TW202137288A - 接合裝置、接合系統、接合方法及記憶媒體 - Google Patents

接合裝置、接合系統、接合方法及記憶媒體 Download PDF

Info

Publication number
TW202137288A
TW202137288A TW110105615A TW110105615A TW202137288A TW 202137288 A TW202137288 A TW 202137288A TW 110105615 A TW110105615 A TW 110105615A TW 110105615 A TW110105615 A TW 110105615A TW 202137288 A TW202137288 A TW 202137288A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
suction
holding portion
bonding
holding
Prior art date
Application number
TW110105615A
Other languages
English (en)
Inventor
菅川賢治
大森陽介
Original Assignee
日商東京威力科創股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商東京威力科創股份有限公司 filed Critical 日商東京威力科創股份有限公司
Publication of TW202137288A publication Critical patent/TW202137288A/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K20/00—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
    • B65H—HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL, e.g. SHEETS, WEBS, CABLES
    • B65H5/00—Feeding articles separated from piles; Feeding articles to machines
    • B65H5/22—Feeding articles separated from piles; Feeding articles to machines by air-blast or suction device
    • B65H5/222—Feeding articles separated from piles; Feeding articles to machines by air-blast or suction device by suction devices
    • B65H5/226—Feeding articles separated from piles; Feeding articles to machines by air-blast or suction device by suction devices by suction rollers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/6875—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of individual support members, e.g. support posts or protrusions
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C65/00—Joining or sealing of preformed parts, e.g. welding of plastics materials; Apparatus therefor
    • B29C65/002—Joining methods not otherwise provided for
    • B29C65/004—Cold joining
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C65/00—Joining or sealing of preformed parts, e.g. welding of plastics materials; Apparatus therefor
    • B29C65/78—Means for handling the parts to be joined, e.g. for making containers or hollow articles, e.g. means for handling sheets, plates, web-like materials, tubular articles, hollow articles or elements to be joined therewith; Means for discharging the joined articles from the joining apparatus
    • B29C65/7802—Positioning the parts to be joined, e.g. aligning, indexing or centring
    • B29C65/782—Positioning the parts to be joined, e.g. aligning, indexing or centring by setting the gap between the parts to be joined
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C65/00—Joining or sealing of preformed parts, e.g. welding of plastics materials; Apparatus therefor
    • B29C65/78—Means for handling the parts to be joined, e.g. for making containers or hollow articles, e.g. means for handling sheets, plates, web-like materials, tubular articles, hollow articles or elements to be joined therewith; Means for discharging the joined articles from the joining apparatus
    • B29C65/7841—Holding or clamping means for handling purposes
    • B29C65/7847—Holding or clamping means for handling purposes using vacuum to hold at least one of the parts to be joined
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C66/00—General aspects of processes or apparatus for joining preformed parts
    • B29C66/80—General aspects of machine operations or constructions and parts thereof
    • B29C66/81—General aspects of the pressing elements, i.e. the elements applying pressure on the parts to be joined in the area to be joined, e.g. the welding jaws or clamps
    • B29C66/814—General aspects of the pressing elements, i.e. the elements applying pressure on the parts to be joined in the area to be joined, e.g. the welding jaws or clamps characterised by the design of the pressing elements, e.g. of the welding jaws or clamps
    • B29C66/8141—General aspects of the pressing elements, i.e. the elements applying pressure on the parts to be joined in the area to be joined, e.g. the welding jaws or clamps characterised by the design of the pressing elements, e.g. of the welding jaws or clamps characterised by the surface geometry of the part of the pressing elements, e.g. welding jaws or clamps, coming into contact with the parts to be joined
    • B29C66/81411—General aspects of the pressing elements, i.e. the elements applying pressure on the parts to be joined in the area to be joined, e.g. the welding jaws or clamps characterised by the design of the pressing elements, e.g. of the welding jaws or clamps characterised by the surface geometry of the part of the pressing elements, e.g. welding jaws or clamps, coming into contact with the parts to be joined characterised by its cross-section, e.g. transversal or longitudinal, being non-flat
    • B29C66/81421—General aspects of the pressing elements, i.e. the elements applying pressure on the parts to be joined in the area to be joined, e.g. the welding jaws or clamps characterised by the design of the pressing elements, e.g. of the welding jaws or clamps characterised by the surface geometry of the part of the pressing elements, e.g. welding jaws or clamps, coming into contact with the parts to be joined characterised by its cross-section, e.g. transversal or longitudinal, being non-flat being convex or concave
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C66/00—General aspects of processes or apparatus for joining preformed parts
    • B29C66/80—General aspects of machine operations or constructions and parts thereof
    • B29C66/81—General aspects of the pressing elements, i.e. the elements applying pressure on the parts to be joined in the area to be joined, e.g. the welding jaws or clamps
    • B29C66/814—General aspects of the pressing elements, i.e. the elements applying pressure on the parts to be joined in the area to be joined, e.g. the welding jaws or clamps characterised by the design of the pressing elements, e.g. of the welding jaws or clamps
    • B29C66/8145—General aspects of the pressing elements, i.e. the elements applying pressure on the parts to be joined in the area to be joined, e.g. the welding jaws or clamps characterised by the design of the pressing elements, e.g. of the welding jaws or clamps characterised by the constructional aspects of the pressing elements, e.g. of the welding jaws or clamps
    • B29C66/81455—General aspects of the pressing elements, i.e. the elements applying pressure on the parts to be joined in the area to be joined, e.g. the welding jaws or clamps characterised by the design of the pressing elements, e.g. of the welding jaws or clamps characterised by the constructional aspects of the pressing elements, e.g. of the welding jaws or clamps being a fluid inflatable bag or bladder, a diaphragm or a vacuum bag for applying isostatic pressure

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Pressure Welding/Diffusion-Bonding (AREA)

