JP2000019745A

JP2000019745A - 剥離剤組成物

Info

Publication number: JP2000019745A
Application number: JP19055698A
Authority: JP
Inventors: Eiji Nagoshi; 英二名越; Eiji Kashihara; 栄二樫原; Masami Shirota; 真美代田
Original assignee: Kao Corp
Current assignee: Kao Corp
Priority date: 1998-07-06
Filing date: 1998-07-06
Publication date: 2000-01-21

Abstract

(57)【要約】【課題】高エネルギー処理を受けて変質したレジストで
も容易にかつ短時間で剥離することができるレジスト用
剥離剤組成物を提供すること。【解決手段】（Ａ）アミン化合物、４級アンモニウム塩
及び酸からなる群より選ばれた１種以上の化合物と、
（Ｂ）一般式（Ｉ）：【化１】（式中、Ｒ¹は水素原子、炭素数１〜５のアルキル基又
は炭素数２〜５のアルケニル基、ＡＯはエチレンオキサ
イド及び／又はプロピレンオキサイド、Ｘは水素原子、
炭素数１〜８の炭化水素基又はアシル基、ｎは０〜５の
整数、ｍは１〜１０の整数を示す）で表わされる化合物
を含有するレジスト用剥離剤組成物。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、レジスト用剥離剤
組成物に関するものであり、さらに詳しくは半導体素子
やＬＣＤの技術分野におけるリソグラフィー技術におい
て用いられるレジストを除去するための剥離液組成物に
関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体素子やＬＣＤ等の製造において、
ＰＶＤ（物理的気相成長）やＣＶＤ（化学的気相成長）
等により導電性膜や絶縁性膜を形成後、リソグラフィー
により薄膜上に所定のレジストパターンを形成し、これ
をエッチングレジストとして下層部の薄膜を選択的にエ
ッチングして除去し、その後レジストを完全に除去する
工程が行われる。この一連の工程が繰り返されて製品が
製造される。

【０００３】基板をエッチングした後のレジストの剥離
工程において強酸を使用するとアルミニウムや銅等の配
線を有する基板では腐食が発生したり、作業に危険が伴
う。一方フェノールや塩素系溶剤では毒性や廃液処理に
問題があった。これらの問題を解決するため、例えば、
水溶性アミン及び水溶性プロピレングリコール誘導体か
らなる剥離剤（特公平７−８２２３８号公報）、アミン
類、極性溶媒及び界面活性剤からなる剥離剤（特開昭６
３−２３１３４３号公報）、アミノアルコール類、極性
溶媒及び水からなる剥離剤（特公平７−６９６１８号公
報）、モノエタノールアミン，グリコールモノアルキル
エーテル、ブチンジオール及び水からなる剥離剤（特許
第２６３１８４９号公報）等が提案されている。

【０００４】しかしながら、これらの剥離剤は、プリベ
ーク又はポストベーク後の遠紫外線の照射、エッチング
工程でのプラズマ処理、剥離工程でのドライアッシング
等の高エネルギー処理により変質したレジストに対して
十分な剥離性を有しておらず、より一層、剥離性に優れ
た剥離剤の開発が要求されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、作業性や安
全性に優れるのみならず、高エネルギー処理を受けて変
質したレジストでも容易にかつ短時間で剥離することが
できるレジスト用剥離剤組成物を提供することを目的と
する。

【０００６】

【課題を解決するための手段】即ち、本発明の要旨は、
（１）（Ａ）アミン化合物、４級アンモニウム塩及び酸
からなる群より選ばれた１種以上の化合物（以下、Ａ成
分という）と、（Ｂ）一般式（Ｉ）：

【０００７】

【化２】

【０００８】（式中、Ｒ¹は水素原子、炭素数１〜５の
アルキル基又は炭素数２〜５のアルケニル基、ＡＯはエ
チレンオキサイド及び／又はプロピレンオキサイド、Ｘ
は水素原子、炭素数１〜８の炭化水素基又はアシル基、
ｎは０〜５の整数、ｍは１〜１０の整数を示す）で表わ
される化合物（以下、Ｂ成分という）を含有するレジス
ト用剥離剤組成物、並びに（２）前記剥離剤組成物を使
用して基板上のレジスト膜を除去するレジスト剥離方
法、に関する。

