TWI828718B - 陶瓷化具有改善的翹曲的玻璃製品的方法 - Google Patents
陶瓷化具有改善的翹曲的玻璃製品的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI828718B TWI828718B TW108123511A TW108123511A TWI828718B TW I828718 B TWI828718 B TW I828718B TW 108123511 A TW108123511 A TW 108123511A TW 108123511 A TW108123511 A TW 108123511A TW I828718 B TWI828718 B TW I828718B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- weight percent
- glass
- stack
- glass sheets
- plate
- Prior art date
Links
- 239000011521 glass Substances 0.000 title claims abstract description 336
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 90
- 230000001976 improved effect Effects 0.000 title abstract description 7
- 238000003279 ceramming Methods 0.000 title abstract 2
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 36
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 58
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 28
- 238000002468 ceramisation Methods 0.000 claims description 20
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 claims description 16
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 claims description 16
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 claims description 12
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims description 9
- 239000010959 steel Substances 0.000 claims description 9
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 claims description 8
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 claims description 8
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 7
- 238000010791 quenching Methods 0.000 claims description 6
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims 2
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 abstract description 81
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 35
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 9
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 abstract description 2
- 239000006112 glass ceramic composition Substances 0.000 description 28
- 239000000463 material Substances 0.000 description 28
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 25
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 20
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 18
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 16
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 15
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 14
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 11
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 9
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 9
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 7
- PAZHGORSDKKUPI-UHFFFAOYSA-N lithium metasilicate Chemical compound [Li+].[Li+].[O-][Si]([O-])=O PAZHGORSDKKUPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052912 lithium silicate Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 6
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 6
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 6
- FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N Li2O Inorganic materials [Li+].[Li+].[O-2] FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910000272 alkali metal oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M dilithium;hydroxide Chemical compound [Li+].[Li+].[OH-] XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 5
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 4
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000010433 feldspar Substances 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 239000000047 product Substances 0.000 description 4
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920005479 Lucite® Polymers 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 3
- 230000002500 effect on skin Effects 0.000 description 3
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 3
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 3
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 3
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 239000011819 refractory material Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- GOLCXWYRSKYTSP-UHFFFAOYSA-N Arsenious Acid Chemical compound O1[As]2O[As]1O2 GOLCXWYRSKYTSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007545 Vickers hardness test Methods 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 alkali metal cations Chemical class 0.000 description 2
- 230000000845 anti-microbial effect Effects 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000004031 devitrification Methods 0.000 description 2
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 2
- 239000005337 ground glass Substances 0.000 description 2
- 239000000146 host glass Substances 0.000 description 2
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 description 2
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 229910008556 Li2O—Al2O3—SiO2 Inorganic materials 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006501 ZrSiO Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000323 aluminium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- HEHRHMRHPUNLIR-UHFFFAOYSA-N aluminum;hydroxy-[hydroxy(oxo)silyl]oxy-oxosilane;lithium Chemical group [Li].[Al].O[Si](=O)O[Si](O)=O.O[Si](=O)O[Si](O)=O HEHRHMRHPUNLIR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000844 anti-bacterial effect Effects 0.000 description 1
- ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N antimony trioxide Inorganic materials O=[Sb]O[Sb]=O ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000889 atomisation Methods 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000001351 cycling effect Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 229910001409 divalent cation oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000006025 fining agent Substances 0.000 description 1
- 238000005188 flotation Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007496 glass forming Methods 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 239000002920 hazardous waste Substances 0.000 description 1
- KWLMIXQRALPRBC-UHFFFAOYSA-L hectorite Chemical compound [Li+].[OH-].[OH-].[Na+].[Mg+2].O1[Si]2([O-])O[Si]1([O-])O[Si]([O-])(O1)O[Si]1([O-])O2 KWLMIXQRALPRBC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000271 hectorite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 230000001050 lubricating effect Effects 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000005297 material degradation process Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 230000003278 mimic effect Effects 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical group 0.000 description 1
- 239000002667 nucleating agent Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000008520 organization Effects 0.000 description 1
- 229910052670 petalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000006064 precursor glass Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000007761 roller coating Methods 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 238000006748 scratching Methods 0.000 description 1
- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 description 1
