CN114959842B - 电镀装置及制造封装结构的方法 - Google Patents

Abstract

本揭露提供了一种电镀装置及制造封装结构的方法。根据本公开的一些实施例，电镀装置包括:一第一总线；以及一第二总线，其中所述第一总线及所述第二总线之间具有一夹角，所述第一总线包括一第一端部靠近所述第二总线，以及远离所述第二总线的一第一部分，其中所述第一总线的所述第一端部的阴极的间隙大于所述第一部分的阴极的间隙。

Description

电镀装置及制造封装结构的方法

技术领域

本公开涉及一种电镀装置，并且更具体地涉及使用此电镀装置形成封装结构的方法。

背景技术

为了增加产率，四边形的基板及应用于四边形基板的电镀装置开始被广泛地使用于各种半导体制造及/或封装之制程，例如电镀制程。在方形的基板上执行电镀制程时，会使用排列成对应基板形状的电极。由于在基板的夹角(corner)处容易累积电荷，使得夹角处的电场大于其他区域的电场，造成夹角处金属离子沉积的速度会大于其他区域，形成的电镀层会有均匀度不佳的问题。因此，需要寻求一种新的电镀装置及方法以改善上述的问题。

发明内容

根据本公开的一些实施例，一种电镀装置包括:一第一总线(bus line)；以及一第二总线，其中所述第一总线及所述第二总线之间具有一夹角，所述第一总线包括一第一端部靠近所述第二总线，以及远离所述第二总线的一第一部分，其中所述第一总线的所述第一端部的阴极的间隙大于所述第一部分的阴极的间隙。

根据本公开的一些实施例，一种制造封装结构的方法包括：提供一电镀装置，其包括第一总线，以及第二总线，其中所述第一总线及所述第二总线之间具有一夹角，所述电镀装置进一步包括靠近所述夹角的一第一区块及远离所述夹角的一第二区块；以及提供位于所述第一区块内的第一总线的电场小于位于第二区块内的第一总线的电场。

附图说明

当与附图一起阅读以下详细描述时，可以根据以下详细描述容易地理解本公开的各方面。应当注意的是，各种特征可能未按比例绘制。实际上，为了讨论的清楚起见，可以任意增大或减小各种特征的尺寸。

图1是根据本公开的比较例之电镀装置的部份的截面图。

图2是根据本公开的比较例之电镀装置的仰视图。

图3是根据本公开的比较例之电镀装置及基板的上视图。

图4绘示执行电镀制程中，对应基板不同区域的金属浓度的示意图。

图5绘示使用比较例的电镀装置所形成的封装结构的截面图。

图6是根据本公开的实施例之电镀装置的上视图。

图7是根据本公开的实施例之电镀装置的上视图。

图8是根据本公开的实施例之电镀装置的上视图。

图9是根据本公开的实施例之电镀装置的上视图。

图10是根据本公开的实施例之电镀装置的上视图。

图11是根据本公开的实施例之电镀装置的上视图。

图12是根据本公开的实施例之电镀装置的上视图。

图13是根据本公开的实施例之电镀装置的上视图。

图14是根据本公开的实施例之电镀装置的上视图。

图15绘示根据本公开的实施例的封装结构的截面图。

贯穿附图和具体实施方式，使用共同的附图标记来指示相同或类似的组件。根据以下结合附图进行的详细描述，本公开将更加明显。

具体实施方式

以下公开提供了用于实施所提供主题的不同特征的许多不同实施例或实例。以下描述了组件和布置的具体实例。当然，这些仅是实例并且不旨在是限制性的。在本公开中，对在第二特征之上或上形成或设置第一特征的引用可以包含将第一特征和第二特征被形成或设置为直接接触的实施例，并且还可以包含可以在第一特征与第二特征之间形成或设置另外的特征使得第一特征和第二特征可以不直接接触的实施例。另外，本公开可以在各个实例中重复附图标记和/或字母。这种重复是为了简单和清晰的目的并且本身并不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。

下文详细讨论了本公开的实施例。然而，应当理解的是，本公开提供了许多可以在各种各样的特定环境下具体化的适用概念。所讨论的具体实施例仅是说明性的，而不限制本公开的范围。

