TWI821884B - 電鍍裝置及製造封裝結構之方法 - Google Patents

電鍍裝置及製造封裝結構之方法 Download PDF

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Abstract

本揭露提供了一種電鍍裝置及製造封裝結構之方法。根據本發明之一些實施例，電鍍裝置包括：一第一匯流排；以及一第二匯流排，其中上述第一匯流排與上述第二匯流排之間具有一夾角，上述第一匯流排包括靠近上述第二匯流排之一第一端部，以及遠離上述第二匯流排之一第一部分，其中上述第一匯流排之上述第一端部之陰極的間隙大於上述第一部分之陰極的間隙。

Description

電鍍裝置及製造封裝結構之方法
本發明係關於一種電鍍裝置，並且更具體地係關於使用此電鍍裝置形成封裝結構之方法。
為了增加產率，四邊形基板及應用於四邊形基板之電鍍裝置開始被廣泛地使用於各種半導體製造及/或封裝之製程，例如電鍍製程。在方形基板上執行電鍍製程時，會使用排列成對應基板形狀之電極。由於在基板之夾角(corner)處容易累積電荷，使得夾角處之電場大於其他區域之電場，造成夾角處金屬離子沈積之速度會大於其他區域，形成之電鍍層會有均勻度不佳的問題。因此，需要尋求一種新的電鍍裝置及方法以改良上述問題。
根據本發明之一些實施例，一種電鍍裝置包括：一第一匯流排(bus line)；以及一第二匯流排，其中上述第一匯流排與上述第二匯流排之間具有一夾角，上述第一匯流排包括靠近上述第二匯流排之一第一端部，以及遠離上述第二匯流排之一第一部分，其中上述第一匯流排之上述第一端部之陰極的間隙大於上述第一部分之陰極的間隙。
根據本發明之一些實施例，一種製造封裝結構之方法包括：提供一電鍍裝置，其包括第一匯流排，以及第二匯流排，其中上述第一匯流排與上述第二匯流排之間具有一夾角，上述電鍍裝置進一步包括靠近上述夾角之一第一區塊及遠離上述夾角之一第二區塊；以及提供位於上述第一區塊內之第一匯流排之電場小於位於第二區塊內之第一匯流排之電場。
以下揭示內容提供了用於實施所提供主題之不同特徵之許多不同實施例或實例。以下描述了組件及配置之特定實例。當然，此等僅係實例並且不意欲係限制性的。在本發明中，對在第二特徵之上或上形成或設置第一特徵之引用可以包含將第一特徵及第二特徵被形成或設置為直接接觸之實施例，並且亦可以包含可以在第一特徵與第二特徵之間形成或設置另外的特徵使得第一特徵及第二特徵可以不直接接觸之實施例。另外，本發明可以在各個實例中重複附圖標記及/或字母。此種重複係為了簡單及清晰之目的並且本身並不指示所論述之各個實施例及/或組態之間的關係。
下文詳細論述了本發明之實施例。然而，應當理解的是，本發明提供了許多可以在各種各樣之特定環境下具體化之適用概念。所論述之特定實施例僅係說明性的，而不限制本發明之範疇。
圖1係根據本發明之比較例之電鍍裝置10'及基板20之部份的截面圖。
如圖1所示，電鍍裝置10'可包括基板載體11'、電極固定構件12'及導電層13'。電鍍裝置10'可為用於執行例如電鍍製程之電鍍裝置。具體而言，基板20可置放於電鍍裝置10'上，並與電鍍裝置10'一同置入一電鍍槽(未繪示)，以執行電鍍製程，以在基板20之表面上形成一線路層(或電鍍層)。在圖1中，僅繪示電鍍裝置10'之部分組件。電鍍裝置10'可具有其他組件，例如電源、陽極及/或其他組件。
基板載體11'可用於承載基板20。基板載體11'可具有凹槽(未繪示)以容納基板20。基板載體11'可具有其他用以固定基板20之構件。
電極固定構件12'可用於設置或固定導電層13'。電極固定構件12'可與基板載體11'相接。例如，電極固定構件12'可設置在基板載體11'之上，並與基板載體11'直接接觸。電極固定構件12'與基板載體11'可為一體成形。或者，電極固定構件12'與基板載體11'為可經由拆解而分離成兩個分隔的組件。電極固定構件12'亦可不與基板載體11'相接。例如，電極固定構件12'可經由其他組件而搭載於基板載體11'上。
導電層13'可設置於電極固定構件12'上。導電層13'可包含連接構件131'及陰極132'。連接構件131'可用於電連接及/或固定複數個陰極132'。陰極132'可用於接觸基板20，以提供電流至基板20之表面。例如，連接構件131'可連接至一電源，當陰極132'與基板20接觸時，電流可經由連接構件131'及陰極132'而被施加至基板20之表面上。
