TWI829719B - 基板接合裝置 - Google Patents

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Abstract

基板接合裝置100係具備有:平台401、頭402、在平台401支撐著基板301狀態下保持基板301邊緣的靜電吸盤、驅動靜電吸盤的保持部驅動部、以及控制部700。靜電吸盤係設於於平台401中相對向於基板301邊緣的第1區域；保持部驅動部係藉由對靜電吸盤施加電壓，而驅動靜電吸盤。控制部700係在基板301接合面中央部、與基板302接合面中央部相接觸狀態下，使基板301邊緣接觸於基板302邊緣時，依基板301邊緣脫離靜電吸盤的方式，控制著保持部驅動部。

Description

基板接合裝置
本發明係關於基板接合裝置。
供將2個基板間予以接合用的裝置，有提案在接合時具備已安裝基板之安裝裝置的裝置(例如參照專利文獻1)。專利文獻1所記載的安裝裝置，係具備有:利用真空吸盤保持基板邊緣的外側環狀部分、以及依基板中央部突出於安裝裝置的方式使基板變形的變形手段。而，該裝置係在使2個基板接合面中央部彼此間呈接觸狀態之後，藉由解除其中一基板邊緣利用真空吸盤的吸附保持，而使2個基板彼此間接合。 [先行技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]國際公開第2013/023708號
[發明所欲解決之課題]
然而，如專利文獻1所記載的裝置，解除其中一基板邊緣之吸附保持時，即便使吸附保持其中一基板邊緣的真空吸盤停止，但仍會因基板邊緣所產生的靜電力，而有貼附於安裝裝置之基板安裝面的情況。此情況，在其中一基板的邊緣貼附於安裝裝置的狀態下，不得已必需藉由使2個基板彼此間靠近進行接合。依此的話，在其中一基板出現歪斜狀態下進行基板彼此間的接合，結果會有在接合的2個基板相對位置出現偏移狀態下進行接合之虞慮。
本發明係有鑑於上述事由而完成，目的在於提供:基板彼此間不會出現歪斜，全面可依高位置精度接合的基板接合裝置。 [解決問題之手段]
為達成上述目的，本發明的基板接合裝置，係 將第1基板與第2基板予以接合的基板接合裝置，具備有: 第1支撐台，其乃支撐著上述第1基板； 第2支撐台，其乃在上述第2基板接合面相對向於上述第1基板接合面的狀態下，支撐著上述第2基板； 第1保持部，其乃保持著設置於上述第1支撐台上的上述第1基板之邊緣； 保持部驅動部，其乃驅動上述第1保持部；以及 控制部，其乃在上述第1基板邊緣突出於上述第2基板的方式，使上述第1基板呈曲撓狀態下，利用上述第1支撐台支撐著上述第1基板中央部，且在上述第1基板接合面中央部與上述第2基板接合面中央部相接觸狀態下，使上述第1基板邊緣接觸於上述第2基板邊緣，而使上述第1基板接合面與上述第2基板接合面全面貼合時，依解除由上述第1保持部所進行上述第1基板邊緣保持的方式，控制著上述保持部驅動部； 其中， 上述第1保持部係具備有第1靜電吸盤，該第1靜電吸盤係在上述第1支撐台支撐著上述第1基板狀態下，設置於上述第1支撐台中，相對於上述第1基板邊緣的第1區域； 上述保持部驅動部係藉由對上述第1靜電吸盤施加電壓而驅動上述第1靜電吸盤； 上述控制部係在上述第1基板接合面中央部與上述第2基板接合面中央部相接觸狀態下，使上述第1基板邊緣接觸於上述第2基板邊緣時，依解除上述第1靜電吸盤進行的上述第1基板邊緣保持之方式，控制著上述保持部驅動部。
另一觀點的本發明之基板接合裝置，係 將第1基板與第2基板予以接合的基板接合裝置，具備有: 第1支撐台，其乃支撐著上述第1基板； 第2支撐台，其乃在上述第2基板接合面相對向於上述第1基板接合面的狀態下，支撐著上述第2基板； 第1保持部，其乃在上述第1支撐台支撐著上述第1基板的狀態下，保持著上述第1基板邊緣； 保持部驅動部，其乃驅動上述第1保持部；以及 控制部，其乃在上述第1基板邊緣突出於上述第2基板的方式，使上述第1基板呈曲撓狀態下，利用上述第1支撐台支撐著上述第1基板中央部，且在上述第1基板接合面中央部與上述第2基板接合面中央部相接觸狀態下，使上述第1基板邊緣接觸於上述第2基板邊緣，而使上述第1基板接合面與上述第2基板接合面全面貼合時，依解除由上述第1保持部所進行上述第1基板邊緣保持的方式，控制著上述保持部驅動部； 上述第1支撐台係在支撐著上述第1基板狀態下，相對向於上述第1基板的基板接觸區域，至少內側形成凹凸。
另一觀點的本發明之基板接合裝置，係 將第1基板與第2基板予以接合的基板接合裝置，具備有: 第1支撐台，其乃支撐著上述第1基板； 第2支撐台，其乃在上述第2基板接合面相對向於上述第1基板接合面的狀態下，支撐著上述第2基板； 第1保持部，其乃在上述第1支撐台支撐著上述第1基板的狀態下，保持著上述第1基板邊緣； 保持部驅動部，其乃驅動上述第1保持部；以及 控制部，其乃在上述第1基板邊緣突出於上述第2基板的方式，使上述第1基板呈曲撓狀態下，利用上述第1支撐台支撐著上述第1基板中央部，且在上述第1基板接合面中央部與上述第2基板接合面中央部相接觸狀態下，使上述第1基板邊緣接觸於上述第2基板邊緣，而使上述第1基板接合面與上述第2基板接合面全面貼合時，依解除由上述第1保持部所進行上述第1基板邊緣保持的方式，控制著上述保持部驅動部； 上述第1支撐台係設有從在上述第1支撐台中，相對向於上述第1基板邊緣的第1區域內側之第2區域所設置凹部，由該凹部的中央部沿上述凹部周緣延伸，且抵接於上述第1基板的至少1個肋。 [發明效果]
根據本發明，控制部係在第1基板中央部與第2基板中央部相接觸狀態下，使第1基板邊緣接觸於第2基板邊緣時，依解除由第1靜電吸盤所進行的第1基板邊緣保持方式，控制著保持部驅動部。又，根據本發明，第1支撐台係在支撐著第1基板狀態下，在相對向於第1基板的基板接觸區域形成凹凸。又，根據本發明，第1支撐台係設有從在第1支撐台中，相對向於第1基板邊緣的第1區域內側之第2區域中所設置凹部，由該凹部中央部沿凹部周緣延伸抵皆於第1基板的至少1個肋。藉此，當使第1基板曲撓，而使第1基板中央部與第2基板中央部相接觸後，再使第1基板邊緣接觸於第2基板邊緣時，可抑制第1基板邊緣內側出現部分貼附於第1支撐台情形，且可抑制第1基板邊緣貼附於第1支撐台，故能迴避在第1基板發生歪斜狀態下進行第1基板與第2基板的接合，可使第1基板與第2基板沒有歪斜地全面依高位置精度進行接合。
(實施形態1) 以下，針對本發明實施形態的基板接合裝置，參照圖式進行說明。本實施形態的基板接合裝置係在將2個基板間預設為基準真空度以上之真空度的真空腔內，藉由使經對相互接合的接合面施行活化處理與親水化處理的2個基板間相接觸，並加壓與加熱，而將2個基板接合。此處，活化處理係藉由使特定能量粒子碰抵基板的接合面，而將基板的接合面活化。又，親水化處理係藉由對經活化處理而活化的基板接合面附近，供應水等而使基板的接合面親水化。
如圖1所示，本實施形態的基板接合裝置100係具備有:真空腔200、屬於第1支撐台的平台401、屬於第2支撐台的頭402、平台驅動部403、頭驅動部404、基板加熱部481、482、以及位置測定部500。又，基板接合裝置100係具備有:測定平台401與頭402間之距離的距離測定部490。另外，以下說明中，適當地將圖1中的±Z方向設為上下方向、XY方向設為水平方向進行說明。
真空腔200係將屬於第1基板的基板301、與屬於第2基板的基板302所配置區域S1，維持於預設基準真空度以上的真空度。真空腔200係經由排氣管202與排氣閥203連接於真空泵201。若在排氣閥203呈開啟狀態下使真空泵201動作，真空腔200內的氣體便通過排氣管202被排出於真空腔200外，使真空腔200內的氣壓降低(減壓)。又，藉由使排氣閥203的開閉量變動而調節排氣量，便可調節真空腔200內的氣壓(真空度)。又，在真空腔200的其中一部分處設有窗部503，該窗部503係供使用於當利用位置測定部500測定基板301、302間之相對位置時。另外，前述基準真空度較佳係不會因空氣捲入於所接合基板301、302間而發生孔洞的真空度10000Pa以下。又，基準真空度更佳係1000Pa以下、更佳係100Pa以下。
平台驅動部403係可使平台401朝XY方向移動、或圍繞Z軸旋轉。
頭驅動部404係設有:升降驅動部406、XY方向驅動部405、及旋轉驅動部407。該升降驅動部406係使頭402朝鉛直上方或鉛直下向(參照圖1中的箭頭AR1)進行升降的第2支撐台驅動部。該XY方向驅動部405係使頭402朝XY方向移動。該旋轉驅動部407係使頭402圍繞Z軸旋轉方向(參照圖1中的箭頭AR2)旋轉。由XY方向驅動部405與旋轉驅動部407構成使頭402朝鉛直方向的正交方向(XY方向、圍繞Z軸旋轉方向)移動的第1支撐台驅動部。又，頭驅動部404係具備有:壓電致動器411與第1壓力偵測器412。該壓電致動器411係供調整頭402對平台401的傾斜狀態。該第1壓力偵測器412係供測定對頭402所施加的壓力。XY方向驅動部405與旋轉驅動部407，係在X方向、Y方向、圍繞Z軸的旋轉方向上，使頭402對平台401進行相對性移動，便可進行由平台401所保持基板301、與由頭402所保持基板302的對準。
升降驅動部406係藉由使頭402朝鉛直方向移動，而使平台401與頭402相靠近、或使頭402遠離平台401。升降驅動部406係藉由使頭402朝鉛直下方移動，使由平台401所保持基板301、與由頭402所保持基板302相接觸。然後，在基板301、302彼此間相接觸狀態下，若升降驅動部406對頭402作用朝靠***台401方向的驅動力，基板302便被押抵於基板301。又，升降驅動部406設有第2壓力偵測器408。該第2壓力偵測器408係測定升降驅動部406對頭402作用的朝靠***台401方向驅動力。由第2壓力偵測器408的測定值，當利用升降驅動部406使基板302被押抵於基板301時，便可檢測對基板301、302接合面所作用的壓力。第2壓力偵測器408係例如由荷重元構成。