图1是根据本公开的比较例之电镀装置10'及基板20的部份的截面图。

如图1所示，电镀装置10'可包括基板载体11'、电极固定构件12'及导电层13'。电镀装置10'可为用于执行例如电镀制程之电镀装置。具体而言，基板20可放置于电镀装置10'上，并与电镀装置10'一同置入一电镀槽(未绘示)，以执行电镀制程，以在基板20的表面上形成一线路层(或电镀层)。在图1中，仅绘示电镀装置10'的部分组件。电镀装置10'可具有其他的组件，例如电源、阳极及/或其他组件。

基板载体11'可用于承载基板20。基板载体11'可具有凹槽(未绘示)以容纳基板20。基板载体11'可具有其他用以固定基板20的构件。

电极固定构件12'可用于设置或固定导电层13'。电极固定构件12'可与基板载体11'相接。例如，电极固定构件12'可设置在基板载体11'之上，并与基板载体11'直接接触。电极固定构件12'与基板载体11'可为一体成形。或者，电极固定构件12'与基板载体11'为可经由拆解而分离成两个分隔的组件。电极固定构件12'亦可不与基板载体11'相接。例如，电极固定构件12'可经由其他组件而搭载于基板载体11'上。

导电层13'可设置于电极固定构件12'上。导电层13'可包含连接构件131'及阴极132'。连接构件131'可用于电连接及/或固定复数个阴极132'。阴极132'可用于接触基板20，以提供电流至基板20之表面。例如，连接构件131'可连接至一电源，当阴极132'与基板20接触时，电流可经由连接构件131'及阴极132'而被施加至基板20的表面上。

基板20可为玻璃基板、晶圆及/或其他适合的基板。基板20的表面可用于形成一线路层。上述线路层可用于电连接例如一或多个电子组件，例如芯片或其他适合的电子组件。

屏蔽层31(mask layer)可设置于基板20上。屏蔽层31可为绝缘材料，例如光阻或其他适合的组件。屏蔽层31可用于定义形成在基板20表面上的电镀图案。例如，屏蔽层31可遮住基板20的表面的第一部份，并露出基板20的表面的第二部份。可在基板20的表面的第二部份上形成一晶种层(未绘示)，并藉由电镀制程形成线路层于基板20的表面的第二部份上。

支撑件32可用于隔开屏蔽层31及电极固定构件12'。可调整支撑件32的长度，以调整阴极132'与基板20的相对位置。

图2是根据本公开的比较例之电镀装置10'的仰视图。为了简洁，并未绘示基板载体11'。

如图2所示，电极固定构件12'可具有四边形的轮廓。电极固定构件12'亦可具有其他适合的轮廓，例如，多边形或其他适合的轮廓。电极固定构件12'可为中央部份具有挖空图案的环形轮廓，亦可具有中央部份不具有挖空图案的轮廓。电极固定构件12'可覆盖连接构件131'及/或阴极132'。电极固定构件12'可完全地或部份地覆盖连接构件131'及/或阴极132'。

连接构件131'可具有四边形的轮廓。连接构件131'亦可具有其他适合的轮廓，例如，多边形或其他适合的轮廓。连接构件131'可为中央部份具有挖空图案的环形轮廓。导电层13或连接构件131'可具有总线(bus line)13e1及相邻于总线13e1的总线13e2。总线13e1可延一第一方向延伸，总线13e2可沿第二方向延伸。第一方向可与第二方向不同。第一方向可大抵上与第二方向垂直。总线13e1可与总线13e2连接。总线13e1可不与总线13e2连接。夹角13c1可由总线13e1及总线13e2构成。

阴极132'可设置在连接构件131'的每一个边上，例如总线13e1及总线13e2。连接构件131'的一个边(例如总线13e1)至少存在一个阴极132'与连接构件131'相接。每一个阴极132'可由连接构件131'的边(例如总线13e1的总线13e2)朝向连接构件131'的中央部份(例如连接构件131'所定义的挖空图案)延伸。每一个阴极132'可具有与连接构件131'重叠(或接触)的部份以及不与连接构件131'重叠(或接触)的部份。

