UA118640C2 - Спосіб вбудовування інтегральної схеми методом перевернутого кристала - Google Patents

Спосіб вбудовування інтегральної схеми методом перевернутого кристала Download PDF

Info

Publication number
UA118640C2
UA118640C2 UAA201803354A UAA201803354A UA118640C2 UA 118640 C2 UA118640 C2 UA 118640C2 UA A201803354 A UAA201803354 A UA A201803354A UA A201803354 A UAA201803354 A UA A201803354A UA 118640 C2 UA118640 C2 UA 118640C2
Authority
UA
Ukraine
Prior art keywords
core
substrate
carrier
contact pad
flexible film
Prior art date
Application number
UAA201803354A
Other languages
English (en)
Inventor
Енг Сенг Нг
Сзе Йонг Панг
Original Assignee
Енг Сенг Нг
Смартфлекс Текнолоджі Пте Лтд
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Енг Сенг Нг, Смартфлекс Текнолоджі Пте Лтд filed Critical Енг Сенг Нг
Publication of UA118640C2 publication Critical patent/UA118640C2/uk

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
    • G06K19/00—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
    • G06K19/06—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
    • G06K19/067—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components
    • G06K19/07—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips
    • G06K19/077—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
    • G06K19/00—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
    • G06K19/06—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
    • G06K19/067—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components
    • G06K19/07—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips
    • G06K19/077—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier
    • G06K19/07745—Mounting details of integrated circuit chips
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
    • G06K19/00—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
    • G06K19/06—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
    • G06K19/067—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components
    • G06K19/07—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips
    • G06K19/077—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier
    • G06K19/0772—Physical layout of the record carrier
    • G06K19/07722—Physical layout of the record carrier the record carrier being multilayered, e.g. laminated sheets
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
    • G06K19/00—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
    • G06K19/06—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
    • G06K19/067—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components
    • G06K19/07—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips
    • G06K19/077—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier
    • G06K19/07743—External electrical contacts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L25/0657—Stacked arrangements of devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/50—Multistep manufacturing processes of assemblies consisting of devices, each device being of a type provided for in group H01L27/00 or H01L29/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
    • H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
    • H01L2225/06513—Bump or bump-like direct electrical connections between devices, e.g. flip-chip connection, solder bumps

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Credit Cards Or The Like (AREA)
  • Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)

Abstract

Варіанти здійснення винаходу стосуються процесів виготовлення інтелектуального пристрою, наприклад інтелектуальної карти, а також конфігурацій для пристроїв інтелектуальної карти з більш високою надійністю і більш тривалим строком експлуатації, а також з поліпшеним станом поверхні. У пристрої інтелектуальної карти, що містить багатошарову підкладку, яка містить гнучку плівку, що має малюнок міжз'єднань, щонайменше один перевернутий кристал для роботи пристрою інтелектуальної карти вбудовується в першу підкладку таким чином, щоб перша підкладка забезпечувала інкапсуляцію для щонайменше одного перевернутого кристала, де щонайменше один перевернутий кристал розташовується в позиції в першій вертикальній площині; а контактна площадка для забезпечення електричного з'єднання, коли пристрій інтелектуальної карти вставляється в пристрій зчитування інтелектуальних карт, розташовується в позиції в другій вертикальній площині, де перша вертикальна площина не перекривається із другою вертикальною площиною. Контактна площадка виступає через порожнину в другій підкладці для формування безперервної рівної поверхні від зовнішньої поверхні багатошарової підкладки до контактної площадки.

