CN115116897A - 基板处理装置以及基板处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供基板处理装置以及基板处理方法。基板处理装置(100)具有：处理单元、贮存部(31)、处理液配管(32)、泵(34)、过滤器(35)、第一流量部(36)、第一返送管(51)、第一调整阀(52)、第二返送管(41)、分支供给管(16)、第二流量部(42)以及控制部。第一流量部(36)配置在处理液配管(32)，测定在处理液配管(32)中流动的处理液的流量或压力。第一调整阀(52)配置在第一返送管(51)，调整在第一返送管(51)中流动的处理液的流量。控制部根据由第一流量部(36)测定出的处理液的流量或压力来控制第一调整阀(52)的开度。

Description

基板处理装置以及基板处理方法
技术领域
本发明涉及基板处理装置、以及基板处理方法。
背景技术
在半导体装置或液晶显示装置等的制造工序中，使用对半导体晶片或液晶显示装置用玻璃基板等基板进行处理的基板处理装置。公开了对基板一张一张地进行处理的单张式的基板处理装置。这样的基板处理装置具有：处理单元；处理液罐，其贮存向处理单元供给的处理液；循环配管，其使处理液罐内的处理液循环；泵，其将处理液罐内的处理液输送至循环配管；过滤器，其对在循环配管中流动的处理液进行过滤(例如，参照专利文献1和专利文献2)。
现有技术文献
专利文献1：日本特开2013-175552号公报
专利文献2：日本特开2007-266211号公报
发明内容
发明要解决的课题
然而，在专利文献1以及专利文献2所记载的基板处理装置中，存在处理液中的多个颗粒未被过滤器充分地去除的情况。
本发明是鉴于上述课题而完成的，其目的在于，提供能够向处理单元供给颗粒的含量少的处理液的基板处理装置以及基板处理方法。
用于解决课题的手段
本发明的基板处理装置具有：处理单元、贮存部、处理液配管、泵、过滤器、第一流量部、第一返送管、第一调整阀、第二返送管、分支供给管、第二流量部以及控制部。所述处理单元利用处理液对基板进行处理。所述贮存部贮存所述处理液。所述处理液配管与所述贮存部连接，供所述处理液流动。所述泵配置于所述处理液配管，从所述贮存部向所述处理单元供给所述处理液。所述过滤器配置于所述处理液配管，捕捉所述处理液中的颗粒。所述第一流量部配置于所述处理液配管，测定在所述处理液配管中流动的所述处理液的流量或压力。所述第一返送管与所述处理液配管的下游端连接，向所述贮存部返送所述处理液。所述第一调整阀配置于所述第一返送管，调整在所述第一返送管中流动的所述处理液的流量。所述第二返送管与所述处理液配管的下游端连接，向所述贮存部返送所述处理液。所述分支供给管从所述第二返送管分支，向所述处理单元供给所述处理液。所述第二流量部测定在所述第二返送管中流动的所述处理液的流量。所述控制部根据由所述第一流量部测定出的所述处理液的所述流量或所述压力来控制所述第一调整阀的开度。
本发明的基板处理装置具有：处理单元、贮存部、处理液配管、泵、过滤器、第一流量计、第一返送管、第一调整阀、第二返送管、分支供给管、第二流量计以及控制部。所述处理单元利用处理液对基板进行处理。所述贮存部贮存所述处理液。所述处理液配管与所述贮存部连接，供所述处理液流动。所述泵配置于所述处理液配管，从所述贮存部向所述处理单元供给所述处理液。所述过滤器配置于所述处理液配管，捕捉所述处理液中的颗粒。所述第一流量计配置于所述处理液配管，测定在所述处理液配管中流动的所述处理液的流量。所述第一返送管与所述处理液配管的下游端连接，向所述贮存部返送所述处理液。所述第一调整阀配置于所述第一返送管，调整在所述第一返送管中流动的所述处理液的流量。所述第二返送管与所述处理液配管的下游端连接，向所述贮存部返送所述处理液。所述分支供给管从所述第二返送管分支，向所述处理单元供给所述处理液。所述第二流量计配置于所述第二返送管，位于比所述分支供给管靠上游侧的位置，测定在所述分支供给管中流动的所述处理液的流量。所述控制部根据由所述第一流量计测定出的所述处理液的流量来控制所述第一调整阀的开度。
在某实施方式中，所述第二流量部配置于所述第二返送管，位于比所述分支供给管更靠下游侧处，测定在所述第二返送管中流动的所述处理液的压力。
在某实施方式中，所述控制部控制所述第一调整阀的开度，以使在所述处理液配管中流动的所述处理液的流量成为规定流量。
在某实施方式中，所述基板处理装置还具有：调温器，其配置于所述处理液配管。所述调温器调整在所述处理液配管中流动的所述处理液的温度。
在某实施方式中，所述基板处理装置还具有：第二调整阀，其配置于所述第二返送管，调整在所述第二返送管中流动的所述处理液的流量。所述控制部控制所述第一调整阀的开度及所述第二调整阀的开度。
在某实施方式中，所述基板处理装置还具有：温度计，其配置于上述处理液配管，测定在所述处理液配管中流动的所述处理液的温度，所述控制部根据由上述温度计测定出的所述处理液的温度来控制所述第二调整阀的开度。
在某实施方式中，所述处理单元具有：喷嘴，其配置于所述分支供给管的下游端；切换部，其对来自所述分支供给管的针对所述喷嘴的所述处理液的供给和供给停止进行切换；第三返送管，其从所述分支供给管分支，在比所述第二调整阀更靠下游侧处与所述第二返送管连接。