Abstract

[課題]提供一種使基板之接合精度提高的技術。 [解決手段]實施形態之接合裝置，係具備有：第1保持部；第1變形部；第2保持部；第2變形部；吸引部；及控制裝置。第1保持部，係從上方吸附保持第1基板。第1變形部，係使被保持於第1保持部之第1基板的中央部朝向下方突出。第2保持部，係被設置於比第1保持部更下方，從下方吸附保持被接合於第1基板的第2基板。第2變形部，係使被保持於第2保持部之第2基板的中央部朝向上方突出。吸引部，係在第2基板之吸附區域所含有的複數個分割區域中產生不同的吸附力。控制裝置，係控制吸引部。

Description

接合裝置、接合系統、接合方法及記憶媒體
本揭示，係關於接合裝置、接合系統、接合方法及記憶媒體。
在專利文獻1，係揭示有一種「使被設置於上方之基板的中央部變形成往下方突出，將基板彼此接合」的接合裝置。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2014-229787號公報
[發明所欲解決之課題]
本揭示，係提供一種使基板之接合精度提高的技術。 [用以解決課題之手段]
本揭示之一態樣的接合裝置，係具備有：第1保持部；第1變形部；第2保持部；第2變形部；吸引部；及控制裝置。第1保持部，係從上方吸附保持第1基板。第1變形部，係使被保持於第1保持部之第1基板的中央部朝向下方突出。第2保持部，係被設置於比第1保持部更下方，從下方吸附保持被接合於第1基板的第2基板。第2變形部，係使被保持於第2保持部之第2基板的中央部朝向上方突出。吸引部，係在第2基板之吸附區域所含有的複數個分割區域中產生不同的吸附力。控制裝置，係控制吸引部。 [發明之效果]
根據本揭示，可使基板的接合精度提高。
在以下中，參閱圖面，詳細地說明關於本揭示之接合裝置及用以實施接合裝置、接合系統、接合方法及記憶媒體的形態(以下，記載為「實施形態」)。另外，並非藉由該實施形態來限定本揭示之接合裝置、接合系統、接合方法及記憶媒體。又，各實施形態，係可在處理內容不相矛盾的範圍下，適當地進行組合。又，在以下之各實施形態中，相同部位，係賦予相同符號而省略重複的說明。
又，在以下參閱之各圖面中，係為了容易理解說明，有時表示規定相互正交之X軸方向、Y軸方向及Z軸方向，並將Z軸正方向作為垂直向上方向的正交座標系統。X軸方向及Y軸方向，係水平方向。在以下中，係有時將Z軸正方向作為上方，將Z軸負方向作為下方而進行說明。
＜接合系統之構成＞ 首先，參閱圖1及圖2，說明關於實施形態之接合系統1的構成。圖1，係表示實施形態之接合系統1之構成的示意圖。又，圖2，係表示實施形態之第1基板W1及第2基板W2的接合前之狀態的示意圖。
圖1所示之接合系統1，係藉由將第1基板W1與第2基板W2接合的方式，形成重合基板T(參閱圖2)。
第1基板W1與第2基板W2，係單晶矽晶圓，在板面，係形成有複數個電子電路。第1基板W1與第2基板W2，係大致同徑。另外，第1基板W1與第2基板W2之一者，係例如亦可為未形成電子電路的基板。
在以下中，係如圖2所示般，將第1基板W1的板面中與第2基板W2接合之側的板面記載為「接合面W1j」，將與接合面W1j相反側的板面記載為「非接合面W1n」。又，將第2基板W2的板面中與第1基板W1接合之側的板面記載為「接合面W2j」，將與接合面W2j相反側的板面記載為「非接合面W2n」。
如圖1所示般，接合系統1，係具備有：搬入搬出站2；及處理站3。搬入搬出站2，係被配置於處理站3之X軸負方向側，並與處理站3一體連接。
搬入搬出站2，係具備有：載置台10；及搬送區域20。載置台10，係具備有：複數個載置板11。在各載置板11，係分別載置有以水平狀態收容複數片(例如25片)基板的匣盒C1～C4。匣盒C1，係可收容複數片第1基板W1，匣盒C2，係可收容複數片第2基板W2，匣盒C3，係可收容複數片重合基板T。匣盒C4，係例如用以回收產生不良狀況之基板的匣盒。另外，載置於載置板11之匣盒C1～C4的個數，係不限定於圖示者。
搬送區域20，係被配置為鄰接於載置台10的X軸正方向側。在搬送區域20，係設置有：搬送路徑21，在Y軸方向上延伸；及搬送裝置22，可沿著搬送路徑21移動。搬送裝置22，係不僅沿Y軸方向，亦可沿X軸方向移動且可繞Z軸旋轉。搬送裝置22，係在被載置於載置板11的匣盒C1～C4與後述之處理站3的第3處理區塊G3之間，進行第1基板W1、第2基板W2及重合基板T的搬送。
如此一來，搬入搬出站2，係將第1基板W1及第2基板W2搬送至處理站3，並從處理站搬送第1基板W1及第2基板W2所接合而成的重合基板T。
在處理站3，係例如設置有3個處理區塊G1、G2、G3。第1處理區塊G1，係被配置於處理站3的背面側(圖1之Y軸正方向側)。又，第2處理區塊G2，係被配置於處理站3的正面側(圖1之Y軸負方向側)，第3處理區塊G3，係被配置於處理站3的搬入搬出站2側(圖1之X軸負方向側)。
在第1處理區塊G1，係配置有將第1基板W1及第2基板W2之接合面W1j、W2j進行改質的表面改質裝置30。表面改質裝置30，係以在第1基板W1及第2基板W2之接合面W1j、W2j，藉由電漿照射形成懸空鍵(dangling bond)，且其後容易被親水化的方式，將接合面W1j、W2j進行改質。
具體而言，在表面改質裝置30中，係例如在減壓環境下，處理氣體即氧氣或氮氣會被激發而電漿化。而且，藉由該氧離子或氮離子被照射至第1基板W1及第2基板W2之接合面W1j、W2j的方式，接合面W1j、W2j被電漿處理而改質。
又，在第1處理區塊G1，係配置有表面親水化裝置40。表面親水化裝置40，係藉由例如純水來使第1基板W1及第2基板W2之接合面W1j、W2j親水化，並且洗淨接合面W1j、W2j。具體而言，表面親水化裝置40，係例如一面使被保持於旋轉夾盤之第1基板W1或第2基板W2旋轉，一面將純水供給至該第1基板W1或第2基板W2上。藉此，供給至第1基板W1或第2基板W2上之純水會在第1基板W1及第2基板W2的接合面W1j、W2j上擴散，接合面W1j、W2j被親水化。
在此，係雖表示了並列配置有表面改質裝置30與表面親水化裝置40之情形的例子，但表面親水化裝置40，係亦可被層積於表面改質裝置30的上方或下方。
在第2處理區塊G2，係配置有接合裝置41。亦即，處理站3，係具備有：接合裝置41。接合裝置41，係藉由分子間作用力，接合經親水化的第1基板W1與第2基板W2。關於接合裝置41之具體的構成，係如後述。