【０００９】

【発明の実施の形態】本発明の剥離剤組成物は、Ａ成分
としてアミン化合物、４級アンモニウム塩及び酸からな
る群より選ばれた１種以上を含有する。本発明の剥離剤
組成物において、これらの化合物を含有することが、エ
ッチング後のレジストに対して高い剥離性が得られる観
点から好ましい。また、アミン化合物、４級アンモニウ
ム塩及び酸は、それぞれ単独で又２種以上を混合して用
いることができる。

【００１０】アミン化合物は、分子中に窒素原子を１〜
４個有するものが好ましい。その例としては、炭素数１
〜２０のモノアルキルアミン、ジアルキルアミン及びト
リアルキルアミン、さらにはベンジルアミン、ジベンジ
ルアミン、トリベンジルアミン、１−アミノナフタレ
ン、アルキルベンジルアミン等の窒素原子を１個有する
アミン；エチレンジアミン、トリエチレンジアミン、
１，３―ジアミノプロパン、１，６−ジアミノヘキサ
ン、１，３−ジアミノキシレン、１，３―ビスアミノシ
クロヘキサン、テトラメチルヘキサメチレンジアミン等
の窒素原子を２個有するアミン；ジエチレントリアミン
等の窒素原子を３個有するアミン；トリエチレンテトラ
ミン等の窒素原子を４個有するアミン；それら分子中に
窒素原子を１〜４個有するアミン化合物に炭素数２〜４
のアルキレンオキサイドを付加した化合物；モノエタノ
ールアミン、モノプロパノールアミン、モノイソプロパ
ノールアミン、ジエタノールアミン、メチルモノエタノ
ールアミン、ブチルモノエタノールアミン、トリエタノ
ールアミン、ジメチルモノエタノールアミン、メチルジ
エタノールアミン等のアルカノールアミン等が挙げられ
る。これらの中では、優れたレジスト剥離性を得る観点
から、分子中に窒素原子１〜２個を有するアミン化合物
及びそれらに炭素数２〜３のアルキレンオキサイドを付
加した化合物がより好ましく、具体的には、ベンジルア
ミン、１，３−ジアミノプロパン、ジエチレントリアミ
ン、モノエタノールアミン、モノプロパノールアミン、
モノイソプロパノールアミン、メチルモノエタノールア
ミン、１、３−ジアミノキシレン、エチレンジアミン及
びこれらの化合物にアルキレンオキサイドを１〜４モル
付加した化合物が挙げられる。

【００１１】４級アンモニウム塩としては、一般式（I
I）：

【００１２】

【化３】

【００１３】（Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴及びＲ⁵はそれぞれ独
立して炭素数１〜１０の炭化水素基又はヒドロキシアル
キル基、Ｚはｐ価の酸基又は水酸基、ｐは１〜３の整数
を示す）で表わされる化合物が挙げられる。なお、本明
細書において、酸基とは酸の分子中から金属原子又は陽
性基と置換しうる水素原子を１個又はそれ以上除いた陰
性原子団をいう。

【００１４】一般式（II）において、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴
及びＲ⁵は、剥離性が優れることから炭素数１〜３の炭
化水素基及びヒドロキシアルキル基が好ましい。また、
Ｚとしては、例えば、ＯＨ、塩素原子、臭素原子、ヨウ
素原子、ＣＯ₃、ＨＣＯ₃、ＮＯ₃、ＳＯ₄、ＨＳ
Ｏ₄、ＰＯ₄、ＨＰＯ₄、Ｈ₂ＰＯ₄等が挙げられる。
これらの中では、絶縁膜や金属膜に対する影響が少ない
点からＯＨが好ましい。一般式（II）で表わされる化合
物としては、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、
テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、モノメタノー
ルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、コリンヒドロ
キシド等が挙げられ、これらの中では、テトラメチルア
ンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒ
ドロキシド及びモノメタノールトリメチルアンモニウム
ヒドロキシドがより好ましい。

