TWI735651B - 銅箔以及具有該銅箔的覆銅層積板 - Google Patents

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Abstract

本發明的目的在於，提供一種銅箔及使用該銅箔的覆銅層積板，所述銅箔可實現優秀的密接性、傳輸特性及耐熱性。
一種銅箔，其特徵在於，採用JIS B0631：2000規定的圖形法確定粗糙度圖形，用根據該粗糙度圖形算出的起伏數Wn及粗糙度圖形平均深度R表示銅箔的黏合表面的特徵時，起伏數Wn為11至30個/mm，且粗糙度圖形平均深度R為0.20至1.10μm。

Description

銅箔以及具有該銅箔的覆銅層積板
本發明涉及一種銅箔以及具有該銅箔的覆銅層積板。
近年來，電子設備的小型化、薄壁化得到發展，特別是以伺服器、天線、行動電話為代表的通信設備中使用的各種電子元件使用了內置有高度積體化、小型且高密度的印刷配線板的IC或LSI等。
應對這種情況，對這些設備中使用的高密度實裝用多層印刷配線板及可撓性印刷配線板等(以下有時僅稱為印刷配線板)的電路配線圖案亦要求高密度化，對電路配線的寬度與間隔微細的電路配線圖案即所謂精細圖案的印刷配線板的需求增高。
過去，印刷配線板中使用的銅箔以熱壓接在樹脂基材的一側的表面為粗化面，藉由該粗化面發揮對樹脂基材的固著效應，提高樹脂基材與銅箔的接合強度，確保了作為印刷配線板的可靠性(例如專利文獻1)。
然而，為提高電子設備的信息處理速度及支持無線通信，要求電子元件可進行電訊號的高速傳輸，支持高頻的基板的應用亦得到發展。支持高頻的基板中，為進行電訊號的 高速傳輸，需要減少傳輸損耗，除了要求樹脂基材的低介電常數化外，還要求減少作為導體的電路配線的傳輸損耗。特別是超過數GHz的高頻區中，集膚效應導致在電路配線中流通的電流集中到銅箔表面，因此將進行過以前的粗化處理的銅箔用於支持高頻的基板時，粗化處理部的傳輸損耗大，存在傳輸特性惡化的問題。
為消除上述問題，過去討論過以下方法：作為支持精細圖案及支持高頻的印刷配線板等中使用的銅箔，使用未進行粗化處理的平滑的銅箔，將該銅箔包覆在樹脂基材上使用(例如專利文獻2至4)。
此處，作為降低銅箔表面粗糙度的方法，已知一種用添加光澤劑的電解電鍍浴對製箔後銅箔表面進行電鍍的手法(專利文獻5)。此外，作為得到具有適度表面粗糙度的銅箔的方法，已知一種利用脈衝電解形成粗化顆粒層的方法(專利文獻6)。
然而，雖然這些平滑的銅箔及微細粗化銅箔的精細圖案電路形成性及高頻區的傳輸特性優秀，但是卻難以穩定且充分地提高銅箔與樹脂基材的密接性。特別是使用這種平滑的銅箔時，存在印刷配線板的製造製程及使用中的熱負荷導致銅箔與樹脂基材的密接性進一步降低的問題。因此，過去通常使銅箔的粗面化最佳化，從而兼顧傳輸特性及銅箔與樹脂基材的密接性。
另一方面，近年來開始製造超過30層的高多層高頻基板，高多層化引起的製程的複雜化導致不良逐漸多樣化。 特別是在印刷配線板上實裝各種電子元件時的迴焊製程中，不僅樹脂與銅箔間的層離(耐熱膨脹)頻頻發生，樹脂與樹脂間的層離亦頻頻發生。這種樹脂與樹脂間的層離作為以下現象被認知：加熱時樹脂分解所產生的排氣積存在樹脂與樹脂間，排氣壓力上升導致層間剝離。樹脂與樹脂間的黏合面的樹脂表面具有銅箔表面的複製形狀，銅箔表面的形狀會影響層離發生的難易度，因此為抑制樹脂與樹脂間的層離，適用具有可得到適當複製形狀的表面形狀的銅箔很重要。但是，過去的期待實現低傳輸損耗的微細粗化銅箔及平滑銅箔中，樹脂與樹脂間的層離無法得到充分抑制。此外，樹脂與樹脂間的層離可能是加熱溫度上升導致樹脂與銅箔間界面破壞而引起的，亦是電路配線從樹脂基材上剝離的主要原因。因此，特別是在電路配線(銅箔)與樹脂基材的接合面積極小的支持精細圖案的印刷配線板中，這種層離導致的成品率降低的問題嚴重化，要求提高耐熱性。
【先行技術文獻】 【專利文獻】
專利文獻1：日本專利特開平5-029740號公報
專利文獻2：日本專利特開2003-023046號公報
專利文獻3：日本專利特開2007-165674號公報
專利文獻4：日本專利特開2008-007803號公報
專利文獻5：日本專利特開平9-272994號公報
專利文獻6：日本專利特開2011-162860號公報
本發明鑒於上述實情開發而成，其目的在於提供一種銅箔及具有該銅箔的覆銅層積板，所述銅箔可實現優秀的密接性、傳輸特性及耐熱性。
在過去的銅箔中，從減少傳輸損耗的觀點來看，要求平滑且凹凸少的銅箔表面，此外從與樹脂密接及提高耐熱性的觀點來看，要求形狀粗糙且與樹脂接觸的表面積大的銅箔表面，這些都是技術常識，從這些觀點來看，通常以0.01至1μm程度的小粗化顆粒形成的凹凸調節銅箔的表面形狀。此外，過去通常使用的銅箔表面形狀的評估指標Ra(算術平均粗糙度)及Rz(十點平均粗糙度)因其運算原理而不含銅箔表面的每個山形狀的長度、單位長度的山形狀個數、或每個山形狀的深度等信息，這些指標難以對銅箔表面形狀對要求更加高性能化的印刷配線板用途的樹脂密接性、耐熱性及傳輸損耗造成的影響進行更加詳細地評估。因此，用上述指標評估的過去的銅箔未考慮到銅箔表面的起伏的影響，存在無法得到足夠的傳輸損耗特性、或無法得到足夠的耐熱性的問題。
