KR20230101605A

KR20230101605A - 기판 처리액 제공 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 시스템

Info

Publication number: KR20230101605A
Application number: KR1020210191851A
Authority: KR
Inventors: 윤태석; 전윤석; 최영섭
Original assignee: 세메스 주식회사
Priority date: 2021-12-29
Filing date: 2021-12-29
Publication date: 2023-07-06

Abstract

특정 유체의 공급량에 따라 다른 유체의 공급량을 제어하여 폐액 처리량을 최소화할 수 있는 기판 처리액 제공 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치를 제공한다. 상기 기판 처리 장치는, 기판 처리액을 제공하는 기판 처리액 제공 장치; 및 기판 처리액을 이용하여 기판을 처리하는 기판 처리 장치를 포함하며, 기판 처리액 제공 장치는, 기판 처리 장치에 제1 유체를 제공하는 제1 유체 제공 모듈; 기판 처리 장치에 제2 유체를 제공하는 제2 유체 제공 모듈; 제1 유체 제공 모듈과 기판 처리 장치를 연결하는 제1 배관; 제2 유체 제공 모듈과 기판 처리 장치를 연결하는 제2 배관; 및 제1 배관과 제2 배관을 연결하는 제3 배관을 포함하고, 제2 유체의 유량은 제3 배관을 따라 제2 배관으로 이동하는 제1 유체의 유량 또는 기판 처리 장치로 이동하는 제1 유체의 유량에 따라 가변된다.

Description

기판 처리액 제공 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 시스템 {Chemical liquid providing apparatus and substrate treating system including the same}

본 발명은 기판 처리액 제공 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 시스템에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 세정 공정에 적용되는 기판 처리액 제공 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 시스템에 관한 것이다.

반도체 소자 제조 공정은 반도체 제조 설비 내에서 연속적으로 수행될 수 있으며, 전공정 및 후공정으로 구분될 수 있다. 반도체 제조 설비는 반도체 소자를 제조하기 위해 팹(Fab)으로 정의되는 반도체 제조 공장, 예를 들어 클린 룸(Clean Room) 내에 설치될 수 있다.

전공정은 웨이퍼(Wafer) 상에 회로 패턴을 형성하여 칩(Chip)을 완성하는 공정을 말한다. 전공정은 웨이퍼 상에 박막을 형성하는 증착 공정(Deposition Process), 포토 마스크(Photo Mask)를 이용하여 박막 상에 포토 레지스트(Photo Resist)를 전사하는 포토 공정(Photo Lithography Process), 웨이퍼 상에 원하는 회로 패턴을 형성하기 위해 화학 물질이나 반응성 가스를 이용하여 필요 없는 부분을 선택적으로 제거하는 식각 공정(Etching Process), 식각 후에 남아있는 포토 레지스트를 제거하는 에싱 공정(Ashing Process), 회로 패턴과 연결되는 부분에 이온을 주입하여 전자 소자의 특성을 가지도록 하는 이온 주입 공정(Ion Implantation Process), 웨이퍼 상에서 오염원을 제거하는 세정 공정(Cleaning Process) 등을 포함할 수 있다.

후공정은 전공정을 통해 완성된 제품의 성능을 평가하는 공정을 말한다. 후공정은 웨이퍼 상의 각각의 칩에 대해 동작 여부를 검사하여 우량품과 불량품을 선별하는 1차 검사 공정, 다이싱(Dicing), 다이 본딩(Die Bonding), 와이어 본딩(Wire Bonding), 몰딩(Molding), 마킹(Marking) 등을 통해 각각의 칩을 절단 및 분리하여 제품의 형상을 갖추도록 하는 패키지 공정(Package Process), 전기적 특성 검사, 번인(Burn In) 검사 등을 통해 제품의 특성과 신뢰성을 최종적으로 검사하는 최종 검사 공정 등을 포함할 수 있다.

세정 공정을 통해 기판(예를 들어, 웨이퍼)을 처리하는 경우, 플라즈마를 이용하는 건식 세정 방법과 케미칼(Chemical)을 이용하는 습식 세정 방법을 활용할 수 있다.

케미칼을 이용하는 습식 세정 방법의 경우, 복수의 유체를 혼합하여 케미칼을 생성한 후 상기 케미칼을 챔버 내에 제공하여 기판을 처리할 수 있다. 그런데 상기 복수의 유체는 셋팅(Setting)된 값에 의해 고정된 양이 제공되기 때문에, 설비 상황이나 공정 상황에 따라 기판을 처리하는 데에 모두 사용되지 못하고, 많은 양이 폐액 처리되어 버려지는 문제가 있다.

본 발명에서 해결하고자 하는 기술적 과제는, 특정 유체의 공급량에 따라 다른 유체의 공급량을 제어하여 폐액 처리량을 최소화할 수 있는 기판 처리액 제공 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 시스템을 제공하는 것이다.

본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.

상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기판 처리 시스템의 일 면(Aspect)은, 기판 처리액을 제공하는 기판 처리액 제공 장치; 및 상기 기판 처리액을 이용하여 기판을 처리하는 기판 처리 장치를 포함하며, 상기 기판 처리액 제공 장치는, 상기 기판 처리 장치에 제1 유체를 제공하는 제1 유체 제공 모듈; 상기 기판 처리 장치에 제2 유체를 제공하는 제2 유체 제공 모듈; 상기 제1 유체 제공 모듈과 상기 기판 처리 장치를 연결하는 제1 배관; 상기 제2 유체 제공 모듈과 상기 기판 처리 장치를 연결하는 제2 배관; 및 상기 제1 배관과 상기 제2 배관을 연결하는 제3 배관을 포함하고, 상기 제2 유체의 유량은 상기 제3 배관을 따라 상기 제2 배관으로 이동하는 제1 유체의 유량 또는 상기 기판 처리 장치로 이동하는 제1 유체의 유량에 따라 가변된다.

상기 제1 유체는 제1 유량으로 제공되고, 상기 제2 유체는 상기 제1 유량보다 적은 제2 유량으로 제공되며, 상기 기판 처리 장치로 이동하는 제1 유체의 유량이 상기 제3 배관을 따라 상기 제2 배관으로 이동하는 제1 유체의 유량보다 많을 수 있다.

