TWI756719B - 基板處理液 - Google Patents
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Abstract
本發明之基板處理液之特徵在於：能夠用於去除具有圖案形成面之半導體基板等基板上之液體，且包含：作為昇華性物質之環己酮肟；及選自由醇類、酮類、醚類、環烷烴類及水所組成之群中之至少1種溶劑。
Description
本發明係關於一種用於去除附著於例如半導體基板、光罩用玻璃基板、液晶顯示用玻璃基板、電漿顯示用玻璃基板、FED(Field Emission Display，場發射顯示器)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板等各種基板之液體之基板處理液。
近年來，隨著形成於半導體基板等基板之圖案之微細化，具有凹凸之圖案之凸部之縱橫比(圖案凸部之高度與寬度之比)變大。因此，存在所謂圖案倒塌之問題，即，於乾燥處理時，作用於進入圖案凹部之清洗液或沖洗液等液體與接觸液體之氣體之交界面之表面張力牽引圖案中相鄰之凸部彼此，使其倒塌。
作為以防止此種圖案之倒塌為目的之乾燥技術，例如日本專利特開2012-243869號公報中揭示一種去除表面形成有凹凸圖案之基板上之液體，使基板乾燥之基板乾燥方法。根據該基板乾燥方法，向基板供給昇華性物質之溶液，將上述溶液填充至圖案之凹部內，使上述溶液中之溶劑乾燥，以固體狀態之上述昇華性物質填滿上述圖案之凹部內，將基板加熱至高於昇華性物質之昇華溫度之溫度，自基板去除昇華性物質。藉此，於日本專利特開2012-243869號公報中，能夠抑制可因基板上之液體之表面張力而產生之欲使圖案之凸狀部倒塌之應力作用於圖案之凸狀部，防止圖案倒塌。
又，日本專利特開2017-76817號公報中揭示一種半導體裝置之製造方法，於進行形成有微細圖案之半導體基板之表面之昇華乾燥時，使用將環己烷-1,2-二羧酸等析出物質溶解於脂肪族烴等溶劑中所得之溶液。藉由該半導體裝置之製造方法，於對液體處理後之半導體基板進行乾燥時，能夠抑制圖案倒塌。
若為該等專利文獻中揭示之昇華乾燥方法，則相較於例如藉由使基板高速旋轉而去除附著於基板表面之液體之旋轉乾燥之方法、或將附著於該基板表面之液體替換成IPA(異丙醇)並使該IPA昇華乾燥而去除之乾燥方法，能夠降低圖案之倒塌率。但於圖案之機械強度極低之情形時，先前之昇華乾燥方法亦存在局部地產生圖案倒塌之區域之問題。
本發明係鑒於上述問題而完成者，目的在於提供一種基板處理液，其能夠防止形成於基板表面之圖案之部分或局部倒塌，並且去除附著於基板表面之液體。
為了解決上述問題，本發明之基板處理液用於去除具有圖案形成面之基板上之液體，且包含：作為昇華性物質之環己酮肟；及選自由醇類、酮類、醚類、環烷烴類及水所組成之群中之至少1種溶劑。
上述構成之基板處理液於例如於基板之圖案形成面上存在液體之情形時，能夠利用昇華乾燥(或冷凍乾燥)之原理而防止圖案之倒塌，並且去除該液體。尤其是上述構成之基板處理液藉由包含作為昇華性物質之環己酮肟及醇類等溶劑，與先前之使用昇華性物質之基板處理液相比，能夠良好地抑制基板之圖案形成面之部分或局部區域之圖案倒塌。進而，上述構成之基板處理液不僅限於具備表面特性為疏水性之圖案形成面之基板，即便於親水性之情形時，與先前之基板處理液相比，亦能夠抑制部分或局部區域之圖案倒塌。進而，對於具備微細且縱橫比大之圖案之基板，與先前之基板處理液相比，亦能夠抑制部分或局部區域之圖案倒塌。
於上述構成中，上述環己酮肟之含量較佳為相對於基板處理液之總體積為0.1 vol%以上10 vol%以下之範圍。藉由將環己酮肟之含量設為相對於基板處理液之總體積為0.1 vol%以上，能夠良好地抑制基板之圖案形成面之部分或局部區域之圖案倒塌。另一方面，藉由將環己酮肟之含量設為相對於基板處理液之總體積為10 vol%以下，能夠使環己酮肟相對於常溫下之溶劑之溶解性良好而均勻地溶解。
於上述構成中，上述溶劑較佳為選自由甲醇、乙醇、異丙醇、正丁醇、第三丁醇、環己醇、丙酮、丙二醇單***、丙二醇單甲醚乙酸酯、環己烷及水所組成之群中之至少1種。
本發明之基板處理液與先前之含有昇華性物質之基板處理液相比，能夠抑制基板之圖案形成面之圖案倒塌，特別是能夠良好地抑制圖案形成面之部分或局部區域之圖案倒塌。進而，對於具備表面特性為親水性之圖案形成面之基板、或具備微細且縱橫比較大之圖案之基板，與先前之基板處理液相比，亦能夠良好地抑制部分或局部區域之圖案倒塌。
(基板處理液)
以下對本發明之實施方式之基板處理液進行說明。
首先，本說明書中之「基板」係指半導體基板、光罩用玻璃基板、液晶顯示用玻璃基板、電漿顯示用玻璃基板、FED(Field Emission Display)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板等各種基板。又，本說明書中之「圖案形成面」係指於基板中，在任意之區域形成凹凸圖案之面，而不論為平面狀、曲面狀或凹凸狀中之哪一個。進而，本說明書中之「昇華性」係指單獨成分、化合物或混合物具有不經過液體而自固體向氣體、或自氣體向固體相轉移之特性，「昇華性物質」係指具有此種昇華性之物質。
本實施方式之基板處理液至少包含環己酮肟、及溶劑。本實施方式之基板處理液於用以去除存在於基板之圖案形成面之液體之乾燥處理中，發揮輔助該乾燥處理之作用。
環己酮肟由以下之化學式(1)表示，能夠於本實施方式之基板處理液中作為昇華性物質發揮功能。
又，環己酮肟具有如下物性值：凝固點為90.5℃，沸點為210℃，蒸氣壓為0.00717 Torr～251.458 Torr(0.96 Pa～33.52 kPa)，融解熵ΔS為30.0 J/mol･K、正辛醇/水分配係數為+1.2。若為環己酮肟所具有之凝固點，則能夠防止圖案形成面之狹窄處之凝固點下降引起之凝固(冷凍)不良。又，能夠不需要凝固時之冷媒。
環己酮肟較佳為以溶解於溶劑中之狀態存在於基板處理液中。
環己酮肟之含量例如可根據將基板處理液供給至基板之圖案形成面上時之供給條件等適當設定，較佳為相對於基板處理液之總體積為0.1 vol%以上10 vol%以下，更佳為1.25 vol%以上5 vol%以下，尤佳為2 vol%以上4 vol%以下。藉由將環己酮肟之含量設為0.1 vol%以上，對於具有微細且縱橫比大之圖案之基板，亦能夠進一步良好地抑制部分或局部區域之圖案倒塌。另一方面，藉由將環己酮肟之含量設為10 vol%以下，能夠使環己酮肟相對於常溫下之溶劑之溶解性良好而均勻地溶解。此處，本說明書中之「常溫」係指5℃～35℃之溫度範圍。又，本說明書中之「溶解性」係指環己酮肟例如相對於23℃之溶劑100 g溶解10 g以上。