相對於此，本發明人等對銅箔表面的凹凸進行深入研究，著眼於起伏等較為宏觀的凹凸，而不是過去的固著效應(anchor effect)優秀的微細(微觀的)凹凸，其結果發現採用JIS B0631：2000規定的圖形法確定粗糙度圖形，根據該粗糙度圖形算出的起伏數Wn及粗糙度圖形平均深度R對於例如與 40GHz時等過去情況相比進一步減少高頻區的傳輸損耗、以及提高與樹脂的密接性及耐熱性，顯示出緊密關係。而且基於所述見解，發現使銅箔表面具有數十至數百μm程度的波長較長的起伏，將其深度控制為0.2至1.1μm程度的較淺形狀，可在將起因於銅箔表面粗糙度的傳輸損耗保持為較小的情況下，非常良好地兼顧提高與樹脂層的密接性及耐熱性，從而完成本發明。這種本發明在銅箔的黏合表面上，將上述起伏數Wn及粗糙度圖形平均深度R控制為指定範圍，從而例如在形成印刷配線板時，可提高銅箔與樹脂間的密接性，並抑制傳輸特性的劣化，進而亦可有效抑制加熱時樹脂與樹脂間發生層離。
即，本發明的主要構成如下所示。
[1]一種銅箔，其特徵在於，採用JIS B0631：2000規定的圖形法確定粗糙度圖形，用根據該粗糙度圖形算出的起伏數Wn及粗糙度圖形平均深度R表示銅箔的黏合表面的特徵時，起伏數Wn為11至30個/mm，且粗糙度圖形平均深度R為0.20至1.10μm。
[2]如上述[1]所述的銅箔，其特徵在於，所述起伏數Wn為12至27個/mm，且所述粗糙度圖形平均深度R為0.30至0.90μm。
[3]如上述[2]所述的銅箔，其特徵在於，所述起伏數Wn為14至22個/mm，且所述粗糙度圖形平均深度R為0.40至0.80μm。
[4]如上述[1]至[3]中任1項所述的銅箔，其特徵在於，所述黏合表面的實測三維表面積相對於投影在平面上測定時 的二維表面積的表面積比為1.05至2.85。
[5]如上述[4]所述的銅箔，其特徵在於，所述黏合表面的實測三維表面積相對於投影在平面上測定時的二維表面積的表面積比為2.00至2.70。
[6]如上述[1]至[5]中任1項所述的銅箔，其特徵在於，所述銅箔為電解銅箔。
[7]如上述[1]至[6]中任1項所述的銅箔，其特徵在於，所述黏合表面為粗糙面。
[8]如上述[1]至[7]中任1項所述的銅箔，其特徵在於，所述銅箔為具備銅箔基體、以及在所述黏合表面側的所述銅箔基體的表面上的表面處理層的表面處理銅箔，所述表面處理層含有粗化顆粒層、鎳表面處理層、鋅表面處理層、鉻表面處理層及矽烷耦合劑層的至少1層，所述黏合表面為所述表面處理層的最外層表面。
[9]如上述[8]所述的銅箔，其特徵在於，所述表面處理層含有所述鎳表面處理層，鎳的附著量為0.010至0.800mg/dm2。
[10]如上述[9]所述的銅箔，其特徵在於，所述鎳的附著量為0.020至0.400mg/dm2。
[11]如上述[8]至[10]中任1項所述的銅箔，其特徵在於，所述表面處理層含有所述鉻表面處理層，鉻的附著量為0.010至0.300mg/dm2。
[12]如上述[11]所述的銅箔，其特徵在於，所述鉻的附著量為0.015至0.200mg/dm2。
[13]一種覆銅層積板，其具有如上述[1]至[12]中任1項所述的銅箔、以及黏合層壓在所述黏合表面的絕緣基板。
根據本發明，可提供一種銅箔及具有該銅箔的覆銅層積板，所述銅箔可實現優秀的密接性、傳輸特性及耐熱性。
圖1是表示本發明所述銅箔及過去銅箔(先前例A)的粗糙度圖形平均深度R與起伏數Wn的關係的圖表。
圖2是表示實施例中進行迴焊耐熱試驗時的試驗片T2的製作步驟的概要剖面圖。
<銅箔>
以下，詳細說明本發明的銅箔的較佳實施方式。
本發明所述銅箔的特徵在於，採用JIS B0631：2000規定的圖形法確定粗糙度圖形，用根據該粗糙度圖形算出的起伏數Wn及粗糙度圖形平均深度R表示該銅箔的黏合表面的特徵時，起伏數Wn為11至30個/mm，且粗糙度圖形平均深度R為0.20至1.10μm。
本發明中，黏合表面是指銅箔的最外層表面，是用於對樹脂基材進行黏合層壓的表面。此外，銅箔的黏合表面是銅箔的至少其中一個表面，亦可以是兩個表面。另外，本發明中，只要沒有特別說明，銅箔包括電解銅箔、壓延銅箔以及對這些銅箔進行過表面處理的表面處理銅箔等。因此，例如在 本發明的銅箔為具備銅箔基體、以及在該銅箔基體的表面上的表面處理層的表面處理銅箔時，該銅箔的黏合表面為表面處理層的最外層表面。
本發明人等關於銅箔表面的凹凸，著眼於稱為「起伏」的較為宏觀的表面性狀，發現在銅箔的黏合表面控制起伏特性，可實現過去所沒有的高水準傳輸特性及耐熱性，從而完成本發明。
本發明中，在對銅箔的黏合表面的起伏進行評估時，引入了JIS B 0631：2000規定的圖形參數。圖形是指被2個局部山夾住的曲線部分，用圖形長度與圖形深度表示。特別是在本發明中，對以後述測定條件測定的粗糙度圖形平均長度AR及粗糙度圖形平均深度R進行評估。
此處，粗糙度圖形平均長度AR是用評估長度求出的粗糙度圖形長度ARi的算術平均值。即，用下述數式(1)表示。
Figure 106131202-A0202-12-0008-1
上述數式(1)中，n為粗糙度圖形的數量(與ARi的數量相等)。此外，粗糙度圖形長度ARi為A以下的長度。
此外，粗糙度圖形平均深度R是用評估長度求出的粗糙度圖形深度Hj的算術平均值。即，用下述數式(2)表示。
[數式2]
Figure 106131202-A0202-12-0009-2
上述數式(2)中，m為Hj的數量。
具體測定按以下條件進行。
首先，對銅箔的黏合表面在TD方向(相對於銅箔的長邊方向(與製箔方向對應)的垂直方向)的一定範圍(例如長度50mm的直線範圍)內依據JIS B 0631：2000規定測定粗糙度圖形平均長度AR及粗糙度圖形平均深度R。測定裝置只要是可依據上述JIS規格進行測定的裝置即可，可使用例如表面粗糙度測定機(Surfcorder SE3500，股份公司小坂研究所製)等。此外，測定條件依據上述JIS規格的推薦測定條件，為A=0.1mm、B=0.5mm、ln=3.2mm、λs=2.5μm。
