TWI722864B - 多厄悌放大器 - Google Patents

多厄悌放大器 Download PDF

Info

Publication number
TWI722864B
TWI722864B TW109112152A TW109112152A TWI722864B TW I722864 B TWI722864 B TW I722864B TW 109112152 A TW109112152 A TW 109112152A TW 109112152 A TW109112152 A TW 109112152A TW I722864 B TWI722864 B TW I722864B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
transmission line
output
amplifier
input
output transmission
Prior art date
Application number
TW109112152A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202116016A (zh
Inventor
畠中翔平
Original Assignee
日商三菱電機股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商三菱電機股份有限公司 filed Critical 日商三菱電機股份有限公司
Application granted granted Critical
Publication of TWI722864B publication Critical patent/TWI722864B/zh
Publication of TW202116016A publication Critical patent/TW202116016A/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/02—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
    • H03F1/0205—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
    • H03F1/0288—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers using a main and one or several auxiliary peaking amplifiers whereby the load is connected to the main amplifier using an impedance inverter, e.g. Doherty amplifiers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/56—Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/21—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/211—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only using a combination of several amplifiers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/60—Amplifiers in which coupling networks have distributed constants, e.g. with waveguide resonators
    • H03F3/602—Combinations of several amplifiers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/68—Combinations of amplifiers, e.g. multi-channel amplifiers for stereophonics
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/255—Amplifier input adaptation especially for transmission line coupling purposes, e.g. impedance adaptation
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/423—Amplifier output adaptation especially for transmission line coupling purposes, e.g. impedance adaptation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Microwave Amplifiers (AREA)

Abstract

本發明之多厄悌放大器係包括：輸入端子；與輸入端子連接之分支部；一端與分支部連接之第1輸入傳送線路；一端與分支部連接之第2輸入傳送線路；載波放大器，係輸入與第1輸入傳送線路之另一端連接；峰值放大器，係輸入與第2輸入傳送線路之另一端連接；第1輸出傳送線路，係一端與載波放大器的輸出連接；第2輸出傳送線路，係一端與峰值放大器的輸出連接；合成線路，係一端與第1輸出傳送線路之另一端、及第2輸出傳送線路之另一端連接；以及與合成線路之另一端連接的輸出端子；第1輸出傳送線路係具有寬度比第1輸出傳送線路之其他的部分寬的寬幅部。

