TWI817972B - 鋁製磁盤之製造方法 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種鋁製磁盤之製造方法，其於一態樣中，提高磁性層形成前之基板表面之平滑性，能夠高良率地獲得能夠媒體化之硬碟用基板。
本發明係關於一種鋁製磁盤之製造方法，其於一態樣中，包括下述步驟1及2：
步驟1：使含有至少具有1個由下述式(I)表示之結構且分子量為50以上且100,000以下之化合物(成分A)之組合物與鍍Ni-P鋁合金基板之基板表面接觸之步驟；
步驟2：於步驟1中所得之基板上形成磁性層之步驟；
Description
本發明係關於一種鋁製磁盤之製造方法、平滑劑組合物、及平滑化方法。
近年來，於個人電腦或各種電子裝置中能夠處理動畫或聲音等較大之資料，需要大容量之資訊記錄裝置。其結果為對資訊記錄媒體之高記錄密度化之要求逐年增高。為了應對此情況，於硬碟中，垂直磁性記錄方式之採用、量產化不斷發展。於垂直磁性記錄方式中，於資訊記錄媒體用基板(以下亦稱作「硬碟用基板」)中，與當前之基板相比較以更高水準要求基板表面之平滑性。其原因在於，由於高記錄密度化而不得不使磁性體微小化，伴隨著由微小化所引起之磁性體之磁力降低，需要使記錄讀取用頭相對於硬碟用基板進一步接近，於先前不成問題之基板表面之微小之凹凸影響資訊記錄裝置之可靠性降低或不良率增加。因此，要求硬碟用基板表面之較高之平滑性及較高之清潔度。
作為硬碟用基板所使用之材料，有於表面實施鍍鎳-磷而得之鋁、玻璃等。鋁與玻璃相比，由於富有加工性故而能夠抑制製造費用，得到廣泛使用。
於專利文獻1中，揭示一種具有含Ni-P層之硬碟用基板用清潔劑組合物，其含有特定之丙烯酸系共聚合化合物及/或其鹽(成分(A))、聚胺(成分(B))、及水(成分(C))，實質上不含有非離子性界面活性劑，上述成分(C)除外之成分之重量總和中之上述成分(B)之含量為30~95重量%，上述成分(A)與上述成分(B)之重量比{成分(A)/成分(B)}為0.04~0.8。
於專利文獻2中，揭示一種磁碟基板用清潔劑，其係含有陰離子性界面活性劑(A)及/或螯合劑(B)而成，且基於磁碟基板用清潔劑之重量之鹼金屬陽離子之含有率為100 ppm以下，於將清潔劑稀釋為5重量%之液體之25℃下之pH值為7.0~12.5之洗滌洗淨步驟中使用。
於專利文獻3中，揭示一種硬碟基板用清潔劑組合物，其特徵在於：含有0.01~5.00質量%之(A)成分：鹼金屬之氫氧化物、0.10~20.00質量%之(B)成分：1-羥基乙烷-1,1-二膦酸及/或其鹽、0.05~10.00質量%之(C)成分：聚氧乙烯烷基醚硫酸鹽，界面活性劑之含量未達1.00質量%。
於專利文獻4中，揭示一種電子材料基板用洗淨液，其特徵在於：該電子材料基板用洗淨液包含水溶性胺(A)，該洗淨液之25℃下之pH值為10.5~11.6，且滿足(水溶性胺濃度＋0.61)/洗淨液之pH值≧0.059之條件式。
先前技術文獻
專利文獻
專利文獻1：日本專利特開2010-257510號公報
專利文獻2：日本專利特開2015-63677號公報
專利文獻3：日本專利特開2011-46807號公報
專利文獻4：日本專利特開2017-50039號公報
[發明所欲解決之問題]
為了獲得基板表面之較高之平滑性而利用研磨步驟進行精密之研磨，但存在即便剛研磨後平滑，於直至於基板表面形成磁性層之(以下亦稱作「媒體化」)之保管過程或輸送過程中，由於異物之附著或基板表面之氧化，平滑性亦降低之情況。
對此，本發明提供一種鋁製磁盤之製造方法，其於一態樣中，提高磁性層形成前之基板表面之平滑性，能夠高良率地獲得能夠媒體化之硬碟用基板。
[解決問題之技術手段]
本發明係關於一種鋁製磁盤之製造方法，其於一態樣中，包括下述步驟1及2：
步驟1：使含有至少具有1個由下述式(I)表示之結構且分子量為50以上且100,000以下之化合物(成分A)之組合物與鍍Ni-P鋁合金基板之基板表面接觸之步驟；
步驟2：於步驟1中所得之基板上形成磁性層之步驟；
[化1]
式(I)中，R1
係選自伸乙基、伸丙基、及伸異丙基中之至少1種，*表示鍵結鍵。
本發明係關於一種平滑劑組合物，其於其他態樣中，用於使形成磁性層之基板表面平滑化，
且該平滑劑組合物含有至少具有1個由式(I)表示之結構且分子量為50以上且100,000以下之化合物(成分A)；
[化2]
式(I)中，R1
係選自伸乙基、伸丙基、及伸異丙基中之至少1種，*表示鍵結鍵。
本發明係關於一種平滑化方法，其於其他態樣中，使用本發明之平滑劑組合物使基板表面平滑化。
[發明之效果]
根據本發明，於一態樣中，提高磁性層形成前之基板表面之平滑性，能夠高良率地獲得能夠媒體化之硬碟用基板。
本發明基於以下見解：藉由使用包含特定之化合物(成分A)之平滑劑組合物使與剛研磨後相比平滑性降低之基板表面平滑化，能夠提高磁性層形成前之基板表面之平滑性，能夠高良率地獲得能夠媒體化之硬碟用基板。
即，本發明係關於一種鋁製磁盤之製造方法(以下亦稱作「本發明之製造方法」)，其於一態樣中，包括下述步驟1及2：
步驟1：使含有至少具有1個由上述式(I)表示之結構且分子量為50以上且100,000以下之化合物(成分A)之組合物(以下亦稱作「本發明之組合物」)與鍍Ni-P鋁合金基板之基板表面接觸之步驟；
步驟2：於步驟1中所得之基板上形成磁性層之步驟。
表現本發明之效果之機制之詳細內容不明確，推定如下。
鋁製硬碟用基板與玻璃製基板不同，鍍覆於基板表面之鎳磷非晶質層若與大氣接觸則與空氣中之氧發生反應而氧化，由於表面之鎳磷比率之不均或凹凸之影響而表面不均勻，存在表面平滑性降低之傾向。
