TWI810335B - 樹脂遮罩剝離用洗淨劑組合物 - Google Patents

樹脂遮罩剝離用洗淨劑組合物 Download PDF

Info

Publication number
TWI810335B
TWI810335B TW108125973A TW108125973A TWI810335B TW I810335 B TWI810335 B TW I810335B TW 108125973 A TW108125973 A TW 108125973A TW 108125973 A TW108125973 A TW 108125973A TW I810335 B TWI810335 B TW I810335B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
mass
component
resin mask
detergent composition
cleaning
Prior art date
Application number
TW108125973A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202016662A (zh
Inventor
山田晃平
Original Assignee
日商花王股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商花王股份有限公司 filed Critical 日商花王股份有限公司
Publication of TW202016662A publication Critical patent/TW202016662A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI810335B publication Critical patent/TWI810335B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
    • G03F7/425—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral alkaline compounds; containing organic basic compounds, e.g. quaternary ammonium compounds; containing heterocyclic basic compounds containing nitrogen
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Detergent Compositions (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Paints Or Removers (AREA)

Abstract

本發明於一態樣中提供一種樹脂遮罩去除性優異之樹脂遮罩剝離用洗淨劑組合物。 本發明於一態樣中係關於一種樹脂遮罩剝離用洗淨劑組合物，該樹脂遮罩剝離用洗淨劑組合物含有鹼劑(成分A)、有機溶劑(成分B)及水(成分C)，且成分B之漢森溶解度參數之座標在以δd＝18.3、δp＝6.8、δh＝3.7為中心之半徑5.45 MPa0.5 之球之範圍內，使用時成分C之含量為69.9質量%以上99.4質量%以下。