- 238000007652 sheet-forming process Methods 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 229910001256 stainless steel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000601 superalloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008093 supporting effect Effects 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- YEAUATLBSVJFOY-UHFFFAOYSA-N tetraantimony hexaoxide Chemical compound O1[Sb](O2)O[Sb]3O[Sb]1O[Sb]2O3 YEAUATLBSVJFOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B27/00—Tempering or quenching glass products
- C03B27/04—Tempering or quenching glass products using gas
- C03B27/0404—Nozzles, blow heads, blowing units or their arrangements, specially adapted for flat or bent glass sheets
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B32/00—Thermal after-treatment of glass products not provided for in groups C03B19/00, C03B25/00 - C03B31/00 or C03B37/00, e.g. crystallisation, eliminating gas inclusions or other impurities; Hot-pressing vitrified, non-porous, shaped glass products
- C03B32/02—Thermal crystallisation, e.g. for crystallising glass bodies into glass-ceramic articles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B27/00—Tempering or quenching glass products
- C03B27/04—Tempering or quenching glass products using gas
- C03B27/0413—Stresses, e.g. patterns, values or formulae for flat or bent glass sheets
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C21/00—Treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by diffusing ions or metals in the surface
- C03C21/001—Treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by diffusing ions or metals in the surface in liquid phase, e.g. molten salts, solutions
- C03C21/002—Treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by diffusing ions or metals in the surface in liquid phase, e.g. molten salts, solutions to perform ion-exchange between alkali ions
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Re-Forming, After-Treatment, Cutting And Transporting Of Glass Products (AREA)
Abstract
提供了包括用於熱處理玻璃片以形成玻璃陶瓷製品的載具板、定型器板及玻璃片的玻璃堆疊配置。本文中所述的玻璃堆疊配置及元件被選定為在陶瓷化過程期間改善整個玻璃堆疊內的熱均勻性,同時維持或甚至減少生成的玻璃陶瓷製品中的應力。因此,與依據常規過程製作的玻璃陶瓷製品相比,依據本文中所述的各種實施例製作的玻璃陶瓷製品展現了改善的光學品質及較少的翹曲。描述了載具板、定型器板、隔離劑組成及堆疊玻璃片的方法的各種實施例。
Description
此申請案依據專利法主張於2018年7月16日所提出之序號第62/698563號之美國臨時申請案及於2018年10月24日所提出之序號第62/749815號之美國臨時申請案的優先權權益,其中的每一者的整體內容以引用方式依附及併入本文中。
本說明書大致與用於陶瓷化玻璃片的方法及裝置相關,且更詳細而言是與陶瓷化具有改善的翹曲的玻璃片的方法相關。
常規的陶瓷過程利用陶瓷及/或耐火材料作為定型器。然而,此類材料不能夠產生具有適用於光學顯示器中的光學品質的玻璃陶瓷。雖然不被現有理論束縛,但據信,陶瓷及/或耐火材料的導熱及熱容量限制可能在玻璃陶瓷上造成翹曲或產生表皮效應。
在製造過程期間也可能由於玻璃片的堆疊而引入翹曲。詳細而言,翹曲可以由堆疊中的玻璃片黏附到其他玻璃片及/或定型器、整個堆疊內的玻璃片的厚度變化及向玻璃堆疊施加的負載所造成。
因此,需要適用於生產具有高的光學品質及減少的翹曲的玻璃陶瓷片的替代方法及裝置。
依據一個實施例,一種陶瓷化複數個玻璃片的方法包括以下步驟:將複數個玻璃片的第一部分定位在第一定型器板與第二定型器板之間的第一堆疊中,及在玻璃堆疊配置中在第一堆疊的頂部上將複數個玻璃片的第二部分定位在第二定型器板與第三定型器板之間的第二堆疊中;及將玻璃堆疊配置暴露於陶瓷化循環以陶瓷化複數個玻璃片。複數個玻璃片的第一部分及複數個玻璃片的第二部分中的每一者包括從5個玻璃片到15個玻璃片。
依據另一個實施例,一種陶瓷化複數個玻璃片的方法包括以下步驟:機械加工複數個玻璃片中的每一者以減少複數個玻璃片中的厚度變化;在玻璃堆疊配置中將複數個玻璃片定位在第一定型器板與第二定型器板之間;及將玻璃堆疊配置暴露於陶瓷化循環以陶瓷化複數個玻璃片。
將在隨後的詳細說明中闡述額外的特徵及優點,且本領域中的技術人員將藉由該說明容易理解該等特徵及優點的一部分,或藉由實行如本文中所述的實施例來認識該等特徵及優點,該等實施例包括了隨後的詳細說明、申請專利範圍以及附圖。
要了解到,上述的一般說明及以下的詳細說明都描述了印刷組成、在基板上印刷的方法及印刷過的基板的各種實施例,且意欲提供概觀或架構以供了解所請求保護的標的的本質及特性。包括了附圖以提供各種實施例的進一步了解,且將該等附圖併入此說明書且構成此說明書的一部分。該等附圖繪示本文中所述的各種實施例,且與說明書一起用來解釋所主張的標的的原理及操作。
現將詳細參照用於形成具有改善的光學品質及減少的翹曲的玻璃陶瓷製品的方法及裝置的各種實施例,該等實施例的實例被繪示在附圖中。將儘可能使用相同的參考標號來在所有附圖指稱相同或類似的部件。
一般而言,本文中所述的是包括用於熱處理玻璃片以形成玻璃陶瓷製品的載具板、定型器板及玻璃片的玻璃堆疊配置。本文中所述的玻璃堆疊配置及元件被選定為在陶瓷化過程期間改善整個玻璃堆疊內的熱均勻性,同時維持或甚至減少生成的玻璃陶瓷製品中的應力。因此,與依據常規過程製作的玻璃陶瓷製品相比,依據本文中所述的各種實施例製作的玻璃陶瓷製品展現了改善的光學品質及較少的翹曲。本文中將具體參照附圖來描述載具板、定型器板、隔離劑組成及堆疊玻璃片的方法的各種實施例。
如本文中所使用的指向性用語(例如上、下、右、左、前、後、頂、底、垂直、水平)是僅參照如所繪製的圖式而作出的,且不是要暗示絕對的定向,除非另有明確陳述。
除非另有明確表明,絕不要將本文中所闡述的任何方法解釋為需要其步驟以特定順序執行,也不需要任何的裝置特定的定向。因此,若一個方法請求項實際上並未記載要由其步驟依循的順序,或任何裝置請求項實際上並未記載個別元件的順序或定向,或在請求項或說明書中未另有具體表明步驟要受限於特定的順序,或未記載裝置的元件的特定順序或定向,則絕不要在任何方面推斷順序或定向。此對於用於解譯的任何可能的非明示基礎都是如此,包括:針對步驟、操作流程、元件順序或元件定向的佈置的邏輯事項;推導自文法組織或標點符號的一般意義;及說明書中所述的實施例的數量或類型。
如本文中所使用的,單數形式「一個」及「該」包括了複數的指涉對象,除非上下文另有清楚指示。因此,例如對於「一個」元件的指稱包括了具有二或更多個此類元件的態樣,除非上下文另有清楚指示。
一般而言,用於形成玻璃陶瓷的過程包括以下步驟:形成玻璃製品及陶瓷化該玻璃製品以將該玻璃製品轉變成玻璃陶瓷形式。參照圖1,繪示了用於陶瓷化的示例堆疊配置100。堆疊配置100包括支撐兩個定型器板104的載具板102以及定位在定型器板104之間的玻璃堆疊106。
在一些實施例中,絕緣層(未示出)可以位於上定型器板104的頂面上及下定型器板104的底面上。絕緣層可以由具有低導熱率的任何材料所形成,且可以減少或甚至消除玻璃堆疊106的頂部及底部上的玻璃片108的軸向溫度梯度。
如圖1中所示,玻璃堆疊106包括複數個玻璃片108,每個玻璃片108藉由隔離劑層110與相鄰的玻璃片108分開。如下文將更詳細描述的,隔離劑層110減少或甚至消除玻璃堆疊106中的玻璃片108在陶瓷化過程期間的黏附。雖然未描繪在圖1中,但在一些實施例中,玻璃堆疊106在玻璃片108與定型器板104之間也可以更包括隔離劑層110。在其他的實施例中,例如在下文所述的各種實施例中,定型器板104由不與玻璃片108反應的材料製作,且不需要隔離劑層110來防止玻璃片108與定型器板104之間的交互作用。
一般而言,為了形成玻璃陶瓷,將玻璃堆疊106在高於該玻璃堆疊的退火點的溫度下加熱達足以產生晶核(也稱為成核相)的時間。可以例如在退火爐或爐中執行熱處理。在加熱到高於玻璃的退火點之後,接著進一步加熱玻璃(通常在玻璃退火點與玻璃軟化點之間的較高溫度下加熱)以產生晶相(也稱為結晶相)。在各種實施例中,熱處理或陶瓷化過程包括以下步驟:將玻璃堆疊加熱到成核溫度;維持成核溫度達預定的時間段;將玻璃堆疊加熱到結晶溫度;及維持結晶溫度達預定的時間段。在一些實施例中,將玻璃堆疊加熱到成核溫度的步驟可以包括以下步驟:用1-10℃/分鐘的速率將玻璃堆疊加熱到約700℃的成核溫度。可以將玻璃堆疊維持在成核溫度下達從約¼小時到約4小時的時間。將玻璃堆疊加熱到結晶溫度的步驟可以包括以下步驟:用1-10℃/分鐘的速率將玻璃堆疊加熱到約800°C的結晶溫度。可以將玻璃堆疊維持在成核溫度下達從約¼小時到約4小時的時間。
然而,預期的是,取決於特定的實施例,可以使用其他的熱處理排程(包括變化時間及/或溫度)。詳細而言,熱處理步驟的溫度-時間性分佈被選定為產生以下屬性中的一或更多者:玻璃陶瓷的晶相、一或更多種主要晶相及/或一或更多種次要晶相與殘餘玻璃的比例、一或更多種主要晶相及/或一或更多種次要晶相與殘餘玻璃的晶相組合及一或更多種主要晶相及/或一或更多種次要晶相之中的晶粒尺寸或晶粒尺寸分佈,此轉而可以影響生成的玻璃陶瓷製品的最終的完整性、品質、色彩及/或不透明性。
在加熱到成核溫度及維持該溫度達預定的時間之後,將玻璃堆疊冷卻回到室溫。在各種實施例中,冷卻速率被控制為低達約450℃的溫度,之後可以在不影響應力的情況下將玻璃陶瓷製品淬火,如圖2中所示。因此,在各種實施例中,陶瓷化過程包括以下步驟:用約4℃/分鐘的速率從最大溫度受控地冷卻到約450℃的溫度,隨後是淬火步驟,以使溫度達到約室溫。
已經大致描述了堆疊配置100,現將針對堆疊配置100的元件提供額外的細節。載具板
在各種實施例中,載具板102支撐二或更多個定型器板104。可以將載具板102的結構及材料選定為控制堆疊配置100中裝載在該載具板的頂部上的玻璃片的熱均勻性。在一些實施例中,載具板102具有開放的載具設計(示出圖3中),而在其他的實施例中,載具板102具有封閉的載具設計(示於圖4中)。在圖3中所描繪的實施例中,載具板102為約17%的固態金屬(例如鋼),而在圖4中所描繪的實施例中,載具板102是由具有約45%的固態金屬的反應結合的碳化矽桿製作的空心板。
為了估算載具板的熱影響,運行熱模型,該熱模型假設由反應結合的碳化矽製作的載具板及8 mm厚的定型器板上具有9個堆疊及每個堆疊中23個玻璃片的生產規模容量。如圖5的建模資料中所示,由於導熱,與開放的鋼載具板上的玻璃堆疊相比,空心載具板上的玻璃堆疊展現減少的熱均勻性。詳細而言,對於由碳化矽桿(圖4)製作的載具而言,與由開放的鋼網格設計(圖3)製作的載具相比,預期較大的玻璃堆疊溫度變化,除了在玻璃溫度是低的時候的早期加熱階段以外。此外,儘管事實是反應結合的碳化矽是比鋼更好的熱導體,由載具板阻擋直接輻射也增加了整體的加熱時間。
因此,雖然可以將各種設計及材料用於載具板102,但在各種實施例中,載具板由鋼製作且具有開放的網格設計,如圖3中所描繪。定型器板
如圖1中所示,在各種實施例中,載具板102支撐至少兩個定型器板104。例如,雖然圖1中所示的實施例包括單個玻璃堆疊106,其中一個定型器板104在玻璃堆疊106上方且一個定型器板104在玻璃堆疊106與載具板102之間,但預期的是,也可以包括額外的定型器板104,例如定位在玻璃堆疊106內的定型器板,及/或藉由將多個玻璃堆疊106定位在載具板102上來包括額外的定型器板104,其中每個玻璃堆疊106至少具有在玻璃堆疊106上方的定型器板104及在玻璃堆疊106與載具板102之間的定型器板104。
雖然大部分的常規陶瓷過程利用陶瓷及耐火材料來形成定型器板,但此類材料具有導熱及熱容量限制,此使得它們不適於產生某些應用所需要或需求的高的光學品質。此外,由此類材料製作的定型器板可能經歷熱膨脹、氧化及蠕變,此可能轉而導致玻璃陶瓷製品中的翹曲。
並且,結合玻璃堆疊106的定型器板104提供了側向導熱路徑以散佈來自加熱構件的輻射熱,此可以降低平面內的玻璃片溫度變化。最小化溫度變化可以轉而導致減少玻璃陶瓷製品中的平面內應力及翹曲。因此,在各種實施例中,定型器板104被選定為最大化玻璃片溫度變化的減少。詳細而言,定型器板104被選定為具有特定的比熱容量、密度及熱擴散率。
依據各種實施例,定型器板具有如在室溫下依據ASTM E1461所量測到的從約670 J/kg*K到約850 J/kg*K的比熱容量(cp
)。例如,定型器板可以具有如在室溫下依據ASTM E1461所量測到的從約670 J/kg*K到約850 J/kg*K、從約670 J/kg*K到約800 J/kg*K、從約670 J/kg*K到約750 J/kg*K或從約670 J/kg*K到約700 J/kg*K,及其間的所有範圍及子範圍的比熱容量。雖然不被現有理論束縛,但據信,在特定的熱容量超出此範圍時,材料不能夠用適當的速率放熱及受熱,此在堆疊配置中的玻璃中造成了應力及翹曲。
在各種實施例中,附加性或替代性地,可以將定型器板選定為具有如依據ASTM C20所量測到的大於約2500 kg/m3
的主體密度。例如,定型器板可以具有如依據ASTM C20所量測到的從約2500 kg/m3
到約4000 kg/m3
、從約2750 kg/m3
到約3750 kg/m3
或從約3000 kg/m3
到約3500 kg/m3
,及其間的所有範圍及子範圍的主體密度。雖然不被現有理論束縛,但據信,具有此範圍中的主體密度的材料具有低的多孔性且不顯著增加堆疊中的重量。太低的主體密度可能導致材料隨時間劣化及減少材料的使用壽命,而太高的主體密度可能由於玻璃上的力增加而導致堆疊中的應力。
並且,在各種實施例中,定型器板具有大於約2.50 x 10-5
m2
/s的熱擴散率。例如,定型器板的熱擴散率可以從約2.50 x 10-5
m2
/s到約5.50 x 10-4
m2
/s、從約3.0 x 10-5
m2
/s到約5.00 x 10-4
m2
/s、從約4.0 x 10-5
m2
/s到約4.50 x 10-4
m2
/s、從約4.50 x 10-5
m2
/s到約4.00 x 10-4
m2
/s、從約5.00 x 10-5
m2
/s到約3.50 x 10-4
m2
/s、從約5.50 x 10-5
m2
/s到約3.00 x 10-4
m2
/s、從約6.00 x 10-5
m2
/s到約2.50 x 10-4
m2
/s、從約6.50 x 10-5
m2
/s到約2.0 x 10-4
m2
/s、從約7.00 x 10-5
m2
/s到約2.00 x 10-4
m2
/s或從約7.50 x 10-5
m2
/s到約1.50 x 10-4
m2
