは0.35μmとし、記録ギャップ層9の厚さは0.15μmとし、第2の磁極部分層10aの厚さは1.20μmとした。また、第2の部分30Bの媒体対向面ABSに垂直な方向の長さL2は1.80μmとした。また、第2の部分30Bの最大の幅は2.00μmとした。
【0065】
【表1】
【0066】
オーバーライト特性OWは、A(−dB)で表わしたとき、Aの値が大きいほど、重ね書きの性能が高いことを表わす。Aの値は35以上であることが好ましい。また、サイドイレーズ抑制特性ATEは、値が大きいほど、サイドイレーズが抑制されていることを表わす。サイドイレーズ抑制特性ATEは、90%以上であることが好ましい。図17では、OW=35(−dB)およびATE=90(%)である位置を、記号“LSL”を付した破線で示している。
【0067】
図17から、Aの値が35以上で且つATEが90%以上という条件を満たすのは、L/Wが2以上、5以下の場合であることが分かる。このことから、本実施の形態では、L/Wを2以上、5以下とする。上記の条件をより確実に満たすためには、L/Wは3以上、4以下であることが好ましい。
【0068】
次に、第2の実験において作製した薄膜磁気ヘッドにおけるW(μm)、L(μm)、L2(μm)、S(μm2)、S/(W×L)、OW(−dB)およびATE(%)を下記の表に示す。また、第2の実験において作製した薄膜磁気ヘッドにおけるS/(W×L)と、OW(−dB)およびATE(%)との関係を図18に示す。なお、第2の実験において作製した薄膜磁気ヘッドにおいて、第1の磁極部分層8aの厚さは0.35μmとし、記録ギャップ層9の厚さは0.15μmとし、第2の磁極部分層10aの厚さは1.20μmとした。また、第2の部分30Bの最大の幅は2.00μmとした。
【0069】
【表2】
【0070】
図18では、図17と同様に、OW=35(−dB)およびATE=90(%)である位置を、記号“LSL”を付した破線で示している。
【0071】
図18から、Aの値が35以上で且つATEが90%以上という条件を満たすのは、S/(W×L)が5以上、40以下の場合であることが分かる。このことから、本実施の形態では、S/(W×L)を5以上、40以下とする。上記の条件をより確実に満たすためには、S/(W×L)は10以上、35以下であることが好ましい。
【0072】
以上説明したように、本実施の形態によれば、微小な記録トラック幅を規定する磁極部分を精度よく形成することができると共に、記録特性を向上させることができる。
【0073】
以下、本実施の形態に係るヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置について説明する。まず、図13を参照して、ヘッドジンバルアセンブリに含まれるスライダ210について説明する。ハードディスク装置において、スライダ210は、回転駆動される円盤状の記録媒体であるハードディスクに対向するように配置される。このスライダ210は、主に図12における基板1およびオーバーコート層17からなる基体211を備えている。基体211は、ほぼ六面体形状をなしている。基体211の六面のうちの一面は、ハードディスクに対向するようになっている。この一面には、媒体対向面となるエアベアリング面20が形成されている。ハードディスクが図13におけるz方向に回転すると、ハードディスクとスライダ210との間を通過する空気流によって、スライダ210に、図13におけるy方向の下方に揚力が生じる。スライダ210は、この揚力によってハードディスクの表面から浮上するようになっている。なお、図13におけるx方向は、ハードディスクのトラック横断方向である。スライダ210の空気流出側の端部(図13における左下の端部)の近傍には、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド100が形成されている。
【0074】
次に、図14を参照して、本実施の形態に係るヘッドジンバルアセンブリ220について説明する。ヘッドジンバルアセンブリ220は、スライダ210と、このスライダ210を弾性的に支持するサスペンション221とを備えている。サスペンション221は、例えばステンレス鋼によって形成された板ばね状のロードビーム222、このロードビーム222の一端部に設けられると共にスライダ210が接合され、スライダ210に適度な自由度を与えるフレクシャ223と、ロードビーム222の他端部に設けられたベースプレート224とを有している。ベースプレート224は、スライダ210をハードディスク262のトラック横断方向xに移動させるためのアクチュエータのアーム230に取り付けられるようになっている。アクチュエータは、アーム230と、このアーム230を駆動するボイスコイルモータとを有している。フレクシャ223において、スライダ210が取り付けられる部分には、スライダ210の姿勢を一定に保つためのジンバル部が設けられている。
【0075】
