TWI695898B - 經微細粗糙化處理的電解銅箔以及使用其的覆銅基板 - Google Patents
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Abstract
本發明公開一種經微細粗糙化處理的電解銅箔以及使用其的覆銅基板。電解銅箔具有一微粗糙表面，且微粗糙表面具有多個山形結構以及多個相對於山形結構的凹陷結構。其中依據國際標準ISO25178所測定多個所述山形結構的算術平均高度(Sa)與頂點密度(Spd)的乘積(Sa×Spd)為150000至400000微米/平方毫米，且依據日本工業標準JIS B0601-2001所測定多個所述山形結構的算術平均起伏(Wa)大於0.06μm且小於等於1.5μm。藉此，電解銅箔能夠兼顧接合強度與電氣性能。
Description
本發明涉及一種電解銅箔及其應用，特別是涉及一種經微細粗糙化處理的電解銅箔以及使用其的覆銅基板。
隨著資訊和電子產業的發展，高頻高速的訊號傳輸已成為現代電路設計與製造的一環。電子產品為了能符合高頻高速的訊號傳輸需求，所採用的銅箔基板在高頻下需要有良好的介入損失(insertion loss)表現，以防止高頻訊號在傳遞時產生過度的損耗。銅箔基板的介入損失與其表面粗糙度有高度關聯。當表面粗糙度降低時，介入損失有較佳的表現，反之則否。但是降低粗糙度的同時，也會導致銅箔與基材間的剝離強度下滑，影響到後端產品的良率。因此，如何將剝離強度維持在業界水準，並提供良好的介入損失表現，已成為本領域所欲解決的課題。
本發明所要解決的技術問題在於，針對現有技術的不足提供一種經微細粗糙化處理的電解銅箔。並且，提供一種使用此經微細粗糙化處理的電解銅箔的覆銅基板。
為了解決上述的技術問題，本發明所採用的其中一技術方案是：一種經微細粗糙化處理的電解銅箔，其具有一微粗糙表面，
且所述微粗糙表面具有多個山形結構以及多個相對於所述山形結構的凹陷結構。其中，依據國際標準ISO25178所測定多個所述山形結構的算術平均高度(Sa)與頂點密度(Spd)的乘積(Sa×Spd)為150000至400000微米/平方毫米，且依據日本工業標準JIS B0601-2001所測定多個所述山形結構的算術平均起伏(Wa)大於0.06μm且小於等於1.5μm。
為了解決上述的技術問題，本發明所採用的另外一技術方案是：一種覆銅基板，其包括一基板以及一經微細粗糙化處理的電解銅箔。所述經微細粗糙化處理的電解銅箔貼附在所述基板的一表面上，且具有一微粗糙表面與所述表面接合，其中所述微粗糙表面具有多個山形結構以及多個相對於所述山形結構的凹陷結構。其中，依據國際標準ISO25178所測定多個所述山形結構的算術平均高度(Sa)與頂點密度(Spd)的乘積(Sa×Spd)為150000至400000微米/平方毫米，且依據日本工業標準JIS B0601-2001所測定多個所述山形結構的算術平均起伏(Wa)大於0.06μm且小於等於1.5μm。
在本發明的一實施例中，多個所述山形結構的Sa×Spd大於240000μm/mm2且小於350000μm/mm2。
在本發明的一實施例中，多個所述山形結構的算術平均起伏(Wa)大於0.1μm且小於1.5μm。
在本發明的一實施例中，每一所述凹陷結構具有U形剖面輪廓及/或V形剖面輪廓。
在本發明的一實施例中，所述微粗糙表面的表面粗糙度(Rz)小於等於2.3μm。
本發明的其中一有益效果在於，本發明所提供的經微細粗糙化處理的電解銅箔，其能通過將微粗糙表面的算術平均高度(Sa)與頂點密度(Spd)的乘積(Sa×Spd)與算術平均起伏(Wa)控制在特定範圍內，以有效降低訊號的傳輸損耗，而不致降低銅箔與基材之