一般而言，成為硬碟用基板之基之基材藉由經由形狀加工步驟、粗研削步驟、精研削步驟、粗研磨步驟、精研磨步驟等，能夠製造硬碟用基板。存在於各步驟之間不包含洗淨步驟之情況。並且，硬碟用基板於精研磨步驟或最終之洗淨步驟之後一次完全乾燥，其後，於磁盤製造步驟中，於基板表面形成磁性層，成為磁性硬碟(磁盤)。通常，由於研磨步驟及洗淨步驟與磁盤製造步驟於不同工廠進行，故而於精研磨步驟或最終之洗淨步驟後而得之硬碟用基板經由保管及/或輸送步驟，運送於磁盤製造步驟。
剛研磨後之硬碟用基板(例如，於精研磨步驟或最終之洗淨步驟後而得之硬碟用基板)之基板表面之平滑性較高，但直至運送於磁盤製造步驟之保管及/或輸送過程中基板表面由空氣中之氧氧化而形成有不均勻之氧化膜，存在平滑性降低之情況。又，亦存在由於在保管或輸送過程中附著之塵埃等異物而平滑性降低之情況。如此，被運送至磁盤製造步驟之基板與剛研磨後之基板表面相比較存在平滑性降低之傾向。認為若基板表面之平滑性降低，則於磁盤製造步驟中，難以均勻地形成磁性層，作為硬碟用基板之記錄密度降低，進而由於凹凸之影響而與磁頭碰撞且記錄之讀寫成為不完整之不良品，降低生產良率。
對此，於本發明中，組合物中所包含之特定之成分A中之氮原子、尤其胺基還原形成於基板表面之氧化鎳，使氧化鎳溶解於組合物中。由此，推測作為磁性層形成前之基板表面之平滑性降低之原因之一之基板表面之氧化膜被去除，再生或形成平滑之表面。
又，認為由於成分A具有2個以上之氮原子，故而氮原子與如鎳般之作為多價金屬離子之金屬配位鍵結，形成具有5員環或6員環等環狀結構之螯合物。認為由於螯合物結構若為5員環或6員環等環狀結構則穩定，故而促進氧化鎳之溶解，更有效地去除氧化膜。
進而，推測於作為磁性層形成前之基板表面之平滑性降低之原因之一之基板表面附著之塵埃等異物吸附成分A，使基板表面與異物間產生電荷排斥，異物自基板表面去除。
認為於本發明之組合物進而含有螯合劑(成分B)之情形時，能夠更有效地產生上述氧化鎳之還原，或者能夠使溶解之鎳螯合而穩定地保持於組合物中，亦能夠提高基板表面之異物去除。
但是，本發明可不限定於該等機制進行解釋。
＜組合物＞
[成分A]
本發明之組合物中所包含之成分A係至少具有1個由下述式(I)表示之結構，且分子量為50以上且100,000以下之化合物。成分A可單獨使用或亦可混合2種以上使用。
[化3]
式(I)中，R1
係選自伸乙基、伸丙基、及伸異丙基中之至少1種，*表示鍵結鍵。*於一個或複數個實施形態中，表示與其他構成或其他原子之鍵結鍵。作為其他構成，例如可列舉有機基。作為其他原子，例如可列舉選自氫原子、鹵素原子、及金屬中之至少1種。*有時亦稱作鍵結位置、鍵結部位、或鍵結點。
成分A就提高平滑性之觀點而言，分子內之氮原子數較佳為2個以上，並且，就氧化鎳之溶解性之觀點而言，較佳為1300個以下，更佳為1000個以下，進而較佳為100個以下，進而較佳為10個以下，進而更佳為4個以下。
成分A就提高平滑性之觀點而言，分子內之胺基數較佳為1個以上，更佳為2個以上，並且，就氧化鎳之溶解性之觀點而言，較佳為500個以下，更佳為30個以下，進而較佳為10個以下。
作為成分A，就提高平滑性之觀點而言，較佳為選自由式(II)表示之化合物及聚伸乙基亞胺中之至少1種。
[化4]
式(II)中，R1
係選自伸乙基、伸丙基、及伸異丙基中之至少1種，R2
及R3
係分別獨立地選自氫原子、甲基、乙基、羥甲基、羥乙基、羥丙基、胺基乙基、胺基丙基、及-(CH2
)2
NH(CH2
)2
NH2
基中之至少1種。
作為成分A之由式(II)表示之化合物，例如可列舉：N-(β-胺基乙基)乙醇胺、N-(β-胺基乙基)異丙醇胺等胺基醇類；乙二胺、N-乙基乙二胺、1,2-丙二胺、1,3-丙二胺、N,N-雙(胺基丙基)甲基胺、二伸乙基三胺、三伸乙基四胺等胺類。
成分A於一個或複數個實施形態中，就提高平滑性之觀點而言，較佳為選自N-(β-胺基乙基)乙醇胺、N-(β-胺基乙基)異丙醇胺、乙二胺、N-乙基乙二胺、1,2-丙二胺、1,3-丙二胺、二伸乙基三胺、三伸乙基四胺、及聚伸乙基亞胺中之至少1種，更佳為選自N-(β-胺基乙基)乙醇胺、N-(β-胺基乙基)異丙醇胺、乙二胺、N-乙基乙二胺、1,2-丙二胺、二伸乙基三胺、三伸乙基四胺、及聚伸乙基亞胺中之至少1種，進而較佳為選自N-(β-胺基乙基)乙醇胺、N-(β-胺基乙基)異丙醇胺、乙二胺、N-乙基乙二胺、1,2-丙二胺、及二伸乙基三胺中之至少1種。
成分A於其他一個或複數個實施形態中，就以短時間獲得平滑性之觀點而言，較佳為選自N-(β-胺基乙基)乙醇胺、N-(β-胺基乙基)異丙醇胺、乙二胺、N-乙基乙二胺、1,2-丙二胺、二伸乙基三胺、三伸乙基四胺、及聚伸乙基亞胺中之至少1種，更佳為選自N-(β-胺基乙基)乙醇胺、N-(β-胺基乙基)異丙醇胺、乙二胺、N-乙基乙二胺、及1,2-丙二胺中之至少1種，進而較佳為選自N-(β-胺基乙基)乙醇胺、N-(β-胺基乙基)異丙醇胺、乙二胺、及N-乙基乙二胺中之至少1種，進而更佳為N-(β-胺基乙基)乙醇胺及/或N-(β-胺基乙基)異丙醇胺。
成分A於其他一個或複數個實施形態中，就獲得更加平滑之基板表面之觀點而言，較佳為選自N-(β-胺基乙基)乙醇胺、N-(β-胺基乙基)異丙醇胺、乙二胺、N-乙基乙二胺、1,2-丙二胺、二伸乙基三胺、三伸乙基四胺、及聚伸乙基亞胺中之至少1種，更佳為選自N-(β-胺基乙基)異丙醇胺、N-乙基乙二胺、1,2-丙二胺、及二伸乙基三胺中之至少1種，進而較佳為選自N-(β-胺基乙基)異丙醇胺、N-乙基乙二胺、1,2-丙二胺、及二伸乙基三胺中之至少1種，進而較佳為N-(β-胺基乙基)異丙醇胺及/或1,2-丙二胺。
成分A之分子量就提高平滑性之觀點而言，為50以上，並且，就氧化鎳之溶解性之觀點而言，為100,000以下，較佳為70,000以下，更佳為10,000以下，進而較佳為2,000以下，進而更佳為1,000以下。