本發明中，基於以上述條件測定的粗糙度圖形平均長度AR，利用下述式(3)算出起伏數Wn(個/mm)。
Wn=1/AR...(3)
根據上述(3)式，算出1mm線上的平均起伏個數。
本發明的銅箔的黏合表面上，起伏數Wn為11至30個/mm。控制在上述範圍，可實現低傳輸損耗、高密接性及優秀的耐熱性。另一方面，起伏數Wn不足11個/mm時，在樹脂與樹脂界面或樹脂與銅箔界面上無法充分抑制起因於由樹脂產生的排氣(因熱量導致低分子樹脂成分氣化)壓力的層間剝離的傳播，因此電路配線容易從樹脂基材上剝離，成品率(耐熱性)降低。此外，起伏數Wn超過30個/mm時，集膚 效應導致高頻信號容易在銅箔表面流動，信號傳播的路徑長，傳輸損耗增加。特別是從實現優秀的耐熱性及傳輸特性的觀點來看，起伏數Wn較佳為控制在12至27個/mm，更佳為14至22個/mm。
此外，本發明的銅箔的黏合表面上，粗糙度圖形平均深度R為0.20至1.10μm。通過與起伏數Wn一同控制圖形平均深度R，能夠以超過過去的高水準兼顧傳輸特性與耐熱性。另一方面，粗糙度圖形平均深度R不足0.20μm時，在樹脂與樹脂界面或樹脂與銅箔界面上無法充分抑制起因於由樹脂產生的排氣壓力的層間剝離的傳播，因此電路配線容易從樹脂基材上剝離，成品率(耐熱性)降低。此外，粗糙度圖形平均深度R超過1.10μm時，集膚效應導致高頻信號容易在銅箔表面流動，信號傳播的路徑長，傳輸損耗增加。特別是從實現優秀的耐熱性及傳輸特性的觀點來看，粗糙度圖形平均深度R較佳為控制在0.30至0.90μm，更佳為0.40至0.80μm。
另外，只要起伏數Wn及粗糙度圖形平均深度R在與樹脂黏合的黏合表面上被控制在上述指定範圍內即可，其他表面的表面性狀可在不影響本發明效果的範圍內適當調節。
此外，本發明的銅箔的黏合表面的實測三維表面積相對於投影在平面上測定時的二維表面積的表面積比較佳為1.05至2.85，更佳為2.00至2.70。這種黏合表面的表面積比用銅箔表面的實測三維表面積A與將其投影在平面上測定時的二維表面積B之間的比率(A/B)表示。此外，三維表面積A例如可使用雷射顯微鏡(VK8500，基恩斯股份公司製)等進 行測定。此外，二維表面積B是從銅箔表面側平面觀察時與三維表面積A的測定範圍對應的面積。
已知通常表面積比越小，集膚效應導致高頻信號在表層部流動的路徑越短，傳輸損耗越小。但是，耐熱試驗中，樹脂與銅箔間或樹脂與樹脂間的接觸面積小，因此存在耐熱性降低的問題。
相對於此，本發明的銅箔中，如上述所示將黏合表面的起伏特性控制為指定關係，從而將表面積比控制在1.05以上2.85以下，因此起伏的凹部與凸部的高低差小，粗化電鍍處理中的電流密度均勻，在凹部與凸部均勻地形成相同尺寸的粗化顆粒，從而與樹脂的密接力均勻，能夠以傳輸損耗低的狀態提高耐熱性。另一方面，表面積比(A/B)不足1.05時，樹脂與銅箔間或樹脂與樹脂間的接觸面積小，存在耐熱性降低的趨勢。此外，表面積比(A/B)超過2.85時，高頻的流動路徑長，存在傳輸損耗變大的趨勢。
此外，本發明的銅箔較佳為電解銅箔。為電解銅箔時，光澤面(S面)為與電解滾筒接觸的面，滾筒表面的形狀被複製，該複製形狀的影響容易損害粗化的均勻性。另一方面，粗糙面(亦稱為粗化面，M面)為電解時的電解液側的面，滾筒表面的凹凸已消失，因此具有粗面化處理的均勻性優秀的特徵。因此，電解銅箔中，特別是其粗糙面上，起伏數Wn及粗糙度圖形平均深度R較佳為控制在上述指定的範圍內。
此外，本發明的銅箔較佳為具備銅箔基體、以及在黏合表面側的該銅箔基體的表面上的表面處理層的表面處 理銅箔。此外，上述表面處理層較佳為含有粗化顆粒層、鎳表面處理層、鋅表面處理層、鉻表面處理層及矽烷耦合劑層的至少1層，其中，更佳為含有鎳表面處理層及鉻表面處理層的至少其中一個，又更佳為具有由上述各層構成的多層結構。這種表面處理銅箔中，黏合表面為表面處理層的最外層的表面。
另外，表面處理層為其處理厚度非常薄的區域，因此不會對黏合表面的起伏數Wn及粗糙度圖形平均深度R造成影響，表面處理銅箔的黏合表面的起伏特性實質上由與該黏合表面對應的銅箔基體的表面的起伏特性決定。因此，表面處理銅箔的銅箔基體較佳為在其黏合表面側的表面上，起伏數Wn為12至85個/mm，且粗糙度圖形平均深度R被控制在0.10至1.50μm。此外，這種銅箔基體可以為電解銅箔及壓延銅箔的任意一個。
此外，表面處理層含有粗化顆粒層，從而固著效應導致銅箔與樹脂基材的密接性增高，此外即便迴焊耐熱性試驗中加熱時由樹脂基材產生排氣，但由於銅箔與樹脂基材的密接性高，因而仍然具有抑制膨脹(層間剝離)的效果，耐熱性、特別是迴焊耐熱性得到提高。粗化顆粒層較佳為在銅箔基體的表面上作為粗面化層形成。這種粗化顆粒層具有如上述所示提高密接性及耐熱性的優點。另外，還具有粗化顆粒尺寸變大後因集膚效應的影響而導致傳輸損耗增加的缺點，因此較佳為對粗化顆粒的粒徑進行適當調節。
此外，表面處理層含有鎳表面處理層、鋅表面處理層及鉻表面處理層的至少1層金屬處理層，從而可防止銅擴 散，更加穩定地維持銅箔與樹脂基材的高度密接性。印刷配線板的製造製程具有樹脂與銅箔的黏合製程、以及焊接製程等伴隨加熱的製程。這些製程所承受的熱量可能使銅擴散至樹脂側，使銅箔與樹脂的密接性降低，但是藉由設置含有鎳及鉻的金屬處理層，可有效防止銅的擴散。此外，上述所示的金屬處理層亦可作為防止銅鏽的防鏽金屬發揮作用。
