TWI742556B - 基板處理裝置，半導體裝置的製造方法及記錄媒體 - Google Patents

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野內英博
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Abstract

本發明的課題是在旋轉型裝置中使被形成於基板的膜特性的均一性提升。 其解決手段為一種對於基板供給處理氣體而處理的基板處理裝置，具有： 處理容器，其係設有複數個處理基板的處理區域； 旋轉台，其係設在處理容器內，在處理容器內以基板外的某點為中心，使被載置的基板旋轉，藉此使依序通過複數的處理區域；及 氣體供給噴嘴，其係對於複數的處理區域之中的至少任一個而設，具有：從處理容器的壁側朝向旋轉台的中心側延伸的往路部、及經由彎曲部來與往路部連通，從旋轉台的中心側朝向處理容器的壁側延伸的復路部。

Description

基板處理裝置，半導體裝置的製造方法及記錄媒體
本案是有關基板處理裝置，半導體裝置的製造方法及程式。
作為處理半導體基板的裝置，有在基板載置台上將複數的基板配置於周方向，使該基板載置台旋轉而供給複數種類的氣體至複數的基板之旋轉型裝置為人所知。又，有在裝載複數的基板的狀態下，使用延伸於基板的裝載方向的原料氣體噴嘴來供給原料氣體至複數的基板的縱型裝置為人所知(例如參照專利文獻1、專利文獻2)。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1] 日本特開2017-34013號公報 [專利文獻2] 日本特開2017-147262號公報
(發明所欲解決的課題)
在旋轉型裝置是例如300mm的基板會被配置於周方向，進行加熱處理。為此，例如使用I字形狀的噴嘴來供給原料氣體時，隨著裝置的高溫化，被供給至基板的原料氣體會在噴嘴內熱分解，在基板的徑方向被形成的膜的特性會不同。
本案是解決上述課題者，以提供一種在旋轉型裝置中使被形成於基板的膜特性的均一性提升的技術為目的。 (用以解決課題的手段)
若根據本案之一形態，則提供一種基板處理裝置之技術，為對於基板供給處理氣體而處理的基板處理裝置，具有： 處理容器，其係設有複數個處理前述基板的處理區域； 旋轉台，其係設在前述處理容器內，在前述處理容器內以前述基板外的某點為中心，使被載置的基板旋轉，藉此使依序通過前述複數的處理區域；及 氣體供給噴嘴，其係對於前述複數的處理區域之中的至少任一個而設，具有：從前述處理容器的壁側朝向前述旋轉台的中心側延伸的往路部、及經由彎曲部來與前述往路部連通，從前述旋轉台的中心側朝向前述處理容器的壁側延伸的復路部。 [發明的效果]
若根據本案，則在旋轉型裝置中可使被形成於基板的膜特性的均一性提升。
＜第1實施形態＞ (1)基板處理裝置的構成 如圖1及圖2所示般，反應器200是具備圓筒狀的氣密容器之處理容器203。處理容器203是例如以不鏽鋼(SUS)或鋁合金等所構成。在處理容器203內是構成有處理基板S的處理室201。處理容器203是連接閘閥205，經由閘閥205來搬出入基板S。
處理室201是具有供給處理氣體的處理區域206與供給淨化氣體的淨化區域207。在此，處理區域206與淨化區域207是交替地被配置成圓周狀。例如，依第1處理區域206a、第1淨化區域207a、第2處理區域206b及第2淨化區域207b的順序配置。如後述般，在第1處理區域206a內是供給原料氣體，在第2處理區域206b內是供給反應氣體，且在第1淨化區域207a及第2淨化區域207b是供給惰性氣體。藉此，按照被供給至各者的區域內的氣體，對於基板S實施預定的處理。
淨化區域207是空間性地切開第1處理區域206a與第2處理區域206b的區域。淨化區域207的頂部208是被構成為比處理區域206的頂部209更低。在第1淨化區域207a是設有頂部208a，在第2淨化區域207b是設有頂部208b。藉由降低各頂部，提高淨化區域207的空間的壓力。藉由供給淨化氣體至此空間，區劃相鄰的處理區域206。另外，淨化氣體是亦具有除去基板S上的多餘的氣體的任務。
在處理容器203的中央，例如在處理容器203的中心具有旋轉軸，設有被構成旋轉自如的旋轉台217。旋轉台217是以無金屬污染影響基板S的方式，例如以石英、碳或SiC等的材料所形成。
旋轉台217是被構成為在處理容器203內，將複數片(例如5片)的基板S予以排列於同一面上且沿著旋轉方向排列於同一圓周上而支撐。在此所謂的「同一面」不是限於完全的同一面，只要是由上面來看旋轉台217時，以複數片的基板S不會互相重疊的方式排列即可。
在旋轉台217表面的基板S的支撐位置是設有凹部217b。與處理的基板S的片數同數的凹部217b會在離旋轉台217的中心一同心圓上的位置彼此等間隔(例如72°的間隔)配置。另外，在圖1中，基於說明的方便起見省略圖示。
各者的凹部217b是例如從旋轉台217的上面看為圓形狀，從側面看為凹形狀。凹部217b的直徑是被構成為比基板S的直徑更稍微大為理想。在此凹部217b的底是設有基板載置面，藉由在凹部內載置基板S，可將基板S載置於基板載置面。在各凹部217b是設有複數個後述的銷219會貫通的貫通孔217a。
處理容器203之中，旋轉台217下方，在與閘閥205相向之處是設有圖3所記載的基板保持機構218。基板保持機構218是具有複數個銷219，在基板S的搬入･搬出時，頂起基板S，支撐基板S的背面。銷219為可延伸的構成，例如可收納於基板保持機構218本體。在移載基板S時，銷219會被延伸，貫通貫通孔217a，且保持基板S。然後，藉由銷219的前端移動至下方，基板S被載置於凹部217b。基板保持機構218是例如固定於處理容器203。基板保持機構218是只要在基板載置時可將銷219***至孔217a的構成即可，亦可固定於後述的內周凸部282或外周凸部283。
旋轉台217是被固定於核心部221。核心部221是被設在旋轉台217的中心，具有固定旋轉台217的任務。由於為支撐旋轉台217的構造，因此使用可耐於重量的金屬。在核心部221的下方是配置有傳動軸222。傳動軸222是支撐核心部221。
傳動軸222的下方是貫通被設在處理容器203的底部的孔223，在處理容器203外，以可氣密的容器204所覆蓋。又，傳動軸222的下端是被連接至旋轉部224。旋轉部224是搭載旋轉軸及馬達等，被構成可依照後述的控制器300的指示來旋轉旋轉台217。亦即，控制器300會以基板S外的某點之核心部221作為中心，藉由旋轉部224使旋轉台217旋轉，使基板S依序按照第1處理區域206a、第1淨化區域207a、第2處理區域206b及第2淨化區域207b的順序通過。
