TWI722733B - 電性連接用連接器及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種位於檢查裝置與被檢查器件之間而將檢查裝置與被檢查器件電性連接之連接器。連接器具有沿上下方向積層且可沿上下方向導電之第1導電薄片及第2導電薄片。第1導電薄片包含絕緣物質且可沿上下方向導電。第2導電薄片包含絕緣物質且可沿上下方向導電。第1導電薄片與第2導電薄片以可沿上下方向導電之方式積層而接合。接合係藉由第1導電薄片之絕緣物質分子與第2導電薄片之絕緣物質分子間之化學鍵結而實現。

Description

電性連接用連接器及其製造方法
本發明係關於一種位於檢查裝置與被檢查器件之間而將檢查裝置與被檢查器件電性連接之連接器。
為了對被檢查器件進行電性檢查,於本領域中使用與被檢查器件及檢查裝置接觸而將被檢查器件與檢查裝置電性連接之連接器。連接器將檢查裝置之電氣信號傳輸至被檢查器件,將被檢查器件之電氣信號傳輸至檢查裝置。作為此種連接器,彈簧針測試插座(pogo pin test socket)與導電性橡膠片(conductive rubber sheet)於本領域中廣為人知。
彈簧針測試插座具有根據施加至被檢查器件之外力沿上下方向按壓之彈簧針。彈簧針測試插座需要收容彈簧針之零件,因此難以具有較薄之厚度,且難以應用於具有窄間距(fine pitch)之被檢查器件之端子。
導電性橡膠片可根據施加至被檢查器件之外力而彈性變形。導電性橡膠片具有將被檢查器件與檢查裝置電性連接之複數個導電部、及使導電部隔開之絕緣部。絕緣部可包含硬化之聚矽氧橡膠。導電性橡膠片於如下方面有利:能夠以少於彈簧針測試插座之製造費用製造,具有既不使被檢查器件之端子受損亦非常薄之厚度。因此,於被檢查器件之檢查領域中,嘗試以導電性橡膠片代替彈簧針測試插座。
彈簧針測試插座因收容彈簧針之構造而具有厚於導電性橡 膠片之厚度。因此,為了以導電性橡膠片代替彈簧針測試插座,必須對將彈簧針測試插座附著於檢查裝置之零件進行再設計以適於導電性橡膠片。因此,大致費用只會增加,無法按照原先之設計使用檢查裝置。作為用以解決此種不利之一個對策,亦可考慮具有如彈簧針測試插座之厚度之厚度之導電性橡膠片。然而,於考慮到導電性橡膠片之構造時,導電性橡膠片難以製造成特定厚度以上。
關於以導電性橡膠片代替彈簧針測試插座,韓國公開專利公報第10-2006-0123910號提出於一個導電性橡膠片之下方配置與其相似之導電性橡膠片。然而,簡單地上下配置兩個導電性橡膠片、或利用接著劑將兩個導電性橡膠片接著係無法解決如電阻增加、導電性下降、上下配置之薄片之相對位置變更的不利。
本發明之一實施例提供一種具有增加之厚度而不會因電阻增加導致導電性下降之積層型連接器。本發明之一實施例提供一種不使用物理接合而構成連接器之材料藉由化學鍵結接合而成之積層型連接器。本發明之一實施例提供一種即便反覆受到加壓,亦接合構造亦不受損之積層型連接器。本發明之一實施例提供一種上述實施例之連接器之製造方法。
本發明之實施例之一觀點係關於一種位於檢查裝置與被檢查器件之間而將檢查裝置與被檢查器件電性連接之連接器。一實施例之連接器包含沿上下方向積層之第1導電薄片與第2導電薄片。第1導電薄片包含絕緣物質且可沿上下方向導電。第2導電薄片包含絕緣物質且可沿上下 方向導電。第1導電薄片與第2導電薄片以可沿上下方向導電之方式積層而接合。接合係藉由第1導電薄片之絕緣物質分子與第2導電薄片之絕緣物質分子間之化學鍵結而實現。
於一實施例中,在第1導電薄片與第2導電薄片接合之區域包含第1導電薄片之絕緣物質分子之原子、氧原子與第2導電薄片之絕緣物質分子之原子鍵結而成之原子團。原子團亦可包含於第1導電薄片之一部分區域與第2導電薄片之一部分區域。
於一實施例中,第1導電薄片與第2導電薄片分別包含:複數個導電部,其可沿上下方向導電,至少包含絕緣物質;及絕緣部,其使複數個導電部沿水平方向隔開,包含絕緣物質。第1導電薄片之導電部與第2導電薄片之導電部藉由絕緣物質分子間之化學鍵結而接合。又,第1導電薄片之絕緣部與第2導電薄片之絕緣部藉由絕緣物質分子間之化學鍵結而接合。
於一實施例中,第1導電薄片與第2導電薄片中之一者具有沿上下方向突出之至少一個突出部,第1導電薄片與第2導電薄片中之另一者具有於上下方向嵌合突出部之凹陷部。藉由突出部與凹陷部間之嵌合而第1導電薄片之複數個導電部與第2導電薄片之複數個導電部沿上下方向對準。
於一實施例中,連接器之絕緣物質可為聚矽氧橡膠。
本發明之實施例之另一觀點係關於一種位於檢查裝置與被檢查器件之間而將檢查裝置與被檢查器件電性連接之連接器之製造方法。一實施例之連接器之製造方法包含:提供第1導電薄片及第2導電薄片之步驟,上述第1導電薄片具有面向上下方向之第1表面,可沿上下方向導電且 包含絕緣物質,上述第2導電薄片具有沿上下方向與第1表面對應之第2表面,可沿上下方向導電且包含絕緣物質;以第1表面之絕緣物質分子與第2表面之絕緣物質分子具有接著性官能基之方式對第1表面及第2表面進行重組之步驟;及以第1表面與第2表面藉由第1表面之接著性官能基與第2表面之接著性官能基間之化學鍵結接合的方式,可沿上下方向導電地積層第1導電薄片與第2導電薄片之步驟。
於一實施例中,接著性官能基為羥基,第1表面與第2表面藉由第1表面之羥基與第2表面之羥基間之化學鍵結而接合。
於一實施例中,藉由對第1表面及第2表面進行重組之步驟,接著性官能基鍵結於第1表面之絕緣物質分子之原子與第2表面的絕緣物質分子之原子。藉由將第1導電薄片與第2導電薄片積層之步驟,於第1表面之接著性官能基與第2表面之接著性官能基間之化學鍵結後生成且第1導電薄片之絕緣物質分子之原子、氧原子與第2導電薄片之絕緣物質分子之原子藉由而成之原子團包含於第1表面與第2表面接合之區域。
於一實施例中,藉由在包含氧氣之環境中對第1表面與第2表面照射紫外線而執行對第1表面與第2表面進行重組之步驟。
於一實施例中,藉由在包含氧氣之環境中於第1表面與第2表面上產生電漿而執行對第1表面與第2表面進行重組之步驟。
於一實施例中,藉由在包含氧氣之環境中對第1表面與第2表面進行電暈放電而執行對第1表面與第2表面進行重組之步驟。
根據一實施例之連接器,積層有導電薄片,導電薄片之表面以具有接著性官能基之方式重組,藉由接著性官能基間之化學鍵結而接 合。表面之接合係構成導電薄片之絕緣物質分子以接著性官能基為媒介化學鍵結而實現。藉由如上所述般接合導電薄片,接合及積層之導電薄片可具有牢固且可靠性較高之接合構造。特別是,一實施例之積層型連接器排除使用接著劑之導電薄片之接著,因此可具有增加之厚度而無接著劑引發之導電性之下降。又,導電薄片係於彼此接合之表面整體藉由化學鍵結而鍵結,因此即便因被檢查器件之反覆檢查而對連接器反覆加壓,具有積層之導電薄片之連接器亦可長期間保持牢固之接合構造。
10:檢查裝置
11:端子
20:被檢查器件
21:端子
30:測試插座
31:框架
40:插座外殼
100:連接器
110:第1導電薄片
111:第1導電部
112:第1絕緣部
113:第1導電性金屬粒子
