TWI698555B - 鍍覆裝置及鍍覆方法 - Google Patents

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TWI698555B
TWI698555B TW106105907A TW106105907A TWI698555B TW I698555 B TWI698555 B TW I698555B TW 106105907 A TW106105907 A TW 106105907A TW 106105907 A TW106105907 A TW 106105907A TW I698555 B TWI698555 B TW I698555B
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Abstract

本發明提供一種對具有抗蝕圖案之基板進行鍍覆處理的鍍覆裝置，可使基板表面之親水性提高，並且抑制每個基板之親水性的程度差異。該鍍覆裝置具有：使前述基板之被鍍覆面接觸前處理液，而進行親水處理之前處理槽；及對進行前述親水處理後之基板進行鍍覆處理的鍍覆槽。前述前處理槽具有：將前述前處理液供給至前述前處理槽中的前處理液供給裝置；及在前述基板之被鍍覆面照射紫外線的紫外線照射裝置。

Description

鍍覆裝置及鍍覆方法
本發明係關於一種鍍覆裝置及鍍覆方法。
過去係進行在設於半導體晶圓等表面之微細配線用溝、孔或抗蝕層開口部形成配線，或是在半導體晶圓等表面形成與封裝體之電極等電性連接的凸塊(突起狀電極)。形成該配線及凸塊之方法，例如習知有電解鍍覆法、蒸鍍法、印刷法、球塊法等，不過隨著半導體晶片之I/O數增加及窄間距化，多採用可微細化且性能較為穩定之電解鍍覆法。
在形成有配線之基板的指定位置藉由電解鍍覆法形成凸塊時，普遍使用抗蝕層作為遮光罩。換言之，係在基板表面進行種層成膜作為饋電層，在該種層表面全面塗布例如高度為20~120μm之抗蝕層後，在該抗蝕層之指定位置設置例如直徑為5~200μm程度之開口部，先形成抗蝕圖案。繼續在形成有抗蝕圖案之基板上照射UV(紫外線(Ultra Violet))進行除去基板上之抗蝕層殘渣的灰化處理(例如參照專利文獻1)。灰化處理時，係除去附著於基板之種層的有機物，抗蝕層表面亦被親水化，也有在基板之抗蝕層表面照射氧(O2)電漿，進行使被鍍覆面之濕潤性提高的親水處理(除渣處理)(例如參照專利文獻2)。此外，亦習知有具備將基板上之抗蝕層表面加以灰化之灰化裝置的鍍覆裝置(參照專利文獻3)。
【先前技術文獻】
【專利文獻】
[專利文獻1]日本特開平5-315339號公報
[專利文獻2]日本特開2012-114256號公報
[專利文獻3]日本特開2005-240108號公報
過去之鍍覆方法中，進行灰化處理或除渣處理後，並不能立即進行鍍覆處理。亦即，進行灰化處理或除渣處理後要等多久才鍍覆？視其處理條件而定。進行灰化處理或除渣處理後隨著時間經過，會在基板之種層及抗蝕層表面附著有機物，被鍍覆面及抗蝕層表面從親水性變成疏水性。
對於進行灰化處理或除渣處理後經過長時間之基板進行鍍覆時，前處理液無法進入具有疏水化表面之基板的抗蝕圖案中，在基板之被鍍覆面吸著氣泡不易取出。因而鍍覆後之基板會產生瑕疵。
記載於專利文獻3之鍍覆裝置係藉由灰化裝置在預濕處理之前進行抗蝕層表面的親水化。但是，該鍍覆裝置係分開配置灰化裝置與預濕槽，對保持於基板固持器之前的基板進行灰化，再對保持於基板固持器之基板進行預濕處理。因此，有時依鍍覆處理之狀況，無法迅速進行基板搬送，而無法在進行灰化之後進行預濕處理。因而，每個基板從灰化處理至預濕處理的時間不同。結果每個基板之親水性的程度可能產生差異。
本發明係鑑於上述問題者。其目的為使基板表面之親水性提高，並且抑制每個基板之親水性的程度差異。
本發明一種形態提供一種鍍覆裝置，係對具有抗蝕圖案之基板進行鍍覆處理。該鍍覆裝置具有：前處理槽，其係使前述基板之被鍍覆面接觸前處理液進行親水處理；及鍍覆槽，其係對進行前述親水處理後之基板進行鍍覆處理。前述前處理槽具有：前處理液供給裝置，其係將前述前處理液供給至前述前處理槽內；及紫外線照射裝置，其係在前述基板之被鍍覆面上照射紫外線。
按照此一形態，可在前處理槽中對基板進行紫外線照射，進行基板表面之洗淨及改質。藉此，基板表面親水化。此外，無須將基板從前處理槽搬送至另外裝置等，可藉由前處理液供給裝置使基板之被鍍覆面接觸前處理液。亦即，無須使基板從前處理槽移動，即可以前處理槽進行紫外線之照射與親水處理。因此，由於可在藉由紫外線照射進行洗淨及改質之後，或是與此同時進行親水處理(預濕處理)，因此可使自洗淨及改質基板表面至進行親水處理之時間非常短，並且可使每個基板從紫外線照射之洗淨及改質至親水處理的時間一定。因而，可使基板表面之親水性提高，且抑制每個基板之親水性的程度差異。此外，由於可在相同時期及相同場所(相同裝置)進行基板之洗淨及改質與親水處理，因此可使鍍覆裝置之處理量提高，且裝置之腳印(footprint)亦變小。
本發明一種形態中，鍍覆裝置具有控制部，其係控制前述前處理液供給裝置與前述紫外線照射裝置，前述控制部係以在開始對前述基板照射紫外線後，使前述基板接觸前述前處理液之方式控制前述紫外線照射裝置與前述前處理液供給裝置。
按照此一形態，由於係先對基板進行紫外線照射，然後使基板接觸前處理液，因此可防止紫外線被前處理液吸收，可有效進行基板之洗淨及改質。
本發明一種形態中，鍍覆裝置具有控制部，其係控制前述前處理液供給裝置與前述紫外線照射裝置，前述控制部係以至少局部同時進行對前述基板照射紫外線與前述基板接觸前述前處理液之方式，控制前述紫外線照射裝置與前述前處理液供給裝置。
按照此一形態，由於至少局部同時進行對基板照射紫外線與前處理液接觸基板，因此，紫外線亦照射於前處理液中，可將前處理液殺菌。因此，可更長期間反覆使用該前處理液，而可減低鍍覆裝置之營運成本。
本發明一種形態中，前述紫外線照射裝置係以在大氣環境或真空環境下，在前述基板之被鍍覆面照射紫外線的方式構成。
灰化基板表面之抗蝕層時，過去已知係在臭氧環境中進行紫外線照射。如此在臭氧環境中進行紫外線照射時，係藉由從臭氧分離之活性氧而灰化抗蝕層。按照此一形態，由於係在大氣環境或真空環境下進行紫外線照射，因此可防止產生導致基板抗蝕層灰化程度的活性氧，而可洗淨及改質基板表面。
本發明一種形態中，鍍覆裝置具有：蓋，其係封固前述前處理槽；及排氣裝置，其係將前述前處理槽中排氣；前述控制部係構成以在真空環境下使前述基板之被鍍覆面接觸前處理液的方式，控制前述排氣裝置及前述前處理液供給裝置。
按照此一形態，可將前處理槽中形成真空環境，而使基板之被鍍覆面接觸前處理液。藉此，前處理液容易進入基板上之抗蝕圖案的開口部，可適切親水處理基板表面。
本發明一種形態中，鍍覆裝置具有：排氣裝置，其係將前述前處理槽中排氣；及基板固持器，其係以前述基板之被鍍覆面露出的方式保持前述基板。前述基板固持器具有：封固面，其係設於露出前述基板的被鍍覆面之側，封固前述前處理槽之開口部；及密封構件，其係封固前述基板的周緣部與前述封固面之間。在前述基板固持器封固前述前處理槽之開口部的狀態下，前述基板之被鍍覆面露出於前述前處理槽內部，前述控制部在前述基板固持器封固前述前處理槽之開口部的狀態下，控制前述排氣裝置將前述前處理槽中排氣。