上述溶劑能夠作為使環己酮肟溶解之溶劑發揮功能。上述溶劑具體而言為選自由醇類、酮類、醚類、環烷烴類及水所組成之群中之至少1種。
上述醇類無特別限定，例如可例舉：甲醇(熔點：-98℃、正辛醇/水分配係數：-0.82～-0.66)、乙醇(熔點：-117℃、正辛醇/水分配係數：-0.32)、異丙醇(熔點：-90℃、正辛醇/水分配係數：+0.05)、正丁醇(熔點：-90℃、正辛醇/水分配係數：+0.88)、第三丁醇(熔點：25℃、正辛醇/水分配係數：+0.3)、環己醇(熔點：23℃～25℃、正辛醇/水分配係數：+1.2)等。
上述酮類無特別限定，例如可例舉丙酮(熔點：-95℃、正辛醇/水分配係數：-0.24)等。
上述醚類無特別限定，例如可例舉：丙二醇單***(熔點：-100℃、正辛醇/水分配係數：+0.3)、丙二醇單甲醚乙酸酯(熔點：-87℃、正辛醇/水分配係數：+0.43)等。
上述環烷烴類無特別限定，例如可例舉環己烷(熔點：7℃、正辛醇/水分配係數：+3.4)等。
上述水無特別限定，例如可例舉純水等。
所例示之溶劑全部能夠分別單獨地與環己酮肟組合使用。又，亦能夠將所例示之溶劑之2種以上與環己酮肟組合使用。
又，上述溶劑較佳為使環己酮肟顯示出良好之溶解性者。
進而，所例示之溶劑中，就能夠良好地抑制部分或局部區域之圖案倒塌之觀點而言，可例舉異丙醇等。
上述溶劑之正辛醇/水分配係數較佳為-0.85～+3.4之範圍，更佳為-0.82～+2.2之範圍，進而較佳為-0.82～+1.2之範圍，尤佳為0～+1.2之範圍。
上述溶劑之蒸氣壓較佳為於常溫下為500 Pa以上，更佳為1000 Pa以上，尤佳為5000 Pa以上。與上述環己酮肟之蒸氣壓之差越大，則即便於環己酮肟濃度低之情形時，亦能夠進行固化膜之成膜。其結果，能夠實現處理成本之削減及殘渣之減少。再者，就減輕蒸氣壓對配管等之負載之觀點而言，溶劑之蒸氣壓較佳為設定為10 kPa以下。
(基板處理液之製造方法及保管方法)
本實施方式之基板處理液之製造方法無特別限定，例如可例舉於常溫、大氣壓下，以成為一定含量之方式將環己酮肟之結晶物添加至溶劑中之方法等。再者，「大氣壓下」係指以標準大氣壓(1個大氣壓、1013 hPa)為中心，0.7個大氣壓以上1.3個大氣壓以下之環境。
於基板處理液之製造方法中，亦可將環己酮肟之結晶物添加至溶劑中後，進行過濾。藉此，將基板處理液供給至基板之圖案形成面上用於去除液體時，能夠減少或防止於該圖案形成面上產生來自基板處理液之殘渣。過濾方法無特別限定，例如能夠採用過濾器過濾等。
本實施方式之基板處理液能夠於常溫下保管。但就抑制因溶劑之蒸發導致環己酮肟之濃度發生變化之觀點而言，較佳為於低溫(例如5℃左右)下保管。使用於低溫下保管之基板處理液時，就防止由冷凝引起之水分混入之觀點而言，較佳為使基板處理液之液溫為使用溫度或室溫等後使用。
(基板處理液之使用方法)
本實施方式之基板處理液例如能夠用於去除具有圖案形成面之基板上之液體。
作為視為去除對象之上述液體，例如可例舉為了去除用以清洗基板之圖案形成面之清洗液而自該清洗液替換之IPA(異丙醇)等。
更具體而言，首先，向附著有IPA之基板之圖案形成面上供給本實施方式之基板處理液，形成該基板處理液之液膜。於供給基板處理液時，較佳為一面使基板以該基板之中心之鉛直方向為旋轉軸旋轉一面進行。於此情形時，基板處理液之供給能夠自基板之中心之上方進行。藉此，供給至基板表面之基板處理液藉由利用基板旋轉而產生之離心力，能夠自基板之表面中央附近向基板之周緣部流動，擴散至基板表面之整個面。基板之轉速能夠根據基板處理液之供給量或環己酮肟於基板處理液中之含量、基板處理液之液膜之膜厚等進行變更。基板之轉速通常於100 rpm～3000 rpm之範圍內適當選擇。
繼而，將基板處理液之液膜固化，形成該基板處理液(更具體而言為環己酮肟)之固化膜。固化方法無特別限定，例如可例舉如下方法：藉由繼續旋轉基板來使基板處理液中之溶劑蒸發而析出環己酮肟。於該方法之情形時，基板之轉速通常於100 rpm～3000 rpm之範圍內適當選擇。
又，作為其他固化方法，例如亦可例舉如下方法：藉由自基板處理液之上方吹送氮氣，將基板上方以氣體形式存在之溶劑導向排氣，而使基板處理液中之溶劑蒸發(揮發)。於此情形時，氮氣之溫度例如能夠設定於0℃～80℃之範圍內。於供給氮氣時，較佳為與供給基板處理液之情形同樣地，一面使基板旋轉一面進行。基板之轉速能夠根據氮氣之供給量等進行變更。基板之轉速通常於100 rpm～3000 rpm之範圍內適當選擇。再者，亦可使氮氣與基板處理液之液膜直接接觸而使其冷卻凝固。
作為基板處理液之液膜之固化方法，除上述使用氮氣之溶劑蒸發方法以外，亦能夠採用使冷水與基板之背面側接觸而冷卻基板處理液之液膜之方法、或使溫水與基板之背面側接觸而使基板處理液中之溶劑蒸發而析出環己酮肟之方法等。於使用冷水之冷卻方法之情形時，冷水之溫度例如能夠於0℃～20℃之範圍內設定。又，於使用溫水之環己酮肟之析出方法之情形時，溫水之溫度例如能夠於25℃～80℃之範圍內設定。
其次，使上述固化膜不經過液體狀態而成為氣體狀態昇華，而去除該固化膜。昇華之方法無特別限定，例如可例舉將氮氣直接吹送至基板處理液之液膜等進行接觸之方法等。於此情形時，氮氣之溫度例如能夠於0℃～80℃之範圍內設定。於供給氮氣時，較佳為與使基板處理液之液膜固化之情形同樣地，一面使基板旋轉一面進行。基板之轉速能夠根據氮氣之供給量等進行變更。基板之轉速通常於100 rpm～3000 rpm之範圍內適當選擇。再者，雖然即便不吹送氮氣，固化膜亦會自然昇華，但就縮短乾燥時間(形成固化膜後至使該固化膜藉由昇華而去除之時間)以提高產能之觀點而言，較佳為進行該氮氣之吹送。
如上所述，藉由使用本實施方式之基板處理液進行昇華乾燥處理，能夠抑制基板之圖案形成面之凹凸圖案之倒塌，並且進行IPA等液體之去除。尤其是本實施方式之基板處理液與先前之含有昇華性物質之基板處理液相比，對於具備表面特性為親水性之圖案形成面之基板、或具備微細且縱橫比大之圖案之基板，亦能夠抑制部分或局部區域之圖案倒塌。
(其他事項)
於本實施方式中，對環己酮肟以溶解於基板處理液中之狀態存在之態樣進行了說明。但本發明並不限定於該態樣，例如，環己酮肟亦可以融解狀態存在於基板處理液中。此處，「融解狀態」係指環己酮肟藉由完全或部分融解而具有流動性，成為液狀之狀態。
