TWI781730B - 用於切割膜之黏著劑組成物、切割膜以及切割晶粒黏結膜 - Google Patents

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Abstract

本揭露提供一種用於切割膜的黏著劑組成物；一種切割 膜；以及一種切割晶粒黏結膜，所述黏著劑組成物、切割膜以及切割晶粒黏結膜具有極佳的拾取效能。所述黏著劑組成物含有藉由共聚作用自混合物獲得的(甲基)丙烯酸酯共聚物，所述混合物含有：由下式1表示的第一單體；作為含有具有3至10個碳原子的烷基的(甲基)丙烯酸酯的第二單體；以及作為含有羥基的(甲基)丙烯酸酯的第三單體。式1的定義與說明書所定義的相同。

Description

用於切割膜之黏著劑組成物、切割膜以及切割晶 粒黏結膜
本揭露是關於一種用於切割膜的黏著劑組成物；一種切割膜；以及一種切割晶粒黏結膜。具體而言，本揭露是關於一種用於切割膜的黏著劑組成物；一種切割膜；以及一種切割晶粒黏結膜，所述黏著劑組成物、切割膜以及切割晶粒黏結膜具有極佳的拾取（pickup）效能。 相關申請案的交叉參考
本申請案主張2020年11月18日向韓國智慧財產局（Korean Intellectual Property Office）申請的韓國專利申請案第10-2020-0154199號的申請日權益，所述申請案的全部內容以引用的方式併入本文中。
一般而言，半導體晶片製造製程包含在晶圓上形成精細圖案的製程以及研磨且封裝晶圓以滿足最終裝置的規格的製程。
封裝製程包含：測試半導體晶片缺陷的晶圓測試製程；藉由切割將晶圓劃分成個別晶片的切割製程；將分離晶片附接至電路膜或引線框的安裝板的晶粒黏結製程；經由諸如電線的電連接構件將設置於半導體晶片上的晶片墊連接至電路膜或引線框的電路圖案的線黏結製程；用包封材料包覆外部以便保護半導體晶片及其他部件的內部電路的模製製程；切割連接引線的擋隔桿（dam bar）的修整製程；使引線彎曲成所需形狀的成形製程；以及測試經封裝產品缺陷的最終產品測試製程。
在切割製程中，藉助於金剛石車輪或類似物將晶圓切割為預定大小。在切割製程之前，在適合條件下將切割膜層壓於晶圓的後側上以便固定晶圓。另外，晶粒黏結膜（黏著膜）用於將經切割的個別晶片附接至電路板。經由切割製程，彼此分離的個別晶片由具有多個形成於其上的晶片的半導體晶圓製成。在廣義上，切割製程為藉由研磨半導體晶圓的後側且沿著晶片之間的切割線切割半導體晶圓來製造多個彼此分離的個別晶片的製程。
另外，在習知的切割製程中，出現由於晶片損壞而降低產率的問題。為解決此問題，已提出一種製造製程，包含在使用刀片切割半導體晶片或使用雷射器修改半導體晶片的橫截面的製程之後的擴展製程。在此製造製程中，擴展切割或修改橫截面的半導體晶圓，且藉由用UV光照射半導體晶圓上的基底膜而拾取多個個別晶片。
然而，在擴展製程期間，發生晶粒提昇現象（die lifting phenomenon），其中提昇經切割晶片的邊緣且在提昇部分中捕獲氧氣。此後，UV照射製程中產生的自由基與所捕獲氧氣反應以形成過氧自由基，且因此發生氧阻聚現象（oxygen inhibition phenomenon），其中晶片的邊緣上的膜不會與UV光反應。氧阻聚現象已出現於其上的膜表面保持高度黏合，且出現在拾取晶片時發生膜之間的黏合的問題，從而引起晶片的拾取特性劣化。
本揭露的目標為提供用於切割膜的黏著劑組成物、切割膜以及切割晶粒黏結膜，所述黏著劑組成物、切割膜以及切割晶粒黏結膜甚至在由於晶圓變薄而發生晶片的提昇時或甚至在黏著層由於提昇而暴露於氧氣時具有極佳的拾取效能。