Description

樹脂遮罩剝離用洗淨劑組合物
本發明係關於一種樹脂遮罩剝離用洗淨劑組合物、使用該洗淨劑組合物之洗淨方法及電子零件之製造方法。
近年來，於個人電腦或各種電子裝置中，低耗電化、處理速度之高速化、小型化有所發展，搭載於該等之封裝基板等之配線逐年微細化。形成此種微細配線以及支柱或凸塊之連接端子至今主要使用金屬遮罩法，但由於通用性較低或難以應對配線等之微細化，而正在向其他新方法轉變。
作為新方法之一，已知代替金屬遮罩將乾膜光阻用作厚膜樹脂遮罩之方法。該樹脂遮罩最終會被剝離、去除，此時使用鹼性之剝離用洗淨劑。
作為此種剝離用洗淨劑，例如，專利文獻1中記載有一種低蝕刻性光阻洗淨劑，其特徵在於：含有四級銨氫氧化物、特定之烷基二醇芳基醚或其衍生物、以及(C)苯乙酮或其衍生物。 專利文獻2中記載有一種光阻用剝離液，該光阻用剝離液本質上含有(A)脂肪族醇系溶劑35～80質量%、(B)選自鹵素系烴溶劑、非羥基化醚溶劑之有機溶劑10～40質量%、(C)四級銨鹽0.1～25質量%。 專利文獻3中記載有一種溶液，該溶液含有包含二甲基亞碸、四級銨氫氧化物、特定之烷醇胺、及醇、多羥基化合物或其組合之第2溶劑，且水之含量為3質量%以下。 專利文獻4中記載有一種準水系組合物，該準水系組合物用於微電子裝置之再加工，且含有至少1種鹼及/或鹼土金屬鹼、至少1種有機溶劑及水。 [先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：國際公開第2008/071078號 專利文獻2：美國專利第5185235號說明書 專利文獻3：美國專利申請公開第2014/0155310號說明書 專利文獻4：國際公開第2008/039730號
[發明所欲解決之問題]
於印刷基板等形成微細配線時，不用說樹脂遮罩之殘存，為了減少用於形成微細配線或凸塊之焊料或鍍覆液等中所包含之助劑等之殘存，對洗淨劑組合物要求較高之洗淨性。樹脂遮罩係使用由於光或電子束等對顯影液之溶解性等物性發生變化之抗蝕劑而形成者。 抗蝕劑根據與光或電子束反應之方法，大體分為負型與正型。負型抗蝕劑具有若被曝光則對顯影液之溶解性降低之特性，包含負型抗蝕劑之層(以下，亦稱為「負型抗蝕層」)於曝光及顯影處理後曝光部用作樹脂遮罩。正型抗蝕劑具有若被曝光則對顯影液之溶解性增大之特性，包含正型抗蝕劑之層(以下，亦稱為「正型抗蝕層」)於曝光及顯影處理後曝光部被去除，未曝光部用作樹脂遮罩。藉由使用具有此種特性之樹脂遮罩，可形成金屬配線、金屬柱或焊料凸塊之電路基板之微細連接部。
但是，由於形成該等連接部時所使用之鍍覆處理或加熱處理等樹脂遮罩之特性發生變化，於下一步驟之洗淨步驟中，存在樹脂遮罩難以被去除之傾向。特別是，負型抗蝕劑具有藉由與光或電子束之反應而硬化之特性，故而使用負型抗蝕劑形成之樹脂遮罩由於形成連接部時所使用之鍍覆處理或加熱處理等硬化至超過必要之程度，無法以洗淨步驟完全去除，或者，去除所耗時間非常長，從而對基板或金屬表面造成損傷。如此，經鍍覆處理及/或加熱處理之樹脂遮罩難以去除，因此對洗淨劑組合物要求較高之樹脂遮罩去除性。
另一方面，為了電子裝置之小型化、處理速度之高速化、降低消耗電力，配線之微細化發展。若配線寬度變窄則存在電阻變大，發熱，導致電子裝置之功能降低之虞。為了不增大配線基板之面積而減小電阻，採取提高配線高度之對策。因此，用於形成配線之樹脂遮罩變厚而與配線之接觸面積增加，進而伴隨著微細化之配線間距亦變窄，從而樹脂遮罩變得難以去除。特別是，為了描繪微細配線而使用高能量之低波長光，但由於樹脂遮罩較厚，故而自樹脂遮罩表面至基板之距離變長，利用曝光所進行之光聚合之反應率於表面與基板接觸面產生差異，表面之反應過度進行，若不強化滲透性，則洗淨劑組合物不會自樹脂遮罩表面滲透，樹脂遮罩變得難以去除。
因此，本發明提供一種樹脂遮罩去除性優異之樹脂遮罩剝離用洗淨劑組合物、使用該洗淨劑組合物之洗淨方法及基板之製造方法。 [解決問題之技術手段]
本發明於一態樣中係關於一種樹脂遮罩剝離用洗淨劑組合物，該樹脂遮罩剝離用洗淨劑組合物含有鹼劑(成分A)、有機溶劑(成分B)及水(成分C)，且成分B之漢森溶解度參數之座標在以δd＝18.3、δp＝6.8、δh＝3.7為中心之半徑5.45 MPa0.5 之球之範圍內，使用時成分C之含量為69.9質量%以上99.4質量%以下。
本發明於一態樣中係關於一種洗淨方法，其包括：用本發明之洗淨劑組合物，自樹脂遮罩所附著之洗淨對象物剝離樹脂遮罩之步驟。
本發明於一態樣中係關於一種電子零件之製造方法，其包括：用本發明之洗淨劑組合物，自樹脂遮罩所附著之洗淨對象物剝離樹脂遮罩之步驟。
本發明於一態樣中係關於一種本發明之洗淨劑組合物作為電子零件之製造中之洗淨劑之使用。
本發明於一態樣中係關於一種套組，其係用於本發明之洗淨方法及本發明之電子零件之製造方法之任一者之套組，且於不相互混合之狀態下包含含有成分A之溶液(第1液)及含有成分B之溶液(第2液)，第1液及第2液之至少一者進而含有成分C之一部分或全部，第1液及第2液於使用時被混合。 [發明之效果]
根據本發明，於一態樣中，可提供一種樹脂遮罩去除性優異之樹脂遮罩剝離用洗淨劑組合物。
本發明於一態樣中係關於一種樹脂遮罩剝離用洗淨劑組合物(以下，亦稱為「本發明之洗淨劑組合物」)，該樹脂遮罩剝離用洗淨劑組合物含有鹼劑(成分A)、有機溶劑(成分B)及水(成分C)，且成分B之漢森溶解度參數之座標在以δd＝18.3、δp＝6.8、δh＝3.7為中心之半徑5.45 MPa0.5 之球之範圍內，成分C之含量為69.9質量%以上99.4質量%以下。
根據本發明，可提供一種樹脂遮罩去除性優異之洗淨劑組合物。由此，本發明之洗淨劑組合物可高效率地去除樹脂遮罩，特別是經鍍覆處理及/或加熱處理之樹脂遮罩。並且，藉由使用本發明之洗淨劑組合物，能夠以較高之產率獲得高品質之電子零件。進而，藉由使用本發明之洗淨劑組合物，可高效率地製造具有微細之配線圖案之電子零件。
本發明之洗淨劑組合物之效果之詳細作用機製有不明確之部分，但可進行如下推定。 一般而言，認為樹脂遮罩之剝離係由於洗淨劑組合物之成分滲透至樹脂遮罩而樹脂遮罩膨潤所導致之界面應力。認為本發明之洗淨劑組合物中，藉由使鹼劑(成分A)、特定之有機溶劑(成分B)與水(成分C)滲透至樹脂遮罩，而促進樹脂遮罩中所調配之鹼可溶性樹脂之解離，進而引起電荷排斥，藉此促進樹脂遮罩之剝離。推定：此時，特定之有機溶劑(成分B)作用於基板表面與樹脂遮罩之界面、配線與樹脂遮罩之界面，藉此基板-樹脂間之密接力降低而進一步促進樹脂遮罩之剝離，樹脂遮罩去除性明顯提高。又，亦推定：特定之有機溶劑(成分B)作用於樹脂遮罩中之未反應單體，以該處為起點使鹼劑(成分A)與水(成分C)滲透至樹脂遮罩中，促進樹脂遮罩之剝離，樹脂遮罩去除性明顯提高。從而，認為可高效率地且以較高之清潔度於基板上形成微細電路(配線圖案)。 但是，本發明可不限定於以該機製進行解釋。
近年來，對洗淨劑組合物要求較高之樹脂遮罩去除性，另一方面，期望對含有環氧樹脂或酚樹脂之有機樹脂之基板(以下，亦稱為「含有有機樹脂之基板」)之影響較少。此係由於洗淨劑組合物溶解於基板表面，並使其變質，則降低作為電子零件所要求之基板之性能，無法獲得高品質之基板。 與此相對，於本發明之洗淨劑組合物中，特定之有機溶劑(成分B)與水之相容性最佳，即便於存在大量水之情形或成分B之添加量較少之情形時亦有效地發揮作用，可促進鹼劑(成分A)及水(成分C)向樹脂遮罩之滲透。並且，藉由降低本發明之洗淨劑組合物中之有機物含量，可減少對含有有機樹脂之基板之影響。
又，於各種領域中，存在電子化發展而印刷基板等之生產量增加，洗淨劑組合物之使用量亦增加之傾向。並且，隨著洗淨劑組合物之使用量之增加，由洗淨劑組合物或洗液等之廢液之排水處理負荷或廢液流入所導致之湖沼之富營養化亦增大。因此，強烈要求一種排水處理負荷較小、不含導致湖沼之富營養化之氮及磷、可高效率地去除樹脂遮罩之洗淨劑組合物。 進而，為了高效率地重複使用洗淨液，強烈要求一種易於將所去除之樹脂遮罩自洗淨液中用網等排除、利用剝離所得之水系洗淨劑組合物有利、有機物含量較少之洗淨劑組合物。但是，於上述專利文獻所記載之方法中，難以兼具較高之樹脂遮罩去除性與較低之排水處理負荷。 與此相對，於本發明之洗淨劑組合物中，如上所述，特定之有機溶劑(成分B)與水之相容性最佳，即便於存在大量水之情形或成分B之添加量較少之情形時亦有效地發揮作用，可促進鹼劑(成分A)及水(成分C)向樹脂遮罩之滲透。並且，藉由降低本發明之洗淨劑組合物中之有機物含量，可抑制排水處理負荷之增大。