如图2所示，电极固定构件12'对应总线13e1处可具有非端部R1及端部R2。由上视或仰视的视角观看，非端部R1与端部R2可具有相同的面积。端部R2与夹角13c1的距离可与非端部R1与夹角13c1的距离不同。端部R2相较于非端部R1更靠近夹角13c1。非端部R1及端部R2为假想之区域，其用以计算在单位面积中，阴极132'所占之面积比。具体而言，阴极132'在非端部R1所占之面积比，可定义为在上视或仰视的视角中，阴极132'与非端部R1重叠之面积；阴极132'在端部R2所占之面积比，可定义为在上视或仰视的视角中，阴极132'与端部R2重叠之面积。如图2所示，在比较例中，阴极132'在非端部R1内所占的面积比与阴极132'在端部R2内所占的面积比相同。

图3是根据本公开的比较例之电镀装置10'及基板20的上视图。为清楚表示基板20与阴极132'的位置关系，省略部份组件。此外，基板20被阴极132'覆盖的部分以虚线表示。

如图3所示，基板20可具有四边形的轮廓。基板20亦可具有其他适合的轮廓，例如，多边形或其他适合的轮廓。基板20与阴极132'具有重叠之处。阴极132'可具有与基板20接触之部份。阴极132'在非端部R1内所占的面积比大抵上正比于在基板20对应非端部R1内阴极132'与基板20接触之面积，阴极132'在端部R2内所占的面积比大抵上正比于阴极132'与基板20对应端部R2内阴极132'与基板20接触之面积。在单位面积中，阴极132'与基板20接触或重叠之面积影响此单位面积所接收的电流密度。例如，若阴极132'与基板20于单位面积之接触或重叠之面积越大，则在此单位面积所接收的电流密度越大。在比较例，由于阴极132'在非端部R1内所占的面积比与阴极132'在端部R2内所占的面积比相同，因此，电镀装置10'在基板20对应非端部R1处所施加的电流密度与在基板20对应端部R2处所施加的电流密度大抵上相同。

如图3所示，基板20具有与导电层13'的夹角对应的夹角。例如，基板20具有与夹角13c1对应的夹角20c1，以及与夹角13c2对应的夹角20c2。当执行电镀制程时，基板20的夹角处(例如夹角20c1及夹角20c2)容易产生尖端放电(corona discharge)，因此在执行电镀制程时，夹角20c1及夹角20c2处较容易产生相对较大的电场，而影响电镀层的厚度及其均匀度。具体而言，若在基板20中靠近夹角20c1处(例如对应端部R2处)与远离夹角20c1处(例如对应非端部R1处)给予两者相同的电流密度，则在基板20中靠近夹角20c1处(例如对应端部R2处)会产生比较大的电场，在远离夹角20c1处(例如对应非端部R1处)会产生比较大的电场，使得靠近夹角处与远离夹角处的线路层的厚度不同。

参阅图4，图4绘示在比较例中，执行电镀制程时，对应基板20不同区域的金属离子M的浓度的示意图。

在执行电镀制程时，电镀装置10'及基板20会放入一电镀槽(未绘示)中，电镀装置10'的导电层13'可电连接至一电源(未绘示)的阴极。在电源的阳极与阴极之间会产生一电场，使电镀液中的金属离子M因电场而聚集至阴极，并还原成金属而沉积至基板20上。如同先前所述，由于尖端放电，若对基板20的不同区域施加相同的电流密度，则在基板20中靠近夹角20c1及靠近夹角20c2处可产生较大的电场，在基板20中远离夹角20c1及远离夹角20c2处可产生较小的电场。因此，电镀液中的金属离子M会比较容易聚集在靠近夹角20c1及靠近夹角20c2处，较难聚集在远离夹角20c1及远离夹角20c2处，使得靠近夹角20c1及靠近夹角20c2处的金属离子M的浓度较大，远离夹角20c1及远离夹角20c2处的金属离子M的浓度较小。结果，在靠近夹角(例如夹角20c1及夹角20c2)处形成的线路层的厚度与远离夹角处形成的线路层的厚度之间会有相对较大的厚度差。

图5绘示使用比较例的电镀装置10'所形成的封装结构40'的截面图。

在执行电镀制程后，线路层31'、线路层32'及线路层33'形成于基板20上。线路层31'、线路层32'及线路层33'可包含金属，例如铜、银、金、铝、镍、锌、铬或其他适合的材料。其中，线路层31'设置在靠近夹角20c1处，线路层33'设置在靠近夹角20c2处，线路层32'设置在远离夹角20c1及夹角20c2处。如先前所述，由于尖端放电，在对应夹角20c1处形成的线路层31'之厚度会大于线路层32'的厚度，在对应夹角20c2处形成的线路层33'之厚度会大于线路层32'的厚度。在比较例中，线路层的厚度之均匀度的标准偏差大于10％，对后续的制程(例如将电子组件安装在线路层上)有负面的影响，而降低封装结构40'的良率。