本发明的基板处理方法是基板处理装置的基板处理方法，所述基板处理装置具有：处理单元，其利用处理液对基板进行处理；贮存部，其贮存所述处理液；处理液配管，其与所述贮存部连接，供所述处理液流动；泵，其配置于所述处理液配管；过滤器，其配置于所述处理液配管；第一流量部，其配置于所述处理液配管；第一返送管，其与所述处理液配管的下游端连接，向所述贮存部返送所述处理液；第一调整阀，其配置于所述第一返送管，调整在所述第一返送管中流动的所述处理液的流量；第二返送管，其与所述处理液配管的下游端连接，向所述贮存部返送所述处理液；分支供给管，其从所述第二返送管分支，向所述处理单元供给所述处理液；第二流量部，其配置于所述第二返送管。所述基板处理方法包含：从所述贮存部向所述处理液配管供给所述处理液的工序；捕捉所述处理液中的颗粒的工序；测定在所述处理液配管中流动的所述处理液的流量或压力的工序；测定在所述第二返送管中流动的所述处理液的流量或压力的工序；根据由所述第一流量部测定出的所述处理液的流量或压力来控制所述第一调整阀的开度的工序。
发明效果
根据本发明的基板处理装置以及基板处理方法，能够向处理单元供给颗粒的含量少的处理液。
附图说明
图1是本发明的实施方式1的基板处理装置的示意图。
图2是实施方式1的基板处理装置具有的处理塔的示意图。
图3是表示实施方式1的基板处理装置的框图。
图4是实施方式1的基板处理装置的示意图。
图5是表示实施方式1的基板处理装置具有的控制部进行的处理的流程图。
图6是本发明的实施方式2的基板处理装置具有的处理塔的示意图。
图7是本发明的实施方式3的基板处理装置具有的处理塔的示意图。
图8是本发明的实施方式4的基板处理装置的示意图。
图9是实施方式4的基板处理装置具有的处理塔的示意图。
图10是表示实施方式4的基板处理装置的框图。
附图标记说明
16：分支供给管；31：处理液罐(贮存部)；32：处理液配管；34：泵；35：过滤器；36：第一流量计；41：外循环配管(第二返送管)；42：外循环流量计(第二流量计)；51：第一返送管；52：第一调整阀；100：基板处理装置。
具体实施方式
以下，参照附图(图1～图10)对本发明的实施方式进行说明。但是，本发明并不限定于以下的实施方式。此外，针对说明重复之处有时适当省略说明。另外，在图中，对相同或相当部分标注相同的附图标记而不反复说明。
本发明的基板处理装置以及基板处理方法能够在作为处理的对象的“基板”中应用半导体晶片、光掩模用玻璃基板、液晶显示用玻璃基板、等离子显示用玻璃基板、FED(Field Emission Display)用基板、光盘用基板、磁盘用基板以及光磁盘用基板等各种基板。以下，主要以将圆板状的半导体晶片作为处理的对象的基板处理装置以及基板处理方法为例对本实施方式进行说明，但本发明的基板处理装置以及基板处理方法也能够同样地应用于上述的半导体晶片以外的各种基板。另外，关于基板的形状也不限定于圆板状，本发明的基板处理装置以及基板处理方法能够应用于各种形状的基板。
另外，在本实施方式中，“处理液”包含：蚀刻液、冲洗液、SC1以及SC2。蚀刻液对基板W进行蚀刻。蚀刻液例如为氟硝酸(氢氟酸(HF)与硝酸(HNO3)的混合液)、氢氟酸、硼氢氟酸(BHF)、氟化铵、HFEG(氢氟酸与乙二醇的混合液)、硫酸(H2SO4)或磷酸(H3PO4)。冲洗液对基板W进行冲洗。具体而言，冲洗液用于对残留在基板W上的蚀刻液进行冲洗。冲洗液例如为去离子水、碳酸水、电解离子水、氢水、臭氧水、稀释浓度(例如10ppm～100ppm左右)的盐酸水或有机溶剂。有机溶剂例如为IPA(异丙醇)或硫酸。SC1和SC2分别对基板W进行清洗。SC1例如是包含NH4OH和H2O2的混合液。处理液没有特别限定，以下，在实施方式1～3中，对处理液为IPA的情况进行说明。
[实施方式1]
以下，参照图1～图5对本发明的实施方式1进行说明。首先，参照图1和图2对实施方式1的基板处理装置100进行说明。图1是实施方式1的基板处理装置100的示意图。详细而言，图1是基板处理装置100的示意性的剖视图。基板处理装置100对基板W进行处理。更具体而言，基板处理装置100是单张式的装置。
如图1所示，基板处理装置100具有：多个处理塔10、多个分支供给管16、多个外循环配管41、流体柜30以及平台20。多个外循环配管41分别是“第二返送管”的一例。
流体柜30包含处理液罐31。处理液罐31是“贮存部”的一例。处理液罐31贮存处理液。
多个外循环配管41分别将从流体柜30供给的处理液返送至处理液罐31。多个外循环配管41分别是具有供处理液流动的流通路的管状部件。具体而言，多个外循环配管41各自的上游端与流体柜30连结。多个外循环配管41各自的下游端与处理液罐31连接。
具体而言，多个外循环配管41例如包含：第一外循环配管41A、第二外循环配管41B以及第三外循环配管41C。换言之，在实施方式1的基板处理装置100中，具有3个外循环配管41。
多个处理塔10例如包含：第一处理塔10A、第二处理塔10B以及第三处理塔10C。换言之，在实施方式1的基板处理装置100中，具有3个处理塔10。多个处理塔10具有彼此相同的结构。