114:第1表面
115:接著性官能基
116:第1重組分子
117:突出部
118:突出部
120:第2導電薄片
121:第2導電部
122:第2絕緣部
123:第2導電性金屬粒子
124:第2表面
125:接著性官能基
126:第2重組分子
127:凹陷部
128:凹陷部
141:接合區域
511:成形模具
512:成形空腔
513:液態成形材料
521:第1磁場施加部
522:第2磁場施加部
531:素材
532:貫通孔
611:紫外線光源
612:紫外線
621:真空腔室
622:上部電極
623:下部電極
624:電漿
631:電漿產生器
632:大氣壓電漿
633:電漿產生器
641:接地電極
642:電暈放電電極
643:電暈火焰
S100、S200、S300:步驟
VD:上下方向
HD:水平方向
HD1、HD2:水平方向
圖1係概略性地表示應用一實施例之連接器之例之剖視圖。
圖2係表示導電薄片分離之一實施例之連接器之剖視圖。
圖3係表示一實施例之連接器之導電薄片之剖視立體圖。
圖4係概略性地表示第1導電薄片與第2導電薄片之積層及接合。
圖5係概略性地表示一實施例之連接器之剖視圖,且表示提供至第1及第2導電薄片之對準部。
圖6係概略性地表示一實施例之連接器之剖視圖,且表示提供至第1及第2導電薄片之對準部之另一例。
圖7係表示一實施例之連接器之製造方法之步驟之方塊圖。
圖8係概略性地表示成形導電薄片之一例之剖視圖。
圖9係概略性地表示成形導電薄片之另一例之剖視圖。
圖10係概略性地表示表面重組之第1例。
圖11係概略性地表示表面重組之第2例。
圖12係概略性地表示表面重組之第3例。
圖13係表示第3例之表面重組中之電漿產生器之另一例。
圖14係概略性地表示表面重組之第4例。
圖15係概略性地表示表面重組之第1及第2導電薄片之積層及接合之剖視圖。
圖16係概略性地表示導電薄片之表面重組及重組分子之一例。
本發明之實施例係以說明本發明之技術思想為目的而例示。本發明之權利範圍並不限定於以下提出之實施例或該等實施例之具體說明。
只要無其他定義,則本發明中使用之所有技術用語及科學用語具有於本發明所屬之技術領域內具有常識者通常理解之含義。本發明中使用之所有用語係以更明確地說明本發明為目的而選擇者,並非係為了限制本發明之權利範圍而選擇者。
本發明中使用之如“包含”、“具備”、“具有”等之表達係只要未於包含相應之表達之語句或句子中提及其他含義,則應理解為具有包含其他實施例之可能性之開放型用語(open-ended terms)。
只要未提及其他含義,則本發明中所記述之單數型表達可包含複數型含義,此種情形亦相同地適用於發明申請專利範圍中所記載之單數型表達。
本發明中使用之“第1”、“第2”等表達用於相互區分複 數個構成要素,並非限定相應構成要素之順序或重要度。
於本發明中,在提及某個構成要素“連接”或“結合”於另一構成要素之情形時,應理解為上述某個構成要素可直接連接或結合於上述另一構成要素,或者能夠以其他新的構成要素為媒介連接或結合。
本發明中使用之“上方”之方向指示語係基於連接器相對於檢查裝置定位之方向,“下方”之方向指示語係指上方之相反方向。本發明中使用之“上下方向”之方向指示語包含上方方向與下方方向,但應理解為並不指上方方向與下方方向中之特定之一個方向。
參照隨附圖式所示之例對實施例進行說明。於隨附圖式中,對相同或對應之構成要素賦予相同之參照符號。又,於以下之實施例之說明中,可省略重複記述相同或對應之構成要素之內容。然而,即便省略有關構成要素之記述,亦不意味著此種構成要素不包含於某個實施例。又,所揭示之製造方法之實施例可包含圖中所示之步驟之一部分或全部。可依次進行圖中所示之步驟、可同時進行圖中所示之步驟中之至少兩個以上步驟、或圖中所示之步驟中之至少一個步驟可依附於另一步驟進行。
以下說明之實施例與隨附圖式所示之例係關於一種用以電性連接兩個電子器件之連接器。於實施例之連接器之應用例中,上述兩個電子器件中之一者可為檢查裝置,上述兩個電子器件中之另一者可為由檢查裝置檢查之被檢查器件。因此,實施例之連接器可用於在對被檢查器件進行電性檢查時將檢查裝置與被檢查器件電性連接。作為一例,實施例之連接器可用於在半導體器件之製造製程中之後續製程中對被檢查器件進行最終之電性檢查。然而,應用實施例之連接器之檢查之例並不限定於上述檢查。
圖1係表示應用一實施例之連接器之例。為了對實施例進行說明,圖1係表示連接器、配置連接器之電子器件、與連接器接觸之電子器件之例示性形狀。
參照圖1,一實施例之連接器100配置於兩個電子器件之間且將兩個電子器件電性連接。於圖1所示之例中,兩個電子器件中之一者可為檢查裝置10,另一者可為由檢查裝置10檢查之被檢查器件20。於對被檢查器件20進行電性檢查時,連接器100分別與檢查裝置10及被檢查器件20接觸而將檢查裝置10與被檢查器件20彼此電性連接。
作為一例,連接器100作為薄片(sheet)形狀之構造物,可結合至測試插座30。測試插座30可具有保持並支持連接器100之框架31,可藉由框架31而以可去除的方式附著於插座外殼40。插座外殼40能夠以可去除的方式安裝於檢查裝置10。插座外殼40於其內部收容藉由搬運裝置搬運至檢查裝置10之被檢查器件20,使被檢查器件20位於檢查裝置10。
被檢查器件20可為半導體封裝體,但並不限定於此。半導體封裝體係使用樹脂材料將半導體IC(Integrated Circuit,積體電路)晶片、多個引線框架(lead frame)及多個端子封裝成六面體形態之半導體器件。上述半導體IC晶片可為記憶體IC晶片或非記憶體IC晶片。作為上述端子,可使用接腳或焊球(solder ball)。圖1所示之被檢查器件20於其下側具有半球形之多個端子21。
檢查裝置10可對被檢查器件20之電特性、功能特性、動作速度等進行檢查。檢查裝置10可於執行檢查之板內具有可輸出電氣測試信號且可接收響應信號之多個端子11。
連接器100能夠以藉由測試插座30及插座外殼40而與檢查 裝置10之端子11接觸之方式配置。被檢查器件20之端子21藉由連接器100與對應之檢查裝置10之端子11電性連接。即,連接器100沿上下方向VD將被檢查器件之端子21與對應於其之檢查裝置之端子11電性連接,藉此藉由檢查裝置10執行被檢查器件20之檢查。
一實施例之連接器100分別包含可沿上下方向VD導電之第1導電薄片110及第2導電薄片120。於連接器100中,第1導電薄片110與第2導電薄片120以可沿上下方向VD導電之方式積層且沿上下方向VD接合。圖1表示第2導電薄片配置於第1導電薄片之上方之積層形態,但其僅為示例。
第1導電薄片110與第2導電薄片120包含具有彈性之絕緣物質,除執行上下方向VD之導電之構成要素以外之大部分可包含絕緣物質分子。第1導電薄片110與第2導電薄片120之接合係於在面向導電薄片之上下方向VD之對應之表面藉由形成導電薄片之材料之分子(例如,絕緣物質分子)間之化學鍵結而實現。