基板20可為玻璃基板、晶圓及/或其他適合的基板。基板20之表面可用於形成一線路層。上述線路層可用於電連接例如一或多個電子組件，例如晶片或其他適合的電子組件。
屏蔽層31(mask layer)可設置於基板20上。屏蔽層31可為絕緣材料，例如光阻或其他適合的組件。屏蔽層31可用於界定形成在基板20表面上之電鍍圖案。例如，屏蔽層31可遮住基板20之表面之第一部份，並露出基板20之表面之第二部份。可在基板20之表面之第二部份上形成一晶種層(未繪示)，並藉由電鍍製程形成線路層於基板20之表面之第二部份上。
支撐件32可用於隔開屏蔽層31及電極固定構件12'。可調整支撐件32之長度，以調整陰極132'與基板20之相對位置。
圖2係根據本發明之比較例之電鍍裝置10'的仰視圖。為了簡潔，並未繪示基板載體11'。
如圖2所示，電極固定構件12'可具有四邊形輪廓。電極固定構件12'亦可具有其他適合的輪廓，例如，多邊形或其他適合的輪廓。電極固定構件12'可為中央部份具有挖空圖案之環形輪廓，亦可具有中央部份不具有挖空圖案之輪廓。電極固定構件12'可覆蓋連接構件131'及/或陰極132'。電極固定構件12'可完全地或部份地覆蓋連接構件131'及/或陰極132'。
連接構件131'可具有四邊形輪廓。連接構件131'亦可具有其他適合的輪廓，例如，多邊形或其他適合的輪廓。連接構件131'可為中央部份具有挖空圖案之環形輪廓。導電層13或連接構件131'可具有匯流排(bus line) 13e1及相鄰於匯流排13e1之匯流排13e2。匯流排13e1可沿一第一方向延伸，匯流排13e2可沿第二方向延伸。第一方向可與第二方向不同。第一方向可大抵上與第二方向垂直。匯流排13e1可與匯流排13e2連接。匯流排13e1可不與匯流排13e2連接。夾角13c1可由匯流排13e1及匯流排13e2構成。
陰極132'可設置在連接構件131'之每一邊上，例如匯流排13e1及匯流排13e2。連接構件131'之一個邊(例如匯流排13e1)至少存在一個陰極132'與連接構件131'相接。每一陰極132'可由連接構件131'之邊(例如匯流排13e1之匯流排13e2)朝向連接構件131'之中央部份(例如連接構件131'所界定之挖空圖案)延伸。每一陰極132'可具有與連接構件131'重疊(或接觸)之部份以及不與連接構件131'重疊(或接觸)之部份。
如圖2所示，電極固定構件12'對應匯流排13e1處可具有非端部R1及端部R2。由上視或仰視之視角觀看，非端部R1與端部R2可具有相同的面積。端部R2與夾角13c1之距離可與非端部R1與夾角13c1之距離不同。端部R2相較於非端部R1更靠近夾角13c1。非端部R1及端部R2為假想之區域，其用以計算在單位面積中，陰極132'所占之面積比。具體而言，陰極132'在非端部R1所占之面積比，可定義為在上視或仰視之視角中，陰極132'與非端部R1重疊之面積；陰極132'在端部R2所占之面積比，可定義為在上視或仰視之視角中，陰極132'與端部R2重疊之面積。如圖2所示，在比較例中，陰極132'在非端部R1內所占之面積比與陰極132'在端部R2內所占之面積比相同。
圖3係根據本發明之比較例之電鍍裝置10'及基板20的上視圖。為清楚表示基板20與陰極132'之位置關係，省略部份組件。此外，基板20被陰極132'覆蓋之部分以虛線表示。
如圖3所示，基板20可具有四邊形輪廓。基板20亦可具有其他適合的輪廓，例如，多邊形或其他適合的輪廓。基板20與陰極132'具有重疊之處。陰極132'可具有與基板20接觸之部份。陰極132'在非端部R1內所占之面積比大抵上正比於在基板20對應非端部R1內陰極132'與基板20接觸之面積，陰極132'在端部R2內所占之面積比大抵上正比於陰極132'與基板20對應端部R2內陰極132'與基板20接觸之面積。在單位面積中，陰極132'與基板20接觸或重疊之面積影響此單位面積所接收之電流密度。例如，若陰極132'與基板20於單位面積之接觸或重疊之面積愈大，則在此單位面積所接收之電流密度愈大。在比較例，由於陰極132'在非端部R1內所占之面積比與陰極132'在端部R2內所占之面積比相同，因此，電鍍裝置10'在基板20對應非端部R1處所施加之電流密度與在基板20對應端部R2處所施加之電流密度大抵上相同。