於環己酮肟以融解狀態包含於基板處理液中之情形時，作為溶劑，較佳為上述所例示之溶劑中對該融解狀態之環己酮肟顯示出相容性之溶劑。
以下，例示性地詳細地對本發明之較佳之實施例進行說明。其中，各實施例中記載之材料及調配量等只要無特別限定性之記載，則並非旨在將本發明之範圍僅限定於該等。
(基板)
準備表面形成有模型圖案之矽基板A及B(直徑皆為300 mm)作為基板。於矽基板A形成縱橫比為18.4之圓柱隔開約17.7 nm之間隔而排列之圖案，於矽基板B形成縱橫比為22.6之圓柱隔開約16.7 nm之間隔而排列之圖案。
(實施例1)
於本實施例中，按照以下所述之步序進行矽基板B之乾燥處理，對圖案倒塌之抑制效果進行了評估。
＜清洗步驟、IPA沖洗步驟＞
首先，向矽基板B之圖案形成面(表面)供給作為清洗液之氫氟酸水溶液(體積比：氟化氫∶水＝1∶10)，進行圖案形成面之清洗。繼而，向清洗後之矽基板B之圖案形成面供給DIW(Deionized Water，去離子水)，將清洗液替換成DIW進行沖洗。
進而，向矽基板B之圖案形成面供給IPA。供給IPA時，一面使矽基板B以該矽基板B之中心之鉛直方向為旋轉軸旋轉一面進行。又，IPA之供給係自矽基板B之中心之上方進行。藉此，將矽基板B之圖案形成面上之DIW替換成IPA。再者，將矽基板B之轉速設為500 rpm。
＜基板處理液之供給步驟＞
其次，向附著有IPA之矽基板B之圖案形成面上供給基板處理液(液溫23℃)。供給基板處理液時，一面使矽基板B以該矽基板B之中心之鉛直方向為旋轉軸旋轉一面進行。又，基板處理液之供給係自矽基板B之中心之上方進行。藉此，供給至矽基板B之表面之基板處理液藉由利用矽基板B旋轉而產生之離心力，自矽基板B之表面中央附近向矽基板B之周緣部流動，擴散至矽基板B之表面之整個面。其結果，將附著於圖案形成面上之IPA替換成基板處理液，形成包含該基板處理液之液膜。再者，將矽基板B之轉速設為300 rpm。又，將自開始供給基板處理液至形成該基板處理液之液膜之時間設為30秒。
作為基板處理液，使用環己酮肟溶解於作為溶劑之異丙醇中所得之基板處理液。又，將環己酮肟之含量設為相對於該基板處理液之總體積為0.76 vol%。
＜固化膜形成步驟＞
繼而，向形成有包含基板處理液之液膜之矽基板B之表面供給7℃之氮氣。氮氣之供給係一面使矽基板B以該矽基板B之中心之鉛直方向為旋轉軸旋轉一面進行。又，氮氣之供給係自矽基板B之中心之上方進行。藉此，藉由利用矽基板B旋轉而產生之離心力，使供給至矽基板B之表面之氮氣自矽基板B之表面中央附近向矽基板B之周緣部擴散，對形成於圖案形成面上之包含基板處理液之液膜進行溶劑蒸發。藉由該液膜之溶劑蒸發，使該液膜凝固(析出)，形成可見光下之光透明性高之非晶狀固化膜。再者，將矽基板B之轉速設為300 rpm。又，進行矽基板B之旋轉直至形成固化膜。進而，將氮氣之供給量設為40 L/min。
＜昇華步驟＞
其次，於基板處理液凝固後，亦一面使矽基板B旋轉，一面繼續供給7℃之氮氣，進行固化膜之昇華。將矽基板B之轉速設為1500 rpm。又，將氮氣之供給量設為40 L/min，將氮氣之供給時間設為300秒。藉此，自矽基板B之圖案形成面上去除固化膜，進行昇華乾燥。
＜圖案倒塌之抑制效果之評估＞
確認去除固化膜後，算出矽基板B上之圖案之倒塌率，藉由該倒塌率對圖案形成面之圖案倒塌之抑制效果進行評估。具體而言，藉由使用掃描式電子顯微鏡(日立高新技術(股)製造，型號：S-4800)獲得之SEM(scanning electron microscope，掃描式電子顯微鏡)圖像，數出該SEM圖像內之凸部之總數與倒塌之凸部之數量，藉由下式算出圖案之倒塌率。其結果，圖案之倒塌率為3.2%。又，於圖案形成面，亦未確認到產生部分或局部區域之圖案倒塌(倒塌不均)。結果如表1所示。
倒塌率(%)＝(任意區域之倒塌之凸部之數量)÷(該區域之凸部之總數)×100
再者，關於表1中之處理之評估係基於以下之評估基準而進行。
非常良好：圖案倒塌率為0%以上1%以下
良好：圖案倒塌率大於1%且為5%以下
不合格：圖案倒塌率大於5%
(參考例1)
於本參考例中，使用矽基板A作為基板。又，將環己酮肟之含量變更為相對於基板處理液之總體積為1.25 vol%。進而，將向矽基板A之圖案形成面上供給基板處理液時之矽基板A之轉速變更為0 rpm。除該等以外，以與實施例1相同之方式對矽基板A進行乾燥處理。又，藉由與實施例1相同之方法，亦進行了圖案倒塌之抑制效果之評估。其結果，圖案之倒塌率為100.00%。
(實施例2)
於本實施例中，使用矽基板A作為基板。又，將環己酮肟之含量變更為相對於基板處理液之總體積為1.25 vol%。進而，將向矽基板A之圖案形成面上供給基板處理液時之矽基板A之轉速變更為500 rpm。除該等以外，以與實施例1相同之方式對矽基板A進行乾燥處理。又，藉由與實施例1相同之方法，亦進行了圖案倒塌之抑制效果之評估。其結果，圖案之倒塌率為0.42%。又，於圖案形成面，亦未確認到產生部分或局部區域之圖案倒塌(倒塌不均)。
(實施例3)
於本實施例中，使用矽基板A作為基板。又，將環己酮肟之含量變更為相對於基板處理液之總體積為1.25 vol%。進而，將向矽基板A之圖案形成面上供給基板處理液時之矽基板A之轉速變更為1000 rpm。除該等以外，以與實施例1相同之方式對矽基板A進行乾燥處理。又，藉由與實施例1相同之方法，亦進行了圖案倒塌之抑制效果之評估。其結果，圖案之倒塌率為1.28%。又，於圖案形成面，亦未確認到產生部分或局部區域之圖案倒塌(倒塌不均)。
(實施例4)
於本實施例中，將環己酮肟之含量變更為相對於基板處理液之總體積為1.25 vol%。進而，將向矽基板B之圖案形成面上供給基板處理液時之矽基板B之轉速變更為1000 rpm。除該等以外，以與實施例1相同之方式對矽基板B進行乾燥處理。又，藉由與實施例1相同之方法，亦進行了圖案倒塌之抑制效果之評估。其結果，圖案之倒塌率為0.89%。又，於圖案形成面，亦未確認到產生部分或局部區域之圖案倒塌(倒塌不均)。
(實施例5)
於本實施例中，使用矽基板A作為基板。又，將環己酮肟之含量變更為相對於基板處理液之總體積為1.25 vol%。進而，將向矽基板A之圖案形成面上供給基板處理液時之矽基板A之轉速變更為1500 rpm。除該等以外，以與實施例1相同之方式對矽基板A進行乾燥處理。又，藉由與實施例1相同之方法，亦進行了圖案倒塌之抑制效果之評估。其結果，圖案之倒塌率為1.47%。又，於圖案形成面，亦未確認到產生部分或局部區域之圖案倒塌(倒塌不均)。
(實施例6)