ヘッドジンバルアセンブリ220は、アクチュエータのアーム230に取り付けられる。1つのアーム230にヘッドジンバルアセンブリ220を取り付けたものはヘッドアームアセンブリと呼ばれる。また、複数のアームを有するキャリッジの各アームにヘッドジンバルアセンブリ220を取り付けたものはヘッドスタックアセンブリと呼ばれる。
【0076】
図14は、ヘッドアームアセンブリの一例を示している。このヘッドアームアセンブリでは、アーム230の一端部にヘッドジンバルアセンブリ220が取り付けられている。アーム230の他端部には、ボイスコイルモータの一部となるコイル231が取り付けられている。アーム230の中間部には、アーム230を回動自在に支持するための軸234に取り付けられる軸受け部233が設けられている。
【0077】
次に、図15および図16を参照して、ヘッドスタックアセンブリの一例と本実施の形態に係るハードディスク装置について説明する。図15はハードディスク装置の要部を示す説明図、図16はハードディスク装置の平面図である。ヘッドスタックアセンブリ250は、複数のアーム252を有するキャリッジ251を有している。複数のアーム252には、複数のヘッドジンバルアセンブリ220が、互いに間隔を開けて垂直方向に並ぶように取り付けられている。キャリッジ251においてアーム252とは反対側には、ボイスコイルモータの一部となるコイル253が取り付けられている。ヘッドスタックアセンブリ250は、ハードディスク装置に組み込まれる。ハードディスク装置は、スピンドルモータ261に取り付けられた複数枚のハードディスク262を有している。各ハードディスク262毎に、ハードディスク262を挟んで対向するように2つのスライダ210が配置される。また、ボイスコイルモータは、ヘッドスタックアセンブリ250のコイル253を挟んで対向する位置に配置された永久磁石263を有している。
【0078】
スライダ210を除くヘッドスタックアセンブリ250およびアクチュエータは、本発明における位置決め装置に対応し、スライダ210を支持すると共にハードディスク262に対して位置決めする。
【0079】
本実施の形態に係るハードディスク装置では、アクチュエータによって、スライダ210をハードディスク262のトラック横断方向に移動させて、スライダ210をハードディスク262に対して位置決めする。スライダ210に含まれる薄膜磁気ヘッドは、記録ヘッドによって、ハードディスク262に情報を記録し、再生ヘッドによって、ハードディスク262に記録されている情報を再生する。
【0080】
本実施の形態に係るヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置は、前述の本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドと同様の効果を奏する。
【0081】
なお、本発明は上記実施の形態に限定されず、種々の変更が可能である。例えば、本発明において薄膜コイルは複数の層で構成されていてもよい。また、第2のヨーク部分層10bは、媒体対向面ABS側の端部から薄膜コイルの上に配置される部分にかけて湾曲していてもよい。また、第2のヨーク部分層10bの媒体対向面ABS側の端部は、媒体対向面ABSに露出していてもよい。
【0082】
また、実施の形態では、基体側に読み取り用のMR素子を形成し、その上に、書き込み用の誘導型電磁変換素子を積層した構造の薄膜磁気ヘッドについて説明したが、この積層順序を逆にしてもよい。
【0083】
また、本発明は、誘導型電磁変換素子のみを備えた記録専用の薄膜磁気ヘッドや、誘導型電磁変換素子によって記録と再生を行う薄膜磁気ヘッドにも適用することができる。
【0084】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその製造方法、ヘッドジンバルアセンブリもしくはハードディスク装置によれば、微小なトラック幅を規定する磁極部分を精度よく形成することができると共に、記録特性を向上させることができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの主要部を示す説明図である。
【図2】本発明の一実施の形態における第1の磁極部分層、記録ギャップ層および第2の磁極部分層の集合体の平面図である。
【図3】図2に示した集合体の正面図である。
【図4】本発明の一実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法における一工程を説明するための断面図である。
【図5】図4に示した工程に続く工程を説明するための断面図である。
【図6】図5に示した工程に続く工程を説明するための断面図である。
【図7】図6に示した工程に続く工程を説明するための断面図である。
【図8】図7に示した工程に続く工程を説明するための断面図である。
【図9】図8に示した工程に続く工程を説明するための断面図である。