为了进一步提升电镀制程的良率，本公开的实施例通过预先设计电镀装置的阴极的图案配置使得不同区域的阴极具有不同的面积及/或间隙，或控制给予不同区域的阴极不同的电流，以补偿前述尖端户造成的电场不均问题。

图6是根据本公开的实施例之电镀装置10a与基板20的上视图。为了简洁，部份的组件(例如基板载体、电极固定构件)并未绘示。电镀装置10a可与电镀装置10'相同或相似，其中之一的不同处在于阴极132a。阴极13可包含连接构件131及阴极132a。连接构件131可与连接构件131'相同。阴极132a包括位于非端部R1内的阴极1321及位于端部R2内的阴极1322。在一些实施例，在非端部R1内的阴极1321所占的第一面积比不同于端部R2内阴极1322所占的第二面积比。在一些实施例，第一面积比大于第二面积比。在一些实施例，从上视图的视角观看，每一个阴极1321的面积与每一个阴极1322的面积相同，亦即，每一个阴极1321与基板20接触的面积与每一个阴极1322与基板20接触的面积相等。在一些实施例，在非端部R1内的阴极1321的数量大于在端部R2内的阴极1322的数量。在一些实施例，在非端部R1内的阴极1321的间隙(pitch)小于在端部R2内的阴极1322的间隙。

在此实施例，改变了单位面积中，阴极(例如阴极1321及阴极1322)所占的面积比，来调整阴极132a与基板20的接触或重叠的面积，改变了施加在基板20上的电流密度。如图6所示，在靠近夹角13c1处的端部R2的阴极1322所占的第二面积比小于在远离夹角13c1处的非端部R1的阴极1321所占的第一面积比，使得基板20对应端部R2处(或靠近夹角20c1处)所得到的电流密度小于基板20对应非端部R1处(或远离夹角20c1处)所得到的电流密度。在此实施例，在基板20中容易产生相对较强的电场处给予较小的电流密度，在基板20中容易产生相对较弱处给予较大的电流密度，使得上述两处产生的电场差异变小。藉此，来改善形成在基板20上的线路层的厚度的均匀度，提升封装结构的制造良率。

图7是根据本公开的实施例之电镀装置10b的上视图。电镀装置10b可与电镀装置10a相同或相似，其中之一的不同处在于阴极132b的排列方式。连接构件131可具有总线13e3，总线13e3可与总线13e1相邻，并面向总线13e2。夹角13c3可由总线13e1及总线13e3构成。电镀装置10b可具有端部R3。端部R2与端部R3位于总线13e1的两侧。非端部R1位于端部R2与端部R3之间。相较于非端部R1，端部R3可更靠近夹角13c3。在一些实施例，在非端部R1内的阴极1321所占的第一面积比不同于端部R3内阴极1323所占的第三面积比。在一些实施例，在靠近夹角13c3处的端部R3的阴极1323所占的第三面积比小于在远离夹角13c1处的非端部R1的阴极1321所占的第一面积比。在一些实施例，在靠近夹角13c3处的端部R3的阴极1323所占的第三面积比大抵上与靠近夹角13c1处的端部R2的阴极1322所占的第二面积比相等。

在此实施例，改变了单位面积中，阴极(例如阴极1321、阴极1322及阴极1323)所占的面积比，来调整阴极132b与基板20的接触或重叠的面积，改变了施加在基板20上的电流密度。如图7所示，改变非端部R1、端部R2及端部R3相对的阴极132b所占的面积比，调整基板20对应非端部R1、端部R2及端部R3处所得到的电流密度。在此实施例，在基板20中容易产生相对较强的电场处给予较小的电流密度，在基板20中容易产生相对较弱处给予较大的电流密度，使得上述两处产生的电场差异变小。藉此，来改善形成在基板20上的线路层的厚度的均匀度，提升封装结构的制造良率。