於成分A為聚伸乙基亞胺之情形時，成分A之重量平均分子量就提高平滑性之觀點而言，較佳為50以上，並且，就氧化鎳之溶解性之觀點而言，較佳為70,000以下，更佳為10,000以下，進而較佳為2,000以下。於本發明中，重量平均分子量可使用液相層析法(日立製作所股份有限公司製造，L-6000型高速液相層析法)，利用凝膠・滲透・層析法(GPC)以下述條件進行測定。
＜GPC條件＞
試樣液：調整為0.5 g/100mL之濃度者
檢測器：ShodexRI SE-61示差折射率檢測器
管柱：使用串聯接合Tosoh股份有限公司製造之G4000PWXL與G2500PWXL而得者
溶離液：0.2 M磷酸緩衝液/乙腈=90/10(容量比)
管柱溫度：40℃
流速：1.0 mL/min
試樣液注入量：20 μL
標準聚合物：分子量已知之單分散聚乙二醇
本發明之組合物之使用時中之成分A之含量於一個或複數個實施形態中，就以短時間獲得平滑性之觀點而言，較佳為0.01質量%以上，更佳為0.03質量%以上，進而較佳為0.1質量%以上，並且，就相同之觀點而言，較佳為1.0質量%以下，更佳為0.5質量%以下，進而較佳為0.3質量%以下，進而更佳為0.2質量%以下。進而，本發明之組合物之使用時中之成分A之含量就相同之觀點而言，較佳為0.01質量%以上且1.0質量%以下，更佳為0.03質量%以上且0.5質量%以下，進而較佳為0.1質量%以上且0.3質量%以下，進而更佳為0.1質量%以上且0.2質量%以下。
本發明之組合物之使用時中之成分A之含量於其他一個或複數個實施形態中，就獲得更加平滑之基板表面之觀點而言，較佳為0.01質量%以上，更佳為0.03質量%以上，進而較佳為0.05質量%以上，並且，就相同之觀點而言，較佳為1.0質量%以下，更佳為0.5質量%以下，進而較佳為0.3質量%以下，進而更佳為0.1質量%以下。進而，本發明之組合物之使用時中之成分A之含量就相同之觀點而言，較佳為0.01質量%以上且1.0質量%以下，更佳為0.03質量%以上且0.5質量%以下，進而較佳為0.05質量%以上且0.3質量%以下，進而更佳為0.05質量%以上且0.1質量%以下。
於本發明中，所謂「組合物之使用時中之各成分之含量」，指於一個或複數個實施形態中，步驟1中所使用之組合物之各成分之含量。
[成分B：螯合劑]
本發明之組合物就提高平滑性之觀點而言，亦可含有螯合劑(成分B)。成分B可單獨使用或亦可混合2種以上使用。
作為成分B之螯合劑，例如可列舉選自由葡萄糖酸、葡庚糖酸等醛糖酸類；乙二胺四乙酸、二伸乙基三胺五乙酸等胺基羧酸類；檸檬酸、蘋果酸等羥基羧酸類；1-羥基亞乙基-1,1-二膦酸等膦酸類；硫代乙醇酸等硫羧酸類；甘胺酸等胺基酸類；及該等之鹽、以及乙醯丙酮所組成之群中之至少1種。作為鹽，例如可列舉：鹼金屬、鹼土金屬、銨等。
成分B於一個或複數個實施形態中，就提高平滑性之觀點而言，較佳為選自由葡萄糖酸、乙二胺四乙酸、二伸乙基三胺五乙酸、檸檬酸、1-羥基亞乙基-1,1-二膦酸、硫代乙醇酸、甘胺酸及該等之鹽、以及乙醯丙酮所組成之群中之至少1種，更佳為選自由葡萄糖酸、乙二胺四乙酸、二伸乙基三胺五乙酸、1-羥基亞乙基-1,1-二膦酸、硫代乙醇酸、甘胺酸及該等之鹽所組成之群中之至少1種，進而較佳為選自由乙二胺四乙酸、二伸乙基三胺五乙酸、硫代乙醇酸、甘胺酸及該等之鹽所組成之群中之至少1種。
成分B於其他一個或複數個實施形態中，就以短時間獲得平滑性之觀點而言，較佳為選自由葡萄糖酸、乙二胺四乙酸、二伸乙基三胺五乙酸、檸檬酸、1-羥基亞乙基-1,1-二膦酸、硫代乙醇酸、甘胺酸及該等之鹽、以及乙醯丙酮所組成之群中之至少1種，更佳為選自由葡萄糖酸、乙二胺四乙酸、二伸乙基三胺五乙酸、1-羥基亞乙基-1,1-二膦酸、硫代乙醇酸、甘胺酸及該等之鹽所組成之群中之至少1種，進而較佳為選自由乙二胺四乙酸、二伸乙基三胺五乙酸、甘胺酸及該等之鹽所組成之群中之至少1種。
成分B於其他一個或複數個實施形態中，就獲得更加平滑之基板表面之觀點而言，較佳為選自由葡萄糖酸、乙二胺四乙酸、二伸乙基三胺五乙酸、檸檬酸、1-羥基亞乙基-1,1-二膦酸、硫代乙醇酸、甘胺酸及該等之鹽、以及乙醯丙酮所組成之群中之至少1種，更佳為選自由葡萄糖酸、乙二胺四乙酸、二伸乙基三胺五乙酸、檸檬酸、硫代乙醇酸、甘胺酸及該等之鹽所組成之群中之至少1種，進而較佳為選自由乙二胺四乙酸、硫代乙醇酸、甘胺酸及該等之鹽所組成之群中之至少1種。
本發明之組合物之使用時中之成分B之含量就提高平滑性之觀點而言，較佳為0.001質量%以上，更佳為0.005質量%以上，進而較佳為0.01質量%以上，並且，就提高平滑性及減少排水處理負荷之觀點而言，較佳為0.2質量%以下，更佳為0.1質量%以下，進而較佳為0.05質量%以下，進而更佳為0.02質量%以下。進而，本發明之組合物之使用時中之成分B之含量就相同之觀點而言，較佳為0.001質量%以上且0.2質量%以下，更佳為0.005質量%以上且0.1質量%以下，進而較佳為0.01質量%以上且0.05質量%以下，進而更佳為0.01質量%以上且0.02質量%以下。
[成分C：水]
本發明之組合物亦可進而含有水(成分C)。作為成分C之水，只要為能夠發揮作為溶劑之作用者則無特別限制，例如，可列舉超純水、純水、離子交換水、或蒸餾水等，較佳為超純水、純水、或離子交換水，更佳為超純水。純水及超純水例如可藉由將自來水通入活性碳，進行離子交換處理，進而進行蒸餾而得者，根據需要照射特定之紫外線殺菌燈，或通入過濾器而得。
本發明之組合物之使用時中之成分C之含量就提高平滑性及組合物之穩定化之觀點而言，較佳為90質量%以上，更佳為95質量%以上，進而較佳為99質量%以上，並且，就相同之觀點而言，較佳為99.99質量%以下，更佳為99.9質量%以下，進而較佳為99.8質量%以下。
