KR20090016231A - 기판 처리 장치 및 방법 - Google Patents

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KR20090016231A
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Abstract

본 발명은 반도체 기판을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 기판 표면의 감광액을 제거하는 애싱 공정과 애싱 공정 후 수행되는 기판의 세정 공정을 하나의 장치에서 수행한다. 본 발명은 하나의 장치에서 애싱 공정과 세정 공정을 순차적 또는 선택적으로 수행할 수 있어, 기판 처리 공정 시간을 단축하고 기판 처리 공정의 효율을 향상시킨다.
반도체, 웨이퍼, 감광액, 애싱, 세정, 건식, 습식,

Description

기판 처리 장치 및 방법{APPARATUS AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE}
본 발명은 기판을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 플라즈마를 사용하여 반도체 기판을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것이다.
일반적인 반도체 제조 공정은 웨이퍼 상에 다수의 처리공정들은 순차적 또는 선택적으로 수행하여 반도체 집적회로 칩을 생산하는 공정이다. 이러한 반도체 제조 공정 중 애싱(ashing) 공정은 웨이퍼 표면에 잔류하는 감광액(photoresist)을 제거하는 공정이다. 일반적인 애싱 공정 장치는 고온으로 가열되는 척 위에 웨이퍼를 로딩시킨 후 플라스마를 웨이퍼 표면의 감광액과 반응시켜 제거한다. 애싱 공정이 수행된 이후에는 웨이퍼의 세정 공정이 수행된다. 세정 공정은 별도의 세정 장치에서 수행된다. 세정 장치는 애싱 공정이 완료된 웨이퍼를 이송받아 웨이퍼 표면으로 세정액을 분사하여, 웨이퍼 표면에 잔류하는 이물질을 제거한다.
본 발명은 기판 처리 공정의 효율을 향상시키는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 특히, 본 발명은 반도체 애싱 공정과 세정 공정 효율을 향상시키는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 내부에 기판을 처리하는 공정을 수행하는 공간을 제공하는 하우징, 공정시 상기 하우징 내부에서 기판을 지지시키는 지지부재, 공정시 상기 지지부재에 놓여진 기판으로 세정액을 공급하는 세정노즐, 그리고 공정시 전력을 인가받아 상기 공정가스 공급부재에 의해 공급되는 공정가스를 활성화시키는 전극부재를 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 기판 처리 장치는 공정시 상기 하우징으로 공정가스를 공급하는 공정가스 공급부재를 더 포함하되, 상기 공정가스 공급부재는 공정가스 공급라인, 상기 하우징의 개방된 상부를 커버하고 상기 공정가스 공급라인으로부터 공정가스를 공급받아 상기 하우징 내부로 공급하는 공급포트를 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 전극부재는 상기 공급포트의 하부에 긴 막대 형상으로 복수개가 평행하게 배치되는 전극바들을 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 기판 처리 장치는 공정시 상기 지지부재에 놓여진 기판으로 건조가스를 공급하는 건조노즐을 더 포함하는 것을 특징으로 한 다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 기판 처리 장치는 공정시 상기 하우징 내 유체를 외부로 배출시키는 배출부재를 더 포함하되, 상기 배출부재는 상기 하우징의 하부벽에 제공되며, 상기 하우징 내 세정액이 배출되는 배출포트 및 상기 하우징 내 가스가 배기되는 배기포트를 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 지지부재는 공정시 기판을 지지하는 상부면을 가지는 스핀헤드, 공정시 상기 스핀헤드가 상기 하우징 내부에서 회전가능하도록 상기 스핀헤드의 하부 중앙에 결합되는 회전축, 그리고 상기 회전축을 회전시키는 구동기를 포함하고, 상기 배기포트는 상기 회전축의 둘레를 감싸도록 제공되며, 상단의 높이가 상기 하우징의 하부벽 높이보다 높도록 형상지어진다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 세정노즐은 상기 하우징에 설치되어, 공정시 상기 지지부재에 놓여진 기판으로 세정액을 공급한다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 세정노즐은 상기 공급포트에 설치되어, 상기 공급포트로 세정액을 공급한다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 