UA47444C2 - Спосіб автоматичного визначення рівня високої напруги, необхідного для програмування або стирання програмованого постійного запам'ятовуючого пристрою з електричним програмуванням і стиранням (варіанти), та пристрій для його здійснення - Google Patents
Спосіб автоматичного визначення рівня високої напруги, необхідного для програмування або стирання програмованого постійного запам'ятовуючого пристрою з електричним програмуванням і стиранням (варіанти), та пристрій для його здійснення Download PDFInfo
- Publication number
- UA47444C2 UA47444C2 UA98042216A UA98042216A UA47444C2 UA 47444 C2 UA47444 C2 UA 47444C2 UA 98042216 A UA98042216 A UA 98042216A UA 98042216 A UA98042216 A UA 98042216A UA 47444 C2 UA47444 C2 UA 47444C2
- Authority
- UA
- Ukraine
- Prior art keywords
- high voltage
- programming
- erasing
- voltage
- reading
- Prior art date
Links
- 230000015654 memory Effects 0.000 title claims abstract description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 31
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 12
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 230000036039 immunity Effects 0.000 description 2
- 101000860173 Myxococcus xanthus C-factor Proteins 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000012811 non-conductive material Substances 0.000 description 1
- 238000004321 preservation Methods 0.000 description 1
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/30—Power supply circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
Landscapes
- Read Only Memory (AREA)
- Non-Volatile Memory (AREA)
- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
Abstract
Спосіб дозволяє індивідуально для кожного напівпровідникового постійного запам'ятовуючого пристрою з електричним стиранням і програмуванням (SP) визначати рівень високої напруги (Vpp), необхідний для його стирання або програмування, і запам'ятовувати його в самому запам'ятовуючому пристрої (SP), в передбаченій в ньому області А. Звідти це визначене значення високої напруги викликається для кожної наступної операції стирання або програмування. Виходячи з першого значення високої напруги для програмування або стирання запам'ятовуючого пристрою та з першого значення напруги зчитування для перевірки операції програмування або стирання, оптимальне значення високої напруги визначають шляхом послідовної зміни високої напруги або напруги зчитування.
Description
Опис винаходу
У випадку польових МОН-транзисторів по обидви боки від розташованого ізольовано над підкладкою 2 електрода затвора в підкладці існують області, які позначаються як області витоку і стоку. Шляхом прикладення напруги між електродом затвора і підкладкою, наприклад в польовому транзисторі зі збагаченням каналу або в транзисторі в режимі збагачення, носії заряду з підкладки накопичуються під затвором. Внаслідок прикладання напруги між областю стоку і областю витоку в цю збагачену область з області витоку інжектуються додаткові носії заряду таким чином, що під електродом затвора між областю витоку і стоку утворюється провідний канал, 70 провідністю якого можна керувати за допомогою напруги на затворі.
Звичайно для створення провідного каналу між затвором і підкладкою повинна прикладатись напруга, яка має певне, залежне від технології мінімальне значення, яке називається пороговою напругою або напругою відсічки.
Постійні запам'ятовуючі комірки програмованого постійного запам'ятовуючого пристрою з електричним 12 стиранням або запам'ятовуючого пристрою "швидкого" типу з електричним стиранням виконані в принципі як польові МОН-транзистори, проте мають між своїм затвором, який є керуючим електродом, і підкладкою інший електрод, який повністю оточений непровідним матеріалом, тобто повністю ізольований, і називається плаваючим затвором. За рахунок нанесення заряду на цей плаваючий затвор напруга відсічки транзистора, що утворює запам'ятовуючу комірку, може зміщуватися.
Нанесення зарядів на плаваючий затвор називають програмуванням, а видалення зарядів - стиранням запам'ятовуючої комірки. Зазвичай при програмуванні напруга відсічки зміщується в бік менших значень таким чином, що транзистор, який утворює комірку, в більшості випадків перебуває у провідному стані також без прикладання напруги до керуючого електрода.
Для встановлення факту, запрограмована комірка, чи ні, тобто чи записано до неї логічну "1" або логічний с "0", до керуючого електроду прикладають так звану напругу зчитування, яка лежить приблизно між напругами Ге) відсічки запрограмованої і стертої комірки. В залежності від того, чи може струм протікати через комірку, визначається Її логічний стан.
