JP7037526B2 - 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム - Google Patents
基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム Download PDFInfo
- Publication number
- JP7037526B2 JP7037526B2 JP2019164250A JP2019164250A JP7037526B2 JP 7037526 B2 JP7037526 B2 JP 7037526B2 JP 2019164250 A JP2019164250 A JP 2019164250A JP 2019164250 A JP2019164250 A JP 2019164250A JP 7037526 B2 JP7037526 B2 JP 7037526B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- processing
- substrate
- rotary table
- path portion
- outward path
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/34—Nitrides
- C23C16/345—Silicon nitride
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4408—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber by purging residual gases from the reaction chamber or gas lines
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
- C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
- C23C16/45548—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus having arrangements for gas injection at different locations of the reactor for each ALD half-reaction
- C23C16/45551—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus having arrangements for gas injection at different locations of the reactor for each ALD half-reaction for relative movement of the substrate and the gas injectors or half-reaction reactor compartments
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45578—Elongated nozzles, tubes with holes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
- C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
- C23C16/4584—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally the substrate being rotated
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
- C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
- C23C16/4586—Elements in the interior of the support, e.g. electrodes, heating or cooling devices
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
- H01L21/0217—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon nitride not containing oxygen, e.g. SixNy or SixByNz
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
- H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68771—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by supporting more than one semiconductor substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Description
基板に対して処理ガスを供給して処理する基板処理装置であって、
前記基板を処理する処理領域が複数設けられた処理容器と、
前記処理容器内に設けられ、載置された基板を前記処理容器内において前記基板外のある点を中心として回転させることにより前記複数の処理領域を順次通過させる回転テーブルと、