然而，利用本揭露達成的目標不限於上文提及的目標，且本領域的技術人員將自以下描述清楚地理解本文未提及的其他目標。
根據本揭露的一個態樣，提供一種用於切割膜的黏著劑組成物，含有藉由共聚作用自混合物獲得的(甲基)丙烯酸酯共聚物，所述混合物含有：由下式1表示的第一單體；作為含有具有3至10個碳原子的烷基的(甲基)丙烯酸酯的第二單體；以及作為含有羥基的(甲基)丙烯酸酯的第三單體，其中以混合物的總重量計，第一單體是以20 wt%至40 wt%的量含有。
[式1]
Figure 02_image001
其中：R 1為氫或甲基；R 2為亞甲基、伸乙基或伸丙基；R 3為具有1至5個碳原子的經取代或未經取代的烷基；且n為範圍介於1至10的自然數。
根據本揭露的另一態樣，提供一種切割膜，包含：基底膜；以及黏著層，包含用於切割膜的黏著劑組成物的固化產物。
根據本揭露的再一態樣，提供一種切割晶粒黏結膜，包含：切割膜；以及晶粒黏結膜。
本說明書及申請專利範圍中所使用的術語不應解釋為限於常見或詞典含義，而是基於發明人可恰當地定義術語的含義從而以最佳方式描述其發明的原理，應解釋為具有與本揭露的技術精神相符的含義及概念。因此，應理解描述於本說明書中的實施例及其特徵僅為最佳實例，但並非涵蓋本揭露的全部技術精神，且因此在申請本申請案時可存在各種等效物及能夠替換其的修改。
貫穿本說明書，應理解，除非另外規定，否則當將任何部分稱為「包含」任何組分時，其不排除其他組分，而是可更包含其他組分。
貫穿本說明書，當將任何構件稱為「在另一構件上」時，其不僅指任何構件與另一構件接觸的情況，且亦指第三構件存在於兩個構件之間的情況。
貫穿本說明書，單位「重量份」可指組分之間的重量比。
貫穿本說明書，術語「(甲基)丙烯酸酯」意謂包含丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯。
貫穿本說明書，任何化合物的「重量平均分子量」及「數目平均分子量」可使用化合物的分子量及分子量分佈來計算。具體而言，可藉由以下獲得化合物的分子量及分子量分佈：將四氫呋喃（THF）及化合物置放於1毫升玻璃瓶中以製備其中化合物的濃度為1 wt%的測試樣本；經由濾紙（孔徑：0.45微米）過濾標準樣本（聚苯乙烯）及測試樣本；將樣本濾液中的每一者注射至GPC注射器中；以及將測試樣本的溶離時間與標準樣本的校準曲線比較。此時，可將Infinity II 1260（安捷倫科技公司（Agilent Technologies, Inc.））用作量測儀器，且流動速率及管柱溫度可分別設定為1.00毫升/分鐘（mL/min）及40.0℃。
貫穿本說明書，可使用差示掃描熱量測定（differential scanning calorimetry；DSC）量測「玻璃轉化溫度（Tg）」。具體而言，可使用差示掃描熱量計（differential scanning calorimeter；DSC，DSCQ2000，韓國TA儀器（TA Instrument Korea））藉由以下來量測玻璃轉化溫度：執行二循環實驗，同時在-60℃至150℃的溫度範圍內以5℃/分鐘的加熱速率加熱樣品，且接著量測自具有熱變化的點繪製的DSC曲線的中點。
在下文中，將更詳細地描述本揭露。
根據本揭露的一個實施例，提供一種用於切割膜的黏著劑組成物，含有藉由共聚作用自混合物獲得的(甲基)丙烯酸酯共聚物，所述混合物含有：由下式1表示的第一單體；作為含有具有3至10個碳原子的烷基的(甲基)丙烯酸酯的第二單體；以及作為含有羥基的(甲基)丙烯酸酯的第三單體，其中以混合物的總重量計，第一單體是以20 wt%至40 wt%的量含有：
[式1]
Figure 02_image001