Програмування або стирання комірки програмованого постійного запам'ятовуючого пристрою або запам'ятовуючого пристрою "швидкого" типу з електричним стиранням відбувається за рахунок тунельного М струму, який тече від підкладки до плаваючого затвора або навпаки. Для цього до носіїв заряду повинна «І підводитись достатня енергія, що досягається шляхом прикладання високої напруги, в даному разі приблизно 158, між плаваючим затвором і підкладкою таким чином, що там виникає дуже висока напруженість поля. в
У разі п-канального транзистора для програмування на плаваючий затвор наносять позитивні носії заряду, ї- що при використанні звичайно позитивної високої напруги означає, що вона повинна бути прикладена до області 325 стоку, в той час, як до керуючого електрода прикладають ОВ. Тоді, відповідно, для стирання комірки до в керуючого електрода прикладають високу напругу, а до області стоку прикладають ОВ, щоб знову видалити носії заряду з плаваючого затвору.
В принципі, необхідна певна мінімальна висока напруга для відсічки тунельного струму. Ступінь « програмування або стирання, проте, залежить ще від дійсного рівня високої напруги і від проміжку часу, З 50 протягом якого її прикладено. Принциповий хід характеристики напруги відсічки (А - і тим самим стан заряду с плаваючого затвора - від рівня високої напруги Мрр подано на фігурі 4 суцільними лініями. Можна бачити, що
Із» при збільшенні високої напруги при стиранні напруга відсічки комірки росте, тоді як при програмуванні вона зменшується. Криві проходять у випадку ідеальної комірки симетрично одна відносно іншої таким чином, що напругу відсічки в точці перетину обох кривих вибирають як напругу зчитування ШІ, оскільки в такому разі відстань до обох напруг відсічки буде однакова і, таким чином, також однаковий запас перешкодостійкості. е Для вибору величини високої напруги бажано, з одного боку, мати якомога більший запас перешкодостійкості -і і, окрім того, всі комірки повинні бути однозначно запрограмованими або стертими, що означає великий рівень високої напруги, а, з іншого боку, витрати на генератор високої напруги, який зазвичай виконують у вигляді е генератора накачки зарядів, повинні за можливістю утримуватись малими, що означає, що висока напруга ї» 20 повинна підтримуватись якомога меншою. Таким чином, для високої напруги звичайно обирають значення, яке якраз тільки ще допускає однозначне програмування або стирання.
Т» Проте внаслідок технологічно обумовлених допусків виготовлення від пластини до пластини, на одній пластині від кристалу до кристалу і на одному кристалі від комірки до комірки можуть з'являтись відмінності в проходженні кривих, які показують залежність напруги відсічки (й від високої напруги Мрр під час 29 програмування та стирання, що може вести до дефектів у запам'ятовуючих пристроях. На фігурі 4 штриховими
ГФ) лініями показані інші криві програмування і стирання, які можуть з'явитись внаслідок таких коливань. Як юю видно, у випадку комірки із зображеним штриховою лінією ходом кривих при даній напрузі зчитування ЦІ і високій напрузі, визначеній з кривих, зображених суцільними лініями, як сприятлива, контрольована операція стирання була б неможлива. 60 Прототип даного винаходу описаний в міжнародній публікації УМО 95/07536 ((311С 29/00, 511С 16/06, заявник
ІпієЇ Согр., дата публікації 16.03.1995), яка розкриває спосіб встановлення програмуючої напруги на стоку запам'ятовуючої комірки "швидкого" програмованого постійного запам'ятовуючого пристрою з електричним стиранням, а також запам'ятовуючий пристрій, що містить засоби для такого встановлення таким чином, що порогові напруги всіх запам'ятовуючих комірок одного рядка знаходяться всередині одного вікна, а якщо це бо неможливо, видається повідомлення про помилку.
Задача даного винаходу полягає в розробці способу та пристрою, за допомогою яких в програмованому напівпровідниковому постійному запам'ятовуючому пристрої з електричним стиранням можливе однозначне програмування і однозначне стирання і в основному незалежна від технологічно обумовлених коливань залежність напруги відсічки від рівня високої напруги.
Поставлена задача вирішена у способі визначення рівня високої напруги, необхідного для програмування або стирання в напівпровідниковому постійному запам'ятовуючому пристрої з електричним програмуванням і стиранням, тим, що він включає такі операції: а) прикладення високої напруги або - у випадку повторного здійснення цієї операції - підвищеної високої напруги до керуючого затвора запам'ятовуючої комірки для 7/0 стирання або до виводу стоку запам'ятовуючої комірки для програмування запам'ятовуючої комірки, б) зчитування комірок з використанням попередньо заданої напруги зчитування, в) якщо всі комірки стерті або запрограмовані - енергонезалежне запам'ятовування значення високої напруги, г) якщо принаймні одну комірку не стерто або не запрограмовано - підвищення високої напруги на певну величину (АДМ) і повторення циклу, починаючи з операції а).