連接器100包含積層之第1及第2導電薄片110、120,因此連接器100具有彈性,並且於上下方向VD上具有增加之厚度及增加之按壓量。若外力向上下方向VD中之下方施加至連接器100,則第1導電薄片110與第2導電薄片120可向下方方向與水平方向HD彈性變形。上述外力可藉由推動器裝置向檢查裝置10側按壓被檢查器件20而產生。藉由此種外力,被檢查器件之端子21與連接器100可沿上下方向VD接觸,連接器100與檢查裝置之端子11可沿上下方向VD接觸。若去除上述外力,則連接器100可恢復至其原來之形狀。
第1導電薄片110包含複數個第1導電部111、及第1絕緣部 112。複數個第1導電部111以可沿上下方向VD導電之方式構成,第1絕緣部112使複數個第1導電部111絕緣。第2導電薄片120具有與第1導電薄片110相似之構成。第2導電薄片120包含複數個第2導電部121、及第2絕緣部122。複數個第2導電部121以可沿上下方向VD導電之方式構成,第2絕緣部122使複數個第2導電部121絕緣。
於接合之第1導電薄片110與第2導電薄片120中,第1導電部111與第2導電部121藉由絕緣物質分子間之化學鍵結而至少局部地接合,第1絕緣部112與第2絕緣部122藉由絕緣物質分子間之化學鍵結而接合。又,於接合之第1導電薄片110與第2導電薄片120中,第1導電部111與第2導電部121沿上下方向VD對準,第1導電部111與第2導電部121於各自之端部以可導電之方式接觸。第1導電部111於其上端以可與第2導電部121之下端導電的方式接觸,於其下端與檢查裝置10之端子11接觸。第2導電部121於其上端與被檢查器件20之端子21接觸,於其下端以可與第1導電部111之上端導電的方式接觸。藉此,於連接器100中,藉由沿上下方向VD接觸及接合之第1導電部111與第2導電部121而於與第1導電部111及第2導電部121對應之端子11與端子21之間形成上下方向之導電路徑。因此,檢查裝置10之測試信號可自端子11藉由第1及第2導電部111、121傳輸至被檢查器件20之端子21,被檢查器件20之響應信號可自端子21藉由第1及第2導電部111、121傳輸至檢查裝置10之端子11。第1導電部111之上端與下端可與第1絕緣部112之上表面及下表面形成同一平面或較其略微突出。第2導電部121之上端與下端可與第2絕緣部122之上表面及下表面形成同一平面或較其略微突出。
上述導電部之平面排列可根據被檢查器件20之端子21之平 面排列而實現各種排列。於第1導電薄片110中,第1導電部111可於四邊形第1絕緣部112內排列成一個矩陣形態或一對矩陣形態。或者,第1導電部111可沿四邊形第1絕緣部112之各邊排列成複數行。第2導電薄片120之第2導電部121可呈與第1導電部111之平面排列相同之平面排列。
為了對連接器之實施例進行說明而參照圖2至圖6。圖2至圖6係概略性地表示連接器之形狀、導電部之形狀、構成導電部之要素之形狀、絕緣部之形狀,該等僅係為了理解實施例而選擇之示例。
圖2及圖3係表示導電薄片分離之一實施例之連接器,圖4係表示圖2所示之導電薄片之接合及積層。
參照圖2及圖3,一實施例之連接器100包含沿上下方向VD接合及積層之第1導電薄片110與第2導電薄片120。第1導電薄片110包含複數個第1導電部111與第1絕緣部112。複數個第1導電部111藉由第1絕緣部112而沿水平方向HD1、HD2彼此隔開,且藉由第1絕緣部112而相對於彼此絕緣。第2導電薄片120包含複數個第2導電部121與第2絕緣部122。複數個第2導電部121藉由第2絕緣部122而沿水平方向HD1、HD2彼此隔開,且藉由第2絕緣部122而相對於彼此絕緣。
於積層之第1及第2導電薄片110、120中,彼此接觸之第1及第2導電部111、121於檢查裝置與被檢查器件之間作為導電部發揮功能,執行上下方向VD之信號傳輸。第1及第2導電部111、121可呈沿上下方向VD延伸之圓柱形狀。於此種圓柱形狀中,中間之直徑可小於上端及下端之直徑。或者,與被檢查器件之端子或檢查裝置之端子接觸之端部之直徑可等於或小於位於此種端部的相反側之端部之直徑。
各導電部可包含沿上下方向接觸之多個導電性粒子,或者 可包含沿上下方向排列且呈線狀或纖維狀之一個以上之導電體。於一實施例中,第1導電部111包含以可沿上下方向VD導電之方式接觸之多個第1導電性金屬粒子113,第2導電部121包含以可沿上下方向VD導電之方式接觸之多個第2導電性金屬粒子123。第1及第2導電性金屬粒子113、123可相同或不同。以可沿上下方向導電之方式接觸之導電性金屬粒子於一導電部內形成執行上下方向之信號傳輸之導電路徑。
可利用高導電性金屬被覆核心粒子之表面而構成上述導電性金屬粒子。核心粒子可包含鐵、鎳、鈷等金屬材料,或者包含具有彈性之樹脂材料。作為被覆於核心粒子之表面之高導電性金屬,可使用金、銀、銠、鉑、鉻等。
於各導電部中,絕緣物質可填充導電性金屬粒子之間。此種絕緣物質可與形成絕緣部之絕緣物質相同。即,導電部局部地包含形成絕緣部之絕緣物質,此種導電部之絕緣物質可自導電部之一端存在至另一端。又,形成絕緣部之絕緣物質可將多個導電性金屬粒子保持為導電部之形狀。因此,包含絕緣物質之各導電部沿上下方向VD與水平方向HD1、HD2具有彈性。於藉由被檢查器件之端子向下方按壓各導電部時,各導電部可沿水平方向HD1、HD2略微膨脹,各絕緣部可容許導電部之此種膨脹。
各絕緣部可形成各導電薄片之四邊形之彈性區域。各絕緣部作為一個彈性體而形成,沿上下方向VD與水平方向HD具有彈性。絕緣部保持導電部之形狀,且沿上下方向保持導電部。
各絕緣部包含絕緣物質。第1絕緣部112與第2絕緣部122可包含相同或不同之絕緣物質。詳細而言,各絕緣部藉由液態之絕緣物質硬 化而成形。作為一例,將分散有上述導電性金屬粒子之液態絕緣物質注入至用以成形導電薄片之模具內,此後,導電性金屬粒子藉由施加至導電部之各位置之磁場沿上下方向排列及接觸而可形成上述導電部,此後,液態絕緣物質硬化而可形成上述絕緣部。作為又一例,可藉由如下方式形成導電部:不包含導電性金屬粒子之液態絕緣物質硬化而成形,形成呈導電薄片形狀之素材,此後,於素材之導電部之各位置形成貫通孔,此後,以分散有導電性金屬粒子之液態絕緣物質填充此種貫通孔,藉由磁力使貫通孔內之導電性金屬粒子以可沿上下方向導電之方式接觸。
構成導電薄片之絕緣物質具有絕緣性與彈性。此種絕緣物質構成導電薄片之絕緣部,且構成導電薄片之導電部之一部分。於一實施例之連接器中,絕緣物質可為聚矽氧橡膠(silicone rubber),但並不限定於此。作為絕緣物質,可採用具有絕緣性與彈性之物質。
於將聚矽氧橡膠用作絕緣物質之情形時,作為用以成形絕緣部之液態之聚矽氧橡膠材料,可使用加成型液態聚矽氧橡膠、縮合型聚矽氧橡膠、包含乙烯基之液態聚矽氧橡膠等。作為具體例,液態聚矽氧橡膠材料可包含二甲基聚矽氧生橡膠、甲基乙烯基聚矽氧生橡膠、甲基苯基乙烯基聚矽氧生橡膠等,但並不限定於此。
於實施例之連接器中,第1導電薄片110與第2導電薄片120沿上下方向VD積層及接合。於積層之第1導電薄片110與第2導電薄片120中,第1導電部111與第2導電部121以可沿上下方向VD對準及導電之方式接觸且至少局部地彼此接合。因此,連接器100可於被檢查器件之端子與檢查裝置之端子之間沿上下方向VD導電。具有彼此接合之第1導電薄片110與第2導電薄片120之連接器100可作為具有增加之厚度之一個積層構 造物,配置於被檢查器件與檢查裝置之間。