如圖3所示，基板20具有與導電層13'之夾角對應之夾角。例如，基板20具有與夾角13c1對應之夾角20c1，以及與夾角13c2對應之夾角20c2。當執行電鍍製程時，基板20之夾角處(例如夾角20c1及夾角20c2)容易產生電暈放電(corona discharge)，因此在執行電鍍製程時，夾角20c1及夾角20c2處較容易產生相對較大的電場，而影響電鍍層之厚度及其均勻度。具體而言，若在基板20中靠近夾角20c1處(例如對應端部R2處)與遠離夾角20c1處(例如對應非端部R1處)給予兩者相同的電流密度，則在基板20中靠近夾角20c1處(例如對應端部R2處)會產生比較大的電場，在遠離夾角20c1處(例如對應非端部R1處)會產生比較大的電場，使得靠近夾角處與遠離夾角處之線路層之厚度不同。
參閱圖4，圖4繪示在比較例中，執行電鍍製程時，對應基板20不同區域之金屬離子M之濃度的示意圖。
在執行電鍍製程時，電鍍裝置10'及基板20會放入一電鍍槽(未繪示)中，電鍍裝置10'之導電層13'可電連接至一電源(未繪示)之陰極。在電源之陽極與陰極之間會產生一電場，使電鍍液中之金屬離子M因電場而聚集至陰極，並還原成金屬而沈積至基板20上。如同先前所述，由於電暈放電，若對基板20之不同區域施加相同的電流密度，則在基板20中靠近夾角20c1及靠近夾角20c2處可產生較大的電場，在基板20中遠離夾角20c1及遠離夾角20c2處可產生較小的電場。因此，電鍍液中之金屬離子M會比較容易聚集在靠近夾角20c1及靠近夾角20c2處，較難聚集在遠離夾角20c1及遠離夾角20c2處，使得靠近夾角20c1及靠近夾角20c2處之金屬離子M之濃度較大，遠離夾角20c1及遠離夾角20c2處之金屬離子M之濃度較小。結果，在靠近夾角(例如夾角20c1及夾角20c2)處形成之線路層之厚度與遠離夾角處形成之線路層之厚度之間會有相對較大的厚度差。
圖5繪示使用比較例之電鍍裝置10'所形成之封裝結構40'的截面圖。
在執行電鍍製程後，線路層31'、線路層32'及線路層33'形成於基板20上。線路層31'、線路層32'及線路層33'可包含金屬，例如銅、銀、金、鋁、鎳、鋅、鉻或其他適合的材料。其中，線路層31'設置在靠近夾角20c1處，線路層33'設置在靠近夾角20c2處，線路層32'設置在遠離夾角20c1及夾角20c2處。如先前所述，由於電暈放電，在對應夾角20c1處形成之線路層31'之厚度會大於線路層32'之厚度，在對應夾角20c2處形成之線路層33'之厚度會大於線路層32'之厚度。在比較例中，線路層之厚度之均勻度之標準偏差大於10%，對後續製程(例如將電子組件安裝在線路層上)有負面的影響，而降低封裝結構40'之良率。
為了進一步提昇電鍍製程之良率，本發明之實施例藉由預先設計電鍍裝置之陰極之圖案組態使得不同區域之陰極具有不同的面積及/或間隙，或控制給予不同區域之陰極不同的電流，以補償前述電暈放電造成之電場不均問題。
圖6係根據本發明之實施例之電鍍裝置10a與基板20的上視圖。為了簡潔，部份之組件(例如基板載體、電極固定構件)並未繪示。電鍍裝置10a可與電鍍裝置10'相同或相似，其中之一的不同處在於陰極132a。陰極13可包含連接構件131及陰極132a。連接構件131可與連接構件131'相同。陰極132a包括位於非端部R1內之陰極1321及位於端部R2內之陰極1322。在一些實施例，在非端部R1內之陰極1321所占之第一面積比不同於端部R2內陰極1322所占之第二面積比。在一些實施例，第一面積比大於第二面積比。在一些實施例，自上視圖之視角觀看，每一陰極1321之面積與每一陰極1322之面積相同，亦即，每一陰極1321與基板20接觸之面積與每一陰極1322與基板20接觸之面積相等。在一些實施例，在非端部R1內之陰極1321之數量大於在端部R2內之陰極1322之數量。在一些實施例，在非端部R1內之陰極1321的間隙(pitch)小於在端部R2內之陰極1322的間隙。
在此實施例，改變了單位面積中，陰極(例如陰極1321及陰極1322)所占之面積比，來調整陰極132a與基板20之接觸或重疊之面積，改變了施加在基板20上之電流密度。如圖6所示，在靠近夾角13c1處之端部R2之陰極1322所占之第二面積比小於在遠離夾角13c1處之非端部R1之陰極1321所占之第一面積比，使得基板20對應端部R2處(或靠近夾角20c1處)所得到之電流密度小於基板20對應非端部R1處(或遠離夾角20c1處)所得到之電流密度。在此實施例，在基板20中容易產生相對較強的電場處給予較小的電流密度，在基板20中容易產生相對較弱處給予較大的電流密度，使得上述兩處產生之電場差異變小。藉此，來改良形成在基板20上之線路層之厚度之均勻度，提昇封裝結構之製造良率。