鎳表面處理層為含有鎳的金屬處理層，特別佳為在銅箔基體的表面上或上述粗化顆粒層上作為接地層形成。此處，鎳的附著量較佳為0.010至0.800mg/dm2，更佳為0.020至0.400mg/dm2。如上述所示，銅箔基體在黏合表面側的表面上，起伏特性被控制在指定範圍內，起伏的凹凸差被抑制在一定以下，因此進行鍍鎳處理時，可形成具有均勻厚度的鎳層，與過去相比可提高耐熱性。另一方面，鎳附著量不足0.010mg/dm2時，鎳量少，防止銅擴散的效果小，樹脂容易劣化，因此存在耐熱性(樹脂與銅箔)降低的趨勢。此外，鎳附著量超過0.800mg/dm2時，由於鎳與銅相比導電率低，因此存在集膚效應的影響導致傳輸損耗變大的趨勢。
鉻表面處理層為含有鉻的金屬處理層，較佳為在更靠近黏合表面側作為防鏽處理層形成。此處，鉻的附著量較佳為0.010至0.300mg/dm2，更佳為0.015至0.200mg/dm2。如上述所示，銅箔基體在黏合表面側的表面上，起伏特性被控制在指定範圍內，起伏的凹凸差被抑制在一定以下，因此進行鍍鉻處理時，可形成具有均勻厚度的鉻層，與過去相比可提高耐熱性。此外，藉由在表層對鉻進行處理，從而表面被氧化鉻 及氫氧化鉻覆蓋，可得到防鏽效果。另一方面，鉻附著量不足0.010mg/dm2時，鉻量少，防止銅擴散的效果小，樹脂容易劣化，因此存在耐熱性(樹脂與銅箔)降低的趨勢。此外，鉻附著量超過0.300mg/dm2時，由於鉻與銅相比導電率低，因此存在集膚效應的影響導致傳輸損耗變大的趨勢。
鋅表面處理層為含有鋅的金屬處理層，特別佳為在鎳表面處理層與鉻表面處理層之間作為耐熱處理層形成。此處，鋅的附著量較佳為0.005至0.500mg/dm2，更佳為0.010至0.400mg/dm2。具有這種鋅表面處理層，從而擁有加熱時防止變色、防鏽效果、提高耐熱性等優點。
矽烷耦合劑層具有使銅箔與樹脂基材化學結合的效果，較佳為作為表面處理層的最外層形成。此處，矽烷的附著量換算為矽(Si)原子，較佳為0.0002至0.0300mg/dm2，更佳為0.0005至0.0100mg/dm2。具有這種矽烷耦合劑層，可進一步提高銅箔與樹脂基材的密接性。
另外，上述鎳、鉻、鋅及矽烷的附著量可藉由螢光X射線分析進行測定。具體測定條件在後述實施例處進行說明。
本發明的銅箔可合適地用作覆銅層積板。覆銅層積板較佳為具有本發明的銅箔、以及黏合層壓在該黏合表面的絕緣基板。這種覆銅層積板可製作高耐熱密接性及高頻傳輸特性優秀的電路基板，具有優秀的效果。作為絕緣基板，例如可列舉出可撓性樹脂基板或剛性樹脂基板等。此外，本發明的覆銅層積板特別可合適地用作印刷配線板。
<銅箔的製造方法>
接著，說明本發明的銅箔的較佳製造方法。
以下，以電解銅箔(或表面處理電解銅箔)為例，說明銅箔的製造方法的一例。
(1)製箔
電解銅箔通過如下方法製造：將硫酸-硫酸銅水溶液作為電解液，向用鉑族元素或其氧化物元素被覆的鈦所組成的不溶性陽極、及與該陽極相向設置的鈦製陰極滾筒之間供應該電解液，通過一邊以固定速度使陰極滾筒旋轉，一邊在兩極間通入直流電流，從而在陰極滾筒表面上析出銅，將所析出的銅從陰極滾筒表面剝離，並連續捲繞。
通常推測起伏數Wn及粗糙度圖形平均深度R依賴於電解液的組成(例如添加成分及各種成分的濃度等)及電解條件(例如電流密度、液溫、流速等)。特別是在過去普通的電解液中，作為硫酸及硫酸銅以外的電解液的添加成分，例如一直使用3-巰基-1-丙磺酸鈉(MPS)、羥乙基纖維素(HEC)、低分子量膠(PBF)、氯(Cl，例如用NaCl添加)等。但是，本發明人等對電解液的組成與起伏的關係進行研究後，得知利用含有上述所示添加劑的電解液製造電解銅箔時，如圖1的先前例A所示，減少粗糙度圖形平均深度R後，起伏數Wn增加，無法充分提高傳輸損耗特性。
因此，進一步開展研究後，得知除了上述添加劑外，進一步添加檸檬酸鈉、氨基磺酸、氨水等具有通過與銅離子形成錯合物來提高電鍍過電壓的效果的添加劑，從而能夠以粗糙度圖 形平均深度R低的狀態減少起伏數Wn(圖1的本發明)。發生這種現象的原理尚不明確，但可以推測檸檬酸鈉、氨基磺酸、氨水與銅離子形成錯合物後，導致電鍍過電壓上升，其結果電鍍處理的均勻性增加，起伏數W減少。
基於上述見解，本發明中，較佳為適當調節用於製箔的電解液的組成。以下示出適用於本發明的電解銅箔製造的電解液的組成及電解條件的示例。另外，下述條件為較佳示例，在不影響本發明的效果的範圍內，可根據需要適當變更及調節添加劑的種類及用量、電解條件。
(製箔條件)
五水硫酸銅…換算為銅(原子)，較佳為60至110g/L，更佳為60至90g/L
硫酸…較佳為40至135g/L，更佳為40至80g/L
MPS…較佳為1至10mg/L，更佳為2至3mg/L
HEC…較佳為1至7mg/L，更佳為1至2mg/L
PBF…較佳為3至9mg/L，更佳為3至4mg/L
檸檬酸鈉…較佳為0至40g/L，更佳為20至40g/L
氨基磺酸…較佳為0至30g/L，更佳為10至20g/L
氨水(氨濃度30質量%)…較佳為0至35g/L，更佳為10至25g/L
氯(Cl，作為NaCl)…較佳為15至60mg/L，更佳為30至40mg/L
電流密度…較佳為35至60A/dm2，更佳為40至50A/dm2
液溫…較佳為40至65℃，更佳為50至60℃
箔厚…較佳為6至100μm，更佳為6至65μm
(2)勻化處理