間的接合力，也就是可以兼顧銅箔的接合力與訊號傳輸損耗。
為使能更進一步瞭解本發明的特徵及技術內容，請參閱以下有關本發明的詳細說明與圖式，然而所提供的圖式僅用於提供參考與說明，並非用來對本發明加以限制。
L:銅箔基板
1:經微細粗糙化處理的電解銅箔
10:微粗糙表面
11:山形結構
12:凹陷結構
13:微結晶簇
W:晶鬚
C:微結晶
2:基板
3:連續式電解設備
31:送料輥
32:收料輥
33:電解槽
331:電極
34:電解輥組
341:電解輥
35:輔助輥組
351:輔助輥
圖1為本發明的經微細粗糙化處理的電解銅箔的結構示意圖。
圖2為圖1的II部分的放大示意圖。
圖3為本發明的覆銅基板的其中一結構示意圖。
圖4為本發明的覆銅基板的另外一結構示意圖。
圖5為一種用於製造本發明的經微細粗糙化處理的電解銅箔所使用的電解裝置的示意圖。
圖6為掃描式電子顯微鏡圖，說明實施例1微粗糙電解銅箔的表面型態。
圖7為掃描式電子顯微鏡圖，說明實施例1微粗糙電解銅箔的斷面型態。
圖8為掃描式電子顯微鏡圖，說明比較例3的銅箔表面型態。
圖9為掃描式電子顯微鏡圖，說明比較例3的銅箔斷面型態。
由於電子產品不斷朝向小型化、高速化、多功能化和高可靠度發展，本發明提供一種經微細粗糙化處理的電解銅箔，既有助於形成具有微小線寬和線距的精細線路，又能確保對於基材的接合強度；更重要的是，所形成的線路能有效降低訊號的傳輸損耗。
以下是通過特定的具圖體實施例來說明本發明所公開有關“經微細粗糙化處理的電解銅箔以及使用其的覆銅基板”的實施方式，本領域技術人員可由本說明書所公開的內容瞭解本發明的優點與效果。本發明可通過其他不同的具體實施例加以施行或應
用，本說明書中的各項細節也可基於不同觀點與應用，在不悖離本發明的構思下進行各種修改與變更。另外，本發明的附圖僅為簡單示意說明，並非依實際尺寸的描繪，事先聲明。以下的實施方式將進一步詳細說明本發明的相關技術內容，但所公開的內容並非用以限制本發明的保護範圍。
應當可以理解的是，雖然本文中可能會使用到“第一”、“第二”、“第三”等術語來描述各種元件或者信號，但這些元件或者信號不應受這些術語的限制。這些術語主要是用以區分一元件與另一元件，或者一信號與另一信號。另外，本文中所使用的術語“或”，應視實際情況可能包括相關聯的列出項目中的任一個或者多個的組合。
在本文中，算術平均高度(Sa)是依據國際標準ISO25178所測定，其表示相對於表面的平均面上各點高度差的絕對值平均；相當於將Ra(線的算術平均高度)以面狀擴大後的參數。頂點密度(Spd)也是依據國際標準ISO25178所測定，其表示每單位面積內山形結構的頂點數量；Spd值越大表示與其他物體的接觸點數量越多。Sa與Spd值可利用雷射顯微鏡測定粗糙化處理面的預定面積的表面輪廓(profile)而算出。算術平均起伏(Wa)是依據日本工業標準JIS B0601-2001所測定，其表示表面輪廓曲線的坡度。
請參閱圖1所示，本發明的經微細粗糙化處理的電解銅箔1具有至少一微粗糙表面10，其中微粗糙表面10具有多個山形結構11及多個相對於山形結構11的凹陷結構12。值得注意的是，針對微粗糙表面10，依據國際標準ISO25178所測定山形結構11的算術平均高度(Sa)與頂點密度(Spd)的乘積(Sa×Spd)可為150000至400000微米/平方毫米，較佳為240000至350000微米/平方毫米；並且，依據日本工業標準JIS B0601-2001所測定山形結構11的算術平均起伏(Wa)可為大於0.06μm且小於等於1.5μm，較佳為大於0.1μm且小於等於1.5μm。藉此，本發明的經微細粗糙化處理