前記複数の処理領域の内の少なくともいずれかに対して設けられ、前記処理容器の壁側から前記回転テーブルの中心側に向かって延在する往路部と、前記往路部と屈曲部を介して連通し前記回転テーブルの中心側から前記処理容器の壁側に向かって延在する復路部と、を有するガス供給ノズルと、
を有する技術を提供する。
(1)基板処理装置の構成
図1および図2に示されているように、リアクタ200は、円筒状の気密容器である処理容器203を備えている。処理容器203は、例えばステンレス(SUS)やアルミ合金等で構成されている。処理容器203内には、基板Sを処理する処理室201が構成されている。処理容器203にはゲートバルブ205が接続されており、ゲートバルブ205を介して基板Sが搬入出される。
次に、図8および図9を用い、第1の実施形態に係る基板処理工程について説明する。図8は、本実施形態に係る基板処理工程を示すフロー図である。図9は、本実施形態に係る成膜工程を示すフロー図である。以下の説明において、基板処理装置10のリアクタ200の構成各部の動作は、コントローラ300により制御される。
上述の実施形態によれば、以下に示す1つまたは複数の効果が得られる。
(b)復路部245cを、往路部245aの回転テーブル217の反回転方向側に延在するように構成することにより、第1処理領域206aにおける原料ガスの滞在時間を長くすることができる。
(c)復路部245cのガス流の下流側の先端が、原料ガスを排気する排気口291に接続される排気溝288の近傍まで延在するように構成することにより、熱分解された原料ガスの基板S上での滞在時間を短くし、膜厚への影響を低減できる。すなわち、基板Sに形成される膜の均一性を向上させることができる。
(d)孔255a,255cを、それぞれ往路部245a、復路部245cの、回転テーブル217上の基板Sに対向する位置と、基板Sよりも外側に配置されるよう構成することにより、基板Sの端部まで均一に膜を形成することができる。
(e)ノズルの屈曲部245bの内径t2を、往路部245aや復路部245cの内径t1よりも大きくすることにより、屈曲部245bにおける原料ガスの圧力損失を小さくすることができる。
ノズル245の形状、孔の形状、孔の大きさ等は、上述した第1の実施形態に示す態様に限定されない。例えば、以下に示す実施形態のように変更することも可能である。以下では、主に、第1の実施形態と異なる箇所について記載する。以下の実施形態によっても、上述の第1の実施形態に示す態様と同様の効果が得られる。
第2の実施形態では、図10に示すように、上述したノズル245の代わりに、ノズル245と形状の異なるノズル345を用いる。
第3の実施形態では、図11に示すように、上述したノズル245の代わりに、ノズル245と形状の異なるノズル445を用いる。
第4の実施形態では、図12に示すように、上述したノズル245の代わりに、ノズル245と向きの異なるノズル545を用いる。
第5の実施形態では、図13(A)に示すように、上述したノズル245と孔の形状の異なるノズル645を用いる。
第6の実施形態では、図13(B)に示すように、上述したノズル245と孔の形状の異なるノズル745を用いる。
第7の実施形態では、図13(C)に示すように、上述したノズル245と孔の形状の異なるノズル845を用いる。
第8の実施形態では、図13(D)に示すように、上述したノズル245と孔の形状の異なるノズル945を用いる。
第9の実施形態では、図13(E)に示すように、上述したノズル245と孔の形状の異なるノズル1045を用いる。
以下に、本開示の好ましい態様について付記する。
(付記1)
基板に対して処理ガスを供給して処理する基板処理装置であって、
前記基板を処理する処理領域が複数設けられた処理容器と、
前記処理容器内に設けられ、載置された基板を前記処理容器内において前記基板外のある点を中心として回転させることにより前記複数の処理領域を順次通過させる回転テーブルと、
前記複数の処理領域の内の少なくともいずれかに対して設けられ、前記処理容器の壁側から前記回転テーブルの中心側に向かって延在する往路部と、前記往路部と屈曲部を介して連通し前記回転テーブルの中心側から前記処理容器の壁側に向かって延在する復路部と、を有するガス供給ノズルと、
を有する基板処理装置。
(付記2)
付記1に記載の基板処理装置であって、
前記ガス供給ノズルは、前記往路部のガス流の下流側の先端が、前記基板の縁よりも外側まで延在するように構成されている。
(付記3)
付記1又は付記2に記載の基板処理装置であって、
前記ガス供給ノズルは、前記復路部のガス流の下流側の先端が、処理ガスを排気する排気溝の近傍まで延在するように構成されている。
(付記4)
付記1~付記3のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記復路部は、前記往路部と平行に延在するように構成されている。
(付記5)
付記1~付記3のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記復路部は、基板に対して径方向に延在するように構成されている。
(付記6)
付記1~付記5のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記復路部は、前記往路部の、前記回転テーブルの反回転方向側に延在するように構成されている。
(付記7)
付記1~付記5のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記復路部は、前記往路部の、前記回転テーブルの回転方向側に延在するように構成されている。
(付記8)
付記1~付記7のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記屈曲部は、回転テーブル上に載置される基板の外側と対向する位置に設けられる。