壓電致動器411、第1壓力偵測器412分別如圖2A所示，各存在3個。3個壓電致動器411與3個第1壓力偵測器412係配置於頭402與XY方向驅動部405間。3個壓電致動器411係固定於頭402上面非同一直線上的3個位置處，且在俯視略圓形的頭402上面邊緣沿頭402圓周方向略等間隔排列3個位置處。3個第1壓力偵測器412分別連接著壓電致動器411上端部與XY方向驅動部405下面。3個壓電致動器411係各別可朝上下方向伸縮。所以，藉由3個壓電致動器411的伸縮，便可微調整頭402圍繞X軸與圍繞Y軸的傾斜、以及頭402的上下方向位置。例如圖2B中的虛線所示，當頭402傾斜於平台401時，藉由使3個壓電致動器411中之1個伸長(參照圖2B中的箭頭AR3)而微調整頭402的姿勢，便可使頭402下面與平台401上面呈略平行狀態。又，3個第1壓力偵測器412係測定頭402下面的3個位置處之加壓力。所以，藉由依3個第1壓力偵測器412所測定加壓力相等之方式，分別驅動3個壓電致動器411，便可在頭402下面與平台401上面維持略平行狀態下，使基板301、302彼此間相接觸。
平台401與頭402係在真空腔200內，配置成在鉛直方向上呈相對向狀態。平台401係由上面401a支撐著基板301，而頭402則利用下面402a支撐著基板302。此處，平台401係在上面401a呈面接觸於基板301全體的狀態下支撐著基板301，而頭402係在下面402a呈面接觸於基板302全體的狀態下支撐著基板302。平台401與頭402係由例如具透光性玻璃之類的透光性材料形成。平台401與頭402係如圖3A與圖3B所示，設有:保持著基板301、302的靜電吸盤441、442、451、452、461、462；按押著基板301中央部的第1按押機構431；以及按押著基板302中央部的第2按押機構432。靜電吸盤441、442係保持著基板301、302邊緣的第1保持部(第3保持部)。靜電吸盤451、452、461、462係保持著較基板301、302邊緣更靠內側的第2保持部(第4保持部)。又，在平台401、頭402的中央部設有俯視圓形的貫通孔401b、402b。
靜電吸盤441、442係在由平台401、頭402支撐著基板301、302狀態下，設置於平台401、頭402中相對向於基板301、302邊緣的第1區域A1處之第1靜電吸盤。靜電吸盤441、442係設有:端子電極441a、441b、442a、442b、與複數電極子441c、441d、442c、442d。端子電極441a、442a係呈圓環狀，在平台401、頭402的第1區域A1外側沿圓周方向配設的第1端子電極。端子電極441b、442b係呈圓環狀，且較端子電極441a、442a更小徑，在平台401、頭402的第1區域A1內側沿圓周方向配設的第2端子電極。
複數電極子441c、442c分別呈直線狀，在基端部電氣式耦接於端子電極441a、442a，且前端部朝平台401、頭402中央部延伸的第1電極子。又，複數電極子441d、442d分別呈直線狀，在基端部電氣式耦接於端子電極441b、442b，前端部朝遠離平台401、頭402中央部的方向(即朝外側)延伸的第2電極子。所以，複數電極子441c、442c、與複數電極子441d、442d，係在平台401、頭402的第1區域A1中，沿第1方向的第1區域A1之圓周方向呈交錯排列狀態配置。在平台401、頭402的圓周方向上相鄰的電極子441c、442c、與電極子441d、442d間之電極子間距離，係設定在10mm以下。另外，該電極子間距離較佳係5mm以下、更佳係2mm以下。又，端子電極441a、441b、442a、442b、與複數電極子441c、441d、442c、442d係由含有例如ITO之類透明導電性材料的透明導電膜形成。
靜電吸盤451、452、461、462係在平台401、頭402支撐著基板301、302狀態下，設置於較平台401、頭402的第1區域A1更靠內側的第2區域A2處之第2靜電吸盤。靜電吸盤451、452係設有:端子電極451a、451b、452a、452b、與複數電極子451c、451d、452c、452d。端子電極451a、452a係呈圓環狀，在平台401、頭402的第2區域A2外側沿圓周方向配設的第3端子電極。端子電極451b、452b係呈圓環狀，且較端子電極451a、452a更小徑，在較平台401、頭402的第2區域A2之端子電極451a、452a更靠內側，沿圓周方向配設的第4端子電極。
複數電極子451c、452c分別呈直線狀，在基端部電氣式耦接於端子電極451a、452a，前端部朝平台401、頭402中央部延伸的第3電極子。又，複數電極子451d、452d分別呈直線狀，在基端部電氣式耦接於端子電極451b、452b，前端部朝遠離平台401、頭402中央部的方向(即朝外側)延伸的第4電極子。所以，複數電極子451c、452c、與複數電極子451d、452d，在平台401、頭402的第2區域A2中，沿第2方向的第2區域A2周緣方向呈交錯排列狀態配置。在平台401、頭402的圓周方向上相鄰的電極子451c、452c、與電極子451d、452d間之電極子間距離係設定在10mm以下。另外，該電極子間距離較佳係5mm以下、更佳係2mm以下。又，端子電極451a、451b、452a、452b、與複數電極子451c、451d、452c、452d，係由含有例如ITO之類透明導電性材料的透明導電膜形成。
靜電吸盤461、462係具備有:端子電極461a、461b、462a、462b、與複數電極子461c、461d、462c、462d。端子電極461a、462a係配置於平台401、頭402的第2區域A2之第3端子電極。端子電極461a、462a係具有沿端子電極451b、452b內側配設的圓弧狀部分。又，端子電極461b、462b亦係配置於平台401、頭402之第2區域A2的第3端子電極。端子電極461b、462b亦係具有沿端子電極451b、452b內側配設的圓弧狀部分。
複數電極子461c、462c分別呈直線狀，基端部電氣式耦接於端子電極461a、462a，前端部朝圖3A中W軸方向的正交方向延伸之第3電極子。又，複數電極子461d、462d亦分別呈直線狀，基端部電氣式耦接於端子電極461b、462b，前端部朝圖3A中W軸方向的正交方向延伸之第4電極子。所以，複數電極子461c、462c、與複數電極子461d、462d係在平台401、頭402的W軸方向上配置呈交錯排列狀態。W軸方向上相鄰的電極子461c、462c與電極子461d、462d間之電極子間距離，設定在10mm以下。另外，該電極子間距離較佳係5mm以下、更佳係2mm以下。端子電極461a、461b、462a、462b、與複數電極子461c、461d、462c、462d，係由含有例如ITO之類透明導電性材料的透明導電膜形成。
再者，靜電吸盤441、442、451、452、461、462係如圖4所示，連接於保持部驅動部443。保持部驅動部443係藉由根據由控制部700輸入的控制信號，對各靜電吸盤441、442、451、452、461、462施加電壓，而驅動靜電吸盤441、442、451、452、461、462。又，保持部驅動部443係根據由控制部700輸入的控制信號，相互獨立地驅動靜電吸盤441、442、451、452、461、462。
如圖3B所示，第1按押機構431係設置於平台401的中央部，而第2按押機構432係設置於頭402的中央部。第1按押機構431係設有:通過平台401的貫通孔401b可出沒於頭402側的第1按押部431a、與驅動第1按押部431a的第1按押驅動部431b。第2按押機構432係具有:通過頭402的貫通孔402b可出沒於平台401側的第2按押部432a、與驅動第2按押部432a的第2按押驅動部432b。第1按押驅動部431b與第2按押驅動部432b係設有例如音圈馬達。又，第1按押部431a與第2按押部432a係由:依對基板301、302所施加壓力維持一定方式控制的壓力控制，或依將基板301、302的接觸位置維持一定方式控制的位置控制中之一者構成。例如藉由第1按押部431a進行位置控制，第2按押部432a進行壓力控制，便可將基板301、302依一定位置、一定壓力按押。
請重返參照圖1，距離測定部490係例如雷射測距儀，在未接觸於平台401與頭402的狀態下，測定平台401與頭402之間的距離。距離測定部490係從透明的頭402上方朝平台401照射雷射光時，從平台401上面的反射光、與頭402下面的反射光之差分，測定平台401與頭402間的距離。距離測定部490係如圖2A所示，測定平台401上面的3個部位P11、P12、P13、與頭402下面且在Z方向上相對向於部位P11、P12、P13的3個部位P21、P22、P23間之距離。
請重返參照圖1，位置測定部500係測定鉛直方向的正交方向(XY方向、圍繞Z軸的旋轉方向)上，基板301與基板302的位置偏移量。位置測定部500係具備有:第1攝像部501、第2攝像部502、及反射鏡504、505。第1攝像部501與第2攝像部502係配置於平台401支撐著基板301之一側的背後側。第1攝像部501與第2攝像部502係分別具備有:攝像元件(未圖示)與同軸照明系統(未圖示)。同軸照明系統的光源係使用能射出可穿透過在基板301、302、及平台401、真空腔200中所設置窗部503之光(例如紅外光)的光源。
例如圖5A與圖5B所示，基板301設有2個屬於第1對準標記的對準標記MK1a、MK1b，而基板302設有2個屬於第2對準標記的對準標記MK2a、MK2b。基板接合裝置100係一邊利用位置測定部500辨識在二基板301、302上所設置各對準標記MK1a、MK1b、MK2a、MK2b的位置，一邊執行二基板301、302的對位動作(對準動作)。更詳之，基板接合裝置100，首先一邊利用位置測定部500辨識在基板301、302上所設置的對準標記MK1a、MK1b、MK2a、MK2b，一邊執行基板301、302的大略對準動作(粗略對準動作)，使2個基板301、302呈相對向。然後，基板接合裝置100一邊利用位置測定部500辨識在2個基板301、302上所設置對準標記MK1a、MK2a、MK1b、MK2b，同時執行更精緻的對準動作(精細對準動作)。
