TWI750763B - 電子裝置 - Google Patents

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TWI750763B
TWI750763B TW109126940A TW109126940A TWI750763B TW I750763 B TWI750763 B TW I750763B TW 109126940 A TW109126940 A TW 109126940A TW 109126940 A TW109126940 A TW 109126940A TW I750763 B TWI750763 B TW I750763B
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李珉澤
余悌魁
巫岳錡
廖淑雯
廖鴻嘉
鍾岳宏
翁嘉鴻
陳品妏
鄭聖諺
廖烝賢
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Abstract

一種電子裝置包括基板、多條橫向訊號線、第一縱向訊號線、第二縱向訊號線、屏蔽走線以及多個畫素結構。第一縱向訊號線與多條橫向訊號線相交。第二縱向訊號線與多條橫向訊號線相交且連接多條橫向訊號線的其中一條。屏蔽走線在基板的垂直投影位於第一縱向訊號線在基板的垂直投影與第二縱向訊號線在基板的垂直投影之間。多個畫素結構的其中一者被多條橫向訊號線的對應一條以及第二縱向訊號線圍繞且包括主動元件。主動元件的閘極電性連接對應一條橫向訊號線，且主動元件的源極電性連接第一縱向訊號線。

Description

電子裝置
本發明是有關於一種電子裝置。
為了達到使用與操作的便利性，顯示技術已廣泛應用於各式電子裝置中，其中不同電子裝置可能需要在不同尺寸、不同形狀的區域中提供顯示功能。因此，顯示功能相關的線路與電路在布局設計上可能面臨不同的議題。舉例而言，如何縮減顯示區域的周邊線路布局面積、如何在不同形狀的面積內提供顯示功能等都是電子裝置的製造與設計上所面臨的議題。
本發明提供一種電子裝置，可以提供理想的顯示效果。
在本發明的一實施例中，上述的電子裝置包括基板、多條橫向訊號線、第一縱向訊號線、第二縱向訊號線、屏蔽走線以及多個畫素結構。橫向訊號線沿一第一方向延伸，且配置於基板上。第一縱向訊號線沿一第二方向延伸，配置於基板上，且與多條橫向訊號相交。第二縱向訊號線配置於基板上，且與多條橫向 訊號線相交。第二縱向訊號線連接多條橫向訊號線的其中一條。屏蔽走線在基板的垂直投影位於第一縱向訊號線在基板的垂直投影與第二縱向訊號線在基板的垂直投影之間。多個畫素結構的其中一者被多條橫向訊號線的對應一條以及第二縱向訊號線圍繞且包括主動元件。主動元件的閘極電性連接對應一條橫向訊號線，且主動元件的源極電性連接第一縱向訊號線。
在本發明的一實施例中，上述的電子裝置包括多條橫向訊號線、第一縱向訊號線、第二縱向訊號線以及多個畫素結構。第一縱向訊號線與橫向訊號線相交。第二縱向訊號線與橫向訊號線相交，且第二縱向訊號線連接多條橫向訊號線的其中一條。多個畫素結構的其中一者被多條橫向訊號線的對應一條以及第一縱向訊號線圍繞，且包括主動元件與畫素電極。主動元件的閘極電性連接對應的一條橫向訊號線，主動元件的源極電性連接第一縱向訊號線，畫素電極電性連接主動元件的汲極，且第一縱向訊號線重疊畫素電極。
基於上述，本揭露各實施例的電子裝置包括設置於相鄰縱向訊號線之間的屏蔽走線，且屏蔽走線與縱向訊號線可對應於畫素結構設置，以確保電子裝置的品質。
100’、100、200、300、300’、400、400’、500、600、700、800、900:電子裝置
110:基板
120:橫向訊號線
130、138’、DL、DLA、DLB、DLB’、DLC、DLD、VLA、VLB、VL、VGL、530、DLA1、DLA2、DLB1、DLB2、DLC1、DLC2、VL1、VL2、VL3、VL4、830:縱向訊號線
132:第一縱向訊號線
132A、136A、136’A:橫移段
132B、136B、136’B:連接段
134:第二縱向訊號線
136、136’、836:第三縱向訊號線
138:第四縱向訊號線
140、240、240A、240B、240C、940:畫素結構
142:主動元件
144、244A、244B、244C、444A、444B、444C:畫素電極
150、152、154、156、158、250、252、254、256、258、350、550、552、554、556、558、650、652、654、850、852、854、856A、 856B、856C、950、952:屏蔽走線
160:共用電極線
162:第一共用電極線
164:第二共用電極線
852A、952A:第一段
852B、952B:第二段
CH:半導體層
cp:耦合部
D:汲極
D1:第一方向
D2:第二方向
ES:狹縫
EW1、EW2、S1、S1A、S1B、S2、S3、S3A、S3B、S4:距離
FA、FB、FC:外框部
G:閘極
I-I:線
IC:驅動電路
IN:絕緣層
MA、MB、MC:主幹部
MHA、MHB、MHC:橫向主幹部
MVA、MVB、MVC:縱向主幹部
R1:第一列
R2:第二列
S:源極
SEA1、SEB1、SEC1:第一子電極
SEA2、SEB2、SEC2:第二子電極
SLA、SLB、SLC:斜向條紋部
SMV1:第一縱向主幹部
SMV2:第二縱向主幹部
SSL1:第一斜向條紋部
SSL2:第二斜向條紋部
VIA:導通結構
W136'、W132:線寬
WA1、WB1:第一寬度
WA2、WB2:第二寬度
WA3、WB3:第三寬度
WA4、WB4:第四寬度
WA5、WB5:第五寬度
WA6、WB6:第六寬度
WA7、WB7:第七寬度
WA8、WB8:第八寬度
wcp:寬度
圖1為一種的電子裝置的局部上視示意圖。
圖2A為本揭露一實施例的電子裝置的局部上視示意圖。
圖2B為圖2A的電子裝置沿線I-I的剖面示意圖。
圖3為本揭露另一實施例的電子裝置的局部上視示意圖。
圖4A為本揭露另一實施例的電子裝置的局部上視示意圖。
圖4B為本揭露另一實施例的電子裝置的局部上視示意圖。
圖5A為本揭露另一實施例的電子裝置的局部上視示意圖。
圖5B為本揭露另一實施例的電子裝置的局部上視示意圖。
圖6為本揭露另一實施例的電子裝置的局部上視示意圖。
圖7為本揭露另一實施例的電子裝置的局部上視示意圖。
圖8為本揭露另一實施例的電子裝置的局部上視示意圖。
圖9為本揭露另一實施例的電子裝置的局部上視示意圖。
圖10為本揭露另一實施例的電子裝置的局部上視示意圖。
圖1為一種的電子裝置的局部上視示意圖。在圖1中，電子裝置100’包括基板110、多條橫向訊號線120、多條縱向訊號線130以及多個畫素結構140。畫素結構140以陣列排列的方式配置於基板110上。換言之，畫素結構140沿著第一方向D1以及相交於第一方向D1的第二方向D2排列。以沿著第一方向D1排成一列的畫素結構140來說，各畫素結構140連接於多條橫向訊號線120的其中一條。另外，多條縱向訊號線130可以劃分成直接連接畫素結構140的縱向訊號線DL以及沒有直接連接畫素結構 140的縱向訊號線VL。沿著第一方向D1排成一列的畫素結構140夾於兩條縱向訊號線DL之間，且各個畫素結構140連接於縱向訊號線DL的其中一條。在部分實施例中，沿著第二方向D2排列在同一行的不同畫素結構140可以分別連接至位於第一側的縱向訊號線DL以及位於相對的第二側的縱向訊號線DL。各縱向訊號線VL則夾於兩行畫素結構140之間以及兩條縱向訊號線DL之間，且縱向訊號線VL的至少一部分連接於橫向訊號線120。
在部分的實施例中，電子裝置100’可更包括驅動電路IC，且驅動電路IC位於縱向訊號線130的一端。縱向訊號線DL與縱向訊號線VL可以直接接收由驅動電路IC所提供的訊號，而橫向訊號線120則可透過至少部分的縱向訊號線VL(VGL)接收到對應的訊號。在一些實施例中，電子裝置100’中的部分縱向訊號線VL可以不用來傳遞橫向訊號線120需要的訊號，而是被輸入直流電位。如此一來，電子裝置100'在第一方向D1的兩端無須設置傳遞訊號用的線路或是相關電路而可達到窄邊框的設計，並且電子裝置100’的輪廓也無須受限。舉例而言，由上視視角來看，電子裝置100’可以具有非矩形的輪廓。
