CN112563156A - 基板处理装置、半导体装置的制造方法及存储介质 - Google Patents

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野内英博
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Abstract

本发明提供一种基板处理装置、半导体装置的制造方法及存储介质，使在旋转型装置中形成于基板的膜特性的均匀性提高。作为向基板供给处理气体来进行处理的基板处理装置，具有：处理容器，其设有多个对基板进行处理的处理区域；旋转台，其设置于处理容器内，并使所载置的基板在处理容器内以基板外的某一点为中心进行旋转从而依次通过多个处理区域；以及气体供给喷嘴，其设置于多个处理区域内的至少任一个且具有往路部和复路部，该往路部从处理容器的壁侧朝向旋转台的中心侧延伸，该复路部经由弯曲部与往路部连通并从旋转台的中心侧朝向处理容器的壁侧延伸。

Description

基板处理装置、半导体装置的制造方法及存储介质
技术领域
本公开涉及基板处理装置、半导体装置的制造方法及存储介质。
背景技术
作为对半导体基板进行处理的装置，有一种旋转型装置是将多个基板沿周向配置于基板载置台上，并使该基板载置台旋转而向多个基板供给多种气体。另外，有一种立式装置是以堆积有多个基板的状态利用在基板的堆积方向上延伸的原料气体喷嘴向多个基板供给原料气体(例如参照专利文献1、专利文献2)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2017－34013号公报
专利文献2：日本特开2017－147262号公报
发明内容
发明所要解决的课题
就旋转型装置而言，例如是沿周向配置300mm的基板并进行加热处理。因此，例如在使用I字形状的喷嘴来供给原料气体时，有可能随着装置的温度升高而导致向基板供给的原料气体在喷嘴内发生热分解，导致沿着基板径向形成的膜的特性不同。
本公开是为了解决上述课题而做出的，目的是提供一种使在旋转型装置中形成于基板的膜特性的均匀性提高的技术。
用于解决课题的方案
根据本公开的一个方案，提供如下一种技术，即一种对基板供给处理气体并进行处理的基板处理装置，其具有：
处理容器，其设有多个对所述基板进行处理的处理区域；
旋转台，其设置于所述处理容器内，并使所载置的基板在所述处理容器内以所述基板外的某一点为中心进行旋转从而依次通过多个所述处理区域；以及
气体供给喷嘴，其设置于多个所述处理区域内的至少任一个且具有往路部和复路部，该往路部从所述处理容器的壁侧朝向所述旋转台的中心侧延伸，该复路部经由弯曲部与所述往路部连通并从所述旋转台的中心侧朝向所述处理容器的壁侧延伸。
发明的效果
根据本公开，能够使在旋转型装置中形成于基板的膜特性的均匀性提高。
附图说明
图1是本公开第一实施方式的基板处理装置所具备的反应器的横剖面概要图。
图2是本公开第一实施方式的基板处理装置所具备的反应器的纵剖面概要图，且为沿着图1所示的反应器的A－A'线的剖视图。
图3是对本公开第一实施方式的基板支撑机构进行说明的说明图。
图4的(A)是对本公开第一实施方式的原料气体供给部进行说明的说明图。
图4的(B)是对本公开第一实施方式的反应气体供给部进行说明的说明图。
图4的(C)是对本公开第一实施方式的第一惰性气体供给部进行说明的说明图。
图4的(D)是对本公开第一实施方式的第二惰性气体供给部进行说明的说明图。
图5是对本公开第一实施方式的喷嘴进行说明的说明图。
图6是对本公开第一实施方式的喷嘴内流过的原料气体的热分解量进行说明的说明图。
图7是对本公开第一实施方式的控制器进行说明的说明图。
图8是对本公开第一实施方式的基板处理工序进行说明的流程图。
图9是对本公开第一实施方式的基板处理工序进行说明的流程图。
图10是对本公开第二实施方式的喷嘴进行说明的说明图。
图11是对本公开第三实施方式的喷嘴进行说明的说明图。
图12是对本公开第四实施方式的喷嘴进行说明的说明图。
图13的(A)～(E)分别为对本公开的第五～第九实施方式的喷嘴进行说明的说明图。
图中：
S—基板；200—反应器；203—处理容器；206a—第一处理区域；206b—第二处理区域；207a—第一吹扫区域；207b—第二吹扫区域；217—旋转台；245、255、265、266—喷嘴；288—排气槽；300—控制器(控制部)。
具体实施方式
＜第一实施方式＞
(1)基板处理装置的结构
如图1和图2所示，反应器200具备圆筒状的气密容器即处理容器203。处理容器203例如由不锈钢(SUS)、铝合金等构成。在处理容器203内构成了对基板S进行处理的处理室201。在处理容器203连接有闸阀205而可经过闸阀205将基板S搬入搬出。
处理室201具有：供给处理气体的处理区域206、和供给吹扫气体的吹扫区域207。这里，处理区域206和吹扫区域207呈圆周状交替地配置。例如是按照第一处理区域206a、第一吹扫区域207a、第二处理区域206b、第二吹扫区域207b的顺序来进行配置。如后述那样，向第一处理区域206a内供给原料气体，向第二处理区域206b内供给反应气体，并且向第一吹扫区域207a和第二吹扫区域207b供给惰性气体。由此，可按照各区域内所供给的气体来对基板S实施预定的处理。
吹扫区域207是对第一处理区域206a和第二处理区域206b进行空间的区分的区域。吹扫区域207的顶板208构成为比处理区域206的顶板209低。在第一吹扫区域207a设置顶板208a并在第二吹扫区域207b设置顶板208b。通过使各顶板降低，从而提高吹扫区域207的空间的压力。通过向该空间供给吹扫气体，从而划分了相邻的处理区域206。此外，吹扫气体也具有将基板S上的多余的气体除去的作用。
在处理容器203的中央，例如是在处理容器203的中心具有旋转轴，并设置有构成为可自由旋转的旋转台217。旋转台217例如由石英、碳或SiC等材料形成，以避免对基板S造成金属汚染。
旋转台217构成为，在处理容器203内将多个(例如5个)基板S支撑为在同一面上并且沿着旋转方向排列在同一圆周上。这里所说的“同一面”不限于完全的同一面，只要使得在俯视旋转台217时多个基板S互不重叠地排列即可。
在旋转台217表面的基板S的支撑位置设有凹部217b。个数与进行处理的基板S的个数相同的凹部217b在相对于旋转台217的中心而言的同心圆上的位置彼此等间隔地(例如是72°的间隔)配置。此外，在图1中为了便于说明而省略了图示。
