TWI809040B - 在微影裝置中原位微粒移除之裝置及方法 - Google Patents

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雷納德 彼得 艾伯特
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Abstract

本發明描述用以減少一靜電夾盤附近之微粒的方法及系統，其中一清潔倍縮光罩或基板緊固至該夾盤，該清潔倍縮光罩或基板具有部分地不含導電材料之表面，以使得來自該夾盤之一電場可通過至鄰近於該基板之一體積以將該體積中之微粒汲取至該基板之該表面。供應至該夾盤之電壓可具有一交替極性以增強微粒至該表面之吸引力。

Description

在微影裝置中原位微粒移除之裝置及方法
本發明係關於用於自諸如夾盤之夾具等支撐件附近移除微粒污染的方法及系統，該夾盤例如係用以固持諸如微影裝置內部之倍縮光罩、光罩或晶圓之器件的靜電夾盤。
微影裝置係將所要圖案施加至諸如半導體材料之晶圓的基板上，通常施加至基板之目標部分上，的機器。被替代地稱作光罩或倍縮光罩之圖案化器件可用以產生待形成於晶圓之個別層上的電路圖案。通常藉由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上來實現圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次地圖案化之鄰近目標部分。
為了縮短曝光波長且因此減小最小可列印大小，使用具有約5nm至約20nm之範圍內，例如約13nm至約14nm範圍內，之波長的電磁輻射。此輻射被稱為極紫外線(EUV)輻射或軟x射線輻射。舉例而言，可能之源包括雷射產生電漿源、放電電漿源或基於由電子儲存環提供之同步加速器輻射之源。
可使用電漿來產生EUV輻射。用於產生EUV輻射之輻射系統可包括用於激發燃料以提供電漿之雷射及用於含有電漿之源收集器模 組。舉例而言，可藉由在諸如適合燃料材料(例如，錫)的小滴之少量燃料或諸如Xe氣體或Li蒸汽之適合氣體或蒸汽流處導引雷射光束來產生電漿。所得電漿發射輸出輻射，例如，EUV輻射，該輻射係使用輻射收集器予以收集。輻射收集器可係鏡像式正入射輻射收集器，其接收輻射且將輻射聚焦成光束。源收集器模組可包括經配置以提供真空環境以支援電漿之圍封結構或腔室。該種輻射系統典型地稱為雷射產生電漿(laser produced plasma，LPP)源。在亦可使用雷射之替代性系統中，可由藉由使用放電--放電產生電漿(DPP)源形成之電漿產生輻射。一旦產生，則使用圖案化器件來圖案化輻射且接著將輻射傳送至晶圓之表面。
靜電夾盤(electrostatic chuck，ESC)用於微影裝置中，例如以在掃描級上固持圖案化倍縮光罩。倍縮光罩微粒污染(缺陷度)係EUV技術中之關鍵臨界參數。為了緩解倍縮光罩污染，藉由所謂沖洗清潔接近倍縮光罩級之體積。沖洗涉及在倍縮光罩區域中提供高於正常之氣體流以釋放(去除)微粒且自EUV系統移除微粒。沖洗之缺點彼其係相對慢的清潔程序且僅具有有限效率。
因此，需要更快、更高效之原位清潔技術。
下文呈現一或多個實施例之簡化概述以便提供對實施例之基本理解。此概述並非所有涵蓋實施例之廣泛綜述，且既不意欲識別所有實施例之關鍵或重要要素，亦不意欲描繪任何或所有實施例之範疇。其唯一目的在於以簡化形式呈現一或多個實施例的一些概念以作為稍後呈現之更詳細描述的序言。
根據一個態樣，揭示一種系統，其中由一靜電夾盤產生之 一電場用以將微粒吸引至一犧牲清潔倍縮光罩或經修改基板之前(曝光)側。此清潔基板在該倍縮光罩後側上僅具有一部分導電塗層以允許電場穿透至該倍縮光罩前方的空間。藉由與EUV曝光組合或在無EUV曝光之情況下切換極性，可將帶電微粒吸引至該基板之前側。
根據另一態樣，揭示一種裝置，其包含一載物台及一電壓供應件，該載物台經調適以支撐一基板，該電壓供應件電連接至該載物台且經調適以在該電壓供應件切換極性之一模式下操作。該載物台可包含一靜電夾盤。
根據另一態樣，揭示一種包含一載物台及配置於該載物台上之一實質上平坦基板的裝置，該基板具有面朝該載物台之一第一表面及背對該載物台之一第二表面，該第一表面之至少一第一部分不具有一導電塗層且該第二表面之至少一第二部分不具有一導電塗層，該第一部分與該第二部分相對於彼此配置使得一電場可通過該基板。該載物台可包含一靜電夾盤。該第一表面可部分地覆蓋有一導電塗層。該裝置可進一步包含用於向該靜電夾盤施加一電壓且產生延伸經過該基板直至鄰近於該第二表面之一空間中之一電場的一電壓源。該電壓源可經調適以使其輸出電壓之極***替。該基板可由一非導電材料製成。該第一表面可至少部分地塗佈有一非導電材料。該第二表面可至少部分地塗佈有一非導電材料。該非導電材料可包含Kapton。該第一表面或該第二表面兩者皆不包含具有導電材料之一塗層，且組合可進一步包含用於將該基板緊固至該靜電夾盤之一機械夾具。