於本發明中，所謂樹脂遮罩係用於自蝕刻、鍍覆、加熱等處理中保護物質表面之遮罩，即作為保護膜而發揮功能之遮罩。作為樹脂遮罩，於一個或複數個實施形態中，可列舉曝光及顯影步驟後之抗蝕層、經曝光及顯影之至少一種處理(以下，亦稱為「經曝光及/或顯影處理」)之抗蝕層、或經硬化之抗蝕層。作為形成樹脂遮罩之樹脂材料，於一個或複數個實施形態中，可列舉膜狀之感光性樹脂或抗蝕膜。抗蝕膜可使用通用者。
[成分A：鹼劑] 本發明之洗淨劑組合物於一個或複數個實施形態中，包含鹼劑(成分A)。成分A可使用1種或併用2種以上。
作為成分A，例如可列舉選自無機鹼及有機鹼之至少1種，就降低排水處理負荷之觀點而言，較佳為無機鹼。
作為無機鹼，可列舉：氫氧化鈉、氫氧化鉀、氫氧化鋰、氫氧化鈣、碳酸鈉、碳酸鉀、矽酸鈉及矽酸鉀等。該等之中，就提高樹脂遮罩去除性之觀點而言，較佳為選自氫氧化鈉、氫氧化鉀、碳酸鈉及碳酸鉀之1種或2種以上之組合，更佳為氫氧化鈉及氫氧化鉀之至少一者，進而較佳為氫氧化鉀。
作為有機鹼，可列舉：下述式(I)所表示之四級銨氫氧化物、下述式(II)所表示之胺等。
[化1]
於上述式(I)中，R1 、R2 、R3 及R4 分別獨立，為選自甲基、乙基、丙基、羥甲基、羥乙基及羥丙基之至少1種。
[化2]
於上述式(II)中，R5 表示氫原子、甲基、乙基或胺基乙基，R6 為選自氫原子、羥乙基、羥丙基、甲基或乙基之至少1種，且R7 為選自胺基乙基、羥乙基或羥丙基之至少1種，或者，於式(II)中，R5 為選自甲基、乙基、胺基乙基、羥乙基或羥丙基之至少1種，且R6 與R7 相互鍵結而與式(II)中之N原子一同形成吡咯啶環或哌𠯤環。
作為式(I)所表示之四級銨氫氧化物，例如可列舉含有四級銨陽離子與氫氧化物之鹽等。作為四級銨氫氧化物之具體例，可列舉：選自氫氧化四甲基銨(TMAH)、氫氧化四乙基銨、氫氧化四丙基銨、2-羥乙基三甲基氫氧化銨(膽鹼)、2-羥乙基三乙基氫氧化銨、2-羥乙基三丙基氫氧化銨、2-羥丙基三甲基氫氧化銨、2-羥丙基三乙基氫氧化銨、2-羥丙基三丙基氫氧化銨、二甲基雙(2-羥乙基)氫氧化銨、二乙基雙(2-羥乙基)氫氧化銨、二丙基雙(2-羥乙基)氫氧化銨、三(2-羥乙基)甲基氫氧化銨、三(2-羥乙基)乙基氫氧化銨、三(2-羥乙基)丙基氫氧化銨、四(2-羥乙基)氫氧化銨及四(2-羥丙基)氫氧化銨之至少1種。該等之中，就提高樹脂遮罩去除性之觀點而言，較佳為選自四甲基氫氧化銨(TMAH)、2-羥乙基三甲基氫氧化銨(膽鹼)、二甲基雙(2-羥乙基)氫氧化銨及二乙基雙(2-羥乙基)氫氧化銨之至少1種，更佳為選自四甲基氫氧化銨(TMAH)、2-羥乙基三甲基氫氧化銨(膽鹼)及二甲基雙(2-羥乙基)氫氧化銨之至少1種，進而較佳為四甲基氫氧化銨(TMAH)。
作為式(II)所表示之胺，例如可列舉烷醇胺、1～3級胺及雜環化合物等。作為胺之具體例，可列舉：選自單乙醇胺、單異丙醇胺、N-甲基單乙醇胺、N-甲基異丙醇胺、N-乙基單乙醇胺、N-乙基異丙醇胺、二乙醇胺、二異丙醇胺、N-二甲基單乙醇胺、N-二甲基單異丙醇胺、N-甲基二乙醇胺、N-甲基二異丙醇胺、N-二乙基單乙醇胺、N-二乙基單異丙醇胺、N-乙基二乙醇胺、N-乙基二異丙醇胺、N-(β-胺基乙基)乙醇胺、N-(β-胺基乙基)異丙醇胺、N-(β-胺基乙基)二乙醇胺、N-(β-胺基乙基)二異丙醇胺、1-甲基哌𠯤、1-(2-羥乙基)吡咯啶、1-(2-羥乙基)哌𠯤、乙二胺及二伸乙基三胺之至少1種。該等之中，就提高樹脂遮罩去除性之觀點而言，較佳為選自單乙醇胺、單異丙醇胺、二乙醇胺、N-甲基單乙醇胺、N-乙基單乙醇胺、N-(β-胺基乙基)乙醇胺、1-(2-羥乙基)哌𠯤及二伸乙基三胺之至少1種，更佳為選自單乙醇胺、單異丙醇胺、二乙醇胺、N-甲基單乙醇胺及N-乙基單乙醇胺之至少1種，進而較佳為單乙醇胺。
就提高樹脂遮罩去除性之觀點而言，本發明之洗淨劑組合物使用時成分A之含量較佳為0.1質量%以上，更佳為0.5質量%以上，進而較佳為1.0質量%以上，進而更佳為1.5質量%以上，並且就提高樹脂遮罩去除性之觀點而言，較佳為15質量%以下，更佳為10質量%以下，進而較佳為7.5質量%以下，進而更佳為5質量%以下。更具體而言，使用時成分A之含量較佳為0.1質量%以上15質量%以下，更佳為0.5質量%以上10質量%以下，進而較佳為1.0質量%以上7.5質量%以下，進而更佳為1.5質量%以上5質量%以下。於成分A含有2種以上鹼劑之情形時，成分A之含量係指該等之合計含量。
於本發明中，所謂「洗淨劑組合物使用時各成分之含量」係指洗淨時即開始使用洗淨劑組合物進行洗淨之時間點之各成分之含量。
[成分B：有機溶劑] 本發明之洗淨劑組合物於一個或複數個實施形態中，包含有機溶劑(成分B)。成分B可使用1種或併用2種以上。
於本發明中，成分B之漢森溶解度參數之座標在以δd＝18.3、δp＝6.8、δh＝3.7為中心之半徑5.45 MPa0.5 之球之範圍內。於本發明之洗淨劑組合物包含2種以上有機溶劑(以下，亦稱為「混合有機溶劑」)之情形時，混合有機溶劑整體之漢森溶解度參數可不在上述範圍內，若混合有機溶劑中包含至少1種具有上述範圍內之漢森溶解度參數之有機溶劑，則可發揮本發明之效果。
此處，所謂漢森溶解度參數(Hansen solubility parameter)(以下，亦稱為「HSP」)係Charles M. Hansen於1967年發表之用於預測物質之溶解性之值，即基於「分子間之相互作用相似之2個物質容易相互溶解」之想法之參數。HSP包含以下之3個參數(單位：MPa0.5 )。 δd：利用分子間之分散力所得之能量 δp：利用分子間之偶極相互作用所得之能量 δh：利用分子間之氫鍵所得之能量 該等3個參數可視為三維空間(漢森空間)之座標，表示將2個物質之HSP置於漢森空間內時，2點間之距離越近則越容易相互溶解。化學工業2010年3月號(化學工業公司)等有詳細說明，藉由使用個人電腦用軟體「HSPiP：Hansen Solubility Parameters in Practice」等可獲得各種物質之漢森溶解度參數。本發明使用漢森溶解度參數，該漢森溶解度參數係使用該個人電腦用軟體「HSPiP：Hansen Solubility Parameters in Practice」而獲得。於成分B為2種以上之混合有機溶劑之情形時，對於作為混合有機溶劑之HSP之距離，可使用「HSPiP：Hansen Solubility Parameters in Practice」之混合有機溶劑之HSP算出功能算出。
本發明中之成分B之HSP之座標亦可表現為如下所述。即，將成分B之HSP之座標設為(δdB 、δpB 、δhB )時，該成分B之HSP之座標(δdB 、δpB 、δhB )與成分座標X(δd＝18.3、δp＝6.8、δh＝3.7)之距離(單位：MPa0.5 )可設為滿足下式者。 距離＝[(δdB －18.3)2 ＋(δpB －6.8)2 ＋(δhB －3.7)2 ]0.5 ≦5.45 MPa0.5
作為成分B，只要為成分B之HSP之座標與成分座標X之距離滿足上式之有機溶劑即可，並無特別限定，例如可列舉：選自苯乙酮(距離：2.44 MPa0.5 )、苯丙酮(距離：0.65 MPa0.5 )、大茴香醛(距離：5.15 MPa0.5 )、鄰甲氧基苯甲醛(距離：2.43 MPa0.5 )、對甲基苯乙酮(距離：1.23 MPa0.5 )、四氫呋喃(距離：5.36 MPa0.5 )、二甲氧基四氫呋喃(距離：5.42 MPa0.5 )、甲氧基環戊烷(距離：4.10 MPa0.5 )、二苯醚(距離：3.83 MPa0.5 )、苯甲醚(距離：4.12 MPa0.5 )、苯***(距離：2.33 MPa0.5 )、二乙二醇二***(距離：5.42 MPa0.5 )、二丙二醇二甲醚(距離：5.44 MPa0.5 )、環己酮(距離：2.35 MPa0.5 )、2-辛酮(距離：4.73 MPa0.5 )及苯甲醛(距離：2.79 MPa0.5 )之1種或2種以上之組合。就提高樹脂遮罩去除性之觀點而言，較佳為選自苯乙酮、苯丙酮、大茴香醛、鄰甲氧基苯甲醛、對甲基苯乙酮、四氫呋喃、二甲氧基四氫呋喃、甲氧基環戊烷、二苯醚、苯甲醚、苯***、二乙二醇二***、二丙二醇二甲醚、環己酮、2-辛酮及苯甲醛之1種或2種以上之組合，更佳為選自苯乙酮、苯丙酮、大茴香醛、鄰甲氧基苯甲醛、對甲基苯乙酮、四氫呋喃、二甲氧基四氫呋喃、甲氧基環戊烷、苯甲醚、苯***、二乙二醇二***、環己酮及苯甲醛之1種或2種以上之組合，進而較佳為選自苯乙酮、苯丙酮、大茴香醛、對甲基苯乙酮、四氫呋喃、二甲氧基四氫呋喃、甲氧基環戊烷、苯甲醚、苯***、環己酮及苯甲醛之1種或2種以上之組合，進而更佳為選自苯乙酮、大茴香醛、對甲基苯乙酮、苯***、環己酮及苯甲醛之1種或2種以上之組合。括弧內之數值表示成分B之HSP之座標與成分座標X之距離(單位：MPa0.5 )。
