CN111566567A - 树脂掩膜剥离用清洗剂组合物 - Google Patents

树脂掩膜剥离用清洗剂组合物 Download PDF

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Abstract

本发明在一个方案中提供一种树脂掩膜去除性优异的树脂掩膜剥离用清洗剂组合物。本发明在一个方案中涉及一种树脂掩膜剥离用清洗剂组合物，其含有碱剂(成分A)、有机溶剂(成分B)及水(成分C)，成分B的汉森溶解度参数的坐标在以δd＝18.3、δp＝6.8、δh＝3.7为中心的半径5.45MPa0.5的球的范围内，使用时的成分C的含量为69.9质量％以上且99.4质量％以下。

Description

树脂掩膜剥离用清洗剂组合物
技术领域
本发明涉及树脂掩膜剥离用清洗剂组合物、使用该清洗剂组合物的清洗方法及电子部件的制造方法。
背景技术
近年来，在个人电脑或各种电子装置中，低耗电化、处理速度的高速化、小型化有所发展，搭载与其上的封装基板等的配线逐年微细化。形成这种微细配线以及支柱或凸块的连接端子至今主要使用金属掩膜法，但由于通用性较低或难以应对配线等的微细化，而正在向其他新方法转变。
作为新方法之一，已知将干膜抗蚀剂代替金属掩膜而用作厚膜树脂掩膜的方法。该树脂掩膜最终会被剥离、去除，此时使用碱性的剥离用清洗剂。
作为这种剥离用清洗剂，例如，专利文献1中记载有一种低蚀刻性抗蚀剂清洗剂，其特征在于：含有季铵氢氧化物、规定的烷基二醇芳基醚或其衍生物、以及(C)苯乙酮或其衍生物。
专利文献2中记载有一种抗蚀剂用剥离液，其含有(A)脂肪族醇系溶剂35～80质量％、(B)选自卤素系烃溶剂、非羟基化醚溶剂中的有机溶剂10～40质量％、(C)季铵盐0.1～25质量％。
专利文献3中记载有一种溶液，其含有：包含二甲基亚砜、季铵氢氧化物、规定的烷醇胺及醇、多羟基化合物或其组合的第二溶剂，且水的含量为3质量％以下。
专利文献4中记载有一种准水系组合物，该准水系组合物用于微电子装置的再加工，且含有至少1种碱及/或碱土金属碱、至少1种有机溶剂及水。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开第2008/071078号
专利文献2：美国专利第5185235号说明书
专利文献3：美国专利申请公开第2014/0155310号说明书
专利文献4：国际公开第2008/039730号
发明内容
发明要解决的课题
对印刷基板等形成微细配线时，不仅为了减少树脂掩膜的残存，更为了减少用于形成微细配线或凸块的焊料或镀覆液等中所包含的助剂等的残存，对清洗剂组合物要求较高的清洗性。树脂掩膜使用因光或电子束等而使在显影液中的溶解性等物性发生变化的抗蚀剂而形成。
根据与光或电子束反应的方法，抗蚀剂大体分为负型与正型。负型抗蚀剂具有若被曝光则在显影液中的溶解性降低的特性，关于包含负型抗蚀剂的层(以下也称为“负型抗蚀层”)，在曝光及显影处理后，曝光部用作树脂掩膜。正型抗蚀剂具有若被曝光则对显影液的溶解性增大的特性，关于包含正型抗蚀剂的层(以下也称为“正型抗蚀层”)，在曝光及显影处理后，曝光部被去除，未曝光部用作树脂掩膜。通过使用具有这种特性的树脂掩膜，可形成金属配线、金属柱或焊料凸块的电路基板的微细连接部。
但是，由于形成这些连接部时所使用的镀覆处理或加热处理等树脂掩膜的特性发生变化，在下一工序的清洗工序中，存在树脂掩膜难以被去除的倾向。特别是，负型抗蚀剂具有通过与光或电子束的反应而固化的特性，因而使用负型抗蚀剂形成的树脂掩膜由于形成连接部时所使用的镀覆处理或加热处理等固化至超过必要的程度，无法通过清洗工序而完全去除，或者，去除所耗时间非常长，从而对基板或金属表面造成损伤。如此，经镀覆处理及/或加热处理的树脂掩膜难以去除，因此对清洗剂组合物要求较高的树脂掩膜去除性。
另一方面，为了电子装置的小型化、处理速度的高速化、降低消耗电力，配线的微细化发展。若配线宽度变窄则存在电阻变大、发热，导致电子装置的功能降低的担忧。为了不增大配线基板的面积而减小电阻，采取提高配线高度的对策。因此，用于形成配线的树脂掩膜变厚而与配线接触的面积增加，进而伴随着微细化的配线间距也变窄，从而树脂掩膜变得难以去除。特别是，为了描绘微细配线而使用高能量的低波长光，但由于树脂掩膜较厚，因而自树脂掩膜表面至基板的距离变长，利用曝光所进行的光聚合的反应率在表面与基板接触面产生差异，表面的反应过度进行，若不强化渗透性，则清洗剂组合物不会自树脂掩膜表面渗透，树脂掩膜变得难以去除。
因此，本发明提供一种树脂掩膜去除性优异的树脂掩膜剥离用清洗剂组合物、使用该清洗剂组合物的清洗方法及基板的制造方法。
用于解决课题的手段
本发明在一个方案中涉及一种树脂掩膜剥离用清洗剂组合物，其含有：碱剂(成分A)、有机溶剂(成分B)及水(成分C)，成分B的汉森溶解度参数的坐标在以δd＝18.3、δp＝6.8、δh＝3.7为中心的半径5.45MPa0.5的球的范围内，使用时的成分C的含量为69.9质量％以上且99.4质量％以下。
本发明在一个方案中涉及一种清洗方法，其包括：用本发明的清洗剂组合物，自附着有树脂掩膜的被清洗物剥离树脂掩膜的工序。
本发明在一个方案中涉及一种电子部件的制造方法，其包括：用本发明的清洗剂组合物，自附着有树脂掩膜的被清洗物剥离树脂掩膜的工序。
本发明在一个方案中涉及一种本发明的清洗剂组合物的作为电子部件的制造中的清洗剂的用途。
本发明在一个方案中涉及一种套件，其是用于本发明的清洗方法及本发明的电子部件的制造方法中任一者的套件，在互不混合的状态下包含含有成分A的溶液(第一液)及含有成分B的溶液(第二液)，第一液及第二液中的至少一者还含有成分C的一部分或全部，第一液及第二液在使用时被混合。
发明的效果
