TWI785330B - 基板處理裝置、基板處理方法以及電腦可讀取之記憶媒體 - Google Patents

基板處理裝置、基板處理方法以及電腦可讀取之記憶媒體 Download PDF

Info

Publication number
TWI785330B
TWI785330B TW109114966A TW109114966A TWI785330B TW I785330 B TWI785330 B TW I785330B TW 109114966 A TW109114966 A TW 109114966A TW 109114966 A TW109114966 A TW 109114966A TW I785330 B TWI785330 B TW I785330B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
unit
substrate holding
chemical solution
cover
Prior art date
Application number
TW109114966A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202112454A (zh
Inventor
日野出大輝
江戸徹
篠原健介
Original Assignee
日商斯庫林集團股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商斯庫林集團股份有限公司 filed Critical 日商斯庫林集團股份有限公司
Publication of TW202112454A publication Critical patent/TW202112454A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI785330B publication Critical patent/TWI785330B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30604—Chemical etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67023—Apparatus for fluid treatment for general liquid treatment, e.g. etching followed by cleaning
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

本發明的課題在於使基板的品質提升。基板處理裝置係具備基板保持部、第一驅動部、藥液噴出部、罩部、第二驅動部以及控制部。基板保持部係以水平姿勢保持具有第一面以及與該第一面相反的第二面之基板。第一驅動部係使基板保持部以假想軸作為中心旋轉。藥液噴出部係朝被基板保持部保持之基板的第一面噴出藥液。罩部係圍繞基板保持部的周圍。第二驅動部係使罩部相對於基板保持部之上下方向中的相對性的位置變化。控制部係一邊執行藥液處理一邊藉由第二驅動部使罩部相對於基板保持部之上下方向中的相對性的位置變化，該藥液處理係下述處理：一邊藉由第一驅動部使基板保持部以假想軸作為中心旋轉，一邊使藥液噴出部朝被基板保持部保持之基板的第一面噴出藥液並對第一面施予處理。