/s,及其間的所有範圍及子範圍。雖然不被現有理論束縛,但若熱擴散率太低,則材料將花費太長時間加熱及冷卻,從而造成堆疊中將導致應力及翹曲的熱梯度。然而,若熱擴散率太高,則也可能由於在堆疊中賦予熱梯度而導致應力。與在堆疊的中心中的玻璃片相反,與定型器板接觸的玻璃片會受到不同速率下的導熱影響。可以依據以下等式來界定熱擴散率α:
其中k
是導熱率(W/m*K),ρ是密度(kg/m3
),且cp
是比熱容量(J/kg*K)。
因此,在各種實施例中,定型器板具有如在室溫下依據ASTM E1461所量測到的大於約100 W/m-K、大於約125 W/m-K、大於約150 W/m-K、大於約175 W/m-K或甚至大於約180 W/m-K的導熱率(k)。例如,定型器板可以具有如在室溫下依據ASTM E1461所量測到的從約100 W/m-K到約350 W/m-K、從約125 W/m-K到約325 W/m-K、從約150 W/m-K到約300 W/m-K、從約175 W/m-K到約275 W/m-K或從約180 W/m-K到約250 W/m-K,及其間的所有範圍及子範圍的導熱率。雖然不被現有理論束縛,但導熱率太高或太低可能在堆疊中誘發熱梯度,從而導致應力及翹曲。
具有所需的比熱容量、密度及熱擴散率的各種材料可以適用於形成本文中所述的定型器板。特別適用的一個示例材料是反應結合的碳化矽(SiSiC)。在實施例中,定型器板104可以包括從約85重量百分比到約90重量百分比的反應結合碳化矽。定型器板104可以更包括從約10重量百分比到約15重量百分比的矽金屬(Si)及聯結劑。藉由實例而非限制的方式,可以適用於形成定型器板104的市售反應結合碳化矽產品可以包括可從Saint-Gobain陶瓷材料公司取得的CRYSTAR RBTM
。
為了確認用來形成定型器板的材料的熱性質的影響,使用了三種不同的材料來形成具有8 mm的厚度的定型器板。詳細而言,實例A由反應結合碳化矽所形成,比較實例1使用氮化物結合的碳化矽來形成,且比較實例2使用矽耐火板來形成。表格1中提供了此等材料中的每一者的熱性質。
表格
1
:
量測了加熱期間的玻璃堆疊的ΔT。圖6中示出了結果。詳細而言,如圖6中所示,反應結合碳化矽在過程期間展現了減少的加熱時間及減少的ΔT。使用由矽耐火板所形成的定型器板的比較實例2展現了顯著較大的溫度變化,很可能是因為它是不良的熱導體。然而,實例A及比較實例1(氮化物結合的碳化矽)的較大的熱擴散率顯示了更均勻的溫度。
除了減少玻璃堆疊中的溫度變化以外,與常規材料相比,各種實施例的定型器板104由賦予較低的應力的材料所製作。例如,與常規的定型器板材料相比,反應結合碳化矽的熱擴散率在陶瓷化熱處理之後在玻璃陶瓷製品中賦予較低的應力。如圖7中所示,與跟矽耐火板定型器板接觸的堆疊(圖表的右側)相比,反應結合碳化矽在堆疊上產生較低的最大應力(圖表的左側)。雖然不被現有理論束縛,但據信,由反應結合碳化矽的熱擴散率所造成的減少的溫度差量減少了玻璃陶瓷製品中的應力,因為此生長晶體且製品中發生相變。應力減少直接影響玻璃陶瓷製品中的翹曲。詳細而言,增加的應力在製品中誘發較高的翹曲,此可以使得該製品不可用於某些應用,例如手持式電子顯示器。然而,反應結合碳化矽的使用減少了玻璃陶瓷製品中的應力,藉此在最終產品中提供了低的翹曲。
在各種實施例中,進一步基於材料與載具板102及玻璃陶瓷製品不具反應性來選定用來形成定型器板104的材料。反應結合碳化矽是展示與一般用來形成載具板102的材料起低度反應或甚至不起反應的示例材料。詳細而言,在空氣中在高達800℃下測試了由反應結合碳化矽所製作且與不銹鋼合金及Ni基超合金金屬載具板接觸的定型器板達24小時及達100小時。如圖8中所示,SEM(掃描式電子顯微鏡)及EDX檢查顯示,金屬與反應結合碳化矽不起反應。具體而言,在載具板表面上沒有發現Si顯示,沒有與反應結合碳化矽微結構中的游離Si起反應。
並且,依據XRD相群表徵,在熱陶瓷化過程期間與反應結合碳化矽材料接觸的Li基的玻璃陶瓷並未展現任何表皮效應。例如,如圖9中所示,與反應結合碳化矽定型器板(A)接觸的玻璃的相與主體玻璃(B)類似。
除了相對於其他材料具有改善的熱性質以外,反應結合碳化矽還具有低的多孔性(>1%),由於對於氧化、破裂及經由擴散而與其他元素及材料起反應的反應性的抗性增加,此可以增加定型器板在熱循環期間的使用壽命。
在各種實施例中,也調整定型器板104的尺度以減少玻璃陶瓷製品中的翹曲。詳細而言,將定型器板104的厚度及定型器板104的平坦度控制為減少玻璃陶瓷中的翹曲及應力。
在陶瓷化過程期間,形成玻璃堆疊106且與定型器板104接觸的玻璃片108移動且順應於定型器板104的平坦度。在各種實施例中,可以將定型器板104機械加工為在成形之後獲得特定的平坦度。如本文中所使用的,用語「平坦度」指的是由兩個平行的平面所界定的容差區,表面位於該容差區內。例如,100 µm的平坦度意味著,表面必須完全位在最多分開達100 µm的兩個平行的平面之間。圖10中示出了定型器板104的平坦度對玻璃陶瓷製品的平坦度的影響。具體而言,如圖10中所示,與具有700 µm的平坦度的定型器板相比,對於具有100 µm的平坦度的定型器板而言,玻璃陶瓷製品的最大翹曲減少了。
圖10進一步展示,使用額外的重量(例如如試樣組1中所使用的雙倍重量)並未顯著減少翹曲。例如,對於試樣組1、試樣組2及試樣組3中的每一者而言,每組的前五個試樣使用具有100 µm的平坦度的定型器來執行,而每組的後5個試樣使用具有700 µm的平坦度的定型器來執行。與重量無關,較平坦的定型器將翹曲減少到大約相同的量,如由將比較試樣組1(其具有雙倍重量)與試樣組2及3(其中的每一者具有相等的重量)進行比較所示。
在各種實施例中,定型器板104的最大平坦度為小於或等於約100 µm、小於或等於約75 µm、小於或等於約50 µm、小於或等於約45 µm、小於或等於約40 µm、小於或等於約35 µm、小於或等於約30 µm,或甚至小於或等於約25 µm。
可以使用CMM及觸碰式及/或非觸碰式探針來量測平坦度。在各種實施例中,量測密度在整個掃掠軌跡線內是1點/mm,且量測區域為相對於定型器板的側邊向內約10 mm。對準的原點是在短邊的中心處,如圖11中所示。為了定位原點,CMM尋找定型器板104的角,且計算兩個角之間的距離。原點是該距離除二。為了決定檢驗區域,將探針在原點處相對於定型器板的邊緣向內水平移動10 mm。接著,將探針向上移動約325 mm到起點。掃掠在該點處開始。每條線之間的間隔為約15 mm,且用蛇形圖案掃描定型器板,如圖11中所示。使用最小區法藉由CMM來估算平坦度。
定型器板104(示於圖1中)的厚度t
被至少部分地選定為平衡定型器板104對玻璃堆疊106的具有翹曲誘發的熱效應。詳細而言,厚度應為了導熱及均勻性而最小化,但應為了強度及翹曲抗性而最大化。因此,在各種實施例中,定型器板104的厚度t
為從約6.5 mm到約10 mm,或從約7 mm到約9.5 mm,或從約7.5 mm到約9 mm,或從約7.9 mm到約8.2 mm,及其間的所有範圍及子範圍。
可以進一步基於在玻璃堆疊106上所施加的力來選定用來形成定型器板104的材料的密度及定型器板104的厚度。圖12繪示玻璃堆疊上的額外的力如何可以導致玻璃陶瓷製品中的應力增加。詳細而言,如圖12中所示,添加重量不僅未改善翹曲(例如減少最大翹曲),還進一步增加了玻璃堆疊內的各種點處的最大應力。雖然不被現有理論束縛,但據信,添加額外的力在收縮發生時在陶瓷化過程期間約束了玻璃片。因此,據信材料在陶瓷化過程期間自由移動的能力減少了玻璃陶瓷製品中的翹曲。在各種實施例中,由反應結合碳化矽製作的定型器板104可以提供良好的導熱,同時維持低的施力,藉此在玻璃陶瓷製品中造成低的翹曲及應力。玻璃片
玻璃片108可以由適於形成玻璃陶瓷製品的任何玻璃組成製作,然而應了解到,玻璃片108的玻璃組成也可以影響玻璃陶瓷製品的機械及光學性質。在各種實施例中,玻璃組成被選定為使得生成的玻璃陶瓷製品具有透鋰長石晶相及矽酸鋰晶相,且其中該透鋰長石晶相及該矽酸鋰晶相具有比存在於玻璃陶瓷製品中的其他晶相高的重量百分比。
藉由實例而非限制的方式,在各種實施例中,玻璃片108可以由一種玻璃組成所形成,該玻璃組成包括從約55重量百分比到約80重量百分比的SiO2
、從約2重量百分比到約20重量百分比的Al2
O3
、從約5重量百分比到約20重量百分比的Li2
O、從約0重量百分比到約10重量百分比的B2
O3
、從約0重量百分比到約5重量百分比的Na2
O、從約0重量百分比到約10重量百分比的ZnO、從約0.5重量百分比到約6重量百分比的P2
O5
,及從約0.2重量百分比到約15重量百分比的ZrO2
。
SiO2
(涉及玻璃形成的氧化物)可以用來穩定玻璃及玻璃陶瓷的網絡結構。在各種玻璃組成中,在玻璃片被熱處理到轉換成玻璃陶瓷時,SiO2
的濃度應高到足以形成透鋰長石晶相。可以限制SiO2
的量以控制玻璃的熔化溫度,因為純SiO2
或高SiO2
玻璃的熔化溫度是不合需要地高的。在一些實施例中,玻璃或玻璃陶瓷組成包括從約55重量百分比到約80重量百分比的SiO2
。在一些實施例中,玻璃或玻璃陶瓷組成包括從約69重量百分比到約80重量百分比的SiO2
。在一些實施例中,玻璃或玻璃陶瓷組成可以包括從約55重量百分比到約80重量百分比、約55重量百分比到約77重量百分比、約55重量百分比到約75重量百分比、約55重量百分比到約73重量百分比、約60重量百分比到約80重量百分比、約60重量百分比到約77重量百分比、約60重量百分比到約75重量百分比、約60重量百分比到約73重量百分比、約69重量百分比到約80重量百分比、約69重量百分比到約77重量百分比、約69重量百分比到約75重量百分比、約69重量百分比到約73重量百分比、約70重量百分比到約80重量百分比、約70重量百分比到約77重量百分比、約70重量百分比到約75重量百分比、約70重量百分比到約73重量百分比、約73重量百分比到約80重量百分比、約73重量百分比到約77重量百分比、約73重量百分比到約75重量百分比、約75重量百分比到約80重量百分比、約75重量百分比到約77重量百分比或約77重量百分比到約80重量百分比的SiO2
。
Al2
O3
也可以向網絡提供穩定作用,且也提供了改善的機械性質及化學耐久性。然而,若Al2
O3
的量太高,則矽酸鋰晶體的比例可能減少,可能達到不能形成互鎖結構的程度。可以定制Al2
O3
的量以控制黏度。進一步地,若Al2
O3
的量太高,則熔體的黏度一般也增加。在一些實施例中,玻璃或玻璃陶瓷組成可以包括從約2重量百分比到約20重量百分比的Al2
O3
。在一些實施例中,玻璃或玻璃陶瓷組成可以包括從約6重量百分比到約9重量百分比的Al2
O3
。在一些實施例中,玻璃或玻璃陶瓷組成可以包括從約2重量百分比到約20重量百分比、約2重量百分比到約18重量百分比、約2重量百分比到約15重量百分比、約2重量百分比到約12重量百分比、約2重量百分比到約10重量百分比、約2重量百分比到約9重量百分比、約2重量百分比到約8重量百分比、約2重量百分比到約5重量百分比、約5重量百分比到約20重量百分比、約5重量百分比到約18重量百分比、約5重量百分比到約15重量百分比、約5重量百分比到約12重量百分比、約5重量百分比到約10重量百分比、約5重量百分比到約9重量百分比、約5重量百分比到約8重量百分比、6重量百分比到約20重量百分比、約6重量百分比到約18重量百分比、約6重量百分比到約15重量百分比、約6重量百分比到約12重量百分比、約6重量百分比到約10重量百分比、約6重量百分比到約9重量百分比、8重量百分比到約20重量百分比、約8重量百分比到約18重量百分比、約8重量百分比到約15重量百分比、約8重量百分比到約12重量百分比、約8重量百分比到約10重量百分比、10重量百分比到約20重量百分比、約10重量百分比到約18重量百分比、約10重量百分比到約15重量百分比、約10重量百分比到約12重量百分比、約12重量百分比到約20重量百分比、約12重量百分比到約18重量百分比或約12重量百分比到約15重量百分比的Al2
O3
。
在本文中的玻璃及玻璃陶瓷中,Li2
O有助於形成透鋰長石及矽酸鋰晶相。事實上,為了獲得透鋰長石及矽酸鋰作為主要晶相,在組成中有至少約7重量百分比的Li2
O是合乎需要的。此外,已經發現,一旦Li2
O太高(大於約15重量百分比),組成就變得非常容易流動。因此,在一些實施例中,玻璃或玻璃陶瓷組成可以包括從約5重量百分比到約20重量百分比的Li2
O。在其他的實施例中,玻璃或玻璃陶瓷可以包括從約10重量百分比到約14重量百分比的Li2
O。在一些實施例中,玻璃或玻璃陶瓷組成可以包括從約5重量百分比到約20重量百分比、約5重量百分比到約18重量百分比、約5重量百分比到約16重量百分比、約5重量百分比到約14重量百分比、約5重量百分比到約12重量百分比、約5重量百分比到約10重量百分比、約5重量百分比到約8重量百分比、約7重量百分比到約20重量百分比、約7重量百分比到約18重量百分比、約7重量百分比到約16重量百分比、約7重量百分比到約14重量百分比、約7重量百分比到約12重量百分比、約7重量百分比到約10重量百分比、約10重量百分比到約20重量百分比、約10重量百分比到約18重量百分比、約10重量百分比到約16重量百分比、約10重量百分比到約14重量百分比、約10重量百分比到約12重量百分比、約12重量百分比到約20重量百分比、約12重量百分比到約18重量百分比、約12重量百分比到約16重量百分比、約12重量百分比到約14重量百分比、約14重量百分比到約20重量百分比、約14重量百分比到約18重量百分比、約14重量百分比到約16重量百分比、約16重量百分比到約20重量百分比、約16重量百分比到約18重量百分比或約18重量百分比到約20重量百分比的Li2
O。
如上所述,Li2
O一般可用於形成各量玻璃陶瓷,但其他的鹼金屬氧化物傾向減少玻璃陶瓷形成及在玻璃陶瓷中形成鋁矽酸鹽殘餘玻璃。已經發現,大於約5重量百分比的Na2
O或K2
O,或上述項目的組合導致不合需要的殘餘玻璃量,此可以導致晶化期間的變形及從機械性質的角度來看不合需要的微結構。可以定制殘餘玻璃的組成以控制晶化期間的黏度、最小化變形或不合需要的熱膨脹,或控制微結構性質。因此,一般而言,玻璃片可以由具有低量的非鋰鹼金屬氧化物的玻璃組成製作。在一些實施例中,玻璃或玻璃陶瓷組成可以包括從約0重量百分比到約5重量百分比的R2
O,其中R是鹼金屬陽離子Na及K中的一或更多者。在一些實施例中,玻璃或玻璃陶瓷組成可以包括從約1重量百分比到約3重量百分比的R2
O,其中R是鹼金屬陽離子Na及K中的一或更多者。在一些實施例中,玻璃或玻璃陶瓷組成可以包括從0重量百分比到約5重量百分比、0重量百分比到約4重量百分比、0重量百分比到約3重量百分比、0重量百分比到約2重量百分比、0重量百分比到約1重量百分比、>0重量百分比到約5重量百分比、>0重量百分比到約4重量百分比、>0重量百分比到約3重量百分比、>0重量百分比到約2重量百分比、>0重量百分比到約1重量百分比、約1重量百分比到約5重量百分比、約1重量百分比到約4重量百分比、約1重量百分比到約3重量百分比、約1重量百分比到約2重量百分比、約2重量百分比到約5重量百分比、約2重量百分比到約4重量百分比、約2重量百分比到約3重量百分比、約3重量百分比到約5重量百分比、約3重量百分比到約4重量百分比或約4重量百分比到約5重量百分比的Na2
O、K2
O,或上述項目的組合。
玻璃及玻璃陶瓷組成可以包括P2
O5
。P2
O5
可以充當成核劑以產生主體成核。若P2
O5
的濃度太低,則前體玻璃不結晶,但僅在較高的溫度下(由於較低的黏度)且從表面向內結晶,從而產生弱且通常變形的主體。然而,若P2
O5
的濃度太高,則可能難以控制在玻璃片的形成期間冷卻之後的失透。實施例可以包括從>0重量百分比到約6重量百分比的P2
O5
。其他的實施例可以包括從約2重量百分比到約4重量百分比的P2
O5
。又其他的實施例可以包括從約1.5重量百分比到約2.5重量百分比的P2
O5