(付記9)
付記1~付記8のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記屈曲部の内径は、前記往路部の内径と前記復路部の内径よりも大きくするよう構成されている。
(付記10)
付記1~付記9のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記復路部には、複数の孔が形成され、前記複数の孔は、前記回転テーブルの中心側よりも外周側に配置される孔の大きさを大きくするよう構成されている。
(付記11)
付記1~付記9のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記往路部には、複数の孔が形成され、前記複数の孔は、前記回転テーブルの中心側よりも外周側に配置される孔の大きさを大きくするよう構成されている。
(付記12)
付記1~付記9のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記往路部と前記復路部には、それぞれ複数の孔が形成され、前記往路部に形成される孔の大きさは、上流側から下流側に向けて大きくなるよう構成され、前記復路部に形成される孔の大きさは、上流側から下流側に向けて小さくなるよう構成されている。
(付記13)
付記1~付記9のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記復路部には、孔が形成されておらず、前記復路部の先端に開口部が形成されている。
(付記14)
付記1~付記9のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記往路部には、孔が形成されておらず、前記復路部に複数の孔が形成されている。
(付記15)
付記1~付記14のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記往路部又は前記復路部に形成される孔は、基板に対向する位置と、基板よりも外側に設けられる。
(付記16)
付記1~付記9のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記往路部に形成される孔の位置と、前記復路部に形成される孔の位置は、前記回転テーブルの半径方向の位置が同じ位置に設けられる。
(付記17)
付記1~付記16のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記往路部又は前記復路部に形成される孔は、スリット形状、長孔形状又は丸孔形状である。
(付記18)
付記1~付記9のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記往路部に形成される孔の数と、前記復路部に形成される孔の数が異なるよう構成されている。
(付記19)
基板に対して処理ガスを供給して処理する半導体装置の製造方法であって、
前記基板を処理する処理領域が複数設けられた処理容器内において、回転テーブルに載置された基板を前記基板外のある点を中心として回転させることにより前記複数の処理領域を順次通過させて、前記複数の処理領域の内の少なくともいずれかに対して設けられ、前記処理容器の壁側から前記回転テーブルの中心側に向かって延在する往路部と、前記往路部と屈曲部を介して連通し前記回転テーブルの中心側から前記処理容器の壁側に向かって延在する復路部と、を有するガス供給ノズルから処理ガスを供給する工程
を有する半導体装置の製造方法。
(付記20)
基板に対して処理ガスを供給して処理する基板処理装置に実行させるプログラムあって、
前記基板を処理する処理領域が複数設けられた処理容器内において、回転テーブルに載置された基板を前記基板外のある点を中心として回転させることにより前記複数の処理領域を順次通過させて、前記複数の処理領域の内の少なくともいずれかに対して設けられ、前記処理容器の壁側から前記回転テーブルの中心側に向かって延在する往路部と、前記往路部と屈曲部を介して連通し前記回転テーブルの中心側から前記処理容器の壁側に向かって延在する復路部と、を有するガス供給ノズルから処理ガスを供給する手順
をコンピュータにより前記基板処理装置に実行させるプログラム。
200 リアクタ
203 処理容器
206a 第1処理領域、
206b 第2処理領域、
207a 第1パージ領域
207b 第2パージ領域
217 回転テーブル
245、255、265、266 ノズル
288 排気溝
300 コントローラ(制御部)
Claims (29)
- 基板に対して処理ガスを供給して処理する基板処理装置であって、
前記基板を処理する処理領域が複数設けられた処理容器と、
前記処理容器内に設けられ、載置された基板を前記処理容器内において前記基板外のある点を中心として回転させることにより前記複数の処理領域を順次通過させる回転テーブルと、
前記複数の処理領域の内の少なくともいずれかに対して設けられ、前記処理容器の壁側から前記回転テーブルの中心側に向かって延在する往路部と、前記往路部と屈曲部を介して連通し、前記往路部の、前記回転テーブルの反回転方向側に、前記回転テーブルの中心側から前記処理容器の壁側に向かって延在する復路部と、を有するガス供給ノズルと、
を有する基板処理装置。 - 前記ガス供給ノズルは、前記往路部のガス流の下流側の先端が、前記基板の縁よりも外側まで延在するように構成された請求項1記載の基板処理装置。
- 前記ガス供給ノズルは、前記復路部のガス流の下流側の先端が、処理ガスを排気する排気溝の近傍まで延在するように構成された請求項1又は2記載の基板処理装置。