根据本发明，在一个方案中，可提供树脂掩膜去除性优异的树脂掩膜剥离用清洗剂组合物。
具体实施方式
本发明在一个方案中涉及一种树脂掩膜剥离用清洗剂组合物(以下也称为“本发明的清洗剂组合物”)，其含有碱剂(成分A)、有机溶剂(成分B)及水(成分C)，成分B的汉森溶解度参数的坐标在以δd＝18.3、δp＝6.8、δh＝3.7为中心的半径5.45MPa0.5的球的范围内，成分C的含量为69.9质量％以上且99.4质量％以下。
根据本发明，可提供一种树脂掩膜去除性优异的清洗剂组合物。由此，本发明的清洗剂组合物可高效率地去除树脂掩膜，特别是经镀覆处理及/或加热处理的树脂掩膜。并且，通过使用本发明的清洗剂组合物，能够以较高的产率获得高品质的电子部件。进而，通过使用本发明的清洗剂组合物，可高效率地制造具有微细的配线图案的电子部件。
本发明的清洗剂组合物的效果的详细作用机理尚有不明确的部分，但可进行如下推定。
一般而言，可认为树脂掩膜的剥离是由于清洗剂组合物的成分渗透至树脂掩膜而树脂掩膜溶胀所导致的界面应力。可认为本发明的清洗剂组合物中，通过使碱剂(成分A)、规定的有机溶剂(成分B)与水(成分C)渗透至树脂掩膜，从而促进树脂掩膜中所调配的碱可溶性树脂的解离，进而引起电荷排斥，由此促进树脂掩膜的剥离。可推定：此时，规定的有机溶剂(成分B)作用于基板表面与树脂掩膜的界面、配线与树脂掩膜的界面，由此基板-树脂间的密合力降低而进一步促进树脂掩膜的剥离，树脂掩膜去除性明显提高。另外，也推定：规定的有机溶剂(成分B)作用于树脂掩膜中的未反应单体，以该处为起点使碱剂(成分A)与水(成分C)渗透至树脂掩膜中，促进树脂掩膜的剥离，树脂掩膜去除性明显提高。从而，可认为能够高效率地且以较高的清洁度在基板上形成微细电路(配线图案)。
但是，本发明可不限定于以该机理进行解释。
近年来，对清洗剂组合物要求较高的树脂掩膜去除性，另一方面，期望对含有环氧树脂或酚树脂的有机树脂的基板(以下也称为“含有有机树脂的基板”)的影响较少。这是因为：清洗剂组合物溶解于基板表面，并使其变质，则降低作为电子部件所要求的基板的性能，无法获得高品质的基板。
与此相对，在本发明的清洗剂组合物中，规定的有机溶剂(成分B)与水的相容性最佳，即便在存在大量水的情形或成分B的添加量较少的情形时也有效地发挥作用，可促进碱剂(成分A)及水(成分C)向树脂掩膜的渗透。并且，通过降低本发明的清洗剂组合物中的有机物含量，可减少对含有有机树脂的基板的影响。
另外，在各种领域中，存在电子化发展而印刷基板等的生产量增加，清洗剂组合物的使用量也增加的倾向。并且，随着清洗剂组合物的使用量的增加，由清洗剂组合物或洗液等的废液的排水处理负荷或废液流入所导致的湖沼的富营养化也增大。因此，强烈要求一种排水处理负荷较小、不含导致湖沼的富营养化的氮及磷、可高效率地去除树脂掩膜的清洗剂组合物。
进而，为了高效率地重复使用清洗液，强烈要求一种有机物含量较少的清洗剂组合物，易于用网将所去除的树脂掩膜自清洗液中等排除、利用剥离所得的水系清洗剂组合物是有利的。但是，在上述专利文献所记载的方法中，难以兼具较高的树脂掩膜去除性与较低的排水处理负荷。
与此相对，在本发明的清洗剂组合物中，如上所述，规定的有机溶剂(成分B)与水的相容性最佳，即便在存在大量水的情形或成分B的添加量较少的情形时也有效地发挥作用，可促进碱剂(成分A)及水(成分C)向树脂掩膜的渗透。并且，通过降低本发明的清洗剂组合物中的有机物含量，可抑制排水处理负荷的增大。
在本发明中，所谓树脂掩膜是指：用于自蚀刻、镀覆、加热等处理中保护物质表面的掩膜，即作为保护膜而发挥功能的掩膜。作为树脂掩膜，在一个或多个实施方式中，可列举曝光及显影工序后的抗蚀层、经曝光及显影的至少一种处理(以下也称为“经曝光及/或显影处理”)的抗蚀层、或者经固化的抗蚀层。作为形成树脂掩膜的树脂材料，在一个或多个实施方式中，可列举膜状的感光性树脂或抗蚀膜。抗蚀膜可使用通用的抗蚀膜。
[成分A：碱剂]
本发明的清洗剂组合物在一个或多个实施方式中，包含碱剂(成分A)。成分A可使用1种或并用2种以上。
作为成分A，例如可列举选自无机碱及有机碱中的至少1种，就降低排水处理负荷的观点而言，优选为无机碱。
作为无机碱，可列举：氢氧化钠、氢氧化钾、氢氧化锂、氢氧化钙、碳酸钠、碳酸钾、硅酸钠及硅酸钾等。它们之中，就提高树脂掩膜去除性的观点而言，优选为选自氢氧化钠、氢氧化钾、碳酸钠及碳酸钾中的1种或2种以上的组合，更优选为氢氧化钠及氢氧化钾中的至少一者，进一步优选为氢氧化钾。
作为有机碱，可列举：下述式(I)所示的季铵氢氧化物、下述式(II)所示的胺等。
[化学式1]
Figure BDA0002562052220000061
在上述式(I)中，R1、R2、R3及R4分别独立地为选自甲基、乙基、丙基、羟甲基、羟乙基及羟丙基中的至少1种。
[化学式2]
Figure BDA0002562052220000062
在上述式(II)中，R5表示氢原子、甲基、乙基或氨基乙基，R6为选自氢原子、羟乙基、羟丙基、甲基或乙基中的至少1种，且R7为选自氨基乙基、羟乙基或羟丙基中的至少1种，或者，在式(II)中，R5为选自甲基、乙基、氨基乙基、羟乙基或羟丙基中的至少1种，且R6与R7相互键合并与式(II)中的N原子一同形成吡咯烷环或哌嗪环。