此處，如圖1中虛線箭頭SC1、SC2所示，從第1攝像部501的同軸照明系統光源所射出的光，在反射鏡504被反射並朝上方進行，並穿透窗部503與基板301、302其中一部分或全部。穿透過基板301、302其中一部分或全部的光，被基板301、302的對準標記MK1a、MK2a反射並朝下進行，穿透過窗部503再被反射鏡504反射並入射於第1攝像部501的攝像元件。又，從第2攝像部502的同軸照明系統光源所射出的光，在反射鏡505被反射並朝上方進行，並穿透窗部503與基板301、302其中一部分或全部。穿透過基板301、302其中一部分或全部的光，被基板301、302的對準標記MK1a、MK2a反射並朝下進行，穿透過窗部503再被反射鏡505反射並入射於第2攝像部502的攝像元件。依此，位置測定部500係如圖6A與圖6B所示，取得:含有2個基板301、302之對準標記MK1a、MK2a的拍攝影像GAa，與含有2個基板301、302之對準標記MK1b、MK2b的拍攝影像GAb。另外，由第1攝像部501進行的拍攝影像GAa之拍攝動作、與由第2攝像部502進行的拍攝影像GAb之拍攝動作，係略同時執行。
請重返參照圖1，基板加熱部481、482係例如電熱加熱器，如圖3B所示，分別設置於平台401、頭402上。基板加熱部481、482係藉由將熱傳導給由平台401、402支撐的基板301、302，而加熱基板301、302。又，藉由調節基板加熱部481、482的發熱量，便可調節基板301、302、或該等接合面的溫度。
再者，基板加熱部481、482係如圖4所示，連接於加熱部驅動部483。加熱部驅動部483係根據由控制部700輸入的控制信號，藉由對基板加熱部481、482供應電流而使基板加熱部481、482發熱。另外，當重視基板接合處理產能提升時，基板301、302的加熱處理最好在基板接合裝置100之外的其他退火裝置中實施。
控制部700係設有:MPU(Micro Processing Unit)(未圖示)、主記憶部(未圖示)、輔助記憶部(未圖示)、及介面(未圖示)。主記憶部係由揮發性記憶體構成，當作MPU的作業區域使用。輔助記憶部係由非揮發性記憶體構成，記憶著MPU所執行的程式。又，輔助記憶部係設有參數記憶部703。該參數記憶部703係記憶著後述相對於基板301、302計算出的位置偏移量Δx、Δy、Δθ，所預設的位置偏移量閾值Δxth、Δyth、Δθth。參數記憶部703亦更進一步記憶著解除後述利用靜電吸盤441、442保持基板301、302邊緣時，對靜電吸盤441、442所施加脈衝電壓之脈衝寬與脈衝間隔的資訊。
控制部700係將由第1壓力偵測器412、第2壓力偵測器408、及距離測定部490所輸入測量信號轉換為測量資訊並取得。又，控制部700係將由第1攝像部501與第2攝像部502所輸入的拍攝影像信號，轉換為拍攝影像資訊並取得。又，控制部700係藉由將輔助記憶部所記憶的程式讀入於主記憶部中並執行，再分別朝保持部驅動部443、壓電致動器411、第1按押驅動部431b、第2按押驅動部432b、加熱部驅動部483、平台驅動部403及頭驅動部404輸出控制信號。
控制部700係如圖6B所示，根據由第1攝像部501取得的拍攝影像GAa，計算出在基板301、302上所設置1組對準標記MK1a、MK2a間的位置偏移量Δxa、Δya。另外，圖6B所示係1組對準標記MK1a、MK2a相互偏離的狀態。同樣的，控制部700係根據由第2攝像部502取得的拍攝影像GAb，計算出在基板301、302上所設置另一組對準標記MK1b、MK2b間的位置偏移量Δxb、Δyb。然後，控制部700係根據該等2組對準標記的位置偏移量Δxa、Δya、Δxb、Δyb、與2組標記的幾何關係，計算出在X方向、Y方向、及圍繞Z軸旋轉方向上的2個基板301、302之相對位置偏移量Δx、Δy、Δθ。然後，控制部700依減少所計算出位置偏移量Δx、Δy、Δθ的方式，使頭402朝X方向與Y方向移動、或圍繞Z軸旋轉。藉此，降低2個基板301、302的相對位置偏移量Δx、Δy、Δθ。依此，由基板接合裝置100執行校正2個基板301、302，在水平方向上之位置偏移量Δx、Δy、Δθ的精細對準動作。
其次，針對本實施形態的基板接合裝置100所執行之基板接合處理，參照圖7至圖10進行說明。該基板接合處理係當由控制部700啟動執行基板接合處理的程式時機點，便開始進行該處理。另外，圖7中，基板301、302係由平台401、頭402支撐。此處，控制部700係藉由從保持部驅動部443對靜電吸盤441、442、451、452、461、462施加電壓，而驅動靜電吸盤441、442、451、452、461、462。藉此，形成由靜電吸盤441、451、461保持著基板301，且由靜電吸盤442、452、462保持著基板302的狀態。又，基板接合裝置100係利用距離測定部490，在平台401與頭402沒有保持基板301、302的狀態下，完成平台401上面與頭402下面間的距離測定，並將結果記憶於參數記憶部703中。更將基板301、302的厚度測定結果全部記憶於參數記憶部703中。
首先，基板接合裝置100係根據在平台401與頭402沒有保持基板301、302狀態下的平台401上面與頭402下面間之距離、以及基板301、302的厚度，計算出基板301、302間的距離。然後，基板接合裝置100根據所計算出的距離，使頭402朝下方向移動，而使基板301、302彼此間相靠近(步驟S1)。
其次，基板接合裝置100，如圖8A所示，在基板301、302彼此間呈遠離狀態下，計算出基板301相對於基板302的位置偏移量(步驟S2)，在此之時，控制部700首先從位置測定部500的第1攝像部501與第2攝像部502，取得非接觸狀態時的2個基板301、302之拍攝影像GAa、GAb(參照圖6A)。然後，控制部700根據2個拍攝影像GAa、GAb，分別計算出2個基板301、302在X方向、Y方向及圍繞Z軸旋轉方向的位置偏移量Δx、Δy、Δθ。具體而言，控制部700係根據例如同時讀取遠離Z方向之對準標記MK1a、MK2a的拍攝影像GAa，使用向量相關法計算出位置偏移量Δxa、Δya(參照圖6B)。同樣的，根據同時讀取遠離Z方向的對準標記MK1b、MK2b的拍攝影像GAb，使用向量相關法計算出位置偏移量Δxb、Δyb。然後，控制部700根據位置偏移量Δxa、Δya、Δxb、Δyb，計算出2個基板301、302在水平方向的位置偏移量Δx、Δy、Δθ。
請重返參照圖7，接著基板接合裝置100依校正所計算出位置偏移量Δx、Δy、Δθ的方式，使基板302對基板301進行相對性移動，而執行對位(步驟S3)。此處，基板接合裝置100係依在固定平台401的狀態下，消除位置偏移量Δx、Δy、Δθ的方式，使頭402朝X方向、Y方向及圍繞Z軸旋轉方向移動。
然後，基板接合裝置100係在使基板301、302相互遠離狀態下，使基板301、302曲撓(步驟S4)。基板接合裝置100係例如圖8B所示，依相對於基板301的接合面邊緣301s，使中央部301c突出於基板302側的形式，使基板301曲撓。此時，基板接合裝置100係利用平台401周緣側的靜電吸盤441保持著基板301，且解除利用平台401中央部側的靜電吸盤451、461所進行之基板301保持。此處，控制部700係依從保持部驅動部443對靜電吸盤441施加電壓，但未從保持部驅動部443朝靜電吸盤451、461施加電壓的方式，控制著保持部驅動部443。所以，基板接合裝置100係在由靜電吸盤441保持著基板301邊緣301s的狀態下，利用第1按押部431a將基板301中央部按押於基板302側。藉此，基板301便依其接合面中央部301c突出於基板302側的方式曲撓。
再者，基板接合裝置100係依相對於基板302的接合面邊緣302s，使中央部302c突出於基板301側的形式，使基板302曲撓。此時，基板接合裝置100係利用平台402周緣側的靜電吸盤442保持著基板302，且解除利用平台402中央部側的靜電吸盤452、462所進行之基板302保持。此處，控制部700係依從保持部驅動部443對靜電吸盤442施加電壓，但未從保持部驅動部443朝靜電吸盤452、462施加電壓的方式，控制著保持部驅動部443。所以，基板接合裝置100係在由靜電吸盤442保持著基板302邊緣302s的狀態下，利用第2按押部432a將基板302中央部按押於基板301側。藉此，基板302便依其接合面中央部302c突出於基板301側的方式曲撓。
請重返參照圖7，其次，基板接合裝置100藉由利用升降驅動部406使頭402朝下方向移動，而使基板301接合面中央部301c、與基板302接合面中央部302c相接觸(步驟S5)。此時，如圖8B中箭頭AR11所示，基板301、302分別從相互接合的接合面中央部301c、302c，朝向基板301、302邊緣進行基板301、302彼此間的接合。此處，控制部700係依例如對頭402的靜電吸盤442所施加電壓，較低於對平台401的靜電吸盤441所施加電壓方式，控制著保持部驅動部443。此情況，在基板302吸附於靜電吸盤442的力、與基板301、302彼此間的接合力呈平衡狀態下，進行基板301、302彼此間的接合。
再者，基板接合裝置100係如圖9A中箭頭AR12所示，使第1按押部431a朝沒入於平台401的方向移動，且使第2按押部432a朝沒入於頭402的方向移動。同時，基板接合裝置100係如圖9A中箭頭AR13所示，使頭402朝靠***台401的方向移動。此處，基板接合裝置100係依基板301、302接觸部分AC周緣的基板301接合面與基板302接合面之夾角θ1，成為預設基準角度以下的方式，驅動著平台401、頭402。另外，基準角度係設定為例如45度，較佳係15度以下。藉此，可緩和基板301、302彼此間接觸時，在基板301、302接觸部分AC周緣部分處所產生的歪斜。另外，此時，基板301與基板302處於依可相互脫離狀態接合之所謂「假接合狀態」。又，基準角度θ1係根據基板301、302彼此間處於假接合狀態時的基板301、302彼此間之接合力、利用靜電吸盤451、452、461、462進行的基板301、302之吸附力、以及從平台401、頭402上剝離基板301、302時所需要的剝離力，再行設定。另外，前述接合力、吸附力及剝離力，係在進行基板301、302彼此間之接合處理前便事先測量。