的電解銅箔1可具有良好的電氣性能，例如優化了介入損失(Insertion loss)的表現。此外，微粗糙表面10的表面粗糙度(Rz)小於等於2.3微米，表面粗糙度(Rz)是依據日本工業標準JIS 94所測定，這對線寬和線距的微縮有所貢獻。
請再配合圖2所示，在微粗糙表面10中，每一個山形結構11上形成有一微結晶簇13，微結晶簇13可包括至少一晶鬚W，其是由多個微結晶C堆疊而成。微結晶簇13的排列方式沒有特別的限制，其可以呈規則排列，即沿著大致相同的方向排列，但不限制於此。微結晶簇13的平均高度可小於2微米，較佳為小於1.8微米，更佳為小於1.6微米。在本文中，微結晶簇13的平均高度指的是，微結晶簇13的頂部表面到山形結構11的頂部表面的垂直距離。
在本實施例中，如圖2所示，微結晶簇13可包括多個朝不同方向延伸的晶鬚W而呈現分岔狀。每一個晶鬚W沿其高度方向可堆疊有15個以下的微結晶C，較佳為13個以下，更佳為10個以下，再更佳為8個以下。微結晶C的平均外徑可小於0.5微米，較佳介於0.05至0.5微米，更佳介於0.1至0.4微米。
另外，如圖2所示，當微粗糙表面10上山形結構11的Wa值落在上述數值範圍內時，每一個凹陷結構12即具有U形剖面輪廓及/或V形剖面輪廓；藉此，可以在每一個凹陷結構12中填入更多的膠，以增加銅箔與基材之間的接合力，提高兩者的剝離強度(Peel strength)，同時兼顧電性(Insertion loss)。凹陷結構12的平均深度可小於1.5微米，較佳小於1.3微米，更佳小於1微米。凹陷結構12的平均寬度可介於0.5至4微米，較佳介於0.6至3.8微米。
在本實施例中，經微細粗糙化處理的電解銅箔1可以是對一基箔的其中一表面(如亮面)進行電解粗糙化處理而製成；舉例來說，可採用反轉銅箔(RTF)、高溫延展銅箔(HTE)或極低粗糙度銅
箔(VLP)作為基箔，並通過現有的電解裝置(如連續式或批次式電解裝置)對基箔表面進行電解粗糙化處理。較佳地，電解裝置為一連續式電解裝置，其可包括相互配合的多個電解槽及多個多電解輥；電解槽中可盛裝不同組成的含銅電解液，且電解槽可施加定電流。電解裝置的生產速度可控制在5至20m/min，生產溫度控制在20至60℃。
進一步來說，電解粗糙化處理可採用含銅電解液，其組成可包含銅離子源、金屬添加劑及非金屬他添加劑。銅離子源可舉出硫酸銅及硝酸銅。金屬添加劑可舉出鈷、鐵、鋅及其等的氧化物和鹽類。非金屬他添加劑可舉出明膠、有機氮化物、羥乙基纖維素(hydroxyethyl cellulose；HEC)、聚乙二醇(Poly(ethylene glycol)、PEG)、3-巰基-1-丙烷磺酸鈉(Sodium 3-mercaptopropanesulphonate、MPS)、聚二硫二丙烷磺酸鈉(Bis-(sodium sulfopropyl)-disulfide、SPS)及硫脲基化合物。
在一實例中，電解粗糙化處理可以只有兩個階段，且兩個階段所用含銅電解液的組成可以相同或不同。舉例來說，可採用兩種不同的含銅電解液先後處理基箔的表面；第一種含銅電解液中銅離子的濃度可以是10至30g/l、酸的濃度可以是70至100g/l，且金屬添加劑的濃度可以是150至300mg/l；第二種含銅電解液中銅離子的濃度可以是70至100g/l、酸的濃度可以是30至60g/l，且金屬添加劑的濃度可以是15至100mg/l。