Description

іт о пишиивка ПИНИННО ВЕНИ Ме» во а в ДОМ в, 280
ФІГ. 25
Галузь техніки, до якої належить винахід
Винахід стосується виготовлення пристроїв інтелектуальної карти з поліпшеним строком експлуатації, надійністю і естетикою, а також способів виготовлення, які зменшують кількість технологічних операцій і витрати.
Попередній рівень техніки
Модуль інтегральної схеми (ІС) інтелектуального типу, який може бути або захищеним мікроконтролером, або еквівалентним штучним інтелектом із внутрішньою пам'яттю, або окремим кристалом пам'яті, як правило, помішується або вбудовується в носій (наприклад, у карту) . Одержаний пристрій інтелектуальної карти може бути здатний з'єднуватися із пристроєм зчитування за допомогою прямого фізичного контакту, тобто з використанням інтерфейсу контактного типу, визначеного ІЗО (Міжнародна організація по стандартизації) 7816, або за допомогою дистанційного безконтактного радіочастотного інтерфейсу, тобто з використанням безконтактного типу за ІЗО 14443, або за допомогою комбінації перерахованого вище, тобто з використанням здвоєного інтерфейсу. За допомогою вбудованого мікроконтролера, пристрої інтелектуальної карти є здатними зберігати великі об'єми даних, виконувати функції карти (наприклад, шифрування, взаємна аутентифікація) і інтелектуально взаємодіяти із пристроєм зчитування інтелектуальних карт для різних варіантів застосування (наприклад, у банківській справі, для проведення платежів, для здійснення електрозв'язку).
Пристрої інтелектуальної карти можуть бути поміщені в корпуси різних форм-факторів (наприклад, пластикові карти, брелоки для ключів, годинник, модулі ідентифікації абонента, використовувані в мобільних телефонах 25М, О5В-токени, 5О-карти, міні-/мікро-50-карти,
МІМС-карти, МОРМ8-карти, ББОР2О-карти, Т55ОР2О-карти, карти Метогу ск і т. д.).
Як правило, спосіб виготовлення пристрою інтелектуальної карти зі здвоєним інтерфейсом включає в себе етапи: 1 (а) складання кристалів інтегральної схеми із провідними з'єднаннями і інкапсуляцією на гнучку підкладку з металевими контактними площадками, де щонайменше один кристал інтегральної схеми і дві контактні площадки антени монтуються на нижній стороні металевої контактної площадки для створення модуля інтегральної схеми (фіг. ТА зображує множину модулів 110 інтегральної схеми, що мають топологічні малюнки контактної площадки згідно з
Зо ІБО 7816 і зібрані на гнучкій підкладці); 1 (Б) формування декількох шарів підкладки, які містять внутрішній шар 130 антенного контуру, поміщений між двома підкладками 120, 140 рівної товщини, для створення серцевини носія; 1 (с) фрезерування багатошарової серцевини носія для забезпечення множини перших порожнин, де кожна перша порожнина призначається для приймання модуля інтегральної схеми; 1 (04) додаткового фрезерування багатошарового носія, у кожній першій порожнині, для забезпечення множини других порожнин, які менше першої порожнини, для розкриття частин антенного контуру; 1 (є) приєднання розкритих частин антенного контуру до двох контактних площадок антени, забезпечених на нижній стороні контактної площадки; 1 (І) розміщення модуля інтегральної схеми в кожній першій порожнині таким чином, щоб термоплавка стрічка на нижній стороні модуля інтегральної схеми прикладалася до багатошарової серцевини носія; 1 (4) прикладання тепла і тиску до модуля інтегральної схеми для вбудовування модуля інтегральної схеми в багатошарову серцевину носія.
У вищеописаному етапі 1 (є) антенний контур може бути приєднаний до контактів антени на нижній стороні модуля інтегральної схеми за допомогою використання традиційного дротового паяння, гнучких контактних виводів або вставки провідних матеріалів для паяння на контактах антени, щоб сформувати електричне з'єднання від модуля інтегральної схеми до антенного контуру, для надання можливості здійснення транзакцій контактного і безконтактного типів.
Як правило, спосіб виготовлення пристрою інтелектуальної карти з одним інтерфейсом, тобто контактного типу, включає в себе етапи: 2 (а) складання кристалів інтегральної схеми із провідними з'єднаннями і інкапсуляцією на гнучку підкладку з металевими контактними площадками, де щонайменше один кристал інтегральної схеми і дві контактні площадки антени монтуються на нижній стороні металевої контактної площадки для створення модуля інтегральної схеми (фіг. ТА зображує множину модулів інтегральної схеми, що мають топологічні малюнки контактної площадки згідно з І5О 7816 і зібрані на гнучкій підкладці);
2 (Б) формування декількох шарів підкладки, які містять дві підкладки рівної товщини, для створення багатошарової серцевини носія; 2 (с) фрезерування багатошарової серцевини носія для забезпечення множини перших порожнин, де кожна перша порожнина призначається для приймання модуля інтегральної схеми; 2 (8) розташування модуля інтегральної схеми в кожну першу порожнину таким чином, щоб термоплавка стрічка на нижній стороні модуля інтегральної схеми прикладалася до багатошарової серцевини носія; 2 (се) прикладання тепла і тиску до модуля інтегральної схеми для вбудовування модуля інтегральної схеми в багатошарову серцевину носія.
Фіг. 18 зображує вигляд у поперечному розрізі пристрою 100 інтелектуальної карти, що має з'єднаний проводом інкапсульований модуль 110 інтегральної схеми, вбудований у багатошарову структуру. У модулі 110 інтегральної схеми кристал 150 інтегральної схеми забезпечується інкапсуляцією 152 і розташовується безпосередньо на нижній стороні контактної площадки 160.
ЕР 2750082 АТ розкриває карту і спосіб виготовлення карт, який дозволяє чітко візуально розпізнавати відображення в області відображення, навіть якщо поверхня карти була створена матовою.
Суть винаходу
Згідно з першим аспектом винаходу, забезпечується спосіб виготовлення пристрою інтелектуальної карти. Спосіб включає етапи: - забезпечення серцевини носія, у якій між першою підкладкою і другою підкладкою помішується гнучка плівка, що має множину малюнків міжз'єднань, де кожний з малюнків міжз'єднань містить: - щонайменше один перевернутий кристал, розташований у позиції в першій вертикальній площині, - щонайменше одну контактну площадку, розташовану в позиції в другій вертикальній площині, - щонайменше одне міжз'єднання, що електрично з'єднує щонайменше одну контактну
Зо площадку з щонайменше одним перевернутим кристалом, де перша вертикальна площина не перекривається із другою вертикальною площиною, - де етап забезпечення серцевини носія, у якій між першою підкладкою і другою підкладкою поміщується гнучка плівка, що має множину малюнків міжз'єднань, додатково включає в себе етапи: розкриття щонайменше однієї контактної площадки через щонайменше одну порожнину в другій підкладці; і - ламінування серцевини носія для створення багатошарової серцевини носія, у якій щонайменше одна контактна площадка виступає через щонайменше одну порожнину в другій підкладці для формування безперервної рівної поверхні від зовнішньої поверхні багатошарової серцевини носія до щонайменше однієї контактної площадки.
В одному варіанті здійснення першого аспекту винаходу етап забезпечення серцевини носія, у якій між першою підкладкою і другою підкладкою поміщується гнучка плівка, що має множину малюнків міжз'єднань, додатково включає в себе етапи: - накладання гнучкої плівки на першу підкладку для створення тимчасової серцевини; - ламінування тимчасової серцевини для створення багатошарової тимчасової серцевини; і - накладання другої підкладки на багатошарову тимчасову серцевину для створення серцевини носія.
В одному варіанті здійснення першого аспекту винаходу етап забезпечення серцевини носія, у якій між першою підкладкою і другою підкладкою помішується гнучка плівка, що має множину малюнків міжз'єднань, додатково включає в себе етап: - з'єднання щонайменше одного перевернутого кристала з першою підкладкою, - а етап ламінування серцевини носія для створення багатошарової серцевини носія додатково включає в себе етап: - вбудовування щонайменше одного перевернутого кристала в першу підкладку.
В одному варіанті здійснення першого аспекту винаходу перша підкладка не має порожнини.
В одному варіанті здійснення першого аспекту винаходу перша підкладка забезпечується щонайменше однією порожниною, яка має щонайменше один лінійний розмір, що не перевищує щонайменше одного лінійного розміру щонайменше одного перевернутого кристала, і де щонайменше одна порожнина першої підкладки має просторові розміри, щоб щонайменше частково приймати щонайменше один перевернутий кристал. Щонайменше один лінійний бо розмір вибирається із групи, що складається з висоти, довжини і ширини.
В одному варіанті здійснення першого аспекту винаходу етап забезпечення серцевини носія, у якій між першою підкладкою і другою підкладкою поміщується гнучка плівка, що має множину малюнків міжз'єднань, додатково включає в себе етап: - з'єднання щонайменше одного перевернутого кристала із другою підкладкою, - а етап ламінування серцевини носія для створення багатошарової серцевини додатково включає в себе етап: - вбудовування щонайменше одного перевернутого кристала в другу підкладку.