【００１５】４級アンモニウム塩の分子中の炭素数の合
計は４〜１５であることが好ましい。これらの化合物
は、単独で又は２種類以上混合して用いることができ
る。

【００１６】酸としては、シアン酸等の無機酸やカルボ
ン酸、過酸、炭酸エステル、チオカルボン酸、メルカプ
タン酸、スルホン酸、スルフィン酸、スルフェン酸、硫
酸エステル、ホスホン酸、ホスファチジン酸、リン酸エ
ステル、ホスフィン、硼酸エステルの錯化合物等の有機
酸が挙げられる。

【００１７】なお、Ａ成分として、アミン化合物と酸と
を併用すると、それらから形成される塩の形態で存在す
る場合があるが、本発明においては、この塩の形態で存
在していてもよい。

【００１８】Ａ成分の剥離剤組成物中における含有量
は、良好な剥離性能を発揮させるために、０．１重量％
以上、好ましくは０．５重量％以上、より好ましくは２
重量％以上、さらに好ましくは５重量％以上であること
が望ましく、金属部材に対する腐食を抑制する観点か
ら、９５重量％以下、好ましくは８０重量％以下、より
好ましくは５０量％以下であることが望ましい。

【００１９】特に、アミン化合物を単独で用いる場合、
その含有量は、２重量％以上、好ましくは５重量％以上
であることがより望ましく、９５重量％以下、好ましく
は８０重量％以下であることがより望ましい。４級アン
モニウム塩を単独で用いる場合、その含有量は、２重量
％以上、好ましくは５重量％以上であることがより望ま
しく、９５重量％以下、好ましくは８０重量％以下であ
ることがより望ましい。酸を単独で用いる場合、その含
有量は、０．１重量％以上、好ましくは０．５重量％以
上であることがより望ましく、９５重量％以下、好まし
くは５０重量％以下であることがより望ましい。

【００２０】本発明の剥離剤組成物は、Ｂ成分として一
般式（Ｉ）：

【００２１】

【化４】

【００２２】（式中、Ｒ¹は水素原子、炭素数１〜５の
アルキル基又は炭素数２〜５のアルケニル基、ＡＯはエ
チレンオキサイド及び／又はプロピレンオキサイド、Ｘ
は水素原子、炭素数１〜８の炭化水素基又はアシル基、
ｎは０〜５の整数、ｍは１〜１０の整数を示す）で表わ
される化合物を含有する。一般式（Ｉ）において、Ｒ¹
としては、剥離性が優れる点から、炭素数１〜３のアル
キル基、炭素数２〜３のアルケニル基及び水素原子が好
ましく、特に水素原子が好ましい。Ｘとしては、剥離性
が優れる点から、水素原子、炭素数１〜２のアルキル基
及び炭素数１〜２のアシル基がより好ましい。ｎとして
は、剥離性が優れる点から、０〜２が好ましく、特に０
〜１が好ましい。ｍとしては、剥離性が優れる点から、
１〜８が好ましく、特に１〜４が好ましい。（ＡＯ）の
部分はエチレンオキサイドとプロピレンオキサイドをラ
ンダムで含んでも良く、ブロックで含んでいても良い。

【００２３】一般式（Ｉ）で表わされる化合物として
は、フェノール、メチルフェノール、イソプロピルフェ
ノール、イソブチルフェノール、エチルフェノール、ビ
ニルフェノール、ベンジルアルコール、メチルベンジル
アルコール、エチルベンジルアルコール、イソプロピル
ベンジルアルコール、フェニルエチルアルコール、フェ
ニルブチルアルコール等のフェノール類やアルコール類
にエチレンオキサイド及び／又はプロピレンオキサイド
が付加した化合物等が挙げられる。剥離性の点から、さ
らに好ましい具体例としては、エチレングリコールモノ
フェニルエーテル、ジエチレングリコールモノフェニル
エーテル、トリエチレングリコールモノフェニルエーテ
ル、テトラエチレングリコールモノフェニルエーテル、
ペンタエチレングリコールモノフェニルエーテル、ヘキ
サエチレングリコールモノフェニルエーテル、ヘプタエ
チレングリコールモノフェニルエーテル、オクタエチレ
ングリコールモノフェニルエーテル、エチレングリコー
ルモノベンジルエーテル、ジエチレングリコールモノベ
ンジルエーテル、トリエチレングリコールモノベンジル
エーテル、テトラエチレングリコールモノベンジルエー
テル、ペンタエチレングリコールモノベンジルエーテ
ル、ヘキサエチレングリコールモノベンジルエーテル、
ヘプタエチレングリコールモノベンジルエーテル及びオ
クタエチレングリコールモノベンジルエーテルと、それ
らに対応するプロピレングリコールモノフェニルエーテ
ルやプロピレングリコールモノベンジルエーテル；トリ
エチレングリコールジフェニルエーテル、トリエチレン
グリコールジベンジルエーテル、トリエチレングリコー
ルベンジルフェニルエーテル、トリエチレングリコール
フェニルメチルエーテル、トリエチレングリコールベン
ジルメチルエーテル等；フェノールやベンジルアルコー
ルにエチレンオキサイドとプロピレンオキサイドをラン
ダム付加やブロック付加したエーテル化合物やそれらの
誘導体；等が例示される。

