JP6841036B2 - 積層セラミック電子部品 - Google Patents
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Description
内部電極層と誘電体層とが交互に積層された積層体を有する積層セラミック電子部品であって、
前記誘電体層の厚みは0.5μm以下であり、
前記内部電極層の内部にはセラミック粒子が内包してあり、
前記内部電極層に内包されたセラミック粒子の断面積表示の含有割合は、2〜15%であることを特徴とする。
まず、本発明に係る積層セラミック電子部品の一実施形態として、積層セラミックコンデンサの全体構成について説明する。
本実施形態の積層セラミックコンデンサ2を構成する内側誘電体層10に使用する誘電体材料としては、特に制限はなく、種々の誘電体材料を使用することができる。たとえば、酸化チタン系、チタン酸系複合酸化物、あるいは、これらの混合物等を使用することができる。
なお、外装領域11を構成する誘電体層の材質は、上述した内側誘電体層10を構成する誘電体層の材質と同じでも異なっていても良く、特に限定されない。
内部電極層12は、実質的に電極として作用する卑金属の導電材から構成される。具体的には、内部電極層12の主成分としては、NiまたはNi合金が好ましい。Ni合金としては、Mn、Cr、Co、Al、Wなどの1種以上とNiとの合金が好ましく、合金中のNi含有量は95重量%以上であることが好ましい。また、NiまたはNi合金中には、P、C、Nb、Fe、Cl、B、Li、Na、K、F、S等の各種微量成分が0.1重量%以下含有されてもよい。
外部電極6,8は、導電材としてPd、Ag、Au、Cu、Pt、Rh、Ru、Ir等の金属の少なくとも1種、あるいは、これらの合金で構成してあり、1層または多層の導電膜で構成してある。外部電極6,8の厚みは特に制限されず、たとえば、1〜100μm、特に5〜50μm程度とすることができる。また、外部電極には、導電材の焼結性を向上させること、積層体との接着性を確保することを目的として、ガラスを含有させてもよい。
次に、本実施形態の積層セラミックコンデンサ2の製造方法について説明する。
誘電体層形成用ペーストとしては、誘電体原料と有機ビヒクルとを混練分散したものが使用される。
内部電極層形成用ペーストは、上述の各種導電性金属や合金で構成してある内部電極用導電粒子と、セラミック粒子と、上記有機ビヒクルとを混練分散して調製される。ペースト中に含有される内部電極用導電粒子の平均粒子径は、好ましくは0.4μm以下、さらに好ましくは0.2μm以下、特に好ましくは0.05〜0.15μmである。
上記のようにして作製されたチップ状積層体は、焼成される前に、脱バインダ処理が施されることが好ましい。この脱バインダ処理の条件は、使用した材料等を考慮して適宜設定することができ、たとえば、内部電極層の導電材にNiやNi合金等の卑金属を用いる場合、下記の条件で行うことが特に好ましい。
昇温速度 :5〜300°C/時間、
保持温度 :200〜800°C、
温度保持時間:0.5〜24時間、
雰囲気 :空気中または還元雰囲気。
本実施形態におけるチップ状積層体の焼成工程は、焼成温度(最高温度)1000〜1400°Cの温度条件下で行なわれる。焼成時における最高温度の保持時間は、1時間以内が好ましい。焼成温度(最高温度)までの昇温時における昇温速度は、25°C/秒以上、好ましくは50°C/秒以上、さらに好ましくは100°C/秒以上である。
還元雰囲気で焼成した場合、焼成後の積層体にはアニールを施すことが好ましい。アニールは、誘電体層を再酸化するための処理であり、これにより絶縁抵抗の加速寿命を著しく長くすることができる。
上記のように作製したチップ状積層体(素子本体の原型)の対向する両端面側に外部電極形成用ペーストを印刷あるいは転写する。その後、焼成して、外部電極を形成する。また、外部電極形成用ペーストをディッピングにより塗布後、焼成して、形成することもできる。
外部電極形成用ペーストとしては、導電材としてPd、Ag、Au、Cu、Pt、Rh、Ru、Ir等の金属の少なくとも1種、あるいは、これらの合金が使用され、上記の内部電極層用ペーストと同様にして調製される。
誘電体層形成用ペーストの調整
誘電体層の主原料として、平均粒子径0.1μmのBaTiO3 を主成分とするセラミック粉末を準備した。この主原料に対して、有機バインダとしてPVB(ポリビニルブチラ−ル)樹脂を10wt%、および主原料に対して可塑剤としてDOP(ジオクチルフタレート)を5wt%それぞれ秤量して添加し、しかる後、ボールミルで混練してスラリー(誘電体層形成用ペースト)とした。
平均粒子径0.1μmのNi粒子を準備した。このNi粒子に対してBaTiO3 からなるセラミック粉末(平均粒子径0.03μmのセラミック粒子)を、10wt%(共材量)添加した。さらに、この混合粉末に対してエチルセルロース樹脂を5wt%、タービネオールを35wt%秤量して添加し、しかる後、ボールミルで混練して内部電極層形成用ペーストを形成した。