各凹部217b例如从旋转台217的上表面观察呈圆形状且从侧面观察呈凹形状。优选构成为凹部217b的直径比基板S的直径略大。在该凹部217b的底部设有基板载置面，通过将基板S载置于凹部内而能够将基板S载置于基板载置面。在各凹部217b设有多个供后述的销219贯通的贯通孔217a。
在处理容器203中的位于旋转台217下方且与闸阀205相对的部位设有图3所述的基板保持机构218。基板保持机构218具有多个在对基板S进行搬入、搬出时上推基板S并对基板S的背面进行支撑的销219。销219构成为可延伸且能够收纳于例如基板保持机构218主体。在对基板S进行移载时，销219延伸而贯通于贯通孔217a并保持基板S。此后，销219的前端向下方移动而使基板S载置于凹部217b。基板保持机构218例如固定于处理容器203。基板保持机构218只要构成为在进行基板载置时能够使销219***孔217a即可，也可以固定于后述的内周凸部282、外周凸部283。
旋转台217固定于芯部221。芯部221设置于旋转台217的中心而具有使旋转台217固定的作用。由于是对旋转台217进行支撑的结构而采用可承受重量的金属。在芯部221的下方配置有轴杆222。轴杆222对芯部221进行支撑。
轴杆222的下方贯通孔223且在处理容器203外被能够气密的容器204覆盖，所述孔223设置于处理容器203的底部。另外，轴杆222的下端与旋转部224连接。旋转部224构成为能够安装旋转轴、电动机等，并可按照后述的控制器300的指示而使旋转台217旋转。即，控制器300以基板S外的某一点即芯部221为中心通过旋转部224使旋转台217旋转，从而使基板S依次通过第一处理区域206a、第一吹扫区域207a、第二处理区域206b、第二吹扫区域207b。
设置石英罩225将芯部221覆盖。即，石英罩225设置于芯部221和处理室201之间。石英罩225构成为隔着空间覆盖芯部221。石英罩225例如由石英、SiC等材料形成而避免对基板S的金属汚染。将芯部221、轴杆222、旋转部224、石英罩225统称为支撑部。
在旋转台217的下方配置有加热器组件281，该加热器组件281内置有作为加热部的加热器280。加热器280对旋转台217所载置的各基板S进行加热。加热器280按照处理容器203的形状构成为圆周状。
加热器组件281主要地由在处理容器203的底部上设置于处理容器203的中心侧的内周凸部282、相对于加热器280配置于外周侧的外周凸部283、加热器280构成。内周凸部282、加热器280、外周凸部283配置成同心圆状。在内周凸部282与外周凸部283之间形成空间284。加热器280配置于空间284。内周凸部282、外周凸部283固定于处理容器203，因此也可以认为是处理容器203的一部分。
虽然是对圆周状的加热器280进行了说明，但是不限于此，只要能够对基板S进行加热即可，也可以是分割为多个部分的结构。
在内周凸部282的上部，且在加热器280侧形成有凸缘282a。窗部285被凸缘282a和外周凸部283的上表面支撑。窗部285是可使加热器280产生的热透过的材质，例如可由石英构成。窗部285被后述的排气结构286的上部286a和内周凸部282夹持而固定。
加热器280与加热器控制部287连接。加热器280与后述的控制器300电连接，按照控制器300的指示来控制向加热器280的供电，来进行温度控制。
在处理容器203的底部设置有与空间284连通的惰性气体供给管275。惰性气体供给管275与后述的第二惰性气体供给部270连接。从第二惰性气体供给部270供给的惰性气体经由惰性气体供给管275向空间284供给。通过使空间284为惰性气体环境，能够防止处理气体从窗部285附近的间隙等侵入。
在外周凸部283的外周面与处理容器203的内周面之间配置有金属制的排气结构286。排气结构286具有排气槽288和排气缓冲空间289。排气槽288、排气缓冲空间289沿着处理容器203的形状构成为圆周状。
将排气结构286中的不与外周凸部283接触的部位称为上部286a。如上所述，上部286a与内周凸部282一起将窗部285固定。
在本实施方式的这种旋转型基板处理装置中，优选使基板S的高度与排气口的高度相同或者接近。假设排气口的高度较低时，有可能在旋转台217的端部产生气体的紊流。与此相对，通过设定为相同的高度或接近的高度，从而即使在排气口侧的基板边缘也能够避免产生紊流。
在本实施方式中使排气结构286的上端与旋转台217为相同高度。此时，上部286a会如图2所示那样产生从窗部285鼓出的部分，因此在该部分设置石英罩290来防止尘粒扩散。假设在没有石英罩290的情况下，气体与上部286a接触而导致上部286a腐蚀，有可能在处理室201内产生尘粒。在石英罩290与上部286a之间设置空间299。
在排气结构286的底部设有排气口291、排气口292。排气口291主要用于使向第一处理区域206a供给的原料气体、以及从其上游供给的吹扫气体排出。排气口292主要用于使向处理空间206b供给的反应气体、以及从其上游供给的吹扫气体排出。各气体经由排气槽288、排气缓冲空间289从排气口291、排气口292排出。
接下来参照图1和图4的(A)来说明原料气体供给部240。如图1所述，在处理容器203的侧方***有作为气体供给喷嘴的喷嘴245，该喷嘴245朝向处理容器203的中心方向延伸。喷嘴245配置于第一处理区域206a。喷嘴245与气体供给管241的下游端连接。喷嘴245的详情后述。
在气体供给管241从上游方向起依次设有：原料气体供给源242、流量控制器(流量控制部)即质量流控制器(MFC)243、开闭阀即阀门244。
原料气体经由MFC243、阀门244、气体供给管241从喷嘴245向第一处理区域206a内供给。
这里所说的“原料气体”为处理气体之一，且为形成薄膜时的原料气体。原料气体例如包含硅(Si)、钛(Ti)、钽(Ta)、铪(Hf)、锆(Zr)、钌(Ru)、镍(Ni)、钨(W)、钼(Mo)的至少任一个，作为构成薄膜的元素。
具体而言，在本实施方式中，原料气体例如是二氯硅烷(Si2H2Cl2)气体。在原料气体的原料在常温下为气体的情况下，MFC243是气体用的质量流控制器。
主要地由气体供给管241、MFC243、阀门244、喷嘴245构成了原料气体供给部(也称为第一气体供给***、或者原料气体供给部)240。此外，也可以认为原料气体供给源242包含于原料气体供给部240。
接下来参照图1和图4的(B)来说明反应气体供给部250。如图1所述，在处理容器203的侧方***有喷嘴255，该喷嘴255朝向处理容器203的中心方向延伸。喷嘴255配置于第二处理区域206b。