以覆蓋核心部221的方式設置石英罩225。亦即，石英罩225是被設在核心部221與處理室201之間。石英罩225是被構成為隔著空間來覆蓋核心部221。石英罩225是以無金屬污染影響基板S的方式，例如以石英或SiC等的材料所形成。匯集核心部221、傳動軸222、旋轉部224、石英罩225而稱為支撐部。
在旋轉台217的下方是配置有內包作為加熱部的加熱器280之加熱器單元281。加熱器280是加熱載置於旋轉台217的各基板S。加熱器280是按照處理容器203的形狀來構成圓周狀。
加熱器單元281是在處理容器203的底部上，主要以被設於處理容器203的中心側的內周凸部282、被配於比加熱器280更外周側的外周凸部283、及加熱器280所構成。內周凸部282、加熱器280、外周凸部283是被配置成同心圓狀。在內周凸部282與外周凸部283之間是形成空間284。加熱器280是被配置於空間284。內周凸部282、外周凸部283也是被固定於處理容器203者，因此亦可作為處理容器203的一部分思考。
在此是說明成圓周狀的加熱器280，但不限於此，只要可加熱基板S即可，亦可設為複數分割的構造。
在內周凸部282的上部，加熱器280側是形成有凸緣(flange)282a。窗285是被支撐於凸緣282a與外周凸部283的上面。窗285是透過從加熱器280產生的熱的材質，例如以石英所構成。窗285是藉由後述的排氣構造286的上部286a與內周凸部282所夾持而固定。
加熱器280是連接加熱器控制部287。加熱器280是電性連接至後述的控制器300，依照控制器300的指示來控制往加熱器280的電力供給，進行溫度控制。
在處理容器203的底部是設有與空間284連通的惰性氣體供給管275。惰性氣體供給管275是被連接至後述的第2惰性氣體供給部270。從第2惰性氣體供給部270供給的惰性氣體是經由惰性氣體供給管275來供給至空間284。藉由將空間284設為惰性氣體氣氛，防止處理氣體從窗285附近的間隙等侵入。
在外周凸部283的外周面與處理容器203的內周面之間是配置有金屬製的排氣構造286。排氣構造286是具有排氣溝288與排氣緩衝空間289。排氣溝288、排氣緩衝空間289是按照處理容器203的形狀來構成圓周狀。
排氣構造286之中，將不與外周凸部283接觸之處稱為上部286a。如前述般，上部286a是與內周凸部282一起固定窗285。
在本實施形態之類的旋轉型基板處理裝置中，最好將基板S的高度與排氣口形成同高度或使高度接近。假設排氣口的高度低，則恐有在旋轉台217的端部產生氣體的亂流之虞。相對於此，藉由設為同高度或使高度接近，即使在排氣口側的基板邊緣也不會使產生亂流。
在本實施形態中是將排氣構造286的上端設為與旋轉台217同高度。此情況，如圖2般，由於上部286a會產生從窗285超出的部分，因此基於粒子擴散防止的觀點，在該部分設置石英罩290。假設無石英罩290的情況，氣體會接觸於上部286a而上部286a腐蝕，恐有使粒子產生於處理室201內之虞。在石英罩290與上部286a之間是設置空間299。
在排氣構造286的底是設有排氣口291、排氣口292。排氣口291是主要排除被供給至第1處理區域206a的原料氣體、及從其上游供給的淨化氣體。排氣口292是主要排除被供給至處理空間206b的反應氣體、及從其上游供給的淨化氣體。各氣體是經由排氣溝288、排氣緩衝空間289來從排氣口291、排氣口292排氣。
接著，利用圖1及圖4(A)來說明原料氣體供給部240。如圖1記載般，在處理容器203的側方是朝向處理容器203的中心方向延伸的作為氣體供給噴嘴的噴嘴245會被***。噴嘴245是被配置於第1處理區域206a。噴嘴245是連接氣體供給管241的下游端。有關噴嘴245詳細後述。
在氣體供給管241是從上游方向依序設有原料氣體供給源242、流量控制器(流量控制部)的質量流控制器(MFC)243、及開閉閥的閥244。
原料氣體是經由MFC243、閥244、氣體供給管241來從噴嘴245供給至第1處理區域206a內。
在此所謂的「原料氣體」是處理氣體之一，成為薄膜形成時的原料的氣體。原料氣體是例如包含矽(Si)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、鉿(Hf)、鋯(Zr)、釕(Ru)、鎳(Ni)、及鎢(W)、鉬(Mo)的至少任一個，作為構成薄膜的元素。
具體而言，在本實施形態中，原料氣體是例如二氯矽烷(Si2 H2 Cl2 )氣體。原料氣體的原料在常溫下為氣體時，MFC243是氣體用的質量流控制器。
主要藉由氣體供給管241、MFC243、閥244、噴嘴245來構成原料氣體供給部(亦可稱為第1氣體供給系或原料氣體供給部)240。另外，亦可思考將原料氣體供給源242含在原料氣體供給部240中。
接著，利用圖1及圖4(B)來說明反應氣體供給部250。如圖1記載般，在處理容器203的側方是朝向處理容器203的中心方向延伸的噴嘴255會被***。噴嘴255是被配置於第2處理區域206b。
噴嘴255是連接氣體供給管251。在氣體供給管251是從上游方向依序設有反應氣體供給源252、MFC253及閥254。
反應氣體是經由MFC253、閥254、氣體供給管251來從噴嘴255供給至第2處理區域206b內。
在此所謂的「反應氣體」是處理氣體之一，在基板S上與藉由原料氣體所形成的第1層反應的氣體。反應氣體是例如氨(NH3 )氣體、氮(N2 )氣體、氫(H2 )氣體、及氧(O2 )氣體的至少任一個。在此，反應氣體是例如NH3 氣體。
主要藉由氣體供給管251、MFC253、閥254、噴嘴255來構成反應氣體供給部(第2氣體供給部)250。另外，亦可思考將反應氣體供給源252含在反應氣體供給部250。
接著，利用圖1及圖4(C)來說明第1惰性氣體供給部260。如圖1記載般，在處理容器203的側方是朝向處理容器203的中心方向延伸的噴嘴265、噴嘴266會被***。噴嘴265是被***至第1淨化區域207a的噴嘴。噴嘴265是例如被固定於第1淨化區域207a的頂部208a。噴嘴266是被***至第2淨化區域207b的噴嘴。噴嘴266是例如被固定於第2淨化區域207b的頂部208b。
噴嘴265、噴嘴266是連接惰性氣體供給管261的下游端。在惰性氣體供給管261是從上游方向依序設有惰性氣體供給源262、MFC263及閥264。惰性氣體是經由MFC263、閥264、惰性氣體供給管261來從噴嘴265及噴嘴266分別供給至第1淨化區域207a內及第2淨化區域207b內。被供給至第1淨化區域207a內及第2淨化區域207b內的惰性氣體是作為淨化氣體作用。
主要藉由惰性氣體供給管261、MFC263、閥264、噴嘴265、噴嘴266來構成第1惰性氣體供給部。另外，亦可思考將惰性氣體供給源262含在第1惰性氣體供給部中。