關於如上述所示製造而成的電解銅箔，對進一步適度減少起伏數Wn的方法進行深入研究後，發現使用勻化效果(減少銅箔表面凹凸的處理)強的電解浴，用脈衝電流進行電解，從而可使起伏數Wn達到適度的值。
作為用於這種勻化效果強的電解浴的硫酸及硫酸銅以外的電解液的添加成分，可列舉出低分子量膠(PBF)、香豆素、1,4-丁炔二醇等。另外，如果勻化效果過強，則存在迴焊耐熱性降低的趨勢，因此較佳為與迴焊耐熱性保持均衡來適當調節勻化效果。
此外，關於利用脈衝電流的電解，較佳為將脈衝逆電解時間(trev)設定得比脈衝順電解時間(ton)長，此外將脈衝順電流密度(Ion)設定得比脈衝逆電流密度(Irev)高。此處順電流為銅箔表面被電鍍的陰極反應，逆電流為銅箔表面被溶解的陽極反應。推測在脈衝電流中將銅箔表面溶解的逆電流的比率設置得較高，從而銅箔表面的起伏的凹凸被適度溶解，可得到具有適度起伏數Wn的銅箔。
基於上述見解，本發明中，較佳為適當調節用於勻化處理的電解液的組成及脈衝電流。以下示出適用於本發明的勻化處理的電解液的組成及電解條件的示例。另外，下述條件為較佳示例，在不影響本發明的效果的範圍內，可根據需要適當變更及調節添加劑的種類及用量、電解條件。
(勻化處理條件)
五水硫酸銅…換算為銅(原子)，較佳為40至80g/L，更佳為60至75g/L
硫酸…較佳為60至125g/L，更佳為100至120g/L
PBF…較佳為0至800mg/L，更佳為300至500mg/L
香豆素…較佳為0至4g/L，更佳為2.5至3.0g/L
1,4-丁炔二醇…較佳為0至3g/L，更佳為1.0至2.0g/L
氯(Cl，作為NaCl)…較佳為20至55mg/L，更佳為30至40mg/L
電解時間…較佳為3至25秒，更佳為5至20秒
液溫…較佳為30至70℃，更佳為50至60℃
<脈衝條件>
脈衝順電解時間(ton)…較佳為0至30毫秒，更佳為0至10毫秒
脈衝逆電解時間(trev)…較佳為50至600毫秒，更佳為200至300毫秒
脈衝電解停止時間(toff)…較佳為0至40毫秒，更佳為20至30毫秒
脈衝順電流密度(Ion)…較佳為0至10A/dm2，更佳為0至6A/dm2
脈衝逆電流密度(Irev)…較佳為-15至-50A/dm2，更佳為-20至-30A/dm2
(3)表面處理
進而，如上述所示製作而成的電解銅箔可作為銅箔基體使用，可在其粗糙面上根據需要適當形成粗面化層、接 地層、耐熱處理層及防鏽處理層等的表面處理層，亦可作為表面處理電解銅箔。另外，這些表面處理層不會對上述電解銅箔的粗糙面的起伏特性造成影響，表面處理電解銅箔的最外層表面的起伏特性實質上與作為銅箔基體使用的電解銅箔的粗糙面的起伏特性相同。此外，表面處理層並不限定於上述處理層，可適當組合其一部分或全部，亦可與上述以外的處理層組合。
此處，粗面化層可利用眾所周知的方法形成，較佳為利用例如電鍍進行，更佳為利用兩階段粗化電鍍處理進行。這種粗化電鍍處理可利用眾所周知的方法適當調節而進行。
以下示出粗化電鍍處理用電鍍液的組成及電解條件的示例。另外，下述條件為較佳示例，在不影響本發明的效果的範圍內，可根據需要適當變更及調節添加劑的種類及用量、電解條件。
(粗化電鍍處理(1)的條件)
五水硫酸銅…換算為銅(原子)，較佳為5至30g/L，更佳為10至20g/L
硫酸…較佳為100至150g/L，更佳為130至140g/L
鉬酸銨…換算為鉬(原子)，較佳為1至6g/L，更佳為2至4g/L
七水硫酸鈷…換算為鈷(原子)，較佳為1至5g/L，更佳為2至3g/L
七水硫酸亞鐵…換算為鐵(原子)，較佳為0.05至5.0g/L， 更佳為0.1至1.5g/L
電流密度…較佳為15至50A/dm2，更佳為20至40A/dm2
電解時間…較佳為1至80秒，更佳為1至60秒
液溫…較佳為20至50℃，更佳為30至40℃
(粗化電鍍處理(2)的條件)
五水硫酸銅…換算為銅(原子)，較佳為10至80g/L，更佳為13至72g/L
硫酸…較佳為20至150g/L，更佳為26至133g/L
電流密度…較佳為2至70A/dm2，更佳為3至67A/dm2
電解時間…較佳為1至80秒，更佳為1至60秒
液溫…較佳為15至75℃，更佳為18至67℃
此外，接地層例如可列舉出含有藉由鍍鎳處理形成的鎳的鎳表面處理層、以及藉由銅鋅類合金電鍍處理、銅鎳類合金電鍍處理形成的接地層等。這些電鍍處理可利用眾所周知的方法適當調節而進行。
以下示出鍍鎳處理用電鍍液的組成及電解條件的示例。另外，下述條件為較佳示例，在不影響本發明的效果的範圍內，可根據需要適當變更及調節添加劑的種類及用量、電解條件。
(鍍鎳的條件)
硫酸鎳…換算為鎳(原子)，較佳為3.0至7.0g/L，更佳為4.0至6.0g/L
過硫酸銨…較佳為30.0至50.0g/L，更佳為35.0至45.0g/L
硼酸…較佳為20.0至35.0g/L，更佳為25.0至30.0g/L
電流密度…較佳為0.5至4.0A/dm2，更佳為1.0至2.5A/dm2
電解時間…較佳為1至80秒，更佳為1至60秒
液pH…較佳為3.5至4.0，更佳為3.7至3.9
液溫…較佳為25至35℃，更佳為26至30℃
作為耐熱處理層，例如可列舉出藉由鋅表面處理層形成的耐熱處理層等，所述鋅表面處理層含有藉由鍍鋅處理形成的鋅。這些電鍍處理可利用眾所周知的方法適當調節而進行。
以下示出鍍鋅處理用電鍍液的組成及電解條件的示例。另外，下述條件為較佳示例，在不影響本發明的效果的範圍內，可根據需要適當變更及調節添加劑的種類及用量、電解條件。
(鍍鋅的條件)