Стосовно стосовно пристрою задача вирішена тим, що пристрій для автоматичного визначення рівня високої напруги, необхідного для програмування та/або стирання в напівпровідниковому постійному запам'ятовуючому пристрої з електричним програмуванням і стиранням, містить блок керування, з'єднаний із запам'ятовуючим пристроєм через адресну та інформаційну шину, а також з лінією для підведення до запам'ятовуючого пристрою напруги зчитування, регульований генератор високої напруги, з'єднаний з блоком керування лінією керуючого сигналу, а також з'єднаний із запам'ятовуючим пристроєм лінією підведення високої напруги регульованого рівня, причому запам'ятовуючий пристрій містить область для запису і зчитування визначених значень високої напруги.
За рахунок відповідних до винаходу способу та пристрою для здійснення способу для кожного запам'ятовуючого пристрою послідовно визначають вигідний для нього рівень високої напруги і записують його в с постійний запам'ятовуючий пристрій енергонезалежно, тобто зі збереженням записаної інформації при відключенні живлення, щоб мати можливість його зчитування і використання блоком керування для всіх операцій о програмування і стирання.
Можна передбачити визначення і запам'ятовування високої напруги тільки під час першого вмикання запам'ятовуючого пристрою, проте, можливо також виконати блок керування таким чином, що цей процес «І зо Відбувається при кожному вмиканні. В певних випадках, наприклад в дуже сильно змінюваних умовах, найкращим може бути проведення визначення необхідного рівня високої напруги через рівномірні проміжки. в
При цьому послідовне визначення означає, що високу напругу, яка підлягає прикладанню до « запам'ятовуючого пристрою для програмування або стирання, змінюють ступінчасто між мінімальним та максимальним значеннями, а результат програмування або стирання перевіряють незмінною попередньо в з5 заданою напругою зчитування, або що програмування або стирання перевіряють при заданій високій напрузі яка «р також лежить між мінімальним та максимальним значеннями, найкращим чином створюючи середнє арифметичне значення цих обох значень, і з різними напругами зчитування.
Як мінімальне значення високої напруги найкраще приймається значення, яке рівне або більше від значення, яке є фізично необхідним, щоб викликати тунельний ефект таким чином, що не повинні виконуватись спроби « програмування або стирання, які відбирають багато часу і які вже принципово не можуть вести до успіху. 8 с Максимальне значення обмежується схемотехнічними витратами на генератор накачки заряду для створення й високої напруги. "» Напруга зчитування в першому випадку, де вона залишається постійною, може мати те ж саме значення, що й при кожному "нормальному" зчитуванні з запам'ятовуючого пристрою під час режиму роботи у відповідності до інструкцій. Вона може, проте, найкращим чином встановлюватись більш критично, тобто ближче до встановленої ї» за рахунок процесу програмування або стирання напруги відсічки, щоб, таким чином, можна було більш точно визначати дефектні комірки.
Ше В способі за пунктом 1 формули винаходу для визначення необхідного рівня високої напруги у разі ї» необхідності треба миритись з кількома операціями стирання або програмування, при цьому тут найкращим 5р чином відносно результату визначення перед кожною операцією стирання або програмування з встановленою шк блоком керування високою напругою можна виконувати операцію програмування або стирання з максимально
Та» високою напругою. Це вимагає, проте, значних витрат часу.
Спосіб за пунктом З формули винаходу є більш швидким, оскільки тут виконують тільки одну операцію програмування або стирання, тоді як здійснюють багато операцій зчитування, які, проте, в принципі
Відбуваються значно швидше.
У вдосконаленому варіанті винаходу визначена необхідна висока напруга може підвищуватись на жорстко іФ) попередньо задану величину, щоб гарантувати дійсно надійну операцію програмування і стирання. ко Винахід пояснюється більш детально на прикладах виконання за допомогою креслень. При цьому на фігурах показано: во Фігура 1. Принципова схема відповідного винаходові пристрою
Фігура 2. Блок-схема першого відповідного винаходові способу
Фігура 3. Блок-схема другого відповідного винаходові способу
Фігура 4. Криві залежності напруги відсічки від високої напруги при стиранні або програмуванні енергонезалежної запам'ятовуючої комірки. 65 На фігурі 1 показано напівпровідниковий постійний запам'ятовуючий пристрій ЗР з електричним програмуванням і стиранням, керування яким може бути здійснене блоком ЗТ керування через адресну та інформаційну шину АОВ. Через іншу лінію на запам'ятовуючий пристрій ЗР може подаватися від блоку 5Т керування напруга зчитування ШІ. Для програмування або для стирання даних в запам'ятовуючі пристрої 5Р необхідна висока напруга Мрр, яка генерується регульованим генератором Но високої напруги і подається до запам'ятовуючого пристрою 5Р. Керування генератором НО високої напруги здійснює блок керування 5 за допомогою сигналу 5. Сигнал 5, який може бути аналоговим або цифровим, задає рівень високої напруги Мрр.
