JP6722532B2 - 基板処理装置および処理カップ洗浄方法 - Google Patents
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- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims description 339
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 273
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 160
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 35
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 816
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 159
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 38
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 claims description 7
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 6
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 claims description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 4
- 238000007654 immersion Methods 0.000 claims 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 153
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 45
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 23
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 22
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 21
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 18
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 16
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 9
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 8
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 7
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 6
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 5
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 5
- 229940079593 drug Drugs 0.000 description 4
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 3
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 2
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017855 NH 4 F Inorganic materials 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N ammonia Natural products N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000001174 ascending effect Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- JEGUKCSWCFPDGT-UHFFFAOYSA-N h2o hydrate Chemical compound O.O JEGUKCSWCFPDGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKAGJZJALZXOOV-UHFFFAOYSA-N hydrate;hydrochloride Chemical compound O.Cl DKAGJZJALZXOOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- 230000002940 repellent Effects 0.000 description 1
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
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- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
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- B08B3/08—Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
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- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
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- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
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Description
処理対象の基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、FED(Field Emission Display)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などが含まれる。
特許文献1の基板処理装置は、基板を水平に保持しながら基板の中央部を通る鉛直な回転軸線まわりに回転させるスピンチャックと、スピンチャックに保持されている基板の上面に向けて処理液を吐出する処理液ノズルと、スピンチャックを取り囲む筒状の処理カップと、処理カップ内の気体を排出する排気管とを含む。
この構成によれば、ガードの筒状部の下端部が、受液溝内の洗浄液の中で上下方向に移動する。これにより、筒状部の下端部に付着している微量の薬液や薬液の結晶を効果的に除去できる。
この構成によれば、筒状部の下端部が、受液溝内の洗浄液の表面(上面)を複数回上下方向に通過する。筒状部の下端部が洗浄液の表面から上方に出るとき、洗浄液の表面張力が、筒状部の下端部に付着している薬液の結晶を下方に引っ張る。また、筒状部の下端部が洗浄液の表面に入るとき、筒状部の下端部に付着している薬液の結晶に衝撃が加わる。そのため、薬液の結晶を筒状部の下端部から効果的に除去できる。
この構成によれば、筒状部の下端部を受液溝内の洗浄液に浸漬させながら、受液溝内の洗浄液を排液口を介して排出する。筒状部の下端部から除去された薬液や薬液の結晶は、排液口を介して受液溝から排出される洗浄液と共に、受液溝の外に移動する。したがって、薬液や薬液の結晶が、筒状部の下端部に再付着し難い。これにより、ガードに残留する汚染物質を減らすことができる。
この構成によれば、受液溝の上端に設けられた受液溝の入口から受液溝内の洗浄液を溢れさせる。筒状部の下端部が受液溝内の洗浄液に浸漬されると、薬液や薬液の結晶が、受液溝内の洗浄液に混入する。受液溝内の洗浄液の表面付近に存在する薬液等は、受液溝から溢れる洗浄液と共に、受液溝の外に排出される。したがって、薬液や薬液の結晶が、筒状部の下端部に再付着し難い。これにより、ガードに残留する汚染物質を減らすことができる。
筒状部の下端部が洗浄液の中で上昇しているときは、洗浄液の中にある筒状部の一部の体積が減少していくので、受液溝に洗浄液を供給しなければ、洗浄液の表面は下がり続ける。この構成によれば、このような場合でも洗浄液が受液溝から溢れる大きな流量で受液溝に洗浄液を供給する。したがって、受液溝内の洗浄液に混入した薬液等を、受液溝から溢れる洗浄液と共に確実に排出することができる。
この構成によれば、受液溝から溢れた洗浄液が、内壁部の内周面および外壁部の外周面を含むカップの外面に沿って下方に流れる。基板の処理に用いられた薬液は、カップの外面に直接当たり難いものの、薬液のミストや液滴は、カップの外面に接する場合がある。したがって、カップの外面に洗浄液を直接接触させることにより、カップの外面に付着している薬液や薬液の結晶を除去することができる。
請求項11に記載の発明は、前記洗浄液排出手段は、前記排液口を介して前記受液溝から排出された洗浄液を案内する通常配管と、前記排液口を介して前記受液溝から排出された洗浄液を案内する制限配管と、前記制限配管に介装されており、前記通常配管の流路面積の最小値よりも小さい流路面積を有する絞り部と、前記受液溝内の洗浄液が前記通常配管に排出される通常状態と、前記受液溝内の洗浄液が前記制限配管に排出される制限状態と、に切替可能な排出切替バルブとを含む、請求項10に記載の基板処理装置である
請求項12に記載の発明は、前記洗浄液排出手段は、前記排液口を介して前記受液溝から排出された洗浄液を案内する通常配管と、前記通常配管内を流れる液体の流量を変更する排出流量調整バルブとを含む、請求項10に記載の基板処理装置である。
請求項13に記載の発明は、前記洗浄液供給手段は、前記基板保持手段およびガードを介して前記第1洗浄液ノズルから前記受液溝に供給される洗浄液の流量を表す供給流量を増加させることにより、前記供給流量を、前記排液口を介して前記受液溝から排出される洗浄液の流量を表す排出流量よりも大きくする、請求項1〜7のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
請求項14に記載の発明は、前記洗浄液供給手段は、前記第1洗浄液ノズルに供給される洗浄液を案内する供給配管と、前記供給配管内を流れる液体の流量を変更する供給流量調整バルブとを含む、請求項13に記載の基板処理装置である。
請求項15に記載の発明は、前記洗浄液供給手段は、前記第1洗浄液ノズルとは異なるノズルであって、洗浄液を前記基板保持手段に保持されている基板の上方または下方に配置される吐出口から吐出する第2洗浄液ノズルを含む、請求項13に記載の基板処理装置である。
よりも大きくなり、洗浄液がカップに溜まる。
請求項16に記載の発明は、水平に保持された基板を前記基板の中央部を通る鉛直な回転軸線まわりに回転させながら、前記基板に向けて薬液を吐出する薬液供給工程と、前記基板から外方に排出された薬液を、前記基板を取り囲む筒状部を含むガードに受け止めさせる第1受液工程と、前記ガードによって下方に案内された薬液を、前記筒状部の下方に位置する環状の受液溝を形成するカップに受け止めさせながら、前記受液溝内に設けられた排液口を介して前記受液溝内の薬液を排出する第1供給工程と、前記薬液供給工程の後に、前記基板の下方に配置されるスピンベースを前記回転軸線まわりに回転させながら、前記スピンベースの上方に前記基板が配置されていない状態で、薬液とは異なる洗浄液を前記スピンベースの上方で第1洗浄液ノズルに吐出させる洗浄液吐出工程と、前記スピンベースから外方に排出された洗浄液を、前記ガードに受け止めさせる第2受液工程と、前記ガードによって下方に案内された洗浄液を、前記カップの受液溝に受け止めさせる第2供給工程と、前記スピンベースおよびガードを介して前記第1洗浄液ノズルから前記受液溝に供給される洗浄液の流量を表す供給流量を、前記排液口を介して前記受液溝から排出される洗浄液の流量を表す排出流量よりも大きくすることにより、前記受液溝に洗浄液を溜める貯留工程と、前記ガードを下降させることにより、前記筒状部の下端部を前記受液溝内の洗浄液に浸漬させる浸漬工程とを含む、処理カップ洗浄方法である。この構成によれば、請求項1の発明に関して述べた効果と同様な効果を奏することができる。