參照圖2及圖3,第1導電薄片110可具有與第2導電薄片120接合之第1表面114,第2導電薄片120可具有與第1導電薄片110接合之第2表面124。第1表面114為面向上下方向VD之第1導電薄片110之表面中之一個表面。第2表面124為面向上下方向VD之第2導電薄片120之表面中之一個表面,沿上下方向VD與第1表面114對應。如圖2及圖3所示,第1表面114可為上下方向之第1導電薄片110之上表面,第2表面124可為上下方向之第2導電薄片120之下表面。因此,第1表面114可包含第1絕緣部112之上下方向VD之上表面及第1導電部111之上下方向VD的上端面。第2表面124可包含第2絕緣部122之上下方向VD之下表面及第2導電部121之上下方向VD的下端面。藉由使第1表面114與第2表面124相互接合,第1導電薄片110與第2導電薄片120沿上下方向接合及積層。
於構成實施例之連接器之接合前之導電薄片中,如圖4所示,存在於第1表面114與第2表面124之絕緣物質之分子具有可實現由化學鍵結進行之接合的接著性官能基115、125。藉由第1表面114之接著性官能基115與第2表面124之接著性官能基125間之化學鍵結,第1表面114與第2表面124可相互接合。作為一例,上述接著性官能基可為親水性官能基。作為具體例,上述接著性官能基可為羥基(-OH)。實施例中採用之接著性官能基並不限定於羥基,可包含可進行化學鍵結之官能基。
第1表面114與第2表面124可藉由表面重組而具有接著性官能基115、125。此處,表面重組係指變更第1導電薄片之表面與第2導電薄片之表面之化學狀態、例如增加較低之表面能量。第1表面114係以第1導電薄片110之表面中之面向上下方向VD之一個表面具有接著性官能基 115的方式重組之表面。第2表面124係以第2導電薄片120之表面中之面向上下方向VD之一個表面具有接著性官能基125的方式重組之表面。如上所述,以具有接著性官能基之方式重組第1及第2表面,因此於存在於第1及第2表面之絕緣物質之分子形成接著性官能基。因此,如圖4所示,第1表面114具有於絕緣物質分子之原子鍵結有接著性官能基115之第1重組分子116,第2表面124具有於絕緣物質分子之原子鍵結有接著性官能基125之第2重組分子126。於絕緣物質為聚矽氧橡膠之情形時,第1及第2表面中之聚矽氧橡膠分子以於聚矽氧橡膠分子之聚矽氧原子鍵結接著性官能基之方式重組。
第1重組分子116與第2重組分子126可藉由如下方式形成:於包含氧氣之環境中對導電薄片之表面照射紫外線、產生電漿、或進行電暈放電而於絕緣物質分子之原子(例如,聚矽氧橡膠分子之聚矽氧原子)鍵結接著性官能基。第1重組分子116與第2重組分子126可形成於幾乎整個第1表面及第2表面。第1重組分子116與第2重組分子126能夠以數十至數百奈米之厚度形成於第1表面與第2表面。圖4係簡化表示此種重組分子。
根據一實施例,於第1表面114與第2表面124中之經重組之絕緣物質分子中,作為接著性官能基115、125之羥基(-OH)鍵結於絕緣物質分子之原子。於絕緣物質為聚矽氧橡膠之情形時,在第1表面114與第2表面124中之經重組之聚矽氧橡膠分子中,羥基(-OH)鍵結於聚矽氧原子。第1及第2表面114、124因羥基(-OH)而具有親水性。可藉由使第1表面114與第2表面124接觸特定時間或朝向彼此加壓而使第1表面114之羥基與第2表面124之羥基化學鍵結。因此,第1表面114之第1重組分子116與第2表面124之第2重組分子126可藉由第1重組分子之羥基與第2重組分子 的羥基間之化學鍵結而彼此鍵結,藉此可接合第1表面114與第2表面124。
於絕緣物質分子以具有接著性官能基之方式重組之第1及第2表面114、124中,重組之絕緣物質分子於構成絕緣物質分子之原子鍵結有氧原子與氫原子鍵結而成之原子團(-O-H之原子團,羥基)。於絕緣物質分子為聚矽氧橡膠分子之情形時,氧原子與氫原子鍵結而成之原子團鍵結於聚矽氧原子,因此重組之聚矽氧橡膠分子具有-Si-O-H之原子團。藉由將第1導電薄片110與第2導電薄片120積層及接合,第1表面114之-Si-O-H之原子團與第2表面124之-Si-O-H之原子團化學鍵結,從而生成聚矽氧原子、氧原子與聚矽氧原子鍵結而成之原子團(即,-Si-O-Si-之原子團)及H2O。詳細而言,氫鍵作用於第1表面114中之-Si-O-H之原子團與第2表面124中之-Si-O-H的原子團間。於鍵結氫後,生成H2O,聚矽氧原子與氧原子與聚矽氧原子形成共價鍵。H2O可自接合之第1表面114與第2表面124蒸發。於是,於第1及第2表面接合之區域剩有-Si-O-Si-之原子團。即,第1表面114與第2表面124可共有-Si-O-Si-之原子團而相互接合。於-Si-O-Si-之原子團中,一個聚矽氧原子為第1表面中之聚矽氧橡膠分子之聚矽氧原子,另一個聚矽氧原子為第2表面中之聚矽氧橡膠分子之聚矽氧原子。
因此,於第1導電薄片110之第1表面114與第2導電薄片120之第2表面124接合之區域,包含第1表面114中之絕緣物質分子之原子、氧原子與第2表面124中之絕緣物質分子之原子鍵結而成之原子團(於絕緣物質為聚矽氧橡膠之情形時為-Si-O-Si-之原子團)。此種原子團亦能夠以微小之深度向第1表面114與第2表面124之內側擴散而存在。因此,此種 原子團可擴散於第1導電薄片110之一部分區域與第2導電薄片120之一部分區域而包含於第1導電薄片110與第2導電薄片120接合之區域。
參照圖4,藉由第1表面114與第2表面124彼此接合,連接器100可於第1導電薄片110與第2導電薄片120之間包含藉由第1導電薄片110之重組之絕緣物質分子與第2導電薄片120的重組之絕緣物質分子間之化學鍵結而產生之接合區域141。接合區域141可於第1及第2導電薄片之間沿水平方向HD形成為層狀,可具有數十至數百奈米之厚度。於圖4中,以誇張之尺寸表示接合區域141。接合區域141可跨及第1絕緣部112之上表面、第1導電部111之上端面、第2絕緣部122之下表面及第2導電部121之下端面而形成。接合區域141可包含於第1及第2重組分子之接著性官能基(羥基)間化學鍵結後生成之原子團。於絕緣物質為聚矽氧橡膠之情形時,在接合區域141,第1導電薄片之聚矽氧原子、氧原子與第2導電薄片之聚矽氧原子鍵結而成之原子團(-Si-O-Si之原子團)包含於接合區域141。此種原子團可擴散至接合區域141整體而包含。
參照圖3及圖4,第1表面114包含第1絕緣部之重組之上表面與第1導電部之重組的上端面,第2表面124包含第2絕緣部之重組之下表面與第2導電部之經重組的下端面。於積層之第1及第2導電薄片110、120中,藉由接著性官能基之化學鍵結而接合有上下定位之絕緣部與導電部,因此對積層之第1及第2導電薄片賦予牢固之接合構造。根據此種接合構造,即便長時間向下方反覆按壓積層及接合之第1及第2導電薄片,接合之第1及第2導電薄片110、120亦不會分離。於沿上下方向VD接觸及接合之第1導電部111與第2導電部121存在第1導電部之絕緣物質與第2導電部之絕緣物質間的鍵結結構,不存在使導電性劣化之物質。藉此,連接器 100呈不降低導電性之接合構造。