於本實施例中，使用矽基板A作為基板。又，將環己酮肟之含量變更為相對於基板處理液之總體積為1.25 vol%。進而，將向矽基板A之圖案形成面上供給基板處理液時之矽基板A之轉速變更為2000 rpm。除該等以外，以與實施例1相同之方式對矽基板A進行乾燥處理。又，藉由與實施例1相同之方法，亦進行了圖案倒塌之抑制效果之評估。其結果，圖案之倒塌率為1.7%。又，於圖案形成面，亦未確認到產生部分或局部區域之圖案倒塌(倒塌不均)。
(參考例2)
於本參考例中，使用矽基板A作為基板。又，將環己酮肟之含量變更為相對於基板處理液之總體積為1.25 vol%。進而，將向矽基板A之圖案形成面上供給基板處理液時之矽基板A之轉速變更為2500 rpm。除該等以外，以與實施例1相同之方式對矽基板A進行乾燥處理。又，藉由與實施例1相同之方法，亦進行了圖案倒塌之抑制效果之評估。其結果，圖案之倒塌率為100.00%。
(參考例3)
於本參考例中，使用矽基板A作為基板。又，將環己酮肟之含量變更為相對於基板處理液之總體積為1.25 vol%。進而，將向矽基板A之圖案形成面上供給基板處理液時之矽基板A之轉速變更為3000 rpm。除該等以外，以與實施例1相同之方式對矽基板A進行乾燥處理。又，藉由與實施例1相同之方法，亦進行了圖案倒塌之抑制效果之評估。其結果，圖案之倒塌率為100.00%。
(參考例4)
於本參考例中，使用矽基板A作為基板。又，將環己酮肟之含量變更為相對於基板處理液之總體積為2.5 vol%。進而，將向矽基板A之圖案形成面上供給基板處理液時之矽基板A之轉速變更為0 rpm。除該等以外，以與實施例1相同之方式對矽基板A進行乾燥處理。又，藉由與實施例1相同之方法，亦進行了圖案倒塌之抑制效果之評估。其結果，圖案之倒塌率為100.00%。
(參考例5)
於本參考例中，使用矽基板A作為基板。又，將環己酮肟之含量變更為相對於基板處理液之總體積為2.5 vol%。進而，將向矽基板A之圖案形成面上供給基板處理液時之矽基板A之轉速變更為500 rpm。除該等以外，以與實施例1相同之方式對矽基板A進行乾燥處理。又，藉由與實施例1相同之方法，亦進行了圖案倒塌之抑制效果之評估。其結果，圖案之倒塌率為100.00%。
(實施例7)
於本實施例中，使用矽基板A作為基板。又，將環己酮肟之含量變更為相對於基板處理液之總體積為2.5 vol%。進而，將向矽基板A之圖案形成面上供給基板處理液時之矽基板A之轉速變更為1000 rpm。除該等以外，以與實施例1相同之方式對矽基板A進行乾燥處理。又，藉由與實施例1相同之方法，亦進行了圖案倒塌之抑制效果之評估。其結果，圖案之倒塌率為0.56%。又，於圖案形成面，亦未確認到產生部分或局部區域之圖案倒塌(倒塌不均)。
(實施例8)
於本實施例中，使用矽基板A作為基板。又，將環己酮肟之含量變更為相對於基板處理液之總體積為2.5 vol%。進而，將向矽基板A之圖案形成面上供給基板處理液時之矽基板A之轉速變更為1500 rpm。除該等以外，以與實施例1相同之方式對矽基板A進行乾燥處理。又，藉由與實施例1相同之方法，亦進行了圖案倒塌之抑制效果之評估。其結果，圖案之倒塌率為0.72%。又，於圖案形成面，亦未確認到產生部分或局部區域之圖案倒塌(倒塌不均)。
(實施例9)
於本實施例中，使用矽基板A作為基板。又，將環己酮肟之含量變更為相對於基板處理液之總體積為2.5 vol%。進而，將向矽基板A之圖案形成面上供給基板處理液時之矽基板A之轉速變更為2000 rpm。除該等以外，以與實施例1相同之方式對矽基板A進行乾燥處理。又，藉由與實施例1相同之方法，亦進行了圖案倒塌之抑制效果之評估。其結果，圖案之倒塌率為0.52%。又，於圖案形成面，亦未確認到產生部分或局部區域之圖案倒塌(倒塌不均)。
(實施例10)
於本實施例中，使用矽基板A作為基板。又，將環己酮肟之含量變更為相對於基板處理液之總體積為2.5 vol%。進而，將向矽基板A之圖案形成面上供給基板處理液時之矽基板A之轉速變更為2500 rpm。除該等以外，以與實施例1相同之方式對矽基板A進行乾燥處理。又，藉由與實施例1相同之方法，亦進行了圖案倒塌之抑制效果之評估。其結果，圖案之倒塌率為3.86%。又，於圖案形成面，亦未確認到產生部分或局部區域之圖案倒塌(倒塌不均)。
(實施例11)
於本實施例中，使用矽基板A作為基板。又，將環己酮肟之含量變更為相對於基板處理液之總體積為2.5 vol%。進而，將向矽基板A之圖案形成面上供給基板處理液時之矽基板A之轉速變更為3000 rpm。除該等以外，以與實施例1相同之方式對矽基板A進行乾燥處理。又，藉由與實施例1相同之方法，亦進行了圖案倒塌之抑制效果之評估。其結果，圖案之倒塌率為2.16%。又，於圖案形成面，亦未確認到產生部分或局部區域之圖案倒塌(倒塌不均)。
(參考例6)
於本參考例中，使用矽基板A作為基板。又，將環己酮肟之含量變更為相對於基板處理液之總體積為5 vol%。進而，將向矽基板A之圖案形成面上供給基板處理液時之矽基板A之轉速變更為0 rpm。除該等以外，以與實施例1相同之方式對矽基板A進行乾燥處理。又，藉由與實施例1相同之方法，亦進行了圖案倒塌之抑制效果之評估。其結果，圖案之倒塌率為100.00%。
(參考例7)
於本參考例中，使用矽基板A作為基板。又，將環己酮肟之含量變更為相對於基板處理液之總體積為5 vol%。進而，將向矽基板A之圖案形成面上供給基板處理液時之矽基板A之轉速變更為500 rpm。除該等以外，以與實施例1相同之方式對矽基板A進行乾燥處理。又，藉由與實施例1相同之方法，亦進行了圖案倒塌之抑制效果之評估。其結果，圖案之倒塌率為99.80%。又，於圖案形成面，亦確認到產生部分或局部區域之圖案倒塌(倒塌不均)。
(參考例8)
於本參考例中，使用矽基板A作為基板。又，將環己酮肟之含量變更為相對於基板處理液之總體積為5 vol%。進而，將向矽基板A之圖案形成面上供給基板處理液時之矽基板A之轉速變更為1000 rpm。除該等以外，以與實施例1相同之方式對矽基板A進行乾燥處理。又，藉由與實施例1相同之方法，亦進行了圖案倒塌之抑制效果之評估。其結果，圖案之倒塌率為13.10%。又，於圖案形成面，亦確認到產生部分或局部區域之圖案倒塌(倒塌不均)。
(實施例12)
於本實施例中，使用矽基板A作為基板。又，將環己酮肟之含量變更為相對於基板處理液之總體積為5 vol%。進而，將向矽基板A之圖案形成面上供給基板處理液時之矽基板A之轉速變更為2000 rpm。除該等以外，以與實施例1相同之方式對矽基板A進行乾燥處理。又，藉由與實施例1相同之方法，亦進行了圖案倒塌之抑制效果之評估。其結果，圖案之倒塌率為0.44%。又，於圖案形成面，亦未確認到產生部分或局部區域之圖案倒塌(倒塌不均)。