【００２４】Ｂ成分の剥離剤組成物中での含有量は、良
好な剥離性能を発揮させる観点から、５重量％以上、好
ましくは２０重量％以上が望ましく、Ａ成分の機能を発
揮させる観点から、９９．９重量％以下、好ましくは９
５重量％以下、より好ましくは８０重量％以下であるこ
とが望ましい。

【００２５】また、本発明の剥離剤組成物は、沸点が５
０〜４００℃の親水性有機溶剤をさらに含有してもよ
い。本発明の剥離剤組成物においては、沸点が５０〜４
００℃の親水性有機溶剤をＡ成分及びＢ成分と併用する
ことが、さらに良好な剥離性が得られる観点から好まし
い。沸点が５０〜４００℃の親水性有機溶剤としては、
分子量が３２〜３００の１〜６価アルコール、１〜６価
アルコール又はカルボン酸にアルキレンオキサイドを付
加した化合物及びその誘導体で分子量が６０〜３００の
ポリアルキレンオキサイド化合物並びに窒素原子又は硫
黄原子を有する極性溶媒が好ましい。

【００２６】アルコールとしては、適度の粘度を有する
点から、１〜６価のアルコールが好ましい。また、その
分子量としては、適度の粘度を有し剥離性が優れる点か
ら、３２〜３００であることが好ましい。その具体例と
しては、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタ
ノール、ヘキサノール、オクタノール、ヘキサンジオー
ル、オクタンジオール、エチレングリコール、プロピレ
ングリコール、グリセリン、ペンタエリスリトール、ソ
ルビット、ソルビタン、ベンジルアルコール等が挙げら
れる。これらの中では、剥離性が優れることから、エタ
ノール、プロパノール、ブタノール、ヘキサノール、エ
チレングリコール、プロピレングリコール及びベンジル
アルコールが好ましい。

【００２７】ポリアルキレンオキサイド化合物は、適度
の粘度を有し、剥離性に優れる点から、その分子量は６
０〜３００であることが好ましい。その具体例として
は、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノー
ル、ヘキサノール、オクタノール、ヘキサンジオール、
オクタンジオール、エチレングリコール、プロピレング
リコール、グリセリン、ペンタエリスリトール、ソルビ
ット、ソルビタン等の１〜６価のアルコールや該アルコ
ールに対応するカルボン酸（該アルコールのＯＨ基がＣ
ＯＯＨ基であるもの）に炭素数２〜４のアルキレンオキ
サイドを付加した化合物、並びにそれらの化合物の末端
の水酸基又はカルボキシル基の一部もしくは全部を炭素
数１〜１０の脂肪族炭化水素基でエーテル化又はエステ
ル化した化合物が挙げられる。これらの中では、粘度が
低く、剥離性能が優れることから、炭素数１〜６の１価
アルコールにエチレンオキサイド及び／又はプロピレン
オキサイドを１〜８モル付加した化合物もしくはそれら
に炭素数１〜４のアルキル基でエーテル化した化合物が
好ましい。その具体例としては、エチレングリコールモ
ノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエ
ーテル、ジエチレングリコールモノプロピルエーテル、
ジエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレン
グリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコール
ジエチルエーテル、ジエチレングリコールエチルプロピ
ルエーテル、ジエチレングリコールブチルエチルエーテ
ル、ジエチレングリコールブチルメチルエーテル、ジエ
チレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコ
ールジプロピルエーテル、ジエチレングリコールジブチ
ルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテ
ル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、エチ
レングリコールモノブチルエステル、ジエチレングリコ
ールモノエチルエステル、ジエチレングリコールモノプ
ロピルエステル、ジエチレングリコールモノブチルエス
テル、プロピレングリコールモノエチルエステル、ジエ
チレングリコールジエチルエステル、ジエチレングリコ
ールエチルプロピルエステル、ジエチレングリコールブ
チルエチルエステル、ジエチレングリコールブチルメチ
ルエステル、ジエチレングリコールジエチルエステル、
ジエチレングリコールジプロピルエステル、ジエチレン
グリコールジブチルエステル、トリエチレングリコール
ジメチルエステル、トリエチレングリコールモノメチル
エステル等が挙げられる。