В одному варіанті здійснення першого аспекту винаходу етап ламінування серцевини носія для створення багатошарової серцевини додатково включає в себе етапи: - піддавання серцевини носія циклу нагрівання, де етап піддавання серцевини носія циклу нагрівання включає в себе етап піддавання серцевини носія високій температурі, що дорівнює щонайменше 80 "С, і етап прикладання тиску, що дорівнює щонайменше 20х105 паскалів (Па), до серцевини носія; і - піддавання серцевини носія циклу охолодження, де етап піддавання серцевини носія циклу охолодження включає в себе етап піддавання серцевини низькій температурі, що не перевищує
ЗО "С, і етап прикладання тиску, що дорівнює щонайменше 20х105 паскалів (Па), до серцевини носія.
В одному варіанті здійснення першого аспекту винаходу спосіб додатково включає етапи: нарізування багатошарової серцевини носія на множину окремих секцій.
В одному варіанті здійснення першого аспекту винаходу етап нарізування багатошарової серцевини носія на множину окремих секцій додатково включає в себе етап: - нарізування кожної з окремих секцій, як, наприклад, розміром 10-1 згідно з ІБО 7810, де кожна з окремих секцій містить не більше одного з щонайменше одного малюнка міжз'єднань.
В одному варіанті здійснення першого аспекту винаходу щонайменше одна контактна площадка має просторові розміри згідно з ІБО 7816.
В одному варіанті здійснення першого аспекту винаходу перша і друга вертикальні площини не перекриваються із третьою вертикальною площиною, де область рельєфного тиснення, яка виконується на кожній з окремих секцій згідно з ІЗО 7811, розташовується в позиції в третій вертикальній площині.
Зо В одному варіанті здійснення першого аспекту винаходу товщина першої підкладки перевищує товщину другої підкладки.
В одному варіанті здійснення першого аспекту винаходу кожний з малюнків міжз'єднань додатково містить щонайменше один антенний контур, який розташовується на гнучкій плівці в позиції в четвертій вертикальній площині, і де четверта вертикальна площина не перекривається з першою і другою вертикальними площинами, і де щонайменше один антенний контур електрично з'єднується з щонайменше одним перевернутим кристалом.
Згідно із другим аспектом винаходу, забезпечується пристрій інтелектуальної карти.
Пристрій інтелектуальної карти містить: - багатошарову серцевину носія, що містить: - першу підкладку; - другу підкладку; і - гнучку плівку, яка має малюнок міжз'єднань і поміщується між першою і другою підкладками, де малюнок міжз'єднань містить: - щонайменше один перевернутий кристал, вбудований у першу або другу підкладку, де щонайменше один перевернутий кристал розташовується в позиції в першій вертикальній площині, - контактну площадку, розташовану в позиції в другій вертикальній площині, - щонайменше одне міжз'єднання, що електрично з'єднує контактну площадку з щонайменше одним перевернутим кристалом, де перша вертикальна площина не перекривається із другою вертикальною площиною, і де контактна площадка виступає через порожнину в другій підкладці для формування безперервної рівної поверхні від зовнішньої поверхні багатошарової серцевини носія до контактної площадки.
В одному варіанті здійснення другого аспекту винаходу багатошарова серцевина носія має просторові розміри, як, наприклад, розмір 10-1 згідно з ІБО 7810.
В одному варіанті здійснення другого аспекту винаходу контактна площадка має просторові розміри згідно з ІБО 7816.
В одному варіанті здійснення другого аспекту винаходу область рельєфного тиснення, яка виконується на багатошаровій серцевині носія згідно з ІЗО 7811, розташовується в позиції в третій вертикальній площині, де третя вертикальна площина не перекривається з першою і 60 другою вертикальними площинами.
В одному варіанті здійснення другого аспекту винаходу область рельєфного тиснення призначається для рельєфного тиснення інформації, яка вибирається щонайменше із групи, що складається з ідентифікаційного номера, імені і адреси.
В одному варіанті здійснення другого аспекту винаходу щонайменше один перевернутий кристал і контактна площадка розташовуються на протилежних сторонах гнучкої плівки.
В одному варіанті здійснення другого аспекту винаходу щонайменше один перевернутий кристал і контактна площадка розташовуються на одній стороні гнучкої плівки.
В одному варіанті здійснення другого аспекту винаходу малюнок міжз'єднань додатково містить щонайменше один антенний контур, електрично з'єднаний з щонайменше одним перевернутим кристалом, де щонайменше один антенний контур забезпечується в позиції в четвертій вертикальній площині, і де четверта вертикальна площина не перекривається з першою і другою вертикальними площинами.
Короткий опис креслень
Далі буде докладно описаний винахід з посиланням на прикладені креслення, на яких зображено наступне: фіг ТА зображує вузол модулів інтегральної схеми, який буде використовуватися в існуючому способі виготовлення пристрою інтелектуальної карти; фіг. 18 зображує вигляд у поперечному розрізі пристрою інтелектуальної карти попереднього рівня техніки; фіг 2А-2С зображують першу підкладку, гнучку плівку і другу підкладку, відповідно, відповідно до одного варіанта здійснення винаходу; фіг. 20 зображує накладання гнучкої плівки, зображеної на фіг. 28, на першу підкладку, зображену на фіг. 2А, для створення тимчасової серцевини; фіг. 2Е зображує накладання другої підкладки, зображеної на фіг. 2С, на багатошарову тимчасову серцевину для створення серцевини носія; фіг. 2Е зображує багатошарову серцевину носія до нарізування на окремі секції; фіг 20 зображує вигляд у поперечному розрізі пристрою інтелектуальної карти, який одержують із нарізаної секції багатошарової серцевини носія, зображеної на фіг. 2Е; фіг. 2Н зображує частковий збільшений вигляд гнучкої плівки, зображеної на фіг. 28, а також зображує один малюнок міжз'єднань, у якому контактна площадка і міжз'єднання розташовуються на верхній поверхні плівки, а перевернутий кристал розташовується на нижній поверхні плівки; фіг. 2І зображує інший приклад гнучкої плівки, що має один малюнок міжз'єднань, у якому контактна площадка і міжз'єднання розташовуються на верхній поверхні плівки, поряд з тим, що модуль на перевернутому кристалі розташовується на нижній поверхні плівки; фіг. 2) зображує один приклад контактної площадки; фіг. ЗА-3С зображують першу підкладку, гнучку плівку з антенними контурами і другу підкладку, відповідно, відповідно до одного варіанта здійснення винаходу; фіг. ЗО зображує накладання гнучкої плівки, зображеної на фіг. ЗВ, на першу підкладку, зображену на фіг. ЗА, для створення тимчасової серцевини; фіг. ЗЕ зображує накладання другої підкладки, зображеної на фіг. ЗА, на багатошарову тимчасову серцевину для створення серцевини носія; фіг. ЗЕ зображує багатошарову серцевину носія до нарізування на окремі секції; фіг З; зображує вигляд у поперечному розрізі пристрою інтелектуальної карти, який одержують із нарізаної секції багатошарової серцевини носія, зображеної на фіг. ЗЕ; фіг. ЗН зображує частковий збільшений вигляд гнучкої плівки, зображеної на фіг. ЗВ, а також зображує один малюнок міжз'єднань, у якому контактна площадка, міжз'єднання і антенний контур розташовуються на верхній поверхні плівки, поряд з тим, що перевернутий кристал розташовується на нижній поверхні плівки; фіг. ЗІ зображує інший приклад гнучкої плівки, що має один малюнок міжз'єднань, у якому контактна площадка, міжз'єднання і антенний контур розташовуються на верхній поверхні плівки, поряд з тим, що перевернутий кристал розташовується на нижній поверхні плівки; фіг 4 зображує графічне представлення алгоритму для способу виготовлення інтелектуального пристрою, відповідно до одного варіанта здійснення винаходу; фіг. 5 зображує графічне представлення алгоритму для способу виготовлення пристрою інтелектуальної карти, відповідно до одного варіанта здійснення винаходу; і фіг. б зображує вигляд у поперечному розрізі пристрою інтелектуальної карти, у якому перевернутий кристал і контактна площадка розташовуються на одній стороні гнучкої плівки. 60 Докладний опис
У нижченаведеному описі численні конкретні деталі викладаються для забезпечення повного розуміння різних ілюстративних варіантів здійснення винаходу. Однак фахівець у відповідній галузі техніки повинен розуміти, що варіанти здійснення винаходу можуть бути здійснені на практиці без деяких або ж без усіх цих конкретних деталей. Слід розуміти, що використовувана в даній заявці термінологія представлена винятково з метою опису конкретних варіантів здійснення і не призначена для обмеження обсягу винаходу. На всіх кресленнях однакові посилальні позиції стосуються однакових або аналогічних функціональних можливостей або компонентів.