。在一些實施例中,玻璃或玻璃陶瓷組成可以包括從0重量百分比到約6重量百分比、0重量百分比到約5.5重量百分比、0重量百分比到5重量百分比、0重量百分比到約4.5重量百分比、0重量百分比到約4重量百分比、0重量百分比到約3.5重量百分比、0重量百分比到約3重量百分比、0重量百分比到約2.5重量百分比、0重量百分比到約2重量百分比、0重量百分比到約1.5重量百分比、0重量百分比到約1重量百分比、>0重量百分比到約6重量百分比、>0重量百分比到約5.5重量百分比、>0重量百分比到5重量百分比、>0重量百分比到約4.5重量百分比、>0重量百分比到約4重量百分比、>0重量百分比到約3.5重量百分比、>0重量百分比到約3重量百分比、>0重量百分比到約>2.5重量百分比、0重量百分比到約2重量百分比、>0重量百分比到約1.5重量百分比、>0重量百分比到約1重量百分比、約0.5重量百分比到約6重量百分比、約0.5重量百分比到約5.5重量百分比、約0.5重量百分比到5重量百分比、約0.5重量百分比到約4.5重量百分比、約0.5重量百分比到約4重量百分比、約0.5重量百分比到約3.5重量百分比、約0.5重量百分比到約3重量百分比、約0.5重量百分比到約2.5重量百分比、約0.5重量百分比到約2重量百分比、約0.5重量百分比到約1.5重量百分比、約0.5重量百分比到約1重量百分比、約1重量百分比到約6重量百分比、約1重量百分比到約5.5重量百分比、約1重量百分比到5重量百分比、約1重量百分比到約4.5重量百分比、約1重量百分比到約4重量百分比、約1重量百分比到約3.5重量百分比、約1重量百分比到約3重量百分比、約1重量百分比到約2.5重量百分比、約1重量百分比到約2重量百分比、約1重量百分比到約1.5重量百分比、約1.5重量百分比到約6重量百分比、約1.5重量百分比到約5.5重量百分比、約1.5重量百分比到5重量百分比、約1.5重量百分比到約4.5重量百分比、約1.5重量百分比到約4重量百分比、約1.5重量百分比到約3.5重量百分比、約1.5重量百分比到約3重量百分比、約1.5重量百分比到約2.5重量百分比、約1.5重量百分比到約2重量百分比、約2重量百分比到約6重量百分比、約2重量百分比到約5.5重量百分比、約2重量百分比到5重量百分比、約2重量百分比到約4.5重量百分比、約2重量百分比到約4重量百分比、約2重量百分比到約3.5重量百分比、約2重量百分比到約3重量百分比、約2重量百分比到約2.5重量百分比、約2.5重量百分比到約6重量百分比、約2.5重量百分比到約5.5重量百分比、約2.5重量百分比到5重量百分比、約2.5重量百分比到約4.5重量百分比、約2.5重量百分比到約4重量百分比、約2.5重量百分比到約3.5重量百分比、約2.5重量百分比到約3重量百分比、約3重量百分比到約6重量百分比、約3重量百分比到約5.5重量百分比、約3重量百分比到5重量百分比、約3重量百分比到約4.5重量百分比、約3重量百分比到約4重量百分比、約3重量百分比到約3.5重量百分比、約3.5重量百分比到約6重量百分比、約3.5重量百分比到約5.5重量百分比、約3.5重量百分比到5重量百分比、約3.5重量百分比到約4.5重量百分比、約3.5重量百分比到約4重量百分比、約4重量百分比到約6重量百分比、約4重量百分比到約5.5重量百分比、約4重量百分比到5重量百分比、約4重量百分比到約4.5重量百分比、約4.5重量百分比到約6重量百分比、約4.5重量百分比到約5.5重量百分比、約4.5重量百分比到約5重量百分比、約5重量百分比到約6重量百分比、約5重量百分比到約5.5重量百分比或約5.5重量百分比到約6重量百分比的P2
O5
。
在本文中的各種玻璃及玻璃陶瓷組成中,一般發現,ZrO2
可以藉由顯著減少形成期間的玻璃失透及降低液相線溫度,來改善Li2
O-Al2
O3
-SiO2
-P2
O5
玻璃的穩定性。在超過8重量百分比的濃度下,ZrSiO4
可以在高溫下形成主要液相,此顯著降低了液相線黏度。在玻璃包含超過2重量百分比的ZrO2
時,可以形成透明玻璃。添加ZrO2
也可以幫助減少透鋰長石晶粒尺寸,此有助於形成透明的玻璃陶瓷。在一些實施例中,玻璃或玻璃陶瓷組成可以包括從約0.2重量百分比到約15重量百分比的ZrO2
。在一些實施例中,玻璃或玻璃陶瓷組成可以包括從約2重量百分比到約4重量百分比的ZrO2
。在一些實施例中,玻璃或玻璃陶瓷組成可以包括從約0.2重量百分比到約15重量百分比、約0.2重量百分比到約12重量百分比、約0.2重量百分比到約10重量百分比、約0.2重量百分比到約8重量百分比、約0.2重量百分比到約6重量百分比、約0.2重量百分比到約4重量百分比、約0.5重量百分比到約15重量百分比、約0.5重量百分比到約12重量百分比、約0.5重量百分比到約10重量百分比、約0.5重量百分比到約8重量百分比、約0.5重量百分比到約6重量百分比、約0.5重量百分比到約4重量百分比、約1重量百分比到約15重量百分比、約1重量百分比到約12重量百分比、約1重量百分比到約10重量百分比、約1重量百分比到約8重量百分比、約1重量百分比到約6重量百分比、約1重量百分比到約4重量百分比、約2重量百分比到約15重量百分比、約2重量百分比到約12重量百分比、約2重量百分比到約10重量百分比、約2重量百分比到約8重量百分比、約2重量百分比到約6重量百分比、約2重量百分比到約4重量百分比、約3重量百分比到約15重量百分比、約3重量百分比到約12重量百分比、約3重量百分比到約10重量百分比、約3重量百分比到約8重量百分比、約3重量百分比到約6重量百分比、約3重量百分比到約4重量百分比、約4重量百分比到約15重量百分比、約4重量百分比到約12重量百分比、約4重量百分比到約10重量百分比、約4重量百分比到約8重量百分比、約4重量百分比到約6重量百分比、約8重量百分比到約15重量百分比、約8重量百分比到約12重量百分比、約8重量百分比到約10重量百分比、約10重量百分比到約15重量百分比、約10重量百分比到約12重量百分比或約12重量百分比到約15重量百分比的ZrO2
。
B2
O3
有助於提供具有低熔化溫度的玻璃片。並且,在玻璃片中添加B2
O3
且因此在玻璃陶瓷中添加B2
O3
有助於實現互鎖晶體微結構且也可以改善玻璃陶瓷製品的損傷抗性。在殘餘玻璃中的硼不被鹼金屬氧化物或二價陽離子氧化物電荷平衡時,它將處於三角配位狀態(或三配位硼),此打開了玻璃的結構。圍繞此等三配位硼的網絡不像四面體配位(或四配位)硼一般有剛性。雖然不被現有理論束縛,但據信,包括三配位硼的玻璃片及玻璃陶瓷在裂縫形成之前可以容忍一定程度的變形。藉由容忍一些變形,維氏壓痕裂縫發源值增加。包括三配位硼的玻璃片及玻璃陶瓷的斷裂韌性也可以增加。雖然不被現有理論束縛,但據信,玻璃陶瓷的殘餘玻璃(及玻璃片)中的硼的存在降低了殘餘玻璃(或玻璃片)的黏度,此促進了矽酸鋰晶體(特別是具有高的深寬比的大型晶體)的生長。據信較大量的三配位硼(與四配位硼相比)造成了展現較大維氏壓痕裂縫模仿負載的玻璃陶瓷。在一些實施例中,三配位硼的量(佔總B2
O3
的百分比)可以為約40%或更大、50%或更大、75%或更大、85%或更大,或甚至95%或更大。一般應控制硼的量以維持陶瓷化主體玻璃陶瓷的化學耐久性及機械強度。
在一或更多個實施例中,玻璃或玻璃陶瓷組成包括從0重量百分比到約10重量百分比或從0重量百分比到約2重量百分比的B2
O3
。在一些實施例中,玻璃或玻璃陶瓷組成可以包括從0重量百分比到約10重量百分比、0重量百分比到約9重量百分比、0重量百分比到約8重量百分比、0重量百分比到約7重量百分比、0重量百分比到約6重量百分比、0重量百分比到約5重量百分比、0重量百分比到約4重量百分比、0重量百分比到約3重量百分比、0重量百分比到約2重量百分比、0重量百分比到約1重量百分比、>0重量百分比到約10重量百分比、>0重量百分比到約9重量百分比、>0重量百分比到約8重量百分比、>0重量百分比到約7重量百分比、>0重量百分比到約6重量百分比、>0重量百分比到約5重量百分比、>0重量百分比到約4重量百分比、>0重量百分比到約3重量百分比、>0重量百分比到約2重量百分比、>0重量百分比到約1重量百分比、約1重量百分比到約10重量百分比、約1重量百分比到約8重量百分比、約1重量百分比到約6重量百分比、約1重量百分比到約5重量百分比、約1重量百分比到約4重量百分比、約1重量百分比到約2重量百分比、約2重量百分比到約10重量百分比、約2重量百分比到約8重量百分比、約2重量百分比到約6重量百分比、約2重量百分比到約4重量百分比、約3重量百分比到約10重量百分比、約3重量百分比到約8重量百分比、約3重量百分比到約6重量百分比、約3重量百分比到約4重量百分比、約4重量百分比到約5重量百分比、約5重量百分比到約8重量百分比、約5重量百分比到約7.5重量百分比、約5重量百分比到約6重量百分比或約5重量百分比到約5.5重量百分比的B2
O3
。
MgO可以進入呈現部分固溶體的透鋰長石晶體。在一或更多個實施例中,玻璃或玻璃陶瓷組成可以包括從0重量百分比到約8重量百分比的MgO。在一些實施例中,玻璃或玻璃陶瓷組成可以包括從0重量百分比到約8重量百分比、0重量百分比到約7重量百分比、0重量百分比到約6重量百分比、0重量百分比到約5重量百分比、0重量百分比到約4重量百分比、0重量百分比到約3重量百分比、0重量百分比到約2重量百分比、0重量百分比到約1重量百分比、約1重量百分比到約8重量百分比、約1重量百分比到約7重量百分比、約1重量百分比到約6重量百分比、約1重量百分比到約5重量百分比、約1重量百分比到約4重量百分比、約1重量百分比到約3重量百分比、約1重量百分比到約2重量百分比、約2重量百分比到約8重量百分比、約2重量百分比到約7重量百分比、約2重量百分比到約6重量百分比、約2重量百分比到約5重量百分比、約2重量百分比到約4重量百分比、約2重量百分比到約3重量百分比、約3重量百分比到約8重量百分比、約3重量百分比到約7重量百分比、約3重量百分比到約6重量百分比、約3重量百分比到約5重量百分比、約3重量百分比到約4重量百分比、約4重量百分比到約8重量百分比、約4重量百分比到約7重量百分比、約4重量百分比到約6重量百分比、約4重量百分比到約5重量百分比、約5重量百分比到約8重量百分比、約5重量百分比到約7重量百分比、約5重量百分比到約6重量百分比、約6重量百分比到約8重量百分比、約6重量百分比到約7重量百分比或約7重量百分比到約8重量百分比的MgO。
ZnO可以進入呈現部分固溶體的透鋰長石晶體。在一或更多個實施例中,玻璃或玻璃陶瓷組成可以包括從0重量百分比到約10重量百分比的ZnO。在一些實施例中,玻璃或玻璃陶瓷組成可以包括從0重量百分比到約10重量百分比、0重量百分比到約9重量百分比、0重量百分比到約8重量百分比、0重量百分比到約7重量百分比、0重量百分比到約6重量百分比、0重量百分比到約5重量百分比、0重量百分比到約4重量百分比、0重量百分比到約3重量百分比、0重量百分比到約2重量百分比、0重量百分比到約1重量百分比、約1重量百分比到約10重量百分比、約1重量百分比到約9重量百分比、約1重量百分比到約8重量百分比、約1重量百分比到約7重量百分比、約1重量百分比到約6重量百分比、約1重量百分比到約5重量百分比、約1重量百分比到約4重量百分比、約1重量百分比到約3重量百分比、約1重量百分比到約2重量百分比、約2重量百分比到約10重量百分比、約2重量百分比到約9重量百分比、約2重量百分比到約8重量百分比、約2重量百分比到約7重量百分比、約2重量百分比到約6重量百分比、約2重量百分比到約5重量百分比、約2重量百分比到約4重量百分比、約2重量百分比到約3重量百分比、約3重量百分比到約10重量百分比、約3重量百分比到約9重量百分比、約3重量百分比到約8重量百分比、約3重量百分比到約7重量百分比、約3重量百分比到約6重量百分比、約3重量百分比到約5重量百分比、約3重量百分比到約4重量百分比、約4重量百分比到約10重量百分比、約4重量百分比到約9重量百分比、約4重量百分比到約8重量百分比、約4重量百分比到約7重量百分比、約4重量百分比到約6重量百分比、約4重量百分比到約5重量百分比、約5重量百分比到約10重量百分比、約5重量百分比到約9重量百分比、約5重量百分比到約8重量百分比、約5重量百分比到約7重量百分比、約5重量百分比到約6重量百分比、約6重量百分比到約10重量百分比、約6重量百分比到約9重量百分比、約6重量百分比到約8重量百分比、約6重量百分比到約7重量百分比、約7重量百分比到約10重量百分比、約7重量百分比到約9重量百分比、約7重量百分比到約8重量百分比、約8重量百分比到約10重量百分比、約8重量百分比到約9重量百分比或約9重量百分比到約10重量百分比的ZnO。
在各種實施例中,玻璃或玻璃陶瓷組成可以更包括一或更多種成分,藉由實例而非限制的方式,例如TiO2
、CeO2
及SnO2
。附加性或替代性地,可以將抗菌成分添加到玻璃或玻璃陶瓷組成。可以添加到玻璃或玻璃陶瓷的抗菌成分可以包括但不限於Ag、AgO、Cu、CuO、Cu2
O等等。在一些實施例中,玻璃或玻璃陶瓷組成可以更包括化學澄清劑。此類澄清劑包括但不限於SnO2
、As2
O3
、Sb2
O3
、F、Cl及Br。適用於各種實施例中的玻璃及/或玻璃陶瓷組成的額外細節可以見於例如2015年10月8日所提出的第2016/0102010號標題為「High Strength Glass-Ceramics Having Petalite and Lithium Silicate Structures」的美國專利申請案公開文件中,其整體內容以引用方式併入本文中。
在各種實施例中,可以經由過程(包括但不限於槽拉法、浮製、滾製及本領域中的技術人員習知的其他片材形成過程)玻璃組成製造成片材。
依據本文中的各種實施例,玻璃片108的厚度均勻性被控制為減少玻璃陶瓷製品的翹曲。在圖13中,示出了初滾製的玻璃及研磨玻璃的10個玻璃片及24個玻璃片的玻璃堆疊的最大翹曲。如圖13中所示,對於包括具有64 µm的最大厚度變化的初滾製玻璃片的玻璃堆疊而言,與包括具有21 µm的最大厚度變化的研磨玻璃片的玻璃堆疊相比,最大翹曲顯著增加。此外,如由圖14中的資料所展示的,定型器板104的平坦度(如上所述)具有受到玻璃片的厚度的變異性限制的影響。詳細而言,圖14示出,對於初滾製玻璃片10個玻璃片的堆疊配置而言,定型器板的平坦度的78 µm的減少具有有限的對玻璃陶瓷製品的翹曲的影響。因此,在片材形成之後,在各種實施例中,可以將玻璃片機械加工或用其他方式處理以減少玻璃片的厚度變異性。
在各種實施例中,可以從玻璃片移除邊緣珠緣以減少在玻璃陶瓷製品中觀察到的翹曲量。據信,邊緣珠緣具有較高的厚度不均勻性且因此在陶瓷化過程期間導致翹曲。詳細而言,在單個玻璃片經受陶瓷化過程(例如未合併到玻璃堆疊中)的實施例中,移除邊緣珠緣可以減少玻璃片中的翹曲。如圖15A中所示,與沒有移除邊緣珠緣的玻璃片(圖15B)相比,移除邊緣珠緣(玻璃片的每側約10 mm)減少最大平坦度達56 µm。此外,如圖16中所示,與在玻璃陶瓷製品被陶瓷化為包括珠緣(頂部)時相比,在珠緣被移除(底部)時,玻璃陶瓷製品中的應力減少。然而,出乎意料地,在隔離劑層未也合併到玻璃堆疊中的實施例中,在陶瓷化過程期間從合併到玻璃堆疊中的玻璃片移除邊緣珠緣使得翹曲增加了。雖然不被現有理論束縛,但據信,由相鄰玻璃片的邊緣珠緣的移除所造成的表面區域接觸的增加提供了額外供黏附發生的區域。因此,在移除邊緣珠緣且要將玻璃片合併到玻璃堆疊中的實施例中,合併了隔離劑層。
在各種實施例中,也考慮部件尺寸以控制玻璃陶瓷製品中的翹曲及應力。如圖17中所示,臨界ΔT隨著部件尺寸減少。詳細而言,臨界ΔT是可以針對各種部件長度及寬度誘發應力及翹曲的ΔT。因此,對於較大的部件而言,較大的ΔT可以是可接受的,而不會將翹曲或屈曲誘發到最終的玻璃陶瓷製品中。
因此,在各種實施例中,可以例如藉由邊緣珠緣移除及研磨來個別地及在整個玻璃堆疊內控制玻璃片的厚度變化,以減少賦予玻璃陶瓷製品的翹曲及應力。隔離劑層
如上文中所述,在各種實施例中,將隔離劑層110沉積在玻璃堆疊106中的相鄰玻璃片108之間。在一些實施例中,也可以將隔離劑層110沉積在定型器板104與玻璃堆疊106之間。例如,可以將隔離劑層110塗覆到定型器板104上,或可以在玻璃堆疊106的頂部及/或底部處將該隔離劑層沉積於玻璃片108的表面上。
在各種實施例中,隔離劑層110由一種隔離劑組成所形成,該隔離劑組成包括包含氮化硼的含水散體以及膠體無機聯結劑。在實施例中,隔離劑組成實質不含揮發性有機溶劑。因此,與使用乙醇基產物的常規過程相比,採用隔離劑組成的過程可以產生較少的有害廢棄物。
依據各種實施例,隔離劑組成包括氮化硼作為潤滑劑。氮化硼的使用允許將隔離劑組成用在高溫(例如> 500℃)應用中,此在利用替代潤滑劑的情況下是不可能的。此外,在各種實施例中,氮化硼可以特別適用作潤滑劑,因為氮化硼在整個陶瓷化過程內都維持其潤滑性質。在各種實施例的隔離劑組成中,氮化硼用具有從約2 µm到約4 µm的平均顆粒尺寸的凝聚顆粒的形式存在。雖然顆粒尺寸可以取決於所採用的特定實施例而變化,但顆粒尺寸一般不應超過約4 µm,以減少表面粗糙度及允許形成超薄(例如2 gsm乾重)的塗層。
如上所述,隔離劑組成更包括膠體無機聯結劑。藉由實例而非限制的方式,膠體無機聯結劑可以包括氧化鋁(AlOx)。可以使用其他的膠體無機聯結劑,條件是它們在熱處理(例如陶瓷化)過程期間不會完全分解。
在一些實施例中,隔離劑組成可以可選地包括一或更多種分散劑或其他添加劑。例如,可以採用抗菌添加劑。合適的分散劑包括硝酸或本領域中習知及使用的其他分散劑。然而,在其他的實施例中,隔離劑組成可以實質不含額外的成分,以減少隔離劑層110與玻璃片108及/或定型器板104之間起反應的可能性。