Description

基板處理裝置、基板處理方法以及電腦可讀取之記憶媒體
本發明係有關於一種藉由處理液對半導體晶圓、液晶顯示用基板、電漿顯示器用基板、有機EL(electroluminescence；電致發光)用基板、場發射顯示器(FED；field emission dispaly)用基板、光顯示器用基板、磁碟用基板、光磁碟用基板、光罩(photomask)用基板以及太陽電池用基板等基板施予處理之技術。
例如已知有一種基板處理裝置(例如專利文獻1等)，一邊在已藉由保持部以水平姿勢保持基板之狀態下使基板以沿著鉛直方向的假想的軸作為中心旋轉，一邊依序朝基板噴出各種處理液，藉此對基板施予各種處理。在此，各種處理係例如包含使用了藥液的蝕刻以及使用了清洗(rinse)液的洗淨等。
在此種基板處理裝置中，例如藉由設置於保持部的周圍之罩(cup)接住並回收從基板上飛散的藥液以及清洗液等處理液。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2018-121024號公報。
然而，在上述專利文獻1的基板處理裝置中，例如會有從基板上飛散的液滴碰撞至已附著在罩的內壁面的液滴從而產生許多微小的液滴飛散之飛濺(splash)之情形。當此處所產生的微小的液滴附著於基板時，會產生微小的粉塵的附著導致基板的表面的污染以及藥液的微小的液滴導致基板的表面的溶解等，從而會降低基板的品質。
本發明係有鑑於上述課題而研創，目的在於提供一種可使基板的品質提升之基板處理技術。
為了解決上述課題，第一態樣的基板處理裝置係具備基板保持部、第一驅動部、藥液噴出部、罩部、第二驅動部以及控制部。前述基板保持部係以水平姿勢保持具有第一面以及與前述第一面相反的第二面之基板。前述第一驅動部係使前述基板保持部以假想軸作為中心旋轉。前述藥液噴出部係朝被前述基板保持部保持之前述基板的前述第一面噴出藥液。前述罩部係圍繞前述基板保持部的周圍。前述第二驅動部係使前述罩部相對於前述基板保持部之上下方向中的相對性的位置變化。前述控制部係一邊執行藥液處理一邊藉由前述第二驅動部使前述罩部相對於前述基板保持部之前述上下方向中的相對性的位置變化，前述藥液處理係下述處理：一邊藉由前述第一驅動部使前述基板保 持部以前述假想軸作為中心旋轉，一邊使前述藥液噴出部朝被前述基板保持部保持之前述基板的前述第一面噴出前述藥液並對前述第一面施予處理。
第二態樣的基板處理裝置係如第一態樣所記載之基板處理裝置，其中前述控制部係在從用以開始執行前述藥液處理之第一時序起至用以結束執行前述藥液處理之第二時序為止的藥液處理期間中以下述方式進行控制：藉由前述第二驅動部使前述罩部相對於前述基板保持部之前述上下方向中的相對性的位置朝下方向移動且不會朝上方向移動。
第三態樣的基板處理裝置係如第二態樣所記載之基板處理裝置，其中前述控制部係在前述藥液處理期間中控制藉由前述第二驅動部使前述罩部相對於前述基板保持部之前述上下方向中的相對性的位置朝前述下方向移動之速度，以使前述藥液的液滴從前述基板朝前述罩部的內壁面中之乾燥的部分飛散。
第四態樣的基板處理裝置係如第二態樣或者第三態樣所記載之基板處理裝置，其中前述控制部係在前述第二時序之後以下述方式進行控制：停止藉由前述第二驅動部使前述罩部相對於前述基板保持部之前述上下方向中的相對性的位置朝前述下方向移動。
第五態樣的基板處理裝置係如第二態樣至第四態樣中任一態樣所記載之基板處理裝置，其中前述控制部係在前述第一時序之前以下述方式進行控制：開始藉由前述第二驅動部使前述罩部相對於前述基板保持部之前述上下方向中的相對性的位置朝前述下方向移動。
第六態樣的基板處理裝置係如第一態樣所記載之基板處理裝置，其中前述控制部係在前述藥液處理的執行中以使第一動作以及第二動作交 互地執行之方式進行控制。在前述第一動作中，藉由前述第二驅動部使前述罩部相對於前述基板保持部之前述上下方向中的相對性的位置朝下方向移動。在前述第二動作中，藉由前述第二驅動部使前述罩部相對於前述基板保持部之前述上下方向中的相對性的位置朝上方向移動。
第七態樣的基板處理裝置係如第六態樣所記載之基板處理裝置，其中前述控制部係在前述藥液處理的執行中藉由前述第二驅動部執行前述第二動作時，使前述藥液噴出部停止朝被前述基板保持部保持之前述基板的前述第一面噴出前述藥液。
第八態樣的基板處理裝置係如第六態樣或者第七態樣所記載之基板處理裝置，其中前述控制部係在藉由前述第二驅動部停止執行前述第一動作以及前述第二動作之前，使前述藥液噴出部停止朝被前述基板保持部保持之前述基板的前述第一面噴出前述藥液。
第九態樣的基板處理裝置係如第六態樣至第八態樣中任一態樣所記載之基板處理裝置，其中前述控制部係在藉由前述第二驅動部開始執行前述第一動作以及前述第二動作之後，使前述藥液噴出部開始朝被前述基板保持部保持之前述基板的前述第一面噴出前述藥液。
第十態樣的基板處理裝置係如第一態樣至第九態樣中任一態樣所記載之基板處理裝置，其中進一步具備：洗淨液噴出部，係朝被前述基板保持部保持之前述基板的前述第一面噴出洗淨液。在此，前述控制部係在執行前述藥液處理後，一邊執行洗淨處理一邊藉由前述第二驅動部使前述罩部相對於前述基板保持部之前述上下方向中的相對性的位置變化，前述洗淨處理係下述處理：一邊藉由前述第一驅動部使前述基板保持部以前述假想軸作為中心旋 轉，一邊使前述洗淨液噴出部朝被前述基板保持部保持之前述基板的前述第一面噴出前述洗淨液從而洗淨前述第一面。
第十一態樣的基板處理裝置係如第一態樣至第九態樣中任一態樣所記載之基板處理裝置，其中進一步具備：洗淨液噴出部，係朝被前述基板保持部保持之前述基板的前述第一面噴出洗淨液；以及氣體噴出部，係朝被前述基板保持部保持之前述基板的前述第一面噴出氣體。在此，前述控制部係依序執行前述藥液處理、洗淨處理以及乾燥處理。在前述洗淨處理中，一邊藉由前述第一驅動部使前述基板保持部以前述假想軸作為中心旋轉，一邊使前述洗淨液噴出部朝被前述基板保持部保持之前述基板的前述第一面噴出前述洗淨液從而洗淨前述第一面。在前述乾燥處理中，一邊藉由前述第一驅動部使前述基板保持部以前述假想軸作為中心旋轉，一邊使前述氣體噴出部朝被前述基板保持部保持之前述基板的前述第一面噴出前述氣體從而使前述第一面乾燥。此外，前述控制部係一邊執行前述乾燥處理，一邊藉由前述第二驅動部使前述罩部相對於前述基板保持部之前述上下方向中的相對性的位置變化。
第十二態樣的基板處理裝置係如第一態樣至第十一態樣中任一態樣所記載之基板處理裝置，其中前述控制部係在結束對於第一片前述基板執行前述藥液處理後，禁止開始對第一片前述基板之後的第二片前述基板執行前述藥液處理，直至經過前述罩部的乾燥所需之預先設定的時間為止。
第十三態樣的基板處理裝置係如第一態樣至第十二態樣中任一態樣所記載之基板處理裝置，其中具備：保護部，係可覆蓋前述基板保持部所保持之前述基板的前述第二面。在此，前述控制部係在執行前述藥液處理時，不對前述第二面噴出液體而是使前述保護部覆蓋前述第二面。
第十四態樣的基板處理方法係基板處理裝置中的基板處理方法，前述基板處理裝置係具備處理單元以及用以控制前述處理單元的動作之控制部。前述處理單元係具備基板保持部、第一驅動部、藥液噴出部、罩部以及第二驅動部。前述基板保持部係以水平姿勢保持具有第一面以及與前述第一面相反的第二面之基板。前述第一驅動部係使前述基板保持部以假想軸作為中心旋轉。前述藥液噴出部係可朝被前述基板保持部保持之前述基板的前述第一面噴出藥液。前述罩部係圍繞前述基板保持部的周圍。前述第二驅動部係可使前述罩部相對於前述基板保持部之上下方向中的相對性的位置變化。前述基板處理方法係具有第一工序以及第二工序。在前述第一工序中，前述控制部係執行下述藥液處理：一邊藉由前述第一驅動部使前述基板保持部以前述假想軸作為中心旋轉，一邊使前述藥液噴出部朝被前述基板保持部保持之前述基板的前述第一面噴出前述藥液並對前述第一面施予處理。在前述第二工序中，前述控制部係在前述第一工序中的前述藥液處理的執行中，藉由前述第二驅動部使前述罩部相對於前述基板保持部之前述上下方向中的相對性的位置變化。
第十五態樣的電腦可讀取之記憶媒體係記憶有程式，前述程式係用以在具備處理單元以及用以控制前述處理單元的動作之控制部之基板處理裝置中被前述控制部的處理器執行時執行第一工序以及第二工序。前述處理單元係具備基板保持部、第一驅動部、藥液噴出部、罩部以及第二驅動部。前述基板保持部係以水平姿勢保持具有第一面以及與前述第一面相反的第二面之基板。前述第一驅動部係可使前述基板保持部以假想軸作為中心旋轉。前述藥液噴出部係可朝被前述基板保持部保持之前述基板的前述第一面噴出藥液。前述罩部係圍繞前述基板保持部的周圍。前述第二驅動部係可使前述罩部相對於前 述基板保持部之上下方向中的相對性的位置變化。在前述第一工序中，前述控制部係執行下述藥液處理：一邊藉由前述第一驅動部使前述基板保持部以前述假想軸作為中心旋轉，一邊使前述藥液噴出部朝被前述基板保持部保持之前述基板的前述第一面噴出前述藥液並對前述第一面施予處理。在前述第二工序中，前述控制部係在前述第一工序中的前述藥液處理的執行中，藉由前述第二驅動部使前述罩部相對於前述基板保持部之前述上下方向中的相對性的位置變化。
依據第一態樣至第十三態樣中任一態樣的基板處理裝置、第十四態樣的基板處理方法以及第十五態樣的電腦可讀取之記憶媒體的任一者，在例如對基板施予使用了藥液的處理時，在罩部的內壁面中用以接住從旋轉中的基板上飛散的藥液的液滴之區域係朝上下方向移動。藉此，例如從旋轉中的基板上飛散的藥液的液滴變得難以碰撞至已附著於罩部的內壁面的液滴。結果，變得難以產生從罩部的內壁面上飛散藥液的許多微小的液滴之飛濺，故能提升基板的品質。
依據第二態樣至第五態樣中任一態樣的基板處理裝置，在例如執行藥液處理時，罩部相對於基板保持部之上下方向中的相對性的位置朝下方向移動，藉此從旋轉中的基板上飛散的藥液的液滴變得難以碰撞至已附著於罩部的內壁面的液滴。因此，例如難以產生從罩部的內壁面上飛散許多微小的液滴之飛濺，故能提升基板的品質。
依據第三態樣的基板處理裝置，例如即使在罩部的內壁面中之乾燥的區域中接住從旋轉中的基板上飛散的藥液，亦難以產生從罩部的內壁面上飛散許多微小的液滴之飛濺。因此，例如能提升基板的品質。
依據第四態樣的基板處理裝置，例如在藥液的液滴結束從旋轉中的基板朝罩部飛散後，停止罩部相對於基板保持部之上下方向中的相對性的位置朝下方向移動。因此，例如從旋轉中的基板上飛散的藥液的液滴變得難以碰撞至已附著於罩部的內壁面的液滴。因此，例如變得難以產生從罩部的內壁面上飛散許多微小的液滴之飛濺，故能提升基板的品質。
依據第五態樣的基板處理裝置，例如從旋轉中的基板上飛散的藥液的液滴變得難以連續地碰撞至罩部的內壁面中的同一個部位。藉此，例如變得難以產生從罩部的內壁面上飛散許多微小的液滴之飛濺，故能提升基板的品質。
依據第六態樣至第九態樣中任一態樣的基板處理裝置，例如在藥液處理的執行中，罩部的內壁面中之用以接住從旋轉中的基板上飛散的藥液的液滴之區域會變化。因此，例如從旋轉中的基板上飛散的藥液的液滴變得難以碰撞至已附著於罩部的內壁面的液滴。藉此，例如變得難以產生從罩部的內壁面上飛散許多微小的液滴之飛濺，故能提升基板的品質。
依據第七態樣的基板處理裝置，例如在藥液處理的執行中，罩部相對於基板保持部之上下方向中的相對性的位置朝上方向移動時，難以產生藥液的液滴從旋轉中的基板朝罩部飛散。藉此，例如從旋轉中的基板上飛散的藥液的液滴變得難以碰撞至已附著於罩部的內壁面的液滴。結果，例如難以產生從罩部的內壁面上飛散許多微小的液滴之飛濺，故能提升基板的品質。
依據第八態樣以及第九態樣的基板處理裝置，例如從旋轉中的基板上飛散的藥液的液滴變得難以連續地碰撞至罩部的內壁面中的同一個部位。藉此，例如變得難以產生從罩部的內壁面上飛散許多微小的液滴之飛濺，故能提升基板的品質。
依據第十態樣的基板處理裝置，例如在藥液處理後洗淨基板時，使罩部相對於基板保持部之上下方向中的相對性的位置變化，藉此在罩部的內壁面中的廣範圍中接住從旋轉中的基板上飛散的洗淨液的液滴。因此，能藉由藥液處理以洗淨液沖洗附著於罩部的內壁面的藥液。藉此，例如能在對下一片基板執行藥液處理時減少附著於罩部的內壁面的藥液的量。結果，例如在針對下一片基板的藥液處理中，在罩部的內壁面接住從旋轉中的基板上飛散的藥液的液滴時，變得難以產生從罩部的內壁面上飛散許多微小的液滴之飛濺。因此，例如能提升基板的品質。
依據第十一態樣的基板處理裝置，例如在對基板執行藥液處理以及洗淨處理後，在執行基板的乾燥處理時使罩部相對於基板保持部之上下方向中的相對性的位置變化，藉此在罩部的內壁面中的廣範圍中噴吹從旋轉中的基板的第一面上流動而來的氣體。因此，例如能廣範圍地使罩部的內壁面乾燥。藉此，例如在針對下一片基板執行藥液處理中，罩部中之更乾燥的內壁面係可接住從旋轉中的下一片基板上飛散的藥液的液滴。結果，變得難以產生從罩部的內壁面上飛散許多微小的液滴之飛濺，故能提升基板的品質。
依據第十二態樣的基板處理裝置，例如使罩部充分地乾燥，藉此在對下一片基板執行藥液處理中，在罩部的內壁面接住從旋轉中的基板上飛散 的藥液的液滴時，變得難以產生從罩部的內壁面上飛散許多微小的液滴之飛濺。因此，例如能提升基板的品質。
依據第十三態樣的基板處理裝置，例如在第二面處於乾燥狀態且對第一面執行藥液處理時，變得難以產生從罩部的內壁面上飛散許多微小的液滴之飛濺。因此，例如難以產生藥液的微小的液滴附著於欲維持乾燥狀態的第二面從而降低第二面的品質之不良情形。藉此，例如能提升基板的品質。
1,1C:處理單元
2:控制部
15:搬入搬出口
20:自轉夾具
21:中心軸
22:旋轉機構
23:自轉基座
23u,Wu:上表面
24:夾具銷
25:下部供給部
25a:簷部
25b:本體部
25o:第一噴出部
26o:第二噴出部
27o:第三噴出部
27p:下部環狀流路
30,30B:罩部
31a:內罩構件
31B:罩構件
31b:中罩構件
31c:外罩構件
32a:第一排液槽
32b:第二排液槽
32c:第三排液槽
33a:第一排液埠
33b:第二排液埠
33c:第三排液埠
34:升降驅動部
40:阻隔構件
42:支撐軸
43:臂
44:旋轉機構
45:升降機構
46,46C:上部供給部
50:FFU
60:排氣導管
60C:處理液供給部
61C:噴嘴部
62C:臂
70,70C:氣液供給部
71:藥液供給源
71o:第六噴出部
72:純水供給源
72o:第四噴出部
73:IPA供給源
73o:第五噴出部
74:氣體供給源
100:基板處理裝置
110:索引區
111:承載器台
112,121:手部
113,122:手部驅動機構
120:處理區
130:處理單元群
140:處理腔室
200Bu:匯流排線
201:通訊部
202:輸入部
203:輸出部
204:記憶部
205:處理部
205a:運算處理部