上記誘電体層形成用スラリー(ペースト)を用いて、ドクターブレード法で乾燥後の厚さが0.55μm(焼結後の厚さ0.5μm)の厚みとなるセラミックグリーンシート(誘電体のグリーンシート)を作製した。このセラミックグリーンシートの上に上記の内部電極層形成用ペーストをスクリーン印刷法で塗布し、厚さ0.50μm(焼結後の厚さ0.45μm)の内部電極層パターンを形成した。
次に、このチップ状積層体の中に含有されるバインダーを飛ばすために、いわゆる脱バインダーを目的として、このチップ状積層体を、500°Cの温度条件下に1時間放置した。
積層セラミックコンデンサの内部電極層の平面に対して垂直な面で破断して、その破断面を走査型電子顕微鏡(SEM)にて3千倍で9視野、拡大観察し、1視野あたり40個の内部電極層12の存在割合(平均)を、内部電極被覆率X(%)として算出した。理想的には内部電極層12は連続性を有し、所定の設定長さLを備えるはずである。しかしながら、実際には、いわゆる球状化による内部電極の途切れが複数の場所で生じ、途切れ部分を除いた分断された電極の総和の長さΣLiが現実の長さ値となる。なお、内部電極層12に途切れが全く生じていない場合、内部電極被覆率は100%となる。
積層セラミックコンデンサの内部電極層の平面に対して垂直な面で破断して、その破断面を走査型電子顕微鏡(SEM)にて3千倍で9視野、拡大観察し、1視野あたり1千箇所の誘電体層(内側誘電体層10)の厚みを測定して数値の標準偏差(σ)を算出し、9視野の標準偏差の値を平均した値を誘電体層(内側誘電体層10)の厚みのばらつきとして算出した。
積層セラミックコンデンサ2を内部電極層の平面に対して垂直な面で3箇所破断して、それらの各破断面を走査形電子顕微鏡(SEM)にて1.5万倍で9視野、拡大観察し、内部電極層内部に埋包しているセラミック粒子50の割合を画像から面積比率に計算して含有割合(平均値)とした。
信頼性評価として、各サンプルに対し、160°Cにて、5V/μmの直流電界に保持し、高温加速寿命を測定した。本実施例においては、20個のサンプルについて電圧印加開始から絶縁抵抗が一桁落ちるまでの時間を故障時間とし、これをワイブル解析することによりMTTFを算出した。MTTFが5時間以上のものを良好、15時間以上のものを非常に良好、20時間以上のものを極めて良好と判断した。
上記実施例1において設定した焼成工程における昇温速度を25°C/秒から50°C/秒に変えた以外は、上記実施例1と同様にして実施例2のサンプルを作製し、実施例1と同様な測定を行った。結果を表1に示す。
上記実施例1において設定した焼成工程における昇温速度を25°C/秒から100°C/秒に変えた以外は、上記実施例1と同様にして実施例3のサンプルを作製し、実施例1と同様な測定を行った。結果を表1に示す。
上記実施例1において設定した焼成工程における昇温速度を25°C/秒から10°C/秒に変えた以外は、上記実施例1と同様にして比較例1のサンプルを作製し、実施例1と同様な測定を行った。結果を表1に示す。
上記実施例1において設定した内部電極層パターンの厚さを0.50μmから0.45μm(焼結後の厚さ0.40μm)に変えた以外は、上記実施例1と同様にして実施例4のサンプルを作製し、実施例1と同様な測定を行った。結果を表1に示す。
上記実施例4において設定した焼成工程における昇温速度を25°C/秒から50°C/秒に変えた以外は、上記実施例4と同様にして実施例5のサンプルを作製し、実施例1と同様な測定を行った。結果を表1に示す。
上記実施例4において設定した焼成工程における昇温速度を25°C/秒から100°C/秒に変えた。それ以外は、上記実施例4と同様にして実施例6のサンプルを作製し、実施例1と同様な測定を行った。結果を表1に示す。
上記実施例4において設定した焼成工程における昇温速度を25°C/秒から10°C/秒に変えた以外は、上記実施例4と同様にして比較例2のサンプルを作製し、実施例1と同様な測定を行った。結果を表1に示す。
内部電極層パターンの厚さを0.45μmから1.10μm(焼結後の厚さ1.00μm)に変えた以外は、上記実施例3と同様にして実施例10のサンプルを作製し、実施例1と同様な測定を行った。結果を表2に示す。
内部電極層の厚さを焼結後で0.80μmに変えた以外は、上記実施例10と同様にして実施例11のサンプルを作製し、実施例1と同様な測定を行った。結果を表2に示す。
内部電極層の厚さを焼成後で0.60μmに変えた以外は、上記実施例10と同様にして実施例12のサンプルを作製し、実施例1と同様な測定を行った。結果を表2に示す。
焼成工程における昇温速度を100°C/秒から10°C/秒に変えた以外は、上記実施例10と同様にして比較例10のサンプルを作製し、実施例1と同様な測定を行った。結果を表2に示す。