接著，利用圖2及圖4(D)來說明第2惰性氣體供給部270。惰性氣體供給管275是連接惰性氣體供給管271的下游端。在惰性氣體供給管271是從上游方向依序設有惰性氣體供給源272、MFC273及閥274。惰性氣體是經由MFC273、閥274、惰性氣體供給管271來從惰性氣體供給管275供給至空間284、容器204。
被供給至容器204的惰性氣體是經由旋轉台217與窗285之間的空間來從排氣溝288排氣。藉由如此的構造，防止原料氣體或反應氣體繞進旋轉台217與窗285之間的空間。
主要藉由惰性氣體供給管271、MFC273、閥274、惰性氣體供給管275來構成第2惰性氣體供給部270。另外，亦可思考將惰性氣體供給源272含在第2惰性氣體供給部270中。
在此，「惰性氣體」是例如氮(N2 )氣體、氦(He)氣體、氖(Ne)氣體、氬(Ar)氣體等的稀有氣體的至少任一個。在此，惰性氣體是例如N2 氣體。
如圖1所示般，在處理容器203是設有排氣口291、排氣口292。排氣口291是被設在第1處理區域206a的旋轉方向下游側。主要將原料氣體與惰性氣體排氣。
以和排氣口291連通的方式，設置排氣部234的一部分之排氣管234a。排氣管234a是經由作為開閉閥的閥234d、作為壓力調整器(壓力調整部)的APC(Auto Pressure Controller)閥234c來連接作為真空排氣裝置的真空泵234b，構成可真空排氣，使處理室201內的壓力成為預定的壓力(真空度)。
匯集排氣管234a、閥234d、APC閥234c而稱為排氣部234。另外，亦可將真空泵234b含在排氣部234中。
又，如圖1、圖2所示般，以和排氣口292連通的方式，設置排氣部235。排氣口292是被設在處理區域206b的旋轉方向下游側。主要將反應氣體與惰性氣體排氣。
以和排氣口292連通的方式，設置排氣部235的一部分之排氣管235a。排氣管235a是經由閥235d、APC閥235c來連接真空泵235b，構成可真空排氣，使處理室201內的壓力成為預定的壓力(真空度)。
匯集排氣管235a、閥235d、APC閥235c而稱為排氣部235。另外，亦可將真空泵235b含在排氣部235中。
其次，利用圖5來說明有關噴嘴245的詳細。噴嘴245是使用原料氣體之一例的矽(Si)系的Si2 H2 Cl2 氣體作為供給至第1處理區域206a的原料氣體供給部的一部分。
噴嘴245是U字形狀，被設在第1處理區域206a。噴嘴245是例如以石英或陶瓷等具有洗滌耐性的材質所構成。噴嘴245是具有：連通至氣體供給管241而連接的往路部245a、從往路部245a彎曲而連通的彎曲部245b、及連通至彎曲部245b的復路部245c。亦即，彎曲部245b是將往路部245a與復路部245c連接成U形狀。並且，往路部245a與復路部245c是被構成為平行地延伸。
在往路部245a，在與旋轉台217上的基板S對向的側形成有圓孔形狀的複數的孔255a。孔255a的孔徑是被構成為從氣流的上游側朝向下游側慢慢地變大。亦即，被構成為隨著接近彎曲部245b，孔255a的孔徑會慢慢地變大。藉由如此地構成，可使被供給至旋轉台217的中心側的分解後的氣體的供給量增大。藉此，形成從旋轉台217的中心側朝向外側分解後的氣體的流動。
在復路部245c，在與旋轉台217上的基板S對向的側形成有圓孔形狀的複數的孔255c。孔255c的孔徑是從氣流的上游側朝向下游側漸漸地變小。亦即，被構成為隨著離開彎曲部245b，孔255c的孔徑慢慢地變小。藉由如此構成，可使被供給至旋轉台217的外側的分解後的氣體的供給量減低。
如圖1所示般，往路部245a是從處理容器203的壁203a側朝向旋轉台217的中心側延伸於徑方向。復路部245c是從旋轉台217的中心側朝向處理容器203的壁203a側延伸於徑方向。換言之，噴嘴245的往路部245a與復路部245c是被構成為對於旋轉台217上的基板S，分別從一端側至另一端側、從另一端側至一端側，延伸於徑方向。藉此，可容易調整膜分布。
又，復路部245c是被構成為從往路部245a經由彎曲部245b來折彎至旋轉台217的旋轉方向R的相反方向側(U-turn)，延伸至往路部245a的旋轉台217的反旋轉方向側。藉此，可拉長第1處理區域206a的原料氣體的停留時間。彎曲部245b是被構成為配置於與被載置於旋轉台217上的基板S的外側對向的位置。亦即，彎曲部245b是被構成為不與被載置於旋轉台217上的基板S對向的位置。由於彎曲部245b是原料氣體的噴射會強力碰撞壁面之處，因此相較於其他的部位，氣體起因之副生成物的附著會變多。若將彎曲部245b配置於與基板S對向的位置，則有副生成物從其開口部落下異物附著至基板S之擔憂。因此，最好彎曲部245b是不配置於與基板S對向的位置。
亦即，被構成為配置於旋轉台217的中心側的孔255a的孔徑會比配置於旋轉台217的外周側的孔255a的孔徑更大。又，被構成為配置於旋轉台217的中心側的孔255c的孔徑會比配置於旋轉台217的外周側的孔255c的孔徑更大。
又，被構成為往路部245a的氣流的下游側的前端會延伸至比旋轉台217上的基板S的緣更外側。又，被構成為孔255a會從基板S的緣的外側至基板S的相反側的緣的外側配置於徑方向。亦即，孔255a是被構成為配置於往路部245a的對向於旋轉台217上的基板S的位置、及比基板S更外側。藉此，可均一地形成膜至基板S的端部。
又，被構成為復路部245c的氣流的下游側的前端會延伸至比旋轉台217上的基板S的緣更外側的排氣溝288。又，被構成為孔255c會從基板S的緣的外側到基板S的相反側的緣的外側為止配置於徑方向。亦即，孔255c是被構成為配置於復路部245c的對向於旋轉台217上的基板S的位置、及比基板S更外側。藉此，可均一地形成膜至基板S的端部。又，復路部245c是被構成為相對於往路部245a平行設置，復路部245c的氣流的下游側的前端會延伸至排氣溝288的附近，該排氣溝288是被連接至將原料氣體排氣的排氣口291。藉此，可縮短被熱分解的原料氣體的基板S上的停留時間，減低對膜厚的影響。亦即，可使被形成於基板S的膜的均一性提升。另外，亦可在復路部245c的氣流的下游側的前端設置開口。藉此，被供給至噴嘴245的原料氣體不會堵塞地被排出。在此，所謂膜的均一性是在基板S面內的膜特性的均一性。膜特性是例如有膜厚、介電常數、絕緣特性、蝕刻耐性、電流洩漏特性等。在本案中，主要記載有關膜厚的均一性，但其他的特性的均一性也可使改善。
又，被形成於往路部245a的孔255a的位置與被形成於復路部245c的孔255c的位置是被設成旋轉台217的半徑方向的位置為相同的位置。藉此，在旋轉台217的徑方向的氣體供給量的調整容易。