205b:記憶體
206:驅動器
Af0,Dp0:箭頭
Ar1:液體接住區域
C:承載器
CR:搬運機器人
H0:第一位置
IR:移載機器人
Iwa,Iwb,IwB,Iwc:內壁面
L0:第二位置
P:基板授受位置
P0:假想軸
PD1:藥液處理期間
PD2:洗淨處理期間
PD3:乾燥處理期間
Pg1:程式
Sm1:記憶媒體
W:基板
Wb:下表面
[圖1]係顯示第一實施形態的基板處理裝置的概略性的構成的一例之俯視圖。
[圖2]係顯示控制部的一個構成例之方塊圖。
[圖3]係圖解性地顯示處理單元的一個構成例之側視圖。
[圖4]係圖解性地顯示處理單元的一個構成例之側視圖。
[圖5]係顯示下部供給部以及下部供給部附近的部分的剖面的一例之放大圖。
[圖6]係顯示氣液供給部的一例之概略性的方塊圖。
[圖7]顯示使用了處理單元的處理的流程的一例之圖。
[圖8]中的(a)以及(b)係示意性地顯示基板處理的執行時的罩部的位置的變化之圖。
[圖9]中的(a)至(c)係例示藥液處理的執行時的罩部的位置的變化之時序圖。
[圖10]中的(a)以及(b)係例示洗淨處理的執行時的罩部的位置的變化之時序圖。
[圖11]中的(a)以及(b)係例示乾燥處理的執行時的罩部的位置的變化之時序圖。
[圖12]係顯示使用了第一變化例的處理單元的處理的流程的一例之圖。
[圖13]中的(a)以及(b)係示意性地顯示第二變化例的處理單元中的罩部的位置的變化的一例之圖。
[圖14]係例示第二變化例的預先純水處理以及藥液處理的執行時的罩部的位置的變化之時序圖。
[圖15]係顯示第三變化例的氣液供給部的一例之概略性的方塊圖。
[圖16]係圖解性地顯示第三變化例的處理單元的一個構成例之側視圖。
[圖17]中的(a)以及(b)係示意性地顯示第三變化例的基板處理的執行時的罩部的位置的變化的一例之圖。
以下，參照隨附的圖式說明本發明的各個實施形態。各個實施形態所記載的構成要素僅為例示，並非是用以將本發明的範圍限定於這些實施形態。圖式係僅示意性地顯示。在圖式中，為了可以容易地理解，會有因應需要誇張或者簡略地圖示各個構件的尺寸以及數量之情形。在圖式中，對具有相同的構成以及功能之部分附上相同的元件符號並適當地省略重複的說明。於圖1、圖3至圖5、圖8中的(a)、圖8中的(b)、圖13中的(a)、圖13中的(b)、圖16至圖17中的(b)係分別附上右手系統的XYZ座標系統。在XYZ座標系統中，將沿著水平方 向的一方向設為+X方向，將沿著鉛直方向(亦稱為下方向)之方向設為-Z方向，將與+X方向以及Z方向(亦稱為上方向)雙方正交之方向設為+Y方向。
[1.第一實施形態]
[1-1.基板處理裝置]
參照圖1說明基板處理裝置100的構成。
圖1係顯示第一實施形態的基板處理裝置100的概略性的構成的一例之俯視圖。
基板處理裝置100係例如能對複數片基板W逐片且連續地施予處理。在以下的說明中，在基板處理裝置100中成為處理的對象之基板W係例如為圓形的半導體晶圓。
基板處理裝置100係例如具備：複數個區(具體而言為索引區(indexer cell)110以及處理區(processing cell)120)，係並排設置；以及控制部2，係控制複數個區(索引區110以及處理區120)所具備的各個動作機構等。
索引區110係例如能將從裝置外部接取的未處理基板W傳遞至處理區120，並能將從處理區120接取的處理完畢的基板W搬出至裝置外部。索引區110係例如具備：承載器台(carrier stage)111，係能載置複數個承載器(carrier)C；以及基板搬運裝置(移載機器人IR)，係能對各個承載器C進行基板W的搬入以及搬出。
能藉由OHT(overhead hoist transfer；懸吊式輸送裝置)等從基板處理裝置100的外部將已收容有未處理的一片以上的基板W之承載器C搬入並載置於承載器台111。例如，未處理的基板W係從承載器C被逐片取出並在基板處理裝置100內被施予處理，在基板處理裝置100內施予過處理之處理完畢的基板W 係再次地被收容於承載器C。已收容有處理完畢的基板W之承載器C係藉由OHT等被搬出至基板處理裝置100的外部。如此，承載器台111係例如作為可層疊未處理的基板W以及處理完畢的基板W之基板層疊部而發揮作用。在此，承載器C係例如可為用以將基板W收容於密閉空間之FOUP(front opening unified pod；前開式晶圓傳送盒)、SMIF(standard mechanical inter face；標準製造介面)盒以及用以將所收容的基板W暴露於外氣之OC(open cassette；開放式晶圓匣)中的任一者。
移載機器人IR係例如具備：手部(hand)112，係從下方支撐基板W，藉此可以水平姿勢(基板W的主表面為水平的姿勢)保持基板W；以及手部驅動機構113，係可驅動手部112。移載機器人IR係例如能從載置於承載器台111的承載器C取出未處理的基板W，並能在基板授受位置P中將取出的基板W傳遞至後述的搬運機器人CR。此外，移載機器人IR係例如能在基板授受位置P從搬運機器人CR接取處理完畢的基板W，並能將所接取的基板W收容於已載置在承載器台111上的承載器C。
處理區120係例如能對基板W施予處理。處理區120係例如具備：複數個處理單元1；以及基板搬運裝置(搬運機器人CR)，係針對複數個處理單元1進行基板W的搬入以及搬出。在此，例如於鉛直方向層疊複數個(例如三個)處理單元1，藉此構成一個處理單元群130。而且，例如複數個(在圖1的例子中為四個)處理單元群130係以圍繞搬運機器人CR之方式配置成群組(cluster)狀。
複數個處理單元1係例如分別具備：處理腔室(processing chamber)140，係於內部形成處理空間。於處理腔室140形成有：搬入搬出口15，係用以使搬運機器人CR的手部121***至處理腔室140的內部。因此，處理單元1 係例如以使搬入搬出口15對向之方式位於配置有搬運機器人CR的空間。處理單元1的具體性的構成係於後面說明。
搬運機器人CR係例如具備：手部121，係從下方支撐基板W，藉此能以水平姿勢保持基板W；以及手部驅動機構122，係可使手部121驅動。在此，搬運機器人CR(具體而言為搬運機器人CR的基台)係例如位於被複數個處理單元群130圍繞的空間的略中央。搬運機器人CR係例如能從指定的處理單元1取出處理完畢的基板W，並能在基板授受位置P中將取出的基板W傳遞至移載機器人IR。此外，搬運機器人CR係例如能在基板授受位置P中從移載機器人IR接取未處理的基板W，並能將所接取的基板W搬運至指定的處理單元1。
此外，基板處理裝置100係例如具有下述構成：分別供給在各個處理單元1中的各種處理的執行時所使用的藥液、純水、異丙醇(IPA；isopropyl alcohol)以及氣體。例如，基板處理裝置100係具有配管以及閥等(圖6)，該配管係連接於藥液供給源71，該閥係用以將從藥液供給源71朝各個處理單元1之藥液的流路打開以及關閉。藥液供給源71係例如包含筒槽(tank)以及泵(pump)等機構，該筒槽係用以儲留藥液，該泵係用以從該筒槽送出藥液。藥液係例如應用氫氟酸過氧化氫水混合液(FPM；hydrofluoric peroxide mixture)、稀釋氫氟酸(DHF；diluted hydrofluoric acid)或者磷酸等之可對基板W施予蝕刻之液體。此外，例如基板處理裝置100係具有配管以及閥等(圖6)，該配管係連接於純水供給源72，該閥係用以將從純水供給源72朝各個處理單元1之純水(DIW(de-ionized water；去離子水))的流路打開以及關閉。純水供給源72係例如包含筒槽以及泵等機構，該筒槽係用以儲留純水，該泵係用以從該筒槽送出純水。此外，例如基板處理裝置100係具有配管以及閥等(圖6)，該配管係連接於IPA供給源73，該閥 係用以將從IPA供給源73朝各個處理單元1之IPA的流路打開以及關閉。IPA供給源73係例如包含筒槽以及泵等機構，該筒槽係用以儲留IPA，該泵係用以從該筒槽送出IPA。此外，基板處理裝置100係具有配管以及閥等(圖6)，該配管係連接於氣體供給源74，該閥係用以將從氣體供給源74朝各個處理單元1之氣體的流路予打開以及關閉。氣體供給源74係例如包含筒槽以及壓力調整閥等機構，該筒槽係用以儲留氣體，該壓力調整閥係用以調整筒槽以及氣體的壓力。氣體係例如應用氮氣(N2)氣體等惰性氣體。藥液供給源71、純水供給源72、IPA供給源73以及氣體供給源74係可分別設置於基板處理裝置100，亦可共通地設置於複數個基板處理裝置100，亦可已經設置於設置有基板處理裝置100的工廠內。
控制部2係例如能控制基板處理裝置100中之包含各個處理單元1之各個構件的動作。圖2係顯示控制部2的一個構成例之方塊圖。控制部2係例如藉由一般的電腦等所實現，並具有經由匯流排線200Bu而連接之通訊部201、輸入部202、輸出部203、記憶部204、處理部205以及驅動器(drive)206。
通訊部201係例如能經由通訊線路進行與各個處理單元1之間的訊號的發送以及接收。通訊部201例如亦能接收來自管理用伺服器的訊號，該管理用伺服器係用以管理基板處理裝置100。
輸入部202係例如能輸入已因應操作者(operator)的動作等之訊號。輸入部202係例如能包含有能輸入已因應操作的訊號之滑鼠以及鍵盤等操作部、能輸入已因應聲音的訊號之麥克風以及能輸入已因應動作的訊號之各種感測器等。
輸出部203係例如能以操作者可辨識的態樣輸出各種資訊。輸出部203係例如能包含有能可視性地輸出各種資訊之顯示部以及能可聽性地輸出 各種資訊之揚聲器等。顯示部亦可具有與輸入部202的至少一部分一體化之觸控面板的形態。
記憶部204係例如能記憶程式Pg1以及各種資訊。記憶部204係例如能由硬碟或者快閃記憶體等非揮發性的記憶媒體所構成。在記憶部204中，亦可採用例如具有一個記憶媒體之構成、一體性地具有兩個以上的記憶媒體之構成以及將兩個以上的記憶媒體區分成兩個以上的部分之構成中的任一種構成。
處理部205係例如包含有作為處理器而發揮作用之運算處理部205a以及用以暫時性地記憶資訊之記憶體205b等。運算處理部205a係例如能應用中央運算裝置(亦即CPU(Central Processing Unit；中央處理單元))等電子電路，記憶體205b係例如能應用隨機存取記憶體(RAM；Random Access Memory)等。處理部205係例如能藉由讀入並執行記憶於記憶部204的程式Pg1來實現控制部2的功能。因此，程式Pg1係例如能藉由控制部2的運算處理部205a來執行。此外，例如包含記憶有程式Pg1的記憶媒體之記憶部204係可由電腦讀取。在控制部2中，例如處理部205係依循記述於程式Pg1的順序進行運算處理，藉此實現用以控制基板處理裝置100的各個構件的動作之各種功能部。亦即，藉由基板處理裝置100所含有的控制部2執行程式Pg1，藉此能實現基板處理裝置100的功能以及動作。此外，藉由控制部2所實現的一部分或者全部的功能部亦可藉由專用的邏輯電路等硬體性地實現。
驅動器206係例如為可將可搬性的記憶媒體Sm1裝卸之部分。驅動器206係例如能在安裝有記憶媒體Sm1之狀態下進行記憶媒體Sm1與處理部205之間的資料的授受。此外，驅動器206亦能在記憶有程式Pg1的記憶媒體Sm1安裝於驅動器206之狀態下使程式Pg1從記憶媒體Sm1讀入並記憶至記憶部204內。在此，記憶有程式Pg1的記憶媒體Sm1係例如可由電腦讀取。
接著，參照圖1說明基板處理裝置100的整體動作。在基板處理裝 置100中，控制部2係依循記述有基板W的搬運順序以及處理條件等處方(recipe)控制基板處理裝置100所具備的各個構件，藉此執行以下所說明的一連串的動作。
當收容有未處理的基板W之承載器C被載置於承載器台111時，移載機器人IR係從承載器C取出未處理的基板W。接著，移載機器人IR係使保持著未處理的基板W之手部112移動至基板授受位置P，並在基板授受位置P中將該未處理的基板W傳遞至搬運機器人CR。手部121上接取有未處理的基板W之搬運機器人CR係將該未處理的基板W搬入至處方所指定的處理單元1。移載機器人IR與搬運機器人CR之間的基板W的授受係可在手部112與手部121直接進行，亦可經由設置於基板授受位置P的載置部等進行。
在已搬入有基板W的處理單元1中，對基板W執行制定的處理。處理單元1的詳細內容係於後面說明。
當在處理單元1中結束對於基板W的處理時，搬運機器人CR係從處理單元1取出處理完畢的基板W。接著，搬運機器人CR係使保持著處理完畢的基板W的手部121移動至基板授受位置P，並在基板授受位置P中將該處理完畢的基板W傳遞至移載機器人IR。於手部112上接取有處理完畢的基板W之移載機器人IR係將該處理完畢的基板W收容於承載器C。
在基板處理裝置100中，搬運機器人CR以及移載機器人IR係依循處方反復地進行上述的搬運動作，且各個處理單元1係依循處方執行對於基板W的處理。藉此，接連地進行對於基板W的處理。
[1-2.處理單元]
圖3以及圖4係分別圖解性地顯示處理單元1的一個構成例之側視圖。處理單元1係例如可執行一連串的基板處理之葉片式的處理單元，該一連串的基板處理 係依序進行蝕刻、基板W的洗淨以及基板W的乾燥，該蝕刻係藉由腐蝕去除在半導體晶圓等基板W的下表面(亦稱為背面)Wb中已從阻劑(resist)露出的薄膜。
處理單元1係例如具備：自轉夾具(spin chuck)20，係以略水平姿勢保持基板W並使基板W旋轉。自轉夾具20係例如具有中心軸21、旋轉機構22、自轉基座(spin base)23以及複數個夾具銷(chuck pin)24。中心軸21為棒狀的構件，具有沿著上下方向的長度方向以及真圓狀的剖面。旋轉機構22為用以使馬達等產生驅動力之部分(亦稱為第一驅動部)，該驅動力係用以使中心軸21旋轉。自轉基座23為略水平姿勢的圓板狀的構件，自轉基座23的下表面的略中央係藉由螺絲等緊固構件固定於中心軸21的上端部。複數個夾具銷24係例如為下述構件(亦稱為基板保持部)：立設於自轉基座23的上表面側的周緣部附近，藉由把持基板W的周緣部而可保持基板W。具體而言，例如複數個夾具銷24係能以水平姿勢保持基板W，基板W係具有：下表面Wb，係作為第一面；以及上表面Wu，係與下表面Wb為相反面，且作為第二面。換言之，藉由自轉夾具20將基板W的上表面Wu朝向上方地保持基板W。為了確實地保持例如圓形的基板W，夾具銷24只要設置三個以上即可，且以等角度間隔沿著自轉基座23的周緣部配置。各個夾具銷24係具有用以從下方支撐基板W的周緣部之部分(亦稱為基板支撐部)以及用以按壓被基板支撐部支撐的基板W的外周端面並保持基板W之部分(亦稱為基板把持部)。此外，各個夾具銷24係構成為可在按壓狀態與解放狀態之間進行切換，該按壓狀態係基板把持部按壓基板W的外周端面之狀態，該解放狀態係基板把持部從基板W的外周端面離開之狀態。在此，在搬運機器人CR相對於自轉基座23授受基板W時，各個夾具銷24設定成解放狀態；在對基板W施予基板處理時，各個夾具銷24設定成按壓狀態。當各個夾具銷24變成按壓狀態時，各個夾具銷 24係把持基板W的周緣部，基板W係與自轉基座23隔著預定間隔保持成略水平姿勢。在此，例如當旋轉機構22因應來自控制部2的動作指令旋轉中心軸21時，被固定於中心軸21的自轉基座23係以沿著上下方向延伸的假想的軸(亦稱為假想軸P0)作為中心旋轉。亦即，旋轉機構22係能以假想軸P0作為中心使自轉基座23以及複數個夾具銷24旋轉。藉此，例如被複數個夾具銷24以略水平姿勢保持之基板W係能以假想軸P0作為中心旋轉。