請求項18に記載の発明は、前記浸漬工程は、前記筒状部の下端部が前記受液溝内の洗浄液の上方に位置する洗浄上位置と、前記筒状部の下端部が前記受液溝内の洗浄液に浸漬される洗浄下位置と、の間で前記ガードを上下方向に複数回往復させる工程を含む、請求項16または17に記載の処理カップ洗浄方法である。この構成によれば、請求項3の発明に関して述べた効果と同様な効果を奏することができる。
請求項20に記載の発明は、前記貯留工程は、前記筒状部の下端部が前記受液溝内の洗浄液に浸漬されているとき、および前記筒状部の下端部が前記受液溝内の洗浄液に浸漬されていないときの少なくとも一方において、前記受液溝内の洗浄液を前記受液溝の入口から溢れさせる工程を含む、請求項16〜19のいずれか一項に記載の処理カップ洗浄方法である。この構成によれば、請求項5の発明に関して述べた効果と同様な効果を奏することができる。
請求項22に記載の発明は、前記貯留工程は、前記受液溝の入口から溢れた洗浄液を前記カップの外面に沿って流下させる工程を含む、請求項20または21に記載の処理カップ洗浄方法である。この構成によれば、請求項7の発明に関して述べた効果と同様な効果を奏することができる。
請求項24に記載の発明は、前記下排液配管内を流れる液体の流量に基づいて、洗浄液が前記受液溝から溢れた否かを判断する工程をさらに含む、請求項23に記載の処理カップ洗浄方法である。この構成によれば、請求項9の発明に関して述べた効果と同様な効果を奏することができる。
図1は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置1の概略構成を示す模式図である。図2は、処理カップ30内の液体を排出する排出システムについて説明するための模式的な部分断面図である。
基板処理装置1は、半導体ウエハなどの円板状の基板Wを一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。図1に示すように、基板処理装置1は、処理液や処理ガスなどの処理流体で基板Wを処理する処理ユニット2と、処理ユニット2に基板Wを搬送する搬送ロボット(図示せず)と、基板処理装置1を制御する制御装置3とを含む。
処理カップ30は、スピンチャック5から外方に排出された液体を受け止める複数のガード33と、複数のガード33によって下方に案内された液体を受け止める複数のカップ40と、複数のガード33と複数のカップ40とを取り囲む円筒状の外壁部材31とを含む。図1は、4つのガード33(第1ガード33A、第2ガード33B、第3ガード33C、および第4ガード33D)と、3つのカップ40(第1カップ40A、第2カップ40B、および第3カップ40C)とが設けられている例を示している。
図3に示すように、基板処理装置1では、処理ユニット2内で基板Wを処理する基板処理と、処理ユニット2の内部を洗浄するチャンバー洗浄とが実行される。チャンバー洗浄は、基板処理が一回以上行われた後に実行される。その後、基板処理が、再び実行される。
基板処理およびチャンバー洗浄は、制御装置3が基板処理装置1を制御することにより実行される。言い換えると、制御装置3は、基板処理およびチャンバー洗浄に含まれる各工程を実行するようにプログラムされている。基板処理に含まれる一連の工程を示すレシピは、メモリー61に記憶されている。制御装置3は、レシピに基づいて基板処理装置1を制御することにより、基板処理に含まれる各工程を基板処理装置1に実行させる。チャンバー洗浄は、レシピに組み込まれていてもよい。
図5は、基板処理の一例について説明するための工程図である。図6は、図5に示す各工程が実行されているときの処理ユニット2の状態を示す模式図である。図6(a)、図6(b)、および図6(c)は、それぞれ、薬液供給工程、リンス液供給工程、および乾燥工程が実行されているときの処理ユニット2の状態を示す模式図である。
具体的には、全てのノズルが基板Wの上方から退避している状態で、搬送ロボット(図示せず)が、基板Wをハンドで支持しながら、ハンドをチャンバー4内に進入させる。その後、搬送ロボットは、基板Wの表面が上に向けられた状態でハンド上の基板Wをスピンチャック5の上に置く。スピンモータ9は、基板Wがチャックピン6によって把持された後、基板Wの回転を開始させる。搬送ロボットは、基板Wがスピンチャック5の上に置かれた後、ハンドをチャンバー4の内部から退避させる。
具体的には、第1ノズル移動ユニット14が、薬液ノズル11を退避位置から処理位置に移動させる。さらに、ガード昇降ユニット32が、第1ガード33Aを下位置に位置させたまま、第2ガード33B〜第4ガード33Dを上位置まで上昇させる。その後、薬液バルブ13が開かれる。これにより、薬液ノズル11から回転している基板Wの上面に向けて薬液が吐出される。このとき、第1ノズル移動ユニット14は、中央処理位置と外周処理位置との間で薬液ノズル11を移動させてもよいし、薬液の着液位置が基板Wの上面中央部に位置するように薬液ノズル11を静止させてもよい。薬液バルブ13が開かれてから所定時間が経過すると、薬液バルブ13が閉じられる。その後、第1ノズル移動ユニット14が薬液ノズル11を退避位置に移動させる。