圖7係根據本發明之實施例之電鍍裝置10b的上視圖。電鍍裝置10b可與電鍍裝置10a相同或相似，其中之一的不同處在於陰極132b之排列方式。連接構件131可具有匯流排13e3，匯流排13e3可與匯流排13e1相鄰，並面向匯流排13e2。夾角13c3可由匯流排13e1及匯流排13e3構成。電鍍裝置10b可具有端部R3。端部R2與端部R3位於匯流排13e1之兩側。非端部R1位於端部R2與端部R3之間。相較於非端部R1，端部R3可更靠近夾角13c3。在一些實施例，在非端部R1內之陰極1321所占之第一面積比不同於端部R3內陰極1323所占之第三面積比。在一些實施例，在靠近夾角13c3處之端部R3之陰極1323所占之第三面積比小於在遠離夾角13c1處之非端部R1之陰極1321所占之第一面積比。在一些實施例，在靠近夾角13c3處之端部R3之陰極1323所占之第三面積比大抵上與靠近夾角13c1處之端部R2之陰極1322所占之第二面積比相等。
在此實施例，改變了單位面積中，陰極(例如陰極1321、陰極1322及陰極1323)所占之面積比，來調整陰極132b與基板20之接觸或重疊之面積，改變了施加在基板20上之電流密度。如圖7所示，改變非端部R1、端部R2及端部R3相對之陰極132b所占之面積比，調整基板20對應非端部R1、端部R2及端部R3處所得到之電流密度。在此實施例，在基板20中容易產生相對較強的電場處給予較小的電流密度，在基板20中容易產生相對較弱處給予較大的電流密度，使得上述兩處產生之電場差異變小。藉此，來改良形成在基板20上之線路層之厚度之均勻度，提昇封裝結構之製造良率。
圖8係根據本發明之實施例之電鍍裝置10c的上視圖。電鍍裝置10c可與電鍍裝置10a相同或相似，其中之一的不同處在於陰極132c。在一些實施例，在非端部R1內之陰極1321所占之第一面積比不同於端部R2內陰極1322所占之第二面積比。在一些實施例，位於非端部R1之複數個陰極1321之至少一個之面積不同於位於端部R2之複數個陰極1322之至少一個之面積。在一些實施例，位於非端部R1之複數個陰極1321之至少一個之面積大於位於端部R2之複數個陰極1322之至少一個之面積。在一些實施例，複數個陰極1321之間的間隙可與複數個陰極1322之間的間隙相同。在一些實施例，複數個陰極1321之間的間隙可與複數個陰極1322之間的間隙不同。
在此實施例，改變了單位面積中，陰極(例如陰極1321及陰極1322)所占之面積比，來調整陰極與基板20之接觸或重疊之面積，改變了施加在基板20上之電流密度。藉此，來改良形成在基板20上之線路層之厚度之均勻度，提昇封裝結構之製造良率。
圖9係根據本發明之實施例之電鍍裝置10d的上視圖。電鍍裝置10d可與電鍍裝置10a相同或相似，其中之一的不同處在於陰極132d。在一些實施例，在非端部R1內之132d所占之第一面積比不同於端部R2內陰極132d所占之第二面積比。在一些實施例，陰極132d可連續地由非端部R1沿第一方向(例如為匯流排13e1之延伸方向)延伸至端部R2。在一些實施例，陰極132d在非端部R1沿第二方向(例如為匯流排13e2之延伸方向)具有第一長度L1，在上述端部R2沿第二方向具有第二長度L2，第一長度L1與第二長度L2不同。在一些實施例，第一長度L1大於第二長度L2。在另一些實施例，陰極132d可不連續地由非端部R1沿第一方向延伸至端部R2。
圖10係根據本發明之實施例之電鍍裝置10e的上視圖。電鍍裝置10e可與電鍍裝置10a相同或相似，其中之一的不同處在於連接構件131。在一些實施例，連接構件131可包含匯流排13e4及匯流排13e5。在一些實施例，匯流排13e4與匯流排13e5可構成一四邊形。在一些實施例，匯流排13e4可與匯流排13e5電連接至一相同的電源。在一些實施例，匯流排13e4與匯流排13e5並聯。在一些實施例，匯流排13e4可與匯流排13e5電連接至不同的電源。陰極132e可包含陰極1323及陰極1324。陰極1323可電連接至匯流排13e4。陰極1324可電連接至匯流排13e5。當匯流排13e4與匯流排13e5電連接至不同的電源時，可藉由施與匯流排13e4與匯流排13e5不同的電壓，來調整基板20對應不同區域之電流密度。