Для надійного програмування або стирання запам'ятовуючих комірок запам'ятовуючого пристрою ЗР необхідне певне значення високої напруги Мрр. Проте це значення внаслідок технологічно обумовлених коливань характеристик запам'ятовуючих комірок від напівпровідникового кристалу (мікросхеми) до 7/0 напівпровідникового кристалу, і тим самим, від запам'ятовуючого пристрою до запам'ятовуючого пристрою може бути різним. Генератор НО високої напруги хоч і міг би встановлюватись таким чином, що забезпечував би максимально високу напругу, щоб всі запам'ятовуючі пристрої ЗР могли надійно програмуватись і стиратись, проте у більшості напівпровідникових кристалів, на яких реалізовано запам'ятовуючі пристрої 5Р, це призвело б до непотрібно високого споживання потужності, оскільки більшість з накопичувачів 5Р могли б експлуатуватись з /5 менш високою напругою Мрр.
Тому за рахунок цього відповідного винаходові способу для кожного запам'ятовуючого пристрою індивідуально визначається найкраще значення високої напруги Мрр, тобто значення, при якому можливе надійне програмування і стирання запам'ятовуючого пристрою 5Р, і запам'ятовується в запам'ятовуючому пристрої 5Р в області А таким чином, що воно може викликатися блоком керування 571 для кожної наступної операції програмування і стирання.
Блок керування 5Т хоч і може в принципі бути виконаним з жорстким монтажем для виконання описаного далі відповідного винаходові способу, проте в найдоцільнішому варіанті виконання він утворений мікропроцесором з відповідним програмованим запам'ятовуючим пристроєм.
В першому відповідному винаходові способі блок керування ЗІ за допомогою сигналу З встановлює сч регульований генератор високої напруги НО таким чином, що він подає перше значення високої напруги Мрр на запам'ятовуючий пристрій ЗР. Для програмування запам'ятовуючих комірок запам'ятовуючого пристрою ЗР і) висока напруга Мрр прикладається до виводів стоку запам'ятовуючих комірок, а на керуючий затвор подається напруга ОВ, в той час як для стирання запам'ятовуючих комірок до керуючого затвора запам'ятовуючих комірок прикладається висока напруга Мрр, а на сток подається напруга ОВ. Перше значення високої напруги Мрр «г зо повинно бути в цьому прикладі мінімальним, а потім поступово підвищуватись. Проте, так само можна починати з максимального значення високої напруги Мрр, а потім послідовно зменшувати це значення. Висока напруга Мрр - при цьому в принципі так довго прикладається до запам'ятовуючих комірок, що при відповідному рівні високої «г напруги Мрр досягається надійне програмування або стирання.
Після цієї першої операції стирання або програмування комірки зчитуються блоком керування ЗТ зі ї- звичайною в нормальному випадку експлуатації напругою зчитування ШОЇ Проте в принципі можна вибирати «Е більш критичну напругу зчитування, тобто напругу зчитування, яка лежить ближче до напруги відсічки запрограмованих або стертих запам'ятовуючих комірок.
Зчитані значення потім можуть порівнюватись з записаними раніше, тобто у випадку логічної "1" програмованими або у випадку логічного "0" стертими значеннями. Якщо порівняння дає співпадання зчитаних « значень з підлягаючими запису бажаними значеннями, тоді перше значення високої напруги Мрр запам'ятовують (З с в області А запам'ятовуючого пристрою 5Р, щоб мати можливість опитування блоком керування ЗТ для всіх наступних операцій програмування і стирання. ;» Для підвищення надійності програмування і стирання перед записом перше значення високої напруги Мрр може бути збільшене на величину запасу надійності.