건조노즐은 상기 공급포트에 설치되어, 공정시 상기 공급포트로 건조가스를 공급한다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판 처리 방법은 내부에 기판을 처리하는 공정을 수행하는 공간을 제공하는 하우징, 공정시 상기 하우징 내부에서 기판을 지지시키는 지지부재, 공정시 상기 하우징 내부로 공정가스를 공급하는 공정가스 공급부재, 그리고 공정시 전력을 인가받아 상기 하우징 내부로 공급되는 공정가스를 활성화시키는 전극부재를 포함하는 기판 처리 장치의 기판 처리 방법에 있어서, 상기 기판 처리 방법은 상기 지지부재에 기판을 로딩시키는 단계, 플라즈마를 발생시켜 기판 표면의 감광액을 제거하는 단계, 기판으로 세정액을 공급하여 기판을 세정하는 단계, 그리고 상기 지지부재로부터 기판을 언로딩시키는 단계를 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 기판 처리 방법은 상기 감광액을 제거하는 단계 이전에 웨이퍼 표면으로 세정액을 분사하여 웨이퍼를 웨팅하는 단계를 더 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 기판 처리 방법은 상기 기판을 세정하는 단계와 상기 기판을 언로딩하는 단계 사이에 웨이퍼 표면으로 건조가스를 분사하여 웨이퍼를 건조하는 단계를 포함한다.
본 발명에 따른 기판 처리 장치 및 방법은 하나의 장치에서 건식 처리 공정과 습식 처리 공정을 순차적 또는 선택적으로 처리한다. 예컨대, 본 발명에 따른 기판 처리 장치 및 방법은 반도체 애싱 공정과 세정 공정을 하나의 장치에서 처리할 수 있다.
본 발명에 따른 기판 처리 장치 및 방법은 애싱 공정과 세정 공정을 하나의 장치에서 수행함으로써, 기판 처리 공정 시간을 단축시킨다.
본 발명에 따른 기판 처리 장치 및 방법은 풋 프린트를 감소시키고, 장치의 제작 비용을 절감한다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 제시된 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수 있다. 오히려, 여기서 제시되는 실시예들은 본 발명의 기술적 사상이 당업자에게 충분히 전달되도록 제공되는 것이다.
또한, 본 실시예에서는 반도체 기판을 처리하는 장치 중 플라즈마를 사용하여 웨이퍼를 처리하는 장치를 예로 들어 설명하였으나, 본 발명은 기판을 처리하는 모든 장치에 적용이 가능하다.
(실시예)
도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다. 도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(apparatus for treating substrate)(10)는 하우징(housing)(110), 지지부재(support member)(120), 공정가스 공급부재(process gas supply member)(130), 세정유체 공급부재(cleaning fluid supply member)(140), 건조유체 공급부재(dry fluid supply member)(150), 전극부재(elctrode member)(160), 그리고 배출부재(discharge member)(170)를 포함한다.
하우징(110)은 내부에 반도체 기판(이하, '웨이퍼')(W)를 처리하는 공정이 수행되는 공간을 제공한다. 상기 공정은 웨이퍼 웨팅 공정(wetting process), 애싱 공정(ashing process), 세정 공정(cleaning process), 그리고 건조 공정(dry process)을 포함한다. 하우징(110) 내 공간은 대체로 원통형상으로 제공된다. 하우 징(110)은 상부가 개방된 원통형상의 하부 하우징(112)과 하부 하우징(112)의 개방된 상부를 커버(cover)하는 상부 하우징으로 이루어진다. 본 실시예에서는 상부 하우징이 후술할 공급포트(132)로 제공되는 경우를 예로 들어 설명한다. 하우징(110)의 일측에는 공정시 웨이퍼(W)가 출입되기 위한 웨이퍼 출입구(112a)가 제공된다.
지지부재(120)는 공정시 하우징(110) 내부에서 웨이퍼(W)를 지지 및 회전시킨다. 지지부재(120)로는 스핀척(spin chuck)이 사용된다. 즉, 지지부재(120)는 스핀헤드(spin head)(122), 회전축(rotating shaft)(124), 그리고 구동기(driving part)(126)를 포함한다. 스핀헤드(122)는 대체로 원판 형상을 가진다. 스핀헤드(122)는 공정시 웨이퍼(W)를 안착시키는 상부면을 가진다. 회전축(124)의 일단은 스핀헤드(122)의 하부 중앙에 결합되고, 타단은 구동기(126)에 결합된다. 구동기(126)는 공정시 회전축(124)을 회전시킨다. 또한, 구동기(126)는 공정시 회전축(124)을 업다운(up-down)시킬 수 있다.