Description

多厄悌放大器
本發明係有關於一種多厄悌(Doherty)放大器。
在專利文獻1，係揭示一種多厄悌放大器，其係包括並列地輸入高頻信號之第1放大器、一個以上之第2放大器以及第3放大器。第1放大器係作為載波放大器，放大高頻信號。各個第2放大器係作為載波放大器或峰值放大器，放大高頻信號。第3放大器係作為峰值放大器，放大高頻信號。在專利文獻1，係藉由變更載波放大器之元件尺寸的總和與峰值放大器之元件尺寸的總和之比，可變更放大的效率之極大點的電力。 [先行專利文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2014－075717公報
[發明所欲解決之課題]
在專利文獻1，係為了變更可得到高之電力效率的頻帶，需要預先設置：第2放大器；及切換部，係將各個第2放大器切換成載波放大器或峰值放大器。因此，有可能裝置變成大型。
又，想到調整載波放大器之阻抗變換比，來變更頻帶。在此情況，載波放大器之輸出阻抗的調整精度有可能受到輸出傳送線路之寬度的加工精度限制。因此，具有無法實現最佳之阻抗變換比的可能性。
本發明係為了解決上述之問題所開發者，其目的在於得到一種可高精度地調整可得到高之電力效率之頻帶的多厄悌放大器。 [解決課題之手段]
本發明之多厄悌放大器係包括：輸入端子；輸入傳送線路，係一端與該輸入端子連接，並在另一端設置分支部；一端與該分支部連接之第1輸入傳送線路；一端與該分支部連接之第2輸入傳送線路；載波放大器，係輸入與該第1輸入傳送線路之另一端連接；峰值放大器，係輸入與該第2輸入傳送線路之另一端連接；第1輸出傳送線路，係一端與該載波放大器的輸出連接；第2輸出傳送線路，係一端與該峰值放大器的輸出連接；合成線路，係一端與該第1輸出傳送線路之另一端、及該第2輸出傳送線路之另一端連接；以及與該合成線路之另一端連接的輸出端子；該第1輸出傳送線路係具有寬度比該第1輸出傳送線路之其他的部分寬的寬幅部。 [發明之效果]
在本發明之多厄悌放大器，第1輸出傳送線路係具有寬幅部。調整第1輸出傳送線路之僅一部分的寬度，來調整載波放大器之輸出阻抗，藉此，調整的範圍比調整第1輸出傳送線路整體之寬度的情況更大。因此，可高精度地調整輸出阻抗。因此，高精度地調整阻抗變換比，而可高精度地調整可得到高之電力效率的頻帶。
參照圖面，說明本發明之實施形態的多厄悌放大器。對相同或對應之構成元件係附加相同的符號，並有省略重複之說明的情況。 實施形態1
圖1係說明實施形態1之多厄悌放大器100之構成的圖。多厄悌放大器100係高頻半導體裝置。多厄悌放大器100係具有輸入端子10。在輸入端子10，係連接輸入傳送線路11的一端。在輸入傳送線路11之另一端，係設置分支部12。在分支部12，係連接第1輸入傳送線路14之一端、與第2輸入傳送線路16之一端。
分支部12係分配來自輸入端子10之輸入信號。輸入信號係RF(Radio Frequency)信號。輸入信號係在分支部12按照a:b之電力比被分配至第1輸入傳送線路14與第2輸入傳送線路16。在分支部12，係設置例如威爾金生(Wilkinson)分配器。威爾金生分配器係由2條λ/4傳送線路所構成。在a＝b之等分配的情況，2條λ/4傳送線路之各個係例如是70.7Ω。2條λ/4傳送線路係彼此以隔離電阻連接。隔離電阻係例如是100Ω。
在第1輸入傳送線路14之另一端，係連接載波放大器20的輸入。在第2輸入傳送線路16之另一端，係連接峰值放大器22的輸入。載波放大器20係在全部之輸出區域動作。峰值放大器22係在線性動作(back off)區域是不動作，而僅在輸入信號之電力大的區域動作。峰值放大器22係從即將到達飽和動作之中輸出區域僅在飽和輸出區域動作。
載波放大器20與峰值放大器22之各個係具有電晶體晶片。載波放大器20與峰值放大器22係分別由例如10個單元(cell)所構成。載波放大器20與峰值放大器22之元件尺寸係相等。元件尺寸係例如相當於電晶體之閘極數或閘極寬度。例如元件可流動之電流的大小根據元件尺寸而決定。載波放大器20之單元數、與峰值放大器22之單元數係亦可相等，亦可相異。
電晶體晶片係例如具有SiC基板、與在SiC基板上所設置之GaN。載波放大器20及峰值放大器22係例如是GaN－HEMT。