電解粗糙化處理的過程中可施加定電壓及定電流。在上述實例中，電解粗糙化處理的第一階段可施加25至40A/dm2的定電流，電解粗糙化處理的第二階段可施加20至30A/dm2的定電流；或者，電解粗糙化處理的第一階段可施加30至56A/dm2的定電流，電解粗糙化處理的第二階段可施加23至26A/dm2的定電流。附帶說明一點，處理過程中電解電流可以脈衝波形或鋸型波形輸出。此外，當施加定電壓時，電解粗糙化處理的每個階段所施加
的定電流須落在上述範圍內。
在另一實例中，電解粗糙化處理可以有超過兩個階段以上，處理過程中可交替使用上述兩種含銅電解液，電解電流可控制在1至60A/dm2。舉例來說，電解粗糙化處理可以有四個階段，第一和第二階段的操作條件與上述實例相同，第三階段可採用第一種含銅電解液，且可施加1至8A/dm2的定電流，第四階段可採用第二種含銅電解液，且可施加40至60A/dm2的定電流。電解粗糙化處理也可以有五個階段以上，在第五階段以後，電解電流可控制在小於5A/dm2。類似地，處理過程中電解電流可以脈衝波形或鋸型波形輸出。此外，當施加定電壓時，電解粗糙化處理的每個階段所施加的定電流須落在上述範圍內。
值得說明的是，微粗糙表面10上微結晶簇13與凹陷結構12的排列方式及延伸方向可通過含銅電解液的流場加以控制。具體來說，當不施加流場或形成紊流時，所形成的微結晶簇13便呈現無序排列；當施加流場使含銅電解液在基箔表面之上沿著特定方向流動時，所形成的微結晶簇13的至少一部分便呈現有序排列，即微結晶簇13沿著大致相同的方向排列。然而，上述所舉的例子只是其中一可行的實例而並非用以限定本發明；在其他實例中，也可以通過物理性方式來形成微粗糙表面10上的微結構，例如利用鋼刷在基箔表面上形成刮痕。
請參閱圖3及圖4所示，本發明還提供一種覆銅基板L，其包括一基板2及至少一經微細粗糙化處理的電解銅箔1。實務上，如圖3所示，經微細粗糙化處理的電解銅箔1的數量可以只有一片，且貼附在基板2的其中一表面上；如圖4所示，經微細粗糙化處理的電解銅箔1的數量可以有兩片，且分別貼附在基板2的相對兩表面上；其中經微細粗糙化處理的電解銅箔1的微粗糙表面10與基板2的表面接合。
基板2可使用中損耗(Mid-loss)及低損耗(Low-loss)材料，其中
以低損耗材料更能突顯出銅箔在電性上的差異。術語“中損耗材料”是指Dk值(介電常數)介於3.5至4.0、Df值(介電損耗)大於0.010且小於等於0.015的介電材料；術語“低損耗材料”是指Dk值介於3.2至3.8、Df值大於0.005且小於等於0.010的介電材料。
基板2可採用預浸片含浸合成樹脂再固化而成之複合材料。預浸片可例舉如：酚醛棉紙、棉紙、樹脂製纖維布、樹脂製纖維不織布、玻璃板、玻璃織布，或玻璃不織布。合成樹脂可例舉如：環氧樹脂、聚酯樹脂、聚醯亞胺樹脂、氰酸酯樹脂、雙馬來醯亞胺三嗪樹脂、聚苯醚樹脂，或酚樹脂。合成樹脂層可以是單層或多層，並沒有一定的限制。基板2可選自但不限於EM891、IT958G、IT150DA、S7040G、S7439G、MEGTRON 4、MEGTRON 6，或MEGTRON 7。
下面將以實施例1至3為例示，並與比較例1至4相比較，以說明本發明的優點。
[實施例1]
請參閱圖4並配合圖5所示，經微細粗糙化處理的電解銅箔1的微粗糙表面10是採用連續式電解裝置3形成。連續式電解裝置3包括一送料輥31、一收料輥32、多個設置於送料輥31與收料輥32間的電解槽33、多個分別設置於電解槽33上方的電解輥組34及多個分別設置於電解槽33內的輔助輥組35。其中，每一個電解槽33內設有一組電極331(如白金電極)，每一個電解輥組34包括兩個電解輥341，每一個輔助輥組35包括兩個輔助輥351，每一個電解槽33內的電極231與相對應的電解輥組34電性連接外部電源供應器。