七水硫酸鋅…換算為鋅(原子)，較佳為1至40g/L，更佳為1至30g/L
氫氧化鈉…較佳為8至350g/L，更佳為10至300g/L
電流密度…較佳為0.1至15A/dm2，更佳為0.1至10A/dm2
電解時間…較佳為1至80秒，更佳為1至60秒
液溫…較佳為5至80℃，更佳為5至60℃
作為防鏽處理層，例如可列舉出含有藉由鍍鉻處理形成的鉻的鉻表面處理層(無機防鏽層)、藉由苯並***處理等有機防鏽處理形成的有機防鏽層、以及藉由矽烷耦合劑處理形成的防鏽層等。這些電鍍處理可利用眾所周知的方法適當 調節而進行。
鍍鉻處理藉由以下方法進行處理：將CrO3或K2Cr2O7等溶解到水中調製出水溶液，在該水溶液中浸漬銅箔後水洗並乾燥，或者在水溶液中將銅箔作為陰極進行電解後水洗並乾燥。
以下示出鍍鉻處理用電鍍液的組成及電解條件的示例。另外，下述條件為較佳示例，在不影響本發明的效果的範圍內，可根據需要適當變更及調節添加劑的種類及用量、電解條件。
(鍍鉻的條件)
鉻酸酐(CrO3)‥換算為鉻(原子)，較佳為0.5至1.5g/L，更佳為0.8至1.1g/L
電流密度…較佳為0.3至0.6A/dm2，更佳為0.4至0.6A/dm2
電解時間…較佳為1至80秒，更佳為1至60秒
液pH…較佳為2.2至2.8，更佳為2.3至2.6
液溫…較佳為15至50℃，更佳為20至40℃
苯並***處理藉由以下方法進行處理：將苯並***或苯並***衍生物溶解到有機溶劑或水中，在該溶液中浸漬銅箔後進行乾燥。
此外，矽烷耦合劑處理藉由以下方法進行處理：將矽烷耦合劑溶解到有機溶劑或水中，在該溶液中浸漬銅箔或在銅箔上塗佈該溶液後進行乾燥。作為此處使用的矽烷耦合劑，可列舉出乙烯矽烷、環氧矽烷、苯乙烯矽烷、甲基丙烯酸矽烷、丙烯酸矽烷、氨基矽烷、醯脲矽烷、巰基矽烷、硫化物 矽烷、異氰酸酯矽烷等。
進而，上述鉻酸鹽處理、苯並***處理、矽烷耦合劑處理可適當組合進行。
以上對本發明的實施方式進行了說明，但上述實施方式只不過是本發明的一例。本發明包含本發明概念及申請專利範圍中所含的所有方式，在本發明的範圍內可進行各種變形。例如，上述中對電解銅箔的製造方法進行了詳細說明，但製作本發明的銅箔的方法並不限定於上述方法。即，銅箔的黏合表面的特徵只要被控制在本發明的正確範圍內，則可以為壓延銅箔(或表面處理壓延銅箔)，亦可以為藉由其他製造方法製作而成的銅箔。
實施例
以下基於實施例進一步詳細說明本發明，以下為本發明的一例。
(實施例1至24及比較例1至20)
[1]製箔
首先，以表1所示的電解液的組成及電解條件對電解銅箔進行製箔。此時，對實施例1至21以及比較例19及20事先調節箔厚而進行製箔，以便在以下進行的勻化處理後使銅箔的厚度為18μm。此外，對比較例1至18未進行勻化處理，因此在此時進行製箔，以便使箔厚為18μm。此外實施例24作為銅箔使用如下壓延銅箔，所述壓延銅箔由無氧壓延銅A組成，以厚度17.8μm、表面粗度為JIS-B-0601規定的表面粗糙度Rz的0.7μm、且溫度為25度的狀態進行拉伸試驗時的延 伸率為6.0%。
另外，表1中，「Cu」表示換算為銅原子而投入的五水硫酸銅，「MPS」表示3-巰基-1-丙磺酸鈉，「HEC」表示羥乙基纖維素，「PBF」表示低分子量膠，「氨水」表示濃度30質量%的氨水，「Cl」表示作為氯化鈉添加的氯成分，「SPS」表示4-苯乙烯磺酸鈉，「DDAC」表示二烯丙基二甲基氯化銨聚合物(以下表2及表3中相同)。
Figure 106131202-A0202-12-0025-3
[2]勻化處理
實施例1至21、比較例19及20中，對上述[1]後的電解銅箔以及實施例24的壓延銅箔，進一步以表2所示的電解液的組成及電解條件進行勻化處理，形成勻化層。形成勻化層後的銅箔的箔厚為18μm。
Figure 106131202-A0202-12-0027-4
[3]粗面化層(粗化顆粒層)的形成
．粗化電鍍處理(1)
以上述[1]及[2]得到的銅箔作為基體，在其粗糙面上進行粗化電鍍處理。此時，電鍍液的組成及電解條件為表3所示的條件。另外，實施例21及比較例13中，未進行粗化電鍍處理(1)。
另外，表3中，「Mo」表示換算為鉬原子而投入的鉬酸銨，「Co」表示換算為鈷原子而投入的七水硫酸鈷，「Fe」表示換算為鐵原子而投入的七水硫酸亞鐵。
Figure 106131202-A0202-12-0029-5
．粗化電鍍處理(2)
然後，對上述粗化電鍍處理(1)後的銅箔基體的表面(粗糙面)進一步進行粗化電鍍處理(2)。此時，電鍍液的組成及電解條件如下所示。另外，實施例21及比較例13中，未進行粗化電鍍處理(1)。
<粗化電鍍(2)條件>
五水硫酸銅……‥換算為銅(原子)，65.0g/L
硫酸…………．108g/L
液溫…………．56℃
電流密度………‥4A/dm2
電解時間………‥1至20秒
[4]含鎳接地層(鎳表面處理層)的形成
接著，在上述粗面化層上通過電解電鍍形成作為耐熱處理層基底的接地層。此時，鍍鎳條件如下所示。另外，實施例12及實施例20中，未進行鎳處理。
<鍍鎳條件>
硫酸鎳………換算為鎳(原子)，5.0g/L
過硫酸銨……40.0g/L
硼酸…………28.5g/L
液溫…………．28.5℃
液pH…………3.8
電流密度………‥1.5A/dm2
電解時間………‥1至20秒
[5]含鋅耐熱處理層(鋅表面處理層)的形成
然後，在上述接地層上通過電解電鍍形成耐熱處 理層(鋅的附著量：0.05mg/dm2)。此時，鍍鋅條件如下所示。另外，實施例20未進行鋅處理。
<鍍鋅條件>