在載波放大器20之輸出，係連接第1輸出傳送線路24之一端。在峰值放大器22之輸出，係連接第2輸出傳送線路26之一端。第1輸出傳送線路24之另一端與第2輸出傳送線路26之另一端係與合成線路28之一端連接。合成線路28之另一端係與輸出端子30連接。
第1輸入傳送線路14與第2輸入傳送線路16係電性長度僅相差λ/4。第1輸入傳送線路14與第2輸入傳送線路16係輸入信號之相位調整用的傳送線路。在本實施形態，第2輸入傳送線路16係電性長度比第1輸入傳送線路14僅長λ/4。
第1輸出傳送線路24與第2輸出傳送線路26係電性長度僅相差λ/4。第1輸出傳送線路24與第2輸出傳送線路26係來自載波放大器20與峰值放大器22之輸出信號之相位調整用的傳送線路。第1輸出傳送線路24係電性長度比第2輸出傳送線路26僅長λ/4。此相位差係被設置成在線性動作(Back off)區域峰值放大器22不起動。相對地，第2輸入傳送線路16係電性長度比第1輸入傳送線路14僅長λ/4。藉此，來自第1輸出傳送線路24與第2輸出傳送線路26之輸出信號係彼此相位一致。
不限定為此。亦可第1輸入傳送線路14係電性長度比第2輸入傳送線路16僅長λ/4，第2輸出傳送線路26係電性長度比第1輸出傳送線路24僅長λ/4。
第1輸入傳送線路14、第2輸入傳送線路16、第1輸出傳送線路24、第2輸出傳送線路26以及合成線路28之各個係例如是微帶(microstrip)線路。第1輸入傳送線路14、第2輸入傳送線路16以及第2輸出傳送線路26係具有預定之特性阻抗。第1輸入傳送線路14、第2輸入傳送線路16以及第2輸出傳送線路26係寛度全部一樣的傳送線路。第1輸入傳送線路14、第2輸入傳送線路16以及第2輸出傳送線路26的線路寬度係例如是1.05mm。
第1輸出傳送線路24係在平面視是十字形。第1輸出傳送線路24係具有直線狀的主部24a。主部24a係寬度是全部一樣。主部24a的寬度w1是1.05mm，長度l1是17.00mm。主部24a係在從輸入端子10往輸出端子30之第1方向延伸。在第1輸出傳送線路24，第1方向是信號之導波方向。
又，第1輸出傳送線路24係具有從主部24a突出的凸部。凸部係從主部24a的兩側突出。因此，第1輸出傳送線路24係具有寬度比第1輸出傳送線路24之其他的部分寬的寬幅部24b。寬幅部24b係由凸部、及主部24a中與凸部鄰接之部分所形成。換言之，寬幅部24b係由凸部、與主部24a中被凸部所夾之部分所形成。
寬幅部24b係被局部地形成於第1輸出傳送線路24。寬幅部24b的寬度w2是2.10mm。寬度w2係與組裝電晶體晶片之組裝面平行且與第1方向垂直之方向的寬度。寬幅部24b之第1方向的長度l3是2.00mm。又，從第1輸出傳送線路24之線路端至寬幅部24b的距離l2是7.50mm。
上述之線路長度及寬度係配合將中心頻率當作2.6GHz的情況所設定。上述之尺寸係一例，亦可是別的值。
其次，說明多厄悌放大器100的功能。從輸入端子10所輸入之RF信號係在分支部12被分配，再經由第1輸入傳送線路14、第2輸入傳送線路16，被輸入載波放大器20與峰值放大器22。RF信號係在載波放大器20與峰值放大器22分別被放大後，再經由第1輸出傳送線路24與第2輸出傳送線路26，在合成線路28被合成。合成後之RF信號係從輸出端子30向外部被輸出。
多厄悌放大器100係例如被用作針對移動基地台的傳送用放大器。一般，在針對移動基地台的傳送用放大器，係為了實現高速資料通訊而使用振幅變動大的調變信號。若依據多厄悌放大器100，在線性動作(Back off)區域亦可得到高的電力效率。
一般，在如多厄悌放大器之輸出大的放大器所使用之電晶體的輸出阻抗係低。因此，在多厄悌放大器100，係藉匹配電路及相位調整線路進行阻抗變換。藉此，輸出阻抗係被變換成與天線等之外部負載匹配的50Ω。
在多厄悌放大器，係使動作相異之載波放大器與峰值放大器一體地動作。因此，載波放大器之阻抗變換比係一般在考慮動作狀態下，因應於輸出或效率之最大化等的目的，最佳地被設定。