공정가스 공급부재(130)는 공정시 하우징(110) 내부로 공정가스(process gas)를 공급한다. 상기 공정가스는 웨이퍼(W) 표면에 감광액을 제거하기 위해 사용되는 반응가스(reaction gas)를 포함한다. 상기 반응가스로는 산소 가스(O₂ gas)가 사용될 수 있다. 또한, 상기 공정가스는 하우징(110) 내 퍼지(purge) 등을 수행하기 위한 불활성 가스를 포함한다.
공정가스 공급부재(130)는 공급포트(supply port)(132) 및 공정가스 공급라인(process gas supply line)(134)을 포함한다. 공급포트(132)는 공정시 공정가스 공급라인(134)으로부터 공정가스를 공급받아 하우징(110) 내부로 공급한다. 특히, 공급포트(132)는 공정시 공정받은 공정가스를 웨이퍼(W) 처리면 전반에 균일하게 공급되도록 공정가스를 분배시킨다. 공급포트(132)는 하우징(110)의 하부 하우징(112)의 개방된 상부를 밀페하도록 설치된다. 공급포트(132)는 대체로 원통형상으로 제공되며, 내부에 가스공급라인(134)으로부터 공급받은 공정가스를 수용하는 공간을 가진다.
세정유체 공급부재(140)는 공정시 지지부재(130)에 놓여진 웨이퍼(W)로 세정유체를 공급한다. 세정유체 공급부재(140)는 세정노즐(cleaning nozzle)(142) 및 세정유체 공급라인(cleaning fluid supply line)(144)을 포함한다. 세정노즐(142)은 하우징(110)의 측벽 상부에 적어도 하나가 설치된다. 세정유체 공급라인(144)은 세정유체 공급원(미도시됨)으로부터 세정노즐(142)로 세정유체를 공급한다. 상기 세정액으로는 초순수가 사용되거나 다양한 종류의 케미칼(chemical)들이 사용될 수 있다.
건조유체 공급부재(150)는 공정시 지지부재(130)에 놓여진 웨이퍼(W)로 건조유체를 공급한다. 건조유체 공급부재(150)는 건조노즐(dry nozzle)(152) 및 건조유체 공급라인(dry fluid supply line)(154)을 포함한다. 건조노즐(152)은 하우징(110)의 측벽 상부에 적어도 하나가 설치된다. 건조가스 공급라인(154)은 건조유체 공급원(미도시됨)으로부터 건조노즐(152)로 건조유체를 공급한다. 상기 건조유체로는 질소가스(N₂gas) 또는 이소프로필 알코올(IPA:Isopropyl alcohol)이 사용될 수 있다.
전극부재(160)는 공정시 하우징(110) 내부로 공급되는 공정가스를 활성화시 킨다. 전극부재(160)는 복수의 전극바(electrode bar)들을 포함한다. 전극바는 전극(electrode)(162) 및 절연체(insulator)(164)를 포함한다. 전극(162)은 긴 막대 형상을 가진다. 전극(162)은 복수개가 동일한 높이에서 평행하게 배치된다. 이때, 각각의 전극(162)들은 일정한 간격이 서로 이격된다. 따라서, 공정시 공급포트(132)로 공급되는 공정가스는 전극(162)들 사이의 틈새를 통해 하우징(110) 내부로 공급된다. 공정시 각각의 전극(162)은 전력을 인가받아, 전극(162)들 틈새를 통과하는 공정가스를 활성화시킨다. 절연체(164)는 전극(162)을 절연시킨다. 절연체(164)는 각각의 전극(162)의 외부를 감싸도록 제공된다.
