CN112384849B - 显示装置 - Google Patents
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Abstract
提供抑制由于接触孔周围的取向膜引起的显示不均的显示装置。显示装置具备阵列基板、对置基板和液晶层。在阵列基板的一个面，设有在第1方向上隔开间隔排列的多个信号线、在第2方向上隔开间隔排列的多个扫描线、第1有机绝缘膜、以及设在第1有机绝缘膜之上的第2有机绝缘膜。第2接触导电层经由在第1有机绝缘膜中开设的第1接触孔而与第1接触导电层接触。第2接触导电层与第1接触导电层接触的接触区域的至少一部分被第2有机绝缘膜覆盖。经由在第2有机绝缘膜中开设的第2接触孔，第1电极与第2接触导电层电连接。此外，第1接触孔和第2接触孔相互在第2方向上错开。
Description
技术领域
本发明涉及显示装置。
背景技术
在专利文献1中，记载有抑制由接触孔周围的取向膜引起的显示不均的显示装置。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2017－146449号公报
发明内容
发明要解决的课题
在专利文献1的技术中，虽然抑制了由接触孔周围的取向膜引起的显示不均，但希望进一步抑制显示不均的发生。
本发明的目的在于，提供抑制由接触孔周围的取向膜引起的显示不均的显示装置。
用来解决课题的手段
一技术方案的显示装置具备：阵列基板；对置基板，具备滤色器；以及液晶层，在上述阵列基板与上述对置基板之间；在上述阵列基板的一个面，设有在第1方向上隔开间隔排列的多个信号线、在第2方向上隔开间隔排列的多个扫描线、设在上述信号线之上的第1有机绝缘膜、以及设在上述第1有机绝缘膜之上的第2有机绝缘膜；在被上述扫描线和上述信号线包围的区域，分别设有半导体层、第1接触导电层、第2接触导电层和第1电极；在上述半导体层的第1部分，电连接着上述信号线，在上述半导体层的第2部分，电连接着上述第1接触导电层；上述第2接触导电层经由在上述第1有机绝缘膜中开设的第1接触孔而与上述第1接触导电层接触；上述第2接触导电层与上述第1接触导电层接触的接触区域的至少一部分被上述第2有机绝缘膜覆盖；经由在上述第2有机绝缘膜中开设的第2接触孔，上述第1电极与上述第2接触导电层电连接；上述第1接触孔和上述第2接触孔相互在上述第2方向上错开。
附图说明
图1是表示实施方式1的显示装置的分解立体图。
图2是示意地表示阵列基板的平面图。
图3是表示实施方式1的显示区域的像素排列的电路图。
图4是在像素的示意性平面图中说明检测电极的平面图。
图5是在像素的示意性平面图中说明像素电极的平面图。
图6是说明图4的VI－VI’剖面的局部剖面图。
图7是用来说明实施方式1的开关元件的平面图。
图8是用来说明实施方式1的接触孔的平面图。
图9是说明图8的IX－IX’剖面的局部剖面图。
图10是用来说明金属布线的宽度扩大部的剖面图。
图11是用来说明传感器布线的宽度扩大部的剖面图。
图12是用来说明金属布线的宽度扩大部的剖面图。
图13是用来说明金属布线的宽度扩大部的平面图。
图14是用来说明实施方式2的接触孔的平面图。
图15是说明图14的XV－XV’剖面的局部剖面图。
图16是用来说明实施方式3的开关元件的平面图。
图17是用来说明实施方式3的副像素的示意性说明图。
具体实施方式
参照附图对用于实施本发明的方式(实施方式)详细地进行说明。本发明并不由以下实施方式中记载的内容限定。此外，在以下记载的构成要素中，包括本领域技术人员能够容易地想到的构成要素、实质相同的构成要素。进而，能够将以下记载的构成要素适当组合。另外，公开只不过是一例，关于本领域技术人员对于保持着本发明的主旨的适当变更能够容易地想到的形态，当然包含在本发明的范围中。此外，附图为了使说明更明确而有与实际形态相比对各部的宽度、厚度、形状等示意地表示的情况，但只不过是一例，并不限定本发明的解释。此外，在本发明和各图中，有对关于已出现的附图而说明过的要素同样的要素赋予相同标记并适当省略详细说明的情况。
(实施方式1)
图1是表示实施方式1的显示装置的分解立体图。如图1所示，显示装置PNL具备阵列基板SUB1和对置基板SUB2。如图1所示，在显示装置PNL中，在显示区域DA的外侧设有周边区域BE。显示区域DA形成为四边形，但显示区域DA的外形的形状不被限定。例如，在显示区域DA中可以有缺口，或者显示区域DA也可以形成为其他多边形，显示区域DA也可以形成为圆形或椭圆形等其他形状。
在本实施方式中，第1方向X是沿着显示区域DA的短边的方向。第2方向Y是与第1方向X交叉(或正交)的方向。不限于此，第2方向Y也可以相对于第1方向X以90°以外的角度交叉。由第1方向X和第2方向Y规定的平面与阵列基板SUB1的面平行。此外，与第1方向X及第2方向Y正交的第3方向Z是阵列基板SUB1的厚度方向。
显示区域DA是用来使图像显示的区域，是与多个像素Pix重叠的区域。周边区域BE表示比阵列基板SUB1的外周靠内侧并且比显示区域DA靠外侧的区域。另外，周边区域BE可以是将显示区域DA包围的框状，在此情况下，周边区域BE也可以说是边框区域。
将图像进行显示的显示区域DA包括在检测静电电容的检测装置中包含的传感器区域。如图1所示，检测电极CE在显示区域DA中在第1方向X及第2方向Y上以矩阵状排列多个。各个检测电极CE在平面视图中用矩形或正方形示意地表示，但检测电极CE的详细形状后述。检测电极CE例如由ITO(Indium Tin Oxide)等具有透光性的导电性材料构成。
如图1所示，在阵列基板SUB1的一面侧的周边区域BE，设有外缘布线CE－G和集成电路CP。例如，外缘布线CE－G沿着显示区域DA的长边和短边连续地设置，将显示区域DA包围。
显示装置PNL是传感器区域与显示区域DA一体化的带传感器的显示装置。具体而言，在显示装置PNL中，显示区域DA的部件的一部分成为传感器区域的检测电极CE。
图2是示意地表示阵列基板的平面图。如图2所示，检测电极CE被狭缝SPB在第1方向X及第2方向Y上划分为矩阵状。在周边区域BE的短边侧，设有连接电路MP和集成电路CP。此外，在周边区域BE的短边侧，连接未图示的柔性基板。另外，连接电路MP和集成电路CP的配置不限于此，例如也可以设置在模组外部的控制基板或柔性基板上。
