TW201331721A - 清潔用於固持微影裝置中圖案化器件之支撐件 - Google Patents

Abstract

本發明描述清潔用於固持一微影裝置中之一圖案化器件之一支撐件(諸如，一夾盤之一夾持件)的方法及系統。該方法包括將一圖案化器件裝載至一微影裝置中。該圖案化器件包括黏附至該圖案化器件之一背側之一材料層。該方法進一步包括使用一外加電壓將該圖案化器件夾持至該微影裝置內之一支撐件。接著，將存在於該支撐件上之任何粒子轉移至黏附至該圖案化器件之該背側之該材料層。此後，自該支撐件移除該圖案化器件連同該材料層上之任何粒子。

Description

清潔用於固持微影裝置中圖案化器件之支撐件

本發明係關於用於清潔用以固持微影裝置中圖案化器件(例如，比例光罩或光罩)之諸如夾盤(例如，靜電夾盤)之夾持件之支撐件的方法及系統。

微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)之機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)製造中。在彼情況下，圖案化器件(其或者被稱作光罩或比例光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上之電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上而進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次地圖案化之鄰近目標部分。

微影被廣泛地認為是在IC以及其他器件及/或結構之製造中之關鍵步驟中的一者。然而，隨著使用微影所製造之特徵之尺寸變得愈來愈小，微影正變為用於使能夠製造小型IC或其他器件及/或結構之更具決定性之因素。

圖案印刷極限之理論估計可由瑞立(Rayleigh)解析度準則給出，如方程式(1)所示： 其中λ為所使用之輻射之波長，NA為用以印刷圖案之投影 系統之數值孔徑，k1為程序相依調整因數(亦被稱為瑞立常數)，且CD為經印刷特徵之特徵大小(或臨界尺寸)。自方程式(1)可見，可以三種方式來獲得特徵之最小可印刷大小之縮減：藉由縮短曝光波長λ、藉由增加數值孔徑NA，或藉由減低k1之值。

為了縮短曝光波長且因此縮減最小可印刷大小，已提議使用極紫外線(EUV)輻射源。EUV輻射為具有在5奈米至20奈米之範圍內(例如，在13奈米至14奈米之範圍內)之波長的電磁輻射。已進一步提議可使用具有小於10奈米(例如，在5奈米至10奈米之範圍內，諸如，6.7奈米或6.8奈米)之波長之EUV輻射。此輻射被稱為極紫外線輻射或軟x射線輻射。舉例而言，可能之源包括雷射產生電漿源、放電電漿源，或基於由電子儲存環提供之同步加速器輻射之源。

可使用電漿來產生EUV輻射。用於產生EUV輻射之輻射系統可包括用於激發燃料以提供電漿之雷射，及用於含有電漿之源收集器模組。可(例如)藉由將雷射光束引導於燃料(諸如，合適燃料材料(例如，錫，其當前被視為最有前途且因此很可能為用於EUV輻射源之燃料選擇)之小滴，或合適氣體或蒸汽(諸如，Xe氣體或Li蒸汽)之串流)處來創製電漿。所得電漿發射輸出輻射，例如，EUV輻射，該輻射係使用輻射收集器予以收集。輻射收集器可為鏡面式正入射輻射收集器，其接收輻射且將輻射聚焦成光束。源收集器模組可包括經配置以提供真空環境來支援電漿之圍封 結構或腔室。此輻射系統通常被稱為雷射產生電漿(LPP)源。在亦可使用雷射之用途之替代系統中，可由使用放電(放電產生電漿(DPP)源)而形成之電漿來產生輻射。

用於微影裝置中以在掃描階段時固持圖案化光罩之靜電夾盤(ESC)可變得受污染。此污染可自光罩轉移至ESC及自ESC轉移至光罩。該污染亦可起源於微影腔室自身。該污染會造成疊對誤差且因此造成電腦晶片不起作用。

通常，手動地清潔ESC。然而，當前清潔會留下極精細粒子殘餘物。手動清潔可僅移除直徑大於大約3微米之粒子。手動清潔需要將裝置排氣至大氣壓力且進行部分地拆卸，此情形又造成生產率損失。

用於現場清潔微影工具之ESC之目前先進技術為用特殊縮減微粒擦拭器進行之手動溶劑擦拭。沒有可能移除ESC來進行場外傳統濕式清潔，此係因為ESC電學地且機械地成為單體機器組件。

在半導體微影中，存在光罩具反射性且夾持至一表面的系統。此夾持表面必須清潔以便獲得合理之晶片生產良率。因此，使用者需要能夠在夾持件變得受污染時清潔夾持件。

需要預防或減輕在本文中抑或在別處識別之問題中至少一者，或需要提供現有裝置或方法之替代例。

根據本發明之一第一態樣，提供一種方法，該方法包括將一圖案化器件裝載至一微影裝置中。該圖案化器件包括 黏附至該圖案化器件之一背側之一材料層。該方法進一步包括使用一外加電壓將該圖案化器件夾持至該微影裝置內之一支撐件。接著，將存在於該支撐件上之任何粒子轉移至黏附至該圖案化器件之該背側之該材料層。此後，自該支撐件移除該圖案化器件連同該材料層上之任何粒子。