배출부재(170)는 공정시 하우징(110) 내 유체를 하우징(110)으로부터 배출시킨다. 배출부재(170)는 배출포트(discharge port)(172) 및 배기포트(exhaust port)(174)를 가진다. 배출포트(172)는 공정시 하우징(110) 내 처리액을 배출시키기 위해 제공된다. 배출포트(172)는 하우징(110)의 하부벽에 설치된다. 배출포트(172)로 유입되는 세정액은 배출라인(172a)을 통해 배수(drain)된다. 배기포트(174)는 하우징(110) 내 가스를 배출시키기 위해 제공된다. 배기포트(174)는 지지부재(120)의 회전축(124)의 둘레를 감싸는 원통형상을 가진다. 배기포트(174)의 상부(174')은 개방되며, 개방된 상부(174')는 하우징(110) 내 가스를 배기시키는 통로로 사용된다. 이때, 배기포트(174)의 상부(174') 높이는 하우징(110)의 하부벽 높이보다 높게 제공되는 것이 바람직하다. 이는 공정시 하우징(110)의 하부벽에 고이는 세정액이 배기포트(174)로 넘쳐흐르는 것을 방지하기 위함이다. 배기포트(174)로 유입된 가스는 배기라인(174a)을 통해 배기(exhaust)된다.
본 실시예에서는 세정노즐(142) 및 건조노즐(152)이 하우징(110)의 측벽 상단에 각각 하나씩 배치되는 경우를 예로 들어 설명하였으나, 세정액 공급노즐(142) 및 건조가스 공급노즐(152)의 개수, 위치, 그리고 배치 등은 다양하게 적용될 수 있다.
또한, 본 실시예에서는 전극부재(160)가 복수의 전극바들을 구비하는 경우를 예로 들어 설명하였으나, 전극부재(160)는 플레이트(plate) 형상의 전극을 구비하여, 공정시 하우징(110) 내 반응가스를 활성화시킬 수 있다. 예컨대, 전극부재의 전극은 복수의 분사홀들이 형성되는 판(plate) 형상으로 제공될 수 있다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(10)의 공정 과정을 상세히 설명한다. 도 2는 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 공정 과정을 보여주는 순서도이다. 그리고, 도 3a 내지 도 3d는 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 공정 과정을 설명하기 위한 도면들이다.
기판 처리 공정이 개시되면, 웨이퍼(W)가 지지부재(120)에 로딩(loading)된다(S110). 즉, 로봇암(robot arm)(미도시됨)은 웨이퍼 출입구(112)를 통해 하우징(110) 내부로 웨이퍼(W)를 반입시킨 후 스핀헤드(122)의 상부면에 웨이퍼를 안착시킨다. 스핀헤드(122)에 웨이퍼(W)가 안착되면, 지지부재(120)는 웨이퍼(W)를 척킹(chucking)하여 고정시킨다.
웨이퍼(W)가 로딩되면, 웨이퍼(W)의 웨팅 공정(wetting process)를 수행한다(S120). 웨이퍼 웨팅(wetting)은 웨이퍼(W) 표면에 소정의 처리액을 공급하여 웨 이퍼 표면의 감광액을 성질을 변화시킴으로써, 이후에 실시될 애싱 공정시 웨이퍼(W) 표면의 감광액과 생성된 플라즈마와의 반응성을 향상시키는 공정이다. 본 실시예에서는 상기 처리액으로 세정액이 사용되는 경우를 예로 들어 설명한다. 즉, 도 3a를 참조하면, 구동기(126)는 회전축(124)을 회전시켜, 스핀헤드(122)에 놓여진 웨이퍼(W)를 기설정된 회전속도로 회전시킨다. 웨이퍼(W)가 회전되면, 세정노즐(142)은 웨이퍼(W) 표면으로 세정액을 분사시킨다. 분사된 세정액은 웨이퍼(W) 표면을 웨팅(wetting)한다.