상기 제1 유체는 제1 유량으로 제공되고, 상기 제2 유체는 상기 제2 유량보다 많고 상기 제1 유량보다 적은 유량으로 제공되며, 상기 기판 처리 장치로 이동하는 제1 유체의 유량이 상기 제3 배관을 따라 상기 제2 배관으로 이동하는 제1 유체의 유량보다 적을 수 있다.

상기 제2 유체의 유량은 상기 제3 배관을 따라 상기 제2 배관으로 이동하는 제1 유체의 유량에 비례하여 가변될 수 있다.

상기 제2 유체의 유량은 상기 기판 처리 장치로 이동하는 제1 유체의 유량에 반비례하여 가변될 수 있다.

상기 기판 처리 시스템은, 상기 제3 배관을 따라 상기 제2 배관으로 이동하는 제1 유체의 유량 및/또는 상기 기판 처리 장치로 이동하는 제1 유체의 유량을 측정하는 유량 측정 센서; 상기 유량 측정 센서의 측정값을 토대로 상기 제2 유체의 가변 유량을 계산하는 연산 모듈; 및 상기 제2 유체의 가변 유량을 토대로 상기 제2 유체 제공 모듈을 제어하는 제1 제어 모듈을 더 포함할 수 있다.

상기 제1 유체는 오존(O3)을 포함하고, 상기 제2 유체는 불산(HF)을 포함할 수 있다.

상기 제3 배관은 상기 제1 유체의 이동만을 허용하는 밸브를 포함할 수 있다.

상기 기판 처리 시스템은, 상기 제1 배관에서 분기되는 제4 배관; 상기 제2 배관에서 분기되는 제5 배관; 상기 제4 배관을 통해 이동하는 제1 유체의 일부 및 상기 제2 배관을 통해 이동하는 제3 유체의 일부를 외부로 배출시키는 배수관; 상기 제4 배관 및 상기 제5 배관에 각각 설치되는 압력 측정 센서; 및 상기 압력 측정 센서의 측정값에 따라 상기 제1 유체 제공 모듈 및/또는 상기 제2 유체 제공 모듈을 제어하는 제2 제어 모듈을 더 포함할 수 있다.

또한, 상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기판 처리액 제공 장치의 일 면은, 기판 처리액을 제공하는 장치로서, 상기 기판 처리액을 이용하여 기판을 처리하는 기판 처리 장치에 제1 유체를 제공하는 제1 유체 제공 모듈; 상기 기판 처리 장치에 제2 유체를 제공하는 제2 유체 제공 모듈; 상기 제1 유체 제공 모듈과 상기 기판 처리 장치를 연결하는 제1 배관; 상기 제2 유체 제공 모듈과 상기 기판 처리 장치를 연결하는 제2 배관; 및 상기 제1 배관과 상기 제2 배관을 연결하는 제3 배관을 포함하고, 상기 제2 유체의 유량은 상기 제3 배관을 따라 상기 제2 배관으로 이동하는 제1 유체의 유량 또는 상기 기판 처리 장치로 이동하는 제1 유체의 유량에 따라 가변된다.

기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 시스템의 내부 구성을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 시스템을 구성하는 기판 처리 장치의 내부 구조를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 시스템을 구성하는 기판 처리액 제공 장치와 기판 처리 장치 간 연결 구조를 설명하기 위한 제1 예시도이다.
도 4는 제1 유체와 제2 유체 사이의 관계를 설명하기 위한 제1 예시도이다.
도 5는 제1 유체와 제2 유체 사이의 관계를 설명하기 위한 제2 예시도이다.
도 6은 제1 유체의 분기된 후의 관계를 설명하기 위한 예시도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 시스템을 구성하는 기판 처리액 제공 장치와 기판 처리 장치 간 연결 구조를 설명하기 위한 제2 예시도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 시스템을 구성하는 기판 처리액 제공 장치와 기판 처리 장치 간 연결 구조를 설명하기 위한 제3 예시도이다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시 예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 게시되는 실시 예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 게시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.

소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "위(on)" 또는 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 또는 층의 바로 위뿐만 아니라 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 "직접 위(directly on)" 또는 "바로 위"로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않은 것을 나타낸다.

공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래(below)" 또는 "아래(beneath)"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 소자는 다른 방향으로도 배향될 수 있고, 이에 따라 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다.

비록 제1, 제2 등이 다양한 소자, 구성요소 및/또는 섹션들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 소자, 구성요소 및/또는 섹션들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 소자, 구성요소 또는 섹션들을 다른 소자, 구성요소 또는 섹션들과 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 소자, 제1 구성요소 또는 제1 섹션은 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 소자, 제2 구성요소 또는 제2 섹션일 수도 있음은 물론이다.

본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.

다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어 도면 부호에 상관없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.

본 발명은 케미칼(Chemical)을 이용하여 기판(예를 들어, 웨이퍼(Wafer))을 처리하는 경우, 폐액 처리되는 양을 최소화할 수 있는 기판 처리액 제공 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치에 관한 것이다. 이하에서는 도면 등을 참조하여 본 발명을 자세하게 설명하기로 한다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 시스템의 내부 구성을 개략적으로 나타낸 도면이다. 도 1에 따르면, 기판 처리 시스템(100)은 기판 처리 장치(110), 기판 처리액 제공 장치(120) 및 제어 장치(Controller; 130)를 포함하여 구성될 수 있다.

기판 처리 장치(110)는 약액(예를 들어, 케미칼(Chemical))을 이용하여 기판을 처리하는 것이다. 이러한 기판 처리 장치(110)는 약액을 이용하여 기판을 세정 처리하는 세정 공정 챔버(Cleaning Process Chamber)로 마련될 수 있다.