隔離劑組成具有如使用注射器抽出預定體積的隔離劑組成及對該體積稱重來量測的從約1.0到約1.2的比重。具體而言,為了量測比重,使用20 mL的注射器來將約10 mL的隔離劑組成抽到注射器中且回向推出以排出氣泡。接著將注射器擦拭乾淨、安置在秤上,且將秤歸零。接著,將恰好20 mL的隔離劑組成抽到注射器中、將注射器擦拭乾淨,且安置在秤上,以取得注射器的用克為單位的重量。接著將該重量除以20以取得比重。
附加性或替代性地,在各種實施例中,隔離劑組成具有如在四軸Brookfield DV2TLV黏度計上量測到的從約120厘泊(cP)到約160 cP及其間的所有範圍及子範圍的黏度。雖然黏度可以取決於特定的實施例而變化,但大於160 cP或小於120 cP的黏度可能不利地影響將組成塗敷到玻璃片的操作,且可能造成不均勻的隔離劑層。
在各種實施例中,隔離劑組成具有從約3到約5及其間的所有範圍及子範圍的pH值。詳細而言,在隔離劑組成具有此範圍中的pH值時,組成與塗敷到玻璃片的表面的操作相容,而不用擔心斑蝕或蝕刻表面。合適的市售隔離劑包括可從Zyp Coatings公司(田納西州)取得的彼等隔離劑。
如上所述,可以將隔離劑組成塗敷到玻璃片108及/或定型器板104的一或更多個表面以形成隔離劑層110。在各種實施例中,經由噴霧分散技術(例如旋轉霧化及/或空氣輔助的噴霧分散)來塗敷隔離劑組成。雖然不被現有理論束縛,但據信,其他的塗敷技術(包括但不限於滾筒塗覆、浸漬及超音波粉末塗敷)不能夠實現所需的層厚度及各種實施例所需的均勻性。因此,在各種實施例中,將隔離劑組成乾化為形成具有從約2 gsm到約6 gsm及其間的所有範圍及子範圍的乾塗層重的隔離劑層110。雖然隔離劑層110的厚度可以取決於特定的實施例而變化,但一般預期,小於約2 gsm的乾塗層重可能具有增加的黏附風險。此外,在各種實施例中,隔離劑層110在玻璃片108及/或定型器板104的表面上具有實質均勻的分佈。
在本文中所述的實施例中,塗層均勻性是依據ASTM D 1003(針對透射)及ASTM D 1044(針對霧度)使用來自Paul N. Gardner有限公司的BYK Haze-Gard Plus儀器藉由霧度百分比及透射率百分比來表徵的。Haze-Gard Plus能夠直接決定總透射率、霧度及透明度。儀器利用照明C光源,該照明C光源表示平均日光且相關色溫為6774 K。在各種實施例中,在陶瓷化玻璃片100的一個表面上具有隔離劑層110的陶瓷化玻璃片100具有如依據ASTM D1003量測到的從約76%到約83%的透射百分比及如依據ASTM D1044量測到的從約25%到約38%的霧度百分比。
圖18是透射百分比(y軸)與試樣的可接收度(x軸)的關係圖。詳細而言,針對包括隔離劑層的Li基玻璃陶瓷製品示出了透射百分比。如圖18中所示,太厚(例如大於約6 gsm)的塗層展現了小於70%的透射百分比,而太薄(例如小於約2 gsm)的塗層展現了約85%的透射百分比,但玻璃黏附到相鄰的玻璃片。然而,在其他情況下可接受的試樣展現了如依據ASTM D1003所量測到的從約76%到約83%的透射百分比。
圖19是霧度百分比(y軸)與試樣的可接收度(x軸)的關係圖。對於具有太厚(例如大於約6 gsm)的塗層的試樣而言,霧度百分比大於約40%,而具有太薄(例如小於約2 gsm)的塗層的試樣,霧度百分比小於約25%且試樣展現了黏附。然而,在其他情況下可接受的試樣展現了如依據ASTM D1044所量測到的從約25%到約38%的霧度百分比。
在各種實施例中,包括隔離劑層110的玻璃陶瓷製品展現了比在沒有隔離劑層110的情況下形成的玻璃陶瓷製品小的翹曲。換言之,除了減少玻璃片108與相鄰玻璃片108及/或定型器板104之間的黏附以外,隔離劑層110可以減少最終的玻璃陶瓷製品中的翹曲。雖然不被現有理論束縛,但據信,如本文中所述的隔離劑層110的塗敷可以防止導致玻璃陶瓷製品中的翹曲的局部黏附。詳細而言,在陶瓷化過程期間,玻璃在相變及晶體生長的期間經歷收縮,且隔離劑層110的存在允許玻璃在玻璃堆疊106中自由移動而沒有約束。
圖20是最大翹曲(用µm為單位;y軸)作為玻璃堆疊位置(x軸)的函數的圖表。塗層是用1.5”的噴頭間隔(實線)及3.0”的噴頭間隔(虛線)塗敷的。圖20示出,最大翹曲從玻璃堆疊的底部(左側)向玻璃堆疊的頂部(右側)增加。此外,在塗層被塗敷為具有塗層的厚度及均勻性的微小變異的實施例(3.0”的噴頭間隔)中,與用約2 gsm的乾塗層重及1.5”的噴頭間隔均勻塗敷塗層相比,最大翹曲在玻璃堆疊的整個厚度上增加。因此,由圖20中所呈現的資料證明,黏附造成了玻璃陶瓷製品的較低的產量及實體降級,且局部黏滯約束了玻璃,此增加了最終產品中的翹曲。
除了減少玻璃陶瓷製品的翹曲以外,還發現本文中所述的各種實施例的隔離劑層110使玻璃陶瓷製品的相群保持不變。圖9是在陶瓷化(C)及後拋光(D)時的包括隔離劑層110的玻璃陶瓷製品的XRD。表層效應被量測到小於約1 µm。
因此,在各種實施例中,隔離劑層110可以減少玻璃片108與定型器板104之間的CTE失配、減少擦傷,及藉由減少磨損來延長定型器板104的使用壽命。例如,據信,若玻璃片108黏附到定型器板104,則玻璃片108與定型器板104之間的CTE失配可以導致擦傷。然而,隔離劑組成(且特別是膠體聯結劑)的各種實施例在熱過程期間不會完全分解。因此,可以使用隔離劑組成來塗覆定型器板104以供在需要重新塗覆定型器板104之前進行多次使用(例如大於約25個循環)。因此,在各種實施例中,在塗敷入作為超薄及均勻的層時,隔離劑層110防止高溫玻璃-玻璃堆疊配置中的黏附,此可以轉而減少最終的玻璃陶瓷製品的翹曲。玻璃堆疊配置
在本文中所述的各種實施例中,多個玻璃片108被佈置在玻璃堆疊106中以用於陶瓷化過程。除了上文被描述為影響最終玻璃陶瓷製品的翹曲及應力的變數以外,還進一步發現到,玻璃堆疊配置的各種構件對玻璃陶瓷製品的翹曲及應力有影響。
因此,在各種實施例中,可以將夾層定型器板112安置在玻璃堆疊106內,如圖21中所示。包括夾層定型器板112可以增加導熱及減少從玻璃堆疊的頂部到玻璃堆疊的底部的溫度遲滯。如圖22中所示,在陶瓷化過程的成核階段期間量測包括三個夾層定型器板的堆疊中的每個玻璃片的溫度時,在頂部堆疊的頂層與底部堆疊的底層之間存在2.2℃的變異性。並且,如圖23中所示,雖然在陶瓷化過程的上升時期期間仍然存在溫差,但將夾層定型器板包括在玻璃堆疊中在浸泡時期期間在整個玻璃堆疊內實現了溫度均勻性。
此外,包括夾層定型器板112減少了翹曲且並不顯著影響玻璃陶瓷製品中的應力,如圖24中所示。具體而言,圖24示出,與不具有夾層定型器板(圖表左側)的玻璃堆疊的增加的翹曲相比,包括夾層定型器板112(圖表右側)可以在每個夾層定型器板處重置添加的翹曲。圖24中將最大應力示為折線圖,其不隨著夾層定型器板的添加而增加。
除了將夾層定型器板112包括在玻璃堆疊106內以外,可以藉由限制合併於玻璃堆疊中的玻璃片的數量來進一步控制或減少玻璃陶瓷製品中的翹曲及應力。例如,在一些實施例中,從定型器板104到定型器板104,玻璃堆疊可以有從6到24個玻璃片,或從10到20個玻璃片。在將夾層定型器板設置在玻璃堆疊內的實施例中,每個夾層定型器板之間的玻璃片的數量可以為從5個玻璃片到15個玻璃片,或從6個玻璃片到10個玻璃片。
因此,與依據常規技術來陶瓷化的玻璃製品相比,可以採用本文中所述的各種實施例來生產具有優異光學品質及減少的翹曲的玻璃陶瓷製品同時不會不利地影響或甚至改善了玻璃陶瓷製品中的應力。此類玻璃陶瓷製品由於它們的強度性能及高透射值可以特別適用於可攜式電子設備中。
本領域中的技術人員將理解到,可以在不脫離所請求保護的標的的精神及範圍的情況下對本文中所述的實施例作出各種更改及變化。因此,本說明書意欲涵蓋本文中所述的各種實施例的變體及變型,條件是此類變體及變型落在隨附申請專利範圍及它們的等效物的範圍之內的話。例如,可以依據以下非窮舉實施例的列表來組合特徵。
實施例1。一種陶瓷化複數個玻璃片的方法,該方法包括以下步驟:
將該複數個玻璃片的一第一部分定位在一第一定型器板與一第二定型器板之間的一第一堆疊中,及在一玻璃堆疊配置中在該第一堆疊的頂部上將該複數個玻璃片的一第二部分定位在該第二定型器板與一第三定型器板之間的一第二堆疊中;及
將該玻璃堆疊配置暴露於一陶瓷化循環以陶瓷化該複數個玻璃片,
其中在該等玻璃片在該陶瓷化循環期間被加熱到一成核溫度達一預定的時間段時,該第一堆疊或該第二堆疊的一ΔT小於10℃;或
其中在該等玻璃片在該陶瓷化循環期間被加熱到一結晶溫度達一預定的時間段時,該第一堆疊或該第二堆疊的一ΔT小於10℃。
實施例2。如請求項1所述的方法,其中該複數個玻璃片具有21 µm或更小的一最大厚度變化。
實施例3。如請求項1或請求項2所述的方法,更包括以下步驟:移除該複數個玻璃片中的每一者上的邊緣珠緣。
實施例4。如任何前述請求項所述的方法,更包括以下步驟:在該複數個玻璃片中的一者與該複數個玻璃片中的一個相鄰玻璃片之間由氮化硼的一含水散體及一膠體無機聯結劑形成一隔離劑層。
實施例5。如任何前述請求項所述的方法,更包括以下步驟:在該複數個玻璃片中的一者與第一定型器板、該第二定型器板或該第三定型器板中的一相鄰者之間由氮化硼的一含水散體及一膠體無機聯結劑形成一隔離劑層。
實施例6。如任何前述請求項所述的方法,其中在該等玻璃片被維持在該成核溫度下的該預定的時間段期間,該玻璃堆疊配置在該第一堆疊的在該第一定型器板附近的一底部與該第二堆疊的在該第三定型器板附近的一頂部之間具有2.2℃或更小的一ΔT。
實施例7。如任何前述請求項所述的方法,其中該陶瓷化過程包括約4℃/分鐘的一速率下的從該陶瓷化過程中的一最大溫度到約450℃的一溫度的一受控冷卻,隨後是一淬火步驟以達到約室溫的一溫度。
實施例8。如任何前述請求項所述的方法,其中該第一定型器板、該第二定型器板及該第三定型器板中的每一者包括反應結合碳化矽。
實施例9。如任何前述請求項所述的方法,其中該第一定型器板、該第二定型器板及該第三定型器板中的每一者具有小於或等於約100 µm的一最大平坦度。
實施例10。如任何前述請求項所述的方法,其中該第一定型器板、該第二定型器板及該第三定型器板中的每一者具有小於或等於約25 µm的一最大平坦度。
實施例11。如任何前述請求項所述的方法,其中該第一定型器板、該第二定型器板及該第三定型器板中的每一者具有從約6.5 mm到約10 mm的一厚度t
。
實施例12。如任何前述請求項所述的方法,其中該玻璃堆疊配置被支撐在一載具板上,該載具板包括呈現一開放網格配置的鋼。
實施例13。一種陶瓷化複數個玻璃片的方法,該方法包括以下步驟:
減少該複數個玻璃片中的一厚度變化;
在一玻璃堆疊配置中將該複數個玻璃片定位在一第一定型器板與一第二定型器板之間;及
將該玻璃堆疊配置暴露於陶瓷化循環以陶瓷化該複數個玻璃片。
實施例14。如請求項13所述的方法,其中減少該複數個玻璃片中的該厚度變化的步驟包括以下步驟:將該複數個玻璃片中的該厚度變化減少到21 µm或更小的一最大厚度變化。
實施例15。如請求項13或請求項14所述的方法,更包括以下步驟:移除該複數個玻璃片中的每一者上的邊緣珠緣。
實施例16。如請求項13-15中的任一者所述的方法,更包括以下步驟:在該複數個玻璃片中的一者與該複數個玻璃片中的一個相鄰玻璃片之間由氮化硼的一含水散體及一膠體無機聯結劑形成一隔離劑層。
實施例17。如請求項13-16中的任一者所述的方法,其中在該等玻璃片被維持在一成核溫度下的該預定的時間段期間,該玻璃堆疊配置在該第一定型器板附近的一玻璃片與在該第二定型器板附近的一玻璃片之間具有2.2℃或更小的一ΔT。
實施例18。如請求項13-17中的任一者所述的方法,其中該陶瓷化過程包括約4℃/分鐘的一速率下的從該陶瓷化過程中的一最大溫度到約450℃的一溫度的一受控冷卻,隨後是一淬火步驟以達到約室溫的一溫度。
實施例19。如請求項13-18中的任一者所述的方法,其中該第一定型器板及該第二定型器板中的每一者具有小於或等於約25 µm的一最大平坦度。
實施例20。如請求項13-19中的任一者所述的方法,其中該玻璃堆疊配置被支撐在一載具板上,該載具板包括呈現一開放網格配置的鋼。
100‧‧‧堆疊配置
102‧‧‧載具板
104‧‧‧定型器板
106‧‧‧玻璃堆疊
108‧‧‧玻璃片
110‧‧‧隔離劑層
112‧‧‧夾層定型器板
t‧‧‧厚度
圖1是依據本文中所述的一或更多個實施例的玻璃堆疊配置的示意說明;
圖2是針對各種淬火起動溫度(x軸)示出玻璃陶瓷製品中的平均及最大應力(y軸;MPa)的圖表;
圖3是依據本文中所述的一或更多個實施例的具有開放網格配置的載具板的示意說明;
圖4是依據本文中所述的一或更多個實施例的具有空心板配置的載具板的示意說明;
圖5是針對依據本文中所述的一或更多個實施例的開放網格鋼載具板及碳化矽中空載具板繪製建模ΔT(℃;y軸)作為加熱時間(分鐘;x軸)的函數的圖表;
圖6是針對實例A及比較實例1及2的定型器板繪製建模ΔT(℃;y軸)作為加熱時間(分鐘;x軸)的函數的圖表;
圖7是針對兩種不同定型器材料繪製最大應力(MPa;y軸)的圖表,其中左側使用反應結合的碳化矽,且右側使用矽耐火板;
圖8描繪依據本文中所述的一或更多個實施例的EDX(能量色散X射缐),示出陶瓷化之後的反應結合碳化矽定型器板的表面上的Si的缺乏;
圖9描繪依據本文中所述的一或更多個實施例的各種玻璃陶瓷製品的XRD(X射線繞射);
圖10是依據本文中所述的一或更多個實施例的針對各種定型器板平坦度及額外重量的最大翹曲(µm;y軸)的圖表;
圖11是繪示依據本文中所述的一或更多個實施例的定型器板平坦度的CMM(座標量測機)量測的掃描圖案的示意圖;
圖12是依據本文中所述的一或更多個實施例的圖表,該圖表針對各種施力量通過玻璃堆疊的厚度將最大翹曲(µm;左側y軸)繪示為棒,且針對各種施加量將最大應力(MPa;右側y軸)繪示為折線圖;
圖13是依據本文中所述的一或更多個實施例通過具有各種厚度變異性的玻璃堆疊的厚度繪示最大翹曲(µm;y軸)的圖表;
圖14是依據本文中所述的一或更多個實施例針對各種定型器板平坦度通過玻璃堆疊的厚度繪示最大翹曲(µm;y軸)的圖表;
圖15A是依據本文中所述的一或更多個實施例的26 5mm玻璃條帶的翹曲的圖形表示,其中邊緣珠緣被移除;
圖15B是依據本文中所述的一或更多個實施例的26 5mm玻璃條帶的翹曲的圖形表示,其中邊緣珠緣仍然存在;
圖16是依據本文中所述的一或更多個實施例在邊緣珠緣仍然存在(頂部)的情況下及在邊緣珠緣被移除(底部)的情況下的玻璃陶瓷製品的應力的圖形表示;
圖17是依據本文中所述的一或更多個實施例的圖表,該圖表針對各種長度及寬度的玻璃陶瓷部件繪製臨界差量T(℃;y軸)作為部件長度(mm;x軸)的函數;
圖18是依據本文中所述的一或更多個實施例的各種玻璃堆疊的%透射(y軸)的圖表;
圖19是依據本文中所述的一或更多個實施例的各種玻璃堆疊的%霧度(y軸)的圖表;
圖20是依據本文中所述的一或更多個實施例的圖表,該圖表針對使用變化的噴頭間隔來進行的隔離劑塗層的塗敷繪製最大翹曲(µm;y軸)作為堆疊位置(從左側到右側為堆疊的底部到堆疊的頂部;x軸)的函數;
圖21是依據本文中所述的一或更多個實施例的包括夾層定型器板的玻璃堆疊配置的示意說明;
圖22是依據本文中所述的一或更多個實施例的圖表,該圖表針對玻璃堆疊中的頂部玻璃片及玻璃堆疊中的底部玻璃片繪製玻璃層中心溫度(℃;y軸)作為時間(x軸)的函數;
圖23是依據本文中所述的一或更多個實施例的圖表,該圖表針對玻璃堆疊中的頂部玻璃片及玻璃堆疊中的底部玻璃片繪製玻璃層溫度(℃;y軸)作為陶瓷化過程期間的時間(x軸)的函數;及
圖24是依據本文中所述的一或更多個實施例的圖表,該圖表針對各種施力量通過玻璃堆疊的厚度將最大翹曲(µm;左側y軸)繪示為棒,且針對不具有夾層定型器板(左側)及包括夾層定型器板(右側)的玻璃堆疊將最大應力(MPa;右側y軸)繪示為折線圖。
國內寄存資訊 (請依寄存機構、日期、號碼順序註記)
無
國外寄存資訊 (請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記)
無
100‧‧‧堆疊配置
102‧‧‧載具板
104‧‧‧定型器板
106‧‧‧玻璃堆疊
108‧‧‧玻璃片
110‧‧‧隔離劑層
t‧‧‧厚度
Claims (15)
- 一種陶瓷化複數個玻璃片的方法,該方法包括以下步驟:將該複數個玻璃片的一第一部分定位在一第一定型器板與一第二定型器板之間的一第一堆疊中,及在一玻璃堆疊配置中在該第一堆疊的頂部上將該複數個玻璃片的一第二部分定位在該第二定型器板與一第三定型器板之間的一第二堆疊中;及在該複數個玻璃片中的一者與該複數個玻璃片中的一個相鄰玻璃片之間,且相鄰於該複數個玻璃片中的該一者與該複數個玻璃片中的該一個相鄰玻璃片處,由氮化硼的一含水散體及一膠體無機聯結劑形成一隔離劑層;將該玻璃堆疊配置暴露於一陶瓷化循環以陶瓷化該複數個玻璃片,其中在該等玻璃片在該陶瓷化循環期間被加熱到一成核溫度達一預定的時間段時,該第一堆疊或該第二堆疊的一△T小於10℃;或其中在該等玻璃片在該陶瓷化循環期間被加熱到一結晶溫度達一預定的時間段時,該第一堆疊或該第二堆疊的一△T小於10℃。