图8是根据本公开的实施例之电镀装置10c的上视图。电镀装置10c可与电镀装置10a相同或相似，其中之一的不同处在于阴极132c。在一些实施例，在非端部R1内的阴极1321所占的第一面积比不同于端部R2内阴极1322所占的第二面积比。在一些实施例，位于非端部R1的复数个阴极1321的至少一个的面积不同于位于端部R2的复数个阴极1322的至少一个的面积。在一些实施例，位于非端部R1的复数个阴极1321的至少一个的面积大于位于端部R2的复数个阴极1322的至少一个的面积。在一些实施例，复数个阴极1321之间的间隙可与复数个阴极1322之间的间隙相同。在一些实施例，复数个阴极1321之间的间隙可与复数个阴极1322之间的间隙不同。

在此实施例，改变了单位面积中，阴极(例如阴极1321及阴极1322)所占的面积比，来调整阴极与基板20的接触或重叠的面积，改变了施加在基板20上的电流密度。藉此，来改善形成在基板20上的线路层的厚度的均匀度，提升封装结构的制造良率。

图9是根据本公开的实施例之电镀装置10d的上视图。电镀装置10d可与电镀装置10a相同或相似，其中之一的不同处在于阴极132d。在一些实施例，在非端部R1内的132d所占的第一面积比不同于端部R2内阴极132d所占的第二面积比。在一些实施例，阴极132d可连续地由非端部R1沿第一方向(例如为总线13e1的延伸方向)延伸至端部R2。在一些实施例，阴极132d在非端部R1沿第二方向(例如为总线13e2的延伸方向)具有第一长度L1，在所述端部R2沿第二方向具有第二长度L2，第一长度L1与第二长度L2不同。在一些实施例，第一长度L1大于第二长度L2。在另一些实施例，阴极132d可不连续地由非端部R1沿第一方向延伸至端部R2。

图10是根据本公开的实施例之电镀装置10e的上视图。电镀装置10e可与电镀装置10a相同或相似，其中之一的不同处在于连接构件131。在一些实施例，连接构件131可包含总线13e4及总线13e5。在一些实施例，总线13e4与总线13e5可构成一四边形。在一些实施例，总线13e4可与总线13e5电连接至一相同的电源。在一些实施例，总线13e4与总线13e5并联。在一些实施例，总线13e4可与总线13e5电连接至不同的电源。阴极132e可包含阴极1323及阴极1324。阴极1323可电连接至总线13e4。阴极1324可电连接至总线13e5。当总线13e4与总线13e5电连接至不同的电源时，可藉由施与总线13e4与总线13e5不同的电压，来调整基板20对应不同区域的电流密度。

图11是根据本公开的实施例之电镀装置10f的上视图。

在一些实施例，电镀装置10f可包含区块(或部分)D1及区块(或部分)D2。总线13e1包含端部R2、端部R3及非端部R1。总线13e2包含端部R4、端部R6及非端部R5。端部R2靠近夹角13c1，端部R3及非端部R1远离夹角13c1。端部R4靠近夹角13c1，非端部R5及端部R6远离夹角13c1。在一些实施例，区块D1包含总线13e1的端部R2及总线13e2的端部R4。区块D2包含总线13e1的相对于端部R2的端部R3及非端部R1。在一些实施例的电镀装置10f中，不同区块的电场可以通过预改变电镀装置的阴极的图案配置使得不同区域的阴极具有不同的面积及/或间隙，或控制给予不同区域的阴极不同的电流来调整，例如，提供位于所述区块D1内的总线13e1的电场小于位于区块D2内的总线13e1的电场。如此，位于所述区块D1内的总线13e1及总线13e2的电场和(sum of electric field)会与位于所述区块D2内的总线13e1的电场实质上相同。亦即，位于区块D1内的电场会与位于区块D2内的电场实质上相同。在一些实施例，电镀装置10f的区块D1的阴极1322的间隙大于区块D2的阴极1323的间隙。在一些实施例，电镀装置10f的总线13e1的阴极1322的间隙大于总线13e1的阴极1323的间隙。在一些实施例，电镀装置10f的端部R6的阴极1326的间隙大于端部R4的阴极1324的间隙。在一些实施例，电镀装置10f的总线13e2的阴极1326的间隙大于总线13e2的阴极1324的间隙。在一些实施例，电场的调整方法可包含提供电流于总线13e1的端部R2且不提供电流于总线13e2的端部R4，或提供电流于总线13e2的端部R4且不提供电流于总线13e1的端部R2，在此实施例，总线13e1与总线13e2(物理上)不相接。在一些实施例，总线13e1的阴极1321与总线13e2的阴极1324互不重叠。