- 前記復路部は、前記往路部と平行に延在するように構成されている請求項1乃至3のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記復路部は、基板に対して径方向に延在するように構成されている請求項1乃至3のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 基板に対して処理ガスを供給して処理する基板処理装置であって、
前記基板を処理する処理領域が複数設けられた処理容器と、
前記処理容器内に設けられ、載置された基板を前記処理容器内において前記基板外のある点を中心として回転させることにより前記複数の処理領域を順次通過させる回転テーブルと、
前記複数の処理領域の内の少なくともいずれかに対して設けられ、前記処理容器の壁側から前記回転テーブルの中心側に向かって延在する往路部と、前記往路部と屈曲部を介して連通し、前記往路部の、前記回転テーブルの回転方向側に、前記回転テーブルの中心側から前記処理容器の壁側に向かって延在する復路部と、を有するガス供給ノズルと、
を有する基板処理装置。 - 前記屈曲部は、回転テーブル上に載置される基板の外側と対向する位置に設けられる請求項1乃至6のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記屈曲部の内径は、前記往路部の内径と前記復路部の内径よりも大きくするよう構成されている請求項1乃至7のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 基板に対して処理ガスを供給して処理する基板処理装置であって、
前記基板を処理する処理領域が複数設けられた処理容器と、
前記処理容器内に設けられ、載置された基板を前記処理容器内において前記基板外のある点を中心として回転させることにより前記複数の処理領域を順次通過させる回転テーブルと、
前記複数の処理領域の内の少なくともいずれかに対して設けられ、前記処理容器の壁側から前記回転テーブルの中心側に向かって延在する往路部と、前記往路部と屈曲部を介して連通し前記回転テーブルの中心側から前記処理容器の壁側に向かって延在し、複数の孔が形成され、前記複数の孔は、前記回転テーブルの中心側よりも外周側に配置される孔の大きさを大きくするよう構成されている復路部と、を有するガス供給ノズルと、
を有する基板処理装置。 - 基板に対して処理ガスを供給して処理する基板処理装置であって、
前記基板を処理する処理領域が複数設けられた処理容器と、
前記処理容器内に設けられ、載置された基板を前記処理容器内において前記基板外のある点を中心として回転させることにより前記複数の処理領域を順次通過させる回転テーブルと、
前記複数の処理領域の内の少なくともいずれかに対して設けられ、前記処理容器の壁側から前記回転テーブルの中心側に向かって延在し、複数の孔が形成され、前記複数の孔は、前記回転テーブルの中心側よりも外周側に配置される孔の大きさを大きくするよう構成されている往路部と、前記往路部と屈曲部を介して連通し前記回転テーブルの中心側から前記処理容器の壁側に向かって延在する復路部と、を有するガス供給ノズルと、
を有する基板処理装置。 - 基板に対して処理ガスを供給して処理する基板処理装置であって、
前記基板を処理する処理領域が複数設けられた処理容器と、
前記処理容器内に設けられ、載置された基板を前記処理容器内において前記基板外のある点を中心として回転させることにより前記複数の処理領域を順次通過させる回転テーブルと、
前記複数の処理領域の内の少なくともいずれかに対して設けられ、前記処理容器の壁側から前記回転テーブルの中心側に向かって延在し、上流側から下流側に向けて大きくなるよう構成された複数の孔を有する往路部と、前記往路部と屈曲部を介して連通し前記回転テーブルの中心側から前記処理容器の壁側に向かって延在し、上流側から下流側に向けて小さくなるよう構成された複数の孔を有する復路部と、を有するガス供給ノズルと、
を有する基板処理装置。 - 基板に対して処理ガスを供給して処理する基板処理装置であって、
前記基板を処理する処理領域が複数設けられた処理容器と、
前記処理容器内に設けられ、載置された基板を前記処理容器内において前記基板外のある点を中心として回転させることにより前記複数の処理領域を順次通過させる回転テーブルと、
前記複数の処理領域の内の少なくともいずれかに対して設けられ、前記処理容器の壁側から前記回転テーブルの中心側に向かって延在する往路部と、前記往路部と屈曲部を介して連通し前記回転テーブルの中心側から前記処理容器の壁側に向かって延在し、孔が形成されておらず、先端に開口部が形成されている復路部と、を有するガス供給ノズルと、
を有する基板処理装置。 - 前記往路部には、孔が形成されておらず、前記復路部に複数の孔が形成されている請求項1乃至8のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記往路部又は前記復路部に形成される孔は、基板に対向する位置と、基板よりも外側に設けられる請求項1乃至13のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 基板に対して処理ガスを供給して処理する基板処理装置であって、
前記基板を処理する処理領域が複数設けられた処理容器と、
前記処理容器内に設けられ、載置された基板を前記処理容器内において前記基板外のある点を中心として回転させることにより前記複数の処理領域を順次通過させる回転テーブルと、