作为式(I)所示的季铵氢氧化物，例如可列举含有季铵阳离子与氢氧根的盐等。作为季铵氢氧化物的具体例，可列举：选自氢氧化四甲基铵(TMAH)、氢氧化四乙基铵、氢氧化四丙基铵、2-羟乙基三甲基氢氧化铵(胆碱)、2-羟乙基三乙基氢氧化铵、2-羟乙基三丙基氢氧化铵、2-羟丙基三甲基氢氧化铵、2-羟丙基三乙基氢氧化铵、2-羟丙基三丙基氢氧化铵、二甲基双(2-羟乙基)氢氧化铵、二乙基双(2-羟乙基)氢氧化铵、二丙基双(2-羟乙基)氢氧化铵、三(2-羟乙基)甲基氢氧化铵、三(2-羟乙基)乙基氢氧化铵、三(2-羟乙基)丙基氢氧化铵、四(2-羟乙基)氢氧化铵及四(2-羟丙基)氢氧化铵中的至少1种。它们之中，就提高树脂掩膜去除性的观点而言，优选为选自四甲基氢氧化铵(TMAH)、2-羟乙基三甲基氢氧化铵(胆碱)、二甲基双(2-羟乙基)氢氧化铵及二乙基双(2-羟乙基)氢氧化铵中的至少1种，更优选为选自四甲基氢氧化铵(TMAH)、2-羟乙基三甲基氢氧化铵(胆碱)及二甲基双(2-羟乙基)氢氧化铵中的至少1种，进一步优选为四甲基氢氧化铵(TMAH)。
作为式(II)所示的胺，例如可列举烷醇胺、伯～叔胺及杂环化合物等。作为胺的具体例，可列举：选自单乙醇胺、单异丙醇胺、N-甲基单乙醇胺、N-甲基异丙醇胺、N-乙基单乙醇胺、N-乙基异丙醇胺、二乙醇胺、二异丙醇胺、N-二甲基单乙醇胺、N-二甲基单异丙醇胺、N-甲基二乙醇胺、N-甲基二异丙醇胺、N-二乙基单乙醇胺、N-二乙基单异丙醇胺、N-乙基二乙醇胺、N-乙基二异丙醇胺、N-(β-氨基乙基)乙醇胺、N-(β-氨基乙基)异丙醇胺、N-(β-氨基乙基)二乙醇胺、N-(β-氨基乙基)二异丙醇胺、1-甲基哌嗪、1-(2-羟乙基)吡咯烷、1-(2-羟乙基)哌嗪、乙二胺及二亚乙基三胺中的至少1种。它们之中，就提高树脂掩膜去除性的观点而言，优选为选自单乙醇胺、单异丙醇胺、二乙醇胺、N-甲基单乙醇胺、N-乙基单乙醇胺、N-(β-氨基乙基)乙醇胺、1-(2-羟乙基)哌嗪及二亚乙基三胺中的至少1种，更优选为选自单乙醇胺、单异丙醇胺、二乙醇胺、N-甲基单乙醇胺及N-乙基单乙醇胺中的至少1种，进一步优选为单乙醇胺。
就提高树脂掩膜去除性的观点而言，本发明的清洗剂组合物使用时的成分A的含量优选为0.1质量％以上，更优选为0.5质量％以上，进一步优选为1.0质量％以上，更进一步优选为1.5质量％以上，并且就提高树脂掩膜去除性的观点而言，优选为15质量％以下，更优选为10质量％以下，进一步优选为7.5质量％以下，更进一步优选为5质量％以下。更具体而言，使用时的成分A的含量优选为0.1质量％以上且15质量％以下，更优选为0.5质量％以上且10质量％以下，进一步优选为1.0质量％以上且7.5质量％以下，更进一步优选为1.5质量％以上且5质量％以下。在成分A含有2种以上碱剂的情形时，成分A的含量是指它们的合计含量。
在本发明中，所谓“清洗剂组合物的使用时的各成分的含量”是指清洗时、即开始使用清洗剂组合物进行清洗的时间点的各成分的含量。
[成分B：有机溶剂]
本发明的清洗剂组合物在一个或多个实施方式中，包含有机溶剂(成分B)。成分B可使用1种或并用2种以上。
在本发明中，成分B的汉森溶解度参数的坐标在以δd＝18.3、δp＝6.8、δh＝3.7为中心的半径5.45MPa0.5的球的范围内。在本发明的清洗剂组合物包含2种以上有机溶剂(以下也称为“混合有机溶剂”)的情形时，混合有机溶剂整体的汉森溶解度参数可不在上述范围内，若混合有机溶剂中包含至少1种具有上述范围内的汉森溶解度参数的有机溶剂，则可发挥本发明的效果。
此处，所谓汉森溶解度参数(Hansen solubility parameter)(以下也称为“HSP”)是Charles M.Hansen于1967年发表的用于预测物质的溶解性的值，即基于“分子间的相互作用相似的2个物质容易相互溶解”的想法的参数。HSP包含以下的3个参数(单位：MPa0.5)。
δd：利用分子间的分散力所得的能量
δp：利用分子间的偶极相互作用所得的能量
δh：利用分子间的氢键所得的能量
这些3个参数可视为三维空间(汉森空间)的坐标，表示将2个物质的HSP置于汉森空间内时，两点间的距离越近则越容易相互溶解。化学工业2010年3月号(化学工业公司)等有详细说明，通过使用个人电脑用软件“HSPiP：Hansen Solubility Parameters inPractice”等可获得各种物质的汉森溶解度参数。本发明使用汉森溶解度参数，该汉森溶解度参数是使用该个人电脑用软件“HSPiP：Hansen Solubility Parameters in Practice”而获得。在成分B为2种以上的混合有机溶剂的情形时，对在作为混合有机溶剂的HSP的距离，可使用“HSPiP：Hansen Solubility Parameters in Practice”的混合有机溶剂的HSP算出功能来算出。
本发明中的成分B的HSP的坐标也可表现为如下所述。即，将成分B的HSP的坐标设为(δdB、δpB、δhB)时，该成分B的HSP的坐标(δdB、δpB、δhB)与成分坐标X(δd＝18.3、δp＝6.8、δh＝3.7)的距离(单位：MPa0.5)可设为满足下式。
距离＝[(δdB－18.3)2+(δpB－6.8)2+(δhB－3.7)2]0.5≤5.45MPa0.5作为成分B，只要为成分B的HSP的坐标与成分坐标X的距离满足上式的有机溶剂即可，并无特别限定，例如可列举：选自苯乙酮(距离：2.44MPa0.5)、苯丙酮(距离：0.65MPa0.5)、对茴香醛(距离：5.15MPa0.5)、邻茴香醛(距离：2.43MPa0.5)、对甲基苯乙酮(距离：1.23MPa0.5)、四氢呋喃(距离：5.36MPa0.5)、二甲氧基四氢呋喃(距离：5.42MPa0.5)、甲氧基环戊烷(距离：4.10MPa0.5)、二苯醚(距离：3.83MPa0.5)、苯甲醚(距离：4.12MPa0.5)、苯***(距离：2.33MPa0.5)、二乙二醇二***(距离：5.42MPa0.5)、二丙二醇二甲醚(距离：5.44MPa0.5)、环己酮(距离：2.35MPa0.5)、2-辛酮(距离：4.73MPa0.5)及苯甲醛(距离：2.79MPa0.5)中的1种或2种以上的组合。就提高树脂掩膜去除性的观点而言，优选为选自苯乙酮、苯丙酮、对茴香醛、邻茴香醛、对甲基苯乙酮、四氢呋喃、二甲氧基四氢呋喃、甲氧基环戊烷、二苯醚、苯甲醚、苯***、二乙二醇二***、二丙二醇二甲醚、环己酮、2-辛酮及苯甲醛中的1种或2种以上的组合，更优选为选自苯乙酮、苯丙酮、对茴香醛、邻茴香醛、对甲基苯乙酮、四氢呋喃、二甲氧基四氢呋喃、甲氧基环戊烷、苯甲醚、苯***、二乙二醇二***、环己酮及苯甲醛中的1种或2种以上的组合，进一步优选为选自苯乙酮、苯丙酮、对茴香醛、对甲基苯乙酮、四氢呋喃、二甲氧基四氢呋喃、甲氧基环戊烷、苯甲醚、苯***、环己酮及苯甲醛中的1种或2种以上的组合，更进一步优选为选自苯乙酮、对茴香醛、对甲基苯乙酮、苯***、环己酮及苯甲醛中的1种或2种以上的组合。括弧内的数值表示成分B的HSP的坐标与成分坐标X的距离(单位：MPa0.5)。