多个分支供给管16例如包含：第一分支供给管16A、第二分支供给管16B和第三分支供给管16C。第一分支供给管16A从第一外循环配管41A分支，向第一处理塔10A供给处理液。第二分支供给管16B从第二外循环配管41B分支，向第二处理塔10B供给处理液。第三分支供给管16C从第三外循环配管41C分支，向第三处理塔10C供给处理液。
接着，参照图2对第一处理塔10A进行说明。图2是实施方式1的基板处理装置100具有的处理塔10的示意图。详细而言，图2是处理塔10的示意性的剖视图。如图2所示，第一处理塔10A具有多个处理单元11。
多个处理单元11分别向基板W供给处理液来对基板W进行处理。多个处理单元11分别是对基板W一张一张地进行处理的单张式的处理单元11。
具体而言，第一处理塔10A包含上下层叠的多个处理单元11。多个处理单元11例如包含：第一处理单元11A、第二处理单元11B和第三处理单元11C。换言之，实施方式1的处理单元11具有3个处理单元11。
第一分支供给管16A例如包含：第一供给管16AA、第二供给管16AB和第三供给管16AC。第一分支供给管16A分别是具有供处理液流动的流通路的管状部件。
第一供给管16AA从第一外循环配管41A向第一处理单元11A供给处理液。第二供给管16AB从第一外循环配管41A向第二处理单元11B供给处理液。第三供给管16AC从第一外循环配管41A向第三处理单元11C供给处理液。多个处理单元11具有彼此相同的结构。以下，对第一处理单元11A进行说明。
第一处理单元11A具有：腔室12、旋转卡盘13、喷嘴14以及开闭阀15。腔室12具有大致箱形形状。腔室12收纳基板W、旋转卡盘13及喷嘴14。旋转卡盘13一边以水平的姿势保持基板W，一边使基板W绕通过基板W的中央部的铅垂的旋转轴线旋转。
喷嘴14与第一供给管16AA的下游端连接。喷嘴14配置在基板W的上方。其结果是，喷嘴14从基板W的上方朝向基板W喷出处理液。
开闭阀15对第一供给管16AA进行开闭。即，开闭阀15对来自第一外循环配管41A的针对喷嘴14的处理液的供给和供给停止进行切换。开闭阀15例如是通过电力来控制开闭的马达针阀。
接着，对流体柜30进行详细说明。具体而言，流体柜30还包含处理液配管32和第一返送管51。
处理液配管32与处理液罐31连接。具体而言，处理液配管32的上游端与处理液罐31连接。处理液配管32是具有供处理液流动的流通路的管状部件。此外，相对于处理液的流通方向垂直的面中的处理液配管32的流通路的截面积大于合计截面积。合计截面积表示将第一外循环配管41A的流通路的截面积、第二外循环配管41B的流通路的截面积、第三外循环配管41C的流通路的截面积合计而得的面积。
流体柜30还包含：泵34、过滤器35、第一流量计36以及加热器37。第一流量计36是“第一流量部”的一例。加热器37是“调温器”的一例。第一流量计36、泵34、加热器37以及过滤器35按照该顺序从处理液配管32的上游朝向下游配置于处理液配管32。
第一流量计36测定在处理液配管32中流动的处理液的流量。“流量”例如表示每单位时间通过单位面积的处理液的流量。
泵34从处理液罐31向处理液配管32供给处理液。泵34例如是波纹管泵。泵34的材料例如是合成树脂。例如，在高温的IPA(处理液)在泵34内流动时，构成波纹管泵等的合成树脂溶出，有时产生多个颗粒。因此，存在含有多个颗粒的IPA(处理液)流动的情况。
加热器37调整在处理液配管32中流动的处理液的温度。具体而言，加热器37对在处理液配管32中流动的处理液进行加热。
过滤器35捕捉处理液中的多个颗粒。具体而言，过滤器35形成有多个孔。多个孔分别在处理液的流通方向上贯通。详细而言，处理液从过滤器35的上游侧朝向下游侧流动，通过多个孔。在过滤器35的上游侧流动的处理液所包含的多个颗粒在通过多个孔时被划分多个孔的壁面吸附。其结果是，从处理液中除去多个颗粒。
过滤器35例如包含PTFE(聚四氟乙烯)亲水膜作为过滤膜。PTFE亲水膜是对PTFE制的基材的表面进行亲水化而得的膜。用作过滤器35的PTFE亲水膜的孔径例如小于7nm(规定直径)。例如，7nm(规定直径)以上的颗粒不能通过孔径，根据过滤器35的捕捉能力，小于7nm(规定直径)的颗粒吸附于壁面，从处理液中除去多个颗粒。此外，过滤器35的捕捉能力例如根据通过过滤器35的处理液的种类(例如合成树脂相对于IPA的溶解度等)、通过过滤器35的处理液的流量(作用于颗粒的流速)、或者通过过滤器35的处理液的温度而变动。
处理液配管32的下游端与多个外循环配管41连接。其结果是，在多个外循环配管41的每一个中，颗粒被除去，加热后的处理液进行流动。换言之，向多个处理塔10供给除去颗粒并被加热的处理液。
流体柜30还包含第一返送管51和第一调整阀52。第一返送管51将从处理液罐31供给的处理液返送至处理液罐31。具体而言，第一返送管51的上游端与处理液配管32的下游端连接。第一返送管51的下游端与处理液罐31连接。第一返送管51是具有供处理液流动的流通路的管状部件。此外，相对于处理液的流通方向垂直的面中的第一返送管51的流通路的截面积大于合计截面积。合计截面积表示将第一外循环配管41A的流通路的截面积、第二外循环配管41B的流通路的截面积、第三外循环配管41C的流通路的截面积合计而得的面积。