就由引火所導致之火災風險之降低及持久性之觀點而言，本發明中之成分B較佳為沸點較高。例如，成分B之沸點較佳為160℃以上，更佳為200℃以上。
於本發明中，就濃縮性之觀點而言，成分B較佳為對水之溶解度較高，例如，成分B對100 mL水之溶解度較佳為0.3 g以上。
就提高樹脂遮罩去除性之觀點而言，本發明之洗淨劑組合物使用時成分B之含量較佳為0.5質量%以上，更佳為1質量%以上，進而較佳為3質量%以上，進而更佳為5質量%以上，並且就降低排水處理負荷及降低對含有有機樹脂之基板之影響之觀點而言，較佳為30質量%以下，更佳為25質量%以下，進而較佳為20質量%以下，進而更佳為15質量%以下。更具體而言，使用時成分B之含量較佳為0.5質量%以上30質量%以下，更佳為1質量%以上25質量%以下，進而較佳為3質量%以上20質量%以下，進而更佳為5質量%以上15質量%以下。於成分B為2種以上之組合之情形時，成分B之含量係指該等之合計含量。
就保存穩定性及降低排水處理負荷之觀點而言，本發明之洗淨劑組合物中之成分A與成分B之質量比(A/B)較佳為0.05以上，更佳為0.08以上，進而較佳為0.1以上，進而更佳為0.15以上，並且就提高樹脂遮罩去除性之觀點而言，較佳為2以下，更佳為1以下，進而較佳為0.8以下，進而更佳為0.5以下。更具體而言，質量比(A/B)較佳為0.05以上2以下，更佳為0.08以上1以下，進而較佳為0.1以上0.8以下，進而更佳為0.15以上0.5以下。
[成分C：水] 本發明之洗淨劑組合物包含水(成分C)。作為成分C之水，可列舉離子交換水、逆滲透水、蒸餾水、純水、超純水等。
本發明之洗淨劑組合物中之成分C之含量可設為除成分A、成分B及後述之任意成分以外之殘餘。具體而言，就提高樹脂遮罩去除性、降低排水處理負荷及降低對含有有機樹脂之基板之影響之觀點而言，本發明之洗淨劑組合物使用時成分C之含量為69.9質量%以上，較佳為70質量%以上，更佳為75質量%以上，進而較佳為80質量%以上，並且就提高樹脂遮罩去除性之觀點而言，為99.4質量%以下，較佳為95質量%以下，更佳為90質量%以下，進而較佳為85質量%以下。更具體而言，使用時成分C之含量為69.9質量%以上99.4質量%以下，較佳為70質量%以上95質量%以下，更佳為75質量%以上90質量%以下，進而較佳為80質量%以上85質量%以下。
[任意成分] 本發明之洗淨劑組合物除上述成分A～C以外，視需要可進一步含有任意成分。作為任意成分，可列舉可用於通常之洗淨劑之成分，例如可列舉：除成分B以外之有機溶劑、界面活性劑、螯合劑、增黏劑、分散劑、防銹劑、高分子化合物、助溶劑、抗氧化劑、防腐劑、消泡劑、抗菌劑等。本發明之洗淨劑組合物使用時任意成分之含量較佳為0質量%以上2.0質量%以下，更佳為0質量%以上1.5質量%以下，進而較佳為0質量%以上1.3質量%以下，進而更佳為0質量%以上1.0質量%以下。
就降低排水處理負荷及降低對含有有機樹脂之基板之影響之觀點而言，本發明之洗淨劑組合物使用時成分A、成分B及來源於任意成分之有機物之總含量較佳為40質量%以下，更佳為35質量%以下，進而較佳為30質量%以下，進而更佳為25質量%以下，進而更佳為20質量%以下，並且就提高樹脂遮罩去除性之觀點而言，較佳為0.5質量%以上，更佳為1質量%以上，進而較佳為3質量%以上，進而更佳為5質量%以上。更具體而言，本發明之洗淨劑組合物使用時成分A、成分B及來源於任意成分之有機物之總含量較佳為0.5質量%以上40質量%以下，更佳為1質量%以上35質量%以下，進而較佳為3質量%以上30質量%以下，進而更佳為5質量%以上25質量%以下，進而更佳為5質量%以上20質量%以下。
就降低排水處理負荷、抑制排水水域之富營養化之觀點而言，本發明之洗淨劑組合物較佳為實質上不含含氮化合物及含磷化合物。於本發明中，所謂「實質上不含含氮化合物及含磷化合物」係指本發明之洗淨劑組合物中之含氮化合物及含磷化合物之合計含量未達0.1質量%。就降低排水處理負荷、抑制排水水域之富營養化之觀點而言，本發明之洗淨劑組合物中之含氮化合物及含磷化合物之合計含量較佳為0.05質量%以下，更佳為0.01質量%以下，進而較佳為0質量%。 作為含氮化合物，可列舉先前廣泛用作洗淨劑組合物之含氮化合物，例如可列舉選自胺及其鹽、氨、以及銨鹽之至少1種或2種以上之組合。作為上述胺，例如可列舉單乙醇胺、二乙醇胺等胺基醇。作為上述銨鹽，例如可列舉四甲基氫氧化銨(TMAH)等四級銨鹽。 作為含磷化合物，可列舉先前廣泛用作洗淨劑組合物之含磷化合物，例如可列舉選自磷酸及其鹽、焦磷酸、多磷酸、偏磷酸等縮合磷酸及其鹽等無機磷酸、以及有機磷酸、磷酸酯之至少1種或2種以上之組合。
[洗淨劑組合物之製造方法] 本發明之洗淨劑組合物可藉由以公知方法調配上述成分A～C及視需要之上述任意成分而製造。例如，本發明之洗淨劑組合物可為至少調配上述成分A～C而成者。因此，本發明係關於一種洗淨劑組合物之製造方法，其包括至少調配上述成分A～C之步驟。於本發明中，所謂「進行調配」係包括同時或以任意順序混合成分A～C及視需要之其他成分。於本發明之洗淨劑組合物之製造方法中，各成分之較佳之調配量可設為與上述本發明之洗淨劑組合物之各成分之較佳之含量相同。
本發明之洗淨劑組合物亦可製成發生分離或析出等而於不損及保管穩定性之範圍內減少成分C之水之量之濃縮物。就輸送及儲藏之觀點而言，洗淨劑組合物之濃縮物較佳為製成稀釋倍率為3倍以上之濃縮物，就保管穩定性之觀點而言，較佳為製成稀釋倍率為30倍以下之濃縮物。洗淨劑組合物之濃縮物能夠以使用時成分A～C成為上述含量(即洗淨時之含量)之方式用水進行稀釋而使用。進而，洗淨劑組合物之濃縮物亦可於使用時分別添加各成分而使用。於本發明中，所謂濃縮液之洗淨劑組合物之「使用時」或「洗淨時」係指洗淨劑組合物之濃縮物經稀釋之狀態。
[洗淨對象物] 本發明之洗淨劑組合物於一個或複數個實施形態中，可用於洗淨樹脂遮罩所附著之洗淨對象物。 作為洗淨對象物，例如可列舉電子零件及其製造中間物。作為電子零件，例如可列舉選自印刷基板、晶圓、銅板及鋁板等金屬板之至少1個零件。上述製造中間物為電子零件之製造步驟中之中間製造物，且包含樹脂遮罩處理後之中間製造物。作為樹脂遮罩所附著之洗淨對象物之具體例，例如可列舉藉由經進行使用樹脂遮罩之焊接或鍍覆處理(鍍銅、鍍鋁、鍍鎳等)等處理之步驟，配線或連接端子等形成於基板表面之電子零件等。 因此，本發明於一態樣中係關於一種本發明之洗淨劑組合物作為電子零件之製造中之洗淨劑之用途。
本發明之洗淨劑組合物於一個或複數個實施形態中，就洗淨效果之方面而言，可較佳地用於洗淨樹脂遮罩或進而經鍍覆處理及/或加熱處理之樹脂遮罩所附著之洗淨對象物。作為樹脂遮罩，例如可為負型樹脂遮罩，亦可為正型樹脂遮罩，就易於發揮本發明之效果之方面而言，較佳為負型樹脂遮罩。作為負型樹脂遮罩，例如可列舉經曝光及/或顯影處理之負型乾膜光阻。於本發明中，所謂負型樹脂遮罩係使用負型抗蝕劑而形成者，例如可列舉經曝光及/或顯影處理之負型抗蝕層。於本發明中，所謂正型樹脂遮罩係使用正型抗蝕劑而形成者，例如可列舉經曝光及/或顯影處理之正型抗蝕層。
[洗淨方法] 本發明於一態樣中係關於一種洗淨方法(以下，亦稱為「本發明之洗淨方法」)，其包括：用本發明之洗淨劑組合物，自樹脂遮罩所附著之洗淨對象物剝離樹脂遮罩之步驟。於本發明之洗淨方法中，自洗淨對象物剝離樹脂遮罩之步驟於一個或複數個實施形態中，包括使樹脂遮罩所附著之洗淨對象物接觸本發明之洗淨劑組合物。若為本發明之洗淨方法，則可高效率地去除樹脂遮罩，特別是經鍍覆處理及/或加熱處理之樹脂遮罩。
作為使用本發明之洗淨劑組合物自洗淨對象物剝離樹脂遮罩之方法或使本發明之洗淨劑組合物接觸洗淨對象物之方法，例如可列舉：藉由浸漬於裝有洗淨劑組合物之洗淨浴槽內而使其接觸之方法、噴霧狀地射出洗淨劑組合物而使其接觸之方法(噴淋方式)、浸漬期間進行超音波照射之超音波洗淨方法等。本發明之洗淨劑組合物可不稀釋而直接用於洗淨。作為洗淨對象物，可列舉上述洗淨對象物。
本發明之洗淨方法於一個或複數個實施形態中，可包括使洗淨對象物接觸洗淨劑組合物後，用水進行漂洗，進行乾燥之步驟。本發明之洗淨方法於一個或複數個實施形態中，可包括使洗淨對象物接觸洗淨劑組合物後，用水漂洗之步驟。
就易於發揮本發明之洗淨劑組合物之洗淨力之方面而言，本發明之洗淨方法較佳為於本發明之洗淨劑組合物與洗淨對象物接觸時照射超音波，更佳為該超音波為較高頻率。就相同觀點而言，上述超音波之照射條件例如較佳為26～72 kHz、80～1500 W，更佳為36～72 kHz、80～1500 W。
於本發明之洗淨方法中，就易於發揮本發明之洗淨劑組合物之洗淨力之方面而言，洗淨劑組合物之溫度較佳為40℃以上，更佳為50℃以上，並且，就降低對含有有機樹脂之基板之影響之觀點而言，較佳為70℃以下，更佳為60℃以下。
[電子零件之製造方法] 本發明於一態樣中係關於一種電子零件之製造方法(以下，亦稱為「本發明之電子零件之製造方法」)，其包括：用本發明之洗淨劑組合物，自樹脂遮罩所附著之洗淨對象物剝離樹脂遮罩之步驟。作為洗淨對象物，可列舉上述洗淨對象物。本發明之電子零件之製造方法藉由使用本發明之洗淨劑組合物進行洗淨，而可有效地去除附著於電子零件之樹脂遮罩，因此可製造可靠性較高之電子零件。進而，藉由進行本發明之洗淨方法，可容易地去除附著於電子零件之樹脂遮罩，故而可縮短洗淨時間，可提高電子零件之製造效率。
[套組] 本發明於一態樣中係關於一種用於本發明之洗淨方法及本發明之電子零件之製造方法之任一者之套組(以下，亦稱為「本發明之套組」)。本發明之套組於一個或複數個實施形態中，為用於製造本發明之洗淨劑組合物之套組。
作為本發明之套組，於一個或複數個實施形態中，可列舉：一種套組(2液型洗淨劑組合物)，其於不相互混合之狀態下包含含有成分A之溶液(第1液)及含有成分B之溶液(第2液)，且第1液及第2液之至少一者進而含有成分C(水)之一部分或全部，第1液及第2液於使用時被混合。第1液及第2液被混合後，視需要可用成分C(水)進行稀釋。第1液及第2液各者中視需要可包含上述任意成分。根據本發明之套組，可獲得樹脂遮罩去除性優異之洗淨劑組合物。
作為本發明之套組，於其他一個或複數個實施形態中，就獲得性及作業性之觀點而言，較佳為可列舉：具有含有30～50質量%之成分A且包含成分C作為剩餘部分之第1液及僅由成分B構成之第2液的套組；具有含有30～50質量%之成分A且包含成分C作為剩餘部分之第1液及含有1～99質量%之成分B且包含成分C作為剩餘部分之第2液的套組；或具有含有30～50質量%之成分A且包含成分C作為剩餘部分之第1液及含有1～99質量%之成分B且包含任意成分及成分C作為剩餘部分之第2液的套組。該等套組更佳為可進一步具有包含成分C之第3液，使用第3液，將上述第1液與上述第2液之混合物稀釋至任意濃度。
本發明進而係關於以下之一個或複數個實施形態。 ＜1＞一種樹脂遮罩剝離用洗淨劑組合物，其含有鹼劑(成分A)、有機溶劑(成分B)及水(成分C)，且 成分B之漢森溶解度參數之座標在以δd＝18.3、δp＝6.8、δh＝3.7為中心之半徑5.45 MPa0.5 之球之範圍內， 使用時成分C之含量為69.9質量%以上99.4質量%以下。
＜2＞如＜1＞記載之洗淨劑組合物，其中成分A為無機鹼。 ＜3＞如＜1＞或＜2＞記載之洗淨劑組合物，其中成分A為選自氫氧化鈉、氫氧化鉀、氫氧化鋰、氫氧化鈣、碳酸鈉、碳酸鉀、矽酸鈉及矽酸鉀之至少1種無機鹼。 ＜4＞如＜1＞記載之洗淨劑組合物，其中成分A為選自下述式(I)所表示之四級銨氫氧化物及下述式(II)所表示之胺之至少1種有機鹼。 [化3] 於上述式(I)中，R1 、R2 、R3 及R4 分別獨立，為選自甲基、乙基、丙基、羥甲基、羥乙基及羥丙基之至少1種。 [化4] 於上述式(II)中，R5 表示氫原子、甲基、乙基或胺基乙基，R6 為選自氫原子、羥乙基、羥丙基、甲基或乙基之至少1種，且R7 為選自胺基乙基、羥乙基或羥丙基之至少1種，或者，於式(II)中，R5 為選自甲基、乙基、胺基乙基、羥乙基或羥丙基之至少1種，且R6 與R7 相互鍵結而與式(II)中之N原子一同形成吡咯啶環或哌𠯤環。 ＜5＞如＜1＞或＜4＞記載之洗淨劑組合物，其中成分A為四甲基氫氧化銨。 ＜6＞如＜1＞至＜5＞中任一項記載之洗淨劑組合物，其中使用時成分A之含量較佳為0.1質量%以上，更佳為0.5質量%以上，進而較佳為1.0質量%以上，進而更佳為1.5質量%以上。 ＜7＞如＜1＞至＜6＞中任一項記載之洗淨劑組合物，其中使用時成分A之含量較佳為15質量%以下，更佳為10質量%以下，進而較佳為7.5質量%以下，進而更佳為5質量%以下。 ＜8＞如＜1＞至＜7＞中任一項記載之洗淨劑組合物，其中使用時成分A之含量較佳為0.1質量%以上15質量%以下，更佳為0.5質量%以上10質量%以下，進而較佳為1.0質量%以上7.5質量%以下，進而更佳為1.5質量%以上5質量%以下。 ＜9＞如＜1＞至＜8＞中任一項記載之洗淨劑組合物，其中將成分B之HSP之座標設為(δdB 、δpB 、δhB )時，該成分B之HSP之座標(δdB 、δpB 、δhB )與成分座標X(δd＝18.3、δp＝6.8、δh＝3.7)之距離(單位：MPa0.5 )滿足下式。 距離＝[(δdB －18.3)2 ＋(δpB －6.8)2 ＋(δhB －3.7)2 ]0.5 ≦5.45 MPa0.5 ＜10＞如＜1＞至＜9＞中任一項記載之洗淨劑組合物，其中成分B為選自苯乙酮、苯丙酮、大茴香醛、鄰甲氧基苯甲醛、對甲基苯乙酮、四氫呋喃、二甲氧基四氫呋喃、甲氧基環戊烷、二苯醚、苯甲醚、苯***、二乙二醇二***、二丙二醇二甲醚、環己酮、2-辛酮及苯甲醛之至少1種。 ＜11＞如＜1＞至＜10＞中任一項記載之洗淨劑組合物，其中使用時成分B之含量較佳為0.5質量%以上，更佳為1質量%以上，進而較佳為3質量%以上，進而更佳為5質量%以上。 ＜12＞如＜1＞至＜11＞中任一項記載之洗淨劑組合物，其中使用時成分B之含量較佳為30質量%以下，更佳為25質量%以下，進而較佳為20質量%以下，進而更佳為15質量%以下。 ＜13＞如＜1＞至＜12＞中任一項記載之洗淨劑組合物，其中使用時成分B之含量較佳為0.5質量%以上30質量%以下，更佳為1質量%以上25質量%以下，進而較佳為3質量%以上20質量%以下，進而更佳為5質量%以上15質量%以下。 ＜14＞如＜1＞至＜13＞中任一項記載之洗淨劑組合物，其中使用時成分A之含量為0.1質量%以上15質量%以下，且 使用時成分B之含量為0.5質量%以上30質量%以下。 ＜15＞如＜1＞至＜14＞中任一項記載之洗淨劑組合物，其中成分A與成分B之質量比(A/B)較佳為0.05以上，更佳為0.08以上，進而較佳為0.1以上，進而更佳為0.15以上。 ＜16＞如＜1＞至＜15＞中任一項記載之洗淨劑組合物，其中成分A與成分B之質量比(A/B)較佳為2以下，更佳為1以下，進而較佳為0.8以下，進而更佳為0.5以下。 ＜17＞如＜1＞至＜16＞中任一項記載之洗淨劑組合物，其中成分A與成分B之質量比(A/B)較佳為0.05以上2以下，更佳為0.08以上1以下，進而較佳為0.1以上0.8以下，進而更佳為0.15以上0.5以下。 ＜18＞如＜1＞至＜17＞中任一項記載之洗淨劑組合物，其中使用時成分C之含量為69.9質量%以上，較佳為70質量%以上，更佳為75質量%以上，進而較佳為80質量%以上。 ＜19＞如＜1＞至＜18＞中任一項記載之洗淨劑組合物，其中使用時成分C之含量為99.4質量%以下，較佳為95質量%以下，更佳為90質量%以下，進而較佳為85質量%以下。 ＜20＞如＜1＞至＜19＞中任一項記載之洗淨劑組合物，其中使用時成分C之含量為69.9質量%以上99.4質量%以下，較佳為70質量%以上95質量%以下，更佳為75質量%以上90質量%以下，進而較佳為80質量%以上85質量%以下。 ＜21＞如＜1＞至＜20＞中任一項記載之洗淨劑組合物，其中洗淨劑組合物使用時有機物之總含量較佳為40質量%以下，更佳為35質量%以下，進而較佳為30質量%以下，進而更佳為25質量%以下，進而更佳為20質量%以下。 ＜22＞如＜1＞至＜21＞中任一項記載之洗淨劑組合物，其中洗淨劑組合物使用時有機物之總含量較佳為0.5質量%以上，更佳為1質量%以上，進而較佳為3質量%以上，進而更佳為5質量%以上。 ＜23＞如＜1＞至＜22＞中任一項記載之洗淨劑組合物，其中洗淨劑組合物使用時有機物之總含量較佳為0.5質量%以上40質量%以下，更佳為1質量%以上35質量%以下，進而較佳為3質量%以上30質量%以下，進而更佳為5質量%以上25質量%以下，進而更佳為5質量%以上20質量%以下。 ＜24＞如＜1＞至＜23＞中任一項記載之洗淨劑組合物，其實質上不含含氮化合物及含磷化合物。 ＜25＞如＜1＞至＜24＞中任一項記載之洗淨劑組合物，其中洗淨劑組合物中之含氮化合物及含磷化合物之合計含量未達0.1質量%，較佳為0.05質量%以下，更佳為0.01質量%以下，進而較佳為0質量%。 ＜26＞如＜1＞至＜25＞中任一項記載之洗淨劑組合物，其中樹脂遮罩為經曝光及顯影之至少一種處理之負型乾膜光阻。 ＜27＞一種洗淨方法，其包括：用如＜1＞至＜26＞中任一項記載之洗淨劑組合物，自樹脂遮罩所附著之洗淨對象物剝離樹脂遮罩之步驟。 ＜28＞如＜27＞記載之洗淨方法，其中洗淨對象物為電子零件之製造中間物。 ＜29＞一種電子零件之製造方法，其包括：用如＜1＞至＜26＞中任一項記載之洗淨劑組合物，自樹脂遮罩所附著之洗淨對象物剝離樹脂遮罩之步驟。 ＜30＞一種如＜1＞至＜26＞中任一項記載之洗淨劑組合物作為電子零件之製造中之洗淨劑之使用。 ＜31＞一種套組，其係用於如＜27＞或＜28＞記載之洗淨方法及如＜29＞記載之電子零件之製造方法之任一者之套組，且 於不相互混合之狀態下包含含有成分A之溶液(第1液)及含有成分B之溶液(第2液)， 第1液及第2液之至少一者進而含有成分C之一部分或全部， 第1液與第2液於使用時被混合。 [實施例]
以下，藉由實施例對本發明進行具體說明，本發明不受該等實施例任何限定。
1.關於有機溶劑(成分B、非成分B)之物性(HSP之座標及距離) 有機溶劑之HSP之座標(δd1 、δp1 、δh1 )使用個人電腦用軟體「HSPiP：Hansen Solubility Parameters in Practice」算出。並且，藉由下式算出有機溶劑之HSP之座標(δd1 、δp1 、δh1 )與成分座標(δd＝18.3、δp＝6.8、δh＝3.7)之距離。將結果示於表1。 距離＝[(δd1 －18.3)2 ＋(δp1 －6.8)2 ＋(δh1 －3.7)2 ]0.5
[表1]
2.實施例1～22及比較例1～9之洗淨劑組合物之製備 向高型之200 mL玻璃燒杯中以有效成分換算調配氫氧化鉀(成分A)2.5 g、苯乙酮(成分B)15.0 g及水(成分C)82.5 g，將其進行攪拌並混合，藉此製備實施例1之洗淨劑組合物。然後，藉由與實施例1相同之方法，於包含除成分A～C以外之成分之情形時亦同時調配該等，以成為表2所示之有效成分之組成比製備實施例2～22及比較例1～9之洗淨劑組合物。將各洗淨劑組合物之各成分之含量(質量%、有效成分)示於表2。
作為實施例1～22及比較例1～9之洗淨劑組合物之成分，使用下述者。 (成分A) A1：氫氧化鉀[關東化學股份有限公司製造，特級，固形物成分為48質量%] A2：氫氧化鈉[關東化學股份有限公司製造，特級，固形物成分為48質量%] A3：四甲基氫氧化銨[昭和電工股份有限公司製造，TMAH(25%)] (成分B) B1：苯乙酮[富士膜和光純藥股份有限公司製造，特級] B2：苯丙酮[東京化成工業股份有限公司製造] B3：大茴香醛[富士膜和光純藥股份有限公司製造，特級] B4：鄰甲氧基苯甲醛[SIGMA-ALDRICH公司製造] B5：對甲基苯乙酮[富士膜和光純藥股份有限公司製造，一級] B6：四氫呋喃[富士膜和光純藥股份有限公司，特級] B7：二甲氧基四氫呋喃[東京化成工業股份有限公司製造] B8：甲氧基環戊烷[東京化成工業股份有限公司製造] B9：二苯醚[富士膜和光純藥股份有限公司製造，特級] B10：苯甲醚[富士膜和光純藥股份有限公司製造，特級] B11：苯***[富士膜和光純藥股份有限公司製造，一級] B12：二乙二醇二***[富士膜和光純藥股份有限公司製造，一級] B13：二丙二醇二甲醚[FUJIFILM Wako Chemical Corporation製造] B14：環己酮[富士膜和光純藥股份有限公司製造，一級] B15：2-辛酮[富士膜和光純藥股份有限公司製造，一級] B16：苯甲醛[富士膜和光純藥股份有限公司製造，特級] (非成分B) B17：二乙二醇丁醚[富士膜和光純藥股份有限公司製造，特級] B18：二乙二醇二甲醚[富士膜和光純藥股份有限公司製造，特級] B19：乙酸丁酯[富士膜和光純藥股份有限公司製造，一級] B20：二乙二醇苯醚[東京化成工業股份有限公司製造] B21：乙二醇[富士膜和光純藥股份有限公司製造，一級] (成分C) 水：用Organo Corporation製造之純水裝置G-10DSTSET製造之1 μS/cm以下之純水
3.洗淨劑組合物之評價 對所製備之實施例1～22及比較例1～9之洗淨劑組合物之樹脂遮罩去除性進行評價。
[樹脂遮罩1之試樣之製作] 將直接成像(直接刻寫)用感光性膜(日立化成股份有限公司製造，Photek RD-1225，厚度為25 μm，負型乾膜光阻)於下述條件下層壓至玻璃環氧多層基板(日立化成股份有限公司製造，MCL-E-679FG)之表面，選擇性地進行曝光處理並使曝光部硬化後(曝光步驟)，進行顯影處理，藉此去除未曝光部(顯影步驟)，獲得具有抗蝕圖案(圖案形狀之負型樹脂遮罩)之基板。然後，對經上述顯影處理去除未曝光部之區域進行鍍銅處理，藉此獲得試樣(4 cm×4.5 cm)。 (1)層壓：使用清潔輥(RAYON INDUSTRIAL CO., LTD製造，RY-505Z)及真空敷料器(羅門哈斯公司製造，VA7024/HP5)以輥溫50℃、輥壓1.4 Bar、處理時間30秒進行。 (2)曝光：使用印刷基板用直接刻寫裝置(SCREEN Graphic and Precision Solutions Co., Ltd製造，Mercurex LI-9500)，以曝光量15 mJ/cm2 進行曝光。 (3)圖案形狀：L/S＝20 μm/20 μm之條紋狀圖案 (4)顯影：使用基板用顯影裝置(揚博科技股份有限公司製造，LT-980366)、30℃之1%碳酸鈉水溶液，以噴霧壓力0.2 MPa、47秒去除未曝光部之樹脂遮罩。
[樹脂遮罩2之試樣之製作] 將感光性膜(日立化成股份有限公司製造，HP-1060，厚度為60 μm，負型乾膜光阻)於下述條件下層壓至玻璃環氧多層基板之表面，選擇性地進行曝光處理並使曝光部硬化後(曝光步驟)，進行顯影處理，藉此去除未曝光部(顯影步驟)，獲得具有抗蝕圖案(圖案形狀之負型樹脂遮罩)之基板。然後，對經上述顯影處理去除未曝光部之區域進行鍍銅處理，藉此獲得試樣(4 cm×4 cm)。 (1)層壓：使用清潔輥(RAYON INDUSTRIAL CO., LTD製造，RY-505Z)及真空敷料器(羅門哈斯公司製造，VA7024/HP5)進行。 (2)曝光：使用印刷基板用直接描畫裝置(SCREEN Graphic and Precision Solutions Co., Ltd製造，Mercurex LI-9500)進行曝光。 (3)圖案形狀：L/S＝20 μm/20 μm之條紋狀圖案 (4)顯影：使用基板用顯影裝置(揚博科技股份有限公司製造，LT-980366)、1%碳酸鈉水溶液，去除未曝光部之樹脂遮罩。
[洗淨試驗] 向高型之200 mL玻璃燒杯中添加各洗淨劑組合物100 g並加溫至60℃，於使用轉子[氟樹脂(PTFE)，ϕ8 mm×25 mm]以轉速600 rpm進行攪拌之狀態下，將試樣浸漬4分鐘。然後，浸漬於向100 mL玻璃燒杯中添加100 g水而得之漂洗槽而進行漂洗後，進行自然乾燥。
[樹脂遮罩去除性評價(剝離率(%))] 使用光學顯微鏡「數位顯微鏡VHX-2000」(基恩士股份有限公司製造)，將進行洗淨試驗後之試樣之各部位所殘存之樹脂遮罩之有無放大至300倍進行目視確認，算出剝離率(將進行洗淨試驗前存在樹脂遮罩之總面積設為100時樹脂遮罩經去除之部分之面積之比率(%))。將結果示於表2。
[對基板之影響] 向250 mL之聚丙烯製廣口瓶中添加各洗淨劑組合物100 g，將玻璃環氧多層基板(2 cm×5 cm)進行浸漬，於60℃下保管7天後，用水漂洗，對乾燥後之基板表面之狀態進行目視觀察，將以下述評價基準評價之結果示於表2。 A：與試驗前無變化 B：基板表面變質
[表2]
如上述表2所示，可知實施例1～22之洗淨劑組合物與不含成分A或成分B之比較例1～7、9、成分C之含量不在規定範圍內之比較例8相比，樹脂遮罩去除性優異。又，成分C之含量在69.9～99.4質量%之範圍內之實施例1～22之洗淨劑組合物與成分C之含量未達69.9質量%之比較例8相比，對含有有機樹脂之基板之影響降低。進而，認為實施例1～22之洗淨劑組合物其有機物含量為40質量%以下，排水處理負荷較小。 [產業上之可利用性]
根據本發明，可提供一種樹脂遮罩去除性優異之樹脂遮罩剝離用洗淨劑組合物。由此，本發明之洗淨劑組合物作為電子零件之製造步驟所使用之洗淨劑組合物有用，可實現樹脂遮罩所附著之電子零件之洗淨步驟之縮短及所製造之電子零件之性能、可靠性之提高，可提高半導體裝置之生產性。