Слід розуміти, що терміни "який містить", "який включає в себе" і "який має" мають на увазі розширення і означають можливість наявності додаткових елементів, відмінних від перерахованих елементів. Використання ідентифікаторів, таких як, наприклад, перший, другий, третій і четвертий, не повинно витлумачуватися способом, що вводить яку-небудь відносну позицію або тимчасову послідовність між обмеженнями. Крім усього іншого, використовувані в даній заявці терміни, такі як, наприклад, "верх", "низ", "бічний", "нижній", "вертикальний", представлені усього лише для простоти опису і стосуються орієнтації компонентів, які зображені на кресленнях. Слід розуміти, що будь-яка орієнтація описаних у даній заявці компонентів знаходиться в рамках винаходу.
Розглянемо фіг. 2А-2) і фіг. 4. Відповідно до одного варіанта здійснення винаходу, спосіб виготовлення пристрою 200 інтелектуальної карти з інтерфейсом контактного типу включає в себе наступні етапи.
На етапі 401 забезпечується гнучка плівка 230 або внутрішній листовий шар, що має щонайменше один малюнок 210 міжз'єднань або схем. Фіг. 2В зображує схематичне представлення гнучкої плівки 230 або внутрішнього листового шару, що має множину малюнків 210 міжз'єднань.
Гнучка плівка 230 є неметалевою і може бути виготовлена із пластику, наприклад з поліетилентерефталату (ПЕТ). Гнучка плівка 230 може бути прозорою.
Кожний малюнок 210 міжз'єднань або схем містить щонайменше один перевернутий кристал 250, який розташовується на (наприклад, приклеюється до) нижній поверхні гнучкої плівки 230 і розташовується в позиції в першій вертикальній площині.
Кожний малюнок 210 міжз'єднань додатково містить металеву контактну площадку 260, яка розташовується на верхній поверхні гнучкої плівки 230 і розташовується в позиції в другій вертикальній площині. Друга вертикальна площина не перекривається з першою вертикальною площиною. Відповідно, перевернутий кристал не розташовується безпосередньо під контактною площадкою 260. Кожна контактна площадка 260 забезпечує електропровідність, коли пристрій інтелектуальної карти вставляється в пристрій зчитування інтелектуальних карт, наприклад у комп'ютер, торговельний термінал. Фізичні і електричні характеристики контактної площадки 260 можуть бути задані згідно з ІБО 7816, зокрема ІБО 7816-2.
Кожний малюнок 210 міжз'єднань додатково містить міжз'єднання 270, забезпечені на верхній і/або нижній поверхні плівки 230, для забезпечення двостороннього електричного з'єднання з перевернутим кристалом 250, контактною площадкою 260 і/або будь-якими іншими компонентами. Міжз'єднання 270 містять щонайменше одне міжз'єднання, що перетинає товщину гнучкої плівки 230 для електричного з'єднання контактної площадки 260 з перевернутим кристалом 250. Таке міжз'єднання може бути вбудоване в гнучку плівку 230 з використанням методів, таких як, наприклад, у числі іншого, пробивання наскрізного отвору або механічне заклепування, для забезпечення електричного з'єднання між контактною площадкою 260 і перевернутим кристалом 250.
Фіг. 2Н зображує частковий збільшений вигляд гнучкої плівки, зображеної на фіг. 2В, де контактна площадка 260 і конкретні міжз'єднання 270 розташовуються на верхній поверхні плівки 230, поряд з тим, що перевернутий кристал 250 розташовується на нижній поверхні плівки 230.
Фіг. 2І зображує один приклад малюнка 210 міжз'єднань, забезпечений на гнучкій плівці 230, де контактна площадка 260 і конкретні міжз'єднання 270 розташовуються на верхній поверхні плівки 230, поряд з тим, що перевернутий кристал 250 розташовується на нижній поверхні плівки 230.
Слід зазначити, що контактні площадки і міжз'єднання формуються або будуються на гнучкій плівці 230 за допомогою відомих способів, наприклад способом сухого травлення.
На етапі 403 гнучка плівка 230 накладається або розміщується зверху першої підкладки 220 для створення тимчасової серцевини 225а. Цей етап включає в себе етап застосування склеювальної речовини до першої підкладки 220 і/або гнучкої плівки 230, а також етап з'єднання нижньої поверхні гнучкої плівки 230 ії щонайменше одного перевернутого кристала 250 з першою підкладкою 220 (див. фіг. 20).
В одному варіанті здійснення перша підкладка 220 (див. фіг. 2А) забезпечується щонайменше однією порожниною 222, яка розташовується таким чином, щоб вирівнюватися з і щонайменше частково приймати щонайменше один перевернутий кристал, коли гнучка плівка 230 накладається або розміщується зверху першої підкладки 220. Порожнина 222 має щонайменше один лінійний розмір, який не перевищує щонайменше одного лінійного розміру щонайменше одного перевернутого кристала 250, щоб щонайменше одна порожнина 222 першої підкладки 220 мала просторові розміри, щоб щонайменше частково приймати щонайменше один перевернутий кристал 250. Щонайменше один лінійний розмір вибирається із групи, що складається з висоти, довжини і ширини відповідної порожнини 222 або перевернутого кристала 250.
В іншому варіанті здійснення перша підкладка 220 (не зображена) не має порожнини.
На етапі 405 тимчасова серцевина 225а піддається першому циклу ламінування для створення багатошарової тимчасової серцевини 2250, у якій щонайменше один перевернутий кристал 250 вбудовується в першу підкладку 220 і інкапсулюється нею.
Зокрема, тимчасова серцевина 225а розміщується або поміщується між пластинами пристрою ламінування. Ця структура, що містить пластини пристрою ламінування, разом з поміщеною тимчасовою серцевиною 225а, подається в машину ламінування, де тимчасова серцевина 225а піддається першому циклу нагрівання протягом періоду часу, що дорівнює, наприклад, приблизно 30 хвилинам. Перший цикл нагрівання включає в себе етап піддавання тимчасової серцевини 225а високій температурі, що дорівнює, наприклад, щонайменше 80 "С, і етап прикладання тиску, що дорівнює, наприклад, щонайменше 20 бар або 20х105 паскалів (Па) , до тимчасової серцевини 225а. Потім тимчасова серцевина 225а піддається першому циклу охолодження протягом періоду часу, що дорівнює, наприклад, приблизно 20 хвилинам. Перший цикл охолодження включає в себе етап піддавання тимчасової серцевини 225а низькій температурі, що, наприклад, не перевищує 30 "С, а також етап прикладання тиску, що дорівнює, наприклад, щонайменше 20 бар або 20х105 паскалів (Па), до тимчасової серцевини 225а. Слід зазначити, що тривалість періоду часу, режими температури і режими тиску можуть бути модифіковані, як відомо фахівцям у відповідній галузі техніки, згідно з використовуваними матеріалами і обладнанням.
У результаті використання режимів тиску і температури протягом першого циклу нагрівання, перша підкладка 220 розм'якшується, і перевернутий кристал(іи) 250 притискається або вбудовуються в розм'якшену першу підкладку 220. Протягом першого циклу охолодження тимчасова серцевина 225а охолоджується і затвердіває. Після завершення першого циклу охолодження створюється багатошарова тимчасова серцевина 225р, у якій щонайменше один перевернутий кристал 250 вбудовується в першу підкладку 220 таким чином, щоб перша підкладка 220 забезпечувала інкапсуляцію для щонайменше одного перевернутого кристала 250.
На етапі 407 друга підкладка 240 накладається або розміщується зверху багатошарової тимчасової серцевини 22560 для створення серцевини носія 225с. Цей етап включає в себе етап застосування склеювальної речовини до другої підкладки 240 і/або гнучкої плівки 230, етап з'єднання верхньої поверхні плівки 230 із другою підкладкою 240 і етап розкриття щонайменше однієї контактної площадки 260 через щонайменше одну порожнину 242 у другій підкладці 240.
Друга підкладка 240 (див. фіг. 23) забезпечується щонайменше однією порожниною 242, яка має просторові розміри для щонайменше вміщення контактної площадки 260.
В одному варіанті здійснення товщина першої підкладки 220 перевищує товщину другої підкладки 240.
В іншому варіанті здійснення товщина першої підкладки 220 є, по суті, рівною товщині другої підкладки 240.
На етапі 409 серцевина носія 225с піддається другому циклу ламінування для створення багатошарової серцевини 2254 носія (див. фіг. 2Е), у якій щонайменше одна контактна площадка 260 виступає через щонайменше одну порожнину 242 у другій підкладці 240 для формування безперервної рівної поверхні від зовнішньої поверхні багатошарової серцевини 2254 носія до щонайменше однієї контактної площадки 260.
Зокрема, серцевина носія 225с розміщується або поміщується між пластинами пристрою ламінування. Ця структура, що містить пластини пристрою ламінування, разом з поміщеною серцевиною носія 225с, подається в машину ламінування, де серцевина носія 225с піддається другому циклу нагрівання протягом періоду часу, що дорівнює, наприклад, приблизно 30 бо хвилинам. Другий цикл нагрівання включає в себе етап піддавання серцевини носія 225с високій температурі, що дорівнює, наприклад, щонайменше 80 "С, і етап прикладання тиску, що дорівнює, наприклад, щонайменше 20 бар або 20х105 паскалів (Па) , до серцевини носія 225с.