详细而言，第一返送管51的流通路的截面积大于多个外循环配管41各自的流通路的截面积。另外，与多个外循环配管41不同，第一返送管51不与处理塔10连接。另外，与多个外循环配管41不同，第一返送管51配置在流体柜30内。
第一调整阀52配置于第一返送管51。第一调整阀52调整在第一返送管51中流动的处理液的流量。第一调整阀52调节开度，调整在第一返送管51中流动的处理液的流量。第一调整阀52例如是利用空气压力来控制开度的溢流阀。由于能够利用空气压力来控制开度，因此控制部等能够响应性良好地控制第一调整阀52。
再次如图1所示，流体柜30还包含多个外循环流量计42。多个外循环流量计42分别是“第二流量部”的一例。多个外循环流量计42例如包含：第一外循环流量计42A、第二外循环流量计42B以及第三外循环流量计42C。
第一外循环流量计42A配置于第一外循环配管41A。具体而言，第一外循环流量计42A配置于比第一分支供给管16A更靠上游侧处。第一外循环流量计42A测定在第一外循环配管41A中流动的处理液的流量。
第二外循环流量计42B配置于第二外循环配管41B。具体而言，第二外循环流量计42B配置于比第二分支供给管16B更靠上游侧处。第二外循环流量计42B测定在第二外循环配管41B中流动的处理液的流量。
第三外循环流量计42C配置于第三外循环配管41C。具体而言，第三外循环流量计42C配置于比第三分支供给管16C更靠上游侧处。第三外循环流量计42C测定在第三外循环配管41C中流动的处理液的流量。
另外，基板处理装置100还包含多个外循环调整阀43。多个外循环调整阀43分别是“第二调整阀”的一例。多个外循环调整阀43配置于平台20。换言之，多个外循环调整阀43配置在流体柜30外。多个外循环调整阀43例如包含：第一外循环调整阀43A、第二外循环调整阀43B以及第三外循环调整阀43C。
第一外循环调整阀43A配置于第一外循环配管41A。具体而言，第一外循环调整阀43A配置于比第一分支供给管16A更靠下游侧处。第一外循环调整阀43A调整在第一外循环配管41A中流动的处理液的流量。第一外循环调整阀43A调整开度，调整在第一外循环配管41A中流动的处理液的流量。第一外循环调整阀43A例如是利用空气压力来控制开度的溢流阀。
第二外循环调整阀43B配置于第二外循环配管41B。具体而言，第二外循环调整阀43B配置于比第二分支供给管16B更靠下游侧处。第二外循环调整阀43B调整在第二外循环配管41B中流动的处理液的流量。第二外循环调整阀43B调节开度，调整在第二外循环配管41B中流动的处理液的流量。第二外循环调整阀43B例如是利用空气压力来控制开度的溢流阀。
第三外循环调整阀43C配置于第三外循环配管41C。具体而言，第三外循环调整阀43C配置于比第三分支供给管16C更靠下游侧处。第三外循环调整阀43C调整在第三外循环配管41C中流动的处理液的流量。第三外循环调整阀43C调节开度，调整在第三外循环配管41C中流动的处理液的流量。第三外循环调整阀43C例如是利用空气压力来控制开度的溢流阀。
接着，参照图3对控制装置60进行说明。图3是表示基板处理装置100的框图。如图3所示，控制装置60控制基板处理装置100各部的动作。具体而言，控制装置60包含控制部61和存储部62。
控制部61具有处理器。控制部61例如具有CPU(Central Processing Unit)或MPU(Micro Processing Unit)。或者，控制部61也可以具有通用运算器。
存储部62存储数据和计算机程序。数据包含制程数据。制程数据包含表示多个制程的信息。多个制程分别规定基板W的处理内容及处理过程。
存储部62具有主存储装置。主存储装置例如是半导体存储器。存储部62也可以还具有辅助存储装置。辅助存储装置例如包含半导体存储器和硬盘驱动器中的至少一方。存储部62也可以包含可移动介质。
控制部61根据存储在存储部62中的计算机程序和数据来控制基板处理装置100各部的动作。例如，控制装置60控制第一调整阀52、第一外循环调整阀43A、第二外循环调整阀43B以及第三外循环调整阀43C。另外，控制装置60从第一流量计36、第一外循环流量计42A、第二外循环流量计42B以及第三外循环流量计42C的每一个取得测定结果。
在此，参照图1及图3，对基板处理装置100处理基板W的“第一状态”进行说明。“第一状态”表示通过第一处理塔10A、第二处理塔10B以及第三处理塔10C的全部对基板W进行处理的状态。
具体而言，控制部61根据由第一外循环流量计42A测定出的处理液的流量来控制第一外循环调整阀43A，以使流量RA的处理液在第一外循环配管41A中流动。另外，根据由第二外循环流量计42B测定出的处理液的流量来控制第二外循环调整阀43B，以使流量RB的处理液在第二外循环配管41B中流动。并且，根据由第三外循环流量计42C测定出的处理液的流量来控制第三外循环调整阀43C，以使流量RC的处理液在第三外循环配管41C中流动。