此外，處理單元1係例如於自轉基座23的上表面的略中央部具有下部供給部25。圖5係顯示下部供給部25以及下部供給部25的附近的部分的剖面的一例之放大圖。下部供給部25係例如具有：略圓柱狀的本體部25b，係以假想軸P0作為中心；以及略圓環板狀的簷部25a，係從本體部25b的上端部朝假想軸P0的徑方向的外側方向擴展。本體部25b係例如***至略圓柱狀的貫通孔，該略圓柱狀的貫通孔係以朝鉛直方向貫通之方式形成於自轉基座23的中央部。於本體部25b的上端面的略中央部設置有例如第一噴出部25o以及第二噴出部26o。第一噴出部25o以及第二噴出部26o係能應用可噴出液體之開口(亦稱為噴出口)等。此外，於本體部25b的側面與自轉基座23的貫通孔的內周面之間形成有用以使氣體通過之流路(亦稱為下部環狀流路27p)。而且，於自轉基座23的上表面23u與本體部25b之間形成有可噴出來自下部環狀流路27p的氣體之環狀的第三噴出部27o。簷部25a係配置成從自轉基座23的上表面23u朝上方離開並沿著上表面23u朝假想軸P0的徑方向的外側方向擴展。簷部25a的下表面係與上表面23u略平行。
此外，處理單元1係例如具備：阻隔構件40，係配置於自轉夾具20的上方。阻隔構件40係例如為圓板狀的構件。阻隔構件40的下表面係成為與 基板W的上表面Wu略平行地對向之面(亦稱為基板對向面)，且具有與基板W的直徑同等的大小或者比基板W的直徑還大的大小。阻隔構件40係例如略水平地安裝於具有略圓同形狀的支撐軸42的下端部。阻隔構件40係例如經由旋轉機構44與升降機構45被朝水平方向延伸的臂43以可繞著通過基板W的中心的鉛直軸旋轉之方式保持。旋轉機構44係例如能因應來自控制部2的動作指令使支撐軸42繞著通過基板W的中心之鉛直軸旋轉。此外，控制部2係例如能控制旋轉機構44的動作，並因應被自轉夾具20保持之基板W的旋轉朝以基板W相同的旋轉方向且以與基板W略相同的旋轉速度使阻隔構件40旋轉。升降機構45係例如能因應來自控制部2的動作指令使阻隔構件40配置於接近自轉基座23之位置或者離開自轉基座23之位置。例如，控制部2係能控制升降機構45的動作，藉此在相對於處理單元1搬入基板W以及搬出基板W時使阻隔構件40上升至自轉夾具20的上方的離開位置(圖3所示的位置)，另一方面在處理單元1中對基板W施予預定的基板處理時使阻隔構件40下降至被自轉夾具20保持之基板W的上表面Wu的極近附近的接近位置(圖4所示的位置)。在此，阻隔構件40係下降至接近位置，藉此作為可覆蓋被自轉夾具20保持之基板W的上表面Wu之部分(亦稱為保護部)而發揮作用。
圖6係顯示處理單元1所具有的氣液供給部70的一例之概略性的方塊圖。氣液供給部70係例如包含：下部供給部25，係設置於自轉基座23的略中央部。下部供給部25係包含有第一噴出部25o、第二噴出部26o以及第三噴出部27o。此外，氣液供給部70係例如包含：上部供給部46，係設置於阻隔構件40的下表面的略中央部。上部供給部46係例如包含有第四噴出部72o。上部供給部46亦可包含有例如第五噴出部73o。
下部供給部25係例如經由各個閥連接於藥液供給源71、純水供給源72以及IPA供給源73。在此，例如因應來自控制部2的動作指令選擇性地打開以及關閉各個閥，藉此能從藥液供給源71、純水供給源72以及IPA供給源73朝下部供給部25選擇性地供給藥液、純水或者IPA。而且，例如從藥液供給源71供給至下部供給部25之藥液係通過貫通下部供給部25內的流路從設置於下部供給部25的上部之第一噴出部25o朝基板W的下表面Wb噴出。換言之，作為藥液噴出部的第一噴出部25o係能朝被作為基板保持部的複數個夾具銷24保持之基板W中的作為第一面的下表面Wb噴出藥液。因此，能因應來自控制部2的動作訊號執行下述處理(亦稱為藥液處理)：一邊藉由旋轉機構22使自轉基座23以及複數個夾具銷24以假想軸P0作為中心旋轉，一邊藉由第一噴出部25o朝被複數個夾具銷24保持之基板W的下表面Wb噴出藥液並對下表面Wb施予處理。此外，從純水供給源72或者IPA供給源73供給至下部供給部25之純水或者IPA等洗淨用的液體(亦稱為洗淨液)係通過貫通下部供給部25內之流路，從設置於下部供給部25的上部且作為洗淨液噴出部的第二噴出部26o朝被自轉夾具20保持之基板W的下表面Wb噴出。因此，例如能因應來自控制部2的動作訊號執行下述處理(亦稱為洗淨處理)：一邊藉由旋轉機構22使自轉基座23以及複數個夾具銷24以假想軸P0作為中心旋轉，一邊藉由第二噴出部26o朝被複數個夾具銷24保持之基板W的下表面Wb噴出純水或者IPA等洗淨液，藉此洗淨下表面Wb。
下部供給部25的下部環狀流路27p係例如經由閥連接於氣體供給源74。在此，例如能因應來自控制部2的動作指令將閥打開以及關閉，藉此能從氣體供給源74朝下部環狀流路27p供給氣體(例如氮氣氣體等惰性氣體)。而且，從氣體供給源74供給至下部環狀流路27p之氣體係從作為氣體噴出部之環狀的 第三噴出部27o朝被自轉夾具20保持之基板W的下表面Wb噴出。因此，例如能因應來自控制部2的動作訊號執行下述處理(亦稱為乾燥處理)：一邊藉由旋轉機構22使自轉基座23以及複數個夾具銷24以假想軸P0作為中心旋轉，一邊藉由第三噴出部27o朝被複數個夾具銷24保持之基板W的下表面Wb噴出氣體，藉此使下表面Wb乾燥。
上部供給部46係例如經由閥連接於氣體供給源74。在此，例如能因應來自控制部2的動作指令將閥打開以及關閉，藉此能從氣體供給源74朝上部供給部46供給氣體(例如氮氣氣體等惰性氣體)。而且，從氣體供給源74供給至上部供給部46之氣體係從作為第四噴出部72o朝基板W的上表面Wu噴出。因此，例如能因應來自控制部2的動作訊號執行下述用以維持上表面Wu乾燥之狀態(亦稱為乾燥狀態)之處理或者用以使上表面Wu乾燥之乾燥處理：在已使阻隔構件40配置於被自轉夾具20保持之基板W的上表面Wu的極近附近的接近位置之狀態下(亦稱為接近狀態)，一邊藉由旋轉機構22使自轉基座23以及複數個夾具銷24以假想軸P0作為中心旋轉，一邊藉由第四噴出部72o朝被複數個夾具銷24保持之基板W的上表面Wu噴出氣體，藉此維持上表面Wu乾燥之狀態或者使上表面Wu乾燥。此時，例如在阻隔構件40與基板W的上表面Wu之間的間隙中從第四噴出部72o噴出的氣體係朝基板W的周緣部流動。
此外，上部供給部46例如亦可經由各個閥連接於純水供給源72以及IPA供給源73。在此情形中，例如因應來自控制部2的動作指令選擇性地打開以及關閉各個閥，藉此能從純水供給源72以及IPA供給源73朝上部供給部46選擇性地供給純水或者IPA。而且，例如從純水供給源72或者IPA供給源73供給至上部供給部46之純水或者IPA係通過貫通上部供給部46內的流路從設置於上部供 給部46的下部之第五噴出部73o朝基板W的上表面Wu噴出。因此，能因應來自控制部2的動作訊號執行下述洗淨處理：在已使阻隔構件40配置於被自轉夾具20保持之基板W的上表面Wu的極近附近的接近位置之接近狀態下，一邊藉由旋轉機構22使自轉基座23以及複數個夾具銷24以假想軸P0作為中心旋轉，一邊藉由第五噴出部73o朝被複數個夾具銷24保持之基板W的上表面Wu噴出純水或者IPA等洗淨液，藉此洗淨上表面Wu。
此外，處理單元1係例如具備：罩部30，係以圍繞自轉夾具20的周圍之方式配置。罩部30係例如具有：複數個罩構件，係可藉由升降驅動部34彼此獨立地升降。具體而言，罩部30係例如具有內罩構件31a、中罩構件31b以及外罩構件31c。升降驅動部34係能應用例如滾珠螺桿(ball screw)機構或者氣缸(air cylinder)等各種機構。藉此，升降驅動部34係例如作為能因應來自控制部2的動作指令使內罩構件31a、中罩構件31b以及外罩構件31c各者相對於自轉夾具20之上下方向中的相對性的位置變化之部分(亦稱為第二驅動部)而發揮作用。
內罩構件31a係例如具有下述形狀：圍繞自轉夾具20的周圍，且相對於通過被自轉夾具20保持之基板W的中心之假想軸P0成為大致旋轉對稱。該內罩構件31a係例如具有：側壁部，係具有以假想軸P0作為中心之圓筒狀的形狀；以及上方傾斜部，係具有以假想軸P0作為中心之圓環狀的形狀，且以從側壁部的上端部接近假想軸P0之方式朝傾斜上方延伸。此外，中罩構件31b係例如具有下述形狀：進一步圍繞以圍繞自轉夾具20的周圍之方式配置的內罩構件31a的外周部，且相對於通過被自轉夾具20保持之基板W的中心之假想軸P0成為大致旋轉對稱。該中罩構件31b係例如具有：側壁部，係具有以假想軸P0作為中心之圓筒狀的形狀；以及上方傾斜部，係具有以假想軸P0作為中心之圓環狀的形 狀，且以從側壁部的上端部接近假想軸P0之方式朝傾斜上方延伸。此外，外罩構件31c係例如具有下述形狀：進一步圍繞以依序圍繞自轉夾具20的周圍之方式配置的內罩構件31a以及中罩構件31b的外周部，且相對於通過被自轉夾具20保持之基板W的中心之假想軸P0成為大致旋轉對稱。該外罩構件31c係例如具有：側壁部，係具有以假想軸P0作為中心之圓筒狀的形狀；以及上方傾斜部，係具有以假想軸P0作為中心之圓環狀的形狀，且以從側壁部的上端部接近假想軸P0之方式朝傾斜上方延伸。
在此，例如在內罩構件31a以從側方圍繞自轉基座23以及複數個夾具銷24之方式配置之情形中，朝被自轉夾具20保持且正在旋轉中的基板W噴出的液體係朝內罩構件31a飛散並被內罩構件31a的假想軸P0側的壁面(亦稱為內壁面Iwa)接住。被內罩構件31a接住的液體係例如沿著內罩構件31a的內壁面Iwa流下並經由第一排液槽32a以及第一排液埠33a被回收。此外，例如在內罩構件31a下降至最下部且中罩構件31b以從側方圍繞自轉基座23以及複數個夾具銷24之方式配置之情形中，朝被自轉夾具20保持且正在旋轉中的基板W噴出的液體係朝中罩構件31b飛散並被中罩構件31b的假想軸P0側的壁面(亦稱為內壁面Iwb)接住。被中罩構件31b接住的液體係例如沿著中罩構件31b的內壁面Iwb流下並經由第二排液槽32b以及第二排液埠33b被回收。此外，例如在內罩構件31a以及中罩構件31b分別下降至最下部且外罩構件31c以從側方圍繞自轉基座23以及複數個夾具銷24之方式配置之情形中，朝被自轉夾具20保持且正在旋轉中的基板W噴出的液體係朝外罩構件31c飛散並被外罩構件31c的假想軸P0側的壁面(亦稱為內壁面Iwc)接住。被外罩構件31c接住的液體係例如沿著外罩構件31c的內壁面Iwc流下並經由第三排液槽32c以及第三排液埠33c被回收。
此外，處理單元1係例如具備FFU(fan filter unit；風扇過濾器單元)50。FFU50係能將設置有基板處理裝置100的無塵室(cleaning room)內的空氣進一步地清淨化並供給至處理腔室140內的空間。FFU50係例如安裝於處理腔室140的頂壁。FFU50係具備用以將無塵室內的空氣取入並輸送至處理腔室140內之風扇以及過濾器(例如HEPA(High Efficiency Particulate Air；高效率粒子空氣)過濾器)，且能於處理腔室140內的處理空間形成清淨空氣的降流(down flow)。為了使從FFU50所供給的清淨空氣均勻地分散至處理腔室140內，亦可將穿設有複數個吹出孔的衝孔板(punching plate)配置於頂壁的正下方。此外，例如於處理腔室140的側壁的一部分且於處理腔室140的底壁的附近設置有連通連接於排氣機構之排氣導管60。藉此，例如從FFU50供給並於處理腔室140內流下的清淨空氣中之已通過罩部30等附近的空氣係經由排氣導管60排出至裝置外部。
[1-3.使用了處理單元的處理]
圖7係顯示使用了處理單元1的處理的流程的一例之圖。該處理的流程係藉由控制部2控制各個構件的動作而實現。此時，程式Pg1係例如能藉由控制部2的處理部205所含有的處理器來執行。在此，針對基板處理裝置100中的一個處理單元1來說明。
在基板處理裝置100中，首先，藉由搬運機器人CR經由處理腔室140的搬入搬出口15將未處理的基板W搬入至處理單元1內(步驟St1)。此時，未處理的基板W係被複數個夾具銷24以略水平姿勢保持。在此，未處理的基板W係處於在上表面Wu中露出薄膜的至少一部分之狀態，且處於在下表面Wb中薄膜的一部分從阻劑露出之狀態。薄膜的材料係例如應用銅等具有導電性的材料等。
接著，在處理單元1中對基板W的下表面Wb執行藥液處理(步驟St2)。在此，首先，使阻隔構件40下降至被自轉夾具20保持之基板W的上表面Wu的極近附近的接近位置。之後，控制部2係進行用以執行下述藥液處理之工序(亦稱為第一工序)：一邊藉由旋轉機構22使自轉基座23以及複數個夾具銷24以假想軸P0作為中心旋轉，一邊藉由第一噴出部25o朝被複數個夾具銷24保持之基板W的下表面Wb噴出藥液並對下表面Wb施予處理。此時，例如藉由第四噴出部72o朝基板W的上表面Wu噴出氮氣氣體等惰性氣體，以使上表面Wu維持在乾燥狀態。此外，控制部2係執行下述工序(亦稱為第二工序)：在第一工序中的藥液處理的執行中，藉由升降驅動部34使罩部30相對於自轉夾具20之上下方向中的相對性的位置變化。藉此，例如在對基板W施予藥液處理時，罩部30的內壁面中之用以接住從旋轉中的基板W上飛散的藥液的液滴之區域係朝上下方向移動。因此，例如從旋轉中的基板W上飛散的藥液的液滴變得難以碰撞至已附著於罩部30的內壁面的液滴。結果，例如變得難以產生從罩部30的內壁面上飛散藥液的許多微小的液滴之飛濺，故藥液的微小的液滴變得難以到達至基板W的上表面Wu。因此，例如難以產生基板W的上表面Wu的污染以及對基板W的上表面Wu施予非意圖的處理之問題，故能提升基板W的品質。藥液處理的執行時的具體性的動作例子將於後述。