在以第1處理區塊G1、第2處理區塊G2及第3處理區塊G3所包圍的區域，係形成有搬送區域60。在搬送區域60，係配置有搬送裝置61。搬送裝置61，係例如具有沿垂直方向、水平方向及繞垂直軸移動自如的搬送臂。該搬送裝置61，係在搬送區域60內移動，並將第1基板W1、第2基板W2及重合基板T搬送至與搬送區域60鄰接之第1處理區塊G1、第2處理區塊G2及第3處理區塊G3內的預定裝置。
又，接合系統1，係具備有：控制裝置70。控制裝置70，係控制接合系統1的動作。該控制裝置70，係例如為電腦，具備有未圖示的控制部及記憶部。控制部，係包含有微電腦或各種電路，該微電腦，係具有CPU (Central Processing Unit)、ROM(Read Only Memory)、RAM(Random Access Memory)、輸入輸出埠等。該微電腦之CPU，係藉由讀取且執行被記憶於ROM之程式的方式，實現後述的控制。又，記憶部，係例如藉由RAM、快閃記憶體(Flash Memory)等的半導體記憶體元件或硬碟、光碟等的記憶裝置而實現。
另外，該程式，係被記錄於電腦可讀取之記錄媒體者，亦可為從其記錄媒體安裝於控制裝置70的記憶部者。作為電腦可讀取之記錄媒體，係例如有硬碟(HD)、軟碟片(FD)、光碟(CD)、磁光碟(MO)、記憶卡等。
＜接合裝置＞ 接合裝置41，係如圖3所示般，具備有：第1保持機構100；及第2保持機構200。圖3，係表示實施形態之接合裝置41的一部分之構成的示意圖。
第1保持機構100，係具備有：轉動機構101；第1高度測定部102；及第1卡盤部103。第1保持機構100，係藉由第1卡盤部103，吸附並保持第1基板W1。關於第1卡盤部103之詳細內容，係如後述。具體而言，第1卡盤部103，係吸附第1基板W1的非接合面W1n。
轉動機構101，係被安裝於接合裝置41之處理容器的頂部41a。轉動機構101，係可轉動地支撐第1卡盤部103。轉動機構101，係以沿著Z軸方向的軸為中心，使第1卡盤部103轉動。
第1高度測定部102，係被安裝於處理容器的頂部41a。第1高度測定部102，係亦可被安裝於轉動機構101或第1卡盤部103。第1高度測定部102，係測定第2基板W2之接合面W2j的高度。
第1高度測定部102，係例如使用CCD攝影機的對準攝影機。第1高度測定部102，係拍攝被設置於第2基板W2之對準圖案且識別對準圖案，並測定聚焦高度來作為第2基板W2之接合面W2j的高度。
第1高度測定部102，係亦可為變位感測器。變位感測器，係例如雷射位移計。變位感測器，係朝向第2卡盤部203及第2基板W2照射雷射光，並接收其反射光，藉此，測定第2基板W2之接合面W2j的高度。第1保持機構100，係亦可具備對準攝影機、變位感測器作為第1高度測定部102。
第2保持機構200，係具備有：移動機構201；第2高度測定部202；及第2卡盤部203。第2保持機構200，係藉由第2卡盤部203，吸附並保持第2基板W2。關於第2卡盤部203之詳細內容，係如後述。具體而言，第2卡盤部203，係吸附第2基板W2的非接合面W2n。
移動機構201，係使第2高度測定部202及第2卡盤部203往水平方向及上下方向移動。移動機構201，係具備有：第1移動機構201a；第2移動機構201b；及第3移動機構201c。
第1移動機構201a，係被設置於接合裝置41之處理容器的地板部41b，使第2高度測定部202及第2卡盤部203沿著在Y軸方向上延伸的軌道移動。第2移動機構201b，係被安裝於第1移動機構201a的上部。第2移動機構201b，係被設置於第1移動機構201a的上面，使第2高度測定部202及第2卡盤部203沿著在X軸方向上延伸的軌道移動。第3移動機構201c，係被安裝於第2移動機構201b，使第2高度測定部202及第2卡盤部203沿著上下方向移動。
第2高度測定部202，係被安裝於第2卡盤部203。第2高度測定部202，係測定第1基板W1之接合面W1j的高度。與第1高度測定部102相同地，第2高度測定部202，係對準攝影機或變位感測器。
＜第1卡盤部＞ 其次，參閱圖4，說明關於第1卡盤部103。圖4，係表示實施形態之第1卡盤部103及第2卡盤部203之構成的示意圖。
第1卡盤部103，係具備有：支撐部110；第1保持部111；第1吸引部112；及第1變形部113。
支撐部110，係可轉動地被安裝於轉動機構101(參閱圖3)。支撐部110，係被形成為圓形。在支撐部110，係形成有收容第1變形部113的第1收容室110a。第1收容室110a，係被形成於支撐部110的中央。
第1保持部111，係被安裝於支撐部110的下面，並被固定於支撐部110。第1保持部111，係被形成為圓形。在第1保持部111，係形成有吸引孔120a與***孔120b。第1保持部111，係從上方吸附保持第1基板W1。
吸引孔120a，係被設置於第1保持部111的外周部與中間部。吸引孔120a，係形成有複數個。***孔120b，係被形成於第1保持部111之中央，且***有後述的第1變形部113之致動器114a的前端。
第1吸引部112，係被連接於吸引孔120a。第1吸引部112，係例如由真空泵。使用第1吸引部112進行抽真空，藉此，第1基板W1之外周部被吸附保持於第1保持部111。
第1變形部113，係被設置於第1收容室110a，該第1收容室110a，係被形成於支撐部110。第1變形部113之一部分，係亦可被設置於轉動機構101(參閱圖3)。第1變形部113，係具備有：致動器114a；及汽缸114b。
致動器114a，係藉由從電空調整器(未圖示)所供給的空氣，在固定方向產生固定壓力。致動器114a，係可無關於壓力之作用點的位置而固定產生壓力。致動器114a之前端，係可抵接於第1基板W1之上面的中央部，控制施加於第1基板W1之中央部的推壓荷重。
汽缸114b，係支撐致動器114a。汽缸114b，係例如藉由內建有馬達的驅動部，使致動器114a沿上下方向上移動。
第1變形部113，係藉由致動器114a來控制對第1基板W1的推壓荷重，藉由汽缸114b來控制致動器114a的移動。第1變形部113，係將被吸附保持於第1保持部111之第1基板W1的中央部朝下方推壓，使第1基板W1往下方彎曲。亦即，第1變形部113，係使被保持於第1保持部111之第1基板W1的中央部朝向下方突出。第1變形部113，係可藉由控制致動器114a之移動量的方式，調整第1基板W1之中央部的突出量。