按照此一形態，基板固持器擔任封固前處理槽之開口部的蓋之角色。因此，無須備有用於封固前處理槽之開口部的蓋，可減低鍍覆裝置之成本。此外，在基板固持器之外另設前處理槽之開口部的蓋時，需要分別進行在前處理槽中收納基板固持器與蓋的開閉。反之，此一形態由於可藉由基板固持器進行前處理槽之開口部的開閉，因此可同時進行基板固持器之搬送與前處理槽開口部的開閉。因而，可減少用於對基板實施前處理的步驟，可縮短前處理需要之時間。
本發明一種形態中，在前述基板固持器封固前述前處理槽之開口部的狀態下，係以前述基板對水平傾斜之方式將前述基板固持器配置於前述前處理槽的開口部。
按照此一形態，藉由前處理液供給裝置在前處理槽中裝滿前 處理液時，藉由基板傾斜，前處理液容易進入基板上之抗蝕圖案的開口部，可抑制空氣滯留於基板表面。
本發明一種形態中，前述基板係以被鍍覆面露出之方式保持於基板固持器。前述鍍覆裝置進一步具有：護蓋，其係配置於前述前處理槽中，與前述基板固持器接觸，並以密閉前述基板而覆蓋之方式構成；及排氣裝置，其係將前述護蓋之內部排氣。前述紫外線照射裝置設於前述護蓋。前述前處理液供給裝置構成在前述護蓋內部供給前述前處理液。
按照此一形態，排氣裝置只須將該護蓋內部排氣即可，前處理液供給裝置只須在護蓋內部供給前處理液即可。因此，與將前處理槽排氣，再以前處理液裝滿前處理槽內部時比較，可縮短排氣時間及前處理液供給時間。
本發明一種形態提供一種鍍覆方法。該鍍覆方法具有：配置工序，其係將具有抗蝕圖案之基板配置於前處理槽內；洗淨改質工序，其係在前述前處理槽內，在前述基板之被鍍覆面上照射紫外線，進行前述基板表面之洗淨及改質；親水工序，其係在前述前處理槽內，使前述基板之被鍍覆面接觸前處理液來親水處理前述基板表面；及鍍覆工序，其係在表面實施過前述洗淨及改質、以及親水處理之前述基板上進行鍍覆處理。
按照此一形態，在收納於前處理槽之基板上進行紫外線照射，可進行基板表面之洗淨及改質。藉此，基板表面親水化。此外，無須將基板搬送至前處理槽之外等，可藉由前處理液供給裝置使前處理液接觸基板之被鍍覆面。亦即，基板無須從前處理槽移動，在前處理槽內即可進行紫外線照射與親水處理。因此，進行紫外線照射之洗淨及改質之後，或 是與此同時即可進行親水處理(預濕處理)，因此可使從洗淨及改質基板表面至進行親水處理之時間非常短，並且可將每個基板從紫外線照射之洗淨及改質至親水處理的時間一定。因而，可使基板表面之親水性提高，且抑制每個基板之親水性的程度差異。
本發明一種形態之鍍覆方法中，前述親水工序係在開始前述洗淨改質工序後，不從前述前處理槽取出前述基板而實施。
按照此一形態，由於先對基板進行紫外線照射，然後使基板接觸前處理液，因此可防止紫外線被前處理液吸收，可有效進行基板之洗淨及改質。此外，由於在開始對基板照射紫外線後，無須從前處理槽取出基板而進行親水工序，因此可使從洗淨及改質基板表面至進行親水處理之時間非常短。
本發明一種形態中，前述洗淨改質工序與前述親水工序至少局部同時實施。
按照此一形態，由於至少局部同時進行對基板之紫外線照射與前處理液接觸基板，因此紫外線亦照射於前處理液，可將前處理液殺菌。因此，可更長期間反覆使用該前處理液，可減低鍍覆處理之營運成本。
本發明一種形態中，前述洗淨改質工序包含在大氣環境下或真空環境下，在前述基板之被鍍覆面上照射紫外線的工序。
過去習知灰化處理基板表面之抗蝕層時係在臭氧環境中進行紫外線照射。如此在臭氧環境中進行紫外線照射時，抗蝕層可能藉由從臭氧分離之活性氧而被灰化。按照此一形態，由於係在大氣環境或真空環境中進行紫外線照射，因此可在防止產生導致灰化基板抗蝕層之活性氧情 況下洗淨及改質基板表面。
本發明一種形態中，鍍覆方法具有以下工序：在前述前處理槽中配置前述基板後，封固前述前處理槽；及封固前述前處理槽後，將前述前處理槽內排氣；前述親水工序包含在真空環境下使前述基板之被鍍覆面接觸前處理液的工序。
按照此一形態，可將前處理槽內形成真空環境，而使基板之被鍍覆面接觸前處理液。藉此，前處理液容易進入基板上之抗蝕圖案的開口部，可適切親水處理基板表面。
本發明一種形態中，鍍覆方法具有密封前述基板周緣部，並以前述基板之被鍍覆面露出的方式以基板固持器保持前述基板之工序；前述親水工序包含將前述基板之被鍍覆面浸漬於前述前處理液，且以使前述基板固持器之內部空間與前述前處理液之外連通的方式將前述基板浸漬於前處理液之工序。
按照此一形態，基板係在其周緣部被密封的狀態下保持於基板固持器。收納該基板固持器之前處理槽形成真空環境時，若基板固持器內部與基板固持器外部之間產生壓差可能造成基板嚴重翹曲。因而，為了使基板固持器之內部與外部之間不致產生壓差，有時係構成基板固持器之內部空間可與基板固持器之外部空間連通。而將此種基板固持器浸漬於前處理液時，前處理液可能會進入基板固持器之內部空間。此一形態在將保持於基板固持器之基板浸漬於前處理液時，由於基板固持器之內部空間與前處理液之外連通，因此可防止基板在真空環境中翹曲，並防止前處理液進入基板固持器之內部空間。
本發明一種形態中，鍍覆方法具有：保持工序，其係以前述基板之被鍍覆面露出的方式，以基板固持器保持前述基板；封固工序，其係以前述基板固持器封固設於前述前處理槽之開口部；及排氣工序，其係在封固前述開口部狀態下將前述前處理槽內排氣。
按照此一形態，基板固持器擔任封固前處理槽之開口部的蓋之角色。因此，無須備有用於封固前處理槽之開口部的蓋，可減低鍍覆裝置之成本。此外，在基板固持器之外另設前處理槽之開口部的蓋時，需要分別進行在前處理槽中收納基板固持器與蓋的開閉。反之，此一形態由於可藉由基板固持器進行前處理槽之開口部的開閉，因此可同時進行基板固持器之搬送與前處理槽開口部的開閉。因而，可減少用於對基板實施前處理的步驟，可縮短處理需要之時間。
本發明一種形態中，前述封固工序包含使前述基板對水平傾斜之方式，將前述基板固持器配置於前述開口部，來封固前述開口部之工序。
按照此一形態，藉由前處理液供給裝置在前處理槽中裝滿前處理液時，可藉由基板傾斜抑制空氣滯留於基板表面。
本發明一種形態中，鍍覆方法具有：使前述基板之被鍍覆面露出的方式，以基板固持器保持前述基板之工序；以密閉前述基板而覆蓋之方式，使前述基板固持器接觸護蓋之工序；及將前述護蓋內部排氣之工序。前述洗淨改質工序包含在前述護蓋中之前述基板的被鍍覆面照射紫外線，進行前述基板表面之洗淨及改質的工序；前述親水工序包含在前述護蓋中使前述基板之被鍍覆面接觸前處理液而親水處理前述基板表面的工 序。
按照此一形態，洗淨改質工序只須將護蓋內部排氣即可，親水工序只須在護蓋內部供給前處理液即可。因此，與將前處理槽排氣，再以前處理液裝滿前處理槽內部時比較，可縮短排氣時間及前處理液供給時間。
1‧‧‧鍍覆裝置
10‧‧‧晶圓匣盒
12‧‧‧晶圓匣盒台
14‧‧‧對準器
16‧‧‧自旋沖洗乾燥器