七水硫酸鋅……．換算為鋅(原子)，10g/L
氫氧化鈉……．50g/L
液溫…………．32℃
電流密度………‥5.0A/dm2
電解時間………‥1至20秒
[6]含鉻防鏽處理層(鉻表面處理層)的形成
進而，在上述耐熱處理層上通過電解電鍍形成防鏽處理層。此時，鍍鉻條件如下所示。另外，實施例16及20中，未進行鉻處理。
<鍍鉻條件>
鉻酸酐(CrO3)…．換算為鉻(原子)，0.9g/L
液溫…………．32.0℃
液pH…………2.5
電流密度………‥0.5A/dm2
電解時間………‥1至20秒
[7]矽烷耦合劑層的形成
最後在上述防鏽處理層上塗佈濃度0.7質量%的3-甲基丙烯醯氧丙基三甲氧基矽烷水溶液，使其乾燥，形成矽烷耦合劑層(矽烷的附著量換算為矽原子，0.0070mg/dm2)。
(評估)
對上述實施例及比較例所述銅箔進行下述所示的 測定及評估。各評估條件如下所述。結果如表4所示。
另外，在以下測定中，銅箔的黏合表面為銅箔最外層即矽烷耦合劑層的表面(作為基體的電解銅箔的粗糙面側最外層表面)。表4中，表面處理層(i)由粗化顆粒層、鎳表面處理層、鋅表面處理層、鉻表面處理層及矽烷耦合劑層組成，表面處理層(ii)由鎳表面處理層、鋅表面處理層、鉻表面處理層及矽烷耦合劑層組成，表面處理層(iii)由粗化顆粒層、鋅表面處理層、鉻表面處理層及矽烷耦合劑層組成，表面處理層(iv)由粗化顆粒層、鎳表面處理層、鋅表面處理層及矽烷耦合劑層組成，表面處理層(v)由粗化顆粒層及矽烷耦合劑層組成。
[1]起伏數Wn
對銅箔的黏合表面依據JIS B 0631：2000的規定測定粗糙度圖形平均長度AR(mm)。測定在各銅箔的任意5處進行，將其平均值(N=5)作為各銅箔的粗糙度圖形平均長度AR。此外，測定裝置使用表面粗糙度測定機(Surfcorder SE3500，股份公司小坂研究所製)，測定條件為A=0.1mm、B=0.5mm、In=3.2mm、λs=2.5μm，測定範圍在TD方向(相對於銅箔的長邊方向(與製膜方向對應)的垂直方向)上為長度50mm的範圍。根據所測定的粗糙度圖形平均長度AR算出1mm線上的平均起伏個數(1/AR)作為起伏數Wn(個/mm)。
[2]粗糙度圖形平均深度R
對銅箔的黏合表面依據JIS B 0631：2000的規定測定粗糙度圖形平均深度R(μm)。測定在各銅箔的任意5處進行，將其平均值(N=5)作為各銅箔的粗糙度圖形平均深度R。 此外，測定裝置使用表面粗糙度測定機(Surfcorder SE3500，股份公司小坂研究所製)，測定條件為A=0.1mm、B=0.5mm、In=3.2mm、λs=2.5μm，測定範圍在TD方向(相對於銅箔的長邊方向(與製膜方向對應)的垂直方向)上為長度50mm的範圍。
[3]接觸式粗糙度Rz、Ra
對銅箔的黏合表面依據JIS B 0601：1994的規定測定十點平均粗糙度Rz(μM)及算術平均粗糙度Ra(μM)。測定在各銅箔的任意5處進行，將其平均值(n=5)分別作為各銅箔的十點平均粗糙度Rz及算術平均粗糙度Ra。此外，測定裝置使用接觸式表面粗糙度測定機(SE1700，股份公司小坂研究所製)。測定條件為測定長度4.8mm、取樣長度4.8mm、切斷值0.8mm。
[4]非接觸式粗糙度Rz、Ra
除了作為測定裝置使用非接觸式鐳射顯微鏡(VK8500，基恩斯股份公司製)以外，與上述[3]接觸式粗糙度的情況相同，測定銅箔的黏合表面的十點平均粗糙度Rz(μm)及算術平均粗糙度Ra(μm)。
[5]表面積比A/B
在銅箔的黏合表面上，使用鐳射顯微鏡(VK8500，基恩斯股份公司製)，測定三維表面積(μm2)。測定在各銅箔的任意5處進行，將其平均值(N=5)作為各銅箔的三維表面積。另外，測定視野為30.0μm×44.9μm的範圍，將此作為與三維表面積對應的二維表面積。根據所測定的三維表面積A、以及 與其對應的二維表面積B算出表面積比(三維表面積A/二維表面積B)。
[6]鎳、鋅、鉻及矽烷的附著量
測定鎳、鋅、鉻及矽烷的附著量。測定使用螢光X射線分析裝置(ZSXPrimus，理學股份公司製)，以分析徑：Φ35mm進行分析。另外，鋅與矽烷的附著量如上述所示。
[7]傳輸損耗
在銅箔的黏合表面接合樹脂基材，製作出傳輸特性測定用基板樣品。樹脂基材使用市售的聚苯醚類樹脂(超低傳輸損耗多層基板材料MEGTRON6，松下股份公司製)，接合時的硬化溫度為210℃，硬化時間為2小時。傳輸損耗測定用基板的結構採用微帶線結構，將其調節為導體長度400mm、導體厚度18μm、導體寬度0.14mm、整體厚度0.31mm，特性阻抗為50Ω。對如上述所示調節而成的測定用樣品，使用向量網路分析儀E8363B(KEYSIGHT TECHNOLOGIES)，測定10GHz及40GHz的傳輸損耗。另外，評估結果中，單位採用dB/m，示出將以導體長度400mm測定的傳輸損耗換算為導體長度1000mm的傳輸損耗值(以導體長度400mm測定的傳輸損耗的值乘以2.5)的值。本實施例中，10GHz時將傳輸損耗19.5dB/m以下設為合格水平，40GHz時將傳輸損耗66.0dB/m以下設為合格水平。
[8]迴焊耐熱性