在部分實施例中，各畫素結構140可包括主動元件142以及連接於主動元件142的畫素電極144，其中每個主動元件142可以為具有閘極、源極與汲極的電晶體，閘極可連接到其中一條橫向訊號線120，源極連接到其中一條縱向訊號線130，而汲極連接到畫素電極144。另外，每一條橫向訊號線120都連接至其中一 條縱向訊號線VGL。因此，主動元件142的閘極的訊號可以由縱向訊號線VGL傳遞給橫向訊號線120，再由橫向訊號線120輸入給閘極。具體而言，為了避免橫向訊號線120與縱向訊號線130之間的短路，橫向訊號線120與縱向訊號線130可由不同膜層構成，且橫向訊號線120與縱向訊號線130之間可夾有一或多層絕緣層。在一些實施例中，為了將訊號由縱向訊號線VGL傳遞給橫向訊號線120，可以在對應的縱向訊號線VGL與橫向訊號線120之間設置導通結構VIA。如此，閘極需要的訊號可由縱向訊號線VGL藉由導通結構VIA傳遞給橫向訊號線120，再由橫向訊號線120傳遞給閘極。
圖2A為本揭露一實施例的電子裝置的局部上視示意圖。圖2A的電子裝置100具有大致相似於圖1的電子裝置100’的布局設計，因此兩者的說明中採用相同的元件符號來表示相同的構件。電子裝置100包括基板110、多條橫向訊號線120、多條縱向訊號線130、多個畫素結構140以及多條屏蔽走線150。為了方便說明，以下主要闡述單一個畫素結構140周邊的訊號線路。
具體而言，多條橫向訊號線120各自沿第一方向D1延伸，且縱向訊號線130各自沿第二方向D1延伸而相交於橫向訊號線120。這些縱向訊號線130可以包括第一縱向訊號線132以及第二縱向訊號線134。第一縱向訊號線132沿第二方向D2延伸，且與這些橫向訊號120相交。第二縱向訊號線134也與多條橫向訊號線120相交，且第二縱向訊號線134可以連接多條橫向訊號線 120的其中一條(參照圖1，第二縱向訊號線134可以透過對應的結構VIA連接至其中一條橫向訊號線120)。畫素結構140的其中一者被多條橫向訊號線120的對應一條以及第二縱向訊號線134圍繞，且畫素結構140包括主動元件142與畫素電極144。主動元件142包括閘極G、源極S、汲極D與半導體層CH，其中閘極G電性連接對應的一條橫向訊號線120，源極S與汲極D位於半導體層的兩側，且源極S電性連接第一縱向訊號線132。此外，畫素結構140可更包括畫素電極144，且主動元件142的汲極D可以連接畫素電極144。
第一縱向訊號線132與第二縱向訊號線134相鄰設置，不過，第一縱向訊號線132所傳遞的訊號為提供給畫素結構140的資料訊號，而第二縱向訊號線134所傳遞的訊號為提供給橫向訊號線120的閘極訊號。因此，第一縱向訊號線132與第二縱向訊號線134相鄰的設置方式可能使得兩者的訊號相互干擾。在本實施例中，屏蔽走線150在基板110的垂直投影位於第一縱向訊號線132在基板110的垂直投影與第二縱向訊號線134在基板110的垂直投影之間，因此屏蔽走線150的設置有助於減輕第一縱向訊號線132與第二縱向訊號線134的訊號互擾的現象。在部分實施例中，屏蔽走線150與多條橫向訊號線120可以為相同膜層，且屏蔽走線150位於多條橫向訊號線120的相鄰兩條之間。
第一縱向訊號線132包括橫移段132A以及連接段132B，且連接段132B橫跨橫向訊號線120，而橫移段132A相對 於連接段132B更遠離第二縱向訊號線134。換言之，第二縱向訊號線134與橫移段132A之間的距離S1大於第二縱向訊號線134與連接段132B之間的距離S2。屏蔽走線150可包括屏蔽走線152以及屏蔽走線154。屏蔽走線152在基板110上的垂直投影位於橫移段132A在基板110上的垂直投影與第二縱向訊號線134在基板110上的垂直投影之間，且畫素電極144重疊橫移段132A與屏蔽走線152。屏蔽走線154在基板110上的垂直投影位於連接段132B在基板110上的垂直投影與第二縱向訊號線134在基板110上的垂直投影之間。另外，屏蔽走線152至橫移段132A之間的距離S1A與屏蔽走線152至第二縱向訊號線134之間的距離S1B可選擇性的相同或是不同。屏蔽走線150位於第二縱向訊號線134與第一縱向訊號線132之間的設計有助於減輕第二縱向訊號線134與第一縱向訊號線132之間的訊號互擾的情形。
電子裝置100可更包括共用電極線160。共用電極線160與多條橫向訊號線120也可以為相同膜層，且共用電極線160位於橫向訊號線120的其中兩條之間。屏蔽走線150則連接至共用電極線160，因此屏蔽走線150不與任何的橫向訊號線120連接。共用電極線160例如包括第一共用電極線162以及第二共用電極線164。第一共用電極線162位於第二共用電極線164與對應的橫向訊號線120之間。屏蔽走線152例如連接於第一共用電極線162與第二共用電極線164之間。屏蔽走線154例如由第一共用電極線162朝向對應的橫向訊號線120延伸，而不到達對應的橫向訊 號線120。換言之，屏蔽走線152與屏蔽走線154例如由第一共用電極線162朝相反方向延伸出去，且屏蔽走線154不會連接到橫向訊號線120，即，屏蔽走線154和橫向訊號線120間具一間隙。如圖2B所示，橫向訊號線120與屏蔽走線154例如為相同膜層，而第一縱向訊號線132與第二縱向訊號線134為相同膜層，且橫向訊號線120與屏蔽走線154的膜層以及第一縱向訊號線132與第二縱向訊號線134的膜層之間設置有絕緣層IN。
在本實施例中，縱向訊號線130還包括第三縱向訊號線136與第四縱向訊號線138。第三縱向訊號線136位於第一縱向訊號線132與第四縱向訊號線138之間。畫素結構140例如設置於第二縱向訊號線134與第四縱向訊號線138之間。第三縱向訊號線136包括橫移段136A與連接段136B。連接段136B橫越對應的橫向訊號線120，而橫移段136A相對於連接段136B更遠離第四縱向訊號線138。第四縱向訊號線138與橫移段136A之間的距離S3大於第四縱向訊號線138與連接段136B之間的距離S4。另外，第四縱向訊號線138與橫移段136A之間的距離S3可以大致相同於第二縱向訊號線134與橫移段132A之間的距離S1，而使第一縱向訊號線132與第三縱向訊號線136具有大致對稱的布局。不過，在其他實施例中，第四縱向訊號線138與橫移段136A之間的距離S3可選擇地不同於第二縱向訊號線134與橫移段132A之間的距離S1。在部分實施例中，第四縱向訊號線138，可類似於第二縱向訊號線134，電性連接至多條橫向訊號線120的其中一條。 在另一部分實施例中，第四縱向訊號線138可以連接至一直流電位，而不與任何的橫向訊號線120連接。
視需要，屏蔽走線150可選擇性包括位於第三縱向訊號線136與第四縱向訊號線138之間的屏蔽走線156與屏蔽走線158，其中屏蔽走線156的布局設計類似於屏蔽走線152，而屏蔽走線158的布局設計類似於屏蔽走線154。換言之，屏蔽走線156延伸於第一共用電極線162與第二共用電極線164之間，而屏蔽走線158由第一共用電極線162朝向對應的橫向訊號線120延伸而不連接到橫向訊號線120。屏蔽走線156位於橫移段136A與第四縱向訊號線138之間，而屏蔽走線158位於連接段136B與第四縱向訊號線138之間。屏蔽走線156至橫移段136A之間的距離S3A與屏蔽走線156至第四縱向訊號線138之間的距離S3B可選擇性的相同或是不同。屏蔽走線156與屏蔽走線158都連接至共用電極線160。屏蔽走線156與屏蔽走線158可以減輕第三縱向訊號線136與第四縱向訊號線138之間的訊號互擾情形而有助於確保電子裝置100的顯示品質。不過，在部分實施例中，電子裝置100可省略屏蔽走線156與屏蔽走線158。
圖3為本揭露另一實施例的電子裝置的局部上視示意圖。圖3的電子裝置200中，有部分構件相同於前述圖1與圖2的實施例，因此這些實施例中相同的元件符號表示相同的構件。電子裝置200包括基板110、多條橫向訊號線120、多條縱向訊號線130、多個畫素結構240、多條屏蔽走線250以及共用電極線 160。在此，多條橫向訊號線120、多條縱向訊號線130、多個畫素結構240、多條屏蔽走線250以及共用電極線160都配置於基板110上，且基板110、多條橫向訊號線120、多條縱向訊號線130以及共用電極線160的布局設計可參照前述實施例的描述，而不再重述。