[成分D：鹼劑]
本發明之組合物亦可進而含有成分A除外之鹼劑(成分D)。成分D可單獨使用，亦可混合兩種以上使用。
作為成分D之鹼劑，可列舉能夠賦予本發明之組合物鹼性之化合物或能夠將本發明之組合物之pH值調整為前述之範圍內之化合物，例如可列舉無機鹼劑及有機鹼劑等。作為成分D之無機鹼劑，例如可列舉：氨；氫氧化鉀及氫氧化鈉等鹼金屬氫氧化物；等。作為成分D之有機鹼劑，例如可列舉羥烷基胺、四級銨鹽等。作為羥烷基胺，例如可列舉：單乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、甲基乙醇胺、甲基二乙醇胺、單丙醇胺、二丙醇胺、三丙醇胺、甲基丙醇胺及甲基二丙醇胺等。作為四級銨鹽，例如可列舉氫氧化四甲基銨、及膽鹼等。
作為成分D，就提高平滑性之觀點而言，較佳為選自鹼金屬氫氧化物、羥烷基胺及四級銨鹽中之至少1種，就減少排水處理負荷之觀點而言，更佳為鹼金屬氫氧化物，進而較佳為氫氧化鉀及氫氧化鈉之至少1種。
關於本發明之組合物之使用時中之成分D之含量，含有能夠調整為後述之pH值之量即可。
[其他成分]
本發明之組合物可為包含上述成分A~D者，於無損本發明之效果之範圍內，亦可為進而包含上述成分A~D除外之其他成分者。作為其他成分，可列舉：陰離子聚合物、非離子性界面活性劑、溶解劑、抗氧化劑、防腐劑、消泡劑、抗菌劑等。本發明之組合物之使用時中之其他成分之含量較佳為0質量%以上且2.0質量%以下，更佳為0質量%以上且1.5質量%以下，進而較佳為0質量%以上且1.3質量%以下，進而更佳為0質量%以上且1.0質量%以下。
作為陰離子聚合物，例如可列舉羧酸系聚合物等。作為羧酸系聚合物，例如可列舉：丙烯酸聚合物、甲基丙烯酸聚合物、順丁烯二酸聚合物、丙烯酸/甲基丙烯酸之共聚物、丙烯酸/順丁烯二酸之共聚物、甲基丙烯酸/丙烯酸甲酯之共聚物等包含甲基丙烯酸或丙烯酸作為構成單元之羧酸系聚合物。
作為非離子性界面活性劑，例如可列舉聚伸烷基二醇烷基醚等。
作為溶解劑，例如可列舉選自對甲苯磺酸、二甲基苯磺酸、2-乙基己酸、及該等之鹽中之至少1種。
本發明之組合物除上述水(成分C)以外亦可進而含有水系溶劑(例如乙醇等醇)作為溶劑，但較佳為本發明之組合物中所包含之溶劑僅包含水(成分C)。
本發明之組合物於一個或複數個實施形態中，可為實質上不包含成分A除外之聚合物者。本發明之組合物之使用時中之成分A除外之聚合物之含量較佳為未達0.1質量%，更佳為未達0.001質量%，進而較佳為實質上為0質量%。
本發明之組合物於一個或複數個實施形態中，可為實質上不包含陰離子性界面活性劑者。本發明之組合物之使用時中之陰離子性界面活性劑之含量較佳為未達0.1質量%，更佳為未達0.001質量%，進而較佳為實質上為0質量%。
本發明之組合物於一個或複數個實施形態中，亦可為實質上不包含非離子性界面活性劑者。即，本發明之組合物之使用時中之非離子性界面活性劑之含量較佳為未達0.001質量%，更佳為實質上為0質量%。
本發明之組合物於一個或複數個實施形態中，亦可為實質上不包含具有芳香族磺酸基之化合物者。即，本發明之組合物之使用時中之具有芳香族磺酸基之化合物之含量較佳為未達0.001質量%，更佳為實質上未達0質量%。
本發明之組合物於一個或複數個實施形態中，亦可為實質上不包含研磨材者。即，本發明之組合物之使用時中之研磨材之含量較佳為未達0.05質量%，更佳為實質上為0質量%。
本發明之組合物於一個或複數個實施形態中，亦可為水溶液。本發明之組合物係於一個或複數個實施形態中，用於使形成磁性層之基板表面平滑化之平滑劑組合物。
[組合物之製造方法]
本發明之組合物能夠藉由以公知之方法調配成分A、以及根據需要之成分B、成分C、成分D及其他成分而製造。例如，本發明之組合物可為至少調配成分A而成者。於本發明中，所謂「調配」，包括同時或以任意順序混合成分A以及根據需要之成分B、成分C、成分D及其他成分。於本發明之組合物之製造方法中，可使各成分之調配量與上述本發明之組合物之各成分之含量相同。
[組合物之pH值]
本發明之組合物之使用時之pH值就提高平滑性之觀點而言，較佳為9以上，更佳為9.5以上，進而較佳為10以上，進而更佳為10.5以上，進而更佳為11.8以上，並且，就相同之觀點而言，較佳為14以下，更佳為13以下，進而較佳為12.5以下。更加具體而言，本發明之組合物之使用時之pH值較佳為9以上且14以下，更佳為9.5以上且14以下，進而較佳為10以上且14以下，進而更佳為10.5以上且14以下，進而更佳為11.8以上且14以下，進而更佳為11.8以上且13以下，進而更佳為11.8以上且12.5以下。本發明之組合物之pH值調整例如可使用酸或成分A除外之鹼劑(成分D)進行。作為酸，例如可列舉：硝酸、硫酸、鹽酸等無機酸；羥基羧酸、胺基酸等有機酸；等。於本發明中，所謂「使用時之pH值」，係25℃下之組合物之使用時之pH值，可使用pH計進行測定，較佳為將pH計之電極於組合物中浸漬3分鐘後之數值。
本發明之組合物就儲藏及輸送之觀點而言，亦可製造作為濃縮物，於使用時稀釋。組合物之濃縮物就儲藏及輸送之觀點而言，較佳為製成稀釋倍率3倍以上之濃縮物，就保管穩定性之觀點而言，較佳為製成稀釋倍率200倍以下之濃縮物。組合物之濃縮物能夠以於使用時各成分成為上述含量之方式利用水(成分C)進行稀釋而使用。進而，組合物之濃縮物亦能夠於使用時分別添加各成分而使用。於本發明中，所謂組合物之濃縮物之「使用時」，係指組合物之濃縮物被稀釋之狀態。