請重返參照圖7，接著，基板接合裝置100在基板301接合面接觸於基板302接合面的狀態下，測定基板302對基板301的位置偏移量(步驟S6)。此時，基板接合裝置100藉由進行基板301與基板302的假接合，在規範基板302對基板301移動的狀態下，測定基板301、302的位置偏移量。
然後，基板接合裝置100判定所計算出的位置偏移量Δx、Δy、Δθ，是否全部均在預設位置偏移量閾值Δxth、Δyth、Δθth以下(步驟S7)。
其次，由基板接合裝置100判定所計算出的位置偏移量Δx、Δy、Δθ中有任一者，大於預設位置偏移量閾值Δxth、Δyth、Δθth(步驟S7:No)。此情況，基板接合裝置100便使基板302的接合面脫離基板301的接合面(步驟S8)。此時，基板接合裝置100係在使頭402上升而擴大基板301、302間之間隙狀態下，使第1按押部431a朝沒入於平台401的方向移動，同時使第2按押部432a朝埋入於頭402中的方向移動。此時，基板接合裝置100係依基板302從基板301上剝離時，基板302的拉伸壓力呈一定方式，控制著頭402的上升。又，基板接合裝置100係利用平台401中央部的靜電吸盤451、461、以及頭402中央部的靜電吸盤452、462，保持著基板301、302的中央部。此處，基板接合裝置100利用靜電吸盤451、452、461、462保持基板301、302的時序，亦可為在擴大基板301、302間之間隙狀態下，使第1按押部431a沒入於平台401中，並使第2按押部432a沒入於頭402中的時序之前後時序，亦可為同時的時序。藉此，基板302脫離基板301，便解除基板301與基板302的接觸狀態。
接著，基板接合裝置100計算出為使先前所計算出的位置偏移量Δx、Δy、Δθ，能全部均在位置偏移量閾值Δxth、Δyth、Δθth以下的基板301、302之校正移動量(步驟S9)。此處，控制部700所計算出的校正移動量，係僅使移動相當於基板302接觸基板301狀態時的基板301與基板302之位置偏移量Δx、Δy、Δθ、以及基板302未接觸到基板301狀態時的基板301與基板302之位置偏移量差分的移動量。依此，藉由補償相當於基板301、302間相接觸狀態時的位置偏移量、與基板301、302非接觸狀態時的位置偏移量之差分移動量，進行對準，當再度使基板301、302間相接觸時，若同樣因基板301、302接觸而發生位置偏移時，便可消除基板301、302的位置偏移。
然後，基板接合裝置100在2個基板301、302呈非接觸狀態(即2個基板301、302可在水平方向上自由移動狀態)，依校正2個基板301、302相對位置偏移量Δx、Δy、Δθ的方式，執行對位(步驟S10)。此處，基板接合裝置100係在平台401固定狀態下，使頭402在X方向、Y方向、及圍繞Z軸旋轉方向上，僅移動步驟S9所計算出的校正移動量。依此，基板接合裝置100便在基板301接合面與基板302接合面呈遠離狀態下，依縮小位置偏移量Δx、Δy、Δθ的方式，調整基板301對基板302的相對位置。然後，基板接合裝置100再度執行步驟S4的處理。
另一方面，由基板接合裝置100判定所計算出的位置偏移量Δx、Δy、Δθ，全部均在預設的位置偏移量閾值Δxth、Δyth、Δθth以下(步驟S7:Yes)。此情況，基板接合裝置100解除基板301、302的邊緣保持(步驟S11)。此時，基板接合裝置100係如圖9B所示，使基板301的邊緣301s接觸於基板302的邊緣302s。然後，基板接合裝置100解除由靜電吸盤441、442所進行的基板301、302之邊緣保持。此時，控制部700係依解除由靜電吸盤441、442所進行基板301、302之邊緣301s、302s保持的方式，控制著保持部驅動部443。即，控制部700係依停止從保持部驅動部443朝靜電吸盤441、442施加電壓的方式，控制著保持部驅動部443。依此，基板接合裝置100使基板301邊緣接觸於基板302邊緣，便使基板301的接合面與基板302的接合面呈全面貼合狀態。
再者，控制部700係當解除由靜電吸盤441、442進行的基板301、302邊緣保持時，依對靜電吸盤441、442的端子電極441a、441b、442a、442b間，施加脈衝電壓方式，控制著保持部驅動部443。此時，控制部700係依對端子電極441a、441b、442a、442b間交錯施加極性互異的脈衝電壓，且使脈衝電壓振幅漸減的方式，控制著保持部驅動部443。此時，保持部驅動部443係如圖10所示，交錯施加脈衝寬ΔT11、ΔT12、ΔT13、ΔT14、ΔT15、ΔT16的不同極性脈衝電壓。此時，各脈衝電壓的脈衝間隔分別設定為ΔT21、ΔT22、ΔT23、ΔT24、ΔT25。各脈衝間隔ΔT21、ΔT22、ΔT23、ΔT24、ΔT25係經考慮平台401、頭402的放電時間之後再行決定。又，當如本實施形態的靜電吸盤441、442、451、452、461、462，複數電極子呈交錯排列配置時，較容易放電，藉由設定脈衝間隔ΔT21、ΔT22、ΔT23、ΔT24、ΔT25，平台401、頭402便可獲得抑制靜電效果。又，脈衝寬ΔT11、ΔT12、ΔT13、ΔT14、ΔT15、ΔT16亦可設定為互等，亦可設定成隨時間變長的狀態。或者，亦可設定成任意選擇5個以下脈衝電壓的脈衝寬相等狀態。又，脈衝間隔ΔT21、ΔT22、ΔT23、ΔT24、ΔT25亦可設定為互等，亦可設定成隨時間變長的狀態。或者，亦可設定成任意選擇4個以下脈衝電壓的脈衝寬相等狀態。另外，圖10中，V0、V1、V2、V3、V4、V5、V6係表示電壓振幅的絕對值，V0係相當於利用靜電吸盤441、442保持基板301、302時的電壓振幅。所以，成立V0＞V1＞V2＞V3＞V4＞V5＞V6的關係。
請重返參照圖7，接著，基板接合裝置100執行基板301、302間之接合的接合處理(步驟S12)。此時，基板接合裝置100利用基板加熱部481、482對基板301、302施行加熱，而使基板301與基板302接合。然後，基板接合裝置100如圖9C中的箭頭AR14所示，使頭402上升。
再者，基板接合裝置100係當複數次執行基板301、302間之接合時，每達預設基準次數時，便在由靜電吸盤441、442保持著基板301、302的狀態下，使對端子電極441a、441b、442a、442b間所施加電壓的極性反轉。具體而言，控制部700係依每達基準次數時，依在保持著基板301、302狀態下，使對端子電極441a、441b、442a、442b間所施加電壓的極性反轉之方式，控制著保持部驅動部443。此時，基準次數係設定成平台401、頭402的帶電量，維持在不會影響基板301、302間之接合的帶電量，可設定為1次，亦可設定為2次以上。基準次數設為1次時，基板接合裝置100係每次進行1組基板301、302接合時，便使對端子電極441a、441b、442a、442b間所施加電壓的極性反轉。另外，基板接合裝置100係針對靜電吸盤451、452、461、462，亦是每達預設基準次數時，便在保持基板301、302的狀態下，使對端子電極451a、451b、452a、452b、461a、461b、462a、462b間所施加電壓的極性反轉。藉此，平台401、頭402的帶電量便會減少，便可抑制因平台401、頭402帶電，而造成的基板301、302貼附於平台401、頭402情形。
如上所說明，根據本實施形態的基板接合裝置100，控制部700係在使基板301、302曲撓，而使基板301的中央部301c、與基板302的中央部302c相接觸狀態下，依使基板301的邊緣301s接觸於基板302的邊緣302s時，解除由靜電吸盤441所進行基板301之邊緣301s保持的方式，控制著保持部驅動部443。藉此，使基板301、302曲撓，而使基板301的中央部301c、與基板302的中央部302c相接觸後，再使基板301的邊緣301s接觸於基板302的邊緣302s時，可抑制基板301的邊緣301s內側部分出現貼附於平台401情形，以及抑制基板302的邊緣302s內側部分出現貼附於頭402情形，且可抑制基板301的邊緣301s貼附於平台401、及基板302的邊緣302s貼附於頭402。所以，可迴避在基板301出現歪斜狀態下進行基板301、302間的接合，俾能使基板301、302間沒有歪斜地全面依高位置精度進行接合。
但是，靜電吸盤可考慮如圖11所示比較例，平台9401、頭9402在俯視包夾貫通孔401b、402b的二側，分別設有電極9441a、9442a、9441b、9442b。此情況，在利用靜電吸盤9441、9442保持基板301、302的狀態下，平台9401、頭9402內的電荷偏頗會變大。所以，當解除由靜電吸盤9441、9442進行的基板301、302保持時，因該平台9401、頭9402的電荷偏頗較大部分，即便停止對電極9441a、9442a、9441b、9442b間的電壓施加，仍不易消除電荷偏頗。因而，平台9401、頭9402的帶電量變大，基板301、302會有不會脫離平台9401、頭9402，而仍呈貼附狀態的可能性。
相對於此，本實施形態的基板接合裝置100，複數電極子441c、442c、與複數電極子441d、442d係在平台401、頭402的第1區域A1中，沿第1區域A1的圓周方向呈交錯排列配置。又，複數電極子451c、452c、與複數電極子451d、452d，係在平台401、頭402的第2區域A2中，沿屬於第2方向的第2區域A2周緣方向呈交錯排列配置。又，複數電極子461c、462c、與複數電極子461d、462d係在平台401、頭402的W軸方向上呈交錯排列配置。所以，相較於比較例之下，電極子441c、442c、441d、442d、451c、452c、451d、452d、461c、462c、461d、462d間的距離較短。藉此，當解除由靜電吸盤441、442、451、452、461、462進行的基板301、302保持時，平台401、頭402容易放電，故可抑制因基板301、302帶電，所造成基板301、302貼附於平台401、頭402情形。