喷嘴255与气体供给管251连接。在气体供给管251从上游方向起依次设有：反应气体供给源252、MFC253、阀门254。
反应气体经由MFC253、阀门254、气体供给管251从喷嘴255向第二处理区域206b内供给。
这里说说的“反应气体”为处理气体之一，且为与由原料气体形成于基板S上的第一层发生反应的气体。反应气体例如为氨气(NH3)、氮气(N2)、氢气(H2)、氧气(O2)的至少任一个。这里，反应气体例如是NH3气体。
主要地由气体供给管251、MFC253、阀门254、喷嘴255构成了反应气体供给部(第二气体供给部)250。此外，也可以认为反应气体供给源252包含于反应气体供给部250。
接下来参照图1和图4的(C)来说明第一惰性气体供给部260。如图1所述，在处理容器203的侧方***有朝向处理容器203的中心方向延伸的喷嘴265、喷嘴266。喷嘴265是***第一吹扫区域207a的喷嘴。喷嘴265例如固定于第一吹扫区域207a的顶板208a。喷嘴266是***第二吹扫区域207b的喷嘴。喷嘴266例如固定于第二吹扫区域207b的顶板208b。
喷嘴265、喷嘴266与惰性气体供给管261的下游端连接。在惰性气体供给管261从上游方向起依次设有惰性气体供给源262、MFC263、阀门264。惰性气体从喷嘴265和喷嘴266经由MFC263、阀门264、惰性气体供给管261分别向第一吹扫区域207a内和第二吹扫区域207b内供给。向第一吹扫区域207a内和第二吹扫区域207b内供给的惰性气体作为吹扫气体发挥作用。
主要地由惰性气体供给管261、MFC263、阀门264、喷嘴265、喷嘴266构成了第一惰性气体供给部。此外，也可以认为惰性气体供给源262包含于第一惰性气体供给部。
接下来参照图2和图4的(D)来说明第二惰性气体供给部270。惰性气体供给管275与惰性气体供给管271的下游端连接。在惰性气体供给管271从上游方向起依次设有惰性气体供给源272、MFC273、阀门274。惰性气体从惰性气体供给管275经由MFC273、阀门274、惰性气体供给管271向空间284、容器204供给。
向容器204供给的惰性气体经由旋转台217与窗部285之间的空间从排气槽288排出。采用这种结构能够防止原料气体、反应气体绕入旋转台217与窗部285之间的空间。
主要地由惰性气体供给管271、MFC273、阀门274、惰性气体供给管275构成了第二惰性气体供给部270。此外，也可以认为惰性气体供给源272包含于第二惰性气体供给部270。
这里的“惰性气体”例如是氮气(N2)、氦气(He)、氖气(Ne)、氩气(Ar)等稀有气体的至少任一个。这里，惰性气体例如是N2气体。
如图1所示，在处理容器203设有排气口291、排气口292。排气口291设置于第一处理区域206a的旋转方向下游侧。主要地是对原料气体和惰性气体进行排气。
排气部234的一部即排气管234a设置为与排气口291连通。排气管234a经由作为开闭阀的阀门234d、作为压力调整器(压力调整部)的APC(Auto Pressure Controller：自动压力控制器)阀门234c，与作为真空排气装置的真空泵234b连接，且构成为能够进行真空排气以使得处理室201内的压力达到预定的压力(真空度)。
将排气管234a、阀门234d、APC阀门234c统称为排气部234。此外，也可以将真空泵234b包含于排气部234。
并且，如图1、图2所示，排气部235设置为与排气口292连通。排气口292设置在处理区域206b的旋转方向下游侧。主要是将反应气体和惰性气体排出。
排气部235的一部分即排气管235a设置为与排气口292连通。排气管235a经由阀门235d、APC阀门235c与真空泵235b连接，且构成为能够进行真空排气以使得处理室201内的压力达到预定的压力(真空度)。
将排气管235a、阀门235d、APC阀门235c统称为排气部235。此外，也可以将真空泵235b包含于排气部235。
接下来参照图5来详细说明喷嘴245。喷嘴245被用作将原料气体的一例即硅(Si)类的Si2H2Cl2气体向第一处理区域206a供给的原料气体供给部的一部分。
喷嘴245为U字形状且设置于第一处理区域206a。喷嘴245例如是由石英、陶瓷等具有清洁耐性的材质构成。喷嘴245具有：与气体供给管241连通地连接的往路部245a、从往路部245a弯曲地连通的弯曲部245b、与弯曲部245b连通的复路部245c。即，弯曲部245b将往路部245a与复路部245c呈U型状连接。并且，往路部245a与复路部245c构成为平行地延伸。
在往路部245a，在与旋转台217上的基板S相对的一侧形成有圆孔形状的多个孔255a。孔255a的孔径构成为从气流的上游侧朝向下游侧逐渐变大。即构成为，随着接近弯曲部245b，孔255a的孔径逐渐变大。采用这样的结构，能够使分解的气体向旋转台217的中心侧供给的供给量增大。由此，可形成分解的气体从旋转台217的中心侧朝向外侧的流动。
在复路部245c，在与旋转台217上的基板S相对的一侧形成有圆孔形状的多个孔255c。孔255c的孔径构成为从气流的上游侧朝向下游侧逐渐变小。即构成为，随着远离弯曲部245b，孔255c的孔径逐渐变小。采用这样的结构，能够使分解的气体向旋转台217的外侧供给的供给量减少。
如图1所示，往路部245a从处理容器203的壁203a侧朝向旋转台217的中心侧在径向上延伸。复路部245c从旋转台217的中心侧朝向处理容器203的壁203a侧在径向上延伸。换言之，喷嘴245的往路部245a和复路部245c构成为相对于旋转台217上的基板S而言分别从一端侧向另一端侧、从另一端侧向一端侧在径向上延伸。由此，能够容易地调整膜分布。
并且，复路部245c从往路部245a起经由弯曲部245b向旋转台217的旋转方向R的相反方向侧折曲(U型弯折)，并构成为在往路部245a的旋转台217的反转方向侧延伸。由此，能够延长原料气体在第一处理区域206a的滞留时间。弯曲部245b构成为配置在与旋转台217上所载置的基板S的外侧相对的位置。即，弯曲部245b构成为配置在不与旋转台217上所载置的基板S相对的位置。弯曲部245b是原料气体的喷射强烈地冲击壁面的部位，因此与其它部位相比会更多地附着大量由气体产生的副产物。将弯曲部245b配置在与基板S相对的位置，有可能导致从其开口部落下的副产物的所引起的基板S上的异物附着。因此，优选弯曲部245b配置在不与基板S相对的位置。