本發明之組合物之濃縮物之pH值就提高稀釋後之平滑性之觀點而言，較佳為9以上，更佳為10以上，進而較佳為11以上，進而更佳為12以上，並且，就相同之觀點而言，較佳為14以下，更佳為13.8以下，進而較佳為13.5以下。本發明之組合物之濃縮物之pH值可利用與上述本發明之組合物之pH值相同之方法進行測定。
[被平滑化基板]
本發明之組合物於一個或複數個實施形態中，用於與剛研磨後相比平滑性下降之基板之表面平滑化。本發明之組合物於一個或複數個實施形態中，用於研磨後被保管及/或被輸送之基板之表面平滑化。再者，保管及/或輸送所需之期間並不固定。本發明之組合物於一個或複數個實施形態中，用於形成磁性層之基板之表面平滑化。本發明之組合物於一個或複數個實施形態中，較佳地用於基板表面氧化之基板之表面平滑化。本發明之組合物於一個或複數個實施形態中，較佳地用於研磨後經過1小時以上之基板之表面平滑化。研磨後之經過時間較佳為1小時以上，更佳為2小時以上，進而較佳為5小時以上，進而更佳為12小時以上，進而更佳為20小時以上，進而更佳為1天以上，進而更佳為2天以上，進而更佳為5天以上。
作為基板，可列舉鍍Ni-P鋁合金基板。於本發明中，｢與剛研磨後相比平滑性降低之鍍Ni-P鋁合金基板｣指於一個或複數個實施形態中，於研磨後被保管及/被輸送之鍍Ni-P鋁合金基板。
如上所述，研磨後之基板於一個或複數個實施形態中，存在於保管及/或輸送過程中基板表面之平滑性降低之情況，但藉由使用本發明之組合物，可獲得表面之平滑性提高之基板。因此，本發明係關於一種於其他態樣中，使用本發明之組合物使基板表面平滑化之平滑化方法。
於本發明中，所謂「鍍Ni-P鋁合金基板」，係指研削鋁合金基材之表面後，進行無電解鍍Ni-P處理而得者。關於鍍Ni-P鋁合金基板之形狀，例如可列舉：碟片狀、板狀、平板狀、稜鏡狀等具有平面部之形狀，或透鏡等具有曲面部之形狀，該等之中，碟片狀較為適合。於碟片狀之基板之情形時，其外徑為30~97 mm左右，其厚度為0.5~2 mm左右。
於本發明之製造方法中，於磁性層形成步驟之前，使用本發明之組合物使將要形成磁性層之基板表面平滑化。即，本發明之製造方法係依序包括下述所示之步驟1及步驟2者。以下，關於各步驟詳細地進行說明。
[步驟1]
本發明之製造方法中之步驟1係於一個或複數個實施形態中，使本發明之組合物與鍍Ni-P之鋁合金基板接觸之步驟。步驟1係於一個或複數個實施形態中，使用本發明之組合物使與剛研磨後相比平滑性降低之鍍Ni-P鋁合金基板(以下僅稱作「被平滑化基板」)之基板表面平滑化之步驟(平滑化步驟)。
作為使本發明之組合物與被平滑化基板接觸之方法，例如可列舉：將被平滑化基板浸漬於本發明之組合物之方法(浸漬方法)、利用本發明之組合物洗滌被平滑化基板之方法(洗滌方法)等。作為浸漬方法及/或洗滌方法，可與通常之洗淨步驟中所使用之浸漬洗淨及/或洗滌洗淨同樣地進行。關於浸漬方法及洗滌方法，於以下具體地進行說明。
(浸漬方法)
作為對被平滑化基板之組合物之浸漬條件，並無特別限制。例如，組合物之溫度就作業性及操作性之觀點而言，較佳為20~100℃。例如，浸漬時間就提高平滑性之觀點而言，較佳為5秒以上，更佳為10秒以上，進而較佳為100秒以上，並且，就提高基板之生產效率之觀點而言，較佳為30分鐘以下，更佳為10分鐘以下，進而較佳為5分鐘以下。就提高平滑性及促進平滑化之觀點而言，較佳為組合物被賦予超音波振動。作為超音波之頻率，例如，較佳為20~2000 kHz，更佳為40~2000 kHz，進而較佳為100~1500 kHz。
(洗滌方法)
作為洗滌方法，就提高平滑性之觀點而言，較佳為射出被賦予超音波振動之組合物而與被平滑化基板之表面接觸，或將組合物利用射出供給至被平滑化基板之表面上，利用毛刷摩擦已供給有組合物之該表面。
進而，洗滌方法就相同之觀點而言，較佳為將被賦予超音波振動之組合物利用射出供給至被平滑化基板之表面，並且利用毛刷摩擦已供給有組合物之該表面。
作為將組合物供給至被平滑化基板之表面上之器件，例如可使用噴霧嘴等器件。作為毛刷，例如可使用通常之洗淨步驟中所使用之洗淨用毛刷，具體而言，可使用尼龍毛刷或PVA(聚乙烯醇)海綿毛刷等。作為超音波之頻率，例如可使其與上述浸漬方法中較佳採用之值相同。
於步驟1中之平滑化中，上述浸漬及/或洗滌之方法除外，可採用與擺動洗淨、利用旋轉器等之旋轉之洗淨、攪拌洗淨等公知之洗淨相同之方法。於步驟1中之平滑化中，於一個或複數個實施形態中，不使用洗淨帶。
於步驟1中，可使被平滑化基板逐張平滑化，亦可一次彙總複數張應平滑化之被平滑化基板而進行平滑化。於平滑化時使用之槽之數量可為1個亦可為複數個。
步驟1就獲得高品質之磁盤之觀點而言，於一個或複數個實施形態中，較佳為使本發明之組合物與被平滑化基板接觸，使用水等水系溶劑進行沖洗之步驟，更佳為使本發明之組合物與被平滑化基板接觸，使用水等水系溶劑進行沖洗、乾燥之步驟。
[步驟2]
步驟2係於步驟1中所得之基板上形成磁性層之步驟(磁性層形成步驟)。
於步驟2中，磁性層之形成例如可藉由利用濺鍍等方法，將具有磁性記錄區域且包含金屬薄膜之磁性層形成於硬碟用基板上而進行。但是，磁性層形成步驟並不限定於此。作為構成上述金屬薄膜之金屬材料，例如可列舉：鉻、鉭、鉑等與鈷之合金，鐵與鉑等之合金等。磁性層可形成於硬碟用基板之兩主表面側，亦可僅形成於一個主表面側。
本發明之製造方法就本發明之效果表現之觀點而言，較佳為於即將進行步驟2之前進行步驟1。又，本發明之製造方法就本發明之效果表現之觀點而言，較佳為依序連續進行步驟1與步驟2。並且，於本發明之製造方法中，自步驟1結束後至步驟2開始之時間就本發明之效果表現之觀點而言，較佳為12小時以下，更佳為3小時以下，進而較佳為1小時以下。
[硬碟記錄裝置]
藉由使用以本發明之製造方法製造而得之鋁製磁盤作為硬碟記錄裝置之記錄媒體，能夠提供高記錄密度之硬碟記錄裝置。作為記錄方式，可使用水平磁性記錄方式、垂直磁性記錄方式、單磁性記錄方式。