再者，本實施形態的控制部700係在解除由靜電吸盤441進行的基板301之邊緣保持時，依在對端子電極441a、441b間交錯施加極性互異脈衝電壓的狀態下，使振幅漸減的方式，控制著保持部驅動部443。又，控制部700係在解除由靜電吸盤442進行的基板302之邊緣保持時，依在對端子電極442a、442b間交錯施加極性互異脈衝電壓的狀態下，使振幅漸減的方式，控制著保持部驅動部443。藉此，因為可使基板301、302的帶電量急劇減少，因而可使基板301、302順暢地脫離平台401、頭402。
再者，本實施形態的平台401、頭402，係由具透光性玻璃形成。且，端子電極441a、441b、442a、442b、451a、451b、452a、452b、461a、461b、462a、462b、與電極子441c、441d、442c、442d、451c、451d、452c、452d、461c、461d、462c、462d，係由含透明導電性材料的透明導電膜形成。藉此，距離測定部490便可從平台401或頭402臨基板301、302側的背後側，進行平台401與頭402間的距離測定。又，位置測定部500係可從平台401或頭402臨基板301、302側的背後側，測定基板301、302的相對位置偏移量。所以，可提高距離測定部490與位置測定部500的配置自由度。又，本實施形態的基板接合裝置100，第1攝像部501與第2攝像部502係在配置於平台401臨支撐基板301之一側的背後側。藉此，因為在基板301、302間無需要設置攝像部，便可抑制基板301、302上附著微塵。又，當基板301的對準標記MK1a、MK1b、與基板302的對準標記MK2a、MK2b，係採取利用個別攝像部進行辨識的方法時，便會受到例如熱膨脹、振動、或2個攝像部間的距離經時變化之影響。相對於此，如本實施形態藉由採取利用紅外線穿透方式，由第1攝像部501同時辨識對準標記MK1a、MK2a，且由第2攝像部502同時辨識對準標記MK1b、MK2b的方法，便可提升基板301、302的位置精度。
但是，因為抑制基板301、302貼附於平台401、頭402，因而亦可考慮在平台401、頭402的第2區域A2設置凹部(未圖示)，形成經降低基板301、302與平台401、402之接觸面積的平台、頭。但是，此種平台、頭係在平台、頭支撐著基板301、302狀態下，使基板301、302的中央部朝凹部內側曲撓狀態，導致基板301、302出現歪斜。而，若在基板301、302發生歪斜狀態，進行基板301、302間的接合，便會有發生接合不良的可能性。相對於此，本實施形態的平台401，係在上面401a依面接觸基板301至少其中一部分的狀態支撐著基板301。又，頭402係下面402a依面接觸基板302至少其中一部分的狀態支撐著基板302。藉此，當利用平台401、頭402支撐基板301、302狀態時，可降低基板301、302的曲撓，便可抑制基板301、302發生接合不良。
再者，本實施形態的基板接合裝置100係由平台401、頭402利用靜電吸盤441、442、451、452、461、462支撐著基板301、302。藉此，平台401、頭402係即便處於真空腔200內的高真空度狀態，仍可牢固地支撐著基板301、302，因而可抑制基板301、302從平台401、頭402上脫落。
(實施形態2) 本實施形態的基板接合裝置係藉由在大氣壓下，使經對相互接合的接合面施行活化處理與親水化處理之2個基板301、302相接觸，並施行加壓與加熱，而將2個基板301、302接合。如圖12所示，本實施形態的基板接合裝置2100係就未具備真空腔之點不同於實施形態1的基板接合裝置100。另外，圖12中，相關與實施形態1同樣的構成便賦予與圖1相同的元件符號。另外，以下說明中，本實施形態的基板接合裝置中，相關與實施形態1的基板接合裝置100同樣之構成，係使用與圖1至圖9所示元件符號的相同元件符號進行說明。
平台2401、2402係在鉛直方向上配置成相對向狀態。平台2401與頭2402係由例如具透光性玻璃之類的透光性材料形成。又，平台2401、頭2402係如圖13A所示，分別設有在支撐著基板301、302的狀態下，相對向於基板301、302的基板接觸區域A3。另外，圖13A與圖13B中，相關與實施形態1同樣的構成便賦予與圖3A及圖3B相同的元件符號。在平台2401、頭2402各自的基板接觸區域A3中，如圖14所示，形成凹凸2401a、2402a。而，基板接觸區域A3的表面算術平均粗糙度係0.1μm至1mm。
平台2401、頭2402之基板接觸區域A3的凹凸2401a、2402a，亦可例如藉由對基板接觸區域A3施行噴砂處理後，再施行表面研磨處理而形成。此情況，在平台2401、頭2402的基板接觸區域A3表面上，形成例如圖15A所示算術平均粗糙度10μm程度的凹凸。或者，平台2401、頭2402的基板接觸區域A3之凹凸2401a、2402a，亦可例如藉由對基板接觸區域A3施行二氧化矽塗佈而形成。此情況，在平台2401、頭2402的基板接觸區域A3表面上，形成例如圖15B所示算術平均粗糙度5μm程度的凹凸。又，平台2401、頭2402的基板接觸區域A3之凹凸2401a、2402a，亦可例如藉由對基板接觸區域A3施行蝕刻而形成。此情況，在平台2401、頭2402的基板接觸區域A3表面上，形成例如圖16A所示算術平均粗糙度1.59μm程度的凹凸、或如圖16B所示算術平均粗糙度2.63μm程度的凹凸。
此時，最好使基板301、302的內側充滿氣體，藉由使基板301、302的基板接觸區域A3內側部分、與平台2401、頭2402間的間隙壓力上升，而使基板301、302脫離平台2401、頭2402。就此觀點，基板接觸區域A3的凹凸2401a、2402a最好至少除基板接觸區域A3的邊緣外，形成於內側。
再者，在平台2401與頭2402中，如圖13A與圖13B所示，設有:供吸附保持基板301、302用的吸附孔2441a、2451a、2461a、2471a、2442a、2452a、2462a、2472a、按押基板301中央部的第1按押機構431、以及按押基板302中央部的第2按押機構432。吸附孔2441a、2442a係保持基板301、302邊緣的第1保持部。吸附孔2451a、2461a、2471a、2452a、2462a、2472a係保持較基板301、302邊緣更靠內側的第2保持部。吸附孔2441a、2451a、2461a、2471a係可各別呈吸附保持基板301狀態、與未吸附保持狀態。又，吸附孔2442a、2452a、2462a、2472a亦可各別呈吸附保持基板302狀態、與未吸附保持狀態。吸附孔2441a、2451a、2461a、2471a、2442a、2452a、2462a、2472a係利用各自的排氣管(未圖示)連接於例如真空泵(未圖示)。
再者，本實施形態的基板接合裝置係如圖17所示，具備有:介插於各排氣管中，且可各自進行開閉的開閉閥2441b、2451b、2461b、2471b、2442b、2452b、2462b、2472b，與保持部驅動部2443。例如開閉閥2441b、2451b呈關閉狀態，而開閉閥2461b、2471b呈開啟狀態。此情況，形成吸附孔2441a、2451a未吸附保持基板301，而僅吸附孔2461a、2471a吸附保持基板301的狀態。保持部驅動部2443係連接於開閉閥2441b、2451b、2461b、2471b、2442b、2452b、2462b、2472b。又，保持部驅動部2443係根據從控制部2700輸入的控制信號，將各開閉閥2441b、2451b、2461b、2471b、2442b、2452b、2462b、2472b分別形成開啟狀態或關閉狀態。
再者，本實施形態的基板接合裝置係具備有氣體吐出部2444。該氣體吐出部2444係在平台2401、頭2402支撐著基板301、302狀態下，朝圖13A所示平台2401、頭2402的基板接觸區域A3、與基板301、302間吐出氣體。氣體吐出部2444係設有:壓縮機(未圖示)、從壓縮機分別朝吸附孔2461a、2471a、2462a、2472a供應氣體的供應管(未圖示)、以及介插於各供應管中的開閉閥(未圖示)。氣體吐出部2444係藉由將開閉閥設為開啟狀態，由吸附孔2461a、2471a、2462a、2472a朝平台2401、頭2402的基板接觸區域A3、與基板301、302間吐出氣體。此時，氣體吐出部2444係吐出例如含有如He離子之類離子的氣體、或含水氣體。
請重返參照圖17，控制部2700係具有與實施形態1所說明控制部700同樣的構成。參數記憶部2703係記憶著前述位置偏移量閾值Δxth、Δyth、Δθth。控制部2700係同控制部700，將由第1壓力偵測器412、第2壓力偵測器408及距離測定部490輸入的測量信號，轉換為測量資訊並取得。又，控制部2700係將從第1攝像部501與第2攝像部502輸入的拍攝影像信號，轉換為拍攝影像資訊並取得。又，控制部2700係藉由將輔助記憶部所記憶的程式讀入於主記憶部中並執行，再分別朝保持部驅動部2443、氣體吐出部2444、壓電致動器411、第1按押驅動部431b、第2按押驅動部432b、加熱部驅動部483、平台驅動部403及頭驅動部404輸出控制信號。
其次，針對本實施形態的基板接合裝置所執行基板接合處理進行說明。本實施形態的基板接合處理，因為係與實施形態1中使用圖7所用說明的基板接合處理同樣，因而參照圖7進行說明。圖7的步驟S4之處理中，本實施形態的基板接合裝置係在利用圖13A所示平台2401周緣側的吸附孔2441a、2451a吸附保持基板301狀態下，解除由平台2401中央部側的吸附孔2461a、2471a所進行的基板301吸附保持。此時，控制部2700係如圖17所示，依開閉閥2441b、2451b呈開啟狀態、開閉閥2461b、2471b呈關閉狀態的方式，控制著保持部驅動部2443。所以，基板接合裝置2100係在圖13A所示利用吸附孔2441a、2451a吸附保持基板301邊緣301s的狀態下，利用第1按押部431a將基板301中央部朝基板302按押。又，基板接合裝置2100係在利用頭2402周緣的吸附孔2442a、2452a吸附保持基板302狀態下，解除利用頭2402中央部之吸附孔2462a、2472a進行的基板302吸附保持。此時，控制部2700係如圖17所示，依開閉閥2442b、2452b呈開啟狀態、開閉閥2462b、2472b呈關閉狀態的方式，控制著保持部驅動部2443。而，基板接合裝置2100係在圖13A所示利用吸附孔2442a、2452a吸附保持基板302邊緣302s的狀態下，利用第2按押部432a將基板302中央部朝基板301按押。