在此实施例，在基板20对应夹角的总线的部分给予较小的电场，在远离夹角的总线的部分给予较大的电场，使得两个区块的电场和(或电通量)实质上相同。藉此，来改善形成在基板20上的线路层的厚度的均匀度，提升封装结构的制造良率。

图12是根据本公开的实施例之电镀装置10g的上视图。

在一些实施例，电镀装置10f可包含区块(或部分)D1、区块(或部分)D2及区块(或部分)D2'。区块D1包含总线13e1的端部R2及总线13e2的端部R4。区块D2包含总线13e1的非端部R1。区块D2'包含总线13e2的非端部R5。在一些实施例的电镀装置10g中，不同区块的电场可以通过预改变电镀装置的阴极的图案配置使得不同区域的阴极具有不同的面积及/或间隙，或控制给予不同区域的阴极不同的电流来调整，例如，提供位于所述区块D1内的总线13e1的电场小于位于区块D2内的总线13e1的电场；提供位于所述区块D1内的总线13e1的电场小于位于区块D2'内的总线13e2的电场。在一些实施例，电镀装置10g的区块D1的阴极1322或1324的间隙大于区块D2的阴极1321的间隙。在一些实施例，电镀装置10g的区块D1的阴极1322或1324的间隙大于区块D2'的阴极1325的间隙。在一些实施例，电镀装置10g的端部R2的阴极1322的间隙大于非端部R1的阴极1321的间隙。在一些实施例，电镀装置10g的端部R3的阴极1323的间隙大于非端部R1的阴极1321的间隙。在一些实施例，电镀装置10g的端部R4的阴极1324的间隙大于非端部R5的阴极1325的间隙。在一些实施例，电镀装置10g的端部R6的阴极1326的间隙大于非端部R5的阴极1325的间隙。在一些实施例，电场的调整方法可包含控制总线13e1的端部R2及端部R3的电流小于非端部R1的电流，或控制总线13e2的端部R4及端部R6的电流小于非端部R5的电流。在此实施例，在基板20对应夹角的总线的部分给予较小的电场，在远离夹角的总线的部分给予较大的电场，使得两个区块的电场和(或电通量)实质上相同。藉此，来改善形成在基板20上的线路层的厚度的均匀度，提升封装结构的制造良率。

图13是根据本公开的实施例之电镀装置10h的上视图。

在一些实施例，总线13e1的端部R2不包括阴极。在此实施例，在基板20中容易产生相对较强的电场处给予较小的电流密度，在基板20中容易产生相对较弱电场处给予较大的电流密度，使得上述两处产生的电场差异变小。藉此，来改善形成在基板20上的线路层的厚度的均匀度，提升封装结构的制造良率。

图14是根据本公开的实施例之电镀装置10i的上视图。

在一些实施例，电镀装置10i包含总线13e6、总线13e7、总线13e8。在一些实施例，总线13e6、总线13e7、总线13e8可构成一四边形。总线13e6可位于对应区块D1处。总线13e7可位于对应区块D2处。总线13e8可位于对应区块D2'处。在一些实施例，总线13e6、总线13e7、总线13e8电连接至不同的电源。在一些实施例，总线13e6、总线13e7、总线13e8彼此不连接。在一些实施例，电场的调整方法可包含：控制区块D1的电流小于区块D2或区块D2'的电流。例如，控制总线13e6的电流小于总线13e7的电流，或者，控制总线13e6的电流小于总线13e8的电流。当总线13e6、总线13e7、总线13e8电连接至不同的电源时，可藉由提供总线13e6、总线13e7、总线13e8不同的电流，来控制基板20对应不同区域的电流密度(或电通量)。

图15绘示根据本公开的实施例的封装结构40的截面图。

封装结构40可为使用电镀装置10a、10b、10c、10d、10e、10f、10g、10h或10i，执行电镀制程后，形成线路层31、32及33。相较于封装结构40'的线路层31'、32'及33'，封装结构40的线路层31、32及33具有较小的厚度差，因此具有较小的厚度的标准偏差。在一些实施例，封装结构40的线路层31、32及33的厚度的标准偏差可介于约0至约5％。