本發明係進而關於以下之一個或複數個實施形態。
＜1＞一種鋁製磁盤之製造方法，其包括下述步驟1及2：
步驟1：使含有至少具有1個由下述式(I)表示之結構且分子量為50以上且100,000以下之化合物(成分A)之組合物與鍍Ni-P鋁合金基板之基板表面接觸之步驟；
步驟2：於步驟1中所得之基板上形成磁性層之步驟；
[化5]
式(I)中，R1
係選自伸乙基、伸丙基、及伸異丙基中之至少1種，*表示鍵結鍵。
＜2＞如＜2＞所記載之鋁製磁盤之製造方法，其中上述步驟1係使上述含有成分A之組合物與基板接觸，利用水系溶劑進行沖洗、乾燥之步驟。
＜3＞如＜1＞或＜2＞所記載之鋁製磁盤之製造方法，其中上述含有成分A之組合物為水溶液。
＜4＞如＜1＞至＜3＞中任一項所記載之鋁製磁盤之製造方法，其中上述鍍Ni-P鋁合金基板係與剛研磨後相比平滑性降低之鍍Ni-P鋁合金基板。
＜5＞如＜1＞至＜4＞中任一項所記載之鋁製磁盤之製造方法，其中上述含有成分A之組合物係用於使形成磁性層之基板表面平滑化之平滑劑組合物。
＜6＞如＜1＞至＜5＞中任一項所記載之鋁製磁盤之製造方法，其中成分A之分子內之氮原子數為2個以上。
＜7＞如＜1＞至＜6＞中任一項所記載之鋁製磁盤之製造方法，其中成分A之分子內之氮原子數較佳為1300個以下，更佳為1000個以下，進而較佳為100個以下，進而更佳為10個以下，進而更佳為4個以下。
＜8＞如＜1＞至＜7＞中任一項所記載之鋁製磁盤之製造方法，其中成分A之分子內之胺基數較佳為1個以上，更佳為2個以上。
＜9＞如＜1＞至＜8＞中任一項所記載之鋁製磁盤之製造方法，其中成分A之分子內之胺基數較佳為500個以下，更佳為30個以下，進而較佳為10個以下。
＜10＞如＜1＞至＜9＞中任一項所記載之鋁製磁盤之製造方法，其中成分A係選自由式(II)表示之化合物及聚伸乙基亞胺中之至少1種；
[化6]
式(II)中，R1
係選自伸乙基、伸丙基、及伸異丙基中之至少1種，R2
及R3
係分別獨立地選自氫原子、甲基、乙基、羥甲基、羥乙基、羥丙基、胺基乙基、胺基丙基、及-(CH2
)2
NH(CH2
)2
NH2
基中之至少1種。
＜11＞如＜1＞至＜10＞中任一項所記載之鋁製磁盤之製造方法，其中成分A之分子量為50以上且100,000以下，較佳為70,000以下，更佳為10,000以下，進而較佳為2,000以下，進而更佳為1,000以下。
＜12＞如＜1＞至＜11＞中任一項所記載之鋁製磁盤之製造方法，其中於成分A為聚伸乙基亞胺之情形時，成分A之重量平均分子量較佳為50以上。
＜13＞如＜1＞至＜12＞中任一項所記載之鋁製磁盤之製造方法，其中於成分A為聚伸乙基亞胺之情形時，成分A之重量平均分子量較佳為70,000以下，更佳為10,000以下，進而較佳為2,000以下。
＜14＞如＜1＞至＜13＞中任一項所記載之鋁製磁盤之製造方法，其中上述含有成分A之組合物之使用時中之成分A之含量較佳為0.01質量%以上，更佳為0.03質量%以上，進而較佳為0.1質量%以上。
＜15＞如＜1＞至＜14＞中任一項所記載之鋁製磁盤之製造方法，其中上述含有成分A之組合物之使用時中之成分A之含量較佳為1.0質量%以下，更佳為0.5質量%以下，進而較佳為0.3質量%以下，進而更佳為0.2質量%以下。
＜16＞如＜1＞至＜15＞中任一項所記載之鋁製磁盤之製造方法，其中上述含有成分A之組合物之使用時中之成分A之含量較佳為0.01質量%以上且1.0質量%以下，更佳為0.03質量%以上且0.5質量%以下，進而較佳為0.1質量%以上且0.3質量%以下，進而更佳為0.1質量%以上且0.2質量%以下。
＜17＞如＜1＞至＜16＞中任一項所記載之鋁製磁盤之製造方法，其中上述含有成分A之組合物之使用時中之成分A之含量較佳為0.01質量%以上，更佳為0.03質量%以上，進而較佳為0.05質量%以上。
＜18＞如＜1＞至＜17＞中任一項所記載之鋁製磁盤之製造方法，其中上述含有成分A之組合物之使用時中之成分A之含量較佳為1.0質量%以下，更佳為0.5質量%以下，進而較佳為0.3質量%以下，進而更佳為0.1質量%以下。
＜19＞如＜1＞至＜18＞中任一項所記載之鋁製磁盤之製造方法，其中上述含有成分A之組合物之使用時中之成分A之含量較佳為0.01質量%以上且1.0質量%以下，更佳為0.03質量%以上且0.5質量%以下，進而較佳為0.05質量%以上且0.3質量%以下，進而更佳為0.05質量%以上且0.1質量%以下。
＜20＞如＜1＞至＜19＞中任一項所記載之鋁製磁盤之製造方法，其中上述含有成分A之組合物進而含有螯合劑(成分B)。
＜21＞如＜20＞所記載之鋁製磁盤之製造方法，其中上述含有成分A之組合物之使用時之成分B之含量較佳為0.001質量%以上，更佳為0.005質量%以上，進而較佳為0.01質量%以上。
＜22＞如＜20＞或＜21＞所記載之鋁製磁盤之製造方法，其中上述含有成分A之組合物之使用時之成分B之含量較佳為0.2質量%以下，更佳為0.1質量%以下，進而較佳為0.05質量%以下，進而更佳為0.02質量%以下。
＜23＞如＜20＞至＜22＞中任一項所記載之鋁製磁盤之製造方法，其中上述含有成分A之組合物之使用時之成分B之含量較佳為0.001質量%以上且0.2質量%以下，更佳為0.005質量%以上且0.1質量%以下，進而較佳為0.01質量%以上且0.05質量%以下，進而更佳為0.01質量%以上且0.02質量%以下。
＜24＞如＜1＞至＜23＞中任一項所記載之鋁製磁盤之製造方法，其中上述含有成分A之組合物進而含有水(成分C)。
＜25＞如＜24＞所記載之鋁製磁盤之製造方法，其中上述含有成分A之組合物之使用時之成分C之含量較佳為90質量%以上，更佳為95質量%以上，進而較佳為99質量%以上。