(實施例13)
於本實施例中，使用矽基板A作為基板。又，將環己酮肟之含量變更為相對於基板處理液之總體積為5 vol%。進而，將向矽基板A之圖案形成面上供給基板處理液時之矽基板A之轉速變更為3000 rpm。除該等以外，以與實施例1相同之方式對矽基板A進行乾燥處理。又，藉由與實施例1相同之方法，亦進行了圖案倒塌之抑制效果之評估。其結果，圖案之倒塌率為0.56%。又，於圖案形成面，亦未確認到產生部分或局部區域之圖案倒塌(倒塌不均)。
(結果1)
如表1～表3所示，確認：於實施例1～13之各基板處理液中，使用環己酮肟作為昇華性物質，使用異丙醇作為溶劑，藉由於昇華性物質之含量、基板處理液之供給量及基板處理液之供給步驟中之矽基板之轉速適當之條件下進行基板處理，能夠抑制於圖案形成面之部分或局部產生圖案倒塌，亦能夠降低圖案倒塌率。
(表1)
| 實施例1 | 參考例1 | 實施例2 | 實施例3 | 實施例4 | 實施例5 | 實施例6 | 參考例2 | 參考例3 | |
| 昇華性物質 | 環己酮肟 | ||||||||
| 溶劑 | 異丙醇 | ||||||||
| 昇華性物質之含量(vol%) | 0.76 | 1.25 | 1.25 | 1.25 | 1.25 | 1.25 | 1.25 | 1.25 | 1.25 |
| 矽基板之種類 | B | A | A | A | B | A | A | A | A |
| 供給步驟中之轉速(rpm) | 300 | 0 | 500 | 1000 | 1000 | 1500 | 2000 | 2500 | 3000 |
| 圖案倒塌率(%) | 3.2 | 100.00 | 0.42 | 1.28 | 0.89 | 1.47 | 1.7 | 100.00 | 100.00 |
| 有無圖案之倒塌不均 | 無 | 無 | 無 | 無 | 無 | 無 | 無 | 無 | 無 |
| 處理評估 | 良好 | 不合格 | 非常良好 | 良好 | 非常良好 | 良好 | 良好 | 不合格 | 不合格 |
(表2)
| 參考例4 | 參考例5 | 實施例7 | 實施例8 | 實施例9 | 實施例10 | 實施例11 | |
| 昇華性物質 | 環己酮肟 | ||||||
| 溶劑 | 異丙醇 | ||||||
| 昇華性物質之含量(vol%) | 2.5 | 2.5 | 2.5 | 2.5 | 2.5 | 2.5 | 2.5 |
| 矽基板之種類 | A | A | A | A | A | A | A |
| 供給步驟中之轉速(rpm) | 0 | 500 | 1000 | 1500 | 2000 | 2500 | 3000 |
| 圖案倒塌率(%) | 100.00 | 100.00 | 0.56 | 0.72 | 0.52 | 3.86 | 2.16 |
| 有無圖案之倒塌不均 | 無 | 無 | 無 | 無 | 無 | 無 | 無 |
| 處理評估 | 不合格 | 不合格 | 非常良好 | 非常良好 | 非常良好 | 良好 | 良好 |
(表3)
| 參考例6 | 參考例7 | 參考例8 | 實施例12 | 實施例13 | |
| 昇華性物質 | 環己酮肟 | ||||
| 溶劑 | 異丙醇 | ||||
| 昇華性物質之含量(vol%) | 5 | 5 | 5 | 5 | 5 |
| 矽基板之種類 | A | A | A | A | A |
| 供給步驟中之轉速(rpm) | 0 | 500 | 1000 | 2000 | 3000 |
| 圖案倒塌率(%) | 100.00 | 99.80 | 13.10 | 0.44 | 0.56 |
| 有無圖案之倒塌不均 | 無 | 有 | 有 | 無 | 無 |
| 處理評估 | 不合格 | 不合格 | 不合格 | 非常良好 | 非常良好 |
(參考例9)
於本參考例中，使用矽基板A作為基板。又，將基板處理液之溶劑變更為正丁醇。進而，將環己酮肟之含量變更為相對於基板處理液之總體積為10 vol%。又，將向矽基板A之圖案形成面上供給基板處理液時之矽基板A之轉速變更為500 rpm。除該等以外，以與實施例1相同之方式對矽基板A進行乾燥處理。又，藉由與實施例1相同之方法，亦進行了圖案倒塌之抑制效果之評估。其結果，圖案之倒塌率為12.22%。又，於圖案形成面，亦確認到產生部分或局部區域之圖案倒塌(倒塌不均)。
(參考例10)
於本參考例中，使用矽基板A作為基板。又，將基板處理液之溶劑變更為正丁醇。進而，將環己酮肟之含量變更為相對於基板處理液之總體積為10 vol%。又，將向矽基板A之圖案形成面上供給基板處理液時之矽基板A之轉速變更為1000 rpm。除該等以外，以與實施例1相同之方式對矽基板A進行乾燥處理。又，藉由與實施例1相同之方法，亦進行了圖案倒塌之抑制效果之評估。其結果，圖案之倒塌率為22.91%。又，於圖案形成面，亦確認到產生部分或局部區域之圖案倒塌(倒塌不均)。
(參考例11)
於本參考例中，使用矽基板A作為基板。又，將基板處理液之溶劑變更為正丁醇。進而，將環己酮肟之含量變更為相對於基板處理液之總體積為10 vol%。又，將向矽基板A之圖案形成面上供給基板處理液時之矽基板A之轉速變更為1500 rpm。除該等以外，以與實施例1相同之方式對矽基板A進行乾燥處理。又，藉由與實施例1相同之方法，亦進行了圖案倒塌之抑制效果之評估。其結果，圖案之倒塌率為12.19%。又，於圖案形成面，亦確認到產生部分或局部區域之圖案倒塌(倒塌不均)。
(實施例14)
於本實施例中，使用矽基板A作為基板。又，將基板處理液之溶劑變更為正丁醇。進而，將環己酮肟之含量變更為相對於基板處理液之總體積為10 vol%。又，將向矽基板A之圖案形成面上供給基板處理液時之矽基板A之轉速變更為2000 rpm。除該等以外，以與實施例1相同之方式對矽基板A進行乾燥處理。又，藉由與實施例1相同之方法，亦進行了圖案倒塌之抑制效果之評估。其結果，圖案之倒塌率為0%。又，於圖案形成面，亦未確認到產生部分或局部區域之圖案倒塌(倒塌不均)。
(參考例12)
於本參考例中，使用矽基板A作為基板。又，將基板處理液之溶劑變更為正丁醇。進而，將環己酮肟之含量變更為相對於基板處理液之總體積為5 vol%。又，將向矽基板A之圖案形成面上供給基板處理液時之矽基板A之轉速變更為500 rpm。除該等以外，以與實施例1相同之方式對矽基板A進行乾燥處理。又，藉由與實施例1相同之方法，亦進行了圖案倒塌之抑制效果之評估。其結果，圖案之倒塌率為98.80%。又，於圖案形成面，亦確認到產生部分或局部區域之圖案倒塌(倒塌不均)。