另外，控制部61根据由第一流量计36测定出的处理液的流量来控制第一调整阀52，以使规定流量RT的处理液在处理液配管32中流动。规定流量RT是任意的流量，例如根据过滤器35的捕捉能力而预先设定。其结果是，规定流量RT的处理液依次通过加热器37和过滤器35。并且，流量RD的处理液在第一返送管51中流动。流量RD的处理液是从规定流量RT的处理液中除去了流量RA的处理液、流量RB的处理液和流量RC的处理液的流量的处理液。
接着，参照图4，对基板处理装置100处理基板W的“第二状态”进行说明。图4是实施方式1的基板处理装置的示意图。此外，图4是表示基板处理装置100执行“第二状态”的状态的图。另外，用白色表示打开的阀，用黑色表示关闭的阀。“第二状态”表示通过第一处理塔10A、第二处理塔10B和第三处理塔10C中的任一个处理塔10进行维护的状态。在“第二状态”下，例如，通过第一处理塔10A和第二处理塔10B对基板W进行处理，对第三处理塔10C进行维护。此外，也可以同时对多个处理塔10进行维护。
具体而言，维护作业者等关闭第三处理塔10C所包含的全部的开闭阀15。并且，控制部61根据由第一外循环流量计42A测定出的处理液的流量来控制第一外循环调整阀43A，以使流量RA的处理液在第一外循环配管41A中流动。另外，根据由第二外循环流量计42B测定出的处理液的流量来控制第二外循环调整阀43B，以使流量RB的处理液在第二外循环配管41B中流动。并且，根据由第三外循环流量计42C测定出的处理液的流量来控制第三外循环调整阀43C，以使处理液不在第三外循环配管41C中流动。
另外，控制部61根据由第一流量计36测定出的处理液的流量来控制第一调整阀52，以使规定流量RT的处理液在处理液配管32中流动。其结果是，规定流量RT的处理液依次通过加热器37和过滤器35。并且，流量(RD+RC)的处理液在第一返送管51中流动。流量(RD+RC)的处理液是从规定流量RT的处理液中除去了流量RA的处理液和流量RB的处理液的流量的处理液。
以上，如图1至图4所示，对本发明的实施方式1进行了说明。根据实施方式1，控制部61根据由第一流量计36测定出的处理液的流量来控制第一调整阀52。其结果是，对在处理液配管32中流动的处理液的流量进行调整，因此，过滤器35能够高效地捕捉处理液中的多个颗粒。因此，能够向处理塔10供给颗粒的含量少的处理液。
另外，控制部61控制第一调整阀52的开度以使在处理液配管32中流动的处理液的流量为规定流量RT。其结果是，规定流量RT的处理液在处理液配管32中流动，因此，过滤器35发挥规定的捕捉能力。因此，能够向处理塔10供给颗粒的含量更少的处理液。
并且，控制部61控制第一调整阀52的开度以及外循环调整阀43的开度。其结果是，无论是“第一状态”还是“第二状态”，规定流量RT的处理液都在处理液配管32中流动，因此，过滤器35发挥规定的捕捉能力。因此，能够对第三处理塔10C进行维护，并且向第一处理塔10A和第二处理塔10B供给颗粒的含量更少的处理液。
并且，加热器37调整在处理液配管32中流动的处理液的温度。其结果是，无论是“第一状态”还是“第二状态”，规定流量RT的处理液都在处理液配管32中流动，因此，加热器37能够将处理液的温度调整为恒定温度。因此，能够向处理塔10供给恒定温度的处理液。
接着，参照图5，对实施方式1的基板处理方法进行说明。实施方式1的基板处理方法由参照图1～图4说明的基板处理装置100执行。图5是表示实施方式1的基板处理装置100具有的控制部61所进行的处理的流程图。
如图5所示，首先，控制部61根据由第一外循环流量计42A测定出的处理液的流量来控制第一外循环调整阀43A，以使流量RA的处理液在第一外循环配管41A中流动。另外，根据由第二外循环流量计42B测定出的处理液的流量来控制第二外循环调整阀43B，以使流量RB的处理液在第二外循环配管41B中流动。并且，根据由第三外循环流量计42C测定出的处理液的流量来控制第三外循环调整阀43C，以使流量RC的处理液在第三外循环配管41C中流动。另外，控制部61根据由第一流量计36测定出的处理液的流量来控制第一调整阀52，以使规定流量RT的处理液在处理液配管32中流动(步骤S101)。
控制部61判定由第一流量计36测定出的处理液的流量是否为规定流量RT(步骤S102)。在控制部61判定为由第一流量计36测定出的处理液的流量为规定流量RT的情况下(步骤S102是)，返回到步骤S102。
另一方面，在控制部61判定为由第一流量计36测定出的处理液的流量不是规定流量RT的情况下(步骤S102为否)，控制部61控制第一调整阀52以使由第一流量计36测定出的处理液的流量成为规定流量RT(步骤S103)。在处理结束时，返回到步骤S102。
[实施方式2]
参照图6对本发明的实施方式2进行说明。图6是实施方式2的基板处理装置100的示意图。此外，图6是表示基板处理装置100执行“第三状态”的状态的图。“第三状态”表示通过第一处理塔10A、第二处理塔10B和第三处理塔10C的全部对基板W进行处理，对至少1个处理单元11进行维护的状态。但是，对与实施方式1不同的事项进行说明，省略针对与实施方式1相同的事项的说明。