＜26＞如＜24＞或＜25＞所記載之鋁製磁盤之製造方法，其中上述含有成分A之組合物之使用時之成分C之含量較佳為99.99質量%以下，更佳為99.9質量%以下，進而較佳為99.8質量%以下。
＜27＞如＜1＞至＜26＞中任一項所記載之鋁製磁盤之製造方法，其中上述含有成分A之組合物進而含有成分A除外之鹼劑(成分D)。
＜28＞如＜1＞至＜27＞中任一項所記載之鋁製磁盤之製造方法，其中上述含有成分A之組合物之使用時之pH值較佳為9以上，更佳為9.5以上，進而較佳為10以上，進而更佳為10.5以上，進而更佳為11.8以上。
＜29＞如＜1＞至＜28＞中任一項所記載之鋁製磁盤之製造方法，其中上述含有成分A之組合物之使用時之pH值較佳為14以下，更佳為13以下，進而較佳為12.5以下。
＜30＞如＜1＞至＜29＞中任一項所記載之鋁製磁盤之製造方法，其中上述含有成分A之組合物之pH值較佳為9以上且14以下，更佳為9.5以上且14以下，進而較佳為10以上且14以下，進而更佳為10.5以上且14以下，進而更佳為11.8以上且14以下，進而更佳為11.8以上且13以下，進而更佳為11.8以上且12.5以下。
＜31＞如＜1＞至＜30＞中任一項所記載之鋁製磁盤之製造方法，其中上述含有成分A之組合物實質上不包含選自具有芳香族磺酸基之化合物、陰離子性界面活性劑、非離子性界面活性劑、及研磨材中之至少1種。
＜32＞如＜1＞至＜31＞中任一項所記載之鋁製磁盤之製造方法，其中上述含有成分A之組合物進而包含螯合劑(成分B)、水(成分C)、及成分A除外之鹼劑(成分D)，
上述組合物包含成分A、成分B、成分C及成分D。
＜33＞如＜1＞至＜32＞中任一項所記載之鋁製磁盤之製造方法，其中步驟1中之基板係基板表面氧化之基板。
＜34＞如＜1＞至＜29＞中任一項所記載之鋁製磁盤之製造方法，其中步驟1中之基板係研磨後經過1小時以上之基板。
＜35＞如＜1＞至＜34＞中任一項所記載之鋁製磁盤之製造方法，其於即將進行步驟2之前進行步驟1。
＜36＞如＜1＞至＜35＞中任一項所記載之鋁製磁盤之製造方法，其依序連續進行步驟1與步驟2。
＜37＞如＜1＞至＜36＞中任一項所記載之鋁製磁盤之製造方法，自步驟1結束後至步驟2開始之時間較佳為12小時以下，更佳為3小時以下，進而較佳為1小時以下。
＜38＞一種平滑劑組合物，其用於使形成磁性層之基板表面平滑化，
且該平滑劑組合物含有至少具有1個由下述式(I)表示之結構且分子量為50以上且100,000以下之化合物(成分A)；
[化7]
式(I)中，R1
係選自伸乙基、伸丙基、及伸異丙基中之至少1種，*表示鍵結鍵。
＜39＞一種平滑化方法，其使用＜38＞所記載之平滑劑組合物使基板表面平滑化。
實施例
於以下利用實施例對本發明具體地進行說明，但本發明不受該等實施例任何限定。
1.組合物之製備(實施例1~24及比較例1~10)
藉由將表1~3中所記載之各成分以表1~3中所記載之比率(mg/kg，有效成分)進行調配並混合，製備4 kg實施例1~24及比較例1~10之組合物。pH值係25℃下之組合物之pH值，將pH計(東亞電波工業股份有限公司，HM-30G)之電極浸漬於組合物測定3分鐘後之數值。
組合物之成分使用下述者。
＜成分A＞
N-(β-胺基乙基)乙醇胺(日本乳化劑股份有限公司製造，胺基醇EA)
N-(β-胺基乙基)異丙醇胺(日本乳化劑股份有限公司製造，胺基醇PA)
乙二胺(和光純藥工業股份有限公司製造，特級)
N-乙基乙二胺(東京化成工業股份有限公司製造)
1,2-丙二胺(和光純藥工業股份有限公司製造，一級)
1,3-丙二胺(和光純藥工業股份有限公司製造，一級)
N,N-雙(胺基丙基)甲基胺(和光純藥工業股份有限公司製造，特級)
二伸乙基三胺(東京化成工業股份有限公司製造)
三伸乙基四胺(Merck股份有限公司製造)
聚伸乙基亞胺(和光純藥工業股份有限公司製造，平均分子量約600)
聚伸乙基亞胺(和光純藥工業股份有限公司製造，平均分子量約1800)
聚伸乙基亞胺(和光純藥工業股份有限公司製造，平均分子量約10000)
30%聚伸乙基亞胺P-70溶液(和光純藥工業股份有限公司製造，平均分子量約70000)
＜非成分A＞
2-胺基乙醇(日本觸媒股份有限公司製造，單乙醇胺)
1-胺基-2-丙醇(三井化學Fine股份有限公司製造，單異丙醇胺)
二乙醇胺(和光純藥工業股份有限公司製造，二乙醇胺(DEA))
三乙醇胺(岸田化學股份有限公司製造，2,2',2"-次氮基三乙醇)
咪唑(和光純藥工業股份有限公司製造，特級)
鄰苯二胺(和光純藥工業股份有限公司製造，一級)
1,4-丁二胺(和光純藥工業股份有限公司製造，一級)
哌𠯤(和光純藥工業股份有限公司製造，特級)
胍(和光純藥工業股份有限公司製造，胍鹽酸鹽，特級)
＜成分B＞
1-羥基乙烷-1,1-二膦酸(Italmatch Japan股份有限公司製造，Dequest2010，固形物成分60質量%)
檸檬酸(和光純藥工業股份有限公司製造，特級)
甘胺酸(和光純藥工業股份有限公司製造，特級)
乙二胺四乙酸(東京化成工業股份有限公司製造，乙二胺四乙酸四鈉二水合物)
二伸乙基三胺五乙酸(和光純藥工業股份有限公司製造，二伸乙基三胺-N,N,N',N",N"-五乙酸)
乙醯丙酮(和光純藥工業股份有限公司製造，特級)
硫代乙醇酸(東京化成工業股份有限公司製造)
葡萄糖酸(和光純藥工業股份有限公司製造，葡萄糖酸鈉，特級)
＜其他＞
氫氧化鉀(關東化學股份有限公司製造，鹿特級，固形物成分48質量%)
使用栗田工業股份有限公司製造之連續純水製造裝置(Pure Conti PC-2000VRL型)與子系統(MAKUACE KC-05H型)製造而得之超純水
2.評價方法