Якщо порівняння зчитаних з підлягаючими запису бажаними значеннями є негативним, тоді блоком їх керування ЗТ за допомогою сигналу 5 підвищують значення високої напруги Мрр на певну величину до іншого рівня і програмують або стирають ним запам'ятовуючі комірки запам'ятовуючого пристрою 5Р. ш- На закінчення зчитані значення знову порівнюють з підлягаючими запису бажаними значеннями, і при їх позитивному порівнянні в запам'ятовуючому пристрої 5Р запам'ятовують тепер друге значення високої напруги
Урр, можливо підвищене на величину запасу надійності. о Якщо порівняння знову є негативним, високу напругу Мрр знову підвищують на певну величину. Цей процес ї» продовжують доти, доки всі комірки не буде розпізнано як стерті або запрограмовані, або доки висока напруга
Мрр більше не зможе підвищуватись, і запам'ятовуючий пристрій ЗР, тим самим, буде визнано дефектним.
В найкращій формі вдосконалення цього способу перед кожним підвищенням високої напруги Мрр у випадку стирання запам'ятовуючого пристрою ЗР можна виконувати програмування всіх комірок максимально високою напругою і таким же чином під час програмування запам'ятовуючого пристрою 5Р виконувати стирання всіх (Ф, комірок максимально високою напругою. За рахунок цього забезпечується панування однакових умов перед ка кожним прикладанням нового значення високої напруги Мрр.
Хід виконання першого відповідного винаходові способу подано у вигляді блок-схеми на фігурі 2. Варіантні бо операції способу, які, проте, стосуються переважних удосконалень, подані при цьому у рамці, виконаній штриховою лінією.
На фігурі З таким же чином подана блок-схема наступного відповідного винаходові способу. Також і тут високу напругу Мрр спочатку прикладають до керуючого затвора для стирання або до стоку для програмування запам'ятовуючих комірок запам'ятовуючого пристрою 5Р. Однак, в цьому випадку значення високої напруги Мрр 65 /Жорстко задано і обчислюється найкращим чином як середнє арифметичне значення мінімально і максимально встановлюваних значень генератора НО високої напруги.
На закінчення, блоком керування ЗТ встановлюють попередньо задану напругу зчитування Ці, а потім здійснюють зчитування комірки за допомогою цієї напруги зчитування.
В ході наступного тестування перевіряють, чи відбулося програмування або стирання комірок при цій попередньо заданій напрузі зчитування.
В основі цього способу лежить знання того, що питання надійного програмування або стирання комірки постійного запам'ятовуючого пристрою з електричним програмуванням і стиранням при даній високій напрузі
Мрр, яка повинна мати щонайменше такий рівень, щоб заряди взагалі попадали на плаваючий затвор запам'ятовуючої комірки, залежить також від положення напруги зчитування ЦІ. відносно напруги відсічки. Це 7/0 пояснюється на фігурі 4. Ідеальний хід кривих, які показують залежність напруги відсічки ШЕ запам'ятовуючої комірки при стиранні або програмуванні від високої напруги Мрр, зображено суцільною лінією. Обидві криві мають однакову крутизну, а ідеальна напруга зчитування ШОЇ одержується з точки перетину обох кривих. При даному значенні МР високої напруги Мрр з фігури 4 може бути зчитана відстань між напругою відсічки ШЕ і напругою зчитування ЦІ.
Штриховими лініями на фігурі 4 подано викликане технологічно обумовленими коливаннями не ідеальне положення кривих. Як можна бачити, хоча при ідеальній до даного моменту напрузі зчитування ШІ. запрограмована комірка і була б розпізнана як запрограмована, проте стерта комірка була б також розпізнана як запрограмована. Якби запам'ятовуюча комірка з характеристикою, зображеною штриховою лінією, зчитувалася з напругою зчитування ЦІ. близько ОВ, тоді вона була б надійно розпізнана як стерта або як програмована.
На основі цього знання у вдосконаленому варіанті відповідного винаходові наступного способу напругу зчитування ШІ. підвищують або зменшують на величину АШ в залежності від того, чи відбулося стирання або програмування. Після цього знову перевіряють, чи всі комірки є стертими або запрограмованими. Якщо це не відбувається, попередньо задана висока напруга Мрр при першій попередньо заданій - "нормальній" - напрузі зчитування ШІ. вже мала правильне значення, і це значення, можливо після підвищення на величину запасу с надійності, записують в запам'ятовуючому пристрої 5Р.
Якщо ж всі комірки було знову розпізнано як стерті або запрограмовані, напругу зчитування ШІ ще раз і) підвищують або зменшують на величину Ди (в залежності від того, проводилось стирання чи програмування) і ще раз зчитують стани комірок і порівнюють з підлягаючим запису бажаним станам.