＜第2卡盤部＞ 其次，參閱圖4及圖5，說明關於第2卡盤部203。圖5，係表示實施形態之第2保持部211的平面示意圖。第2卡盤部203，係具備有：基台部210；第2保持部211；第2吸引部212；及第2變形部213。
基台部210，係被安裝於第3移動機構201c(參閱圖3)。基台部210，係圓形。在基台部210，係形成有收容測定部240的收容室210a。收容室210a，係被形成於基台部210的中央。
在基台部210，係形成有***孔210b。***孔210b，係與收容室210a連通。***孔210b，係被形成於基台部210的中央。
基台部210(基底部之一例)，係在與第2保持部211之間形成壓力可變空間243(變形空間之一例)，且安裝有第2保持部211，該壓力可變空間243，係藉由加壓的方式，使第2保持部211朝向上方突出。
又，在基台部210，係形成有吸引孔210c及吸引排氣孔210d。吸引孔210c，係形成有複數個。在吸引孔210c之周圍，係設置有密封構件220。
密封構件220，係被安裝於基台部210，密封壓力可變空間243與吸引孔210c。密封構件220，係可進行伸縮。密封構件220，係例如唇密封。密封構件220，係例如被安裝於突出部210e，該突出部210e，係從基台部210朝向上方突出。密封構件220，係抵接於第2保持部211的下面。
第2保持部211，係被設置於第1保持部111之下方，從下方吸附保持被接合於第1基板W1的第2基板W2。第2保持部211，係被設置於基台部210的上方。第2保持部211，係圓形。在第2保持部211之周圍，係設置有固定環222。第2保持部211，係藉由固定環222被固定於基台部210。
第2保持部211，係例如藉由氧化鋁陶瓷或碳化矽等的陶瓷材料所形成。第2保持部211，係往上下方向及水平方向伸縮自如。第2保持部211，係可實現高精度的平面且高回復性。
第2保持部211之上面，係圓形。第2保持部211之上面的直徑，係大於第2基板W2的直徑。第2保持部211之中央部的厚度，係大於外周部的厚度。在第2保持部211之上面，係設置有第1肋板211a(壁部之一例)。第1肋板211a，係亦可與第2保持部211分開設置，亦可被設置於第2保持部211，且亦可與第2保持部211一體設置。第1肋板211a，係將第2基板W2之吸附區域劃分成複數個分割區域230。亦即，在第2基板W2之吸附區域，係含有複數個分割區域230。
第1肋板211a，係例如在X軸方向、Y軸方向及傾斜方向，以抑制第2基板W2變形並吸附保持的方式，將吸附區域劃分成複數個分割區域230。
具體而言，第1肋板211a，係沿著第2保持部211的徑方向亦即第2基板W2的徑方向，將吸附區域劃分成複數個分割區域230。例如，第1肋板211a，係沿著第2保持部211的徑方向，將吸附區域劃分成3個分割區域230。另外，沿著第2保持部211的徑方向所劃分之分割區域230的數量，係不限於此，只要被劃分成2個以上的分割區域230即可。
又，第1肋板211a，係沿著第2保持部211的周方向亦即第2基板W2的周方向，將吸附區域劃分成複數個分割區域230。
例如，第1肋板211a，係沿著第2保持部211的周方向，將被形成於第2保持部211之最外周側的分割區域230劃分成複數個分割區域230。例如，第1肋板211a，係沿著第2保持部211的周方向，將被形成於第2保持部211之最外周側的分割區域230劃分成8個分割區域230。
又，第1肋板211a，係在第2保持部211之徑方向，沿著第2保持部211的周方向，將被形成於比最外周側更往一個內側的分割區域230劃分成複數個分割區域230。例如，第1肋板211a，係沿著第2保持部211的周方向，將被形成於比最外周側更往一個內側的分割區域230劃分成8個分割區域230。
另外，沿著第2保持部211的周方向所劃分之分割區域230的數量，係不限於此，只要被劃分成2個以上的分割區域230即可。
又，第1肋板211a，係亦可在第2保持部211之徑方向，沿著第2保持部211的周方向，將最中心部側的分割區域230劃分成複數個分割區域230。亦即，第1肋板211a，係沿著第2保持部211的周方向，將沿著第2保持部211之徑方向所形成的複數個分割區域230中之至少一個分割區域230進一步劃分成複數個分割區域230。
另外，第1肋板211a，係亦可沿著第2保持部211的徑方向及第2保持部211的周方向之任一者的方向，將吸附區域劃分成複數個分割區域230。
在第2保持部211之下面，係設置有第2肋板211b。第2肋板211b，係在第2保持部211之上面成為水平的情況下，抵接於基台部210。在第2保持部211的下面與基台部210的上面之間，係形成有壓力可變空間243。
在第2保持部211，係形成有吸引孔211c。吸引孔211c，係形成有複數個。吸引孔211c，係與各分割區域230對應而形成。亦即，吸引孔211c，係被形成於每個分割區域230。如此一來，在第2保持部211，係形成有與複數個分割區域230對應的複數個吸引孔211c。
在第2保持部211之下面，密封構件220抵接於吸引孔211c的周圍。吸引孔211c，係與吸引孔210c連通，該吸引孔210c，係經由密封構件220被形成於基台部210。
第2吸引部212，係具備有：真空泵250；及複數個調整器251。真空泵250，係經由配管252被連接於各吸引孔210c。亦即，真空泵250，係被連接於複數個吸引孔211c，該複數個吸引孔211c，係被形成於第2保持部211。第2吸引部212，係經由複數個吸引孔211c吸引第2基板W2。
複數個調整器251，係被設置於與各吸引孔211c連接的配管252，調整各吸引孔211c中之吸引力，亦即各分割區域230中之第2基板W2的吸附力。
藉由真空泵250進行抽真空並控制各調整器251，藉此，分別調整各分割區域230中之第2基板W2的吸附力，且第2基板W2被吸附保持於第2保持部211。第2吸引部212，係藉由控制裝置70(參閱圖1)來控制。亦即，真空泵250及各調整器251，係藉由控制裝置70來控制，分別調整各分割區域230中之吸附力。如此一來，第2吸引部212(吸引部之一例)，係在第2基板W2之吸附區域所含有的複數個分割區域230中產生不同的吸附力。
另外，第2吸引部212，係亦可設置複數個真空泵250，藉由複數個真空泵250調整各分割區域230中之第2基板W2的吸附力。