Потім серцевина носія 225с піддається другому циклу охолодження протягом періоду часу, що дорівнює, наприклад, приблизно 20 хвилинам. Другий цикл охолодження включає в себе етап піддавання серцевини носія 225с низькій температурі, що, наприклад, не перевищує 30 "С, |і етап прикладання тиску, що дорівнює, наприклад, щонайменше 20 бар або 20х105 паскалів (Па), до серцевини носія 22565. Протягом другого циклу охолодження серцевина носія 225с охолоджується і затвердіває. Після завершення другого циклу охолодження створюється багатошарова серцевина 2254 носія. Слід зазначити, що тривалість періоду часу, режими температури і режими тиску можуть бути модифіковані, як відомо фахівцям у відповідній галузі техніки, згідно з використовуваними матеріалами і обладнанням.
У результаті використання режимів тиску і температури протягом другого циклу нагрівання і наявності кожної порожнини 242, що вміщує кожну контактну площадку 260, кожна контактна площадка 260 і, у деяких варіантах здійснення, частина гнучкої плівки 230, що оточує контактну площадку 260, притискаються до і через простір порожнини 242. Крім того, виступ контактної площадки 260 і яка-небудь оточуюча частина плівки 230 через порожнину 242 обмежуються за допомогою пластин пристрою ламінування, і, відповідно, у багатошаровій серцевині 2254 носія досягається безперервна рівна поверхня від зовнішньої поверхні багатошарової серцевини 2254 носія до щонайменше однієї контактної площадки 260. Інакше кажучи, в області навколо контактної площадки 260 не будуть присутні які-небудь канавки або зазори. Результатом є естетично приємна і безперервна рівна поверхня на стороні багатошарової серцевини 225а носія, де контактна площадка 260 розташовується і є видимою.
На етапі 411 багатошарова серцевина 2254 носія нарізується на окремі секції. Схематичне представлення розмірів окремої секції 200 демонструється на фіг. 2Е.
В одному варіанті здійснення кожна окрема секція 200 має просторові розміри для варіантів застосування кредитної карти або банківської карти, наприклад розмір 10-1 згідно з ІБО 7810, і щонайменше містить щонайменше один перевернутий кристал 250, контактну площадку 260 і міжз'єднання. Відповідно, кожна секція може бути забезпечена як пристрій інтелектуальної карти. Слід зазначити, що кожна секція може мати інші розміри для інших варіантів
Зо застосування, наприклад ОЗВ-токен (ключ).
У вищеописаному способі перша і друга вертикальні площини не перекриваються з третьою вертикальною площиною, де область рельєфного тиснення, яка виконується на багатошаровій серцевині носія розміру 10-1 згідно з ІБО 7811, зокрема ІБО 7811-3, розташовується в позиції в третій вертикальній площині.
Незважаючи на те, що наведені вище абзаци, а також фіг. 28, 20, 20, 2Н, 21, ЗВ, 30, ЗЕ, ЗН,
ЗІ описують малюнок 210 міжз'єднань, у якому перевернутий кристал 250 і контактна площадка 260 розташовуються на протилежних сторонах гнучкої плівки 230, слід зазначити, що конкретні інші варіанти здійснення можуть використовувати малюнки міжз'єднань, у яких перевернутий кристал і контактна площадка розташовуються на одній стороні гнучкої плівки, наприклад на верхній поверхні плівки.
Відповідно до одного варіанта здійснення винаходу, забезпечується спосіб виготовлення пристрою 200 інтелектуальної карти зі здвоєним інтерфейсом, тобто з контактним і безконтактним інтерфейсами, як описано, згідно з етапами 401-411 з належними модифікаціями, що включають у себе, у числі іншого, нижченаведене. Наприклад, на етапі 401 щонайменше один антенний контур 280 забезпечується або формується, наприклад за допомогою сухого травлення, на верхній поверхні або нижній поверхні плівки 230, а також у позиції в четвертій вертикальній площині, і де четверта вертикальна площина не перекривається з першою і другою вертикальними площинами, і де щонайменше один антенний контур 280 електрично з'єднується з щонайменше одним перевернутим кристалом 250 за допомогою одного або більше міжз'єднань 270. Крім того, кожний малюнок міжз'єднань може містити два перевернуті кристали для відповідної роботи контактного і безконтактного інтерфейсів пристрою інтелектуальної карти. Слід зазначити, що антенний контур може мати просторові розміри, які незначно менше розміру І0-1, дорівнюють половині розміру 10-1, дорівнюють чверті розміру 10-1, або інші придатні просторові розміри.
Розглянемо фіг. 5, що демонструє спосіб виготовлення пристрою 200 інтелектуальної карти з інтерфейсом контактного типу або зі здвоєним інтерфейсом (наприклад, з контактним і безконтактним інтерфейсами), відповідно до одного варіанта здійснення винаходу. Оскільки відмітні ознаки і характеристики гнучкої плівки, малюнка міжз'єднань, першої підкладки і другої підкладки будуть аналогічними вищевикладеному опису з посиланням на фіг. 4, їх докладний 60 опис не буде дублюватися.
На етапі 501 забезпечується серцевина носія, у якій між першою підкладкою і другою підкладкою поміщується гнучка плівка, що має множину малюнків міжз'єднань. Цей етап включає в себе етап застосування склеювальної речовини до першої підкладки і/або гнучкої плівки, етап з'єднання нижньої поверхні гнучкої плівки і щонайменше одного перевернутого кристала з першою підкладкою, етап застосування склеювальної речовини до другої підкладки і/або гнучкої плівки, етап з'єднання верхньої поверхні гнучкої плівки із другою підкладкою і етап розкриття щонайменше однієї контактної площадки через щонайменше одну порожнину в другій підкладці. Слід зазначити, що порядок деяких вищеописаних операцій на етапі 501 може бути змінений.
У конкретних інших варіантах здійснення, які використовують малюнки міжз'єднань, у яких перевернутий кристал і контактна площадка розташовуються на одній стороні гнучкої плівки, наприклад на верхній поверхні плівки, щонайменше один перевернутий кристал не буде з'єднуватися з першою підкладкою.
На етапі 503 ламінується серцевина носія для створення багатошарової серцевини носія.
Зокрема, серцевина носія розміщується або поміщується між пластинами пристрою ламінування. Ця структура, що містить пластини пристрою ламінування, разом з поміщеною серцевиною носія, подається в машину ламінування, де серцевина носія піддається циклу нагрівання протягом періоду часу, що дорівнює, наприклад, приблизно 30 хвилинам. Цикл нагрівання включає в себе етап піддавання серцевини носія високій температурі, що дорівнює, наприклад, щонайменше 80 "С, і етап прикладання тиску, що дорівнює, наприклад, щонайменше 20 бар або 20х105 паскалів (Па), до серцевини носія. Потім серцевина піддається циклу охолодження протягом періоду часу, що дорівнює, наприклад, приблизно 20 хвилинам.
Цикл охолодження включає в себе етап піддавання серцевини носія низькій температурі, що, наприклад, не перевищує 30 "С, і етап прикладання тиску, що дорівнює, наприклад, щонайменше 20 бар або 20х10» паскалів (Па), до серцевини носія. Слід зазначити, що тривалість періоду часу, режими температури і режими тиску можуть бути модифіковані, як відомо фахівцям у відповідній галузі техніки, згідно з використовуваними матеріалами і обладнанням.
У результаті використання режимів тиску і температури протягом циклу нагрівання перша
Зо підкладка розм'якшується і перевернутий кристал(іи) притискається або вбудовується в розм'якшену першу підкладку. У той же час, внаслідок наявності порожнини, що вміщує кожну контактну площадку, кожна контактна площадка і, у деяких варіантах здійснення, частина гнучкої плівки, що оточує контактну площадку, будуть притискатися до і через простір порожнини. Крім того, виступ контактної площадки і яка-небудь оточуюча частина плівки через порожнину обмежуються за допомогою пластин пристрою ламінування, і, відповідно, у багатошаровій серцевині носія досягається безперервна рівна поверхня від зовнішньої поверхні багатошарової серцевини носія до щонайменше однієї контактної площадки. Інакше кажучи, в області навколо контактної площадки не будуть присутні які-небудь канавки або зазори.
Результатом є естетично приємна і безперервна рівна поверхня на стороні багатошарової серцевини носія, де контактна площадка розташовується і є видимою; при цьому для перевернутого кристала за допомогою першої або другої підкладки забезпечується інкапсуляція.
На етапі 505 багатошарова серцевина носія нарізується на окремі секції розміру 1І0-1 або інших розмірів. Розглянемо фіг. 22, яка зображує вигляд у поперечному розрізі пристрою із вбудованою інтегральною схемою або пристрою 200 інтелектуальної карти, який вирізається з багатошарової серцевини 2254 носія і відповідає окремій секції 200, згаданій на етапі 411.
Фіг. 225 зображує перевернутий кристал 250, вбудований у багатошарову серцевину носія, що містить гнучку плівку 230, яка має малюнок міжз'єднань і поміщується між першою підкладкою 220 і другою підкладкою 240.