根據另一態樣，揭示一種裝置，其包含一載物台、一實質上平坦基板，其具有一第一表面及一第二表面，該基板置放於該載物台上 使得該第一表面面朝該載物台且該第二表面背離該載物台，該第一表面之至少一第一部分不具有一導電塗層且該第二表面之至少一第二部分不具有一導電塗層，該第一部分與該第二部分相對於彼此配置使得一電場可通過該基板，及一電壓供應件，其電連接至該載物台且經調適以在該電壓供應件切換極性以便將微粒吸引至該第二表面之一模式下操作。該載物台可包含一靜電夾盤。該第一表面可部分地由一導電塗層覆蓋。該第二表面可至少部分地覆蓋有一非導電塗層。該電壓供應件可經調適以產生延伸經過該基板直至鄰近於該第二表面之一空間體積中的一電場。該基板可由一非導電材料製成。該第一表面可至少部分地塗佈有一非導電材料。該非導電材料可包含Kapton。該第一表面或該第二表面兩者可皆不包含具有導電材料之一塗層，且該裝置可進一步包含用於將該基板緊固至該靜電夾盤之一機械夾具。
根據另一態樣，揭示一種方法，其包含以下步驟：提供一載物台且在該載物台上配置一實質上平坦基板，該基板具有一第一表面及一第二表面，該第一表面之至少一第一部分不具有一導電塗層且該第二表面之至少一第二部分不具有一導電塗層，該第一部分與該第二部分相對於彼此配置使得一電場可通過該基板，及以該電壓之一極性切換至少一次之一方式向該載物台及基板施加一電壓。該載物台可包含一靜電夾盤。
根據另一態樣，揭示一種方法，其包含以下步驟：提供一載物台；在該載物台上配置一實質上平坦基板，使得該基板之一第一表面朝該載物台且該基板之一第二表面背離該載物台，該第一表面之至少一第一部分不具有一導電塗層且該第二表面之至少一第二部分不具有一導電塗層，該第一部分與該第二部分相對於彼此配置使得一電場可通過該基板； 及藉由以該電壓之一極性切換至少一次之一方式向該載物台及基板施加一電壓來將微粒吸引至該第二表面。該方法可進一步包含該吸引步驟之前的為該等微粒充電之一步驟。為該等微粒充電之該步驟可包含使該等微粒曝露於離子化輻射。該載物台可包含一靜電夾盤。
根據另一態樣，揭示一種方法，其包含以下步驟：提供一載物台、在該載物台上配置一實質上平坦基板，該基板具有面朝該載物台之一第一表面及背對該載物台之一第二表面，該第一表面之至少一第一部分不具有一導電塗層且該第二表面之至少一第二部分不具有一導電塗層，該第一部分與該第二部分相對於彼此配置使得一電場可通過該基板，及以一電場延伸經過該基板且延伸至鄰近於該第二表面之一空間中以朝向該第二表面在該空間中吸引微粒的一方式向該載物台及基板施加一電壓。
根據另一態樣，揭示一種實質上平坦清潔基板，其包含非導電材料且具有一頂部實質上平坦表面及一底部實質上平坦表面，該頂部表面包含由包含一導電材料之一層覆蓋的至少一個第一區域及不由包含一導電材料之一層覆蓋的至少一個第二區域。該導電材料可包含氮化鉻。該至少一個第二區域可由一非導電材料層覆蓋。該非導電層可包含聚(4,4'-氧二亞苯基-均苯四甲醯亞胺)。該實質上平坦清潔基板可包含該第二表面上之一非導電層。該非導電層可包含經調適以保持撞擊於該非導電層上之微粒的一材料。
下文參考隨附圖式來詳細地描述本發明之其他特徵及優點，以及本發明之各種實施例的結構及操作。應注意，本發明不限於本文所描述之特定實施例。本文中僅出於說明性目的而呈現此類實施例。基於本文所含有之教示，額外實施例對於熟習相關技術者將顯而易見。
2:圍封結構
4:雷射
6:雷射光束
8:燃料供應件
10:電漿
12:電漿形成位置
14:近正入射輻射收集器
16:中間焦點/虛擬源點
18:開口
20:琢面化場鏡面器件
22:琢面化光瞳鏡面器件
24:經圖案化光束
26:反射元件
28:反射元件
300:靜電夾盤
310:瘤節
320:基板
330:第一塗層/導電塗層/金屬塗佈之外部框架
340:塗層/材料層
350:機械夾具
360:微粒
370:電壓源
B:輻射光束
C:目標部分
IL:照明系統/照明器
LAP:微影裝置
M1:光罩對準標記
M2:光罩對準標記
MA:圖案化器件
MT:支撐結構
P1:基板對準標記
P2:基板對準標記
PM:第一***
PS:投影系統
PS1:位置感測器
PS2:位置感測器
PW:第二***
S50:步驟
S52:步驟
S54:步驟
S56:步驟
S58:步驟
S60:步驟
S62:步驟
SO:源收集器模組
W:基板
WT:基板台
X:方向
Y:方向
Z:方向
併入本文中且形成本說明書之部分之隨附圖式說明本發明，且連同[實施方式]一起進一步用以解釋本發明之原理且使熟習相關技術者能夠進行及使用本發明。
圖1展示根據本發明之一實施例之微影裝置。
圖2係根據一實施例之圖1之裝置，包括LPP源收集器模組，的更詳細視圖。
圖3係根據一實施例之態樣之靜電夾盤及基板之配置的未按比例圖。