具体的には、第2ノズル移動ユニット19が、リンス液ノズル15を退避位置から処理位置に移動させる。さらに、ガード昇降ユニット32が、第2ガード33B〜第4ガード33Dを上位置に位置させたまま、第1ガード33Aを上位置まで上昇させる。その後、第1リンス液バルブ17が開かれ、リンス液ノズル15が純水の吐出を開始する。これにより、純水が、回転している基板Wの上面に向けてリンス液ノズル15から吐出される。このとき、第2ノズル移動ユニット19は、中央処理位置と外周処理位置との間でリンス液ノズル15を移動させてもよいし、リンス液の着液位置が基板Wの上面中央部に位置するようにリンス液ノズル15を静止させてもよい。
具体的には、ガード昇降ユニット32が、第4ガード33Dを上位置に位置させたまま、第1ガード33A〜第3ガード33Cを下位置まで下降させる。その後、スピンモータ9が基板Wを回転方向に加速させ、高回転速度(たとえば数千rpm)で回転させる。これにより、大きな遠心力が基板Wに付着している液体に加わり、液体が基板Wからその周囲に飛散する。そのため、液体が基板Wから除去され、基板Wが乾燥する。基板Wの高速回転が開始されてから所定時間が経過すると、スピンモータ9が回転を停止する。これにより、基板Wの回転が停止される。
具体的には、ガード昇降ユニット32が、第1ガード33A〜第3ガード33Cを下位置に位置させたまま、第4ガード33Dを下位置まで下降させる。その後、搬送ロボット(図示せず)が、ハンドをチャンバー4内に進入させる。搬送ロボットは、複数のチャックピン6による基板Wの保持が解除された後、スピンチャック5上の基板Wをハンドで支持する。その後、搬送ロボットは、基板Wをハンドで支持しながら、ハンドをチャンバー4の内部から退避させる。これにより、処理済みの基板Wがチャンバー4から搬出される。
図7は、チャンバー洗浄の一例について説明するための工程図である。図8は、洗浄液の一例である純水が第2カップ40Bに溜められている状態を示す模式図である。図9は、第2ガード33Bの下端部が第2カップ40B内の純水に浸漬されている状態を示す模式図である。図10は、純水が排液口45を介して第2カップ40Bから排出された状態を示す模式図である。図8〜図10では、開いているバルブを黒色で示しており、閉じているバルブを白色で示している。
本実施形態では、第2筒状部35の下端部が、第2カップ40B内の純水の表面(上面)を複数回上下方向に通過する。第2筒状部35の下端部が純水の表面から上方に出るとき、純水の表面張力が、第2筒状部35の下端部に付着している薬液の結晶を下方に引っ張る。また、第2筒状部35の下端部が純水の表面に入るとき、第2筒状部35の下端部に付着している薬液の結晶に衝撃が加わる。そのため、薬液の結晶を第2筒状部35の下端部から効果的に除去できる。
たとえば、処理カップ30を洗浄する洗浄液は、純水以外の液体であってもよい。たとえば、純水の代わりに、炭酸水が洗浄液として用いられてもよい。
すなわち、処理カップ30に付着している薬液の結晶が水溶性である場合、洗浄液は、水を主成分とする水含有液(水の含有率がたとえば80%の液体)であることが好ましい。純水および炭酸水は、水含有液の一例である。また、処理カップ30に付着している薬液の結晶が撥水性である場合、洗浄液は、IPAなどの有機溶剤の液体であることが好ましい。
第2筒状部35の下端部を第2カップ40B内の純水に浸漬させるときに、上位置および下位置とは異なる2つの位置で第2ガード33Bを昇降させてもよい。すなわち、洗浄上位置および洗浄下位置は、上位置および下位置とは異なる位置であってもよい。この場合、洗浄上位置は、第2筒状部35の下端部が第2カップ40B内の純水に浸漬される位置であってもよい。
純水が第2カップ40Bから溢れる前に、第2筒状部35の下端部を第2カップ40B内の純水に浸漬させてもよい。
図11に示すように、制限配管50(図2参照)を省略し、複数の排液配管46の少なくとも一つに排出流量調整バルブ64を設けてもよい。もしくは、絞り部52(図2参照)の代わりに、排出流量調整バルブ64を制限配管50に設けてもよい。いずれの場合でも、排出流量調整バルブ64の開度を変更することにより、排液口45を介してカップ40から排出される液体の流量(排出流量)を変更することができる。
第2カップ40Bに純水を溜めるときに、第2カップ40Bの受液溝44に供給される純水の流量(供給流量)が、排液口45を介して第2カップ40Bから排出される純水の流量(排出流量)を上回るように、供給流量を増加させてもよい。
処理カップ30を洗浄するときに、リンス液ノズル15の代わりに、下面ノズル20に純水を吐出させてもよい。
スピンチャック5は、複数のチャックピン6を基板Wの外周面に接触させる挟持式のチャックに限らず、非デバイス形成面である基板Wの裏面(下面)をスピンベース7の上面に吸着させることにより基板Wを水平に保持するバキューム式のチャックであってもよい。
前述の全ての構成の2つ以上が組み合わされてもよい。前述の全ての工程の2つ以上が組み合わされてもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
3 :制御装置(液量制御手段、ガード位置制御手段)
5 :スピンチャック(基板保持手段)
11 :薬液ノズル
15 :リンス液ノズル(洗浄液供給手段、第1洗浄液ノズル)
18 :第1供給流量調整バルブ(洗浄液供給手段)
20 :下面ノズル(洗浄液供給手段、第2洗浄液ノズル)
23 :第2供給流量調整バルブ(洗浄液供給手段)
30 :処理カップ
32 :ガード昇降ユニット(ガード昇降手段)
33A :第1ガード
33B :第2ガード
33C :第3ガード
33D :第4ガード
35 :筒状部
40A :第1カップ
40B :第2カップ
40C :第3カップ
40o :第2カップの外面
44 :受液溝
45 :排液口
46 :排液配管(洗浄液排出手段、通常配管)
47 :排液バルブ(洗浄液排出手段、排出切替バルブ)
48 :回収配管(洗浄液排出手段、通常配管)
49 :回収バルブ(洗浄液排出手段、排出切替バルブ)
50 :制限配管(洗浄液排出手段)
51 :制限バルブ(洗浄液排出手段、排出切替バルブ)
52 :絞り部(洗浄液排出手段)
53 :バット
54 :下排液口
55 :下排液配管
56 :流量センサー
64 :排出流量調整バルブ(洗浄液排出手段)
A1 :回転軸線