在“第三状态”下，例如，通过第一处理塔10A、第二处理塔10B和第三处理塔10C全部来对基板W进行处理，对第一处理塔10A内的1个处理单元11A进行维护。具体而言，维护作业者等关闭配置于第一供给管16AA的开闭阀15。并且，控制部61根据由第一外循环流量计42A测定出的处理液的流量来控制第一外循环调整阀43A，以使流量(RA-Ra)的处理液在第一外循环配管41A中流动。另外，根据由第二外循环流量计42B测定出的处理液的流量来控制第二外循环调整阀43B，以使流量RB的处理液在第二外循环配管41B中流动。并且，根据由第三外循环流量计42C测定出的处理液的流量来控制第三外循环调整阀43C，以使流量RC的处理液在第三外循环配管41C中流动。
另外，控制部61根据由第一流量计36测定出的处理液的流量来控制第一调整阀52，以使规定流量RT的处理液在处理液配管32中流动。其结果是，规定流量RT的处理液依次通过加热器37和过滤器35。并且，流量(RD+Ra)的处理液在第一返送管51中流动。流量(RD+Ra)的处理液是从规定流量RT的处理液中除去了流量(RA-Ra)的处理液、流量RB的处理液和流量RC的处理液的流量的处理液。
以上，如图6所示，对本发明的实施方式2进行了说明。根据实施方式2，控制部61根据由第一流量计36测定出的处理液的流量来控制第一调整阀52。其结果是，无论是“第一状态”还是“第三状态”，规定流量RT的处理液都在处理液配管32中流动，因此，过滤器35发挥规定的捕捉能力。因此，能够对处理单元11进行维护，并且向其他处理单元11供给颗粒的含量更少的处理液。
[实施方式3]
参照图7对本发明的实施方式3进行说明。图7是实施方式3的基板处理装置100的示意图。此外，图7是表示基板处理装置100执行“第三状态”的状态的图。但是，对与实施方式2不同的事项进行说明，省略针对与实施方式2相同的事项的说明。实施方式3与实施方式2的不同点在于具有第三返送管18。
如图7所示，多个处理单元11分别具有开闭阀19和第三返送管18。开闭阀19是“切换部”的一例。开闭阀19对来自分支供给管16的针对喷嘴14的处理液的供给和供给停止进行切换。开闭阀19例如是通过电力来控制开闭的马达针阀。
第三返送管18从分支供给管16A分支。第三返送管18在比外循环调整阀43更靠下游侧处与外循环配管41连接。第三返送管18是具有供处理液流动的流通路的管状部件。在开闭阀19关闭时，处理液在第三返送管18中流动。其结果是，通过使被加热的处理液在第三返送管18中循环，能够维持喷嘴14的温度。
具体而言，维护作业者等关闭与第一供给管16AA连接的喷嘴14的开闭阀19。并且，控制部61根据由第一外循环流量计42A测定出的处理液的流量来控制第一外循环调整阀43A，以使流量(RA-Raa)的处理液在第一外循环配管41A中流动。另外，根据由第二外循环流量计42B测定出的处理液的流量来控制第二外循环调整阀43B，以使流量RB的处理液在第二外循环配管41B中流动。并且，根据由第三外循环流量计42C测定出的处理液的流量来控制第三外循环调整阀43C，以使流量RC的处理液在第三外循环配管41C中流动。
另外，控制部61根据由第一流量计36测定出的处理液的流量来控制第一调整阀52，以使规定流量RT的处理液在处理液配管32中流动。其结果是，规定流量RT的处理液依次通过加热器37和过滤器35。并且，流量(RD+Raa)的处理液在第一返送管51中流动。流量(RD+Raa)的处理液是从规定流量RT的处理液中除去了流量(RA-Raa)的处理液、流量RB的处理液和流量RC的处理液的流量的处理液。
以上，如图7所示，对本发明的实施方式3进行了说明。根据实施方式3，控制部61根据由第一流量计36测定出的处理液的流量来控制第一调整阀52。无论是“第一状态”还是“第三状态”，规定流量RT的处理液都在处理液配管32中流动，因此，过滤器35发挥规定的捕捉能力。因此，能够对处理单元11进行维护，并且向其他处理单元11供给颗粒的含量更少的处理液。
[实施方式4]
参照图8及图9对本发明的实施方式4进行说明。图8是实施方式4的基板处理装置1100的示意图。图9是实施方式4的基板处理装置1100具有的处理塔1010的示意图。但是，对与实施方式1不同的事项进行说明，省略针对与实施方式1相同的事项的说明。
在实施方式4中，对处理液为硫酸的情况进行说明。如图8和图9所示，处理液罐31贮存处理液。处理液例如包含硫酸。硫酸的粘度在低温下变高，在高温下变低。高粘度的液体有可能难以用流量计高精度地测定。
实施方式4与实施方式1的不同点在于代替多个外循环流量计42而具有多个外循环压力计1042。具体而言，平台20还包含多个外循环压力计1042。多个外循环压力计1042分别是“第二流量部”的一例。多个外循环压力计1042例如包含：第一外循环压力计1042A、第二外循环压力计1042B和第三外循环压力计1042C。
第一外循环压力计1042A配置于第一外循环配管41A。具体而言，第一外循环压力计1042A配置于比第一分支供给管16A更靠下游侧处。第一外循环压力计1042A配置于比第一外循环调整阀43A更靠上游侧处。第一外循环压力计1042A测定在第一外循环配管41A中流动的处理液的压力。
第二外循环压力计1042B配置于第二外循环配管41B。具体而言，第二外循环压力计1042B配置于比第二分支供给管16B更靠下游侧处。第二外循环压力计1042B配置于比第二外循环调整阀43B更靠上游侧处。第二外循环压力计1042B测定在第二外循环配管41B中流动的处理液的压力。