Гнучка плівка 230 містить малюнок 210 міжз'єднань, забезпечений на верхній і/або нижній поверхні плівки 230. Малюнок 210 міжз'єднань містить щонайменше один перевернутий кристал 250, який вбудовується в першу підкладку 220 і розташовується на нижній поверхні плівки 230 у позиції в першій вертикальній площині. Малюнок 210 міжз'єднань додатково містить металеву контактну площадку 260, розташовану на верхній поверхні плівки 230, що прилягає до другої підкладки 240 у позиції в другій вертикальній площині. Малюнок 210 міжз'єднань додатково містить міжз'єднання 270, що електрично з'єднують контактну площадку 260 з перевернутим кристалом 250. У деяких варіантах здійснення щонайменше одне міжз'єднання перетинає товщину плівки 230 для електричного з'єднання контактної площадки 260 з щонайменше одним перевернутим кристалом 250. Перша вертикальна площина не перекривається із другою бо вертикальною площиною. Щонайменше один модуль 250 на перевернутому кристалі вбудовується в першу підкладку 220 таким чином, щоб друга підкладка 240 інкапсулювала щонайменше один модуль на перевернутому кристалі. Щонайменше одна контактна площадка 260 виступає через щонайменше одну порожнину в другій підкладці 240 для формування безперервної рівної поверхні від зовнішньої поверхні багатошарової серцевини носія до щонайменше однієї контактної площадки 260.
Перша підкладка 220 містить верхню або внутрішню поверхню, накладену на нижню поверхню плівки 230, що включає в себе щонайменше один перевернутий кристал 250.
Щонайменше один модуль на перевернутому кристалі вбудовується в першу підкладку 220 таким чином, щоб весь корпус другої підкладки 240 забезпечував інкапсуляцію для модуля перевернутого кристала. Ця інкапсуляція забезпечує площу і об'єм, які білоше пристрою із вбудованим перевернутим кристалом, і захищає перевернутий кристал від пошкодження.
Друга підкладка 240 має порожнину, через яку контактна площадка 260 ї, у конкретних варіантах здійснення, частина гнучкої плівки 230, що оточує контактну площадку 260, виступають для реалізації транзакцій контактного типу. Друга підкладка 240 містить нижню або внутрішню поверхню, накладену на верхню поверхню плівки 230, і верхню або зовнішню поверхню, яка формує безперервну рівну поверхню від зовнішньої поверхні багатошарової серцевини носія до щонайменше однієї контактної площадки 260. Область між контактною площадкою 260 і оточуючою зовнішньою поверхнею багатошарової серцевини або другої підкладки 240 не має канавок або зазорів, які в інших випадках присутні в існуючих інтелектуальних картах, виготовлених за допомогою вищезгаданих відомих способів.
В одному варіанті здійснення товщина першої підкладки 220 перевищує товщину другої підкладки 240. В іншому варіанті здійснення товщина першої підкладки 220 є, по суті, рівною товщині другої підкладки 240.
В одному варіанті здійснення багатошарова серцевина носія має просторові розміри, як, наприклад, розмір І0-1 згідно з ІБО 7810.
В одному варіанті здійснення контактна площадка 260 має просторові розміри згідно з ІЗО 7816.
В одному варіанті здійснення область рельєфного тиснення, яка виконується на багатошаровій серцевині носія згідно з ІБО 7811, зокрема ІБО 7811-3, розташовується в позиції
Зо в третій вертикальній площині, де третя вертикальна площина не перекривається з першою і другою вертикальними площинами. В область рельєфного тиснення може бути записана інформація, наприклад ідентифікаційний номер, ім'я і адреса. Також можуть бути записані і інші типи інформації.
Розглянемо фіг. З3с, яка зображує вигляд у поперечному розрізі пристрою із вбудованою інтегральною схемою або пристрою 300 інтелектуальної карти, що має здвоєний інтерфейс, тобто контактний і безконтактний інтерфейси. Пристрій 300 інтелектуальної карти, зображений на фіг. За, є аналогічним пристрою, зображеному на фіг. 22, за винятком того, що плівка 230 додатково містить щонайменше один антенний контур 280, забезпечений на верхній або нижній поверхні плівки 230 і електрично з'єднаний з щонайменше одним перевернутим кристалом 250.
Щонайменше один антенний контур 280 забезпечується в позиції в четвертій вертикальній площині, де четверта вертикальна площина не перекривається з першою і другою вертикальними площинами.
Фіг. 6 зображує вигляд у поперечному розрізі пристрою із вбудованою інтегральною схемою або пристрою 600 інтелектуальної карти, у якому перевернутий кристал 250 і контактна площадка 260 розташовуються на одній стороні, наприклад на верхній поверхні, гнучкої плівки 230. Відповідно, у даному варіанті здійснення щонайменше один перевернутий кристал 250 вбудовується і інкапсулюється за допомогою другої підкладки 240. Інші деталі пристрою 600 інтелектуальної карти є аналогічними зображеним на фіг. 22 і тому дублюватися не будуть.
Варіанти здійснення винаходу забезпечують декілька переваг, що включають у себе, у числі іншого, нижченаведене. - У відомих вищеописаних способах антенний контур, який не з'єднується з яким-небудь модулем на інтегральній мікросхемі, поміщується між двома підкладками з рівною товщиною перед фрезеруванням, виконуваним для розкриття частин антенного контуру. Потім один з різних способів використовується для електричного з'єднання розкритих частин антенного контуру для модуля інтегральної схеми.
Для порівняння, у винаході використовується окремий шар (наприклад, плівка або підкладка, яка переважно є гнучкою і неметалевою), що має малюнок міжз'єднань, який містить щонайменше один перевернутий кристал, міжз'єднання і щонайменше один антенний контур.
Використання цього окремого внутрішнього листового шару з малюнками міжз'єднань виключає 60 етапи фрезерування багатошарової підкладки для розкриття частин антенного контуру і з'єднання розкритих частин антенного контуру з перевернутим кристалом. Використання цього окремого внутрішнього листового шару з малюнками міжз'єднань також підвищує надійність з'єднання з антенним контуром, оскільки контактна площадка і міжз'єднання, які включають у себе міжз'єднання, що з'єднує перевернутий кристал з антенним контуром, нашаровуються на плівку протягом одного процесу. - У відомих вищеописаних способах перевернутий кристал розташовується безпосередньо на нижній стороні контактної площадки (див. фіг. 18) і тому перевернутий кристал може одержати пошкодження внаслідок повторного використання із взаємодією контактної площадки зі зчитувальним засобом контактного типу.
Для порівняння, при використанні винаходу, розміщення зі зсувом або вертикальне відхилення перевернутого кристала відносно контактної площадки знижує ризик пошкодження кристала навіть при повторному використанні із взаємодією контактної площадки зі зчитувальним засобом контактного типу.
У різних варіантах здійснення винаходу для виготовлення пристроїв інтелектуальної карти розміром І0-1, модуль інтегральної схеми може розташовуватися в будь-якому місці в межах розмірів І0-1, крім вертикальної площин, для позиціонування контактної площадки, тиснення інформації і позиціонування антенного контуру (для карт зі здвоєним інтерфейсом). Відповідно, строк експлуатації і надійність пристрою із вбудованою інтегральною схемою або пристрою інтелектуальної карти винаходу будуть удосконалені. - У відомих вищеописаних способах кристал 150 інтегральної схеми забезпечується інкапсуляцією 152, що має площу і об'єм, які є частиною пристрою 100 інтелектуальної карти або контактної площадки 160 модуля 110 інтелектуальної карти.
Для порівняння, при використанні винаходу, перевернутий кристал 250 вбудовується в першу підкладку 220 або другу підкладку 240 і за рахунок цього забезпечується інкапсуляція (тобто перша підкладка), що має площу і об'єм, що значно перевищують контактну площадку 260 і перевернутий кристал 250. У результаті, коли сила однієї величини окремо застосовується до існуючого пристрою 100 інтелектуальної карти, зображеного на фіг. 18, і пристрою 200, 300, 600 інтелектуальної карти, зображеного на фіг. 221, ЗО і 6, згідно з винаходом, існуючий пристрій інтелектуальної карти (фіг. 18) піддається більшому тиску на одиницю площі внаслідок меншої
Зо області інкапсуляції і тому існує більша ймовірність одержання пошкодження, тоді як пристрій інтелектуальної карти винаходу (фіг. 221, ЗО і 6) піддається меншому тиску на одиницю площі внаслідок більшої області інкапсуляції і ймовірність одержання пошкодження зменшується.
Відповідно, більші область інкапсуляції і об'єм пристрою інтелектуальної карти винаходу (фіг. 22, За і 6) забезпечують більший захист перевернутого кристала і внаслідок цього збільшують строк експлуатації і підвищують надійність інтелектуального пристрою 200, 300, 600. - В існуючому пристрої 100 інтелектуальної карти, зображеному на фіг. 18, є зазори 190 між контактною площадкою 160 і оточуючою підкладкою 140 серцевини носія. Ці зазори найчастіше, оскільки вони вузькі, накопичують пил і бруд.
Для порівняння, при використанні винаходу, контактна площадка 260 їі, у конкретних варіантах здійснення, частина оточуючої плівки виступають через порожнину в процесі ламінування і забезпечують безперервну рівну поверхню від зовнішньої поверхні серцевини носія до щонайменше однієї контактної площадки без канавок або зазорів між контактною площадкою і серцевиною носія.
Слід розуміти, що вищеописані варіанти здійснення і відмітні ознаки повинні розглядатися як ілюстративні, а не як обмежувальні. Після вивчення опису і застосування винаходу на практиці, фахівцям у відповідній галузі техніки стане очевидна множина інших варіантів здійснення. Крім усього іншого, конкретна термінологія була використана для ясності опису, а не для обмеження розкритих варіантів здійснення винаходу.