W :基板
Claims (25)
- 基板を水平に保持しながら前記基板の中央部を通る鉛直な回転軸線まわりに回転させる基板保持手段と、
前記基板保持手段に保持されている基板に向けて薬液を吐出する薬液ノズルと、
前記基板保持手段に保持されている基板を取り囲む筒状部を含み、前記基板保持手段から外方に飛散した液体を受け止める筒状のガードと、
前記筒状部の下方に位置する環状の受液溝を形成しており、前記ガードによって下方に案内された液体を前記受液溝で受け止める環状のカップと、
前記ガードを上下方向に移動させるガード昇降手段と、
薬液とは異なる洗浄液を前記基板保持手段に保持されている基板の上方または下方に配置される吐出口から吐出する第1洗浄液ノズルを含み、前記基板保持手段が基板を保持していないときに、前記第1洗浄液ノズルから吐出された洗浄液を前記基板保持手段およびガードを介して前記受液溝に供給する洗浄液供給手段と、
前記受液溝内に設けられた排液口を介して前記受液溝内の洗浄液を排出する洗浄液排出手段と、
前記洗浄液供給手段および洗浄液排出手段を制御することにより、前記受液溝に洗浄液を溜める液量制御手段と、
前記ガード昇降手段を制御することにより、前記筒状部の下端部を前記受液溝内の洗浄液に浸漬させるガード位置制御手段とを備える、基板処理装置。 - 前記ガード位置制御手段は、前記筒状部の下端部を前記受液溝内の洗浄液に浸漬させながら、前記筒状部の下端部を上下方向に振動させる、請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記ガード位置制御手段は、前記筒状部の下端部が前記受液溝内の洗浄液の上方に位置する洗浄上位置と、前記筒状部の下端部が前記受液溝内の洗浄液に浸漬される洗浄下位置と、の間で前記ガードを上下方向に複数回往復させる、請求項1または2に記載の基板処理装置。
- 前記液量制御手段は、前記筒状部の下端部が前記受液溝内の洗浄液に浸漬されているときに、前記受液溝内の洗浄液を前記排液口を介して排出させる、請求項1〜3のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記液量制御手段は、前記筒状部の下端部が前記受液溝内の洗浄液に浸漬されているとき、および前記筒状部の下端部が前記受液溝内の洗浄液に浸漬されていないときの少なくとも一方において、前記受液溝内の洗浄液を前記受液溝の入口から溢れさせる、請求項1〜4のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記液量制御手段は、前記筒状部の下端部が前記受液溝内の洗浄液の中で上昇しているときに、前記受液溝内の洗浄液を前記受液溝の入口から溢れさせる、請求項5に記載の基板処理装置。
- 前記カップは、前記受液溝の入口から溢れた洗浄液を下方に案内する外面を含む、請求項5または6に記載の基板処理装置。
- 基板を水平に保持しながら前記基板の中央部を通る鉛直な回転軸線まわりに回転させる基板保持手段と、
前記基板保持手段に保持されている基板に向けて薬液を吐出する薬液ノズルと、
前記基板保持手段に保持されている基板を取り囲む筒状部を含み、前記基板保持手段から外方に飛散した液体を受け止める筒状のガードと、
前記筒状部の下方に位置する環状の受液溝を形成しており、前記ガードによって下方に案内された液体を前記受液溝で受け止める環状のカップと、
前記ガードを上下方向に移動させるガード昇降手段と、
薬液とは異なる洗浄液を前記基板保持手段に保持されている基板の上方または下方に配置される吐出口から吐出する第1洗浄液ノズルを含み、前記第1洗浄液ノズルから吐出された洗浄液を前記基板保持手段およびガードを介して前記受液溝に供給する洗浄液供給手段と、
前記受液溝内に設けられた排液口を介して前記受液溝内の洗浄液を排出する洗浄液排出手段と、
前記洗浄液供給手段および洗浄液排出手段を制御することにより、前記受液溝に洗浄液を溜める液量制御手段と、
前記ガード昇降手段を制御することにより、前記筒状部の下端部を前記受液溝内の洗浄液に浸漬させるガード位置制御手段と、
前記カップの下方に位置しており、前記受液溝の入口から溢れた洗浄液を受け止めるバットと、
前記バット内に設けられた下排液口を介して前記バットから排出された洗浄液を案内する下排液配管と、を備え、
前記液量制御手段は、前記筒状部の下端部が前記受液溝内の洗浄液に浸漬されているとき、および前記筒状部の下端部が前記受液溝内の洗浄液に浸漬されていないときの少なくとも一方において、前記受液溝内の洗浄液を前記受液溝の入口から溢れさせる、基板処理装置。 - 前記基板処理装置は、前記下排液配管を流れる液体の流量を検出する流量センサーをさらに備え、
前記液量制御手段は、前記流量センサーの検出値に基づいて、洗浄液が前記受液溝から溢れたか否かを判断する、請求項8に記載の基板処理装置。 - 前記洗浄液排出手段は、前記排液口を介して前記受液溝から排出される洗浄液の流量を表す排出流量を減少させることにより、前記排出流量を、前記基板保持手段およびガードを介して前記第1洗浄液ノズルから前記受液溝に供給される洗浄液の流量を表す供給流量よりも小さくする、請求項1〜7のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記洗浄液排出手段は、
前記排液口を介して前記受液溝から排出された洗浄液を案内する通常配管と、
前記排液口を介して前記受液溝から排出された洗浄液を案内する制限配管と、
前記制限配管に介装されており、前記通常配管の流路面積の最小値よりも小さい流路面積を有する絞り部と、
前記受液溝内の洗浄液が前記通常配管に排出される通常状態と、前記受液溝内の洗浄液が前記制限配管に排出される制限状態と、に切替可能な排出切替バルブとを含む、請求項10に記載の基板処理装置。 - 前記洗浄液排出手段は、前記排液口を介して前記受液溝から排出された洗浄液を案内する通常配管と、前記通常配管内を流れる液体の流量を変更する排出流量調整バルブとを含む、請求項10に記載の基板処理装置。