20‧‧‧基板裝卸部
22‧‧‧基板搬送裝置
24‧‧‧暫存盒
26‧‧‧預濕槽
28‧‧‧預浸槽
30a‧‧‧第一洗淨槽
30b‧‧‧第二洗淨槽
32‧‧‧噴吹槽
34‧‧‧鍍覆槽
36‧‧‧溢流槽
38‧‧‧鍍覆單元
40‧‧‧基板固持器搬送裝置
42‧‧‧第一輸送機
44‧‧‧第二輸送機
45‧‧‧控制部
50‧‧‧軌道
52‧‧‧裝載板
60‧‧‧基板固持器
61‧‧‧基部
62‧‧‧密封固持器
63‧‧‧鉸鏈
64‧‧‧壓環
64a‧‧‧突條部
65‧‧‧第一保持構件
65a‧‧‧連通孔
66‧‧‧第二保持構件
67‧‧‧固定夾
68‧‧‧保持面
69‧‧‧手柄
70‧‧‧密封構件
70a、70b‧‧‧舌部
71‧‧‧支撐體
72‧‧‧電接點
72a‧‧‧電接點端部
72b‧‧‧腳部
73‧‧‧導電體
81‧‧‧槽本體
81a‧‧‧密封構件
82‧‧‧溢流槽
83‧‧‧紫外線照射裝置
83a‧‧‧貫穿孔、開口
84‧‧‧蓋
85‧‧‧護蓋
86‧‧‧護蓋驅動裝置
100‧‧‧前處理液循環系統
101‧‧‧前處理液筒
102‧‧‧泵浦
103‧‧‧脫氣處理部
104‧‧‧泵浦
105‧‧‧過濾器
106‧‧‧排放管
107‧‧‧液體導入配管
108‧‧‧液體排出配管
109‧‧‧真空配管
109a‧‧‧真空泵浦
109b‧‧‧氣液分離部
110‧‧‧氣體導入配管或大氣開放配管
111‧‧‧噴嘴
S‧‧‧區域
W‧‧‧基板
第一圖顯示本實施形態之鍍覆裝置的整體配置圖。
第二圖係第一圖所示之鍍覆裝置使用的基板固持器之立體圖。
第三圖係顯示第二圖所示之基板固持器的電接點剖面圖。
第四A圖係對基板表面進行洗淨及改質狀態之預濕槽的概略側視圖。
第四B圖係親水處理基板表面之狀態的預濕槽之概略側視圖。
第四C圖係親水處理基板表面之狀態另外形態的預濕槽之概略側視圖。
第五圖係顯示在第四A圖、第四B圖及第四C圖所示之預濕槽中對基板進行之前處理的流程圖。
第六A圖係收納基板狀態下之預濕槽的概略側視圖。
第六B圖係在基板表面進行洗淨及改質狀態下預濕槽的概略側視圖。
第六C圖係在親水處理基板表面狀態下預濕槽的概略側視圖。
第六D圖係取出基板時之預濕槽的概略側視圖。
第七圖係顯示第六A圖至第六D圖所示之預濕槽中對基板進行的前處理之流程圖。
第八圖係第三種實施形態之預濕槽的概略側視圖。
第九圖係顯示在第八圖所示之預濕槽中對基板進行的前處理之流程圖。
第十A圖係封固開口部前之預濕槽的概略側視圖。
第十B圖係封固開口部狀態下預濕槽的概略側視圖。
第十C圖係在基板表面進行洗淨及改質狀態下預濕槽的概略側視圖。
第十D圖係親水處理基板W表面狀態下預濕槽的概略側視圖。
第十E圖係開放開口部狀態下預濕槽的概略側視圖。
第十一圖係顯示在第十A圖至第十E圖所示之預濕槽中對基板進行的前處理之流程圖。
<第一種實施形態>
以下參照圖式說明本發明第一種實施形態之鍍覆裝置。以下說明之圖式中，在相同或相當之元件上註記相同符號並省略重複說明。
第一圖顯示本實施形態之鍍覆裝置的整體配置圖。如第一圖所示，該鍍覆裝置1備有：搭載收納半導體晶圓等基板之晶圓匣盒10的2台晶圓匣盒台12；將基板之定向平面(Orientation Flat)及凹槽等之位置對準指定方向的對準器14；對裝載之基板固持器60進行基板裝卸的基板裝卸部20；及使鍍覆處理後之基板高速旋轉而乾燥的自旋沖洗乾燥器16。在此等單元之概略中央配置有在此等單元間搬送基板之例如搬送用機器人的基板搬送裝置22。
基板裝卸部20具備沿著軌道50可在水平方向滑動之平板狀的裝載板52。基板搬送裝置22在將2個基板固持器60以水平狀態並列裝載於 裝載板52的狀態下，進行一方基板固持器60與基板的交接。然後，基板搬送裝置22使裝載板52水平方向滑動，進行另一方基板固持器60與基板的交接。
此外，鍍覆裝置1中具有：暫存盒24、預濕槽26(相當於前處理槽之一例)、預浸槽28、第一洗淨槽30a、噴吹槽32、第二洗淨槽30b、及鍍覆槽34。暫存盒24係進行基板固持器60之保管及暫時放置。預濕槽26係使基板之被鍍覆面接觸前處理液(例如純水)，為了提高基板之被鍍覆面的濕潤性而進行親水處理。預浸槽28係蝕刻除去形成於基板表面之種層等導電層表面的氧化膜。第一洗淨槽30a係與基板固持器60一起以洗淨液(純水等)洗淨預浸後之基板。噴吹槽32係進行洗淨後之基板的排液。第二洗淨槽30b係與基板固持器60一起以洗淨液洗淨鍍覆後之基板。暫存盒24、預濕槽26、預浸槽28、第一洗淨槽30a、噴吹槽32、第二洗淨槽30b、及鍍覆槽34係依此順序配置。
鍍覆槽34具備：溢流槽36；及收納於該內部之複數個鍍覆單元38。各鍍覆單元38在內部收納保持了基板之基板固持器60，並使基板浸漬於內部所保持的鍍覆液中。鍍覆單元38中藉由在基板與陽極之間施加電壓，而在基板表面進行銅鍍覆等鍍覆。另外，銅之外，鎳、焊錫、銀、金等鍍覆時亦使用同樣之鍍覆裝置1。
再者，鍍覆裝置1中備有搬送基板固持器60之基板固持器搬送裝置40。基板固持器搬送裝置40例如係線性馬達方式，且位於基板裝卸部20及上述各槽側方。基板固持器搬送裝置40具有：在基板裝卸部20與暫存盒24之間搬送基板的第一輸送機42；及在暫存盒24、預濕槽26、預浸槽 28、洗淨槽30a、30b、噴吹槽32及鍍覆槽34之間搬送基板的第二輸送機44。另外，基板固持器搬送裝置40亦可不具第二輸送機44而僅具備第一輸送機42。
鍍覆裝置1具有以控制上述鍍覆裝置1之各部的方式而構成之控制部45。控制部45例如具有：儲存指定程式之記憶體；及執行記憶體之程式的CPU(中央處理單元(Central Processing Unit))等。控制部45例如可進行基板搬送裝置22之搬送控制、基板固持器搬送裝置40之搬送控制、鍍覆槽34中之鍍覆電流及鍍覆時間的控制、以及在後述預濕槽26中之前處理的控制等。
在此說明鍍覆裝置1中之基板處理。首先，基板搬送裝置22從晶圓匣盒10取出基板並搬送至對準器14。對準器14使基板之凹槽或定向平面的方向整齊。繼續，基板藉由基板搬送裝置22搬送至基板裝卸部20，並保持於基板固持器60。保持於基板固持器60之基板搬送至預濕槽26進行前處理。繼續，前處理後之基板搬送至預浸槽28，除去基板表面之氧化膜。另外，也有省略在該預浸槽28中之處理。除去氧化膜之基板收納於第一洗淨槽30a，與基板固持器60一起洗淨。
繼續，基板收納於鍍覆槽34中，對基板表面進行鍍覆。鍍覆後之基板收納於第二洗淨槽30b，與基板固持器60一起洗淨。基板在噴吹槽32中乾燥後，藉由基板裝卸部20從基板固持器60取出。取出後之基板以自旋沖洗乾燥器16洗淨及乾燥，並收納於晶圓匣盒10。
第二圖係第一圖所示之鍍覆裝置使用的基板固持器60之立體圖。如第二圖所示，基板固持器60具有：例如氯乙烯製之矩形平板狀的 第一保持構件65；及經由鉸鏈63開閉自如地安裝於該第一保持構件65之第二保持構件66。在基板固持器60之第一保持構件65的概略中央部設有用於保持基板之保持面68。此外，在第一保持構件65之保持面68外側，沿著保持面68周圍等間隔設有具有突出於內方之突出部的倒L字狀之固定夾67。