實施例1採用反轉銅箔(RTF)作為基箔，其為金居開發有限公司產品(型號RG311)。基箔先收卷於送料輥31，再依序繞行於電解輥組34與輔助輥組35，然後收卷於收料輥32。每一個電解槽
33所用含銅電解液的組成成分與操作條件如表1所示；基箔以10m/min的生產速度，依序在多個電解槽33內進行電解粗糙化處理，形成表面粗糙度Rz(JIS94)小於等於2.3微米的經微細粗糙化處理的電解銅箔1，其表面和截面結構分別顯示於圖6及圖7。
經微細粗糙化處理的電解銅箔1的微粗糙表面10的算術平均高度(Sa)與頂點密度(Spd)，是利用雷射顯微鏡直接量測微粗糙表面10的凹凸輪廓而得到。較佳的方式是，先將經微細粗糙化處理的電解銅箔1與PP基材貼合，使微粗糙表面10的凹凸輪廓轉印至PP基材上，再通過選擇性蝕刻將銅箔移除後，量測PP基材表面的凹凸輪廓，以得到Sa值與Spd值。
經微細粗糙化處理的電解銅箔1在的介入損失，是使用strip line的方法量測而得到，結果顯示於表2。實施例1針對4GHz、8GHz、12.89GHz及16GHz等多個頻率進行量測。
覆銅基板L的剝離強度，是取兩片經微細粗糙化處理的電解銅箔1與一片基板2(低損耗預浸材料，型號是S7439G)貼合，其中微粗糙表面10上塗覆有銅矽烷偶合劑，固化後依照IPC-TM-650 2.4.8測試方法量測而得到，結果列於表2。
[實施例2及3]
基箔、電解裝置與含銅電解液的組成與實施例1相同，操作條件如表1所示，基箔以10m/min的生產速度進行電解粗糙化處理。取一片經微細粗糙化處理的電解銅箔1量測其Sa值與Spd值，所用方法與實施例1相同，結果列於表2。另外，取兩片經微細粗糙化處理的電解銅箔1與一片基板2(低損耗預浸材料，型號是S7439G)貼合，形成覆銅基板L，然後量測其剝離強度，所用方法與實施例1相同，結果列於表2。
[比較例1及2]
基箔、電解裝置與含銅電解液的組成與實施例1相同，操作條件如表1所示，基箔以10m/min的生產速度進行電解粗糙化處理。取一片經微細粗糙化處理的電解銅箔1量測其Sa值與Spd值，所用方法與實施例1相同，結果列於表2。取兩片經微細粗糙化處理的電解銅箔1與一片基板2(低損耗預浸材料，型號是S7439G，型號是S7439G)貼合，形成一覆銅基板L；再取另外兩片經微細粗糙化處理的電解銅箔1與另一片基板(中損耗預浸材料，型號是S7439G，型號是S7040G)貼合，形成另一覆銅基板L。然後，量測這些覆銅基板L的剝離強度，所用方法與實施例1相同，結果列於表2。
[比較例3]
基箔採用的反轉銅箔型號：RTF3(下稱RTF3銅箔)，其表面和截面結構分別顯示於圖8及圖9。取一片RTF3銅箔量測其Sa值與Spd值，所用方法與實施例1相同，結果列於表2。取兩片經微細粗糙化處理的電解銅箔1與一片基板2(低損耗預浸材料，型號是S7439G)貼合，形成一覆銅基板L；再取另外兩片經微細粗糙化處理的電解銅箔1與另一片基板2(中損耗預浸材料，型號是S7040G)貼合，形成另一覆銅基板L。然後，量測這些覆銅基板L的剝離強度，所用方法與實施例1相同，結果列於表2。