检测电极CE经由金属布线TL及连接电路MP而与集成电路CP电连接。金属布线TL供给向检测电极CE供给的驱动信号，将与静电量变化对应的信号向模拟前端发送。多个金属布线TL分别与配置于显示区域DA的多个检测电极CE分别电连接，并被引出到周边区域BE。多个金属布线TL分别沿着第2方向Y延伸，多个金属布线TL在第1方向X上排列配置。例如，内置于集成电路CP的驱动电路经由配置于周边区域BE的连接电路MP和金属布线TL而与多个检测电极CE分别连接。
在接触孔TH中，有将检测电极CE和重叠于检测电极CE的金属布线TL电连接的连接部CT(参照图10至图12)。1个金属布线TL在图2中示意性地与1个检测电极CE连接。如后述那样，实际上，金属布线TL将多个布线成束而被引绕到显示区域DA内。
显示装置PNL还具备连接电路MP。连接电路MP设在检测电极CE与集成电路CP之间。连接电路MP是基于从集成电路CP供给的控制信号来切换作为检测驱动的对象的检测电极CE与集成电路CP之间的连接和断开的电路。连接电路MP具有模拟前端。
图3是表示实施方式1的显示区域的像素排列的电路图。以下，有将多个扫描线G1、G2、G3统称作GL的情况。有将多个信号线S1、S2、S3统称作信号线SL的情况。在阵列基板SUB1，形成有图3所示的各副像素SPix1、SPix2、SPix3的开关元件TrD1、TrD2、TrD3、信号线SL、扫描线GL等。信号线S1、S2、S3是用来向各像素电极PE1、PE2、PE3(参照图4)供给像素信号的布线。扫描线G1、G2、G3是用来供给将各开关元件TrD1、TrD2、TrD3驱动的栅极信号的布线。
在图1所示的显示区域DA的像素Pix中，如图3所示，包括被排列为矩阵状的多个副像素SPix1、SPix2、SPix3。以下，有将多个副像素SPix1、SPix2、SPix3统称作副像素SPix的情况。副像素SPix1、SPix2、SPix3分别具备开关元件TrD1、TrD2、TrD3及液晶层LC的电容。开关元件TrD1、TrD2、TrD3是由薄膜晶体管构成的，在该例中，由n沟道的MOS(Metal OxideSemiconductor)型的TFT构成。在后述的像素电极PE1、PE2、PE3与检测电极CE之间设有第6绝缘膜16(参照图6)，由它们形成图3所示的保持电容Cs。
图3所示的滤色器CFR、CFG、CFB周期性地排列有被着色为例如红(R)、绿(G)、蓝(B)3色的颜色区域。R、G、B这3色的颜色区域作为1组而与上述图3所示的各副像素SPix1、SPix2、SPix3建立对应。并且，将与3色的颜色区域对应的副像素SPix1、SPix2、SPix3作为1组而构成像素Pix。另外，滤色器也可以包括4色以上的颜色区域。
图4是在像素的示意性平面图中说明检测电极的平面图。图5是在像素的示意性平面图中说明像素电极的平面图。图6是说明图4的VI－VI’剖面的局部剖面图。图7是用来说明实施方式1的开关元件的平面图。图8是用来说明实施方式1的接触孔的平面图。图9是说明图8的IX－IX’剖面的局部剖面图。图10至图12是用来说明金属布线的宽度扩大部的剖面图。图13是用来说明金属布线的宽度扩大部的平面图。图13是用来说明金属布线的宽度扩大部的说明图。以下，使用图1至图13，对实施方式1的具体的显示装置进行说明。
如图6所示，在第1绝缘基板10的上方，形成有多个信号线S1、S2、S3、多个像素电极PE1、PE2、PE3、多个检测电极CE、多个金属布线TL1、TL2、TL3。以下，有将多个金属布线TL1、TL2、TL3统称作金属布线TL的情况。以下，有将多个像素电极PE1、PE2、PE3统称作像素电极PE的情况。如图4所示，扫描线G1至G3沿着第1方向X分别延伸，在第2方向Y上以等间距排列。扫描线G1至G3也虽然在图6中没有出现，但形成在第1绝缘基板10的上方。
在图4及图5中，将相对于第2方向Y向逆时针以锐角交叉的方向定义为方向D1，将相对于第2方向Y向顺时针以锐角交叉的方向定义为方向D2。另外，第2方向Y与方向D1所成的角度θ1与第2方向Y和方向D2所成的角度θ2大致相同。信号线S1至S3大致沿着第2方向Y分别延伸，在第1方向X上以等间距排列。在图示的例子中，信号线S1至S3在扫描线G1与扫描线G2之间在方向D1上延伸，在扫描线G2与扫描线G3之间在方向D2上延伸。这些扫描线G1至G3和信号线S1至S3在X－Y平面的平面视图中相互交叉。
如图7所示，开关元件TrD1位于扫描线G2与信号线S1的交叉部附近，与扫描线G2及信号线S1电连接。开关元件TrD2位于扫描线G2与信号线S2的交叉部附近，与扫描线G2及信号线S2电连接。开关元件TrD3位于扫描线G2与信号线S3的交叉部附近，与扫描线G2及信号线S3电连接。
如图5所示，多个像素电极PE1、PE2、PE3在第1方向X上隔开间隔排列。像素电极PE1位于2个信号线SL之间。多个像素电极PE1、PE2、PE3在第2方向Y上隔开间隔排列。像素电极PE1位于2个扫描线GL之间。多个像素电极PE1、PE2、PE3分别处于被2个信号线SL及2个扫描线GL包围的区域。
像素电极PE1具有接触部PA1、电极部PB1及连结部PC1。接触部PA1与开关元件TrD1(参照图7)电连接。电极部PB1从接触部PA1向相对于扫描线G2是另一侧的与扫描线G1接近的一侧延伸。电极部PB1也有被称作带状电极、线状电极、梳齿电极等的情况。在图5中，1个像素电极PE1具有两根电极部PB1。两根电极部PB1被连接到接触部PA1。这些电极部PB1在第1方向X上隔开间隔排列。连结部PC1与两根电极部PB1的端部相连。由此，即使在一个电极部PB1的一部分发生了断线，也能够经由连结部PC1从另一个电极部PB1向一个电极部PB1供给像素电位。
另外，像素电极PE1的形状并不限于图5的例子，例如也可以将连结部PC1省略，电极部PB1的根数也可以不是两根而例如是3根或4根。
像素电极PE2也形成为与像素电极PE1大致相同的形状。像素电极PE2位于2个信号线之间。像素电极PE2具有接触部PA2、电极部PB2及连结部PC2。接触部PA2与开关元件TrD2(参照图7)电连接。电极部PB2从接触部PA2朝向扫描线G1延伸。