在執行上述藥液處理後，在處理單元1中對基板W的下表面Wb執行洗淨處理(步驟St3)。在此，例如控制部2係執行下述洗淨處理：一邊藉由旋轉機構22使自轉基座23以及複數個夾具銷24以假想軸P0作為中心旋轉，一邊藉由第二噴出部26o朝被複數個夾具銷24保持之基板W的下表面Wb噴出洗淨液(純水等)，藉此洗淨下表面Wb。藉此，去除附著於基板W的下表面Wb的藥液以及微 粒等。在此，例如控制部2亦可一邊執行洗淨處理一邊藉由升降驅動部34使罩部30相對於自轉夾具20之上下方向中的相對性的位置變化。在此情形中，例如在罩部30的內壁面中的廣範圍中接住從旋轉中的基板W上飛散的洗淨液的液滴。因此，能藉由藥液處理以洗淨液沖洗附著於罩部30的內壁面的藥液。藉此，例如能減少附著於罩部30的內壁面的藥液的量，直至對下一片基板W執行藥液處理為止。結果，例如在針對下一片基板W的藥液處理的執行中，在罩部30的內壁面接住從旋轉中的基板W上飛散的藥液的液滴時，變得難以產生從罩部30的內壁面上飛散藥液的許多微小的液滴之飛濺，故能提升基板的品質。此外，例如亦可與針對基板W的下表面Wb之洗淨處理並行地從第五噴出部73o朝基板W的上表面Wu噴出洗淨液，藉此對基板W的上表面Wu進行洗淨處理。洗淨處理的執行時的具體性的動作例子將於後述。
在上述洗淨處理之後，在處理單元1中對基板W的下表面Wb執行乾燥處理(步驟St4)。在此，例如控制部2係執行下述乾燥處理：一邊藉由旋轉機構22使自轉基座23以及複數個夾具銷24以假想軸P0作為中心旋轉，一邊藉由第三噴出部27o朝被複數個夾具銷24保持之基板W的下表面Wb噴出氣體，藉此使下表面Wb乾燥。藉此，附著於基板W的下表面Wb的處理液等被去除，故基板W的下表面Wb變成已乾燥之狀態。在此，例如控制部2亦可一邊執行乾燥處理一邊藉由升降驅動部34使罩部30相對於自轉夾具20之上下方向中的相對性的位置變化。在此情形中，例如在罩部30的內壁面中的廣範圍中噴吹沿著旋轉中的基板W的下表面Wb流動的氣體。此時，例如沿著以二點鏈線的箭頭Dp0描述的路徑流動之氣體係被噴吹至罩部30的內壁面。因此，例如能使罩部30的內壁面遍及廣範圍地乾燥。藉此，例如在對下一片基板W執行藥液處理時，能藉由罩部30 中之更乾燥的內壁面接住從旋轉中的基板W上飛散的液滴。結果，變得難以產生從罩部30的內壁面上飛散藥液的許多微小的液滴之飛濺，故能提升基板W的品質。此外，例如亦可與針對基板W的下表面Wb之乾燥處理並行地從第四噴出部72o朝基板W的上表面Wu噴出氣體，藉此對基板W的上表面Wu進行乾燥處理。乾燥處理的執行時的具體性的動作例子將於後述。
接著，藉由搬運機器人CR經由處理腔室140的搬入搬出口15從處理單元1搬出處理完畢的基板W(步驟St5)。
接著，控制部2係例如參照處方等判定在處理單元1中是否存在有作為處理對象之下一片基板W(步驟St6)。在此，當在處理單元1中存在有作為下一個處理對象之未處理的基板W時，返回至步驟St1；當在處理單元1中未存在有作為下一個處理對象之未處理的基板W時，結束使用了處理單元1的一連串的處理。
[1-3-1.藥液處理的執行時的具體性的動作例子]
圖8中的(a)以及圖8中的(b)係示意性地顯示基板處理的執行時的罩部30的上下方向中的位置的變化之圖。在圖8中的(a)以及圖8中的(b)的例子中，在內罩構件31a下降至最下部之狀態下，中罩構件31b以及外罩構件31c係在已上升的預定的第一位置H0與已下降的預定的第二位置L0之間移動。圖8中的(a)係例示了中罩構件31b以及外罩構件31c已上升至預定的第一位置H0之狀態，圖8中的(b)係例示了中罩構件31b以及外罩構件31c已下降至預定的第二位置L0之狀態。此外，在圖8中的(a)以及圖8中的(b)的例子中以二點鏈線的箭頭Dp0描繪了朝基板W的下表面Wb噴出的藥液等之液滴藉由自轉夾具20所為的以基板W的假想軸P0作為中心的旋轉朝罩部30飛散之路徑。具體而言，顯示了朝基板W的下表面Wb 噴出的藥液等的液滴朝中罩構件31b的內壁面Iwb的區域(亦稱為液體接住區域Ar1)飛散之狀態。再者，在圖8中的(a)中以二點鏈線的箭頭Af0描繪了從FFU50朝向罩部30的內側(具體而言為中罩構件31b的內壁面Iwb)之清淨空氣的降流的路徑的一例。
圖9中的(a)至圖9中的(c)係例示藥液處理的執行時的罩部30的上下方向中的位置的變化之時序圖。圖9中的(a)至圖9中的(c)係分別顯示相對於時間的經過之用以從藥液供給源71對下部供給部25供給藥液之閥(亦稱為藥液用的閥)的打開及關閉以及相對於時間的經過之罩部30(具體而言為中罩構件31b)的上下方向中的位置之各者的變化。
在此，考量例如圖9中的(a)所示般的態樣，控制部2係在從用以打開藥液用的閥並開始執行藥液處理之第一時序起至用以關閉藥液用的閥並結束執行藥液處理之第二時序為止的期間(亦稱為藥液處理期間PD1)中以下述方式進行控制：藉由升降驅動部34使罩部30(具體而言為中罩構件31b)相對於自轉夾具20之上下方向中的相對性的位置朝下方向移動且不會朝上方向移動。當採用此種態樣時，在圖8中的(a)以及圖8中的(b)的例子中，隨著時間的經過，內壁面Iwb中的液體接住區域Ar1係朝上方移動。因此，例如只要在藥液處理的開始前內壁面Iwb處於乾燥之狀態，則從旋轉中的基板W上飛散的藥液的液滴變得難以碰撞至已附著於內壁面Iwb的液滴。藉此，例如難以產生從內壁面Iwb上飛散藥液的許多微小的液滴之飛濺，故藥液的微小的液滴難以到達至基板W的上表面Wu。結果，例如難以產生基板W的上表面Wu的污染以及對基板W的上表面Wu施予非意圖的處理之問題，故能提升基板W的品質。
在此，例如控制部2亦可在藥液處理期間PD1中控制藉由升降驅動部34使罩部30(具體而言為中罩構件31b)相對於自轉夾具20之上下方向中的相對性的位置朝下方向移動之速度，以使藥液的液滴從基板W朝內壁面Iwb中之乾燥的部分飛散。此種移動的速度例如係可藉由使用了具有與處理單元1等價的構成之裝置的實驗預先求出，亦可藉由遵循了處理單元1的構成之模擬預先求出。只要採用此種構成，例如即使在內壁面Iwb中之乾燥的區域中接住從旋轉中的基板W上飛散的藥液的液滴，亦難以產生從內壁面Iwb上飛散許多微小的液滴之飛濺，故能提升基板W的品質。
此外，在此，例如在控制部2執行藥液處理時，無須藉由上部供給部46對上表面Wu噴出液體，只要藉由阻隔構件40覆蓋上表面Wu，則難以產生藥液的微小的液滴附著於欲維持乾燥狀態的上表面Wu從而導致上表面Wu的品質降低之問題。在此，考量例如控制部2不使第五噴出部73o對上表面Wu噴出純水或者IPA等洗淨液而是藉由阻隔構件40覆蓋上表面Wu之態樣。而且，此時，例如即使藥液的大小的液滴濺回至內壁面Iwb，上表面Wu亦會藉由阻隔構件40的存在以及阻隔構件40與基板W的上表面Wu之間的間隙中之來自第四噴出部72o的惰性氣體的流動而受到保護，從而藥液的大小的液滴不會到達至基板W的上表面Wu。結果，例如難以產生基板W的上表面Wu的污染以及對基板W的上表面Wu施予非意圖的處理之問題，故能提升基板W的品質。
此外，在此，如圖9中的(a)的例子所示，控制部2亦可在結束藥液處理期間PD1之第二時序之後進行下述控制：藉由升降驅動部34停止使罩部30(具體而言為中罩構件31b)相對於自轉夾具20之上下方向中的相對性的位置朝下方向移動。如此，例如在來自旋轉中的基板W之藥液的液滴結束飛散後，只 要停止罩部30(具體而言為中罩構件31b)相對於自轉夾具20之上下方向中的相對性的位置朝下方向移動，則從旋轉中的基板W上飛散的藥液的液滴難以碰撞至已附著於內壁面Iwb的液滴。藉此，例如變得難以產生從內壁面Iwb上飛散藥液的許多微小的液滴之飛濺，故能提升基板W的品質。
此外，在此，如圖9中的(a)的例子所示，控制部2係在開始藥液處理期間PD1之第一時序之前以下述方式進行控制：開始藉由升降驅動部34使罩部30(具體而言為中罩構件31b)相對於自轉夾具20之上下方向中的相對性的位置朝下方向移動。依據此種控制，例如從旋轉中的基板W上飛散的藥液的液滴變得難以連續地碰撞至罩部30的內壁面(具體而言為中罩構件31b的內壁面Iwb)中的同一個部位。因此，例如變得難以產生從內壁面Iwb上飛散藥液的許多微小的液滴之飛濺，故能提升基板W的品質。
此外，例如在藥液處理期間PD1為數十秒以上等之較長時間之情形中，如圖9中的(b)所示，控制部2係在藥液處理的執行中交互地執行下述兩個動作：藉由升降驅動部34使罩部30(具體而言為中罩構件31b)相對於自轉夾具20之上下方向中的相對性的位置朝下方向移動之動作(亦稱為第一動作)；以及藉由升降驅動部34使罩部30(具體而言為中罩構件31b)相對於自轉夾具20之上下方向中的相對性的位置朝上方向移動之動作(亦稱為第二動作)。依據此種動作，例如在藥液處理的執行中，能使內壁面Iwb中之用以接住從旋轉中的基板W上飛散的藥液的液滴之液體接住區域Ar1變化。此時，例如與內壁面Iwb中的液體接住區域Ar1不會變化之情形相比，從旋轉中的基板W上飛散的藥液的液滴變得難以碰撞至已附著於內壁面Iwb的液滴。此外，例如即使在進行第二動作時從旋轉中的 基板W上飛散而至的藥液的液滴碰撞至於內壁面Iwb流下之膜狀的藥液，亦難以產生飛散藥液的許多微小的液滴之飛濺。
此外，此時，例如只要藉由第二動作使內壁面Iwb中的液體接住區域Ar1下降，內壁面Iwb中之比液體接住區域Ar1還上方的廣區域即能被以箭頭Af0所描繪的路徑的清淨空氣的降流等乾燥。因此，在接下來的第一動作中，在內壁面Iwb中之比較乾燥的區域中變得容易接住從旋轉中的基板W上飛散之藥液的液滴。藉此，難以產生從內壁面Iwb上飛散藥液的許多微小的液滴之飛濺。此外，此時，例如藉由第二動作使中罩構件31b朝預定的第一位置H0移動之情形中，如圖8中的(a)所示，以箭頭Af0所描繪的路徑的清淨空氣的降流容易朝內壁面Iwb流動。因此，例如假設即使在內壁面Iwb上產生飛散藥液的許多微小的液滴之飛濺，微小的液滴亦因為箭頭Af0所描繪的路徑的清淨空氣的降流而難以上飄。再者，例如處理腔室140內的清淨空氣的降流在阻隔構件40的上表面側產生朝阻隔構件40的外周方向之流動，藉此即假設即使在內壁面Iwb上產生飛散藥液的許多微小的液滴之飛濺，藥液的微小的液滴亦難以到達至基板W的上表面Wu。結果，難以產生基板W的上表面Wu的污染以及對基板W的上表面Wu施予非意圖的處理之問題。
在此，如圖9中的(b)的例子所示，只要控制部2在藉由升降驅動部34停止執行第一動作以及第二動作之前停止使第一噴出部25o朝被自轉夾具20保持之基板W的下表面Wb噴出藥液，則從旋轉中的基板W上飛散的藥液的液滴即會變得難以連續地碰撞至內壁面Iwb中的同一個部位。藉此，例如變得難以產生從內壁面Iwb上飛散藥液的許多微小的液滴之飛濺，故能提升基板W的品質。此外，在此，如圖9中的(b)的例子所示，只要控制部2在藉由升降驅動部34開始 執行第一動作以及第二動作之後開始使第一噴出部25o朝被自轉夾具20保持之基板W的下表面Wb噴出藥液，則從旋轉中的基板W上飛散的藥液的液滴即會變得難以連續地碰撞至內壁面Iwb中的同一個部位。藉此，例如變得難以產生從內壁面Iwb上飛散藥液的許多微小的液滴之飛濺，故能提升基板W的品質。
此外，例如只要控制部2藉由升降驅動部34迅速地執行第一動作與第二動作的切換，則從旋轉中的基板W上飛散的藥液的液滴連續地碰撞至內壁面Iwb中的同一個部位的時間即會變短。藉此，例如變得難以產生從內壁面Iwb上飛散藥液的許多微小的液滴之飛濺，故能提升基板W的品質。
此外，在此，如圖9中的(c)的例子所示，控制部2亦可在藥液處理的執行中藉由升降驅動部34執行第二動作時停止使第一噴出部25o朝被自轉夾具20保持之基板W的下表面Wb噴出藥液。只要採用此種構成，則例如從旋轉中的基板W上飛散的藥液的液滴即會變得難以碰撞至已附著於內壁面Iwb的液滴。藉此，例如變得難以產生從內壁面Iwb上飛散藥液的許多微小的液滴之飛濺，故能提升基板W的品質。
[1-3-2.執行洗淨處理時的具體性的動作例子]
圖10中的(a)以及圖10中的(b)係例示洗淨處理的執行時的罩部30的上下方向中的位置的變化之時序圖。圖10中的(a)以及圖10中的(b)係分別顯示相對於時間的經過之用以從純水供給源72對下部供給部25供給純水之閥(亦稱為純水用的閥)的打開及關閉以及相對於時間的經過之罩部30(具體而言為中罩構件31b)的上下方向中的位置之各者的變化。
在此，考量例如圖10中的(a)所示般的態樣，控制部2係在從用以打開純水用的閥並開始執行洗淨處理之時序起至用以關閉純水用的閥並結束執 行洗淨處理之時序為止的期間(亦稱為洗淨處理期間PD2)中以下述方式進行控制：藉由升降驅動部34使罩部30(具體而言為中罩構件31b)相對於自轉夾具20之上下方向中的相對性的位置朝上方向移動。在此，如圖10中的(a)的例子般，控制部2亦可在開始執行洗淨處理之後開始藉由升降驅動部34使罩部30(具體而言為中罩構件31b)相對於自轉夾具20之上下方向中的相對性的位置移動。此外，控制部2亦可在結束執行洗淨處理之前結束藉由升降驅動部34使罩部30(具體而言為中罩構件31b)相對於自轉夾具20之上下方向中的相對性的位置移動。藉此，例如在因為藥液處理而附著於罩部30的內壁面之藥液中變得難以產生不被洗淨液沖流的部分。結果，能降低附著於罩部30的內壁面之藥液的量直至對下一片基板W執行藥液處理為止。
此外，如圖10中的(b)所示，控制部2亦可在洗淨處理的執行中交互地執行第一動作與第二動作，該第一動作係藉由升降驅動部34使罩部30(具體而言為中罩構件31b)相對於自轉夾具20之上下方向中的相對性的位置朝下方向移動，該第二動作係藉由升降驅動部34使罩部30(具體而言為中罩構件31b)相對於自轉夾具20之上下方向中的相對性的位置朝上方向移動。
[1-3-3.執行乾燥處理時的具體性的動作例子]
圖11中的(a)以及圖11中的(b)係例示乾燥處理的執行時的罩部30的上下方向中的位置的變化之時序圖。圖11中的(a)以及圖11中的(b)係分別顯示相對於時間的經過之用以從氣體供給源74對下部環狀流路27p供給氣體之閥(亦稱為氣體用的閥)的打開及關閉以及相對於時間的經過之罩部30(具體而言為中罩構件31b)的上下方向中的位置之各者的變化。
在此，考量例如圖11中的(a)所示般的態樣，控制部2係在從用以打開氣體用的閥並開始執行乾燥處理之時序起至用以關閉氣體用的閥並結束執行乾燥處理之時序為止的期間(亦稱為乾燥處理期間PD3)中以下述方式進行控制：藉由升降驅動部34使罩部30(具體而言為中罩構件31b)相對於自轉夾具20之上下方向中的相對性的位置朝上方向移動。在此，如圖11中的(a)的例子般，控制部2亦可在開始執行乾燥處理之後開始藉由升降驅動部34使罩部30(具體而言為中罩構件31b)相對於自轉夾具20之上下方向中的相對性的位置移動。此外，控制部2亦可在結束執行乾燥處理之前結束藉由升降驅動部34使罩部30(具體而言為中罩構件31b)相對於自轉夾具20之上下方向中的相對性的位置移動。藉此，例如由於在因為洗淨處理等而附著於罩部30的內壁面之液體的乾燥中變得難以產生不均，因此能使罩部30的內壁面更乾燥，直至對下一片基板W執行藥液處理為止。