第2變形部213，係具備有：真空泵260；及電空調整器261。
真空泵260，係經由切換閥262被連接於吸引排氣孔210d。藉由真空泵260進行抽真空，藉此，將壓力可變空間243減壓。藉由將壓力可變空間243減壓的方式，第2保持部211之第2肋板211b抵接於基台部210。在該情況下，第2保持部211之上面，係成為水平。
電空調整器261，係經由切換閥262被連接於吸引排氣孔210d。電空調整器261，係將空氣供給至壓力可變空間243，對壓力可變空間243進行加壓。藉此，第2保持部211，係從下方被推壓。第2保持部211之外周部，係藉由固定環222被固定於基台部210。因此，藉由從下方被推壓的方式，第2保持部211之中央部，係朝向比外周部更往上方突出。
切換閥262，係切換吸引排氣孔210d、真空泵260及電空調整器261的連接狀態。
第2變形部213，係藉由對壓力可變空間243進行加壓的方式，使被保持於第2保持部211之第2基板W2的中央部朝向上方突出。藉此，第2基板W2彎曲。亦即，第2變形部213，係使被保持於第2保持部211之第2基板W2的中央部相對於第2基板W2的外周部突出。第2變形部213，係可藉由調整壓力可變空間243之壓力的方式，調整第2基板W2之中央部的突出量。
測定部240，係測定第2保持部211的突出量，亦即第2基板W2之中央部的突出量。測定部240，係例如靜電電容感應器。靜電電容感應器，係測定由感測器面與測定目標240a所形成的靜電電容之變化來作為感測器面與測定目標240a的距離。
測定目標240a，係被安裝於第2保持部211之下面的中央，與第2保持部211一起往上下方向移動。測定目標240a，係被***基台部210的***孔210b。在測定目標240a之周圍，係設置有密封構件(未圖示)例如V型環。
＜接合處理＞ 其次，參閱圖6之流程圖，說明關於實施形態的接合處理。圖6，係說明實施形態之接合處理的流程圖。圖6所示之各處理，係基於控制裝置70的控制來執行。
控制裝置70，係進行第1搬入處理(S100)。控制裝置70，係藉由搬送裝置61，使「藉由表面改質裝置30進行表面改質，且藉由表面親水化裝置40而親水化」的第1基板W1搬入接合裝置41。而且，控制裝置70，係在以使第1基板W1之非接合面W1n成為上方的方式，使第1基板W1反轉後，藉由第1卡盤部103，吸附保持第1基板W1的非接合面W1n。
控制裝置70，係進行第2搬入處理(S101)。第1搬送處理及第2搬送處理之順序，係亦可相反。控制裝置70，係藉由搬送裝置61，使「藉由表面改質裝置30進行表面改質，且藉由表面親水化裝置40而親水化」的第2基板W2搬入接合裝置41。而且，控制裝置70，係藉由第2卡盤部203，吸附保持第2基板W2的非接合面W2n。
控制裝置70，係控制第2吸引部212(吸引部之一例)。具體而言，控制裝置70，係以產生每個分割區域230所設定之吸附力的方式，控制真空泵250及調整器251，吸附保持第2基板W2。控制裝置70，係在複數個分割區域230中產生不同的吸附力，吸附保持第2基板。另外，複數個分割區域230，係亦可含有產生相同吸附力的分割區域230。
例如，控制裝置70，係如圖7所示般，將複數個分割區域230分配為「A」～「G」，以產生吸附力。圖7，係表示實施形態之分割區域230的吸附力之分配例的圖。圖7中標記了相同符號之分割區域230，係產生相同吸附力。
又，控制裝置70，係亦可在各分割區域230中，藉由相同吸附力吸附保持第2基板W2後，以產生每個分割區域230所設定之吸附力的方式，控制真空泵250及調整器251。
控制裝置70，係進行接合處理(S102)。具體而言，控制裝置70，係在調整第1基板W1及第2基板W2之水平方向的位置後，調整第1基板W1及第2基板W2之上下方向的位置。
其次，控制裝置70，係藉由第1變形部113，將藉由第1保持部111所吸附保持之第1基板W1的中央部朝下方推壓，使第1基板W1朝向下方彎曲。
又，控制裝置70，係藉由電空調整器261，將空氣供給至壓力可變空間243，對壓力可變空間243進行加壓。藉此，吸附保持於第2保持部211之第2基板W2朝向上方彎曲。另外，第2基板W2，係成為「藉由在各分割區域230中產生之吸附力而被吸附於第2保持部211」的狀態。
藉此，如圖8所示般，第1基板W1之中央部與第2基板W2之中央部接觸，開始第1基板W1之中央部與第2基板W2之中央部的接合。圖8，係表示在實施形態之接合裝置41中，開始第1基板W1與第2基板W2的接合之狀態的示意圖。
第1基板W1及第2基板W2，係進行表面改質處理。因此，產生凡得瓦力(分子間作用力)，各基板W1、W2之接合面W1j、W2j彼此間被接合。而且，第1基板W1及第2基板W2，係進行親水化處理。因此，各基板W1、W2之接合面W1j、W2j的親水基進行氫鍵結，各基板W1、W2之接合面W1j、W2j彼此間被緊固地接合。
其次，控制裝置70，係停止第1吸引部112的吸引。藉此，解除第1保持部111之第1基板W1的吸附保持，第1基板W1，係從中央部到外周部落下至第2基板W2上，第1基板W1及第2基板W2被接合而形成重合基板T。
如此一來，控制裝置70，係在複數個分割區域230中產生不同的吸附力，進行第1基板W1與第2基板W2的接合。
控制裝置70，係進行搬出處理(S103)。控制裝置70，係藉由搬送裝置61，從接合裝置41搬出重合基板T。
＜效果＞ 接合裝置41，係具備有：第1保持部111；第1變形部113；第2保持部211；第2變形部213；第2吸引部212(吸引部之一例)；及控制裝置70。第1保持部111，係從上方吸附保持第1基板W1。第1變形部113，係使被保持於第1保持部111之第1基板W1的中央部朝向下方突出。第2保持部211，係被設置於比第1保持部111更下方，從下方吸附保持被接合於第1基板W1的第2基板W2。第2變形部213，係使被吸附保持於第2保持部211之第2基板W2的中央部朝向上方突出。第2吸引部212，係在第2基板W2之吸附區域所含有的複數個分割區域230中產生不同的吸附力。控制裝置70，係控制第2吸引部212。
藉此，接合裝置41，係可藉由在複數個分割區域230中所產生之不同的吸附力，吸附保持第2基板W2。因此，接合裝置41，係可抑制「在被吸附保持於第2保持部211之第2基板W2發生變形」的情形，並抑制重合基板T之變形的發生，從而使重合基板T的接合精度提高。