請參閱圖6及圖7並配合參閱圖2所示，實施例1的微粗糙表面10具有多個沿著大致相同的方向延伸的凹陷結構12(如凹溝)；凹陷結構12的寬度約介於0.1微米至4微米之間，且深度小於或等於0.8微米。相鄰於凹陷結構12的山形結構11上有明顯的微結晶簇13；微結晶簇13的高度小於或等於2微米，且每一個微結晶簇13所包括的晶鬚W是由多個微結晶C堆疊而成，微結晶C的平均外徑約小於0.5微米。
請再參閱圖8及圖9所示，RTF3銅箔的表面上有多個粒徑約在1微米的微結晶，這些微結晶在表面上呈均勻分佈，即沒有集中在特定的位置，僅有少部分聚集在一起。
請見表2及表3，當實施例1至3的覆銅基板L使用低損耗預浸材料(型號是S7439G)作為基板2時，其剝離強度至少為4.10lb/in，高於業界標準的4lb/in。當實施例1至3的覆銅基板L使用中損耗預浸材料(型號是S7040G)作為基板2時，其剝離強度至少為4.10lb/in，也高於業界標準的4lb/in。由此可知，本發明的覆銅基板L既具有高於業界標準的剝離強度，又具有良好的電性表現；這有利於後續PCB製程的進行，並能維持終端產品的電性品質穩定。
如表3所示，實施例1至3及比較例1及2不論是使用低損耗預浸材料或中損耗預浸材料，在頻率4GHz至16GHz之間的介入損失，都優於比較例3。值得說明的是，通過控制微粗糙表面10的凹凸表面形態使Sa×Spd值與Wa值都落在特定範圍內，能有效降低高頻訊號的傳輸損失。
再者，當微粗糙表面10的Sa×Spd值小於39000μm/mm2且Wa大於0.08時，覆銅基板L(使用低損耗預浸材料，型號是S7439G)
有優異的介入損失表現。進一步地說，覆銅基板L在4GHz時的介入損失介於-0.350dB/in至-0.371dB/in之間；若考量剝離強度，則其在4GHz時的介入損失較佳介於-0.352dB/in至-0.369dB/in之間。覆銅基板L在8GHz時的介入損失介於-0.601dB/in至-0.635dB/in，若考量剝離強度，則其在8GHz時的介入損失較佳介於-0.619dB/in至-0.628dB/in之間。覆銅基板L在12.89GHz時的介入損失介於-0.885dB/in至-0.956dB/in之間，若考量剝離強度，則其在12.89GHz時的介入損失較佳介於-0.919dB/in至-0.922dB/in之間。覆銅基板L在16GHz時的介入損失介於-1.065dB/in至-1.105dB/in，若考量剝離強度，則其在16GHz時的介入損失較佳介於-1.083dB/in至-1.099dB/in之間。由此可知，本發明的經微細粗糙化處理的電解銅箔1在頻率4GHz至16GHz之間都能有效降低訊號傳送時的損耗。
由上述可知，本發明的經微細粗糙化處理的電解銅箔1在維持良好的剝離強度下，進一步優化了介入損失的表現，能有效地抑制訊號損耗。
以上所公開的內容僅為本發明的優選可行實施例，並非因此侷限本發明的申請專利範圍，所以凡是運用本發明說明書及圖式內容所做的等效技術變化，均包含於本發明的申請專利範圍內。
10‧‧‧微粗糙表面
11‧‧‧山形結構
12‧‧‧凹陷結構
13‧‧‧微結晶簇
W‧‧‧晶鬚
C‧‧‧微結晶
Claims (15)
- 一種經微細粗糙化處理的電解銅箔，其具有一微粗糙表面，且所述微粗糙表面具有多個山形結構以及多個相對於所述山形結構的凹陷結構；其特徵在於，依據國際標準ISO25178所測定多個所述山形結構的算術平均高度(Sa)與頂點密度(Spd)的乘積(Sa×Spd)為150000至400000微米/平方毫米，且依據日本工業標準JIS B0601-2001所測定多個所述山形結構的算術平均起伏(Wa)大於0.06μm且小於等於1.5μm。