根據本發明之一第二態樣，提供一種用於清除一微影裝置內之一支撐件之一表面之污染物的方法。該方法包括將一晶圓之至少一部分裝載至該微影裝置中。該方法進一步包括使用一外加電壓將一晶圓之該至少一部分夾持至該支撐件。在該夾持期間將該等污染物轉移至一晶圓之該至少一部分。該方法接著涉及自該支撐件移除一晶圓之該至少一部分連同該等污染物。

根據本發明之一第三態樣，提供一種微影裝置，該微影裝置包括：一照明系統，其經組態以調節一輻射光束；一支撐件，其經建構以固持一圖案化器件，該圖案化器件能夠在該輻射光束之橫截面中向該輻射光束賦予一圖案以形成一經圖案化輻射光束；一基板台，其經建構以固持一基板；及一投影系統，其經組態以將該經圖案化輻射光束投影至該基板之一目標部分上。該微影裝置進一步包括一清潔系統，該清潔系統用於清潔該支撐件且具有在該圖案化器件之一背側上之一材料層。該第一材料稍後在該支撐件固持該圖案化器件時吸引存在於該支撐件與該圖案化器件之間的任何粒子。

根據本發明之一第四態樣，提供一種供一微影裝置中使 用之粒子清潔系統。該粒子清潔系統包含一第一圖案化器件或以該第一圖案化器件之形狀而塑形之一基板。該第一圖案化器件或該基板之一背側包括一材料層，該材料層安置於該背側上且經設計成清潔一支撐件之一表面，使得該支撐件固持一第二圖案化器件。該第二圖案化器件能夠在一輻射光束之橫截面中向該輻射光束賦予一圖案以形成一經圖案化輻射光束。該材料層經設計成黏附或吸收存在於該支撐件之該表面上之任何粒子。

下文參看隨附圖式詳細地描述本發明之另外特徵及優點，以及本發明之各種實施例之結構及操作。應注意，本發明不限於本文所描述之特定實施例。本文僅出於說明性目的而呈現此等實施例。基於本文所含有之教示，額外實施例對於熟習相關技術者將係顯而易見的。

併入本文中且形成本說明書之部分的隨附圖式說明本發明，且連同[實施方式]進一步用以解釋本發明之原理，且使熟習相關技術者能夠進行及使用本發明。

本發明之特徵及優點已自下文在結合圖式時所闡述之[實施方式]變得更顯而易見，在該等圖式中，類似元件符號始終識別對應元件。在該等圖式中，類似元件符號通常指示等同、功能上相似及/或結構上相似之元件。一元件第一次出現時之圖式係由對應元件符號中之最左側數位指示。

本說明書揭示併入本發明之特徵之一或多個實施例。所 揭示實施例僅僅例示本發明。本發明之範疇不限於所揭示實施例。本發明係由附加於此處之申請專利範圍界定。

所描述之實施例及在本說明書中對「一實施例」、「一實例實施例」等等之參考指示所描述實施例可包括一特定特徵、結構或特性，但每一實施例可能未必包括該特定特徵、結構或特性。此外，此等片語未必指代同一實施例。另外，當結合一實施例來描述一特定特徵、結構或特性時，應理解，無論是否予以明確地描述，結合其他實施例來實現此特徵、結構或特性均係在熟習此項技術者之認識範圍內。

本發明之實施例可以硬體、韌體、軟體或其任何組合予以實施。本發明之實施例亦可被實施為儲存於機器可讀媒體上之指令，該等指令可由一或多個處理器讀取及執行。機器可讀媒體可包括用於儲存或傳輸呈可由機器(例如，計算器件)讀取之形式之資訊的任何機構。舉例而言，機器可讀媒體可包括：唯讀記憶體(ROM)；隨機存取記憶體(RAM)；磁碟儲存媒體；光學儲存媒體；快閃記憶體器件；電學、光學、聲學或其他形式之傳播信號(例如，載波、紅外線信號、數位信號，等等)；及其他者。另外，韌體、軟體、常式、指令可在本文中被描述為執行某些動作。然而，應瞭解，此等描述僅僅係出於方便起見，且此等動作事實上係由計算器件、處理器、控制器或執行韌體、軟體、常式、指令等等之其他器件引起。

然而，在更詳細地描述此等實施例之前，有指導性的是 呈現可供實施本發明之實施例的實例環境。

圖1示意性地展示根據本發明之一實施例的包括源收集器模組SO之微影裝置LAP。該裝置包含：照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，EUV輻射)；支撐結構(例如，光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如，光罩或比例光罩)MA，且連接至經組態以準確地定位該圖案化器件之第一***PM；基板台(例如，晶圓台)WT，其經建構以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓)W，且連接至經組態以準確地定位該基板之第二***PW；及投影系統(例如，反射投影系統)PS，其經組態以將由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包含一或多個晶粒)上。

照明系統可包括用於引導、塑形或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。

支撐結構MT以取決於圖案化器件MA之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如，該圖案化器件是否被固持於真空環境中)的方式來固持該圖案化器件。支撐結構可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術以固持圖案化器件。支撐結構可為(例如)框架或台，其可根據需要而固定或可移動。支撐結構可確保圖案化器件(例如)相對於投影系統處於所要位置。

術語「圖案化器件」應被廣泛地解釋為指代可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標 部分中創製圖案的任何器件。被賦予至輻射光束之圖案可對應於目標部分中所創製之器件(諸如，積體電路)中之特定功能層。

圖案化器件可為透射的或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影中為吾人所熟知，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中每一者可個別地傾斜，以便在不同方向上反射入射輻射光束。傾斜鏡面在由鏡面矩陣反射之輻射光束中賦予圖案。