即构成为，配置于旋转台217的中心侧的孔255a的孔径比配置于旋转台217的外周侧的孔255a的孔径大。并且构成为，配置于旋转台217的中心侧的孔255c的孔径比配置于旋转台217的外周侧的孔255c的孔径大。
并且构成为，往路部245a的气流的下游侧的前端相对于旋转台217上的基板S的边缘延伸至外侧。并且构成为，孔255a从基板S的边缘的外侧到基板S的相反侧的边缘的外侧配置于径向。即构成为，孔255a配置在往路部245a的与旋转台217上的基板S相对的位置和比基板S靠外侧的位置。由此，能够使膜均匀地形成至基板S的端部。
并且构成为，复路部245c的气流的下游侧的前端相对于旋转台217上的基板S的边缘延伸至外侧的排气槽288。并且构成为，孔255c从基板S的边缘的外侧到基板S的相反侧的边缘的外侧配置于径向。即，孔255c配置在复路部245c的与旋转台217上的基板S相对的位置和比基板S靠外侧的位置。由此，能够使膜均匀地形成至基板S的端部。并且构成为，复路部245c相对于往路部245a平行地设置，复路部245c的气流的下游侧的前端延伸至与使原料气体排出的排气口291连接的排气槽288的附近。由此，能够缩短热分解的原料气体在基板S上的滞留时间并减小对膜厚的影响。即，能够使形成于基板S的膜的均匀性提高。此外，也可以在复路部245c的气流的下游侧的前端设置开口。由此，可使向喷嘴245供给的原料气体通畅地排出。这里所说的膜的均匀性是指基板S面内的膜特性的均匀性。作为膜特性，例如是膜厚、介电率、绝缘特性、蚀刻耐性、电流泄漏特性等。虽然在本公开中主要是记述了膜厚的均匀性，但是也能够改善其他特性的均匀性。
并且，形成于往路部245a的孔255a的位置、和形成于复路部245c的孔255c的位置设置于旋转台217的径向的位置相同的位置。由此，使得容易调整旋转台217的径向上的气体供给量。
并且构成为，弯曲部245b的内径t2比往路部245a、复路部245c的内径t1大。由此，能够减小弯曲部245b的原料气体的压力损失。
在喷嘴245内，随着装置的温度升高而会在基板S的径向上加速原料气体的热分解，并从喷嘴245的气流的上游侧朝向下游侧促进原料气体的热分解。即，如图6所示，在喷嘴245内流通的原料气体的热分解量随着从上游侧趋向下游侧而逐渐增多。例如，将从形成于喷嘴245的最上游侧的孔(往路部245a的最上游侧的孔)255a供给的原料气体的热分解量设为0、并将从形成于喷嘴245的最下游侧的孔(复路部245c的最下游侧的孔)255c供给的原料气体的热分解量设为10，则向基板S供给的原料气体的热分解量在径向上同等程度地为5。即，能够将同等程度地热分解的原料气体向基板S供给，提高在基板S的径向上形成的膜的面内膜厚均匀性。
反应器200具有对各部的动作进行控制的控制器300。如图7所示，控制器300至少具有：运算部(CPU)301、作为暂时存储部的RAM302、存储部303、收发部304。控制器300经由收发部304与基板处理装置10的各结构连接并按照上位控制器、使用者的指示从存储部303调用程序、处方并根据其内容来控制各结构的动作。此外，控制器300可以由专用的计算机构成，也可以由通用的计算机构成。例如，准备存储有上述程序的外部存储装置(例如：磁带、软盘、硬盘等磁盘、CD、DVD等光盘、MO等光磁盘、USB存储器(USB Flash Drive：闪存)、存储器卡等半导体存储器)312，并使用外部存储装置312向通用的计算机安装程序，从而能够构成本实施方式的控制器300。并且，向计算机供给程序的方式不限于经由外部存储装置312进行供给的情况。例如，也可以使用互联网、专用线路等通信方式，也可以从上位装置320经由收发部311接收信息，也可以不经由外部存储装置312来供给程序。并且，也可以使用键盘、触控面板等输入输出装置313对控制器300进行指示。
此外，存储部303、外部存储装置312由计算机可读取的存储介质构成。以下也将它们简单地统称为存储介质。此外，在本说明书中存储介质这个用语的含义包括：仅指存储部303单体、仅指外部存储装置312单体、或者是指这两方。
CPU301从存储部303读取控制程序并执行，并且构成为按照从输入输出装置313输入的操作指令等从存储部303读取制程处方。并且构成为，CPU301按照读取的制程处方的内容来控制各部件。
(2)基板处理工序
接下来，参照图8和图9来说明第一实施方式的基板处理工序。图8是表示本实施方式的基板处理工序的流程图。图9是表示本实施方式的成膜工序的流程图。在以下的说明中，基板处理装置10的反应器200的各部分结构的动作由控制器300进行控制。
这里对使用Si2H2Cl2气体作为原料气体并使用NH3气体作为反应气体在基板S上形成硅氮化(SiN)膜作为薄膜的例子进行说明。
下面对基板搬入/载置工序S110进行说明。在反应器200中使销219上升而使销219贯通旋转台217的贯通孔217a。其结果是，销219处于比旋转台217表面突出了预定的高度量的状态。接下来打开闸阀205并使用未图示的基板移栽机如图3所示那样将基板S载置于销219上。在进行了载置之后，使销219下降并将基板S载置于凹部217b上。
并且，使旋转台217旋转而使得未载置基板S的凹部217b与闸阀205相对。此后，同样地将基板S载置于凹部217b。并重复进行到在全部的凹部217b载置有基板S为止。
在将基板S搬入凹部217b之后，使基板移栽机退避到反应器200之外，关闭闸阀205而使得处理容器203内密闭。
此外，在将基板S搬入处理室201内时，优选利用排气部234、235对处理室201内进行排气，并且从第一惰性气体供给部260向处理室201内供给作为惰性气体的N2气体。由此，能够抑制尘粒向处理室201内的侵入、基板S上的尘粒附着。真空泵234b、235b至少在从基板搬入/载置工序(S110)起到后述的基板搬出工序(S170)结束为止的期间处于持续工作的状态。
在将基板S载置于旋转台217时，预先向加热器280供电并将基板S的表面控制为预定的温度。基板S的温度例如为室温以上且650℃以下，并优选为室温以上且400℃以下。加热器280至少在从基板搬入/载置工序(S110)起到后述的基板搬出工序(S170)结束为止的期间处于持续通电的状态。
与此并行地，从第二惰性气体供给部270向处理容器203、加热器组件281供给惰性气体。惰性气体至少在从基板搬入/载置工序(S110)起到后述的基板搬出工序(S170)结束为止的期间进行供给。