第三外循环压力计1042C配置于第三外循环配管41C。具体而言，第三外循环压力计1042C配置于比第三分支供给管16C更靠下游侧处。第三外循环压力计1042C配置于比第三外循环调整阀43C更靠上游侧处。第三外循环压力计1042C测定在第三外循环配管41C中流动的处理液的压力。
流体柜1030还包含：泵34、过滤器35、第一流量计36、加热器37以及温度计1038。第一流量计36、泵34、加热器37、温度计1038以及过滤器35按照该顺序从处理液配管32的上游朝向下游配置于处理液配管32。
温度计1038测定在处理液配管32中流动的处理液的温度。
接着，参照图10对控制装置1060进行说明。图4是表示基板处理装置1100的框图。如图4所示，控制装置1060包含控制部61和存储部1062。
存储部1062存储数据和计算机程序。数据包含表示在处理液配管32中流动的处理液的温度、在配管中流动的处理液的压力、在配管中流动的处理液的流量之间的关系的第一数据。此外，数据也可以是通过掌握泵34的转速与在配管中流动的处理液的流量之间的关系，来表示在处理液配管32中流动的处理液的温度、在配管中流动的处理液的压力、泵34的转速之间的关系的第二数据。
控制部61根据存储在存储部1062中的计算机程序和数据，控制基板处理装置100各部的动作。例如，控制装置1060从第一流量计36、第一外循环压力计1042A、第二外循环压力计1042B、第三外循环压力计1042C、温度计1038的每一个取得测定结果。控制装置1060根据第一数据来控制第一调整阀52、第一外循环调整阀43A、第二外循环调整阀43B、第三外循环调整阀43C以及泵34。具体而言，控制装置1060对第一调整阀52、第一外循环调整阀43A、第二外循环调整阀43B、第三外循环调整阀43C以及泵34进行反馈控制。
以上，如图8至图10所示，对本发明的实施方式4进行了说明。根据实施方式4，控制部61根据由第一流量计36测定出的处理液的流量来控制第一调整阀52。其结果是，对在处理液配管32中流动的处理液的流量进行调整，因此，过滤器35能够高效地捕捉处理液中的多个颗粒。因此，能够向处理塔10供给颗粒的含量少的处理液。
另外，实施方式4具有多个外循环压力计1042，因此，即使在处理液为高粘度的硫酸的情况下，也能够高精度地调整在处理液配管32中流动的处理液的流量。因此，能够向处理塔10供给颗粒的含量少的处理液。
以上，参照附图(图1～图10)对本发明的实施方式进行了说明。但是，本发明不限于上述的实施方式，在不脱离其主旨的范围内能够以各种方式实施。另外，上述的实施方式所公开的多个结构要素能够适当改变。例如，也可以将某实施方式所示的全部结构要素中的某结构要素追加到其他实施方式的结构要素中，或者，也可以将某实施方式所示的全部结构要素中的几个结构要素从实施方式中删除。
关于附图，为了容易理解发明，以各个结构要素为主体示意性地示出，图示的各结构要素的厚度、长度、个数、间隔等有时为了制作附图而与实际不同。另外，上述的实施方式所示的各结构要素的结构是一个例子，没有特别限定，当然能够在实质上不脱离本发明的效果的范围内进行各种变更。
(1)例如，在“第二状态”下，通过第一处理塔10A和第二处理塔10B对基板W进行处理，对第三处理塔10C进行维护，但没有特别限定。在“第二状态”下，也可以作为维护，通过第一处理塔10A、第二处理塔10B以及第三处理塔10C，执行对基板W进行处理的准备。
具体而言，关闭全部的开闭阀15。并且，控制部61根据由第一外循环流量计42A测定出的处理液的流量来控制第一外循环调整阀43A，以使处理液不在第一外循环配管41A流动。另外，根据由第二外循环流量计42B测定出的处理液的流量来控制第二外循环调整阀43B，以使处理液不在第二外循环配管41B中流动。并且，根据由第三外循环流量计42C测定出的处理液的流量来控制第三外循环调整阀43C，以使处理液不在第三外循环配管41C中流动。
另外，控制部61根据由第一流量计36测定出的处理液的流量来控制第一调整阀52，以使规定流量RT的处理液在处理液配管32中流动。其结果是，规定流量RT的处理液依次通过加热器37和过滤器35。并且，流量(RD+RA+RB+RC)的处理液在第一返送管51中流动。
(2)例如，第一返送管51的下游端与处理液罐31连接，但没有特别限定。第一返送管51的下游端也可以与外循环配管41的下游端连接。
(3)例如，第一流量计36、泵34、加热器37以及过滤器35按照该顺序从处理液配管32的上游朝向下游配置于处理液配管32，但没有特别限定。第一流量计36也可以配置于处理液配管32的任意位置。
(4)例如，外循环调整阀43在比分支供给管16靠下游侧的位置配置于外循环配管41，但没有特别限定。外循环流量计42也可以在比分支供给管16靠上游侧的位置配置于外循环配管41。
(5)例如，维护作业者对开闭阀15和开闭阀19进行了操作，但没有特别限定。控制装置60也可以对开闭阀15和开闭阀19进行控制。
(6)例如，流体柜30包含第一流量计36，但没有特别限定。流体柜30也可以代替第一流量计36而包含第一压力计。