圖11係根據本發明之實施例之電鍍裝置10f的上視圖。
在一些實施例，電鍍裝置10f可包含區塊(或部分) D1及區塊(或部分) D2。匯流排13e1包含端部R2、端部R3及非端部R1。匯流排13e2包含端部R4、端部R6及非端部R5。端部R2靠近夾角13c1，端部R3及非端部R1遠離夾角13c1。端部R4靠近夾角13c1，非端部R5及端部R6遠離夾角13c1。在一些實施例，區塊D1包含匯流排13e1之端部R2及匯流排13e2之端部R4。區塊D2包含匯流排13e1之相對於端部R2之端部R3及非端部R1。在一些實施例之電鍍裝置10f中，不同區塊之電場可以藉由預改變電鍍裝置之陰極之圖案組態使得不同區域之陰極具有不同的面積及/或間隙，或控制給予不同區域之陰極不同的電流來調整，例如，提供位於上述區塊D1內之匯流排13e1之電場小於位於區塊D2內之匯流排13e1之電場。如此，位於上述區塊D1內之匯流排13e1及匯流排13e2之電場總和(sum of electric field)會與位於上述區塊D2內之匯流排13e1之電場實質上相同。亦即，位於區塊D1內之電場會與位於區塊D2內之電場實質上相同。導電層13包含連接構件131及陰極132f。陰極132f可包含陰極1321及陰極1322。在一些實施例，電鍍裝置10f之區塊D1之陰極1322的間隙大於區塊D2之陰極1323的間隙。在一些實施例，電鍍裝置10f之匯流排13e1之陰極1322的間隙大於匯流排13e1之陰極1323的間隙。在一些實施例，電鍍裝置10f之端部R6之陰極1326的間隙大於端部R4之陰極1324的間隙。在一些實施例，電鍍裝置10f之匯流排13e2之陰極1326的間隙大於匯流排13e2之陰極1324的間隙。在一些實施例，電場之調整方法可包含提供電流於匯流排13e1之端部R2且不提供電流於匯流排13e2之端部R4，或提供電流於匯流排13e2之端部R4且不提供電流於匯流排13e1之端部R2，在此實施例，匯流排13e1與匯流排13e2 (實體上)不相接。在一些實施例，匯流排13e1之陰極1321與匯流排13e2之陰極1324互不重疊。
在此實施例，在基板20對應夾角之匯流排之部分給予較小的電場，在遠離夾角之匯流排之部分給予較大的電場，使得兩個區塊之電場總和(或電通量)實質上相同。藉此，來改良形成在基板20上之線路層之厚度之均勻度，提昇封裝結構之製造良率。
圖12係根據本發明之實施例之電鍍裝置10g的上視圖。
在一些實施例，電鍍裝置10f可包含區塊(或部分) D1、區塊(或部分) D2及區塊(或部分) D2'。區塊D1包含匯流排13e1之端部R2及匯流排13e2之端部R4。區塊D2包含匯流排13e1之非端部R1。區塊D2'包含匯流排13e2之非端部R5。在一些實施例之電鍍裝置10g中，不同區塊之電場可以藉由預改變電鍍裝置之陰極之圖案組態使得不同區域之陰極具有不同的面積及/或間隙，或控制給予不同區域之陰極不同的電流來調整，例如，提供位於上述區塊D1內之匯流排13e1之電場小於位於區塊D2內之匯流排13e1之電場；提供位於上述區塊D1內之匯流排13e1之電場小於位於區塊D2'內之匯流排13e2之電場。導電層13包含連接構件131及陰極132g。陰極132g可包含陰極1321及陰極1322。在一些實施例，電鍍裝置10g之區塊D1之陰極1322或1324的間隙大於區塊D2之陰極1321的間隙。在一些實施例，電鍍裝置10g之區塊D1之陰極1322或1324的間隙大於區塊D2'之陰極1325的間隙。在一些實施例，電鍍裝置10g之端部R2之陰極1322的間隙大於非端部R1之陰極1321的間隙。在一些實施例，電鍍裝置10g之端部R3之陰極1323的間隙大於非端部R1之陰極1321的間隙。在一些實施例，電鍍裝置10g之端部R4之陰極1324的間隙大於非端部R5之陰極1325的間隙。在一些實施例，電鍍裝置10g之端部R6之陰極1326的間隙大於非端部R5之陰極1325的間隙。在一些實施例，電場之調整方法可包含控制匯流排13e1之端部R2及端部R3之電流小於非端部R1之電流，或控制匯流排13e2之端部R4及端部R6之電流小於非端部R5之電流。在此實施例，在基板20對應夾角之匯流排之部分給予較小的電場，在遠離夾角之匯流排之部分給予較大的電場，使得兩個區塊之電場總和(或電通量)實質上相同。藉此，來改良形成在基板20上之線路層之厚度之均勻度，提昇封裝結構之製造良率。
