JP7479700B2 - 基板接合装置 - Google Patents
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Description
第1基板と第2基板とを接合する基板接合装置であって、
前記第1基板を支持する第1支持台と、
前記第2基板の接合面を前記第1基板の接合面に対向させた状態で前記第2基板を支持する第2支持台と、
前記第1支持台が前記第1基板を支持した状態で前記第1基板の周部を保持する第1保持部と、
前記第1保持部を駆動する保持部駆動部と、
前記第1基板が前記第1支持台に全面で接触した状態で保持され且つ前記第2基板が前記第2支持台に全面で接触した状態で支持された状態から、前記第1基板の中央部が前記第1基板の周部に対して前記第2基板側に突出するように前記第1基板が撓んだ状態で支持され、前記第1基板の接合面の中央部と前記第2基板の接合面の中央部とが接触した状態にし、その後、前記第1基板と前記第2基板との接合が進むにつれて前記第1基板が中央部から周部に向かって漸次前記第1支持台から離脱するとともに、前記第2基板が中央部から周部に向かって漸次前記第2支持台から離脱しながら、前記第1基板と前記第2基板との接合を進ませた後、前記第1基板の周部を前記第2基板の周部に接触させて前記第1基板の接合面と前記第2基板の接合面とを全面で張り合わせる際、前記第1保持部による前記第1基板の周部の保持を解除するように前記保持部駆動部を制御する制御部と、を備え、
前記第1支持台は、前記第1基板を支持した状態で前記第1基板に対向する基板接触領域が同一面内であり、前記第1基板が中央部から周部に向かって漸次前記第1支持台から離脱するとともに、前記第2基板が中央部から周部に向かって漸次前記第2支持台から離脱する際、前記第1基板が前記第1支持台から離脱し易くし且つ前記第2基板が前記第2支持台から離脱し易くするために、前記基板接触領域の内側全体が粗面加工され、
前記基板接触領域の表面の算術平均粗さは、0.1μm乃至1mmであり、
前記第1支持台が前記第1基板を支持した状態で、前記第1支持台と前記第1基板との間に気体を吐出して前記第1支持台と前記第1基板との間に形成される隙間に気体を充満させる気体吐出部を更に備え、
前記制御部は、更に、前記第1支持台の前記基板接触領域と前記第1基板との間に気体を吐出して前記第1支持台と前記第1基板との間に形成される隙間に気体を充満させて前記第1保持部に密着した前記第1基板を剥がす方向へ圧力をかけて前記第1基板を前記第1保持部から離脱させるように前記気体吐出部を制御する。
以下、本発明の実施の形態に係る基板接合装置について、図を参照しながら説明する。本実施の形態に係る基板接合装置は、2つの基板同士を予め設定された基準真空度以上の真空度の真空チャンバ内で、互いに接合される接合面に対して活性化処理および親水化処理が施された2つの基板同士を接触させて加圧および加熱することにより、2つの基板を接合する。ここで、活性化処理では、基板の接合面に特定のエネルギ粒子を当てることにより基板の接合面を活性化する。また、親水化処理では、活性化処理により活性化した基板の接合面近傍に水等を供給することにより基板の接合面を親水化する。
本実施の形態に係る基板接合装置は、大気圧下で、互いに接合される接合面に対して活性化処理および親水化処理が施された2つの基板301、302同士を接触させて加圧および加熱することにより、2つの基板301、302を接合する。図12に示すように、本実施の形態に係る基板接合装置2100は、真空チャンバを備えていない点で実施の形態1に係る基板接合装置100と相違する。なお、図12において、実施の形態1と同様の構成については図1と同一の符号を付している。なお、以下の説明では、本実施の形態に係る基板接合装置について実施の形態1に係る基板接合装置100と同様の構成について、図1乃至図9に示す符号と同じ符号を用いて説明する。
本実施の形態に係る基板接合装置は、図1に示す実施の形態1で説明した基板接合装置100と同様である。但し、本実施の形態に係る基板接合装置は、実施の形態1に係るステージ401、ヘッド402の代わりに図18Aおよび図18Bに示すようなステージ3401、ヘッド3402を備える点で実施の形態1で説明した基板接合装置100と相違する。なお、以下の説明では、本実施の形態に係る基板接合装置について実施の形態1に係る基板接合装置100と同様の構成について、図1乃至図9Cに示す符号と同じ符号を用いて説明する。また、図18Aおよび図18Bにおいて、実施の形態1と同様の構成については図3Aおよび図3Bと同一の符号を付している。
Claims (2)
- 第1基板と第2基板とを接合する基板接合装置であって、
前記第1基板を支持する第1支持台と、
前記第2基板の接合面を前記第1基板の接合面に対向させた状態で前記第2基板を支持する第2支持台と、
前記第1支持台が前記第1基板を支持した状態で前記第1基板の周部を保持する第1保持部と、
前記第1保持部を駆動する保持部駆動部と、
前記第1基板が前記第1支持台に全面で接触した状態で保持され且つ前記第2基板が前記第2支持台に全面で接触した状態で支持された状態から、前記第1基板の中央部が前記第1基板の周部に対して前記第2基板側に突出するように前記第1基板が撓んだ状態で支持され、前記第1基板の接合面の中央部と前記第2基板の接合面の中央部とが接触した状態にし、その後、前記第1基板と前記第2基板との接合が進むにつれて前記第1基板が中央部から周部に向かって漸次前記第1支持台から離脱するとともに、前記第2基板が中央部から周部に向かって漸次前記第2支持台から離脱しながら、前記第1基板と前記第2基板との接合を進ませた後、前記第1基板の周部を前記第2基板の周部に接触させて前記第1基板の接合面と前記第2基板の接合面とを全面で張り合わせる際、前記第1保持部による前記第1基板の周部の保持を解除するように前記保持部駆動部を制御する制御部と、を備え、
前記第1支持台は、前記第1基板を支持した状態で前記第1基板に対向する基板接触領
域が同一面内であり、前記第1基板が中央部から周部に向かって漸次前記第1支持台から離脱するとともに、前記第2基板が中央部から周部に向かって漸次前記第2支持台から離脱する際、前記第1基板が前記第1支持台から離脱し易くし且つ前記第2基板が前記第2支持台から離脱し易くするために、前記基板接触領域の内側全体が粗面加工され、
前記基板接触領域の表面の算術平均粗さは、0.1μm乃至1mmであり、
前記第1支持台が前記第1基板を支持した状態で、前記第1支持台と前記第1基板との間に気体を吐出して前記第1支持台と前記第1基板との間に形成される隙間に気体を充満させる気体吐出部を更に備え、
前記制御部は、更に、前記第1支持台の前記基板接触領域と前記第1基板との間に気体を吐出して前記第1支持台と前記第1基板との間に形成される隙間に気体を充満させて前記第1保持部に密着した前記第1基板を剥がす方向へ圧力をかけて前記第1基板を前記第1保持部から離脱させるように前記気体吐出部を制御する、
基板接合装置。 - 前記気体は、イオンを含んだ気体または水を含んだ気体である、
請求項1に記載の基板接合装置。
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