又，第2保持部211，係具備有：第1肋板211a(壁部之一例)，將吸附區域劃分成複數個分割區域230。
藉此，接合裝置41，係可精度良好地調整在複數個分割區域230中所產生的吸附力，並可抑制第2基板W2之變形的發生，從而使重合基板T的接合精度提高。
又，第1肋板211a，係沿著第2基板W2的徑方向，將吸附區域劃分成複數個分割區域230。
藉此，接合裝置41，係可在第2基板W2之徑方向產生不同的吸附力，並可抑制第2基板W2的徑方向之變形的發生。因此，接合裝置41，係可使重合基板T的接合精度提高。
又，第1肋板211a，係沿著第2基板W2的周方向，將吸附區域劃分成複數個分割區域230。
藉此，接合裝置41，係可在第2基板W2之周方向產生不同的吸附力，並可抑制第2基板W2的周方向之變形的發生。因此，接合裝置41，係可使重合基板T的接合精度提高。
又，在第2保持部211，係形成有與複數個分割區域230對應的複數個吸引孔211c。第2吸引部212，係經由複數個吸引孔211c吸引第2基板W2。
藉此，接合裝置41，係可對每個分割區域230調整吸引力，並可抑制「在被吸附保持於第2保持部211之第2基板W2發生變形」的情形。因此，接合裝置41，係可抑制重合基板T之變形的發生，從而使重合基板T的接合精度提高。
又，接合裝置41，係具備有：基台部210(基底部之一例)；及密封構件220。基台部210，係在與第2保持部211之間形成壓力可變空間243(變形空間之一例)，且安裝有第2保持部211，該壓力可變空間243，係藉由加壓的方式，使第2保持部211朝向上方突出。密封構件220，係被安裝於基台部210，密封壓力可變空間243與吸引孔211c且可伸縮。密封構件220，係抵接於第2保持部211的下面。
藉此，接合裝置41，係可抑制在第2保持部211之下面形成凹凸的情形。因此，接合裝置41，係在對壓力可變空間243進行加壓而使第2保持部211朝向上方突出的情況下，可抑制第2保持部211之上面的變形，亦即第2基板W2之變形的發生。因此，接合裝置41，係可抑制重合基板T之變形的發生，從而使重合基板T的接合精度提高。
＜變形例＞ 變形例之接合裝置41的控制裝置70，係亦可在第1基板W1與第2基板W2之接合處理期間，變更複數個分割區域230的吸附力。例如，變形例之接合裝置41，係亦可在接合處理期間，藉由預先設定的時間點，變更複數個分割區域230的吸附力。變形例之接合裝置41，係亦可在複數個分割區域230之一部分的區域變更吸附力。又，變形例之接合裝置41，係亦可在接合處理期間，變更複數個分割區域230的吸附力複數次。另外，吸附力之變更，係含有使吸附力為零，亦即解除分割區域230中之第2基板W2的吸附。
藉此，變形例之接合裝置41，係可抑制接合處理中之第2基板W2之變形的發生，從而使重合基板T的接合精度提高。
又，變形例之接合裝置41，係亦可基於接合處理中之第2基板W2的狀態，例如第2基板W2的溫度，在第1基板W1與第2基板W2之接合處理期間，變更複數個分割區域230的吸附力。第2基板W2之溫度，係例如藉由被設置於第2保持部211的溫度感測器來檢測。
藉此，變形例之接合裝置41，係可抑制接合處理中之第2基板W2之變形的發生，從而使重合基板T的接合精度提高。
又，變形例之接合裝置41的控制裝置70，係亦可基於接合前之第2基板W2的狀態，設定複數個分割區域230的吸附力。第2基板W2之狀態，係包含第2基板W2的厚度或第2基板W2的翹曲量或第2基板W2的溫度等。變形例之接合系統1，係如圖9所示般，具備有：檢測裝置43，暫時載置第2基板W2，並檢測第2基板W2的狀態。圖9，係表示實施形態之變形例的接合系統1之構成的示意圖。
又，變形例之接合裝置41，係亦可基於接合前之第2基板W2的狀態，在第1基板W1與第2基板W2之接合處理期間，變更複數個分割區域230的吸附力。
藉此，變形例之接合裝置41，係可因應第2基板W2的狀態來設定分割區域230中之吸附力，並可抑制接合處理中之第2基板W2之變形的發生，從而使重合基板T的接合精度提高。
又，變形例之接合裝置41，係亦可與第2卡盤部203相同地，在第1卡盤部103中，在第1保持部111與支撐部110之間形成壓力可變空間，藉由對壓力可變空間進行加壓的方式，使第1基板W1往下方彎曲。
又，變形例之接合裝置41，係亦可與第2卡盤部203相同地，設置將第1卡盤部103中之吸附區域劃分成複數個分割區域230的肋板，並在複數個分割區域230中產生不同的吸附力。
藉此，變形例之接合裝置41，係可抑制第1基板W1之變形的發生，從而使重合基板T的接合精度提高。
又，變形例之接合裝置41，係亦可適當地組合上述變形例的接合裝置41而進行接合處理。例如，變形例之接合裝置41，係亦可在第1卡盤部103中，在第1基板W1與第2基板W2之接合處理期間，變更複數個分割區域230的吸附力。
另外，吾人認為本次所揭示之實施形態，係在所有方面皆為例示而非限定者。實際上，上述實施形態，係可藉由多種形態來實現。又，上述的實施形態，係亦可不脫離添附之申請專利範圍及其意旨，以各種形態進行省略、置換、變更。
1:接合系統 2:搬入搬出站 3:處理站 41:接合裝置 70:控制裝置 103:第1卡盤部 110:支撐部 111:第1保持部 112:第1吸引部 113:第1變形部 203:第2卡盤部 210:基台部(基底部) 211:第2保持部 211a:第1肋板(壁部) 211c:吸引孔 212:第2吸引部 213:第2變形部 220:密封構件 230:分割區域 W1:第1基板 W2:第2基板
[圖1]圖1，係表示實施形態之接合系統之構成的示意圖。 [圖2]圖2，係表示實施形態之第1基板及第2基板的接合前之狀態的示意圖。 [圖3]圖3，係表示實施形態之接合裝置的一部分之構成的示意圖。 [圖4]圖4，係表示實施形態之第1卡盤部及第2卡盤部之構成的示意圖。 [圖5]圖5，係表示實施形態之第2保持部的平面示意圖。 [圖6]圖6，係說明實施形態之接合處理的流程圖。 [圖7]圖7，係表示實施形態之分割區域的吸附力之分配例的圖。 [圖8]圖8，係表示在實施形態之接合裝置中，開始第1基板與第2基板的接合之狀態的示意圖。 [圖9]圖9，係表示實施形態之變形例的接合系統之構成的示意圖。
211:第2保持部
211a:第1肋板
211c:吸引孔
220:密封構件
230:分割區域