又，彎曲部245b的內徑t2 是被構成比往路部245a或復路部245c的內徑t1 更大。藉此，可減少彎曲部245b的原料氣體的壓力損失。
在噴嘴245內，隨著裝置的高溫化，在基板S的半徑方向，原料氣體的熱分解加速，從噴嘴245的氣流的上游側朝向下游側，原料氣體的熱分解進展。亦即，如圖6所示般，流動於噴嘴245的原料氣體的熱分解量是隨著從上游側前進至下游側而慢慢地變多。例如，若將從被形成於噴嘴245的最上游側的孔(往路部245a的最上游側的孔)255a供給的原料氣體的熱分解量設為0，將從被形成於噴嘴245的最下游側的孔(復路部245c的最下游側的孔)255c供給的原料氣體的熱分解量設為10，則被供給至基板S的原料氣體的熱分解量會在徑方向成為5，成為同等。亦即，同等地被熱分解的原料氣體會被供給至基板S，可使在基板S的半徑方向被形成的膜的面內膜厚均一性提升。
反應器200是具有控制各部的動作的控制器300。控制器300是如圖7記載般，至少具有運算部(CPU)301、作為暫時記憶部的RAM302、記憶部303、發送接收訊號部304。控制器300是經由發送接收訊號部304來連接至基板處理裝置10的各構成，按照上位控制器或使用者的指示來從記憶部303叫出程式或處方，按照其內容來控制各構成的動作。另外，控制器300是亦可構成為專用的電腦，或亦可構成為泛用的電腦。例如，準備儲存上述的程式的外部記憶裝置(例如磁帶、軟碟或硬碟等的磁碟、CD或DVD等的光碟、MO等的光磁碟、USB記憶體(USB Flash Drive)或記憶卡等的半導體記憶體)312，利用外部記憶裝置312來將程式安裝於泛用的電腦，藉此可構成本實施形態的控制器300。又，用以供給程式至電腦的手段是不限於經由外部記憶裝置312來供給的情況。例如，亦可使用網際網路或專用線路等的通訊手段，或亦可從上位裝置320經由發送接收訊號部311來接收資訊，不經由外部記憶裝置312來供給程式。又，亦可使用鍵盤或觸控面板等的輸出入裝置313對控制器300進行指示。
另外，記憶部303或外部記憶裝置312是構成為電腦可讀取的記錄媒體。以下，亦將該等總簡稱為記錄媒體。另外，在本說明書中使用稱為記錄媒體時，是有只包含記憶部303單體的情況，只包含外部記憶裝置312單體的情況，或包含其雙方的情況。
CPU301是被構成為從記憶部303讀出控制程式而實行，且按照來自輸出入裝置313的操作指令的輸入等，從記憶部303讀出製程處方。而且，CPU301是被構成為按照讀出的製程處方的內容，控制各零件。
(2)基板處理工程 其次，利用圖8及圖9，說明有關第1實施形態的基板處理工程。圖8是表示本實施形態的基板處理工程的流程圖。圖9是表示本實施形態的成膜工程的流程圖。在以下的說明中，基板處理裝置10的反應器200的構成各部的動作是藉由控制器300來控制。
在此，說明有關使用Si2 H2 Cl2 氣體作為原料氣體，使用NH3 氣體作為反應氣體，在基板S上形成矽氮化(SiN)膜作為薄膜的例子。
說明基板搬入･載置工程S110。在反應器200中，使銷219上昇，而使銷219貫通於旋轉台217的貫通孔217a。其結果，銷219會成為比旋轉台217表面更突出預定的高度部分的狀態。接著，開啟閘閥205，利用未圖示的基板移載機，如圖3般，將基板S載置於銷219上。載置後，使銷219下降，將基板S載置於凹部217b上。
然後，以未載置有基板S的凹部217b會與閘閥205相向的方式，使旋轉台217旋轉。之後，同樣地將基板S載置於凹部217b。重複至基板S被載置於全部的凹部217b為止。
一旦將基板S搬入至凹部217b，則使基板移載機往反應器200外退避，關閉閘閥205而將處理容器203內密閉。
另外，在將基板S搬入至處理室201內時，邊藉由排氣部234、235來將處理室201內排氣，邊從第1惰性氣體供給部260供給作為惰性氣體的N2 氣體至處理室201內為理想。藉此，可抑制粒子(particle)侵入至處理室201內或粒子附著於基板S上。真空泵234b、235b是至少從基板搬入･載置工程(S110)到後述的基板搬出工程(S170)結束為止的期間是設為經常使作動的狀態。
將基板S載置於旋轉台217時，預先對加熱器280供給電力，基板S的表面被控制成為預定的溫度。基板S的溫度是例如室溫以上650℃以下，理想是室溫以上400℃以下。加熱器280是至少從基板搬入･載置工程(S110)到後述的基板搬出工程(S170)結束為止的期間是設為經常使通電的狀態。
同時進行，從第2惰性氣體供給部270供給惰性氣體至處理容器203、加熱器單元281。惰性氣體是至少從基板搬入･載置工程(S110)到後述的基板搬出工程(S170)結束為止的期間供給。
說明旋轉台旋轉開始工程S120。一旦基板S被載置於各凹部217b，則旋轉部224被控制成將旋轉台217旋轉於R方向。藉由使旋轉台217旋轉，基板S會依第1處理區域206a、第1淨化區域207a、第2處理區域206b、第2淨化區域207b的順序移動。
說明氣體供給開始工程S130。一旦加熱基板S而到達所望的溫度，旋轉台217到達所望的旋轉速度，則開啟閥244，對第1處理區域206a內開始Si2 H2 Cl2 氣體的供給。同時進行，開啟閥254，對第2處理區域206b內供給NH3 氣體。
此時，調整MFC243，而使Si2 H2 Cl2 氣體的流量成為預定的流量。另外，Si2 H2 Cl2 氣體的供給流量是例如50sccm以上500sccm以下。
並且，調整MFC253，而使NH3 氣體的流量成為預定的流量。另外，NH3 氣體的供給流量是例如100sccm以上5000sccm以下。
另外，基板搬入･載置工程S110後，繼續藉由排氣部234、235來將處理室201內排氣，且從第1惰性氣體供給部260供給作為淨化氣體的N2 氣體至第1淨化區域207a內及第2淨化區域207b內。並且，藉由適當地調整APC閥234c、APC閥235c的閥開度，將處理室201內的壓力設為預定的壓力。
說明成膜工程S140。在此是說明有關成膜工程S140的基本的流程，詳細後述。在成膜工程S140中，各基板S是在第1處理區域206a形成有含矽層，更在旋轉後的第2處理區域206b，含矽層與NH3 氣體會反應，在基板S上形成SiN膜。使旋轉台217旋轉預定次數，使成為所望的膜厚。
說明氣體供給停止工程S150。使預定次數旋轉之後，關閉閥244，254，停止往第1處理區域206a之Si2 H2 Cl2 氣體的供給、往第2處理區域206b之NH3 氣體的供給。
說明旋轉台旋轉停止工程S160。氣體供給停止工程S150之後，停止旋轉台217的旋轉。