圖13係根據本發明之實施例之電鍍裝置10h的上視圖。
導電層13包含連接構件131及陰極132h。在一些實施例，匯流排13e1之端部R2不包括陰極。在此實施例，在基板20中容易產生相對較強的電場處給予較小的電流密度，在基板20中容易產生相對較弱電場處給予較大的電流密度，使得上述兩處產生之電場差異變小。藉此，來改良形成在基板20上之線路層之厚度之均勻度，提昇封裝結構之製造良率。
圖14係根據本發明之實施例之電鍍裝置10i的上視圖。
在一些實施例，電鍍裝置10i包含匯流排13e6、匯流排13e7、匯流排13e8。在一些實施例，匯流排13e6、匯流排13e7、匯流排13e8可構成一四邊形。匯流排13e6可位於對應區塊D1處。匯流排13e7可位於對應區塊D2處。匯流排13e8可位於對應區塊D2'處。在一些實施例，匯流排13e6、匯流排13e7、匯流排13e8電連接至不同的電源。在一些實施例，匯流排13e6、匯流排13e7、匯流排13e8彼此不連接。在一些實施例，電場之調整方法可包含：控制區塊D1之電流小於區塊D2或區塊D2'之電流。例如，控制匯流排13e6之電流小於匯流排13e7之電流，或者，控制匯流排13e6之電流小於匯流排13e8之電流。當匯流排13e6、匯流排13e7、匯流排13e8電連接至不同的電源時，可藉由提供匯流排13e6、匯流排13e7、匯流排13e8不同的電流，來控制基板20對應不同區域之電流密度(或電通量)。
圖15繪示根據本發明之實施例之封裝結構40的截面圖。
封裝結構40可為使用電鍍裝置10a、10b、10c、10d、10e、10f、10g、10h或10i，執行電鍍製程後，形成線路層31、32及33。相較於封裝結構40'之線路層31'、32'及33'，封裝結構40之線路層31、32及33具有較小的厚度差，因此具有較小的厚度之標準偏差。在一些實施例，封裝結構40之線路層31、32及33之厚度之標準偏差可介於約0至約5%。
在本文中可以為了便於描述而使用本文所用之如「下方」、「之下」、「下面」、「上方」、「之上」、「上面」、「下部」、「上部」、「左側」、「右側」等空間相對術語來描述如附圖所示之一個組件或特徵與另一或多個組件或特徵之關係。除了在附圖中描繪之定向之外，空間相對術語亦意欲涵蓋裝置在使用時或操作時之不同定向。可以以其他方式定向設備(旋轉80度或處於其他定向)，並且同樣可以以相應的方式解釋本文中使用之空間相對描述語。應當理解，當組件被稱為「連接至」或「耦接至」另一組件時，上述組件可以直接連接至或耦接至另一組件，或者可以存在中間組件。
如本文所用，術語「大約」、「基本上」、「基本」及「約」用於描述及解釋小的變化。當結合事件或情形使用時，上述術語可以係指事件或情形精確發生之實例以及事件或情形接近發生之實例。如本文關於給定值或給定範圍所使用，術語「約」總體上意謂處於給定值或範圍之±10%、±5%、±1%或±0.5%內。本文中可以將範圍表示為一個端點至另一端點或介於兩個端點之間。本文所揭示之所有範圍都包含端點，除非另外指明。術語「基本上共面」可以指兩個表面沿同一平面定位之位置差處於數微米(μm)內，如沿同一平面定位之位置差處於10 μm內、5 μm內、1 μm內或0.5 μm內。當將數值或特性稱為「基本上」相同時，上述術語可以指處於上述值之平均值之±10%、±5%、±1%或±0.5%內的值。
前述內容概述了幾個實施例之特徵及本發明之詳細態樣。本發明中描述之實施例可以容易地用作設計或修改其他製程及結構以便於實施相同或類似目的及/或實現本文介紹之實施例之相同或類似優點的基礎。此類等同構造並不背離本發明之精神及範疇，並且在不背離本發明之精神及範疇的情況下，可以作出各種改變、替代及變更。
10':電鍍裝置 10a:電鍍裝置 10b:電鍍裝置 10c:電鍍裝置 10d:電鍍裝置 10e:電鍍裝置 10f:電鍍裝置 10g:電鍍裝置 10h:電鍍裝置 10i:電鍍裝置 11':基板載體 12':電極固定構件 13:導電層 13':導電層 13c1:夾角 13c2:夾角 13c3:夾角 13e1:匯流排 13e2:匯流排 13e3:匯流排 13e4:匯流排 13e5:匯流排 13e6:匯流排 13e7:匯流排 13e8:匯流排 20:基板 20c1:夾角 20c2:夾角 31:屏蔽層 31':線路層 32:支撐件 32':線路層 33:線路層 33':線路層 40:封裝結構 40':封裝結構 131:連接構件 131':連接構件 132':陰極 132a:陰極 132b:陰極 132c:陰極 132d:陰極 132e:陰極 1321:陰極 1322:陰極 1323:陰極 1324:陰極 1325:陰極 1326:陰極 D1:區塊 D2:區塊 D2':區塊 L1:第一長度 L2:第二長度 M:金屬離子 R1:非端部 R2:端部 R3:端部 R4:端部 R5:非端部 R6:端部