웨이퍼(W)의 웨팅 처리가 완료되면, 웨이퍼(W) 표면에 잔류하는 감광액을 제거하는 애싱 공정(ashing process)가 수행된다(S130). 즉, 도 3b를 참조하면, 공정가스 공급라인(134)은 공급포트(132)로 반응가스를 공급한다. 공급포트(132)로 공급된 반응가스는 전극부재(160)의 전극바들 사이 틈새를 통과한 후 회전되는 웨이퍼(W) 처리면으로 공급된다. 이때, 각각의 전극(162)들은 전력이 인가되어 있으므로, 전극바들 사이를 통과하는 반응가스는 전극(162)들에 인가된 전력에 의해 활성화된 후 하우징(120) 내부로 공급된다. 활성화된 공정가스에 의해 하우징(110) 내부에는 플라즈마(P)가 생성된다. 생성된 플라즈마(P)는 웨이퍼(W) 표면의 감광액을 박리(ashing)한다. 이때, 하우징(120) 내부로 공급되는 가스는 배기포트(174)를 통해 하우징(110) 외부로 배출된다. 배기포트(174)로 배출되는 가스는 배기라인(174a)을 따라 배기(exhaust)된다.
애싱 공정이 완료되면, 웨이퍼(W)를 세정하는 공정이 수행된다(S140). 즉, 도 3c를 참조하면, 공정가스 공급부재(130)의 공정가스 공급이 중단되고, 세정노 즐(142)은 세정액 공급라인(144)으로부터 세정액을 공급받아 회전되는 웨이퍼(W) 처리면으로 세정액을 분사한다. 분사되는 세정액은 웨이퍼(W) 표면에 잔류하는 이물질을 제거한 후 배출포트(172)를 통해 하우징(110) 외부로 배출된다. 배출포트(172)로 배출되는 세정액은 배출라인(172a)을 따라 배수(drain)된다.
세정 공정이 완료되면, 웨이퍼(W)를 건조하는 건조 공정이 수행된다(S150). 즉, 도 3d를 참조하면, 세정액 공급부재(140)의 세정액 공급이 중단되고, 건조노즐(152)은 건조가스 공급라인(154)으로부터 건조가스를 공급받아 지지부재(120)에 놓여진 웨이퍼(W) 처리면으로 건조가스를 분사한다. 분사되는 건조가스는 웨이퍼(W)를 건조시킨 후 배기포트(174)를 통해 하우징(110) 외부로 배출된다. 배출되는 건조가스는 배기라인(174a)을 따라 배기된다.
건조 공정이 완료되면, 웨이퍼(W)의 언로딩(unloading)이 수행된다(S160). 즉, 건조 공정이 완료되면, 건조가스 공급부재(150)의 건조가스 공급이 중단된다. 그리고, 지지부재(120)의 구동기(126)는 스핀헤드(122)의 회전을 중지시키고, 스핀헤드(122)는 웨이퍼(W)를 언척킹(unchucking)한다. 그리고, 로봇암(미도시됨)은 웨이퍼 출입구(112)를 통해 하우징(110) 외부로 웨이퍼(W)를 반출시킨 후 후속 공정이 수행되는 설비로 이송한다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 기판 처리 장치 및 방법은 애싱 공정과 세정 공정, 그리고 건조 공정을 하나의 장치에서 수행할 수 있어, 종래의 별도의 장치에서 애싱 공정과 세정 공정을 각각 수행하는 방식에 비해 기판 처리 공정 시간을 단축시킨다.
또한, 본 발명에 따른 기판 처리 장치 및 방법은 하나의 장치에서 애싱 공정 전에 처리액으로 웨이퍼 표면을 웨팅처리하여 애싱 공정시 생성되는 플라즈마와의 반응성을 향상시킴으로써 기판 처리 공정 효율을 향상시킨다.
또한, 본 발명에 따른 기판 처리 장치 및 방법은 하나의 장치에서 건식 처리 공정과 습식 처리 공정을 수행할 수 있어, 장치의 제작 비용을 절감하고 풋 프린트를 감소시킨다.
상술한 실시예에서는 웨이퍼 웨팅 공정, 애싱 공정, 세정 공정, 그리고 건조 공정이 순차적으로 수행되는 경우를 예로 들어 설명하였으나, 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 기판 처리 공정 과정은 다양하게 변경이 가능하다. 예컨대, 각각의 공정은 선택적으로 두 번 이상이 반복되어 수행되거나, 그 순서가 변경될 수 있다. 또한, 본 발명의 기판 처리 공정은 웨이퍼의 웨팅 공정 없이 애싱 공정, 세정 공정, 그리고 건조 공정만으로 진행될 수 있다.