Claims (11)

  1. 一種接合裝置，其特徵係，具備有： 第1保持部，從上方吸附保持第1基板； 第1變形部，使被保持於前述第1保持部之前述第1基板的中央部朝向下方突出； 第2保持部，被設置於比前述第1保持部更下方，從下方吸附保持被接合於前述第1基板的第2基板； 第2變形部，使被保持於前述第2保持部之前述第2基板的中央部朝向上方突出； 吸引部，在前述第2基板之吸附區域所含有的複數個分割區域中產生不同的吸附力；及 控制裝置，控制前述吸引部。
  2. 如請求項1之接合裝置，其中， 前述第2保持部，係具備有： 壁部，將前述吸附區域劃分成前述複數個分割區域。
  3. 如請求項2之接合裝置，其中， 前述壁部，係沿著前述第2基板的徑方向，將前述吸附區域劃分成前述複數個分割區域。
  4. 如請求項2或3之接合裝置，其中， 前述壁部，係沿著前述第2基板的周方向，將前述吸附區域劃分成前述複數個分割區域。
  5. 如請求項2或3之接合裝置，其中， 在前述第2保持部，係形成有與前述複數個分割區域對應的複數個吸引孔， 前述吸引部，係經由前述複數個吸引孔吸引前述第2基板。
  6. 如請求項5之接合裝置，其中，具備有： 基底部，在與前述第2保持部之間形成變形空間，且安裝有前述第2保持部，該變形空間，係藉由加壓的方式，使前述第2保持部朝向上方突出；及 可伸縮之密封構件，被安裝於前述基底部，密封前述變形空間與前述吸引孔， 前述密封構件，係抵接於前述第2保持部的下面。
  7. 如請求項2或3之接合裝置，其中， 前述控制裝置，係在前述第1基板與前述第2基板之接合處理期間，變更前述複數個分割區域的吸附力。
  8. 如請求項2或3之接合裝置，其中， 前述控制裝置，係基於接合前之前述第2基板的狀態，設定前述複數個分割區域的吸附力。
  9. 一種接合系統，其特徵係，具備有： 處理站，具有如請求項1~8中任一項之接合裝置；及 搬入搬出站，將前述第1基板及前述第2基板搬送至前述處理站，並從前述處理站搬送前述第1基板及前述第2基板所接合而成的重合基板。
  10. 一種接合方法，其特徵係，包含有： 第1保持工程，藉由第1保持部，從上方吸附保持第1基板； 第1變形工程，使藉由前述第1保持部所吸附保持之前述第1基板的中央部朝向下方突出； 第2保持工程，藉由被設置於比前述第1保持部更下方之第2保持部，從下方吸附保持第2基板； 第2變形工程，使藉由前述第2保持部所吸附保持之前述第2基板的中央部朝向上方突出；及 接合工程，使前述第1基板與前述第2基板接觸，將前述第1基板與前述第2基板接合，該第1基板，係前述中央部朝向下方突出，該第2基板，係前述中央部朝向上方突出， 前述第2保持工程，係在前述第2基板之吸附區域所含有的複數個分割區域中產生不同的吸附力。
  11. 一種記憶媒體，係記憶有程式，該程式，係使電腦執行如請求項10之接合方法。
TW110105615A 2020-03-02 2021-02-19 接合裝置、接合系統、接合方法及記憶媒體 TW202137288A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020035113A JP7488062B2 (ja) 2020-03-02 2020-03-02 接合装置、接合システム、接合方法および記憶媒体
JP2020-035113 2020-03-02