當與附圖一起閱讀以下詳細描述時，可以根據以下詳細描述容易地理解本發明之各態樣。應當注意的是，各種特徵可能未按比例繪製。實際上，為了論述之清楚起見，可以任意增大或減小各種特徵之尺寸。 圖1係根據本發明之比較例之電鍍裝置之部份的截面圖。 圖2係根據本發明之比較例之電鍍裝置的仰視圖。 圖3係根據本發明之比較例之電鍍裝置及基板的上視圖。 圖4繪示執行電鍍製程中，對應基板不同區域之金屬濃度的示意圖。 圖5繪示使用比較例之電鍍裝置所形成之封裝結構的截面圖。 圖6係根據本發明之實施例之電鍍裝置的上視圖。 圖7係根據本發明之實施例之電鍍裝置的上視圖。 圖8係根據本發明之實施例之電鍍裝置的上視圖。 圖9係根據本發明之實施例之電鍍裝置的上視圖。 圖10係根據本發明之實施例之電鍍裝置的上視圖。 圖11係根據本發明之實施例之電鍍裝置的上視圖。 圖12係根據本發明之實施例之電鍍裝置的上視圖。 圖13係根據本發明之實施例之電鍍裝置的上視圖。 圖14係根據本發明之實施例之電鍍裝置的上視圖。 圖15繪示根據本發明之實施例之封裝結構的截面圖。
貫穿附圖及實施方式，使用共同的附圖標記來指示相同或類似的組件。根據以下結合附圖進行之詳細描述，本發明將更加明顯。
10f:電鍍裝置
13:導電層
13c1:夾角
13e1:匯流排
13e2:匯流排
20:基板
20c1:夾角
131:連接構件
1321:陰極
1322:陰極
1323:陰極
1324:陰極
1325:陰極
1326:陰極
D1:區塊
D2:區塊
R1:非端部
R2:端部
R3:端部
R4:端部
R5:非端部
R6:端部

Claims (19)

  1. 一種電鍍裝置，其包括：一第一匯流排，包含複數個陰極；以及一第二匯流排，其中上述第一匯流排與上述第二匯流排之間具有一夾角，上述第一匯流排包括靠近上述第二匯流排之一第一端部，以及遠離上述第二匯流排之一第一部分，其中上述第一匯流排之上述第一端部之上述複數個陰極之間的間隙大於上述第一部分之上述複數個陰極之間的間隙。
  2. 如請求項1之電鍍裝置，其中上述第一部分係上述第一匯流排之相對於上述第一端部之一第二端部。
  3. 如請求項1之電鍍裝置，其中上述第二匯流排包含複數個陰極，上述第二匯流排包括靠近上述第一匯流排之一第三端部，以及遠離上述第一匯流排之一第二部分，其中上述第二匯流排之上述第三端部之上述複數個陰極之間的間隙小於上述第二部分之上述複數個陰極之間的間隙。
  4. 如請求項1之電鍍裝置，其中上述第一部分係上述第一匯流排之一第一非端部，上述第一匯流排進一步包括相對於上述第一端部之一第二端部，上述第一匯流排之上述第二端部之上述複數個陰極之間的間隙大於上述第一非端部之上述複數個陰極之間的間隙。
  5. 如請求項4之電鍍裝置，其中上述第二匯流排包含複數個陰極，上述第二匯流排包括靠近上述第一匯流排之一第三端部、一第二非端部，以及相對於上述第三端部之一第四端部，其中上述第二非端部之上述複數個陰極之間的間隙小於上述第二匯流排之上述第三端部之上述複數個陰極之間的間隙，且上述第二非端部之上述複數個陰極之間的間隙小於上述第二匯流排之上述第四端部之上述複數個陰極之間的間隙。
  6. 如請求項3之電鍍裝置，其中上述第二部分係上述第二匯流排之相對於上述第三端部之一第四端部。
  7. 如請求項2之電鍍裝置，其中上述第二匯流排包含複數個陰極，上述第二匯流排包括一第三端部，上述第三端部靠近上述第一匯流排，上述第三端部之上述複數個陰極之間的間隙小於上述第一端部之上述複數個陰極之間的間隙。
  8. 如請求項1之電鍍裝置，其中上述第一匯流排之上述第一端部不包括陰極。
  9. 如請求項1之電鍍裝置，其中上述第一匯流排連接上述第二匯流排。