前記複数の処理領域の内の少なくともいずれかに対して設けられ、前記処理容器の壁側から前記回転テーブルの中心側に向かって延在し、孔が形成される往路部と、前記往路部と屈曲部を介して連通し前記回転テーブルの中心側から前記処理容器の壁側に向かって延在し、前記回転テーブルの半径方向の位置が前記往路部に形成される孔と同じ位置に設けられる孔を有する復路部と、を有するガス供給ノズルと、
を有する基板処理装置。 - 前記往路部又は前記復路部に形成される孔は、スリット形状、長孔形状又は丸孔形状である請求項1乃至15のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記往路部に形成される孔の数と、前記復路部に形成される孔の数が異なるよう構成されている請求項1乃至8のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 基板に対して処理ガスを供給して処理する半導体装置の製造方法であって、
前記基板を処理する処理領域が複数設けられた処理容器内において、回転テーブルに載置された基板を前記基板外のある点を中心として回転させることにより前記複数の処理領域を順次通過させて、前記複数の処理領域の内の少なくともいずれかに対して設けられ、前記処理容器の壁側から前記回転テーブルの中心側に向かって延在する往路部と、前記往路部と屈曲部を介して連通し、前記往路部の、前記回転テーブルの反回転方向側に、前記回転テーブルの中心側から前記処理容器の壁側に向かって延在する復路部と、を有するガス供給ノズルから処理ガスを供給する工程
を有する半導体装置の製造方法。 - 基板に対して処理ガスを供給して処理する半導体装置の製造方法であって、
前記基板を処理する処理領域が複数設けられた処理容器内において、回転テーブルに載置された基板を前記基板外のある点を中心として回転させることにより前記複数の処理領域を順次通過させて、前記複数の処理領域の内の少なくともいずれかに対して設けられ、前記処理容器の壁側から前記回転テーブルの中心側に向かって延在する往路部と、前記往路部と屈曲部を介して連通し、前記往路部の、前記回転テーブルの回転方向側に、前記回転テーブルの中心側から前記処理容器の壁側に向かって延在する復路部と、を有するガス供給ノズルから処理ガスを供給する工程
を有する半導体装置の製造方法。 - 基板に対して処理ガスを供給して処理する半導体装置の製造方法であって、
前記基板を処理する処理領域が複数設けられた処理容器内において、回転テーブルに載置された基板を前記基板外のある点を中心として回転させることにより前記複数の処理領域を順次通過させて、前記複数の処理領域の内の少なくともいずれかに対して設けられ、前記処理容器の壁側から前記回転テーブルの中心側に向かって延在する往路部と、前記往路部と屈曲部を介して連通し前記回転テーブルの中心側から前記処理容器の壁側に向かって延在し、複数の孔が形成され、前記複数の孔は、前記回転テーブルの中心側よりも外周側に配置される孔の大きさを大きくするよう構成されている復路部と、を有するガス供給ノズルから処理ガスを供給する工程
を有する半導体装置の製造方法。 - 基板に対して処理ガスを供給して処理する半導体装置の製造方法であって、
前記基板を処理する処理領域が複数設けられた処理容器内において、回転テーブルに載置された基板を前記基板外のある点を中心として回転させることにより前記複数の処理領域を順次通過させて、前記複数の処理領域の内の少なくともいずれかに対して設けられ、前記処理容器の壁側から前記回転テーブルの中心側に向かって延在し、複数の孔が形成され、前記複数の孔は、前記回転テーブルの中心側よりも外周側に配置される孔の大きさを大きくするよう構成されている往路部と、前記往路部と屈曲部を介して連通し前記回転テーブルの中心側から前記処理容器の壁側に向かって延在する復路部と、を有するガス供給ノズルから処理ガスを供給する工程
を有する半導体装置の製造方法。 - 基板に対して処理ガスを供給して処理する半導体装置の製造方法であって、
前記基板を処理する処理領域が複数設けられた処理容器内において、回転テーブルに載置された基板を前記基板外のある点を中心として回転させることにより前記複数の処理領域を順次通過させて、前記複数の処理領域の内の少なくともいずれかに対して設けられ、前記処理容器の壁側から前記回転テーブルの中心側に向かって延在し、上流側から下流側に向けて大きくなるよう構成された複数の孔を有する往路部と、前記往路部と屈曲部を介して連通し前記回転テーブルの中心側から前記処理容器の壁側に向かって延在し、上流側から下流側に向けて小さくなるよう構成された複数の孔を有する復路部と、を有するガス供給ノズルから処理ガスを供給する工程
を有する半導体装置の製造方法。 - 基板に対して処理ガスを供給して処理する半導体装置の製造方法であって、
前記基板を処理する処理領域が複数設けられた処理容器内において、回転テーブルに載置された基板を前記基板外のある点を中心として回転させることにより前記複数の処理領域を順次通過させて、前記複数の処理領域の内の少なくともいずれかに対して設けられ、前記処理容器の壁側から前記回転テーブルの中心側に向かって延在する往路部と、前記往路部と屈曲部を介して連通し前記回転テーブルの中心側から前記処理容器の壁側に向かって延在し、孔が形成されておらず、先端に開口部が形成されている復路部と、を有するガス供給ノズルから処理ガスを供給する工程
を有する半導体装置の製造方法。 - 基板に対して処理ガスを供給して処理する基板処理装置に実行させるプログラムあって、
前記基板を処理する処理領域が複数設けられた処理容器内において、回転テーブルに載置された基板を前記基板外のある点を中心として回転させることにより前記複数の処理領域を順次通過させて、前記複数の処理領域の内の少なくともいずれかに対して設けられ、前記処理容器の壁側から前記回転テーブルの中心側に向かって延在する往路部と、前記往路部と屈曲部を介して連通し、前記往路部の、前記回転テーブルの反回転方向側に、前記回転テーブルの中心側から前記処理容器の壁側に向かって延在する復路部と、を有するガス供給ノズルから処理ガスを供給する手順