又，在針對下世代基地台的傳送用放大器，係有時要求多載波化。因此，大多不僅在線性動作(Back off)區域之效率，而且可得到高之電力效率的頻帶亦成為重要的性能指標之一。此處，一般，多厄悌放大器的頻帶係與載波放大器之在線性動作(Back off)區域的輸出阻抗相依。從以上，高精度地調整載波放大器20之輸出阻抗係在實現高功能之多厄悌放大器上是重要。
又，多厄悌放大器之效率與頻帶係一般具有權衡(trade off)之關係。即，藉由將載波放大器之阻抗變換比設定成小，可實現寬頻帶之特性，另一方面，效率降低。
載波放大器之輸出阻抗係一般藉由調整輸出傳送線路的寬度而可調整。此處，為了擴大頻帶，想到將載波放大器之阻抗變換比設定成小的情況。在此時，想到將載波放大器20之輸出傳送線路全部一樣地作成寬度寬。可是，在寬度全部一樣的線路，要帶來適當的阻抗變換，係有可能發生需要在微細的範圍對線路寬度進行加工。因此，加工成為困難，而有可能無法得到最佳之輸出阻抗。又，在未高精度地設定輸出阻抗的情況，有可能阻抗變換比超出必要地降低，而效率大為降低。
圖2係表示實施形態1之阻抗之計算結果的圖。圖2係在載波放大器之輸出傳送線路的形狀為m1~m3之各個的情況，表示從載波放大器觀察輸出傳送線路時之阻抗的計算結果。又，在計算，係將從合成線路28至輸出端子30當作與理想之25Ω終端等價。又，在圖2係表示在2.6GHz之阻抗。又，各傳送線路係當作基板厚度是0.508mm、比介電係數是3.72、導體厚度是43μm、介電損耗正切是0.007的微帶線路。
在m1，輸出傳送線路的寬度係全部一樣是1.05mm，長度是17.00mm。在m2，輸出傳送線路的寬度係全部一樣是1.2mm。在m2，係輸出傳送線路的寬度比m1僅更寬0.15mm。m3係對應於本實施形態之第1輸出傳送線路24的形狀。在m3，輸出傳送線路係具有長度為2.00mm之局部的寬幅部。寬幅部的寬度係2.10mm，從線路端至寬幅部的距離是7.50mm。在m2與m3係阻抗是同等級。
要在如m1之寬度全部一樣是1.05mm的線路帶來阻抗變換，係藉計算確認需要如m2將寬度作成1.20mm。即，需要將線路寬度全部一樣地僅擴寬0.15mm。因此，需要在微細的範圍對線路寬度進行加工。一般，以手動進行這種微細的加工係在傳送線路之加工精度上幾乎不可能。
相對地，在m3係藉由使輸出傳送線路的寬度局部地變寬，得到與m2相同的阻抗變換。在m3，係與m2的情況相比，對寬度的增加量之阻抗變換比的降低量小。在m3，係對輸出傳送線路中長度為2.00mm的一部分，將寬度擴寬成比其他的部分更僅寬1.05mm即可。這種加工係一般在傳送線路之加工精度上不成問題。
依此方式，第1輸出傳送線路24之寬幅部24b係具有如載波放大器20之阻抗變換比與目標值一致的寬度。此處，阻抗變換比係載波放大器20之輸出阻抗對多厄悌放大器100之輸出阻抗的比。亦可阻抗變換比係根據成為基準之阻抗將載波放大器20之輸出阻抗標準化的值。本實施形態之阻抗變換比係根據是多厄悌放大器100之輸出阻抗的50Ω將載波放大器20之輸出阻抗標準化的值。
在本實施形態，係與調整輸出傳送線路整體之寬度的情況相比，可使調整的範圍變寬。因此，加工成為容易，而可高精度地調整輸出阻抗。因此，高精度地調整阻抗變換比，而可高精度地調整可得到高之電力效率的頻帶。又，可抑制效率意外地降低。
又，寬幅部24b係被局部地設置。因此，藉由在主部24a以金絲帶等設置凸部，可易於形成寬幅部24b。藉此，可易於調整寬幅部24b的長度l3、寬度w2以及位置。又，例如在所試作之多厄悌放大器100的頻帶對目標值窄的情況，亦可易於調整頻帶。又，從圖1可看出，在寬幅部24b上，並未連接任何其它的端子(意即，未連接例如電源端子等)。
又，要使阻抗變換比變小，係想到改變元件尺寸比，使載波放大器與峰值放大器之輸出比Pc/Pp變大。在此情況，需要變更元件構成，有可能調整變得煩雜。相對地，在本實施形態，係不必變更元件構成，而可易於調整阻抗變換比。又，因為藉由僅變更第1輸出傳送線路24的形狀，就可調整阻抗變換比，所以可抑制多厄悌放大器100之大型化。
作為本實施形態之變形例，亦可凸部係從主部24a之單側突出。在此情況，凸部的大小成為比凸部從主部24a之兩側突出的情況更大。因此，可更易於加工。