下面对旋转台旋转开始工序S120进行说明。在将基板S载置于各凹部217b之后，将旋转部224控制为使旋转台217向R方向旋转。通过使旋转台217旋转，从而使基板S按照第一处理区域206a、第一吹扫区域207a、第二处理区域206b、第二吹扫区域207b的顺序移动。
下面对气体供给开始工序S130进行说明。在对基板S进行加热并达到目标温度且旋转台217达到目标旋转速度之后，打开阀门244开始向第一处理区域206a内供给Si2H2Cl2气体。与此并行地，打开阀门254向第二处理区域206b内供给NH3气体。
此时，对MFC243进行调整以使得Si2H2Cl2气体的流量成为预定的流量。此外，Si2H2Cl2气体的供给流量例如为50sccm以上且500sccm以下。
并且，对MFC253进行调整以使得NH3气体的流量成为预定的流量。此外，NH3气体的供给流量例如为100sccm以上且5000sccm以下。
此外，在基板搬入/载置工序S110之后，利用排气部234、235对处理室201内进行排气，并且从第一惰性气体供给部260向第一吹扫区域207a内和第二吹扫区域207b内供给作为吹扫气体的N2气体。并且，适当地调整APC阀门234c、APC阀门235c的阀开度，从而使处理室201内的压力成为预定的压力。
下面对成膜工序S140进行说明。这里对成膜工序S140的基本流程进行说明且详情后述。在成膜工序S140中，各基板S在第一处理区域206a形成含硅层，进而在旋转后的第二处理区域206b含硅层与NH3气体发生反应，在基板S上形成SiN膜。并使旋转台217旋转预定次数以达到所需的膜厚。
下面对气体供给停止工序S150进行说明。在旋转了预定次数之后，关闭阀门244、254而停止Si2H2Cl2气体向第一处理区域206a的供给、NH3气体向第二处理区域206b的供给。
下面对旋转台旋转停止工序S160进行说明。在气体供给停止工序S150之后停止旋转台217的旋转。
下面对基板搬出工序S170进行说明。使旋转台217旋转而使基板S移动到与闸阀205相对的位置。之后，与基板搬入时同样地使基板S支撑于销219上。在进行了支撑后打开闸阀205，利用未图示的基板移栽机将基板S搬出到处理容器203之外。重复地对多个基板S进行处理之后将全部的基板S搬出。并在搬出之后停止第一惰性气体供给部260、第二惰性气体供给部270的惰性气体供给。
接下来参照图9对成膜工序S140详细地进行说明。此外，主要地是对在从第一处理区域通过工序S210起到第二吹扫区域通过工序S240之间载置于旋转台217上的多个基板S中的一个基板S进行说明。
如图9所示，在成膜工序S140中通过旋转台217的旋转使多个基板S依次通过第一处理区域206a、第一吹扫区域207a、第二处理区域206b、第二吹扫区域207b。
下面对第一处理区域通过工序S210进行说明。在基板S通过第一处理区域206a时，向基板S供给Si2H2Cl2气体。此时，在第一处理区域206a内没有反应气体，因此Si2H2Cl2气体不会与反应气体发生反应，而是直接地与基板S的表面接触(附着)。由此，可在基板S的表面形成第一层。
下面对第一吹扫区域通过工序S220进行说明。基板S在通过了第一处理区域206a之后向第一吹扫区域207a移动。当基板S通过第一吹扫区域207a时，在第一处理区域206a中未能在基板S上形成牢固的结合的Si2H2Cl2的成分被惰性气体从基板S上除去。
下面对第二处理区域通过工序S230进行说明。基板S在通过了第一吹扫区域207a之后向第二处理区域206b移动。当基板S通过第二处理区域206b时，在第二处理区域206b中第一层与作为反应气体的NH3气体发生反应。由此，可在基板S上形成至少含Si、N的第二层。
下面对第二吹扫区域通过工序S240进行说明。基板S在通过了第二处理区域206b之后向第二吹扫区域207b移动。当基板S通过第二吹扫区域207b时，在第二处理区域206b中从基板S上的第二层脱离的HCl、过剩的H2气体等被惰性气体从基板S上除去。
通过这样，依次向基板S供给彼此发生反应的至少两种气体。将以上的第一处理区域通过工序S210、第一吹扫区域通过工序S220、第二处理区域通过工序S230、第二吹扫区域通过工序S240作为一个循环。
下面对判定S250进行说明。控制器300判定上述一个循环是否执行了预定次数。具体而言，是控制器300对旋转台217的旋转数进行计数。
当上述一个循环未执行预定次数时(在S250中为“否”时)进一步持续进行旋转台217的旋转，重复进行具有第一处理区域通过工序S210、第一吹扫区域通过工序S220、第二处理区域通过工序S230、第二吹扫区域通过工序S240的循环。通过这样进行层叠而形成薄膜。
当上述一个循环执行了预定次数时(在S250中为“是”时)则结束成膜工序S140。这样，通过使上述一个循环执行预定次数，从而形成层叠的预定膜厚的薄膜。
(3)本实施方式的效果
根据上述的实施方式，可得以下所示的一个或多个效果。
(a)能够抑制由于喷嘴内的原料气体的热分解而引起的形成于基板的膜的不均匀。即，能够提高形成于基板的膜的面内膜厚均匀性。
(b)通过使复路部245c构成为在往路部245a的旋转台217的反转方向侧延伸，从而能够延长原料气体在第一处理区域206a的滞留时间。
(c)由于构成为复路部245c的气流的下游侧的前端延伸至与使原料气体排出的排气口291连接的排气槽288的附近，从而能够缩短热分解的原料气体在基板S上的滞留时间并减小对膜厚的影响。即，能够使形成于基板S的膜的均匀性提高。
(d)由于构成为使孔255a、255c分别配置在往路部245a、复路部245c的与旋转台217上的基板S相对的位置和比基板S靠外侧的位置，从而能够使膜均匀地形成到直至基板S的端部。
(e)通过将喷嘴的弯曲部245b的内径t2设为比往路部245a、复路部245c的内径t1大，从而能够减小弯曲部245b的原料气体的压力损失。
(4)其它实施方式
喷嘴245的形状、孔的形状、孔的大小等不限于上述第一实施方式所示的方式。例如也可以按照以下所示的实施方式进行变更。以下主要对异于第一实施方式的部位进行记述。采用以下的实施方式也可获得与上述第一实施方式所示方式同样的效果。
(第二实施方式)
在第二实施方式中如图10所示那样取代上述的喷嘴245而采用形状与喷嘴245不同的喷嘴345。
喷嘴345呈V字形状且具有：与气体供给管241连通地连接的往路部345a、从往路部345a弯曲地连通的弯曲部345b、与弯曲部345b连通的复路部345c。即，弯曲部345b将往路部345a和复路部345c连接。构成为在往路部345a的延长线上配置旋转台217的中心。并且，往路部345a和复路部345c设置成V字状。