像素电极PE3也形成为与像素电极PE1大致相同的形状。像素电极PE3位于2个信号线之间。像素电极PE3具有接触部PA3、电极部PB3及连结部PC3。接触部PA3与开关元件TrD3(参照图7)电连接。电极部PB3从接触部PA3朝向扫描线G1延伸。
电极部PB1、PB2、PB3都在相同方向上延伸，在与方向D1平行的方向上延伸。电极部PB1、PB2、PB3都从各接触部朝向扫描线G1延伸。另外，处于扫描线G2与G3之间的像素电极也成为与像素电极PE1至像素电极PE3同样的结构，但电极部的延伸沿着方向D2。
如图4所示，检测电极CE具有主检测电极CEP和副检测电极CEA、副检测电极CEB。主检测电极CEP形成在阵列基板SUB1的显示区域DA(参照图1)的大致整个区域中。即，副像素具有像素电极PE1、PE2、PE3，在与像素电极PE1、PE2、PE3重叠的区域设有主检测电极CEP(检测电极CE)。在X－Y平面的平面视图中，主检测电极CEP与像素电极PE1、PE2、PE3、信号线S1、S2、S3及金属布线TL1、TL2重叠，并且不与扫描线G1、G2、G3重叠。
如图4所示，副检测电极CEA在第2方向Y上延伸，将在第2方向Y上相邻的主检测电极CEP电连接。在X－Y平面的平面视图中，副检测电极CEA与扫描线G1、G2、G3、信号线S2及金属布线TL2重叠，并且不与像素电极PE1、PE2、PE3、信号线S1、S3及金属布线TL1、TL3重叠。在第2方向Y上相邻的主检测电极CEP之间，如果没有副检测电极CEA，则能够得到狭缝SPB。
如图4所示，副检测电极CEB在第1方向X上延伸，将在第1方向X上相邻的主检测电极CEP电连接。如图4所示，在第1方向X上相邻的主检测电极CEP之间，如果没有副检测电极CEB，则能够得到狭缝SPB。在X－Y平面的平面视图中，副检测电极CEB与信号线S3及金属布线TL3、宽度扩大部TCE3重叠，并且不与像素电极PE1、PE2、PE3、扫描线G1、G2、G3、信号线S1、S2及金属布线TL1、TL2重叠。副检测电极CEB与宽度扩大部TCE3重叠，并且形成狭缝SPA，能够减小与在第1方向X上相邻的检测电极CE之间的狭缝SPB之间的辨识性之差，此外能够降低在检测电极CE与金属布线TL之间产生的寄生电容。
如以上说明的那样，检测电极CE具有主检测电极CEP和副检测电极CEA、CEB。主检测电极CEP是岛(island)状。在第1方向X或第2方向Y上相邻的主检测电极CEP被用副检测电极CEA或CEB电连接。结果，检测电极CE能够具有任意的大小的面积。
多个金属布线TL1、TL2、TL3在X－Y平面的平面视图中分别与信号线S1、S2、S3重叠，与这些信号线平行地延伸。
在图6中，阵列基板SUB1以玻璃基板或树脂基板等具有透光性的第1绝缘基板10为基体。阵列基板SUB1在第1绝缘基板10的与对置基板SUB2对置的一侧具备第1绝缘膜11、第2绝缘膜12、第3绝缘膜13、第4绝缘膜14、第5绝缘膜15、第6绝缘膜16、信号线S1至S3、像素电极PE1至PE3、检测电极CE、第1取向膜AL1等。在以下的说明中，将从阵列基板SUB1朝向对置基板SUB2的方向称作上方，或者简称上。
第1绝缘膜11位于第1绝缘基板10之上。第2绝缘膜12位于第1绝缘膜11之上。第3绝缘膜13位于第2绝缘膜12之上。信号线S1至S3位于第3绝缘膜13之上。第4绝缘膜14位于第3绝缘膜13之上，将信号线S1至S4覆盖。
金属布线TL1、TL2、TL3位于第4绝缘膜14之上。金属布线TL1、TL2、TL3由包含Al、Mo、W的某1种的金属材料形成。金属布线TL1、TL2、TL3与检测电极CE相比是低电阻，具有导电性。此外，金属布线TL1、TL2、TL3隔着第4绝缘膜14而与信号线S1、S2、S3对置。即，金属布线TL1、TL2、TL3重叠在信号线S1、S2、S3之上。金属布线TL1、TL2、TL3被第5绝缘膜15覆盖。第1绝缘膜11、第2绝缘膜12、第3绝缘膜13及第6绝缘膜16例如由硅氧化物或硅氮化物等具有透光性的无机类材料形成。第4绝缘膜14及第5绝缘膜15由丙烯酸树脂等具有透光性的树脂材料形成，与由无机类材料形成的其他绝缘膜相比具有较厚的膜厚。第4绝缘膜14为第1有机绝缘膜，第5绝缘膜15为第2有机绝缘膜。例如，第4绝缘膜14是2μm以上3μm以下。第5绝缘膜15是1μm以上2μm以下。第4绝缘膜14形成得比第5绝缘膜15厚。
检测电极CE位于第5绝缘膜15之上。此外，在图6中，检测电极CE隔着第5绝缘膜15而与金属布线TL1、TL2对置。在图6中，检测电极CE的狭缝SPA位于金属布线TL3的正上方。检测电极CE被第6绝缘膜16覆盖。第6绝缘膜16例如由硅氧化物或硅氮化物等具有透光性的无机类材料形成。
像素电极PE1至PE3位于第6绝缘膜16之上，隔着第6绝缘膜16而与检测电极CE对置。像素电极PE1至PE3及检测电极CE例如由ITO(Indium Tin Oxide)或IZO(Indium ZincOxide)等具有透光性的导电材料形成。像素电极PE1至PE3被第1取向膜AL1覆盖。第1取向膜AL1也将第6绝缘膜16覆盖。
对置基板SUB2以玻璃基板或树脂基板等具有透光性的第2绝缘基板20为基体。对置基板SUB2在第2绝缘基板20的与阵列基板SUB1对置的一侧具备遮光层BM、滤色器CFR、CFG、CFB、外覆(overcoat)层OC、第2取向膜AL2等。
如图6所示，遮光层BM位于第2绝缘基板20的与阵列基板SUB1对置的一侧。并且，如图5所示，遮光层BM规定与像素电极PE1至PE3分别对置的开口部AP。遮光层BM由黑色的树脂材料或遮光性的金属材料形成。
滤色器CFR、CFG、CFB分别位于第2绝缘基板20的与阵列基板SUB1对置的一侧，各自的端部与遮光层BM重叠。滤色器CFR与像素电极PE1对置。滤色器CFG与像素电极PE2对置。滤色器CFB与像素电极PE3对置。在一例中，滤色器CFR、CFG、CFB由分别被着色为蓝色、红色、绿色的树脂材料形成。
外覆层OC将滤色器CFR、CFG、CFB覆盖。外覆层OC由具有透光性的树脂材料形成。第2取向膜AL2将外覆层OC覆盖。第1取向膜AL1及第2取向膜AL2例如由呈现水平取向性的材料形成。
此外，遮光层BM也可以形成在滤色器CFR、CFG、CFB的某个与外覆层OC之间，进而，遮光层BM也可以形成在外覆层OC与第2取向膜AL2之间。