就由引火所导致的火灾风险的降低及持久性的观点而言，本发明中的成分B优选沸点较高。例如，成分B的沸点优选为160℃以上，更优选为200℃以上。
在本发明中，就浓缩性的观点而言，成分B优选在水中的溶解度较高，例如，成分B在100mL水中的溶解度优选为0.3g以上。
就提高树脂掩膜去除性的观点而言，本发明的清洗剂组合物的使用时的成分B的含量优选为0.5质量％以上，更优选为1质量％以上，进一步优选为3质量％以上，更进一步优选为5质量％以上，并且就降低排水处理负荷及降低对含有有机树脂的基板造成的影响的观点而言，优选为30质量％以下，更优选为25质量％以下，进一步优选为20质量％以下，更进一步优选为15质量％以下。更具体而言，使用时的成分B的含量优选为0.5质量％以上且30质量％以下，更优选为1质量％以上且25质量％以下，进一步优选为3质量％以上且20质量％以下，更进一步优选为5质量％以上且15质量％以下。在成分B为2种以上的组合的情形时，成分B的含量是指它们的合计含量。
就保存稳定性及降低排水处理负荷的观点而言，本发明的清洗剂组合物中的成分A与成分B的质量比(A/B)优选为0.05以上，更优选为0.08以上，进一步优选为0.1以上，更进一步优选为0.15以上，并且就提高树脂掩膜去除性的观点而言，优选为2以下，更优选为1以下，进一步优选为0.8以下，更进一步优选为0.5以下。更具体而言，质量比(A/B)优选为0.05以上且2以下，更优选为0.08以上且1以下，进一步优选为0.1以上0.8以下，更进一步优选为0.15以上0.5以下。
[成分C：水]
本发明的清洗剂组合物包含水(成分C)。作为成分C的水，可列举离子交换水、反渗透水、蒸馏水、纯水、超纯水等。
本发明的清洗剂组合物中的成分C的含量可设为除了成分A、成分B及后述任意成分之外的余量。具体而言，就提高树脂掩膜去除性、降低排水处理负荷及降低对含有有机树脂的基板造成的影响的观点而言，本发明的清洗剂组合物的使用时的成分C的含量为69.9质量％以上，优选为70质量％以上，更优选为75质量％以上，进一步优选为80质量％以上，并且就提高树脂掩膜去除性的观点而言，为99.4质量％以下，优选为95质量％以下，更优选为90质量％以下，进一步优选为85质量％以下。更具体而言，使用时的成分C的含量为69.9质量％以上且99.4质量％以下，优选为70质量％以上且95质量％以下，更优选为75质量％以上且90质量％以下，进一步优选为80质量％以上85质量％以下。
[任意成分]
本发明的清洗剂组合物中，除了上述成分A～C以外，视需要可进一步含有任意成分。作为任意成分，可列举可用于通常的清洗剂的成分，例如可列举：除了成分B以外的有机溶剂、表面活性剂、螯合剂、增粘剂、分散剂、防锈剂、高分子化合物、助溶剂、抗氧化剂、防腐剂、消泡剂、抗菌剂等。本发明的清洗剂组合物的使用时的任意成分的含量优选为0质量％以上且2.0质量％以下，更优选为0质量％以上且1.5质量％以下，进一步优选为0质量％以上且1.3质量％以下，更进一步优选为0质量％以上且1.0质量％以下。
就降低排水处理负荷及降低对含有有机树脂的基板造成的影响的观点而言，本发明的清洗剂组合物的使用时的成分A、成分B及来自任意成分的有机物的总含量优选为40质量％以下，更优选为35质量％以下，进一步优选为30质量％以下，更进一步优选为25质量％以下，更进一步优选为20质量％以下，并且就提高树脂掩膜去除性的观点而言，优选为0.5质量％以上，更优选为1质量％以上，进一步优选为3质量％以上，更进一步优选为5质量％以上。更具体而言，本发明的清洗剂组合物的使用时的成分A、成分B及来自任意成分的有机物的总含量优选为0.5质量％以上40质量％以下，更优选为1质量％以上且35质量％以下，进一步优选为3质量％以上且30质量％以下，更进一步优选为5质量％以上且25质量％以下，更进一步优选为5质量％以上且20质量％以下。
就降低排水处理负荷、抑制排水水域的富营养化的观点而言，本发明的清洗剂组合物优选实质上不含含氮化合物及含磷化合物。在本发明中，所谓“实质上不含含氮化合物及含磷化合物”是指本发明的清洗剂组合物中的含氮化合物及含磷化合物的合计含量小于0.1质量％。就降低排水处理负荷、抑制排水水域的富营养化的观点而言，本发明的清洗剂组合物中的含氮化合物及含磷化合物的合计含量优选为0.05质量％以下，更优选为0.01质量％以下，进一步优选为0质量％。
作为含氮化合物，可列举先前广泛用作清洗剂组合物的含氮化合物，例如可列举选自胺及其盐、氨、以及铵盐中的至少1种或2种以上的组合。作为上述胺，例如可列举单乙醇胺、二乙醇胺等氨基醇。作为上述铵盐，例如可列举四甲基氢氧化铵(TMAH)等季铵盐。
作为含磷化合物，可列举先前广泛用作清洗剂组合物的含磷化合物，例如可列举选自磷酸及其盐、焦磷酸、多磷酸、偏磷酸等缩合磷酸及其盐等无机磷酸、以及有机磷酸、磷酸酯中的至少1种或2种以上的组合。
[清洗剂组合物的制造方法]