【図10】図9に示した工程に続く工程を説明するための断面図である。
【図11】図10に示した工程に続く工程を説明するための断面図である。
【図12】図11に示した工程に続く工程を説明するための断面図である。
【図13】本発明の一実施の形態に係るヘッドジンバルアセンブリに含まれるスライダを示す斜視図である。
【図14】本発明の一実施の形態に係るヘッドジンバルアセンブリを含むヘッドアームアセンブリを示す斜視図である。
【図15】本発明の一実施の形態に係るハードディスク装置の要部を示す説明図である。
【図16】本発明の一実施の形態に係るハードディスク装置の平面図である。
【図17】本発明の一実施の形態に関わる第1の実験の結果を示す特性図である。
【図18】本発明の一実施の形態に関わる第2の実験の結果を示す特性図である。
【符号の説明】
1…基板、2…絶縁層、3…下部シールド層、4…下部シールドギャップ膜、5…MR素子、7…上部シールドギャップ膜、8…下部磁極層、8a…第1の磁極部分層、8b…第1のヨーク部分層、9…記録ギャップ層、10…上部磁極層、10a…第2の磁極部分層、10b…第2のヨーク部分層、11…絶縁層、12…薄膜コイル。
Claims (5)
- 記録媒体に対向する媒体対向面と、
前記媒体対向面側において互いに対向する磁極部分を含むと共に、互いに磁気的に連結された第1および第2の磁極層と、
前記第1の磁極層の磁極部分と前記第2の磁極層の磁極部分との間に設けられたギャップ層と、
少なくとも一部が前記第1および第2の磁極層の間に、前記第1および第2の磁極層に対して絶縁された状態で設けられた薄膜コイルと、
基板とを備え、
前記第1および第2の磁極層、ギャップ層および薄膜コイルは、前記基板に積層され、且つ前記第1および第2の磁極層のうち、第1の磁極層の方が前記基板に近い位置に配置された薄膜磁気ヘッドであって、
前記第1の磁極層は、第1の磁極層の磁極部分を含む第1の磁極部分層と、前記第1の磁極部分層に接続された第1のヨーク部分層とを有し、
前記第2の磁極層は、第2の磁極層の磁極部分を含む第2の磁極部分層と、前記第2の磁極部分層に接続された第2のヨーク部分層とを有し、
前記第1の磁極部分層、ギャップ層および第2の磁極部分層は、前記第1のヨーク部分層の上に順に配置され、
前記第2のヨーク部分層は、前記第2の磁極部分層の上に配置され、
前記第1の磁極部分層、ギャップ層および第2の磁極部分層における前記基板の上面に平行な断面の形状は同じであり、
前記第1のヨーク部分層と第2のヨーク部分層は、媒体対向面から離れた位置において互いに連結され、
前記第1の磁極部分層、ギャップ層および第2の磁極部分層の集合体は、媒体対向面に配置された一端部と媒体対向面から離れた位置に配置された他端部とを有すると共にトラック幅を規定する幅を有する第1の部分と、前記第1の部分の他端部に連結され、前記第1の部分の幅よりも大きな幅を有する第2の部分とを含み、
前記第2のヨーク部分層における媒体対向面側の端部は、前記第2の磁極部分層における第1の部分と第2の部分の境界位置から媒体対向面までの範囲内であって、媒体対向面から離れた位置に配置され、
前記第2のヨーク部分層の幅は、前記第2の磁極部分層の第2の部分の最大の幅よりも大きく、
前記第1の部分の幅をWとし、媒体対向面から前記第1の部分と第2の部分の境界位置までの距離をLとしたときに、L/Wが2以上、5以下であり、
前記第1の磁極部分層、ギャップ層および第2の磁極部分層の前記断面の面積をSとしたときに、S/(W×L)が5以上、40以下であることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 - 請求項1記載の薄膜磁気ヘッドを製造する方法であって、
前記第1のヨーク部分層を形成する工程と、
前記第1のヨーク部分層の上に、同一のフレームを用いて、前記第1の磁極部分層、ギャップ層および第2の磁極部分層を順に形成する工程と、
前記薄膜コイルを形成する工程と、
前記第2のヨーク部分層を形成する工程と
を備えたことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 前記第1の磁極部分層、ギャップ層および第2の磁極部分層を形成する工程は、めっき法を用いることを特徴とする請求項2記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
- 請求項1記載の薄膜磁気ヘッドを含み、記録媒体に対向するように配置されるスライダと、
前記スライダを弾性的に支持するサスペンションと
を備えたことを特徴とするヘッドジンバルアセンブリ。 - 請求項1記載の薄膜磁気ヘッドを含み、回転駆動される円盤状の記録媒体に対向するように配置されるスライダと、
前記スライダを支持すると共に前記記録媒体に対して位置決めする位置決め装置と
を備えたことを特徴とするハードディスク装置。
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