又，寬幅部24b係在與第1方向垂直的方向延伸。不限定為此，只要寬幅部24b係在與第1方向交叉的方向延伸即可。又，亦可在第1輸出傳送線路24設置複數個寬幅部24b。
又，亦可在分支部12係設置混成耦合器。在此時，分支部12與第 1輸入傳送線路14之間的通過相位係比分支部12與第2輸入傳送線路16之間的通過相位小例如90°。在此情況，亦可第1輸入傳送線路14與第2輸入傳送線路16的電性長度係相等，第1輸出傳送線路24係電性長度比第2輸出傳送線路26僅長λ/4。
又，亦可分支部12與第1輸入傳送線路14之間的通過相位係比分支部12與第2輸入傳送線路16之間的通過相位大90°。在此情況，亦可第1輸入傳送線路14與第2輸入傳送線路16的電性長度係相等，第2輸出傳送線路26係電性長度比第1輸出傳送線路24僅長λ/4。
可對以下之實施形態的多厄悌放大器適當地應用這些變形。此外，因為以下之實施形態的多厄悌放大器係與實施形態1之共同點多，所以主要說明與實施形態1的相異點。
實施形態2
圖3係說明實施形態2之多厄悌放大器200之構成的圖。多厄悌放大器200係第1輸出傳送線路224的形狀與實施形態1相異。其他的構成係與實施形態1相同。
第1輸出傳送線路224係U字形而彎曲。第1輸出傳送線路224係具有第1主部224a、第2主部224c以及寬幅部224b。第1主部224a係一端與載波放大器20的輸出連接，並在第2方向延伸。第2方向係與組裝電晶體晶片之組裝面平行且與第1方向垂直的方向。第2主部224c係一端與合成線路28連接，並在第2方向延伸。寬幅部224b係連接第1主部224a之另一端與第2主部224c之另一端。
第1主部224a的寬度w21、第1主部224a中寬度變化之部分的長度w22、第2主部224c的寬度w23以及寬幅部224b的長度l22係分別是1.05mm。又，第1主部224a中寬度全部一樣之部分的長度l21是8.00mm。寬幅部224b中被第1主部224a與第2主部224c之寬度均勻的部分所夾之部分的寬度w24是1.05mm。從線路端至寬幅部224b的距離是1.00mm。以上的尺寸係一例，亦可是別的值。
第1輸出傳送線路224係寬幅部224b中除了以寬度w24所示的部分以外，可當作寬度全部一樣。在本實施形態，亦藉由以使第1輸出傳送線路224的寬度局部地變寬的方式設置寬幅部224b，可得到阻抗變換。因此，與調整輸出傳送線路整體之寬度的情況相比，調整的範圍變大，而可高精度地調整輸出阻抗。因此，藉由高精度地調整阻抗變換比，可高精度地調整可得到高之電力效率的頻帶。
作為本實施形態的變形例，亦可是第1主部224a與第2主部224c所延伸之方向的第2方向係不是與第1方向垂直。第2方向係只要是與第1方向交叉的方向即可。又，亦可第2主部224c係在與第1主部224a相異的方向延伸。即，亦可第2主部224c係在與第1方向及第2方向交叉的第3方向延伸。又，第1輸出傳送線路224係藉由彎曲2次而形成U字形。不限定為此。亦可第1輸出傳送線路224係彎曲2次以上。
此外，亦可在各實施形態所說明之技術性特徵係適當地組合後使用。
10:輸入端子
11:輸入傳送線路
12:分支部
14:第1輸入傳送線路
16:第2輸入傳送線路
20:載波放大器
22:峰值放大器
24:第1輸出傳送線路
24a:主部
24b:寬幅部
26:第2輸出傳送線路
28:合成線路
30:輸出端子
100,200:多厄悌放大器
224:第1輸出傳送線路
224a:第1主部
224b:寬幅部
224c:第2主部
[圖1]係說明實施形態1之多厄悌放大器之構成的圖。 [圖2]係表示實施形態1之阻抗之計算結果的圖。 [圖3]係說明實施形態2之多厄悌放大器之構成的圖。
10:輸入端子
11:輸入傳送線路
12:分支部
14:第1輸入傳送線路
16:第2輸入傳送線路
20:載波放大器
22:峰值放大器
24:第1輸出傳送線路
24a:主部
24b:寬幅部
26:第2輸出傳送線路
28:合成線路
30:輸出端子
100:多厄悌放大器
w1:主部24a的寬度
w2:寬幅部24b的寬度
l1:主部24a的長度
l2:第1輸出傳送線路24之從線路端至寬幅部24b的距離
l3:寬幅部24b之第1方向的長度