誘電体層の厚みを焼成後で0.4μmに変えた以外は、上記実施例4と同様にして実施例13のサンプルを作製し、実施例1と同様な測定を行った。結果を表2に示す。
誘電体層の厚みを焼成後で0.4μmに変えた以外は、上記実施例5と同様にして実施例14のサンプルを作製し、実施例1と同様な測定を行った。結果を表2に示す。
誘電体層の厚みを焼成後で0.4μmに変えた以外は、上記実施例6と同様にして実施例15のサンプルを作製し、実施例1と同様な測定を行った。結果を表2に示す。
誘電体層の厚みを焼成後で0.4μmに変えた以外は、上記比較例2と同様にして比較例11のサンプルを作製し、実施例1と同様な測定を行った。結果を表2に示す。
誘電体層の厚みを、焼成後で0.5μmから1.0μmに変えた以外は、上記比較例1と同様にして比較例20のサンプルを作製し、実施例1と同様な測定を行った。結果を表3に示す。
焼成工程における昇温速度を10°C/秒から25°C/秒に変えた以外は、上記比較例20と同様にして比較例21のサンプルを作製し、実施例1と同様な測定を行った。結果を表3に示す。
焼成工程における昇温速度を10°C/秒から50°C/秒に変えた以外は、上記比較例20と同様にして比較例22のサンプルを作製し、実施例1と同様な測定を行った。結果を表3に示す。
焼成工程における昇温速度を10°C/秒から100°C/秒に変えた以外は、上記比較例20と同様にして比較例23のサンプルを作製し、実施例1と同様な測定を行った。結果を表3に示す。
上記実施例10において設定した共材量を10wt%から15wt%に変えた以外は、上記実施例10と同様にして実施例20のサンプルを作製し、実施例1と同様な測定を行った。結果を表4に示す。
上記実施例10において設定した共材量を10wt%から20wt%に変えた以外は、上記実施例10と同様にして実施例21のサンプルを作製し、実施例1と同様な測定を行った。結果を表4に示す。
上記実施例10において設定した共材量を10wt%から25wt%に変えた以外は、上記実施例10と同様にして比較例31のサンプルを作製し、実施例1と同様な測定を行った。結果を表4に示す。
表1において、比較例1と実施例1〜実施例3とを比較すると共に、比較例2と実施例4〜6とを比較することで、誘電体層(内側誘電体層10)の厚みが0.5μm以下の場合には、セラミック粒子の断面積表示の含有割合が2%以上、好ましくは3%以上である場合に、平均故障時間が15時間以上、好ましくは20時間以上となり、信頼性が向上することが確認できた。また、実施例1〜6によれば、誘電体層の厚みばらつきを100nm以下、さらに好ましくは90nm以下、特に好ましくは80nm以下、内部電極被覆率は、好ましくは70%以上、さらに好ましくは80%以上、特に好ましくは85%以上であることが確認できた。
4… コンデンサ素体
6… 第1外部電極
8… 第2外部電極
10… 内側誘電体層
11… 外装領域
12… 内部電極層
12A,12B… 引出部
13… 内装領域
14… 容量領域
15A,15B…引出領域
16… 側面保護領域
50… セラミック粒子
Claims (5)
- 内部電極層と誘電体層とが交互に積層された積層体を有する積層セラミック電子部品であって、
前記誘電体層の厚みは0.5μm以下であり、
前記内部電極層の内部にはセラミック粒子が内包してあり、
前記内部電極層に内包されたセラミック粒子の断面積表示の含有割合は、3.1%〜5.5%であり、
前記内部電極層の厚みは、0.45μm以下である積層セラミック電子部品。 - 前記内部電極層は、Niを主成分として含んでいることを特徴とする請求項1に記載の積層セラミック電子部品。
- 前記セラミック粒子は、BaTiO3、ZrO2、一般式R2O3(RはY、Dy、HoおよびErから選択される少なくとも1種)、およびアルカリ土類金属の酸化物(Mg、Ca、BaおよびSrから選択される少なくとも1種)の少なくともいずれかを含むことを特徴とする請求項1または2に記載の積層セラミック電子部品。
- 前記誘電体層の厚みのばらつき(σ)が100nm以下であることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の積層セラミック電子部品。
- 前記内部電極層の被覆率が70%以上であることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の積層セラミック電子部品。
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JP2007243026A (ja) * | 2006-03-10 | 2007-09-20 | Tdk Corp | セラミック粉末及びこれを用いた導電ペースト、積層セラミック電子部品、その製造方法 |
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