在本文中可以为了便于描述而使用本文所用的如“下方”、“之下”、“下面”、“上方”、“之上”、“上面”、“下部”、“上部”、“左侧”、“右侧”等空间相对术语来描述如附图所示的一个组件或特征与另一或多个组件或特征的关系。除了在附图中描绘的朝向之外，空间相对术语还旨在涵盖装置在使用时或操作时的不同朝向。可以以其它方式朝向设备(旋转80度或处于其它朝向)，并且同样可以以相应的方式解释本文中使用的空间相对描述语。应当理解，当组件被称为“连接到”或“耦接到”另一个组件时，所述组件可以直接连接到或耦接到另一个组件，或者可以存在中间组件。

如本文所用，术语“大约”、“基本上”、“基本”和“约”用于描述和解释小的变化。当结合事件或情形使用时，所述术语可以指代事件或情形精确发生的实例以及事件或情形接近发生的实例。如本文关于给定值或给定范围所使用的，术语“约”总体上意指处于给定值或范围的±10％、±5％、±1％或±0.5％内。本文中可以将范围表示为一个端点到另一个端点或介于两个端点之间。本文所公开的所有范围都包含端点，除非另外指明。术语“基本上共面”可以指两个表面沿同一平面定位的位置差处于数微米(μm)内，如沿同一平面定位的位置差处于10μm内、5μm内、1μm内或0.5μm内。当将数值或特性称为“基本上”相同时，所述术语可以指处于所述值的平均值的±10％、±5％、±1％或±0.5％内的值。

前述内容概述了几个实施例的特征和本公开的详细方面。本公开中描述的实施例可以容易地用作设计或修改其它工艺和结构以便于实施相同或类似目的和/或实现本文介绍的实施例的相同或类似优点的基础。此类等同构造并不背离本公开的精神和范围，并且在不背离本公开的精神和范围的情况下，可以作出各种改变、替代和变更。

Claims (20)

1.一电镀装置，包括：

一基板；

一电极固定构件，设置于所述基板上；

一导电层，设置于所述基板上且通过一连接构件连接至所述电极固定构件，所述导电层包括一第一总线及一第二总线；以及

复数个阴极，设置于所述第一总线及所述第二总线上，

其中所述第一总线及所述第二总线之间具有一夹角对应于所述基板的夹角，所述第一总线包括一第一端部靠近所述第二总线，以及远离所述第二总线的一第一部分，其中位于所述第一总线的所述第一端部上的所述复数个阴极之间的间隙大于位于所述第一部分上的所述复数个阴极之间的间隙。

2.根据权利要求1所述的电镀装置，其中所述第一部分是所述第一总线的相对于所述第一端部的一第二端部。

3.根据权利要求1所述的电镀装置，其中所述第二总线包括靠近所述第一总线的一第三端部，以及远离所述第一总线的一第二部分，其中位于所述第二总线的所述第三端部上的所述复数个阴极之间的间隙小于位于所述第二部分上的所述复数个阴极之间的间隙。

4.根据权利要求1所述的电镀装置，其中所述第一部分是所述第一总线的一第一非端部，所述第一总线进一步包括相对于所述第一端部的一第二端部，位于所述第一总线的所述第二端部上的所述复数个阴极之间的间隙大于位于所述第一非端部上的所述复数个阴极之间的间隙。

5.根据权利要求4所述的电镀装置，其中所述第二总线包括一第三端部靠近所述第一总线、一第二非端部，以及一相对于所述第三端部的第四端部，其中位于所述第二非端部上的所述复数个阴极之间的间隙小于位于所述第二总线的所述第三端部上的所述复数个阴极之间的间隙，且位于所述第二非端部上的所述复数个阴极之间的间隙小于位于所述第二总线的所述第四端部上的所述复数个阴极之间的间隙。

6.根据权利要求3所述的电镀装置，其中所述第二部分是所述第二总线的相对于所述第三端部的一第四端部。

7.根据权利要求2所述的电镀装置，其中所述第二总线包括靠近所述第一总线的一第三端部，位于所述第三端部上的所述复数个阴极之间的间隙小于位于所述第一端部上的所述复数个阴极之间的间隙。