をコンピュータにより前記基板処理装置に実行させるプログラム。 - 基板に対して処理ガスを供給して処理する基板処理装置に実行させるプログラムであって、
前記基板を処理する処理領域が複数設けられた処理容器内において、回転テーブルに載置された基板を前記基板外のある点を中心として回転させることにより前記複数の処理領域を順次通過させて、前記複数の処理領域の内の少なくともいずれかに対して設けられ、前記処理容器の壁側から前記回転テーブルの中心側に向かって延在する往路部と、前記往路部と屈曲部を介して連通し、前記往路部の、前記回転テーブルの回転方向側に、前記回転テーブルの中心側から前記処理容器の壁側に向かって延在する復路部と、を有するガス供給ノズルから処理ガスを供給する手順
をコンピュータにより前記基板処理装置に実行させるプログラム。 - 基板に対して処理ガスを供給して処理する基板処理装置に実行させるプログラムであって、
前記基板を処理する処理領域が複数設けられた処理容器内において、回転テーブルに載置された基板を前記基板外のある点を中心として回転させることにより前記複数の処理領域を順次通過させて、前記複数の処理領域の内の少なくともいずれかに対して設けられ、前記処理容器の壁側から前記回転テーブルの中心側に向かって延在する往路部と、前記往路部と屈曲部を介して連通し前記回転テーブルの中心側から前記処理容器の壁側に向かって延在し、複数の孔が形成され、前記複数の孔は、前記回転テーブルの中心側よりも外周側に配置される孔の大きさを大きくするよう構成されている復路部と、を有するガス供給ノズルから処理ガスを供給する手順
をコンピュータにより前記基板処理装置に実行させるプログラム。 - 基板に対して処理ガスを供給して処理する基板処理装置に実行させるプログラムであって、
前記基板を処理する処理領域が複数設けられた処理容器内において、回転テーブルに載置された基板を前記基板外のある点を中心として回転させることにより前記複数の処理領域を順次通過させて、前記複数の処理領域の内の少なくともいずれかに対して設けられ、前記処理容器の壁側から前記回転テーブルの中心側に向かって延在し、複数の孔が形成され、前記複数の孔は、前記回転テーブルの中心側よりも外周側に配置される孔の大きさを大きくするよう構成されている往路部と、前記往路部と屈曲部を介して連通し前記回転テーブルの中心側から前記処理容器の壁側に向かって延在する復路部と、を有するガス供給ノズルから処理ガスを供給する手順
をコンピュータにより前記基板処理装置に実行させるプログラム。 - 基板に対して処理ガスを供給して処理する基板処理装置に実行させるプログラムであって、
前記基板を処理する処理領域が複数設けられた処理容器内において、回転テーブルに載置された基板を前記基板外のある点を中心として回転させることにより前記複数の処理領域を順次通過させて、前記複数の処理領域の内の少なくともいずれかに対して設けられ、前記処理容器の壁側から前記回転テーブルの中心側に向かって延在し、上流側から下流側に向けて大きくなるよう構成された複数の孔を有する往路部と、前記往路部と屈曲部を介して連通し前記回転テーブルの中心側から前記処理容器の壁側に向かって延在し、上流側から下流側に向けて小さくなるよう構成された複数の孔を有する復路部と、を有するガス供給ノズルから処理ガスを供給する手順
をコンピュータにより前記基板処理装置に実行させるプログラム。 - 基板に対して処理ガスを供給して処理する基板処理装置に実行させるプログラムであって、
前記基板を処理する処理領域が複数設けられた処理容器内において、回転テーブルに載置された基板を前記基板外のある点を中心として回転させることにより前記複数の処理領域を順次通過させて、前記複数の処理領域の内の少なくともいずれかに対して設けられ、前記処理容器の壁側から前記回転テーブルの中心側に向かって延在する往路部と、前記往路部と屈曲部を介して連通し前記回転テーブルの中心側から前記処理容器の壁側に向かって延在し、孔が形成されておらず、先端に開口部が形成されている復路部と、を有するガス供給ノズルから処理ガスを供給する手順
をコンピュータにより前記基板処理装置に実行させるプログラム。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019164250A JP7037526B2 (ja) | 2019-09-10 | 2019-09-10 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム |
KR1020200027542A KR102398615B1 (ko) | 2019-09-10 | 2020-03-05 | 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체 |
US16/812,505 US20210071297A1 (en) | 2019-09-10 | 2020-03-09 | Substrate processing apparatus |
TW109107664A TWI742556B (zh) | 2019-09-10 | 2020-03-09 | 基板處理裝置,半導體裝置的製造方法及記錄媒體 |