一實施例之連接器可具有分別設置於第1導電薄片與第2導電薄片之對準部。於藉由上述對準部積層第1導電薄片與第2導電薄片時,可固定第1導電薄片與第2導電薄片之水平方向上之位置,可使第1導電部與第2導電部沿上下方向對準。作為上述對準部之示例,第1導電薄片與第2導電薄片中之一者可具有沿上下方向突出之至少一個突出部,第1導電薄片與第2導電薄片中之另一者可具有呈與上述突出部互補之形狀且於上下方向嵌合上述突出部之凹陷部。突出部之橫截面形狀可呈圓形、橢圓形、長橢圓形、四邊形中之任一者,凹陷部之橫截面形狀可與突出部之橫截面形狀對應。圖5與圖6係表示用以對準導電部之對準部提供於第1及第2導電薄片之示例。
參照圖5,複數個第1導電部111中之至少一者可具有沿上下方向VD突出之突出部117,複數個第2導電部121中之至少一者可具有凹陷部127。突出部117可成為第1導電部111之上端部,凹陷部127可成為第2導電部121之下端部。突出部117與凹陷部127以突出部117於上下方向VD上嵌合至凹陷部127之方式形成。因此,於積層第1導電薄片110與第2導電薄片120時,藉由突出部117與凹陷部127間之上下方向VD上之嵌合而可使第1導電部111與第2導電部121於上下方向VD上對準及接觸。第1導電薄片之重組之第1表面114包含突出部117之表面,第2導電薄片之重組之第2表面124包含凹陷部127之表面。突出部117與凹陷部127亦可藉由接著性官能基間之化學鍵結而接合。
僅複數個第1導電部111中之一者可具有突出部117,僅與具有突出部117之第1導電部對應之第2導電部121可具有凹陷部127。突出 部117可提供至定位成一行之第1導電部111、或提供至所有第1導電部111。與此種第1導電部111對應之第2導電部121可具有凹陷部127。突出部117亦可跨及兩個以上之第1導電部111而形成,凹陷部127能夠以與此種突出部117之形狀對應之方式形成。第2導電薄片120之第2導電部121可具有上述突出部117,第1導電薄片110之第1導電部111可具有上述凹陷部127。
參照圖6,第1絕緣部112可具有沿上下方向VD突出之至少一個突出部118,第2絕緣部122可具有沿上下方向VD凹陷之至少一個凹陷部128。突出部118與凹陷部128以突出部118於上下方向VD上嵌合至凹陷部128之方式形成。因此,於積層第1導電薄片110與第2導電薄片120時,藉由突出部118與凹陷部128間之上下方向VD上之嵌合而可使第1導電部111與第2導電部121於上下方向VD上對準及接觸。第1導電薄片之重組之第1表面114包含突出部118之表面,第2導電薄片之重組之第2表面124包含凹陷部128之表面。突出部118與凹陷部128亦可藉由接著性官能基間之化學鍵結而接合。
第1絕緣部112可具有一個突出部118,第2絕緣部122可具有形成於與突出部118之位置對應之位置之一個凹陷部128。突出部118可形成於第1絕緣部112之中央或各角隅,凹陷部128可形成於與此種突出部118之位置對應之位置。第2導電部121可具有上述突出部118,第1導電部111可具有上述凹陷部128。
連接器100可具有以可沿上下方向導電之方式積層於所積層之第1導電薄片110與第2導電薄片120中之任一者的第3導電薄片。根據此種第3導電薄片,連接器100可具有更厚之厚度,且可具有更大之上下 方向之按壓量。第3導電薄片可構成為與第1導電薄片110或第2導電薄片120相似,可藉由上述表面重組而利用接著性官能基以可沿上下方向導電之方式接合於第1導電薄片110或第2導電薄片120。
參照圖7至圖16,對連接器之製造方法之實施例進行說明。藉由實施例之製造方法,可製造位於檢查裝置與被檢查器件之間而將檢查裝置與被檢查器件電性連接之連接器。圖8至圖16係概略性地表示連接器之形狀、連接器之構成要素之形狀、裝置之形狀,該等僅係為了理解實施例而選擇之例。
圖7係表示一實施例之連接器之製造方法之步驟。參照圖7,一實施例之連接器之製造方法包含:步驟S100,其係提供可沿上下方向導電且包含絕緣物質之第1及第2導電薄片;步驟S200,其係以第1及第2導電薄片之對應之表面中之絕緣物質分子具有接著性官能基的方式重組上述對應之表面;及步驟S300,其係以藉由接著性官能基間之化學鍵結接合上述對應之表面之方式,可沿上下方向導電地積層第1導電薄片與第2導電薄片。
藉由步驟S100,可提供構成一實施例之連接器之圖2所示之第1導電薄片與第2導電薄片。圖8及圖9係概略性地表示成形導電薄片之示例。
參照圖8,一實施例之導電薄片可使用成形模具511與上下配置於成形模具511之第1及第2磁場施加部521、522而成形。可向成形模具511之成形空腔512注入液態成形材料513。液態成形材料513可包含液態絕緣物質與以上例示之導電性金屬粒子中之一者。作為上述液態絕緣物質,可使用以上例示之液態聚矽氧橡膠中之一者。導電性金屬粒子分散於 液態聚矽氧橡膠材料內。於液態成形材料513注入至成形空腔512後,藉由第1及第2磁場施加部521、522沿上下方向VD對導電部之各位置施加磁場。第1磁場施加部521與第2磁場施加部522以沿成形模具511之上下方向(即,連接器之上下方向)彼此對向之方式配置。若施加磁場,則導電性金屬粒子於導電部之各位置藉由磁力沿上下方向排列及接觸,從而可形成導電部。於多個導電性金屬粒子以可沿上下方向VD導電之方式接觸後,液態成形材料513之液態絕緣物質硬化。藉此,藉由步驟S100,可提供圖2及圖3所示之第1導電薄片110與第2導電薄片120。
參照圖9,可使用成形模具自不包含導電性金屬粒子之液態絕緣物質(作為一例,上述液態聚矽氧橡膠)成形呈導電薄片之形狀之素材531。於成形之素材531中,在導電部之各位置形成貫通孔532。貫通孔532由分散有上述導電性金屬粒子之液態絕緣物質填充。藉由磁力使貫通孔532內之導電性金屬粒子沿上下方向排列及接觸,使貫通孔內之液態絕緣物質硬化。藉此,藉由步驟S100,可提供圖2所示之第1導電薄片110與第2導電薄片120。
如圖2所示,第1導電薄片110具備:複數個第1導電部111,其可沿上下方向VD導電,至少包含絕緣物質;及第1絕緣部112,其使複數個第1導電部111沿水平方向HD隔開且彼此絕緣,包含絕緣物質。第1導電薄片110具有成為面向上下方向VD之表面中之一個表面之第1表面114。如圖2所示,第2導電薄片120具備:複數個第2導電部121,其可沿上下方向VD導電,至少包含絕緣物質;及第2絕緣部122,其使複數個第2導電部121沿水平方向HD隔開且彼此絕緣,包含絕緣物質。第2導電薄片120具有成為面向上下方向VD之表面中之一個表面且與第1表面114對 應之第2表面124。