- 如請求項1所述的方法,其中該複數個玻璃片具有21μm或更小的一最大厚度變化。
- 如請求項1所述的方法,其中在該等玻璃片被維持在該成核溫度下的該預定的時間段期間,該玻璃堆疊配置在該第一堆疊的在該第一定型器板附近的一底部與該第二堆疊的在該第三定型器板附近的一頂部之間具有2.2℃或更小的一△T。
- 如請求項1-3中的任一者所述的方法,其中該陶瓷化過程包括約4℃/分鐘的一速率下的從該陶瓷化過程中的一最大溫度到約450℃的一溫度的一受控冷卻,隨後是一淬火步驟以達到約室溫的一溫度。
- 如請求項1-3中的任一者所述的方法,其中該第一定型器板、該第二定型器板及該第三定型器板中的每一者包括反應結合碳化矽。
- 如請求項1-3中的任一者所述的方法,其中該第一定型器板、該第二定型器板及該第三定型器板中的每一者具有小於或等於約100μm的一最大平坦度。
- 如請求項1-3中的任一者所述的方法,其中該第一定型器板、該第二定型器板及該第三定型器板中的每一者具有從約6.5mm到約10mm的一厚度t。
- 如請求項1-3中的任一者所述的方法,其中該玻璃堆疊配置被支撐在一載具板上,該載具板包括呈現一開放網格配置的鋼。
- 如請求項1-3中的任一者所述的方法,其中該第一部分包含6至24個玻璃片,且該第二部分包含6至24個玻璃片。
- 一種陶瓷化複數個玻璃片的方法,該方法包括以下步驟:減少該複數個玻璃片中的一厚度變化;在一玻璃堆疊配置中將該複數個玻璃片定位在一第一定型器板與一第二定型器板之間;在該複數個玻璃片中的一者與該複數個玻璃片中的一個相鄰玻璃片之間,且相鄰於該複數個玻璃片中的該一者與該複數個玻璃片中的該一個相鄰玻璃片處,由氮化硼的一含水散體及一膠體無機聯結劑形成一隔離劑層;及將該玻璃堆疊配置暴露於一陶瓷化循環以陶瓷化該複數個玻璃片。
- 如請求項10所述的方法,其中減少該複數個玻璃片中的該厚度變化的步驟包括以下步驟:將該複數個玻璃片中的該厚度變化減少到21μm或更小的一最大厚度變化。
- 如請求項10-11中的任一者所述的方法,其中在該等玻璃片被維持在一成核溫度下的該預定的時間段期間,該玻璃堆疊配置在該第一定型器板附近的一玻璃片與在該第二定型器板附近的一玻璃片之間具有2.2℃或更小的一△T。
- 如請求項10-11中的任一者所述的方法,其中該陶瓷化過程包括約4℃/分鐘的一速率下的從該陶瓷化過程中的一最大溫度到約450℃的一溫度的一受控冷卻,隨後是一淬火步驟以達到約室溫的一溫度。
- 如請求項10-11中的任一者所述的方法,其中該第一定型器板及該第二定型器板中的每一者具有小於或等於約25μm的一最大平坦度。
- 如請求項10-11中的任一者所述的方法,其中該複數個玻璃片包含6至24個玻璃片。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201862698563P | 2018-07-16 | 2018-07-16 | |
US62/698,563 | 2018-07-16 | ||
US201862749815P | 2018-10-24 | 2018-10-24 | |
US62/749,815 | 2018-10-24 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW202005921A TW202005921A (zh) | 2020-02-01 |
TWI828718B true TWI828718B (zh) | 2024-01-11 |
Family
ID=67470664
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW108123511A TWI828718B (zh) | 2018-07-16 | 2019-07-04 | 陶瓷化具有改善的翹曲的玻璃製品的方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11613491B2 (zh) |
CN (1) | CN112437759A (zh) |
TW (1) | TWI828718B (zh) |
WO (1) | WO2020018285A1 (zh) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112437760A (zh) * | 2018-07-16 | 2021-03-02 | 康宁股份有限公司 | 包含均匀脱模剂涂层的玻璃基材及其陶瓷化方法 |
US11554976B2 (en) | 2018-11-05 | 2023-01-17 | Corning Incorporated | Methods of making three dimensional glass ceramic articles |
US20210009459A1 (en) * | 2019-07-12 | 2021-01-14 | Corning Incorporated | Methods for forming glass ceramic articles |
CN112876052B (zh) * | 2021-01-15 | 2023-05-30 | 重庆鑫景特种玻璃有限公司 | 一种玻璃晶化方法、玻璃板及隔离脂 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014012617A (ja) * | 2012-07-04 | 2014-01-23 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 結晶化ガラス板の製造方法 |
Family Cites Families (142)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
BE557975A (zh) | 1956-06-04 | 1957-11-30 | ||
US3129087A (en) | 1961-05-15 | 1964-04-14 | Corning Glass Works | Apparatus for controlled heat treatment of glass |
DE1596858B1 (de) | 1967-06-29 | 1970-05-14 | Jenaer Glaswerk Schott & Gen | Glasversaetze zum Herstellen von durchsichtigen ss-Eukryptitmischkristall-haltigen Glaskeramiken |
US3817732A (en) | 1970-10-12 | 1974-06-18 | Owens Illinois Inc | Method of making glass-ceramic pump parts |
GB1383201A (en) | 1971-02-19 | 1975-02-05 | Pilkington Brothers Ltd | Glass ceramic material |
US3972704A (en) | 1971-04-19 | 1976-08-03 | Sherwood Refractories, Inc. | Apparatus for making vitreous silica receptacles |
US3809599A (en) | 1971-06-03 | 1974-05-07 | Owens Illinois Inc | Method for forming glass-ceramic articles |
US3931438A (en) | 1971-11-08 | 1976-01-06 | Corning Glass Works | Differential densification strengthening of glass-ceramics |
US4042362A (en) | 1976-05-18 | 1977-08-16 | Corning Glass Works | Production of glass-ceramic articles |
US4191583A (en) * | 1978-04-24 | 1980-03-04 | Corning Glass Works | Manganese cordierite glass-ceramics |
US4219344A (en) * | 1979-05-21 | 1980-08-26 | Corning Glass Works | Method of producing manganese cordiertie glass-ceramics |
US4248925A (en) | 1979-06-25 | 1981-02-03 | Corning Glass Works | Encapsulation in glass and glass-ceramic materials |
US4222760A (en) * | 1979-08-02 | 1980-09-16 | Corning Glass Works | Preparation of oxynitride glass-ceramics |
US4274857A (en) * | 1979-11-02 | 1981-06-23 | Ppg Industries, Inc. | Treating covers for press bending molds, and method of press bending glass sheets |
US4340436A (en) * | 1980-07-14 | 1982-07-20 | International Business Machines Corporation | Process for flattening glass-ceramic substrates |
JPS6270239A (ja) | 1985-09-21 | 1987-03-31 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | ガラス製品の成形方法 |
US5389582A (en) | 1985-11-06 | 1995-02-14 | Loxley; Ted A. | Cristobalite reinforcement of quartz glass |
US5296294A (en) * | 1987-02-03 | 1994-03-22 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Glass panel resistant to coloring when irradiated with electron rays |
US4786305A (en) * | 1987-08-03 | 1988-11-22 | Corning Glass Works | Heat treatment of flat photochromic sheet glass |
NL8800559A (nl) * | 1988-03-07 | 1989-10-02 | Philips Nv | Keramische meerlaagscondensator. |
US5030433A (en) * | 1988-07-18 | 1991-07-09 | International Minerals & Chemical Corp. | Process for producing pure and dense amorphous synthetic silica particles |
JPH02116639A (ja) | 1988-10-21 | 1990-05-01 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 結晶化ガラス製品の製造方法 |
US5814262A (en) * | 1989-08-11 | 1998-09-29 | Corning Incorporated | Method for producing thin flexible sintered structures |
US5073181A (en) | 1990-08-09 | 1991-12-17 | Corning Incorporated | Method of protecting glass surfaces using submicron refractory particles |
US5147436A (en) | 1991-04-09 | 1992-09-15 | Corning Incorporated | Method for forming flat glass-ceramic articles |
JPH0543263A (ja) | 1991-08-14 | 1993-02-23 | Olympus Optical Co Ltd | セラミツクス鋳造物の熱処理方法および製造方法 |
US5588979A (en) | 1993-11-08 | 1996-12-31 | Kabushiki Kaisya Ohara | Apparatus for continuously forming and processing a glass-ceramic |
HUT77165A (hu) * | 1994-11-22 | 1998-03-02 | Saint-Gobain Industrial Ceramics, Inc. | Égetőállvány, főleg kerámiaárú égetéséhez |
US5603147A (en) * | 1995-06-07 | 1997-02-18 | Microelectronic Packaging, Inc. | Method of making a high energy multilayer ceramic capacitor |
US5680685A (en) * | 1995-06-07 | 1997-10-28 | Microelectronic Packaging, Inc. | Method of fabricating a multilayer ceramic capacitor |
US5840221A (en) * | 1996-12-02 | 1998-11-24 | Saint-Gobain/Norton Industrial Ceramics Corporation | Process for making silicon carbide reinforced silicon carbide composite |
US6055151A (en) * | 1997-03-06 | 2000-04-25 | Sarnoff Corp | Multilayer ceramic circuit boards including embedded components |
DE19744666C1 (de) | 1997-10-10 | 1999-06-17 | Schott Glas | Verfahren zum Vorverdichten von Flachglas |
GB9908844D0 (en) | 1999-04-19 | 1999-06-16 | Seneca Tech Ltd | Piston-connecting rod retention |
US6409813B1 (en) | 1999-05-18 | 2002-06-25 | Durga P. Beesabathina | Glass-release coating, coating process, and coated parts for manufacturing glass |
JP2001097740A (ja) | 1999-09-29 | 2001-04-10 | Ngk Insulators Ltd | 結晶化ガラス、磁気ディスク用基板および磁気ディスク |
JP2001266329A (ja) | 2000-03-16 | 2001-09-28 | Minolta Co Ltd | ディスク媒体用ガラス基板 |
JP4430806B2 (ja) * | 2000-09-14 | 2010-03-10 | Hoya株式会社 | 結晶化ガラスの製造方法、結晶化ガラス基板の製造方法、および情報記録媒体の製造方法 |
RU2206502C2 (ru) | 2000-11-21 | 2003-06-20 | Акционерное общество закрытого типа "Карбид" | Композиционный материал |