再者，圖7的步驟S12之處理中，本實施形態的基板接合裝置係利用氣體吐出部2444，如圖13A所示朝平台2401、頭2402之基板接觸區域A3、與基板301、302間吐出氣體。此時，控制部2700係依當使基板301、302邊緣彼此間相接觸時，便朝平台2401、頭2402的基板接觸區域A3、與基板301、302間吐出氣體方式，控制著氣體吐出部2444。具體而言，控制部2700係如圖17所示，依開閉閥2441b、2442b、2451b、2452b呈關閉狀態方式，控制著保持部驅動部2443，且依氣體吐出部2444的開閉閥呈開啟狀態方式，控制著氣體吐出部2444。藉此，可抑制基板301、302局部性貼附於平台2401、頭2402情形。
依如上所說明，根據本實施形態的基板接合裝置，在平台2401、頭2402分別支撐著基板301、302狀態下，於基板301、302相對向的基板接觸區域A3中形成凹凸。藉此，當使基板301邊緣301s接觸於基板302邊緣302s時，可抑制基板301邊緣貼附於平台2401，因而可迴避在基板301發生歪斜狀態下進行基板301、302彼此間的接合，便可使基板301、302彼此間在沒有歪斜情況下，全面依高位置精度進行接合。
再者，本實施形態的平台2401、頭2402，各自基板接觸區域A3的表面算術平均粗糙度係0.1μm至1mm。藉此，例如利用第1攝像部501與第2攝像部502，從平台2401臨基板301側的背後側執行位置偏移測定時，可抑制從第1攝像部501及第2攝像部502射出的光因平台2401而散射。所以，可精度佳地執行基板301與基板302的對準。
但是，假設平台2401支撐基板301之一面係設為接近鏡面狀態、或接觸面積較大狀態。此情況，當氣體吐出部2444從吸附孔2461a、2471a吐出氣體，使基板301脫離平台2401時，氣體僅通過基板301與平台2401間其中一部分並流出。此情況，基板301的基板接觸區域A3內側部分、與平台2401間的間隙壓力不會上升，氣體不會流入於基板301與平台2401間的基板接觸區域A3其他部分，導致基板301呈現貼附於平台2401的狀態，會有基板301無法從平台2401上順暢脫離的可能性。另外，基板302從頭2402上脫離時亦同。
相對於此，本實施形態的平台2401、頭2402，係在基板接觸區域A3中形成凹凸。藉此，當氣體吐出部2444從吸附孔2461a、2471a吐出氣體，使基板301從平台2401上脫離時，基板301與平台2401間會充滿氣體，可使基板301之基板接觸區域A3、與平台2401間的間隙壓力上升，因而基板301可輕易從平台2401上脫離。所以，可抑制基板301貼附於平台2401，俾可使基板301從平台2401上順暢脫離。另外，基板302從頭2402上脫離時亦同。
再者，本實施形態的氣體吐出部2444係吐出含離子氣體、或含水氣體。藉此，當平台2401、頭2402有帶電時，利用從氣體吐出部2444吐出的氣體除電效果，便可減少平台2401、頭2402的帶電量。所以，可抑制因平台2401、頭2402帶電所造成基板301、302貼附於平台2401、頭2402情形。
(實施形態3) 本實施形態的基板接合裝置係與圖1所示實施形態1中說明的基板接合裝置100同樣。但，本實施形態的基板接合裝置係取代實施形態1的平台401、頭402，改為設置如圖18A與圖18B所示的平台3401、頭3402，就此點係不同於實施形態1所說明的基板接合裝置100。另外，以下說明中，相關本實施形態基板接合裝置與實施形態1的基板接合裝置100之同樣構成，係使用與圖1至圖9C所示元件符號相同的元件符號進行說明。又，圖18A與圖18B中，相關與實施形態1同樣的構成，賦予與圖3A及圖3B相同元件符號。
平台3401與頭3402，係在真空腔200內，於鉛直方向上配置成相對向狀態。平台3401、頭3402係如圖18A所示，具有在第1區域A1內側的第2區域A2所設置凹部3401c、3402c。此時，第1區域A1係相當於在平台3401、頭3402支撐著基板301、302狀態下，在平台3401、頭3402中相對向於基板301、302邊緣的區域。又，平台3401、頭3402係具有從凹部3401c、3402c中央部朝凹部3401c、3402c周緣延伸，並抵接於基板301、302的4個肋3401d、3402d。此時，4個肋3401d、3402d係從凹部3401c的中央部呈放射狀延伸。所以，由平台3401、頭3402的邊緣3401a、3402a、平台3401、頭3402的第2區域A2內側相當於貫通孔401b、402b外邊緣的內側部位3401b、3402b、以及肋3401d、3402d，支撐著基板301、302。
本實施形態的基板接合裝置係與實施形態1同樣，在平台3401、頭3402的第1區域A1配設有靜電吸盤441、442。又，本實施形態的保持部驅動部443僅連接於靜電吸盤441、442。所以，保持部驅動部443根據從控制部700輸入的控制信號，藉由對各靜電吸盤441、442施加電壓而驅動靜電吸盤441、442。另外，本實施形態的基板接合裝置係與實施形態1中使用圖7所說明的基板接合處理同樣。
依如上所說明，根據本實施形態的基板接合裝置，平台3401、頭3402係設有從平台3401、頭3402的第2區域A2所設置凹部3401c、3402c中央部，沿凹部3401c、3402c周緣延伸，並抵接於基板301、302的4個肋3401d、3402d。藉此，可縮小基板301、302與平台3401、頭3402間之接觸面積，當解除利用平台3401、頭3402進行的基板301、302保持時，可抑制基板301、302貼附於平台3401、頭3402。所以，可迴避在基板301、302發生歪斜狀態下進行基板301、302彼此間的接合，俾能將基板301、302彼此間毫無歪斜地全面依高位置精度進行接合。
以上，雖針對本發明各實施形態進行說明，但本發明並不僅侷限於前述各實施形態的構成。例如基板接合裝置亦可具備有如圖19所示平台4401與頭4402。另外，圖19中相關與實施形態3同樣的構成，係賦予與圖18A相同的元件符號。平台4401、頭4402係如圖19所示，具備有:沿圓環狀第1區域A1配設的4個圓弧狀第1突出部4401a、4402a、與在第1區域A1內側的第2區域A2所形成凹部4401c、4402c內側設置的4個長條肋4401d、4402d。第1突出部4401a、4402a分別配設有靜電吸盤4441、4442。又，平台4401、頭4402係在該等的貫通孔401b、402b外邊緣，設置有連接於4個肋4401d、4402d在長邊方向上靠貫通孔401b、402b之一端部的圓環狀第2突出部4401b、4402b。又，在4個肋4401d、4402d長邊方向的另一端部、與第1突出部4401a、4402a之間形成間隙。此時，第1突出部4401a、4402a、肋4401d、4402d、及第2突出部4401b、4402b的平台4401、頭4402，在厚度方向上的高度係相等。藉此，在使第1按押部431a、第2按押部432a沒入平台4401、頭4402的狀態下，若由平台4401、頭4402支撐著基板301、302，則第1突出部4401a、4402a、肋4401d、4402d、及第2突出部4401b、4402b，便會抵接於基板301、302。
根據本構成，減少第1區域A1的基板301、302、與第1突出部4401a、4402a之接觸面積部分，當解除利用平台4401、頭4402進行基板301、302之邊緣保持時，可抑制基板301、302邊緣貼附於平台4401、頭4402。所以，可迴避在基板301、302發生歪斜狀態下進行基板301、302彼此間的接合，俾能將基板301、302彼此間毫無歪斜地全面依高位置精度進行接合。
實施形態2的基板接合裝置2100，亦可具備有如圖20A與圖20B所示的平台5401、頭5402。另外，圖20A與圖20B中，相關與實施形態2及實施形態3同樣的構成，賦予與圖13A及圖13B、以及圖18A及圖18B相同的元件符號。平台5401、頭5402係在第1區域A1中配設吸附孔2441a、2442a、2451a、2452a，在第2區域A2中設有凹部3401c、3402c、與長條肋3401d、3402d。吸附孔2441a、2451a係可各別形成吸附保持基板301的狀態、與未吸附保持的狀態。又，吸附孔2442a、2452a亦係可各別形成吸附保持基板302的狀態、與未吸附保持的狀態。吸附孔2441a、2451a、2442a、2452a係經由各自的排氣管(未圖示)連接於例如真空泵(未圖示)。
利用本構成亦與實施形態3同樣地可減小基板301、302與平台5401、頭5402的接觸面積，因而當解除利用平台5401、頭5402進行的基板301、302保持時，可抑制基板301、302貼附於平台5401、頭5402。所以，可迴避在基板301、302發生歪斜狀態下進行基板301、302彼此間的接合，俾能將基板301、302彼此間毫無歪斜地全面依高位置精度進行接合。
實施形態1，針對在平台401、頭402的第1區域A1配設靜電吸盤441、442，並在第2區域A2配設靜電吸盤451、452、461、462的例子進行說明。惟並不僅侷限於此，亦可例如圖21所示，在平台6401、頭6402的第2區域A2中設置圓環狀凹部6401c、6402c，而未設置靜電吸盤。另外，圖21中，相關與實施形態1同樣的構成便賦予與圖3A相同元件符號。此時，平台6401、頭6402係設有:包含第1區域A1的邊緣6401a、6402a、以及第2區域A2內側相當於貫通孔401b、402b外邊緣的內側部位6401b、6402b。此情況，在使第1按押部431a、第2按押部432a沒入於平台6401、頭6402的狀態下，若使平台6401、頭6402支撐基板301、302，則邊緣6401a、6402a與內側部位6401b、6402b便會抵接於基板301、302。