【００２８】極性溶媒としては、窒素原子や硫黄原子を
含むものが好ましい。その具体例としては、Ｎ，Ｎ−ジ
メチルアセトアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ
−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリド
ン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、ジメチ
ルスルホキサイド、スルホラン、ジエチルスルホラン、
ジメチルスルホンが挙げられる。これらの中では、極性
が高く剥離性が優れる点からＮ−メチルホルムアミド、
Ｎ−メチル−２−ピロリドン及びジメチルスルホキサイ
ドがより好ましい。

【００２９】かかる親水性有機溶剤の沸点は、５０〜４
００℃、好ましくは８０〜３００℃であることが望まし
い。

【００３０】また、親水性有機溶剤の剥離剤組成物中に
おける含有量は、１重量％以上、好ましくは５重量％以
上であることが望ましく、９０重量％以下、好ましくは
７０重量％以下であることが望ましい。

【００３１】本発明の剥離剤組成物には、アルミニウム
や銅等の金属部材に対する腐食を低減するために、防錆
剤等を添加してもよい。

【００３２】本発明の剥離剤組成物は、半導体素子やＬ
ＣＤ等の金属部材上に付着したレジストを容易に剥離す
ることができるため、半導体素子やＬＣＤ等を製造する
際のレジストの剥離剤として好適に用いることができ
る。

【００３３】本発明の剥離剤組成物を用いて基板上のレ
ジストを除去するレジストの剥離方法としては、例え
ば、基板を複数枚まとめて処理する複数処理する剥離方
法及び１枚づつ処理する枚葉処理する剥離方法が挙げら
れる。

【００３４】複数処理に適した処理方法としては、剥離
液中に剥離すべきレジストを有する基板を一定時間浸漬
する浸漬剥離法が好ましく、剥離時間の短縮の観点か
ら、レジストの剥離剤をスプレーで供給するスプレー方
式の剥離方法がより好ましい。また、剥離時間の大幅な
短縮の観点から、浸漬剥離中に超音波を加える超音波剥
離方法がさらに好ましい。

【００３５】枚葉処理に適した剥離方法としては、スプ
レー方式、高速回転可能なスピンナー上に基板を固定し
て上から剥離液組成物をかけて均一に分散させて剥離す
るスピン枚葉式の剥離方法等が好ましい。

【００３６】

【実施例】実施例１〜２２及び比較例１〜４８インチシリコンウエハー上にポジ型フォトレジストを
スピンナーを用いて塗布した。ついでホットプレートを
用いて、このウエハーを１１０℃で９０秒間プリベーク
して１．５μｍの膜厚を有するフォトレジスト膜を得
た。

【００３７】このフォトレジスト膜を、縮小投影露光装
置にフォトマスクを介して露光した。この後、現像液
（２．３８％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水
溶液）を用いて一定時間パドル現像を行った。現像後の
フォトレジスト膜を純水で３０秒間すすいだ後、窒素気
流下で乾燥した。次に１４０℃、２０分間ポストベーキ
ング処理を施し、このレジストパターンをマスクとして
下地層をドライエッチングを行ないレジストを変質硬化
させた。そして剥離工程の第１段階としてドライアッシ
ングを行った。得られたシリコンウエハーをダイヤモン
ドカッターで２ｃｍ×２ｃｍに切断し、ピースを得た。