- 如請求項1所述的經微細粗糙化處理的電解銅箔，其中，多個所述山形結構的Sa×Spd大於150000μm/mm2且小於等於400000μm/mm2。
- 如請求項1所述的經微細粗糙化處理的電解銅箔，其中，多個所述山形結構的算術平均起伏(Wa)大於0.1μm且小於等於1.5μm。
- 如請求項1所述的經微細粗糙化處理的電解銅箔，其中，每一所述凹陷結構具有U形剖面輪廓及/或V形剖面輪廓。
- 如請求項1所述的經微細粗糙化處理的電解銅箔，其中，依據日本工業標準JIS 94所測定所述微粗糙表面的表面粗糙度(Rz)小於等於2.3μm。
- 一種覆銅基板，其包括：一基板；以及一經微細粗糙化處理的電解銅箔，其貼附在所述基板的一表面 上，且具有一微粗糙表面與所述表面接合，其中所述微粗糙表面具有多個山形結構以及多個相對於所述山形結構的凹陷結構；其中，依據國際標準ISO25178所測定多個所述山形結構的算術平均高度(Sa)與頂點密度(Spd)的乘積(Sa×Spd)為150000至400000微米/平方毫米，且依據日本工業標準JIS B0601-2001所測定多個所述山形結構的算術平均起伏(Wa)為大於0.06μm且小於等於1.5μm。
- 如請求項6所述的覆銅基板，其中，多個所述山形結構的Sa×Spd大於150000μm/mm2且小於等於400000μm/mm2。
- 如請求項6所述的覆銅基板，其中，多個所述山形結構的算術平均起伏(Wa)大於0.1μm且小於等於1.5μm。
- 如請求項6所述的覆銅基板，其中，每一所述凹陷結構具有U形剖面輪廓及/或V形剖面輪廓。
- 如請求項6所述的覆銅基板，其中，依據日本工業標準JIS 94所測定所述微粗糙表面的表面粗糙度(Rz)小於等於2.3μm。
- 如請求項6所述的覆銅基板，其中，所述基板是由低損耗(Low loss)預浸材料所形成，所述覆銅基板於4GHz的介入損失介於-0.35dB/in至-0.41dB/in之間，其中，所述基板是由中損耗預浸材料所形成，所述覆銅基板於4GHz的介入損失介於-0.45dB/in至-0.49dB/in之間。
- 如請求項6所述的覆銅基板，其中，所述基板是由低損耗預浸 材料所形成，所述覆銅基板於8GHz的介入損失介於-0.61dB/in至-0.69dB/in之間，其中，所述基板是由中損耗預浸材料所形成，所述覆銅基板於8GHz的介入損失介於-0.76dB/in至-0.86dB/in之間。
- 如請求項6所述的覆銅基板，其中，所述基板是由低損耗預浸材料所形成，所述覆銅基板於12.89GHz的介入損失介於-0.90dB/in至-1.01dB/in之間，其中，所述基板是由中損耗預浸材料所形成，所述覆銅基板於12.89GHz的介入損失介於-1.06dB/in至-1.30dB/in之間。
- 如請求項6所述的覆銅基板，其中，所述基板是由低損耗預浸材料所形成，所述覆銅基板於16GHz的介入損失介於-1.03dB/in至-1.20dB/in之間，其中，所述基板是由中損耗預浸材料所形成，所述覆銅基板於16GHz的介入損失介於-1.4dB/in至-1.54dB/in之間。
- 如請求項6所述的覆銅基板，其中，所述基板是由低損耗預浸材料所形成，所述基板於10GHz的Dk值大於等於3.2且小於等於3.8，且Df值大於0.005且小於等於0.010，其中，所述基板是由中損耗預浸材料所形成，所述基板於10GHz的Dk值大於等於3.5且小於等於4.0，且Df值大於0.010且小於等於0.015。
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