약액은 액체 상태의 물질(예를 들어, 유기용제)이거나, 기체 상태의 물질일 수 있다. 약액은 휘발성이 강하며, 흄(Fume)이 많이 발생하거나 점도가 높아 잔류성이 높은 물질들을 포함할 수 있다. 약액은 예를 들어, IPA(Iso-Propyl Alcohol) 성분을 포함하는 물질, 황산 성분을 포함하는 물질(예를 들어, 황산 성분과 과산화수소 성분을 포함하는 SPM), 암모니아수 성분을 포함하는 물질(예를 들어, SC-1(H₂O₂+NH₄OH), 불산 성분을 포함하는 물질(예를 들어, DHF(Diluted Hydrogen Fluoride)), 인산 성분을 포함하는 물질 등에서 선택될 수 있다. 이하에서는 기판을 처리하는 데에 사용되는 이러한 약액들을 기판 처리액으로 정의하기로 한다.

기판 처리 장치(110)는 앞서 설명한 바와 같이 세정 공정에 적용되는 경우, 기판을 회전시키고 기판 상에 약액을 제공할 수 있다. 기판 처리 장치(110)가 이와 같이 액처리 챔버로 마련되는 경우, 예를 들어 도 2에 도시된 바와 같이 기판 지지 모듈(210), 처리액 회수 모듈(220), 승강 모듈(230) 및 분사 모듈(240)을 포함하여 구성될 수 있다.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 시스템을 구성하는 기판 처리 장치의 내부 구조를 개략적으로 나타낸 도면이다. 이하 설명은 도 2를 참조한다.

기판 지지 모듈(210)은 기판(W)을 지지하는 것이다. 기판 지지 모듈(210)은 기판(W)을 처리할 때에, 제3 방향(30)에 대해 수직 방향(제1 방향(10) 및 제2 방향(20))으로 기판(W)을 회전시킬 수 있다. 기판 지지 모듈(210)은 기판(W) 처리시 사용되는 기판 처리액을 회수하기 위해, 처리액 회수 모듈(220)의 내부에 배치될 수 있다.

기판 지지 모듈(210)은 스핀 헤드(Spin Head; 211), 회전축(212), 회전 구동부(213), 서포트 핀(Support Pin; 214) 및 가이드 핀(Guide Pin; 215)을 포함하여 구성될 수 있다.

스핀 헤드(211)는 회전축(212)의 회전 방향(제3 방향(30)의 수직 방향)을 따라 회전하는 것이다. 이러한 스핀 헤드(211)는 기판(W)의 형상과 동일한 형상을 가지도록 제공될 수 있다. 그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 스핀 헤드(211)는 기판(W)의 형상과 서로 다른 형상을 가지도록 제공되는 것도 가능하다.

회전축(212)은 회전 구동부(213)로부터 제공되는 에너지를 이용하여 회전력을 발생시키는 것이다. 이러한 회전축(212)은 회전 구동부(213)와 스핀 헤드(211)에 각각 결합되어 회전 구동부(213)에 의한 회전력을 스핀 헤드(211)에 전달할 수 있다. 스핀 헤드(211)는 회전축(212)을 따라 회전하게 되며, 이 경우 스핀 헤드(211) 상에 안착되어 있는 기판(W)도 스핀 헤드(211)와 함께 회전할 수 있다.

서포트 핀(214) 및 가이드 핀(215)은 스핀 헤드(211) 상에서 기판(W)을 위치 고정시키는 것이다. 서포트 핀(214)은 이를 위해 스핀 헤드(211) 상에서 기판(W)의 저면을 지지하며, 가이드 핀(215)은 기판(W)의 측면을 지지한다. 서포트 핀(214) 및 가이드 핀(215)은 스핀 헤드(211) 상에 각각 복수 개 설치될 수 있다.

서포트 핀(214)은 전체적으로 환형의 링 형상을 가지도록 배치될 수 있다. 서포트 핀(214)은 이를 통해 기판(W)이 스핀 헤드(211)의 상부로부터 일정 거리 이격될 수 있도록 기판(W)의 저면을 지지할 수 있다.

가이드 핀(215)은 척킹 핀(Chucking Pin)으로서, 스핀 헤드(211)가 회전할 때 기판(W)이 원래 위치에서 이탈되지 않도록 기판(W)을 지지할 수 있다.

처리액 회수 모듈(220)은 기판(W)을 처리하는 데에 이용되는 기판 처리액을 회수하는 것이다. 처리액 회수 모듈(220)은 기판 지지 모듈(210)을 둘러싸도록 설치될 수 있으며, 이에 따라 기판(W)에 대한 처리 공정이 수행되는 공간을 제공할 수 있다.

기판(W)이 기판 지지 모듈(210) 상에 안착 및 고정된 후, 기판 지지 모듈(210)에 의해 회전하기 시작하면, 분사 모듈(240)이 제어기 모듈(250)의 제어에 따라 기판(W) 상에 기판 처리액을 분사할 수 있다. 그러면, 기판 지지 모듈(210)의 회전력에 의해 발생되는 원심력으로 인해 기판(W) 상에 토출되는 기판 처리액은 처리액 회수 모듈(220)이 위치한 방향으로 분산될 수 있다. 이 경우, 처리액 회수 모듈(220)은 유입구(즉, 후술하는 제1 회수통(221)의 제1 개구부(224), 제2 회수통(222)의 제2 개구부(225), 제3 회수통(223)의 제3 개구부(226) 등)을 통해 기판 처리액이 그 내부로 유입되면 기판 처리액을 회수할 수 있다.

처리액 회수 모듈(220)은 복수 개의 회수통을 포함하여 구성될 수 있다. 처리액 회수 모듈(220)은 예를 들어, 세 개의 회수통을 포함하여 구성될 수 있다. 처리액 회수 모듈(220)이 이와 같이 복수 개의 회수통을 포함하여 구성되는 경우, 복수 개의 회수통을 이용하여 기판 처리 공정에 사용되는 기판 처리액을 분리하여 회수할 수 있으며, 이에 따라 기판 처리액의 재활용이 가능해질 수 있다.

처리액 회수 모듈(220)은 세 개의 회수통을 포함하여 구성되는 경우, 제1 회수통(221), 제2 회수통(222) 및 제3 회수통(223)을 포함할 수 있다. 제1 회수통(221), 제2 회수통(222) 및 제3 회수통(223)은 예를 들어, 보울(Bowl)로 구현될 수 있다.