(實施例15)
於本實施例中，使用矽基板A作為基板。又，將基板處理液之溶劑變更為正丁醇。進而，將環己酮肟之含量變更為相對於基板處理液之總體積為5 vol%。又，將向矽基板A之圖案形成面上供給基板處理液時之矽基板A之轉速變更為1000 rpm。除該等以外，以與實施例1相同之方式對矽基板A進行乾燥處理。又，藉由與實施例1相同之方法，亦進行了圖案倒塌之抑制效果之評估。其結果，圖案之倒塌率為3.92%。又，於圖案形成面，亦未確認到產生部分或局部區域之圖案倒塌(倒塌不均)。
(實施例16)
於本實施例中，使用矽基板A作為基板。又，將基板處理液之溶劑變更為正丁醇。進而，將環己酮肟之含量變更為相對於基板處理液之總體積為5 vol%。又，將向矽基板A之圖案形成面上供給基板處理液時之矽基板A之轉速變更為1500 rpm。除該等以外，以與實施例1相同之方式對矽基板A進行乾燥處理。又，藉由與實施例1相同之方法，亦進行了圖案倒塌之抑制效果之評估。其結果，圖案之倒塌率為0%。又，於圖案形成面，亦未確認到產生部分或局部區域之圖案倒塌(倒塌不均)。
(實施例17)
於本實施例中，使用矽基板A作為基板。又，將基板處理液之溶劑變更為正丁醇。進而，將環己酮肟之含量變更為相對於基板處理液之總體積為5 vol%。又，將向矽基板A之圖案形成面上供給基板處理液時之矽基板A之轉速變更為2000 rpm。除該等以外，以與實施例1相同之方式對矽基板A進行乾燥處理。又，藉由與實施例1相同之方法，亦進行了圖案倒塌之抑制效果之評估。其結果，圖案之倒塌率為0%。又，於圖案形成面，亦未確認到產生部分或局部區域之圖案倒塌(倒塌不均)。
(參考例13)
於本參考例中，使用矽基板A作為基板。又，將基板處理液之溶劑變更為正丁醇。進而，將環己酮肟之含量變更為相對於基板處理液之總體積為2.5 vol%。又，將向矽基板A之圖案形成面上供給基板處理液時之矽基板A之轉速變更為500 rpm。除該等以外，以與實施例1相同之方式對矽基板A進行乾燥處理。又，藉由與實施例1相同之方法，亦進行了圖案倒塌之抑制效果之評估。其結果，圖案之倒塌率為99.14%。又，於圖案形成面，亦確認到產生部分或局部區域之圖案倒塌(倒塌不均)。
(參考例14)
於本參考例中，使用矽基板A作為基板。又，將基板處理液之溶劑變更為正丁醇。進而，將環己酮肟之含量變更為相對於基板處理液之總體積為2.5 vol%。又，將向矽基板A之圖案形成面上供給基板處理液時之矽基板A之轉速變更為1000 rpm。除該等以外，以與實施例1相同之方式對矽基板A進行乾燥處理。又，藉由與實施例1相同之方法，亦進行了圖案倒塌之抑制效果之評估。其結果，圖案之倒塌率為13.41%。又，於圖案形成面，亦未確認到產生部分或局部區域之圖案倒塌(倒塌不均)。
(參考例15)
於本參考例中，使用矽基板A作為基板。又，將基板處理液之溶劑變更為正丁醇。進而，將環己酮肟之含量變更為相對於基板處理液之總體積為2.5 vol%。又，將向矽基板A之圖案形成面上供給基板處理液時之矽基板A之轉速變更為1500 rpm。除該等以外，以與實施例1相同之方式對矽基板A進行乾燥處理。又，藉由與實施例1相同之方法，亦進行了圖案倒塌之抑制效果之評估。其結果，圖案之倒塌率為87.19%。又，於圖案形成面，亦未確認到產生部分或局部區域之圖案倒塌(倒塌不均)。
(參考例16)
於本參考例中，使用矽基板A作為基板。又，將基板處理液之溶劑變更為正丁醇。進而，將環己酮肟之含量變更為相對於基板處理液之總體積為2.5 vol%。又，將向矽基板A之圖案形成面上供給基板處理液時之矽基板A之轉速變更為2000 rpm。除該等以外，以與實施例1相同之方式對矽基板A進行乾燥處理。又，藉由與實施例1相同之方法，亦進行了圖案倒塌之抑制效果之評估。其結果，圖案之倒塌率為66.60%。但於圖案形成面，未確認到產生部分或局部區域之圖案倒塌(倒塌不均)。
(結果2)
如表4～表6所示，確認：於實施例14～17之各基板處理液中，使用環己酮肟作為昇華性物質，使用正丁醇作為溶劑，藉由於昇華性物質之含量、基板處理液之供給量及基板處理液之供給步驟中之矽基板之轉速適當之條件下進行基板處理，能夠抑制於圖案形成面之部分或局部產生圖案倒塌，亦能夠降低圖案倒塌率。
(表4)
| 參考例9 | 參考例10 | 參考例11 | 實施例14 | |
| 昇華性物質 | 環己酮肟 | |||
| 溶劑 | 正丁醇 | |||
| 昇華性物質之含量(vol%) | 10 | 10 | 10 | 10 |
| 矽基板之種類 | A | A | A | A |
| 供給步驟中之轉速(rpm) | 500 | 1000 | 1500 | 2000 |
| 圖案倒塌率(%) | 12.22 | 22.91 | 12.19 | 0.00 |
| 有無圖案之倒塌不均 | 有 | 有 | 有 | 無 |
| 處理評估 | 不合格 | 不合格 | 不合格 | 非常良好 |
(表5)
| 參考例12 | 實施例15 | 實施例16 | 實施例17 | |
| 昇華性物質 | 環己酮肟 | |||
| 溶劑 | 正丁醇 | |||
| 昇華性物質之含量(vol%) | 5 | 5 | 5 | 5 |
| 矽基板之種類 | A | A | A | A |
| 供給步驟中之轉速(rpm) | 500 | 1000 | 1500 | 2000 |
| 圖案倒塌率(%) | 98.80 | 3.92 | 0.00 | 0.00 |
| 有無圖案之倒塌不均 | 有 | 無 | 無 | 無 |
| 處理評估 | 不合格 | 良好 | 非常良好 | 非常良好 |
(表6)
| 參考例13 | 參考例14 | 參考例15 | 參考例16 | |
| 昇華性物質 | 環己酮肟 | |||
| 溶劑 | 正丁醇 | |||
| 昇華性物質之含量(vol%) | 2.5 | 2.5 | 2.5 | 2.5 |
| 矽基板之種類 | A | A | A | A |
| 供給步驟中之轉速(rpm) | 500 | 1000 | 1500 | 2000 |
| 圖案倒塌率(%) | 99.14 | 13.41 | 87.19 | 66.60 |
| 有無圖案之倒塌不均 | 有 | 無 | 無 | 無 |
| 處理評估 | 不合格 | 不合格 | 不合格 | 不合格 |
(實施例18)