如以上说明的那样，对置基板SUB2具备遮光层BM、滤色器CFR、CFG、CFB等。遮光层BM配置在与图4所示的扫描线G1、G2、G3、信号线S1、S2、S3、接触部PA1、PA2、PA3、开关元件TrD1、TrD2、TrD3等的布线部相对置的区域。
在图6中，对置基板SUB2具备3色的滤色器CFR、CFG、CFB，但也可以具备包括与蓝色、红色及绿色不同的其他颜色例如白色、透明、黄色、品红、青色等的滤色器的4色以上的滤色器。此外，这些滤色器CFR、CFG、CFB也可以设置于阵列基板SUB1。
上述的阵列基板SUB1及对置基板SUB2以第1取向膜AL1及第2取向膜AL2面对的方式配置。液晶层LC被封入在第1取向膜AL1与第2取向膜AL2之间。液晶层LC由介电常数各向异性为负的负型液晶材料、或介电常数各向异性为正的正型液晶材料构成。
阵列基板SUB1与背灯单元IL对置，对置基板SUB2位于显示面侧。作为背灯单元IL，能够采用各种形态，关于其详细构造省略说明。
包括第1偏光板PL1的第1光学元件OD1配置在第1绝缘基板10的外表面或与背灯单元IL对置的面。包括第2偏光板PL2的第2光学元件OD2配置在第2绝缘基板20的外表面或观察位置侧的面。第1偏光板PL1的第1偏光轴及第2偏光板PL2的第2偏光轴例如在X－Y平面中处于正交尼科耳(cross-Nicol)的位置关系。另外，第1光学元件OD1及第2光学元件OD2也可以包含相位差板等其他光学功能元件。
例如，在液晶层LC是负型液晶材料的情况下，在液晶层LC没有被施加电压的状态下，液晶分子LM在X－Y平面内在长轴沿着第1方向X的方向上初始取向。另一方面，在对液晶层LC施加了电压的状态下，即在像素电极PE1至PE3与检测电极CE之间形成了电场的开启(ON)时，液晶分子LM受到电场的影响，其取向状态变化。在开启时，入射的直线偏光的偏光状态在穿过液晶层LC时对应于液晶分子LM的取向状态而变化。
接着，对图7所示的开关元件TrD1、TrD2、TrD3的构造更详细地进行说明。另外，以下说明的开关元件TrD1、TrD2、TrD3是顶栅(top-gate)型。开关元件TrD1、TrD2、TrD3也可以是底栅(bottom-gate)型。在图7中，仅图示了在开关元件TrD1、TrD2、TrD3的说明中需要的主要部分，省略了检测电极CE、像素电极PE1至PE3、金属布线TL1至TL3等的图示。
开关元件TrD1、TrD2、TrD3在第1方向X上排列。开关元件TrD1具备半导体层SC1。开关元件TrD2具备半导体层SC2。开关元件TrD3具备半导体层SC3。半导体层SC1至SC3都被形成为大致U字状，与扫描线G2在两处交叉。
在开关元件TrD1中，半导体层SC1具有处于一端侧的第1部分E11及处于另一端侧的第2部分E12。第1部分E11经由接触孔CH11而与信号线S1电连接。第2部分E12经由接触孔CH12而与像素电极PE1(参照图5)电连接。
在扫描线G2中，与半导体层SC1交叉的2个部分分别成为栅极电极WG11及WG12。
在开关元件TrD2中，半导体层SC2具有处于一端侧的第1部分E21及处于另一端侧的第2部分E22。第1部分E21经由接触孔CH21而与信号线S2电连接。第2部分E22经由接触孔CH22而与像素电极PE2(参照图5)电连接。
在扫描线G2中，与半导体层SC2交叉的2个部分分别成为栅极电极WG21及WG22。
在开关元件TrD3中，半导体层SC3具有处于一端侧的第1部分E31及处于另一端侧的第2部分E32。第1部分E31经由接触孔CH31而与信号线S3电连接。第2部分E32经由接触孔CH32而与像素电极PE3(参照图5)电连接。
在扫描线G2中，与半导体层SC3交叉的2个部分分别成为栅极电极WG31及WG32。在扫描线G2所延伸的方向上排列的3个半导体层SC1、SC2、SC3中，在2个半导体层SC1及半导体层SC2分别具备的第2部分E12及第2部分E22排列的直线上存在其他半导体层SC3的第2部分E32。以下，有将多个半导体层SC1、SC2、SC3统称作SC的情况。
接触孔CH22及接触孔CH32是与接触孔CH12相同的结构，所以以下对接触孔CH12进行说明，省略接触孔CH22及接触孔CH32的说明。如图8及图9所示，像素电极PE1的接触部PA1与接触电极RE对置，经由接触孔CH12而与接触电极RE电连接。另外，在图9中表示了比图6所示的第1取向膜AL1靠下的结构。
在图9中，第1绝缘膜11具有硅氮化物的基底膜111和层叠在基底膜111之上的硅氧化物的绝缘膜112。第2绝缘膜12是由TEOS(四乙氧基硅烷(tetraethoxysilane))形成的硅氧化物。
如图8所示，接触孔CH12包括接触孔CH121、接触孔CH122、接触孔CH123及接触孔CH124。图8及图9所示的接触孔CH121、接触孔CH122、接触孔CH123及接触孔CH124在X－Y平面的平面视图中表示底面的大小。
如图9所示，遮光体LS位于第1绝缘基板10与第1绝缘膜11之间。半导体层SC1位于第1绝缘膜11与第2绝缘膜12之间。半导体层SC1例如由多晶硅形成，但也可以由非晶硅或氧化物半导体等形成。
接触电极RE包括第1接触导电层RE1、第2接触导电层RE2及第3接触导电层RE3。第1接触导电层RE1与图7所示的开关元件TrD1的第2部分E12连接。第1接触导电层RE1成为开关元件TrD1的漏极(或源极)。第1接触导电层RE1与信号线S1、S2、S3同时形成，由与信号线S1、S2、S3相同的材料形成。
第2接触导电层RE2与金属布线TL1、TL2、TL3同时形成，由与金属布线TL1、TL2、TL3相同的材料形成。第2接触导电层RE2电连接在第1接触导电层RE1之上。
第3接触导电层RE3与检测电极CE同时形成，由与检测电极CE相同的材料形成。像素电极PE1的接触部PA1与第2接触导电层RE2经由第3接触导电层RE3电连接。
如图9所示，第1绝缘膜11设在第1绝缘基板10之上。第1绝缘膜11将设在第1绝缘基板10之上的遮光体LS覆盖。
半导体层SC1设在第1绝缘膜11之上。第2绝缘膜12设在半导体层SC1之上。栅极电极WG12设在第2绝缘膜之上。第3绝缘膜13设在栅极电极WG12之上，将栅极电极WG12及半导体层SC1覆盖。