[平滑化試驗方法]
作為被平滑化基板，準備將鍍Ni-P鋁合金基板(外徑：95 mmf，內徑：20 mmf，厚度：1.25 mm，表面粗糙度Ra：1.20 Å)於25℃下靜置72小時而得者。平滑化試驗前之基板之表面粗糙度Ra為1.40 Å。並且，使用各組合物進行上述被平滑化基板之平滑化，對各組合物之平滑性進行評價。平滑化以如下之方式進行。
(平滑化步驟)
使用處理裝置以如下之條件使3張被平滑化基板平滑化。準備1組浸漬槽、2組沖洗槽。
(1)浸漬-1：將製備之實施例1~24及比較例1~10之各組合物放入浸漬槽(a)，設定浸漬槽(a)內之液溫為25℃。並且，使浸漬槽(a)內之組合物浸漬被平滑化基板，照射超音波(200 kHz)。設定浸漬時間為2分鐘或10分鐘。
(2)沖洗-1：將超純水放入沖洗槽(b)，設定沖洗槽(b)內之液溫為25℃。並且，將浸漬槽(a)內之被平滑化基板移至沖洗槽(b)而浸漬於沖洗槽(b)內之超純水中，一面照射超音波(600 kHz)一面沖洗2分鐘。
(3)沖洗-2：將超純水放入沖洗槽(c)，設定沖洗槽(c)內之液溫為25℃。並且，將沖洗槽(b)內之被平滑化基板移至沖洗槽(c)而浸漬於沖洗槽(c)內之超純水中，一面照射超音波(900 kHz)一面沖洗2分鐘。
(4)乾燥：將被平滑化基板移至旋轉乾燥器，以轉數700 rpm乾燥1分鐘，使基板表面完全乾燥。
＜平滑性提高率之評價方法＞
將以上述條件進行處理之評價用基板之表面粗糙度Ra利用AFM(Atomic Force Microscopy，原子力顯微鏡)(Bruker公司製造，Dimension Icon)進行測定。相對於平滑化前之表面粗糙度Ra比較各平滑化後之表面粗糙度Ra，利用以下式算出平滑性提高率。可判斷數值越大，平滑性越提高。
平滑性提高率(%)=([平滑化前基板之Ra]-[平滑化後基板之Ra])÷[平滑化前基板之Ra]×100
＜NiO溶解性＞
將表1~3之各組合物20.0 g放入50 mL聚丙烯瓶中，添加0.1 g氧化鎳(II)粒子[和光純藥工業股份有限公司製造，氧化鎳(II)，99.9%]，使用轉子[氟樹脂(PTFE)，f5 mm×15 mm]，以轉數500 rpm攪拌10分鐘後，利用過濾器(東洋濾紙股份有限公司製造，DISMIC-25HP020AN，孔徑0.20 μm)進行過濾，採取試驗液。將試驗液以鎳離子濃度成為2 mg/kg以下之方式利用超純水稀釋，使用ICP(Inductive Coupling Plasma，感應耦合電漿)發光分析裝置(珀金埃爾默公司製造，Optima5300)測定鎳之發光強度，對試驗液中之Ni濃度進行定量。並且，利用下述計算式算出NiO溶解量。可判斷數值越高，平滑性越提高。
NiO溶解量(mg/kg)=A×B×C÷D
A：利用ICP發光分析裝置進行定量之Ni濃度(mg/kg)
B：試驗液之超純水之稀釋倍率
C：NiO之分子量(74.69 g/mol)
D：Ni之原子量(58.6934)
[表1]
[表2]
[表3]
如表1及2所示，藉由使用實施例1~24之組合物，與比較例1~10相比基板表面之平滑性提高。
進而，使用實施例4之組合物進行下述被平滑化基板之平滑化試驗。平滑化試驗及評價之方法除使用下述被平滑化基板、及設定對組合物之浸漬時間為2分鐘以外，與上述平滑化試驗及評價相同。
作為被平滑化基板，使用將鍍Ni-P鋁合金基板(外徑：95 mmf，內徑：20 mmf，厚度：1.25 mm，表面粗糙度Ra：1.20 Å)於25℃下靜置24小時而得之基板。靜置24小時之基板之表面粗糙度Ra(平滑化試驗前)為1.30 Å。使用實施例4之組合物使該基板平滑化。平滑化後之基板之表面粗糙度Ra(平滑化試驗後)為1.20 Å。算出平滑性提高率為7.69%，基板表面之平滑性提高。
Claims (11)
- 一種鋁製磁盤之製造方法，其包括下述步驟1及2，且於即將進行步驟2之前進行步驟1：步驟1：使選自下述式(II)表示之化合物及聚伸乙基亞胺中之至少1種，且分子量為50以上且100,000以下之化合物(成分A)、螯合劑(成分B)、水(成分C)、及成分A除外之鹼劑(成分D)之組合物與研磨後經過1小時以上之鍍Ni-P鋁合金基板之基板表面接觸之步驟；步驟2：於步驟1中所得之基板上形成磁性層之步驟；
- 如請求項1之鋁製磁盤之製造方法，其中上述步驟1係使上述組合物與基板接觸，利用水系溶劑進行沖洗、乾燥之步驟。
- 如請求項1之鋁製磁盤之製造方法，其中上述組合物為水溶液。
- 如請求項1至3中任一項之鋁製磁盤之製造方法，其中上述鍍Ni-P鋁合金基板係與剛研磨後相比平滑性降低之鍍Ni-P鋁合金基板。
- 如請求項1至3中任一項之鋁製磁盤之製造方法，其中上述組合物係用於使形成磁性層之基板表面平滑化之平滑劑組合物。
- 如請求項1至3中任一項之鋁製磁盤之製造方法，其中上述組合物之pH值為9以上且14以下。
- 如請求項1至3中任一項之鋁製磁盤之製造方法，其中上述組合物之pH值為11.8以上且14以下。
- 如請求項1至3中任一項之鋁製磁盤之製造方法，其中上述組合物實質上不包含選自具有芳香族磺酸基之化合物、陰離子性界面活性劑、非離子性界面活性劑、及研磨材中之至少1種。
- 如請求項1至3中任一項之鋁製磁盤之製造方法，其中上述成分B選自由葡萄糖酸、乙二胺四乙酸、二伸乙基三胺五乙酸、1-羥基亞乙基-1,1-二膦酸、硫代乙醇酸、甘胺酸及該等之鹽所組成之群中之至少1種。
- 如請求項1至3中任一項之鋁製磁盤之製造方法，其中步驟1中之基板係基板表面氧化之基板。
- 如請求項1至3中任一項之鋁製磁盤之製造方法，其依序連續進行步驟1與步驟2。
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