US6410892B1 (en) | 2001-06-19 | 2002-06-25 | Bsh Home Appliances Corporation | Cooktop having a flat glass ceramic cooking surface |
JP4532898B2 (ja) * | 2001-08-02 | 2010-08-25 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 研磨粒子およびその製造方法ならびに使用方法 |
JP3716783B2 (ja) * | 2001-11-22 | 2005-11-16 | 株式会社村田製作所 | セラミック多層基板の製造方法及び半導体装置 |
CN1161296C (zh) * | 2002-01-18 | 2004-08-11 | 北京盛康宁科技开发有限公司 | 一种微晶玻璃板材的生产方法 |
US6827800B2 (en) * | 2003-01-30 | 2004-12-07 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Process for the constrained sintering of asymmetrically configured dielectric layers |
US7054136B2 (en) * | 2002-06-06 | 2006-05-30 | Avx Corporation | Controlled ESR low inductance multilayer ceramic capacitor |
CN101714504B (zh) | 2002-09-27 | 2012-07-04 | 株式会社日立国际电气 | 热处理装置、半导体装置的制造方法及衬底的制造方法 |
JP2004203677A (ja) * | 2002-12-25 | 2004-07-22 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | ガラス板の急冷強化方法及び同装置 |
JP4369695B2 (ja) * | 2003-07-25 | 2009-11-25 | 大享容器工業股▲分▼有限公司 | 結晶化ガラスの連続成形装置 |
US8444756B2 (en) | 2003-08-07 | 2013-05-21 | Ivoclar Vivadent Ag | Lithium silicate materials |
US7125319B2 (en) * | 2003-10-27 | 2006-10-24 | Corning Incorporated | Apparatus and method for grinding and/or polishing an edge of a glass sheet |
US7410716B2 (en) * | 2003-11-03 | 2008-08-12 | Corning Incorporated | Electrolyte sheet with protruding features having undercut angles and method of separating such sheet from its carrier |
US7871735B2 (en) * | 2004-10-29 | 2011-01-18 | Nextech Materials, Ltd. | Ceramic laminate structures |
JP4977372B2 (ja) | 2005-01-31 | 2012-07-18 | 株式会社オハラ | 結晶化ガラスおよびその製造方法 |
EP1855312B1 (en) * | 2005-02-22 | 2014-04-09 | Hitachi Metals, Ltd. | PROCESS FOR PRODUCING SiC SINGLE-CRYSTAL SUBSTRATE |
JP4528153B2 (ja) * | 2005-02-23 | 2010-08-18 | 日本碍子株式会社 | 目封止ハニカム構造体の製造方法 |
US7510760B2 (en) * | 2005-03-07 | 2009-03-31 | Boardof Trustees Of The University Of Arkansas | Nanoparticle compositions, coatings and articles made therefrom, methods of making and using said compositions, coatings and articles |
US7312154B2 (en) * | 2005-12-20 | 2007-12-25 | Corning Incorporated | Method of polishing a semiconductor-on-insulator structure |
US20070154666A1 (en) * | 2005-12-31 | 2007-07-05 | Coonan Everett W | Powder injection molding of glass and glass-ceramics |
DE102007005556B4 (de) | 2006-02-01 | 2011-06-22 | Schott Ag, 55122 | Verfahren zur Herstellung von Glaskeramik mit Textur |
FR2904704B1 (fr) * | 2006-08-04 | 2008-12-05 | Saint Gobain | Dispositif electrochimique, et/ou elelctrocommandable du type vitrage et a proprietes optiques et/ou energetiques variables |
ITFI20060231A1 (it) | 2006-09-18 | 2008-03-19 | Colorobbia Italia S P S | Processo per la preparazione di lastre in materiale vetro ceramico, lastre cosi' ottenute e loro uso |
JP5074042B2 (ja) * | 2007-01-10 | 2012-11-14 | Hoya株式会社 | 情報記録媒体基板用素材、情報記録媒体基板、情報記録媒体それぞれの製造方法 |
JP2008303073A (ja) | 2007-06-05 | 2008-12-18 | Nippon Electric Glass Co Ltd | ガラス基板熱処理用セッター |
KR101582704B1 (ko) * | 2008-07-03 | 2016-01-05 | 히타치 긴조쿠 가부시키가이샤 | 질화 규소 기판 및 그 제조 방법과 그것을 사용한 질화 규소 회로 기판 및 반도체 모듈 |
WO2010002477A1 (en) | 2008-07-03 | 2010-01-07 | Corning Incorporated | Durable glass-ceramic housings/enclosures for electronic devices |
US9315663B2 (en) | 2008-09-26 | 2016-04-19 | Mikro Systems, Inc. | Systems, devices, and/or methods for manufacturing castings |
WO2010051345A2 (en) * | 2008-10-31 | 2010-05-06 | Corning Incorporated | Methods and apparatus for casting ceramic sheets |
JP5168096B2 (ja) * | 2008-11-12 | 2013-03-21 | Tdk株式会社 | セラミック基板および電子部品の製造方法 |
DE102009015089B4 (de) | 2009-03-31 | 2012-05-24 | Schott Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Keramisierung von Gläsern, Glaskeramikartikel und seine Verwendung |
US10265660B2 (en) * | 2009-05-21 | 2019-04-23 | Battelle Memorial Institute | Thin-sheet zeolite membrane and methods for making the same |
US20100304953A1 (en) * | 2009-05-21 | 2010-12-02 | Battelle Memorial Institute | Zeolite Membranes for Separation of Mixtures Containing Water, Alcohols, or Organics |
JP4815002B2 (ja) * | 2009-06-04 | 2011-11-16 | 株式会社オハラ | 情報記録媒体用結晶化ガラス基板およびその製造方法 |
EP2314551A1 (fr) | 2009-10-26 | 2011-04-27 | AGC Glass Europe | Verre silico-sodo-calcique demixe |
JP5322965B2 (ja) * | 2010-02-02 | 2013-10-23 | 日本碍子株式会社 | ガスセンサ及びその製造方法 |
KR101223697B1 (ko) * | 2010-03-17 | 2013-01-21 | 신닛테츠스미킨 카부시키카이샤 | 금속 테이프 재료 및 태양전지 집전용 인터커넥터 |
DE102010027461B4 (de) * | 2010-07-17 | 2019-08-22 | Schott Ag | Lithiumhaltige, transparente Glaskeramik mit geringer Wärmedehnung, einer weitestgehend amorphen, an Lithium verarmten, überwiegend glasigen Oberflächenzone und hoher Transmission, ihre Herstellung und Verwendung |
JP5465216B2 (ja) | 2010-08-11 | 2014-04-09 | 日本碍子株式会社 | 焼成用セッター |
JP6202775B2 (ja) * | 2010-08-11 | 2017-09-27 | 日本電気硝子株式会社 | Li2O−Al2O3−SiO2系結晶化ガラス |
CN101962295A (zh) | 2010-09-30 | 2011-02-02 | 河南新大新材料股份有限公司 | 一种新型碳化硅陶瓷及其制备方法 |
US20220267205A1 (en) | 2010-11-03 | 2022-08-25 | Tseng-Lu Chien | Wired and Detachable Charging-Unit of Electric Product |
US9878944B1 (en) | 2015-08-25 | 2018-01-30 | National Technology & Engineering Solutions Of Sandia, Llc | Engineered high expansion glass-ceramics having near linear thermal strain and methods thereof |
JPWO2012121116A1 (ja) | 2011-03-04 | 2014-07-17 | 旭硝子株式会社 | ディスプレイ装置用結晶化ガラス |
CN107010838B (zh) | 2011-04-20 | 2020-04-21 | 斯特劳曼控股公司 | 制备玻璃-陶瓷体的方法 |
JP2012240857A (ja) | 2011-05-16 | 2012-12-10 | Huzhou Daikyo Hari Seihin Yugenkoshi | 結晶化ガラスの連続成形方法および結晶化ガラスの連続成形装置 |
JP5835654B2 (ja) * | 2011-08-31 | 2015-12-24 | 日本電気硝子株式会社 | 強化ガラス基板の製造方法 |
JPWO2013145043A1 (ja) * | 2012-03-27 | 2015-08-03 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | ビルドアップ基板およびその製造方法ならびに半導体集積回路パッケージ |
TW201345869A (zh) * | 2012-04-18 | 2013-11-16 | Nitto Denko Corp | 用於燒結平面陶瓷之方法及裝置 |
WO2013167723A1 (de) | 2012-05-11 | 2013-11-14 | Ivoclar Vivadent Ag | Vorgesinterter rohling für dentale zwecke |
KR102018937B1 (ko) | 2012-05-11 | 2019-09-05 | 이보클라 비바덴트 아게 | 치과용 예비-소결된 블랭크 |
JP5991373B2 (ja) * | 2012-05-29 | 2016-09-14 | 旭硝子株式会社 | ガラス積層体および電子デバイスの製造方法 |
US9714174B2 (en) | 2012-07-19 | 2017-07-25 | University Of Houston System | Methods of controlling polymorphism in organic-free synthesis of Na-zeolites and zeolite crystals formed therefrom |
CN107973530B (zh) | 2012-08-28 | 2022-03-01 | 康宁股份有限公司 | 有色和不透明玻璃-陶瓷,相关的可着色和可陶瓷化玻璃,和相关方法 |
US10202303B2 (en) * | 2012-10-04 | 2019-02-12 | Corning Incorporated | Compressively stressed laminated glass article via photosensitive glass and method of making the article |
JPWO2014054169A1 (ja) * | 2012-10-05 | 2016-08-25 | イビデン株式会社 | ハニカム乾燥体の切断方法、及び、ハニカム構造体の製造方法 |
US8854623B2 (en) | 2012-10-25 | 2014-10-07 | Corning Incorporated | Systems and methods for measuring a profile characteristic of a glass sample |
US9604871B2 (en) | 2012-11-08 | 2017-03-28 | Corning Incorporated | Durable glass ceramic cover glass for electronic devices |
JP6026926B2 (ja) * | 2012-11-16 | 2016-11-16 | 株式会社オハラ | 結晶化ガラスおよび情報記録媒体用結晶化ガラス基板 |
DE102013101687B3 (de) | 2013-02-20 | 2014-05-22 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg | Optisches Bauteil aus Quarzglas zur Verwendung in der ArF-Excimerlaser-Lithographie sowie Verfahren zur Herstellung des Bauteils |