或者，如圖22A與圖22B所示，亦可在平台7401、頭7402的第2區域A2中設置俯視圓形的凹部7401c、7402c，貫通孔7401b、7402b係形成朝凹部7401c、7402c的底部呈開口狀態。此情況，在使第1按押部431a、第2按押部432a沒入於平台7401、頭7402的狀態下，若使平台7401、頭7402支撐著基板301、302，則僅有平台7401、頭7402的邊緣7401a、7402a會抵接於基板301、302。
根據本構成，相較於實施形態3的平台3401、頭3402之下，可減小基板301、302與平台7401、頭7402的接觸面積。所以，當解除利用平台7401、頭7402進行的基板301、302保持時，可抑制基板301、302貼附於平台7401、頭7402。
實施形態1，針對複數電極子441c、441d、442c、442d係在第1區域A1中沿平台401、頭402的圓周方向呈交錯排列配置的例子進行說明。惟，並不僅侷限於此，複數電極子亦可在第1區域A1中沿平台401、頭402的徑向呈交錯排列配置。或者，複數電極子亦可在第1區域A1中，沿平台401、頭402厚度方向的正交任一方向呈交錯排列配置。又，實施形態1，針對複數電極子451c、451d、452c、452d係在第2區域A2中，沿第1區域A1與第2區域A2的邊界部分之圓周方向呈交錯排列配置的例子進行說明。惟，並不僅侷限於此，複數電極子亦可在第2區域A2中，沿平台401、頭402的徑向呈交錯排列配置，亦可沿平台401、頭402厚度方向的正交任一方向呈交錯排列配置。或者，複數電極子亦可在第2區域A2全體中，沿平台401、頭402的圓周方向呈交錯排列配置。
實施形態1、3中，針對基板301、302彼此間係在真空中施行接合的例子進行說明，惟並不僅侷限於此，基板301、302彼此間亦可在大氣壓下進行接合，或者亦可在填充任意氣體的環境下進行接合。
各實施形態係針對頭402、2402、3402相對於平台401、2401、3401朝鉛直方向移動的例子進行說明，惟並不僅侷限於此，亦可例如平台401、2401、3401相對於頭402、2402、3402朝鉛直方向移動。
各實施形態係針對使基板301、302雙方均曲撓的例子進行說明，惟並不僅侷限於此，亦可例如僅使基板301、302其中任一者曲撓。例如亦可僅平台401、2401、3401設有第1按押機構431，而頭402、2402、3402則未設置按押機構。此情況，可僅使基板301曲撓。或者，僅頭402、2402、3402設有第2按押機構432，而平台401、2401、3401則未設置按押機構。此情況，可僅使基板302曲撓。又，亦可在平台401、2401、3401中設置氣體吐出部(未圖示)，在平台401、2401、3401保持基板301邊緣的狀態下，朝平台401、2401、3401與基板301之間吐出氣體，藉此亦可使基板301曲撓。或者，在頭402、2402、3402中設置氣體吐出部(未圖示)，在由頭402、2402、3402保持基板302邊緣的狀態下，朝頭402、2402、3402與基板302之間吐出氣體，藉此亦可使基板302曲撓。
實施形態1及3中，亦可具備有:藉由對平台401、3401或頭402、3402供應電子或離子，而將平台401、3401或頭402、3402進行電氣性中和的中和器(未圖示)。此情況，控制部700係在從平台401、3401、頭402、3402支撐著基板301、302狀態，轉成未支撐基板301、302的狀態後，依對平台401、3401、頭402、3402供應電子或離子的方式，控制著中和器便可。中和器亦可具備有:由例如鎢之類的金屬所形成之金屬燈絲(未圖示)、與朝金屬燈絲流入電流的燈絲電源(未圖示)，而朝平台401、3401、頭402、3402供應電子。或者，中和器亦可為例如電氣性產生負離子的離子源、或利用紫外線產生負離子的離子源。
根據本構成，利用從中和器朝平台401、3401或頭402、3402供應的電子或離子，便可減少平台401、3401或頭402、3402的帶電量。所以，可抑制因平台401、3401或頭402、3402帶電，所造成基板301、302貼附於平台401、3401、頭402、3402情形。
實施形態中，第1攝像部501與第2攝像部502係針對分別具有攝像元件與同軸照明系統之所謂反射型的例子進行說明，但，第1攝像部、第2攝像部的構成並不僅侷限於此。例如第1攝像部與第2攝像部分別亦可具備有:在基板301、302的厚度方向上，配置於相對向夾置基板301、302位置的攝像元件(未圖示)與光源(未圖示)，從光源射出並穿透過基板301、302的光，在由攝像元件受光的位置處，拍攝對準標記MK1a、MK2a、MK1b、MK2b之所謂穿透型構成。
本申請案係以2018年7月19日所提出申請的日本專利申請案特願2018-135801號為基礎。本說明書中參照日本專利申請案特願2018-135801號的說明書、申請專利範圍、全體圖式，並援引融入本案中。 產業上之可利用性
本發明係頗適用於例如CMOS影像感測器、記憶體、運算元件、MEMS的製造。
100,2100:基板接合裝置 200:真空腔 201:真空泵 202:排氣管 203:排氣閥 301,302:基板 401,2401,3401,4401,5401,6401,7401:平台 401a:上面 401b,402b,7401b,7402b:貫通孔 402,2402,3402,4402,5402,6402,7402:頭 402a:下面 403:平台驅動部 404:頭驅動部 405:XY方向驅動部 406:升降驅動部 407:旋轉驅動部 408:第2壓力偵測器 411:壓電致動器 412:第1壓力偵測器 431:第1按押機構 431a:第1按押部 431b:第1按押驅動部 432:第2按押機構 432a:第2按押部 432b:第2按押驅動部 441,442,451,452,461,462:靜電吸盤 443,2443:保持部驅動部 481,482:基板加熱部 483:加熱部驅動部 490:距離測定部 500:位置測定部 501:第1攝像部 502:第2攝像部 503:窗部 504,505:反射鏡 700,2700:控制部 703,2703:參數記憶部 2401a,2402a:凹凸 2441a,2442a,2451a,2452a,2461a,2462a,2471a,2472a:吸附孔 2441b,2442b,2451b,2452b,2461b,2462b,2471b,2472b:開閉閥 2444:氣體吐出部 3401a,3402a,6401a,6402a,7401a,7402a:邊緣 3401b,3402b,6401b,6402b:內側部位 3401c,3402c,6401c,6402c,7401c,7402c:凹部 3401d,3402d,4401d,4402d:肋 4401a,4402a:第1突出部 4401b,4402b:第2突出部 A1:第1區域 A2:第2區域 A3:基板接觸區域 AC:接觸部分 GAa,GAb:拍攝影像 MK1a,MK1b,MK2a,MK2b:對準標記 S1:區域
[圖1]本發明實施形態1的基板接合裝置之概略正視圖； [圖2A]實施形態1的平台與頭附近之概略立體示意圖； [圖2B]實施形態1，對頭施行微調整方法的說明圖； [圖3A]實施形態1的平台與頭之概略平面圖； [圖3B]實施形態1的平台與頭之概略剖視圖； [圖4]實施形態1的基板接合裝置其中一部分構成之方塊圖； [圖5A]在接合的2個基板其中一者上所設置的2個對準標記圖； [圖5B]在接合的2個基板另一者上所設置的2個對準標記圖； [圖6A]對準標記的拍攝影像概略圖； [圖6B]對準標記相互偏移狀態的概略圖； [圖7]實施形態1的基板接合裝置所執行基板接合處理流程之流程圖； [圖8A]實施形態1，在平台與頭上保持基板狀態的概略剖視圖； [圖8B]實施形態1，使由平台與頭所保持的基板接合面中央部彼此間，相接觸狀態的概略剖視圖； [圖9A]實施形態1，由平台與頭所保持基板彼此間相靠近樣子的概略剖視圖； [圖9B]實施形態1，使由平台與頭所保持基板接合面邊緣彼此間，相接觸狀態的概略剖視圖； [圖9C]實施形態1，使頭脫離平台的樣子之概略剖視圖； [圖10]實施形態1，使基板邊緣脫離靜電吸盤時，保持部驅動部對靜電吸盤所施加電壓的推移時間圖； [圖11]比較例的平台與頭之概略平面圖； [圖12]本發明實施形態2的基板接合裝置之概略正視圖； [圖13A]實施形態2的平台與頭之概略平面圖； [圖13B]實施形態2的平台與頭之概略剖視圖； [圖14]實施形態2的平台與頭表面附近之放大剖視圖； [圖15A]實施形態2的基板接觸區域一例之部分放大照片； [圖15B]實施形態2的基板接觸區域另一例之部分放大照片； [圖16A]實施形態2的基板接觸區域一例之部分放大照片； [圖16B]實施形態2的基板接觸區域另一例之部分放大照片； [圖17]實施形態2的基板接合裝置其中一部分構成之方塊圖； [圖18A]實施形態3的平台與頭之概略平面圖； [圖18B]實施形態3的平台與頭之概略剖視圖； [圖19]變化例的平台與頭之概略平面圖； [圖20A]變化例的平台與頭之概略平面圖； [圖20B]變化例的平台與頭之概略剖視圖； [圖21]變化例的平台與頭之概略平面圖； [圖22A]變化例的平台與頭之概略平面圖；以及 [圖22B]變化例的平台與頭之概略剖視圖。
100:基板接合裝置
201:真空泵
203:排氣閥
401:平台
403:平台驅動部
405:XY方向驅動部
407:旋轉驅動部
411:壓電致動器
431:第1按押機構
481、482:基板加熱部
500:位置測定部
502:第2攝像部
504、505:反射鏡
S1:區域
200:真空腔
202:排氣管
301、302:基板
402:頭
404:頭驅動部
406:升降驅動部
408:第2壓力偵測器
412:第1壓力偵測器
432:第2按押機構
490:距離測定部
501:第1攝像部
503:窗部
700:控制部

Claims (22)