제1 회수통(221), 제2 회수통(222) 및 제3 회수통(223)은 서로 다른 기판 처리액을 회수할 수 있다. 예를 들어, 제1 회수통(221)은 린스액(예를 들어, DI Water(Deionized Water))을 회수할 수 있고, 제2 회수통(222)은 제1 약액을 회수할 수 있으며, 제3 회수통(223)은 제2 약액을 회수할 수 있다.

제1 회수통(221), 제2 회수통(222) 및 제3 회수통(223)은 그 저면에서 아래쪽 방향(제3 방향(30))으로 연장되는 회수 라인(227, 228, 229)과 연결될 수 있다. 제1 회수통(221), 제2 회수통(222) 및 제3 회수통(223)을 통해 회수되는 제1 처리액, 제2 처리액 및 제3 처리액은 처리액 재생 시스템(미도시)을 통해 재사용 가능하게 처리될 수 있다.

제1 회수통(221), 제2 회수통(222) 및 제3 회수통(223)은 기판 지지 모듈(210)을 둘러싸는 환형의 링 형상으로 제공될 수 있다. 제1 회수통(221), 제2 회수통(222) 및 제3 회수통(223)은 제1 회수통(221)으로부터 제3 회수통(223)으로 갈수록(즉, 제2 방향(20)으로) 그 크기가 증가할 수 있다. 제1 회수통(221) 및 제2 회수통(222) 사이의 간격을 제1 간격으로 정의하고, 제2 회수통(222) 및 제3 회수통(223) 사이의 간격을 제2 간격으로 정의하면, 제1 간격은 제2 간격과 동일할 수 있다. 그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 제1 간격은 제2 간격과 상이한 것도 가능하다. 즉, 제1 간격은 제2 간격보다 클 수 있으며, 제2 간격보다 작을 수도 있다.

승강 모듈(230)은 처리액 회수 모듈(220)을 상하 방향(제3 방향(30))으로 직선 이동시키는 것이다. 승강 모듈(230)은 이를 통해 기판 지지 모듈(210)(또는 기판(W))에 대한 처리액 회수 모듈(220)의 상대 높이를 조절하는 역할을 할 수 있다.

승강 모듈(230)은 브라켓(231), 제1 지지축(232) 및 제1 구동부(233)를 포함하여 구성될 수 있다.

브라켓(231)은 처리액 회수 모듈(220)의 외벽에 고정되는 것이다. 브라켓(231)은 제1 구동부(233)에 의해 상하 방향으로 이동되는 제1 지지축(232)과 결합할 수 있다.

기판 지지 모듈(210) 상에 기판(W)을 안착시키는 경우, 기판 지지 모듈(210)은 처리액 회수 모듈(220)보다 상위에 위치할 수 있다. 마찬가지로, 기판 지지 모듈(210) 상에서 기판(W)을 탈착시키는 경우에도, 기판 지지 모듈(210)은 처리액 회수 모듈(220)보다 상위에 위치할 수 있다. 상기와 같은 경우, 승강 모듈(230)은 처리액 회수 모듈(220)을 하강시키는 역할을 할 수 있다.

기판(W)에 대한 처리 공정이 진행되는 경우, 기판(W) 상에 토출되는 기판 처리액의 종류에 따라 해당 처리액이 제1 회수통(221), 제2 회수통(222) 및 제3 회수통(223) 중 어느 하나의 회수통으로 회수될 수 있다. 이와 같은 경우에도, 승강 모듈(230)은 처리액 회수 모듈(220)을 해당 위치까지 승강시키는 역할을 할 수 있다. 예를 들어, 기판 처리액으로 제1 처리액을 사용하는 경우, 승강 모듈(230)은 기판(W)이 제1 회수통(221)의 제1 개구부(224)에 대응하는 높이에 위치하도록 처리액 회수 모듈(220)을 승강시킬 수 있다.

한편, 본 실시예에서는 승강 모듈(230)이 기판 지지 모듈(210)을 상하 방향으로 직선 이동시켜 기판 지지 모듈(210)(또는 기판(W))에 대한 처리액 회수 모듈(220)의 상대 높이를 조절하는 것도 가능하다.

그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 승강 모듈(230)은 기판 지지 모듈(210) 및 처리액 회수 모듈(220)을 동시에 상하 방향으로 직선 이동시켜 기판 지지 모듈(210)(또는 기판(W))에 대한 처리액 회수 모듈(220)의 상대 높이를 조절하는 것도 가능하다.

분사 모듈(240)은 기판(W) 처리시 기판(W) 상에 기판 처리액을 공급하는 것이다. 이러한 분사 모듈(240)은 기판 처리 유닛(120) 내에 적어도 하나 설치될 수 있다. 분사 모듈(240)이 기판 처리 유닛(120) 내에 복수 개 설치되는 경우, 각각의 분사 모듈(240)은 서로 다른 기판 처리액을 기판(W) 상에 분사할 수 있다.

분사 모듈(240)은 노즐(241), 노즐 지지부(242), 제2 지지축(243) 및 제2 구동부(244)를 포함하여 구성될 수 있다.

노즐(241)은 노즐 지지부(242)의 단부에 설치되는 것이다. 이러한 노즐(241)은 제2 구동부(244)에 의해 공정 위치 또는 대기 위치로 이동될 수 있다.

상기에서, 공정 위치는 기판(W)의 상위 영역을 말하며, 대기 위치는 공정 위치를 제외한 나머지 영역을 말한다. 노즐(241)은, 기판(W) 상에 기판 처리액을 토출하는 경우, 공정 위치로 이동될 수 있으며, 기판(W) 상에 기판 처리액을 토출한 후, 공정 위치를 벗어나 대기 위치로 이동될 수 있다.

노즐 지지부(242)는 노즐(241)을 지지하는 것이다. 이러한 노즐 지지부(242)는 스핀 헤드(211)의 길이 방향에 대응하는 방향으로 연장 형성될 수 있다. 즉, 노즐 지지부(242)는 그 길이 방향이 제2 방향(20)을 따라 제공될 수 있다.

노즐 지지부(242)는 노즐 지지부(242)의 길이 방향에 대해 수직 방향으로 연장 형성되는 제2 지지축(243)과 결합될 수 있다. 제2 지지축(243)은 스핀 헤드(211)의 높이 방향에 대응하는 방향으로 연장 형성될 수 있다. 즉, 제2 지지축(243)은 그 길이 방향이 제3 방향(30)을 따라 제공될 수 있다.