圖4A至圖4D係具有不同塗層配置之各種基板的平面圖及側視圖。
圖5A係說明根據一實施例之態樣之使用清潔基板及靜電夾盤之清潔程序的流程圖。
圖5B係說明根據一實施例之態樣之使用清潔基板及靜電夾盤之另一清潔程序的流程圖。
圖5C係說明根據一實施例之態樣之使用清潔基板及靜電夾盤之另一清潔程序的流程圖。
根據以上結合圖式所闡述之詳細描述，本發明之特徵及優點將變得更顯而易見，在該等圖式中，相似參考字符始終識別對應元件。在該等圖式中，類似附圖標記通常指示相同、功能上相似及/或結構上相似之元件。
本說明書揭示併有本發明之特徵的一或多個實施例。所揭 示實施例僅例示本發明。本發明之範疇不限於所揭示實施例。本發明由此處附加之申請專利範圍界定。
所描述實施例及本說明書中對「一個實施例」、「一實施例」、「一實例實施例」等之參考指示所描述之實施例可包括一特定特徵、結構或特性，但每一實施例可未必包括該特定特徵、結構或特性。此外，此等短語未必指相同實施例。此外，當結合實施例描述特定特徵、結構或特性時，應理解，無論是否予以明確描述，結合其他實施例來實現此特徵、結構或特性皆係在熟習此項技術者之認識範圍內。
在下文之[實施方式]中及在[申請專利範圍]中，可使用術語「向上」、「向下」、「頂部」、「底部」、「豎直」、「水平」及類似術語。除非另外規定，否則此等術語僅僅旨在表明相對定向且並非表明任何絕對定向，諸如相對於重力之定向。類似地，諸如左、右、前、後等之術語意欲僅給出相對定向。
在更詳細地描述實施例之前，有指導性的是呈現可供實施本發明之實施例之實例環境。
圖1示意性地展示根據本發明之實施例的包括源收集器模組SO之微影裝置LAP。該裝置包含：照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，EUV輻射)；支撐結構(例如，光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如，光罩或倍縮光罩)MA且連接至經組態以準確地定位圖案化器件之第一***PM；基板台(例如，晶圓台)WT，其經建構以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓)W且連接至經組態以準確地定位基板之第二***PW；及投影系統(例如，反射性投影系統)PS，其經組態以將由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部 分C(例如，包含一或多個晶粒)上。
照明系統可包括用於導引、塑形或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。
支撐結構MT以取決於圖案化器件MA之定向、微影裝置之設計及諸如圖案化器件是否被固持於真空環境中之其他條件的方式來固持該圖案化器件。支撐結構可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術來固持圖案化器件。支撐結構可為例如框架或台，其可視需要而固定或可移動。支撐結構可確保圖案化器件例如相對於投影系統處於所要位置。
術語「圖案化器件」應被廣泛地解譯為係指可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中產生圖案的任何器件。被賦予至輻射光束之圖案可對應於目標部分中產生之器件(諸如，積體電路)中之特定功能層。
圖案化器件可為透射的或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影中為吾人所熟知，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之每一者可個別地傾斜，以便使入射輻射光束在不同方向上反射。傾斜鏡面在由鏡面矩陣反射之輻射光束中賦予圖案。
類似於照明系統，投影系統可包括適於所使用之曝光輻射或適於諸如真空之使用之其他因素的各種類型之光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。可需要將真空用於EUV輻射，此係由於氣體會吸收過多輻射。因此，可憑藉真空 壁及真空泵而將真空環境提供至整個光束路徑。
如此處所描繪，裝置屬於反射類型(例如，使用反射光罩)。微影裝置可屬於具有兩個(雙載物台)或更多個基板台(及/或兩個或更多個光罩台)之類型。在此等「多載物台」機器中，可並行地使用額外台，或可對一或多個台進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。
參考圖1，照明器IL自源收集器模組SO接收極紫外線輻射光束。用以產生EUV光之方法包括但不一定限於運用EUV範圍內之一或多個發射譜線將材料轉換成具有至少一個元素，例如氙、鋰或錫，之電漿狀態。在一個此方法(常常被稱為雷射產生電漿「LPP」)中，可藉由用雷射光束來輻照燃料(諸如，具有所需譜線發射元素之材料的小滴、串流或叢集)而產生所需電漿。源收集器模組SO可為包括圖1中未展示之雷射的EUV輻射系統之部分，該雷射用於提供雷射光束且激發燃料。所得電漿發射輸出輻射，例如EUV輻射，該輻射係使用安置於源收集器模組中之輻射收集器予以收集。舉例而言，當使用CO2雷射以提供用於燃料激發之雷射光束時，雷射及源收集器模組可係分離實體。
在此等狀況下，雷射不被視為形成微影裝置之部件，且輻射光束係憑藉包含例如適合導引鏡面及/或光束擴展器之光束遞送系統而自雷射傳遞至源收集器模組。在其他情況下，舉例而言，當源為放電產生電漿EUV產生器(常常被稱為DPP源)時，源可係源收集器模組之整體部件。
照明器IL可包含用於調整輻射光束之角強度分佈的調整器。一般而言，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈之至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別稱作a外部及a內部)。另外，照明器IL可包 含各種其他組件，諸如琢面化場及光瞳鏡面器件。照明器可用於調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要之均一性及強度分佈。
輻射光束B入射於圖案化器件(例如，光罩)MA上且由圖案化器件圖案化，該圖案化器件固持於支撐結構(例如，光罩台)MT上。在已自圖案化器件(例如，光罩)MA反射之後，輻射光束B通過投影系統PS，投影系統PS將輻射光束B聚焦至基板W之目標部分C上。藉助於第二***PW及位置感測器PS2(例如，干涉量測器件、線性編碼器或電容式感測器)，可準確地移動基板台WT，例如以便在輻射光束B之路徑中定位不同目標部分C。類似地，第一***PM及另一位置感測器PS1可用以相對於輻射光束B之路徑準確地定位圖案化器件(例如，光罩)MA。可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件(例如光罩)MA及基板W。
可在若干模式中之至少一者下使用所描繪裝置。舉例而言，在步進模式下，使支撐結構(例如，光罩台)MT及基板台WT保持基本上靜止，同時將賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部分C上(即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。
在掃描模式下，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描光罩台MT或「支撐結構(例如，光罩台)MT及基板台WT(即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之(縮小)放大率及影像反轉特性測定基板台WT相對於支撐結構(例如，光罩台)MT之速度及方向。
在另一模式下，是支撐結構(例如，光罩台)MT保持基本 上靜止，從而固持可程式化圖案化器件，且移動或掃描基板台WT，同時將賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上。在此模式下，通常使用脈衝式輻射源，且在每次移動基板台WT之後或在掃描期間的連續輻射脈衝之間視需要更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件，諸如上文所提及之類型的可程式化鏡面陣列，之無光罩微影。
亦可使用對上文所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同之使用模式。
圖2更詳細地展示微影裝置LAP，其包括源收集器模組SO、照明系統IL及投影系統PS。源收集器模組SO經建構及配置成使得可將真空環境維持於該源收集器模組之圍封結構2中。
雷射4經配置以經由雷射光束6將雷射能量沈積至諸如自燃料供應件8(有時稱為燃料流產生器)提供的燃料體積內，諸如氙(Xe)、錫(Sn)或鋰(Li)。雷射能量至燃料之沈積在電漿形成位置12處產生電子溫度為幾十電子伏特(eV)之高度電離的電漿10。在此等離子之去激發及再結合期間產生之高能輻射係自電漿10發射、由近正入射輻射收集器14收集且聚焦。雷射4及燃料供應件8(及/或收集器14)可一起被視為包含輻射源，特定言之EUV輻射源。EUV輻射源可被稱作雷射產生電漿(LPP)輻射源。
可提供第二雷射(未展示)，該第二雷射經組態以在雷射光束6入射於其上之前預熱或以其他方式預先調節燃料之體積。使用此方法之LPP源可稱為雙雷射脈動(DLP)源。
儘管未展示，但燃料流發生器將實質上包含與經組態以朝向電漿形成位置12沿著軌跡導引燃料流(例如呈小滴形式)之噴嘴，或與該 噴嘴連接。
由輻射收集器14反射之輻射B聚焦於虛擬源點16處。虛擬源點16通常被稱作中間焦點，且源收集器模組SO經配置以使得中間焦點16位於圍封結構2中之開口18處或附近。虛擬源點16係輻射發射電漿10之影像。
隨後，輻射B橫穿照明系統IL，照明系統IL可包括琢面化場鏡面器件20及琢面化光瞳鏡面器件22，該琢面化場鏡面器件及琢面化光瞳鏡面器件經配置以提供圖案化器件MA處的輻射光束B之所要角度分佈，以及圖案化器件MA處之輻射強度的所要均勻性。在由支撐結構MT固持之圖案化器件MA處反射該輻射光束之後，即刻形成經圖案化光束24，且投影系統PS經由反射元件26、28將經圖案化光束24成像至由晶圓載物台或基板台WT固持的基板W上。
通常，比所展示元件多之元件可存在於照明系統IL及投影系統PS中。此外，可圖中所展示之鏡面存在更多鏡面，例如，相比於圖2中所展示，在投影系統PS中可存在額外反射元件。
如本文所描述之實施例可用於許多不同微影工具，包括極紫外光(EUV)微影器件中之污染控制。性質上之反射性之EUV倍縮光罩極易受污染影響，且難以使用手動程序來進行清潔。
不論是否具有EUV電漿，靜電力可在微粒傳輸中扮演重要的作用。倍縮光罩載物台靜電夾具原則上可用以產生電場。通常，藉由運用導電後側塗層夾持至倍縮光罩來屏蔽此類場(使其受限於夾具與倍縮光罩後側之間)。需要此導電塗層來實際上夾持倍縮光罩。然而，消除導電塗層之至少部分准許電場穿透基板至超出基板之空間中。接合至少部分地 覆蓋基板之表面的非導電塗層使用此電場提供去除微粒且隨後在非導電表面上捕獲微粒之高效方法的基礎。當使得電場之極性(符號)交替時，效果得以增強。
因此，根據一個態樣，將微粒吸引至犧牲清潔倍縮光罩或經修改基板之前側。此清潔基板不具有完全覆蓋在倍縮光罩後側上的導電塗層。此允許電場穿透至倍縮光罩前方之空間體積。藉由與EUV曝光組合或在無EUV曝光之情況下切換極性，可將帶電微粒吸引至基板之非導電前(外向)側。
圖3展示根據本發明之一個態樣的實施例。如圖3中所展示，展示具有帶瘤節310之圖案之前表面的靜電夾盤300。圖3未按比例；已變更元件中之一些的相對大小以使圖更易於理解。
清潔倍縮光罩或基板320鄰近於靜電夾盤300之前表面。基板320可具有覆蓋基板320之上部(面朝夾具)表面之部分的第一塗層330。第一塗層330可包括導電區域，以使得向靜電夾盤300施加電壓會產生靜電力，該靜電力使得基板320之上表面藉由靜電夾盤300之瘤節310黏附於該靜電夾盤300之下表面。基板320亦可在其下部(面朝外)表面上具備塗層340，該塗層亦可包括導電區域。若存在導電塗層，則其經配置以使得由靜電夾盤300產生之電場可穿透該等塗層中之間隙且延伸至鄰近於基板320之下表面的體積中。替代地，基板320可完全不具備導電塗層且由機械夾具350固持在適當的位置。
延伸至鄰近於基板320之下表面之體積中的靜電場使得彼體積中之微粒360傾向於在箭頭A之方向上移動且黏附於基板320之下表面。此效應消除或減小鄰近於基板320之下表面之體積中的微粒數目。
為了產生靜電場，靜電夾盤300較佳地供應有來自電壓源370之電壓。電壓源370可經組態以切換極性至少一次，以便於將更大數目個微粒360吸引至基板320之下表面。
圖4A展示由諸如玻璃之非導電材料製成的習知基板320，其具有由諸如金屬之導電材料，例如CrN，製成之覆蓋基板320之整個表面的塗層330。基板320上之塗層330，諸如圖4A中所展示之塗層，將准許使用靜電力將基板320緊固至夾具，但其將不准許由靜電夾盤300產生之靜電場穿透基板320且延伸至鄰近於基板320之下表面的體積中。因此，靜電場將不能夠將彼體積中之微粒吸引至基板320之下表面的表面。
圖4B展示具有僅覆蓋基板320之上表面的部分以准許被電場通過之導電塗層330的基板320。在圖4B中，存在金屬塗佈之外部框架330，其不具有基板320之中心部分上表面中的導電薄膜。此區域可保持未塗佈，或可在中心部分中具備非導電膜(例如，Kapton®(聚(4,4'-氧二亞苯基-均苯四甲醯亞胺)))。導電塗層330之存在便於黏附基板320之上表面，而基板320之上表面之不具有導電塗層的部分將准許傳遞由靜電夾盤300產生之靜電場。
圖4C展示基板320之上表面之中心部分不具有導電塗層330的另一配置。又，此中心部分可不具有塗層或可具有非導電材料之塗層。圖4D展示基板320不具有塗層之配置。對於此基板320，由靜電夾盤300產生之靜電場將不使得基板322黏附於靜電夾盤300，以使得諸如安全掣子之補充夾持構件可用以將基板320緊固至靜電夾盤300。
圖5A係展示用於自接近靜電夾盤之面的體積移除微粒之程序的流程圖。在步驟S50中，將基板定位成鄰近於靜電夾盤，靜電夾盤在 圖中簡稱為夾盤。此時，可使用額外構件以將基板緊固至夾盤。在步驟S52中，向夾盤施加具有第一極性之第一電壓。在步驟S54中，向夾盤施加具有自第一極性反轉之第二極性的第二電壓。此第二電壓可具有與第一電壓之量值相同或不同的量值(相對於符號)。在步驟S56中，停止向夾盤施加電壓，且在步驟S58中，自夾盤移除基板。
圖5B係展示用於自接近靜電夾盤之面的體積移除微粒之另一程序的流程圖。如同結合圖5A描述之方法，在步驟S50中，將基板定位成鄰近於靜電夾盤。此時，可使用額外構件以將基板緊固至夾盤。在步驟S52中，向夾盤施加具有第一極性之第一電壓。在步驟S54中，向夾盤施加具有自第一極性反轉之第二極性的第二電壓。又，第二電壓可具有與第一電壓之量值相同或不同的量值。在步驟S60中，判定是否已應用預定數目個電壓反轉。若是，則在步驟S56中，停止向夾盤施加電壓且在步驟S58中，自夾盤移除基板。若否，則程序恢復至步驟S52。
圖5C係展示用於自接近靜電夾盤之面的體積移除微粒之另一程序的流程圖。如同上述方法，在步驟S50中將基板定位成鄰近於靜電夾盤。此時，可使用額外構件以將基板緊固至夾盤。在步驟S52中，向夾盤施加具有第一極性之第一電壓。在步驟S54中，向夾盤施加具有自第一極性反轉之第二極性的第二電壓。又，第二電壓可具有與第一電壓之量值相同或不同的量值。在步驟S62中，判定是否已移除足夠微粒。此可例如由感測器判定，該感測器感測微粒濃度或僅判定已經過之先驗地已知足以清潔足夠數目個微粒之體積的時間量，或先驗地已知足以清潔足夠數目個微粒之體積之已應用電壓反轉的數目。若是，則在步驟S56中，停止向夾盤施加電壓且在步驟S58中，自夾盤移除基板。若否，則程序恢復至 步驟S52。
在適當的位置清潔夾具前方之體積而不擾亂其中定位夾具的腔室中之真空的能力會避免停機時間。針對用於固持諸如倍縮光罩之圖案化器件的夾持結構且針對固持待處理晶圓之夾持結構，可實現起因於使用所揭示主題之優點。
如所展示，清潔基板320亦可包括將輔助保持微粒污染物之材料層340。在一個實例中，此類層可包括聚醯亞胺、Viton®、聚四氟乙烯(PTFE)、Kapton®及Teflon®。
一旦已自靜電夾盤300移除清潔基板320，則可清潔清潔基板320以移除已黏附於該清潔基板之微粒且接著再使用該清潔基板。
藉由在使電場延伸至鄰近於倍縮光罩之體積中之前使鄰近犧牲倍縮光罩之區域曝露於諸如EUV輻射之離子化輻射，可增強以上方法。此輻射可在微粒上置放電荷，因此相對於微粒電中性時增大電場將施加於微粒上之力的量。用以為微粒充電之其他方法包括使用電離單元或使用諸如由雷射施加之其他輻射。
以上描述作為實例係根據清除鄰近於清潔基板倍縮光罩(包括黏附至彼體積中之表面的微粒)的體積。極性切換亦增強夾具之面朝清潔基板之表面上之清潔基板的清潔效果。舉例而言，可自彼表面去除夾具之表面之瘤節之間的間隙中之微粒，且將該等微粒吸引至清潔基板之微粒將傾向於黏附於的表面。因此藉由執行至少一次極性開關來實現微粒移除。在初始極性(例如，正)下，將夾具/犧牲清潔倍縮光罩介面中之微粒吸引至夾具。當極性反轉(例如，反轉成負)時，微粒由相對極性排斥，且轉移至犧牲清潔倍縮光罩之面朝夾具的表面上。額外極性開關引起額外微粒 移除，此係因為微粒傾向於保持電荷且將繼續黏附於犧牲清潔倍縮光罩，而不論額外極性反轉。根據犧牲清潔倍縮光罩之外向表面，附接至犧牲清潔倍縮光罩之非導電表面的微粒將甚至在多次極性切換之後亦保持附接，且運用每次切換，將自鄰近於犧牲清潔倍縮光罩之體積的接地表面去除更多微粒。然而，極性切換之數目及/或執行時間極性切換之量無法過大，以使得犧牲倍縮光罩上之微粒失去其電荷且在接下來切換極性時移位或跳回至夾具或接地表面。
以上描述係根據將使用清潔倍縮光罩及倍縮光罩夾具之清潔基板用作實例，但一般技術者將易於顯而易見，本文中之教示可應用於EUV系統之其他部分。
可使用以下條項來進一步描述實施例：
1.一種裝置，其包含一載物台，其經調適以支撐一基板，及一電壓供應件，其電連接至該載物台且經調適以在該電壓供應件切換極性之一模式下操作。
2.如條項1之裝置，其中該載物台包含一靜電夾盤。
3.一種裝置，其包含一載物台；及一實質上平坦基板，其配置於該載物台上，該基板具有面朝該載物台之一第一表面及背對該載物台之一第二表面，該第一表面之至少一第一部分不具有一導電塗層且該第二表面之至少一第二部分不具有一導電塗層，該第一部分與該第二部分相對於彼此配置使得一電場可通過該基板。
4.如條項3之裝置，其中該載物台包含一靜電夾盤。
5.如條項4之裝置，其中該第一表面部分地覆蓋有一導電塗層。
6.如條項3之裝置，其進一步包含用於向該靜電夾盤施加一電壓且產生延伸經過該基板直至鄰近於該第二表面之一空間中之一電場的一電壓源。
7.如條項6之裝置，其中該電壓源經調適以使其輸出電壓之極***替。
8.如條項3之裝置，其中該基板由一非導電材料製成。
9.如條項3之裝置，其中該第一表面至少部分地塗佈有一非導電材料。
10.如條項3之裝置，其中該第二表面至少部分地塗佈有一非導電材料。
11.如條項10之裝置，其中該非導電材料包含Kapton。
12.如條項3之裝置，其中該第一表面或該第二表面兩者皆不包含具有導電材料之一塗層，且該裝置進一步包含用於將該基板緊固至該靜電夾盤之一機械夾具。
13.一種裝置，其包含一載物台；及一實質上平坦基板，其具有一第一表面及一第二表面，該基板置放於該載物台上使得該第一表面面朝該載物台且該第二表面背離該載物台，該第一表面之至少一第一部分不具有一導電塗層且該第二表面之至少一第二部分不具有一導電塗層，該第一部分與該第二部分相對於彼此配置使得一電場可通過該基板；及一電壓供應件，其電連接至該載物台且經調適以在該電壓供應件切 換極性以便將微粒吸引至該第二表面之一模式下操作。
14.如條項13之裝置，其中該載物台包含一靜電夾盤。
15.如條項13之裝置，其中該第一表面部分地覆蓋有一導電塗層。
16.如條項13之裝置，其中該第二表面至少部分地覆蓋有一非導電塗層。
17.如條項13之裝置，其中該電壓供應件經調適以產生延伸經過該基板直至鄰近於該第二表面之一空間體積中的一電場。
18.如條項13之裝置，其中該基板由一非導電材料製成。
19.如條項13之裝置，其中該第一表面至少部分地塗佈有一非導電材料。
20.如條項19之裝置，其中該非導電材料包含Kapton。
21.如條項13之裝置，其中該第一表面或該第二表面兩者皆不包含具有導電材料之一塗層，且該裝置進一步包含用於將該基板緊固至該靜電夾盤之一機械夾具。
22.一種方法，其包含以下步驟：提供一載物台；在該載物台上配置一實質上平坦基板，該基板具有一第一表面及一第二表面，該第一表面之至少一第一部分不具有一導電塗層且該第二表面之至少一第二部分不具有一導電塗層，該第一部分與該第二部分相對於彼此配置使得一電場可通過該基板；及以該電壓之一極性切換至少一次之一方式向該載物台及基板施加一電壓。
23.如條項22之方法，其中該載物台包含一靜電夾盤。
24.一種方法，其包含以下步驟：提供一載物台；在該載物台上配置一實質上平坦基板，使得該基板之一第一表面朝該載物台且該基板之一第二表面背離該載物台，該第一表面之至少一第一部分不具有一導電塗層且該第二表面之至少一第二部分不具有一導電塗層，該第一部分與該第二部分相對於彼此配置使得一電場可通過該基板；及藉由以該電壓之一極性切換至少一次之一方式向該載物台及基板施加一電壓來將微粒吸引至該第二表面。
25.如條項24之方法，其進一步包含該吸引步驟之前的為該等微粒充電之一步驟。
26.如條項25之方法，其中為該等微粒充電之該步驟包含使該等微粒曝露於離子化輻射。
27.如條項24之方法，其中該載物台包含一靜電夾盤。
28.一種方法，其包含以下步驟：提供一載物台；在該載物台上配置一實質上平坦基板，該基板具有面朝該載物台之一第一表面及背對該載物台之一第二表面，該第一表面之至少一第一部分不具有一導電塗層且該第二表面之至少一第二部分不具有一導電塗層，該第一部分與該第二部分相對於彼此配置使得一電場可通過該基板；及以一電場延伸經過該基板且延伸至鄰近於該第二表面之一空間中以朝向該第二表面在該空間中吸引微粒的一方式向該載物台及基板施加一電壓。
29.一種實質上平坦清潔基板，其包含非導電材料且具有一頂部實質上平坦表面及一底部實質上平坦表面，該頂部表面包含由包含一導電材料之一層覆蓋的至少一個第一區域及不由包含一導電材料之一層覆蓋的至少一個第二區域。
30.如條項29之實質上平坦清潔基板，其中該導電材料包含氮化鉻。
31.如條項29之實質上平坦清潔基板，其中該至少一個第二區域由一非導電材料層覆蓋。
32.如條項31之實質上平坦清潔基板，其中該非導電層包含聚(4,4'-氧二亞苯基-均苯四甲醯亞胺)。
33.如條項30之實質上平坦清潔基板，其包含該第二表面上之一非導電層。
34.如條項33之清潔基板，其中該非導電層包含經調適以保持撞擊於該非導電層上之微粒的一材料。
儘管在本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文中所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭等等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之內容背景中，可認為本文對術語「晶圓」之任何使用分別與更一般之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在例如塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文中所提及之基板。在適用情況下，可將本文中之揭示內容應用於此等及其他基板處理工具。此外，可將基板處理多於一次，例 如以便產生多層IC，使得本文所使用之術語「基板」亦可指已經含有多個經處理層之基板。
應瞭解，[實施方式]章節而非[發明內容]及[中文發明摘要]章節意欲用以解譯申請專利範圍。[發明內容]及[中文發明摘要]章節可闡述如由本發明者涵蓋之本發明之一或多個但並非所有例示性實施例，且因此，並不意欲限制以任何方式本發明及隨附申請專利範圍。
上文已憑藉說明特定功能及其關係的實施之功能建置區塊來描述本發明。為了便於描述，本文已任意地定義此等功能建置區塊之邊界。只要適當地執行指定功能及其關係，便可界定替代邊界。
對特定實施例之前述描述將充分地展現本發明之一般性質，使得在不脫離本發明之一般概念的情況下，其他人可藉由應用此項技術之技能範圍內之知識針對各種應用而容易地修改及/或調適此等特定實施例，而無需進行不當實驗。因此，基於本文中所呈現之教示及導引，此等調適及修改意欲在所揭示實施例之等效者的涵義及範圍內。應理解，本文中之措辭或術語係出於描述而非限制之目的，以使得本說明書之術語或措辭應由熟習此項技術者鑒於該等教示及該導引進行解譯。
300‧‧‧靜電夾盤
310‧‧‧瘤節
320‧‧‧基板
330‧‧‧第一塗層/導電塗層/金屬塗佈之外部框架
340‧‧‧塗層/材料層
350‧‧‧機械夾具
360‧‧‧微粒
370‧‧‧電壓源

Claims (21)

  1. 一種用於移除微粒之裝置，其包含：一靜電夾盤；一實質上平坦清潔基板，其配置於該靜電夾盤上，該基板具有面朝該靜電夾盤之一第一表面及背對該靜電夾盤之一第二表面，該第一表面之至少一第一部分不具有一導電塗層且該第二表面之至少一第二部分不具有一導電塗層，該第一部分與該第二部分相對於彼此配置使得一電場可通過該基板；及一電壓源，其經組態以用於向該靜電夾盤施加一電壓以產生該電場，其延伸經過該基板直至鄰近於該第二表面之一空間中以將微粒吸引至該清潔基板。
  2. 如請求項1之裝置，其中該第一表面部分地覆蓋有一導電塗層。
  3. 如請求項1之裝置，其中該電壓源經調適以使其輸出電壓之極***替。
  4. 如請求項1之裝置，其中該基板包含一非導電材料。
  5. 如請求項1之裝置，其中該第一表面至少部分地塗佈有一非導電材料。
  6. 如請求項1之裝置，其中該第二表面至少部分地塗佈有一非導電材料。
  7. 如請求項6之裝置，其中該非導電材料包含聚-氧二亞苯基-均苯四甲醯亞胺(poly-oxydiphenylene-pyromellitimide)。
  8. 如請求項6之裝置，其中該導電材料包含氮化鉻。
  9. 如請求項1之裝置，其中該第一表面或該第二表面兩者皆不包含具有導電材料之一塗層，且該裝置進一步包含用於將該基板緊固至該靜電夾盤之一機械夾具。
  10. 如請求項1之裝置，其中該電壓供應件切換極性以便將該等微粒吸引至該第二表面。
  11. 一種微影裝置，其包含：一照明系統，其經組態以產生一輻射光束；一圖案化器件，其經組態以圖案化該輻射光束；一投影系統，其經組態以投影該圖案化輻射光束；一靜電夾盤；一實質上平坦清潔基板，其配置於該靜電夾盤上，該基板具有面朝該靜電夾盤之一第一表面及背對該靜電夾盤之一第二表面，該第一表面之至少一第一部分不具有一導電塗層且該第二表面之至少一第二部分不具有 一導電塗層，該第一部分與該第二部分相對於彼此配置使得一電場可通過該基板；及一電壓源，其經組態以用於向該靜電夾盤施加一電壓以產生該電場，其延伸經過該基板直至鄰近於該第二表面之一空間中以將微粒吸引至該清潔基板。
  12. 如請求項11之微影裝置，其中該第一表面部分地覆蓋有一導電塗層。
  13. 如請求項11之微影裝置，其中該電壓源經調適以使其輸出電壓之極***替。
  14. 如請求項11之微影裝置，其中該基板包含一非導電材料。
  15. 如請求項11之微影裝置，其中該第一表面至少部分地塗佈有一非導電材料。
  16. 如請求項11之微影裝置，其中該第二表面至少部分地塗佈有一非導電材料。
  17. 如請求項16之微影裝置，其中該非導電材料包含聚-氧二亞苯基-均苯四甲醯亞胺。
  18. 如請求項11之微影裝置，其進一步包含：一機械夾具，其經組態以將該基板緊固至該靜電夾盤，其中該第一表面或該第二表面兩者皆不包含具有導電材料之一塗層。
  19. 一種用於移除微粒之方法，其包含：在一靜電夾盤上配置一實質上平坦清潔基板，該基板具有一第一表面及一第二表面，該第一表面之至少一第一部分不具有一導電塗層且該第二表面之至少一第二部分不具有一導電塗層，該第一部分與該第二部分相對於彼此配置使得一電場可通過該基板；及向該靜電夾盤及該清潔基板施加一電壓以產生一電場，該電場延伸經過該清潔基板且延伸至鄰近於該第二表面之一空間中以將微粒吸引至朝向該第二表面之該空間中。
  20. 如請求項19之方法，其中該電壓之一極性切換至少一次。
  21. 如請求項19之方法，其進一步包含使該等微粒曝露於離子化輻射。
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