說明基板搬出工程S170。使旋轉台217旋轉，而使基板S移動至與閘閥205對向的位置。然後，與基板搬入時同樣地使基板S支撐於銷219上。支撐後開啟閘閥205，利用未圖示的基板移載機來將基板S往處理容器203外搬出。予以重複處理後的基板S的片數部分，將全部的基板S搬出。搬出後，停止第1惰性氣體供給部260、第2惰性氣體供給部270之惰性氣體的供給。
接著，利用圖9來說明成膜工程S140的詳細。另外，從第1處理區域通過工程S210到第2淨化區域通過工程S240，以被載置於旋轉台217上的複數的基板S內一片的基板S為主進行說明。
如圖9所示般，在成膜工程S140中，藉由旋轉台217的旋轉來使複數的基板S依序通過第1處理區域206a、第1淨化區域207a、第2處理區域206b及第2淨化區域207b。
說明第1處理區域通過工程S210。當基板S通過第1處理區域206a時，Si2 H2 Cl2 氣體會被供給至基板S。此時，由於在第1處理區域206a內無反應氣體，因此Si2 H2 Cl2 氣體是不與反應氣體反應，直接接觸(附著)於基板S的表面。藉此，在基板S的表面形成第1層。
說明第1淨化區域通過工程S220。基板S是在通過第1處理區域206a之後，移動至第1淨化區域207a。當基板S通過第1淨化區域207a時，在第1處理區域206a中無法在基板S上形成牢固的結合的Si2 H2 Cl2 的成分會藉由惰性氣體來從基板S上除去。
說明第2處理區域通過工程S230。基板S是在通過第1淨化區域207a之後移動至第2處理區域206b。當基板S通過第2處理區域206b時，在第2處理區域206b中，第1層會與作為反應氣體的NH3 氣體反應。藉此，在基板S上形成至少含Si及N的第2層。
說明第2淨化區域通過工程S240。基板S是在通過第2處理區域206b之後，移動至第2淨化區域207b。當基板S通過第2淨化區域207b時，在第2處理區域206b中，從基板S上的第2層脱離的HCl或剩餘的H2 氣體等會藉由惰性氣體來從基板S上除去。
如此，對於基板S依序供給互相反應的至少2種的氣體。將以上的第1處理區域通過工程S210、第1淨化區域通過工程S220、第2處理區域通過工程S230及第2淨化區域通過工程S240設為1循環。
說明判定S250。控制器300是判定是否實施了預定次數上述1循環。具體而言，控制器300是計數旋轉台217的旋轉數。
當未預定次數實施上述1循環時(在S250，No的情況)，再使旋轉台217的旋轉繼續，重複具有第1處理區域通過工程S210、第1淨化區域通過工程S220、第2處理區域通過工程S230、第2淨化區域通過工程S240的循環。藉由如此層疊來形成薄膜。
將上述1循環實施預定次數時(在S250，Yes的情況)，結束成膜工程S140。藉由如此預定次數次實施上述1循環，形成層疊的預定膜厚的薄膜。
(3)根據本實施形態的效果 若根據上述的實施形態，則可取得以下所示的1個或複數的效果。
(a)可抑制噴嘴內的原料氣體的熱分解所造成被形成於基板的膜的不均一。亦即，可使被形成於基板的膜的面內膜厚均一性提升。 (b)藉由將復路部245c構成為延伸至往路部245a的旋轉台217的反旋轉方向側，可拉長第1處理區域206a的原料氣體的停留時間。 (c)藉由構成為復路部245c的氣流的下游側的前端會延伸至排氣溝288的附近(該排氣溝288是被連接至將原料氣體排氣的排氣口291)，可縮短被熱分解的原料氣體的基板S上的停留時間，減低對膜厚的影響。亦即，可使被形成於基板S的膜的均一性提升。 (d)藉由將孔255a，255c構成為分別配置於往路部245a、復路部245c的對向於旋轉台217上的基板S的位置、及比基板S更外側，可均一地形成膜至基板S的端部。 (e)藉由將噴嘴的彎曲部245b的內徑t2 設為比往路部245a或復路部245c的內徑t1 更大，可縮小彎曲部245b的原料氣體的壓力損失。
(4)其他的實施形態 噴嘴245的形狀、孔的形狀、孔的大小等是不被限定於上述的第1實施形態所示的形態。例如，以下所示的實施形態般亦可變更。以下，主要記載有關與第1實施形態不同之處。依據以下的實施形態也可取得與上述的第1實施形態所示的形態同樣的效果。
(第2實施形態) 在第2實施形態中，如圖10所示般，取代上述的噴嘴245，使用與噴嘴245形狀不同的噴嘴345。
噴嘴345是V字形狀，具有：連通至氣體供給管241而連接的往路部345a、從往路部345a彎曲而連通的彎曲部345b、及連通至彎曲部345b的復路部345c。亦即，彎曲部345b是連接往路部345a與復路部345c。被構成為旋轉台217的中心會配置於往路部345a的延長線上。並且，往路部345a與復路部345c是被設成V字狀。
往路部345a是被構成為從處理容器203的壁203a側朝向旋轉台217的中心側延伸於徑方向，往路部345a的氣流的下游側的前端會延伸至比旋轉台217上的基板S的緣更外側。
彎曲部345b是被構成為配置於與旋轉台217上的基板S的外側對向的位置。亦即，彎曲部345b是被構成為配置於不與被載置於旋轉台217上的基板S對向的位置。
復路部345c是被構成為從旋轉台217的中心側朝向處理容器203的壁203a側，相對於基板S延伸於徑方向，且復路部345c的氣流的下游側的前端會比旋轉台217上的基板S的緣更外側。延伸至排氣溝288。復路部345c是被構成為延伸至往路部345a的旋轉台217的反旋轉方向側。
如上述般，藉由構成為將往路部345a與復路部345c配置於基板的徑方向，可容易調整膜厚分布。另外，在往路部345a與復路部345c是分別和上述的往路部245a與復路部245c同樣，在與旋轉台217上的基板S對向的側形成有複數的孔255a，255c。
(第3實施形態) 在第3實施形態中，如圖11所示般，取代上述的噴嘴245，使用與噴嘴245形狀不同的噴嘴445。
噴嘴445是具有：連通至氣體供給管241而連接的往路部445a、從往路部445a彎曲而連通的彎曲部445b、及連通至彎曲部445b的復路部445c。亦即，彎曲部445b是連接往路部445a與復路部445c。被構成為旋轉台217的中心會配置於往路部445a的延長線上與復路部445c的延長線上。並且，往路部445a與復路部445c是在彎曲部445b折彎而被設成V字狀。
往路部445a是構成為從處理容器203的壁203a側朝向旋轉台217的中心側延伸於旋轉台的徑方向，往路部445a的氣流的下游側的前端會延伸至旋轉台217上的基板S的緣更外側。
彎曲部445b是被構成為直線狀配置於與旋轉台217上的基板S的外側對向的位置。亦即，彎曲部445b是被構成為配置於不與載置於旋轉台217上的基板S對向的位置。
復路部445c是被構成為從旋轉台217的中心側朝向處理容器203的壁203a側，相對於基板延伸於徑方向，且復路部445c的氣流的下游側的前端會比旋轉台217上的基板S的緣更外側，延伸至排氣溝288。復路部445c是被構成為相對於往路部445a，延伸至旋轉台217的反旋轉方向側。
