JP2021008665A - アドバンスド電解銅箔及びそれを適用した銅張積層板 - Google Patents
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Abstract
Description
[調製例]
[銅箔の性能評価]
実施形態1及び実施形態2に係るアドバンスド電解銅箔と、台湾特許出願第107133827号の電解銅箔(型番:RG311、以下ではRG311と略称する)と、C社が製造した電解銅箔(型番:RTF−3、以下ではRTF−3と略称する)とのそれぞれを、I社が製造した中程度損失(Mid−loss)のプリプレグ材料(型番:IT170GRA1)に貼り合わせ硬化させた後、個々の単層銅張積層板を形成した。なかでも、RG311の表面粗さ(Rz JIS B 0601−1994)は2.3ミクロンよりも小さい。傾斜角35度、倍率10000倍の走査型電子顕微鏡(型番:Hitachi S−3400N)以の観察下で示されるRTF−3の画像が図8に示すように、銅箔の表面に銅結晶が明らかに均一に分布している。すべての単層銅張積層板の剥離強度は使用の要件を満たしており、Intel社が提案しているDelta L法を用いて、3 mils Core (1 oz)、10 mils PP、及び4.5 mils Trace Widthで信号品位をテストした。結果は下記の表3に表示される。
実施形態1及び実施形態2に係るアドバンスド電解銅箔と、台湾特許出願第107133827号の電解銅箔(型番:RG311、以下ではRG311と略称する)と、C社が製造した電解銅箔(型番:RTF−3、以下ではRTF−3と略称する)とのそれぞれを、I社が製造した低程度損失(Low Loss)のプリプレグ材料(型番:IT958G)に貼り合わせて硬化した後、個々の単層銅張積層板を形成した。なかでも、RG311の表面粗さ(Rz JIS B 0601−1994)は2.3ミクロンよりも小さい。傾斜角35度、倍率3000倍の走査型電子顕微鏡(型番:Hitachi S−3400N)以の観察下で示されるRTF−3の画像が図8に示すように、銅箔の表面に銅結晶が明らかに均一に分布している。すべての単層銅張積層板の剥離強度は使用の要件を満たしており、Intel社が提案しているDelta L法を用いて、3 mils Core (1oz)、10 mils PP、及び4.5 mils Trace Widthで信号品位をテストした。結果は下記の表4に表示される。
実施形態1及び実施形態2に係るアドバンスド電解銅箔と、台湾特許出願第107133827号の電解銅箔(型番:RG311、以下ではRG311と略称する)と、M社が製造した電解銅箔(型番:HS1−M2−VSP、以下ではHS1−M2−VSPと略称する)とのそれぞれを、I社が製造した非常に低程度損失(Ultra Low)のプリプレグ材料(型番:IT968)に貼り合わせ硬化させた後、個々の単層銅張積層板を形成した。なかでも、RG311の表面粗さ(Rz JIS B 0601−1994)は2.3ミクロンよりも小さい。傾斜角35度、倍率10000倍の走査型電子顕微鏡(型番:Hitachi S−3400N)以の観察下で示されるRTF−3の画像が図8に示すように、銅箔の表面に銅結晶が明らかに均一に分布している。すべての単層銅張積層板の剥離強度は使用の要件を満たしており、Intel社が提案しているDelta L法を用いて、3 mils Core (1 oz)、10 mils PP、及び4.5 mils Trace Widthで信号品位をテストした。結果は下記の表5に表示される。
[実施形態による有益な効果]
1:基板
2:アドバンスド電解銅箔
20:微細粗化処理面
20a:製造方向ストライプ
20b:微細ストライプ
20c:第1の平滑化領域
20d:第2の平滑化領域
21:銅結晶
211:頂部銅結晶
W:銅ウィスカー
G:銅結晶群
22:凸状ピーク
22A、22B:高さ
23:凹溝
23A、23B:深さ
3:連続電解装置
31:供給ローラ
32:受けローラ
33:電解トラフ
331:電極
34:複数の電解ローラ
35:補助ローラ