本发明的清洗剂组合物可通过以公知方法调配上述成分A～C及视需要的上述任意成分而制造。例如，本发明的清洗剂组合物可为至少调配上述成分A～C而成的。因此，本发明涉及一种清洗剂组合物的制造方法，其包括至少调配上述成分A～C的工序。在本发明中，所谓“进行调配”是包括同时或者以任意顺序混合成分A～C及视需要的其他成分。在本发明的清洗剂组合物的制造方法中，各成分的优选调配量可设为与上述本发明的清洗剂组合物的各成分的优选含量相同。
本发明的清洗剂组合物也可制成发生分离或析出等而在不损及保管稳定性的范围内减少成分C的水的量的浓缩物。就输送及储藏的观点而言，清洗剂组合物的浓缩物优选为制成稀释倍率为3倍以上的浓缩物，就保管稳定性的观点而言，优选为制成稀释倍率为30倍以下的浓缩物。清洗剂组合物的浓缩物能够以使用时的成分A～C成为上述含量(即清洗时的含量)的方式用水进行稀释而使用。进而，清洗剂组合物的浓缩物也可在使用时分别添加各成分而使用。在本发明中，所谓浓缩液的清洗剂组合物的“使用时”或“清洗时”是指清洗剂组合物的浓缩物经稀释的状态。
[被清洗物]
本发明的清洗剂组合物在一个或多个实施方式中，可用于清洗附着有树脂掩膜的被清洗物。
作为被清洗物，例如可列举电子部件及其制造中间物。作为电子部件，例如可列举选自印刷基板、晶片、铜板及铝板等金属板的至少1个部件。上述制造中间物为电子部件的制造工序中的中间制造物，且包含树脂掩膜处理后的中间制造物。作为树脂掩膜所附着的被清洗物的具体例，例如可列举通过使用了树脂掩膜的焊接或镀覆处理(镀铜、镀铝、镀镍等)等处理的工序，配线或连接端子等形成于基板表面的电子部件等。
因此，本发明在一个方案中涉及一种本发明的清洗剂组合物的作为电子部件的制造中的清洗剂的用途。
本发明的清洗剂组合物在一个或多个实施方式中，就清洗效果的方面而言，可优选用于清洗：树脂掩膜或进而经镀覆处理及/或加热处理的树脂掩膜所附着的被清洗物。作为树脂掩膜，例如可为负型树脂掩膜，也可为正型树脂掩膜，就易于发挥本发明的效果的方面而言，优选为负型树脂掩膜。作为负型树脂掩膜，例如可列举经曝光及/或显影处理的负型干膜抗蚀剂。在本发明中，所谓负型树脂掩膜是使用负型抗蚀剂而形成者，例如可列举经曝光及/或显影处理的负型抗蚀层。在本发明中，所谓正型树脂掩膜使用正型抗蚀剂而形成，例如可列举经曝光及/或显影处理的正型抗蚀层。
[清洗方法]
本发明在一个方案中涉及一种清洗方法(以下也称为“本发明的清洗方法”)，其包括：用本发明的清洗剂组合物，自树脂掩膜所附着的被清洗物剥离树脂掩膜的工序。在本发明的清洗方法中，自被清洗物剥离树脂掩膜的工序在一个或多个实施方式中，包括使树脂掩膜所附着的被清洗物接触本发明的清洗剂组合物。若为本发明的清洗方法，则可高效率地去除树脂掩膜，特别是经镀覆处理及/或加热处理的树脂掩膜。
作为使用本发明的清洗剂组合物自被清洗物剥离树脂掩膜的方法或使本发明的清洗剂组合物接触被清洗物的方法，例如可列举：通过浸渍在装有清洗剂组合物的清洗浴槽内而使其接触的方法、喷雾状地射出清洗剂组合物而使其接触的方法(喷淋方式)、浸渍期间进行超声波照射的超声波清洗方法等。本发明的清洗剂组合物可不稀释而直接用于清洗。作为被清洗物，可列举上述被清洗物。
本发明的清洗方法在一个或多个实施方式中，可包括使被清洗物接触清洗剂组合物后，用水进行冲洗，进行干燥的工序。本发明的清洗方法在一个或多个实施方式中，可包括使被清洗物接触清洗剂组合物后，用水冲洗的工序。
就易于发挥本发明的清洗剂组合物的清洗力的方面而言，本发明的清洗方法优选在本发明的清洗剂组合物与被清洗物接触时照射超声波，更优选为超声波为较高频率。就相同观点而言，上述超声波的照射条件例如优选为26～72kHz、80～1500W，更优选为36～72kHz、80～1500W。
在本发明的清洗方法中，就易于发挥本发明的清洗剂组合物的清洗力的方面而言，清洗剂组合物的温度优选为40℃以上，更优选为50℃以上，并且，就降低对含有有机树脂的基板造成的影响的观点而言，优选为70℃以下，更优选为60℃以下。
[电子部件的制造方法]
本发明在一个方案中涉及一种电子部件的制造方法(以下也称为“本发明的电子部件的制造方法”)，其包括：用本发明的清洗剂组合物，自树脂掩膜所附着的被清洗物剥离树脂掩膜的工序。作为被清洗物，可列举上述被清洗物。本发明的电子部件的制造方法通过使用本发明的清洗剂组合物进行清洗，而可有效地去除附着在电子部件的树脂掩膜，因此可制造可靠性较高的电子部件。进而，通过进行本发明的清洗方法，可容易地去除附着在电子部件的树脂掩膜，因而可缩短清洗时间，可提高电子部件的制造效率。
[套件]
本发明在一个方案中涉及一种用于本发明的清洗方法及本发明的电子部件的制造方法中任一者的套件(以下也称为“本发明的套件”)。本发明的套件在一个或多个实施方式中，为用于制造本发明的清洗剂组合物的套件。
作为本发明的套件，在一个或多个实施方式中，可列举：一种套件(双液型清洗剂组合物)，其在互不混合的状态下包含含有成分A的溶液(第一液)及含有成分B的溶液(第二液)，且第一液及第二液的至少一者进而含有成分C(水)的一部分或全部，第一液及第二液在使用时被混合。第一液及第二液被混合后，视需要可用成分C(水)进行稀释。第一液及第二液各者中视需要可包含上述任意成分。根据本发明的套件，可获得树脂掩膜去除性优异的清洗剂组合物。
作为本发明的套件，在其他一个或多个实施方式中，就获得性及作业性的观点而言，优选为可列举：具有含有30～50质量％的成分A且包含成分C作为剩余部分的第一液以及仅由成分B构成的第二液的套件；具有含有30～50质量％的成分A且包含成分C作为剩余部分的第一液以及含有1～99质量％的成分B且包含成分C作为剩余部分的第二液的套件；或者具有含有30～50质量％的成分A且包含成分C作为剩余部分的第一液以及含有1～99质量％的成分B且将任意成分及成分C作为剩余部分的第二液的套件。这些套件更优选进一步具有包含成分C的第三液，使用第三液，将上述第一液与上述第二液的混合物稀释至任意浓度。