藉由步驟S200,第1導電薄片之第1表面中之絕緣物質分子(作為一例,聚矽氧橡膠分子)與第2導電薄片之第2表面中的絕緣物質分子(作為一例,聚矽氧橡膠分子)以具有接著性官能基之方式重組。第1表面之接著性官能基與第2表面之接著性官能基可藉由化學鍵結而接著。作為一實施例,接著性官能基為羥基(-OH),但並不限定於此。第1表面與第2表面可藉由鍵結於第1表面中之絕緣物質分子之羥基與鍵結於第2表面中之絕緣物質分子的羥基間之化學鍵結而接合。
若第1表面與第2表面重組,則第1表面與第2表面可具有於絕緣物質分子形成有羥基(-OH)之重組分子。此種重組分子可跨及第1表面與第2表面而根據表面重組時間具有數十至數百奈米之厚度。於表面重組時間較長之情形時,重組分子亦可形成為數奈米之厚度。第1表面與第2表面因羥基而具有親水性。若使表面重組之第1表面與第2表面接觸,則可藉由羥基間之化學鍵結使第1表面之重組分子與第2表面之重組分子鍵結。又,根據以下所揭示之表面重組之示例,第1表面與第2表面之表面粗糙度增加,從而可提高接合力。可藉由各種表面重組方法執行重組第1表面及第2表面之步驟S200,以使第1表面中之絕緣物質分子與第2表面中之絕緣物質分子具有羥基。
作為表面重組之第1例,可藉由在包含氧氣之環境中對第1導電薄片之第1表面與第2導電薄片之第2表面照射紫外線而執行重組第1表面及第2表面的步驟S200。圖10係概略性地表示表面重組之第1例。
參照圖10,藉由在包含氧氣之環境中自紫外線光源611對第1表面114與第2表面124照射紫外線612,第1表面114與第2表面124中之 絕緣物質分子(作為一例,聚矽氧橡膠分子)能夠以具有接著性官能基(羥基)115、125之方式重組。上述包含氧氣之環境可為大氣環境。作為紫外線光源611,例如可使用準分子燈,但並不限定於此。紫外線光源611例如可照射具有10nm至400nm之波長之紫外線。可於室溫下進行紫外線照射,但並不限定於此。照射紫外線之時間可根據紫外線光源611之輸出而實現各種設定。
若自紫外線光源611對第1表面114與第2表面124照射紫外線612,則環境中之氧氣吸收紫外線而變成臭氧。臭氧將第1表面114與第2表面124之有機物分解而發揮清潔效果。於吸收紫外線之第1表面114與第2表面124中,羥基鍵結於絕緣物質分子之原子(作為一例,聚矽氧橡膠分子之聚矽氧原子),因此上述重組分子可形成於各表面。如上所述,藉由在包含氧氣之環境中自紫外線光源611對第1表面114與第2表面124照射紫外線612,第1表面114與第2表面124能夠以具有羥基之方式重組。
可於包含氧氣之環境中利用電漿執行表面重組。電漿可產生於第1表面與第2表面上、或噴射於第1表面與第2表面。
作為表面重組之第2例,可藉由在包含氧氣之環境中在第1表面與第2表面上產生電漿而執行重組第1表面及第2表面之步驟S200。圖11係概略性地表示表面重組之第2例。
參照圖11,可於真空腔室621內產生上述電漿。於真空腔室621內設置上部電極622與下部電極623。第1導電薄片110與第2導電薄片120分別以第1表面114與第2表面124朝向上部之方式堆積於下部電極623上。向真空腔室621注入空氣或氧氣作為處理氣體而於真空腔室621內形成包含氧氣之環境。於真空腔室621內點燃電漿624。電漿624可為低溫 電漿。藉由電漿624重組第1表面114與第2表面124。藉此,於第1及第2表面114、124形成上述重組分子,於該重組分子之原子(作為一例,聚矽氧橡膠分子之聚矽氧原子)鍵結羥基。
作為表面重組之第3例,可藉由在包含氧氣之環境中向第1表面與第2表面噴射大氣壓電漿而執行重組第1表面及第2表面之步驟S200。圖12係概略性地表示表面重組之第3例。
參照圖12,藉由自電漿產生器631對第1導電薄片110之第1表面114(或第2導電薄片之第2表面)噴射大氣壓電漿(atmospheric plasma)632,第1導電薄片之第1表面114與第2導電薄片之第2表面中之絕緣物質分子(作為一例,聚矽氧橡膠分子)以具有接著性官能基(羥基)之方式重組,從而上述重組分子可形成於各表面。噴射之大氣壓電漿632可清潔第1表面114並使其活化。可於大氣環境中進行大氣壓電漿632之噴射。或者,可於包含氧氣之處理氣體之環境中進行大氣壓電漿632之噴射。如圖12所示,電漿產生器631可取火炬形狀。火炬形狀之電漿產生器631亦可沿第1表面114沿水平方向反覆移送而將大氣壓電漿632噴射至第1表面114。
圖13係表示第3例之表面重組方法中之電漿產生器之另一例。參照圖13,電漿產生器633可取條(bar)狀而於水平方向上重組第1表面114或第2表面。
作為表面重組之第4例,可藉由在包含氧氣之環境中對第1表面與第2表面進行電暈放電而執行重組第1表面及第2表面之步驟S200。圖14係概略性地表示表面重組之第4例。
參照圖14,藉由在包含氧氣之環境中對第1表面114(或第2 表面)進行電暈放電,第1表面114能夠以具有接著性官能基(羥基)之方式重組,從而可形成於絕緣物質分子之原子(作為一例,聚矽氧橡膠分子之聚矽氧原子)鍵結有羥基之重組分子。第1導電薄片110(或第2導電薄片)堆積於接地電極641上,電暈火焰643自電暈放電電極642產生於第1表面114(或第2表面)。藉由電暈放電處理,第1表面114(或第2表面)以具有接著性官能基(羥基)之方式重組,可形成於絕緣物質分子之原子鍵結有羥基之重組分子。電暈放電電極642可呈火炬形狀,可沿第1表面114移送。或者,電暈放電電極642亦可呈條狀。該例中之包含氧氣之環境可為大氣環境或氧氣環境。電暈火焰643包含藉由高頻離子化而帶電荷之粒子,此種粒子藉由與第1表面114碰撞而使第1表面114氧化。因表面氧化而於第1表面114之聚矽氧橡膠分子形成接著性官能基(羥基),第1表面114之表面能量增加而可具有接合性。
根據步驟S300,第1導電薄片與第2導電薄片以可沿上下方向導電之方式積層,以使第1表面與第2表面接合。關於步驟S300,參照圖15與圖16。圖15係概略性地表示表面重組之第1及第2導電薄片之積層及接合,圖16係概略性地表示導電薄片之表面重組及重組分子之一例。
第1導電薄片110之第1表面114與第2導電薄片120之第2表面124以具有接著性官能基(羥基(-OH))115、125之方式重組,因此具有親水性。親水性羥基形成於第1表面114與第2表面124,因此只要簡單地使第1導電薄片與第2導電薄片沿上下方向VD接觸,即可藉由接著性官能基115、125間之化學鍵結(羥基間之化學鍵結)將第1表面114與第2表面124接合。第1導電薄片110與第2導電薄片120以可導電之方式積層。即,第1導電薄片110之第1導電部111與第2導電薄片120之第2導電部121沿上 下方向VD對準及接觸。
參照圖16,於第1表面114之第1重組分子116中,在絕緣物質分子之原子(作為一例,聚矽氧橡膠分子之聚矽氧原子)鍵結有接著性官能基(羥基(-OH)),於第2表面124之第2重組分子126中,在絕緣物質分子之原子(作為一例,聚矽氧橡膠分子之聚矽氧原子)鍵結有接著性官能基(羥基(-OH))。因此,第1表面114之第1重組分子116與第2表面124之第2重組分子126包含絕緣物質分子之原子、氧原子與氫原子鍵結而成之原子團。於絕緣物質分子為聚矽氧橡膠分子之情形時,第1重組分子116與第2重組分子126包含鍵結於聚矽氧原子之-O-H之原子團(羥基)。