제2 구동부(244)는 제2 지지축(243) 및 제2 지지축(243)과 연동되는 노즐 지지부(242)를 회전 및 승강시키는 것이다. 제2 구동부(244)의 이러한 기능에 따라, 노즐(241)은 공정 위치 또는 대기 위치로 이동될 수 있다.

다시 도 1을 참조하여 설명한다.

기판 처리액 제공 장치(120)는 기판 처리 장치(110)에 기판 처리액을 제공하는 것이다. 기판 처리액 제공 장치(120)는 이를 위해 기판 처리 장치(110)의 분사 모듈(240)과 연결될 수 있으며, 제어 장치(130)의 제어에 따라 작동할 수 있다.

제어 장치(130)는 기판 처리 장치(110)의 작동을 제어하는 것이다. 구체적으로, 제어 장치(130)는 기판 지지 모듈(210)의 회전 구동부(213), 승강 모듈(230)의 제1 구동부(233) 및 분사 모듈(240)의 제2 구동부(244)의 작동을 제어할 수 있다.

제어 장치(130)는 프로세스 컨트롤러, 제어 프로그램, 입력 모듈, 출력 모듈(또는 표시 모듈), 메모리 모듈 등을 포함하여 컴퓨터나 서버 등으로 구현될 수 있다. 상기에서, 프로세스 컨트롤러는 기판 처리 장치(110)를 구성하는 각각의 구성에 대해 제어 기능을 실행하는 마이크로 프로세서를 포함할 수 있으며, 제어 프로그램은 프로세스 컨트롤러의 제어에 따라 기판 처리 장치(110)의 각종 처리를 실행할 수 있다. 메모리 모듈은 각종 데이터 및 처리 조건에 따라 기판 처리 장치(110)의 각종 처리를 실행시키기 위한 프로그램 즉, 처리 레시피가 저장되는 것이다.

한편, 제어 장치(130)는 필요시 기판 처리액 제공 장치(120)로부터 기판 처리 장치(110)로 기판 처리액이 공급될 수 있도록 기판 처리액 제공 장치(120)의 작동도 제어할 수 있다.

본 발명은 앞서 설명한 바와 같이 케미칼(Chemical)을 이용하여 기판을 처리하는 경우, 폐액 처리되어 버려지는 케미칼의 양을 최소화하기 위한 방법에 관한 것이다. 이하에서는 이에 대해 설명하기로 한다.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 시스템을 구성하는 기판 처리액 제공 장치와 기판 처리 장치 간 연결 구조를 설명하기 위한 제1 예시도이다. 도 3에 따르면, 기판 처리액 제공 장치(120)는 제1 유체 제공 모듈(310) 및 제2 유체 제공 모듈(320)을 포함하여 구성될 수 있다.

제1 유체 제공 모듈(310)은 기판 처리 장치(110)에 제1 유체를 제공하는 것이다. 이러한 제1 유체 제공 모듈(310)은 제1 배관(410)을 통해 기판 처리 장치(110)와 연결될 수 있다. 제1 유체는 기체 성분의 오존(O3)을 포함할 수 있다. 제1 유체는 예를 들어, 기체 성분의 오존(O3)과 액체 성분의 초순수(DIW; De-Ionized Water)가 혼합된 유체(O3DI)일 수 있다.

제2 유체 제공 모듈(320)은 기판 처리 장치(110)에 제2 유체를 제공하는 것이다. 이러한 제2 유체 제공 모듈(320)은 제2 배관(420)을 통해 기판 처리 장치(110)와 연결될 수 있다. 제2 유체는 액체 성분의 불산(HF; Hydro-Fluoric acid)을 포함할 수 있다. 제2 유체는 예를 들어, 액체 성분의 불산(HF)과 액체 성분의 초순수(DIW)가 혼합된 유체, 즉 희석 불산(DHF; Diluted HF)일 수 있다.

제1 배관(410)은 제3 배관(430)을 통해 제2 배관(420)과 연결될 수 있다. 구체적으로, 제1 배관(410)은 일 지점에서 분기되며, 이 분기 기점을 중심으로 어느 한 쪽은 기판 처리 장치(110)와 연결되고, 다른 한 쪽은 제2 배관(420)과 연결될 수 있다. 분기 지점에는 제1 밸브(440)가 설치될 수 있다.

제1 유체는 제3 배관(430)을 통해 제1 배관(410)에서 제2 배관(420)으로 이동할 수 있다. 따라서 제2 유체는 제1 유체와 혼합되어 기판 처리 장치(110)에 제공될 수 있다. 이하 설명에서는 제1 유체와 제2 유체의 혼합액을 제3 유체로 정의한다.

제3 유체는 기체 성분의 오존(O3)과 액체 성분의 불산(HF)을 포함할 수 있다. 제3 유체는 예를 들어, 오존(O3), 불산(HF) 및 초순수(DIW)가 혼합된 유체(O3HF)일 수 있다.

제3 배관(430)에서는 제1 유체가 제1 배관(410)에서 제2 배관(420)으로 이동하며, 제2 유체가 제2 배관(420)에서 제1 배관(410)으로 이동하지 않는다. 제3 배관(430)에는 이를 위해 제2 밸브(450)가 설치될 수 있다. 제2 밸브(450)는 체크 밸브(Check Valve)일 수 있다.

제3 유체는 앞서 설명한 바와 같이 제1 유체와 제2 유체가 혼합되어 생성될 수 있다. 이 경우, 제1 유체가 제2 유체보다 더 높은 혼합 비율을 가질 수 있다. 예를 들어, 제3 유체는 제2 유체와 상기 제2 유체의 L배의 양의 제1 유체가 혼합되어 생성될 수 있다(제1 유체 : 제2 유체 = L : 1, 여기서 L > 1).

제3 유체는 기판 처리 장치(110) 내에 제공되어 기판(W)의 표면에 잔류하는 산화막이나 유기 오염물질을 제거하는 역할을 한다. 여기서, 산화막은 화학적 산화막(Chemical Oxide)이나 자연 산화막(Native Oxide)일 수 있다. 또는, 화학적 산화막과 자연 산화막 모두일 수 있다.