Якщо тепер виявляється, що не всі комірки є стертими або запрограмованими, задану високу напругу «І зо зменшують на величину ЛИ, на яку було збільшено або зменшено напругу зчитування ШІ, і це значення, можливо підвищене на величину запасу надійності, записують в запам'ятовуючий пристрій ЗР. З
Напругу зчитування ШІ. підвищують або зменшують на величину ЛИ доти, доки тестування покаже, що «І принаймні одну запам'ятовуючу комірку не було стерто або запрограмовано. Тоді задану високу напругу зменшують на значення, яке відповідає добутку величини Ди і кількості повних проходів циклу. -
У разі, коли під час найпершого тестування принаймні одну комірку було розпізнано як не стерту або не « запрограмовану, напругу зчитування зменшують або збільшують на величину ЛІ в залежності від того, здійснювалося стирання чи програмування. Напругу зчитування ШІ змінюють в іншому напрямі. Після цього проводять, можливо після декількох проходів циклу, тестування і послідовне зменшення або підвищення напруги « зчитування ШІ на величину ли доти, доки всі комірки буде розпізнано як стерті або запрограмовані. Потім підвищують задану високу напругу на значення, яке відповідає добутку величини ЛШ на кількість проходів о) с циклу плюс 1, і це значення (можливо, після підвищення на величину запасу надійності) знову записують в "з область А запам'ятовуючого пристрою 5Р. " У відповідних винаходові способах стирання і програмування в запам'ятовуючому пристрої ЗР можуть запам'ятовуватись різні значення високої напруги. Зрозуміло, що можна вибирати тільки одне значення, а саме - більше з двох. ве З використанням відповідних винаходові способів можна для кожного напівпровідникового постійного -і запам'ятовуючого пристрою з електричним стиранням і програмуванням 5Р індивідуально визначати необхідний для його стирання або програмування рівень високої напруги Мрр і записувати в самому запам'ятовуючому о пристрої ЗР в передбаченій для цього області А. Звідти це визначене значення високої напруги Мрр може їз 20 зчитуватися для кожної наступної операції стирання або програмування.
Операції відповідних винаходові способів виконуються автоматично, принаймні під час першого вводу ї» запам'ятовуючого пристрою в експлуатацію.
Claims (5)
- Формула винаходу о 1. Спосіб визначення рівня високої напруги (Мрр), необхідного для програмування або стирання в о напівпровідниковому постійному запам'ятовуючому пристрої (ЗР) з електричним програмуванням і стиранням, який включає такі операції: бо а) прикладення високої напруги (Мрр) або - у випадку повторного здійснення цієї операції - підвищеної високої напруги до керуючого затвора (50) запам'ятовуючої комірки для її стирання або до виводу стоку запам'ятовуючої комірки для її програмування; б) зчитування комірок з використанням попередньо заданої напруги зчитування (ЦІ); в) якщо всі комірки стерті або запрограмовані - енергонезалежне запам'ятовування значення високої напруги, бо г) якщо принаймні одну комірку не стерто або не запрограмовано - підвищення високої напруги на певну величину (А їй ) і повторення циклу, починаючи з операції а).
- 2. Спосіб за п.1, який відрізняється тим, що перед кожним програмуванням або стиранням запам'ятовуючих комірок встановленою високою напругою запам'ятовуючий пристрій стирають або програмують максимально 2 високою напругою.