此外，如圖11中的(b)所示，控制部2亦可在乾燥處理的執行中交互地執行第一動作與第二動作，該第一動作係藉由升降驅動部34使罩部30(具體而言為中罩構件31b)相對於自轉夾具20之上下方向中的相對性的位置朝下方向移動，該第二動作係藉由升降驅動部34使罩部30(具體而言為中罩構件31b)相對於自轉夾具20之上下方向中的相對性的位置朝上方向移動。
[1-4.彙整]
如上所述，在第一實施形態的基板處理裝置100中，例如控制部2係一邊執行藥液處理一邊藉由升降驅動部34使罩部30相對於自轉夾具20之上下方向中的相對性的位置變化；該藥液處理係下述處理：一邊藉由旋轉機構22使自轉基座23以及複數個夾具銷24以假想軸P0作為中心旋轉，一邊藉由第一噴出部25o朝被 複數個夾具銷24保持之基板W的下表面Wb噴出藥液並對下表面Wb施予處理。換言之，例如在對基板W施予使用了藥液的處理時，在罩部30的內壁面中用以接住從旋轉中的基板W上飛散的藥液的液滴之液體接住區域Ar1係朝上下方向移動。藉此，例如從旋轉中的基板W上飛散的藥液的液滴變得難以碰撞至已附著於罩部30的內壁面的液滴。結果，例如難以產生從罩部30的內壁面上飛散藥液的許多微小的液滴之飛濺，故藥液的微小的液滴難以到達至基板W的上表面Wu。因此，例如難以產生基板W的上表面Wu的污染以及對基板W的上表面Wu施予非意圖的處理之問題，故能提升基板W的品質。
[2.變化例]
本發明並未限定於上述第一實施形態，在未逸離本發明的精神之範圍中可進行各種變更以及改良等。
在上述第一實施形態中，例如控制部2亦可在處理單元1中結束對第一片基板W執行藥液處理之後，禁止開始對作為第一片基板W的下一個處理對象之第二片基板W執行藥液處理，直至經過罩部30的乾燥所需要之預先設定的時間為止。只要採用此種構成，例如使罩部30充分地乾燥，藉此在對作為下一個處理對象的基板W執行藥液處理中罩部30的內壁面接住從旋轉中的基板W上飛散的藥液的液滴時，難以產生從罩部30的內壁面上飛散藥液的許多微小的液滴之飛濺。因此，例如能提升基板W的品質。
圖12係顯示使用了第一變化例的處理單元1的處理的流程的一例之圖。圖12的流程圖係以圖7的流程圖作為基礎，並變更成經由步驟St7A以及步驟St8A返回至步驟St2，以取代只要在步驟St6中處理單元1中存在有作為下一個處理對象之未處理的基板W則返回至步驟St1的流程。在此，例如與步驟St1同樣 地，在步驟St7A中藉由搬運機器人CR將未處理的基板W經由處理腔室140的搬入搬出口15搬入至處理單元1內。接著，藉由控制部2從基準的時序起直至經過預定時間為止判定是否已從基準的時序起經過預定時間(步驟St8A)。在此，重複步驟St8A的判定，只要從基準的時序起經過預定時間則返回至步驟St2。在此，基準的時序係例如可為步驟St7A中之已結束基板W的搬入之時序，亦可為從步驟St2至步驟St6的動作的任一個時序。預定時間係只要為罩部30的乾燥所需要之預先設定的時間即可。該預定時間係例如可為預先使用了具有與處理單元1等價的構成的裝置之實驗預先求出，亦可藉由遵循了處理單元1的構成之模擬預先求出。預定時間係例如能設定成數分鐘以內的程度。只要採用此種處理的流程，即能在使罩部30充分地乾燥後對作為下一個處理對象之基板W執行藥液處理。
在上述第一實施形態中，例如雖然已例舉朝基板W的下表面Wb噴出的藥液的液滴朝中罩構件31b的內壁面Iwb的液體接住區域Ar1飛散的例子進行說明，但並未限定於此。內罩構件31a以及外罩構件31c的任一者亦可取代中罩構件31b來擔任中罩構件31b的職責。
在上述第一實施形態中，例如雖然罩部30具有可藉由升降驅動部34彼此獨立地升降之複數個罩構件，但並未限定於此。例如，罩部30只要具有一個以上的罩構件即可。圖13中的(a)以及圖13中的(b)係示意性地顯示第二變化例的處理單元1中的罩部30B的移動的一例之圖。罩部30B係例如具有可藉由升降驅動部34升降的一個罩構件31B，以取代上述第一實施形態的罩部30的三個內罩構件31a、中罩構件31b、外罩構件31c。圖13中的(a)係圖8中的(a)中的罩部30置換成罩部30B之圖。圖13中的(b)係圖8中的(b)中的罩部30置換成罩部30B之圖。亦即，圖13中的(a)以及圖13中的(b)係顯示罩構件31B在已上升的預定的第一位 置H0與已下降的預定的第二位置L0之間移動的例子。在此情形中，例如罩構件31B以及罩構件31B的內壁面IwB係擔任上述第一實施形態中的中罩構件31b以及中罩構件31b的內壁面Iwb的職責。圖13中的(a)係例示了罩構件31B已上升至預定的第一位置H0之狀態，圖13中的(b)係例示了罩構件31B已下降至預定的第二位置L0之狀態。
在此，例如亦可在即將開始藥液處理之前進行下述前處理(亦稱為預先純水處理)：一邊藉由自轉夾具20使基板W以假想軸P0作為中心旋轉，一邊藉由第二噴出部26o對基板W的下表面Wb噴出純水使純水附著於下表面Wb。在此情形中，例如亦可在預先純水處理的開始前或者藥液處理的開始前藉由升降驅動部34使罩構件31B相對於自轉夾具20之上下方向中的相對性的位置朝下方向開始移動。藉此，例如在藥液處理的初期階段中，罩構件31B的內壁面IwB中之未被預先純水處理濕潤之乾燥的區域係能接住從旋轉中的基板W的下表面Wb上飛散的藥液的液滴。藉此，例如難以產生從罩部30B的內壁面IwB上飛散藥液的許多微小的液滴之飛濺，故藥液的微小的液滴難以到達至基板W的上表面Wu。結果，例如難以產生基板W的上表面Wu的污染以及對基板W的上表面Wu施予非意圖的處理之問題，故能提升基板W的品質。
圖14係例示第二變化例的預先純水處理以及藥液處理的執行時的罩部30B(具體而言為罩構件31B)的位置的變化之時序圖。圖14係分別顯示相對於時間的經過之用以從純水供給源72對下部供給部25供給純水之閥(亦稱為純水用的閥)的打開及關閉、相對於時間的經過之用以從藥液供給源71對下部供給部25供給藥液之閥(亦稱為藥液用的閥)的打開及關閉以及相對於時間的經過之罩部30B(具體而言為罩構件31B)的上下方向中的位置之各者的變化。在圖14中 顯示了從預先純水處理的開始前至藥液處理的結束後為止藉由升降驅動部34使罩構件31B相對於自轉夾具20之上下方向中的相對性的位置朝下方向移動之例子。
在上述第一實施形態中，例如雖然執行藥液處理時被噴出藥液之第一面為基板W的下表面Wb，但並未限定於此，第一面亦可為基板W的上表面Wu。在此，例如亦可從設置於阻隔構件40的上部供給部46朝基板W的上表面Wu噴出藥液；亦可為可從在已配置於從自轉基座23離開的位置之阻隔構件40與自轉基座23之間的區域與已從自轉基座23上退避的區域之間移動的噴嘴朝基板W的上表面Wu噴出藥液。此外，在此情形中，自轉基座23亦可採用可保持基板W之其他的構成來取代複數個夾具銷24，例如可採用可吸附基板W的下表面Wb之真空夾具等。
圖15係顯示第三變化例的氣液供給部70C的一例之概略性的方塊圖。氣液供給部70C係以上述第一實施形態的氣液供給部70作為基礎且將上部供給部46變更成上部供給部46C；上部供給部46C係進一步包含：第六噴出部71o，係作為藥液噴出部，可將從藥液供給源71經由閥所供給的藥液朝基板W的上表面Wu噴出。在圖15的例子中，藉由第六噴出部71o朝藉由自轉夾具20而以假想軸P0作為中心旋轉中的基板W的上表面Wu噴出藥液，藉此能對基板W的上表面Wu執行藥液處理。
圖16係圖解性地顯示第三變化例的處理單元1C的一個構成例之側視圖。在圖16的例子中，處理單元1C係以上述第一實施形態的處理單元1作為基礎並進一步具備：處理液供給部60C，係在已使阻隔構件40配置於從自轉基座23離開的位置之狀態下，處理液供給部60C之作為藥液噴出部的噴嘴部61C係可 藉由臂62C的轉動而在阻隔構件40與自轉基座23之間的區域與已從自轉基座23上退避的區域之間移動。圖16係描繪噴嘴部61C位於阻隔構件40與自轉基座23之間的區域之狀態。在圖16的例子中，在噴嘴部61C位於阻隔構件40與自轉基座23之間的區域之狀態下，噴嘴部61C係能朝藉由自轉夾具20以假想軸P0作為中心旋轉的基板W的上表面Wu噴出藥液。
對基板W的上表面Wu執行藥液處理時，例如藉由第三噴出部27o朝基板W的下表面Wb噴出氣體。在此，與第一實施形態中之對下表面Wb執行藥液處理時同樣地，只要藉由升降驅動部34使罩部30相對於自轉夾具20之上下方向中的位置變化，則難以產生從罩部30的內壁面上飛散藥液的許多微小的液滴之飛濺，故藥液的微小的液滴難以到達至基板W的下表面Wb。結果，例如難以產生基板W的下表面Wb的污染以及對基板W的下表面Wb施予非意圖的處理之問題，故能提升基板W的品質。
圖17中的(a)以及圖17中的(b)係示意性地顯示第三變化例的基板處理的執行時的罩部30的位置的變化的一例之圖。與圖8中的(a)以及圖8中的(b)的例子同樣地，在圖17中的(a)以及圖17中的(b)的例子中，在內罩構件31a下降至最下部之狀態下，中罩構件31b以及外罩構件31c係在已上升的預定的第一位置H0與已下降的預定的第二位置L0之間移動。圖17中的(a)係例示了中罩構件31b以及外罩構件31c已上升至預定的第一位置H0之狀態，圖17中的(b)係例示了中罩構件31b以及外罩構件31c已下降至預定的第二位置L0之狀態。此外，在圖17中的(a)以及圖17中的(b)的例子中以二點鏈線的箭頭Dp0描繪了藉由噴嘴部61C朝基板W的上表面Wu噴出的藥液的液滴藉由自轉夾具20所為的以基板W的假想軸P0作為中心的旋轉朝罩部30飛散之路徑。具體而言，顯示了朝基板W的上表面 Wu噴出的藥液的液滴朝中罩構件31b的內壁面Iwb的液體接住區域Ar1飛散之狀態。再者，與圖8中的(a)同樣地，在圖17中的(a)中以二點鏈線的箭頭Af0描繪了從FFU50朝向罩部30的內側(具體而言為中罩構件31b的內壁面Iwb)之清淨空氣的降流的路徑的一例。
在此，例如控制部2係只要在執行用以藉由噴嘴部61C朝基板W的上表面Wu噴出藥液從而對上表面Wu施予處理之藥液處理之期間(藥液處理期間)中藉由升降驅動部34使罩部30相對於自轉夾具20之上下方向中的相對性的位置變化，則罩部30的內壁面中之用以接住從旋轉中的基板W上飛散的藥液的液滴之液體接住區域Ar1係朝上下方向移動。藉此，例如從旋轉中的基板W上飛散的藥液的液滴變得難以碰撞至已附著於罩部30的內壁面(在圖17的例子中為中罩構件31b的內壁面Iwb)的液滴。結果，例如難以產生從罩部30的內壁面上飛散藥液的許多微小的液滴之飛濺。因此，例如藥液的微小的液滴難以到達至不是藥液處理的對象之基板W的下表面Wb，且藥液的微小的液滴難以到達至不是藥液處理的對象之基板W的上表面Wu。結果，例如難以產生基板W的下表面Wb的污染以及對基板W的下表面Wb施予非意圖的處理之問題。此外，例如難以產生基板W的上表面Wu的污染以及對基板W的上表面Wu施予非意圖的過度的處理之問題。因此，能提升基板W的品質。此外，與上述第一實施形態同樣地，藉由升降驅動部34使罩部30相對於自轉夾具20之上下方向中的相對性的位置變化之態樣亦可應用藉由升降驅動部34使罩部30(例如中罩構件31b)相對於自轉夾具20之上下方向中的相對性的位置朝下方向移動且不會朝上方向移動之態樣，亦可應用藉由升降驅動部34交互地執行第一動作與第二動作之態樣，該第一動作係罩部30(例如為中罩構件31b)相對於自轉夾具20之上下方向中的相對性的位置朝 下方向移動，該第二動作係罩部30(例如為中罩構件31b)相對於自轉夾具20之上下方向中的相對性的位置朝上方向移動。
在上述第一實施形態中，例如下部供給部25中之作為藥液噴出部的第一噴出部25o與作為洗淨液噴出部的第二噴出部26o係可為獨立的噴出部亦可為同一個噴出部。此外，上部供給部46中之作為藥液噴出部的第六噴出部71o與作為洗淨液噴出部的第五噴出部73o係可為獨立的噴出部亦可為同一個噴出部。
在上述第一實施形態中，例如只要採用在藥液處理期間PD1的最後藉由升降驅動部34使罩部30(例如中罩構件31b)相對於自轉夾具20之上下方向中的相對性的位置朝下方向移動之態樣，則直至開始洗淨處理期間PD2為止在基板W的上表面Wu以及下表面Wb中難以產生非意圖的處理以及過度的處理。
在上述第一實施形態中，雖然例如藉由升降驅動部34使罩部30升降藉此藉由升降驅動部34使罩部30相對於自轉夾具20之上下方向中的相對性的位置變化，但並未限定於此。升降驅動部34亦可例如使自轉夾具20以及罩部30的至少一者升降，藉此能使罩部30相對於自轉夾具20之上下方向中的相對性的位置變化。
在上述第一實施形態中，例如亦可在藉由升降驅動部34使罩部30相對於自轉夾具20之上下方向中的相對性的位置朝下方向移動時，一邊使罩部30相對於自轉夾具20之上下方向中的相對性的位置細微地振動或者搖動，一邊使罩部30相對於自轉夾具20之上下方向中的相對性的位置朝下方向移動。因此，在以藉由升降驅動部34使罩部30相對於自轉夾具20之上下方向中的相對性的位置朝下方向移動且不會朝上方向移動之方式進行控制之態樣係包含了例如 下述態樣：一邊使罩部30相對於自轉夾具20之上下方向中的相對性的位置細微地振動或者搖動，一邊使罩部30相對於自轉夾具20之上下方向中的相對性的位置朝下方向移動。此外，例如亦可在第一動作以及第二動作中的至少一個動作中使罩部30相對於自轉夾具20之上下方向中的相對性的位置以細微地振動或者搖動之方式變動，該第一動作係藉由升降驅動部34使罩部30相對於自轉夾具20之上下方向中的相對性的位置朝下方向移動，該第二動作係藉由升降驅動部34使罩部30相對於自轉夾具20之上下方向中的相對性的位置朝上方向移動。
在上述第一實施形態中，例如亦可於處理單元1設置可監視罩部30的內壁面的乾燥狀態之拍攝元件等之感測器，對藉由該感測器所獲得的影像施予二值化處理等之各種影像處理，藉此可辨識罩部30的內壁面的乾燥狀態。在此情形中，例如控制部2亦可因應罩部30的內壁面的乾燥狀態的辨識結果，在藥液處理期間PD1中控制藉由升降驅動部34使罩部30相對於自轉夾具20之上下方向中的相對性的位置朝下方向移動之速度，以使藥液的液滴從基板W上朝內壁面Iwb中之乾燥的部分飛散。
理所當然地，在不矛盾的範圍中可適當地組合分別構成上述第一實施形態以及上述各種變化例之全部內容或者一部分內容。
1:處理單元
20:自轉夾具
21:中心軸
22:旋轉機構
23:自轉基座
24:夾具銷
25:下部供給部
30:罩部
31a:內罩構件
31b:中罩構件
31c:外罩構件
32a:第一排液槽
32b:第二排液槽
32c:第三排液槽
33a:第一排液埠
33b:第二排液埠
33c:第三排液埠
34:升降驅動部
40:阻隔構件
42:支撐軸
43:臂
44:旋轉機構
45:升降機構
50:FFU
60:排氣導管
140:處理腔室
Iwa,Iwb,Iwc:內壁面
P0:假想軸
W:基板
Wb:下表面
Wu:上表面