在基板固持器60之第一保持構件65端部，連結有搬送或懸掛支撐基板固持器60時成為支撐部的一對概略T字狀之手柄69。在第一圖所示之暫存盒24中，藉由在暫存盒24之周壁上面掛上手柄69，而垂直地懸掛支撐基板固持器60。此外，以第一輸送機42或第二輸送機44把持該懸掛支撐之基板固持器60的手柄69來搬送基板固持器60。另外，在預濕槽26、預浸槽28、洗淨槽30a、30b、噴吹槽32及鍍覆槽34中，基板固持器60亦經由手柄69而懸掛支撐於此等之周壁。
此外，手柄69中設有用於連接於外部電力供給部之無圖示的外部接點。該外部接點經由複數條配線而與設於保持面68外周之複數個導電體73(參照第三圖)電性連接。
第二保持構件66具備：固定於鉸鏈63之基部61；及固定於基部61之環狀的密封固持器62。在第二保持構件66之密封固持器62中旋轉自如地安裝有用於將密封固持器62按壓於第一保持構件65而固定的壓環64。壓環64在其外周部具有突出於外方之複數個突條部64a。突條部64a之上面與固定夾67之內方突出部的下面具有沿著旋轉方向彼此在相反方向傾斜之錐角面。
保持基板時，首先在打開第二保持構件66狀態下，將基板裝載於第一保持構件65的保持面68上，並關閉第二保持構件66。繼續，使壓 環64順時鐘方向旋轉，使壓環64之突條部64a滑入固定夾67之內方突出部的內部(下側)。藉此，第一保持構件65與第二保持構件66經由分別設於壓環64與固定夾67之錐角面彼此緊固鎖定而保持基板。被保持之基板的被鍍覆面露出於外部。解除基板之保持時，在第一保持構件65與第二保持構件66被鎖定狀態下，使壓環64逆時鐘方向旋轉。藉此壓環64之突條部64a從倒L字狀之固定夾67伸出而解除基板之保持。
第三圖係顯示第二圖所示之基板固持器60的電接點剖面圖。第三圖所示之例係在第一保持構件65之保持面68上裝載基板W。在保持面68與第一保持構件65之間配置有連接於從設於第二圖所示之手柄69的外部接點延伸之複數條配線的複數個(圖示係1個)導電體73。導電體73在第一保持構件65之保持面68上裝載基板W時，係以該導電體73之端部在基板W側方，且在第一保持構件65表面具有彈簧特性狀態下露出之方式複數個配置於基板W的圓周外側。
在密封固持器62與第一保持構件65相對之面(圖中下面)安裝有以基板固持器60保持基板W時壓接於基板W表面外周部及第一保持構件65的密封構件70。密封構件70具有：密封基板W表面之舌部70a；及密封第一保持構件65表面之舌部70b。亦即，密封構件70係以封固基板之周緣部與第一保持構件65的面之間的方式構成。
在被密封構件70之一對舌部70a、70b夾住的內部安裝支撐體71。支撐體71上例如以螺絲等固定可從導電體73饋電而構成的電接點72，並沿著基板W之圓周配置複數個。電接點72具有：朝向保持面68內側延伸之電接點端部72a；及可從導電體73饋電而構成之腳部72b。
鎖定第二圖所示之第一保持構件65與第二保持構件66時，如第三圖所示，係分別將密封構件70內周面側之短舌部70a按壓於基板W表面，外周面側之長的舌部70b按壓於第一保持構件65表面。藉此，舌部70a及舌部70b間確實被密封並且保持基板W。
在被密封構件70所密封之區域，亦即被密封構件70之一對舌部70a、70b夾住的區域，導電體73電性連接於電接點72的腳部72b，且電接點端部72a接觸於基板W邊緣部上之種層。藉此，以密封構件70密封基板W並以基板固持器60保持的狀態下，可經由電接點72饋電至基板W。
在被密封構件70所密封之區域內的第一保持構件65中形成與基板固持器60外部連通之連通孔65a。連通孔65a例如延伸至第一保持構件65之手柄69附近的位置，而使被密封構件70所密封之空間，亦即基板固持器60之內部空間與基板固持器60的外部空間連通。如後述，對基板W進行前處理時，基板固持器60會處於真空環境下(參照第二、第三、及第四種實施形態)。在基板固持器60之內部空間與外部空間之間產生壓差時，可能造成基板W翹曲。因此，藉由基板固持器60具有連通孔65a，使基板固持器60之內部空間與外部空間連通，以消除此等之間的壓差。另外，基板固持器不處於真空環境時，亦可沒有該連通孔65a。
如上述，在形成有種層之基板W上預先形成抗蝕圖案。基板W在搬送至第一圖所示的鍍覆裝置1之前進行UV之照射等，除去基板表面上之抗蝕殘渣(灰化處理)；或是在基板W之抗蝕層表面照射氧(O2)電漿進行被鍍覆面的親水處理(除渣處理)。進行了灰化處理或除渣處理之基板W隨後搬送至鍍覆裝置1，並保持於基板固持器60。此處，在基板W之被鍍覆 面上，經灰化處理或除渣處理後隨著時間經過會附著有機物，導致被鍍覆面及抗蝕層表面會從親水性變成疏水性。因此，本實施形態之鍍覆裝置1係藉由對搬送至鍍覆裝置1之基板W，在前處理(預濕處理)之前或與此同時進行基板W表面之洗淨及改質處理，使基板W表面之親水性提高，並且使每個基板之親水性程度均勻化。以下，具體說明在第一圖所示之預濕槽26中對基板W進行的前處理。
第四A圖及第四B圖係第一種實施形態之預濕槽26的概略側視圖。具體而言，第四A圖係對基板W表面進行洗淨及改質狀態之預濕槽26的概略側視圖，第四B圖係親水處理基板W表面之狀態的預濕槽26之概略側視圖。此外，第五圖係顯示在第四A圖及第四B圖所示之預濕槽26中對基板W進行之前處理的流程圖。參照第四A圖、第四B圖及第五圖具體說明本實施形態之預濕槽26及在預濕槽26進行之前處理。
如第四A圖及第四B圖所示，預濕槽26具有：收納保持基板W之基板固持器60的槽本體81；溢流槽82；及用於將前處理液供給至預濕槽26之前處理液循環系統100(相當於前處理液供給裝置之一例)。槽本體81具有用於排出內部所保持之前處理液的排放管106。此外，槽本體81中，在與收納之基板W的被鍍覆面相對位置配置紫外線照射裝置83。紫外線照射裝置83例如係低壓水銀燈等可照射紫外線之裝置，且以對基板W整個被鍍覆面照射紫外線的方式構成。紫外線照射裝置83係低壓水銀燈時，照射之紫外線的主波長為254nm及185nm。此外，可具有直管型、U型、M型、及矩形等可照射基板W整個被鍍覆面之任意形狀。
溢流槽82鄰接於槽本體81而配置，係以容納從槽本體81溢出 之前處理液的方式構成。前處理液循環系統100例如具有：前處理液筒101、泵浦102、脫氣處理部103、泵浦104、過濾器105、及液體導入配管107等。前處理液筒101保持供給至槽本體81之前處理液(例如純水)。泵浦102將前處理液筒101中之前處理液通過液體導入配管107而壓送至槽本體81。脫氣處理部103例如具有真空泵浦，進行前處理液之脫氣處理。泵浦104將溢流槽82中之前處理液壓送至槽本體81。過濾器105過濾從溢流槽82壓送之前處理液。前處理液循環系統100之構成不限於此，可採用可在預濕槽26中供給前處理液之任意結構。