圖2示出迴焊耐熱試驗的試驗片T2的製作步驟的概略圖。首先，如圖2(a)所示，準備市售的聚苯醚類樹脂(超 低傳輸損耗多層基板材料MEGTRON6，松下股份公司製)作為第一樹脂基材B1，在B1的兩面層壓黏合本實施例或比較例所述的各銅箔M1，製作出覆銅層積板P。接著，如圖2(b)所示，利用氯化銅溶液對覆銅層積板P進行蝕刻，將全部銅箔部分M1溶解。其後，通過在經過蝕刻的第一樹脂基材(樹脂芯板層)B1的兩面層壓黏合第二樹脂基材B2(圖2(c))，進而在兩面的第二樹脂基材(預浸坯料層)B2上層壓黏合本實施例或比較例所述的各銅箔M2，從而製作出用於測定迴焊耐熱性的試驗片T2(100mm×100mm)(圖2(d))。試驗片按各銅箔分別製作5個。接著，使所製作的試驗片T2通過最高溫度260℃、加熱時間10秒鐘的迴焊爐，肉眼觀察銅箔與樹脂(M2-B2)或樹脂與樹脂(B2-B1)的各層間上是否發生膨脹(層間剝離)。其後，除去在銅箔與樹脂及樹脂與樹脂的兩者上均觀察到層間剝離的試驗片T2，將其他試驗片T2再次通過上述加熱條件的迴焊爐，反覆通過迴焊爐並觀察層間剝離，直至銅箔與樹脂及樹脂與樹脂的兩者的層間均觀察到膨脹。而且，對銅箔與樹脂及樹脂與樹脂的各層間，測定發生層間剝離時的迴焊爐通過次數。該測定對各銅箔分別施用5個試驗片，將各自迴焊爐通過次數的平均值(N=5)作為各銅箔的迴焊耐熱性進行評估。此處，銅箔與樹脂間的迴焊耐熱性表示銅箔與預浸坯料層的接合部的耐熱性，此外樹脂與樹脂間的迴焊耐熱性表示芯板層與預浸坯料層的接合部的耐熱性，迴焊爐的通過次數越多，表示兩者各自的耐熱性越優秀。本實施例中，對於銅箔與樹脂及樹脂與樹脂的各層間，將直至觀察到層間剝離為止的迴焊爐通過次 數8次以上的設為合格水平。
[9]密接強度(剝離強度)
在銅箔的黏合表面接合樹脂基材，製作出測定用樣品。樹脂基材使用市售的聚苯醚類樹脂(超低傳輸損耗多層基板材料MEGTRON6，松下股份公司製)，接合時的硬化溫度為210℃，硬化時間為1小時。將所製作的測定用樣品蝕刻加工成寬度10mm的電路配線，利用雙面膠將樹脂側固定在不鏽鋼板上，以50mm/分鐘的速度將電路配線沿90度方向剝離，測定剝離強度(kN/m)作為密接強度的指標。測定使用萬能材料試驗機(Tensilon，A&D股份公司製)進行。本實施例中，將剝離強度(初期密接性)0.4kN/m以上設為合格水平。
Figure 106131202-A0202-12-0036-6
Figure 106131202-A0202-12-0037-7
如表4所示，可確認，實施例1至24所述的銅箔在與樹脂基材的黏合表面上，起伏數Wn被控制在11至30個/mm，且粗糙度圖形平均深度R被控制在0.20至1.10μm，所述銅箔傳輸損耗低，迴焊耐熱性優秀，且可發揮高密接強度。
相對於此，可確認，比較例1至20所述的銅箔在與樹脂基材的黏合表面上，起伏數Wn未被控制在11至30個 /mm、或者粗糙度圖形平均深度R未被控制在0.20至1.10μm、又或者兩者均未被控制，因此與實施例1至24所述的銅箔相比，傳輸損耗、迴焊耐熱性及密接強度中的任意1個以上較差。

Claims (13)

  1. 一種銅箔，其特徵在於，採用JIS B0631：2000規定的圖形法確定粗糙度圖形，用根據該粗糙度圖形算出的起伏數Wn及粗糙度圖形平均深度R表示銅箔的黏合表面的特徵時，起伏數Wn為11至30個/mm，且粗糙度圖形平均深度R為0.20至1.10μm。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的銅箔，其中，該起伏數Wn為12至27個/mm，且該粗糙度圖形平均深度R為0.30至0.90μm。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的銅箔，其中，該起伏數Wn為14至22個/mm，且該粗糙度圖形平均深度R為0.40至0.80μm。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任1項所述的銅箔，其中，該黏合表面的實測三維表面積相對於投影在平面上測定時的二維表面積的表面積比為1.05至2.85。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的銅箔，其中，該黏合表面的實測三維表面積相對於投影在平面上測定時的二維表面積的表面積比為2.00至2.70。
  6. 如申請專利範圍第1至3項中任1項所述的銅箔，其中，該銅箔為電解銅箔。
  7. 如申請專利範圍第1至3項中任1項所述的銅箔，其中，該黏合表面為粗糙面。
  8. 如申請專利範圍第1至3項中任1項所述的銅箔，其中，該銅箔為具備銅箔基體、以及在該黏合表面側的該銅箔基 體的表面上的表面處理層的表面處理銅箔，該表面處理層含有粗化顆粒層、鎳表面處理層、鋅表面處理層、鉻表面處理層及矽烷耦合劑層的至少1層，該黏合表面為該表面處理層的最外層表面。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的銅箔，其中，該表面處理層含有該鎳表面處理層，鎳的附著量為0.010至0.800mg/dm2。
  10. 如申請專利範圍第9項所述的銅箔，其中，該鎳的附著量為0.020至0.400mg/dm2。
  11. 如申請專利範圍第8項所述的銅箔，其中，該表面處理層含有該鉻表面處理層，鉻的附著量為0.010至0.300mg/dm2。
  12. 如申請專利範圍第11項所述的銅箔，其中，該鉻的附著量為0.015至0.200mg/dm2。
  13. 一種覆銅層積板，其具有如申請專利範圍第1至12項中任1項所述的銅箔、以及黏合層壓在該黏合表面的絕緣基板。
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