Claims (17)

  1. 一種基板處理裝置，係具備：基板保持部，係以水平姿勢保持具有第一面以及與前述第一面相反的第二面之基板；第一驅動部，係使前述基板保持部以假想軸作為中心旋轉；藥液噴出部，係朝被前述基板保持部保持之前述基板的前述第一面噴出藥液；罩部，係圍繞前述基板保持部的周圍；第二驅動部，係使前述罩部相對於前述基板保持部之上下方向中的相對性的位置變化；以及控制部，係一邊執行藥液處理一邊藉由前述第二驅動部使前述罩部相對於前述基板保持部之前述上下方向中的相對性的位置變化，前述藥液處理係下述處理：一邊藉由前述第一驅動部使前述基板保持部以前述假想軸作為中心旋轉，一邊使前述藥液噴出部朝被前述基板保持部保持之前述基板的前述第一面噴出前述藥液並對前述第一面施予處理；前述控制部係在從用以開始執行前述藥液處理之第一時序起至用以結束執行前述藥液處理之第二時序為止的藥液處理期間中以下述方式進行控制：藉由前述第二驅動部使前述罩部相對於前述基板保持部之前述上下方向中的相對性的位置朝下方向移動之動作起開始，從前述藥液處理期間的最初至最後藉由前述罩部中的一個罩構件接住從前述基板飛散的前述藥液。
  2. 如請求項1所記載之基板處理裝置，其中前述罩部係具有：一個以上的罩構件，係分別圍繞前述基板保持部的周圍； 前述第二驅動部係使一個以上的前述罩構件分別相對於前述基板保持部之前述上下方向中的相對性的位置變化；前述控制部係一邊執行前述藥液處理一邊藉由前述第二驅動部使一個以上的前述罩構件中的一個前述罩構件相對於前述基板保持部之前述上下方向中的相對性的位置變化；前述控制部係在前述藥液處理期間中以下述方式進行控制：藉由前述第二驅動部使一個前述罩構件相對於前述基板保持部之前述上下方向中的相對性的位置朝前述下方向移動之動作起開始。
  3. 如請求項1或2所記載之基板處理裝置，其中前述控制部係在前述藥液處理期間中以下述方式進行控制：藉由前述第二驅動部使前述罩部相對於前述基板保持部之前述上下方向中的相對性的位置朝前述下方向移動且不會朝上方向移動。
  4. 如請求項3所記載之基板處理裝置，其中前述控制部係在前述藥液處理期間中控制藉由前述第二驅動部使前述罩部相對於前述基板保持部之前述上下方向中的相對性的位置朝前述下方向移動之速度，以使前述藥液的液滴從前述基板朝前述罩部的內壁面中之乾燥的部分飛散。
  5. 如請求項1或2所記載之基板處理裝置，其中前述控制部係在前述藥液處理的執行中以使第一動作以及第二動作交互地執行之方式進行控制，前述第一動作係藉由前述第二驅動部使前述罩部相對於前述基板保持部之前述上下方向中的相對性的位置朝前述下方向移動，前述第二動作係使前述罩部相對於前述基板保持部之前述上下方向中的相對性的位置朝上方向移動。
  6. 一種基板處理裝置，係具備： 基板保持部，係以水平姿勢保持具有第一面以及與前述第一面相反的第二面之基板；第一驅動部，係使前述基板保持部以假想軸作為中心旋轉；藥液噴出部，係朝被前述基板保持部保持之前述基板的前述第一面噴出藥液；罩部，係圍繞前述基板保持部的周圍；第二驅動部，係使前述罩部相對於前述基板保持部之上下方向中的相對性的位置變化；以及控制部，係一邊執行藥液處理一邊藉由前述第二驅動部使前述罩部相對於前述基板保持部之前述上下方向中的相對性的位置變化，前述藥液處理係下述處理：一邊藉由前述第一驅動部使前述基板保持部以前述假想軸作為中心旋轉，一邊使前述藥液噴出部朝被前述基板保持部保持之前述基板的前述第一面噴出前述藥液並對前述第一面施予處理；前述控制部係在從用以開始執行前述藥液處理之第一時序起至用以結束執行前述藥液處理之第二時序為止的藥液處理期間中以下述方式進行控制：藉由前述第二驅動部使前述罩部相對於前述基板保持部之前述上下方向中的相對性的位置朝下方向移動且不會朝上方向移動；前述控制部係在前述第二時序之後以下述方式進行控制：停止藉由前述第二驅動部使前述罩部相對於前述基板保持部之前述上下方向中的相對性的位置朝前述下方向移動。
  7. 一種基板處理裝置，係具備： 基板保持部，係以水平姿勢保持具有第一面以及與前述第一面相反的第二面之基板；第一驅動部，係使前述基板保持部以假想軸作為中心旋轉；藥液噴出部，係朝被前述基板保持部保持之前述基板的前述第一面噴出藥液；罩部，係圍繞前述基板保持部的周圍；第二驅動部，係使前述罩部相對於前述基板保持部之上下方向中的相對性的位置變化；以及控制部，係一邊執行藥液處理一邊藉由前述第二驅動部使前述罩部相對於前述基板保持部之前述上下方向中的相對性的位置變化，前述藥液處理係下述處理：一邊藉由前述第一驅動部使前述基板保持部以前述假想軸作為中心旋轉，一邊使前述藥液噴出部朝被前述基板保持部保持之前述基板的前述第一面噴出前述藥液並對前述第一面施予處理；前述控制部係在從用以開始執行前述藥液處理之第一時序起至用以結束執行前述藥液處理之第二時序為止的藥液處理期間中以下述方式進行控制：藉由前述第二驅動部使前述罩部相對於前述基板保持部之前述上下方向中的相對性的位置朝下方向移動且不會朝上方向移動；前述控制部係在前述第一時序之前以下述方式進行控制：開始藉由前述第二驅動部使前述罩部相對於前述基板保持部之前述上下方向中的相對性的位置朝前述下方向移動。
  8. 一種基板處理裝置，係具備： 基板保持部，係以水平姿勢保持具有第一面以及與前述第一面相反的第二面之基板；第一驅動部，係使前述基板保持部以假想軸作為中心旋轉；藥液噴出部，係朝被前述基板保持部保持之前述基板的前述第一面噴出藥液；罩部，係圍繞前述基板保持部的周圍；第二驅動部，係使前述罩部相對於前述基板保持部之上下方向中的相對性的位置變化；以及控制部，係一邊執行藥液處理一邊藉由前述第二驅動部使前述罩部相對於前述基板保持部之前述上下方向中的相對性的位置變化，前述藥液處理係下述處理：一邊藉由前述第一驅動部使前述基板保持部以前述假想軸作為中心旋轉，一邊使前述藥液噴出部朝被前述基板保持部保持之前述基板的前述第一面噴出前述藥液並對前述第一面施予處理；前述控制部係在前述藥液處理的執行中以使第一動作以及第二動作交互地執行之方式進行控制，前述第一動作係藉由前述第二驅動部使前述罩部相對於前述基板保持部之前述上下方向中的相對性的位置朝下方向移動，前述第二動作係使前述罩部相對於前述基板保持部之前述上下方向中的相對性的位置朝上方向移動；前述控制部係在前述藥液處理的執行中藉由前述第二驅動部執行前述第二動作時，使前述藥液噴出部停止朝被前述基板保持部保持之前述基板的前述第一面噴出前述藥液。
  9. 一種基板處理裝置，係具備： 基板保持部，係以水平姿勢保持具有第一面以及與前述第一面相反的第二面之基板；第一驅動部，係使前述基板保持部以假想軸作為中心旋轉；藥液噴出部，係朝被前述基板保持部保持之前述基板的前述第一面噴出藥液；罩部，係圍繞前述基板保持部的周圍；第二驅動部，係使前述罩部相對於前述基板保持部之上下方向中的相對性的位置變化；以及控制部，係一邊執行藥液處理一邊藉由前述第二驅動部使前述罩部相對於前述基板保持部之前述上下方向中的相對性的位置變化，前述藥液處理係下述處理：一邊藉由前述第一驅動部使前述基板保持部以前述假想軸作為中心旋轉，一邊使前述藥液噴出部朝被前述基板保持部保持之前述基板的前述第一面噴出前述藥液並對前述第一面施予處理；前述控制部係在前述藥液處理的執行中以使第一動作以及第二動作交互地執行之方式進行控制，前述第一動作係藉由前述第二驅動部使前述罩部相對於前述基板保持部之前述上下方向中的相對性的位置朝下方向移動，前述第二動作係使前述罩部相對於前述基板保持部之前述上下方向中的相對性的位置朝上方向移動；前述控制部係在藉由前述第二驅動部停止執行前述第一動作以及前述第二動作之前，使前述藥液噴出部停止朝被前述基板保持部保持之前述基板的前述第一面噴出前述藥液。
  10. 一種基板處理裝置，係具備： 基板保持部，係以水平姿勢保持具有第一面以及與前述第一面相反的第二面之基板；第一驅動部，係使前述基板保持部以假想軸作為中心旋轉；藥液噴出部，係朝被前述基板保持部保持之前述基板的前述第一面噴出藥液；罩部，係圍繞前述基板保持部的周圍；第二驅動部，係使前述罩部相對於前述基板保持部之上下方向中的相對性的位置變化；以及控制部，係一邊執行藥液處理一邊藉由前述第二驅動部使前述罩部相對於前述基板保持部之前述上下方向中的相對性的位置變化，前述藥液處理係下述處理：一邊藉由前述第一驅動部使前述基板保持部以前述假想軸作為中心旋轉，一邊使前述藥液噴出部朝被前述基板保持部保持之前述基板的前述第一面噴出前述藥液並對前述第一面施予處理；前述控制部係在前述藥液處理的執行中以使第一動作以及第二動作交互地執行之方式進行控制，前述第一動作係藉由前述第二驅動部使前述罩部相對於前述基板保持部之前述上下方向中的相對性的位置朝下方向移動，前述第二動作係使前述罩部相對於前述基板保持部之前述上下方向中的相對性的位置朝上方向移動；前述控制部係在藉由前述第二驅動部開始執行前述第一動作以及前述第二動作之後，使前述藥液噴出部開始朝被前述基板保持部保持之前述基板的前述第一面噴出前述藥液。
  11. 一種基板處理裝置，係具備： 基板保持部，係以水平姿勢保持具有第一面以及與前述第一面相反的第二面之基板；第一驅動部，係使前述基板保持部以假想軸作為中心旋轉；藥液噴出部，係朝被前述基板保持部保持之前述基板的前述第一面噴出藥液；洗淨液噴出部，係朝被前述基板保持部保持之前述基板的前述第一面噴出洗淨液；罩部，係圍繞前述基板保持部的周圍；第二驅動部，係使前述罩部相對於前述基板保持部之上下方向中的相對性的位置變化；以及控制部，係一邊執行藥液處理一邊藉由前述第二驅動部使前述罩部相對於前述基板保持部之前述上下方向中的相對性的位置變化，前述藥液處理係下述處理：一邊藉由前述第一驅動部使前述基板保持部以前述假想軸作為中心旋轉，一邊使前述藥液噴出部朝被前述基板保持部保持之前述基板的前述第一面噴出前述藥液並對前述第一面施予處理；前述控制部係在執行前述藥液處理後，一邊執行洗淨處理一邊藉由前述第二驅動部使前述罩部相對於前述基板保持部之前述上下方向中的相對性的位置變化，前述洗淨處理係下述處理：一邊藉由前述第一驅動部使前述基板保持部以前述假想軸作為中心旋轉，一邊使前述洗淨液噴出部朝被前述基板保持部保持之前述基板的前述第一面噴出前述洗淨液從而洗淨前述第一面。
  12. 一種基板處理裝置，係具備： 基板保持部，係以水平姿勢保持具有第一面以及與前述第一面相反的第二面之基板；第一驅動部，係使前述基板保持部以假想軸作為中心旋轉；藥液噴出部，係朝被前述基板保持部保持之前述基板的前述第一面噴出藥液；洗淨液噴出部，係朝被前述基板保持部保持之前述基板的前述第一面噴出洗淨液；氣體噴出部，係朝被前述基板保持部保持之前述基板的前述第一面噴出氣體；罩部，係圍繞前述基板保持部的周圍；第二驅動部，係使前述罩部相對於前述基板保持部之上下方向中的相對性的位置變化；以及控制部，係一邊執行藥液處理一邊藉由前述第二驅動部使前述罩部相對於前述基板保持部之前述上下方向中的相對性的位置變化，前述藥液處理係下述處理：一邊藉由前述第一驅動部使前述基板保持部以前述假想軸作為中心旋轉，一邊使前述藥液噴出部朝被前述基板保持部保持之前述基板的前述第一面噴出前述藥液並對前述第一面施予處理；前述控制部係依序執行：前述藥液處理；洗淨處理，一邊藉由前述第一驅動部使前述基板保持部以前述假想軸作為中心旋轉，一邊使前述洗淨液噴出部朝被前述基板保持部保持之前述基板的前述第一面噴出前述洗淨液從而洗淨前述第一面；以及 乾燥處理，係一邊藉由前述第一驅動部使前述基板保持部以前述假想軸作為中心旋轉，一邊使前述氣體噴出部朝被前述基板保持部保持之前述基板的前述第一面噴出前述氣體從而使前述第一面乾燥；前述控制部係一邊執行前述乾燥處理，一邊藉由前述第二驅動部使前述罩部相對於前述基板保持部之前述上下方向中的相對性的位置變化。
  13. 一種基板處理裝置，係具備：基板保持部，係以水平姿勢保持具有第一面以及與前述第一面相反的第二面之基板；第一驅動部，係使前述基板保持部以假想軸作為中心旋轉；藥液噴出部，係朝被前述基板保持部保持之前述基板的前述第一面噴出藥液；罩部，係圍繞前述基板保持部的周圍；第二驅動部，係使前述罩部相對於前述基板保持部之上下方向中的相對性的位置變化；控制部，係一邊執行藥液處理一邊藉由前述第二驅動部使前述罩部相對於前述基板保持部之前述上下方向中的相對性的位置變化，前述藥液處理係下述處理：一邊藉由前述第一驅動部使前述基板保持部以前述假想軸作為中心旋轉，一邊使前述藥液噴出部朝被前述基板保持部保持之前述基板的前述第一面噴出前述藥液並對前述第一面施予處理；以及保護部，係可覆蓋前述基板保持部所保持之前述基板的前述第二面；前述控制部係在執行前述藥液處理時，不對前述第二面噴出液體而是使前述保護部覆蓋前述第二面。
  14. 如請求項1、2、6至13中任一項所記載之基板處理裝置，其中前述控制部係在結束對於第一片前述基板執行前述藥液處理後，禁止開始對第一片前述基板之後的第二片前述基板執行前述藥液處理，直至判定成已經經過前述罩部的乾燥所需之預先設定的預定時間為止。
  15. 如請求項1、2、6至13中任一項所記載之基板處理裝置，其中前述藥液噴出部係朝向被前述基板保持部保持之前述基板的前述第一面噴出用以施予蝕刻之前述藥液。
  16. 一種基板處理方法，係基板處理裝置中的基板處理方法，前述基板處理裝置係具備處理單元以及用以控制前述處理單元的動作之控制部；前述處理單元係具備：基板保持部，係以水平姿勢保持具有第一面以及與前述第一面相反的第二面之基板；第一驅動部，係使前述基板保持部以假想軸作為中心旋轉；藥液噴出部，係可朝被前述基板保持部保持之前述基板的前述第一面噴出藥液；罩部，係圍繞前述基板保持部的周圍；以及第二驅動部，係可使前述罩部相對於前述基板保持部之上下方向中的相對性的位置變化；前述基板處理方法係具有第一工序以及第二工序；在前述第一工序中，前述控制部係執行下述藥液處理：一邊藉由前述第一驅動部使前述基板保持部以前述假想軸作為中心旋轉，一邊使前述藥液噴出部 朝被前述基板保持部保持之前述基板的前述第一面噴出前述藥液並對前述第一面施予處理；在前述第二工序中，前述控制部係在前述第一工序中的前述藥液處理的執行中，藉由前述第二驅動部使前述罩部相對於前述基板保持部之前述上下方向中的相對性的位置變化；在前述第二工序中，前述控制部係在從用以開始執行前述第一工序中的前述藥液處理之第一時序起至用以結束執行前述藥液處理之第二時序為止的藥液處理期間中以下述方式進行控制：藉由前述第二驅動部使前述罩部相對於前述基板保持部之前述上下方向中的相對性的位置朝下方向移動之動作起開始，從前述藥液處理期間的最初至最後藉由前述罩部中的一個罩構件接住從前述基板飛散的前述藥液。
  17. 一種電腦可讀取之記憶媒體，係記憶有程式，前述程式係用以在具備處理單元以及用以控制前述處理單元的動作之控制部之基板處理裝置中被前述控制部的處理器執行時執行第一工序以及第二工序；前述處理單元係具備：基板保持部，係以水平姿勢保持具有第一面以及與前述第一面相反的第二面之基板；第一驅動部，係可使前述基板保持部以假想軸作為中心旋轉；藥液噴出部，係可朝被前述基板保持部保持之前述基板的前述第一面噴出藥液；罩部，係圍繞前述基板保持部的周圍；以及 第二驅動部，係可使前述罩部相對於前述基板保持部之上下方向中的相對性的位置變化；在前述第一工序中，前述控制部係執行下述藥液處理：一邊藉由前述第一驅動部使前述基板保持部以前述假想軸作為中心旋轉，一邊使前述藥液噴出部朝被前述基板保持部保持之前述基板的前述第一面噴出前述藥液並對前述第一面施予處理；在前述第二工序中，前述控制部係在前述第一工序中的前述藥液處理的執行中，藉由前述第二驅動部使前述罩部相對於前述基板保持部之前述上下方向中的相對性的位置變化；在前述第二工序中，前述控制部係在從用以開始執行前述第一工序中的前述藥液處理之第一時序起至用以結束執行前述藥液處理之第二時序為止的藥液處理期間中以下述方式進行控制：藉由前述第二驅動部使前述罩部相對於前述基板保持部之前述上下方向中的相對性的位置朝下方向移動之動作起開始，從前述藥液處理期間的最初至最後藉由前述罩部中的一個罩構件接住從前述基板飛散的前述藥液。
TW109114966A 2019-05-27 2020-05-06 基板處理裝置、基板處理方法以及電腦可讀取之記憶媒體 TWI785330B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019-098413 2019-05-27
JP2019098413A JP7203685B2 (ja) 2019-05-27 2019-05-27 基板処理装置、基板処理方法およびプログラム