本发明还涉及以下的一个或多个实施方式。
＜1＞一种树脂掩膜剥离用清洗剂组合物，其含有碱剂(成分A)、有机溶剂(成分B)及水(成分C)，
成分B的汉森溶解度参数的坐标在以δd＝18.3、δp＝6.8、δh＝3.7为中心的半径5.45MPa0.5的球的范围内，
使用时的成分C的含量为69.9质量％以上且99.4质量％以下。
＜2＞根据＜1＞所述的清洗剂组合物，其中，成分A为无机碱。
＜3＞根据＜1＞或＜2＞所述的清洗剂组合物，其中，成分A为选自氢氧化钠、氢氧化钾、氢氧化锂、氢氧化钙、碳酸钠、碳酸钾、硅酸钠及硅酸钾中的至少1种无机碱。
＜4＞根据＜1＞所述的清洗剂组合物，其中，成分A为选自下述式(I)所示的季铵氢氧化物及下述式(II)所示的胺中的至少1种有机碱。
[化学式3]
Figure BDA0002562052220000151
在上述式(I)中，R1、R2、R3及R4分别独立地为选自甲基、乙基、丙基、羟甲基、羟乙基及羟丙基中的至少1种。
[化学式4]
Figure BDA0002562052220000152
在上述式(II)中，R5表示氢原子、甲基、乙基或氨基乙基，R6为选自氢原子、羟乙基、羟丙基、甲基或乙基中的至少1种，且R7为选自氨基乙基、羟乙基或羟丙基中的至少1种，或者，在式(II)中，R5为选自甲基、乙基、氨基乙基、羟乙基或羟丙基的至少1种，且R6与R7相互键合并与式(II)中的N原子一同形成吡咯烷环或哌嗪环。
＜5＞根据＜1＞或＜4＞所述的清洗剂组合物，其中，成分A为四甲基氢氧化铵。
＜6＞根据＜1＞至＜5＞中任一项所述的清洗剂组合物，其中，使用时的成分A的含量优选为0.1质量％以上，更优选为0.5质量％以上，进一步优选为1.0质量％以上，更进一步优选为1.5质量％以上。
＜7＞根据＜1＞至＜6＞中任一项所述的清洗剂组合物，其中，使用时的成分A的含量优选为15质量％以下，更优选为10质量％以下，进一步优选为7.5质量％以下，更进一步优选为5质量％以下。
＜8＞根据＜1＞至＜7＞中任一项所述的清洗剂组合物，其中，使用时的成分A的含量优选为0.1质量％以上且15质量％以下，更优选为0.5质量％以上且10质量％以下，进一步优选为1.0质量％以上且7.5质量％以下，更进一步优选为1.5质量％以上且5质量％以下。
＜9＞根据＜1＞至＜8＞中任一项所述的清洗剂组合物，其中，将成分B的HSP的坐标设为(δdB、δpB、δhB)时，该成分B的HSP的坐标(δdB、δpB、δhB)与成分坐标X(δd＝18.3、δp＝6.8、δh＝3.7)的距离(单位：MPa0.5)满足下式。
距离＝[(δdB－18.3)2+(δpB－6.8)2+(δhB－3.7)2]0.5≤5.45MPa0.5
＜10＞根据＜1＞至＜9＞中任一项所述的清洗剂组合物，其中，成分B为选自苯乙酮、苯丙酮、对茴香醛、邻茴香醛、对甲基苯乙酮、四氢呋喃、二甲氧基四氢呋喃、甲氧基环戊烷、二苯醚、苯甲醚、苯***、二乙二醇二***、二丙二醇二甲醚、环己酮、2-辛酮及苯甲醛中的至少1种。
＜11＞根据＜1＞至＜10＞中任一项所述的清洗剂组合物，其中，使用时的成分B的含量优选为0.5质量％以上，更优选为1质量％以上，进一步优选为3质量％以上，更进一步优选为5质量％以上。
＜12＞根据＜1＞至＜11＞中任一项所述的清洗剂组合物，其中，使用时的成分B的含量优选为30质量％以下，更优选为25质量％以下，进一步优选为20质量％以下，更进一步优选为15质量％以下。
＜13＞根据＜1＞至＜12＞中任一项所述的清洗剂组合物，其中，使用时的成分B的含量优选为0.5质量％以上且30质量％以下，更优选为1质量％以上且25质量％以下，进一步优选为3质量％以上且20质量％以下，更进一步优选为5质量％以上且15质量％以下。
＜14＞根据＜1＞至＜13＞中任一项所述的清洗剂组合物，其中，使用时的成分A的含量为0.1质量％以上且15质量％以下，
使用时的成分B的含量为0.5质量％以上且30质量％以下。
＜15＞根据＜1＞至＜14＞中任一项所述的清洗剂组合物，其中，成分A与成分B的质量比(A/B)优选为0.05以上，更优选为0.08以上，进一步优选为0.1以上，更进一步优选为0.15以上。
＜16＞根据＜1＞至＜15＞中任一项所述的清洗剂组合物，其中，成分A与成分B的质量比(A/B)优选为2以下，更优选为1以下，进一步优选为0.8以下，更进一步优选为0.5以下。
＜17＞根据＜1＞至＜16＞中任一项所述的清洗剂组合物，其中，成分A与成分B的质量比(A/B)优选为0.05以上且2以下，更优选为0.08以上且1以下，进一步优选为0.1以上0.8以下，更进一步优选为0.15以上0.5以下。
＜18＞根据＜1＞至＜17＞中任一项所述的清洗剂组合物，其中，使用时的成分C的含量为69.9质量％以上，优选为70质量％以上，更优选为75质量％以上，进一步优选为80质量％以上。
＜19＞根据＜1＞至＜18＞中任一项所述的清洗剂组合物，其中，使用时的成分C的含量为99.4质量％以下，优选为95质量％以下，更优选为90质量％以下，进一步优选为85质量％以下。
＜20＞根据＜1＞至＜19＞中任一项所述的清洗剂组合物，其中，使用时的成分C的含量为69.9质量％以上且99.4质量％以下，优选为70质量％以上且95质量％以下，更优选为75质量％以上且90质量％以下，进一步优选为80质量％以上85质量％以下。
＜21＞根据＜1＞至＜20＞中任一项所述的清洗剂组合物，其中，清洗剂组合物使用时有机物的总含量优选为40质量％以下，更优选为35质量％以下，进一步优选为30质量％以下，更进一步优选为25质量％以下，更进一步优选为20质量％以下。