Claims (1)

  1. 50 ФОРМУЛА ВИНАХОДУ
    1. Спосіб виготовлення пристрою інтелектуальної карти, причому згаданий спосіб включає етапи, на яких: забезпечують серцевину носія, у якій гнучка плівка, що має множину малюнків міжз'єднань, 55 поміщена між першою підкладкою і другою підкладкою, який відрізняється тим, що кожний з малюнків міжз'єднань містить: щонайменше один перевернутий кристал, щонайменше одну контактну площадку, розташовану зі зсувом відносно щонайменше одного перевернутого кристала,
    щонайменше одне міжз'єднання, що електрично з'єднує щонайменше одну контактну площадку з щонайменше одним перевернутим кристалом, причому щонайменше одне міжз'єднання і щонайменше одна контактна площадка формуються на гнучкій плівці, при цьому етап забезпечення серцевини носія, у якій гнучка плівка, що має множину малюнків міжз'єднань, поміщена між першою підкладкою і другою підкладкою, додатково включає в себе етап, на якому: розкривають щонайменше одну контактну площадку через щонайменше одну порожнину у другій підкладці; і ламінують серцевину носія для створення багатошарової серцевини носія, у якій щонайменше одна контактна площадка виступає через щонайменше одну порожнину у другій підкладці для формування безперервної рівної поверхні від зовнішньої поверхні багатошарової серцевини носія до щонайменше однієї контактної площадки таким чином, щоб область між контактною площадкою і зовнішньою поверхнею багатошарової серцевини носія не мала зазору.
    2. Спосіб за п. 1, у якому етап забезпечення серцевини носія, у якій гнучка плівка, що має множину малюнків міжз'єднань, поміщена між першою підкладкою і другою підкладкою, додатково включає в себе етапи, на яких: накладають гнучку плівку на першу підкладку для створення тимчасової серцевини; ламінують тимчасову серцевину для створення багатошарової тимчасової серцевини; і накладають другу підкладку на багатошарову тимчасову серцевину для створення серцевини носія.
    3. Спосіб за будь-яким з пп. 1-2, у якому етап забезпечення серцевини носія, у якій гнучка плівка, що має множину малюнків міжз'єднань, поміщена між першою підкладкою і другою підкладкою, додатково включає в себе етап, на якому: з'єднують щонайменше один перевернутий кристал з першою підкладкою, причому щонайменше один перевернутий кристал і щонайменше одна контактна площадка розміщуються на протилежних сторонах гнучкої плівки, при цьому етап ламінування серцевини носія для створення багатошарової серцевини носія додатково включає в себе етап, на якому: вбудовують щонайменше один перевернутий кристал у першу підкладку.
    4. Спосіб за п. 3, у якому перша підкладка не має порожнини. Зо 5. Спосіб за п. 3, у якому першу підкладку забезпечують щонайменше однією порожниною, яка має щонайменше один лінійний розмір, що не перевищує щонайменше одного лінійного розміру щонайменше одного перевернутого кристала, і при цьому щонайменше одна порожнина першої підкладки має просторові розміри, щоб щонайменше частково приймати щонайменше один перевернутий кристал.
    б. Спосіб за п. 5, у якому щонайменше один лінійний розмір вибирається із групи, що складається з висоти, довжини і ширини.
    7. Спосіб за будь-яким з пп. 1-2, у якому етап забезпечення серцевини носія, у якій гнучка плівка, що має множину малюнків міжз'єднань, поміщена між першою підкладкою і другою підкладкою, додатково включає в себе етап, на якому: з'єднують щонайменше один перевернутий кристал із другою підкладкою, причому щонайменше один перевернутий кристал і щонайменше одна контактна площадка розміщуються на одній стороні гнучкої плівки, при цьому етап ламінування серцевини носія для створення багатошарової серцевини носія додатково включає в себе етап, на якому: вбудовують щонайменше один перевернутий кристал у другу підкладку.
    8. Спосіб за будь-яким з пп. 1-7, у якому етап ламінування серцевини носія для створення багатошарової серцевини носія додатково включає в себе етапи, на яких: піддають серцевину носія циклу нагрівання, причому етап піддавання серцевини носія циклу нагрівання включає в себе етапи, на яких піддають серцевину носія високій температурі, що дорівнює щонайменше 80 С, і прикладають тиск, що дорівнює щонайменше 20х105 Па, до серцевини носія; і піддають серцевину носія циклу охолодження, причому етап піддавання серцевини носія циклу охолодження включає в себе етапи, на яких піддають серцевину носія низькій температурі, що не перевищує 30 "С, і прикладають тиск, що дорівнює щонайменше 20х105 Па до серцевини носія.
    9. Спосіб за будь-яким з пп. 1-8, який додатково включає етап, на якому: нарізають багатошарову серцевину носія на множину окремих секцій.
    10. Спосіб за п. 9, у якому етап нарізування багатошарової серцевини носія на множину окремих секцій додатково включає в себе етап, на якому:
    нарізають кожну з окремих секцій з розміром 10-1 згідно з ІБО 7810, причому кожна з окремих секцій містить не більше одного із щонайменше одного малюнка міжз'єднань.
    11. Спосіб за п. 10, у якому щонайменше одна контактна площадка має просторові розміри згідно з ІБО 7816.
    12. Спосіб за п. 11, у якому область рельєфного тиснення виконується на кожній з окремих секцій згідно з ІБО 7811.
    13. Спосіб за будь-яким з пп. 1-12, у якому товщина першої підкладки перевищує товщину другої підкладки.
    14. Спосіб за будь-яким з пп. 1-13, у якому кожний з малюнків міжз'єднань додатково містить щонайменше один антенний контур, сформований на гнучкій плівці, їі причому щонайменше один антенний контур електрично з'єднується з щонайменше одним перевернутим кристалом.
    15. Пристрій інтелектуальної карти, який містить: багатошарову серцевину носія, що містить: першу підкладку; другу підкладку; і гнучку плівку, яка має малюнок міжз'єднань і поміщена між першою і другою підкладками, який відрізняється тим, що малюнок міжз'єднань, містить: щонайменше один перевернутий кристал, вбудований у першу або другу підкладку, контактну площадку, розташовану зі зсувом відносно щонайменше одного перевернутого кристала, щонайменше одне міжз'єднання, що електрично з'єднує контактну площадку із щонайменше одним перевернутим кристалом, причому щонайменше одне міжз'єднання і контактна площадка сформовані на гнучкій плівці, і причому контактна площадка виступає через порожнину у другій підкладці для формування безперервної рівної поверхні від зовнішньої поверхні багатошарової серцевини носія до контактної площадки таким чином, щоб область між контактною площадкою і зовнішньою поверхнею багатошарової серцевини носія не мала зазору.
    16. Пристрій інтелектуальної карти за п. 15, у якому багатошарова серцевина носія має просторові розміри, як розмір 10-1 згідно з ІБО 7810.
    17. Пристрій інтелектуальної карти за п. 16, у якому контактна площадка має просторові розміри згідно з ІБО 7816. Зо 18. Пристрій інтелектуальної карти за п. 17, у якому зовнішня поверхня багатошарової серцевини носія містить область рельєфного тиснення, яка виконана на багатошаровій серцевині носія згідно з ІБО 7811.
    19. Пристрій інтелектуальної карти за п. 18, у якому область рельєфного тиснення призначена для рельєфного тиснення інформації, яка вибрана щонайменше із групи, що складається з ідентифікаційного номера, імені і адреси.
    20. Пристрій інтелектуальної карти за будь-яким з пп. 15-19, у якому щонайменше один перевернутий кристал і контактна площадка розташовані на протилежних сторонах гнучкої плівки.
    21. Пристрій інтелектуальної карти за будь-яким з пп. 15-19, у якому щонайменше один перевернутий кристал і контактна площадка розташовані на одній стороні гнучкої плівки.
    22. Пристрій інтелектуальної карти за будь-яким з пп. 15-21, у якому малюнок міжз'єднань додатково містить щонайменше один антенний контур, електрично з'єднаний з щонайменше одним перевернутим кристалом, причому щонайменше один антенний контур сформований на гнучкій плівці.
    23. Пристрій інтелектуальної карти за будь-яким з пп. 15-22, у якому перша і друга підкладки забезпечують інкапсуляцію для щонайменше одного перевернутого кристала, при цьому інкапсуляція має площу і об'єм, що перевищують контактну площадку.
    110 10 110 и ша нен кн ук упрвніврнкви о Греси нирки цир біси о і и реа, ши ши Е І би вва мах о ні Івана дна пива вн сти! ск Що рн і й В. В 13 но соня (Попередній Бівань тоніки
    ФІГ. ЗА дя 300 152 Є г ння нн Е 12 Ї-- ння поли вия 13 Аж х ще 6- тої попередній рівень техвніжши)
    ФІ. 18 Ж 240 / по ; 242 242 242,
    ФІГ. 2 ле ме ме их ул ли нг зи в в ж - 240
    ФІГ. 2В / єго / й жу сг г и Ен рел а
    ФІГ. А. зво 270 зво Що зх ще й зла є я є й -229 ; / г ще сх уяв ака ЕТ І Я г я--- Вова - не ши Р Я ше ; 20-- 230
    ФІГ. 29 Фіг: ЯН ре сен ; ово 270 270 250 рух ЖЖ зво гі й ; : ОК і мя В ЕМ Й ое-тзв т р ; пн я силовими пів 230
    ФІГ. 2Е ФІГ. 2І оба 200 0 , В сн сини ож о МИ ож - / у 4 ФІГ. 24 / ве в в
    ФІГ. 2Е де-то 250 зо ан А НН и АНУ во
    ФІГ. 26 / шо ж.--240 / аа / дові р; 242 242 942 й кодніавнннв ників ння пи ов ; з: у чи й ди ВД Й поопантттвнтнаюннотовось шо доки
    Я; жу «у «х / / Ок у жа у Й / 2 «7 и /
    ФІГ. ЗА 7 250 270-250 у що А: Шк: в. що Я БА ; дев ке Я 2 і піша лійка ня і ша І х Е речи ее ОССУ, ДУ ІЙ сля С й Ї ; и че А ; дл и В вен ; а -- шій 230 286
    ФІГ. 30 ФІГ. ЗН / у 280 рі 270 о І Ж 240 Ва НН ; і 330
    ФІГ. ЗЕ ФІГ. ЗІ зо0 300300 Кл ит ук й є Ки й "й ши и и Ал Я й й -е раВа є в жі
    ФІГ. ЗЕ ЗО шт , гав зво 280 жи пив нні нини повіді нь и го
    ФІГ. З
    Забезпечення гнучкої плівки, що має малюнокімалюнки) 1 в міжз'єднань щі і Накладання гнучкої плівки на першу підкладку для ! створення тимчасової серцевини ГТ 03 Ламінування тимчасової серцевини для створення ! "багатошарової тимчасової серцевини п-05 Накладання другої підкладки на гнучку плівку багатошарової тимчасової серцевини для створення серцевини носія па АД Ламінування серцевини носія для створення багатошарової серцевини носія р-- 09 Нарізування багатошарової серцевини носія на окремі ! секції -
    ФІГ. 4 Забезпечення серцевини носія, у якій між першою ! підкладкою і другою підкладкою поміщується гнучка 50, плівка, шо має множину малюнків міжз'єднань Ламінування серцевини носія для створення багатошарової серцевини носія - ВОМУ Нарізування багатошарової серцевини носія на окремі секції пн
    ФІГ. 5 шиття 6Об ой зб ПН 7; ТИНИ свіже нс й я ПИННННВННКЯ ня ОО Кни ин о Ом ЯКО ня 220
    ІК. 6
UAA201803354A 2015-12-04 2016-11-22 Спосіб вбудовування інтегральної схеми методом перевернутого кристала UA118640C2 (uk)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201562263105P 2015-12-04 2015-12-04
PCT/SG2016/050574 WO2017095329A1 (en) 2015-12-04 2016-11-22 Method for embedding integrated circuit flip chip