往路部345a从处理容器203的壁203a侧朝向旋转台217的中心侧延伸于径向，且构成为往路部345a的气流的下游侧的前端延伸至比旋转台217上的基板S的边缘靠外侧。
弯曲部345b构成为配置在与旋转台217上的基板S的外侧相对的位置。即构成为，弯曲部345b配置在不与旋转台217上载置的基板S相对的位置。
复路部345c从旋转台217的中心侧朝向处理容器203的壁203a侧相对于基板S延伸于径向，且构成为复路部345c的气流的下游侧的前端延伸至比旋转台217上的基板S的边缘靠外侧即排气槽288。复路部345c构成为在往路部345a的旋转台217的反转方向侧延伸。
如上所述构成为，将往路部345a和复路部345c配置于基板的径向，从而能够容易地对膜厚分布进行调整。此外，在往路部345a和复路部345c分别与上述的往路部245a和复路部245c同样地在与旋转台217上的基板S相对的一侧形成有多个孔255a、255c。
(第三实施方式)
在第三实施方式中如图11所示那样取代上述的喷嘴245而采用形状与喷嘴245不同的喷嘴445。
喷嘴445具有：与气体供给管241连通地连接的往路部445a、从往路部445a弯曲地连通的弯曲部445b、与弯曲部445b连通的复路部445c。即，弯曲部445b将往路部445a与复路部445c连接。构成为在往路部445a的延长线上和复路部445c的延长线上配置旋转台217的中心。并且，往路部445a和复路部445c在弯曲部445b设置为折曲地呈V字状。
往路部445a从处理容器203的壁203a侧朝向旋转台217的中心侧延伸于旋转台的径向，且构成为往路部445a的气流的下游侧的前端延伸至比旋转台217上的基板S的边缘靠外侧。
弯曲部445b构成为直线状且配置在与旋转台217上的基板S的外侧相对的位置。即构成为，弯曲部445b配置在不与旋转台217上载置的基板S相对的位置。
复路部445c从旋转台217的中心侧朝向处理容器203的壁203a侧相对于基板延伸于径向，且构成为复路部445c的气流的下游侧的前端延伸至比旋转台217上的基板S的边缘靠外侧即排气槽288。复路部445c构成为相对于往路部345a在旋转台217的反转方向侧延伸。
在往路部445a和复路部445c分别与上述的往路部245a和复路部245c同样地在与旋转台217上的基板S相对的一侧形成有多个孔255a、255c。
(第四实施方式)
在第四实施方式中如图12所示那样取代上述的喷嘴245而采用朝向与喷嘴245不同的喷嘴545。
喷嘴545呈U字形状且具有：与气体供给管241连通地连接的往路部545a、从往路部545a弯曲地连通的弯曲部545b、与弯曲部545b连通的复路部545c。弯曲部545b将往路部545a与复路部545c连接。并且，往路部545a与复路部545c平行地设置。此外，在往路部545a和复路部545c上分别与上述的往路部245a和复路部245c同样地在与旋转台217上的基板S相对的一侧形成有多个孔255a、255c。
喷嘴545构成为，复路部545c在往路部545a的旋转台217的旋转方向R侧延伸。并且构成为，复路部545c的气流的下游侧的前端配置在排气口291的附近。
由于热分解的原料气体在复路部545c流通而具有膜厚变厚的倾向。通过将复路部545c的气流的下游侧的前端配置于排气口291的附近，从而能够缩短热分解的原料气体在基板S上的滞留时间，并减小热分解的原料气体对膜厚的影响。
(第五实施方式)
在第五实施方式中如图13的(A)所示那样采用孔的形状与上述喷嘴245不同的喷嘴645。
喷嘴645具有：与气体供给管241连通地连接的往路部645a、从往路部645a弯曲地连通的弯曲部645b、与弯曲部645b连通的复路部645c。弯曲部645b将往路部645a与复路部645c呈U字状连接。并且，往路部645a与复路部645c平行地设置。
在往路部645a，在与旋转台217上的基板S相对的一侧未形成孔。
在复路部645c，在与旋转台217上的基板S相对的一侧形成有多个孔655c。孔655c的孔径构成为从气流的上游侧朝向下游侧逐渐变大。即构成为，随着远离弯曲部645b，孔655c的孔径逐渐变大。
即构成为，配置于旋转台217的外周侧的孔655c的孔径比配置于旋转台217的中心侧的孔655c的孔径大。由此，能够使热分解的原料气体的曝露量增加。
(第六实施方式)
在第六实施方式中如图13的(B)所示那样采用孔的形状与上述喷嘴245不同的喷嘴745。
喷嘴745具有：与气体供给管241连通地连接的往路部745a、从往路部745a弯曲地连通的弯曲部745b、与弯曲部745b连通的复路部745c。
在往路部745a，在与旋转台217上的基板S相对的一侧形成有多个孔755a。孔755a的孔径构成为从气流的上游侧朝向下游侧逐渐变小。即构成为，随着接近弯曲部745b，孔755a的孔径逐渐变小。即构成为，配置于旋转台217的外周侧的孔755a的孔径比配置于旋转台217的中心侧的孔755a的孔径大。由此，能够使未热分解的原料气体的曝露量增加。
并且，在复路部745c，在气流的下游侧的前端形成有开口部755c。即，在复路部745c，在与旋转台217上的基板S相对的一侧未形成孔，在复路部745c的前端形成有开口部755c。即，喷嘴745的前端开放。由此，能够将热分解的原料气体排出。即，能够使未热分解的原料气体向基板S上供给并使热分解的原料气体排出。
(第七实施方式)
在第七实施方式中如图13的(C)所示那样采用孔的形状与上述喷嘴245不同的喷嘴845。
喷嘴845具有：与气体供给管241连通地连接的往路部845a、从往路部845a弯曲地连通的弯曲部845b、与弯曲部845b连通的复路部845c。
在往路部845a，在与旋转台217上的基板S相对的一侧形成有多个相同孔径的孔855a。
在复路部845c，在与旋转台217上的基板S相对的一侧形成有多个孔855c。孔855c的孔径构成为从气流的上游侧朝向下游侧逐渐变小。由此，能够避免将热分解的气体向基板S上供给。
(第八实施方式)
在第八实施方式中如图13的(D)所示那样采用孔的形状与上述喷嘴245不同的喷嘴945。
喷嘴945具有：与气体供给管241连通地连接的往路部945a、从往路部945a弯曲地连通的弯曲部945b、与弯曲部945b连通的复路部945c。
在往路部945a和复路部945c分别在与旋转台217上的基板S相对的一侧形成有多个相同孔径的孔955。