如图6所示，信号线S1设在第3绝缘膜13之上。如图7所示，信号线S1与半导体层SC1的第1部分E11连接。图9所示的第1接触导电层RE1设在第3绝缘膜13之上。第1接触导电层RE1经由在第3绝缘膜13中开设的接触孔CH121而与半导体层SC1的第2部分E12连接。
如图6所示，第4绝缘膜14设在信号线S1之上。如图9所示，第2接触导电层RE2设在第4绝缘膜14之上。第2接触导电层RE2经由在第4绝缘膜14中开设的接触孔CH122而与第1接触导电层RE1接触。图8中图示的接触孔CH122的底面的区域是第1接触导电层RE1与第2接触导电层RE2相接的第2接触导电层RE2的接触区域。
如图6所示，金属布线TL1设在第4绝缘膜14之上。第5绝缘膜15将第4绝缘膜14及金属布线TL1之上覆盖。如图9所示，第5绝缘膜15将与第1接触导电层RE1接触的接触区域的第2接触导电层RE2的一部分覆盖，第2接触导电层RE2的其余部分在接触孔CH123或接触孔CH124中露出。第2接触导电层RE2的其余部分被第3接触导电层RE3覆盖。
如图9所示，第3接触导电层RE3设置在第5绝缘膜15之上到第2接触导电层RE2之上。
检测电极CE设在第5绝缘膜15之上。第6绝缘膜16设在检测电极CE及第3接触导电层RE3之上。
像素电极PE1的接触部PA1经由在第6绝缘膜16中开设的接触孔CH124而与第3接触导电层RE3相接。如图8所示，接触孔CH124和接触孔CH123在X－Y平面的平面视图中处于重叠的位置。由此，第2接触导电层RE2和像素电极PE1的接触部PA1被电连接。
第5绝缘膜15将与第1接触导电层RE1接触的接触区域的第2接触导电层RE2中的靠第2方向Y的一部分覆盖，所以接触孔CH124与接触孔CH122相比在第2方向Y上偏移。
角度ψ1是在第4绝缘膜14中开设的接触孔CH122的壁面和与第1绝缘基板10的X－Y平面平行的面所成的角度。角度ψ2是在第5绝缘膜中开设的接触孔CH124的壁面和与上述第1基板的面平行的面所成的角度。
角度ψ2比角度ψ1小。角度ψ2不到60度。例如，角度ψ2是45度以上55度以下。
如图8所示，接触电极RE在X－Y平面的平面视图中不与扫描线G1重叠。由此，能够抑制接触电极RE与扫描线G1之间的寄生电容。
如图4所示，检测电极CE和金属布线TL1、TL2、TL3被用金属布线TL1、TL2、TL3的一部分即宽度扩大部TCE1、TCE2、TCE3的某个电连接。参照图5，宽度扩大部TCE1、TCE2、TCE3配置在与有接触孔CH12、CH22、CH32的接触部PA1、PA2、PA3不排列在一直线上的位置。由此，将在第2方向Y上相邻的主检测电极CEP连接的副检测电极CEA被配置在与金属布线TL2重叠的位置。因此，能够维持第5绝缘膜15的厚度，能够减小副像素SPix的第1方向X的宽度。结果，实施方式1的显示装置PNL被高精细化。
如图6所示，在第1方向X上，金属布线TL1、TL2、TL3的主线ML(参照图4)的宽度是遮光层BM的宽度以下。由此，金属布线TL1、TL2、TL3的主线ML不易被辨识。
如图5所示，宽度扩大部TCE1、TCE2、TCE3在第1方向X上具有比金属布线TL1、TL2、TL3的主线ML的宽度大的宽度。在图5中，遮光层BM具备在第1方向X上延伸的多个第1部分BM1和在第2方向Y上延伸的多个第2部分BM2。遮光层BM在X－Y平面的平面视图中将副像素SPix的开口部AP包围。由此，在X－Y平面的平面视图中，宽度扩大部TCE1、TCE2、TCE3的至少一部分与第2部分BM2重叠，其他部分从第2部分BM2伸出。即，如图5所示，在第1方向X上，宽度扩大部TCE1、TCE2、TCE3的宽度比遮光层BM的第2部分BM2的宽度大。
因此，在实施方式1的显示装置PNL中，如图13所示，通过具有宽度扩大部TCE1、TCE2、TCE3，从而存在具有连接部CT(参照图10至图12)的像素Pix(第1像素)。相对于此，在实施方式1的显示装置PNL中，通过没有宽度扩大部TCE1、TCE2、TCE3，从而存在没有连接部CT的像素Pix(第2像素)。并且，具有连接部CT(参照图10至图12)的像素Pix(第1像素)和没有连接部CT的像素Pix(第2像素)在第1方向X上交替地配置。此外，具有连接部CT的像素Pix和没有连接部CT的像素Pix在第2方向Y上交替地配置。这样，没有宽度扩大部TCE1、TCE2、TCE3的非连接区域PTN以像素Pix为单位每隔1个而存在，所以由宽度扩大部TCE1、TCE2、TCE3的影响而带来的遮光量被降低。
如图13所示，第1连接区域PT1、第2连接区域PT2、第3连接区域PT3、非连接区域PTN被配置于6行6列的像素Pix。在第1连接区域PT1、第2连接区域PT2及第3连接区域PT3，在像素Pix中，在各副像素SPix中具有宽度扩大部TCE1、TCE2、TCE3的某个。
在第1连接区域PT1，宽度扩大部TCE1通过接触孔TH而与检测电极CE电连接。由此，如图10所示，宽度扩大部TCE1作为连接部CT而与检测电极CE连接。在第1连接区域PT1，宽度扩大部TCE2、TCE3与检测电极CE不连接。
在第2连接区域PT2，宽度扩大部TCE2通过接触孔TH而与检测电极CE电连接。由此，如图11所示，宽度扩大部TCE2作为连接部CT而与检测电极CE连接。在第2连接区域PT2，宽度扩大部TCE1、TCE3与检测电极CE不连接。
在第3连接区域PT3，宽度扩大部TCE3通过接触孔TH而与检测电极CE电连接。由此，如图12所示，宽度扩大部TCE3作为连接部CT而与检测电极CE连接。在第3连接区域PT3，宽度扩大部TCE1、TCE2与检测电极CE不连接。
如图13所示，具有宽度扩大部TCE1、TCE2、TCE3的像素Pix(第1像素)包括副像素SPix1、SPix2、SPix3。同样，没有宽度扩大部TCE1、TCE2、TCE3的像素Pix(第2像素)也包括副像素SPix1、SPix2、SPix3。具有宽度扩大部TCE1、TCE2、TCE3的像素Pix(第1像素)夹着没有宽度扩大部TCE1、TCE2、TCE3的像素Pix(第2像素)而在第2方向Y上排列3个。该3个具有宽度扩大部TCE1、TCE2、TCE3的像素Pix(第1像素)中的某1个像素Pix在第1连接区域PT1中副像素SPix1的宽度扩大部TCE1和检测电极CE被用接触孔TH连接。