- 前記洗浄液供給手段は、前記基板保持手段およびガードを介して前記第1洗浄液ノズルから前記受液溝に供給される洗浄液の流量を表す供給流量を増加させることにより、前記供給流量を、前記排液口を介して前記受液溝から排出される洗浄液の流量を表す排出流量よりも大きくする、請求項1〜7のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記洗浄液供給手段は、前記第1洗浄液ノズルに供給される洗浄液を案内する供給配管と、前記供給配管内を流れる液体の流量を変更する供給流量調整バルブとを含む、請求項13に記載の基板処理装置。
- 前記洗浄液供給手段は、前記第1洗浄液ノズルとは異なるノズルであって、洗浄液を前記基板保持手段に保持されている基板の上方または下方に配置される吐出口から吐出する第2洗浄液ノズルを含む、請求項13に記載の基板処理装置。
- 水平に保持された基板を前記基板の中央部を通る鉛直な回転軸線まわりに回転させながら、前記基板に向けて薬液を吐出する薬液供給工程と、
前記基板から外方に排出された薬液を、前記基板を取り囲む筒状部を含むガードに受け止めさせる第1受液工程と、
前記ガードによって下方に案内された薬液を、前記筒状部の下方に位置する環状の受液溝を形成するカップに受け止めさせながら、前記受液溝内に設けられた排液口を介して前記受液溝内の薬液を排出する第1供給工程と、
前記薬液供給工程の後に、前記基板の下方に配置されるスピンベースを前記回転軸線まわりに回転させながら、前記スピンベースの上方に前記基板が配置されていない状態で、薬液とは異なる洗浄液を前記スピンベースの上方で第1洗浄液ノズルに吐出させる洗浄液吐出工程と、
前記スピンベースから外方に排出された洗浄液を、前記ガードに受け止めさせる第2受液工程と、
前記ガードによって下方に案内された洗浄液を、前記カップの受液溝に受け止めさせる第2供給工程と、
前記スピンベースおよびガードを介して前記第1洗浄液ノズルから前記受液溝に供給される洗浄液の流量を表す供給流量を、前記排液口を介して前記受液溝から排出される洗浄液の流量を表す排出流量よりも大きくすることにより、前記受液溝に洗浄液を溜める貯留工程と、
前記ガードを下降させることにより、前記筒状部の下端部を前記受液溝内の洗浄液に浸漬させる浸漬工程とを含む、処理カップ洗浄方法。 - 前記浸漬工程は、前記筒状部の下端部を前記受液溝内の洗浄液に浸漬させながら、前記筒状部の下端部を上下方向に振動させる工程を含む、請求項16に記載の処理カップ洗浄方法。
- 前記浸漬工程は、前記筒状部の下端部が前記受液溝内の洗浄液の上方に位置する洗浄上位置と、前記筒状部の下端部が前記受液溝内の洗浄液に浸漬される洗浄下位置と、の間で前記ガードを上下方向に複数回往復させる工程を含む、請求項16または17に記載の処理カップ洗浄方法。
- 前記貯留工程は、前記筒状部の下端部が前記受液溝内の洗浄液に浸漬されているときに、前記受液溝内の洗浄液を前記排液口を介して排出させる工程を含む、請求項16〜18のいずれか一項に記載の処理カップ洗浄方法。
- 前記貯留工程は、前記筒状部の下端部が前記受液溝内の洗浄液に浸漬されているとき、および前記筒状部の下端部が前記受液溝内の洗浄液に浸漬されていないときの少なくとも一方において、前記受液溝内の洗浄液を前記受液溝の入口から溢れさせる工程を含む、請求項16〜19のいずれか一項に記載の処理カップ洗浄方法。
- 前記貯留工程は、前記筒状部の下端部が前記受液溝内の洗浄液の中で上昇しているときに、前記受液溝内の洗浄液を前記受液溝の入口から溢れさせる工程を含む、請求項20に記載の処理カップ洗浄方法。
- 前記貯留工程は、前記受液溝の入口から溢れた洗浄液を前記カップの外面に沿って流下させる工程を含む、請求項20または21に記載の処理カップ洗浄方法。
- 水平に保持された基板を前記基板の中央部を通る鉛直な回転軸線まわりに回転させながら、前記基板に向けて薬液を吐出する薬液供給工程と、
前記基板から外方に排出された薬液を、前記基板を取り囲む筒状部を含むガードに受け止めさせる第1受液工程と、
前記ガードによって下方に案内された薬液を、前記筒状部の下方に位置する環状の受液溝を形成するカップに受け止めさせながら、前記受液溝内に設けられた排液口を介して前記受液溝内の薬液を排出する第1供給工程と、
前記薬液供給工程の後に、前記基板の下方に配置されるスピンベースを前記回転軸線まわりに回転させながら、薬液とは異なる洗浄液を前記スピンベースの上方で第1洗浄液ノズルに吐出させる洗浄液吐出工程と、
前記スピンベースから外方に排出された洗浄液を、前記ガードに受け止めさせる第2受液工程と、
前記ガードによって下方に案内された洗浄液を、前記カップの受液溝に受け止めさせる第2供給工程と、
前記スピンベースおよびガードを介して前記第1洗浄液ノズルから前記受液溝に供給される洗浄液の流量を表す供給流量を、前記排液口を介して前記受液溝から排出される洗浄液の流量を表す排出流量よりも大きくすることにより、前記受液溝に洗浄液を溜める貯留工程と、
前記ガードを下降させることにより、前記筒状部の下端部を前記受液溝内の洗浄液に浸漬させる浸漬工程と、
前記受液溝の入口から溢れた洗浄液を、前記カップの下方に位置するバットで受け止める工程と、
前記バット内に設けられた下排液口を介して前記バット内の洗浄液を下排液配管に排出する工程と、を含み、
前記貯留工程は、前記筒状部の下端部が前記受液溝内の洗浄液に浸漬されているとき、および前記筒状部の下端部が前記受液溝内の洗浄液に浸漬されていないときの少なくとも一方において、前記受液溝内の洗浄液を前記受液溝の入口から溢れさせる工程を含む、処理カップ洗浄方法。 - 前記下排液配管内を流れる液体の流量に基づいて、洗浄液が前記受液溝から溢れた否かを判断する工程をさらに含む、請求項23に記載の処理カップ洗浄方法。
- 前記貯留工程は、前記排出流量の減少と前記供給流量の増加の少なくとも一方を実行することにより、前記供給流量を前記排出流量よりも大きくする、請求項20〜22のいずれか一項に記載の処理カップ洗浄方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016141463A JP6722532B2 (ja) | 2016-07-19 | 2016-07-19 | 基板処理装置および処理カップ洗浄方法 |