在往路部445a與復路部445c是分別和上述的往路部245a與復路部245c同樣，在與旋轉台217上的基板S對向的側形成有複數的孔255a，255c。
(第4實施形態)
在第4實施形態中，如圖12所示般，取代上述的噴嘴245，使用與噴嘴245方向不同的噴嘴545。
噴嘴545是U字形狀，具有：連通至氣體供給管241而連接的往路部545a、從往路部545a彎曲而連通的彎曲部545b、及連通至彎曲部545b的復路部545c。彎曲部545b是連接往路部545a與復路部545c。並且，往路部545a 與復路部545c是被設成平行。另外，在往路部545a與復路部545c是分別和上述的往路部245a與復路部245c同樣，在與旋轉台217上的基板S對向的側形成有複數的孔255a，255c。
噴嘴545是被構成為復路部545c會延伸至往路部545a的旋轉台217的旋轉方向R側。又，被構成為復路部545c的氣流的下游側的前端會配置於排氣口291的附近。
在復路部545c中，由於流動有被熱分解的原料氣體，因此有膜厚變厚的傾向。藉由將復路部545c的氣流的下游側的前端配置於排氣口291的附近，可縮短被熱分解的原料氣體的基板S上的停留時間，減低被熱分解的原料氣體對膜厚的影響。
(第5實施形態)
在第5實施形態中，如圖13(A)所示般，使用與上述的噴嘴245不同孔的形狀的噴嘴645。
噴嘴645是具有：連通至氣體供給管241而連接的往路部645a、從往路部645a彎曲而連通的彎曲部645b、及連通至彎曲部645b的復路部645c。彎曲部645b是將往路部645a與復路部645c連接成U字狀。並且，往路部645a與復路部645c是被設成平行。
在往路部645a是在與旋轉台217上的基板S對向的側未形成有孔。
在復路部645c，在與旋轉台217上的基板S對向的側形成有複數的孔655c。孔655c的孔徑是被構成為從氣流的上游側朝向下游側慢慢地變大。亦即，隨著離開彎曲部645b，孔655c的孔徑慢慢地變大。
亦即，被構成為配置於旋轉台217的外周側的孔655c的孔徑會比配置於旋轉台217的中心側的孔655c的孔徑更大。藉此，可增多被熱分解的原料氣體的曝露量。
(第6實施形態) 在第6實施形態中，如圖13(B)所示般，使用與上述的噴嘴245不同孔的形狀的噴嘴745。
噴嘴745是具有：連通至氣體供給管241而連接的往路部745a、從往路部745a彎曲而連通的彎曲部745b、及連通至彎曲部745b的復路部745c。
在往路部745a，在與旋轉台217上的基板S對向的側形成有複數的孔755a。孔755a的孔徑是被構成為從氣流的上游側朝向下游側慢慢地變小。亦即，被構成為隨著接近彎曲部745b，孔755a的孔徑慢慢地變小。亦即，被構成為配置於旋轉台217的外周側的孔755a的孔徑會比配置於旋轉台217的中心側的孔755a的孔徑更大。藉此，可增多未被熱分解的原料氣體的曝露量。
並且，復路部745c是在氣流的下游側的前端形成有開口部755c。亦即，復路部745c是在與旋轉台217上的基板S對向的側未形成有孔，在復路部745c的前端形成有開口部755c。亦即，噴嘴745的前端會被開放。藉此，可將被熱分解的原料氣體排氣。亦即，可將未被熱分解的原料氣體供給至基板S上，將被熱分解的原料氣體排氣。
(第7實施形態) 在第7實施形態中，如圖13(C)所示般，使用與上述的噴嘴245不同孔的形狀的噴嘴845。
噴嘴845是具有：連通至氣體供給管241而連接的往路部845a、從往路部845a彎曲而連通的彎曲部845b、及連通至彎曲部845b的復路部845c。
在往路部845a是在與旋轉台217上的基板S對向的側形成有複數的相同孔徑的孔855a。
在復路部845c，在與旋轉台217上的基板S對向的側形成有複數的孔855c。孔855c的孔徑是被構成為從氣流的上游側朝向下游側慢慢地變小。藉此，可設為不將被熱分解的氣體供給至基板S上。
(第8實施形態) 在第8實施形態中，如圖13(D)所示般，使用與上述的噴嘴245不同孔的形狀的噴嘴945。
噴嘴945是具有：連通至氣體供給管241而連接的往路部945a、從往路部945a彎曲而連通的彎曲部945b、及連通至彎曲部945b的復路部945c。
在往路部945a與復路部945c是分別在與旋轉台217上的基板S對向的側形成有複數的相同孔徑的孔955。
(第9實施形態) 在第9實施形態中，如圖13(E)所示般，使用與上述的噴嘴245不同孔的形狀的噴嘴1045。
噴嘴1045是具有：連通至氣體供給管241而連接的往路部1045a、從往路部1045a彎曲而連通的彎曲部1045b、及連通至彎曲部1045b的復路部1045c。
往路部1045a與復路部1045c是分別在與旋轉台217上的基板S對向的側形成有複數的縫隙形狀的孔1055。被形成於往路部1045a的孔1055的位置與被形成於復路部1045c的孔1055的位置是被設成旋轉台217的半徑方向的位置為相同的位置。另外，亦可在復路部1045c的氣流的下游側的前端部設置開口。
以上，具體說明本案的實施形態，但本案是不被限定於上述的實施形態，可在不脫離其主旨的範圍實施各種變更。
例如，上述的實施形態中，作為被形成於供給原料氣體的噴嘴的孔的形狀，是針對形成圓孔形狀或縫隙形狀的情況進行說明，但不限於此，亦可為長孔形狀等。
又，上述的實施形態中，針對形成於往路部245a的孔255a的位置與形成於復路部245c的孔255c的位置會被設成旋轉台217的半徑方向的位置為相同的位置的情況進行說明，但亦可被構成為形成於往路部245a的孔255a的數量與形成於復路部245c的孔255c的數量不同。又，使用六氯化二矽(Si2 Cl6 )等的容易熱分解的原料氣體時，亦可將被形成於往路部245a的孔255a的孔徑形成從氣流的上游側朝向下游側慢慢地變大，將被形成於復路部245c的孔255c的孔徑形成從氣流的上游側朝向下游側慢慢地變小。又，使用不易熱分解的原料氣體時，亦可擴大被形成於往路部245a的孔255a的孔徑，且將被形成於復路部245c的孔255c的孔徑形成從氣流的上游側朝向下游側慢慢地變小。作為不易熱分解的原料氣體，是例如有四氯化鈦(TiCl4 )氣體。
又，上述的實施形態中，作為供給原料氣體的氣體供給噴嘴，是針對設置1個U字形狀或V字形狀的噴嘴的情況進行說明，但不限於此，亦可設置複數個U字形狀或V字形狀的噴嘴，亦可組合U字形狀或V字形狀的噴嘴與I字形狀的嘴。