另外，亦可採用第四C圖所示而構成之預濕槽26來取代第四A圖及第四B圖的構成。第四C圖係親水處理基板表面之狀態另外形態的預濕槽26之概略側視圖。第四C圖所示之預濕槽26係以對基板W整個被鍍覆面進行前處理液噴霧的方式構成。具體而言，在槽本體81中，在與收納之基板W的被鍍覆面相對位置配置連接於供給前處理液之液體導入配管107的噴嘴111。該噴嘴111由1個或複數個噴嘴構成，並配置於可對基板W整個被鍍覆面進行前處理液噴霧之位置，例如配置於紫外線照射裝置83之間隙(開口83a)。
在預濕槽26中之第五圖所示的處理係藉由第一圖所示之控制部45來控制。前處理基板W時如第四A圖所示，係將保持基板W之基板固持器60配置於預濕槽26(前處理槽)內(步驟S501)。此時，基板W之被鍍覆面配置成與紫外線照射裝置83相對。繼續，紫外線照射裝置83在大氣中照射紫外線至基板W之被鍍覆面(步驟S502)。藉此洗淨、改質處理被鍍覆面(第一前處理)。此時，因紫外線作用而從存在於大氣中之少量臭氧產生 活性氧。該活性氧將基板W表面之有機物分解變化成揮發性物質。此外，因該活性氧及紫外線之作用切斷抗蝕層表面的化學結合，活性氧與抗蝕層表面之分子結合。藉此，在抗蝕層表面賦予高親水性之官能基。亦即藉由在基板W表面照射紫外線除去、洗淨基板W表面之疏水性物質，而將表面改質成親水性。
在大氣環境中對基板W表面照射紫外線之時間例如宜約10秒鐘至約3分鐘。該照射時間可依基板W實施灰化處理或除渣處理後的經過時間而適切決定。紫外線之照射時間低於10秒鐘時，可能無法徹底除去附著於基板W表面之疏水性有機物。此外，紫外線之照射時間超過3分鐘時，可能導致基板W表面之抗蝕層灰化。另外，本實施形態係在大氣中進行紫外線之照射，不過，例如亦可在臭氧環境中或氧環境中進行。此處，所謂臭氧環境係指積極導入臭氧的環境，所謂氧環境係指積極導入氧的環境。不過，由於在臭氧環境中及氧環境，因紫外線作用而產生之活性氧量多，因此可能會分解(灰化)抗蝕層本身。因而，在臭氧環境及氧環境中對基板W表面照射紫外線之時間，應比在大氣環境下的紫外線照射時間短。此外，為了防止抗蝕層本身灰化，應在大氣環境或後述之真空環境中在基板W上照射紫外線。
繼續，如第四B圖所示，前處理液循環系統100在預濕槽26中供給前處理液，將基板W之被鍍覆面浸漬於前處理液中，或是如第四C圖所示，藉由噴嘴111將從液體導入配管107供給之前處理液朝向基板W的被鍍覆面噴霧(步驟S503)。藉此，親水處理基板W之被鍍覆面(第二前處理)。具體而言，無須從預濕槽26取出紫外線照射後之基板W，而在預濕槽26中 連續使基板W接觸前處理液。
基板W之整個被鍍覆面與前處理液接觸後，從預濕槽26取出保持基板W之基板固持器60(步驟S504)。如以上之說明，對實施前處理後之基板W進行後段的處理。另外，由於基板W表面接觸前處理液後，基板W表面係濕潤狀態，因此以鍍覆槽34進行鍍覆處理前基板表面不致變成疏水性。
如以上之說明，第四A圖及第四B圖(或第四C圖)所示之預濕槽26可對收納之基板W進行紫外線照射來進行基板W表面的洗淨及改質。藉此，基板W表面親水化。此外，無須將基板W搬送至預濕槽26以外等，可藉由前處理液循環系統100(或噴嘴111)使基板W之被鍍覆面接觸前處理液。亦即，無須從前處理槽移動基板W，在預濕槽26中即可進行紫外線照射與親水處理。因此，由於可在進行紫外線照射之洗淨及改質之後進行親水處理(預濕處理)，因此可使從洗淨及改質基板W之整個被鍍覆面至進行親水處理的時間非常短，並且可使每個基板藉由紫外線照射之洗淨及改質至親水處理的時間一定。因而，可使基板W表面之親水性提高，且抑制每個基板之親水性的程度差異。此外，由於可在相同時期、相同場所(相同裝置)進行基板W之洗淨及改質與親水處理，因此可使鍍覆裝置1之處理量提高，且鍍覆裝置1之腳印亦變小。
此外，與第五圖相關所說明之前處理，係在對基板W完成紫外線照射之後進行親水處理。藉此，可防止前處理液吸收紫外線，而可有效進行基板W之洗淨及改質。另外，不限於此，亦可控制部45控制紫外線照射裝置83與前處理液循環系統100，至少局部同時進行對基板W照射紫外 線與親水處理。具體而言，例如亦可同時開始紫外線照射與親水處理，亦可先開始親水處理，然後繼續親水處理並開始紫外線照射。此時，亦對前處理液照射紫外線，可將前處理液殺菌。因此，可更長期間反覆使用該前處理液，可減低鍍覆裝置1之營運成本。此外，亦可先開始對基板W照射紫外線，然後繼續紫外線照射並同時進行親水處理。此時，僅進行紫外線照射中，可防止前處理液吸收紫外線，有效進行基板W之洗淨及改質，而同時進行紫外線照射與親水處理中，可將前處理液殺菌。
第一種實施形態係在鉛直方向將基板固持器60及基板W收納於預濕槽26，不過不限於此，亦可以基板固持器60及基板W朝向水平方向之方式收納於預濕槽26。
<第二種實施形態>
以下，參照圖式說明本發明第二種實施形態之鍍覆裝置。有關第二種實施形態之鍍覆裝置與有關第一種實施形態的鍍覆裝置比較，僅預濕槽26之構成不同，其他構成相同。因此，僅說明預濕槽26，而省略其他構成之說明。
第六A圖至第六D圖係第二種實施形態之預濕槽26的概略側視圖。具體而言，第六A圖係收納基板W狀態下之預濕槽26的概略側視圖。第六B圖係在基板W表面進行洗淨及改質狀態下預濕槽26的概略側視圖。第六C圖係在親水處理基板W表面狀態下預濕槽26的概略側視圖。第六D圖係取出基板W時之預濕槽26的概略側視圖。此外，第七圖係顯示第六A圖至第六D圖所示之預濕槽26中對基板W進行的前處理之流程圖。參照第六A圖至第六D圖、及第七圖具體說明第二種實施形態之預濕槽26及預濕槽26所進行 之前處理。
如第六A圖至第六D圖所示，預濕槽26具有：收納保持基板W之基板固持器60的槽本體81；封固槽本體81之蓋84；用於將前處理液供給至預濕槽26之液體導入配管107；及用於從預濕槽26排出前處理液之液體排出配管108。進一步，預濕槽26具有：在槽本體81內進行真空排氣之真空配管109；設於真空配管109之真空泵浦109a；及在槽本體81中導入大氣或氣體之氣體導入配管或大氣開放配管110。預濕槽26與有關第一種實施形態之預濕槽26同樣地，在與收納之基板W的被鍍覆面相對位置具有紫外線照射裝置83。
液體導入配管107係以與無圖示之前處理液源連接，並藉由泵浦等在預濕槽26中供給前處理液(例如純水)之方式構成。液體導入配管107與前處理液源、泵浦等一起構成前處理液供給裝置。
預濕槽26中之第七圖所示的處理，藉由第一圖所示之控制部45控制。前處理基板W時，如第六A圖所示，藉由無圖示之驅動機構打開預濕槽26(前處理槽)之蓋84，而將保持基板W之基板固持器60配置於預濕槽26中(步驟S701)。此時，基板W之被鍍覆面配置成與紫外線照射裝置83相對。
繼續，如第六B圖所示，關閉預濕槽26之蓋84，在預濕槽26中以真空泵浦109a減壓至指定壓力。在開始減壓之同時或減壓結束後，連續藉由紫外線照射裝置83在基板W之被鍍覆面上照射紫外線(步驟S702)。亦即，紫外線照射裝置83在真空環境下，在基板W之被鍍覆面上照射紫外線。藉此，洗淨及改質被鍍覆面(第一前處理)。此處所謂真空環境係指比 大氣壓低之氣壓狀態。