(第九实施方式)
在第九实施方式中如图13的(E)所示那样采用孔的形状与上述喷嘴245不同的喷嘴1045。
喷嘴1045具有：与气体供给管241连通地连接的往路部1045a、从往路部1045a弯曲地连通的弯曲部1045b、与弯曲部1045b连通的复路部1045c。
在往路部1045a和复路部1045c分别在与旋转台217上的基板S相对的一侧形成有多个细缝形状的孔1055。形成于往路部1045a的孔1055的位置、和形成于复路部1045c的孔1055的位置设置在旋转台217的半径方向的位置相同的位置。此外，也可以在复路部1045c的气流的下游侧的前端部设置开口。
以上对本公开的实施方式具体地进行了说明，但是本公开不限于上述的实施方式，能够在不脱离其要旨的范围进行多种变更。
虽然在上述的实施方式中是对作为形成于供给原料气体的喷嘴的孔的形状而形成圆孔形状、细缝形状的情况进行了说明，但是不限于此，例如也可以是长孔形状等。
并且，在上述的实施方式中，是对形成于往路部245a的孔255a的位置、和形成于复路部245c的孔255c的位置设置在旋转台217的半径方向的位置相同的位置的情况进行了说明，但是也可以构成为形成于往路部245a的孔255a的数量、和形成于复路部245c的孔255c的数量不同。并且，在使用六氯化二硅(Si2Cl6)等容易热分解的原料气体的情况下，也可以使形成于往路部245a的孔255a的孔径形成为从气流的上游侧朝向下游侧逐渐变大，并使形成于复路部245c的孔255c的孔径形成为从气流的上游侧朝向下游侧逐渐变小。并且，在使用不易热分解的原料气体的情况下，也可以使形成于往路部245a的孔255a的孔径增大，并使形成于复路部245c的孔255c的孔径从气流的上游侧朝向下游侧逐渐变小。作为不易热分解的原料气体，例如是四氯化钛(TiCl4)气体。
并且，在上述的实施方式中，是对作为供给原料气体的气体供给喷嘴而设置一个U字形状或V字形状的喷嘴的情况进行了说明，但是不限于此，也可以设置多个U字形状或V字形状的喷嘴，或者是将U字形状或V字形状的喷嘴与I字形状的喷嘴组合。
并且，虽然在上述的实施方式中是对作为原料气体采用Si2H2Cl2气体并作为反应气体采用NH3气体且在基板S上作为氮化膜形成SiN膜的情况进行了说明，但是也可以作为原料气体采用SiH4、Si2H6、Si3H8、氨基硅烷、TSA气体。也可以作为反应气体采用O2气体来形成氧化膜。也可以在基板S上形成TaN、TiN等其它的氮化膜、HfO、ZrO、SiO等氧化膜、Ru、Ni、W等的金属膜。此外，在形成TiN膜或TiO膜的情况下，作为原料气体也可以采用例如四氯化钛(TiCl4)等。
(本公开的优选方式)
以下附记本公开的优选方案。
(附记1)
一种基板处理装置，是对基板供给处理气体并进行处理的基板处理装置，其具有：
处理容器，其设有多个对所述基板进行处理的处理区域；
旋转台，其设置于所述处理容器内，并通过使所载置的基板在所述处理容器内以所述基板外的某一点为中心进行旋转而使所载置的基板依次通过所述多个处理区域；以及
气体供给喷嘴，其设置于所述多个处理区域内的至少任一个且具有往路部和复路部，该往路部从所述处理容器的壁侧朝向所述旋转台的中心侧延伸，该复路部经由弯曲部与所述往路部连通并从所述旋转台的中心侧朝向所述处理容器的壁侧延伸。
(附记2)
根据附记1所述的基板处理装置，其中，
所述气体供给喷嘴构成为，所述往路部的气流的下游侧的前端延伸至比所述基板的边缘靠外侧。
(附记3)
根据附记1或附记2所述的基板处理装置，其中，
所述气体供给喷嘴构成为，所述复路部的气流的下游侧的前端延伸至使处理气体排出的排气槽的附近。
(附记4)
根据附记1～附记3的任一项所述的基板处理装置，其中，
所述复路部构成为，与所述往路部平行地延伸。
(附记5)
根据附记1～附记3的任一项所述的基板处理装置，其中，
所述复路部构成为，相对于基板在径向上延伸。
(附记6)
根据附记1～附记5的任一项所述的基板处理装置，其中，
所述复路部构成为，在所述往路部的所述旋转台的反转方向侧延伸。
(附记7)
根据附记1～附记5的任一项所述的基板处理装置，其中，
所述复路部构成为，在所述往路部的所述旋转台的旋转方向侧延伸。
(附记8)
根据附记1～附记7的任一项所述的基板处理装置，其中，
所述弯曲部设置在与旋转台上载置的基板的外侧对置的位置。
(附记9)
根据附记1～附记8的任一项所述的基板处理装置，其中，
所述弯曲部的内径构成为，比所述往路部的内径及所述复路部的内径大。
(附记10)
根据附记1～附记9的任一项所述的基板处理装置，其中，
在所述复路部形成有多个孔，所述多个孔构成为，使得配置于比所述旋转台的中心侧靠外周侧的孔的大小增大。
(附记11)
根据附记1～附记9的任一项所述的基板处理装置，其中，
在所述往路部形成有多个孔，所述多个孔构成为，使得配置于比所述旋转台的中心侧靠外周侧的孔的大小增大。
(附记12)
根据附记1～附记9的任一项所述的基板处理装置，其中，
在所述往路部和所述复路部分别形成有多个孔，形成于所述往路部的孔的大小构成为从上游侧朝向下游侧增大，形成于所述复路部的孔的大小构成为从上游侧朝向下游侧减小。
(附记13)
根据附记1～附记9的任一项所述的基板处理装置，其中，
在所述复路部未形成孔，在所述复路部的前端形成有开口部。
(附记14)
根据附记1～附记9的任一项所述的基板处理装置，其中，
在所述往路部未形成孔，在所述复路部形成有多个孔。
(附记15)
根据附记1～附记14的任一项所述的基板处理装置，其中，
在所述往路部或所述复路部上形成的孔设置于与基板对置的位置和比基板靠外侧的位置。
(附记16)
根据附记1～附记9的任一项所述的基板处理装置，其中，
就形成于所述往路部的孔的位置和形成于所述复路部的孔的位置而言，所述旋转台的径向的位置设置于相同的位置。
(附记17)
根据附记1～附记16的任一项所述的基板处理装置，其中，在所述往路部或所述复路部上形成的孔呈细缝形状、长孔形状或圆孔形状。
(附记18)
根据附记1～附记9的任一项所述的基板处理装置，其中，
形成于所述往路部的孔的数量与形成于所述复路部的孔的数量不同。
(附记19)
一种半导体装置的制造方法，是对基板供给处理气体并进行处理的半导体装置的制造方法，其具有以下工序，即：在设有多个对所述基板进行处理的处理区域的处理容器内，使旋转台所载置的基板以所述基板外的某一点为中心进行旋转而使旋转台所载置的基板依次通过所述多个处理区域，并从气体供给喷嘴供给处理气体的工序，其中，所述气体供给喷嘴设置于所述多个处理区域内的至少任一个且具有往路部和复路部，该往路部从所述处理容器的壁侧朝向所述旋转台的中心侧延伸，该复路部经由弯曲部与所述往路部连通并从所述旋转台的中心侧朝向所述处理容器的壁侧延伸。