於本實施例中，使用矽基板A作為基板。又，將基板處理液之溶劑變更為丙二醇單甲醚乙酸酯(PGMEA)。進而，將環己酮肟之含量變更為相對於基板處理液之總體積為10 vol%。又，將向矽基板A之圖案形成面上供給基板處理液時之矽基板A之轉速變更為500 rpm。除該等以外，以與實施例1相同之方式對矽基板A進行乾燥處理。又，藉由與實施例1相同之方法，亦進行了圖案倒塌之抑制效果之評估。其結果，圖案之倒塌率為4.32%。又，於圖案形成面，亦未確認到產生部分或局部區域之圖案倒塌(倒塌不均)。
(參考例17)
於本參考例中，使用矽基板A作為基板。又，將基板處理液之溶劑變更為PGMEA。進而，將環己酮肟之含量變更為相對於基板處理液之總體積為10 vol%。又，將向矽基板A之圖案形成面上供給基板處理液時之矽基板A之轉速變更為1000 rpm。除該等以外，以與實施例1相同之方式對矽基板A進行乾燥處理。又，藉由與實施例1相同之方法，亦進行了圖案倒塌之抑制效果之評估。其結果，圖案之倒塌率為91.90%。又，於圖案形成面，亦確認到產生部分或局部區域之圖案倒塌(倒塌不均)。
(參考例18)
於本參考例中，使用矽基板A作為基板。又，將基板處理液之溶劑變更為PGMEA。進而，將環己酮肟之含量變更為相對於基板處理液之總體積為10 vol%。又，將向矽基板A之圖案形成面上供給基板處理液時之矽基板A之轉速變更為1500 rpm。除該等以外，以與實施例1相同之方式對矽基板A進行乾燥處理。又，藉由與實施例1相同之方法，亦進行了圖案倒塌之抑制效果之評估。其結果，圖案之倒塌率為13.36%。又，於圖案形成面，亦確認到產生部分或局部區域之圖案倒塌(倒塌不均)。
(參考例19)
於本參考例中，使用矽基板A作為基板。又，將基板處理液之溶劑變更為PGMEA。進而，將環己酮肟之含量變更為相對於基板處理液之總體積為10 vol%。又，將向矽基板A之圖案形成面上供給基板處理液時之矽基板A之轉速變更為2000 rpm。除該等以外，以與實施例1相同之方式對矽基板A進行乾燥處理。又，藉由與實施例1相同之方法，亦進行了圖案倒塌之抑制效果之評估。其結果，圖案之倒塌率為76.49%。又，於圖案形成面，亦確認到產生部分或局部區域之圖案倒塌(倒塌不均)。
(參考例20)
於本參考例中，使用矽基板A作為基板。又，將基板處理液之溶劑變更為PGMEA。進而，將環己酮肟之含量變更為相對於基板處理液之總體積為5 vol%。又，將向矽基板A之圖案形成面上供給基板處理液時之矽基板A之轉速變更為500 rpm。除該等以外，以與實施例1相同之方式對矽基板A進行乾燥處理。又，藉由與實施例1相同之方法，亦進行了圖案倒塌之抑制效果之評估。其結果，圖案之倒塌率為83.27%。又，於圖案形成面，亦確認到產生部分或局部區域之圖案倒塌(倒塌不均)。
(實施例19)
於本實施例中，使用矽基板A作為基板。又，將基板處理液之溶劑變更為PGMEA。進而，將環己酮肟之含量變更為相對於基板處理液之總體積為5 vol%。又，將向矽基板A之圖案形成面上供給基板處理液時之矽基板A之轉速變更為1000 rpm。除該等以外，以與實施例1相同之方式對矽基板A進行乾燥處理。又，藉由與實施例1相同之方法，亦進行了圖案倒塌之抑制效果之評估。其結果，圖案之倒塌率為4.85%。又，於圖案形成面，亦未確認到產生部分或局部區域之圖案倒塌(倒塌不均)。
(實施例20)
於本實施例中，使用矽基板A作為基板。又，將基板處理液之溶劑變更為PGMEA。進而，將環己酮肟之含量變更為相對於基板處理液之總體積為5 vol%。又，將向矽基板A之圖案形成面上供給基板處理液時之矽基板A之轉速變更為1500 rpm。除該等以外，以與實施例1相同之方式對矽基板A進行乾燥處理。又，藉由與實施例1相同之方法，亦進行了圖案倒塌之抑制效果之評估。其結果，圖案之倒塌率為0.00%。又，於圖案形成面，未確認到產生部分或局部區域之圖案倒塌(倒塌不均)。
(實施例21)
於本實施例中，使用矽基板A作為基板。又，將基板處理液之溶劑變更為PGMEA。進而，將環己酮肟之含量變更為相對於基板處理液之總體積為5 vol%。又，將向矽基板A之圖案形成面上供給基板處理液時之矽基板A之轉速變更為2000 rpm。除該等以外，以與實施例1相同之方式對矽基板A進行乾燥處理。又，藉由與實施例1相同之方法，亦進行了圖案倒塌之抑制效果之評估。其結果，圖案之倒塌率為4.98%。又，於圖案形成面，未確認到產生部分或局部區域之圖案倒塌(倒塌不均)。
(參考例21)
於本參考例中，使用矽基板A作為基板。又，將基板處理液之溶劑變更為PGMEA。進而，將環己酮肟之含量變更為相對於基板處理液之總體積為2.5 vol%。又，將向矽基板A之圖案形成面上供給基板處理液時之矽基板A之轉速變更為500 rpm。除該等以外，以與實施例1相同之方式對矽基板A進行乾燥處理。又，藉由與實施例1相同之方法，亦進行了圖案倒塌之抑制效果之評估。其結果，圖案之倒塌率為25.43%。但於圖案形成面，未確認到產生部分或局部區域之圖案倒塌(倒塌不均)。
(參考例22)
於本參考例中，使用矽基板A作為基板。又，將基板處理液之溶劑變更為PGMEA。進而，將環己酮肟之含量變更為相對於基板處理液之總體積為2.5 vol%。又，將向矽基板A之圖案形成面上供給基板處理液時之矽基板A之轉速變更為1000 rpm。除該等以外，以與實施例1相同之方式對矽基板A進行乾燥處理。又，藉由與實施例1相同之方法，亦進行了圖案倒塌之抑制效果之評估。其結果，圖案之倒塌率為99.14%。但於圖案形成面，未確認到產生部分或局部區域之圖案倒塌(倒塌不均)。
(參考例23)
於本參考例中，使用矽基板A作為基板。又，將基板處理液之溶劑變更為PGMEA。進而，將環己酮肟之含量變更為相對於基板處理液之總體積為2.5 vol%。又，將向矽基板A之圖案形成面上供給基板處理液時之矽基板A之轉速變更為1500 rpm。除該等以外，以與實施例1相同之方式對矽基板A進行乾燥處理。又，藉由與實施例1相同之方法，亦進行了圖案倒塌之抑制效果之評估。其結果，圖案之倒塌率為100%。
(參考例24)
於本參考例中，使用矽基板A作為基板。又，將基板處理液之溶劑變更為PGMEA。進而，將環己酮肟之含量變更為相對於基板處理液之總體積為2.5 vol%。又，將向矽基板A之圖案形成面上供給基板處理液時之矽基板A之轉速變更為2000 rpm。除該等以外，以與實施例1相同之方式對矽基板A進行乾燥處理。又，藉由與實施例1相同之方法，亦進行了圖案倒塌之抑制效果之評估。其結果，圖案之倒塌率為99.07%。但於圖案形成面，未確認到產生部分或局部區域之圖案倒塌(倒塌不均)。