其中：R 1為氫或甲基；R 2為亞甲基、伸乙基或伸丙基；R 3為具有1至5個碳原子的經取代或未經取代的烷基；且n為範圍介於1至10的自然數。
根據本揭露的一個實施例的用於切割膜的黏著劑組成物可改良切割膜的拾取效能，因為甚至在暴露於氧氣的條件下用UV光照射黏著劑組成物時可有效地降低其黏著性。具體而言，含於用於切割膜的黏著劑組成物中的(甲基)丙烯酸酯共聚物為藉由共聚作用自含有由式1表示的第一單體的混合物獲得的(甲基)丙烯酸酯共聚物。因此，甚至在暴露於氧氣的條件下用UV光照射黏著劑組成物時，由式1表示的第一單體可減少藉由自由基與氧氣之間的接觸反應而產生的過氧自由基，由此抑制氧阻聚現象。此表明黏著劑組成物可具有極佳的拾取效能，因為其黏著性甚至在氧氣減少的環境下藉由UV照射而有效地降低。
根據本揭露的一個實施例，可藉由共聚作用自混合物獲得(甲基)丙烯酸酯共聚物，所述混合物含有：由式1表示的第一單體、作為含有具有3至10個碳原子的烷基的(甲基)丙烯酸酯的第二單體以及作為含有羥基的(甲基)丙烯酸酯的第三單體。
根據本揭露的一個實施例，藉由共聚作用自混合物獲得(甲基)丙烯酸酯共聚物的方法不受特定限制，且可為例如諸如溶液聚合、本體聚合或乳液聚合的方法。
根據本揭露的一個實施例，必要時，除第一單體至第三單體以外，混合物可更含有至少一種由起始劑、溶劑以及鏈轉移劑中選出的添加劑。
根據本揭露的一個實施例，(甲基)丙烯酸酯共聚物可具有300,000至1,000,000的重量平均分子量。當(甲基)丙烯酸酯共聚物的重量平均分子量在上述範圍內時，(甲基)丙烯酸酯共聚物可展現極佳的黏著效果。若重量平均分子量低於上述範圍的下限，則可在膜移除之後保留殘餘物，且若重量平均分子量高於上述範圍的上限，則可出現由黏著劑組成物形成的黏著劑塗佈膜的均一性降低的現象。
根據本揭露的一個實施例，第一單體可具有由以下式1表示的結構。舉例而言，第一單體可包含以下中的至少一者：(甲基)丙烯酸2-(2-乙氧基乙氧基)乙酯、(甲基)丙烯酸2-(2-甲氧基乙氧基)乙酯以及(甲基)丙烯酸2-[2-(2-甲氧基乙氧基)乙氧基]乙酯。較佳地，第一單體可包含(甲基)丙烯酸2-(2-乙氧基乙氧基)乙酯。
[式1]
Figure 02_image005
其中：R 1為氫或甲基；R 2為亞甲基、伸乙基或伸丙基；R 3為具有1至5個碳原子的經取代或未經取代的烷基；且n為範圍介於1至10的自然數。
第一單體具有經由氧化再起始氫氣萃取及自由基反應的特性，構成(甲基)丙烯酸酯共聚物的第一重複單元，且具有抑制氧阻聚現象的效果。因此，當在暴露於氧氣的條件下用UV光照射黏著劑組成物時，第一單體可有效地降低黏著劑組成物的黏著性，由此使得切割膜能夠確保極佳的拾取效能。
根據本揭露的一實施例，以混合物的總重量計，可以20 wt%至40 wt%、25 wt%至40 wt%、20 wt%至35 wt%、25 wt%至35 wt%或25 wt%至30 wt%的量含有第一單體。當以上述範圍內的量含有第一單體時，第一單體可藉由在UV照射之後具有適合的黏著特性來有效地改良拾取效能，且可能不發生晶粒提昇現象。
根據本揭露的一個實施例，第二單體為含有具有3至10個碳原子的烷基的(甲基)丙烯酸酯。舉例而言，第二單體可包含以下中的至少一者：(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯以及(甲基)丙烯酸癸酯。較佳地，第二單體可包含(甲基)丙烯酸2-乙基己酯。
由於第二單體可含於(甲基)丙烯酸酯共聚物中，有可能達成由含有(甲基)丙烯酸酯共聚物的黏著劑組成物形成的黏著層的基本物理特性。
根據本揭露的一個實施例，以混合物的總重量計，可以40 wt%至70 wt%、40 wt%至60 wt%、40 wt%至50 wt%或50 wt%至60 wt%的量含有第二單體。當以上述範圍內的量含有第二單體時，第二單體可確保玻璃轉化溫度的適合位準，由此確保適合的黏著性。
根據本揭露的一個實施例，第三單體為含有羥基的(甲基)丙烯酸酯。舉例而言，第三單體可包含以下中的至少一者：(甲基)丙烯酸2-羥乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥己酯、(甲基)丙烯酸8-羥辛酯、2-羥基乙二醇(甲基)丙烯酸酯以及2-羥基丙二醇(甲基)丙烯酸酯。較佳地，第三單體可包含(甲基)丙烯酸2-羥乙酯。
由於第三單體含有羥基，(甲基)丙烯酸酯共聚物可藉由固化反應賦予可為可變的黏著性，以便有可能形成黏著膜。因此，當由黏著劑組成物形成的黏著層未留下殘餘物時，可容易移除黏著膜。
根據本揭露的一個實施例，以混合物的總重量計，可以5 wt%至30 wt%、5 wt%至20 wt%、10 wt%至20 wt%或20 wt%至30 wt%的量含有第三單體。當以上述範圍內的量含有第三單體時，在膜移除之後不保留殘餘物，且當其移除為必需時可容易移除黏著膜。
根據本揭露的一個實施例，(甲基)丙烯酸酯共聚物可包含：衍生自第一單體的第一重複單元；衍生自第二單體的第二重複單元；衍生自第三單體的第三重複單元；以及第四重複單元，其中衍生自第三單體的重複單元的羥基與第四單體一起形成胺基甲酸酯鍵，所述第四單體為含有異氰酸酯基的(甲基)丙烯酸酯。具體而言，含於衍生自第三單體的重複單元中的羥基中的一些不反應且因此可對應於第三重複單元，且羥基中的一些與第四單體（其為含有異氰酸酯基的(甲基)丙烯酸酯）形成胺基甲酸酯鍵，且因此可對應於第四重複單元。
根據本揭露的一個實施例，可藉由包含以下步驟的方法產生(甲基)丙烯酸酯共聚物：使混合物預聚合以形成預聚物；且將預聚物與第四單體混合及反應以形成第四重複單元。
根據本揭露的一個實施例，第四單體可為含有異氰酸酯基的(甲基)丙烯酸酯。
第四單體可與衍生自含於預聚物中的第三單體的第三重複單元的羥基反應且黏結。特定言之，第四單體可經由胺基甲酸酯鍵與羥基黏結，所述胺基甲酸酯鍵形成於含於第四單體中的異氰酸酯基與羥基之間。當第四重複單元由上述反應形成時，在膜移除之後將不保留殘餘物，且第四單體可具有與UV光的固化反應性。
根據本揭露的一個實施例，以預聚物的100重量份計，第四單體可以10重量份至20重量份或10重量份至15重量份的量混合。當第四單體是以上述範圍內的量混合時，可有效地達成UV照射後的晶片拾取。
根據本揭露的一個實施例，第三重複單元與第四重複單元的莫耳比可為4:6至9:1、5:5至8:2或6:4至7:3。當以上述範圍內的莫耳比含有第三重複單元及第四重複單元時，可存在UV照射之後顯著降低黏著劑組成物的黏著性的效果。
根據本揭露的一個實施例，第四單體可包含以下中的至少一者：異氰酸(甲基)丙烯醯酯、異氰酸(甲基)丙烯醯氧酯、異氰酸(甲基)丙烯醯氧基甲酯、異氰酸2-(甲基)丙烯醯氧基乙酯、異氰酸3-(甲基)丙烯醯氧基丙酯以及異氰酸4-(甲基)丙烯醯氧基丁酯。較佳地，第四單體可包含異氰酸2-(甲基)丙烯醯氧基乙酯。
根據本揭露的一個實施例，必要時，黏著劑組成物可更含有至少一種由光起始劑、固化劑以及溶劑中選出的添加劑。
根據本揭露的一個實施例，光起始劑的具體實例不受限制，且可使用習知已知的光起始劑。舉例而言，光起始劑可包含以下中的至少一者：安息香（benzoin）及其烷基醚、苯乙酮、蒽醌、噻噸酮（thioxanthone）、縮酮、二苯甲酮、α-胺基苯乙酮、醯基膦氧化物以及肟酯。
根據本揭露的一個實施例，以(甲基)丙烯酸酯共聚物的100重量份計，光起始劑可以1重量份至10重量份、1重量份至5重量份或1重量份至3重量份的量含於混合物中。當以上述範圍內的量使用光起始劑時，光起始劑可在用UV光照射切割膜的黏著層時引發光交聯反應，由此減少黏著層的黏著性，引起膜的拾取效能改良。
根據本揭露的一個實施例，固化劑可包含以下中的至少一者：異氰酸酯類化合物、氮丙啶類化合物、環氧化物類化合物以及金屬螯合劑類化合物。特定言之，固化劑可包含異氰酸酯類化合物中的多官能異氰酸酯類化合物。
根據本揭露的一個實施例，以(甲基)丙烯酸酯共聚物的100重量份計，固化劑可以1重量份至10重量份、1重量份至5重量份或1重量份至3重量份的量含於混合物中。當以上述範圍內的量使用固化劑時，固化劑可調整黏著劑組成物的固化速率以便組成物可容易形成為黏著層。
根據本揭露的一個實施例，溶劑的具體實例不受限制，且可使用習知已知的溶劑。舉例而言，溶劑包含乙酸乙酯、乙酸丁酯以及甲基乙基酮中的至少一者。
根據本揭露的一個實施例，以(甲基)丙烯酸酯共聚物的100重量份計，溶劑可以30重量份至300重量份、50重量份至200重量份或100重量份至150重量份的量含於混合物中。當以上述範圍內的量使用溶劑時，溶劑可在控制黏著劑組成物的黏度至適合的位準時改良黏著劑組成物的可加工性。
根據本揭露的另一實施例，提供一種切割膜，包含：基底膜；以及黏著層，包含用於切割膜的黏著劑組成物的固化產物。
根據本揭露的再一實施例，提供一種切割晶粒黏結膜，包含：切割膜；以及晶粒黏結膜。
切割膜及切割晶粒黏結膜可具有極佳的拾取效能，因為其可抑制切割製程中的晶粒提昇現象，且甚至在暴露於氧氣的條件下用UV光照射時可降低其黏著性。
根據本揭露的一個實施例的切割晶粒黏結膜可滿足以下等式1：
[等式1]
(A-B) / A * 100 ＞ 40
其中A為切割膜與晶粒黏結膜之間的剝落力，且B為在暴露於氧氣的條件用劑量為400毫焦/平方公分的UV光照射切割晶粒黏結膜之後，在切割膜與晶粒黏結膜之間的剝落力。
由於切割晶粒黏結膜滿足上述等式1，可在UV照射之後有效地降低切割晶粒黏結膜的黏著性，且因此可在製程期間順利地進行拾取製程，而不會損壞半導體晶片。
在下文中，將參考實例詳細地描述本揭露。然而，可將根據本揭露的實例修改成各種不同形式，且本揭露的範疇不應解釋為限於下文描述的實例。提供本說明書的實例以向本領域的技術人員更完整地解釋本揭露。
實例 1
產生黏著劑組成物
將20重量份的丙烯酸2-(2-乙氧基乙氧基)乙酯（EOEOEA）、60重量份的丙烯酸2-乙基己酯（EHA）、20重量份的丙烯酸羥乙酯（HEA）、285重量份的乙酸乙酯作為溶劑，與0.003重量份的AIBN作為起始劑混合在一起以製備單體混合物。接下來，用氮氣吹掃反應器的內部，且接著將單體混合物在30℃下充分攪拌30分鐘，並且接著升溫至60℃的溫度。在此溫度下，將混合物攪拌6小時，由此產生預聚物。接下來，攪拌100重量份的所產生預聚物，同時將16重量份的異氰酸甲基丙烯醯氧基乙酯（MOI）與0.016重量份的Sn催化劑的混合物溶液以1毫升/分鐘的速率添加至其中，由此產生丙烯酸酯共聚物。此時，在丙烯酸酯共聚物中，第三重複單元（其為衍生自丙烯酸羥乙酯的重複單元）與第四重複單元的莫耳比為約6:4，在所述第四重複單元中，衍生自丙烯酸羥乙酯的重複單元的羥基與作為光固化單體的甲異氰酸基丙烯醯氧基乙酯一起形成胺基甲酸酯鍵。
將3重量份的TDI類異氰酸酯作為多官能交聯劑及3重量份的Omnirad 184作為光起始劑添加至100重量份的所產生丙烯酸酯共聚物中，且與所產生丙烯酸酯共聚物混合，由此產生黏著劑組成物。
產生切割膜
將所產生的黏著劑組成物施加至厚度為38微米的經剝離處理的聚對苯二甲酸乙二酯（PET）基板，且在110℃下乾燥3分鐘以形成厚度10為微米的黏著層。將所形成黏著層層壓至厚度為90微米的聚烯烴基板且在40℃下老化，由此產生切割膜，所述切割膜具有由PET基板黏著層聚烯烴基板組成的結構。
產生晶粒黏結膜
將由下述者組成的組成物與甲基乙基酮混合且攪拌：90公克高分子量丙烯酸系樹脂（Tg：20℃；重量平均分子量：850,000）、30公克環氧樹脂（清漆型酚醛樹脂型環氧樹脂；軟化點：94℃）、20公克酚系樹脂（苯酚酚醛清漆樹脂；軟化點：94℃）作為用於環氧樹脂的固化劑、0.1公克中等溫度引發固化加速劑(2-甲基咪唑)、0.5公克高溫引發固化加速劑(2-苯基-4-甲基-咪唑)以及20公克二氧化矽（平均粒徑：75奈米）作為填充劑。
將混合物施加至可剝離基板上，且在110℃下乾燥3分鐘，由此產生黏著層厚度為20微米的晶粒黏結膜。
產生切割晶粒黏結膜
以圓形形式切割的晶粒黏結膜的黏著層在5公斤力/平方公分的條件下藉由層壓轉移至剝落PET基板的黏著層表面上以便其彼此接觸，由此產生切割晶粒黏結膜。
實例2及實例3以及比較例1至比較例3
除了產生具有如下表1中所示的組成物的黏著劑組成物以外，以與實例1中相同的方式產生切割晶粒黏結膜。
[表1]
   EOEOEA HEA EHA MOI 交聯劑 光起始劑
實例1 20 20 60 16 3 3
實例2 40 20 40 16 3 3
實例3 30 20 50 16 3 3
比較例1 0 20 80 16 3 3
比較例2 10 20 70 16 3 3
比較例3 60 20 20 16 3 3
實驗實例 1 ： 評估黏著性的變化
對於實例1至實例3以及比較例1至比較例3中產生的切割晶粒黏結膜中的每一者，量測切割膜的黏著層與晶粒黏結膜的黏著層之間的界面黏著力。具體而言，使用質構分析儀以180°的剝落角度來量測界面黏著力且定義為UV照射之前的剝落力，且量測的結果繪示於下表2中。
另外，對於實例1至實例3以及比較例1至比較例3中產生的切割晶粒黏結膜中的每一者，在暴露於氧氣的條件下用劑量為400毫焦/平方公分的UV光照射聚烯烴基板側面，且接著在如上文所描述的相同條件下量測切割膜的黏著層與晶粒黏結膜的黏著層之間的界面黏著力並且定義為在暴露於氧氣的條件下UV照射之後的剝落力，且量測的結果繪示於下表2中。
另外，對於實例1至實例3以及比較例1至比較例3中產生的切割晶粒黏結膜中的每一者，在暴露於非氧氣的條件下用劑量為400毫焦/平方公分的UV光照射聚烯烴基板側面，且接著在如上文所描述的相同條件下量測切割膜的黏著層與晶粒黏結膜的黏著層之間的界面黏著力並且定義為在暴露於非氧氣的條件下UV照射之後的剝落力，且量測的結果繪示於下表2中。
根據UV照射之前的剝落力及在暴露於氧氣的條件下UV照射之後的剝落力（如上文所描述量測），使用以下等式2計算黏著性降低速率：
[等式2]
黏著性降低速率（%）=（A-B）/A * 100
其中A為UV照射之前的剝落力，且B為在暴露於氧氣的條件下UV照射之後的剝落力。
實驗實例 2 ： 評估晶粒提昇發生率
將實例1至實例3以及比較例1至比較例3中產生的切割晶粒黏結膜中的每一者安裝於鏡像晶圓（12吋，35微米厚度）上，所述鏡像晶圓在70℃的溫度下劃分成個別晶片，且接著在如下文描述的條件下在-15℃的低溫下經由擴展製程劃分晶粒黏結膜。接下來，在以下條件下進行室溫下的擴展以確保晶片間隙，且接著用劑量為150毫焦/平方公分的UV光照射晶粒黏結膜。此後，在室溫擴展製程中對在切割膜的黏著層與晶粒黏結膜之間的界面處發生提昇現象的區域的長度進行量測。
[擴展製程條件]
-所使用的設備：DDS-2300（DISCO）
-冷卻膨脹量高度參數：13毫米
-室溫膨脹量高度參數：13毫米
實驗實例 3 ： 評估拾取效能
將實例1至實例3以及比較例1至比較例3中產生的切割晶粒黏結膜中的每一者安裝於鏡像晶圓（12吋，35微米厚度）上，所述鏡像晶圓在70℃的溫度下劃分成個別晶片，且接著在-15℃的低溫下經由擴展製程劃分晶粒黏結膜。接下來，進行室溫下的擴展以確保晶片間隙，且接著用劑量為150毫焦/平方公分的UV光照射晶粒黏結膜，由此製備用於評估拾取效能的樣本。
在以下拾取條件下進行對所製備樣本的拾取效能的評估，且評估的結果繪示於下表2中。 [拾取條件] -設備：SPA-400（SHINKAWA） -擴展高度：3.5毫米 -針頭數：20 -針頭***高度：0.2毫米 -針頭***速度：10毫米/秒
具體而言，藉由量測在評估期間使用的100個晶片中的成功拾取的晶片的數目且計算拾取的成功率（%）來評估拾取效能。
[表2]
   UV照射之前的剝落力（公克力/吋） UV照射之後的剝落力（公克力/吋） 黏著性降低速率（%） 發生晶粒提昇的區域的長度（微米） 拾取成功率（%）
暴露於氧氣的條件 暴露於非氧氣的條件
實例1 550 325 11.0 41 0 100
實例2 410 231 14.7 44 0 100
實例3 510 301 12.1 41 0 100
比較例1 650 440 9.9 32 200 40
比較例2 560 350 10.1 38 120 80
比較例3 400 203 16.7 49 0 60
如上文表2中所示，可以確認根據實例1的切割晶粒黏結膜在暴露於氧氣的條件下UV照射之後具有適當的黏著性降低速率，在暴露於非氧氣的條件下UV照射之後具有較低的黏著性值，具有很少或沒有發生晶粒提昇的區域，且對應於100%的拾取成功率，表明其拾取效能極佳。
在另一方面，可以確認，在根據比較例1的切割晶粒黏結膜的情況下，由於(甲基)丙烯酸酯共聚物不含有衍生自丙烯酸2-(2-乙氧基乙氧基)乙酯的重複單元，黏著性降低速率不足，在寬區域上發生晶粒提昇，且拾取成功率僅為40%。
另外，可以確認，在使用少量丙烯酸2-(2-乙氧基乙氧基)乙酯的比較例2的情況下，黏著性降低速率亦不足，發生晶粒提昇，且拾取成功率僅為80%。此外，可以確認，在使用過量的丙烯酸2-(2-乙氧基乙氧基)乙酯的比較例3的情況下，在暴露於非氧氣的條件下UV照射之後的剝落力較高，且因此拾取成功率較低。
如上文所描述，根據本揭露的一個實施例的用於切割膜的黏著劑組成物可改良切割膜的拾取效能，因為甚至在暴露於氧氣的條件下用UV光照射時有效地降低其黏著性。
根據本揭露的另一實施例的切割膜可具有極佳的拾取效能，因為切割膜包含用於切割膜的黏著劑組成物。
根據本揭露的再一實施例的切割晶粒黏結膜可具有極佳的拾取效能，因為切割膜與其晶粒黏結膜之間的提昇現象受到抑制。
本揭露的效果不限於上文提及的效果，且本領域的技術人員將自本說明書清楚地理解本文未提及的效果。
雖然上文藉助於有限的實施例描述了本揭露，但本揭露不限於此。應理解，本領域的技術人員可在不脫離本揭露的技術精神及隨附申請專利範圍的等效物的範圍的情況下對本揭露進行各種改變及修改。
無。
無。
Figure 110130488-A0305-02-0002-1

Claims (15)