＜22＞根据＜1＞至＜21＞中任一项所述的清洗剂组合物，其中，清洗剂组合物使用时有机物的总含量优选为0.5质量％以上，更优选为1质量％以上，进一步优选为3质量％以上，更进一步优选为5质量％以上。
＜23＞根据＜1＞至＜22＞中任一项所述的清洗剂组合物，其中，清洗剂组合物使用时有机物的总含量优选为0.5质量％以上40质量％以下，更优选为1质量％以上且35质量％以下，进一步优选为3质量％以上且30质量％以下，更进一步优选为5质量％以上且25质量％以下，更进一步优选为5质量％以上且20质量％以下。
＜24＞根据＜1＞至＜23＞中任一项所述的清洗剂组合物，其实质上不含含氮化合物及含磷化合物。
＜25＞根据＜1＞至＜24＞中任一项所述的清洗剂组合物，其中，清洗剂组合物中的含氮化合物及含磷化合物的合计含量小于0.1质量％，优选为0.05质量％以下，更优选为0.01质量％以下，进一步优选为0质量％。
＜26＞根据＜1＞至＜25＞中任一项所述的清洗剂组合物，其中，树脂掩膜为经曝光及显影的至少一种处理的负型干膜抗蚀剂。
＜27＞一种清洗方法，其包括：用＜1＞至＜26＞中任一项所述的清洗剂组合物，自树脂掩膜所附着的被清洗物剥离树脂掩膜的工序。
＜28＞根据＜27＞所述的清洗方法，其中，被清洗物为电子部件的制造中间物。
＜29＞一种电子部件的制造方法，其包括：用＜1＞至＜26＞中任一项所述的清洗剂组合物，自树脂掩膜所附着的被清洗物剥离树脂掩膜的工序。
＜30＞＜1＞至＜26＞中任一项所述的清洗剂组合物的作为电子部件的制造中的清洗剂的用途。
＜31＞一种套件，其是用于＜27＞或＜28＞所述的清洗方法及＜29＞所述的电子部件的制造方法中任一者的套件，
在互不混合的状态下包含含有成分A的溶液(第一液)及含有成分B的溶液(第二液)，
第一液及第二液的至少一者还含有成分C的一部分或全部，
第一液与第二液在使用时被混合。
实施例
以下，通过实施例对本发明进行具体说明，本发明不受这些实施例的任何限定。
1.关于有机溶剂(成分B、非成分B)的物性(HSP的坐标及距离)
有机溶剂的HSP的坐标(δd1、δp1、δh1)使用个人电脑用软件“HSPiP：HansenSolubility Parameters in Practice”算出。并且，通过下式算出有机溶剂的HSP的坐标(δd1、δp1、δh1)与成分坐标(δd＝18.3、δp＝6.8、δh＝3.7)的距离。将结果示在表1。
距离＝[(δd1－18.3)2+(δp1－6.8)2+(δh1－3.7)2]0.5
[表1]
Figure BDA0002562052220000191
2.实施例1～22及比较例1～9的清洗剂组合物的制备
在高型的200mL玻璃烧杯中，以有效成分换算调配氢氧化钾(成分A)2.5g、苯乙酮(成分B)15.0g及水(成分C)82.5g，将其进行搅拌并混合，由此制备实施例1的清洗剂组合物。然后，通过与实施例1相同的方法，在包含除了成分A～C以外的成分的情形时也同时调配它们，以成为表2所示的有效成分的组成比制备实施例2～22及比较例1～9的清洗剂组合物。将各清洗剂组合物的各成分的含量(质量％、有效成分)示于表2。
作为实施例1～22及比较例1～9的清洗剂组合物的成分，使用下述成分。
(成分A)
A1：氢氧化钾[关东化学公司制造，特级，固体成分为48质量％]
A2：氢氧化钠[关东化学公司制造，特级，固体成分为48质量％]
A3：四甲基氢氧化铵[昭和电工公司制造，TMAH(25％)]
(成分B)
B1：苯乙酮[富士胶片和光纯药公司制造，特级]
B2：苯丙酮[东京化成工业公司制造]
B3：对茴香醛[富士胶片和光纯药公司制造，特级]
B4：邻茴香醛[SIGMA-ALDRICH公司制造]
B5：对甲基苯乙酮[富士胶片和光纯药公司制造，一级]
B6：四氢呋喃[富士胶片和光纯药公司，特级]
B7：二甲氧基四氢呋喃[东京化成工业公司制造]
B8：甲氧基环戊烷[东京化成工业公司制造]
B9：二苯醚[富士胶片和光纯药公司制造，特级]
B10：苯甲醚[富士胶片和光纯药公司制造，特级]
B11：苯***[富士胶片和光纯药公司制造，一级]
B12：二乙二醇二***[富士胶片和光纯药公司制造，一级]
B13：二丙二醇二甲醚[FUJIFILM Wako Chemical Corporation制造]
B14：环己酮[富士胶片和光纯药公司制造，一级]
B15：2-辛酮[富士胶片和光纯药公司制造，一级]
B16：苯甲醛[富士胶片和光纯药公司制造，特级]
(非成分B)
B17：二乙二醇丁醚[富士胶片和光纯药公司制造，特级]
B18：二乙二醇二甲醚[富士胶片和光纯药公司制造，特级]
B19：乙酸丁酯[富士胶片和光纯药公司制造，一级]
B20：二乙二醇苯醚[东京化成工业公司制造]
B21：乙二醇[富士胶片和光纯药公司制造，一级]
(成分C)
水：用Organo Corporation制造的纯水装置G-10DSTSET制造的1μS/cm以下的纯水
3.清洗剂组合物的评价
对所制备的实施例1～22及比较例1～9的清洗剂组合物的树脂掩膜去除性进行评价。
[树脂掩膜1的试样的制作]
将直接成像(直接刻写)用感光性膜(日立化成公司制造，Photek RD-1225，厚度为25μm，负型干膜抗蚀剂)在下述条件下层压至玻璃环氧多层基板(日立化成公司制造，MCL-E-679FG)的表面，选择性地进行曝光处理并使曝光部固化后(曝光工序)，进行显影处理，由此去除未曝光部(显影工序)，获得具有抗蚀图案(图案形状的负型树脂掩膜)的基板。然后，对经上述显影处理去除未曝光部的区域进行镀铜处理，由此获得试样(4cm×4.5cm)。
(1)层压：使用清洁辊(RAYON工业公司制造，RY-505Z)及真空敷料器(罗门哈斯公司制造，VA7024/HP5)以辊温50℃、辊压1.4Bar、处理时间30秒进行。