또한, 본 실시예에서는 웨이퍼 웨팅 공정, 애싱 공정, 세정, 그리고 건조 공정시 웨이퍼(W)를 회전시켜 공정을 수행하는 경우를 예로 들어 설명하였으나, 각각의 공정시 웨이퍼(W)의 회전은 선택적으로 이루어질 수 있으며, 이때의 웨이퍼(W)의 회전속도는 다양하게 변경될 수 있다.
또한, 본 실시예에서는 웨이퍼 웨팅에 사용되는 처리액으로 세정액을 사용하는 경우를 예로 들어 설명하였으나, 웨이퍼 웨팅은 세정액이 아닌 약액을 사용하여 이루어질 수 있다. 예컨대, 본 발명의 다른 실시예로서, 기판 처리 장치는 웨이퍼 웨팅을 위한 약액을 공급하는 약액 공급 수단을 더 구비하여, 웨이퍼 웨팅 공정시 웨이퍼 표면으로 약액을 공급함으로써 웨이퍼 웨팅 공정을 수행할 수 있다.
상술한 본 발명의 일 실시예에서는 세정액 공급부재(140)가 하우징(110)에 고정설치되어, 공정시 지지부재(120)에 놓여진 웨이퍼(W)로 직접 세정액을 공급하는 경우를 예로 들어 설명하였으나, 세정액 공급부재(140)는 공정시 전극부재(160)의 전극바들의 사이 틈새를 통과한 후 웨이퍼(W)로 공급되도록 제공될 수 있다.
즉, 도 4를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치(10')는 세정 공정시 세정액이 전극부재(160)를 통과한 후 하우징(110) 내부로 공급하도록 제공되는 세정액 공급부재(140a)를 가진다. 세정액 공급부재(140a)는 세정노즐(142a) 및 공급라인(144b)을 가진다. 세정노즐(142a)은 공급포트(132)에 적어도 하나가 설치된다. 세정노즐(142a)은 공정시 공급라인(144b)으로부터 공급받은 세정액을 공급포트(132) 내부로 분사한다. 공급포트(132)로 공급된 세정액은 전극부재(160)의 전극바들 사이 틈새를 통과한 후 지지부재(120)에 놓여진 웨이퍼(W)로 공급된다. 이때, 전극바들을 통과하는 세정액은 전력이 인가된 전극들에 의해 활성화된다. 따라서, 활성화된 세정액은 웨이퍼(W) 표면에 잔류하는 이물질을 보다 효과적으로 제거한다.
상술한 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치(10')는 세정 공정시 전극부재(160)에 의해 활성화시킨 세정액을 사용하여 웨이퍼(W)를 세정함으로써, 웨이퍼(W)의 세정 효율을 향상시킨다.
또한, 본 발명의 또 다른 실시예로서, 기판 처리 장치는 건조 공정시 활성화된 건조가스에 의해 웨이퍼(W)를 건조할 수 있다. 즉, 도 5를 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치(10'')는 건조 공정시 건조가스가 전극부재(160)를 통과한 후 하우징(120) 내부로 공급하도록 제공되는 건조가스 공급부재(150a)를 가진다. 건조가스 공급부재(150a)는 건조노즐(152a) 및 건조가스 공급라인(154a)를 가진다. 건조노즐(152a)은 공급포트(132)에 적어도 하나가 설치된다. 건조노즐(152a)은 공정시 건조가스 공급라인(154b)으로부터 공급받은 건조가스를 공급포트(132) 내부로 분사한다. 공급포트(132)로 공급된 건조가스는 전극부재(160)의 전극바들 사이 틈새를 통과한 후 지지부재(120)에 놓여진 웨이퍼(W)로 공급된다. 이때, 전극바들을 통과하는 건조가스는 전력이 인가된 전극들에 의해 활성화된다. 따라서, 활성화된 건조가스는 웨이퍼(W) 표면의 건조 효율을 향상시킬 수 있다.