예를 들어, 산화막의 두께가 기준값에 해당하는 두께를 가지는 경우, 제1 유체 제공 모듈(310)은 제1 유체를 제1 유량으로 제공할 수 있다. 그리고, 제2 유체 제공 모듈(320)은 제2 유체를 제2 유량으로 제공할 수 있다. 여기서, 제2 유량은 제1 유량보다 적은 값이다.

상기에서, 제1 유량의 제1 유체 중 상대적으로 더 많은 유량(즉, 제1 유량의 0.5배를 초과하는 유량)의 제1 유체가 제1 배관(410)을 따라 기판 처리 장치(110)로 이동하며, 상대적으로 더 적은 유량(즉, 제1 유량의 0.5배 미만인 유량)의 제1 유체가 제3 배관(430)을 따라 제2 배관(420)으로 이동할 수 있다. 즉, 제1 배관(410)을 따라 계속적으로 이동하는 제1 유체의 양이 제3 배관(430)을 따라 제2 배관(420)으로 이동하는 제1 유체의 양보다 많을 수 있다(제1 배관(410)을 따라 계속적으로 이동하는 제1 유체의 양 : 제3 배관(430)을 따라 제2 배관(420)으로 이동하는 제1 유체의 양 = M : 1 - M, 여기서 0.5 < M < 1).

예를 들어, 산화막의 두께가 기준값보다 더 큰 값에 해당하는 두께를 가지는 경우, 제1 유체 제공 모듈(310)은 제1 유체를 제1 유량으로 제공할 수 있다. 반면, 제2 유체 제공 모듈(320)은 제2 유체를 제2 유량보다 많은 유량으로 제공할 수 있다. 여기서, 제2 유량보다 많은 유량 역시 제1 유량보다 적은 값이다.

상기에서, 제1 유량의 제1 유체 중 상대적으로 더 많은 유량(즉, 제1 유량의 0.5배를 초과하는 유량)의 제1 유체가 제3 배관(430)을 따라 제2 배관(420)으로 이동하며, 상대적으로 더 적은 유량(즉, 제1 유량의 0.5배 미만인 유량)의 제1 유체가 제1 배관(410)을 따라 기판 처리 장치(110)로 이동할 수 있다. 즉, 제1 배관(410)을 따라 계속적으로 이동하는 제1 유체의 양이 제3 배관(430)을 따라 제2 배관(420)으로 이동하는 제1 유체의 양보다 적을 수 있다(제1 배관(410)을 따라 계속적으로 이동하는 제1 유체의 양 : 제3 배관(430)을 따라 제2 배관(420)으로 이동하는 제1 유체의 양 = M : 1 - M, 여기서 0 < M < 0.5).

예를 들어, 산화막의 두께가 기준값보다 더 작은 값에 해당하는 두께를 가지는 경우, 제1 유체 제공 모듈(310)은 제1 유체를 제1 유량으로 제공할 수 있다. 그리고, 제2 유체 제공 모듈(320)은 제2 유체를 제2 유량으로 제공할 수 있다.

상기에서와 같이, 제1 유체 제공 모듈(310) 및 제2 유체 제공 모듈(320)은 산화막의 두께가 기준값에 해당하는 두께를 가지는 경우와 산화막의 두께가 기준값보다 더 작은 값에 해당하는 두께를 가지는 경우에 동일한 조건으로 제1 유체와 제2 유체를 제공할 수 있다. 그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 제1 유체 제공 모듈(310) 및 제2 유체 제공 모듈(320)은 산화막의 두께가 기준값에 해당하는 두께를 가지는 경우와 산화막의 두께가 기준값보다 더 작은 값에 해당하는 두께를 가지는 경우에 상이한 조건으로 제1 유체와 제2 유체를 제공하는 것도 가능하다.

제2 배관(420)을 따라 제2 유체 제공 모듈(320)에서 기판 처리 장치(110)로 이동하는 제2 유체의 양은 제3 배관(430)을 따라 제2 배관(420)으로 이동하는 제1 유체의 양에 따라 가변될 수 있다. 또는, 제2 배관(420)을 따라 제2 유체 제공 모듈(320)에서 기판 처리 장치(110)로 이동하는 제2 유체의 양은 제1 배관(410)을 따라 계속적으로 이동하는 제1 유체의 양에 따라 가변될 수 있다.

예를 들어, 제2 유체의 양은 제3 배관(430)을 따라 제2 배관(420)으로 이동하는 제1 유체의 양과 비례 관계를 형성한다. 구체적으로 설명하면, 도 4의 (a)에 도시된 바와 같이 제2 유체(510)의 양이 증가하면 제3 배관(430)을 따라 제2 배관(420)으로 이동하는 제1 유체(520)의 양도 증가하며, 도 4의 (b)에 도시된 바와 같이 제2 유체(510)의 양이 감소하면 제3 배관(430)을 따라 제2 배관(420)으로 이동하는 제1 유체(520)의 양도 감소한다. 도 4는 제1 유체와 제2 유체 사이의 관계를 설명하기 위한 제1 예시도이다.

반면, 제2 유체의 양은 제1 배관(410)을 따라 계속적으로 이동하는 제1 유체의 양과 반비례 관계를 형성한다. 구체적으로 설명하면, 도 5의 (a)에 도시된 바와 같이 제2 유체(510)의 양이 증가하면 제1 배관(410)을 따라 계속적으로 이동하는 제1 유체(530)의 양은 감소하며, 도 5의 (b)에 도시된 바와 같이 제2 유체(510)의 양이 감소하면 제1 배관(410)을 따라 계속적으로 이동하는 제1 유체(530)의 양은 증가한다. 도 5는 제1 유체와 제2 유체 사이의 관계를 설명하기 위한 제2 예시도이다.

한편, 제1 유체 제공 모듈(310)에 의해 제공되는 제1 유체의 양은 항상 일정하다. 따라서 제1 배관(410)을 따라 계속적으로 이동하는 제1 유체의 양은 제3 배관(430)을 따라 제2 배관(420)으로 이동하는 제1 유체의 양과 반비례 관계를 형성한다.