(結果3)
如表7～表9所示，確認：於實施例18～21之各基板處理液中，使用環己酮肟作為昇華性物質，使用PGMEA作為溶劑，藉由於昇華性物質之含量、基板處理液之供給量及基板處理液之供給步驟中之矽基板之轉速適當之條件下進行基板處理，能夠抑制於圖案形成面之部分或局部產生圖案倒塌，亦能夠降低圖案倒塌率。
(表7)
| 實施例18 | 參考例17 | 參考例18 | 參考例19 | |
| 昇華性物質 | 環己酮肟 | |||
| 溶劑 | 丙二醇單甲醚乙酸酯 | |||
| 昇華性物質之含量(vol%) | 10 | 10 | 10 | 10 |
| 矽基板之種類 | A | A | A | A |
| 供給步驟中之轉速(rpm) | 500 | 1000 | 1500 | 2000 |
| 圖案倒塌率(%) | 4.32 | 91.90 | 13.36 | 76.49 |
| 有無圖案之倒塌不均 | 無 | 有 | 有 | 有 |
| 處理評估 | 良好 | 不合格 | 不合格 | 不合格 |
(表8)
| 參考例20 | 實施例19 | 實施例20 | 實施例21 | |
| 昇華性物質 | 環己酮肟 | |||
| 溶劑 | 丙二醇單甲醚乙酸酯 | |||
| 昇華性物質之含量(vol%) | 5 | 5 | 5 | 5 |
| 矽基板之種類 | A | A | A | A |
| 供給步驟中之轉速(rpm) | 500 | 1000 | 1500 | 2000 |
| 圖案倒塌率(%) | 83.27 | 4.85 | 0.00 | 4.98 |
| 有無圖案之倒塌不均 | 有 | 無 | 無 | 無 |
| 處理評估 | 不合格 | 良好 | 非常良好 | 良好 |
(表9)
| 參考例21 | 參考例22 | 參考例23 | 參考例24 | |
| 昇華性物質 | 環己酮肟 | |||
| 溶劑 | 丙二醇單甲醚乙酸酯 | |||
| 昇華性物質之含量(vol%) | 2.5 | 2.5 | 2.5 | 2.5 |
| 矽基板之種類 | A | A | A | A |
| 供給步驟中之轉速(rpm) | 500 | 1000 | 1500 | 2000 |
| 圖案倒塌率(%) | 25.43 | 99.14 | 1000.0 | 99.07 |
| 有無圖案之倒塌不均 | 無 | 無 | 無 | 無 |
| 處理評估 | 不合格 | 不合格 | 不合格 | 不合格 |
(比較例1)
於本比較例中，使用矽基板A作為基板。又，使用使樟腦(熔點：175℃～180℃、正辛醇/水分配係數：2.34)溶解於異丙醇中且樟腦之含量相對於基板處理液之總體積為0.99 vol%之溶液作為基板處理液。進而，將向矽基板A之圖案形成面上供給基板處理液時之矽基板A之轉速變更為1500 rpm。除此以外，以與實施例1相同之方式對矽基板A進行乾燥處理。又，藉由與實施例1相同之方法，亦進行了圖案倒塌之抑制效果之評估。其結果，圖案之倒塌率為約40%。又，於圖案形成面，確認到部分或局部區域之圖案倒塌(倒塌不均)。
(比較例2)
於本比較例中，使用矽基板A作為基板。又，使用使環己醇(熔點：約24℃、正辛醇/水分配係數：1.25)溶解於異丙醇中且環己醇之含量相對於基板處理液之總體積為10 vol%之溶液作為基板處理液。進而，將向矽基板A之圖案形成面上供給基板處理液時之矽基板A之轉速變更為1500 rpm。除此以外，以與實施例1相同之方式對矽基板A進行乾燥處理。又，藉由與實施例1相同之方法，亦進行了圖案倒塌之抑制效果之評估。其結果，圖案之倒塌率為86.9%。又，於圖案形成面，確認到部分或局部區域之圖案倒塌(倒塌不均)。
(比較例3)
於本比較例中，使用矽基板A作為基板。又，使用使環己醇(熔點：約24℃、正辛醇/水分配係數：1.25)溶解於異丙醇中且環己醇之含量相對於基板處理液之總體積為20 vol%之溶液作為基板處理液。進而，將向矽基板A之圖案形成面上供給基板處理液時之矽基板A之轉速變更為1500 rpm。除此以外，以與實施例1相同之方式對矽基板A進行乾燥處理。又，藉由與實施例1相同之方法，亦進行了圖案倒塌之抑制效果之評估。其結果，圖案之倒塌率為87.4%。又，於圖案形成面，確認到部分或局部區域之圖案倒塌(倒塌不均)。
(表10)
| 比較例1 | 比較例2 | 比較例3 | |
| 昇華性物質 | 樟腦 | 環己醇 | |
| 溶劑 | 異丙醇 | ||
| 昇華性物質之含量(vol%) | 0.99 | 10 | 20 |
| 矽基板之種類 | A | A | A |
| 供給步驟中之轉速(rpm) | 1500 | 1500 | 1500 |
| 圖案倒塌率(%) | 約40 | 86.9 | 87.4 |
| 有無圖案之倒塌不均 | 有 | 有 | 有 |
| 處理評估 | 不合格 | 不合格 | 不合格 |
(結果4)
於使用樟腦作為昇華性物質並使用異丙醇作為溶劑之比較例1之基板處理液中，於圖案形成面，確認到部分或局部地產生大量圖案倒塌之區域。進而，圖案之倒塌率亦為約40%。又，於使用環己醇作為昇華性物質並使用異丙醇作為溶劑之比較例2及3之基板處理液中，亦於圖案形成面確認到大量部分或局部地產生圖案倒塌之區域，圖案之倒塌率亦分別為86.9%、87.4%。
(產業上之可利用性)
本發明可普遍應用於去除附著於基板表面之液體之乾燥技術、及使用該乾燥技術處理基板表面之基板處理技術。
Claims (3)
- 一種基板處理液，其用於去除具有圖案形成面之基板上之液體，且包含：作為昇華性物質之環己酮肟；及選自由醇類、酮類、醚類、環烷烴類及水所組成之群中之至少1種溶劑，上述環己酮肟之含量相對於基板處理液之總體積為0.1vol%以上10vol%以下之範圍。
- 如請求項1之基板處理液，其中上述溶劑為選自由甲醇、乙醇、異丙醇、正丁醇、第三丁醇、環己醇、丙酮、丙二醇單***、丙二醇單甲醚乙酸酯、環己烷及水所組成之群中之至少1種。
- 如請求項1之基板處理液，其中上述環己酮肟溶解於上述溶劑中而存在，或上述環己酮肟以融解狀態存在於上述溶劑中。
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Citations (1)
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Patent Citations (1)
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