藉由在真空環境下在基板W上照射紫外線，從存在於預濕槽26中之少量臭氧，藉由紫外線之作用產生活性氧。該活性氧使基板W表面之有機物分解變化成揮發性物質。此外，藉由該活性氧及紫外線之作用切斷抗蝕層表面的化學結合，活性氧與抗蝕層表面之分子結合。藉此，在抗蝕層表面上賦予高親水性之官能基。亦即，藉由在基板W表面照射紫外線，而除去、洗淨基板W表面之疏水性物質，將表面改質成親水性。
在真空環境中對基板W表面照射紫外線之時間例如約10秒鐘至約3分鐘。該照射時間可依基板W實施灰化處理或除渣處理後的經過時間而適切決定。紫外線之照射時間低於10秒鐘時，可能無法徹底除去附著於基板W表面之疏水性有機物。此外，紫外線之照射時間超過3分鐘時，可能導致基板W表面之抗蝕層灰化。
繼續，如第六C圖所示，液體導入配管107在預濕槽26中供給前處理液，並將基板W之被鍍覆面浸漬於前處理液中(步驟S703)。藉此，親水處理基板W之被鍍覆面(第二前處理)。具體而言，控制部45控制紫外線照射裝置83與連接於液體導入配管107之泵浦，至少局部同時進行對基板W之紫外線照射與前處理液接觸基板W。另外，亦可在前處理液接觸基板W時結束紫外線照射。
此時，前處理液係以至少基板W之被鍍覆面浸漬於前處理液的水位，且形成前處理液不致進入第三圖所示之基板固持器60的內部空間程度之水位的方式供給至預濕槽26。換言之，預濕槽26中有不存在前處理液之區域S，第三圖所示之基板固持器60的內部空間以經由連通孔65a而與 區域S連通之方式將基板固持器60浸漬於前處理液。如有關第三圖之說明，基板W在其周緣部被密封之狀態下保持於基板固持器60。收納該基板固持器60之預濕槽26形成真空環境時，若基板固持器60內部與基板固持器60外部之間產生壓差時可能導致基板嚴重翹曲。因而，係以基板固持器60內部與外部之間不致產生壓差之方式，如第三圖所示，基板固持器60之內部空間構成與基板固持器60的外部空間連通。將該基板固持器60浸漬於前處理液時，可能前處理液會進入基板固持器60之內部空間。因而，將基板W浸漬於前處理液時，藉由使基板固持器60之內部空間與前處理液之外連通，可防止在真空環境下基板W翹曲，並防止前處理液進入基板固持器60之內部空間。
另外，親水處理亦可在具備第四C圖所示之噴嘴111的預濕槽26中進行，來取代第六C圖所示之預濕槽26的構成。亦即，亦可構成對基板W之整個被鍍覆面噴霧前處理液，來取代將基板W之整個被鍍覆面浸漬於前處理液。此時，槽本體81中連接於液體導入配管107之噴嘴111配置於與收納之基板W的被鍍覆面相對之位置。該噴嘴111由1個或複數個噴嘴構成，並配置於可對基板W之整個被鍍覆面噴霧前處理液的位置，例如配置於紫外線照射裝置83之間隙(開口83a)。
對基板W之被鍍覆面充分進行親水處理後，從氣體導入配管110將不活潑氣體導入預濕槽26中，或是藉由大氣開放配管110將預濕槽26開放於大氣中。藉此，預濕槽26中之氣壓恢復成大氣壓(常壓)。然後，從液體排出配管108排出前處理液，開放蓋84，從預濕槽26取出基板固持器60(步驟S704)。如以上之說明，對於經過前處理之基板W進行後段的處理。
如以上之說明，第六A圖至第六D圖所示之預濕槽26對收納之基板W進行紫外線照射，可進行基板W表面的洗淨及改質。藉此，基板W表面親水化。此外，無須將基板W搬送至預濕槽26之外等，可藉由前處理液循環系統100使基板W之被鍍覆面接觸前處理液。亦即，無須從前處理槽移動基板W，在預濕槽26中即可進行紫外線照射與親水處理。因此，由於在進行紫外線照射的洗淨及改質之後即可進行親水處理(預濕處理)，因此可使從洗淨及改質基板W表面至進行親水處理的時間非常短，並且可使每個基板從紫外線照射之洗淨及改質至親水處理的時間一定。因而可使基板W表面之親水性提高，且抑制每個基板之親水性的程度差異。此外，由於可在相同時期、相同場所(相同裝置)進行基板W之洗淨及改質與親水處理，因此可使鍍覆裝置1之處理量提高，且鍍覆裝置1之腳印亦變小。
有關第七圖說明之前處理，對基板W照射紫外線比前處理液接觸基板W提早開始。藉此，前處理液不致吸收紫外線，而可對基板W照射紫外線，有效進行基板W之洗淨及改質。此外，第二種實施形態之預濕槽26係至少局部同時進行對基板W之紫外線照射與使前處理液接觸基板W。此時紫外線亦照射於前處理液，可將前處理液殺菌。因此，可更長期間反覆使用該前處理液，可減低鍍覆裝置1之營運成本。另外，不限於此，與第一種實施形態同樣地，亦可在對基板W照射紫外線完成之後進行親水處理，亦可同時開始紫外線照射與親水處理。此外，亦可先開始親水處理，然後繼續親水處理並開始紫外線照射處理。
此外，由於第二種實施形態之鍍覆裝置的預濕槽26係在真空環境下對基板W照射紫外線，因此可防止產生導致灰化基板抗蝕層的活性 氧，且洗淨及改質基板表面。再者，由於該預濕槽26係在真空環境下使基板之被鍍覆面接觸前處理液，因此前處理液容易進入形成於基板W之抗蝕圖案的開口部，可適切親水處理基板W表面。
另外，第二種實施形態之預濕槽26係在與真空排氣同時或真空排氣完成之後進行紫外線照射。但是不限於此，亦可於真空排氣之前在基板W上照射紫外線。此外，第二種實施形態係將基板固持器60在鉛直方向收納於預濕槽26，不過不限於此，亦可將基板固持器60朝向水平方向而收納於預濕槽26。
<第三種實施形態>
以下，參照圖式說明本發明第三種實施形態之鍍覆裝置。有關第三種實施形態之鍍覆裝置與有關第一種實施形態的鍍覆裝置比較，僅預濕槽26之構成不同，其他構成相同。因此，僅說明預濕槽26而省略其他構成之說明。
第八圖係第三種實施形態之預濕槽26的概略側視圖。此外，第九圖係顯示在第八圖所示之預濕槽26中對基板W進行的前處理之流程圖。參照第八圖及第九圖，具體說明第三種實施形態之預濕槽26及預濕槽26進行的前處理。
如第八圖所示，預濕槽26具有：收納保持了基板W之基板固持器60的槽本體81、護蓋85、真空配管109、真空泵浦109a、液體導入配管107、液體排出配管108、護蓋驅動裝置86、及紫外線照射裝置83。
護蓋85係以配置於預濕槽26中，藉由接觸於基板固持器60之表面而密閉覆蓋保持於基板固持器60的基板W之方式而構成。真空配管 109連通於護蓋85內部。真空泵浦109a構成可將護蓋85內部之密閉空間排氣。液體導入配管107構成在護蓋85內部導入前處理液。此外，液體排出配管108構成將護蓋85內部之前處理液排出預濕槽26外部。護蓋驅動裝置86例如係空氣氣缸機構等驅動裝置，且以護蓋85朝向基板固持器60或從其離開而移動的方式構成。紫外線照射裝置83係以安裝於護蓋85，在護蓋85密閉覆蓋基板W之狀態下，對基板W之整個被鍍覆面照射紫外線的方式構成。
在預濕槽26中之第九圖所示的處理，藉由第一圖所示之控制部45控制。基板W實施前處理時，首先將保持了基板W之基板固持器60配置於預濕槽26中(步驟S901)。
繼續，護蓋驅動裝置86使護蓋85在朝向基板W之方向驅動，並藉由護蓋85覆蓋基板W而封固基板固持器60表面。藉此，藉由基板固持器60與護蓋85形成密閉空間(步驟S902)。