구체적으로 설명하면, 도 6의 (a)에 도시된 바와 같이 제1 배관(410)을 따라 계속적으로 이동하는 제1 유체(530)의 양이 증가하면 제3 배관(430)을 따라 제2 배관(420)으로 이동하는 제1 유체의 양은 감소하며, 도 6의 (b)에 도시된 바와 같이 제1 배관(410)을 따라 계속적으로 이동하는 제1 유체(530)의 양이 감소하면 제3 배관(430)을 따라 제2 배관(420)으로 이동하는 제1 유체의 양은 증가한다. 도 6은 제1 유체의 분기된 후의 관계를 설명하기 위한 예시도이다.

앞서 설명한 바와 같이, 제2 유체의 양은 제1 배관(410)을 따라 계속적으로 이동하는 제1 유체의 양, 또는 제3 배관(430)을 따라 제2 배관(420)으로 이동하는 제1 유체의 양에 따라 가변될 수 있다. 기판 처리액 제공 장치(120)는 이를 위해 유량 측정 센서(610), 연산 모듈(620) 및 제1 제어 모듈(630)을 더 포함할 수 있다.

도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 시스템을 구성하는 기판 처리액 제공 장치와 기판 처리 장치 간 연결 구조를 설명하기 위한 제2 예시도이다.

제1 유체 제공 모듈(310), 제2 유체 제공 모듈(320), 제1 배관(410), 제2 배관(420), 제3 배관(430), 제1 밸브(440) 및 제2 밸브(450)에 대해서는 도 3을 참조하여 전술하였는 바, 여기서는 그 자세한 설명을 생략한다.

유량 측정 센서(610)는 제3 배관(430)을 따라 제2 배관(420)으로 이동하는 제1 유체의 유량을 측정하는 것이다. 유량 측정 센서(610)는 이를 위해 제3 배관(430) 내에 설치될 수 있으며, 제2 밸브(450)의 전단에 설치될 수 있다.

유량 측정 센서(610)는 제1 배관(410)을 따라 계속적으로 이동하는 제1 유체의 유량을 측정할 수도 있다. 이 경우, 유량 측정 센서(610)는 분기 지점 이후의 제1 배관(410) 내에 설치될 수 있다.

유량 측정 센서(610)는 제3 배관(430)을 따라 제2 배관(420)으로 이동하는 제1 유체의 유량, 및 제1 배관(410)을 따라 계속적으로 이동하는 제1 유체의 유량 중 어느 하나의 유량을 측정할 수 있다. 그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 유량 측정 센서(610)는 상기 두 유량을 모두 측정하는 것도 가능하다.

연산 모듈(620)은 유량 측정 센서(610)의 측정값을 토대로 제2 유체의 가변 유량을 계산하는 것이다. 그리고, 제1 제어 모듈(630)은 연산 모듈(620)에 의해 계산된 값을 토대로 제2 유체 제공 모듈(320)을 제어하는 것이다. 본 실시에에서는 연산 모듈(620) 및 제1 제어 모듈(630)의 이러한 역할에 따라 제2 유체의 양을 제1 배관(410)을 따라 계속적으로 이동하는 제1 유체의 양, 또는 제3 배관(430)을 따라 제2 배관(420)으로 이동하는 제1 유체의 양에 따라 가변할 수 있는 것이다.

한편, 기판 처리 장치(110)로 제공되는 제1 유체 및 제3 유체는 전부 제공되지 않고, 그 일부는 외부로 배출될 수 있다.

도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 시스템을 구성하는 기판 처리액 제공 장치와 기판 처리 장치 간 연결 구조를 설명하기 위한 제3 예시도이다.

제4 배관(710)은 기판 처리 장치(110)에 인접하여 제1 배관(410)에 연결되고, 제5 배관(720)은 기판 처리 장치(110)에 인접하여 제2 배관(420)에 연결될 수 있다. 제4 배관(710) 및 제5 배관(720)은 배수관(730)와 연결되며, 기판 처리 장치(110)에 제공되고 남은 제1 유체와 제3 유체를 외부로 배출시킬 수 있다.

제4 배관(710) 및 제5 배관(720)에는 각각 압력 측정 센서(740a, 740b)가 설치될 수 있다. 제2 제어 모듈(750)은 압력 측정 센서(740a, 740b)의 측정값에 따라 제1 유체 제공 모듈(310) 및/또는 제2 유체 제공 모듈(320)을 제어할 수 있다. 구체적으로, 제2 제어 모듈(750)은 압력 측정 센서(740a, 740b)의 측정값이 기준값 미만이면 상기 압력 측정 센서(740a, 740b)의 측정값이 기준값 이상이 되도록 제1 유체 제공 모듈(310) 및/또는 제2 유체 제공 모듈(320)을 제어할 수 있다.

본 발명은 O3DI Inline Mixer 혼합 비율 자동 제어 방법에 관한 것이다. 구체적으로, O3DI와 O3HF에 동시에 공급되는 O3DI 유량을 가변하여 미사용 라인의 유량을 사용량이 많은 라인 쪽으로 더 공급하여 프로세스 처리시 미사용으로 버려지는 유량을 최소화하는 O3DI Inline Mixer 혼합 비율 자동 제어 방법에 관한 것이다.

O3DI와 O3HF 공급 유량을 고정하여 사용하면, 설비 IDLE이나 공정 중 고정 유량으로 공급하여 폐액 처리하여 버려지는 유량이 많다. 또한, 원활한 유량 공급을 위해 정압 밸브의 압력을 0.2MPa보다 높여서 사용해야 하는데 그 이하의 압력에서는 오존수에 용해된 오존이 용출되어 기포가 발생한다.

본 실시예에서는 O3 Generator에서 공급되는 O3DI가 O3DI로 공급되거나 DHF와 Mixing하여 O3HF로 공급된다. 오존 기체가 용출되지 되지 않도록 하려면 공급되는 압력이 0.2MPa 이상을 유지해야 하는데, 전체 O3DI 유량이 22LPM으로 줄어들어 유량 가변을 통해 사용하는 유량만큼 O3DI와 O3HF에 공급할 수 있다.