藉由沿上下方向VD積層第1導電薄片110與第2導電薄片120,第1表面114與第2表面124沿上下方向VD接觸。第1重組分子116之-Si-O-H之原子團與第2重組分子126之-Si-O-H之原子團化學鍵結,從而第1表面114之第1重組分子116與第2表面124之第2重組分子126化學鍵結。藉此,第1表面114與第2表面124沿上下方向接合。藉由第1表面114與第2表面124接合,接合區域141可形成於第1導電薄片110與第2導電薄片120之間。第1表面之第1重組分子116與第2表面之第2重組分子126化學鍵結而產生接合區域141。即,於第1重組分子116之羥基與第2重組分子126之羥基間化學鍵結後產生接合區域141,且於接合區域141鍵結有第1表面114之絕緣物質分子與第2表面124之絕緣物質分子
第1重組分子116與對應於其之第2重組分子126化學鍵結,從而生成鍵結有接著性官能基之原子與氧原子鍵結而成之原子團及H2O。於該情形時,上述原子團包含鍵結有接著性官能基之第1重組分子116之原子、氧原子及鍵結有接著性官能基之第2重組分子126之原子。於絕緣物 質分子為聚矽氧橡膠分子之情形時,第1重組分子116之-Si-O-H之原子團與對應於其之第2重組分子126之H-O-Si-之原子團藉由氫鍵之作用而化學鍵結,從而生成聚矽氧原子、氧原子與聚矽氧原子鍵結而成之原子團(即,-Si-O-Si-之原子團)及H2O。詳細而言,氫鍵於第1重組分子116中之-Si-O-H之原子團與第2重組分子126中之-Si-O-H之原子團間發揮作用。於鍵結氫後,生成H2O,聚矽氧原子、氧原子與聚矽氧原子形成共價鍵。若經過特定時間,則生成之H2O可自接合區域141蒸發,或可藉由加熱而自接合區域141蒸發。或者,亦可於接合區域141內存在極其微量之H2O。
於接合之第1及第2表面114、124中,第1表面114中之聚矽氧橡膠分子與第2表面124中之聚矽氧橡膠分子可由-Si-O-Si-之原子團共價鍵結。即,第1及第2表面114、124共有-Si-O-Si-之原子團而彼此接合。因此,第1及第2表面114、124接合之區域(例如,接合區域141)包含於第1重組分子116之羥基與第2重組分子126之羥基間化學鍵結後生成且聚矽氧原子與氧原子鍵結而成之原子團(-Si-O-Si-之原子團)。於-Si-O-Si-之原子團中,一個聚矽氧原子為第1表面114中之聚矽氧橡膠分子之聚矽氧原子,另一個聚矽氧原子為第2表面124中之聚矽氧橡膠分子之聚矽氧原子。
如圖15所示,於積層之第1及第2導電薄片110、120中,幾乎所有上下定位之絕緣部與導電部可藉由接著性官能基之化學鍵結而接合。因此,積層之第1及第2導電薄片110、120具有牢固且可靠性較高之接合構造,因此即便因反覆檢查被檢查器件而反覆向下方進行按壓,亦不會彼此分離。又,積層之第1及第2導電薄片110、120具有不降低導電性 之接合構造。
關於步驟S300,可使用適當之夾具將第1導電薄片與第2導電薄片以可沿上下方向導電之方式對準。或者,於第1導電薄片與第2導電薄片具備參照圖5或圖6進行說明之對準部之情形時,第1導電薄片與第2導電薄片能夠以可沿上下方向導電之方式積層而無錯誤對準。
於第1及第2導電薄片之積層步驟後,積層之第1及第2導電薄片中之一者可向另一者加壓。第1導電薄片之重組之第1表面與第2導電薄片之重組的第2表面可不形成為完整之平坦面,可具有略微之表面粗糙度與微小之凹凸。藉由上述加壓,能夠以更高之水準接合第1表面與第2表面。
於第1及第2導電薄片之積層步驟後,亦可藉由加熱硬化接合之第1及第2表面以使絕緣物質穩定。此種硬化可於不使絕緣物質之物性發生變化之溫度以下之特定溫度下進行特定時間。
於積層第1及第2導電薄片後,第3導電薄片能夠以可沿上下方向導電之方式接合及積層於第1導電薄片或第2導電薄片。第3導電薄片可具有與第1導電薄片或第2導電薄片相似之構成。第1導電薄片或第2導電薄片之上下方向上之另一表面上之絕緣物質分子能夠以具有接著性官能基的方式重組,與其對應之第3導電薄片之表面中之絕緣物質分子能夠以具有接著性官能基之方式重組。可將積層之第1及第2導電薄片中之一個導電薄片與第3導電薄片積層。
以上,藉由一部分實施例與隨附圖式所示之示例對本發明之技術思想進行了說明,但應瞭解,可於不脫離本發明所屬之技術領域內具有常識者可理解之本發明之技術思想及範圍的範圍內進行各種置換、變 化及變更。又,此種置換、變化及變更應理解為屬於隨附之發明申請專利範圍內。
100:連接器
110:第1導電薄片
111:第1導電部
112:第1絕緣部
114:第1表面
115:接著性官能基
116:第1重組分子
120:第2導電薄片
121:第2導電部
122:第2絕緣部
124:第2表面
125:接著性官能基
126:第2重組分子
141:接合區域
VD:上下方向
HD:水平方向

Claims (12)

  1. 一種連接器,其係位於檢查裝置與被檢查器件之間而將上述檢查裝置與上述被檢查器件電性連接者,其包含: 第1導電薄片,其包含絕緣物質,可沿上下方向導電;及 第2導電薄片,其包含絕緣物質,可沿上述上下方向導電;且 上述第1導電薄片與上述第2導電薄片以可沿上述上下方向導電之方式積層而接合, 上述接合係藉由上述第1導電薄片之絕緣物質分子與上述第2導電薄片之絕緣物質分子間之化學鍵結而實現。
  2. 如請求項1之連接器,其中上述第1導電薄片與上述第2導電薄片接合之區域包含上述第1導電薄片之絕緣物質分子之原子、氧原子與上述第2導電薄片之絕緣物質分子之原子鍵結而成之原子團, 上述原子團亦包含於上述第1導電薄片之一部分區域與上述第2導電薄片之一部分區域。
  3. 如請求項1之連接器,其中上述第1導電薄片與上述第2導電薄片分別包含:複數個導電部,其可沿上述上下方向導電,至少包含絕緣物質;及絕緣部,使上述複數個導電部沿水平方向隔開,包含絕緣物質; 上述第1導電薄片之導電部與上述第2導電薄片之導電部藉由絕緣物質分子間之化學鍵結而接合。
  4. 如請求項3之連接器,其中上述第1導電薄片之絕緣部與上述第2導電薄片之絕緣部藉由絕緣物質分子間之化學鍵結而接合。
  5. 如請求項3之連接器,其中上述第1導電薄片與上述第2導電薄片中之一者具有沿上述上下方向突出之至少一個突出部,上述第1導電薄片與上述第2導電薄片中之另一者具有於上述上下方向上嵌合上述突出部之凹陷部, 藉由上述突出部與上述凹陷部間之嵌合,上述第1導電薄片之複數個導電部與上述第2導電薄片之複數個導電部沿上述上下方向對準。
  6. 如請求項1之連接器,其中上述絕緣物質為聚矽氧橡膠。