(2)曝光：使用印刷基板用直接刻写装置(SCREEN Graphic and PrecisionSolutions公司制造，Mercurex LI-9500)，以曝光量15mJ/cm2进行曝光。
(3)图案形状：L/S＝20μm/20μm的条纹状图案
(4)显影：使用基板用显影装置(扬博科技公司制造，LT-980366)、30℃的1％碳酸钠水溶液，以喷雾压力0.2MPa、47秒去除未曝光部的树脂掩膜。
[树脂掩膜2的试样的制作]
将感光性膜(日立化成公司制造，HP-1060，厚度为60μm，负型干膜抗蚀剂)在下述条件下层压至玻璃环氧多层基板的表面，选择性地进行曝光处理并使曝光部固化后(曝光工序)，进行显影处理，由此去除未曝光部(显影工序)，获得具有抗蚀图案(图案形状的负型树脂掩膜)的基板。然后，对经上述显影处理去除未曝光部的区域进行镀铜处理，由此获得试样(4cm×4cm)。
(1)层压：使用清洁辊(RAYON INDUSTRIAL公司制造，RY-505Z)及真空敷料器(罗门哈斯公司制造，VA7024/HP5)进行。
(2)曝光：使用印刷基板用直接描画装置(SCREEN Graphic and PrecisionSolutions公司制造，Mercurex LI-9500)进行曝光。
(3)图案形状：L/S＝20μm/20μm的条纹状图案
(4)显影：使用基板用显影装置(扬博科技公司制造，LT-980366)、1％碳酸钠水溶液，去除未曝光部的树脂掩膜。
[清洗试验]
向高型的200mL玻璃烧杯中添加各清洗剂组合物100g并加温至60℃，在使用转子[氟树脂(PTFE)，φ8mm×25mm]以转速600rpm进行搅拌的状态下，将试样浸渍4分钟。然后，浸渍于向100mL玻璃烧杯中添加100g水而得的冲洗槽而进行冲洗后，进行自然干燥。
[树脂掩膜去除性评价(剥离率(％))]
使用光学显微镜“数字显微镜VHX-2000”(基恩士公司制造)，将进行清洗试验后的试样的各部位所残存的树脂掩膜的有无放大至300倍进行目视确认，算出剥离率(将进行清洗试验前存在树脂掩膜的总面积设为100时树脂掩膜被去除的部分的面积的比率(％))。将结果示在表2。
[对基板的影响]
向250mL的聚丙烯制的广口瓶中添加各清洗剂组合物100g，将玻璃环氧多层基板(2cm×5cm)进行浸渍，在60℃下保管7天后，用水冲洗，对干燥后的基板表面的状态进行目视观察，将以下述评价基准评价的结果示在表2。
A：与试验前无变化
B：基板表面变质
[表2]
Figure BDA0002562052220000241
Figure BDA0002562052220000251
如上述表2所示，可知实施例1～22的清洗剂组合物与不含成分A或成分B的比较例1～7、9、成分C的含量不在规定范围内的比较例8相比，树脂掩膜去除性优异。另外，成分C的含量在69.9～99.4质量％的范围内的实施例1～22的清洗剂组合物与成分C的含量小于69.9质量％的比较例8相比，对含有有机树脂的基板的影响降低。进而，可认为就实施例1～22的清洗剂组合物而言，有机物含量为40质量％以下，排水处理负担较小。
产业上的可利用性
根据本发明，可提供一种树脂掩膜去除性优异的树脂掩膜剥离用清洗剂组合物。由此，本发明的清洗剂组合物作为电子部件的制造工序所使用的清洗剂组合物是有用的，可实现树脂掩膜所附着的电子部件的清洗工序的缩短及所制造的电子部件的性能、可靠性的提高，可提高半导体装置的生产率。

Claims (11)

1.一种树脂掩膜剥离用清洗剂组合物，其含有碱剂即成分A、有机溶剂即成分B、以及水即成分C，
成分B的汉森溶解度参数的坐标在以δd＝18.3、δp＝6.8、δh＝3.7为中心的半径5.45MPa0.5的球的范围内，
使用时的成分C的含量为69.9质量％以上且99.4质量％以下。
2.根据权利要求1所述的清洗剂组合物，其中，使用时的成分A的含量为0.1质量％以上且15质量％以下，
使用时的成分B的含量为0.5质量％以上且30质量％以下。
3.根据权利要求1或2所述的清洗剂组合物，其中，成分B为选自苯乙酮、苯丙酮、对茴香醛、邻茴香醛、对甲基苯乙酮、四氢呋喃、二甲氧基四氢呋喃、甲氧基环戊烷、二苯醚、苯甲醚、苯***、二乙二醇二***、二丙二醇二甲醚、环己酮、2-辛酮及苯甲醛中的至少1种。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的清洗剂组合物，其中，成分A为无机碱。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的清洗剂组合物，其实质上不含含氮化合物及含磷化合物。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的清洗剂组合物，其中，树脂掩膜为实施了曝光及显影中至少一种处理的负型干膜抗蚀剂。
7.一种清洗方法，其包括：用权利要求1～6中任一项所述的清洗剂组合物，自附着有树脂掩膜的被清洗物剥离树脂掩膜的工序。
8.根据权利要求7所述的清洗方法，其中，被清洗物为电子部件的制造中间物。
9.一种电子部件的制造方法，其包括：用权利要求1～6中任一项所述的清洗剂组合物，自附着有树脂掩膜的被清洗物剥离树脂掩膜的工序。
10.权利要求1～6中任一项所述的清洗剂组合物的作为电子部件的制造中的清洗剂的用途。
11.一种套件，其是用于权利要求7或8所述的清洗方法及权利要求9所述的电子部件的制造方法中任一者的套件，
在互不混合的状态下包含含有成分A的溶液即第一液及含有成分B的溶液即第二液，
第一液及第二液中的至少一者还含有成分C的一部分或全部，
第一液与第二液在使用时被混合。
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