상술한 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치(10'')는 건조 공정시 전극부재(160)에 의해 활성화시킨 건조가스를 사용하여 웨이퍼(W)를 건조함으로써, 웨이퍼(W)의 건조 효율을 향상시킨다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한, 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내고 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉, 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명과 같은 다른 발명을 이용하는데 당업계에 알려진 다른 상태로의 실시, 그리고 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서, 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다.
도 2는 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 공정 과정을 보여주는 순서도이다.
도 3a 내지 도 3d는 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 공정 과정을 설명하기 위한 도면들이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다.

Claims (12)

  1. 기판 처리 장치에 있어서,
    내부에 기판을 처리하는 공정을 수행하는 공간을 제공하는 하우징과,
    공정시 상기 하우징 내부에서 기판을 지지시키는 지지부재과,
    공정시 상기 지지부재에 놓여진 기판으로 세정액을 공급하는 세정노즐, 그리고
    공정시 전력을 인가받아 상기 공정가스 공급부재에 의해 공급되는 공정가스를 활성화시키는 전극부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판 처리 장치는,
    공정시 상기 하우징으로 공정가스를 공급하는 공정가스 공급부재를 더 포함하되,
    상기 공정가스 공급부재는,
    공정가스 공급라인과,
    상기 하우징의 개방된 상부를 커버하는, 그리고 상기 공정가스 공급라인으로부터 공정가스를 공급받아 상기 하우징 내부로 공급하는 공급포트를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 전극부재는,
    상기 공급포트의 하부에 긴 막대 형상으로 복수개가 평행하게 배치되는 전극바들을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판 처리 장치는,
    공정시 상기 지지부재에 놓여진 기판으로 건조가스를 공급하는 건조노즐을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 하나에 있어서,
    상기 기판 처리 장치는,
    공정시 상기 하우징 내 유체를 외부로 배출시키는 배출부재를 더 포함하되,
    상기 배출부재는,
    상기 하우징의 하부벽에 제공되며, 상기 하우징 내 세정액이 배출되는 배출포트와,
    상기 하우징 내 가스가 배기되는 배기포트를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 지지부재는,
    공정시 기판을 지지하는 상부면을 가지는 스핀헤드와,
    공정시 상기 스핀헤드가 상기 하우징 내부에서 회전가능하도록 상기 스핀헤드의 하부 중앙에 결합되는 회전축, 그리고
    상기 회전축을 회전시키는 구동기를 포함하고,
    상기 배기포트는,
    상기 회전축의 둘레를 감싸도록 제공되며, 상단의 높이가 상기 하우징의 하부벽 높이보다 높도록 형상지어지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  7. 제 2 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 세정노즐은,
    상기 하우징에 설치되어, 공정시 상기 지지부재에 놓여진 기판으로 세정액을 공급하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  8. 제 2 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 세정노즐은,
    상기 공급포트에 설치되어, 상기 공급포트로 세정액을 공급하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  9. 제 4 항에 있어서,
    상기 건조노즐은,
    상기 공급포트에 설치되어, 공정시 상기 공급포트로 건조가스를 공급하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  10. 내부에 기판을 처리하는 공정을 수행하는 공간을 제공하는 하우징, 공정시 상기 하우징 내부에서 기판을 지지시키는 지지부재, 공정시 상기 하우징 내부로 공정가스를 공급하는 공정가스 공급부재, 그리고 공정시 전력을 인가받아 상기 하우징 내부로 공급되는 공정가스를 활성화시키는 전극부재를 포함하는 기판 처리 장치의 기판 처리 방법에 있어서,
    상기 기판 처리 방법은,
    상기 지지부재에 기판을 로딩시키는 단계와,
    플라즈마를 발생시켜 기판 표면의 감광액을 제거하는 단계와,
    기판으로 세정액을 공급하여 기판을 세정하는 단계, 그리고
    상기 지지부재로부터 기판을 언로딩시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 기판 처리 방법은,
    상기 감광액을 제거하는 단계 이전에 웨이퍼 표면으로 세정액을 분사하여 웨이퍼를 웨팅하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  12. 제 10 항 또는 제 11 항에 있어서,
    상기 기판 처리 방법은,
    상기 기판을 세정하는 단계와 상기 기판을 언로딩하는 단계 사이에 웨이퍼 표면으로 건조가스를 분사하여 웨이퍼를 건조하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
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