FR3002530A1 (fr) | 2013-02-28 | 2014-08-29 | Centre Nat Rech Scient | Verres et vitroceramiques nanostructures transparents dans le visible et l'infrarouge |
US20140309793A1 (en) * | 2013-04-15 | 2014-10-16 | General Cybernation Group, Inc. | Method and apparatus of self-organizing actuation and control |
US9540279B2 (en) * | 2013-05-24 | 2017-01-10 | Corning Incorporated | Method of producing glass-ceramic |
EP3036205A2 (en) * | 2013-08-23 | 2016-06-29 | Corning Incorporated | Strengthened glass articles, edge-strengthened laminated glass articles, and methods for making the same |
CN105899469B (zh) | 2013-08-30 | 2020-03-10 | 康宁股份有限公司 | 可离子交换玻璃、玻璃-陶瓷及其制造方法 |
JP6238282B2 (ja) * | 2013-09-29 | 2017-11-29 | Hoya株式会社 | 磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法及び磁気ディスク用ガラス基板の製造方法 |
US9701574B2 (en) | 2013-10-09 | 2017-07-11 | Corning Incorporated | Crack-resistant glass-ceramic articles and methods for making the same |
JP6149813B2 (ja) * | 2013-10-28 | 2017-06-21 | 株式会社村田製作所 | グラビア版の製造方法、グラビア印刷方法及び電子部品の製造方法 |
US9260337B2 (en) * | 2014-01-09 | 2016-02-16 | Corning Incorporated | Methods and apparatus for free-shape cutting of flexible thin glass |
CN106132688B (zh) * | 2014-01-27 | 2020-07-14 | 康宁股份有限公司 | 用于薄片与载体的受控粘结的制品和方法 |
JP6285234B2 (ja) * | 2014-03-25 | 2018-02-28 | 日本碍子株式会社 | ハニカム構造体の製造方法 |
US9359243B2 (en) | 2014-05-13 | 2016-06-07 | Corning Incorporated | Transparent glass-ceramic articles, glass-ceramic precursor glasses and methods for forming the same |
US9751798B2 (en) | 2014-06-30 | 2017-09-05 | Corning Incorporated | White, opaque,β-spodumene glass-ceramic articles with inherent damage resistance and methods for making the same |
DE102014110923B4 (de) | 2014-07-31 | 2016-06-02 | Schott Ag | Geformter Glas- oder Glaskeramikartikel |
KR20200126017A (ko) | 2014-10-08 | 2020-11-05 | 코닝 인코포레이티드 | 금속 산화물 농도 구배를 포함한 유리 및 유리 세라믹 |
TW202334051A (zh) | 2014-10-08 | 2023-09-01 | 美商康寧公司 | 具有葉長石及矽酸鋰結構的高強度玻璃陶瓷 |
DE102014222645A1 (de) | 2014-11-06 | 2016-05-12 | Schott Ag | Hochkristalline Lithiumaluminiumsilikat-Glaskeramik und ihre Verwendung |
DE102014226986B9 (de) | 2014-12-23 | 2017-01-12 | Schott Ag | Glaskeramisches Substrat aus einer transparenten, eingefärbten LAS-Glaskeramik und Verfahren zu dessen Herstellung |
US11267747B2 (en) | 2015-03-24 | 2022-03-08 | Corning Incorporated | High strength, scratch resistant and transparent glass-based materials |
KR20180016431A (ko) * | 2015-06-02 | 2018-02-14 | 코닝 인코포레이티드 | 표면 디스플레이 유닛용 다-기능 물질 시스템 |
US9701569B2 (en) | 2015-07-21 | 2017-07-11 | Corning Incorporated | Glass articles exhibiting improved fracture performance |
FR3045596B1 (fr) | 2015-12-17 | 2018-01-19 | Saint-Gobain Glass France | Verre mince colore renforce chimiquement |
FR3045595B1 (fr) | 2015-12-17 | 2017-12-22 | Saint Gobain | Verre feuillete asymetrique |
JP6987356B2 (ja) * | 2015-12-17 | 2021-12-22 | 日本電気硝子株式会社 | 支持ガラス基板の製造方法 |
KR20240033166A (ko) | 2016-04-08 | 2024-03-12 | 코닝 인코포레이티드 | 금속 산화물 농도 구배를 포함하는 유리-계 제품 |
CN105731808A (zh) | 2016-04-20 | 2016-07-06 | 昆明理工大学 | 一种制备微晶玻璃的方法 |
CN105884184B (zh) | 2016-06-22 | 2018-06-12 | 武汉理工大学 | 一种高炉熔渣制备微晶玻璃的微晶化方法 |
CN107619193A (zh) * | 2016-07-14 | 2018-01-23 | 蒋寿悟 | 一种微晶玻璃板材的生产方法 |
US10693032B2 (en) * | 2016-09-30 | 2020-06-23 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Method for producing Group III nitride semiconductor, seed substrate and Group III nitride semiconductor crystal |
US20180169826A1 (en) * | 2016-12-21 | 2018-06-21 | Corning Incorporated | Polishing extremely thin silica sheets and polished sheets |
JP6841036B2 (ja) * | 2016-12-28 | 2021-03-10 | Tdk株式会社 | 積層セラミック電子部品 |
US10933679B2 (en) * | 2017-03-27 | 2021-03-02 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Screen printing plate and manufacturing method of electronic component |
CN206683413U (zh) * | 2017-04-06 | 2017-11-28 | 南京云启金锐新材料有限公司 | 烧结用承烧板 |
US10676391B2 (en) | 2017-06-26 | 2020-06-09 | Free Form Fibers, Llc | High temperature glass-ceramic matrix with embedded reinforcement fibers |
WO2019022033A1 (ja) | 2017-07-26 | 2019-01-31 | Agc株式会社 | 化学強化用ガラス、化学強化ガラスおよび電子機器筐体 |
CN111348833B (zh) | 2017-12-01 | 2022-04-08 | 成都光明光电股份有限公司 | 微晶玻璃及其基板 |
US10611666B2 (en) | 2017-12-01 | 2020-04-07 | Apple Inc. | Controlled crystallization of glass ceramics for electronic devices |
US11066322B2 (en) | 2017-12-01 | 2021-07-20 | Apple Inc. | Selectively heat-treated glass-ceramic for an electronic device |
DE102018110908A1 (de) | 2017-12-22 | 2018-06-21 | Schott Ag | Transparente, eingefärbte Lithiumaluminiumsilikat-Glaskeramik sowie Verfahren zur Herstellung und Verwendung der Glaskeramik |
CN111954646A (zh) | 2018-03-29 | 2020-11-17 | 康宁股份有限公司 | 经离子交换的玻璃陶瓷制品 |
KR20210032925A (ko) | 2018-07-16 | 2021-03-25 | 코닝 인코포레이티드 | 파단에 대한 증가된 내성을 갖는 유리-세라믹 제품 및 이를 제조하기 위한 방법 |
US11014848B2 (en) * | 2018-07-16 | 2021-05-25 | Corning Incorporated | Glass ceramic articles having improved properties and methods for making the same |
JP7221493B2 (ja) * | 2019-02-18 | 2023-02-14 | 国立大学法人大阪大学 | Iii族窒化物結晶の製造方法 |
CN113896410A (zh) * | 2021-10-21 | 2022-01-07 | 河北光兴半导体技术有限公司 | 一种用于玻璃原片的晶化的方法 |
-
2019
- 2019-07-03 WO PCT/US2019/040491 patent/WO2020018285A1/en active Application Filing
- 2019-07-03 CN CN201980048034.9A patent/CN112437759A/zh active Pending
- 2019-07-04 TW TW108123511A patent/TWI828718B/zh active
- 2019-07-15 US US16/511,443 patent/US11613491B2/en active Active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014012617A (ja) * | 2012-07-04 | 2014-01-23 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 結晶化ガラス板の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20200017393A1 (en) | 2020-01-16 |
TW202005921A (zh) | 2020-02-01 |
CN112437759A (zh) | 2021-03-02 |
WO2020018285A1 (en) | 2020-01-23 |
US11613491B2 (en) | 2023-03-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI828718B (zh) | 陶瓷化具有改善的翹曲的玻璃製品的方法 | |
US11649187B2 (en) | Glass ceramic articles having improved properties and methods for making the same | |
EP3717423B1 (en) | Black lithium silicate glass ceramics | |
US9764980B2 (en) | Glass composition, glass composition for chemical strengthening, strengthened glass article, and cover glass for display | |
JP5892932B2 (ja) | 高性能ガラスセラミック及び高性能ガラスセラミックを製造する方法 | |
US7645714B2 (en) | Crystallized glass, and method for producing crystallized glass | |
JP2021527019A (ja) | 電子デバイスカバープレート用ガラスセラミック物品およびガラスセラミック | |
US20210292220A1 (en) | Setter plates and methods of ceramming glass articles using the same | |
JP2003146692A (ja) | ディスプレイパネル用のガラス組成物 | |
JP2006008488A (ja) | 熱処理用セッター及びその製造方法、並びにガラス基板の熱処理方法 | |
US20210130228A1 (en) | Glass substrates including uniform parting agent coatings and methods of ceramming the same | |
US20210009459A1 (en) | Methods for forming glass ceramic articles | |
US11820698B2 (en) | Glass articles coated with silica-based parting agent and methods of ceramming the same | |
JP2005281101A (ja) | ディスプレイ装置用基板ガラス | |
JP2006008486A (ja) | 熱処理用セッター及びその製造方法、並びにガラス基板の熱処理方法 | |
JP2006008487A (ja) | 熱処理用セッター及びその製造方法、並びにガラス基板の熱処理方法 | |
JP2022523029A (ja) | ガラスセラミック物品、組成物、及びその製造方法 | |
WO2024118417A1 (en) | White glass-ceramic articles with opacity and high fracture toughness, and methods of making the same | |
CN114804656A (zh) | 纳米晶玻璃及其制备方法 |