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW202137288A true TW202137288A (zh) 2021-10-01

Family

ID=77464202

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW110105615A TW202137288A (zh) 2020-03-02 2021-02-19 接合裝置、接合系統、接合方法及記憶媒體

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11715663B2 (zh)
JP (1) JP7488062B2 (zh)
KR (1) KR20210111158A (zh)
CN (1) CN113345817A (zh)
TW (1) TW202137288A (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210023298A (ko) * 2019-08-22 2021-03-04 삼성전자주식회사 기판 본딩 장치 및 이를 이용한 반도체 소자 제조 방법
JP7418924B2 (ja) * 2020-05-13 2024-01-22 株式会社ディスコ 保持機構
WO2024046578A1 (de) * 2022-09-02 2024-03-07 Ev Group E. Thallner Gmbh Vakuumsubstrathalter mit optimierter vakuumdichtung

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101809760B1 (ko) * 2009-09-28 2017-12-15 가부시키가이샤 니콘 가압 모듈, 가압 장치 및 기판 접합 장치
JP2013008921A (ja) * 2011-06-27 2013-01-10 Toshiba Corp 半導体製造装置及び製造方法
JP2014229787A (ja) 2013-05-23 2014-12-08 東京エレクトロン株式会社 接合装置、接合システム、接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
KR102258288B1 (ko) * 2013-05-29 2021-05-31 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하 기판을 결합하기 위한 방법 및 장치
US9576827B2 (en) * 2014-06-06 2017-02-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Apparatus and method for wafer level bonding
WO2016060274A1 (ja) * 2014-10-17 2016-04-21 ボンドテック株式会社 基板どうしの接合方法、基板接合装置
US9490158B2 (en) * 2015-01-08 2016-11-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Bond chuck, methods of bonding, and tool including bond chuck
JP6727069B2 (ja) * 2016-08-09 2020-07-22 東京エレクトロン株式会社 接合装置および接合システム
TW201826333A (zh) 2016-11-16 2018-07-16 日商尼康股份有限公司 保持構件、接合裝置、及接合方法
US10410892B2 (en) * 2016-11-18 2019-09-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Method of semiconductor wafer bonding and system thereof
TWI818942B (zh) * 2018-01-17 2023-10-21 日商東京威力科創股份有限公司 接合裝置及接合方法
JP6755373B2 (ja) 2019-08-23 2020-09-16 東京エレクトロン株式会社 基板保持ステージ

Also Published As

Publication number Publication date
US11715663B2 (en) 2023-08-01
US20210272836A1 (en) 2021-09-02
CN113345817A (zh) 2021-09-03
JP2021141115A (ja) 2021-09-16
JP7488062B2 (ja) 2024-05-21
KR20210111158A (ko) 2021-09-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6727069B2 (ja) 接合装置および接合システム
TW202137288A (zh) 接合裝置、接合系統、接合方法及記憶媒體
TW201933427A (zh) 接合系統及接合方法
CN109923640B (zh) 接合装置、接合***、接合方法和计算机存储介质
JP6640546B2 (ja) 接合装置、接合システムおよび接合方法
WO2019142708A1 (ja) 基板処理装置、および基板処理方法
JP6925160B2 (ja) 接合装置
JP6861872B2 (ja) 接合装置および接合システム
JP6616181B2 (ja) 接合装置
JP6854696B2 (ja) 接合装置および接合方法
JP6685154B2 (ja) 接合装置および接合方法
JP6895770B2 (ja) 接合装置および接合システム
JP2020120137A (ja) 基板処理装置
JP6244188B2 (ja) 接合装置、接合方法および接合システム
JP6755373B2 (ja) 基板保持ステージ
JP6797267B2 (ja) 接合システムおよび接合方法
JP2018026415A (ja) 接合装置および接合システム
WO2021015028A1 (ja) 接合装置、および接合方法
WO2020196011A1 (ja) 接合装置および接合方法
JP7105956B2 (ja) 接合装置
WO2024128046A1 (ja) 接合装置、接合システムおよび接合方法
JP6752134B2 (ja) 表面改質装置および接合システム
JP2024006935A (ja) 接合装置および接合方法
JP2024049185A (ja) 基板処理装置、および基板の保持方法
TW202410255A (zh) 接合裝置及接合方法