HL:水平線
EL1−EL10:延長線
RL:ベースライン
α1−α10:傾斜角
β1−β9:最小交差角
Claims (14)
- 凹凸のある微細粗化処理面を有するアドバンスド電解銅箔であって、走査型電子顕微鏡によって、傾斜角35度、倍率1,000倍で拡大され観察する場合、前記微細粗化処理面は、銅結晶で構成した複数の製造方向ストライプ及び複数の微細ストライプを有し、その中、少なくとも5つの前記微細ストライプは、前記製造方向ストライプ対して、20度よりも大きい最小交差角を有する、ことを特徴とするアドバンスド電解銅箔。
- 傾斜角35度、倍率10000倍の走査型電子顕微鏡の観察下で、前記微細ストライプの長さと幅は、50nm≦幅≦1000nm、1.0μm≦長さ≦10μmの関係を満たしている、請求項1に記載のアドバンスド電解銅箔。
- 傾斜角35度、倍率10000倍の走査型電子顕微鏡の観察下で、前記微細粗化処理面では、長さ250nm、幅250nmの第1の平滑化領域を少なくとも10個があり、長さ500nm、幅500nmの第2の平滑化領域を少なくとも1個があり、前記第1の平滑化領域及び前記第2の平滑化領域に銅結晶が存在しない、請求項1に記載のアドバンスド電解銅箔。
- 異なる数の前記銅結晶が一緒に積層してそれぞれの銅ウィスカーをなしており、かつ、異なる数前記銅ウィスカーがクラスタリングされ、それぞれの銅結晶群をなして、傾斜角35度、倍率10000倍の走査型電子顕微鏡の観察下で、前記銅結晶、前記銅ウィスカー又は前記銅結晶群の最大直径中央値は550nmよりも小さい、請求項1に記載のアドバンスド電解銅箔。
- 前記銅ウィスカーの各々は、円錐形、棒状または球状の頂部銅結晶を有する、請求項4に記載のアドバンスド電解銅箔。
- 前記微細粗化処理面の表面粗さ(Rz JIS B 0601−1994)は2.3μmよりも小さい、請求項1に記載のアドバンスド電解銅箔。
- 傾斜角35度、倍率10000倍の走査型電子顕微鏡の観察下で、前記微細ストライプの数は3個以上である、請求項1に記載のアドバンスド電解銅箔。
- 基板と、アドバンスド電解銅箔とを備える、銅張積層板であって、
前記アドバンスド電解銅箔は、前記基板に配置され、前記アドバンスド電解銅箔に、凹凸のある微細粗化処理面を有し、走査型電子顕微鏡によって、傾斜角35度倍率1,000倍で拡大され観察する場合、前記微細粗化処理面は、銅結晶で構成した複数の製造方向ストライプ及び複数の微細ストライプを有し、その中、少なくとも5つの前記微細ストライプは、前記製造方向ストライプ対して、20度よりも大きい最小交差角を有する銅張積層板。 - 傾斜角35度、倍率10000倍の走査型電子顕微鏡の観察下で、前記微細ストライプの長さと幅は、50nm≦幅≦1000nm、1.0μm≦長さ≦10μmの関係を満たしている、請求項8に記載の銅張積層板。
- 傾斜角35度、倍率10000倍の走査型電子顕微鏡の観察下で、前記微細粗化処理面では、長さ250nm、幅250nmの第1の平滑化領域を少なくとも10個があり、長さ500nm、幅500nmの第2の平滑化領域を少なくとも1個があり、前記第1の平滑化領域及び前記第2の平滑化領域に銅結晶が存在しない、請求項8に記載の銅張積層板。
- 異なる数の前記銅結晶が一緒に積層してそれぞれの銅ウィスカーをなしており、かつ、異なる数前記銅ウィスカーがクラスタリングされ、それぞれの銅結晶群をなして、傾斜角35度、倍率10000倍の走査型電子顕微鏡の観察下で、前記銅結晶、前記銅ウィスカー又は前記銅結晶群の最大直径中央値は550nmよりも小さい、請求項8に記載の銅張積層板。
- 前記銅ウィスカーの各々は、円錐形、棒状または球状の頂部銅結晶を有する、請求項11に記載の銅張積層板。
- 前記微細粗化処理面の表面粗さ(Rz JIS B 0601−1994)は2.3μmよりも小さい、請求項8に記載の銅張積層板。
- 傾斜角35度、倍率10000倍の走査型電子顕微鏡の観察下で、前記微細ストライプの数は3個以上である、請求項8に記載の銅張積層板。
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