(附记20)
一种计算机可读取的存储介质，其存储有通过计算机使基板处理装置执行以下步骤的程序，即：准备基板的步骤；以及在设有多个对所述基板进行处理的处理区域的处理容器内，使旋转台所载置的基板以所述基板外的某一点为中心进行旋转而使旋转台所载置的基板依次通过所述多个处理区域，并从气体供给喷嘴供给处理气体的步骤，其中，所述气体供给喷嘴设置于所述多个处理区域内的至少任一个且具有往路部和复路部，该往路部从所述处理容器的壁侧朝向所述旋转台的中心侧延伸，该复路部经由弯曲部与所述往路部连通并从所述旋转台的中心侧朝向所述处理容器的壁侧延伸。

Claims (20)

1.一种基板处理装置，其对基板供给处理气体并进行处理，
所述基板处理装置的特征在于，具有：
处理容器，其设有多个对所述基板进行处理的处理区域；
旋转台，其设置于所述处理容器内，并使所载置的基板在所述处理容器内以所述基板外的某一点为中心进行旋转从而依次通过多个所述处理区域；以及
气体供给喷嘴，其设置于多个所述处理区域内的至少任一个且具有往路部和复路部，该往路部从所述处理容器的壁侧朝向所述旋转台的中心侧延伸，该复路部经由弯曲部与所述往路部连通并从所述旋转台的中心侧朝向所述处理容器的壁侧延伸。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述气体供给喷嘴构成为，所述往路部的气流的下游侧的前端延伸至比所述基板的边缘靠外侧。
3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述气体供给喷嘴构成为，所述复路部的气流的下游侧的前端延伸至排出处理气体的排气槽的附近。
4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述复路部构成为与所述往路部平行地延伸。
5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述复路部构成为在与所述旋转台所载置的基板的直径平行的旋转台的半径方向上延伸。
6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述复路部构成为在所述往路部的所述旋转台的反转方向侧延伸。
7.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述复路部构成为在所述往路部的所述旋转台的旋转方向侧延伸。
8.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述弯曲部设置在与旋转台上载置的基板的外侧对置的位置。
9.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述弯曲部的内径构成为比所述往路部的内径及所述复路部的内径大。
10.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述复路部形成有多个孔，所述多个孔构成为使配置于比所述旋转台的中心侧靠外周侧的孔的大小增大。
11.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述往路部形成有多个孔，所述多个孔构成为使配置于比所述旋转台的中心侧靠外周侧的孔的大小增大。
12.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述往路部和所述复路部分别形成有多个孔，且构成为形成于所述往路部的孔的大小从上游侧朝向下游侧增大，形成于所述复路部的孔的大小从上游侧朝向下游侧减小。
13.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述复路部未形成孔，在所述复路部的前端形成有开口部。
14.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述往路部未形成孔，在所述复路部形成有多个孔。
15.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述往路部或所述复路部形成的孔设置于与基板对置的位置和比基板靠外侧的位置。
16.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
就形成于所述往路部的孔的位置和形成于所述复路部的孔的位置而言，所述旋转台的半径方向的位置设置于相同的位置。
17.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述往路部或所述复路部上形成的孔呈细缝形状、长孔形状或圆孔形状。
18.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
形成于所述往路部的孔的数量与形成于所述复路部的孔的数量不同。
19.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有以下工序，即：
准备基板的工序；以及
在设有多个对所述基板进行处理的处理区域的处理容器内，使旋转台所载置的基板以所述基板外的某一点为中心进行旋转从而依次通过多个所述处理区域，并从气体供给喷嘴供给处理气体的工序，其中，所述气体供给喷嘴设置于多个所述处理区域内的至少任一个且具有往路部和复路部，该往路部从所述处理容器的壁侧朝向所述旋转台的中心侧延伸，该复路部经由弯曲部与所述往路部连通并从所述旋转台的中心侧朝向所述处理容器的壁侧延伸。
20.一种存储介质，其能够由计算机读取，所述存储介质的特征在于，存储有通过计算机使基板处理装置执行以下步骤的程序，即：
准备基板的步骤；以及
在设有多个对所述基板进行处理的处理区域的处理容器内，使旋转台所载置的基板以所述基板外的某一点为中心进行旋转从而依次通过多个所述处理区域，并从气体供给喷嘴供给处理气体的步骤，其中，所述气体供给喷嘴设置于多个所述处理区域内的至少任一个且具有往路部和复路部，该往路部从所述处理容器的壁侧朝向所述旋转台的中心侧延伸，该复路部经由弯曲部与所述往路部连通并从所述旋转台的中心侧朝向所述处理容器的壁侧延伸。
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