Claims (9)

  1. 一種樹脂遮罩剝離用洗淨劑組合物，其含有鹼劑(成分A)、有機溶劑(成分B)及水(成分C)，且成分A為無機鹼，成分B為選自苯乙酮、苯丙酮、大茴香醛、鄰甲氧基苯甲醛、對甲基苯乙酮、四氫呋喃、二甲氧基四氫呋喃、甲氧基環戊烷、苯甲醚、苯***、環己酮及苯甲醛之至少1種，成分B之漢森溶解度參數之座標在以δd=18.3、δp=6.8、δh=3.7為中心之半徑5.45MPa0.5之球之範圍內，使用時成分C之含量為69.9質量%以上99.4質量%以下。
  2. 如請求項1之洗淨劑組合物，其中使用時成分A之含量為0.1質量%以上15質量%以下，且使用時成分B之含量為0.5質量%以上30質量%以下。
  3. 如請求項1之洗淨劑組合物，其實質上不含含氮化合物及含磷化合物。
  4. 如請求項1至3中任一項之洗淨劑組合物，其中樹脂遮罩為經曝光及顯影之至少一種處理之負型乾膜光阻。
  5. 一種洗淨方法，其包括：用如請求項1至4中任一項之洗淨劑組合 物，自樹脂遮罩所附著之洗淨對象物剝離樹脂遮罩之步驟。
  6. 如請求項5之洗淨方法，其中洗淨對象物為電子零件之製造中間物。
  7. 一種電子零件之製造方法，其包括：用如請求項1至4中任一項之洗淨劑組合物，自樹脂遮罩所附著之洗淨對象物剝離樹脂遮罩之步驟。
  8. 一種如請求項1至4中任一項之洗淨劑組合物作為電子零件之製造中之洗淨劑之用途。
  9. 一種套組，其係用於如請求項5或6之洗淨方法及如請求項7之電子零件之製造方法之任一者的套組，且於不相互混合之狀態下包含含有成分A之溶液(第1液)及含有成分B之溶液(第2液)，第1液及第2液之至少一者進而含有成分C之一部分或全部，第1液與第2液於使用時被混合。
TW108125973A 2018-07-27 2019-07-23 樹脂遮罩剝離用洗淨劑組合物 TWI810335B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
WOPCT/JP2018/028330 2018-07-27
PCT/JP2018/028330 WO2020021721A1 (ja) 2018-07-27 2018-07-27 樹脂マスク剥離用洗浄剤組成物

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202016662A TW202016662A (zh) 2020-05-01
TWI810335B true TWI810335B (zh) 2023-08-01

Family

ID=69182301

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW108125973A TWI810335B (zh) 2018-07-27 2019-07-23 樹脂遮罩剝離用洗淨劑組合物

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP7132214B2 (zh)
KR (1) KR20210021576A (zh)
CN (1) CN111566567A (zh)
TW (1) TWI810335B (zh)
WO (1) WO2020021721A1 (zh)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007254555A (ja) * 2006-03-22 2007-10-04 Sanyo Chem Ind Ltd 洗浄剤組成物
WO2018047631A1 (ja) * 2016-09-09 2018-03-15 花王株式会社 樹脂マスク剥離用洗浄剤組成物

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5185235A (en) 1987-09-09 1993-02-09 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Remover solution for photoresist
JP4044215B2 (ja) * 1998-02-25 2008-02-06 花王株式会社 剥離剤組成物
JP2000019745A (ja) * 1998-07-06 2000-01-21 Kao Corp 剥離剤組成物
US9329486B2 (en) 2005-10-28 2016-05-03 Dynaloy, Llc Dynamic multi-purpose composition for the removal of photoresists and method for its use
KR101328097B1 (ko) * 2006-01-11 2013-11-13 주식회사 동진쎄미켐 티에프티 엘시디용 칼라 레지스트 박리액 조성물
CN101041794B (zh) * 2006-03-24 2012-02-22 达兴材料股份有限公司 清洗液组成物和其用途
WO2008039730A1 (en) 2006-09-25 2008-04-03 Advanced Technology Materials, Inc. Compositions and methods for the removal of photoresist for a wafer rework application
CN101201556A (zh) 2006-12-15 2008-06-18 安集微电子（上海）有限公司 低蚀刻性光刻胶清洗剂
KR101333779B1 (ko) * 2007-08-20 2013-11-29 주식회사 동진쎄미켐 티에프티 엘시디용 칼라 레지스트 박리액 조성물

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007254555A (ja) * 2006-03-22 2007-10-04 Sanyo Chem Ind Ltd 洗浄剤組成物
WO2018047631A1 (ja) * 2016-09-09 2018-03-15 花王株式会社 樹脂マスク剥離用洗浄剤組成物

Also Published As

Publication number Publication date
TW202016662A (zh) 2020-05-01
JPWO2020021721A1 (ja) 2021-06-24
CN111566567A (zh) 2020-08-21
JP7132214B2 (ja) 2022-09-06
KR20210021576A (ko) 2021-02-26
WO2020021721A1 (ja) 2020-01-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109791377B (zh) 树脂掩膜剥离用洗涤剂组合物
TWI796397B (zh) 樹脂遮罩剝離用洗淨劑組合物
JP7291704B2 (ja) 洗浄方法
KR101459725B1 (ko) 포스트-에칭 포토레지스트 에칭 중합체 및 잔류물을 제거하기 위한 스트리퍼 조성물
TWI810335B (zh) 樹脂遮罩剝離用洗淨劑組合物
TW201934738A (zh) 樹脂遮罩剝離洗淨方法
JP2019120926A (ja) ドライフィルムレジスト除去用剥離組成物及びこれを用いたドライフィルムレジストの剥離方法
TW202215172A (zh) 基板之洗淨方法
JP7420664B2 (ja) 樹脂マスク剥離用洗浄剤組成物
WO2022114110A1 (ja) 樹脂マスク剥離用洗浄剤組成物
JP7490834B2 (ja) 樹脂マスクの剥離方法
JP2019117331A (ja) 樹脂マスク剥離用洗浄剤組成物
JP2023172703A (ja) 洗浄方法
JP2022043812A (ja) 樹脂マスク剥離用洗浄剤組成物
JP2023097928A (ja) 樹脂マスクの剥離方法
JP2024049897A (ja) 洗浄方法