  7. 一種連接器之製造方法,其係位於檢查裝置與被檢查器件之間而將上述檢查裝置與上述被檢查器件電性連接之連接器之製造方法,其包含: 提供第1導電薄片及第2導電薄片之步驟,上述第1導電薄片具有面向上下方向之第1表面,可沿上述上下方向導電且包含絕緣物質,上述第2導電薄片具有沿上述上下方向與上述第1表面對應之第2表面,可沿上述上下方向導電且包含絕緣物質; 以上述第1表面之絕緣物質分子與上述第2表面之絕緣物質分子具有接著性官能基之方式進行重組之步驟;及 以上述第1表面與上述第2表面藉由上述第1表面之接著性官能基與上述第2表面之接著性官能基間之化學鍵結而接合之方式,可沿上述上下方向導電地積層上述第1導電薄片與上述第2導電薄片之步驟。
  8. 如請求項7之連接器之製造方法,其中上述接著性官能基為羥基, 上述第1表面與上述第2表面藉由上述第1表面之羥基與上述第2表面之羥基間之化學鍵結而接合。
  9. 如請求項7之連接器之製造方法,其中藉由對上述第1表面及上述第2表面進行重組之步驟,上述接著性官能基鍵結於上述第1表面之絕緣物質分子之原子與上述第2表面之絕緣物質分子之原子, 藉由積層上述第1導電薄片與上述第2導電薄片之步驟,於上述第1表面之接著性官能基與上述第2表面之接著性官能基間之化學鍵結後生成且上述第1導電薄片之絕緣物質分子之原子、氧原子與上述第2導電薄片之絕緣物質分子之原子鍵結而成之原子團包含於上述第1表面與上述第2表面接合的區域。
  10. 如請求項7之連接器之製造方法,其中藉由在包含氧氣之環境中對上述第1表面與上述第2表面照射紫外線而執行對上述第1表面與上述第2表面進行重組之步驟。
  11. 如請求項7之連接器之製造方法,其中藉由在包含氧氣之環境中在上述第1表面與上述第2表面上產生電漿而執行對上述第1表面與上述第2表面進行重組之步驟。
  12. 如請求項7之連接器之製造方法,其中藉由在包含氧氣之環境中對上述第1表面與上述第2表面進行電暈放電而執行對上述第1表面與上述第2表面進行重組之步驟。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI799989B (zh) * 2021-09-13 2023-04-21 日商雅馬哈智能機器控股股份有限公司 表面處理裝置及半導體裝置的製造裝置
KR102635714B1 (ko) * 2021-09-14 2024-02-13 주식회사 아이에스시 검사용 소켓 제조 방법
TWI841007B (zh) * 2022-10-19 2024-05-01 泰可廣科技股份有限公司 粒子式測試連接器

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1473378A (zh) * 2000-11-01 2004-02-04 Jsr株式会社 测量电阻用的连接器和用于电路板的电阻测量装置以及测量方法
TW200515644A (en) * 2003-09-09 2005-05-01 Nitto Denko Corp Anisotropic conductive film, production method thereof and method of use thereof
TW200605445A (en) * 2004-04-05 2006-02-01 Tyco Electronics Corp Bonded three dimensional metal laminate structure and method
KR20060123910A (ko) * 2005-05-30 2006-12-05 삼성전자주식회사 두께 보상 부재를 구비하는 도전성 고무 테스트 소켓조립체

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003506686A (ja) 1999-07-28 2003-02-18 ナノネクサス インコーポレイテッド 集積回路ウェーハのプローブカード組立体の構造および製造方法
JP2004172588A (ja) 2002-10-28 2004-06-17 Jsr Corp シート状コネクターおよびその製造方法並びにプローブ装置
TWI242647B (en) 2002-11-22 2005-11-01 Phicom Corp Probe for testing flat panel display and manufacturing method thereof
EP1633019B1 (en) 2003-06-12 2012-09-05 JSR Corporation Anisotropc conductive connector device and production method therefor and circuit device inspection device
US6942941B2 (en) 2003-08-06 2005-09-13 General Motors Corporation Adhesive bonds for metalic bipolar plates
JP3736572B2 (ja) 2004-05-19 2006-01-18 Jsr株式会社 シート状プローブおよびその製造方法並びにその応用
CN100539305C (zh) * 2005-02-16 2009-09-09 Jsr株式会社 复合导电性薄板及其制造方法
KR20130039462A (ko) 2011-10-12 2013-04-22 삼성전기주식회사 프로브 카드 및 이의 제조 방법
KR20150079255A (ko) * 2013-12-31 2015-07-08 주식회사 아이에스시 시트형 커넥터 및 전기적 커넥터 장치
KR101624689B1 (ko) * 2014-08-21 2016-05-26 주식회사 아이에스시 접속용 커넥터

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1473378A (zh) * 2000-11-01 2004-02-04 Jsr株式会社 测量电阻用的连接器和用于电路板的电阻测量装置以及测量方法
TW200515644A (en) * 2003-09-09 2005-05-01 Nitto Denko Corp Anisotropic conductive film, production method thereof and method of use thereof
TW200605445A (en) * 2004-04-05 2006-02-01 Tyco Electronics Corp Bonded three dimensional metal laminate structure and method
KR20060123910A (ko) * 2005-05-30 2006-12-05 삼성전자주식회사 두께 보상 부재를 구비하는 도전성 고무 테스트 소켓조립체

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