CN201710565095.5A CN107634015B (zh) | 2016-07-19 | 2017-07-12 | 基板处理装置和处理杯清洗方法 |
US15/648,900 US10658203B2 (en) | 2016-07-19 | 2017-07-13 | Substrate processing apparatus and processing cup cleaning method |
TW106123668A TWI671138B (zh) | 2016-07-19 | 2017-07-14 | 基板處理裝置及處理罩洗淨方法 |
KR1020170090258A KR101941370B1 (ko) | 2016-07-19 | 2017-07-17 | 기판 처리 장치 및 처리컵 세정 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016141463A JP6722532B2 (ja) | 2016-07-19 | 2016-07-19 | 基板処理装置および処理カップ洗浄方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018014353A JP2018014353A (ja) | 2018-01-25 |
JP6722532B2 true JP6722532B2 (ja) | 2020-07-15 |
Family
ID=60988138
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016141463A Active JP6722532B2 (ja) | 2016-07-19 | 2016-07-19 | 基板処理装置および処理カップ洗浄方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10658203B2 (ja) |
JP (1) | JP6722532B2 (ja) |
KR (1) | KR101941370B1 (ja) |
CN (1) | CN107634015B (ja) |
TW (1) | TWI671138B (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6910164B2 (ja) * | 2017-03-01 | 2021-07-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
KR101899915B1 (ko) * | 2017-04-26 | 2018-09-20 | 세메스 주식회사 | 게이트 도어 유닛 및 이를 갖는 기판 처리 장치 |
WO2019083735A1 (en) * | 2017-10-23 | 2019-05-02 | Lam Research Ag | SYSTEMS AND METHODS FOR PREVENTING THE STATIC FRICTION OF HIGH-SHAPE RATIO STRUCTURES AND / OR REPAIRING HIGH-SHAPE RATIO STRUCTURES |
JP7072415B2 (ja) * | 2018-03-26 | 2022-05-20 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP7066471B2 (ja) * | 2018-03-26 | 2022-05-13 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP7149087B2 (ja) * | 2018-03-26 | 2022-10-06 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP7080331B2 (ja) * | 2018-08-22 | 2022-06-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
CN109065485B (zh) * | 2018-09-04 | 2020-09-11 | 江苏晶品新能源科技有限公司 | 一种单晶硅生产线用硅片高效清洗装置 |
JP7203685B2 (ja) * | 2019-05-27 | 2023-01-13 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置、基板処理方法およびプログラム |
CN111085491B (zh) * | 2019-12-27 | 2021-12-03 | 上海至纯洁净***科技股份有限公司 | 一种防溅回收组件 |
JP7455608B2 (ja) * | 2020-02-25 | 2024-03-26 | 株式会社荏原製作所 | 洗浄方法及び洗浄装置 |
JP7438015B2 (ja) * | 2020-05-01 | 2024-02-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
JP7330307B2 (ja) * | 2022-01-13 | 2023-08-21 | 三益半導体工業株式会社 | 処理液回収機構付ウェーハ表面処理装置及びウェーハ表面処理方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3745900B2 (ja) | 1998-05-07 | 2006-02-15 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 処理液供給装置 |
JP3761482B2 (ja) * | 2002-03-26 | 2006-03-29 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置およびスプラッシュガードの洗浄方法 |
US7584760B2 (en) * | 2002-09-13 | 2009-09-08 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