- З. Спосіб визначення рівня високої напруги (Мрр), необхідного для програмування або стирання в напівпровідниковому постійному запам'ятовуючому пристрої (ЗР) з електричним програмуванням і стиранням, який включає такі операції: а) прикладення високої напруги (Мрр) до керуючого затвора (5053) запам'ятовуючої комірки для її стирання або до стоку запам'ятовуючої комірки для її програмування; б) встановлення попередньо заданої напруги зчитування (ШІ); в) зчитування комірок при попередньо заданій напрузі зчитування (ШІ); г) якщо всі комірки стерті або запрограмовані, виконання таких операцій циклу: 1) підвищення або зменшення високої напруги на задану величину (Аг ); г2) зчитування комірок при підвищеній або зниженій напрузі зчитування; г3) якщо принаймні одну комірку не стерто або не запрограмовано - зменшення заданої високої напруги (Мрр) на певну величину (АТ ) х (кількість проходів цього циклу) та запам'ятовування зменшеного значення високої напруги; г4) якщо всі комірки стерті або запрограмовані - повторення циклу, починаючи з операції г1); д) якщо принаймні одну комірку не стерто або не запрограмовано, виконання таких операцій циклу: д1) зменшення або збільшення напруги зчитування на задану величину ( АТ ); да2) зчитування комірок при зменшеній або підвищеній напрузі зчитування; с д3) якщо всі комірки стерто або запрограмовано - підвищення заданої високої напруги (Мрр) на величину ( г) А ) х (кількість проходів цього циклу 41) і запам'ятовування рівня підвищеної високої напруги; ді) якщо принаймні одну комірку не стерто або не запрограмовано - повторення циклу, починаючи з операції ді). «І
- 4. Спосіб за будь-яким із пп. 1, 2, 3, який відрізняється тим, що перед запам'ятовуванням високої напруги її підвищують на величину запасу надійності. М
- 5. Пристрій для автоматичного визначення рівня високої напруги (Мрр), необхідного для програмування «І та/або стирання в напівпровідниковому постійному запам'ятовуючому пристрої (ЗР) з електричним програмуванням і стиранням, який містить: - блок керування (5), з'єднаний із запам'ятовуючим пристроєм (5Р) через адресну та інформаційну шину «Її (АОВ), а також з лінією для підведення до запам'ятовуючого пристрою (ЗР) напруги зчитування (ШІ), регульований генератор (НО) високої напруги, з'єднаний з блоком керування (ЗТ) лінією керуючого сигналу (5), а також з'єднаний із запам'ятовуючим пристроєм (5Р) лінією підведення високої напруги (Мрр) регульованого « рівня, причому запам'ятовуючий пристрій (ЗР) містить область (А) для запису і зчитування визначених значень - с високої напруги (Мрр). . и? щ» -і щ» щ» с» іме) 60 б5
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19542029A DE19542029C1 (de) | 1995-11-10 | 1995-11-10 | Verfahren zum selbsttätigen Ermitteln der nötigen Hochspannung zum Programmieren/Löschen eines EEPROMs |
| PCT/DE1996/002099 WO1997017704A2 (de) | 1995-11-10 | 1996-11-04 | Verfahren und vorrichtung zum selbsttätigen ermitteln der nötigen hochspannung zum programmieren/löschen eines eeproms |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| UA47444C2 true UA47444C2 (uk) | 2002-07-15 |
Family
ID=7777185
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| UA98042216A UA47444C2 (uk) | 1995-11-10 | 1996-11-04 | Спосіб автоматичного визначення рівня високої напруги, необхідного для програмування або стирання програмованого постійного запам'ятовуючого пристрою з електричним програмуванням і стиранням (варіанти), та пристрій для його здійснення |
Country Status (11)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0860011B1 (uk) |
| JP (1) | JPH11515129A (uk) |
| KR (1) | KR100408323B1 (uk) |
| CN (1) | CN1113366C (uk) |
| AT (1) | ATE181173T1 (uk) |
| DE (2) | DE19542029C1 (uk) |
| ES (1) | ES2135269T3 (uk) |
| IN (1) | IN192274B (uk) |
| RU (1) | RU2189083C2 (uk) |
| UA (1) | UA47444C2 (uk) |
| WO (1) | WO1997017704A2 (uk) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3583052B2 (ja) * | 2000-03-31 | 2004-10-27 | 九州日本電気株式会社 | 半導体記憶装置 |
| US7239557B2 (en) * | 2005-06-17 | 2007-07-03 | Micron Technology, Inc. | Program method with optimized voltage level for flash memory |
| KR100725979B1 (ko) * | 2005-07-23 | 2007-06-08 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리의 기입/독출 내구력 개선 장치 및 그 방법 |
| KR100843004B1 (ko) * | 2006-04-14 | 2008-07-01 | 주식회사 하이닉스반도체 | 플래쉬 메모리 소자 및 그 구동 방법 |