Publications (1)

Publication Number Publication Date
UA118640C2 true UA118640C2 (uk) 2019-02-11

Family

ID=57530791

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
UAA201803354A UA118640C2 (uk) 2015-12-04 2016-11-22 Спосіб вбудовування інтегральної схеми методом перевернутого кристала

Country Status (19)

Country Link
US (2) US10558906B2 (uk)
EP (1) EP3384434B1 (uk)
JP (1) JP6544759B2 (uk)
KR (1) KR101897944B1 (uk)
CN (1) CN108292373B (uk)
AU (1) AU2016361882B2 (uk)
BR (2) BR112018011000B1 (uk)
CA (1) CA3002778C (uk)
ES (1) ES2747913T3 (uk)
HU (1) HUE045755T2 (uk)
MA (1) MA43370B1 (uk)
MX (1) MX2018005155A (uk)
PH (1) PH12018500683A1 (uk)
PL (1) PL3384434T3 (uk)
PT (1) PT3384434T (uk)
RU (1) RU2667741C1 (uk)
UA (1) UA118640C2 (uk)
WO (1) WO2017095329A1 (uk)
ZA (1) ZA201802189B (uk)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR3063555B1 (fr) * 2017-03-03 2021-07-09 Linxens Holding Carte a puce et procede de fabrication d’une carte a puce
KR102107795B1 (ko) * 2018-11-22 2020-05-28 주식회사 엔에이블 플렉시블 기판을 이용한 스마트 카드 제조방법
DE102019202718B4 (de) 2019-02-28 2020-12-24 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Dünnes Dual-Folienpackage und Verfahren zum Herstellen desselben
DE102019202721B4 (de) 2019-02-28 2021-03-25 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. 3d-flexfolien-package
DE102019202716B4 (de) * 2019-02-28 2020-12-24 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Flex-folien-package mit coplanarer topologie für hochfrequenzsignale und verfahren zum herstellen eines derartigen flex-folien-packages
DE102019202715A1 (de) 2019-02-28 2020-09-03 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Folienbasiertes package mit distanzausgleich
KR102598204B1 (ko) * 2020-08-05 2023-11-03 스마트플렉스 테크놀로지 피티이 엘티디 Led를 갖는 스마트 카드 및 그 제조 방법
DE102021001579A1 (de) 2021-03-25 2022-09-29 Giesecke+Devrient Mobile Security Gmbh Chipkarte und Verfahren zur Herstellung einer Chipkarte
EP4338096A1 (en) * 2021-07-16 2024-03-20 ACT Identity Technology Limited Chip module and method of forming same
US11960951B1 (en) * 2022-09-23 2024-04-16 Capital One Services, Llc Transaction card with multiple orientations

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5837153A (en) * 1997-01-15 1998-11-17 Kawan; Joseph C. Method and system for creating and using a logotype contact module with a smart card
US6832730B2 (en) * 2001-07-27 2004-12-21 Storcard, Inc. Smart card with rotating storage
DE10303740B4 (de) * 2003-01-30 2006-09-14 Infineon Technologies Flash Gmbh & Co. Kg Sicherheitsspeicherkarte und Herstellungsverfahren
US9430732B2 (en) * 2014-05-08 2016-08-30 Tego, Inc. Three-dimension RFID tag with opening through structure
US20070290048A1 (en) * 2006-06-20 2007-12-20 Innovatier, Inc. Embedded electronic device and method for manufacturing an embedded electronic device
CN102231193B (zh) * 2011-07-06 2013-05-08 黄艳 一种双界面智能卡
US9390364B2 (en) * 2011-08-08 2016-07-12 Féinics Amatech Teoranta Transponder chip module with coupling frame on a common substrate for secure and non-secure smartcards and tags
JP5482746B2 (ja) * 2011-08-25 2014-05-07 大日本印刷株式会社 カード、カードの製造方法
FR2980015B1 (fr) * 2011-09-08 2013-11-22 Sansystems Dispositif electronique a puce et procede de fabrication par bobines
US20140042230A1 (en) * 2012-08-09 2014-02-13 Infineon Technologies Ag Chip card module with separate antenna and chip card inlay using same
WO2014082401A1 (zh) * 2012-11-30 2014-06-05 Xue Yuan 双界面智能卡及其制造方法
FR2999753B1 (fr) * 2012-12-13 2015-02-13 Oberthur Technologies Procede de fabrication par lamination en continu de cartes a microcircuit du type a contact
EP2784724A3 (en) * 2013-03-27 2015-04-22 Féinics AmaTech Teoranta Selective deposition of magnetic particles, and using magnetic material as a carrier medium to deposit other particles

Also Published As

Publication number Publication date
US20200134413A1 (en) 2020-04-30
US20180300597A1 (en) 2018-10-18
MA43370B1 (fr) 2019-10-31
KR101897944B1 (ko) 2018-09-12
JP6544759B2 (ja) 2019-07-17
EP3384434B1 (en) 2019-08-21
HUE045755T2 (hu) 2020-01-28
CN108292373A (zh) 2018-07-17
AU2016361882A1 (en) 2018-04-19
ZA201802189B (en) 2019-08-28
CA3002778C (en) 2018-09-18
US10558906B2 (en) 2020-02-11
ES2747913T3 (es) 2020-03-12
PH12018500683B1 (en) 2018-10-15
BR122019027776B1 (pt) 2020-10-20
PL3384434T3 (pl) 2020-01-31
CN108292373B (zh) 2019-07-23
CA3002778A1 (en) 2017-06-08
BR112018011000A2 (pt) 2018-12-04
BR112018011000B1 (pt) 2020-10-20
MX2018005155A (es) 2018-08-15
WO2017095329A1 (en) 2017-06-08
KR20180069000A (ko) 2018-06-22
JP2019500749A (ja) 2019-01-10
PT3384434T (pt) 2019-10-28
AU2016361882B2 (en) 2018-11-01
EP3384434A1 (en) 2018-10-10
RU2667741C1 (ru) 2018-09-24
US10685275B2 (en) 2020-06-16
PH12018500683A1 (en) 2018-10-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
UA118640C2 (uk) Спосіб вбудовування інтегральної схеми методом перевернутого кристала
KR102540133B1 (ko) 칩 카드 및 칩 카드 제조 방법
US9773201B2 (en) Electronic interface apparatus and method and system for manufacturing same
TWI501161B (zh) 支援混合卡之射頻辨識裝置及其製造方法
US20110011939A1 (en) Contact-less and dual interface inlays and methods for producing the same
US11222861B2 (en) Dual-interface IC card module
US9881247B2 (en) Method for producing a smart card having a plurality of components and card obtained in this way
KR102481332B1 (ko) 칩 카드 제조 방법, 및 상기 방법에 의해 획득된 칩 카드
TWI623883B (zh) 轉頻層及其製造方法
US20170140257A1 (en) Dual-interface ic card
KR20180124052A (ko) 칩 카드들 및 칩 카드 안테나 지지체들의 제조 방법들
US20110073357A1 (en) Electronic device and method of manufacturing an electronic device
CN107111779B (zh) 包括互连区的单面电子模块的制造方法
ES2830376T3 (es) Método de fabricación de una estructura para tarjeta inteligente y estructura de tarjeta inteligente obtenida por este método
JP2005078101A (ja) 接触型非接触型ハイブリットｉｃモジュールとそれを使用した接触型非接触型ハイブリットｉｃカード
KR20220086122A (ko) 전자카드 제조용 열압착 보조 장치
JP2011108054A (ja) 非接触式ｉｃカード