又，上述的實施形態中，針對使用Si2 H2 Cl2 氣體作為原料氣體，使用NH3 氣體作為反應氣體，在基板S上形成SiN膜作為氮化膜的情況進行說明，但亦可使用SiH4 ，Si2 H6 、Si3 H8 、矽氮烷、TSA氣體，作為原料氣體。亦可使用O2 氣體作為反應氣體，形成氧化膜。亦可在基板S上形成TaN、TiN等的其他的氮化膜、HfO、ZrO、SiO等的氧化膜、Ru、Ni、W等的金屬膜。另外，形成TiN膜或TiO膜時，例如可使用四氯化鈦(TiCl4 )等，作為原料氣體。
(本案的理想的形態) 以下，附記有關本案的理想的形態。 (附記1) 一種基板處理裝置，係對於基板供給處理氣體而處理的基板處理裝置，其特徵為具有： 處理容器，其係設有複數個處理前述基板的處理區域； 旋轉台，其係設在前述處理容器內，在前述處理容器內以前述基板外的某點為中心，使被載置的基板旋轉，藉此使依序通過前述複數的處理區域；及 氣體供給噴嘴，其係對於前述複數的處理區域之中的至少任一個而設，具有：從前述處理容器的壁側朝向前述旋轉台的中心側延伸的往路部、及經由彎曲部來與前述往路部連通，從前述旋轉台的中心側朝向前述處理容器的壁側延伸的復路部。 (附記2) 如附記1記載的基板處理裝置，其中，前述氣體供給噴嘴，係被構成為前述往路部的氣流的下游側的前端會延伸至比前述基板的緣更外側。 (附記3) 如附記1或附記2記載的基板處理裝置，其中，前述氣體供給噴嘴，係被構成為前述復路部的氣流的下游側的前端會延伸至將處理氣體排氣的排氣溝的附近。 (附記4) 如附記1~附記3中的任一記載的基板處理裝置，前述復路部，係被構成為與前述往路部平行延伸。 (附記5) 如附記1~附記3中的任一記載的基板處理裝置，其中，前述復路部，係被構成為對於基板延伸於徑方向。 (附記6) 如附記1~附記5中的任一記載的基板處理裝置，其中，前述復路部，係被構成為延伸至前述往路部的前述旋轉台的反旋轉方向側。 (附記7) 如附記1~附記5中的任一記載的基板處理裝置，其中，前述復路部，係被構成為延伸至前述往路部的前述旋轉台的旋轉方向側。 (附記8) 如附記1~附記7中的任一記載的基板處理裝置，其中，前述彎曲部，係被設在與被載置於旋轉台上的基板的外側對向的位置。 (附記9) 如附記1~附記8中的任一記載的基板處理裝置，其中，前述彎曲部的內徑，係被構成為比前述往路部的內徑及前述復路部的內徑更大。 (附記10) 如附記1~附記9中的任一記載的基板處理裝置，其中，在前述復路部形成有複數的孔，前述複數的孔，係被構成為比前述旋轉台的中心側更擴大被配置於外周側的孔的大小。 (附記11) 如附記1~附記9中的任一記載的基板處理裝置，其中，在前述往路部形成有複數的孔，前述複數的孔，係被構成為比前述旋轉台的中心側更擴大被配置於外周側的孔的大小。 (附記12) 如附記1~附記9中的任一記載的基板處理裝置，其中，在前述往路部與前述復路部分別形成有複數的孔， 被形成於前述往路部的孔的大小，係被構成為從上游側朝向下游側變大， 被形成於前述復路部的孔的大小，係被構成為從上游側朝向下游側變小。 (附記13) 如附記1~附記9中的任一記載的基板處理裝置，其中，在前述復路部未形成有孔，在前述復路部的前端形成有開口部。 (附記14) 如附記1~附記9中的任一記載的基板處理裝置，其中，在前述往路部未形成有孔，在前述復路部形成有複數的孔。 (附記15) 如附記1~附記14中的任一記載的基板處理裝置，其中，被形成於前述往路部或前述復路部的孔，係被設在對向於基板的位置、及比基板更外側。 (附記16) 如附記1~附記9中的任一記載的基板處理裝置，其中，被形成於前述往路部的孔的位置與被形成於前述復路部的孔的位置，係被設成前述旋轉台的半徑方向的位置為相同的位置。 (附記17) 如附記1~附記16中的任一記載的基板處理裝置，其中，被形成於前述往路部或前述復路部的孔為縫隙形狀、長孔形狀或圓孔形狀。 (附記18) 如附記1~附記9中的任一記載的基板處理裝置，其中，被構成為形成於前述往路部的孔的數量與形成於前述復路部的孔的數量不同。 (附記19) 一種半導體裝置的製造方法，係對於基板供給處理氣體而處理的半導體裝置的製造方法，其特徵為具有： 在設有複數個處理前述基板的處理區域之處理容器內，以前述基板外的某點為中心，使被載置於旋轉台的基板旋轉，藉此使依序通過前述複數的處理區域，從氣體供給噴嘴供給處理氣體的工程，該氣體供給噴嘴係對於前述複數的處理區域之中的至少任一個而設，具有：從前述處理容器的壁側朝向前述旋轉台的中心側延伸的往路部、及經由彎曲部來與前述往路部連通，從前述旋轉台的中心側朝向前述處理容器的壁側延伸的復路部。 (附記20) 一種程式，係使實行於對於基板供給處理氣體而處理的基板處理裝置的程式，其特徵係藉由電腦來使下列程序實行於前述基板處理裝置， 在設有複數個處理前述基板的處理區域之處理容器內，以前述基板外的某點為中心，使被載置於旋轉台的基板旋轉，藉此使依序通過前述複數的處理區域，從氣體供給噴嘴供給處理氣體的程序，該氣體供給噴嘴係對於前述複數的處理區域之中的至少任一個而設，具有：從前述處理容器的壁側朝向前述旋轉台的中心側延伸的往路部、及經由彎曲部來與前述往路部連通，從前述旋轉台的中心側朝向前述處理容器的壁側延伸的復路部。
S:基板 200:反應器 203:處理容器 206a:第1處理區域 206b:第2處理區域 207a:第1淨化區域 207b:第2淨化區域 217:旋轉台 245,255,265,266:噴嘴 288:排氣溝 300:控制器(控制部)
[圖1]是本案的第1實施形態的基板處理裝置所具備的反應器的橫剖面概略圖。 [圖2]是本案的第1實施形態的基板處理裝置所具備的反應器的縱剖面概略圖，圖1所示的反應器的A-A'線剖面圖。 [圖3]是說明本案的第1實施形態的基板支撐機構的說明圖。 [圖4(A)]是說明本案的第1實施形態的原料氣體供給部的說明圖。 [圖4(B)]是說明本案的第1實施形態的反應氣體供給部的說明圖。 [圖4(C)]是說明本案的第1實施形態的第1惰性氣體供給部的說明圖。 [圖4(D)]是說明本案的第1實施形態的第2惰性氣體供給部的說明圖。 [圖5]是說明本案的第1實施形態的噴嘴的說明圖。 [圖6]是說明本案的第1實施形態的流動於噴嘴內的原料氣體的熱分解量的說明圖。 [圖7]是說明本案的第1實施形態的控制器的說明圖。 [圖8]是說明本案的第1實施形態的基板處理工程的流程圖。 [圖9]是說明本案的第1實施形態的基板處理工程的流程圖。 [圖10]是說明本案的第2實施形態的噴嘴的說明圖。 [圖11]是說明本案的第3實施形態的噴嘴的說明圖。 [圖12]是說明本案的第4實施形態的噴嘴的說明圖。 [圖13(A)~圖13(E)]是分別說明本案的第5~第9實施形態的噴嘴的說明圖。
200:反應器
203:處理容器
203a:壁
205:閘閥
206:處理區域
206a:第1處理區域
206b:第2處理區域
207:淨化區域
207a:第1淨化區域
207b:第2淨化區域
217:旋轉台
234,235:排氣部