Claims (5)

  1. 一種多厄悌放大器，其特徵為：包括：輸入端子；輸入傳送線路，係一端與該輸入端子連接，並在另一端設置分支部；一端與該分支部連接之第1輸入傳送線路；一端與該分支部連接之第2輸入傳送線路；載波放大器，係輸入與該第1輸入傳送線路之另一端連接；峰值放大器，係輸入與該第2輸入傳送線路之另一端連接；第1輸出傳送線路，係一端與該載波放大器的輸出連接；第2輸出傳送線路，係一端與該峰值放大器的輸出連接；合成線路，係一端與該第1輸出傳送線路之另一端、及該第2輸出傳送線路之另一端連接；以及與該合成線路之另一端連接的輸出端子；該第1輸出傳送線路係具有寬度比該第1輸出傳送線路之其他的部分寬的寬幅部；該寬幅部未連接電源端子。
  2. 如請求項1之多厄悌放大器，其中該第1輸出傳送線路係具有直線狀之主部、與從該主部突出的凸部；該寬幅部係由該凸部、及該主部中與該凸部鄰接的部分所形成。
  3. 如請求項2之多厄悌放大器，其中該凸部係從該主部的兩側突出。
  4. 如請求項1之多厄悌放大器，其中該第1輸出傳送線路係包括： 第1主部，係一端與該載波放大器的輸出連接，並在與從該輸入端子往該輸出端子之第1方向交叉的第2方向延伸；及第2主部，係一端與該合成線路連接，並在與該第1方向交叉的第3方向延伸；該寬幅部係連接該第1主部的另一端與該第2主部的另一端。
  5. 一種多厄悌放大器，其特徵為：包括：輸入端子；輸入傳送線路，係一端與該輸入端子連接，並在另一端設置分支部；一端與該分支部連接之第1輸入傳送線路；一端與該分支部連接之第2輸入傳送線路；載波放大器，係輸入與該第1輸入傳送線路之另一端連接；峰值放大器，係輸入與該第2輸入傳送線路之另一端連接；第1輸出傳送線路，係一端與該載波放大器的輸出連接；第2輸出傳送線路，係一端與該峰值放大器的輸出連接；合成線路，係一端與該第1輸出傳送線路之另一端、及該第2輸出傳送線路之另一端連接；以及與該合成線路之另一端連接的輸出端子；該第1輸出傳送線路係具有寬度比該第1輸出傳送線路之其他的部分寬的寬幅部；該寬幅部係具有如該載波放大器之阻抗變換比與目標值一致的寬度。
TW109112152A 2019-10-02 2020-04-10 多厄悌放大器 TWI722864B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2019/038906 WO2021064892A1 (ja) 2019-10-02 2019-10-02 ドハティ増幅器
WOPCT/JP2019/038906 2019-10-02