畫素結構240包括畫素結構240A、畫素結構240B以及畫素結構240C，且畫素結構240A、畫素結構240B以及畫素結構240C可以具有不同的結構設計。畫素結構240A包括主動元件142以及連接於主動元件142的畫素電極244A。畫素電極244A包括主幹部MA以及多條斜向條紋部SLA，其中多條斜向條紋部SLA連接主幹部MA，且這些斜向條紋部SLA由多條狹縫ES分隔開來。主幹部MA可包括縱向主幹部MVA與橫向主幹部MHA。縱向主幹部MVA與橫向主幹部MHA相交設置而劃分出四個子區域，且各子區域中所設置的多條斜向條紋部SLA例如彼此平行。這些斜向條紋部SLA可直接連接縱向主幹部MVA、橫向主幹部MHA或兩者。另外，畫素電極244A還可包括外框部FA，其圍成框形圖案而圍繞縱向主幹部MVA、橫向主幹部MHA與斜向條紋部SLA。在此，縱向主幹部MVA之中心軸到畫素電極244A沿第一方向D1延伸之邊緣的距離EW1例如不同於到畫素電極244A沿第一方向D1延伸之另一邊緣的距離EW2，但不以此為限。
畫素結構240B包括主動元件142以及連接於主動元件142的畫素電極244B。畫素電極244B包括主幹部MB以及多條斜 向條紋部SLB，其中多條斜向條紋部SLB連接主幹部MB，且這些斜向條紋部SLB由多條狹縫ES分隔開來。主幹部MB可包括縱向主幹部MVB與橫向主幹部MHB。這些斜向條紋部SLB可直接連接縱向主幹部MVB、橫向主幹部MHB或兩者。另外，畫素電極244B還可包括外框部FB，其圍成框形圖案而圍繞縱向主幹部MVB、橫向主幹部MHB與斜向條紋部SLB。
畫素結構240C包括主動元件142以及連接於主動元件142的畫素電極244C。畫素電極244C包括主幹部MC以及多條斜向條紋部SLC，其中多條斜向條紋部SLC連接主幹部MC，且這些斜向條紋部SLC由多條狹縫ES分隔開來。主幹部MC可包括縱向主幹部MVC與橫向主幹部MHC。這些斜向條紋部SLC可直接連接縱向主幹部MVC、橫向主幹部MHC或兩者。另外，畫素電極244C還可包括外框部FC，其圍成框形圖案而圍繞縱向主幹部MVC、橫向主幹部MHC與斜向條紋部SLC。
多條縱向訊號線130可對應於這些畫素結構240設置。舉例而言，縱向訊號線130可包括對應於畫素結構240A的第一縱向訊號線132、第二縱向訊號線134、第三縱向訊號線136以及第四縱向訊號線138。第一縱向訊號線132與第三縱向訊號線136橫越畫素結構240A且重疊畫素結構240A的畫素電極244A。第二縱向訊號線134位於畫素結構240A與畫素結構240B之間，而第四縱向訊號線138位於畫素結構240A與畫素結構240C之間。換言之，第一縱向訊號線132與第三縱向訊號線136位於第二縱向 訊號線134以及第四縱向訊號線138之間。在部分實施例中，位於第二縱向訊號線134兩側的畫素結構240A與畫素結構240B可以其一為紅色畫素結構而另一為藍色畫素結構，且畫素結構240C可以為綠色畫素結構，但不以此為限。
另外，縱向訊號線130還可包括對應於畫素結構240B的縱向訊號線DLA、DLB與VLA以及對應於畫素結構240C的縱向訊號線DLC、DLD與VLB。縱向訊號線DLA與DLB重疊畫素結構240B的畫素電極244B，而縱向訊號線DLC與DLD重疊畫素結構240C的畫素電極244C。同時，縱向訊號線DLA與DLB位於第二縱向訊號線134與縱向訊號線VLA之間，而縱向訊號線DLC與DLD位於第四縱向訊號線138與縱向訊號線VLB之間。
畫素結構240A可電性連接至第一縱向訊號線132，而與畫素結構240A排列在同一縱向方向(第二方向D2)上的另一畫素結構(圖未示)電性連接至第三縱向訊號線136。畫素結構240B可電性連接至縱向訊號線DLA，而與畫素結構240B排列在同一縱向方向(第二方向D2)上的另一畫素結構(圖未示)電性連接至縱向訊號線DLB。畫素結構240C可電性連接至縱向訊號線DLC，而與畫素結構240C排列在同一縱向方向(第二方向D2)上的另一畫素結構(圖未示)電性連接至縱向訊號線DLD。
在本實施例中，第一縱向訊號線132、第三縱向訊號線136以及縱向訊號線DLA~DLD所傳遞的訊號為提供給畫素結構240的資料訊號，第二縱向訊號線134所傳遞的訊號例如為提供給 其中一條橫向訊號線120的閘極訊號。第二縱向訊號線134上的訊號為脈衝訊號，其可能與相鄰的縱向訊號線130(例如第一縱向訊號線132與縱向訊號線DLA)上的訊號相互干擾。因此，電子裝置200中的屏蔽走線250包括位於第二縱向訊號線134與第一縱向訊號線132之間的屏蔽走線252與屏蔽走線254；以及位於第二縱向訊號線134與縱向訊號線DLA之間的屏蔽走線256與屏蔽走線258。
屏蔽走線252與屏蔽走線254由共用電極線160的第一共用電極線162朝相反方向延伸出去而不重疊任何橫向訊號線120，且相似的，屏蔽走線256與屏蔽走線258由共用電極線160的第一共用電極線162朝相反方向延伸出去而不重疊任何橫向訊號線120。另外，第四縱向訊號線138與鄰近的畫素結構240之間並無設置屏蔽走線，但不以此為限。在圖3中，屏蔽走線252與屏蔽走線256並不連接至共用電極線160的第二共用電極線164，但不以此為限。在其他實施例中，屏蔽走線252與屏蔽走線256可選擇的連接至共用電極線160的第二共用電極線164。
第四縱向訊號線138例如連接至直流電位。如此一來，第四縱向訊號線138的訊號對鄰近的縱向訊號線130(例如第三縱向訊號線136以及縱向訊號線DLD)的干擾不明顯。因此，電子裝置200可不在第四縱向訊號線138與第三縱向訊號線136之間設計屏蔽走線，也可不在第四縱向訊號線138與縱向訊號線DLD之間設計屏蔽走線。
在本實施例中，用於傳遞資料訊號的縱向訊號線130可以具有折曲狀的結構。舉例而言，第一縱向訊號線132可包括橫移段132A以及連接段132B。連接段132B連接橫移段132A且橫越橫向訊號線120。連接段132B與第二縱向訊號線134之間的距離小於橫移段132A與第二縱向訊號線134之間的距離。另外，橫移段132A與屏蔽走線252在基板110上的正投影都位於第二縱向訊號線134在基板110上的正投影與縱向主幹部MVA在基板110上的正投影之間。
第三縱向訊號線136則包括橫移段136A以及連接段136B。連接段136B與第四縱向訊號線138之間的距離小於橫移段136A與第四縱向訊號線138之間的距離。在部分實施例中，屏蔽走線252、橫移段132A與橫移段136A可採用金屬材料製作而不透光，因此畫素電極244A被屏蔽走線252、橫移段132A與橫移段136A遮蔽的部分可能無法提供顯示，但不以此為限。如此一來，畫素電極244A的寬度可被屏蔽走線252、橫移段132A與橫移段136A劃分成由第二縱向訊號線134朝向第四縱向訊號線138依序排列的第一寬度WA1、第二寬度WA2、第三寬度WA3與第四寬度WA4。另外，橫移段136A在基板110上的正投影大致上重疊畫素電極244A的縱向主幹部MVA在基板110上的正投影。此時，第一寬度WA1、第二寬度WA2、第三寬度WA3的區域與第四寬度WA4的區域例如位於縱向主幹部MVA的相對兩側。在部分實施例中，第一寬度WA1、第二寬度WA2與第三寬度WA3 的總和(例如WA1+WA2+WA3)可以為第四寬度WA4的0.8至1.2倍。如此一來，畫素電極244A在縱向主幹部MVA的相對兩側具有大致接近顯示面積，而有助於在不同視角處提供接近或大致相同的顯示亮度。
在畫素結構240B中，畫素電極244B的結構設計可與畫素電極244A呈現對稱關係，且縱向訊號線DLA、縱向訊號線DLB與屏蔽走線256對應於第二縱向訊號線134的設置關係可與第一縱向訊號線132、第三縱向訊號線136與屏蔽走線252對應於第二縱向訊號線134的設置關係成對稱。舉例而言，縱向訊號線DLB在基板110上的正投影可以重疊畫素電極244B的縱向主幹部MVB在基板110上的正投影。縱向訊號線DLA與屏蔽走線256在基板110上的正投影位於第二縱向訊號線134在基板110上的正投影與縱向訊號線DLB在基板110上的正投影之間。縱向訊號線DLA、縱向訊號線DLB與屏蔽走線256可將畫素電極244B的寬度劃分成由第二縱向訊號線134朝向縱向訊號線VLA依序排列的第五寬度WA5、第六寬度WA6、第七寬度WA7與第八寬度WA8。第五寬度WA5、第六寬度WA6與第七寬度WA7的區域與第八寬度WA8的區域位於縱向主幹部MVB的相對兩側，且第五寬度WA5、第六寬度WA6與第七寬度WA7的總和(例如WA5+WA6+WA7)可以為第八寬度WA8的0.8至1.2倍。如此，畫素結構240B可以在不同視角處提供接近或大致相同的顯示亮度。
電子裝置200在畫素結構240C處不設置屏蔽走線。在畫 素結構240C中，縱向主幹部MVC可以設置於畫素電極244C的中線，而縱向訊號線DLD在基板110上的正投影位於縱向主幹部MVC在基板110上的正投影與第四縱向訊號線138在基板110上的正投影之間，且縱向訊號線DLC在基板110上的正投影位於縱向主幹部MVC在基板110上的正投影與縱向訊號線VLB在基板110上的正投影之間。另外，縱向訊號線DLC與縱向訊號線DLD可以分別為折曲狀的訊號線，且兩者呈現對稱關係，但不以此為限。在本實施例中，第二縱向訊號線134兩側的構件結構大致彼此對稱，但第四縱向訊號線138兩側的構件結構不同，但不以此為限。在其他實施例中，畫素結構240C與對應的縱向訊號線DLC及DLD的布局設計可用以取代畫素結構240B與對應的縱向訊號線DLA及DLB。也就是說，屏蔽走線256可選擇性被省略。
圖4A為本揭露另一實施例的電子裝置的局部上視示意圖。在圖4A中，電子裝置300具有的構件大致相同於電子裝置200，因此兩實施例中採用相同的元件符號來表示相同的構件。具體來說，電子裝置300包括基板110、多條橫向訊號線120、多條縱向訊號線130、多個畫素結構240、多條屏蔽走線250與共用電極線160。多條橫向訊號線120、多條縱向訊號線130、多個畫素結構240、多條屏蔽走線250與共用電極線160的具體結構與相對配置關係相似於前述實施例，於此不再重述。在本實施例中，畫素結構240中的畫素結構240A、240B與240C具有不同的結構。畫素結構240A包括主動元件142與畫素電極244A，畫素結構240B 包括主動元件142與畫素電極244B，而畫素結構240C包括主動元件142與畫素電極244C，其中畫素電極244A與畫素電極244B對應於縱向訊號線130的配置方式不同於圖3的實施例，而畫素電極244C對應於縱向訊號線130的配置方式相同於圖3的實施例。在本實施例中，多條屏蔽走線250中的屏蔽走線252與屏蔽走線256的兩端分別連接於共用電極線160的第一共用電極線162與第二共用電極線164，但不以此為限。在部分實施例中，屏蔽走線252與屏蔽走線256可以不連接至第二共用電極線164而與圖3的屏蔽走線252與屏蔽走線256具有相同的配置方式。
在圖4A中，畫素電極244A的縱向主幹部MVA大致位於畫素電極244A的中線，且第一縱向訊號線132的橫移段132A重疊畫素電極244A的縱向主幹部MVA。在部分實施例中，第三縱向訊號線136的橫移段136A與第四縱向訊號線138之間的距離S3小於第一縱向訊號線132的橫移段132A與第二縱向訊號線134之間的距離S1。屏蔽走線252位於第二縱向訊號線134與畫素電極244A的縱向主幹部MVA之間，而第三縱向訊號線136的橫移段136A位於第四縱向訊號線138與畫素電極244A的縱向主幹部MVA之間。如此，屏蔽走線252、重疊於縱向主幹部MVA的第一縱向訊號線132以及第三縱向訊號線136將畫素電極244A的寬度劃分成由第二縱向訊號線134朝第四縱向訊號線138依序排列的第一寬度WB1、第二寬度WB2、第三寬度WB3與第四寬度WB4。在部分實施例中，第一寬度WB1與第二寬度WB2的總和(例如 WB1+WB2)可以為第三寬度WB3與第四寬度WB4的總和(例如WB3+WB4)的0.8至1.2倍。如此一來，畫素電極244A在縱向主幹部MVA的相對兩側具有大致接近顯示面積，而有助於在不同視角處提供接近或大致相同的顯示亮度。在部分實施例中，第三縱向訊號線136的橫移段136A與第一縱向訊號線132的橫移段132A之間的距離WB3可以等於屏蔽走線252與第一縱向訊號線132的橫移段132A之間的距離WB2，使得第二寬度WB2與第三寬度WB3可以大致相同。在部分實施例中，第一寬度WB1與第二寬度WB2可選擇性的大致相同。在部分實施例中，第三寬度WB3與第四寬度WB4可選擇性的大致相同。在部分實施例中，第一寬度WB1、第二寬度WB2、第三寬度WB3與第四寬度WB4可選擇性的彼此大致相同。
另外，在畫素結構240B中，縱向訊號線DLA重疊於畫素電極244B的縱向主幹部MVB。屏蔽走線256位於第二縱向訊號線134與畫素電極244B的縱向主幹部MVB之間，而縱向訊號線DLB位於縱向訊號線VLA與畫素電極244B的縱向主幹部MVB之間。屏蔽走線256、重疊於縱向主幹部MVB的縱向訊號線DLA以及縱向訊號線DLB將畫素電極244B的寬度劃分成由第二縱向訊號線134朝縱向訊號線VLA依序排列的第五寬度WB5、第六寬度WB6、第七寬度WB7與第八寬度WB8。在部分實施例中，第五寬度WB5與第六寬度WB6的總和(例如WB5+WB6)可以為第七寬度WB7與第八寬度WB8的總和(例如WB7+WB8)的0.8至1.2 倍。如此一來，畫素電極244B可以在不同視角處提供接近或大致相同的顯示亮度。在本實施例中，第二縱向訊號線134兩側的結構設計大致彼此對稱，但不以此為限。在其他實施例中，畫素結構240C與對應的縱向訊號線DLC及DLD的布局設計可用以取代畫素結構240B與對應的縱向訊號線DLA及DLB。也就是說，屏蔽走線256可選擇性被省略。
圖4B為本揭露另一實施例的電子裝置的局部上視示意圖。在圖4B中，電子裝置300’具有的構件大致相同於電子裝置300，因此兩實施例中採用相同的元件符號來表示相同的構件。具體來說，電子裝置300’包括基板110、多條橫向訊號線120、多條縱向訊號線130、多個畫素結構240、多條屏蔽走線250與共用電極線160。縱向訊號線130包括縱向訊號線DLA~DLD、縱向訊號線VLA與VLB、第一縱向訊號線132、第二縱向訊號線134、第三縱向訊號線136與第四縱向訊號線138。畫素結構240包括畫素結構240A、240B與240C。屏蔽走線250包括屏蔽走線252與屏蔽走線256。共用電極線160包括第一共用電極線162與第二共用電極線164。多條橫向訊號線120、多條縱向訊號線130、多個畫素結構240、多條屏蔽走線250與共用電極線160的具體結構與相對配置關係相似於圖4A的實施例，於此不再重述。在本實施例中，畫素結構240中的畫素結構240A、240B與240C具有不同的結構，且電子裝置300’更包括另一屏蔽走線350，且屏蔽走線350設置於畫素結構240C之下，重疊於畫素結構240C的畫素電極 244C。如此一來，屏蔽走線350、縱向訊號線DLC及縱向訊號線DLD可將畫素電極244C在第四縱向訊號線138與另一縱向訊號線VLB之間的面積劃分成四個區域，且這四個區域在第一方向D1量測的寬度可以大致相同。換言之，第四縱向訊號線138至縱向訊號線DLD的距離、縱向訊號線DLD至屏蔽走線350的距離、屏蔽走線350至縱向訊號線DLC的距離以及縱向訊號線DLC至另一條縱向訊號線VLB的距離可以大致相同，但不以此為限。如此一來，畫素結構240A、畫素結構240B、畫素結構240C及畫素結構240D各自都被縱向的走線劃分成四個區域而達成均勻的布局結構。
圖5A為本揭露另一實施例的電子裝置的局部上視示意圖。在圖5A中，電子裝置400具有的構件大致相同於電子裝置200，因此兩實施例中採用相同的元件符號來表示相同的構件。具體來說，電子裝置400包括基板110、多條橫向訊號線120、多條縱向訊號線130、多個畫素結構240、多條屏蔽走線250與共用電極線160。多條橫向訊號線120、多條縱向訊號線130、多個畫素結構240、多條屏蔽走線250與共用電極線160的具體結構與相對配置關係相似於前述實施例，於此不再重述。
在本實施例中，多條屏蔽走線250中的屏蔽走線252與屏蔽走線256的兩端分別連接於共用電極線160的第一共用電極線162與第二共用電極線164，但不以此為限。在部分實施例中，屏蔽走線252與屏蔽走線256可以不連接至第二共用電極線164 而與圖3的屏蔽走線252與屏蔽走線256具有相同的配置方式。在本實施例中，畫素結構240中的畫素結構240A、240B與240C具有不同的結構，其中畫素結構240C的結構設計與設置方式相同於圖3的實施例。不過，畫素結構240A的畫素電極444A與畫素結構240B的畫素電極444B的結構設計不同於圖3的實施例。
畫素結構240A的畫素電極444A包括第一子電極SEA1與第二子電極SEA2，且第一子電極SEA1位於第二子電極SEA2與第二縱向訊號線134之間。第一子電極SEA1包括第一縱向主幹部SMV1與多條第一斜向條紋部SSL1，且多條第一斜向條紋部SSL1連接第一縱向主幹部SMV1。第一縱向主幹部SMV1在部分實施例中可以設置於第一子電極SEA1的中線。第二子電極SEA2包括第二縱向主幹部SMV2與多條第二斜向條紋部SSL2，其中多條第二斜向條紋部SSL2連接第二縱向主幹部SMV2。第二縱向主幹部SMV2在部分實施例中可以設置於第二子電極SEA2的中線。在此，第一子電極SEA1與第二子電極SEA2具有大致相同的結構，但不以此為限。
在圖5A中，第一縱向訊號線132的橫移段132A位在第一子電極SEA1與第二子電極SEA2之間。也就是說，第一縱向訊號線132在基板110上的正投影位於第一子電極SEA1在基板110上的正投影與第二子電極SEA2在基板110上的正投影之間。另外，屏蔽走線252重疊第一縱向主幹部SMV1，而第三縱向訊號線136重疊第二縱向主幹部SMV2。在部分實施例中，屏蔽走線252 可以位於第一子電極SEA1的中線，而第三縱向訊號線136重疊畫素電極444A的部分可以位於第二子電極SEA2的中線，但不以此為限。
畫素電極444B可包括第一子電極SEB1與第二子電極SEB2，其中第一子電極SEB1與第二子電極SEB2各自包括一縱向主幹部以及多條斜向條紋部。屏蔽走線256重疊第一子電極SEB1的縱向主幹部，而縱向訊號線DLB重疊第二子電極SEB2的縱向主幹部。另外，縱向訊號線DLA位於第一子電極SEB1與第二子電極SEB2之間。畫素結構240B的畫素電極444B可與畫素結構240A的畫素電極444A成對稱設計，但不以此為限。在其他實施例中，畫素結構240B可具有類似於畫素結構240C的設計，且電子裝置400可省略屏蔽走線256。
圖5B為本揭露另一實施例的電子裝置的局部上視示意圖。在圖5B中，電子裝置400’具有的構件大致相同於圖5A的電子裝置400，因此兩實施例中採用相同的元件符號來表示相同的構件。具體來說，電子裝置400’包括基板110、多條橫向訊號線120、多條縱向訊號線130、多個畫素結構240、多條屏蔽走線250與共用電極線160。縱向訊號線130包括縱向訊號線DLA、~DLD與VLA、第一縱向訊號線132、第二縱向訊號線134、第三縱向訊號線136與第四縱向訊號線138。畫素結構240包括畫素結構240A、240B與240C。屏蔽走線250包括屏蔽走線252與屏蔽走線256。共用電極線160包括第一共用電極線162與第二共用電極線164。 多條橫向訊號線120、多條縱向訊號線130、多個畫素結構240、多條屏蔽走線250與共用電極線160的具體結構與相對配置關係相似於前述實施例，於此不再重述。本實施例與圖4A的實施例的差異主要在於，電子裝置400’中，畫素結構240C的畫素電極444C包括第一子電極SEC1與第二子電極SEC2，且第一子電極SEC1位於第二子電極SEC2與第四縱向訊號線138之間。換言之，電子裝置400’中，畫素結構240A、畫素結構240B與畫素結構240C都具有大致相同的畫素電極圖案設計。在一些實施例中，縱向訊號線DLC與縱向訊號線DLD可分別位於第二子電極SEC2與第一子電極SEC1的中心線上，但不以此為限。
圖6為本揭露另一實施例的電子裝置的局部上視示意圖。圖6的電子裝置500中，有部分構件相同於前述圖1與圖2的實施例，因此這些實施例中相同的元件符號表示相同的構件。電子裝置500包括基板110、多條橫向訊號線120、多條縱向訊號線530、多個畫素結構240、多條屏蔽走線550以及共用電極線160。在此，多條橫向訊號線120、多條縱向訊號線530、多個畫素結構240、多條屏蔽走線550以及共用電極線160都配置於基板110上，且基板110、多條橫向訊號線120、畫素結構240以及共用電極線160的布局設計可參照前述實施例的描述，而不再重述。
在本實施例中，縱向訊號線530包括用以傳遞資料訊號的縱向訊號線DLA1、DLA2、DLB1、DLB2、DLC1與DLC2以及、用以傳遞橫向訊號線120的訊號的縱向訊號線VL1與VL2以 及連接至直流電位的縱向訊號線VL3與VL4。縱向訊號線DLA1與DLA2設置於縱向訊號線VL1與VL2之間，縱向訊號線DLB1與DLB2設置於縱向訊號線VL1與VL3之間，而縱向訊號線DLC1與DLC2設置於縱向訊號線VL2與VL4之間。另外，縱向訊號線VL1與VL2設置於縱向訊號線VL3與VL4之間，縱向訊號線VL1設置於縱向訊號線VL2與VL3之間，而縱向訊號線VL2設置於縱向訊號線VL1與VL4之間。
畫素結構240包括不同結構設計的畫素結構240A、畫素結構240B以及畫素結構240C。畫素結構240C位於縱向訊號線VL1與VL2之間，且縱向訊號線DLA1與DLA2都重疊畫素結構240C。縱向訊號線DLA1與DLA2所傳遞的訊號用於提供給畫素結構240C以及設置於縱向訊號線VL1與VL2之間的其他畫素結構(未示出)。畫素結構240B位於縱向訊號線VL1與VL3之間，且縱向訊號線DLB1與DLB2都重疊畫素結構240B。縱向訊號線DLB1與DLB2所傳遞的訊號用於提供給畫素結構240B以及設置於縱向訊號線VL1與VL3之間的其他畫素結構(未示出)。畫素結構240A位於縱向訊號線VL2與VL4之間，且縱向訊號線DLC1與DLC2都重疊畫素結構240A。縱向訊號線DLC1與DLC2所傳遞的訊號用於提供給畫素結構240A以及設置於縱向訊號線VL2與VL4之間的其他畫素結構(未示出)。
畫素結構240C包括主動元件142與畫素電極244C，其中畫素電極244C的具體結構可參照圖3的相關說明，在此不另重 述。畫素結構240B包括主動元件142與畫素電極244B，其中畫素電極244B的具體結構可參照圖3的相關說明，在此不另重述。畫素結構240A包括主動元件142與畫素電極244A，其中畫素電極244A的具體結構可參照圖3的相關說明，在此不另重述。
在本實施例中，縱向訊號線VL1與VL2都用來傳遞橫向訊號線120需要的閘極訊號，而縱向訊號線DLA1、DLA2、DLB1與DLC1都用來傳遞要輸入給畫素結構240的資料訊號。為了減輕閘極訊號與資料訊號的互相干擾，電子裝置500中設置有屏蔽走線550來降低訊號向之間的互擾現象。為了方便說明，將屏蔽走線550分別標註為屏蔽走線552、屏蔽走線554、屏蔽走線556與屏蔽走線558來說明。
屏蔽走線552在基板110上的正投影位於縱向訊號線DLA1在基板110上的正投影與縱向訊號線VL1在基板110上的正投影之間，其中縱向訊號線DLA1與屏蔽走線552都重疊畫素電極244C。屏蔽走線552在基板110上的正投影與縱向訊號線DLA1在基板110上的正投影都位於畫素電極244C的縱向主幹部MVC在基板110上的正投影與縱向訊號線VL1在基板110上的正投影之間。
屏蔽走線554在基板110上的正投影位於縱向訊號線DLA2在基板110上的正投影與縱向訊號線VL2在基板110上的正投影之間，其中縱向訊號線DLA2與屏蔽走線554都重疊畫素電極244C。屏蔽走線554在基板110上的正投影與縱向訊號線 DLA2在基板110上的正投影都位於畫素電極244C的縱向主幹部MVC在基板110上的正投影與縱向訊號線VL2在基板110上的正投影之間。在本實施例中，縱向訊號線DLA1、屏蔽走線552與縱向訊號線VL1位於縱向主幹部MVC的第一側，而縱向訊號線DLA2、屏蔽走線554與縱向訊號線VL2位於縱向主幹部MVC的第二側，且第一側與第二側相對。
在部分實施例中，縱向主幹部MVC可以位於畫素電極244C的中心線上。縱向訊號線DLA1與縱向訊號線DLA2可例如以縱向主幹部MVC為中心成對稱分布。屏蔽走線552與屏蔽走線554可例如以縱向主幹部MVC為中心成對稱分布。縱向訊號線VL1與縱向訊號線VL2可例如以縱向主幹部MVC為中心成對稱分布。不過，上述對稱分布的描述僅是一種可能的實施方式，並不以此為限。
屏蔽走線556在基板110上的正投影位於縱向訊號線DLB1在基板110上的正投影與縱向訊號線VL1在基板110上的正投影之間。同時，屏蔽走線556在基板110上的正投影與縱向訊號線DLB1在基板110上的正投影都位於畫素電極244B的縱向主幹部MVB在基板110上的正投影與縱向訊號線VL1在基板110上的正投影之間。縱向訊號線DLB2在基板110上的正投影則重疊畫素電極244B的縱向主幹部MVB在基板110上的正投影。
在本實施例中，所有的訊號線例如是由金屬材料製作而具有遮光性質，而縱向訊號線DLB2與縱向訊號線VL3之間可以 沒有屏蔽走線。因此，屏蔽走線556、縱向訊號線DLB1與縱向訊號線DLB2可將畫素電極244B劃分成由縱向訊號線VL1朝向縱向訊號線VL3依序排列的可提供顯示效果的四個部分，其中三個部分位於縱向主幹部MVB與縱向訊號線VL1之間，而另一部分位於縱向主幹部MVB與縱向訊號線VL3之間。在部分實施例中，位於縱向主幹部MVB與縱向訊號線VL1之間的三個可顯示部分的寬度總和可以接近或是大致等於位於縱向主幹部MVB與縱向訊號線VL3之間的單個部分的寬度，以在各視角呈現均勻的顯示效果。
屏蔽走線558在基板110上的正投影位於縱向訊號線DLC1在基板110上的正投影與縱向訊號線VL2在基板110上的正投影之間。同時，屏蔽走線558在基板110上的正投影與縱向訊號線DLC1在基板110上的正投影都位於畫素電極244A的縱向主幹部MVA在基板110上的正投影與縱向訊號線VL2在基板110上的正投影之間。縱向訊號線DLC2在基板110上的正投影則重疊畫素電極244A的縱向主幹部MVA在基板110上的正投影。
類似於畫素結構240B的設計，在畫素結構240A中，屏蔽走線558、縱向訊號線DLC1與縱向訊號線DLC2可將畫素電極244A劃分成由縱向訊號線VL2向縱向訊號線VL4依序排列的四個可提供顯示效果的部分，其中三個部分位於縱向主幹部MVA與縱向訊號線VL2之間，而另一部分位於縱向主幹部MVA與縱向訊號線VL4之間。在部分實施例中，位於縱向主幹部MVA與縱 向訊號線VL2之間的三個部分的寬度總和可以接近或是大致等於位於縱向主幹部MVA與縱向訊號線VL4之間的單個部分的寬度，以在各視角呈現均勻的顯示效果。
圖7為本揭露另一實施例的電子裝置的局部上視示意圖。在圖7中，電子裝置600具有的構件大致相同於電子裝置300，因此兩實施例中採用相同的元件符號來表示相同的構件。具體來說，電子裝置600包括基板110、多條橫向訊號線120、多條縱向訊號線130、多個畫素結構240、多條屏蔽走線650與多條共用電極線160。兩實施例中標示相同標號的構件的具體結構與相對配置關係相似於前述圖3的實施例，於此不再重述。
在本實施例中，畫素結構240包括不同結構的畫素結構240A、240B與240C具有不同的結構，且畫素結構240沿著第一方向D1與第二方向D2排列成陣列。具體而言，位於第一列R1的三個畫素結構240包括由縱向訊號線VLB沿著第一方向D1朝縱向訊號線VLA依序排列的畫素結構240C、畫素結構240A以及畫素結構240B。位於第二列R2的三個畫素結構240包括由縱向訊號線VLB沿著第一方向D1朝縱向訊號線VLA依序排列的畫素結構240C、畫素結構240B以及畫素結構240A。位於第三列R3的三個畫素結構240則包括由縱向訊號線VLB沿著第一方向D1朝縱向訊號線VLA依序排列的畫素結構240C、畫素結構240A以及畫素結構240B。
在本實施例中，畫素結構240A與畫素結構240B交替的 沿第二方向D2排列於第二縱向訊號線134與第四縱向訊號線138之間。於第二縱向訊號線134與第四縱向訊號線138之間，除了屏蔽走線252外，屏蔽走線650還包括屏蔽走線652，其中屏蔽走線252重疊第一列R1的畫素結構240A而屏蔽走線652重疊第二列R2的畫素結構240B。屏蔽走線252位於第一縱向訊號線132與第二縱向訊號線134之間，不過屏蔽走線652位於第三縱向訊號線136與第四縱向訊號線138之間。也就是說，位於第一列R1的屏蔽走線252與位於第二列R2的屏蔽走線652並非同時設置於第一縱向訊號線132與第二縱向訊號線134之間，而是分別的設置於第一縱向訊號線132與第二縱向訊號線134之間以及第三縱向訊號線136與第四縱向訊號線138之間。
相似的，畫素結構240B與畫素結構240A交替的沿第二方向D2排列於第二縱向訊號線134與縱向訊號線VLA之間。於第二縱向訊號線134與縱向訊號線VLA，除了屏蔽走線256外，屏蔽走線650還包括屏蔽走線654，其中屏蔽走線256重疊第一列R1的畫素結構240B，而屏蔽走線654重疊第二列R2的畫素結構240A。屏蔽走線256位於第二縱向訊號線134與縱向訊號線DLA之間，不過屏蔽走線654位於縱向訊號線DLB與縱向訊號線VLA之間。換言之，不同列的畫素結構240中，屏蔽走線650可以設置於不同組縱向訊號線130之間。第四縱向訊號線138與縱向訊號線VLB之間的畫素結構240則可以都是畫素結構240C。
在本實施例中，第一縱向訊號線132在第一列R1處重疊 畫素電極244A的縱向主幹部MVA，而在第二列R2處則位於畫素電極244B的縱向主幹部MVB與第二縱向訊線134之間。第三縱向訊號線136在第一列R1處位於畫素電極244A的縱向主幹部MVA與第四縱向訊線138之間，而在第二列R2處重疊畫素電極244B的縱向主幹部MVB。同時，在第二縱向訊號線134與第四縱向訊號線138之間，畫素結構240A中畫素電極244A的縱向主幹部MVA可以大致上對齊畫素結構240B中畫素電極244B的縱向主幹部MVB。如此，第一縱向訊號線132在第一列R1的彎折幅度大於在第二列R2的彎折幅度，而第三縱向訊號線136在第一列R1的彎折幅度小於在第二列的彎折幅度。整體而言，第一縱向訊號線132的線長可以接近於第三縱向訊號線136的線長，從而具有接近的阻抗，這有助於使第一縱向訊號線132與第二縱向訊號線136達到接近的傳輸品質。
相似的，縱向訊號線DLA與縱向訊號線DLB的彎折幅度在第一列R1與第二列R2也是交替的變化。縱向訊號線DLA在第一列R1可重疊畫素電極244B的縱向主幹部MVB，而在第二列R1處位於畫素電極244A的縱向主幹部MVA與第二縱向訊號線134之間。因此，縱向訊號線DLA在第一列R1的彎折幅度大於在第二列R2的彎折幅度。縱向訊號線DLB在第一列R1可位於畫素電極244B的縱向主幹部MVB與縱向訊號線VLA之間，而在第二列R2處重疊畫素電極244A的縱向主幹部MVA。因此，縱向訊號線DLB在第一列R1的彎折幅度小於在第二列R2的彎折幅度。 在這樣的設計下，縱向訊號線DLA的線長可以與縱向訊號線DLB的線長，從而達成近似的訊號傳輸性質而有助於確保電子裝置600的性能。
圖8為本揭露另一實施例的電子裝置的局部上視示意圖。在圖8中，電子裝置700具有的構件大致相同於圖4A的電子裝置300，因此兩實施例中採用相同的元件符號來表示相同的構件。具體來說，電子裝置700包括基板110、多條橫向訊號線120、多條縱向訊號線130、包括畫素結構240A~240C的多個畫素結構240、包括屏蔽走線252與256的多條屏蔽走線250與包括第一共用電極線162以及第二共用電極線164的多條共用電極線160。本實施例的結構設計大致相同輿圖4A的實施例，因此兩實施例中標示相同標號的構件的具體結構與相對配置關係相似於前述圖4A的實施例，於此不再重述。具體而言，本實施例不同於圖4A的實施例之處主要在於縱向訊號線130的線寬設計。
在本實施例中，縱向訊號線130包括第一縱向訊號線132、第二縱向訊號線134、第三縱向訊號線136'、第四縱向訊號線138以及縱向訊號線DLA、DLB’、VLA等。在本實施例中，第一縱向訊號線132的橫移段132A與第二縱向訊號線134之間的距離S1大於第三縱向訊號線136'的橫移段136’A與第四縱向訊號線138之間的距離S3，但第一縱向訊號線132的連接段132B與第二縱向訊號線134之間的距離S2大致接近第三縱向訊號線136'的連接段136’B與第四縱向訊號線138之間的距離S4。因此，第一縱 向訊號線132的彎折程度大於第三縱向訊號線136’，也就是說，第一縱向訊號線132的線長大於第三縱向訊號線136’的線長。在本實施例中，第三縱向訊號線136'的線寬W136'可以小於第一縱向訊號線132的線寬W132。如此，第一縱向訊號線132的整體線長/線寬比與第三縱向訊號線136’的整體線長/線寬比可以大致接近。在部分實施例中，第一縱向訊號線132的整體線長比線寬具有第一比值，第三縱向訊號線136’的整體線長比線寬具有第二比值，且第一比值與第二比值的比在0.8至1.2的範圍中。由於第一縱向訊號線132與第三縱向訊號線136’的線長/線寬比近似，兩訊號線可具有接近的阻抗而提供大致一致的訊號傳輸性質。
另外，第三縱向訊號線136’可更包括耦合部cp，且耦合部cp的寬度wcp大於第三縱向訊號線136’的其他部分。畫素結構240A的畫素電極可設計成重疊耦合部cp。如此一來，即使第三縱向訊號線136’的線寬W136’較第一縱向訊號線132的線寬W132更小，畫素結構240A與第三縱向訊號線136’之間的耦合電容可以接近於畫素結構240A與第一縱向訊號線132之間的耦合電容，從而讓第一縱向訊號線132與第三縱向訊號線136’的負載接近或是大致相同。
在電子裝置700中，縱向訊號線DLA的線長也大於縱向訊號線DLB’。因此，縱向訊號線DLB’的線寬也可小於縱向訊號線DLA，且縱向訊號線DLB’可選擇的更包括耦合部cp。如此一來，縱向訊號線DLA與縱向訊號線DLB’也具有一致的訊號傳輸 品質，且畫素結構240B在縱向訊號線DLA與縱向訊號線DLB’上產生的耦合電容也可大致相同，以確保電子裝置700的品質。
圖9為本揭露另一實施例的電子裝置的局部上視示意圖。圖9的電子裝置800中，有部分構件相同於前述圖1與圖2的實施例，因此這些實施例中相同的元件符號表示相同的構件。電子裝置800包括基板110、多條橫向訊號線120、多條縱向訊號線830、多個畫素結構240、多條屏蔽走線850以及共用電極線160。在此，多條橫向訊號線120、多個畫素結構240、多條屏蔽走線850以及共用電極線160都配置於基板110上，且基板110、橫向訊號線120、畫素結構240以及共用電極線160的布局設計可參照前述實施例的描述，而不再重述。
圖9中的縱向訊號線830包括第一縱向訊號線132、第二縱向訊號線134、第三縱向訊號線836、第四縱向訊號線138以及縱向訊號線DLC、DLD與VLB，其中第一縱向訊號線132、第二縱向訊號線134、第四縱向訊號線138以及縱向訊號線DLC、DLD與VLB的布局方式可參照圖3的相關說明，在此不再重述。在電子裝置800中，畫素結構240包括設置於第二縱向訊號線134與第四縱向訊號線138之間的畫素極構240A以及設置於第四縱向訊號線138與縱向訊號線VLB之間的畫素結構240C，其中畫素結構240A以及畫素結構240C的結構設計可參照圖3的說明。
屏蔽走線850包括位於第一縱向訊號線132與第二縱向訊號線134之間的屏蔽走線852以及屏蔽走線854。第一縱向訊號 線132、屏蔽走線852、屏蔽走線854與第二縱向訊號線134的設置關係可參照圖3中第一縱向訊號線132、屏蔽走線252、屏蔽走線254與第二縱向訊號線134的設置關係。具體而言，第一縱向訊號線132的橫移段132A可相對於鄰近的連接段132B更遠離第二縱向訊號線134，屏蔽走線852位於第二縱向訊號線134與橫移段132A之間，且屏蔽走線854位於第二縱向訊號線134與連接段132B之間。屏蔽走線854由第一共用電極線162遠離第二共用電極線164延伸，而屏蔽走線852設置於第一共用電極線162與第二共用電極線164之間。
在本實施例中，屏蔽走線852包括由第一共用電極線162朝第二共用電極線164延伸的第一段852A以及由第二共用電極線164朝第一共用電極線162延伸的第二段852B，且第一段852A與第二段852B間隔開來。在部分實施例中，畫素電極244A的橫向主幹部MHA可以位在第一段852A與第二段852B之間，且第一段852A與第二段852B可以都不橫越橫向主幹部MHA，甚至不重疊橫向主幹部MHA，但不以此為限。
第三縱向訊號線836重疊於畫素電極244A的區段也可相對於鄰近的區段更遠離第四縱向訊號線138，不過第三縱向訊號線836與第四縱向訊號線138之間沒有任何的屏蔽走線。另外，第一縱向訊號線132與第三縱向訊號線836重疊畫素結構240A的畫素電極244A。第一縱向訊號線132與第三縱向訊號線836可以位於畫素電極244A的縱向主幹部MVA的相對兩側，且第一縱向訊號 線132與第三縱向訊號線836都不重疊縱向主幹部MVA。
在本實施例中，畫素結構240C相對於第四縱向訊號線138與縱向訊號線DLC、DLD以及VLB的設置關係可參照圖3的相關說明。另外，電子裝置800中的屏蔽走線850還包括屏蔽走線856A、856B與856C。屏蔽走線856A、856B與856C都是由第一共用訊號線162朝向鄰近的橫向訊號線120延伸而不重疊任何的畫素電極。屏蔽走線856A位於第四縱向訊號線138與第三縱向訊號線836之間，屏蔽走線856B位於縱向訊號線DLD與第四縱向訊號線138之間，而屏蔽走線856C位於縱向訊號線DLC與縱向訊號線VLB之間。第三縱向訊號線836與縱向訊號線DLD、DLC都用以傳輸資料訊號，而第四縱向訊號線138與縱向訊號線VLB都是用以傳輸其他訊號。第三縱向訊號線836與縱向訊號線DLD、DLC在第一共用電極線162與對應的橫向訊號線120之間的區段(前述實施例中以連接段來說明)都較接近鄰近的第四縱向訊號線138或縱向訊號線VLB。因此，屏蔽走線856A、856B與856C設置於傳輸資料訊號的訊號線的連接段與非傳輸資料訊號的訊號線之間，有助於減輕這些縱向訊號線130之間的干擾，且有助於確保電子裝置800的顯示效能。
圖10為本揭露另一實施例的電子裝置的局部上視示意圖。圖10中僅展示出電子裝置900的局部構件，其中各畫素結構的畫素電極被省略以清楚呈現訊號線的布局設置，不過，各畫素結構的畫素電極可採用前述實施例中任一種畫素電極的設計。電 子裝置900的訊號線包括多條橫向訊號線120、多條縱向訊號線130、多條共用電極線160以及多條屏蔽走線950，且電子裝置900包括多個畫素結構940，其中各畫素結構940可包括主動元件142以及未示出的畫素電極。
在本實施例中，多條縱向訊號線130包括第一縱向訊號線132、第二縱向訊號線134、第三縱向訊號線136以及第四縱向訊號線138。畫素結構940在第二縱向訊號線134與第四縱向訊號線138之間排成多列。另外，第一縱向訊號線132與第三縱向訊號線136位於第二縱向訊號線134與第四縱向訊號線138之間，且第一縱向訊號線132與第三縱向訊號線136例如可重疊各畫素結構940的畫素電極。
電子裝置900的屏蔽走線950包括設置於第一列R1的屏蔽走線852以及設置於第二列R2的屏蔽走線952。屏蔽走線852延伸於第一列R1的第一共用電極線162與第二共用電極線164之間，且位於第一縱向訊號線132與第二縱向訊號線134之間。屏蔽走線952延伸於第二列R2的第一共用電極線162與第二共用電極線164之間，且位於第三縱向訊號線136與第四縱向訊號線138之間。在第一列R1中，第三縱向訊號線136與第四縱向訊號線138之間沒有屏蔽走線，而在第二列R2中，第一縱向訊號線132與第二縱向訊號線134之間沒有屏蔽走線。不過，在其他的實施例中，第一列R1的屏蔽走線852與第二列R2的屏蔽走線952可以都設置於第一縱向訊號線132與第二縱向訊號線134之間或是 都設置於第三縱向訊號線136與第四縱向訊號線138之間。
屏蔽走線852的結構可參照圖9的說明，其包括第一段852A與第二段852B，且第一段852A與第二段852B彼此相隔開來。相似的，屏蔽走線952可包括第一段952A與第二段952B，且第一段952A與第二段952B彼此相隔開來。不過，在其他的實施例中，屏蔽走線852與屏蔽走線952可以連續的延伸於對應的第一共用電極線162與第二共用電極線164之間。
綜上所述，本揭露各實施例的電子裝置包括設置於相鄰縱向訊號線之間的屏蔽走線，以減輕相鄰訊號線之間的干擾，藉此確保電子裝置的品質。另外，屏蔽走線與縱向訊號線可對應於畫素結構設置，使得畫素結構可以在各視角呈現處接近的顯示效果。
200:電子裝置
110:基板
120:橫向訊號線
130、DLA、DLB、DLC、DLD、VLA、VLB:縱向訊號線
132:第一縱向訊號線
132A、136A:橫移段
132B、136B:連接段
134:第二縱向訊號線
136:第三縱向訊號線
138:第四縱向訊號線
240、240A、240B、240C:畫素結構
142:主動元件
244A、244B、244C:畫素電極
250、252、254、256、258:屏蔽走線
160:共用電極線
162:第一共用電極線
164:第二共用電極線
D1:第一方向
D2:第二方向
ES:狹縫
EW1、EW2:距離
FA、FB、FC:外框部
MA、MB、MC:主幹部
MHA、MHB、MHC:橫向主幹部
MVA、MVB、MVC:縱向主幹部
SLA、SLB、SLC:斜向條紋部
WA1:第一寬度
WA2:第二寬度
WA3:第三寬度
WA4:第四寬度
WA5:第五寬度
WA6:第六寬度
WA7:第七寬度
WA8:第八寬度

Claims (21)

  1. 一種電子裝置，包括：基板；多條橫向訊號線沿一第一方向延伸，配置於該基板上；第一縱向訊號線沿一第二方向延伸，配置於該基板上，與該多條橫向訊號線相交；第二縱向訊號線，配置於該基板上，與該多條橫向訊號線相交，且該第二縱向訊號線連接該多條橫向訊號線的其中一條；屏蔽走線，該屏蔽走線在該基板的垂直投影位於該第一縱向訊號線在該基板的垂直投影與該第二縱向訊號線在該基板的垂直投影之間；多個畫素結構，該多個畫素結構的其中一者被該多條橫向訊號線的對應一條以及該第二縱向訊號線圍繞且包括主動元件，其中該主動元件的閘極電性連接該多條橫向訊號線的該對應一條，且該主動元件的源極電性連接該第一縱向訊號線；以及共用電極線，該共用電極線位於該些橫向訊號線的其中兩條之間，且該屏蔽走線連接至該共用電極線。
  2. 如請求項1所述的電子裝置，其中該屏蔽走線與該多條橫向訊號線為相同膜層，且該屏蔽走線位於該多條橫向訊號線的相鄰兩條之間。
  3. 如請求項1所述的電子裝置，其中該第一縱向訊號線與該第二縱向訊號線為相同膜層。
  4. 如請求項1所述的電子裝置，更包括：第三縱向訊號線，與該多條橫向訊號線相交，該第一縱向訊號線位於該第三縱向訊號線與該屏蔽走線之間；以及第四縱向訊號線，與該多條橫向訊號線相交，其中該第一縱向訊號線與該第三縱向訊號線位於該第二縱向訊號線與該第四縱向訊號線之間。
  5. 如請求項4所述的電子裝置，其中該第一縱向訊號線包括橫移段，該第三縱向訊號線包括另一橫移段，該第一縱向訊號線的該橫移段位於該第三縱向訊號線的該另一橫移段與該屏蔽走線之間。
  6. 如請求項5所述的電子裝置，其中該第三縱向訊號線的該另一橫移段與該第四縱向訊號線之間的距離小於該第一縱向訊號線的該橫移段與該第二縱向訊號線之間的距離。
  7. 如請求項5所述的電子裝置，其中該第三縱向訊號線的該另一橫移段與該第一縱向訊號線的該橫移段之間的距離等於該屏蔽走線與該第一縱向訊號線的該橫移段之間的距離。
  8. 如請求項5所述的電子裝置，其中該多個畫素結構的該其中一者的寬度被該屏蔽走線、該橫移段與該另一橫移段劃分成由該第二縱向訊號線朝向該第四縱向訊號線依序排列的第一寬度、第二寬度、第三寬度與第四寬度，且該第一寬度、該第二寬度與該第三寬度的總和為該第四寬度的0.8至1.2倍。
  9. 如請求項5所述的電子裝置，其中該第三縱向訊號線的線寬小於該第一縱向訊號線的線寬。
  10. 如請求項9所述的電子裝置，其中該第三縱向訊號線更包括耦合部，該耦合部的寬度大於該第三縱向訊號線的其他部分。
  11. 如請求項9所述的電子裝置，其中該第一縱向訊號線的線長比線寬具有第一比值，該第三縱向訊號線的線長比線寬具有第二比值，且第一比值與第二比值的比在0.8至1.2的範圍中。
  12. 如請求項5所述的電子裝置，更包括：另一屏蔽走線，配置於該另一橫移段與該第四縱向訊號線之間。
  13. 如請求項1所述的電子裝置，其中該第二縱向訊號線位於該多個畫素結構的相鄰兩者之間，且該多個畫素結構的該相鄰兩者的其一為紅色畫素結構而另一為藍色畫素結構。
  14. 如請求項1所述的電子裝置，其中該共用電極線更包括第一共用電極線與第二共用電極線，位於相鄰兩條橫向訊號線之間，該屏蔽走線包括由該第一共用電極線朝該第二共用電極線延伸的第一段以及由該第二共用電極線朝該第一共用電極線延伸的第二段，且該第一段與該第二段間隔開來。
  15. 一種電子裝置，包括：基板； 多條橫向訊號線沿一第一方向延伸，配置於該基板上；第一縱向訊號線沿一第二方向延伸，配置於該基板上，與該多條橫向訊號線相交；第二縱向訊號線，配置於該基板上，與該多條橫向訊號線相交，且該第二縱向訊號線連接該多條橫向訊號線的其中一條；屏蔽走線，該屏蔽走線在該基板的垂直投影位於該第一縱向訊號線在該基板的垂直投影與該第二縱向訊號線在該基板的垂直投影之間；以及多個畫素結構，該多個畫素結構的其中一者被該多條橫向訊號線的對應一條以及該第二縱向訊號線圍繞且包括主動元件，其中該主動元件的閘極電性連接該多條橫向訊號線的該對應一條，且該主動元件的源極電性連接該第一縱向訊號線，其中該第一縱向訊號線包括橫移段，該多個畫素結構的該其中一者更包括畫素電極，該畫素電極連接該主動元件的汲極，且該畫素電極重疊該橫移段與該屏蔽走線。
  16. 如請求項15所述的電子裝置，其中該畫素電極包括縱向主幹部以及多條斜向條紋部，該多條斜向條紋部連接該縱向主幹部。
  17. 如請求項15所述的電子裝置，其中該畫素電極包括第一子電極與第二子電極，該第一子電極包括第一縱向主幹部與多條第一斜向條紋部，該多條第一斜向條紋部連接該第一縱向主幹部，該第二子電極包括第二縱向主幹部與多條第二斜向條 紋部，該多條第二斜向條紋部連接該第二縱向主幹部，且該第一子電極位於該第二子電極與該第二縱向訊號線之間。
  18. 如請求項17所述的電子裝置，其中該屏蔽走線重疊該第一縱向主幹部。
  19. 一種電子裝置，包括：多條橫向訊號線；第一縱向訊號線，與該多條橫向訊號線相交；第二縱向訊號線，與該多條橫向訊號線相交，且該第二縱向訊號線連接該多條橫向訊號線的其中一條；以及多個畫素結構，該多個畫素結構的其中一者被該多條橫向訊號線的對應一條以及該第一縱向訊號線圍繞，且包括主動元件與畫素電極，其中該主動元件的閘極電性連接該多條橫向訊號線的該對應一條，該主動元件的源極電性連接該第一縱向訊號線，該畫素電極電性連接該主動元件的汲極，且該第一縱向訊號線重疊該畫素電極。
  20. 一種電子裝置，包括：基板；多條橫向訊號線沿一第一方向延伸，配置於該基板上；第一縱向訊號線沿一第二方向延伸，配置於該基板上，與該多條橫向訊號線相交；第二縱向訊號線，配置於該基板上，與該多條橫向訊號線相交，且該第二縱向訊號線連接該多條橫向訊號線的其中一條； 屏蔽走線，該屏蔽走線在該基板的垂直投影位於該第一縱向訊號線在該基板的垂直投影與該第二縱向訊號線在該基板的垂直投影之間；以及多個畫素結構，該多個畫素結構的其中一者被該多條橫向訊號線的對應一條以及該第二縱向訊號線圍繞且包括主動元件，其中該主動元件的閘極電性連接該多條橫向訊號線的該對應一條，且該主動元件的源極電性連接該第一縱向訊號線，其中該屏蔽走線與該多條橫向訊號線為相同膜層，且該屏蔽走線位於該多條橫向訊號線的相鄰兩條之間。
  21. 一種電子裝置，包括：基板；多條橫向訊號線沿一第一方向延伸，配置於該基板上；第一縱向訊號線沿一第二方向延伸，配置於該基板上，與該多條橫向訊號線相交；第二縱向訊號線，配置於該基板上，與該多條橫向訊號線相交，且該第二縱向訊號線連接該多條橫向訊號線的其中一條；屏蔽走線，該屏蔽走線在該基板的垂直投影位於該第一縱向訊號線在該基板的垂直投影與該第二縱向訊號線在該基板的垂直投影之間；以及多個畫素結構，該多個畫素結構的其中一者被該多條橫向訊號線的對應一條以及該第二縱向訊號線圍繞且包括主動元件，其中該主動元件的閘極電性連接該多條橫向訊號線的該對應一條， 且該主動元件的源極電性連接該第一縱向訊號線，其中該第二縱向訊號線位於該多個畫素結構的相鄰兩者之間，且該多個畫素結構的該相鄰兩者的其一為紅色畫素結構而另一為藍色畫素結構。
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