同样，3个具有宽度扩大部TCE1、TCE2、TCE3的像素Pix(第1像素)中的某1个像素Pix在第2连接区域PT2中副像素SPix2的宽度扩大部TCE2和检测电极CE被用接触孔TH连接。由此，如图11所示，宽度扩大部TCE2作为连接部CT而与检测电极CE连接。进而，3个具有宽度扩大部TCE1、TCE2、TCE3的像素Pix(第1像素)中的某1个像素Pix的副像素SPix3的宽度扩大部TCE3和检测电极CE被用接触孔TH连接。
具有宽度扩大部TCE1、TCE2、TCE3的像素Pix(第1像素)夹着没有宽度扩大部TCE1、TCE2、TCE3的像素Pix(第2像素)而在第1方向X上排列3个。该3个具有宽度扩大部TCE1、TCE2、TCE3的像素Pix(第1像素)中的某1个像素Pix在第1连接区域PT1中副像素SPix1的宽度扩大部TCE1与检测电极CE被用接触孔TH连接。同样，3个具有宽度扩大部TCE1、TCE2、TCE3的像素Pix(第1像素)中的某1个像素Pix在第2连接区域PT2中副像素SPix2的宽度扩大部TCE2与检测电极CE被用接触孔TH连接。进而，3个具有宽度扩大部TCE1、TCE2、TCE3的像素Pix(第1像素)中的某1个像素Pix的副像素SPix3的宽度扩大部TCE3与检测电极CE被用接触孔TH连接。
由此，接触孔TH的位置被均等地分散。结果，由接触孔TH的影响带来的第1取向膜AL1的变形(distortion)不易变得醒目。结果，显示品质不易变差。
在第1连接区域PT1、第2连接区域PT2、第3连接区域PT3的各自中，副像素SPix1、SPix2、SPix3具有宽度扩大部TCE1、TCE2、TCE3。因此，宽度扩大部TCE1、TCE2、TCE3对副像素SPix1、SPix2、SPix3分别带来影响，所以遮光的偏差较少。
图10是图13的X－X’剖面。如图10所示，在接触孔TH中，宽度扩大部TCE1和检测电极CE被电连接。对于连接部CT而言，宽度扩大部TCE1与检测电极CE直接相接。另外，在连接部CT，也可以是，其他导电层介于宽度扩大部TCE1及检测电极CE之间。宽度扩大部TCE2和检测电极CE在图13的X－X’剖面中不被电连接。宽度扩大部TCE3和检测电极CE在图13的X－X’剖面中不被电连接。
图11是图13的XI－XI’剖面。如图11所示，在接触孔TH中，宽度扩大部TCE2和检测电极CE被电连接。对于连接部CT而言，宽度扩大部TCE2与检测电极CE直接相接。另外，在连接部CT，也可以是，其他导电层介于宽度扩大部TCE2及检测电极CE之间。宽度扩大部TCE1和检测电极CE在图13的XI－XI’剖面中不被电连接。宽度扩大部TCE3和检测电极CE在图13的XI－XI’剖面中不被电连接。
图12是图13的XII－XII’剖面。如图12所示，在接触孔TH中，宽度扩大部TCE3和检测电极CE被电连接。对于连接部CT而言，宽度扩大部TCE3与检测电极CE直接相接。另外，在连接部CT，也可以是，其他导电层介于宽度扩大部TCE3及检测电极CE之间。宽度扩大部TCE1和检测电极CE在图13的XII－XII’剖面中不被电连接。宽度扩大部TCE2和检测电极CE在图13的XII－XII’剖面中不被电连接。
如图13所示，在第1连接区域PT1、第2连接区域PT2、第3连接区域PT3的各自中，宽度扩大部TCE1、TCE2、TCE3中的1个与检测电极CE连接，两个不与检测电极CE连接。在6行6列的像素Pix内的第1方向X上，第1连接区域PT1、第2连接区域PT2、第3连接区域PT3分别被配置1个。在6行6列的像素Pix内的第2方向Y上，第1连接区域PT1、第2连接区域PT2、第3连接区域PT3分别被配置1个。
在专利文献1的图7中，记载了说明取向膜不被形成于接触孔的现象的剖面图。如专利文献1的图7那样，如果在气泡存在于接触孔的底部的状态下涂布液态的取向膜材料，则可以想到气泡将取向膜材料截断。有可能接触孔内的取向膜材料与接触孔的周围的取向膜材料重叠而产生取向膜材料的膜厚不均。如果取向膜材料的膜厚不均超过能够由遮光层BM遮光的范围而带来影响，则有可能产生显示装置PNL的显示不均。
因此，实施方式1的显示装置PNL具备阵列基板SUB1、具有滤色器的对置基板SUB2、以及阵列基板SUB1与对置基板SUB2之间的液晶层LC。在阵列基板SUB1的一面，设有在第2方向Y上隔开间隔排列的多个扫描线GL、在第1方向X上隔开间隔排列的多个信号线SL、设在信号线SL之上的作为第1有机绝缘膜的第4绝缘膜14、和设在第4绝缘膜14之上的作为第2有机绝缘膜的第5绝缘膜15。在扫描线GL和信号线SL所包围的区域，分别设有半导体层SC、第1接触导电层RE1、第2接触导电层RE2和作为第1电极的像素电极PE。在半导体层SC的第1部分，电连接着信号线SL，在半导体层SC的第2部分，电连接着第1接触导电层RE1。第2接触导电层RE2经由在第4绝缘膜14中开设的第1接触孔CH122而与第1接触导电层RE1接触。第2接触导电层RE2与第1接触导电层RE1相接触的第2接触导电层RE2的接触区域的至少一部分被第5绝缘膜15覆盖。经由在第5绝缘膜15中开设的第2接触孔CH124，像素电极PE和第2接触导电层RE2电连接。此外，第1接触孔CH122和第2接触孔CH124相互在第2方向Y上错开。
通过该构造，在第5绝缘膜15中开设的第2接触孔CH124的空间体积变小。在第2接触孔CH124的底部，即使被涂布成为第1取向膜AL1的取向膜材料并发生了气泡，气泡向接触孔CH124的外周排出的取向膜材料的量也变小。结果，在接触孔CH124的周围，第1取向膜AL1的膜厚不均变小。并且，取向膜材料的膜厚不均超过能够由遮光层BM遮光的范围而带来影响的可能性变小，显示装置PNL的显示不均被抑制。
此外，角度ψ2比角度ψ1小。由此，与成为第1取向膜AL1的取向膜材料的接触角变小，所以取向膜材料容易被填充到接触孔CH124内。此外，不易发生气泡。结果，显示装置PNL的显示不均被抑制。
实施方式1的显示装置PNL具备设在第5绝缘膜15之上的作为第2电极的检测电极CE、设在检测电极CE之上的作为无机绝缘膜的第6绝缘膜16、和金属布线TL。在第6绝缘膜16之上设有像素电极PE。金属布线TL经由接触孔TH而与检测电极CE电连接，设在第4绝缘膜14之上。金属布线TL被第5绝缘膜15覆盖。金属布线TL如图2所示，在X－Y平面的平面视图中与被电连接的检测电极CE及不被电连接的检测电极CE的双方重叠。第5绝缘膜15由于是有机绝缘膜，所以能够较厚地形成。因此，如图2所示，在金属布线TL中传送的信号不易对没有被连接的检测电极CE带来影响。