JP4494840B2 (ja) * | 2003-06-27 | 2010-06-30 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 異物除去装置、基板処理装置および基板処理方法 |
JP2005191511A (ja) * | 2003-12-02 | 2005-07-14 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2006024793A (ja) | 2004-07-08 | 2006-01-26 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 薬液回収方法および基板処理装置 |
US8152933B2 (en) | 2006-10-05 | 2012-04-10 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus, substrate processing method, and drain cup cleaning method |
JP2008153521A (ja) | 2006-12-19 | 2008-07-03 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 回収カップ洗浄方法および基板処理装置 |
JP5312856B2 (ja) | 2008-06-27 | 2013-10-09 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
JP5270251B2 (ja) * | 2008-08-06 | 2013-08-21 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
JP4703704B2 (ja) | 2008-10-02 | 2011-06-15 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
JP5864232B2 (ja) * | 2011-02-01 | 2016-02-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置および液処理方法 |
JP5890108B2 (ja) * | 2011-04-27 | 2016-03-22 | 株式会社Screenホールディングス | 洗浄処理方法 |
JP5782317B2 (ja) * | 2011-07-12 | 2015-09-24 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
CN103094151B (zh) * | 2011-10-27 | 2015-07-22 | 沈阳芯源微电子设备有限公司 | 一种化学液回收装置 |
JP5596071B2 (ja) * | 2012-03-09 | 2014-09-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置 |
JP6250973B2 (ja) | 2013-08-08 | 2017-12-20 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP6432824B2 (ja) * | 2014-08-15 | 2018-12-05 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
KR102342131B1 (ko) | 2014-08-15 | 2021-12-21 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
JP6537398B2 (ja) | 2015-08-03 | 2019-07-03 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
-
2016
- 2016-07-19 JP JP2016141463A patent/JP6722532B2/ja active Active
-
2017
- 2017-07-12 CN CN201710565095.5A patent/CN107634015B/zh active Active
- 2017-07-13 US US15/648,900 patent/US10658203B2/en active Active
- 2017-07-14 TW TW106123668A patent/TWI671138B/zh active
- 2017-07-17 KR KR1020170090258A patent/KR101941370B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2018014353A (ja) | 2018-01-25 |
US20180025922A1 (en) | 2018-01-25 |
TW201808473A (zh) | 2018-03-16 |
TWI671138B (zh) | 2019-09-11 |
KR20180009709A (ko) | 2018-01-29 |
KR101941370B1 (ko) | 2019-01-22 |
CN107634015A (zh) | 2018-01-26 |
CN107634015B (zh) | 2021-06-11 |
US10658203B2 (en) | 2020-05-19 |
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A977 | Report on retrieval |
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R250 | Receipt of annual fees |
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