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202112454A TW202112454A (zh) 2021-04-01
TWI785330B true TWI785330B (zh) 2022-12-01

Family

ID=73545930

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW109114966A TWI785330B (zh) 2019-05-27 2020-05-06 基板處理裝置、基板處理方法以及電腦可讀取之記憶媒體

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20220238346A1 (zh)
JP (1) JP7203685B2 (zh)
CN (1) CN113874985A (zh)
TW (1) TWI785330B (zh)
WO (1) WO2020241077A1 (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102616061B1 (ko) * 2021-08-24 2023-12-20 (주)디바이스이엔지 바울 조립체를 포함하는 기판 처리장치
TWI826286B (zh) * 2023-03-10 2023-12-11 弘塑科技股份有限公司 防噴濺液體供應裝置及單晶圓處理設備

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201517998A (zh) * 2013-08-08 2015-05-16 Screen Holdings Co Ltd 基板處理裝置及基板處理方法
CN106256016A (zh) * 2014-04-18 2016-12-21 株式会社荏原制作所 基板处理装置、基板处理***及基板处理方法
TW201707132A (zh) * 2015-05-15 2017-02-16 Tokyo Electron Ltd 基板處理裝置、基板處理方法及記憶媒體
TW201913719A (zh) * 2017-08-31 2019-04-01 日商斯庫林集團股份有限公司 基板處理方法以及基板處理裝置

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009224692A (ja) * 2008-03-18 2009-10-01 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP6722532B2 (ja) * 2016-07-19 2020-07-15 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および処理カップ洗浄方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201517998A (zh) * 2013-08-08 2015-05-16 Screen Holdings Co Ltd 基板處理裝置及基板處理方法
CN106256016A (zh) * 2014-04-18 2016-12-21 株式会社荏原制作所 基板处理装置、基板处理***及基板处理方法
TW201707132A (zh) * 2015-05-15 2017-02-16 Tokyo Electron Ltd 基板處理裝置、基板處理方法及記憶媒體
TW201913719A (zh) * 2017-08-31 2019-04-01 日商斯庫林集團股份有限公司 基板處理方法以及基板處理裝置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20220002532A (ko) 2022-01-06
WO2020241077A1 (ja) 2020-12-03
US20220238346A1 (en) 2022-07-28
JP2020194836A (ja) 2020-12-03
JP7203685B2 (ja) 2023-01-13
CN113874985A (zh) 2021-12-31
TW202112454A (zh) 2021-04-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4397299B2 (ja) 基板処理装置
KR101215705B1 (ko) 도포 장치, 도포 방법, 도포ㆍ현상 장치 및 컴퓨터 판독 가능한 매체
JP6992131B2 (ja) 基板洗浄装置、基板処理装置、基板洗浄方法および基板処理方法
US11443960B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
TWI785330B (zh) 基板處理裝置、基板處理方法以及電腦可讀取之記憶媒體
KR20190112639A (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
WO2021153033A1 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
US11521865B2 (en) Substrate processing method and substrate processing device
CN109545703B (zh) 基板处理装置及基板处理方法
JP6782185B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP6489524B2 (ja) 基板処理装置
JP2009158564A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP6817821B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP7437154B2 (ja) 基板処理装置、および、基板処理方法
US11201067B2 (en) Substrate treatment method and substrate treatment device
KR102688881B1 (ko) 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 컴퓨터로 판독 가능한 기억 매체
JP2003109935A (ja) 基板周縁処理装置および基板周縁処理方法
JP5824225B2 (ja) 基板処理装置
TWI836216B (zh) 基板處理方法以及基板處理裝置
JP7372084B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2024018422A (ja) 基板洗浄装置、および、基板洗浄方法
JP2008060260A (ja) 基板処理装置
JP2024044905A (ja) 基板洗浄装置および基板洗浄方法
TW202228860A (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
JP2023046448A (ja) 基板処理方法、および、基板処理装置