8.根据权利要求1所述的电镀装置，其中所述第一总线的所述第一端部不包括阴极。

9.根据权利要求1所述的电镀装置，其中所述第一总线连接所述第二总线。

10.一种制造封装结构的方法，包括：

提供一电镀装置，其包括：

一基板；

一电极固定构件，设置于所述基板上；

一导电层，设置于所述基板上且通过一连接构件连接至所述电极固定构件，所述导电层包括一第一总线及一第二总线；以及

复数个阴极，设置于所述第一总线及所述第二总线上，其中所述第一总线及所述第二总线之间具有一夹角对应于所述基板的夹角，所述电镀装置进一步包括靠近

所述夹角的一第一区块及远离所述夹角的一第二区块；以及

提供位于所述第一区块内的第一总线的电场小于位于第二区块内的第一总线的电场。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述第一区块包括所述第一总线的靠近所述夹角的一第一端部及所述第二总线靠近所述夹角的一第二端部，所述第二区块包括所述第一总线的远离所述夹角的一第一部分或所述第二总线的远离所述夹角的一第二部分，且位于所述第一区块内的电场会与位于所述第二区块内的所述第一总线的电场或位于所述第二区块内的所述第二总线的电场实质上相同。

12.根据权利要求11所述的方法，其中提供位于所述第一区块内的所述第一总线的电场小于位于所述第二区块内的所述第一总线的电场包括：提供所述第一区块内的所述复数个阴极之间的间隙大于所述第二区块内的所述复数个阴极的之间间隙的所述电镀装置。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述第二区块是所述第一总线的相对于所述第一端部的一第三端部或所述第二总线的相对于所述第二端部的一第四端部。

14.根据权利要求12所述的方法，其中所述第二区块是所述第一总线的一第一非端部或所述第二总线的一第二非端部，且所述第一总线进一步包括相对于所述第一端部的一第三端部，所述第二总线进一步包括相对于所述第二端部的一第四端部，其中提供位于所述第一区块内的所述第一总线的电场小于位于所述第二区块内的所述第一总线的电场包括：提供位于所述第一总线的所述第一端部及所述第三端部上的所述复数个阴极之间的间隙大于位于所述第一非端部上的所述复数个阴极之间的间隙的所述电镀装置，或提供位于所述第二总线的所述第二端部及所述第四端部上的所述复数个阴极之间的间隙大于位于所述第二非端部上的所述复数个阴极之间的间隙的所述电镀装置。

15.根据权利要求12所述的方法，其中提供位于所述第一区块内的所述第一总线的电场小于位于所述第二区块内的所述第一总线的电场包括：提供位于所述第二总线的所述第二端部上的所述复数个阴极之间的间隙小于位于所述第二总线的相对于所述第二端部的一第四端部上的所述复数个阴极之间的间隙的所述电镀装置。

16.根据权利要求11所述的方法，其中提供位于所述第一区块内的所述第一总线的电场小于位于所述第二区块内的所述第一总线的电场包括：控制所述第一区块的电流小于所述第二区块的电流。

17.根据权利要求16所述的方法，其中所述第二区块是所述第一总线的相对于所述第一端部的一第三端部或所述第二总线的相对于所述第二端部的一第四端部。

18.根据权利要求11所述的方法，其中所述第二区块是所述第一总线的一第一非端部或所述第二总线的一第二非端部，且所述第一总线进一步包括相对于所述第一端部的一第三端部，所述第二总线进一步包括相对于所述第二端部的一第四端部，其中提供位于所述第一区块内的所述第一总线的电场小于位于所述第二区块内的所述第一总线的电场包括：控制所述第一总线的所述第一端部及所述第三端部的电流小于所述第一非端部的电流，或控制所述第二总线的所述第二端部及所述第四端部的电流小于所述第二非端部的电流。

19.根据权利要求12所述的方法，其中所述第二总线包括相对于所述第二端部的一第四端部，其中提供位于所述第一区块内的所述第一总线的电场小于位于所述第二区块内的所述第一总线的电场包括：提供位于所述第二总线的所述第二端部上的所述复数个阴极之间的间隙小于位于所述第二总线的所述第四端部上的所述复数个阴极之间的间隙的所述电镀装置。

20.根据权利要求10所述的方法，其中所述第一区块包括所述第一总线的靠近所述夹角的一第一端部及所述第二总线的靠近所述夹角的一第二端部，其中提供位于所述第一区块内的所述第一总线的电场小于位于所述第二区块内的所述第一总线的电场包括：提供电流于所述第一总线的所述第一端部且不提供电流于所述第二总线的所述第二端部，或提供电流于所述第二总线的所述第二端部且不提供电流于所述第一总线的所述第一端部。