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TWI722864B true TWI722864B (zh) 2021-03-21
TW202116016A TW202116016A (zh) 2021-04-16

Family

ID=75337139

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW109112152A TWI722864B (zh) 2019-10-02 2020-04-10 多厄悌放大器

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20220231638A1 (zh)
JP (1) JP7207562B2 (zh)
KR (1) KR20220047641A (zh)
CN (1) CN114430884A (zh)
DE (1) DE112019007775T5 (zh)
TW (1) TWI722864B (zh)
WO (1) WO2021064892A1 (zh)

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0630104B1 (en) * 1993-06-04 2000-08-09 Raytheon Company Microwave Doherty amplifier
US20100013521A1 (en) * 2007-03-29 2010-01-21 Soshin Electric Co., Ltd Synthesizer for doherty amplifier
US20110204974A1 (en) * 2010-02-25 2011-08-25 Samsung Electronics Co., Ltd. Apparatus for improving performance at low power region in a doherty amplifier
US20120112833A1 (en) * 2010-11-05 2012-05-10 Postech Academy- Industry Foundation 3-way doherty power amplifier using driving amplifier
US20120218044A1 (en) * 2011-02-24 2012-08-30 Postech Academy- Industry Foundation Three-Stage GaN HEMT Doherty Power Amplifier for High Frequency Applications
US20120223775A1 (en) * 2009-11-04 2012-09-06 Sk Telecom Co., Ltd. Doherty amplifier
US20150180428A1 (en) * 2013-12-20 2015-06-25 Telefonaktiebolaget L M Ericsson (Publ) Enhanced and Versatile N-Way Doherty Power Amplifier
US20170163221A1 (en) * 2015-01-09 2017-06-08 Kabushiki Kaisha Toshiba Doherty amplifier
US20190074799A1 (en) * 2015-10-08 2019-03-07 Datang Mobile Communications Equipment Co., Ltd. Doherty power amplifier circuit
EP3461000A1 (en) * 2016-05-18 2019-03-27 Mitsubishi Electric Corporation Doherty amplifier
US10284147B2 (en) * 2016-12-15 2019-05-07 Nxp Usa, Inc. Doherty amplifiers and amplifier modules with shunt inductance circuits that affect transmission line length between carrier and peaking amplifier outputs
US20190173430A1 (en) * 2017-12-04 2019-06-06 Nxp Usa, Inc. Multiple-path amplifier with series component along inverter between amplifier outputs

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007043305A (ja) * 2005-08-01 2007-02-15 Mitsubishi Electric Corp 高効率増幅器
JP2014075717A (ja) 2012-10-04 2014-04-24 Fujitsu Ltd ドハティ増幅器
JP6203382B2 (ja) * 2014-12-18 2017-09-27 株式会社東芝 ドハティ型増幅器
JP2019110458A (ja) * 2017-12-19 2019-07-04 住友電気工業株式会社 増幅回路及び基板