金属布线TL与信号线SL重叠。第4绝缘膜14由于是有机绝缘膜，所以能够较厚地形成。因此，如图6所示，在金属布线TL中传送的信号不易对信号线SL带来影响。在信号线SL中传送的信号也不易对金属布线TL带来影响。
金属布线TL由于与信号线SL重叠，所以与信号线SL相比第1方向X的宽度较大。由此，成膜时的对准(alignment)容易进行，金属布线TL的电阻也降低。关于金属布线TL的主线ML，优选的是，第1方向X的宽度为重叠的遮光层BM的宽度以下。由此，金属布线TL不易被辨识到。
金属布线TL在一部分中具有与主线相比第1方向X的宽度较大的宽度扩大部TCE1至TCE3的某个。通过使宽度扩大部TCE1、TCE2、TCE3的宽度足够大，即使增大第5绝缘膜15的厚度，也能够设置接触孔TH而确保宽度扩大部TCE1、TCE2、TCE3的某1个与检测电极CE的接触面积。这样，第5绝缘膜15具有接触孔TH，接触孔TH具有与检测电极CE及宽度扩大部TCE1、TCE2、TCE3的某个连接的连接部CT。结果，能够确保金属布线TL1、TL2、TL3与检测电极CE的第3方向Z的距离，降低与经过检测电极CE的金属布线TL1、TL2、TL3之间的寄生电容。此外，通过使宽度扩大部TCE1的宽度足够大，能够用难以较薄地成膜的树脂材料将第5绝缘膜15成膜。
检测电极CE在第3方向Z上隔着第5绝缘膜15而配置在比金属布线TL靠上方。第5绝缘膜15具有将检测电极CE与宽度扩大部TCE1、TCE2、TCE3的某1个连接的接触孔TH。由于宽度扩大部TCE1、TCE2、TCE3在信号线SL的上方重叠配置，所以由接触孔TH的影响带来的第1取向膜AL1的变形不易影响到像素电极PE1、PE2、PE3。结果，显示品质不易变差。
如图14所示，接触孔TH例如在1个检测电极CE与1个金属布线TL1之间设有多个。由此，连接电阻降低，能够抑制向检测电极CE供给的驱动信号的波形劣化。结果，显示装置PNL的静电量的检测精度提高。
如图5所示，宽度扩大部TCE1、TCE2、TCE3配置在相邻的2个扫描线G1、G2之间。此外，在X－Y平面的平面视图中，宽度扩大部TCE1、TCE2、TCE3不与第1部分BM1重叠。由此，能够使位置与图5所示的像素电极PE1、PE2、PE3的各接触部PA1、PA2、PA3不同。结果，如图14所示，接触孔TH的形成精度变高，检测电极CE与金属布线TL的电连接的可靠性变高。
(实施方式2)
图14是用来说明实施方式2的接触孔的平面图。图15是说明图14的XV－XV’剖面的局部剖面图。图17是用来说明实施方式2的副像素的示意性说明图。另外，对于在实施方式1中说明过的构成要素赋予相同的标记，省略说明。如图14及图15所示，在实施方式2中，接触孔CH123及接触孔CH124的结构与实施方式1不同。
如图15所示，将与第1接触导电层接触的接触区域的第2接触导电层RE2的全部覆盖。第4绝缘膜14之上的第2接触导电层RE2在接触孔CH123或接触孔CH124中露出。
在第5绝缘膜15中开设的接触孔CH123使底部处于第4绝缘膜14之上的第2接触导电层RE2露出。第3接触导电层RE3设置在第5绝缘膜15之上到第2接触导电层RE2之上。
检测电极CE设在第5绝缘膜15之上。第6绝缘膜16设在检测电极CE及第3接触导电层RE3之上。
像素电极PE1的接触部PA1经由在第6绝缘膜16中开设的接触孔CH124而与第3接触导电层RE3相接。
接触孔CH124和接触孔CH123在X－Y平面的平面视图中处于重叠的位置。由此，第2接触导电层RE2和像素电极PE1的接触部PA1被电连接。
由于第5绝缘膜15将与第1接触导电层RE1接触的接触区域的第2接触导电层RE2的全部覆盖，所以接触孔CH124在第2方向Y上从接触孔CH122错开。
角度ψ2比角度ψ1小。角度ψ2小于60度。例如，角度ψ2是45度以上55度以下。
如以上说明的那样，与第1接触导电层接触的接触区域的第2接触导电层RE2的全部被第5绝缘膜15覆盖。在X－Y平面的平面视图中，第1接触孔CH122和第2接触孔CH124不重叠。通过该构造，在第5绝缘膜15中开设的第2接触孔CH124的空间体积变小。即使在第2接触孔CH124的底部涂布成为第1取向膜AL1的取向膜材料并发生了气泡，气泡向接触孔CH124的外周排出的取向膜材料的量也变小。结果，在接触孔CH124的周围，第1取向膜AL1的膜厚不均变小。并且，取向膜材料的膜厚不均超过能够由遮光层BM遮光的范围而带来影响的可能性变小，显示装置PNL的显示不均被抑制。
(实施方式3)
图16是用来说明实施方式3的开关元件的平面图。图17是用来说明实施方式3的副像素的示意性说明图。另外，对于在实施方式1中说明过的构成要素赋予相同的标记，省略说明。在实施方式3中，副像素SPix13的结构与实施方式1不同。
在实施方式3的开关元件TrD3中，半导体层SC3具有处于一端侧的第1部分E31及处于另一端侧的第2部分E32。第1部分E31经由接触孔CH31而与信号线S3电连接。第2部分E32经由接触孔CH32而与接触电极RE电连接。接触电极RE位于信号线S2及S3之间。此外，开关元件TrD3的接触电极RE、以及第1部分E31及第2部分E32都相对于扫描线G2位于扫描线G3侧。
在扫描线G2中，与半导体层SC3交叉的2个部分分别作为栅极电极WG31及WG32发挥功能。遮光体LS位于半导体层SC3中的与栅极电极WG32交叉的部分的正下方。第2部分E32从第2部分E12及第2部分E33排列的位置向夹着扫描线G2而相反的一侧偏移。
这样，在扫描线G2中，与半导体层SC3交叉的2个部分分别成为栅极电极WG31及WG32。在从扫描线G2的延伸方向上排列的3个半导体层SC1、SC2、SC3中的2个半导体层SC1及半导体层SC2分别具备的第2部分E12及第2部分E22排列的直线上错开了的位置，存在其他的半导体SC3的第2部分E32。由此，能够增大副像素SPix13的面积。