  1. 一種基板接合裝置，係將第1基板與第2基板予以接合的基板接合裝置，具備有: 第1支撐台，其乃支撐著上述第1基板； 第2支撐台，其乃在上述第2基板接合面相對向於上述第1基板接合面的狀態下，支撐著上述第2基板； 第1保持部，其乃保持著設置於上述第1支撐台上的上述第1基板之邊緣； 保持部驅動部，其乃驅動上述第1保持部；以及 控制部，其乃在上述第1基板邊緣突出於上述第2基板的方式，使上述第1基板呈曲撓狀態下，利用上述第1支撐台支撐著上述第1基板中央部，且在上述第1基板接合面中央部與上述第2基板接合面中央部相接觸狀態下，使上述第1基板邊緣接觸於上述第2基板邊緣，而使上述第1基板接合面與上述第2基板接合面全面貼合時，依解除由上述第1保持部所進行上述第1基板邊緣保持的方式，控制著上述保持部驅動部； 其中， 上述第1保持部係具備有第1靜電吸盤，該第1靜電吸盤係在上述第1支撐台支撐著上述第1基板狀態下，設置於上述第1支撐台中，相對於上述第1基板邊緣的第1區域； 上述保持部驅動部係藉由對上述第1靜電吸盤施加電壓而驅動上述第1靜電吸盤； 上述控制部係在上述第1基板接合面中央部與上述第2基板接合面中央部相接觸狀態下，使上述第1基板邊緣接觸於上述第2基板邊緣時，依解除上述第1靜電吸盤進行的上述第1基板邊緣保持之方式，控制著上述保持部驅動部。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板接合裝置，其中，上述第1靜電吸盤係具備有: 第1端子電極； 第2端子電極； 複數第1電極子，其乃電氣式耦接於上述第1端子電極；以及 複數第2電極子，其乃電氣式耦接於上述第2端子電極； 而，上述複數第1電極子與上述複數第2電極子，係在上述第1區域中沿第1方向呈交錯排列配置。
  3. 如申請專利範圍第2項之基板接合裝置，其中，上述控制部係依當解除由上述第1靜電吸盤保持上述第1基板邊緣時，在對上述第1端子電極與上述第2端子電極之間，交錯施加不同極性脈衝電壓狀態下，使上述脈衝電壓的振幅漸減之方式，控制著上述保持部驅動部。
  4. 如申請專利範圍第2或3項之基板接合裝置，其中，上述控制部係在複數次執行上述第1基板與上述第2基板之接合時，依每達預設基準次數時，便在保持上述第1基板狀態下，使對上述第1端子電極與上述第2端子電極間所施加電壓的極性反轉方式，控制著上述保持部驅動部。
  5. 如申請專利範圍第1項之基板接合裝置，其中，更進一步具備有:藉由對上述第1支撐台供應電子或離子，而電氣性中和上述第1支撐台的中和器； 上述控制部係依上述第1支撐台從支撐上述第1基板的狀態，轉變為未支撐上述第1基板的狀態之後，朝上述第1支撐台供應電子或離子的方式，控制著上述中和器。
  6. 如申請專利範圍第2或3項之基板接合裝置，其中，上述第1支撐台係由具透光性的玻璃形成； 上述第1端子電極、上述第2端子電極、上述第1電極子、及上述第2電極子中至少1者係由透明導電膜形成。
  7. 如申請專利範圍第1至3、5項中任一項之基板接合裝置，其中，更進一步具備有:設置於上述第1支撐台，且保持上述第1基板之邊緣內側的第2保持部； 上述第2保持部係具備有第2靜電吸盤；該第2靜電吸盤係設置於第2區域；該第2區域係在上述第1支撐台支撐著上述第1基板的狀態下，位於在上述第1支撐台中，相對向於上述第1基板邊緣的第1區域更靠內側； 上述保持部驅動部係藉由對上述第2靜電吸盤施加電壓，而驅動上述第2靜電吸盤； 上述第2靜電吸盤係具備有: 第3端子電極； 第4端子電極； 複數第3電極子，其乃電氣式耦接於上述第3端子電極；以及 複數第4電極子，其乃電氣式耦接於上述第4端子電極； 上述複數第3電極子與上述複數第4電極子，係在上述第2區域中沿第2方向呈交錯排列配置； 上述控制部係依使上述第1基板中央部與上述第2基板中央部相接觸時，解除由上述第2靜電吸盤進行的上述第1基板保持之方式，控制著上述保持部驅動部。
  8. 如申請專利範圍第7項之基板接合裝置，其中，上述第1支撐台係由具透光性的玻璃成形； 上述第3端子電極、上述第4端子電極、上述第3電極子、及上述第4電極子中至少1者，係由透明導電膜形成。
  9. 如申請專利範圍第6項之基板接合裝置，其中，更進一步具備有: 攝像部，其乃配置於上述第1支撐台臨支撐上述第1基板之側的背後側、或上述第2支撐台臨支撐上述第2基板之一側的背後側；以及 第1支撐台驅動部，其乃使上述第1支撐台與上述第2支撐台中至少其中一者，相對於另一者朝上述第1支撐台與上述第2支撐台相對向方向的交差方向，進行相對移動； 而，上述第1基板係設有第1對準標記； 上述第2基板係設有第2對準標記； 上述攝像部係穿透上述第1支撐台或上述第2支撐台，拍攝上述第1對準標記與上述第2對準標記； 上述控制部係更進一步根據由上述攝像部所拍攝到的上述第1對準標記與上述第2對準標記之拍攝影像，依減小上述第1基板相對於上述第2基板的相對位置偏移量方式，控制著上述第1支撐台驅動部，使上述第1支撐台與上述第2支撐台中至少其中一者進行移動。
  10. 如申請專利範圍第1至3、5項中任一項之基板接合裝置，其中，上述第1支撐台係在較上述第1基板邊緣相對向的第1區域更靠內側之第2區域，設有凹部。
  11. 一種基板接合裝置，係將第1基板與第2基板予以接合的基板接合裝置，具備有: 第1支撐台，其乃支撐著上述第1基板； 第2支撐台，其乃在上述第2基板接合面相對向於上述第1基板接合面的狀態下，支撐著上述第2基板； 第1保持部，其乃在上述第1支撐台支撐著上述第1基板的狀態下，保持著上述第1基板邊緣； 保持部驅動部，其乃驅動上述第1保持部；以及 控制部，其乃在上述第1基板邊緣突出於上述第2基板的方式，使上述第1基板呈曲撓狀態下，利用上述第1支撐台支撐著上述第1基板中央部，且在上述第1基板接合面中央部與上述第2基板接合面中央部相接觸狀態下，使上述第1基板邊緣接觸於上述第2基板邊緣，而使上述第1基板接合面與上述第2基板接合面全面貼合時，依解除由上述第1保持部所進行上述第1基板邊緣保持的方式，控制著上述保持部驅動部； 上述第1支撐台係在支撐著上述第1基板的狀態下，相對向於上述第1基板的基板接觸區域，至少內側形成凹凸。
  12. 如申請專利範圍第11項之基板接合裝置，其中，上述基板接觸區域的表面算術平均粗糙度係0.1μm至1mm。
  13. 如申請專利範圍第11或12項之基板接合裝置，其中，更具備有:在上述第1支撐台支撐著上述第1基板狀態下，朝上述第1支撐台與上述第1基板間吐出氣體的氣體吐出部； 上述控制部係更進一步依朝上述第1支撐台的上述基板接觸區域、與上述第1基板之間吐出氣體，而使上述第1基板脫離上述第1保持部的方式，控制著上述氣體吐出部。
  14. 如申請專利範圍第13項之基板接合裝置，其中，上述氣體係含離子氣體、或含水氣體。
  15. 一種基板接合裝置，係將第1基板與第2基板予以接合的基板接合裝置，具備有: 第1支撐台，其乃支撐著上述第1基板； 第2支撐台，其乃在上述第2基板接合面相對向於上述第1基板接合面的狀態下，支撐著上述第2基板； 第1保持部，其乃在上述第1支撐台支撐著上述第1基板的狀態下，保持著上述第1基板邊緣； 保持部驅動部，其乃驅動上述第1保持部；以及 控制部，其乃在上述第1基板邊緣突出於上述第2基板的方式，使上述第1基板呈曲撓狀態下，利用上述第1支撐台支撐著上述第1基板中央部，且在上述第1基板接合面中央部與上述第2基板接合面中央部相接觸狀態下，使上述第1基板邊緣接觸於上述第2基板邊緣，而使上述第1基板接合面與上述第2基板接合面全面貼合時，依解除由上述第1保持部所進行上述第1基板邊緣保持的方式，控制著上述保持部驅動部； 上述第1支撐台係設有從在上述第1支撐台中，相對向於上述第1基板邊緣的第1區域內側之第2區域所設置凹部，由該凹部的中央部沿上述凹部周緣延伸，且抵接於上述第1基板的至少1個肋。
  16. 如申請專利範圍第15項之基板接合裝置，其中，上述至少1個肋係複數存在； 複數肋係從上述凹部的中央部呈放射狀延伸。
  17. 如申請專利範圍第1至3、5、11、12、15、16項中任一項之基板接合裝置，其中，更具備有:使上述第1支撐台與上述第2支撐台至少其中一者，朝使上述第1支撐台與上述第2支撐台相互靠近方向移動的第2支撐台驅動部； 上述控制部係依在上述第1基板的接合面中央部、與上述第2基板的接合面中央部相接觸狀態下，使上述第1基板邊緣接觸於上述第2基板邊緣時，上述第1支撐台與上述第2支撐台至少其中一者，朝上述第1支撐台與上述第2支撐台相互靠近方向移動的方式，控制著上述第2支撐台驅動部。
  18. 如申請專利範圍第17項之基板接合裝置，其中，上述控制部係依為能隨上述第1基板與上述第2基板接觸部分的面積增加，而縮小上述第1基板與上述第2基板間之距離，使上述第1支撐台與上述第2支撐台至少其中一者，朝上述第1支撐台與上述第2支撐台相互靠近的方向移動之方式，控制著上述第2支撐台驅動部。
  19. 如申請專利範圍第18項之基板接合裝置，其中，上述控制部係依在上述第1基板與上述第2基板接觸部分的周緣處，上述第1基板接合面與上述第2基板接合面的夾角能在預設基準角度以下的方式，使上述第1支撐台與上述第2支撐台至少其中一者，朝上述第1支撐台與上述第2支撐台相互靠近的方向移動之方式，控制著上述第2支撐台驅動部。
  20. 如申請專利範圍第1至3、5、11、12、15、16項中任一項之基板接合裝置，其中，更具備有:將上述第1基板與上述第2基板所配置的區域，維持於預設基準真空度以上之真空度的真空腔。
  21. 如申請專利範圍第1至3、5、11、12、15、16項中任一項之基板接合裝置，其中，更具備有:在上述第2支撐台支撐著上述第2基板狀態下，保持著上述第2基板邊緣的第3保持部； 上述控制部係依在上述第1基板接合面中央部、與上述第2基板接合面中央部相接觸狀態下，使上述第2基板邊緣接觸於上述第1基板邊緣時，解除由上述第3保持部所進行上述第2基板邊緣保持的方式，控制著上述第3保持部。
  22. 如申請專利範圍第21項之基板接合裝置，其中，更進一步具備有:設置於上述第2支撐台，且保持著上述第2基板邊緣內側的第4保持部； 上述控制部係依使上述第1基板接合面中央部、與上述第2基板接合面中央部相接觸時，解除由上述第4保持部所進行上述第2基板保持的方式，控制著上述第4保持部。
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