形成該密閉空間後，密閉空間內藉由真空泵浦109a減壓至指定壓力。與開始減壓之同時、或減壓結束後連續藉由紫外線照射裝置83在基板W之被鍍覆面上照射紫外線(步驟S903)。亦即，紫外線照射裝置83於真空環境下在基板W之被鍍覆面上照射紫外線。藉此，洗淨及改質被鍍覆面(第一前處理)。真空環境下對基板W表面照射紫外線的時間可為與第二種實施形態同樣的照射時間。
繼續，液體導入配管107在密閉空間內供給前處理液，並將基板W之被鍍覆面浸漬於前處理液(步驟S904)。藉此，親水處理基板W之被鍍覆面(第二前處理)。具體而言，係以至少局部同時進行對基板W照射紫外線與前處理液接觸基板W的方式，控制部45控制紫外線照射裝置83與 連接於液體導入配管107之泵浦。另外，亦可前處理液接觸基板W時使紫外線照射結束。此時，基板W之被鍍覆面浸漬於前處理液，且以第三圖所示之基板固持器60的內部空間與前處理液之外連通的方式將基板W浸漬於前處理液。
另外，第三種實施形態之預濕槽26係在與真空排氣同時或真空排氣完成後進行紫外線照射。但是不限於此，亦可在真空排氣之前在基板W上照射紫外線。此外，第三種實施形態之預濕槽26對基板W照射紫外線係比前處理液接觸基板W提早開始，而至少局部同時進行對基板W照射紫外線與前處理液接觸基板W。但是不限於此，與第一種實施形態同樣地，亦可在對基板W照射紫外線完成後進行親水處理，亦可同時開始紫外線照射與親水處理。此外，亦可先開始親水處理，然後繼續親水處理並開始紫外線照射處理。
對基板W之被鍍覆面充分進行親水處理後，從氣體導入配管110將不活潑氣體導入密閉空間內，或是藉由大氣開放配管110將密閉空間開放於大氣中。藉此，密閉空間中之氣壓恢復成大氣壓(常壓)。然後，從液體排出配管108排出前處理液，護蓋驅動裝置86使護蓋85從基板W離開之方向移動，從基板固持器60取下護蓋85(步驟S905)。最後，從預濕槽26取出基板固持器60(步驟S906)。如以上之說明，對於經過前處理之基板W進行後段的處理。
第三種實施形態之鍍覆裝置除了第二種實施形態之鍍覆裝置的優點之外，還具有以下優點。亦即，由於第三種實施形態係藉由護蓋85與基板固持器60形成密閉空間，因此真空泵浦109a只須將護蓋85內部排 氣即可，液體導入配管107只須在護蓋85內部供給前處理液即可。因此與將預濕槽26排氣，並以前處理液裝滿預濕槽26內部時比較，可減低前處理液之液量，並且可縮短排氣時間及供給前處理液需要的時間。
<第四種實施形態>
以下，參照圖式說明本發明第四種實施形態之鍍覆裝置。有關第四種實施形態之鍍覆裝置與有關第一種實施形態的鍍覆裝置比較，僅預濕槽26之構成不同，其他構成相同。因此，僅說明預濕槽26而省略其他構成之說明。
第十A圖至第十E圖係第四種實施形態之預濕槽26的概略側視圖。具體而言，第十A圖係封固開口部前之預濕槽26的概略側視圖。第十B圖係封固開口部狀態下預濕槽26的概略側視圖。第十C圖係在基板W表面進行洗淨及改質狀態下預濕槽26的概略側視圖。第十D圖係親水處理基板W表面狀態下預濕槽26的概略側視圖。第十E圖係開放開口部狀態下預濕槽26的概略側視圖。此外，第十一圖係顯示在第十A圖至第十E圖所示之預濕槽26中對基板W進行的前處理之流程圖。參照第十A圖至第十E圖、及第十一圖，具體說明第四種實施形態之預濕槽26及預濕槽26進行的前處理。
如第十A圖至第十E圖所示，預濕槽26具有：具有開口部之槽本體81；與用於將前處理液供給至預濕槽26的液體導入配管107連接的噴嘴111；及用於從預濕槽26排出前處理液的液體排出配管108。進一步預濕槽26具有：將槽本體81內真空排氣的真空配管109；設於真空配管109之真空泵浦109a；分離真空配管109中之氣體與液體的氣液分離部109b；及紫外線照射裝置83。紫外線照射裝置83在其中央部具有貫穿孔83a。該噴嘴111 由1個或複數個噴嘴構成，並配置於可在基板W之整個被鍍覆面上噴霧前處理液的位置，例如配置於紫外線照射裝置83之間隙(開口83a)。
在槽本體81之開口部的周緣部設置密封構件81a。密封構件81a係以與基板固持器60之第一保持構件65表面(相當於封固面的一例)一致之方式形成。藉此，在槽本體81之開口部概略水平地配置基板固持器60時，藉由基板固持器60之第一保持構件65表面封固槽本體81的開口部。
預濕槽26中第十一圖所示之處理藉由第一圖所示的控制部45控制。基板W實施前處理時，如第十A圖所示，水平配置基板固持器60，如第十B圖所示，以基板固持器60之第一保持構件65表面封固槽本體81的開口部。藉此，在槽本體81中形成密閉空間(步驟S1101)。此時，基板W之被鍍覆面露出於槽本體81中。
繼續，如第十C圖所示，藉由真空泵浦109a將預濕槽26中減壓至指定壓力。在開始減壓之同時，或減壓結束後，連續藉由紫外線照射裝置83在基板W之被鍍覆面上照射紫外線(步驟S1102)。亦即，紫外線照射裝置83於真空環境下在基板W之被鍍覆面上照射紫外線。藉此，洗淨及改質被鍍覆面(第一前處理)。真空環境中對基板W表面照射紫外線之時間，可為與第二種實施形態同樣之照射時間。
繼續，如第十D圖所示，連接於液體導入配管107之噴嘴111在預濕槽26中供給前處理液，並在基板W之被鍍覆面上噴霧前處理液(步驟S1103)。藉此，親水處理基板W之被鍍覆面(第二前處理)。具體而言，係以至少局部同時進行對基板W照射紫外線與前處理液接觸基板W之方式，控制部45控制紫外線照射裝置83與連接於液體導入配管107之泵浦。另 外，亦可前處理液接觸基板W時結束紫外線照射。此外，亦可以可裝卸之配管(無圖示)連接(連通)第三圖所示之基板固持器60的內部空間與真空配管109，以減輕將預濕槽26減壓時基板的應變。
亦可以真空泵浦109a將槽本體81內部減壓，而且將前處理液供給至槽本體81中，並使基板W之被鍍覆面浸漬於前處理液，來取代在液體導入配管107上連接噴嘴111，而在基板W之整個被鍍覆面上噴射前處理液。此外，亦可藉由調節槽本體81之開口部形狀，在基板固持器60封固槽本體81之開口部的狀態下，以基板W對水平傾斜之方式將基板固持器60配置於槽本體81的開口部。此時，在預濕槽26中裝滿前處理液時，藉由基板傾斜，前處理液容易進入基板上之抗蝕圖案的開口部，可抑制空氣滯留於基板表面。
對基板W之被鍍覆面充分進行親水處理後，藉由將氣液分離部109b開放於大氣中，而將預濕槽26開放於大氣中。藉此，預濕槽26中之氣壓恢復成大氣壓(常壓)。然後如第十E圖所示，從液體排出配管108排出前處理液，並從預濕槽26取出基板固持器60(步驟S704)。如以上之說明，對經過前處理之基板W進行後段的處理。
第四種實施形態之鍍覆裝置除了第二種實施形態之鍍覆裝置的優點之外，還具有以下優點。亦即，基板固持器60擔任封固預濕槽26(槽本體81)之開口部的蓋之角色。因此，無須備有用於封固預濕槽26之開口部的蓋，可降低鍍覆裝置1之成本。此外，在基板固持器60之外另外設置預濕槽26之開口部的蓋時，需要分別進行基板固持器60在前處理槽中之收納與蓋的開閉。反之，第四種實施形態由於可藉由基板固持器60進行預 濕槽26之開口部的開閉，因此可同時進行基板固持器60之搬送與預濕槽26之開口部的開閉。因而，比過去減少用於將基板固持器60配置於預濕槽26的步驟，而可縮短處理需要的時間。