  10. 一種製造封裝結構之方法，其包括：提供一電鍍裝置，其包括第一匯流排，以及第二匯流排，其中上述第一匯流排與上述第二匯流排之間具有一夾角，上述電鍍裝置進一步包括 靠近上述夾角之一第一區塊及遠離上述夾角之一第二區塊；以及提供位於上述第一區塊內之第一匯流排之電場小於位於第二區塊內之第一匯流排之電場，其中上述第一區塊包括上述第一匯流排之靠近上述夾角之一第一端部及上述第二匯流排之靠近上述夾角之一第二端部，上述第二區塊包括上述第一匯流排之遠離上述夾角之一第一部分或上述第二匯流排之遠離上述夾角之一第二部分，且位於上述第一區塊內之電場會與位於上述第二區塊內之上述第一匯流排之電場或位於上述第二區塊內之上述第二匯流排之電場實質上相同。
  11. 如請求項10之方法，其中上述第一匯流排包含複數個陰極，上述第二匯流排包含複數個陰極，提供位於上述第一區塊內之上述第一匯流排之電場小於位於上述第二區塊內之上述第一匯流排之電場包括：提供上述第一區塊之上述複數個陰極之間的間隙大於上述第二區塊之上述複數個陰極之間的間隙的上述電鍍裝置。
  12. 如請求項11之方法，其中上述第二區塊係上述第一匯流排之相對於上述第一端部之一第三端部或上述第二匯流排之相對於上述第二端部之一第四端部。
  13. 如請求項11之方法，其中上述第二區塊係上述第一匯流排之一第一非端部或上述第二匯流排之一第二非端部，且上述第一匯流排進一步包括相對於上述第一端部之一第三端部，上述第二匯流排進一步包括相對於上述第二端部之一第四端部，其中提供位於上述第一區塊內之上述第一匯流 排之電場小於位於上述第二區塊內之上述第一匯流排之電場包括：提供上述第一匯流排之上述第一端部及上述第三端部之上述複數個陰極之間的間隙大於上述第一非端部之上述複數個陰極之間的間隙的上述電鍍裝置，或提供上述第二匯流排之上述第二端部及上述第四端部之上述複數個陰極之間的間隙大於上述第二非端部之上述複數個陰極之間的間隙的上述電鍍裝置。
  14. 如請求項11之方法，其中提供位於上述第一區塊內之上述第一匯流排之電場小於位於上述第二區塊內之上述第一匯流排之電場包括：提供上述第二匯流排之上述第二端部之上述複數個陰極之間的間隙小於上述第二匯流排之相對於上述第二端部之一第四端部之上述複數個陰極之間的間隙的上述電鍍裝置。
  15. 如請求項10之方法，其中提供位於上述第一區塊內之上述第一匯流排之電場小於位於上述第二區塊內之上述第一匯流排之電場包括：控制上述第一區塊之電流小於上述第二區塊之電流。
  16. 如請求項15之方法，其中上述第二區塊係上述第一匯流排之相對於上述第一端部之一第三端部或上述第二匯流排之相對於上述第二端部之一第四端部。
  17. 如請求項10之方法，其中上述第二區塊係上述第一匯流排之一第一非端部或上述第二匯流排之一第二非端部，且上述第一匯流排進一步包括 相對於上述第一端部之一第三端部，上述第二匯流排進一步包括相對於上述第二端部之一第四端部，其中提供位於上述第一區塊內之上述第一匯流排之電場小於位於上述第二區塊內之上述第一匯流排之電場包括：控制上述第一匯流排之上述第一端部及上述第三端部之電流小於上述第一非端部之電流，或控制上述第二匯流排之上述第二端部及上述第四端部之電流小於上述第二非端部之電流。
  18. 如請求項11之方法，其中上述第二匯流排包括相對於上述第二端部之一第四端部，其中提供位於上述第一區塊內之上述第一匯流排之電場小於位於上述第二區塊內之上述第一匯流排之電場包括：提供上述第二匯流排之上述第二端部之上述複數個陰極之間的間隙小於上述第二匯流排之上述第四端部之上述複數個陰極之間的間隙的上述電鍍裝置。
  19. 一種製造封裝結構之方法，其包括：提供一電鍍裝置，其包括第一匯流排，以及第二匯流排，其中上述第一匯流排與上述第二匯流排之間具有一夾角，上述電鍍裝置進一步包括靠近上述夾角之一第一區塊及遠離上述夾角之一第二區塊；以及提供位於上述第一區塊內之第一匯流排之電場小於位於第二區塊內之第一匯流排之電場，其中上述第一區塊包括上述第一匯流排之靠近上述夾角之一第一端部及上述第二匯流排之靠近上述夾角之一第二端部，其中提供位於上述第一區塊內之上述第一匯流排之電場小於位於上述第二區塊內之上述第一匯流排之電場包括：提供電流於上述第一匯流排之上述第一端部且不提供電 流於上述第二匯流排之上述第二端部，或提供電流於上述第二匯流排之上述第二端部且不提供電流於上述第一匯流排之上述第一端部。
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