产业上的可利用性
本发明在处理基板的领域中有用。

Claims (9)

1.一种基板处理装置，其特征在于，具有：
处理单元，其利用处理液对基板进行处理；
贮存部，其贮存所述处理液；
处理液配管，其与所述贮存部连接，供所述处理液流动；
泵，其配置于所述处理液配管，从所述贮存部向所述处理液配管供给所述处理液；
过滤器，其配置于所述处理液配管，捕捉所述处理液中的颗粒；
第一流量部，其配置于所述处理液配管，测定在所述处理液配管中流动的所述处理液的流量或压力；
第一返送管，其与所述处理液配管的下游端连接，向所述贮存部返送所述处理液；
第一调整阀，其配置于所述第一返送管，对在所述第一返送管中流动的所述处理液的流量进行调整；
第二返送管，其与所述处理液配管的下游端连接，向所述贮存部返送所述处理液；
分支供给管，其从所述第二返送管分支，向所述处理单元供给所述处理液；
第二流量部，其测定在所述第二返送管中流动的所述处理液的流量或压力；
控制部，其根据由所述第一流量部测定出的所述处理液的所述流量或所述压力来控制所述第一调整阀的开度。
2.一种基板处理装置，其特征在于，具有：
处理单元，其利用处理液对基板进行处理；
贮存部，其贮存所述处理液；
处理液配管，其与所述贮存部连接，供所述处理液流动；
泵，其配置于所述处理液配管，从所述贮存部向所述处理液配管供给所述处理液；
过滤器，其配置于所述处理液配管，捕捉所述处理液中的颗粒；
第一流量计，其配置于所述处理液配管，测定在所述处理液配管中流动的所述处理液的流量；
第一返送管，其与所述处理液配管的下游端连接，向所述贮存部返送所述处理液；
第一调整阀，其配置于所述第一返送管，对在所述第一返送管中流动的所述处理液的流量进行调整；
第二返送管，其与所述处理液配管的下游端连接，向所述贮存部返送所述处理液；
分支供给管，其从所述第二返送管分支，向所述处理单元供给所述处理液；
第二流量计，其配置于所述第二返送管，位于比所述分支供给管更靠上游侧处，测定在所述分支供给管中流动的所述处理液的流量；
控制部，其根据由所述第一流量计测定出的所述处理液的流量来控制所述第一调整阀的开度。
3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述第二流量部配置于所述第二返送管，位于比所述分支供给管更靠下游侧处，测定在所述第二返送管中流动的所述处理液的压力。
4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述控制部控制所述第一调整阀的开度，以使在所述处理液配管中流动的所述处理液的流量成为规定流量。
5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，
所述基板处理装置还具有：调温器，其配置于所述处理液配管，
所述调温器对在所述处理液配管中流动的所述处理液的温度进行调整。
6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，
所述基板处理装置还具有：第二调整阀，其配置于所述第二返送管，调整在所述第二返送管中流动的所述处理液的流量，
所述控制部控制所述第一调整阀的开度和所述第二调整阀的开度。
7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，
所述基板处理装置还具有：温度计，其配置于所述处理液配管，测定在所述处理液配管中流动的所述处理液的温度，
所述控制部根据由所述温度计测定出的所述处理液的温度来控制所述第二调整阀的开度。
8.根据权利要求6或7所述的基板处理装置，其特征在于，
所述处理单元具有：
喷嘴，其配置于所述分支供给管的下游端；
切换部，其对来自所述分支供给管的针对所述喷嘴的所述处理液的供给和供给停止进行切换；
第三返送管，其从所述分支供给管分支，在比所述第二调整阀更靠下游侧处与所述第二返送管连接。
9.一种基板处理装置的基板处理方法，
所述基板处理装置具有：
处理单元，其利用处理液对基板进行处理；
贮存部，其贮存所述处理液；
处理液配管，其与所述贮存部连接，供所述处理液流动；
泵，其配置于所述处理液配管；
过滤器，其配置于所述处理液配管；
第一流量部，其配置于所述处理液配管；
第一返送管，其与所述处理液配管的下游端连接，向所述贮存部返送所述处理液；
第一调整阀，其配置于所述第一返送管，对在所述第一返送管中流动的所述处理液的流量进行调整；
第二返送管，其与所述处理液配管的下游端连接，向所述贮存部返送所述处理液；
分支供给管，其从所述第二返送管分支，向所述处理单元供给所述处理液；
第二流量部，其配置于所述第二返送管，
其特征在于，
所述基板处理方法包含：
从所述贮存部向所述处理液配管供给所述处理液的工序；
捕捉所述处理液中的颗粒的工序；
测定在所述处理液配管中流动的所述处理液的流量或压力的工序；
测定在所述第二返送管中流动的所述处理液的流量或压力的工序；
根据由所述第一流量部测定出的所述处理液的所述流量或所述压力来控制所述第一调整阀的开度的工序。
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