Patent Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0630104B1 (en) * 1993-06-04 2000-08-09 Raytheon Company Microwave Doherty amplifier
US20100013521A1 (en) * 2007-03-29 2010-01-21 Soshin Electric Co., Ltd Synthesizer for doherty amplifier
US20120223775A1 (en) * 2009-11-04 2012-09-06 Sk Telecom Co., Ltd. Doherty amplifier
US20110204974A1 (en) * 2010-02-25 2011-08-25 Samsung Electronics Co., Ltd. Apparatus for improving performance at low power region in a doherty amplifier
US20120112833A1 (en) * 2010-11-05 2012-05-10 Postech Academy- Industry Foundation 3-way doherty power amplifier using driving amplifier
US20120218044A1 (en) * 2011-02-24 2012-08-30 Postech Academy- Industry Foundation Three-Stage GaN HEMT Doherty Power Amplifier for High Frequency Applications
US20150180428A1 (en) * 2013-12-20 2015-06-25 Telefonaktiebolaget L M Ericsson (Publ) Enhanced and Versatile N-Way Doherty Power Amplifier
US20170163221A1 (en) * 2015-01-09 2017-06-08 Kabushiki Kaisha Toshiba Doherty amplifier
US20190074799A1 (en) * 2015-10-08 2019-03-07 Datang Mobile Communications Equipment Co., Ltd. Doherty power amplifier circuit
EP3461000A1 (en) * 2016-05-18 2019-03-27 Mitsubishi Electric Corporation Doherty amplifier
US10284147B2 (en) * 2016-12-15 2019-05-07 Nxp Usa, Inc. Doherty amplifiers and amplifier modules with shunt inductance circuits that affect transmission line length between carrier and peaking amplifier outputs
US20190173430A1 (en) * 2017-12-04 2019-06-06 Nxp Usa, Inc. Multiple-path amplifier with series component along inverter between amplifier outputs
TW201937845A (zh) * 2017-12-04 2019-09-16 美商恩智浦美國公司 具有沿放大器輸出端間的反相器的串聯元件的多路放大器

Also Published As

Publication number Publication date
DE112019007775T5 (de) 2022-06-15
JPWO2021064892A1 (zh) 2021-04-08
JP7207562B2 (ja) 2023-01-18
KR20220047641A (ko) 2022-04-18
TW202116016A (zh) 2021-04-16
CN114430884A (zh) 2022-05-03
US20220231638A1 (en) 2022-07-21
WO2021064892A1 (ja) 2021-04-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107395129B (zh) 具有偏移的信号路径方向的多路径rf放大器及其制造方法
US9071198B2 (en) Amplifier circuit
US10199994B2 (en) Doherty amplifier and power amplifier
US20120049952A1 (en) Wide band power amplifier
US8610507B2 (en) Power amplifier
CN112217484A (zh) 带有屏蔽传输线的功率放大器
US9503030B2 (en) Radio frequency power amplifier
US8680941B2 (en) Microwave harmonic processing circuit
Hussaini et al. Green flexible RF for 5G
EP4024447A1 (en) Amplifier modules and systems with ground terminals adjacent to power amplifier die
US9722541B2 (en) Distributed amplifier
TWI722864B (zh) 多厄悌放大器
JP5239905B2 (ja) 高周波増幅器
Hara et al. Compact 160-GHz amplifier with 15-dB peak gain and 41-GHz 3-dB bandwidth
US20100197251A1 (en) Power amplifier comprising a slotted power combiner
JP4849453B2 (ja) マイクロ波電力増幅器
TWI718912B (zh) 砷化鎵射頻電路及毫米波前端模組
Mayock et al. Robust GaN limiting LNA for C-Ku band T/R modules
황지혜 et al. A millimeter-wave GaN MMIC front end module with 5G NR performance verification
JP4496176B2 (ja) 半導体の入出力接続構造
US20160218676A1 (en) High-frequency semiconductor amplifier
Figur et al. RF-MEMS multi-mode-matching networks for GaN power transistors
US20240203912A1 (en) Amplifier modules and systems with ground terminals adjacent to power amplifier die
JP4255801B2 (ja) 電力合成形高出力ｆｅｔ
Wang et al. A full Ka-band 50W Solid-State Power Amplifier Combiner