【００３８】表１〜３に示した組成を有する剥離剤組成
物を２０〜６０℃に加温しておき、その中に得られたピ
ースを３〜２０分間浸漬し、取り出し、イソプロピルア
ルコールで１回、次いで純水で１回すすいだ。その後、
ピースを乾燥させ、走査型電子顕微鏡で５０００〜２万
倍に拡大して観察し、レジストの剥離性能について検討
した。その結果を表１〜３に示す。なお，表中の剥離率
は，シリコンウエハー上に形成させた２μｍ×２μｍの
レジストパターンを無作為に１００個所観察し，その中
でレジストが完全に除去されている個所の割合である。
また、表中のＰＯＥはポリオキシエチレン、ＰＯＰはポ
リオキシプロピレン、（ＰＯＥ）及び（ＰＯＰ）の添字
は付加モル数を示す。

【００３９】また、実施例１２〜２２及び比較例１〜４
で用いた各親水性有機溶剤の沸点は、以下の通りであ
る：ブタノール１１８℃、エチレングリコール１９７
℃、ジエチレングリコールジブチルエーテル２５５℃、
ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル２１２
℃、プロピレングリコールモノエチルエーテル１６０
℃、ジエチレングリコールジエチルエーテル１８９℃、
ジエチレングリコールブチルエステル２３０℃、Ｎ−メ
チル−２−ピロリドン２０４℃、ジメチルスルホキシド
１８９℃、Ｎ−メチルホルムアミド１９８℃。

【００４０】

【表１】

【００４１】

【表２】

【００４２】

【表３】

【００４３】表１〜２に示された結果から、実施例１〜
２２で得られた剥離剤組成物は、いずれも人体に対して
安全な物質からなるので、作業性よく、安全にレジスト
を除去できることがわかる。

【００４４】表１〜３に示された結果から、実施例１〜
２２で得られた剥離剤組成物は、比較例１〜４で得られ
た剥離剤組成物と比べ、いずれも変質をしたレジストに
対する剥離性に優れていることがわかる。

【００４５】また、表１〜３に示された結果から、実施
例１〜２２で得られた剥離剤組成物は、比較例１〜４で
得られた剥離剤組成物と比べ、ピースを３〜２０分間と
いう短時間、浸漬させただけでも十分な剥離性を示すた
め、実施例１〜２２で得られた剥離剤組成物は、いずれ
も変質したレジストを容易にかつ短時間で剥離すること
ができることがわかる。

【００４６】

【発明の効果】本発明は、レジスト用剥離剤組成物を用
いることで、半導体素子やＬＣＤ等の技術分野において
リソグラフィー技術分野に用いれるレジストを、作業性
よく、安全性に除去でき、さらに、高エネルギー処理を
受けて変質したレジストでも容易にかつ短時間で剥離す
ることができるという効果が奏される。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者代田真美和歌山市湊1334番地花王株式会社研究所内Ｆターム(参考） 2H096 AA25 AA27 LA03 5F043 BB30 CC16 CC20 DD07 DD30 5F046 MA02 MA03

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】（Ａ）アミン化合物、４級アンモニウム
塩及び酸からなる群より選ばれた１種以上の化合物と、
（Ｂ）一般式（Ｉ）：【化１】（式中、Ｒ¹は水素原子、炭素数１〜５のアルキル基又
は炭素数２〜５のアルケニル基、ＡＯはエチレンオキサ
イド及び／又はプロピレンオキサイド、Ｘは水素原子、
炭素数１〜８の炭化水素基又はアシル基、ｎは０〜５の
整数、ｍは１〜１０の整数を示す）で表わされる化合物
を含有するレジスト用剥離剤組成物。
【請求項２】一般式（Ｉ）において、Ｒ¹が水素原
子、ｎが０又は１である請求項１記載の剥離剤組成物。
【請求項３】沸点が５０〜４００℃の親水性有機溶剤
をさらに含有する請求項１又は２記載の剥離剤組成物。
【請求項４】請求項１〜３いずれか記載の剥離剤組成
物を使用して基板上のレジスト膜を除去するレジスト剥
離方法。