본 실시예에서는 O3DI와 DHF 유량을 혼합 가변 제어할 수 있다. 즉, O3DI 유량 Data를 기준으로 DHF 공급량을 연산하여 유량 가변 혼합 제어로 운영할 수 있는 것이다. 정리하여 보면, 본 실시예에서는 Inline Mixer에 약액을 혼합하여 실시간 약액 Condition을 유지 운영할 수 있으며, 유량 사용량 감소/증가에 따라 설정된 약액 혼합비에 맞는 유량을 실시간 연산하여 약액 가변 혼합함으로서 약액 혼합 공급량을 자동으로 연산하여 약액 Condition을 실시간 유지 운영할 수 있다.

이상과 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.

100: 기판 처리 시스템 110: 기판 처리 장치
120: 기판 처리액 제공 장치 130: 제어 장치
210: 기판 지지 모듈 220: 처리액 회수 모듈
230: 승강 모듈 240: 분사 모듈
310: 제1 유체 제공 모듈 320: 제2 유체 제공 모듈
410: 제1 배관 420: 제2 배관
430: 제3 배관 440: 제1 밸브
450: 제2 밸브 510: 제2 유체
520: 제2 배관으로 이동하는 제1 유체
530: 기판 처리 장치로 이동하는 제1 유체
610: 유량 측정 센서 620: 연산 모듈
630: 제1 제어 모듈 710: 제4 배관
720: 제5 배관 730: 배수관
740a, 740b: 압력 측정 센서 750: 제2 제어 모듈

Claims

기판 처리액을 제공하는 기판 처리액 제공 장치; 및
상기 기판 처리액을 이용하여 기판을 처리하는 기판 처리 장치를 포함하며,
상기 기판 처리액 제공 장치는,
상기 기판 처리 장치에 제1 유체를 제공하는 제1 유체 제공 모듈;
상기 기판 처리 장치에 제2 유체를 제공하는 제2 유체 제공 모듈;
상기 제1 유체 제공 모듈과 상기 기판 처리 장치를 연결하는 제1 배관;
상기 제2 유체 제공 모듈과 상기 기판 처리 장치를 연결하는 제2 배관; 및
상기 제1 배관과 상기 제2 배관을 연결하는 제3 배관을 포함하고,
상기 제2 유체의 유량은 상기 제3 배관을 따라 상기 제2 배관으로 이동하는 제1 유체의 유량 또는 상기 기판 처리 장치로 이동하는 제1 유체의 유량에 따라 가변되는 기판 처리 시스템.
제 1 항에 있어서,
상기 제1 유체는 제1 유량으로 제공되고,
상기 제2 유체는 상기 제1 유량보다 적은 제2 유량으로 제공되며,
상기 기판 처리 장치로 이동하는 제1 유체의 유량이 상기 제3 배관을 따라 상기 제2 배관으로 이동하는 제1 유체의 유량보다 많은 기판 처리 시스템.
제 1 항에 있어서,
상기 제1 유체는 제1 유량으로 제공되고,
상기 제2 유체는 상기 제2 유량보다 많고 상기 제1 유량보다 적은 유량으로 제공되며,
상기 기판 처리 장치로 이동하는 제1 유체의 유량이 상기 제3 배관을 따라 상기 제2 배관으로 이동하는 제1 유체의 유량보다 적은 기판 처리 시스템.
제 1 항에 있어서,
상기 제2 유체의 유량은 상기 제3 배관을 따라 상기 제2 배관으로 이동하는 제1 유체의 유량에 비례하여 가변되는 기판 처리 시스템.
제 1 항에 있어서,
상기 제2 유체의 유량은 상기 기판 처리 장치로 이동하는 제1 유체의 유량에 반비례하여 가변되는 기판 처리 시스템.
제 1 항에 있어서,
상기 제3 배관을 따라 상기 제2 배관으로 이동하는 제1 유체의 유량 및/또는 상기 기판 처리 장치로 이동하는 제1 유체의 유량을 측정하는 유량 측정 센서;
상기 유량 측정 센서의 측정값을 토대로 상기 제2 유체의 가변 유량을 계산하는 연산 모듈; 및
상기 제2 유체의 가변 유량을 토대로 상기 제2 유체 제공 모듈을 제어하는 제1 제어 모듈을 더 포함하는 기판 처리 시스템.
제 1 항에 있어서,
상기 제1 유체는 오존(O3)을 포함하고,
상기 제2 유체는 불산(HF)을 포함하는 기판 처리 시스템.
제 1 항에 있어서,
상기 제3 배관은 상기 제1 유체의 이동만을 허용하는 밸브를 포함하는 기판 처리 시스템.
제 1 항에 있어서,
상기 제1 배관에서 분기되는 제4 배관;
상기 제2 배관에서 분기되는 제5 배관;
상기 제4 배관을 통해 이동하는 제1 유체의 일부 및 상기 제2 배관을 통해 이동하는 제3 유체의 일부를 외부로 배출시키는 배수관;
상기 제4 배관 및 상기 제5 배관에 각각 설치되는 압력 측정 센서; 및
상기 압력 측정 센서의 측정값에 따라 상기 제1 유체 제공 모듈 및/또는 상기 제2 유체 제공 모듈을 제어하는 제2 제어 모듈을 더 포함하는 기판 처리 시스템.
기판 처리액을 제공하는 장치로서,
상기 기판 처리액을 이용하여 기판을 처리하는 기판 처리 장치에 제1 유체를 제공하는 제1 유체 제공 모듈;
상기 기판 처리 장치에 제2 유체를 제공하는 제2 유체 제공 모듈;
상기 제1 유체 제공 모듈과 상기 기판 처리 장치를 연결하는 제1 배관;
상기 제2 유체 제공 모듈과 상기 기판 처리 장치를 연결하는 제2 배관; 및
상기 제1 배관과 상기 제2 배관을 연결하는 제3 배관을 포함하고,
상기 제2 유체의 유량은 상기 제3 배관을 따라 상기 제2 배관으로 이동하는 제1 유체의 유량 또는 상기 기판 처리 장치로 이동하는 제1 유체의 유량에 따라 가변되는 기판 처리액 제공 장치.