CN202010167389.4A CN112563156A (zh) | 2019-09-10 | 2020-03-11 | 基板处理装置、半导体装置的制造方法及存储介质 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019164250A JP7037526B2 (ja) | 2019-09-10 | 2019-09-10 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021044334A JP2021044334A (ja) | 2021-03-18 |
JP7037526B2 true JP7037526B2 (ja) | 2022-03-16 |
Family
ID=74850874
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019164250A Active JP7037526B2 (ja) | 2019-09-10 | 2019-09-10 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20210071297A1 (ja) |
JP (1) | JP7037526B2 (ja) |
KR (1) | KR102398615B1 (ja) |
CN (1) | CN112563156A (ja) |
TW (1) | TWI742556B (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN115932163A (zh) * | 2021-08-10 | 2023-04-07 | 江苏鲁汶仪器股份有限公司 | 一种边缘扫描装置及金属沾污检测设备 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002009065A (ja) | 2000-06-22 | 2002-01-11 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | プラズマcvd装置 |
JP2013503498A (ja) | 2009-08-31 | 2013-01-31 | ウォニック アイピーエス カンパニー リミテッド | ガス噴射装置及びこれを用いた基板処理装置 |
JP2016100396A (ja) | 2014-11-19 | 2016-05-30 | 東京エレクトロン株式会社 | ノズル及びこれを用いた基板処理装置 |
JP2016122778A (ja) | 2014-12-25 | 2016-07-07 | 東京エレクトロン株式会社 | パージ方法 |
JP2017028256A (ja) | 2015-07-17 | 2017-02-02 | 株式会社日立国際電気 | ガス供給ノズル、基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム |
JP2017147262A (ja) | 2016-02-15 | 2017-08-24 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012084598A (ja) * | 2010-10-07 | 2012-04-26 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体 |
JP2014082463A (ja) * | 2012-09-27 | 2014-05-08 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置、蓋体及び半導体装置の製造方法 |
JP6051788B2 (ja) * | 2012-11-05 | 2016-12-27 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ発生装置 |
JP2017034013A (ja) | 2015-07-30 | 2017-02-09 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム |
JP6590735B2 (ja) * | 2016-03-04 | 2019-10-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 混合ガス複数系統供給システム及びこれを用いた基板処理装置 |
JP6809304B2 (ja) * | 2017-03-10 | 2021-01-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
JP6946769B2 (ja) * | 2017-06-15 | 2021-10-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法、成膜装置、及び記憶媒体 |
JP6971887B2 (ja) * | 2018-03-02 | 2021-11-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法及び成膜装置 |
-
2019
- 2019-09-10 JP JP2019164250A patent/JP7037526B2/ja active Active
-
2020
- 2020-03-05 KR KR1020200027542A patent/KR102398615B1/ko active IP Right Grant
- 2020-03-09 US US16/812,505 patent/US20210071297A1/en not_active Abandoned
- 2020-03-09 TW TW109107664A patent/TWI742556B/zh active