類似於照明系統，投影系統可包括適於所使用之曝光輻射或適於諸如真空之使用之其他因素的各種類型之光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。可需要將真空用於EUV輻射，此係因為氣體可能吸收過多輻射。因此，可憑藉真空壁及真空泵而將真空環境提供至整個光束路徑。

如此處所描繪，裝置為反射類型(例如，使用反射光罩)。

微影裝置可為具有兩個(雙載物台)或兩個以上基板台(及/或兩個或兩個以上光罩台)之類型。在此等「多載物台」機器中，可並行地使用額外台，或可在一或多個台上進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。

參看圖1，照明器IL自源收集器模組SO接收極紫外線輻射光束。用以產生EUV光之方法包括(但未必限於)用在 EUV範圍內之一或多種發射譜線將具有至少一元素(例如，氙、鋰或錫)之材料轉換成電漿狀態。在一種此類方法(常常被稱作雷射產生電漿「LPP」)中，可藉由用雷射光束來輻照燃料(諸如，具有所需譜線發射元素之材料小滴、串流或叢集)而產生所需電漿。源收集器模組SO可為包括雷射(圖1中未繪示)之EUV輻射系統之部件，該雷射用於提供雷射光束且激發燃料。所得電漿發射輸出輻射，例如，EUV輻射，該輻射係使用安置於源收集器模組中之輻射收集器予以收集。舉例而言，當使用CO₂雷射以提供用於燃料激發之雷射光束時，雷射與源收集器模組可為分離實體。

在此等狀況下，不認為雷射形成微影裝置之部件，且輻射光束係憑藉包含(例如)合適引導鏡面及/或光束擴展器之光束遞送系統而自雷射傳遞至源收集器模組。在其他狀況下，舉例而言，當源為放電產生電漿EUV產生器(常常被稱作DPP源)時，源可為源收集器模組之整體部件。

照明器IL可包含用於調整輻射光束之角強度分佈之調整器。通常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。另外，照明器IL可包含各種其他組件，諸如，琢面化場鏡面器件及琢面化光瞳鏡面器件。照明器可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。

輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，光罩台)MT 上之圖案化器件(例如，光罩)MA上，且係由該圖案化器件圖案化。在自圖案化器件(例如，光罩)MA反射之後，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二***PW及位置感測器PS2(例如，干涉量測器件、線性編碼器或電容性感測器)，可準確地移動基板台WT，例如，以便使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。相似地，第一***PM及另一位置感測器PS1可用以相對於輻射光束B之路徑來準確地定位圖案化器件(例如，光罩)MA。可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件(例如，光罩)MA及基板W。

所描繪裝置可用於以下模式中至少一者中：

1.在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使支撐結構(例如，光罩台)MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。

2.在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描支撐結構(例如，光罩台)MT及基板台WT(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於支撐結構(例如，光罩台)MT之速度及方向。

3.在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使支撐結構(例如，光罩台)MT保持基 本上靜止，從而固持可程式化圖案化器件，且移動或掃描基板台WT。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT之每一移動之後或在一掃描期間之順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件(諸如，上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。

亦可使用對上文所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同之使用模式。

圖2更詳細地展示微影裝置LAP，其包括源收集器模組SO、照明系統IL及投影系統PS。源收集器模組SO經建構及配置成使得可將真空環境維持於該源收集器模組之圍封結構2中。

雷射4經配置以經由雷射光束6而將雷射能量沈積至自燃料供應件8(有時被稱作燃料串流產生器)提供之燃料(諸如，氙(Xe)、錫(Sn)或鋰(Li))中。錫或另一熔融金屬或金屬間化合物(最可能呈小滴形式)當前被視為最有前途且因此很可能為用於UEV輻射源之燃料選擇。雷射能量至燃料中之沈積會在電漿形成部位12處創製具有數十電子伏特(eV)之電子溫度之高度離子化電漿10。在此等離子之去激發及再結合期間所產生之高能輻射係自電漿10發射、由近正入射輻射收集器14收集及聚焦。雷射4及燃料供應件8(及/或收集器14)可一起被認為包含輻射源，尤其是EUV輻射源。EUV輻射源可被稱作雷射產生電漿(LPP)輻射源。

可提供第二雷射(圖中未繪示)，第二雷射經組態以在雷射光束6入射於燃料上之前預加熱燃料。使用此途徑之LPP源可被稱作雙雷射脈動(dual laser pulsing,DLP)源。

儘管圖中未繪示，但燃料串流產生器將包含或結合經組態以沿著朝向電漿形成部位12之軌跡引導燃料小滴串流之噴嘴。

由輻射收集器14反射之輻射B聚焦於虛擬源點16處。虛擬源點16通常被稱作中間焦點，且源收集器模組SO經配置成使得中間焦點16位於圍封結構2中之開口18處或附近。虛擬源點16為輻射發射電漿10之影像。

隨後，輻射B橫穿照明系統IL，照明系統IL可包括琢面化場鏡面器件20及琢面化光瞳鏡面器件22，琢面化場鏡面器件20及琢面化光瞳鏡面器件22經配置以提供在圖案化器件MA處輻射光束B之所要角分佈，以及在圖案化器件MA處輻射強度之所要均一性。在由支撐結構MT固持之圖案化器件MA處輻射光束之反射後，隨即形成經圖案化光束24，且由投影系統PS將經圖案化光束24經由反射元件26、28而成像至由晶圓載物台或基板台WT固持之基板W上。

通常，比所示元件多之元件可存在於照明系統IL及投影系統PS中。此外，可存在比諸圖所示之鏡面多的鏡面，舉例而言，在投影系統PS中可存在比圖2所示之反射元件多1至6個的額外反射元件。

圖3A及圖3B分別展示圖案化器件302之俯視圖及側視圖。在一實例中，圖案化器件為光罩，諸如，具有經圖案 化元件陣列之反射光罩。

在一實施例中，圖案化器件302包括施加至圖案化器件302之背側之第一材料層304。圖案化器件之背側可為夾持至夾盤以便被固持於微影裝置內之適當位置中之側。在一實例中，圖案化器件之背側係與圖案化器件之經圖案化側相對。經圖案化側亦可包括反射元件陣列。

根據一實施例，第一材料層304為軟於圖案化器件302之材料的材料。舉例而言，第一材料層304可包括聚合物材料，或各種聚合物及/或共聚物之組合。可黏附至圖案化器件302之背側之材料實例包括聚醯亞胺、Viton®、PTFE(聚四氟乙烯)，或任何其他含氟聚合物材料。

或者，第一材料層304可包含黏性材料，使得黏性材料層黏附至圖案化器件302之背側。任何市售膠黏劑可用作黏性材料，只要該膠黏劑不污染環境且在黏附至一物件後即不會在該物件上留下任何殘餘物即可。

圖4說明根據一實施例的包括夾盤402及夾持結構404之支撐件400。支撐件400經設計成將圖案化器件302固持於(例如)微影裝置內之適當位置中。在一實施例中，夾持結構404包括複數個瘤節406。瘤節406之表面在夾持程序期間實體地接觸圖案化器件302或第一材料層304。儘管圖案化器件302之機械夾持係可能的，但在一實施例中，夾持結構404為靜電夾持件(ESC)。因而，可將電壓施加至靜電夾持件以將圖案化器件302固持於適當位置中。

圖4中亦說明在夾持結構404之表面上之各種粒子或污染 物。舉例而言，粒子408可存在於瘤節406之間的夾持結構404之表面上，而另一粒子410可存在於瘤節406之表面上。如先前所提及，當執行任何類型之微影程序時，存在於圖案化器件302與夾持結構404之間的任何粒子可造成未對準及其他圖案化缺陷。諸如粒子410之粒子可尤其麻煩，此係因為其存在於與圖案化器件302進行直接接觸之表面(例如，瘤節406)上。

如本文所描述之實施例可用於包括於極紫外線(EUV)微影器件中之許多不同微影工具中之污染清潔。具反射性質之EUV光罩極易遭受污染，且難以使用手動程序進行清潔。

圖5A至圖5C說明根據一實施例的粒子移除程序。展示包括夾盤402及其關聯夾持器件404之支撐件400連同分離圖案化器件302及其關聯第一材料層304的側視圖。另外，在夾持器件404之瘤節406上說明需要移除之粒子(例如，粒子410)。在圖5A中，使圖案化器件302準備好經由夾持結構404而夾持至支撐件400。

現在轉至圖5B，將圖案化器件304經由夾持器件404而夾持至支撐件400。在一實施例中，將圖案化器件304靜電地夾持至支撐件400。粒子410被展示為包夾於瘤節406與圖案化器件302之背側上之第一材料層304之間。在一實例中，第一材料層304之相對軟度及/或刻花表面造成粒子410變得由第一材料層304截留或「夾緊」。在另一實例中，用以將圖案化器件302靜電地夾持至支撐件400之外加 電壓造成粒子410與第一材料層304之間的吸引。

現在轉至圖5C，自夾持結構404移除圖案化器件302。在一實例中，可歸因於關斷至夾持器件404之外加電壓而發生移除。粒子410被說明為歸因於圖案化器件302之背側上之第一材料層304而亦自夾持結構404移除。在一實施例中，圖5A至圖5C所說明之動作中每一者可在(例如)微影裝置內自動地執行。因此，可在無需手動地清潔支撐件400的情況下執行清潔程序。手動地清潔(例如)微影裝置內之支撐件400將會需要對該裝置進行排氣及/或拆卸。應理解，雖然僅一個粒子410被說明為予以移除，但可使用如上文所示及描述之程序來一次性移除任何數目個粒子。另外，可將該程序重複多達所需次數以繼續自夾持結構404之表面移除任何另外污染物。在一實例中，使圖案化器件302在各種夾持動作之間側向地移位，使得第一材料層304之「新鮮」部分在每一夾持步驟期間曝光至瘤節406。

一旦已自夾持結構404移除粒子，就可移除圖案化器件302以在其夾持回至支撐件400之前使粒子自該圖案化器件被清除。在另一實例中，可將第二圖案化器件裝載及夾持至夾持結構404，夾持結構404之表面先前已由第一圖案化器件清潔。亦應理解，圖案化器件302可為僅用於在實際圖案化器件被裝載之前清除夾持結構404之粒子的消耗性單元。

在一實施例中，第一材料層304不會自(例如)溶劑留下 任何殘餘物。沒有留下任何殘餘物會有助於在支撐件400上維持清潔夾持表面。

表1提供與針對各種材料及針對圖5A至圖5C所說明之各種靜電夾持回合之粒子轉移速率有關的資料。在夾持程序期間所施加之電壓為1600伏特。

在此實例中，在圖案化器件之背側上使用聚醯亞胺層之後，ESC之粒子轉移速率顯著地減低。粒子轉移速率之減低表明：ESC已由聚醯亞胺層更有效地清潔。圖6中將此資料亦說明為曲線圖。

可預期用於確保第一材料層304與夾持結構404上之每一瘤節406進行接觸之各種技術。若未均一地進行接觸，則粒子轉移程序將較不有效率。

在一實例中，基於待用於工具中之清潔方法來選擇所要平坦度規格，例如，黏附至圖案化器件302之背側之材料的所要平坦度(不管是否使用靜電夾持件)。在大多數狀況下，此情形將要求在圖案化器件302擱置於底板上時第一材料層304之頂部清潔表面實質上平坦。為了達成此平坦度，可使用Burl Top IBF中使用之相同方法。在一實施例中，用干涉計產生頂部表面之高度圖，繼之以使用蝕刻介 質來蝕刻高斑點。在另一實施例中，因為第一清潔層304之一些所提議實例為聚合物，所以該蝕刻係用反應性離子或通過合適移動孔隙之基礎濺鍍蝕刻予以執行。在又一實施例中，至濕式蝕刻劑之經仔細定時曝光可用以使第一清潔層304之表面平滑。

圖7說明圖案化器件302之另一實施例，圖案化器件302包括介於第一材料層304與圖案化器件302之背側表面之間的第二材料層702。在一實例中，第二材料層為薄發泡體層。發泡體層可在清潔層下方表現得像彈簧床且將清潔層推動成與瘤節406接觸。在一實施例中，電極層(圖中未繪示)可安置於第一材料層304與第二材料層702之間，使得當將電壓施加至夾持結構404時，準自由浮動第一材料層304被吸引至夾持件且與所有瘤節406進行均勻接觸。電極層可包括任何數目個個別電極，或經設計為橫越第一材料層304與第二材料層702之間的邊界之均一導電表面。

圖8說明圖案化器件302之另一實施例，圖案化器件302包括可撓性層802以與夾持結構404之瘤節406進行接觸。在一實例中，可撓性層802包括諸如Kapton®或Teflon®之材料。可撓性層802可使用黏接劑而黏附至圖案化器件302之背側表面。然而，在一實施例中，黏接劑經設計為在可撓性層802下方非連續，而是位於離散點處，使得可撓性層802在該等離散點之間具有撓曲自由，如圖8所說明。舉例而言，黏接劑斑點804a及804b可置放於圖案化器件302之背側表面上以在彼等點處錨定可撓性層802。黏接劑斑 點804a及804b可位於超出如圖所示之夾持結構404之範圍的位置處，或至少位於不與瘤節406對準之位置處。在一實施例中，可撓性層802在其底側(亦即，背對夾持結構406)上包括導電層(圖中未繪示)。可使用如圖8所說明之圖案化器件302來執行與圖5A至圖5C所說明之程序相似的程序以清除夾持結構404之表面之粒子。在一實施例中，將電壓施加至夾持結構404會向上拖曳可撓性層802且將可撓性層802拖曳成與瘤節406接觸。藉由管理可撓性層802及在可撓性層802後方之電極層(若存在)之導電性，在移除或反轉施加至夾持結構404之電壓之後，可經由粒子朝向可撓性膜802之表面之靜電吸引而增強粒子截留效率。

圖9說明圖案化器件302之另一實施例，圖案化器件302具有與黏接劑斑點904a及904b接觸之可撓性層902。在此實例中，隨著圖案化器件302夾持至支撐件400，每一黏接劑斑點係與在其對面之一瘤節406對準。可撓性膜902經拉伸成橫越黏接劑斑點904a及904b實質上平坦，以便與每一瘤節406進行接觸。

圖10說明圖案化器件302之另一實施例，圖案化器件302包括一可撓性層1002及複數個離散黏接劑斑點1004。在此實例中，每一黏接劑斑點1004位於瘤節406之間。在瘤節406之間置放黏接劑斑點會在每一瘤節406下方之可撓性層1002中創製微小的蹦床狀區域。黏接劑可向下以柵格圖案而沈積，或者沈積為離散圓點，使得可撓性層1002之每一區域可在靜電力下足夠撓曲以與其關聯瘤節406接觸。

應理解，對於圖8至圖10所說明之實施例中每一者，可在不脫離實施例之精神或範疇的情況下以多種方式變更瘤節及黏接劑區之圖案。舉例而言，瘤節可為離散區域而非軌道，在此狀況下，黏接劑區可包括在瘤節之間放下之膠黏劑軌道。在另一實例中，黏接劑區可為在瘤節軌道之間放下或遍及瘤節軌道而十字交叉之膠黏劑軌道。

亦可經由***被重複地夾持及鬆開之消耗性物件(諸如，矽晶圓或晶圓碎片)而達成諸如ESC之夾持結構之粒子的清除。矽晶圓之導電性允許晶圓經由外加電壓而夾持至ESC。此外，可將矽晶圓切割成相似於待與同一ESC一起使用之圖案化器件之尺寸的尺寸(例如，X尺寸及Y尺寸)。因此，矽晶圓提供用於自ESC表面機械地移除粒子及其他污染物的便宜且拋棄式之解決方案。圖11及圖12說明可如何以與裝載圖案化器件相同或相似之方式來裝載矽晶圓之實例。

圖11說明如何將圖案化器件302引入至(例如)微影裝置內之夾持結構404之實例。圖案化器件302置放於光罩固持器或盒罐1102上。通常，圖案化器件302停置於一或多個凸起特徵1106上以保護圖案化器件302之經圖案化表面1108。處置器臂1104用以輸送具有圖案化器件302之盒罐1102且使圖案化器件302之背側與夾持結構404接觸。在一實例中，夾持結構404為靜電夾持件(ESC)。亦說明用於將電壓(通常高於1000伏特)提供至ESC之高電壓電力供應器1110。在一些實施例中，可存在第二高電壓電力供應器 1112。圖案化器件302可在其結構內包括各種層，諸如，導電背側、非導電(介電)基板、吸收器層、多層反射器，及具有電路框架之電路層。

圖12說明根據一實施例的使用刮痕基板1202以代替圖案化器件302來夾持至夾持結構404。在一實例中，刮痕基板1202為矽晶圓或矽晶圓之至少一部分。其他半導電或導電材料可被認為亦用於刮痕基板1202。如該圖所說明，刮痕基板1202可置放於盒罐1102上且在與圖案化器件302實質上相同的Z高度處與夾持結構404交會。

在一實施例中，刮痕基板1202可靜電地夾持至夾持結構404(例如，ESC)達一或多次以幫助自夾持結構404移除任何粒子或其他污染物。所存在之任何粒子將在夾持程序期間轉移至刮痕基板1202。在一實施例中，刮痕基板1202在每一夾持動作之間側向地移位以確保刮痕基板1202之清潔表面在每一夾持步驟期間與夾持結構404之各種瘤節406接觸。可用條碼、對準標記或任何其他有區別特徵來刻記或印刷刮痕基板1202，使得光罩處置系統可將刮痕基板1202感知為待裝載光罩。此後，可自裝置移除刮痕基板1202，且隨後可將圖案化器件302夾持至夾持結構404之清潔表面。

在一實例中，刮痕基板1202經塗佈有用以幫助移除夾持污染物之層。此等層之實例可包括聚醯亞胺、Viton®、PTFE(聚四氟乙烯)、Kapton®，及Teflon®。

用以生產、清潔及量測晶圓之技術為熟習此項技術者所 瞭解。晶圓比光罩便宜若干數量級。儘管存在經設計成清潔晶圓夾盤之現有以晶圓為基礎之產品，但此等產品經調整(例如，切割)成適於用作經適當設計盒罐中之「偽光罩」之形狀。

圖13說明根據一實施例的描繪用於將圖案化器件黏附至微影裝置中之支撐件之方法1300的流程圖。圖7至圖10所說明之圖案化器件302之各種實施例可用於方法1300中以將粒子轉移至置放於圖案化器件302之背側上之材料。應瞭解，方法1300可不包括所有所示操作，或不以所示次序來執行該等操作。

方法1300始於步驟1302，其中將圖案化器件裝載至微影裝置中。可使用諸如圖11所說明之盒罐1104之盒罐來裝載圖案化器件。在一實施例中，圖案化器件包括黏附至圖案化器件之背側之第一材料層。第一材料層可為聚合物材料，例如，聚醯亞胺、Viton®，或PTFE(聚四氟乙烯)。

在步驟1304處，使用外加電壓將圖案化器件夾持至支撐件。因而，支撐件可包含靜電夾盤(ESC)。

在步驟1306處，將存在於支撐件上之任何粒子轉移至圖案化器件之背側。在一實施例中，將粒子轉移至圖案化器件之背側上之第一材料層。外加電壓可用以歸因於靜電相互作用而幫助朝向第一材料層來驅動粒子。

在步驟1308處，自支撐件移除圖案化器件連同圖案化器件上之任何粒子。可自微影裝置進一步移除圖案化器件，或在其他實施例中，可將圖案化器件重新夾持至支撐件以 繼續將粒子轉移至圖案化器件之背側上之第一材料層。

方法1300亦可包括除了上文所描述之步驟以外的其他步驟。舉例而言，方法1300可包括蝕刻第一材料層以增加第一材料層之平坦度。在另一實例中，方法1300包括將第二材料層安置於第一材料層與圖案化器件之背側之間。另外，方法1300可包括有關執行微影程序之步驟，諸如，經由支撐件上之圖案化器件而將圖案賦予至輻射光束，及將經圖案化輻射光束投影至基板之目標部分上。

圖14說明根據一實施例的描繪用於清除微影裝置內之支撐件之污染物之方法1400的流程圖。圖12所說明之實施例可用於方法1400中以將粒子自支撐件轉移至刮痕基板1202。應瞭解，方法1400可不包括所有所示操作，或不以所示次序來執行該等操作。

方法1400始於步驟1402，其中將晶圓之至少一部分引入至微影裝置中。可使用諸如圖12所說明之盒罐1104之盒罐來裝載晶圓之至少一部分。在一實施例中，晶圓之至少一部分包括黏附至一個側之第一材料層。第一材料層可為(例如)聚醯亞胺、Viton®、PTFE(聚四氟乙烯)、Kapton®，或Teflon®。

在步驟1404處，使用外加電壓將晶圓之至少一部分夾持至支撐件。因而，支撐件可包含靜電夾盤(ESC)。

在步驟1406處，將存在於支撐件上之任何粒子轉移至晶圓之至少一部分。在一實施例中，將粒子轉移至晶圓之至少一部分之一個側上之第一材料層。外加電壓可用以歸因 於靜電相互作用而幫助朝向第一材料層來驅動粒子。

在步驟1408處，自支撐件移除晶圓之至少一部分連同任何污染物。可自微影裝置進一步移除晶圓之至少一部分，或在其他實施例中，可將晶圓之至少一部分重新夾持至支撐件以繼續將粒子轉移至晶圓之至少一部分(或晶圓之至少一部分之一個側上之第一材料層。

方法1400亦可包括除了上文所描述之步驟以外的其他步驟。舉例而言，方法1400可包括在自支撐件移除晶圓之至少一部分之後將圖案化器件引入至支撐件。圖案化器件以及晶圓之至少一部分可各自具有面對支撐件之表面的表面之實質上相同表面積。

儘管在本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如，製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之內容背景中，可認為本文對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更通用之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文所提及之基板。適用時，可將本文之揭示內容應用於此等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理一次以上，例如，以便創製多層IC，使得本文所使用之術語「基板」亦可指代已經含有多個經處理層之基板。

術語「透鏡」在內容背景允許時可指代各種類型之光學組件中任一者或其組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。

雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。以上描述意欲為說明性的而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離以下申請專利範圍之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。

應瞭解，[實施方式]章節而非[發明內容]及[中文發明摘要]章節意欲用以解釋申請專利範圍。[發明內容]及[中文發明摘要]章節可闡述如由本發明之發明人所預期的本發明之一或多個而非所有例示性實施例，且因此，不意欲以任何方式來限制本發明及附加申請專利範圍。

上文已憑藉說明指定功能及其關係之實施之功能建置區塊來描述本發明。為了便於描述，本文任意地界定此等功能建置區塊之邊界。只要適當地執行指定功能及該等功能之關係，便可界定替代邊界。

特定實施例之前述描述將充分地揭露本發明之一般性質，使得在不脫離本發明之一般概念的情況下，其他人可藉由應用熟習此項技術者之認識針對各種應用而易於修改及/或調適此等特定實施例，而無不當實驗。因此，基於本文所呈現之教示及指導，此等調適及修改意欲係在所揭示實施例之等效者的涵義及範圍內。應理解，本文之措辭或術語係出於描述而非限制之目的，使得本說明書之術語 或措辭待由熟習此項技術者按照該等教示及該指導進行解釋。

本發明之廣度及範疇不應受到上述例示性實施例中任一者限制，而應僅根據以下申請專利範圍及其等效者進行界定。

2‧‧‧圍封結構

4‧‧‧雷射

6‧‧‧雷射光束

8‧‧‧燃料供應件

10‧‧‧高度離子化電漿/輻射發射電漿

12‧‧‧電漿形成部位

14‧‧‧近正入射輻射收集器

16‧‧‧虛擬源點/中間焦點

18‧‧‧開口

20‧‧‧琢面化場鏡面器件

22‧‧‧琢面化光瞳鏡面器件

24‧‧‧經圖案化光束

26‧‧‧反射元件

28‧‧‧反射元件

302‧‧‧圖案化器件

304‧‧‧第一材料層/第一清潔層

400‧‧‧支撐件

402‧‧‧夾盤

404‧‧‧夾持結構/夾持器件

406‧‧‧瘤節

408‧‧‧粒子

410‧‧‧粒子

702‧‧‧第二材料層

802‧‧‧可撓性層/可撓性膜

804a‧‧‧黏接劑斑點

804b‧‧‧黏接劑斑點

902‧‧‧可撓性層/可撓性膜

904a‧‧‧黏接劑斑點

904b‧‧‧黏接劑斑點

1002‧‧‧可撓性層

1004‧‧‧離散黏接劑斑點

1102‧‧‧光罩固持器/盒罐

1104‧‧‧處置器臂

1106‧‧‧凸起特徵

1108‧‧‧經圖案化表面

1110‧‧‧高電壓電力供應器

1112‧‧‧第二高電壓電力供應器

1202‧‧‧刮痕基板

B‧‧‧輻射光束/輻射

C‧‧‧目標部分

IL‧‧‧照明系統/照明器

LAP‧‧‧微影裝置

M1‧‧‧光罩對準標記

M2‧‧‧光罩對準標記

MA‧‧‧圖案化器件

MT‧‧‧支撐結構

P1‧‧‧基板對準標記

P2‧‧‧基板對準標記

PM‧‧‧第一***

PS‧‧‧投影系統

PS1‧‧‧位置感測器

PS2‧‧‧位置感測器

PW‧‧‧第二***

SO‧‧‧源收集器模組

W‧‧‧基板

WT‧‧‧基板台

圖1展示根據本發明之一實施例的微影裝置。

圖2為根據一實施例的圖1之裝置之更詳細視圖，其包括LPP源收集器模組。

圖3A及圖3B說明根據一實施例的施加至圖案化器件之背側之第一材料層的俯視圖及側視圖。

圖4說明根據一實施例的夾持結構表面。

圖5(包括圖5A至圖5C)說明根據一實施例的粒子移除程序。

圖6說明粒子轉移速率之曲線圖，其展示聚醯亞胺膜之影響。

圖7至圖10說明根據實施例的用於將第一材料層施加至圖案化器件之背側之各種組態。

圖11及圖12說明根據實施例的圖案化器件及夾持結構之不同組態、配置及模式。

圖13及圖14說明根據實施例的實例方法。

302‧‧‧圖案化器件

304‧‧‧第一材料層/第一清潔層

402‧‧‧夾盤

404‧‧‧夾持結構/夾持器件

406‧‧‧瘤節

410‧‧‧粒子

Claims (29)

1. 一種自一微影裝置內之一支撐件之一表面移除粒子的方法，該方法包含：將一圖案化器件裝載至該微影裝置中，該圖案化器件包括黏附至該圖案化器件之一背側之一材料層；使用一外加電壓將該圖案化器件夾持至該微影裝置內之該支撐件；將該支撐件上之任何粒子轉移至黏附至該圖案化器件之該背側之該材料層以清潔該支撐件；及自該支撐件移除該圖案化器件連同該材料層上之任何粒子。
2. 如請求項1之方法，其中該材料層為一聚合材料。
3. 如請求項2之方法，其中該聚合材料為聚醯亞胺或任何含氟聚合物。
4. 如請求項1之方法，其中使該裝載、該夾持及該移除各自自動化。
5. 如請求項1之方法，其中該圖案化器件包含一反射光罩。
6. 如請求項5之方法，其中該支撐件包含一靜電夾盤。
7. 如請求項1之方法，其中該材料層包含一經蝕刻表面以增加該材料層之一平坦度。
8. 如請求項7之方法，其中使用反應性離子蝕刻或離子束定形來蝕刻該材料層之該表面。
9. 如請求項7之方法，其中使用濕式蝕刻劑材料來蝕刻該材料層之該表面。
10. 一種用於清除一微影裝置內之一支撐件之一表面之污染物的方法，該方法包含：將一晶圓之至少一部分裝載至該微影裝置中；使用一外加電壓將一晶圓之該至少一部分夾持至該支撐件；在該夾持期間將污染物自該支撐件轉移至一晶圓之該至少一部分；及自該支撐件移除一晶圓之該至少一部分連同該等污染物。
11. 如請求項10之方法，其進一步包含在該自該支撐件移除一晶圓之該至少一部分連同該等污染物之後將一圖案化器件裝載至該支撐件。
12. 如請求項11之方法，其中一晶圓之該至少一部分及該圖案化器件具有面對該支撐件之該表面的一表面之實質上相同表面積。
13. 如請求項10之方法，其中一晶圓之該至少一部分包括黏附至一晶圓之該至少一部分之一表面的一材料層，且其中該等污染物在該夾持期間轉移至該材料層。
14. 如請求項10之方法，其中重複該夾持及該移除以進一步清除該支撐件之該表面之污染物。
15. 一種微影裝置，其包含：一照明系統，其經組態以調節一輻射光束；一支撐件，其經建構以固持一圖案化器件，該圖案化器件能夠在該輻射光束之橫截面中向該輻射光束賦予一 圖案以形成一經圖案化輻射光束；一基板台，其經建構以固持一基板；一投影系統，其經組態以將該經圖案化輻射光束投影至該基板之一目標部分上；及一清潔系統，其經組態以清潔該支撐件，其中該清潔系統包括在該圖案化器件之一背側上之一材料層，使得該材料層經組態以在該支撐件固持該圖案化器件時吸引存在於該支撐件與該圖案化器件之間的任何粒子。
16. 如請求項15之裝置，其中該圖案化器件包含介於該材料層與該圖案化器件之該背側之間的另一材料。
17. 如請求項16之裝置，其中該另一材料包含一發泡體材料。
18. 如請求項17之裝置，其中該圖案化器件進一步包含具有在該材料層與該發泡體層之間的一或多個電極之一層。
19. 如請求項16之裝置，其中該另一材料包含在該材料層與該圖案化器件之該背側之間的一或多個離散點處之一黏接劑。
20. 如請求項19之裝置，其中該一或多個離散點在該支撐件固持該圖案化器件時與該支撐件上之一或多個瘤節實質上對準。
21. 如請求項19之裝置，其中該一或多個離散點在該支撐件固持該圖案化器件時在該支撐件上之該等瘤節之間實質上對準。
22. 一種供一微影裝置中使用之粒子清潔系統，該粒子清潔 系統包含：一第一圖案化器件或以該第一圖案化器件之形狀而塑形之一基板，其中該第一圖案化器件或該基板之一背側包括一材料層，該材料層安置於該背側上且經組態以清潔一支撐件之一表面，使得該支撐件經組態以固持一第二圖案化器件，其中該第二圖案化器件能夠在一輻射光束之橫截面中向該輻射光束賦予一圖案以形成一經圖案化輻射光束，其中該材料層經組態以黏附或吸收存在於該支撐件之該表面上之任何粒子。
23. 如請求項22之粒子清潔系統，其中該材料層為沈積於或固定地附接於該第一圖案化器件或基板之該背側上之一黏性材料層或一軟材料層。
24. 如請求項22之粒子清潔系統，其中該材料層為一聚合材料。
25. 如請求項24之粒子清潔系統，其中該聚合材料為聚醯亞胺或任何含氟聚合物。
26. 如請求項22之粒子清潔系統，其中該第一圖案化器件包含一反射光罩。
27. 如請求項26之粒子清潔系統，其中該支撐件包含具有一夾持件以固持該至少第一圖案化器件或基板之一夾盤。
28. 如請求項27之粒子清潔系統，其中該夾盤包含一靜電夾盤。
29. 如請求項27之粒子清潔系統，其中該基板包含一晶圓。