234a:排氣管
234b:真空泵
234c:APC閥
234d:閥
235a:排氣管
235b:真空泵
235c:APC閥
235d:閥
245,255,265,266:噴嘴
245a:往路部
245b:彎曲部
245c:復路部
288:排氣溝
291,292:排氣口

Claims (19)

  1. 一種基板處理裝置，係對於基板供給處理氣體而處理的基板處理裝置，其特徵為具有：處理容器，其係設有複數個處理前述基板的處理區域；旋轉台，其係設在前述處理容器內，在前述處理容器內以前述基板外的某點為中心，使被載置的基板旋轉，藉此使依序通過前述複數的處理區域；及氣體供給噴嘴，其係對於前述複數的處理區域之中的至少任一個而設，具有：從前述處理容器的壁側朝向前述旋轉台的中心側延伸的往路部、及經由彎曲部來與前述往路部連通，從前述旋轉台的中心側朝向前述處理容器的壁側延伸的復路部，前述復路部，係被構成為延伸至前述往路部的前述旋轉台的旋轉方向側。
  2. 如請求項1之基板處理裝置，其中，前述氣體供給噴嘴，係被構成為前述往路部的氣流的下游側的前端會延伸至比前述基板的緣更外側。
  3. 如請求項1之基板處理裝置，其中，前述氣體供給噴嘴，係被構成為前述復路部的氣流的下游側的前端會延伸至將處理氣體排氣的排氣溝的附近。
  4. 如請求項1之基板處理裝置，其中，前述復路部，係被構成為與前述往路部平行延伸。
  5. 如請求項1之基板處理裝置，其中，前述 復路部，係被構成為延伸於與被載置於前述旋轉台的基板的直徑平行的旋轉台的半徑方向。
  6. 一種基板處理裝置，係對於基板供給處理氣體而處理的基板處理裝置，其特徵為具有：處理容器，其係設有複數個處理前述基板的處理區域；旋轉台，其係設在前述處理容器內，在前述處理容器內以前述基板外的某點為中心，使被載置的基板旋轉，藉此使依序通過前述複數的處理區域；及氣體供給噴嘴，其係對於前述複數的處理區域之中的至少任一個而設，具有：從前述處理容器的壁側朝向前述旋轉台的中心側延伸的往路部、及經由彎曲部來與前述往路部連通，從前述旋轉台的中心側朝向前述處理容器的壁側延伸的復路部，前述復路部，係被構成為延伸至前述往路部的前述旋轉台的反旋轉方向側。
  7. 如請求項1之基板處理裝置，其中，前述彎曲部，係被設在與被載置於旋轉台上的基板的外側對向的位置。
  8. 如請求項1之基板處理裝置，其中，前述彎曲部的內徑，係被構成為比前述往路部的內徑及前述復路部的內徑更大。
  9. 如請求項1之基板處理裝置，其中，在前述復路部形成有複數的孔，前述複數的孔，係被構成為比 前述旋轉台的中心側更擴大被配置於外周側的孔的大小。
  10. 如請求項1之基板處理裝置，其中，在前述往路部形成有複數的孔，前述複數的孔，係被構成為比前述旋轉台的中心側更擴大被配置於外周側的孔的大小。
  11. 如請求項1之基板處理裝置，其中，在前述往路部與前述復路部分別形成有複數的孔，被形成於前述往路部的孔的大小，係被構成為從上游側朝向下游側變大，被形成於前述復路部的孔的大小，係被構成為從上游側朝向下游側變小。
  12. 一種基板處理裝置，係對於基板供給處理氣體而處理的基板處理裝置，其特徵為具有：處理容器，其係設有複數個處理前述基板的處理區域；旋轉台，其係設在前述處理容器內，在前述處理容器內以前述基板外的某點為中心，使被載置的基板旋轉，藉此使依序通過前述複數的處理區域；及氣體供給噴嘴，其係對於前述複數的處理區域之中的至少任一個而設，具有：從前述處理容器的壁側朝向前述旋轉台的中心側延伸的往路部、及經由彎曲部來與前述往路部連通，從前述旋轉台的中心側朝向前述處理容器的壁側延伸的復路部，在前述復路部未形成有孔，在前述復路部的前端形成 有開口部。
  13. 一種基板處理裝置，係對於基板供給處理氣體而處理的基板處理裝置，其特徵為具有：處理容器，其係設有複數個處理前述基板的處理區域；旋轉台，其係設在前述處理容器內，在前述處理容器內以前述基板外的某點為中心，使被載置的基板旋轉，藉此使依序通過前述複數的處理區域；及氣體供給噴嘴，其係對於前述複數的處理區域之中的至少任一個而設，具有：從前述處理容器的壁側朝向前述旋轉台的中心側延伸的往路部、及經由彎曲部來與前述往路部連通，從前述旋轉台的中心側朝向前述處理容器的壁側延伸的復路部，在前述往路部未形成有孔，在前述復路部形成有複數的孔。
  14. 如請求項1之基板處理裝置，其中，被形成於前述往路部或前述復路部的孔，係被設在對向於基板的位置、及比基板更外側。
  15. 一種基板處理裝置，係對於基板供給處理氣體而處理的基板處理裝置，其特徵為具有：處理容器，其係設有複數個處理前述基板的處理區域；旋轉台，其係設在前述處理容器內，在前述處理容器內以前述基板外的某點為中心，使被載置的基板旋轉，藉 此使依序通過前述複數的處理區域；及氣體供給噴嘴，其係對於前述複數的處理區域之中的至少任一個而設，具有：從前述處理容器的壁側朝向前述旋轉台的中心側延伸的往路部、及經由彎曲部來與前述往路部連通，從前述旋轉台的中心側朝向前述處理容器的壁側延伸的復路部，被形成於前述往路部的孔的位置與被形成於前述復路部的孔的位置，係被設成前述旋轉台的半徑方向的位置為相同的位置。
  16. 如請求項1之基板處理裝置，其中，被形成於前述往路部或前述復路部的孔為縫隙形狀、長孔形狀或圓孔形狀。
  17. 如請求項1之基板處理裝置，其中，被構成為形成於前述往路部的孔的數量與形成於前述復路部的孔的數量不同。
  18. 一種半導體裝置的製造方法，其特徵為具有：準備基板的工程；及在設有複數個處理前述基板的處理區域之處理容器內，以前述基板外的某點為中心，使被載置於旋轉台的基板旋轉，藉此使依序通過前述複數的處理區域，從氣體供給噴嘴供給處理氣體的工程，該氣體供給噴嘴係對於前述複數的處理區域之中的至少任一個而設，具有：從前述處理容器的壁側朝向前述旋轉台的中心側延伸的往路部、及 經由彎曲部來與前述往路部連通，從前述旋轉台的中心側朝向前述處理容器的壁側，延伸至前述旋轉台的旋轉方向側的復路部。
  19. 一種記錄媒體，係記錄有藉由電腦來使下列程序實行於基板處理裝置的程式之電腦可讀的記錄媒體，準備基板的程序；及在設有複數個處理前述基板的處理區域之處理容器內，以前述基板外的某點為中心，使被載置於旋轉台的基板旋轉，藉此使依序通過前述複數的處理區域，從氣體供給噴嘴供給處理氣體的程序，該氣體供給噴嘴係對於前述複數的處理區域之中的至少任一個而設，具有：從前述處理容器的壁側朝向前述旋轉台的中心側延伸的往路部、及經由彎曲部來與前述往路部連通，從前述旋轉台的中心側朝向前述處理容器的壁側，延伸至前述旋轉台的旋轉方向側的復路部。
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