并且，接触孔CH12及CH22在沿着第1方向X的同一直线上排列。相对于此，相对于接触孔CH12及CH22，接触孔CH32在与第1方向X交叉的斜向上排列。即，接触孔CH32设在从接触孔CH12及CH22排列的相同直线上错开了的位置。
这里，上述的宽度扩大部TCE1、TCE2、TCE3处于图16所示的接触孔CH11、CH21、CH31的某个的上方，并重叠。结果，接触孔TH的形成精度变高，检测电极CE与金属布线TL的电连接的可靠性变高。
如图17所示，副像素SPix1在第1列中沿着第2方向Y排列。副像素SPix2在作为第1列的下一列的第2列中沿着第2方向Y排列。副像素SPix3和副像素SPix13在作为第2列的下一列的第3列中在第2方向Y上交替地排列。第1列、第2列、第3列在第1方向X上周期性地排列。在副像素SPix1中配置有红色(R)的滤色器。在副像素SPix2中配置有绿色(G)的滤色器。在副像素SPix3中配置有白色或透明(W)的滤色器。在副像素SPix13中配置有蓝色(B)的滤色器。
能够与副像素SPix13的亮度提高对应地，降低背灯单元IL的电流值，减少耗电。此外，确保了可见度较低的蓝色(B)的面积。
以上，说明了优选的实施方式，但本发明并不限定于这样的实施方式。在实施方式中公开的内容只不过是一例，能够在不脱离本发明的主旨的范围内进行各种变更。关于在不脱离本发明的主旨的范围内进行的适当的变更，也当然属于本发明的技术范围。
例如，以上说明的宽度扩大部TCE1、TCE2、TCE3为中继电极、连接部、宽幅部、扩展部、宽度扩大部及台座部的哪个都可以，或者也可以简单地表现为金属布线TL的第1部分等。连接部CT也可以表现为接触部。
金属布线TL也可以是不向检测电极CE供给驱动信号的辅助布线，检测电极CE也可以是整体膜(日语原文：ベタ膜)的电极。
由第1方向X和第2方向Y规定的平面与阵列基板SUB1的面平行，但阵列基板SUB1的面也可以弯曲。在此情况下，显示装置PNL从以最大面积观察的方向来看，规定的方向成为第1方向，与该第1方向交叉的方向成为第2方向。显示装置PNL以最大面积观察的方向只要规定了与第1方向及第2方向正交的第3方向就可以。
标记说明
10 第1绝缘基板
15 第5绝缘膜
16 第6绝缘膜
20 第2绝缘基板
AL1 第1取向膜
AL2 第2取向膜
BE 周边区域
BM 遮光层
CE－G 外缘布线
CE 检测电极
CEA、CEB 副检测电极
CEP 主检测电极
DA 显示区域
G1、G2、G3、GL 扫描线
PE1、PE2、PE3 像素电极
Pix 像素
PNL 显示装置
PT1 第1连接区域
PT2 第2连接区域
PT3 第3连接区域
PTN 非连接区域
S1、S2、S3、SL 信号线
SPix、SPix1、SPix2、SPix3、SPix13 副像素
SUB1 阵列基板
SUB2 对置基板
TCE1、TCE2、TCE3 宽度扩大部
TH 接触孔
TL、TL1、TL2、TL3 金属布线
TrD1、TrD2、TrD3 开关元件
Claims (11)
1.一种显示装置，其特征在于，
具备：
阵列基板；
对置基板，具备滤色器；以及
液晶层，在上述阵列基板与上述对置基板之间；
在上述阵列基板的一个面，设有在第1方向上隔开间隔排列的多个信号线、在第2方向上隔开间隔排列的多个扫描线、设在上述信号线之上的第1有机绝缘膜、以及设在上述第1有机绝缘膜之上的第2有机绝缘膜；
在被上述扫描线和上述信号线包围的区域，分别设有半导体层、第1接触导电层、第2接触导电层、第1电极、设在上述第2有机绝缘膜之上的第2电极和设在上述第2电极之上的无机绝缘膜；
在上述半导体层的第1部分，电连接着上述信号线，在上述半导体层的第2部分，电连接着上述第1接触导电层；
上述第2接触导电层经由在上述第1有机绝缘膜中开设的第1接触孔而与上述第1接触导电层接触；
上述第2接触导电层与上述第1接触导电层相接触的接触区域的至少一部分被上述第2有机绝缘膜覆盖；
经由在上述第2有机绝缘膜中开设的第2接触孔，上述第1电极与上述第2接触导电层电连接；
上述第1接触孔和上述第2接触孔相互在上述第2方向上错开；
在上述无机绝缘膜之上，设有上述第1电极。
2.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
在上述第2有机绝缘膜中开设的上述第1接触孔的壁面和与上述阵列基板的面平行的面所成的角度小于在上述第1有机绝缘膜中开设的上述第2接触孔的壁面和与上述阵列基板的面平行的面所成的角度。
3.如权利要求2所述的显示装置，其特征在于，
上述第2接触孔的壁面和与上述阵列基板的面平行的面所成的角度小于60度。
4.如权利要求3所述的显示装置，其特征在于，
上述第2接触孔的壁面和与上述阵列基板的面平行的面所成的角度是45度以上55度以下。
5.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
还具备设置在上述第2有机绝缘膜之上到上述第2接触导电层之上的第3接触导电层；
上述第1电极经由在上述无机绝缘膜中开设的第3接触孔而与上述第3接触导电层接触。
6.如权利要求1～5中任一项所述的显示装置，其特征在于，
具有与上述第2电极电连接、设在上述第1有机绝缘膜之上的多个金属布线；
上述金属布线被上述第2有机绝缘膜覆盖。
7.如权利要求1～5中任一项所述的显示装置，其特征在于，
多个上述第2电极以矩阵状排列。
8.如权利要求1～5中任一项所述的显示装置，其特征在于，
上述接触区域的一部分被上述第2有机绝缘膜覆盖，在平面视图中，上述第1接触孔的一部分与上述第2接触孔重叠。
9.如权利要求1～5中任一项所述的显示装置，其特征在于，
上述接触区域的全部被上述第2有机绝缘膜覆盖，在平面视图中，上述第1接触孔与上述第2接触孔不重叠。
10.如权利要求1～5中任一项所述的显示装置，其特征在于，
在上述扫描线的延伸方向上排列的3个上述半导体层中的2个上述半导体层分别具备的上述第2部分所排列的直线上，具有其他上述半导体层的上述第2部分。
11.如权利要求1～5中任一项所述的显示装置，其特征在于，
在从在上述扫描线的延伸方向上排列的3个上述半导体层中的2个上述半导体层分别具备的上述第2部分所排列的直线上错开了的位置，具有其他上述半导体层的上述第2部分。
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