  1. 一種用於切割膜的黏著劑組成物，含有藉由共聚作用自混合物獲得的(甲基)丙烯酸酯共聚物，所述混合物含有：由下式1表示的第一單體；作為含有具有3至10個碳原子的烷基的(甲基)丙烯酸酯的第二單體；以及作為含有羥基的(甲基)丙烯酸酯的第三單體，其中以所述混合物的總重量計，以20wt%至40wt%的量含有所述第一單體，其中所述(甲基)丙烯酸酯共聚物包括：衍生自所述第一單體的第一重複單元；衍生自所述第二單體的第二重複單元；衍生自所述第三單體的第三重複單元；以及第四重複單元，其中衍生自所述第三單體的所述第三重複單元的羥基與作為含有異氰酸酯基的(甲基)丙烯酸酯的第四單體一起形成胺基甲酸酯鍵：
    Figure 110130488-A0305-02-0021-2
     其中：R1為氫或甲基；R2為亞甲基、伸乙基或伸丙基；R3為具有1至5個碳原子的經取代或未經取代的烷基；以及n為範圍介於1至10的自然數。
  2. 如請求項1所述的用於切割膜的黏著劑組成物，其中所述第一單體包括以下中的至少一者：(甲基)丙烯酸2-(2-乙氧基乙氧基)乙酯、(甲基)丙烯酸2-(2-甲氧基乙氧基)乙酯以及(甲基) 丙烯酸2-[2-(2-甲氧基乙氧基)乙氧基]乙酯。
  3. 如請求項1所述的用於切割膜的黏著劑組成物，其中以所述混合物的總重量計，以40wt%至70wt%的量含有所述第二單體。
  4. 如請求項1所述的用於切割膜的黏著劑組成物，其中所述第二單體包括以下中的至少一者：(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯以及(甲基)丙烯酸癸酯。
  5. 如請求項1所述的用於切割膜的黏著劑組成物，其中以所述混合物的總重量計，以5wt%至30wt%的量含有所述第三單體。
  6. 如請求項1所述的用於切割膜的黏著劑組成物，其中所述第三單體包括以下中的至少一者：(甲基)丙烯酸2-羥乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥己酯、(甲基)丙烯酸8-羥辛酯、2-羥基乙二醇(甲基)丙烯酸酯以及2-羥基丙二醇(甲基)丙烯酸酯。
  7. 如請求項1所述的用於切割膜的黏著劑組成物，其中所述第三重複單元與所述第四重複單元的莫耳比為4：6至9：1。
  8. 如請求項1所述的用於切割膜的黏著劑組成物，其中所述第四單體包括以下中的至少一者：異氰酸(甲基)丙烯醯酯、異氰酸(甲基)丙烯醯氧酯、異氰酸(甲基)丙烯醯氧基甲酯、異氰酸2-(甲基)丙烯醯氧基乙酯、異氰酸3-(甲基)丙烯醯氧基丙酯以及異氰酸4-(甲基)丙烯醯氧基丁酯。
  9. 如請求項1所述的用於切割膜的黏著劑組成物，其中所述(甲基)丙烯酸酯共聚物具有300,000至1,000,000的重量平均分子量。
  10. 如請求項1所述的用於切割膜的黏著劑組成物，更含有至少一種由光起始劑、固化劑以及溶劑中選出的添加劑。
  11. 如請求項10所述的用於切割膜的黏著劑組成物，其中以所述(甲基)丙烯酸酯共聚物的100重量份計，以1重量份至10重量份的量含有所述光起始劑。
  12. 如請求項10所述的用於切割膜的黏著劑組成物，其中以所述(甲基)丙烯酸酯共聚物的100重量份計，以1重量份至10重量份的量含有所述固化劑。
  13. 一種切割膜，包括：基底膜；以及黏著層，包括如請求項1所述的用於切割膜的黏著劑組成物的固化產物。
  14. 一種切割晶粒黏結膜，包括：如請求項13所述的切割膜；以及晶粒黏結膜。
  15. 如請求項14所述的切割晶粒黏結膜，滿足以下等式1：[等式1](A-B)/A * 100>40其中A為所述切割膜與所述晶粒黏結膜之間的剝落力，且B為在暴露於氧氣的條件下用劑量為400毫焦/平方公分的UV光照射所述切割晶粒黏結膜之後，在所述切割膜與所述晶粒黏結膜之間的剝落力。
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