另外，第四種實施形態之預濕槽26係與真空排氣同時或真空排氣完成後進行紫外線照射。但是不限於此，亦可在真空排氣之前在基板W上照射紫外線。此外，第四種實施形態之預濕槽26對基板W照射紫外線係比前處理液接觸基板W提早開始，而至少局部同時進行對基板W照射紫外線與前處理液接觸基板W。但是不限於此，與第一種實施形態同樣地，亦可在對基板W照射紫外線完成後進行親水處理，亦可同時開始紫外線照射與親水處理。此外，亦可先開始親水處理，然後繼續親水處理並開始紫外線照射處理。
以上係說明本發明之實施形態，不過上述發明之實施形態係為了容易瞭解本發明者，而並非限定本發明者。本發明在不脫離其旨趣下可加以變更、改良，並且本發明當然包含其等效物。此外，在可解決上述問題之至少一部分的範圍，或達到效果之至少一部分的範圍內，申請專利範圍及說明書中記載之各元件可任意組合或省略。
例如，紫外線照射裝置83亦可在預濕槽26之外。此時，預濕槽26之一部分以透過紫外線之材料形成。藉此，紫外線照射裝置83可從預濕槽26之外照射紫外線於基板W表面。此外，亦可在預濕槽26中完成親水處理後，排出前處理液，在預濕槽26中導入預浸槽28使用之藥劑，而在預濕槽26中除去氧化膜。此時，不需要預浸槽28。再者，第一、第二、及第四種實施形態中，係在槽本體81中從槽本體81分離設置紫外線照射裝置 83，不過亦可將紫外線照射裝置83***槽本體81的壁面來配置。此時，可縮小前處理液接觸於紫外線照射裝置83的面積，可減低發生漏電的顧慮。
26‧‧‧預濕槽
60‧‧‧基板固持器
81‧‧‧槽本體
82‧‧‧溢流槽
83‧‧‧紫外線照射裝置
100‧‧‧前處理液循環系統
101‧‧‧前處理液筒
102‧‧‧泵浦
103‧‧‧脫氣處理部
104‧‧‧泵浦
105‧‧‧過濾器
106‧‧‧排放管
107‧‧‧液體導入配管
W‧‧‧基板

Claims (16)

  1. 一種鍍覆裝置，係對具有抗蝕圖案之基板進行鍍覆處理，且具有：前處理槽，其係使前述基板之被鍍覆面接觸前處理液進行親水處理；及鍍覆槽，其係對進行前述親水處理後之基板進行鍍覆處理；前述前處理槽具有：前處理液供給裝置，其係將前述前處理液供給至前述前處理槽內；及紫外線照射裝置，其係在前述基板之被鍍覆面上照射紫外線其中，前述紫外線照射裝置係配置於前述前處理槽之內部，且係以在大氣環境或真空環境下，在前述基板之被鍍覆面照射紫外線的方式構成。
  2. 如申請專利範圍第1項之鍍覆裝置，其中具有控制部，其係控制前述前處理液供給裝置與前述紫外線照射裝置，前述控制部係以在開始對前述基板照射紫外線後，使前述基板接觸前述前處理液之方式控制前述紫外線照射裝置與前述前處理液供給裝置。
  3. 如申請專利範圍第1項之鍍覆裝置，其中具有控制部，其係控制前述前處理液供給裝置與前述紫外線照射裝置，前述控制部係以至少局部同時進行對前述基板照射紫外線與前述基板接觸前述前處理液之方式，控制前述紫外線照射裝置與前述前處理液供給裝置。
  4. 如申請專利範圍第1項之鍍覆裝置，其中具有：蓋，其係封固前述前處理槽；及排氣裝置，其係將前述前處理槽中排氣；前述控制部係構成以在真空環境下使前述基板之被鍍覆面接觸前處理液的方式，控制前述排氣裝置及前述前處理液供給裝置。
  5. 如申請專利範圍第1項之鍍覆裝置，其中具有：排氣裝置，其係將前述前處理槽中排氣；及基板固持器，其係以前述基板之被鍍覆面露出的方式保持前述基板；前述基板固持器具有：封固面，其係設於露出前述基板的被鍍覆面之側，封固前述前處理槽之開口部；及密封構件，其係封固前述基板的周緣部與前述封固面之間；在前述基板固持器封固前述前處理槽之開口部的狀態下，前述基板之被鍍覆面露出於前述前處理槽內部，前述控制部在前述基板固持器封固前述前處理槽之開口部的狀態下，控制前述排氣裝置將前述前處理槽中排氣。
  6. 如申請專利範圍第5項之鍍覆裝置，其中在前述基板固持器封固前述前處理槽之開口部的狀態下，係以前述基板對水平傾斜之方式將前述基板固持器配置於前述前處理槽的開口部。
  7. 如申請專利範圍第1項之鍍覆裝置，其中前述基板係以被鍍覆面露出之方式保持於基板固持器， 前述鍍覆裝置進一步具有：護蓋，其係配置於前述前處理槽中，與前述基板固持器接觸，並以密閉前述基板而覆蓋之方式構成；及排氣裝置，其係將前述護蓋之內部排氣；前述紫外線照射裝置設於前述護蓋，前述前處理液供給裝置構成在前述護蓋內部供給前述前處理液。
  8. 一種鍍覆方法，其具有：配置工序，其係將具有抗蝕圖案之基板配置於前處理槽內；洗淨改質工序，其係在前述前處理槽內，在前述基板之被鍍覆面上照射紫外線，進行前述基板表面之洗淨及改質；親水工序，其係在前述前處理槽內，使前述基板之被鍍覆面接觸前處理液來親水處理前述基板表面；及鍍覆工序，其係在表面實施過前述洗淨及改質、以及親水處理之前述基板上進行鍍覆處理。
  9. 如申請專利範圍第8項之鍍覆方法，其中前述親水工序係在開始前述洗淨改質工序後，不從前述前處理槽取出前述基板而實施。
  10. 如申請專利範圍第8項之鍍覆方法，其中前述洗淨改質工序與前述親水工序至少局部同時實施。
  11. 如申請專利範圍第8項之鍍覆方法，其中前述洗淨改質工序包含在大氣環境下或真空環境下，在前述基板之被鍍覆面上照射紫外線的工序。
  12. 如申請專利範圍第11項之鍍覆方法，其中具有以下工序：在前述前處理槽中配置前述基板後，封固前述前處理槽；及 封固前述前處理槽後，將前述前處理槽內排氣；前述親水工序包含在真空環境下使前述基板之被鍍覆面接觸前處理液的工序。
  13. 如申請專利範圍第12項之鍍覆方法，其中具有密封前述基板周緣部，並以前述基板之被鍍覆面露出的方式以基板固持器保持前述基板之工序；前述親水工序包含將前述基板之被鍍覆面浸漬於前述前處理液，且以使前述基板固持器之內部空間與前述前處理液之外連通的方式將前述基板浸漬於前處理液之工序。
  14. 如申請專利範圍第11項之鍍覆方法，其中具有：保持工序，其係以前述基板之被鍍覆面露出的方式，以基板固持器保持前述基板；封固工序，其係以前述基板固持器封固設於前述前處理槽之開口部；及排氣工序，其係在封固前述開口部狀態下將前述前處理槽內排氣。
  15. 如申請專利範圍第14項之鍍覆方法，其中前述封固工序包含使前述基板對水平傾斜之方式，將前述基板固持器配置於前述開口部，來封固前述開口部之工序。
  16. 如申請專利範圍第8項之鍍覆方法，其中具有：使前述基板之被鍍覆面露出的方式，以基板固持器保持前述基板之工序；以密閉前述基板而覆蓋之方式，使前述基板固持器接觸護蓋之工 序；及將前述護蓋內部排氣之工序；前述洗淨改質工序包含在前述護蓋中之前述基板的被鍍覆面照射紫外線，進行前述基板表面之洗淨及改質的工序；前述親水工序包含在前述護蓋中使前述基板之被鍍覆面接觸前處理液而親水處理前述基板表面的工序。
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