| KR100843037B1 (ko) * | 2007-03-27 | 2008-07-01 | 주식회사 하이닉스반도체 | 플래시 메모리 장치 및 이의 소거 방법 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SG47058A1 (en) * | 1993-09-10 | 1998-03-20 | Intel Corp | Circuitry and method for selecting a drain programming voltage for a nonvolatile memory |
| JP3737525B2 (ja) * | 1994-03-11 | 2006-01-18 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置 |
| JPH08115597A (ja) * | 1994-10-17 | 1996-05-07 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体ディスク装置 |
-
1995
- 1995-11-10 DE DE19542029A patent/DE19542029C1/de not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-11-04 DE DE59602197T patent/DE59602197D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1996-11-04 CN CN96198209A patent/CN1113366C/zh not_active Expired - Lifetime
- 1996-11-04 WO PCT/DE1996/002099 patent/WO1997017704A2/de active IP Right Grant
- 1996-11-04 RU RU98111190/09A patent/RU2189083C2/ru active
- 1996-11-04 AT AT96945974T patent/ATE181173T1/de active
- 1996-11-04 EP EP96945974A patent/EP0860011B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1996-11-04 KR KR10-1998-0703420A patent/KR100408323B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1996-11-04 JP JP9517743A patent/JPH11515129A/ja active Pending
- 1996-11-04 ES ES96945974T patent/ES2135269T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1996-11-04 UA UA98042216A patent/UA47444C2/uk unknown
- 1996-11-11 IN IN1950CA1996 patent/IN192274B/en unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11515129A (ja) | 1999-12-21 |
| IN192274B (uk) | 2004-03-27 |
| ES2135269T3 (es) | 1999-10-16 |
| EP0860011A2 (de) | 1998-08-26 |
| EP0860011B1 (de) | 1999-06-09 |
| WO1997017704A3 (de) | 1997-06-26 |
| KR100408323B1 (ko) | 2004-03-22 |
| WO1997017704A2 (de) | 1997-05-15 |
| DE19542029C1 (de) | 1997-04-10 |
| CN1202263A (zh) | 1998-12-16 |
| RU2189083C2 (ru) | 2002-09-10 |
| KR19990067410A (ko) | 1999-08-16 |
| CN1113366C (zh) | 2003-07-02 |
| ATE181173T1 (de) | 1999-06-15 |
| DE59602197D1 (de) | 1999-07-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5696717A (en) | Nonvolatile integrated circuit memory devices having adjustable erase/program threshold voltage verification capability | |
| KR100761091B1 (ko) | 소프트 프로그래밍이 ｖｔ 분포의 폭을 좁힐 수 있게 하는 게이트 램핑 기술 | |
| US5491809A (en) | Smart erase algorithm with secure scheme for flash EPROMs | |
| EP0349775A2 (en) | Flash eeprom memory systems and methods of using them | |
| EP0247875A2 (en) | Block electrically erasable eeprom | |
| JP3660541B2 (ja) | 積層ゲートメモリデバイスのフローティングゲートに電荷をチャージする方法 | |
| JPH11265589A (ja) | ナンドタイプセルアレーを含む不揮発性メモリ装置のプログラム方法 | |
| EP1386323B1 (en) | Threshold voltage compacting for non-volatile semiconductor memory designs | |
| EP1258007B1 (en) | Wordline driver for flash memory read mode | |
| US6052306A (en) | Method and device for automatic determination of the required high voltage for programming/erasing an EEPROM | |
| US5825689A (en) | Nonvolatile semiconductor memory device having data detecting circuit for memory cells block | |
| EP0656627A2 (en) | An adjustable threshold voltage circuit | |
| JP3677051B2 (ja) | 不揮発性メモリ・セル | |
| EP1067557B1 (en) | Flash compatible EEPROM | |
| JP3895816B2 (ja) | 不揮発性半導体記憶装置とその制御方法、メモリカード、及び記憶システム | |
| WO1996019810A1 (en) | Method for tightening vt distribution of 5 volt-only flash eeproms | |
| UA47444C2 (uk) | Спосіб автоматичного визначення рівня високої напруги, необхідного для програмування або стирання програмованого постійного запам'ятовуючого пристрою з електричним програмуванням і стиранням (варіанти), та пристрій для його здійснення | |
| US5633823A (en) | Method of narrowing flash memory device threshold voltage distribution | |
| US5949709A (en) | Electrically programmable memory, method of programming and method of reading | |
| KR19990013057A (ko) | 단일 비트 데이터와 다중 비트 데이터를 동일한 칩에 선택적으로 저장하는 플래시 메모리 장치의 독출 및 기입 방법 | |
| US6188613B1 (en) | Device and method in a semiconductor memory for erasing/programming memory cells using erase/program speeds stored for each cell | |
| JPH08335400A (ja) | 不揮発性メモリセルの限界電圧自動検証回路及びこれを利用した不揮発性メモリセルのプログラム及び消去状態の確認方法 | |
| JP3578478B2 (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 | |
| US6266280B1 (en) | Method of programming nonvolatile semiconductor device at low power | |
| KR0172364B1 (ko) | 불휘발성 반도체 메모리의 기준셀을 이용한 소거검증 방법 |