- 2020-03-11 CN CN202010167389.4A patent/CN112563156A/zh active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002009065A (ja) | 2000-06-22 | 2002-01-11 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | プラズマcvd装置 |
JP2013503498A (ja) | 2009-08-31 | 2013-01-31 | ウォニック アイピーエス カンパニー リミテッド | ガス噴射装置及びこれを用いた基板処理装置 |
JP2016100396A (ja) | 2014-11-19 | 2016-05-30 | 東京エレクトロン株式会社 | ノズル及びこれを用いた基板処理装置 |
JP2016122778A (ja) | 2014-12-25 | 2016-07-07 | 東京エレクトロン株式会社 | パージ方法 |
JP2017028256A (ja) | 2015-07-17 | 2017-02-02 | 株式会社日立国際電気 | ガス供給ノズル、基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム |
JP2017147262A (ja) | 2016-02-15 | 2017-08-24 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20210030847A (ko) | 2021-03-18 |
TW202111811A (zh) | 2021-03-16 |
TWI742556B (zh) | 2021-10-11 |
KR102398615B1 (ko) | 2022-05-17 |
CN112563156A (zh) | 2021-03-26 |
JP2021044334A (ja) | 2021-03-18 |
US20210071297A1 (en) | 2021-03-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9972500B2 (en) | Method of manufacturing semiconductor device | |
JP6087236B2 (ja) | 成膜方法 | |
KR101846846B1 (ko) | 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체 | |
JP6124477B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理装置および記録媒体 | |
JP5859583B2 (ja) | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 | |
US20130164936A1 (en) | Film deposition method | |
US10685832B1 (en) | Substrate processing apparatus | |
JP6196106B2 (ja) | シリコン酸化膜の製造方法 | |
JP7037526B2 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム | |
US20230073084A1 (en) | Substrate processing apparatus, substrate processing method and non-transitory computer-readable recording medium | |
JP7098677B2 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム | |
US20220093447A1 (en) | Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device and non-transitory computer-readable recording medium | |
CN112689888B (zh) | 半导体装置的制造方法、基板处理装置及存储介质 | |
US11881396B2 (en) | Deposition method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200911 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200911 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20201102 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20210721 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210810 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20211008 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220208 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220304 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7037526 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |